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CN102356352A - Tft基板和使用该tft基板的液晶显示装置 - Google Patents

Tft基板和使用该tft基板的液晶显示装置 Download PDF

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CN102356352A
CN102356352A CN2009801582011A CN200980158201A CN102356352A CN 102356352 A CN102356352 A CN 102356352A CN 2009801582011 A CN2009801582011 A CN 2009801582011A CN 200980158201 A CN200980158201 A CN 200980158201A CN 102356352 A CN102356352 A CN 102356352A
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bus
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星野淳之
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Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

提供能精度良好地保持排列于TFT基板上的多个像素的像素电位的TFT基板。本发明的TFT基板具备：栅极总线(G2、G3)；辅助电容总线(CsYH3、CsYL2)，其来源于与栅极总线(G2、G3)相同的配线层；辅助电容总线(CsXH1)，其来源于与栅极总线(G2、G3)相同的配线层，形成第1子像素(SP21)的辅助电容(22)；以及辅助电容总线(CsXL2)，其来源于与栅极总线(G2、G3)相同的配线层，形成第2子像素(SP22)的辅助电容(25)。辅助电容总线(CsYH3)和辅助电容总线(CsXH1)、以及辅助电容总线(CsYL2)和辅助电容总线(CsXL2)分别通过来源于与栅极总线(G2、G3)不同的配线层的连接配线部连接。

Description

TFT基板和使用该TFT基板的液晶显示装置
技术领域
本发明涉及使用薄膜晶体管的有源矩阵型的TFT基板和使用该TFT基板的液晶显示装置。
背景技术
作为改善γ特性的视角依存性的液晶显示装置，有多像素驱动方式的液晶显示装置。在多像素驱动中，利用亮度不同的两个以上子像素构成一个像素，由此改善视野角特性即γ特性的视角依存性(例如，参照专利文献1)。
在图9中示出现有的多像素驱动方式的液晶显示装置具备的像素的构成例。如图9所示，一个像素P1被分割为两个子像素SP1、SP2。子像素SP1具有薄膜晶体管(下面称为“TFT”。)51、辅助电容52以及子像素电极53。同样，子像素SP2具有TFT61、辅助电容62以及子像素电极63。
TFT51和TFT61各自的栅极电极连接到栅极总线G1，各自的源极电极连接到源极总线S1。
辅助电容52在子像素电极53与辅助电容总线Cs1之间形成。辅助电容62在子像素电极63与辅助电容总线Cs2之间形成。
辅助电容总线Cs1和栅极总线G1配置成隔着子像素SP1彼此平行。辅助电容总线Cs2和栅极总线G1配置成隔着子像素SP2彼此平行。
另外，像素P1的辅助电容总线Cs1兼作用于形成隔着该辅助电容总线Cs1与像素P1相邻的其它像素(省略图示)的子像素具有的辅助电容的辅助电容总线。同样，像素P1的辅助电容总线Cs2兼作用于形成隔着该辅助电容总线Cs2与像素P1相邻的其它像素(省略图示)的子像素具有的辅助电容的辅助电容总线。
使用图10，对多像素驱动方式的显示面板中的辅助电容总线Cs1、Cs2(下面总称Cs1、Cs2，也有时称为“Cs”。)的驱动方法进行说明。
如图10所示，在作为显示区域的有源区AA交替配置的辅助电容总线Cs连接到在与有源区AA相邻的区域所配置的Cs干配线bb。Cs干配线bb构成以多条为一组的Cs干配线组BB1和Cs干配线组BB2。Cs干配线组BB1设于与相对于有源区AA成为辅助电容总线Cs延伸的一个方向的规定侧的有源区AA的一端侧相邻的区域。另外，Cs干配线组BB2设于与相对于有源区AA成为辅助电容总线Cs延伸的另一方向的规定侧的有源区AA的另一端侧相邻的区域。
例如在仅设有Cs干配线组BB1的情况下，辅助电容总线Cs的一端连接到构成Cs干配线组BB1的Cs干配线bb。另一方面，在设有Cs干配线组BB1和Cs干配线组BB2两者的情况下，辅助电容总线Cs的一端连接到构成Cs干配线组BB1的Cs干配线bb，辅助电容总线Cs的另一端连接到构成Cs干配线组BB2的Cs干配线bb。Cs干配线bb在与辅助电容总线Cs延伸的方向正交的方向、即图9的源极总线S1延伸的方向延伸。
在图10中，设有包括12条Cs干配线bb的Cs干配线组BB1以及包括12条Cs干配线bb的Cs干配线组BB2。并且，各辅助电容总线Cs连接到各Cs干配线组BB1和BB2各自中的任一条Cs干配线bb。连续配置的12条辅助电容总线Cs连接到各Cs干配线组BB1、BB2中的彼此不同的Cs干配线bb。
另一方面，在仅设有Cs干配线组BB1的情况下，连续配置的12条辅助电容总线Cs连接到Cs干配线组BB1中的彼此不同的Cs干配线bb。
在这样的多像素驱动方式中，将彼此不同的辅助电容电压Vcs施加到辅助电容总线Cs1和辅助电容总线Cs2各自，由此使构成相同像素P1的子像素SP1和SP2各自的亮度不同，由此改善像素P1整体的γ特性。
