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CN102105611B - 导电性与弯曲性改善的Cu-Ni-Si-Mg系合金 - Google Patents

导电性与弯曲性改善的Cu-Ni-Si-Mg系合金 Download PDF

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CN102105611B CN201080002157.8A CN201080002157A CN102105611B CN 102105611 B CN102105611 B CN 102105611B CN 201080002157 A CN201080002157 A CN 201080002157A CN 102105611 B CN102105611 B CN 102105611B
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Abstract

含有1.0~4.5质量%的Ni、0.16~1.13质量%的Si、以及0.05~0.30质量%的Mg,其余则由Cu及不可避免的杂质所构成的Cu-Ni-Si-Mg系合金,其含有Ni-Si-Mg析出物X及Ni-Si析出物Y,析出物X的平均粒径为0.05~3.0μm,粒径超过10μm的析出物X不存在,且析出物Y的平均粒径为0.01~0.10μm,也可含有合计0.01~2.0质量%的Cr、P、Mn、Ag、Co、Mo、As、Sb、Al、Hf、Zr、Ti、C、Fe、In、Ta、Sn或Zn。优选析出物X是103~105个/mm2,析出物Y是1.0×108~1.0×1011个/mm2。本发明的Cu-Ni-Si-Mg系合金可保持高强度、高导电性、以及良好的弯曲加工特性,此外也显现在高温下的优异耐应力松弛特性。

Description

导电性与弯曲性改善的Cu-Ni-Si-Mg系合金
技术领域
本发明涉及一种适合作为连接器、端子、继电器、开关等的导电性弹簧材的Cu-Ni-Si-Mg系合金。
背景技术
对端子、连接器等所使用的电子材料用铜合金,就基本特性而言,要求能兼顾高强度、高电传导性或热传导性。而且,除了这些特性以外,也要求弯曲加工性、耐应力松弛特性、耐热性、与镀敷的密合性、蚀刻加工性、冲压性、耐蚀性。
由高强度及高导电性的观点,近年来就电子材料用合金而言,时效硬化型铜合金的使用量已逐渐增加,而取代以往的磷青铜、黄铜等为代表的固溶强化型铜合金。时效硬化型铜合金,通过对固溶处理的过饱和固溶体进行时效处理,使微细的析出物均匀地分散,提高合金的强度,同时固溶于铜中的添加元素量会减少而提高导电性。因此,可制得强度、弹性等机械特性优异且电传导性、热传导性良好的材料。该时效硬化型铜合金中,Cu-Ni-Si系合金以科森合金为所知,一种兼具高强度与高导电性的代表性铜合金,已被实用化作为电子机器用材料。该铜合金中,通过微细的Ni-Si系金属间化合物(析出物Y)以粒子状析出于铜基质中,来提高强度与导电性。
以往一直对Cu-Ni-Si-Mg系合金进行研究(专利文献1~4),该Cu-Ni-Si-Mg系合金可保持上述Cu-Ni-Si系合金的优异性质,尤其是高强度与良好的弯曲加工性,且具有在高温下的优异耐应力松弛特性(于连接器中长期维持适当的接触压力的能力)。Cu-Ni-Si-Mg系合金的一般制造方法中,首先于大气熔融炉在木炭被覆下将电解铜、Ni、Si等原料进行熔融,而制得所期望组成的熔融液。接着,将该熔融液铸造成铸锭。然后,进行热处理、热压延、冷压延、以及热处理,精加工成具有所期望厚度及特性的条或箔。
