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CN102455556A - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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CN102455556A CN2010106224135A CN201010622413A CN102455556A CN 102455556 A CN102455556 A CN 102455556A CN 2010106224135 A CN2010106224135 A CN 2010106224135A CN 201010622413 A CN201010622413 A CN 201010622413A CN 102455556 A CN102455556 A CN 102455556A
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Abstract

本发明公开了一种液晶显示器件及其制造方法。该器件包括：下基板；在下基板上彼此交叉并且限定像素区的栅线和数据线；在栅线和数据线之间的交叉点处形成的薄膜晶体管；在栅线上以交叉方式形成的突起；与下基板相对设置的上基板；在上基板上形成并且与在下基板上设置的突起对应的第一柱状衬垫料；在上基板上与下基板分隔开设置并且与下基板的非像素区对应的第二柱状衬垫料；以及在下基板与上基板之间的空间中填充的液晶层。

Description

液晶显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)器件，更具体而言，涉及一种具有保持盒间隙的柱状衬垫料和防止挤压的柱状衬垫料的LCD器件及其制造方法。
背景技术
随着信息社会的发展，目前已增大了对于各种显示器件的需求。相应地，人们已进行许多努力来研究和开发出各种平板显示器件，例如液晶显示(LCD)器件、等离子体面板(PDP)、有机电子发光显示器(OLED)以及真空荧光显示器(VFD)。目前已将这些平板显示器件中的一些应用于不同设备的显示器中。
在上述各种平板显示器件中，LCD器件由于诸如外形纤薄、重量轻以及功耗低等有利特性而得到广泛的使用，从而正在取代阴极射线管(CRT)。除了诸如笔记本电脑所用LCD器件的轻便型LCD器件以外，目前已为电脑监视器和电视开发出用来接收显示播放信号的LCD器件。
为了将LCD器件在各种领域中用作通用显示器，LCD器件应当在仍然保持诸如重量轻、外形纤薄以及功耗低等特性的同时，用大尺寸屏幕来提供诸如高分辨率和高亮度的高图像质量。
根据制造方法，可将LCD器件分成LC注入型和LC分配型。
如果为LC分配型LCD器件，则将LC滴在一块基板上并且将该基板与另一块基板接合。当使用球状衬垫料时，球状衬垫料会与LC一起在基板上滚动。这会导致很难保持恰当的盒间隙。
因此，目前已提出了固定到位于基板的预定部分上的柱状衬垫料。在LC分配型LCD器件中，在滤色器基板上形成柱状衬垫料，并且将LC滴在TFT基板上。然后，将两块基板彼此接合来形成面板。
然而，LC分配型LCD器件会具有以下问题。尽管未示出，柱状衬垫料以大的接触面积接触上下基板，并且大的摩擦力施加在柱状衬垫料和下基板之间。因此，一旦柱状衬垫料已移动至触摸方向，上基板不会恢复至原状态。在这种情形下，在不具有柱状衬垫料的上下基板之间的空间的盒间隙会比安装有柱状衬垫料的部分的盒间隙大。在使用者的手指或笔触摸的区域上，液晶会散开。并且，在触摸区域和边缘区域上由于LC处于不足或过剩状态而不会正常驱动液晶。这会导致触摸缺陷，即，在触摸区域和边缘区域之间的界面处会出现瑕疵。
在具有柱状衬垫料的LCD器件上出现触摸缺陷的原因在于柱状衬垫料被固定在一块基板上并且与另一块基板的上表面接触。即，触摸缺陷由柱状衬垫料与基板之间宽的接触面积造成。
为了解决该触摸缺陷，目前已经提出了具有保持间隙柱状衬垫料与防止挤压柱状衬垫料的LCD器件。
以下会参照图1至3更详细地解释具有保持间隙柱状衬垫料和防止挤压柱状衬垫料的现有的LCD器件。