上述的辅助电容电压Vcs通过Cs干配线bb提供到辅助电容总线Cs1和辅助电容总线Cs2。并且，对各Cs干配线组BB1、BB2的不同的Cs干配线bb施加不同的辅助电容电压Vcs。因此，对Cs干配线组BB1、BB2各自，从Cs驱动器(省略图示)提供Cs干配线bb的条数的量的不同的辅助电容电压Vcs。
如图10所示，在有源区AA的两侧配置有Cs干配线组BB1、BB2的情况下，对连接到相同辅助电容总线Cs的、Cs干配线组BB1、BB2各自的Cs干配线bb施加相同的辅助电容电压Vcs。
这样，从有源区AA的两侧提供辅助电容电压Vcs。因此，即使是较大尺寸的液晶画面，也能抑制如下情况：对于辅助电容电压Vcs而言，由于配线延迟，辅助电容电压Vcs的波形在相同的辅助电容总线Cs中的有源区AA的不同场所间不同。
以往，提出了在有源区AA内将这样的辅助电容总线Cs配置成网格状的构成(例如，参照专利文献2～6)。
例如，在专利文献2所公开的现有的液晶显示装置中，通过将相当于图10所示的辅助电容总线Cs的储存电容总线形成为网格状，从而能将从电源侧看到的储存电容总线的阻抗减到极小。因此，能减小储存电容总线的时间常数，所以在不降低显示质量的情况下实现液晶显示装置的大型化、高精细化。
另外，在专利文献3所公开的现有的液晶显示元件中，也通过将相当于图10所示的辅助电容总线Cs的辅助电容配线单元形成为网格状，从而能降低辅助电容单元的电阻值。而且，即使在辅助电容配线单元发生断线的情况下，辅助电容配线整体也形成为网格状，所以能将断线的不良影响抑制成最小限度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开专利公报“第2006/098449号小册子(2006年9月21日公开)”
专利文献2：日本公开专利公报“特开2001-281690号公报(2001年10月10日公开)”
专利文献3：日本公开专利公报“特开平9-160075号公报(1997年6月20日公开)”
专利文献4：日本公开专利公报“特开平3-72321号公报(1991年3月27日公开)”
专利文献5：日本公开专利公报“特开昭62-265688号公报(1987年11月18日公开)”
专利文献6：日本公开专利公报“特开2001-109018号公报(2001年4月20日公开)”
发明内容
发明要解决的问题
但是，在TV用途的液晶显示装置中，从倍速驱动、大型和高精细化等的要求出发，要求用于保持像素电位的上述辅助电容总线Cs的低电阻化。
尤其是在上述的现有的多像素驱动方式中，例如使用图9说明的那样，必须将彼此不同的辅助电容电压Vcs施加到辅助电容总线Cs1和辅助电容总线Cs2各自。其结果是，辅助电容总线Cs1和辅助电容总线Cs2两者需要低电阻化。
但是，在要降低这样的辅助电容总线Cs1和辅助电容总线Cs2两者的电阻的情况下，必须将最少需要两组的辅助电容总线设成2×n(n：自然数)倍的组。其结果是，图10所示的Cs干配线组BB1、BB2也需要低电阻化，因此，它们的配线宽度增大，导致Cs干配线组BB1、BB2所占的区域增大。
因此，希望采用上述的专利文献2和3所公开的、将辅助电容总线Cs形成为网格状的构成有效。
但是，在被施加彼此不同的辅助电容电压Vcs的辅助电容总线Cs1和辅助电容总线Cs2采用上述的专利文献2和3所公开的构成、将各自简单连接的情况下，连接它们的配线的路径变得非常复杂。
因此，在图9所示的子像素电极53及子像素电极63与辅助电容总线Cs1及辅助电容总线Cs2之间形成多余的电容，其结果是有以下问题：不能精度良好地保持各像素P1的像素电位。
鉴于上述的问题，本发明的目的是提供能精度良好地保持排列于TFT基板上的多个像素的像素电位的TFT基板和使用该TFT基板的液晶显示装置。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明中的TFT基板是包括第1子像素和与该第1子像素相邻的第2子像素的多个像素排列成矩阵状的有源矩阵型的TFT基板，上述TFT基板具备：第1栅极总线和第2栅极总线，其沿着上述第1子像素和上述第2子像素相邻的相邻方向延伸；第1辅助电容总线和第2辅助电容总线，其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且沿着上述相邻方向延伸；第3辅助电容总线，其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且与上述第1子像素靠近，在与上述第1子像素的子像素电极之间形成上述第1子像素的辅助电容；以及第4辅助电容总线，其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且与上述第2子像素靠近，与上述第2子像素的子像素电极之间形成上述第2子像素的辅助电容，上述第1辅助电容总线和上述第1子像素以隔着上述第1栅极总线的方式配置，上述第2辅助电容总线和上述第2子像素以隔着上述第2栅极总线的方式配置，上述第1辅助电容总线和上述第2辅助电容总线被施加彼此不同的电压，上述TFT基板还具备：第1连接配线部，其将上述第1辅助电容总线与上述第3辅助电容总线之间连接，来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层；以及第2连接配线部，其将上述第2辅助电容总线与上述第4辅助电容总线之间连接，来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层。
