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CN102128991B - 一种老化测试装置及测试方法 - Google Patents

一种老化测试装置及测试方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种老化测试装置及方法,用以提高老化试验的可靠性,以及准确率。该老化测试装置,包括:用以装载待测试的器件的老化座,以及用于固定所述老化座的老化板,所述老化座包括:对应所述待测试的器件的每个管脚设置的一组引脚组,其中,每一组引脚组中包括至少两个用于和对应管脚接触的引脚,其中一个用于与所述老化板上的老化测试引线相连。

Description

一种老化测试装置及测试方法
技术领域
本发明涉及半导体芯片技术领域,特别涉及一种老化测试装置及方法。 
背景技术
可靠性试验是测试元件、产品或系统在规定的条件下,规定的时间内完成规定功能的概率。一般可靠性试验可分为工艺可靠性测试及产品可靠性测试,而老化测试属于产品可靠性测试的一种,主要是评估偏压及温度对器件的影响,是用加速器件失效的方法来预测器件的寿命。当然,老化测试也可以用来筛选出早期失效产品。 
在测试过程中,需用老化座装载待测试的器件,而老化座是固定在布好线路的老化板上,然后将老化板放入高温试验箱,进行相应的试验。老化测试包括:高温反遍试验(HTRB,High Temperature Reverse Bias)、高温栅偏试验(HTGB,High Temperature Gate Bias)、或高温操作寿命试验(HTOL,HighTemperature Operate Life)。不同的老化测试,对应的老化板的布线不同。 
目前,待测试的器件与老化座之间是单边接触,即待测试的器件的每个管脚,即Pin脚,最多与老化座上一个引脚接触。包括3个引脚的老化座的结构示意图如图1所示,利用这样的老化座来装载待测试的器件进行老化测试时,例如HTGB试验时,待测试的器件的三个Pin脚分别与如图1所示的引脚1、2、3接触,而对应的老化板如图2所示,与引脚1、2、3对应的端子分别为G、S、D,其中,D,S间短接,然后,端子D,G分别通过引线接入测试系统中对应通道中。最后,将该老化板放入高温试验箱中,设置试验温度,并给相应的通道加电压,进行HTGB试验。 
待测试的器件一般由金属-氧化物-半导体场效应(MOS,Metal Oxide Semiconductor)管组成,而MOS管的漏电电流很小,尤其是HTGB试验时,检测出的漏电流基本全为零,而当待测试的器件与老化座接触不好时,测试过程中,待测试的器件并未被施加电压,但检测出的漏电流也基本全为零。 
可见,只有确保了待测试的器件与老化座之间接触良好后,才能保证该待测试的器件在试验时被施加电压,进行了正常的老化试验。 
而现有的老化试验过程中,每个Pin脚最多与老化座上一个引脚接触,这样,对待测试的器件大小及封装形式依赖性高,已难以满足贴片式封装小器件的可靠性要求,也很难确保老化试验的准确率。 
发明内容
本发明实施例提供一种老化测试装置及方法,用以提高老化试验的可靠性,以及准确率。 
本发明实施例提供一种老化测试装置,包括:用以装载待测试的器件的老化座,以及用于固定所述老化座的老化板; 
所述老化座包括:对应所述待测试的器件的每个管脚设置的一组引脚组,其中,每一组引脚组中包括至少两个用于和对应管脚接触的引脚,其中一个用于与所述老化板上的老化测试引线相连,所述每一组引脚组中未用于与所述老化板上的老化测试引线相连的其他一个引脚,用于与所述老化板上对应的悬空引线一端相连。 
本发明实施例提供一种老化测试的方法,包括: 
将待测试的器件装载到固定在老化板上的老化座中,其中,所述老化座包括:对应所述待测试的器件的每个管脚设置的一组引脚组,且每一组引脚组中包括至少两个用于和对应管脚接触的引脚,其中一个用于与所述老化板上的老化测试引线相连,所述每一组引脚组中未用于与所述老化板上的老化测试引线相连的其他一个引脚,用于与所述老化板上对应的悬空引线一端相连; 
测量所述待测试的器件的每个管脚,与对应引脚组中与所述老化板上的老 化测试引线相连的一个引脚之间是否导通; 
若是,通过所述老化板上的老化测试引线,对所述待测试的器件进行老化试验。 
本发明实施例中,老化测试装置,包括:老化座以及老化板。其中,所述老化板,用于固定老化座,所述老化座,用以装载待测试的器件,对于所述待测试的器件的每个Pin脚,所述老化座上存在对应的引脚组与该Pin脚接触,其中,所述引脚组包括至少两个引脚;所述每组引脚组中的一个引脚用于与所述老化板上的老化测试引线相连。这样,可以通过测量老化座上与待测试的器件的每个Pin脚,与对应引脚组中与所述老化板上的老化测试引线相连的引脚之间是否导通,确定老化座上与待测试的器件是否接触良好,当确定两者接触良好后,通过老化板上与每组引脚组中的一个引脚相连的老化测试引线,对所述待测试的器件进行老化试验。从而,排除了老化测试过程中,接触不良的故障,极大地提高老化试验的可靠性,以及准确率。 
