CN102543249A - 镀覆披覆铜线及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种镀覆披覆铜线及其制造方法，所述镀覆披覆铜线在极力抑制导体导电性降低的同时，比以往更加抑制Sn系镀覆层与导体之间的高脆性的金属间化合物层的生长，即使在高温保持环境中耐弯曲特性、施加焊料时的接合强度也不变差。所述镀覆披覆铜线在以铜为主成分的芯材的外周具有在铜中扩散锌而成的铜-锌合金层，在所述铜-锌合金层的外周具有以锡为主成分的镀覆层，所述铜-锌合金层的平均锌浓度为35质量％以上，所述铜-锌合金层的厚度为0.1μm以上。
Description
技术领域
本发明涉及在高温环境中耐弯曲特性也不变差、在焊料连接中连接强度也不降低的镀覆披覆铜线及其制造方法。
背景技术
具有在Cu或者对其实施镀Sn后的导体上设置绝缘披覆层、并进一步加工成立体结构的电源板(PSB，Power Supply Board)、汇流条(bus bar)等配线合理化制品。另外，作为在可动部中使用的、要求高耐弯曲特性的配线部件，有车载用柔性扁平电缆(FFC)、高频同轴电缆等各种焊料镀覆导体。这些用途中使用的导体为了传播信号、动力而要求高导电性。
上述配线部件中使用的导体一般由Cu系材料构成，多在这些导体上实施纯Sn镀覆或者焊料镀覆。这些Sn系表面处理在对导体发挥防蚀效果的同时，在连接器连接中还具有降低接触电阻的效果。另外，在与基板等进行焊料连接时，有通过导体的镀覆层熔化而使润湿性变得良好的效果。
以往，作为Sn系表面处理，常用Sn-Pb系焊料，但随着对Pb的限制，开始使用纯Sn系、Sn-Ag系、Sn-Ag-Cu系、Sn-Cu系等的无Pb焊料镀覆。以往，已知例如扁平电缆中使用的Sn系镀覆导体中，在导体与Sn系镀覆层的界面上，Cu和Sn反应而形成Cu3Sn(ε相)、Cu6Sn5(η相)的Cu-Sn系金属间化合物层，由于该金属间化合物层是硬且脆的层，因此会降低Sn系镀覆导体的机械特性(例如耐弯曲特性)(例如专利文献1)，并提出了在Sn系镀覆导体的制造工序中，通过调整最终退火条件来控制金属间化合物层的厚度，从而具有耐弯曲特性的Sn系镀覆导体。
另一方面，在近年广泛的Sn系镀覆导体的技术领域中，有报告说，即使在Sn系镀覆导体的制造工序中对金属间化合物层的厚度进行控制，在随后的Sn系镀覆导体的使用环境下，仍会产生以下的问题。
专利文献1：日本特开2003-86024号公报
专利文献2：日本特开平1-262092号公报
专利文献3：日本特开2008-221333号公报
发明内容
Sn系镀覆导体在车载用或者HEV(混合动力汽车，Hybrid ElectricVehicle)、EV(电动汽车，Electric Vehicle))等的高电流配线部件、直接阳光下等高温环境下使用时，即使环境温度在Sn系镀覆层的熔点以下，也会由于Sn系镀覆层中的Sn与构成导体的Cu系材料之间的固相扩散而在导体与Sn系镀覆层的界面上形成Cu3Sn、Cu6Sn5的Cu-Sn系金属间化合物层。这时，保温温度，即制品的使用环境温度越高，则固相扩散越进行，金属间化合物层生长越厚。
金属间化合物层一般较脆，Cu3Sn的破坏韧性值为1.7(MPa·m1/2)、Cu6Sn5的为1.4(MPa·m1/2)，与焊料材料的破坏韧性值102～103(MPa·m1/2)相比极其小。因此，焊料与导体之间金属间化合物层生长较厚时，存在如下问题：在该金属间化合物层中或者金属间化合物层与焊料、导体界面，易于引起断裂，导体的耐弯曲特性变差，或者焊料连接部的可靠性显著降低。因此，一直在寻求抑制Sn系镀覆导体的使用环境下的金属间化合物层的生长的新的材料或结构。
作为抑制Cu3Sn生长的方法，在专利文献2中提出了在焊料中添加0.3～3质量％的Zn，或者在由Cu系合金构成的被接合部件的表面上形成由Zn构成的披覆层，再用Sn系合金焊料进行接合。通过在焊料中添加Zn，在焊料与Cu系合金之间形成Cu-Zn-Sn系金属间化合物层，从而可以抑制Cu-Sn系金属间化合物层的生长。
另外，在专利文献3中提出了在焊料球与基板之间具有由含有0.1～30％的Zn的Zn合金构成的结合层的结构。通过使Zn介入界面反应中，可以抑制Cu-Sn系金属间化合物层的生长。