在上述TFT基板中，第1子像素在靠近自身的第3辅助电容总线之间形成辅助电容。并且，第3辅助电容总线通过来源于与第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层的第1连接配线部与第1辅助电容总线连接。
另外，第2子像素与靠近自身的第4辅助电容总线之间形成辅助电容。并且，第4辅助电容总线通过来源于与第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层的第2连接配线部与第2辅助电容总线连接。
因此，能在TFT基板上将第1辅助电容总线和第3辅助电容总线形成为网格状。另外，能在TFT基板上将第2辅助电容总线和第4辅助电容总线形成为网格状。
因此，能使用第1辅助电容总线和第3辅助电容总线对TFT基板上的各像素均匀地提供相同的辅助电容电压，另外，能使用第2辅助电容总线和第4辅助电容总线对TFT基板上的各像素均匀地提供与施加于第1辅助电容总线的辅助电容电压不同的相同辅助电容电压。由此，能精度良好地保持使用两个不同电压的多图像驱动中的各像素的像素电位。
本发明中的液晶显示装置具备：上述TFT基板；以及控制电路，其用于控制图像显示处理，上述图像显示处理用于使用上述TFT基板显示图像。
在上述液晶显示装置中，第1子像素与靠近自身的第2辅助电容总线之间形成辅助电容。并且，第2辅助电容总线通过来源于与栅极总线不同的配线层的连接配线部与第1辅助电容总线连接。
因此，能在TFT基板上将第1辅助电容总线和第2辅助电容总线形成为网格状。因此，能使用这些第1辅助电容总线和第2辅助电容总线对TFT基板上的各像素均匀地提供相同的辅助电容电压，所以能精度良好地保持各像素的像素电位。
发明效果
如上所述，本发明的TFT基板具备：第1栅极总线和第2栅极总线，其沿着上述第1子像素和上述第2子像素相邻的相邻方向延伸；第1辅助电容总线和第2辅助电容总线，其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且沿着上述相邻方向延伸；第3辅助电容总线，其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且与上述第1子像素靠近，在与上述第1子像素的子像素电极之间形成上述第1子像素的辅助电容；以及第4辅助电容总线，其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且与上述第2子像素靠近，在与上述第2子像素的子像素电极之间形成上述第2子像素的辅助电容，上述第1辅助电容总线和上述第1子像素以隔着上述第1栅极总线的方式配置，上述第2辅助电容总线和上述第2子像素以隔着上述第2栅极总线的方式配置，上述第1辅助电容总线和上述第2辅助电容总线被施加彼此不同的电压，上述TFT基板还具备：第1连接配线部，其将上述第1辅助电容总线和上述第3辅助电容总线之间连接，来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层；以及第2连接配线部，其将上述第2辅助电容总线与上述第4辅助电容总线之间连接，来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层。
因此，起到如下效果：能精度良好地保持排列于TFT基板上的多个像素的像素电位。
附图说明
图1是示出配置于本发明的实施方式1中的液晶显示装置的有源区上的多个像素的配置构成的电路图。
图2是从I-I方向观看图1的A部的截面图。
图3是示出本发明的实施方式1中的液晶显示装置的构成的框图。
图4是示出配置于本发明的实施方式2中的液晶显示装置的有源区上的多个像素的配置构成的电路图。
图5是示出配置于本发明的实施方式3中的液晶显示装置的有源区上的多个像素的配置构成的电路图。
图6是示出配置于本发明的实施方式4中的液晶显示装置的有源区上的多个像素的配置构成的电路图。
图7是用于说明图6的子像素电极形状的变形例的说明图。
图8是示出配置于本发明的实施方式5中的液晶显示装置的有源区上的多个像素的配置构成的电路图。
图9是示出现有的多像素驱动方式的液晶显示装置具备的像素的构成例的图。
图10是示出辅助电容总线和Cs干配线的配置的平面图。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的实施方式。在下面的附图的记载中，对相同或者类似的部分标注相同或者类似的附图标记。
(实施方式1)
图3是示出本发明的实施方式1中的液晶显示装置1的构成的框图。如图3所示，本实施方式中的液晶显示装置1具备有源矩阵型的显示部(TFT基板)2、源极驱动器3、栅极驱动器(GD)4、显示控制电路5以及Cs控制电路6和7。
此外，这些构成要件可以安装于一个面板上，而且也可以是如下构成：源极驱动器3、栅极驱动器4、显示控制电路5以及Cs控制电路6和7的一部分或者全部搭载于柔性印刷基板等外部基板，连接到具备显示部2的面板。总之，显示部2、源极驱动器3、栅极驱动器4、显示控制电路5以及Cs控制电路6和7能任意地配置。
显示部2具有：有源区AA，其是多个像素配置成矩阵状的区域；多条栅极总线；多条源极总线；多条辅助电容总线；以及两个Cs干配线组BB1、BB2。
此外，在图3中，为了附图容易观看，仅记载有配置于有源区AA上的多个像素所包含的后述像素P2、多条栅极线所包含的G3、多条源极总线所包含的S1以及多条辅助电容总线所包含的辅助电容总线CsYH3、CsYL3、CsXH1、CsXL2各自。
像素P2包括子像素SP21和子像素SP22。并且，子像素SP21和子像素SP22所包含的各TFT(省略图示)的栅极电极连接到栅极总线G3，各自的源极电极连接到源极总线S1。并且，栅极总线和源极总线配置成彼此交叉。