附图说明
图1为现有技术中老化座的示意图; 
图2为现有技术中HTGB老化测试中老化板的示意图; 
图3为本发明实施例中老化座的示意图; 
图4为本发明实施例中老化座引脚测试的示意图; 
图5为本发明实施例中HTGB老化测试中老化板的示意图; 
图6为本发明实施例中HTGB老化测试的流程图。 
具体实施方式
本发明实施例中,对待测试的器件进行老化试验时,将待测试的器件装载到老化座,而老化座已固定在对应的老化板上,然后,将老化板放入高温试验箱中,设置试验温度,进行对应的老化试验。 
其中,为提高老化试验的可靠性,以及准确率,在将老化板放入高温试验箱之前,对待测试的器件与老化座之间接触性能进行了测试。 
因此,本发明实施例中,老化测试装置包括老化座和老化板,老化板用于固定老化座。其中,老化座,用以装载待测试的器件,该老化座包括:对应待测试的器件的每个Pin脚设置的一组引脚组与其接触,其中,每一组引脚组包括两个或多个引脚。 
这样,老化座装载了待测试的器件后,待测试的器件与老化座之间是双边,或多边接触。从而,可以通过测量老化座上每一组引脚组中的引脚之间是否导通,确定该待测试的器件与老化座是否接触良好。 
由于对待测试的器件进行老化试验时,老化座是固定在对应的老化板上的,一般将老化座每个引脚插入到老化板上对应的通孔中,然后焊接固定。当老化座上的引脚增多后,其对应的老化板也必须进行相应的物理改造,以便于老化座的插入。但该老化板的老化测试引线仍然不变,这样,当老化座固定到对应的老化板后,老化座上的每组引脚组中的一个引脚与老化板上的老化测试引线相连,这样,通过该老化测试引线,对该待测试的器件进行老化试验。 
这里,以待测试的器件上有三个Pin脚与老化座接触为例,参见图3,老化座上有6个引脚,分别为引脚1、2、3、4、5、以及6,其中,引脚1和4为一个引脚组,与待测试的器件上的第一Pin脚接触;引脚2和5为一个引脚组,与待测试的器件上的第二Pin脚接触;以及引脚3和6为一个引脚组,与待测试的器件上的第三Pin脚接触。 
老化座插接到对应的老化板时,其中,引脚1、2、3分别与老化板的老化测试引线连接,从而接入老化测试系统进行对应的老化测试。当然,也可以是引脚4、5、6,或者,引脚4、5、3分别与老化板的老化测试引线连接。 
这样,该老化座装载了待测试的器件后,测量老化座与待测试的器件的导通性能,可以测量待测试的器件每个管脚,与老化座上对应引脚组中一个引脚的导通性,其中,该引脚与老化板上的老化测试引线相连。这里,可以直接用 万用表分别测量待测试的器件上第一Pin脚,与老化板上与引脚1连接的老化测试引线之间是否导通;待测试的器件上第二Pin脚,与老化板上与引脚2连接的老化测试引线之间是否导通;以及待测试的器件上第三Pin脚,与老化板上与引脚3连接的老化测试引线之间是否导通,如果都导通,则确定该待测试的器件与老化座接触良好。 
本发明实施例中,待测试的器件一般是半导体芯片,可以是大一点的器件,也可以是贴片式封装小器件。当待测试的器件是贴片式封装小器件时,其对应的老化座引脚间距也会很小,如果采用普通的万用表测量Pin脚与老化测试引线之间的导通性可能会比较困难,因此,本发明实施例中,设计与老化座对应的老化板,通过测量老化板上对应的引线来确定待测试的器件与老化座接触是否良好。 
这里,老化座装载待测试的器件,对于该待测试的器件的每个Pin脚,老化座上存在一组引脚组与该Pin脚接触,其中,每组引脚组包括至少两个引脚。将该老化座插入对应的老化板后,上述每组引脚组中的一个引脚与老化板上的老化测试引线相连,每组引脚组中的未用于与老化板上的老化测试引线相连的其他一个引脚与老化板上对应的悬空引线一端相连,这样,可以通过测量老化板上的老化测试引线与对应的悬空引线之间是否导通,来确定该待测试的器件与老化座是否接触良好。如图4所示,测量两个引线之间是否导通。 
仍然以待测试的器件上有三个Pin脚与老化座接触为例,老化座如图3所示,有6个引脚,其中,引脚1和4为一个引脚组,与待测试的器件上的第一Pin脚接触,引脚2和5为一个引脚组,与待测试的器件上的第二Pin脚接触,以及引脚3和6为一个引脚组,与待测试的器件上的第三Pin脚接触。 
与该老化座对应的老化板中,引脚1、2、3为偏置(Force)端引脚,分别与老化板中老化测试引线连接。引脚4、5、6为测量(Sence)端引脚,分别与老化板中对应的悬空引线相连。这里,从老化板上每个Sence端引出引线至该老化座在老化板上对应区域的外围。即每条悬空引线一端为对应的Sence端, 另一端位于老化座在老化板上对应区域的外围。并且,每个悬空引线的另一端可以与一个通孔,或者测试触点相连,这样方便测试工具进行接触。 