图1为现有技术的包括双柱状衬垫料的液晶显示(LCD)器件的平面图。图2为沿图1中的“II-II”线截取的放大截面图，示出了与设置在栅线上的圆形突起相接触的柱状衬垫料；图3为沿图1中的“III-III”线截取的放大截面图，示出了柱状衬垫料以及与设置在栅线上的圆形突起相接触的防止挤压柱状衬垫料。
如图1至图3所述，现有的LCD器件包括彼此相对的下基板11和上基板31，以及在下基板11和上基板31之间的空间中填充的LC层41。
在下基板11上，用于限定像素区的栅线13和数据线19形成为彼此交叉。在栅线13和数据线19之间的交叉点处形成薄膜晶体管(T)。并且，在各个像素区处形成像素电极27。
薄膜晶体管(T)包括从栅线13延伸出的栅极13a、形成来覆盖栅极13a的半导体层17a、从数据线19延伸出并且形成在半导体层17a一侧的源极19a、以及与源极19a按照预定间隔分隔开并且形成在半导体层17a另一侧的漏极19b。
如图2和图3所示，在栅线13上形成圆形突起21。圆形突起21是由数据线19的金属层图案19c以及设置在金属层图案19c下面的半导体层17a所构成。金属层图案19c由于半导体层17a的尾部而具有额外的接触面积。这会导致PPM(接触面积相对于总面积的比率)的改变。
在下基板11上形成栅线13来使得金属线彼此绝缘。在包括栅线13的基板的整个表面上形成栅绝缘层15。并且，在栅绝缘层15上形成保护膜23。在此，突起21利用下面的栅绝缘层15来使栅线13和数据线19彼此绝缘。
在与下基板11相对的上基板31上，形成了用于遮蔽非像素区(例如，栅线、数据线以及TFT)而不遮蔽像素区的黑矩阵层33、在各个像素区处具有红色、绿色和蓝色的滤色器层35以及在包括滤色器层35的上基板31的整个表面上形成的公共电极37。
在公共电极37上面，形成了用于保持盒间隙的第一柱状衬垫料39a以及与下基板11按照预定间隔分隔开的第二柱状衬垫料39b。
第一和第二柱状衬垫料39a和39b具有相同的高度，并且形成在上基板31上。第一柱状衬垫料39a布置在与圆形突起21对应的位置处，而第二柱状衬垫料39b在不与圆形突起21对应的位置处布置在栅线13或数据线19的上方。
当下基板11和上基板31彼此接合时，第一柱状衬垫料39a通过在接合工艺期间产生的压力而与圆形突起21接触。并且，第二柱状衬垫料39b与保护膜23，即下基板11的最上层分隔开。
如前所述，现有的LCD器件具有以下问题。
在现有的LCD器件中，通过将圆形突起设置在栅线上来实施柱状衬垫料。在此，在圆形突起的每个方向上执行湿法蚀刻工艺和干法蚀刻工艺。这会使玻璃基板(母基板)内部的CD均匀性变差。更具体而言，玻璃基板内部的一些面板由于接触面积比率增大而不会具有间隙缺陷，而另一些面板会由于接触面积比率减小而具有间隙缺陷。
此外，现有的圆形突起受到在各个方向上进行的曝光和蚀刻。根据玻璃基板(母基板)和加工尺寸，这会导致圆形突起的CD(临界尺寸)的大的变化。圆形突起由于半导体层的尾部而在各个方向上与柱状衬垫料具有额外的接触面积，所以极大地改变了PPM。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种液晶显示(LCD)器件及其制造方法，该器件可通过使在工艺期间改变的接触面积比率达到最小化而使间隙瑕疵的出现最小化。
为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如在本文中所具体体现和广泛描述的，本发明提供了一种液晶显示(LCD)器件，包括：下基板；在下基板上彼此交叉并且限定像素区的栅线和数据线；在栅线和数据线之间的交叉点处形成的薄膜晶体管(TFT)；在栅线上以交叉方式形成的突起；与下基板相对设置的上基板；在上基板上形成并且与在下基板上设置的突起对应的第一柱状衬垫料；在上基板上与下基板相隔设置并且与下基板的非像素区对应的第二柱状衬垫料；以及在下基板与上基板之间的空间中填充的液晶层。