专利文件2中，由于在焊料全体中添加Zn，因此介入焊料与由Cu系合金构成的被接合部件的界面反应的Zn是所添加的Zn的一部分，Cu-Sn系金属间化合物层的生长抑制程度小。而且，由于未介入界面反应的Zn的一部分在焊料镀覆表面上形成厚的Zn氧化膜，因此在随后的焊料连接用途中会损害润湿性。另外，即使在被接合部件的表面形成由Zn构成的披覆层的情况下，在施加焊料时，Zn也会瞬时扩散至熔融焊料中，因此与在焊料中预先添加Zn的情况同样，无法使Zn有效地介入界面反应。
另外，在专利文献3中，通过使结合层为Cu-Zn层等Zn合金，虽然可以有效抑制Cu-Sn系金属间化合物层的生长，但由于Zn合金的Zn浓度为0.1～30％的低值，因此存在Cu-Sn系金属间化合物层的生长抑制程度小的间题。另外，如专利文献3那样形成使导体全体为Cu-Zn合金的构成的情况下，由于导体的导电性显著下降，因此无法用作上述配线合理化制品和柔性扁平电缆、高频同轴电缆中所使用的导体。
因此，本发明的目的在于提供一种镀覆披覆铜线及其制造方法，所述镀覆披覆铜线在极力抑制导体导电性降低的同时，与以往相比更加抑制Sn系镀覆层与导体之间的高脆性的金属间化合物层的生长，即使在高温保持环境中耐弯曲特性、施加焊料时的接合强度也不变差。
为了实现该目的而提出的本发明是一种镀覆披覆铜线，其在以铜为主成分的芯材的外周具有在铜中扩散锌而成的铜-锌合金层，在该铜-锌合金层的外周具有以锡为主成分的镀覆层，该铜-锌合金层的平均锌浓度为35质量％以上，该铜-锌合金层的厚度为0.1μm以上。
将上述芯材的截面积设为A、上述铜-锌合金层的截面积设为B时，B/A的值优选为0.5以下。
另外，本发明是一种镀覆披覆铜线的制造方法，具有：在以铜为主成分的导体表面形成锌层的锌披覆铜线的形成工序，通过对该锌披覆铜线进行热处理而使锌扩散至铜中从而在以铜为主成分的芯材的外周形成铜-锌合金层的工序，以及在该铜-锌合金层上实施镀锡而形成镀覆层的工序；其中，该铜-锌合金层的平均锌浓度为35质量％以上，该铜-锌合金层的厚度为0.1μm以上。
将上述芯材的截面积设为A、上述铜-锌合金层的截面积设为B时，B/A的值优选为0.5以下。
根据本发明，可以提供一种镀覆披覆铜线及其制造方法，所述镀覆披覆铜线在极力抑制导体导电性降低的同时，比以往更加抑制Sn系镀覆层与导体之间的高脆性的金属间化合物层的生长，即使在高温保持环境中耐弯曲特性、施加焊料时的接合强度也不变差。
附图说明
图1是表示本发明的镀覆披覆铜线的表面附近的截面照片以及线分析位置的图。
图2是表示图1中的线分析结果的图。
图3是表示通过光学显微镜观察本发明的镀覆披覆铜线的焊料/Cu-Zn层界面上的、在150℃保持1000小时后的金属间化合物层的结果。
图4是表示通过光学显微镜观察以往的镀覆披覆铜线的焊料/Cu界面上的、在150℃保持1000小时后的金属间化合物层的结果。
图5是表示本发明和以往的镀覆披覆铜线在150℃时的金属间化合物层的生长行为的图。
具体实施方式
以下说明本发明的优选实施方式。
本发明人等对导体与镀覆层界面上配置的铜-锌合金层(Cu-Zn层)中的平均锌浓度(平均Zn浓度)进行了研究，结果发现，通过将平均Zn浓度的下限值设定为35质量％以上、优选为38质量％以上，将Cu-Zn层的厚度设定为0.1μm以上，在高温环境下使用时的界面的金属间化合物层的生长几乎看不到，抑制该生长的效果好。
将Cu-Zn层的平均Zn浓度规定为35质量％以上的理由是，如果使平均Zn浓度不足35质量％，则虽然与不含Zn时相比能够一定程度抑制金属间化合物层的生长，但金属间化合物层的厚度仍生长到2μm以上；将Cu-Zn层的厚度规定为0.1μm以上的理由是，Cu-Zn层的厚度不足0.1μm时也同样，虽然与不含Zn时相比能够一定程度抑制金属间化合物层的生长，但金属间化合物层的厚度仍生长到2μm以上。
另外，由于本发明在以Cu为主成分的芯材的外周形成通过对锌披覆铜线进行热处理、从而使Zn扩散至Cu中而得到的Cu-Zn层之后，在Cu-Zn层上形成镀覆层，因此可以极大地减少Zn成分在镀覆层中熔融的量，可以抑制因镀覆层表面的Zn氧化膜而导致的镀覆层的焊料润湿性下降。
另外，以芯材的截面积为A、Cu-Zn层的截面积为B时，B/A的值优选为0.5以下。这是因为，B/A的值超过0.5时，会使镀覆披覆铜线的导线性下降。
另外，平均Zn浓度的上限值优选为98质量％以下。其理由是，在具有平均Zn浓度超过98质量％的Cu-Zn层的导体上实施镀覆时，Zn瞬时扩散至镀层中，扩散的Zn会在镀覆层的表面形成Zn氧化膜，因此在其后的焊料连接的用途中会有损害润湿性的可能。