专利文献1:日本特开2008-127668
专利文献2:日本特开2005-307223
专利文献3:日本特开平10-110228
专利文献4:日本特开2004-307905
发明内容
Cu-Ni-Si-Mg系合金的制造中,相较于其它添加元素,Mg较容易氧化,因此会与熔融液中的氧反应成为氧化物而悬浮于熔融液上。因此,考虑因氧化所导致的Mg损失量,通常Mg添加成过量。另一方面,由于Ni-Si-Mg化合物(析出物X)在本合金体系中属初晶,因此在所铸造的铸锭中会最先结晶出来。然而,由于在为了使铸造后的金属内部组织的不均匀构造均匀所进行的均质化热处理中,析出物X被固溶,并且其后也进行固溶处理,因此一般以往的Cu-Ni-Si-Mg系合金的Mg成分呈固溶于母材中的状态,不存在析出物X。以此方式过量添加Mg而固溶有Mg的状态的常规Cu-Ni-Si-Mg系合金,因Mg存在而阻碍电子通过金属晶格,因此难以获得与Cu-Ni-Si系合金同等级的高电传导性。
然而,随着近年来制品小型化,对连接器、端子、继电器、开关等的导电性弹簧材,要求能保持高导电性及更小且苛刻的弯曲及强度。
本发明人,在Cu-Ni-Si-Mg系合金中,将Mg在均质化热处理后完全固溶的常规技术加以改良,通过调节铸造条件与均质化热处理条件,而于合金中具有特定尺寸的含Mg的析出物X,同时使析出物Y保持与以往同样的尺寸及分布,而发现可达到优异的效果。根据该见解,将Ni-Si-Mg化合物(析出物X)及Ni-Si化合物(析出物Y)各自的尺寸及优选的量以及比例加以调整,从而完成本发明的导电性与弯曲性优异的Cu-Ni-Si-Mg系合金。
本发明如以下所述。
(1)一种铜合金,其是含有1.0~4.5质量%的Ni、0.16~1.13质量%的Si、以及0.05~0.30质量%的Mg,其余则由Cu及不可避免的杂质所构成的Cu-Ni-Si-Mg系合金,其含有Ni-Si-Mg析出物X及Ni-Si析出物Y,析出物X的平均粒径为0.05~3.0μm,粒径超过10μm的析出物X不存在,且析出物Y的平均粒径为0.01~0.10μm。
(2)如(1)的铜合金,其中,该析出物X在垂直于压延方向的截面每1平方mm含有1.0×103~1.0×105个。
(3)如(1)或(2)的铜合金,其中,该析出物Y在垂直于压延方向的截面每1平方mm含有1.0×108~1.0×1011个。
(4)如上述任一项的铜合金,其含有合计0.01~2.0质量%的选自Cr、P、Mn、Ag、Co、Mo、As、Sb、Al、Hf、Zr、Ti、C、Fe、In、Ta、Sn及Zn的至少一种元素。
发明效果
本发明的Cu-Ni-Si-Mg系合金保持与Cu-Ni-Si系合金相同等级的高强度、高导电性、良好的弯曲加工性、以及应力松弛特性,并且具有在高温下的优异耐热镀敷剥离性。
附图说明
图1示意2阶段均质化热处理,显示处理中的材料的热历史。
具体实施方式
(1)Ni浓度
本发明的Cu-Ni-Si-Mg系合金中,Ni浓度如果没有达到1.0质量%,则由于析出物X或Y不会充分地析出,因此无法获得目标的强度。Ni浓度如果超过4.5质量%,则在铸造铸锭中容易形成粗大的析出物,而容易在热压延产生裂纹。
(2)Si浓度
Si的添加浓度设置成0.16~1.13质量%。Si量如果没有达到0.16质量%,则由于析出物X或Y不会充分地析出且Ni固溶量增大,因此无法获得高导电性。Si量如果超过1.13质量%,则由于母材表面的Si浓度会增大,而导致耐热镀敷剥离性恶化。
(3)Mg浓度