为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如在本文中所具体体现和广泛描述的，本发明还提供了一种制造液晶显示(LCD)器件的方法，该方法包括：提供彼此相对的下基板和上基板；在下基板上形成栅线以及从栅线延伸出的栅极；在包括栅极和栅线的基板的整个表面上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成覆盖栅极的半导体层；在包括半导体层的栅绝缘层上形成数据线、从数据线延伸出的源极、与源极间隔开的漏极以及与栅线交叉的突起；在包括数据线、源极和漏极的基板的整个表面上形成钝化层；在钝化层中形成使漏极暴露到外部的接触孔；在钝化层上形成通过接触孔与漏极电连接的像素电极；在上基板与突起对应的位置处形成第一柱状衬垫料；在上基板与下基板的非像素区对应的位置处按照预定高度来形成第二柱状衬垫料；将液晶分配在下基板上；以及将下基板与上基板彼此接合。
本发明可具有以下优点。
首先，由于突起形成为与栅线交叉，所以突起的两侧不会由于工艺的改变而具有PPM改变。原因在于利用在玻璃基板(母基板)中具有优良均匀性的栅线来限定突起。
其次，如果为现有的圆形突起，则会由于有源尾部设置在形成金属层的源/漏极的下面而形成单一结构。这会引起PPM(接触面积相对于总面积的比率)的改变。然而，在本发明中，可形成与栅线交叉的突起来将现有的问题减少50％以上。更具体而言，当突起的数据线金属层图案按照交叉方式设置在栅线上时，第一区域(A)可具有与现有的PPM相同的PPM。然而，第二区域(B)由于能够利用栅线精确限定而具有比现有的PPM低50％以上的PPM。
第三，由于突起形成为与栅线交叉，因此可使由于工艺改变而导致的PPM改变最小化。这会减少间隙缺陷的发生。
从与附图结合的本发明的以下详细描述中，本发明的前述和其它目的、特征、方面以及优点会变得更加清楚可见。
附图说明
所包括的附图提供了对本发明的进一步的理解，附图合并到本申请中并构成本申请的一部分，用于图解说明本发明的(多个)实施例，并且连同文字描述一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1为现有技术的包括双柱状衬垫料的液晶显示(LCD)器件的平面图；
图2为沿图1中的“II-II”线截取的放大截面图，示出了与设置在栅线上的圆形突起相接触的柱状衬垫料；
图3为沿图1中的“III-III”线截取的放大截面图，示出了柱状衬垫料以及与设置在栅线上的圆形突起相接触的防止挤压柱状衬垫料。
图4为本发明的包括柱状衬垫料的LCD器件的平面图；
图5为沿图4中的“V-V”线截取的放大截面图，示出了接触与栅线交叉的突起的柱状衬垫料；
图6为沿图4中的“VI-VI”线截取的放大截面图，示出了柱状衬垫料以及接触与栅线交叉的突起的防止挤压柱状衬垫料；以及
图7A至7K为示出了本发明的制造LCD器件的工艺的截面图。
具体实施方式
现在参照附图详细描述本发明。
为了参照附图的说明简明起见，相同或相当的部件会具有相同的附图标记，并且不会再重复对其的说明。
现在参照附图详细解释本发明的液晶显示(LCD)器件。
图4为本发明的包括柱状衬垫料的LCD器件的平面图；图5为沿图4中的“V-V”线截取的放大截面图，示出了接触与栅线交叉的突起的柱状衬垫料；图6为沿图4中的“VI-VI”线截取的放大截面图，示出了柱状衬垫料以及接触与栅线交叉的突起的防止挤压柱状衬垫料。
如图4至图6所示，本发明的包括突起的LCD器件包括下基板101、上基板131以及在下基板101和上基板131之间填充的LC层141。
在下基板101上，用于限定像素区的栅线103和数据线113b形成为彼此交叉。薄膜晶体管(T)形成在栅线103和数据线113b之间的交叉点处，并且像素电极129a形成在像素区处。在此，公共电极(未示出)可按照与像素电极129a交替的方式来形成。
薄膜晶体管(T)包括从栅线103延伸出的栅极103a、形成来覆盖栅极103a的半导体层107a、从数据线113b延伸出并且在半导体层107a的一侧形成的源极113c以及与源极113c按照预定间隔分隔开并且在半导体层107a的另一侧形成的漏极113d。
如图4和图5所示，用与数据线113b相同的金属在栅线103上形成突起121，突起121与数据线113b在相同的层中。突起121以交叉的方式在栅线103的上方形成。在此，所形成的突起121的长边比栅线103的宽度宽。突起121可实施为数据线113b的单层，即数据线金属层图案119c。或者，突起121可实施为由数据线金属层图案119c以及设置在数据线金属层图案119c下面的半导体层107a所构成的双层。
