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CN102089252A - 用于电子设备的耐用玻璃陶瓷机壳/封罩 - Google Patents

用于电子设备的耐用玻璃陶瓷机壳/封罩 Download PDF

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CN102089252A CN2009801258802A CN200980125880A CN102089252A CN 102089252 A CN102089252 A CN 102089252A CN 2009801258802 A CN2009801258802 A CN 2009801258802A CN 200980125880 A CN200980125880 A CN 200980125880A CN 102089252 A CN102089252 A CN 102089252A
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L·F·比尔
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L·R·平克尼
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Abstract

本发明涉及适于用作电子设备机壳或封罩的玻璃陶瓷制品，该制品包含玻璃陶瓷材料。具体而言，本发明涉及包含玻璃陶瓷材料的玻璃陶瓷制品机壳/封罩，所述玻璃陶瓷材料同时具有射频和微波频率透射性(由小于0.5的损耗角正切值和15MHz～3.0GHz的频率范围所限定)，其断裂韧度大于1.5MPa·m1/2，等双轴抗弯强度(ROR强度)大于100MPa，努普硬度至少为400kg/mm2，导热性小于4W/m℃，且孔隙度小于0.1％。

Description

用于电子设备的耐用玻璃陶瓷机壳/封罩
相关申请的交叉引用
根据35U.S.C.§119(e)，本申请要求提交于2008年11月26日、序列号为61/118049的美国临时申请的优先权，该临时申请根据35U.S.C.§119(e)要求了提交于2008年7月3日、序列号为61/077976的美国临时申请的优先权。
技术领域
本发明涉及可用作电子设备的耐用机壳或封罩的玻璃陶瓷。具体而言，本发明涉及具有高于玻璃的断裂韧度和硬度、低导热性、对射频和微波频率具有透射性的玻璃陶瓷，该玻璃陶瓷尤其适于用作电子设备的耐用机壳或封罩。
技术背景
在过去十年内，便携式电子设备，如膝上型计算机、PDA、媒体播放器、便携式电话等(常被称为“便携式计算设备”)，已变得更为小巧、轻便和功能强大。对这些小设备的开发和应用做出贡献的一个因素是制造商将设备的电子元件尺寸越减越小并同时提高这些元件的功率和/或操作速度的能力。然而，使得设备更小、更轻和功能更强大的趋势对便携式计算设备中某些元件的设计提出了持续的挑战。
与便携式计算设备设计相关的一个具体挑战是用于容纳该设备各种内部元件的封罩。该设计挑战通常是由两个相矛盾的设计目的造成的——使得封罩更轻和更薄的需要，和使得封罩更坚固、更坚硬和更抗破裂的需要。通常采用薄塑料结构体和少量接合件形成的较轻的封罩倾向于更为柔软，且与更坚固和更硬质的封罩相比更容易褶皱和弯曲，而坚固和更硬质的封罩通常采用较厚的塑料结构体和更多接合件组成，由此更厚且更重。不幸的是，更坚固和更硬质结构体所增加的重量可能会导致使用者的不满，而轻便结构体的弯曲/褶皱则有可能对便携式计算设备的内部造成损伤。
考虑到现有封罩或机壳中的上述问题而存在改进便携式计算设备的封罩或机壳的需求。具体而言，需要比现有封罩设计更小、更轻、更坚固、更抗破裂和更美观的封罩。
发明概述
本发明中所揭示的一个实施方式涉及能进行无线通讯的便携式电子设备。所述便携式电子设备包括围绕和保护该电子设备内部操作元件的封罩或机壳(下文中简称为“封罩”)。该封罩由玻璃陶瓷材料组成，可透过该材料进行无线通讯。所述的无线通讯可为例如，对应于RF通讯从而使得该玻璃陶瓷材料可被无线电波透射。
