[go: up one dir, main page]

CN102353890B - 减小多个柱状电子束测试系统中的串扰的方法 - Google Patents

减小多个柱状电子束测试系统中的串扰的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102353890B
CN102353890B CN201110162098.7A CN201110162098A CN102353890B CN 102353890 B CN102353890 B CN 102353890B CN 201110162098 A CN201110162098 A CN 201110162098A CN 102353890 B CN102353890 B CN 102353890B
Authority
CN
China
Prior art keywords
test
electron beam
beam column
trigger event
numbered columns
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110162098.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102353890A (zh
Inventor
R·施米特
T·施韦德斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN102353890A publication Critical patent/CN102353890A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102353890B publication Critical patent/CN102353890B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
    • G01R31/305—Contactless testing using electron beams
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/25—Tubes for localised analysis using electron or ion beams
    • H01J2237/2505—Tubes for localised analysis using electron or ion beams characterised by their application
    • H01J2237/2594—Measuring electric fields or potentials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明揭示一种用以减少或消除多个电子束之间串扰的方法与设备。多个电子束在大面积基板上产生多个相邻的测试区域，其中来自一测试区域的二次电子可以在一相邻的测试区域中被检测出。在一实施例中，主要束发射以及来自该主要束的二次电子的检测的定时被控制，以消除或减少来自另一主要束的二次电子的检测的可能性。

Description

减小多个柱状电子束测试系统中的串扰的方法
本发明专利申请是国际申请号为PCT/US2007/063759，国际申请日为2007年3月12日，进入中国国家阶段的申请号为200780009222.8，名称为“减小多个柱状电子束测试系统中的串扰的方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的实施例大体上有关于一种用以测试基板的方法与系统。更特别地，这些实施例有关于一种测试方法与系统，其用以测试在制造平板显示器中的大面积基板。
背景技术
平板显示器，例如有源矩阵液晶显示器(liquid crystal display，LCD)，近来已经取代过去的阴极射线管(cathode ray tube，CRT)而变得普及化。LCD相对于CRT具有一些优点，包括较高的画面质量、较轻的重量、较低的电压需求、以及低耗电。显示器在计算机屏幕、手机与电视上具有许多应用，但是尚有许多应用而不仅于此。
LCD制造过程的一部分需要测试平板基板，以决定像素的可操作性。电压显像、电荷感测、与电子束测试为一些用来在制造过程期间监视与解决缺陷问题的过程。在典型的电子束测试过程中，监视像素的响应以提供缺陷信息。在电子束测试的一实例中，施加特定电压至像素，且导引一电子束至待检测的个别的像素电极。从像素电极区域发射出来的二次电子会被感测，以决定TFT电压。
更大显示器、增加的产能、及更低制造成本的需求已经对于新测试系统产生了需要，其中该新测试系统可以使用最小的清洁室空间来容纳更大的基板尺寸。目前的平板显示器处理设备大致上容纳大面积基板高达约2200毫米×2500毫米且更大。从财务观点与设计观点而言，处理设备的尺寸与工艺生产时间是平板显示器制造业者的重要考虑。
为了满足此挑战，已经发展出测试系统，其中测试腔室在一个维度方向上稍大于大面积基板的宽度或长度，并且在测试期间在至少一个线性方向上处理该基板。此单一方向移动需要有一个或多个电子束柱，且这些柱的各个处理区域靠得较近，因而产生了相邻柱之间串扰(cross-talk)的可能性。若此串扰没有被减少或消除，会产生测试方面的问题。
因此，有需要一种测试系统以在大面积基板上执行测试，其可以将清洁室空间最小化且缩短测试时间，以及一种减少测试设备的处理区域之间串扰的方法。
发明内容
在一实施例中，本发明揭示一种用于减少至少一个第一电子束柱与至少一个第二电子束柱之间串扰的方法，其中第二电子束柱邻近于第一电子束柱。该方法包含：提供第一触发事件；在该第一触发事件之后的第一预定时间以该第一电子束柱发射第一电子束脉冲于一基板上；在该第一触发事件之后的第二预定时间在第一读取窗口中检测由该第一电子束脉冲所引起的第一信号；提供第二触发事件；在该第二触发事件之后的第三预定时间以该第二电子束柱发射第二电子束脉冲于该基板上；以及在该第二触发事件之后的第四预定时间在第二读取窗口中检测由该第二电子束脉冲所引起的第二信号，其中该第一读取窗口与该第二读取窗口占据不同的时间周期。
在另一实施例中，本发明揭示一种用于减少多个奇数电子束柱之间串扰的方法，多个奇数电子束柱之间有多个偶数电子束柱。该方法包含：提供一主时钟信号，其具有一上升沿与一下降沿；同步化来自多个奇数电子束柱或至少一个偶数电子束柱的电子的第一脉冲，其中该第一脉冲与该上升沿相符合；以及同步化来自该多个奇数电子束柱或该至少一个偶数电子束柱的电子的第二脉冲，其中该第二脉冲与该下降沿相符合，其中该第一脉冲与该第二脉冲以一延时而彼此分隔。
在另一实施例中，本发明揭示一种电子束测试系统。电子束测试系统包含多个电子束柱，它们包含一个或多个奇数柱与一个或多个偶数柱，多个电子束柱的每一电子束柱包括一消隐系统(blanking system)与一检测器；以及一同步化装置，其具有一主时钟信号，该主时钟信号定义第一触发事件与第二触发事件，其中每一电子束柱的消隐系统与检测器与该主时钟信号相通，并且该一个或多个奇数柱的消隐系统在该第一触发事件处被触发，且该一个或多个偶数柱的消隐系统在该第二触发事件处被触发，或反之亦然。
附图说明
前述的本发明特征可以通过参照实施例而更加了解，一些实施例系被绘示在附图中。然而，必须注意的是，附图仅绘示出本发明的典型实施例，且因而不应被解读成限制本发明范围，本发明可以允许其它等效的实施例。
第1A图为一电子束测试系统的实施例。
第1B图为第1A图中测试系统的另一实施例的立体图。
第2图为一测试柱的一实施例。
第3A图为一测试柱的另一实施例。
第3B图为一集合测试区域的一部分的一实施例。
第4A图为一电子束脉冲与一读取窗口的一实施例的图。
第4B图为两电子束脉冲与各自读取窗口的一实施例的图。
第4C图为显示一同步化方法的实施例的图。
为了促进了解，在附图中相同的构件系使用相同的器件符号。应该知悉的是，揭示于一实施例中的构件可以有益地被应用于其它未被详述的实施例中。
具体实施方式
本文使用的术语「基板」大体上是指由玻璃、聚合物材料、或其它适用以形成电子器件于其上的基板材料所制成的大面积基板。不限制住本发明的保护范围，本文使用的术语「测试柱」是指例如电子束柱或装置。由此，电子束装置可以是一电子束检测系统或一平版印刷系统(lithographysystem)。本发明的实施例依然可以被应用至其它设备，这些设备使用带电荷粒子与/或其它二次与/或后向散射带电荷粒子的源以获得样品图像。
本文描述而有关于电压与电位的实施例系指相对值且非绝对值。例如，通过连接一发射极至“接地”且施加3kV至一样本来加速电子束，等效于施加-3kV至此发射极且将此样本接地。因此，虽然一些说明系以特定电压来叙述以为了方便，应当了解的是其系指相对电位。
本文描述的各种实施例可以被描述成有关于在水平与垂直平面中的独立方向。「垂直」系被定义为正交于水平平面，且被称为Z方向。「水平」系被定义为正交于垂直平面，且被称为X或Y方向，X方向正交于Y方向且反之亦然。X、Y与Z方向将被定义在附图中而包括有方向箭头以助于读者理解。
第1A图为测试系统100的一实施例的立体图，该测试系统100系用以测试位于大面积平板基板(例如具有尺寸高达超过约2200毫米×约2600毫米的大面积基板)上的电子器件。测试系统100包括至少一个测试腔室110，测试腔室110具有多个耦合于其上的测试柱115n，其适用以测试位于平板显示器(例如薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)、场发射显示器、等离子体显示器、与有机发光二极管显示器)上的电子器件。其它可以被测试系统100所测试的大面积基板包括太阳能电池阵列(solar array)或太阳能面板(solarpanel)。再者，本文描述的实施例也可以被用来测试位于半导体晶片上电子器件的可操作性。
在一实施例中，多个测试柱115n定义了一个或多个奇数柱1151、1153、1155与1157，以及一个或多个偶数柱1152、1154、1156与1158。测试腔室110耦合到一真空源，且可以耦合至一个或多个负载锁固腔室(未显示)，以利将一个或多个大面积基板传送至测试腔室110或从中传送出来。在一实施例中，多个测试柱115n为电子束柱，但是也可以是任何适用以测试大面积基板上电子器件(例如薄膜晶体管(TFT)、像素、有机发光二极管(OLED)、或用于太阳能面板的光伏电池)的可操作性的装置。