栅线103形成在下基板101上，从而使金属线彼此绝缘。栅绝缘层105形成在包括栅线103的基板的整个表面上。并且，保护膜123形成在栅绝缘层105上。在此，突起121利用下面的栅绝缘层105使得栅线103和数据线113b彼此绝缘。
在与下基板101相对的上基板131上，形成了用于遮蔽非像素区(即栅线、数据线以及TFT)而不遮蔽像素区的黑矩阵层133、在各个像素区处具有红色、绿色、蓝色的滤色器层135以及在包括滤色器层135的上基板131的整个表面上形成的公共电极137。
在公共电极137上面，形成了用于保持盒间隙的第一柱状衬垫料139a，以及与下基板101按照预定间隔分隔开的第二柱状衬垫料139b。
第一和第二柱状衬垫料139a和139b具有相同高度，并且形成在上基板131上。第一柱状衬垫料139a布置在与突起121对应的位置处，而第二柱状衬垫料139b在不与突起121对应的位置处布置在栅线103或数据线113b的上方。
当将下基板101与上基板131彼此接合时，第一柱状衬垫料139a通过在接合工艺期间产生的压力而与突起121接触。并且，第二柱状衬垫料139b与保护膜123，即下基板101的最上层分隔开。
第二柱状衬垫料139b和下基板101之间的分隔距离对应于通过从突起121的高度减去突起121对第一柱状衬垫料139a的挤压程度而获得的值。
因此，当在栅线103处以交叉的方式布置突起121的数据线金属层图案119c时，第一区域(A)具有与现有PPM相同的PPM。然而，可利用栅线103来精确限定第二区域(B)，因此突起与柱状衬垫料之间相对于总面积的接触面积比率PPM比现有PPM减少了50％以上。
以下参照图7A至7K来解释本发明的制造LCD器件的方法。
图7A至7K为示出了本发明的制造LCD器件的工艺的截面图。
尽管未示出，利用溅射法来将第一导电金属层(未示出)沉积在透明绝缘基板101上。在此，第一导电金属层(未示出)是由选自包括铝(A1)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钨钼(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)的导电金属组中的至少一种来形成。
然后，在第一导电层(未示出)上沉积第一光敏膜(未示出)，接着利用采用掩模的光刻工艺来对第一光敏膜进行曝光和显影，由此形成了第一光敏膜图案(未示出)。
如图7A所示，使用第一光敏膜图案(未示出)作为掩模来对第一导电金属层(未示出)有选择地进行构图，由此形成了栅线103以及从栅线103垂直延伸出的栅极103a。
如图7B所示，去除第一光敏膜图案(未示出)，然后将栅绝缘层105、无定形硅层107以及第二导电金属层113顺序地沉积在包括栅线103和栅极103a的基板的整个表面上。在此，第二导电金属层113是由选自包括铝(A1)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钨钼(MoW)、钼钛(MoTi)、铜/钼钛(Cu/MoTi)的导电金属组中的至少一种来形成。
如图7C所示，在第二导电金属层113上沉积具有高透光性的光刻胶，由此形成了第二光敏膜117。
然后，使用由遮光部分115a、半透光部分115b以及透光部分115c所构成的衍射掩模115来对第二光敏膜117进行曝光。衍射掩模115中的遮光部分115a对应于源/漏极的区域以及形成突起的数据线金属层图案(未示出，参照图6中的119c)的区域而设置在第二光敏膜117上面。衍射掩模115中的半透光部分115b对应于形成TFT沟道的区域(沟道区)而设置在第二光敏膜117上面。在此，可使用采用光衍射效应的掩模，即半色调掩模或其它掩模来代替衍射掩模115。
如图7D所示，利用显影工艺来对经过曝光工艺后的第二光敏膜117有选择地进行构图，由此在突起形成区域(即源/漏极区、沟道区)以及数据线金属层图案区上方形成了第二光敏膜117a、117b以及117c。在此，在源/漏极区以及数据线金属层图案区上方的第二光敏膜图案117a和117c由于光未从中通过而保持了第二光敏膜117的厚度。另一方面，在沟道区上方的第二光敏膜图案117b由于光已部分从中通过而具有按照预定程度去除后的厚度。更具体而言，在沟道区上方的第二光敏膜图案117b的厚度比在源/漏极区和数据线金属层图案区上方的第二光敏膜图案117a和117c的厚度小。