本发明进一步涉及适于容纳或包封便携式电子设备的元件的制品，该制品包括玻璃陶瓷材料，该材料同时具有射频和微波频率透射性(由小于0.5的损耗角正切值和位于15MHz～3.0GHz的频率范围所限定)，断裂韧度大于1.0MPa·m1/2，等双轴抗弯强度(ROR强度)大于100MPa，努普硬度至少为400kg/mm2，导热性小于4W/m℃，且孔隙度小于0.1％。
玻璃陶瓷制品封罩可用于各种消费者电子制品中，例如能进行无线通讯的手机和其它电子设备、音乐播放器、笔记本电脑、游戏控制器、计算机鼠标、电子书阅读器和其它设备。已发现将该玻璃陶瓷制品封罩持于手中时具有“愉悦感”。
发明详述
如下文所述，工业上对于成本更低廉、更小、更轻、更坚固、更抗破裂和更美观的电子设备封罩的需求可通过将耐用玻璃陶瓷制品用作外壳或封罩而得以实现。这些玻璃陶瓷封罩尤其适用于前述的电子设备，例如手机、音乐播放器、笔记本电脑、游戏控制器、计算机鼠标、电子书阅读器和其它设备。这些玻璃陶瓷材料与现有材料(例如塑料和金属)相比具有某些优点，例如轻便和/或抗撞击损伤(如产生凹痕)。此外，本文所描述的玻璃陶瓷材料不仅耐用，还可制成诸多颜色，该特性在迎合终端消费者的期望和需求中非常有用。最后，与目前用于封罩(尤其是金属封罩)的许多材料不同的是，采用玻璃陶瓷材料不会干扰或阻碍无线通讯。如本文所用，术语“封罩”和“机壳”可互换使用。
适用于容纳或包封便携式电子设备元件的玻璃陶瓷材料可用各种玻璃陶瓷材料制成。具体而言，本申请中可采用众多玻璃陶瓷组分家族。虽然存在基于硼酸盐、磷酸盐和硫属化物的玻璃陶瓷类且它们可用于本发明的实践中，但本申请中优选的材料包括硅酸盐基组合物，这是因为硅酸盐材料通常具有优异的化学耐用性和机械性能。
材料的选择通常由许多因素决定，这些因素包括但不限于：射频和微波频率的透射性、断裂韧度、强度、硬度、导热性和孔隙度。与玻璃陶瓷材料相关的成形性(和重塑性)、机械加工性、精加工、设计适应性、和制造成本也是决定何种具体的玻璃陶瓷材料适于用作电子设备机壳或封罩所必须考虑的因素。此外，材料的选择还取决于美观，包括颜色、表面光洁、重量、密度(除了其它方面的因素以外)，下文中将对这些特性进行讨论。
在一个具体实施方式中，适于用作电子设备封罩的制品包含玻璃陶瓷材料，该材料同时具有射频和微波频率透射性(由小于0.5的损耗角正切值(loss tangent)和处于15MHz～3.0GHz的频率范围限定)，该材料的断裂韧度大于1.0MPa·m1/2，等双轴抗弯强度(下文中称为环对环(ring-on-ring)或ROR强度)大于100MPa，努普硬度至少为400kg/mm2，导热性小于4W/m℃，且孔隙度小于0.1％。该ROR强度根据ASTM：C1499-05中所记载的过程测定。
在优选的实施方式中，当所用玻璃陶瓷材料用于透明封罩时，其断裂韧度可高达1.2MPa·m1/2，而当该玻璃陶瓷材料不透明时，其断裂韧度可高达5.0MPa·m1/2。
对于要用作便携式电子设备封罩的任何玻璃陶瓷材料而言，一个重要的标准是该材料应能方便地制成三维形状(即，非平面制品)。已知三维玻璃陶瓷部件可用三种方式中的一种制成；可由玻璃陶瓷材料直接形成最终形状(例如，模塑)，或者可先将玻璃陶瓷材料形成中间形状，然后再通过机器加工或重塑形成最终所需的形状。
如前所述，有效获得三维形状的一种途径是选择具有良好机械加工性的玻璃陶瓷材料。就此而言，其应当能够方便地采用常规/标准高速金属加工工具(如钢、碳化物和/或金刚石修整器(tool))以高容差(tolerance)机械加工成所需的封罩形状，而不会导致这些工具的不合理磨损。此外，具有良好机械加工性的玻璃陶瓷在采用上述工具的高速机械加工后，将具有最小的凹陷、碎片和破裂损坏。含有云母结晶相的玻璃陶瓷是具有优异机械加工性的玻璃陶瓷材料的一个例子。
此外，如前所述，希望所用的玻璃陶瓷材料能够方便地成形或重塑成所需的三维形状封罩。该成形或重塑方法通常是通过采用标准加工技术完成的，所述技术为例如：压制、流坠(sag)、吹塑、真空流坠、浇铸、薄片铸造(sheet coin)和粉末烧结。这些成形和重塑将所需后续精加工(例如抛光)的数量减至最少。
对于制造复合三维形状物(例如机壳或封罩)的重塑方法，重塑步骤可涉及先将玻璃陶瓷材料制成中间形状，然后将该中间玻璃陶瓷制品再次加热到其残留玻璃的工作温度以上，从而使得玻璃陶瓷部件可再成形(流坠、拉伸等)，而玻璃陶瓷的整体微结构和性质上没有变化。