另外，Cu-Zn层的厚度的上限值优选为20μm以下。其理由是，由于Cu-Zn层的导电性低，因此如果厚度超过20μm，则镀覆披覆铜线的导电性显著下降。例如在流过10MHz的电流的情况下，使表皮深度(距离电流流过的导体表面的深度)为21μm左右，这是考虑到高频范围的影响大的缘故。
另外，以芯材的截面积为A、Cu-Zn层的截面积为B时，B/A的值优选为0.0005以上。其理由是，考虑到上述的用途时，如果B/A的值不足0.0005，则抑制金属间化合物层的生长的效果小。
在制造这样结构的镀覆披覆铜线时，在导体与镀覆层界面上配置的Cu-Zn层也可以通过溅射、电镀而作为Cu-Zn层形成，但由于在作为Zn单层形成后通过热处理使其与导体的Cu相互扩散而形成Cu-Zn层的方法简单、具有经济性、Zn浓度的调整也容易，因此优选。对于Zn单层的形成，除了镀覆法之外，还可以采用溅射法、包覆法等。
根据以上说明的本发明，可以提供一种镀覆披覆铜线及其制造方法，所述镀覆披覆铜线在极力抑制导体导电性降低的同时，比以往更加抑制Sn系镀覆层与导体之间的高脆性的金属间化合物层的生长，即使在高温保持环境中耐弯曲特性、施加焊料时的接合强度也不变差。
实施例
本发明的实施例1～10、以往例1、2以及比较例1～6如下所示。
实施例1
在φ0.1mm的纯Cu(韧铜，TPC)圆线上通过电镀形成厚度4μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。所得的锌披覆铜线的截面的表面附近的电子显微镜照片以及线分析结果如图1、图2所示。由这些图确认，在纯Cu圆线表面形成了平均Zn浓度为45～65质量％的Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
实施例2
在φ0.1mm的纯Cu(无氧铜，OFC)圆线上通过电镀形成厚度4μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。这时也同样确认在纯Cu圆线表面形成了平均Zn浓度为45～65质量％的Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
实施例3
在φ0.1mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度2μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
实施例4
在φ0.1mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度5.4μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
实施例5
在φ0.1mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度0.08μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
实施例6
在φ0.17mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度0.08μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
实施例7
在φ0.1mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度4μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
实施例8
在φ0.1mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度8μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
实施例9
在φ0.15mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度10μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
实施例10
在φ0.178mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度17μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