如图7E所示，使用第二光敏膜图案117a、117b和117c作为掩模来顺序对第二导电金属层113和无定形硅层107进行构图。结果，对应于栅极103a而在栅绝缘层105上形成了半导体层107和第二导电金属层图案113，并且对应于栅线103而在栅绝缘层105上形成半导体层107a和数据线金属层图案113a。在此，半导体层107a和数据线金属层图案113a构成了突起121。按照交叉方式来在栅线103上方形成该突起121。在此，所形成的突起121的长边比栅线103的宽度宽。更具体而言，如图4所示，突起121的垂直区域(B)比水平区域(A)宽。
如图7F所示，利用灰化工艺，完全去除在沟道区上方形成的第二光敏膜图案117b，并且部分去除了在源/漏极和金属层图案113a上方形成的第二光敏膜图案117a和117c。在此，与沟道区的上部重叠的第二导电金属层图案113具有暴露到外部的上部。
如图7G所示，使用厚度部分去除的第二光敏膜图案117a作为掩模来对第二导电金属层图案113有选择地进行构图。结果，形成了与栅线103交叉的数据线113b、从数据线113b延伸出的源极113c以及与源极113c间隔开的漏极113d。
然后，去除第二光敏敏图案117a和117c，并且将钝化层123沉积在包括数据线113b、从数据线113b延伸出的源极113c以及与源极113c间隔开的漏极113d的基板的整个表面上。然后，将第三光敏膜125沉积在钝化层123上。
如图7H所示，利用采用掩模的光刻胶工艺对第三光敏膜125进行曝光和显影，由此形成第三光敏膜图案125a。
然后，使用第三光敏膜图案125a作为掩模来有选择地对钝化层123进行构图，由此形成可使漏极113d暴露到外部的接触孔127。
如图7I所示，去除第三光敏膜图案125a，然后利用溅射法将透明导电层129沉积在包括接触孔127的钝化层123上。
尽管未示出，将第四光敏膜(未示出)沉积在透明导电层129上。然后，利用采用掩模的光刻胶工艺对第四光敏膜进行曝光和显影，由此形成了第四光敏膜图案(未示出)。
如图7J所示，使用第四光敏膜图案(未示出)作为掩模来有选择地对透明导电层129进行构图，由此形成了与漏极113d电连接的像素电极129a。结果，完成了制造下基板阵列的工艺。在此，可按照与像素电极129a交替的方式来形成公共电极(未示出)。
如图7K所示，在与下基板101接合的上基板131上形成了黑矩阵层133来遮蔽入射到不是像素区的区域上的光。
然后，按照各区域将红色、绿色和蓝色滤色器135形成在包括黑矩阵层133的上基板131上。在此，对应于栅线和数据线可在上基板上形成或者不形成滤色器135。
然后，在包括黑矩阵133和滤色器135的上基板131的整个表面上形成公共电极137。
然后，以很厚的厚度将光敏树脂层(未示出)沉积在公共电极137上。
然后，使用掩模来对光敏树脂层进行曝光，由此形成了第一柱状衬垫料139a和第二柱状衬垫料139b，第一柱状衬垫料139a和第二柱状衬垫料139b各自在上基板的上表面上具有预定高度的突起。结果，完成了制造上基板的工艺。在此，第一柱状衬垫料139a用于保持盒间隙，而第二柱状衬垫料139b通过与下基板101以预定距离间隔开来防止突起被挤压的状态。第一和第二柱状衬垫料139a和139b具有相同的高度。第一柱状衬垫料139a布置在与突起121对应的位置处，而第二柱状衬垫料在不与突起121对应的位置处布置在栅线103或数据线113b的上方。
然后，将液晶分配在下基板101上，由此形成了液晶层141。
然后，将下基板101和上基板131彼此接合。在此，第一柱状衬垫料139a利用在接合工艺期间产生的压力来与突起121接触。并且，第二柱状衬垫料139b与保护膜123，即下基板101的最上表面分间隔。
在本发明中，突起形成为与栅线交叉。这可使得突起的两侧不会具有由于工艺改变所导致的PPM改变。原因在于利用在玻璃基板(母基板)上具有优良均匀性的栅线103来限定突起121。
如果为现有的圆形突起，则由于有源尾部设置在形成金属层的源/漏极下面而形成单一结构。这会导致PPM(接触面积相对于总面积的比率)的改变。然而，在本发明中，突起形成为与栅线交叉来将现有的问题减少50％以上。更具体而言，由于突起的数据线层图案是以交叉的方式设置在栅线上，因而第一区域(A)的PPM与现有的PPM相同。然而，第二区域(B)的PPM由于是由栅线精确地限定而比现有的PPM低50％以上。