在制品的另一个实施方式中，具体(涉及)具有射频和微波频率透射性的电子设备封罩，所述透射性由15MHz～3.0GHz的频率范围的小于0.03的损耗角正切值来限定。在其它实施方式中包括具有射频和微波频率透射性的电子设备封罩，所述透射性由15MHz～3.0GHz的频率范围内的损耗角正切值小于0.01和小于0.005所限定。该射频和微波频率的透射性特征对于包含位于该封罩内部的天线的无线手持设备尤其重要。射频和微波频率的透射性使得无线信号可穿过该封罩，且在某些情况下可增强这些透过。
在另一实施方式中，该电子设备机壳或封罩包含玻璃陶瓷，其断裂韧度大于1.0MPa·m1/2，ROR强度大于150MPa，优选大于300MPa。
现在对导热性特征进行具体讨论，应注意到所需水平的导热性(尤其是小于4W/m℃)似乎可使得封罩在接触甚至高达接近100℃的高温时保持低温。优选地，导热性小于3W/m℃，和小于2W/m℃是所需的。某些合适的硅酸盐玻璃陶瓷(下文中将具体讨论)的代表性导热性*(单位为W/m℃)如下：
堇青石玻璃陶瓷            3.6
β锂辉石(Corningware)     2.2
β石英(Zerodur)           1.6
钙硅石(实施例9-下文)      1.4
可机械加工的云母(Macor)   1.3
*(参见A.McHale，Engineering properties of glass-ceramics(“玻璃陶瓷的工程学性质”)，于Engineered Materials Handbook(《工程材料手册》)，第4卷，Ceramics and Glasses(“陶瓷和玻璃”)，美国材料信息学会(ASM International)1991.)
其它具有必不可少的导热性特征的玻璃陶瓷包括二硅酸锂基和硅碱钙石玻璃陶瓷，这两种材料的导热性值预期小于4.0W/m℃。作为比较，应注意到诸如氧化铝的陶瓷可能具有高达29的不为所需的导热性。
透明封罩也是有利的，尤其是在400-700nm可见光谱下透明，且对1mm厚度具有＞50％透射的玻璃陶瓷材料。
在玻璃陶瓷制品(尤其是封罩)的另一方面中，可对其进行离子交换加工。对玻璃陶瓷制品的至少一个表面进行离子交换加工，从而使得经过离子交换(“IX”)的表面具有压缩层(compressive layer)，该压缩层的层深度(DOL)大于或等于制品总体厚度2％、且抗压强度至少为300MPa。本领域中已知的任何离子交换方法均是适合的，只要能获得上述DOL和抗压强度。该方法包括但不限于：将玻璃陶瓷制品浸渍在熔化的锂、钠、钾和/或铯的硝酸盐、硫酸盐和/或盐酸盐浴中或它们任何组合的浴中。将该浴和样品保持在高于该盐熔化温度但低于其分解温度的恒温下，通常为350～800℃。普通玻璃陶瓷离子交换所需的时间可为15分钟～48小时，这取决于离子通过结晶相和玻璃态相的扩散率。在某些情况下，可采用一种以上离子交换方法使得给定的玻璃陶瓷材料产生特定的应力分布(stress profile)或表面压应力。
在一个更为具体的实施方式中，该封罩的总体厚度为2mm，压缩层的DOL为40μm且其压应力至少为500MPa。再次说明，本领域普通技术人员已知的可获得这些特性的任何离子交换方法均是适合的。
应注意到除了单步离子交换加工外，多重离子交换方法也可用于产生设计的离子交换状态以增强性能。即，采用不同浓度离子的离子交换浴或采用多种具有不同离子半径的离子类型进行多重离子浴，可产生至所选深度的应力分布。此外，在离子交换之前或之后可采用一种或多种热处理来定制应力分布。
如前所述，用作电子设备封罩的优选玻璃陶瓷材料包括硅酸盐基组合物，这是因为此类材料具有优异的化学耐用性和机械加工性质。硅酸盐材料家族中存在诸多组合物家族(参见L.R.Pinckney，“Glass-Ceramics”(玻璃陶瓷)，Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology(《柯克-欧沙玛化学技术百科全书》)，第四版，第12卷，John Wiley and Sons(约翰威立国际出版公司)，627-644，1994)。