Mg浓度如果没有达到0.05质量%,则无法获得目标的为Mg添加效果的耐应力松弛特性(对蠕变变形的耐性)。如果超过0.30质量%,则由于析出物X的尺寸会变大或个数会变多,因此会导致热加工性恶化。而且,由于固溶Mg量会增大,因此导电性差。
(4)析出物X(Ni-Si-Mg析出物)
析出物X(Ni-Si-Mg析出物),指含有形成在本发明的铜合金中的Ni、Si及Mg的析出物(第二相粒子)。析出物X中的Mg比例通常为0.5~16质量%左右。在没有达到0.5质量%的情况下,成分分析无法检测出Mg的存在而无法与析出物Y(Ni-Si析出物)区别。因此,本发明中,含有Ni及Si的析出物且Mg比例没有达到0.5%的,当作析出物Y处理。分析多数的析出物X后的结果,如果为本发明的合金组成及目标的析出物X及Y的粒径,则析出物X中的Mg量在16质量%以内。
本发明的析出物X及析出物Y是铸造时的结晶物,也为时效处理时的析出物。本发明中,通过使析出物X存在,以降低母材的Mg浓度,改善导电性,并通过即使进行均质化热处理后的固溶处理也残留的析出物X的存在,发挥对晶粒成长的止销效应而赋予良好的影响,即可获得较常规例更微细的平均结晶粒径。
本发明的析出物X的平均粒径为0.05~3.0μm,更优选0.50~3.0μm。平均粒径没有达到0.05μm时,则由于析出物的大小会过小,而无助于强度,且固溶于母相的Mg量会变多,因此无法获得目标的导电性。另一方面,当析出物X的平均粒径超过3.0μm时,由于析出物会粗大化而无助于强度,且容易产生热裂纹造成加工性差。再者,当存在粒径超过10μm的析出物X时,弯曲加工性会显著恶化。
本发明的合金中的析出物X的个数,在垂直于压延方向的截面每1平方mm优选1.0×103~1.0×105个。当析出物X的数量没有达到103个时,由于数量过少即使使析出物X析出,也无助于导电性与弯曲性的提高。另一方面,析出物X的数量如果超过105个,则会消耗待形成析出物Y的Ni及Si,导致析出物Y无法充分地形成而无法确保Cu-Ni-Si系合金原来的高强度。
本发明的析出物X主要源自合金铸造时所产生的析出物。以往为了防止在压延阶段的裂纹,在铸造的后续步骤进行加热,由此进行均质化热处理,以使所有析出物固溶。本发明中,控制该均质化热处理条件,以将铸锭的铸造组织进行均质化,同时以形成目标的尺寸及数量的析出物X的方式使结晶物残留。此外,由于析出物X其熔点较高,因此即使经过均质化热处理后的固溶热处理步骤或时效步骤,虽会因热影响的扩散导致粒径产生些微变化,不过并不会消失。
(5)析出物Y(Ni-Si析出物)
析出物Y(Ni-Si析出物)指含有形成在本发明的铜合金中的Ni及Si的析出物(第二相粒子),通常的组成以Ni2Si等表示。
与通常的科森合金的制造同样地,析出物Y通过在制造步骤中进行固溶处理,预先使Ni与Si充分固溶于母材,再利用时效处理使其从母材析出而生成。而且,粒径或密度可通过这些热处理条件进行控制。析出物Y的平均粒径为0.01~0.10μm,优选0.05~0.10μm。在析出物Y的平均粒径没有达到0.01μm时,由于大小会过小,因此无助于强度。另一方面,析出物Y的平均粒径在0.10μm以上时,由于粗大而无助于强度。此外,当存在粒径超过3.0μm的析出物Y时,强度及应力松弛性容易恶化。
析出物Y的个数,优选1×108~1×1011个,更优选1×109~1×1011个,当没有达到1×108个时,由于析出物的数量少,因此无助于强度。另一方面,当析出物的个数超过1×1011个时,会使弯曲加工性降低。
(6)Ni、Si、Mg以外的添加元素