在一实施例中，多个测试柱115n以直线配置来耦合至测试腔室110的上表面。在其它实施例(未显示)中，多个测试柱115n以交错或Z字形配置来耦合至测试腔室110的上表面。在一实施例中，多个测试柱115n的配置适合于提供一集合测试区域，其中通过测试腔室内一可移动的基板支撑件使一大面积基板在多个测试柱115n下方一个方向移动从而通过此系统时，该集合测试区域足以测试基板的长度或宽度。虽然显示八个测试柱，其它实施例可以需要更多或更少的测试柱，其取决于工艺需要。
测试腔室110也包括一个或多个出入埠或可移动的门150、135，其是通过致动器151来开启与关闭。可移动的门150、135在开启时提供了到测试腔室110内部空间的接入，且在关闭时提供了密封功能。在一应用中，门135可以被开启，以将一大面积基板传送进入且退出测试腔室110的内部空间，并且门150可以被开启，以将一测试器件(例如探针)传送进入且退出测试腔室110的内部空间。当探针与/或基板的传送完成之后，可以关闭门150、135，且可以通过真空源来抽吸该测试腔室110。
测试系统100适用以利用来自测试柱115n的电子束来测试多个位于大面积基板上的电子器件。在一操作实例中，测试系统100使用一探针(未显示)，来提供与/或感测来自大面积基板上像素的电压。例如，探针可以通过譬如接触一个或多个位于大面积基板上的短路条(shorting bar)或驱动电路来提供电压至多个像素。电子从多个测试柱被发射出，并且撞击在与TFT电连通的像素上。从大面积基板发射出来的二次电子被检测且被显示，以决定像素的可操作性。一适用在测试系统100的探针的实例系被描述于美国专利申请案号10/889,695(其在公元2004年7月12日申请且被公开为美国专利公开案号2005/0179451)与美国专利申请案号10/903,216(其在公元2004年7月30日申请且被公开为美国专利公开案号2005/0179452)中，该两申请案皆在此被并入本文以作为参考。
如图所示，测试系统100耦合至一控制器112，控制器112用以促进测试系统100内各种系统与子系统的操作。在一实施例中，控制器112提供一主时钟信号，该主时钟信号用以将多个测试柱115n的每一测试柱予以同步化。例如，主时钟信号的上升与下降沿可以作为多个测试柱115n的不同群组(例如测试柱115n的偶数与奇数群组)的触发事件。对于一些实施例，控制器112是用来控制或同步化一读取信号或读取窗口，其中该读取信号或读取窗口系用来检测来自每一测试柱115n提供的主要束脉冲的二次或后向散射电子。以下将描述控制器112所提供的功能。
第1B图是第1A图中测试系统100的另一实施例的立体图。如图所示，一大面积基板105位于相对于测试腔室110的传送位置。在此实施例中，一可移动的基板支撑件或平台140位于测试腔室110的内部空间内。在一实施例中，平台140适用以在测试腔室110内水平地在X与Y方向上移动，以线性地相对于多个测试柱115n移动基板105。在一应用中，平台140的长度约为测试腔室110的长度的一半，并且平台140的长度实质上等于基板105的长度。依此方式，可以将基板105置放在平台140的上表面，且平台140可以在多个测试柱115n下方水平地移动(在此图中为移动于Y方向)。
可以经由设置在制造设施内一工厂界面传送机构或一传送机械手臂来将基板置放于平台140的上表面或移开该平台表面。在一实施例中，可以通过多个末端执行器(end effector)125来传送基板105，其中这些末端执行器125可移动地耦合至平台140。在一应用中，多个末端执行器125可以延伸出开口136(其系通过开启门135来形成)，以促进基板105的传送。末端执行器125经由多个末端执行器125与平台140的一或两者所提供的垂直移动而相对于平台140垂直地移动(于Z方向)。在基板105被传送至平台140的上表面之后，多个末端执行器125可以被容纳在多个形成在平台140中的凹槽142中。在一实施例中，平台140的上表面相对于多个末端执行器125垂直地移动(于Z方向)，且这些末端执行器125相对于平台140的上表面垂直地移动(于Y方向)。在此实施例中，多个末端执行器125可以在平台140的上表面被降低(Z方向)时支撑住基板105，并且末端执行器125可以在平台140的上表面被升高(Z方向)时被容纳于凹槽142中。
各种可以用在测试系统100的部件与工艺被描述于美国专利案号US6,833,717(其在公元2004年12月21日领证)中，其在此被并入本文以作为参考。各种可以用在测试系统100的部件的一实例也被描述于美国专利申请案号11/375,625(其在公元2006年3月14日申请，且在公元2006年11月2日被公开为美国专利公开案号2006/0244467)中，其在此被并入本文以作为参考。
一旦大面积基板105被导入测试腔室110之后，测试腔室110会被密封住，且被真空源抽吸。将一探针耦合至基板，且通过在多个测试柱115n下方线性地移动平台140来开始一测试顺序。此线性、单方向的平台140移动可以为恒定的、或阶梯式的或间歇性的形式。在已经测试基板105之后，在测试腔室110中与基板被导入的端相反的那一端处，基板被传送出腔室，或平台140可以移动基板105使其回到原始位置，且基板105被移出开口136。另一未测试的基板被传送至测试腔室110，并且在该未测试的基板上开始一测试过程。
在一实施例中，每一测试柱115n被建构以发射出导向基板105的电子束。在一实施例中，多个测试柱115n提供了一集合测试区域，其可以在基板于电子束柱下方移动时测试基板105的整个宽度W或长度L。例如，若基板105在纵长方向地被提供至测试腔室110(如第1B图所示)，则多个测试柱115n提供一涵盖住基板105整个宽度W的集合测试区域。相反地，若基板105在宽度方向地被提供至测试腔室110，则多个测试柱115n提供一涵盖住基板105整个长度L的集合测试区域。
在一实施例中，提供一大面积基板至测试系统100，并且在基板移动通过系统时使用六个测试柱115n来测试基板。在另一实施例中，提供一大面积基板至测试系统100，并且在基板移动通过系统时使用八个测试柱115n来测试基板。本发明不不受限于所揭露的电子束柱的数目，并且实际的数目可以更多或更少，其取决于基板尺寸以及电子束或来自测试柱115n的束所形成在基板上的测试区域而定。在其它实施例中，提供一大面积基板至测试系统100，并且多个测试柱115n提供一小于基板长度L或宽度W的集合测试区域。在此实施例中，当大面积基板移动通过系统时，测试该基板的一部分的长度L或宽度W，或者利用一可以动于X方向及Y方向的基板支撑件或平台来测试基板的整个长度L或宽度W。以此方式，通过依需要在多个测试柱115n下方移动基板且将基板定位于多个水平(X及Y方向)位置，以接近基板的多个部分而测试整个宽度W或长度L。
第2图是第1A与1B图的测试柱的一实施例的立体图，其中该测试柱在此实施例中为一电子束柱215。电子束柱215包括一光轴210。在一实施例中，第1A与1B图的每一测试柱具有一光轴210，该光轴210由每一测试柱115n的物镜的长轴来定义。电子束柱215的光轴210大致上包括大面积基板105上的一测试区域200之中心区块。每一电子束柱215被建构以产生测试区域200，测试区域200在一实施例中被定义成由电子束柱215在基板105上所产生的电子束的质量处理区域或可处理区域。在另一实施例中，测试区域200被定义成由柱215所放出电子束的视野或扫瞄区，并且大体上包括一可通过将电子束偏斜来处理的偏斜范围。大量偏斜会降低在基板上的束质量，可处理大致上是指可以将具有确定的束质量的束应用于其上的偏斜范围。
在一应用中，对角线地测量每一电子束柱215的测试区域200，并且此对角线的测量介于约380毫米至约440毫米之间，例如约410毫米至约430毫米之间。在一些应用中，在X与Y方向上线性地测量每一电子束柱215在基板105上产生的测试区域200，并且此测量在Y方向介于约230毫米至约270毫米之间且在X方向介于约340毫米至约380毫米之间。在另一实施例中(未显示)，测试区域在X方向与Y方向可以类似。由此，在一实施例中，测试区域200可以约300毫米×300毫米，或更大。在一些应用中，在X方向所测量到的测试区域200可以介于约305毫米至约330毫米之间。在另一实施例中，测试区域200在Y方向可以介于约240毫米至约260毫米之间(例如约250毫米)，并且在X方向可以介于约350毫米至约370毫米之间(例如约360毫米)。
在另一实施例中，每一电子束柱的测试区域200在Y方向介于约325毫米至约375毫米之间，并且在X方向介于约240毫米至约290毫米之间。在另一实施例中，测试区域200在Y方向介于约355毫米至约365毫米之间(例如约345毫米)，并且在X方向介于约260毫米至约280毫米之间(例如约270毫米)。在其它实施例中，测试区域200小于或大于上述尺寸。例如，测试区域200可以具有小于上述尺寸的尺寸，并且可以使用更多电子束柱。在另一实例中，测试区域200可以大于前述尺寸，且使用更少电子束柱。由此，每一电子束柱215的测试区域200根据基板尺寸与/或使用者偏好而在基板上产生一集合测试区域。
第3A图为一示范性电子束柱315的一实施例，其可以被用在第1A图的测试系统100中而做为测试柱115n(虽然可以使用任何其它适合的电子束柱)。类似于第2图显示的实施例，柱315包括一光轴301。电子束柱315中的光学系统导引一主要电子束303朝向一标靶302，其中该标靶302在一实施例中是具有多个电子器件333于其上的大面积基板。主要电子束303被一电子发射器332(例如六硼化镧(LaB6)发射器)发射。电子发射、束电流与第一交叉(crossover)的形状可以由一栅334来控制，其中该栅334可以是Wehnelt栅。束能量与束形状可以由在阳极338中的束塑形孔339来控制。聚焦镜312(包括线圈313)与物镜314(包括线圈314)成像出电子束。镜314可以是磁性的、静电的、或组合的静电磁性镜。在一实施例中，物镜314包括主聚焦单元与次聚焦单元。当因为线圈中的静电感应使得主聚焦单元无法提供快速修正时，次聚焦单元(其可以是例如为磁性的或竟点的)被用于微幅调整。
偏斜系统示范性地包括磁性偏斜件316A且选择性地包括静电偏斜件316B，它使电子束偏斜且导引电子束至标靶302上一位置。在主要电子束303撞击至标靶302上期间，会释放出粒子(例如二次或后向散射电子、光子、或X射线)。这些粒子(其在此大致上被称为二次粒子)被一收集器332导引至一检测器324，其中该收集器332具有一个或多个电极以导引二次粒子(根据在收集器322上位置)至检测器324。检测器324可以检测由主要电子束303的撞击位置所释放出的二次粒子。