以是HTGB试验为例,现有的老化板如图2所示,而本发明实施例中的老化板如图5所示,引脚1、2、3对应的老化测试引线不变,而引脚4、5、6分别连接一个悬空引线,每条悬空引线的另一端与一个通孔相连。 
这样,通过测量引线之间的导通性,来确定待测试的器件与老化座之间的接触性能。例如:万用表一个表笔接触与引脚1连接的老化测试引线,另一个表笔接触与引脚4对应的悬空引线相连的通孔。 
当然,若本发明实施例中,对于待测试的器件的、测试触点,老化座上可能存在三个或多个引脚与该测试点接触时,即该引脚组包括三个或多个引脚时,这三个或多个引脚中的一个引脚为Force端引脚,与老化板上的老化测试引线相连。而在剩下两个或引脚中选择一个引脚或多个引脚作为Sence端引脚,分别与老化板中对应一条悬空引线相连。 
可见,通过测量老化板上引线之间的导通性,可以确定各种大小,各种封装形式的待测试的器件与老化座之间的接触性能。 
通过上述包括老化座以及老化板的老化测试装置,对待测试的器件进行老化测试的过程包括: 
首先,将待测试的器件装载到固定在老化板上的老化座中,其中,老化座上包括:待测试的器件的每个管脚设置的一组引脚组,其中,每一组引脚组中包括至少两个用于和对应管脚接触的引脚,然后,测量待测试的器件的每个管脚,与对应引脚组中与老化板上的老化测试引线相连的一个引脚之间是否导通;若是,通过老化板上的老化测试引线,对所述待测试的器件进行老化试验。 
其中,测量所述待测试的器件的每个管脚,与对应引脚组中与老化板上的老化测试引线相连的一个引脚之间是否导通包括: 
分别测量所述待测试的器件的每个管脚,与所述老化板上对应的老化测试引线是否导通。或者, 
分别测量老化板上与每个管脚对应的老化测试引线,以及对应的悬空引线之间是否导通,其中,所述悬空引线的一端与对应引脚组中的未用于与所述老化板上的老化测试引线相连的其他一个引脚相连。 
下面结合说明书附图对本发明实施例作进一步详细描述。 
这里,老化测试为HTGB老化测试,待测试的器件为贴片芯片,有三个Pin脚,老化座如图3所示,老化板如图5所示。则具体的测试过程参见图6,包括: 
步骤601:检查固定了一个或多个老化座的老化板是否正常。当该老化板正常时,执行步骤602,否则,本次老化测试过程结束。 
老化板上可以插接一个或多个老化座。检测该老化板的功能是否正常,当当该老化板正常时,执行步骤602,否则,本次老化测试过程结束。 
步骤602:将待测试的器件装载到老化座上。 
这里,待测试的器件为贴片芯片,有三个Pin脚,老化座如图3所示,有6个引脚,分别为引脚1、2、3、4、5、以及6,其中,引脚1和4为一个引脚组,与待测试的器件上的第一Pin脚接触,引脚2和5为一个引脚组,与待测试的器件上的第二Pin脚接触,以及引脚3和6为一个引脚组,与待测试的器件上的第三Pin脚接触。 
并且,引脚1、2、3分别与老化板上对应的老化测试引线连接,引脚4、5、6分别与悬空引线连接,如图5所示。 
步骤603:测量老化板上每条悬空引线与对应的老化测试引线是否导通,如果都导通,则执行步骤604,否则,待测试的器件与老化座接触不好,本次测试流程结束。 
步骤604:将老化板放入高温试验箱进行HTGB老化测试。 
待测试的器件通过老化座上的引脚1、2、3,以及老化板上对应的老化测试引线接入老化测试系统了,设置高温试验箱的温度,并通过相应的老化测试引线对器件进行加压,通过系统监控软件进行监控HTGB老化测试过程,直到 结束。 
综上所述,本发明实施例中,老化测试装置包括:老化座以及老化板。其中,老化板,用于固定所述老化座;老化座,用以装载待测试的器件,对于待测试的器件的每个Pin脚,所述老化座上存在对应的引脚组与该Pin脚接触,其中,所述引脚组包括至少两个引脚;所述每组引脚组中的一个引脚与所述老化板上的老化测试引线相连,每组引脚组中未用于与老化板上的老化测试引线相连的其他一引脚与与所述老化板上对应的悬空引线相连。这样,通过测量老化板上引线之间的导通性,来确定待测试的器件与老化座之间是否接触良好,当两者接触良好后,将该老化板放入高温试验箱进行对应的老化测试,从而,排除了老化测试过程中,接触不良的故障,极大地提高老化试验的可靠性,以及准确率。 
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若对本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。 

Claims (6)