Cr、P、Mn、Ag、Co及Mo对强度的改善与耐热性的提高具有效果,As、Sb对镀敷剥离性的改善具有效果,Al、Hf、Zr、Ti、C、Fe、In、Ta、Sn及Zn则对防止固溶处理时结晶粒径的粗大化具有效果。
这些元素的添加量如果没有达到0.01质量%,则无法获得添加效果,如果超过2.0质量%,则会导致导电性降低。
(7)制造方法
本发明的铜合金的制造方法,使用析出强化型铜合金的一般的制造程序(熔融/铸造→均质化热处理→热压延→中间冷压延→中间固溶→最终冷压延→时效、或熔融/铸造→均质化热处理→热压延→中间冷压延→中间固溶→时效→最终冷压延),在该步骤内调整均质化热处理条件以制造目标的铜合金。此外,针对中间压延、中间固溶也可视需要重复多次。
在制造本发明的铜合金时,严格地控制均质化热处理条件、固溶处理及退火的条件至为重要。也即,均质化热处理中,必需以使铸造所产生的Ni-Si-Mg析出物X处于本发明的范围内而残留,并充分地消除Ni-Si析出物Y的条件来进行。此外,于固溶处理,优选充分地使Ni与Si固溶,不存在析出物Y的条件,只要是残留的析出物X不消灭的条件即可。就最后的时效而言,只要是平均粒径较小的析出物Y可充分地析出的条件即可,该条件可与常规的时效条件相同。
于熔融/铸造步骤中,将电解铜、Ni、Si、Mg等的原料进行熔融,得到所期望的组成的熔融液,然后铸造成铸锭。在该铸锭的均质化热处理及热压延时,为了使铸造所产生的Ni-Si析出物Y消失,且将Ni-Si-Mg析出物X调整于本发明的范围内,可以2阶段来进行均质化热处理。此时,作为第1阶段的均质化热处理,将炉内的气氛温度设定成800℃以上、没有达到890℃,并在材料温度到达设定温度后保持0.5~2.5小时。并且,为了缩小残留的粗大Ni-Si-Mg析出物X的平均粒径,作为第2阶段的均质化热处理,将炉内的气氛温度设定于890℃~980℃,从材料温度到达设定温度时起保持0.5~1.2小时之后,立刻进行热压延即可。第1阶段与第2阶段的加热可用一个炉连续进行,通过从第1阶段的热处理区域移动至第2阶段的热处理区域来进行。将该2阶段均质化热处理的材料的热历史的概略表示于图1。而且,也可用不同的炉从第1阶段的炉取出后立即插入第2阶段的炉来开始第2阶段的加热,而使铸锭的温度不会降低。
第1阶段的保持温度如果没有达到800℃,则Ni-Si析出物Y无法充分地固溶,析出物X会以平均粒径较大的状态残留,另一方面,如果在890℃以上,则析出物X也会固溶而消失。而且,第2阶段的保持温度如果没有达到890℃,则析出物X虽不会消失,不过析出物X的粒子却可能会以较大的状态残留,一部分的析出物Y也有可能不固溶而残留。另一方面,第2阶段的保持温度如果超过980℃,则析出物X有全部固溶的可能。
该均质化热处理中,可通过燃烧器或电介质等公知的方法进行加热。在加热时,注意要将输出能量及炉内的铸锭重量分别保持成恒定。即使是同一设定温度,在铸锭重量较轻的情况下有加热过度的风险,而在铸锭重量较重的情况下,则有加热不充分的风险。
通过将均质化热处理的第1阶段的炉内的气氛温度成为800℃以上、没有达到890℃,保持0.5~2.5小时,Ni-Si-Mg系析出物X几乎不会发生变化,而Ni-Si系析出物Y的平均粒径却会变小。接着,通过将第2阶段的热处理设置成890℃~980℃、0.5~1.2小时,Ni-Si-Mg系析出物X的平均粒径会变小且一部分会消失,但是残留的析出物X会变成规定尺寸、个数,另一方面,即使经过第1阶段的热处理也残留下来的Ni-Si系析出物Y则会全部消失。在上述2阶段均质化热处理后进行热压延之后,Ni-Si-Mg系析出物X以热压延后的尺寸与个数存在到最后。另一方面,Ni-Si系析出物Y经过固溶/冷压延,通过时效处理而析出为规定尺寸与个数。
在热压延后,可在本发明的目标的范围内,适当选择次数及顺序来进行中间压延及中间固溶。中间压延的最后道次的加工度如果没有达到30%,则由于成为析出物Y的析出起点的重排的量较少,因此析出物Y的个数会变少而使得强度降低。另一方面,加工度如果超过99%,则虽然重排的量会变多而使析出物Y的个数变多,但是析出物Y的平均粒径会变得过小而使得强度降低。因此,尤其最后道次的中间压延加工度优选30%~99%。
中间固溶为了使熔融铸造时的结晶粒子或热压延后的析出粒子固溶以尽可能地消除析出物Y而充分地进行。例如,固溶处理温度如果没有达到500℃,则固溶将会不充分而无法获得所期望的强度。另一方面,固溶处理温度如果超过850℃,则有可能会使材料熔融。因此,优选进行将材料温度加热至500℃~850℃的固溶处理。固溶处理的时间优选60秒~2小时。
此外,就固溶处理温度与时间的关而言,为了获得相同的热处理效果(例如,析出物Y的相同平均粒径),已知在高温的情况下时间必需较短,在低温的情况下时间则必需较长。例如,于本发明中,在600℃的情况下优选1小时,在750℃的情况下优选2、3分钟~30分钟。
固溶处理后的冷却速度,一般进行急速冷却,以使固溶成分不会析出成第二相粒子(析出物Y)。
最终压延的加工度为0~50%,优选5~20%。如果超过50%,则弯曲加工性会降低。
本发明的最终时效步骤,以与常规技术同样方式进行,均匀地析出本发明的范围内的微细的第二相粒子(析出物Y及视情况也包含析出物X)。
实施例
实施例1(铜合金的制造)
使用高频感应炉将5kg的高纯度铜进行熔融。以木炭片覆盖熔铜表面之后,添加规定量的Ni、Si及Mg,再将熔铜温度调整至1200℃。然后,将熔融液浇铸入于金属模具以制造宽度65mm、厚度20mm的铸锭。针对所制得的铸锭的成分,依照JIS H1292从铸锭切取出样本,通过荧光X射线分析来分析构成元素的量。
接着,对该铸锭进行表1所记载的均质化热处理后,进行热压延至厚度8mm为止。在此阶段,也残留有铸造时所生成的Ni-Si与Ni-Si-Mg析出物。将经上述热压延后的板表面的氧化锈皮加以研磨除去后,冷压延至板厚度0.2mm为止。作为固溶处理以750℃~800℃加热20秒钟然后在水中进行急速冷却后,通过化学研磨除去表面氧化膜。然后,进行加工度25%的冷压延,于惰性气氛下以460℃加热7.5小时作为时效处理。
对以此方式所制作的试料进行以下评估。
(1)析出物的个数及大小的测量
将垂直于压延方向的截面通过使用直径1μm的金刚石磨粒的机械研磨精加工成镜面,再使用FE-SEM(场发射型扫描电子显微镜),以400倍的倍率测量长度在0.05mm以上的析出物的个数。观察面积设为60mm2,数出观察面积内的析出物的个数。而且,通过使用FE-SEM(场发射型扫描电子显微镜)的EDS(能量色散型X射线分析)对所有析出物进行成分分析,确认作为测量对象的析出物的成分含有Ni及Si、或Ni、Si及Mg。此处,析出物X与Y的区别因检测精度的问题,即使是含有Ni、Si及Mg的析出物,如果Mg的比例没有达到0.5%的也作为析出物Y处理。
而且,在测量平均粒径时,确认了平均粒径10μm以上的Ni-Si-Mg析出物X的有无。粒径为FE-SEM所拍摄的照片的析出物的最长部分的长度。平均粒径以将观察面积内所有的结晶粒径进行相加,再除以结晶粒个数的算术平均求出。
(2)母材的导电率测量
从试料切取出测试片,通过机械研磨与化学蚀刻彻底除去表面氧化层之后,再通过4端子法测量导电率(%IACS)。本发明目标的优选导电率是45%IACS以上。
(3)弯曲加工性
以弯曲半径R成为0的方式进行JIS H 3130所记载的W弯曲测试。测试方向设置成Bad Way(弯曲轴为与压延方向平行的方向)。测试片呈宽度10mm、长度30mm的条状。接着,对以上述弯曲R进行W弯曲后的测试片,使用光学显微镜以目视观察弯曲部截面,以判断弯曲加工性的优劣。评估基准如以下所述。○:无皱纹、龟裂,△:材料表面有皱纹,×:产生龟裂。
(4)拉伸强度
沿拉伸方向与压延方向平行的方向,采取JIS Z 2201(2003年)所规定的13B号测试片。使用该测试片依照JIS Z 2241(2003年)进行拉伸测试,求出拉伸强度。本发明目标的优选拉伸强度760MPa以上。
(5)应力松弛特性
作为高温下的耐应力松弛特性,测定应力松弛率(日本伸铜协会(JCBA)的技术标准:JCBA T309)。该测试是一种用以评估温度所产生的疲劳的方法,其将宽度10mm的条状测试片安装于悬臂梁,与初始状态比较以高温的弯曲状态保持规定时间后的挠曲位移(自由端的规定位置的位移)。在测试后与初始状态的挠度不变的情况下,应力松弛率的值是0%,测试后的挠度较初始状态越大,则应力松弛率的值越大(应力降低)。应力松弛率以下式算出(其中,y=经过规定时间后的挠曲位移(mm)、y1=初始挠度(mm)、y0=设定高度(mm))。
应力松弛率=(y-y1)/y0×100(%)
而且,设定高度y0以下式算出(其中,L=标点距离(mm)、σ0=负荷应力(kg/mm2);0.2%屈服强度的80%或0.2%屈服强度以下的任意应力、E=杨氏模量(kg/mm2)、t=板厚(mm))。
y0=(2/3)×L×L×σ0/(E×t)
应力松弛的测量将试料设定成150℃,并进行测量直至显现恒定的松弛率为止。由于在大致1000小时显现了大致恒定的应力松弛率,因此以该值作为应力松弛率。
一般所使用的科森合金在150℃×1000h后的应力松弛率是10%左右。因此,以下各实施例及比较例的评估中,将应力松弛率在9%以下的视为高温下的耐应力松弛特性良好。
[表1]
上述表中「-*」表示没有添加其它元素。
就实施例1~10而言,由于第1阶段的均质化热处理为从800℃至不到890℃×2小时、第2阶段的热处理为890℃~980℃×0.5~1.2小时,因此在热压延后,析出物X不存在有超过10μm的粗大粒子,且平均粒径是0.05~3.0μm,析出物Y则全部固溶而消失。然后,经过固溶/冷压延,在时效处理时,可以平均粒径成为0.01~0.10μm的时效条件使析出物Y析出。结果是,可获得高强度、高导电性、良好的弯曲加工性与应力松弛性。
比较例11~15中,均质化热处理以1阶段进行。比较例11中,由于均质化热处理温度低至870℃,因此热处理中析出物X的尺寸无法变小,10μm以上的粗大析出物X残留于制品中。另一方面,在均质化热处理前尺寸较大的析出物Y,于870℃的均质化热处理温度下未消失而残留。即使经过均质化热处理后的热压延也残留的析出物Y,即使经过固溶、压延、时效处理(与实施例1~10相同条件),也不会消失。因此,即使是不存在粗大析出物Y的情况并以平均粒径成为0.1μm以下的时效条件使析出物Y析出,由于粗大析出物Y从时效前即存在,因此平均粒径会超过0.10μm且析出物Y的个数也变少。因此,比较例11因析出物X的较大析出物的存在而导致弯曲加工性差,且因析出物Y的个数少造成强度也差。再者,由于Mg大量存在于大量的析出物X中,因此固溶Mg量降低,应力松弛特性也差。
比较例12、13中,由于均质化热处理温度高于比较例11,因此虽无10μm以上的粗大析出物X,不过由于时间较短,因此析出物X的平均粒径没有在3.0μm以下,尺寸较大的析出物Y即使经过均质化热处理也不会消失。结果是,比较例12、13,由于析出物Y的平均粒径超过0.10μm且个数少,因此强度差,由于析出物X的个数多且平均粒径也大,因此应力松弛特性也差。
比较例14、15中,与常规技术同样地以析出物X及析出物Y全部消失的条件进行均质化热处理。经过其后的时效处理,由于析出物Y分别析出1.7×108个、1.2×108个,因此可获得高强度,不过由于不存在析出物X,因此母材中的Mg的量变得过量,造成导电率差。
比较例16的均质化热处理中,可控制析出物X的平均粒径及最大粒径。然而,由于第1阶段的热处理温度较低,因此第2阶段的温度即使是900℃,由于在热处理前尺寸较大的析出物Y虽变小不过并没有消失,因此析出物Y的平均粒径超过0.10μm,且析出物Y的个数也少。结果是,强度差。
比较例17,由于第2阶段的均质化热处理的时间过短,因此在热压延后,也会残留粗大析出物X,析出物X的平均粒径也超过3.0μm,再者,虽残留尺寸较大的析出物Y,不过析出物Y整体的个数少。结果是,强度、弯曲加工性、以及应力松弛特性差。
比较例18由于第2阶段的热处理时间过长,因此析出物X的平均粒径没有达到0.05μm且个数也少,造成导电率差。
根据实施例19~22、比较例23~30可知,在将其它元素添加于Cu-Ni-Mg系合金而成的合金中,本发明也有效。比较例23~26中,由于均质化热处理以1阶段进行,析出物X不存在,因此导电率较低。比较例27、28,由于第1阶段的均质化热处理温度较低,因此析出物Y的个数少,另一方面,平均粒径大。因此,拉伸强度差。比较例29、30,由于第2阶段的均质化热处理时间短,因此析出物X的粒径大,10μm以上的粗大析出物X虽残留于制品中,不过析出物Y的个数少。因此,拉伸强度、弯曲加工性、以及应力松弛特性差。再者,比较例29,由于析出物X的个数多,因此应力松弛特性更差。
此外,关于耐热镀敷剥离性,实施例具有实际使用上不会产生问题的耐热镀敷剥离性,实施例20则较其它实施例具有更优异的耐热镀敷剥离性。

Claims (2)

1.一种铜合金,其是含有1.0~4.5质量%的Ni、0.16~1.13质量%的Si、以及0.05~0.30质量%的Mg,其余则由Cu及不可避免的杂质所构成的Cu-Ni-Si-Mg系合金,其含有Ni-Si-Mg析出物X及Ni-Si析出物Y,析出物X的平均粒径为0.05~3.0μm,粒径超过10μm的析出物X不存在,且析出物Y的平均粒径为0.01~0.10μm,其中该析出物X在垂直于压延方向的截面每1平方mm含有1.0×103~1.0×105个,并且该析出物Y在垂直于压延方向的截面每1平方mm含有1.0×108~1.0×1011个。
2.一种铜合金,其是含有合计0.01~2.0质量%的选自Cr、P、Mn、Ag、Co、Mo、As、Sb、Al、Hf、Zr、Ti、C、Fe、In、Ta、Sn及Zn的至少一种、1.0~4.5质量%的Ni、0.16~1.13质量%的Si、以及0.05~0.30质量%的Mg,其余则由Cu及不可避免的杂质所构成的合金,其含有Ni-Si-Mg析出物X及Ni-Si析出物Y,析出物X的平均粒径为0.05~3.0μm,粒径超过10μm的析出物X不存在,且析出物Y的平均粒径为0.01~0.10μm,其中该析出物X在垂直于压延方向的截面每1平方mm含有1.0×103~1.0×105个,并且该析出物Y在垂直于压延方向的截面每1平方mm含有1.0×108~1.0×1011个。
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