适用于本发明的具体的玻璃陶瓷包括但不限于，基于如下的玻璃陶瓷：
(1)简单硅酸盐晶体，例如二硅酸锂(Li2Si2O5)、顽辉石(MgSiO3)和钙硅石(CaSiO3)；
(2)硅铝酸盐晶体，例如源自Li2O-Al2O3-SiO2、MgO-Al2O3-SiO2和Al2O3-SiO2体系的那些，其晶核玻璃包括填塞β-石英、β-锂辉石、堇青石和莫来石；
(3)氟硅酸盐晶体，例如碱和碱土云母以及链硅酸盐，如钾碱镁闪石和硅碱钙石；以及
(4)硅酸盐晶核玻璃内的氧化物晶体，例如基于尖晶石固溶体的玻璃陶瓷(例如(Zn，Mg)Al2O4)和石英(SiO2)。
表I中给出了适用于机壳的玻璃陶瓷材料的代表性例子。这些玻璃陶瓷中的大部分能形成内部晶核，其中主晶相在起始晶相上或相分离区域内成核。对于某些玻璃陶瓷材料(如基于钙硅石的那些)，优选采用标准粉末加工(玻璃料烧结)方法。如果需要，可将着色剂(如过渡金属氧化物)加入所有这些材料中，并可将所有材料上釉。
在最广泛的实施方式，表I的代表性实例中包括本发明的组合物，这些组合物基本上由以下组分组成(以批量为基础计的氧化物重量百分比)：40-80％SiO2、0-28％Al2O3、0-8％B2O3、0-18％Li2O、0-10％Na2O、0-11％K2O、0-16％MgO、0-18％CaO、0-10％F、0-20％SrO、0-12％BaO、0-8％ZnO、0-8％P2O5、0-8％TiO2、0-5％ZrO2和0-1％SnO2。
此外，表1中所揭示的是各代表性组合物中已获得/已测定某些代表性的性质；应变点(应变)、退火点(退火)、密度(密度)、液线温度(液线温度)、环对环等双轴抗弯强度(ROR强度)、经离子交换的环对环等双轴抗弯强度(IX ROR强度)、断裂韧度(断裂韧度)、弹性模量(模量)、剪切模量(S模量)和泊松比(P比)努普硬度(努普H).
表I
Figure BPA00001287635300071
*ASTM：C1499-05
上表I中所列的各玻璃陶瓷组合物的主晶相(晶体)如下所示：
(1)β-锂辉石或β-石英固溶体；
(2)二硅酸锂；
(3)二硅酸锂；
(4)三硅(trisilicic)云母GC；
(5)三硅云母GC；
(6)四硅(tetrasilicic)云母GC；
(7)碱土云母GC；
(8)碱土云母GC；
(9)钙硅石；
(10)硅碱钙石；
(11)尖晶石、假蓝宝石、α-石英；
(12)β-锂辉石固溶体。
应注意到，如果进行热处理，则可使得实施例1的β-石英固溶体(如上表I中详细描述)透明，从而获得透射特性。对本领域技术人员很容易理解通过特定的热处理可获得该透射性。
通常，用于形成上述表I中详细记载的代表性玻璃陶瓷材料的方法包括熔融基本上由上述范围内(以批料为基准计的氧化物重量百分比)的组合物组成的玻璃批料。玻璃陶瓷工艺领域内的技术人员具有选择获得所需组合物所必需的原材料的水平。批料材料一旦充分混合和熔融后，该方法包括冷却该熔融物到至少低于其转化范围并由其成形为玻璃制品，然后在约650～1,200℃的温度下对该玻璃制品进行足够长时间的热处理以原地获得所需的结晶。已将该转变范围定义为高于液体熔融物被视为已转化为无定形固体的温度范围，通常被认为介于玻璃应变点和退火点之间。
所选用于处理的玻璃批料实质上可包括熔融后形成玻璃从而产生上述范围内的组合物的任何组分，不论是氧化物还是其它化合物。可采用为实现现有技术中的目的采用的任何熟知的氟化合物，将氟掺入批料中，所述氟化合物与本文中所述的组合物相容。
适于将本发明的玻璃转化成主要为结晶玻璃陶瓷的热处理通常包括起始步骤，即将玻璃制品加热到约600-850℃范围内的成核温度，并将其保持在该范围内足够长的时间以在整个玻璃中形成众多晶核。这通常需要约1/4至10小时。然后，将该制品加热到约800-1,200℃范围内的结晶温度，并将其保持在该范围内足够长的时间以获得所需的结晶度，该时间通常约为1至100小时。由于原地成核和结晶是时间和温度依赖性过程，很容易理解当温度接近结晶和成核范围的最热极限时仅需短暂的保持时间，而当温度处于这些范围的最冷极限时，需要较长的保持时间来获得最大成核和/或结晶。