枪区域典型地可以是分离的真空腔室，其经由阀305被真空泵304所净空，真空泵304可以为离子吸气泵(ion getter pump)。在一实施例中，如以下所述来控制主要束发射。电流源通过提供电流来加热发射器332，可以由例如温度(其可以介于约1100°K至约1400°K之间)来控制电流。典型地，做为阴极的发射器332的温度可以为约1250°K。在一实施例中，主要能量电压源335A施加一介于约500V至约900V(典型地为约700V)的抽取电压以从发射器332或阴极抽取出电子。栅334进一步地将电子束聚焦，以形成第一交叉。
消隐电压源335C经由开关336被连接至栅334。在一实施例中，栅电压可以被改变约200V。降低栅电压200V会减少抽取电压至没有电子从发射器332被抽取出的量。由此，开关336可以用来在电子发射与无电子发射之间切换。开关336与消隐电压源335形成消隐单元，以使得没有电子从发射器332发射出。
相对于标靶302的电子束的主要能量是被主要能量电压源335A所控制。在第3A图显示的实施例中，标靶302与阳极338可以位于接地电位。电子被发射且朝向阳极338被加速至一个相应于主要能量电压源335A的电压的能量。在通过孔339与栅334之后，电子以相应于主要能量电压源335A的电压的能量撞击到标靶302上。主要能量可以介于约1keV至约30keV范围内，例如介于约1.5keV至约20keV范围内，譬如约10keV。在另一实例中，用于主要束的加速电压可以高达至约12kV，且在一些应用中加速电压可以约为2kV。
第3B图为一大面积基板105上集合测试区域350的一部分的实施例立体图。此部分的集合测试区域350是由来自一个或多个电子束柱215A-215C的电子束所产生，其中这些电子束柱215A-215C可以是第3A图显示的电子束柱315。当使用六个电子束柱时，电子束柱215A-215C具有在X方向约1950毫米至约2250毫米且在Y方向约240毫米至约290毫米的集合测试区域。在另一实施例中，当使用八个电子束柱时，此八个电子束柱具有在X方向约1920毫米至约2320毫米且在Y方向约325毫米至约375毫米的集合测试区域。在一实施例中，相邻的电子束柱可以在相邻的测试区域具有一重迭区325，其介于约0.001毫米至约2毫米之间，例如约1毫米。在另一实施例中，相邻电子束柱215A-215C的测试区域不具有一重迭区325，因此仅彼此碰触而具有一可忽略的间隙或没有间隙。
在其它实施例中，集合测试区域350小于或大于上述尺寸。例如，集合测试区域350可以具有小于上述尺寸的更小区域，且可以使用更多个电子束柱。在另一实例中，集合测试区域350大于上述尺寸，且可以使用更少个电子束柱。由此，每一电子束柱215A-215C的集合测试区域350可以根据基板尺寸、基板支撑件的X与Y移动能力、与/或使用者偏好而变化。
多个电子束柱215A-215C的相邻定位以及发射至基板105上的各个测试区域200，会导致来自电子束柱所产生的迷失的二次粒子的串扰，其中该电子束柱对准在另一柱的测试区域200与/或检测器324(第3A图)中。来自电子束柱的主要束而在相邻电子束柱的测试区域中被检测为二次电子的迷失二次粒子会在测试系统中产生错误。
为了避免或减少来自一电子束柱的主要束而在相邻电子束柱的测试或检测区域中被检测为二次电子的迷失二次粒子，多个电子束柱215A-215C的各个束位置与脉冲被同步化。在一实施例中，电子束柱猝发(burst)(其包含主要束设置与脉冲)以下述方式被同步化，即该猝发被导向至柱的各个测试区域的第一位置，并且来自相邻柱的猝发被导向至位于相邻的各个测试区域内的第二位置。在各个测试区域中的第一位置与第二位置能够以下述方式被分隔开，即来自一个柱的主要束的任何迷失二次电子将一个可忽略的信号迭加到各个相邻测试或检测区域中。在一实施例中，使用电子束的向量扫瞄或同步偏斜。然而，在此系统的相邻柱之间，扫瞄或偏斜可以不被调节或被同步化。
第1A与1B图显示的系统的每一测试柱115n在相应的测试区域上方偏斜电子束。在每一测试区域内，有多个电子束被偏斜至此的位置。这些位置的每一位置相应于测试区域中基板上的一个或多个电子器件(例如一像素)。由此，第1A与1B图的测试柱115n以及第3A与3B图的电子束柱如以下叙述被操作。对于安置时间，电子束被关闭，其中电子束从一像素被移动至另一像素。偏斜可以被提供成猝发，其中一猝发是指利用磁性偏斜件316A使电子束偏斜。磁性偏斜件，其具有约5微秒至约30微秒范围内的安置时间(典型地约13微秒)，使束朝向测试区域的一部分偏斜。在此部分的测试区域内，可以使用静电偏斜件316B，静电偏斜件316B具有更快速的安置时间，例如介于约300纳秒至约600纳秒范围内的安置时间(典型地约500纳秒)。静电偏斜件316B用以将束从一像素偏斜至另一像素。对每一个像素，电子束可以单独地被开启，且在每一安置时间期间被关闭，无论其为静电偏斜件316B的安置时间或磁性偏斜件316A的安置时间。
通过操作静电偏斜件316B在一猝发期间内处理测试区域的一部分中的所有像素之后，利用磁性偏斜件316A使电子束偏斜至该测试区域的未经测试部分。在该测试区域的未经测试部分内，静电偏斜件316B再次地导引电子束至个别的像素。由此，静电偏斜件316B也可以被标记为子偏斜件。
在另一实施例中，利用主时钟信号来同步化来自测试柱115n的电子束脉冲。尤其当应用电子束的向量定位时，多个邻近柱的主要电子束不会同步地被偏斜于相同方向。例如参阅第3B图，电子束柱215B使束偏斜至相应测试区域200的右侧，而在一类似的定时，电子束柱215C使电子束偏斜至相应测试区域200的左侧。因而，来自接近地隔开的主要电子束的串扰会发生。
在本发明的一实施例中，通过同步化欲被延迟的多个邻近的柱而使得多个邻近的柱的读取时间窗口相对于相邻的柱被延迟，可以消除或显著地减少串扰。读取时间的同步化或延迟有助于改善的结果，因为多个邻近或相邻的柱的信号没有在相同时间被对准。
第4A图显示一电子束脉冲420与一读取窗口430，其中该读取窗口430相对于电子束脉冲420被延迟一延时416。电子束脉冲可以具有约500纳秒至约900纳秒的长度(典型地约750纳秒)。信号延时是通过电子束及二次与/或后向散射粒子的传播以及通过信号传播及对准来造成。如第4A图所示，电子束脉冲在电子束装置的检测器产生一信号，其被延迟一延时416。在一实施例中，延时416介于约400纳秒至约1000纳秒之间。
第4B图显示两个电子束脉冲420A与420B，其可以例如从邻近或相邻柱传播。读取窗口430A与430B分别地被延迟了延时416A与416B。脉冲420A产生的信号存在于读取窗口430A期间，并且脉冲420B产生的信号存在于读取窗口430B期间。因为第一信号检测将仅在读取窗口430A期间被激活，来自电子束脉冲420B的串扰可以被消除或显著地被减少；同样地，第二信号检测将仅在读取窗口430B期间被激活，来自电子束脉冲420A的串扰可以被消除或显著地被减少。
第4C图显示了利用主时钟信号410的同步化方法400的一实施例。此图表对于奇数电子束柱(例如柱1与柱3)包括电子束脉冲420A与读取窗口430A，并且对于偶数电子束柱(例如柱2与柱4)包括电子束脉冲420B与读取窗口430B。电子束脉冲420A被开启以脉冲产生主时钟信号410的上升沿412，并且电子束脉冲420B被开启以脉冲产生主时钟信号410的下降沿414。在一实施例中，每一上升沿与下降沿系为分开的触发事件，其中第一触发事件被提供用在奇数电子束柱且第二触发事件被提供用在偶数电子束柱。对于任何奇数电子束柱，任何奇数柱的电子束可以通过主时钟信号410被开启以具有一实质上同时的脉冲/读取图案。偶数柱(例如柱2与柱4)具有一电子束脉冲420B，其被开启于主时钟信号10的下降沿414上。对于任何偶数电子束柱，任何偶数柱的电子束可以通过主时钟信号410被开启以具有一实质上同时的脉冲/读取图案。由于偶数与奇数柱没有直接地彼此相邻，如前述的至少一个测试区域的距离介于偶数柱与奇数柱之间。由此，偶数柱之间的串扰与奇数柱之间的串扰可以忽略或不存在。
依此方式，可以以实质上同时的增量来切换奇数电子束柱的电子束脉冲420A，并且可以以实质上同时的增量来切换偶数电子束柱的电子束脉冲420B。奇数电子束柱(例如柱1与柱3)的读取窗口430A与偶数电子束柱(例如柱2与柱4)的读取窗口430B都具有一延时416。如同前述关于第4B图的说明，这些读取窗口彼此分开。因为第一信号检测将仅在读取窗口430A期间被激活，来自电子束脉冲420B的串扰可以被消除或显著地被减少。因为第二信号检测将仅在读取窗口430B期间被激活，来自电子束脉冲420A的串扰可以被消除或显著地被减少。电子束柱不会在邻近柱的读取窗口期间产生信号。
在操作时，以下将描述第1A图显示的测试系统100(包括测试柱115n)的定时顺序。每一个柱被操作成猝发，其涉及到磁性偏斜件316A的控制以将电子束偏斜至具有多个像素的测试区域的一部分，其中该像素被称为每一测试区域200内的子测试区域。在猝发期间，在子测试区域的各个部分内，静电偏斜件316B使束从一像素偏斜至另一像素。在子测试区域的所有像素已经被测试之后(亦即一猝发的所有像素已经被测量)，测试区域的下一部分会被处理(亦即束被偏斜至另一子测试区域)。在每一个从一像素至另一像素的偏斜之间，电子束被关闭，其中该偏斜包括在一猝发至猝发图案中从一个子测试区域至测试区域的另一子测试区域的偏斜。
在电子束柱被偏斜至测试区域的下一个子测试区域时，奇数柱被延迟至主信号的上升沿，且偶数柱被延迟至主信号的下降沿。在另一实施例中，系统也可以被操作成偶数柱是由上升沿来触发且奇数柱是由下降沿来触发。
系统系被操作成其中没有邻近电子束柱被触发于相同时间。触发事件不受安置时间的支配。若从一像素至另一像素的安置时间由一猝发至猝发偏斜(亦即利用磁性偏斜件(约13微秒的安置时间)的偏斜)所造成，会经历多个上升/下降沿(主信号事件)。发生束偏斜(其可以是磁性与静电偏斜的组合)时，下一个上升/下降沿触发该柱，其取决于是否一奇数或偶数柱欲被触发。若从一像素至另一像素的安置时间是利用静电偏斜件(约500微秒的安置时间)造成的，则主信号事件不会发生。对于一猝发内偏斜的情况中，电子束可以正确地被定位而使得两个接续的上升/下降沿能够触发柱，其取决于是否一奇数或偶数柱欲被触发。然而，若一主信号事件发生于一猝发内，且静电偏斜系统尚未将电子束定位至希望的像素，则会经历一个、两个或一些主信号事件。一旦束偏斜正确地被定位时，下一个上升/下降沿系触发柱，其取决于是否一奇数或偶数柱欲被触发。