Cs干配线组BB1设于与有源区AA相邻的区域中的与辅助电容总线延伸的方向中的一侧相邻的区域。另外，Cs干配线组BB2设于与有源区AA相邻的区域中的与辅助电容总线延伸的方向中的另一侧相邻的区域。并且，辅助电容总线连接到Cs干配线组BB1和Cs干配线组BB2各自。
显示控制电路5控制源极驱动器3、栅极驱动器4、Cs控制电路6以及Cs控制电路7。例如，显示控制电路5从调谐器等的外部的信号源接受表示应显示的图像的数字视频信号Dv、与该数字视频信号Dv对应的水平同步信号HSY和垂直同步信号VSY以及用于控制显示动作的控制信号Dc。并且，显示控制电路5使用接受的这些信号Dv、HSY、VSY、Dc生成用于使该数字视频信号Dv表示的图像显示于显示部2的多个信号并输出。具体地，显示控制电路5生成数据起始脉冲信号SSP、数据时钟信号SCK、锁存选通信号LS、表示应显示的图像的数字图像信号DA(与视频信号Dv对应的信号)、栅极起始脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号(扫描信号输出控制信号)GOE作为该多个信号。
更详细地，显示控制电路5将视频信号Dv在内部存储器中根据需要进行定时调整等后作为数字图像信号DA输出，生成数据时钟信号SCK作为包括与该数字图像信号DA表示的图像的各像素对应的脉冲的信号。
并且，显示控制电路5基于水平同步信号HSY生成数据起始脉冲信号SSP作为在每1水平扫描期间以规定期间成为高电平(H电平)的信号，基于垂直同步信号VSY生成栅极起始脉冲信号GSP作为在每1帧期间(1垂直扫描期间)以规定期间成为H电平的信号。
并且，显示控制电路5基于水平同步信号HSY生成栅极时钟信号GCK，基于水平同步信号HSY和控制信号Dc生成锁存选通信号LS和栅极驱动器输出控制信号GOE。
如上所述，在显示控制电路5所生成的信号中，数字图像信号DA、锁存选通信号LS、控制信号电位(数据信号电位)的极性的信号POL、数据起始脉冲信号SSP以及数据时钟信号SCK被输入到源极驱动器3，栅极起始脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号GOE被输入到栅极驱动器4。
源极驱动器3基于数字图像信号DA、数据时钟信号SCK、锁存选通信号LS、数据起始脉冲信号SSP以及极性反转信号POL在每1水平扫描期间依次生成数字信号，将这些数据信号输出到源极总线。这些数据信号是与数字图像信号DA表示的图像的连接到各扫描信号线的各像素的像素值相当的模拟电位。
栅极驱动器4基于栅极起始脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号GOE生成扫描信号，将这些输出到栅极总线，由此栅极总线选择性地被驱动。
如上所述，利用源极驱动器3和栅极驱动器4驱动显示部2的源极总线和栅极总线，由此，通过连接到所选择的栅极总线的TFT，将信号电位从源极总线写入到子像素电极。
由此，对各像素具备的子像素的液晶层施加与数字图像信号DA相应的电压，利用该施加电压，控制来自背光源的光的透射量，使像素显示数字视频信号Dv表示的图像。
Cs控制电路6和7是基于从显示控制电路5输出的栅极起始脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK对用于控制辅助电容总线的电位的辅助电容电压Vcs的相位和周期等进行控制的电路。Cs控制电路6将辅助电容电压Vcs输出到Cs干配线组BB1，Cs控制电路7将辅助电容电压Vcs输出到Cs干配线组BB2。
接着，对本发明的实施方式1中的像素的配置构成进行说明。图1是示出配置于图3所示的液晶显示装置1的有源区AA上的多个像素的配置构成的电路图。
如图1所示，在本实施方式中的液晶显示装置1的有源区AA中配置有像素P1和像素P2。像素P1包括子像素SP11(第1子像素)和子像素SP12(第2子像素)，像素P2包括子像素SP21(第1子像素)和子像素SP22(第2子像素)。
首先，对像素P1进行说明。
子像素SP11具有TFT(薄膜晶体管)11、辅助电容12以及子像素电极13。同样，子像素SP12具有TFT14、辅助电容15以及子像素电极16。
子像素SP11的TFT11的栅极电极连接到栅极总线G2(第2栅极总线)，其源极电极连接到源极总线S1。同样，子像素SP12的TFT14的栅极电极连接到栅极总线G2，其源极电极连接到源极总线S1。
子像素SP11的辅助电容12在子像素电极13与辅助电容总线CsXH1(第3辅助电容总线)之间形成。子像素SP12的辅助电容15在子像素电极16与辅助电容总线CsXL2(第4辅助电容总线)之间形成。
并且，子像素SP11和子像素SP12均以被夹在辅助电容总线CsXH1与辅助电容总线CsXL2之间的方式相邻。而且，子像素SP11与辅助电容总线CsXH1靠近地配置，另一方面，子像素SP12与辅助电容总线CsXL2靠近地配置。
接着，对像素P2进行说明。
子像素SP21具有TFT21、辅助电容22以及子像素电极23。同样，子像素SP22具有TFT24、辅助电容25以及子像素电极26。
子像素SP21的TFT21的栅极电极连接到栅极总线G3(第1栅极总线)，其源极电极连接到源极总线S1。同样，子像素SP22的TFT24的栅极电极连接到栅极总线G3，其源极电极连接到源极总线S1。
子像素SP21的辅助电容22在子像素电极23与辅助电容总线CsXH1之间形成。子像素SP22的辅助电容25在子像素电极26与辅助电容总线CsXL2之间形成。
并且，子像素SP21和子像素SP22均以被夹在辅助电容总线CsXH1与辅助电容总线CsXL2之间的方式相邻。而且，子像素SP11与辅助电容总线CsXH1靠近地配置，另一方面，子像素SP12与辅助电容总线CsXL2靠近地配置。