可理解可对结晶过程进行各种调整。例如，当原始批料熔融物在其转化范围以下淬火并成形为玻璃制品时，该制品可随后被冷却到室温以使得该玻璃在起始热处理之前可经肉眼检查。如需要的话，还可在约550-650℃的温度下进行退火。然而，如要寻求生产速度和节省燃料，则可简单地将该批料熔融物冷却到恰低于转化范围的一定温度，使之成为玻璃制品，然后立即开始结晶化处理。
还可通过使得玻璃料结晶来制备玻璃陶瓷，该方法被称为粉末加工法。将玻璃还原为粉末状态，通常与粘合剂混合，形成所需的形状，然后烧制并结晶为玻璃陶瓷状态。在该过程中，玻璃颗粒的残余表面作为结晶相的成核位点。对玻璃组合物、颗粒尺寸和加工条件进行选择，从而使得该玻璃在结晶过程就要完成前经粘性烧结(viscous sinter)获得最大密度。成形方法可包括但不限于挤出、压制和流铸。
可基于上述表I中所揭示某些代表性组合物制造其它玻璃陶瓷，在下文中对这些组合物有进一步的描述。
第一种示例性的玻璃陶瓷基于含有β-锂辉石结构的晶体(表I中的实施例1)。如Duke等人(Chemical strengthening of glass-ceramics(玻璃陶瓷的化学强化)，Proc.XXXVI International Congress in Industrial Chemistry(工业化学国际会议)，比利时布鲁塞尔，1-5，1966)所指出，β-锂辉石组合物的基本组分为其中含有SiO2、MgAl2O4和ZnAl2O4的LiAlSi2O6固溶体。其晶体结构包含连续通道，该通道可在升温下为Li+离子提供移动路径，从而使得这些结晶更容易被化学强化(即，离子交换)。Duke等论证了简单的Li2O-Al2O3-SiO2-TiO2组合物中以Na+交换Li+的离子交换，该交换在85％NaNO3-15％Na2SO4的混合盐浴中于580C进行。该强化材料的等双轴抗弯强度(ROR强度)为63kg/mm2(90,000psi，620MPa)。应注意到采用实施例1组合物的离子交换试验获得了超过100,000psi(690MPa)的ROR强度。该第一示例的微波频率介电特性也非常好，其介电常数为7，损耗角正切值约为0.003-0.005，且位于15MHz-3.0GHz的频率范围。
第二个示例性玻璃陶瓷的形成包含了表1实施例7中的组合物。该云母基玻璃陶瓷易于采用标准碳化物或钻石刀具进行机械加工。虽然该非碱材料不易进行离子交换，其ROR强度约为20-25,000psi(140-170MPa)，断裂韧度约为1.7-1.8MPa.m1/2，且具有优良的介电特性(介电常数＝6.95，在15MHz-3.0GHz的频率范围内的损耗角正切值＝0.002)。
第三个实例是二硅酸锂玻璃陶瓷，其由包含表1实施例2中组合物的玻璃制成。原材料由二氧化硅、氧化铝、碳酸锂、硝酸钾和磷酸铝构成。用球磨混合这些原材料60分钟，然后在铂坩埚中，于1450℃熔融过夜。将熔融物倾注入模子中，并转移到450℃退火炉中，缓慢冷却到室温。然后对玻璃饼(glass patties)进行热处理以形成玻璃陶瓷制品。该热处理由以下步骤组成：从室温以150K/hr等变率升温到700℃，然后保持2小时以使微晶成核。然后将样品以150K/hr加热到850℃，保持2小时，使得晶核生长。使该玻璃陶瓷以自然炉(natural furnace)冷却速率冷却到室温。从这些制陶饼(cerammed patties)上切割样品用于环对环等双轴抗弯强度测定。对这些样品进行重复热处理以修补机械加工过程中产生的任何表面瑕疵。然后，于410℃在纯硝酸钾的熔盐浴中对样品进行24小时的离子交换。通过环对环等双轴抗弯强度(ROR强度)测定，该过程产生的平均强度为757MPa。
可对本文所述的材料、方法和制品进行各种调整和改变。在考虑了本文所揭示的说明书和实践中所用的材料、方法和制品的基础上，本文所述的材料、方法和制品的其它方面将会是显而易见的。说明书和实施例仅被认为是示例性的。

Claims (20)

1.一种适于容纳或包封便携式电子设备元件的制品，所述制品包含同时具有射频和微波频率透射性的玻璃陶瓷材料，该透射性由小于0.5的损耗角正切值和15MHz-3.0GHz的频率范围所限定，该材料的断裂韧度大于1.0MPa·m1/2，ROR强度大于100MPa，努普硬度至少为400kg/mm2，导热性小于4W/m℃，且孔隙度小于0.1％。