大体上，许多像素被测试于一猝发内。只要偶数柱利用具有实质上相同定时的猝发，且奇数柱利用具有实质上相同定时的猝发，则柱或欲被同步化的多个柱只有必须等待下一个相应的触发事件。由此，对于产能的影响可以忽略。
在另一实施例中，奇数柱的触发事件与偶数柱的触发事件不是主信号的上升或下降沿，而是分开地被提供触发事件，其被同步化而使得用于奇数电子束柱的触发事件与用于偶数电子束柱的触发事件发生于不同期间且不会相符合。根据又进一步实施例，第1A图显示的系统的每一柱115n具有其自身的触发事件。当多个邻近柱是在不同时间且不会同时发时生，可以避免或消除串扰。
虽然前述说明是着重于本发明的实施例，在不脱离本发明的基本范围下，可以构想出本发明的其它与进一步实施例，并且本发明的范围系由随附申请专利范围所决定。

Claims (12)

1.一种电子束测试系统，包含：
多个电子束柱，其包含：
一个或多个奇数柱与一个或多个偶数柱，每一个电子束柱都包括消隐系统与检测器；以及
同步化装置，其具有主时钟信号，该主时钟信号定义第一触发事件与第二触发事件，其中每一个电子束柱的消隐系统与检测器与该主时钟信号相通，并且一个或多个奇数柱的消隐系统在第一触发事件处被触发，且一个或多个偶数柱的消隐系统在第二触发事件处被触发，或反之亦然。
2.如权利要求1所述的测试系统，其特征在于，一个或多个偶数柱在第一触发事件处被触发，且一个或多个奇数柱在第二触发事件处被触发。
3.如权利要求1所述的测试系统，其特征在于，多个电子束柱是相邻且位于一个基本上笔直的线中。
4.如权利要求1所述的测试系统，其特征在于，每一个电子束柱都具有重迭的测试区域。
5.如权利要求1所述的测试系统，其特征在于，一个或多个奇数柱的消隐系统在第一触发事件之后的第一预定时间进行切换，且一个或多个偶数柱的消隐系统在第二触发事件之后的第二预定时间进行切换。
6.如权利要求5所述的测试系统，其特征在于，第一预定时间与第二预定时间不重迭。
7.如权利要求5所述的测试系统，其特征在于，第一预定时间与第二预定时间是不同的。
8.如权利要求1所述的测试系统，更包含：
读取窗口，其与同步化装置和检测器相通，其中在第一触发事件之后的第一周期内开启用于一个或多个奇数柱的读取窗口，且在第二触发事件之后的第二周期内开启用于一个或多个偶数柱的读取窗口。
9.如权利要求8所述的测试系统，其特征在于，第一周期与第二周期是不同的，且不重迭。
10.如权利要求1所述的测试系统，其特征在于，多个电子束柱包括至少六个电子束柱。
11.如权利要求1所述的测试系统，其特征在于，多个电子束柱包括至少八个电子束柱。
12.如权利要求1所述的测试系统，其特征在于，每一个电子束柱包含一个在基板上经对角线测量约为380毫米×440毫米的测试区域。
CN201110162098.7A 2006-03-14 2007-03-12 减小多个柱状电子束测试系统中的串扰的方法 Active CN102353890B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US78237706P 2006-03-14 2006-03-14
US60/782,377 2006-03-14

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800092228A Division CN101400991B (zh) 2006-03-14 2007-03-12 减小多个柱状电子束测试系统中的串扰的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102353890A CN102353890A (zh) 2012-02-15
CN102353890B true CN102353890B (zh) 2014-09-24

Family

ID=38510194

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110162098.7A Active CN102353890B (zh) 2006-03-14 2007-03-12 减小多个柱状电子束测试系统中的串扰的方法
CN2007800092228A Active CN101400991B (zh) 2006-03-14 2007-03-12 减小多个柱状电子束测试系统中的串扰的方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800092228A Active CN101400991B (zh) 2006-03-14 2007-03-12 减小多个柱状电子束测试系统中的串扰的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7569818B2 (zh)
JP (1) JP5829376B2 (zh)
KR (1) KR101028222B1 (zh)
CN (2) CN102353890B (zh)
TW (1) TWI323788B (zh)
WO (1) WO2007106759A2 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7535238B2 (en) * 2005-04-29 2009-05-19 Applied Materials, Inc. In-line electron beam test system
US8326666B2 (en) * 2008-09-29 2012-12-04 Fisher-Rosemount Systems, Inc. Event synchronized reporting in process control systems
CN102348688B (zh) 2009-03-10 2014-07-09 第一三共株式会社 用于制备二胺衍生物的方法
US9323299B2 (en) * 2012-08-27 2016-04-26 Green Light Industries, Inc. Multiple power source unit
TWI586969B (zh) * 2016-08-15 2017-06-11 旺矽科技股份有限公司 用於探針測試及清潔設備的探針高度應用方法及其設備
WO2021028366A1 (en) 2019-08-14 2021-02-18 Asml Netherlands B.V. Cross-talk cancellation in multiple charged-particle beam inspection
US12165835B2 (en) * 2020-12-30 2024-12-10 Fei Company Stroboscopic illumination synchronized electron detection and imaging

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6320568B1 (en) * 1990-12-31 2001-11-20 Kopin Corporation Control system for display panels
JP2003208864A (ja) * 2002-01-16 2003-07-25 Ebara Corp 電子線検査装置及びデバイス製造方法
CN1607640A (zh) * 2003-10-07 2005-04-20 株式会社日立高新技术 带电粒子束描绘方法和带电粒子束描绘装置
CN1628381A (zh) * 2002-02-04 2005-06-15 应用材料以色列有限公司 用于检查对带电粒子有反应的抗蚀剂的系统和方法
WO2005085938A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. 基板の検査方法、アレイ基板の検査方法、及びアレイ基板の検査装置

Family Cites Families (151)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3983401A (en) * 1975-03-13 1976-09-28 Electron Beam Microfabrication Corporation Method and apparatus for target support in electron projection systems
US4090056A (en) * 1976-05-17 1978-05-16 Electron Beam Welding, Inc. Optical viewing system for an electron beam welder
DE2902852C2 (de) * 1979-01-25 1983-04-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Flache Elektronenstrahl-Bildwiedergaberöhre
DE2937004C2 (de) * 1979-09-13 1984-11-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 8000 München Chromatisch korrigierte Ablenkvorrichtung für Korpuskularstrahlgeräte
JPS6039748Y2 (ja) 1981-03-10 1985-11-28 三洋電機株式会社 組み込み吸収式冷蔵庫
US4495966A (en) * 1982-05-24 1985-01-29 Electron Beam Corporation Separable high vacuum valve
JPS58210631A (ja) * 1982-05-31 1983-12-07 Toshiba Corp 電子ビ−ムを用いたｉｃテスタ
US4528452A (en) * 1982-12-09 1985-07-09 Electron Beam Corporation Alignment and detection system for electron image projectors