以往例1
在没有Cu-Zn层的φ0.1mm的纯Cu(TPC)圆线上通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
以往例2
在没有Cu-Zn层的φ0.1mm的纯Cu(TPC)圆线上通过熔融镀形成厚度20μm的有铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-37质量％Pb)。
比较例1
在φ0.1mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度4μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的有铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-37质量％Pb)。
比较例2
在φ0.1mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度1μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
比较例3
在φ0.1mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度5.7μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
比较例4
在φ0.1mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度0.04μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
比较例5
在φ0.1mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度10μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
比较例6
在φ0.1mm的纯Cu(TPC)圆线上通过电镀形成厚度17μm的Zn层。之后，通过通电退火热处理使Cu和Zn相互扩散，在纯Cu圆线表面形成Cu-Zn层。然后，通过熔融镀形成厚度20μm的无铅焊料镀覆层(镀覆层组成：Sn-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)。
将这些实施例1～10、以往例1、2和比较例1～6中形成的镀覆披覆铜线在设定为150℃的恒温槽中保持最多1000小时的各种时间，通过光学显微镜观察在导体和镀覆层界面上形成的金属间化合物层的状态，通过面积法来测定厚度。在150℃×1000小时保持后的实施例1和以往例1的镀覆层/导体界面的放大截面照片分别如图3、图4所示。由这些图可知，实施例1的金属间化合物层的厚度与以往例1相比被大幅抑制。
另外，同样地，将在150℃环境下的实施例1和以往例1的金属间化合物层的生长行为(厚度变化)进行数值化并进行比较的结果如图5所示。可以确认150℃×1000小时保持后的实施例1的金属间化合物层的厚度为2μm以下，可以抑制到以往例1的约7μm的1/3以下。
分别改变芯材、Cu-Zn层的平均Zn浓度、Cu-Zn层的厚度、焊料种类，将比较评价150℃×1000小时保持后的金属间化合物层的厚度的结果示于表1。
表1
这里的平均Zn浓度是指用Cu-Zn层中的Zn浓度对厚度进行积分，再除以厚度所得的值。例如图2的情况下，可以如下述来求出。
图2中的平均Zn浓度＝(60％×3.5μm+50％×2μm+25％×0.5μm)/6μm＝54％
首先，对于Cu-Zn层的平均Zn浓度，在35质量％以上的范围的实施例1～4中，金属间化合物层的生长慢，均为2μm以下。另一方面，平均Zn浓度为10质量％的比较例2中，虽然可看到金属间化合物层生长抑制的效果，但金属间化合物层的生长快，其厚度为4.5μm，大大超过2μm。即，可以判断Cu-Zn层的平均Zn浓度在35质量％以上是合适的。作为其理由，本发明人等认为与Cu-Zn合金具有最多35质量％Zn的Zn固溶限有关，超过Zn固溶限的35质量％Zn以上时，金属间化合物层生长抑制的效果高。根据该理由，作为平均Zn浓度，更优选确实超过固溶限的38质量％以上。另外，测定实施例的热处理后的最表面的Zn浓度，结果为35～100质量％。另外，任一实施例中，Cu-Zn层均是从最表面向内部Zn浓度降低的扩散层。