辅助电容总线CsXH1和CsXL2、与辅助电容总线CsXH1靠近的辅助电容总线CsXL1、以及与辅助电容总线CsXL2靠近的辅助电容总线CsXH2配置成与源极总线S1平行。
另一方面，辅助电容总线CsYH1、CsYH2、CsYH3(第1辅助电容总线)和辅助电容总线CsYL1、CsYL2、CsYL3(第2辅助电容总线)配置成与栅极总线G1、G2以及G3平行。栅极总线G1、G2以及G3配置成彼此平行。
而且，栅极总线G1、G2以及G3沿着子像素SP11和子像素SP12相邻的方向、以及子像素SP21和子像素SP22相邻的方向延伸。同样，辅助电容总线CsYH1、CsYH2、CsYH3、CsYL1、CsYL2、CsYL3也沿着子像素SP11和子像素SP12相邻的方向、以及子像素SP21和子像素SP22相邻的方向延伸。
并且，这些辅助电容总线CsYL1、CsYH1、CsYL2、CsYH2、CsYL3以及CsYH3各自的两端连接到图3所示的两个Cs干配线组BB1、BB2各自的Cs干配线bb。
并且，辅助电容总线CsXL1与辅助电容总线CsYL1、CsYL2以及CsYL3各自连接。辅助电容总线CsXH1与辅助电容总线CsYH1、CsYH2以及CsYH3各自连接。辅助电容总线CsXL2与辅助电容总线CsYL1、CsYL2以及CsYL3各自连接。辅助电容总线CsXH2与辅助电容总线CsYH1、CsYH2以及CsYH3各自连接。
这样，这些辅助电容总线连接，由此对辅助电容总线CsXL1、CsXL2、CsYL1、CsYL2以及CsYL3各自施加相同的辅助电容电压Vcs。另外，对辅助电容总线CsXH1、CsXH2、CsYH1、CsYH2以及CsYH3各自也施加相同的辅助电容电压Vcs。即，这些辅助电容总线构成为：在有源区AA上配置成网格状。
接着，对为了进行这样的辅助电容总线的配置构成而需要的辅助电容总线的连接结构进行说明。图2是从I-I方向观看图1的A部的截面图。下面使用图1和图2进行说明。
在图1中，一般辅助电容总线CsXL1、CsXL2、CsYL1、CsYL2、CsYL3、CsXH1、CsXH2、CsYH1、CsYH2以及CsYH3和栅极总线G1、G2以及G3来源于相同的配线层。
因此，例如在图1的A部，在辅助电容总线CsYH3与CsXH1之间存在与两者来源于相同的配线层的栅极总线G3，所以不能如以往那样简单地连接。
因此，在本实施方式中，在图1的A部，使用与栅极总线G3、辅助电容总线CsXH1和CsYH3不同的配线层实现辅助电容总线CsXH1与CsYH3之间的连接。
即，在图1的A部，如图2所示，在基板101上配置有辅助电容总线CsYL3、CsXH1、CsYH3和栅极总线G3。并且，在这些辅助电容总线CsYL3、CsXH1、CsYH3和栅极总线G3的上部配置有层间绝缘膜102和保护膜103。
在辅助电容总线CsXH1上的层间绝缘膜102和保护膜103中设有开口部。同样，在辅助电容总线CsYH3上的层间绝缘膜102和保护膜103中也设有开口部。
并且，能将与辅助电容总线CsXH1和CsYH3不同的配线层(连接配线部)104通过这些开口部电连接到辅助电容总线CsXH1和CsYH3两者。
这样，尽管栅极总线G3配置于辅助电容总线CsXH1与CsYH3之间，也能使辅助电容总线CsXH1与CsYH3之间以越过栅极总线G3的方式进行连接。
此外，在上述中，以图1的A部的辅助电容总线CsXH1与CsYH3之间的连接结构为例进行了说明，但是这样的连接结构在图1中的其它部分也同样能实现。即，也同样能实现：以越过栅极总线G1的方式连接的辅助电容总线CsYL1与CsXL1之间的连接结构、以越过栅极总线G2的方式连接的辅助电容总线CsYL2与CsXL1之间的连接结构、以越过栅极总线G3的方式连接的辅助电容总线CsYL3与CsXL1之间的连接结构、以越过栅极总线G1的方式连接的辅助电容总线CsYH1与CsXH1之间的连接结构、以越过栅极总线G2的方式连接的辅助电容总线CsYH2与CsXH1之间的连接结构、以越过栅极总线G1的方式连接的辅助电容总线CsYL1与CsXL2之间的连接结构、以越过栅极总线G2的方式连接的辅助电容总线CsYL2与CsXL2之间的连接结构、以越过栅极总线G3的方式连接的辅助电容总线CsYL3与CsXL2之间的连接结构、以越过栅极总线G1的方式连接的辅助电容总线CsYH1与CsXH2之间的连接结构、以越过栅极总线G2的方式连接的辅助电容总线CsYH2与CsXH2之间的连接结构、以及以越过栅极总线G3的方式连接的辅助电容总线CsYH3与CsXH2之间的连接结构。
如上所述，在本发明的实施方式1中的液晶显示装置1中，配置成在栅极总线间使两条辅助电容总线彼此相对，使一方辅助电容总线与一方栅极总线靠近地配置，使另一方辅助电容总线与另一方栅极总线靠近地配置。
两条辅助电容总线各自与沿着各自对应的子像素的边缘配置的辅助电容总线连接。
并且，沿着子像素的边缘配置的辅助电容总线与越过相对的栅极配线的在前的相同电位的辅助电容总线连接。
因此，能将彼此不同的两个电位的辅助电容总线配置成网格状。而且，将构成一个像素的两个子像素的各子像素电极设成由隔着源极总线对称的TFT驱动的两个子像素电极，由此防止形成无用电容。
在此，在本实施方式中的液晶显示装置1中，在与栅极配线垂直的方向连接与栅极总线平行、由与该栅极总线相同的配线层(栅极层)形成的辅助电容总线和相邻的相同电位的辅助电容总线。
这样的连接结构是通过作为在层间绝缘膜和保护膜中开设的开口部的接触孔并使用层间绝缘膜和保护膜上的配线层而进行的。