JPS59192982A (ja) * 1983-04-15 1984-11-01 Hitachi Ltd 波形発生回路
EP0175933A1 (de) * 1984-09-21 1986-04-02 Siemens Aktiengesellschaft Rasterlinsen-System ohne Ablenkfarbfehler zur Materialbearbeitung mit Korpuskularstrahlen
US4985681A (en) * 1985-01-18 1991-01-15 Siemens Aktiengesellschaft Particle beam measuring method for non-contact testing of interconnect networks
EP0204855B1 (en) 1985-06-11 1992-03-04 Shimadzu Corporation Method and apparatus for state analysis
JPS622552A (ja) * 1985-06-27 1987-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体検査装置および半導体検査方法
JPS6298544A (ja) 1985-10-25 1987-05-08 Hitachi Ltd 荷電粒子線装置
US4764818A (en) * 1986-02-03 1988-08-16 Electron Beam Memories Electron beam memory system with improved high rate digital beam pulsing system
US4760567A (en) * 1986-08-11 1988-07-26 Electron Beam Memories Electron beam memory system with ultra-compact, high current density electron gun
US4725736A (en) * 1986-08-11 1988-02-16 Electron Beam Memories Electrostatic electron gun with integrated electron beam deflection and/or stigmating system
US4740705A (en) * 1986-08-11 1988-04-26 Electron Beam Memories Axially compact field emission cathode assembly
US4818933A (en) * 1986-10-08 1989-04-04 Hewlett-Packard Company Board fixturing system
US4965515A (en) * 1986-10-15 1990-10-23 Tokyo Electron Limited Apparatus and method of testing a semiconductor wafer
JPS6388742U (zh) 1986-11-29 1988-06-09
JPH068536Y2 (ja) 1986-11-29 1994-03-02 株式会社島津製作所 フロ−テスタ
US4819038A (en) * 1986-12-22 1989-04-04 Ibm Corporation TFT array for liquid crystal displays allowing in-process testing
US4795912A (en) * 1987-02-17 1989-01-03 Trw Inc. Method and apparatus for correcting chromatic aberration in charged particle beams
JPS63166132U (zh) 1987-04-17 1988-10-28
NL8700933A (nl) * 1987-04-21 1988-11-16 Philips Nv Testmethode voor lcd-elementen.
JP2830875B2 (ja) 1987-06-19 1998-12-02 株式会社島津製作所 Ｅｐｍａの測定データ表示方法
KR960006869B1 (ko) * 1987-09-02 1996-05-23 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 프로우브 장치에 의한 전기특성 검사방법
JPH01213944A (ja) 1988-02-20 1989-08-28 Shimadzu Corp 電子線照射型分析装置
US6288561B1 (en) * 1988-05-16 2001-09-11 Elm Technology Corporation Method and apparatus for probing, testing, burn-in, repairing and programming of integrated circuits in a closed environment using a single apparatus
JP2653099B2 (ja) 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
US4870357A (en) * 1988-06-03 1989-09-26 Apple Computer, Inc. LCD error detection system
JPH01307148A (ja) 1988-06-03 1989-12-12 Shimadzu Corp Ｘ線分光分析装置
US4862075A (en) * 1988-09-01 1989-08-29 Photon Dynamics, Inc. High frequency test head using electro-optics
US4983833A (en) * 1988-11-21 1991-01-08 Siemens Aktiengesellschaft Device for the detecting of charged secondary particles
US4985676A (en) * 1989-02-17 1991-01-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus of performing probing test for electrically and sequentially testing semiconductor device patterns
EP0402499A1 (de) 1989-06-13 1990-12-19 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Prüfung einer Leiterplatte mit einer Teilchensonde
US5124635A (en) * 1990-02-15 1992-06-23 Photon Dynamics, Inc. Voltage imaging system using electro-optics
US5177437A (en) * 1990-08-08 1993-01-05 Photon Dynamics, Inc. High-density optically-addressable circuit board probe panel and method for use
US5285150A (en) * 1990-11-26 1994-02-08 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for testing LCD panel array
US5081687A (en) * 1990-11-30 1992-01-14 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for testing LCD panel array prior to shorting bar removal
JPH05136218A (ja) * 1991-02-19 1993-06-01 Tokyo Electron Yamanashi Kk 検査装置
US5170127A (en) * 1991-02-19 1992-12-08 Photon Dynamics, Inc. Capacitance imaging system using electro-optics
JPH04326725A (ja) * 1991-04-26 1992-11-16 Tokyo Electron Ltd プラズマ装置
US5175495A (en) 1991-04-30 1992-12-29 Lsi Logic Corporation Detection of semiconductor failures by photoemission and electron beam testing
US5432461A (en) * 1991-06-28 1995-07-11 Photon Dynamics, Inc. Method of testing active matrix liquid crystal display substrates
US5268638A (en) 1991-07-15 1993-12-07 Siemens Aktiengesellschaft Method for particle beam testing of substrates for liquid crystal displays "LCD"
DE4123959C1 (zh) 1991-07-19 1993-02-04 Man Roland Druckmaschinen Ag, 6050 Offenbach, De
US5504438A (en) * 1991-09-10 1996-04-02 Photon Dynamics, Inc. Testing method for imaging defects in a liquid crystal display substrate