其次，对于焊料的种类，在镀覆层和导体间设置Cu-Zn层且使用无铅焊料的实施例1、2中，可知不管TPC、OFC等的导体的种类，在150℃×1000小时保持后都可以将金属间化合物层的厚度抑制为2μm以下。另一方面，使用有铅焊料作为镀覆层的以往例2和比较例1中，可知150℃×1000小时保持后的金属间化合物层的厚度分别为约9.5μm、8μm，与实施例相比金属间化合物层的生长都大。即，可知在使用有铅焊料时，由Cu-Zn层带来的金属间化合物层生长抑制的效果比无铅焊料时小。
然后，为了比较在150℃×1000小时保持后的实施例1和以往例1的耐弯曲特性，进行R＝15mm、90°左右弯曲试验，调查直至导体断裂的弯曲次数，其结果如表2所示。
表2
| R＝15mm、90°弯曲断裂次数 | |
| 以往例1 | 3000～7000次 |
| 实施例1 | 20000～25000次 |
确认了本发明的实施例1与以往例1相比具有1.5倍以上的耐弯曲特性。
改变Cu-Zn层的厚度以及Cu-Zn/Cu截面积比，评价150℃×1000小时保持后的试样的结果如表3所示。另外，实施例、比较例中，Cu-Zn层的厚度，平均Zn浓度，将芯材的截面积设为A、Cu-Zn层的截面积设为B时的B/A值可以通过变更Zn层厚度以及热处理条件等公知的方法来进行调整。
表3
关于导电率，以没有Cu-Zn层的试样的导电率为基准，将降低了1％以上值的情况记作×，不足该值的情况记作O。其结果与导体的尺寸没有关系，对于Cu-Zn层的厚度为0.1μm以上的实施例5～10，金属间化合物层的厚度均为2μm以下，与此相对，Cu-Zn层不足1μm的比较例4未获得抑制金属间化合物层生长的效果。另外，Cu-Zn/Cu截面积比超过0.5的比较例5、6中，结果为金属间化合物层的生长慢但导电率降低。即，为了同时具有金属间化合物层的生长抑制以及高导电率，Cu-Zn层的厚度需要为0.1μm以上，且优选Cu-Zn/Cu截面积比为0.5以下。
对于本发明的实施例1～10，由于Zn层在进行焊料镀覆处理前就通过加热而预先形成了Cu-Zn层，因此，在焊料镀覆处理时Zn几乎不溶出至镀覆层中。因此，在镀覆层表面形成的氧化膜薄，为30nm以下，在之后的焊料连接用途中不会损害润湿性。
以上，根据本发明可知，可以抑制高温保持下的镀覆层/导体界面的金属间化合物层的生长，导体的耐弯曲特性不变差，即使在焊料连接部也可得到长期可靠性。因该效果，适用本发明的制品能够在高温环境下使用。
虽然作为实施例的芯材，例示了TPC、OFC，但本发明并不限定于TPC、OFC，可以使用形成Cu-Zn化合物的所有Cu和Cu合金。在不对上述导电性的降低造成影响的范围内，作为Cu合金的种类，也可以是含有从例如Mg、Zr、Ti、Nb、Ca、V、Ni、Mn中选择的一种或两种以上的100质量ppm以下的添加元素的所谓低浓度铜合金。
作为镀覆层的材质，并不限定于Sn-Ag-Cu镀覆，可以使用纯Sn系、Sn-Ag系、Sn-Cu系等不含Pb的无Pb焊料镀覆。
作为导体的形状，没有特别限定，可以是扁平状，还可以是截面圆形状。
本实施例中，虽然认为基本上没有Zn向镀覆层侧的扩散，但在不对本发明的效果造成不良影响的限度内也不排除Zn向镀覆层侧扩散的方式。
Claims (4)
1.一种镀覆披覆铜线，其在以铜为主成分的芯材的外周具有在铜中扩散锌而成的铜-锌合金层，在所述铜-锌合金层的外周具有以锡为主成分的镀覆层，其特征在于，
所述铜-锌合金层的平均锌浓度为35质量％以上，
所述铜-锌合金层的厚度为0.1μm以上。
2.根据权利要求1所述的镀覆披覆铜线，其特征在于，将所述芯材的截面积设为A、所述铜-锌合金层的截面积设为B时，B/A的值为0.5以下。
3.一种镀覆披覆铜线的制造方法，其特征在于，具有：
在以铜为主成分的导体表面形成锌层的锌披覆铜线的形成工序，
通过对所述锌披覆铜线进行热处理而使锌扩散至铜中从而在以铜为主成分的芯材的外周形成铜-锌合金层的工序，以及
在所述铜-芯合金层上实施镀锡而形成镀覆层的工序；
其中，所述铜-锌合金层的平均锌浓度为35质量％以上，所述铜-锌合金层的厚度为0.1μm以上。
4.根据权利要求3所述的镀覆披覆铜线的制造方法，其特征在于，将所述芯材的截面积设为A、所述铜-锌合金层的截面积设为B时，B/A的值为0.5以下。
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