因此，根据本实施方式中的液晶显示装置1，设成隔着源极总线分割像素电极的子像素结构、即由相同的TFT(包含在实质上相同的定时被驱动的两个以上的TFT)驱动的结构，且能使各个子像素电极在不同电位的辅助电容总线之间形成电容。因此，根据本实施方式中的液晶显示装置1，能进行使像素电极的电位略微不同的电容分割方式的视野角控制。
另外，因为形成一个像素区域内的均匀的辅助电容总线的电阻分布、以及使用该辅助电容总线形成像素-辅助电容总线间的电容，所以不必像以往所需的那样，除了按不同电位将辅助电容总线分割成多个组以外，还要将相同电位内的辅助电容总线分割成多个组。
其结果是，在像素区域外部，能将以往所需的分割组数的Cs干配线组BB1、BB2设成最少2个或者0个，能削减像素区域外部的空间。
(实施方式2)
接着，对本发明的实施方式2进行说明。
图4是示出配置于本发明的实施方式2中的液晶显示装置的有源区上的多个像素的配置构成的电路图。
在上述实施方式1中，与各子像素电极13、16、23、26靠近地配置的辅助电容总线CsXH1(第1分支线部分)、CsXL2(第1分支线部分)均仅与各子像素电极13、16、23、26的一边靠近。
与此相对，在本发明的实施方式2中的液晶显示装置中，辅助电容总线与具有矩形形状的各子像素电极的两侧、即两个边(第1边、第2边)靠近地配置。由此，各子像素电极的辅助电容增大，能实现子像素的电位的稳定化。
如图4所示，在本实施方式中的液晶显示装置中，新增加了两条辅助电容总线CsXH1B1(第2分支线部分)和CsXL2B1(第2分支线部分)。
因此，相对于上述实施方式1，在子像素电极23与辅助电容总线CsXH1B1之间新形成有子像素SP21的辅助电容27。
另外，相对于上述实施方式1，在子像素电极26与辅助电容总线CsXL2B1之间形成有子像素SP22的辅助电容28。
(实施方式3)
接着，对本发明的实施方式3进行说明。
图5是示出配置于本发明的实施方式3中的液晶显示装置的有源区上的多个像素的配置构成的电路图。
在本发明的实施方式3中的液晶显示装置中，辅助电容总线以包围具有矩形形状的各子像素电极的方式与各子像素电极的三个边(第1边、第2边、第3边)靠近地配置。由此，各子像素电极的辅助电容更加增大，能使子像素的电位更加稳定化。
如图5所示，在本实施方式中的液晶显示装置中，新增加了两条辅助电容总线CsXH1B2(第3分支线部分)和CsXL2B2(第3分支线部分)。
因此，相对于上述实施方式2，在子像素电极23与辅助电容总线CsXH1B2之间新形成有子像素SP21的辅助电容29。
另外，相对于上述实施方式2，在子像素电极26与辅助电容总线CsXL2B2之间新形成有子像素SP22的辅助电容30。
(实施方式4)
接着，对本发明的实施方式4进行说明。
图6是配置于本发明的实施方式4中的液晶显示装置的有源区上的多个像素的配置构成的电路图。
在上述实施方式1～3中，构成各像素的两个子像素的各子像素电极是隔着相同的源极总线而相对配置的。
与此相对，在本发明的实施方式4中的液晶显示装置中，构成各像素的两个子像素的各子像素电极配置成被两条源极总线夹着。
如图6所示，像素P2包括子像素SP21和子像素SP22。并且，子像素SP21具有TFT21a、辅助电容22a、以及子像素电极23a。同样，子像素SP22具有TFT24a、辅助电容25a、以及子像素电极26a。
子像素SP21的TFT21a的栅极电极连接到栅极总线G3，其源极电极连接到源极总线S1。同样，子像素SP22的TFT24a的栅极电极连接到栅极总线G3，其源极电极连接到源极总线S1。
子像素SP21的辅助电容22a在子像素电极23a与辅助电容总线CsXH1之间形成。子像素SP22的辅助电容25a在子像素电极26a与辅助电容总线CsXL2之间形成。
并且，子像素SP21与辅助电容总线CsXH1靠近地配置。子像素SP22与辅助电容总线CsXL2靠近地配置。
在本实施方式中，由支配性占有长边的各边(左右)的两个子像素SP21和SP22对像素P2具有的一个矩形的像素区域进行分离。各子像素SP21和SP22连接到由相同的栅极总线G3和源极总线S1驱动的两个TFT21a和24a。此外，这两个TFT21a和24a的尺寸可以不同。
两条辅助电容总线CsXH1和辅助电容总线CsXL2分别与一方子像素SP21和SP22之间形成辅助电容。
此外，图6的子像素电极23a和子像素电极26a可以用例如具有图7所示的形状的子像素电极23b和子像素电极26b置换。
(实施方式5)
接着，对本发明的实施方式5进行说明。
图8是示出配置于本发明的实施方式5中的液晶显示装置的有源区上的多个像素的配置构成的电路图。
如图8所示，在本实施方式中的液晶显示装置中，为了形成各子像素的辅助电容而配置有辅助电容总线CsXH11、CsXH12、CsXL11、CsXH21、CsXL21、CsXL22、CsXH31、CsXH32、CsXL31、CsXH41、CsXL41、CsXL42。
上述实施方式1～4中的液晶显示装置采用使用于个人电脑等的显示器的条状排列。
与此相对，本实施方式中的液晶显示装置采用使用于视频显示的三角形排列。
三角形排列是按栅极总线(扫描线)使像素各错开1/2间距的排列。并且，像素和辅助电容总线等的配置除了错开上述间距以外，基本上与条状排列相同。
一般在三角形排列中，因为源极总线沿着像素电极的边缘延伸、伸长，所以具有配线长度相对于条状排列变长的缺点。
但是，在本实施方式中，因为设为隔着源极总线具有两个子像素的结构，所以具有不必使数据配线弯折就能形成有效布局的优点。
另外，三角形排列一般与条状排列相比能得到较大的开口率，非常有利于视频显示。
此外，在上述实施方式1～5中，也能按照如下方式进行辅助电容总线的连接。
即，在位于TFT基板上的辅助电容总线的一部分(例如、顶端部)设置接触孔，设置具有导电性的柱间隔物(PS)，由此与相对基板之间取得导通。
此时，
(1)在相对基板的透明电极中设置切口，使得上述连接部分独立。
(2)在相对基板的透明电极上设置增加的绝缘膜后形成用于取得辅助电容总线间的导通的配线，以取得用于上述连接的柱间隔物间的导通。
本发明并不限于上述的各实施方式，能在权利要求所示的范围内进行各种变更，适当组合在不同实施方式中分别公开的技术方案而得到的实施方式也包含于本发明的技术范围内。
本发明中的TFT基板是包括第1子像素和与该第1子像素相邻的第2子像素的多个像素排列成矩阵状的有源矩阵型的TFT基板，上述TFT基板具备：第1栅极总线和第2栅极总线，其沿着上述第1子像素和上述第2子像素相邻的相邻方向延伸；第1辅助电容总线和第2辅助电容总线，来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且沿着上述相邻方向延伸；第3辅助电容总线，其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且与上述第1子像素靠近，与上述第1子像素的子像素电极之间形成上述第1子像素的辅助电容；以及第4辅助电容总线，其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且与上述第2子像素靠近，在与上述第2子像素的子像素电极之间形成上述第2子像素的辅助电容，上述第1辅助电容总线和上述第1子像素以隔着上述第1栅极总线的方式配置，上述第2辅助电容总线和上述第2子像素以隔着上述第2栅极总线的方式配置，上述第1辅助电容总线和上述第2辅助电容总线被施加彼此不同的电压，上述TFT基板还具备：第1连接配线部，其将上述第1辅助电容总线与上述第3辅助电容总线之间连接，来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层；以及第2连接配线部，其将上述第2辅助电容总线与上述第4辅助电容总线之间连接，来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层。
在上述TFT基板中，第1子像素在与靠近自身的第3辅助电容总线之间形成辅助电容。并且，第3辅助电容总线通过来源于与第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层的第1连接配线部与第1辅助电容总线连接。
另外，第2子像素在与靠近自身的第4辅助电容总线之间形成辅助电容。并且，第4辅助电容总线通过来源于与第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层的第2连接配线部与第2辅助电容总线连接。
因此，能在TFT基板上将第1辅助电容总线和第3辅助电容总线形成为网格状。另外，能在TFT基板上将第2辅助电容总线和第4辅助电容总线形成为网格状。
因此，能使用第1辅助电容总线和第3辅助电容总线对TFT基板上的各像素均匀地提供相同的辅助电容电压，另外，能使用第2辅助电容总线和第4辅助电容总线，对TFT基板上的各像素均匀地提供与施加于第1辅助电容总线的辅助电容电压不同的相同辅助电容电压。由此，能精度良好地保持使用两个不同电压的多图像驱动中的各像素的像素电位。
优选上述第1连接配线部来源于与上述第1子像素的子像素电极相同的配线层，上述第2连接配线部来源于与上述第2子像素的子像素电极相同的配线层。
在该情况下，因为能简化构成TFT基板的配线结构，所以能减少TFT基板的制造成本。
优选具有矩形形状的上述第1子像素具有沿着上述第3辅助电容总线的第1边和位于与该第1边相反的一侧的第2边，上述第3辅助电容总线包含与上述第1子像素的第1边靠近的第1分支线部分和与上述第1子像素的第2边靠近的第2分支线部分。
在该情况下，因为能按各子像素形成使用第1分支线部分的辅助电容和使用第2分支线部分的辅助电容，所以能更加精度良好地保持包括这些子像素的各像素的像素电位。
优选上述第1子像素还具有配置于上述第1边与上述第2边之间的上述第1栅极总线侧的第3边，上述第3辅助电容总线还包含与上述第1子像素的第3边靠近的第3分支线部分。
在该情况下，因为能按各子像素形成三个辅助电容，即，使用第1分支线部分的辅助电容、使用第2分支线部分的辅助电容以及使用第3分支线部分的辅助电容，所以能更加精度良好地保持包括这些子像素的各像素的像素电位。
优选还具备与上述第1栅极总线和第2栅极总线交叉的源极总线，上述第1子像素和上述第2子像素配置成隔着上述源极总线而相对。
在该情况下，能将第1子像素和第2子像素配置成隔着源极总线而相对、即隔着源极总线呈大致点对称。另外，能将包括第1子像素和第2子像素的两个像素彼此配置成以隔着第3辅助电容总线或者第4辅助电容总线的方式相对。因此，能有效地排列多个像素，减少多个像素所占的面积。
优选上述第1连接配线部来源于与上述第1子像素的子像素电极相同的配线层和与上述源极总线相同的配线层，上述第2连接配线部来源于与上述第2子像素的子像素电极相同的配线层和与上述源极总线相同的配线层。
在该情况下，因为能简化构成TFT基板的配线结构，所以能减少TFT基板的制造成本。
优选还具备与上述第1栅极总线和第2栅极总线交叉的两条源极总线，上述第1子像素和上述第2子像素配置于相邻的上述两条源极总线间且与相邻的上述两条源极总线中的任一方连接。
在该情况下，因为能简化构成TFT基板的配线结构，所以能减少TFT基板的制造成本。
优选上述多个像素的排列是条状排列。
在该情况下，能提高使用多个像素显示的字符的视觉识别性。