US5258706A (en) 1991-10-16 1993-11-02 Siemens Aktiengesellschaft Method for the recognition of testing errors in the test of microwirings
US5369359A (en) * 1991-11-05 1994-11-29 Siemens Aktiengesellschaft Particle beam testing method with countervoltage or retarding voltage follow-up or feedback
US5313156A (en) * 1991-12-04 1994-05-17 Advantest Corporation Apparatus for automatic handling
JPH06167538A (ja) 1992-02-27 1994-06-14 Photon Dynamics Inc 光学的にアドレス可能な高密度回路基板プローブ装置及びその利用方法
US5546013A (en) 1993-03-05 1996-08-13 International Business Machines Corporation Array tester for determining contact quality and line integrity in a TFT/LCD
AU7665294A (en) * 1993-09-16 1995-04-03 Sunao Kubota Wound covering material and wound covering composition
DE69326003T2 (de) * 1993-09-20 1999-11-25 Hewlett-Packard Gmbh Testapparat zum Testen und Handhaben einer Vielzahl von Vorrichtungen
JP2716663B2 (ja) 1993-09-21 1998-02-18 マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド 半導体ダイの試験装置
US5644245A (en) * 1993-11-24 1997-07-01 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for inspecting electrical characteristics of a microelectronic element
US5528158A (en) * 1994-04-11 1996-06-18 Xandex, Inc. Probe card changer system and method
JP2979954B2 (ja) 1994-05-06 1999-11-22 株式会社島津製作所 分析装置
EP0686958B1 (en) * 1994-06-06 2003-10-29 Canon Kabushiki Kaisha DC compensation for interlaced display
KR100283851B1 (ko) * 1994-07-11 2001-04-02 기리야마 겐지 모니터 장치 및 모니터 방법
US5691764A (en) * 1994-08-05 1997-11-25 Tokyo Electron Limited Apparatus for examining target objects such as LCD panels
US5657139A (en) * 1994-09-30 1997-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Array substrate for a flat-display device including surge protection circuits and short circuit line or lines
US5558717A (en) * 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
JPH08173418A (ja) 1994-12-21 1996-07-09 Shimadzu Corp 超音波診断装置
US5742173A (en) * 1995-03-18 1998-04-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for probe testing substrate
JP3423817B2 (ja) 1995-04-17 2003-07-07 パイオニア株式会社 マトリクス方式プラズマディスプレイパネルの駆動方法
US5621333A (en) * 1995-05-19 1997-04-15 Microconnect, Inc. Contact device for making connection to an electronic circuit device
DE19525081B4 (de) * 1995-07-10 2006-06-29 Display Products Group, Inc., Hayward Verfahren und Vorrichtung zum Testen der Funktion von Mikrostrukturelementen
US5801545A (en) * 1995-07-14 1998-09-01 Tokyo Electron Limited LCD testing apparatus
JPH0980460A (ja) 1995-09-07 1997-03-28 Seiko Instr Inc 液晶表示装置及びその検査方法
TW331599B (en) * 1995-09-26 1998-05-11 Toshiba Co Ltd Array substrate for LCD and method of making same
US5892224A (en) * 1996-05-13 1999-04-06 Nikon Corporation Apparatus and methods for inspecting wafers and masks using multiple charged-particle beams
US6046599A (en) * 1996-05-20 2000-04-04 Microconnect, Inc. Method and device for making connection
US6243208B1 (en) * 1996-08-22 2001-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Optical element, optical system using optical element, and optical device with optical element
JP4294096B2 (ja) 1997-01-13 2009-07-08 ヒュンダイ エレクトロニクス アメリカ 改良されたアクティブ・マトリクスのｅｓｄ保護および試験体系
IL120071A (en) * 1997-01-24 2002-03-10 Orbotech Ltd Method and system for continuously processing workpieces along a production line
US5923180A (en) * 1997-02-04 1999-07-13 Hewlett-Packard Company Compliant wafer prober docking adapter
JP3423979B2 (ja) * 1997-07-11 2003-07-07 東京エレクトロン株式会社 プローブ方法及びプローブ装置
JP4036923B2 (ja) 1997-07-17 2008-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその駆動回路
US6337722B1 (en) * 1997-08-07 2002-01-08 Lg.Philips Lcd Co., Ltd Liquid crystal display panel having electrostatic discharge prevention circuitry
TW446831B (en) * 1997-09-25 2001-07-21 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display having an electrostatic discharge protection circuit and a method for testing display quality using the circuit
US6265889B1 (en) * 1997-09-30 2001-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor test circuit and a method for testing a semiconductor liquid crystal display circuit
US5973323A (en) 1997-11-05 1999-10-26 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for secondary electron emission microscope
US6075245A (en) * 1998-01-12 2000-06-13 Toro-Lira; Guillermo L. High speed electron beam based system for testing large area flat panel displays
DE19802848B4 (de) * 1998-01-26 2012-02-02 Display Products Group,Inc. Verfahren und Vorrichtung zum Testen eines Substrats