1.一种老化测试装置,包括:用以装载待测试的器件的老化座,以及用于固定所述老化座的老化板,其特征在于,所述老化座包括:对应所述待测试的器件的每个管脚设置的一组引脚组,其中,每一组引脚组中包括至少两个用于和对应管脚接触的引脚,其中一个用于与所述老化板上的老化测试引线相连,所述每一组引脚组中未用于与所述老化板上的老化测试引线相连的其他一个引脚,用于与所述老化板上对应的悬空引线一端相连。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述悬空引线的另一端位于所述老化座在所述老化板上对应区域的外围。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述老化板还包括:
通孔,用于与所述悬空引线的另一端连接。
4.一种老化测试的方法,其特征在于,包括:
将待测试的器件装载到固定在老化板上的老化座中,其中,所述老化座包括:对应所述待测试的器件的每个管脚设置的一组引脚组,且每一组引脚组中包括至少两个用于和对应管脚接触的引脚,其中一个用于与所述老化板上的老化测试引线相连,所述每一组引脚组中未用于与所述老化板上的老化测试引线相连的其他一个引脚,用于与所述老化板上对应的悬空引线一端相连;
测量所述待测试的器件的每个管脚,与对应引脚组中与所述老化板上的老化测试引线相连的一个引脚之间是否导通;
若是,通过所述老化板上的老化测试引线,对所述待测试的器件进行老化试验。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述测量所述待测试的器件的每个管脚,与对应引脚组中与所述老化板上的老化测试引线相连的一个引脚之间是否导通包括:
分别测量所述待测试的器件的每个管脚,与所述老化板上对应的老化测试引线是否导通。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述测量所述待测试的器件的每个管脚,与对应引脚组中与所述老化板上的老化测试引线相连的一个引脚之间是否导通包括:
分别测量所述老化板上与每个管脚对应的老化测试引线,以及对应的悬空引线之间是否导通,其中,所述悬空引线的一端与对应引脚组中的未用于与所述老化板上的老化测试引线相连的其他一个引脚相连。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105242077B (zh) * 2014-07-11 2018-09-25 北大方正集团有限公司 一种老化板
CN106405360B (zh) * 2016-06-01 2020-01-31 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) 一种带螺栓外形半导体产品老化测试方法
CN109542068B (zh) * 2018-12-10 2022-04-19 武汉中原电子集团有限公司 一种高温带电老化及控制系统
CN115856567A (zh) * 2022-10-11 2023-03-28 杭州中安电子有限公司 一种车规级mcu器件tdbi测试方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2511014Y (zh) * 2001-12-19 2002-09-11 华硕电脑股份有限公司 连接器实插机构
JP2006153584A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Chichibu Fuji Co Ltd 半導体パッケージ用エージングボード
CN101109785A (zh) * 2007-08-24 2008-01-23 北京中星微电子有限公司 集成电路高温动态老化多产品复用测试板
CN201138360Y (zh) * 2007-12-13 2008-10-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 老化装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2511014Y (zh) * 2001-12-19 2002-09-11 华硕电脑股份有限公司 连接器实插机构
JP2006153584A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Chichibu Fuji Co Ltd 半導体パッケージ用エージングボード
CN101109785A (zh) * 2007-08-24 2008-01-23 北京中星微电子有限公司 集成电路高温动态老化多产品复用测试板
CN201138360Y (zh) * 2007-12-13 2008-10-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 老化装置

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