优选上述多个像素的排列是三角形排列。
在该情况下，能提高各像素的开口率(光透射率，有效利用率)。
本发明中的液晶显示装置具备：上述TFT基板；以及控制电路，其用于控制图像显示处理，该图像显示处理用于使用上述TFT基板显示图像。
在上述液晶显示装置中，第1子像素在与靠近自身的第2辅助电容总线之间形成辅助电容。并且，第2辅助电容总线通过来源于与栅极总线不同的配线层的连接配线部与第1辅助电容总线连接。
因此，能在TFT基板上将第1辅助电容总线和第2辅助电容总线形成为网格状。因此，能使用这些第1辅助电容总线和第2辅助电容总线对TFT基板上的各像素均匀地提供相同的辅助电容电压，所以能精度良好地保持各像素的像素电位。
工业上的可利用性
本发明能应用于例如个人电脑的监视器、电视接收机等各种显示装置。
附图标记说明
1液晶显示装置
2显示部(TFT基板)
3源极驱动器
4栅极驱动器
5显示控制电路
6、7Cs控制电路
11、14、21、21a、24、24a、51、61TFT(薄膜晶体管)
12、15、22、22a、25、25a、27、28、29、30、52、62辅助电容
13、16、23、23a、23b、26、26a、26b、53、63子像素电极
101基板
102层间绝缘膜
103保护膜
104配线层(第1连接配线部、第2连接配线部)
CsYH1、CsYH2、CsYH3辅助电容总线(第1辅助电容总线)
CsYL1、CsYL2、CsYL3辅助电容总线(第2辅助电容总线)
CsXH1、CsXH2辅助电容总线(第3辅助电容总线)
CsXL1、CsXL2辅助电容总线(第4辅助电容总线)
S1源极总线

Claims (10)

1.一种TFT基板，其特征在于，是包括第1子像素和与该第1子像素相邻的第2子像素的多个像素排列成矩阵状的有源矩阵型的TFT基板，上述TFT基板具备：
第1栅极总线和第2栅极总线，其沿着上述第1子像素和上述第2子像素相邻的相邻方向延伸；
第1辅助电容总线和第2辅助电容总线，其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且沿着上述相邻方向延伸；
第3辅助电容总线，其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且与上述第1子像素靠近，在与上述第1子像素的子像素电极之间形成上述第1子像素的辅助电容；以及
第4辅助电容总线，其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且与上述第2子像素靠近，在与上述第2子像素的子像素电极之间形成上述第2子像素的辅助电容，
上述第1辅助电容总线和上述第1子像素以隔着上述第1栅极总线的方式配置，上述第2辅助电容总线和上述第2子像素以隔着上述第2栅极总线的方式配置，
上述第1辅助电容总线和上述第2辅助电容总线被施加彼此不同的电压，
上述TFT基板还具备：
第1连接配线部，其将上述第1辅助电容总线与上述第3辅助电容总线之间连接，来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层；以及
第2连接配线部，其将上述第2辅助电容总线与上述第4辅助电容总线之间连接，来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层。
2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，上述第1连接配线部来源于与上述第1子像素的子像素电极相同的配线层，上述第2连接配线部来源于与上述第2子像素的子像素电极相同的配线层。
3.根据权利要求1或2所述的TFT基板，其特征在于，具有矩形形状的上述第1子像素具有沿着上述第3辅助电容总线的第1边和位于与该第1边相反的一侧的第2边，
上述第3辅助电容总线包含：第1分支线部分，其与上述第1子像素的第1边靠近；以及第2分支线部分，其与上述第1子像素的第2边靠近。
4.根据权利要求3所述的TFT基板，其特征在于，上述第1子像素还具有配置于上述第1边与上述第2边之间的上述第1栅极总线侧的第3边，
上述第3辅助电容总线还包含与上述第1子像素的第3边靠近的第3分支线部分。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的TFT基板，其特征在于，还具备与上述第1栅极总线和第2栅极总线交叉的源极总线，
上述第1子像素和上述第2子像素配置成隔着上述源极总线而相对。
6.根据权利要求5所述的TFT基板，其特征在于，上述第1连接配线部来源于与上述第1子像素的子像素电极相同的配线层和与上述源极总线相同的配线层，上述第2连接配线部来源于与上述第2子像素的子像素电极相同的配线层和与上述源极总线相同的配线层。
7.根据权利要求1～4中的任一项所述的TFT基板，其特征在于，还具备与上述第1栅极总线和第2栅极总线交叉的两条源极总线，
上述第1子像素和上述第2子像素配置于相邻的上述两条源极总线间且与相邻的上述两条源极总线中的任一方连接。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的TFT基板，其特征在于，上述多个像素的排列是条状排列。
9.根据权利要求1～7中的任一项所述的TFT基板，其特征在于，上述多个像素的排列是三角形排列。
10.一种液晶显示装置，其特征在于，具备：
权利要求1～9中的任一项所述的TFT基板；以及
控制电路，其用于控制图像显示处理，上述图像显示处理用于使用上述TFT基板显示图像。
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