US5982190A (en) * 1998-02-04 1999-11-09 Toro-Lira; Guillermo L. Method to determine pixel condition on flat panel displays using an electron beam
JPH11264940A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Shimadzu Corp 試料高さ合わせ調整装置
US6033281A (en) * 1998-04-15 2000-03-07 Toro-Lira; Guillermo L. System for testing field emission flat panel displays
JP2002516485A (ja) 1998-05-18 2002-06-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ウェハバッファステーションおよびワークステーション間のウェハ毎の転送方法
US6086362A (en) * 1998-05-20 2000-07-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Multi-function chamber for a substrate processing system
TW427551U (en) 1998-07-23 2001-03-21 Silicon Integrated Sys Corp Improved structure of the tool for ball-grid array packaging of semiconductor devices
US6198299B1 (en) * 1998-08-27 2001-03-06 The Micromanipulator Company, Inc. High Resolution analytical probe station
US6343369B1 (en) * 1998-09-15 2002-01-29 Microconnect, Inc. Methods for making contact device for making connection to an electronic circuit device and methods of using the same
DE69835089T2 (de) 1998-11-06 2007-02-08 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Strahlrohr für geladene Teilchen
JP3718355B2 (ja) * 1998-11-26 2005-11-24 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
US6137303A (en) * 1998-12-14 2000-10-24 Sony Corporation Integrated testing method and apparatus for semiconductor test operations processing
JP2000180392A (ja) 1998-12-15 2000-06-30 Shimadzu Corp 電子線マイクロアナライザー
US6344750B1 (en) * 1999-01-08 2002-02-05 Schlumberger Technologies, Inc. Voltage contrast method for semiconductor inspection using low voltage particle beam
US6539106B1 (en) 1999-01-08 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Feature-based defect detection
JP2000223057A (ja) 1999-01-28 2000-08-11 Shimadzu Corp 電子プローブマイクロアナライザー
US6380729B1 (en) * 1999-02-16 2002-04-30 Alien Technology Corporation Testing integrated circuit dice
JP2000260852A (ja) 1999-03-11 2000-09-22 Tokyo Electron Ltd 検査ステージ及び検査装置
JP2000268764A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Shimadzu Corp 電子線自動分析装置
US6614026B1 (en) 1999-04-15 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Charged particle beam column
US6452175B1 (en) 1999-04-15 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Column for charged particle beam device
JP2000311930A (ja) * 1999-04-28 2000-11-07 Agilent Technologies Japan Ltd 半導体検査装置と半導体検査装置におけるウエハ上の各ダイの属性を指定する方法
US6281701B1 (en) * 1999-06-04 2001-08-28 Chi Mei Optoelectronics Corporation Apparatus for testing flat panel display
EP1105908B1 (en) * 1999-06-23 2005-03-02 Applied Materials, Inc. Ion beam generation apparatus
US6340895B1 (en) * 1999-07-14 2002-01-22 Aehr Test Systems, Inc. Wafer-level burn-in and test cartridge
JP4045696B2 (ja) 1999-07-22 2008-02-13 株式会社島津製作所 Ｘ線分光器
JP3350899B2 (ja) * 1999-08-31 2002-11-25 株式会社双晶テック プローブブロックの支持枠体
JP4183859B2 (ja) 1999-09-02 2008-11-19 株式会社アドバンテスト 半導体基板試験装置
JP3431872B2 (ja) 1999-11-30 2003-07-28 エヌイーシーマシナリー株式会社 Ｉｃ試験装置
JP2001318116A (ja) 2000-05-11 2001-11-16 Micronics Japan Co Ltd 表示用パネル基板の検査装置
JP3874996B2 (ja) * 2000-05-30 2007-01-31 ファブソリューション株式会社 デバイス検査方法および装置
JP3937692B2 (ja) 2000-06-15 2007-06-27 セイコーエプソン株式会社 アレイ基板の検査方法、アレイ基板の製造方法、アレイ基板及び電気光学装置
US6828587B2 (en) 2000-06-19 2004-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4517323B2 (ja) 2000-07-19 2010-08-04 株式会社島津製作所 電子線マイクロアナライザーの測定データ補正方法
JP2002048740A (ja) 2000-07-31 2002-02-15 Shimadzu Corp 電子線分析装置
JP4592885B2 (ja) 2000-07-31 2010-12-08 富士通セミコンダクター株式会社 半導体基板試験装置
JP2002050560A (ja) 2000-08-02 2002-02-15 Nikon Corp ステージ装置、計測装置及び計測方法、露光装置及び露光方法
WO2002023597A2 (en) * 2000-09-15 2002-03-21 Applied Materials, Inc. Double dual slot load lock for process equipment
US20020046001A1 (en) 2000-10-16 2002-04-18 Applied Materials, Inc. Method, computer readable medium and apparatus for accessing a defect knowledge library of a defect source identification system
US6692219B2 (en) 2000-11-29 2004-02-17 Tokyo Electron Limited Reduced edge contact wafer handling system and method of retrofitting and using same
EP1271604A4 (en) * 2001-01-10 2005-05-25 Ebara Corp APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING ELECTRON BEAM, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD COMPRISING THE INSPECTION APPARATUS
US20020135395A1 (en) 2001-02-08 2002-09-26 Pete Smith System and method for testing a display device
JP2002257997A (ja) 2001-03-01 2002-09-11 Shimadzu Corp 荷電粒子ビーム安定化装置