在本发明的LCD器件中，突起形成为与栅线交叉。这会使得由于工艺改变而导致的PPM改变达到最小化，由此减少了间隙缺陷的出现。
前述实施例和优点仅是示例性的而并不应当被认为是对本发明的限制。可很容易将目前的教导应用于其它类型的设备中。本说明书意欲进行解释而并非限制权利要求书的范围。对于本领域技术人员而言，很多替换、修改以及变型都会是清楚可见的。在本发明中描述的示例性实施例的特征、结构、方法以及其它特点可按照各种方式来结合，以获得另外的和/或替换的示例性实施例。
由于目前的特征可在不背离其特性的情况下按照各种形式来体现，因此还应当理解，除非另有说明，前述说明书的任何细节并不会限制上述实施例，相反应当在所附权利要求书限定的范围内对上述实施例进行广泛地理解，从而所附权利要求书意欲包括落入权利要求的范围或者此范围的等价物内的所有改变和修改。

Claims (13)

1.一种液晶显示器件，包括：
下基板；
在下基板上彼此交叉并且限定像素区的栅线和数据线；
在栅线和数据线之间的交叉点处形成的薄膜晶体管；
在栅线上以交叉方式形成的突起；
与下基板相对设置的上基板；
在上基板上形成并且与在下基板上设置的突起对应的第一柱状衬垫料；
在上基板上与下基板分隔开设置并且与下基板的非像素区对应的第二柱状衬垫料；以及
在下基板与上基板之间的空间中填充的液晶层。
2.权利要求1所述的液晶显示器件，其中所述薄膜晶体管包括从栅线延伸出的栅极、与栅极重叠并且从数据线延伸出的源极、与源极间隔开的漏极以及在源极和漏极下面设置的半导体层。
3.权利要求2所述的液晶显示器件，还包括在下基板上与薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极。
4.权利要求1所述的液晶显示器件，其中所述突起被实施为与数据线相同的层的数据线金属层图案的单层，或者被实施为与数据线相同的层的数据线金属层图案和设置在数据线金属层图案下面的半导体层的双层。
5.权利要求1所述的液晶显示器件，其中与栅线交叉的所述突起的长边形成为比栅线的宽度宽。
6.权利要求1所述的液晶显示器件，还包括：
在上基板上与栅线、数据线和薄膜晶体管对应形成的黑矩阵层；
与像素区对应形成的滤色器层；以及
在包括黑矩阵层和滤色器层的上基板的整个表面上形成的公共电极。
7.权利要求3所述的液晶显示器件，还包括按照与像素电极交替的方式在下基板上形成的公共电极。
8.一种制造液晶显示器件的方法，该方法包括：
提供彼此相对的下基板和上基板；
在下基板上形成栅线和从栅线延伸出的栅极；
在包括栅极和栅线的基板的整个表面上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层上形成覆盖栅极的半导体层；
在包括半导体层的栅绝缘层上形成数据线、从数据线延伸出的源极、与源极间隔开的漏极以及与栅线交叉的突起；
在包括数据线、源极和漏极的基板的整个表面上形成钝化层；
在钝化层中形成使漏极暴露到外部的接触孔；
在钝化层上形成通过接触孔与漏极电连接的像素电极；
在上基板与突起对应的位置处形成第一柱状衬垫料；
在上基板与下基板的非像素区对应的位置处形成具有预定高度的第二柱状衬垫料；
将液晶分配在下基板上；以及
将下基板与上基板彼此接合。
9.权利要求8所述的方法，其中所述突起被实施为与数据线相同的层的数据线金属层图案的单层，或者被实施为与数据线相同的层的数据线金属层图案和设置在数据线金属层图案下面的半导体层的双层。
10.权利要求8所述的方法，其中与栅线交叉的所述突起的长边形成为比栅线的宽度宽。
11.权利要求8所述的方法，还包括：
在上基板上形成与栅线、数据线以及薄膜晶体管对应的黑矩阵层；
形成与像素区对应的滤色器层；以及
在包括黑矩阵层和滤色器层的上基板的整个表面上形成公共电极。
12.权利要求8所述的方法，还包括按照与像素电极交替的方式在下基板上形成公共电极。
13.权利要求8所述的方法，其中所述第一和第二柱状衬垫料具有相同的高度。
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