2.如权利要求1所述的制品，其特征在于，在用钢、碳化物和/或金刚石修整器机械加工时，所述玻璃陶瓷具有良好的机械加工性。
3.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述玻璃陶瓷具有射频和微波频率透射性，该透射性由在15MHz-3.0GHz的频率范围内小于0.03的损耗角正切值所限定。
4.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述玻璃陶瓷具有射频和微波频率透射性，该透射性由在15MHz～3.0GHz的频率范围内小于0.01的损耗角正切值所限定。
5.如权利要求1所述的制品，其特征在于，对于透明玻璃陶瓷，所述玻璃陶瓷的断裂韧度大于1.2MPa·m1/2，对于不透明玻璃陶瓷，其断裂韧度高达5.0MPa·m1/2。
6.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述玻璃陶瓷的ROR强度大于150MPa。
7.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述玻璃陶瓷的ROR强度大于300MPa。
8.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述玻璃陶瓷的导热性小于3W/m℃。
9.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述玻璃陶瓷的导热性小于2W/m℃。
10.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述玻璃陶瓷在400-700nm的可见光谱中透明，穿过1mm厚度的透射＞50％。
11.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述玻璃陶瓷是硅酸盐基玻璃陶瓷，主要的结晶相选自：二硅酸锂、顽辉石和钙硅石。
12.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述玻璃陶瓷是硅铝酸盐基玻璃陶瓷，主要的结晶相选自：填塞β-石英、β-锂辉石、堇青石和莫来石。
13.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述玻璃陶瓷是氟硅酸盐基玻璃陶瓷，主要的结晶相选自：钾碱镁闪石和硅碱钙石。
14.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述玻璃陶瓷由位于硅酸盐晶核玻璃前体中的氧化物结晶组成，主要的结晶相选自：尖晶石固溶体和石英。
15.如权利要求1所述的制品，其特征在于，对所述玻璃陶瓷制品的至少一个表面进行离子交换处理，其中经离子交换的表面具有压缩层，该压缩层的层深度(DOL)大于或等于制品总体厚度的2％，且抗压强度至少为300MPa。
16.如权利要求15所述的制品，其特征在于，所述制品的总体厚度为2mm，压缩层的DOL为40μm。
17.如权利要求15所述的制品，其特征在于，所述制品的压缩层的压应力为500MPa。
18.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述制品可用选自下组的标准加工技术形成：压制、流坠、真空流坠、浇铸、薄片铸造和粉末烧结。
19.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述玻璃陶瓷在低于1275℃的温度时的液线粘度大于50泊。
20.如权利要求1所述的制品，其特征在于，以批料为基准计的氧化物重量百分比表示，所述玻璃陶瓷基本上由以下组分组成：40-80％SiO2、0-28％Al2O3、0-8％B2O3、0-18％Li2O、0-10％Na2O、0-11％K2O、0-16％MgO、0-18％CaO、0-10％F2、0-20％SrO、0-12％BaO、0-8％ZnO、0-8％P2O5、0-8％TiO2、0-5％ZrO2和0-1％SnO2。
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