JP2002343294A (ja) 2001-03-12 2002-11-29 Jeol Ltd 複合電子顕微鏡
JP2002310959A (ja) 2001-04-16 2002-10-23 Shimadzu Corp 電子線分析装置
US6777675B2 (en) * 2001-04-18 2004-08-17 Multibeam Detector optics for electron beam inspection system
US6528767B2 (en) * 2001-05-22 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Pre-heating and load lock pedestal material for high temperature CVD liquid crystal and flat panel display applications
WO2002103337A2 (en) * 2001-06-15 2002-12-27 Ebara Corporation Electron beam apparatus and method for using said apparatus
US20030110649A1 (en) 2001-12-19 2003-06-19 Applied Materials, Inc. Automatic calibration method for substrate carrier handling robot and jig for performing the method
US6853143B2 (en) 2002-01-09 2005-02-08 Ebara Corporation Electron beam system and method of manufacturing devices using the system
JP2003324072A (ja) * 2002-05-07 2003-11-14 Nec Electronics Corp 半導体製造装置
US7129694B2 (en) * 2002-05-23 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Large substrate test system
JP4126484B2 (ja) 2002-06-10 2008-07-30 株式会社島津製作所 Ｘ線装置
DE10253717B4 (de) * 2002-11-18 2011-05-19 Applied Materials Gmbh Vorrichtung zum Kontaktieren für den Test mindestens eines Testobjekts, Testsystem und Verfahren zum Testen von Testobjekten
US6765203B1 (en) * 2003-01-31 2004-07-20 Shimadzu Corporation Pallet assembly for substrate inspection device and substrate inspection device
US6873175B2 (en) * 2003-03-04 2005-03-29 Shimadzu Corporation Apparatus and method for testing pixels arranged in a matrix array
US7041998B2 (en) * 2003-03-24 2006-05-09 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for high-throughput inspection of large flat patterned media using dynamically programmable optical spatial filtering
JP4135143B2 (ja) * 2003-04-22 2008-08-20 株式会社島津製作所 基板検査装置
US7077019B2 (en) * 2003-08-08 2006-07-18 Photon Dynamics, Inc. High precision gas bearing split-axis stage for transport and constraint of large flat flexible media during processing
JP4144035B2 (ja) * 2003-12-24 2008-09-03 株式会社島津製作所 Ｔｆｔアレイ検査装置
US20060038554A1 (en) * 2004-02-12 2006-02-23 Applied Materials, Inc. Electron beam test system stage
US6833717B1 (en) 2004-02-12 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Electron beam test system with integrated substrate transfer module
US7319335B2 (en) * 2004-02-12 2008-01-15 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array testing
US7355418B2 (en) * 2004-02-12 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array test
US7084970B2 (en) * 2004-05-14 2006-08-01 Photon Dynamics, Inc. Inspection of TFT LCD panels using on-demand automated optical inspection sub-system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6320568B1 (en) * 1990-12-31 2001-11-20 Kopin Corporation Control system for display panels
JP2003208864A (ja) * 2002-01-16 2003-07-25 Ebara Corp 電子線検査装置及びデバイス製造方法
CN1628381A (zh) * 2002-02-04 2005-06-15 应用材料以色列有限公司 用于检查对带电粒子有反应的抗蚀剂的系统和方法
CN1607640A (zh) * 2003-10-07 2005-04-20 株式会社日立高新技术 带电粒子束描绘方法和带电粒子束描绘装置
WO2005085938A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. 基板の検査方法、アレイ基板の検査方法、及びアレイ基板の検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009530619A (ja) 2009-08-27
US20070216428A1 (en) 2007-09-20
US7569818B2 (en) 2009-08-04
TW200741230A (en) 2007-11-01
CN102353890A (zh) 2012-02-15
CN101400991A (zh) 2009-04-01
WO2007106759A2 (en) 2007-09-20
TWI323788B (en) 2010-04-21
KR20090004957A (ko) 2009-01-12
KR101028222B1 (ko) 2011-04-11
JP5829376B2 (ja) 2015-12-09
WO2007106759A3 (en) 2008-06-26
CN101400991B (zh) 2013-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102353890B (zh) 减小多个柱状电子束测试系统中的串扰的方法
JP4279720B2 (ja) Ｔｆｔｆｐｄ基板検査装置および検査方法
KR100280164B1 (ko) 전자 빔을 이용한 검사방법 및 그 장치
KR101279028B1 (ko) 전자선장치
US6873175B2 (en) Apparatus and method for testing pixels arranged in a matrix array
US7474108B2 (en) Apparatus and method for contacting of test objects
JP5362355B2 (ja) マイクロカラムを用いた微細パターンおよび形状検査装置
KR100980120B1 (ko) 테스트 특성이 개선된 구동장치
JPH11345585A (ja) 電子ビームによる検査装置および検査方法
JP5078232B2 (ja) 複合荷電粒子ビーム装置及びそれにおける照射位置決め方法
CN116092912A (zh) 对样品载体上的分析物材料进行解吸扫描的装置
US20070235665A1 (en) Charged particle beam system and method for manufacturing and inspecting LCD devices
US10692687B2 (en) Measurement and inspection device
US20230266258A1 (en) Method of inspecting semiconductor device
KR20240105243A (ko) 무정렬 이온 경통을 위한 방법
KR20230041789A (ko) 기판 상의 라인 결함을 식별하기 위한 방법, 및 기판 상의 라인 결함을 식별하기 위한 장치
WO2012074292A2 (ko) 입자 빔 칼럼에서 입자 빔을 블랭킹하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant