CN102023429A - Tft-lcd阵列基板及其制造和断线修复方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 60
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 59
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 56
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 33
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 27
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910000809 Alumel Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造和断线修复方法。TFT-LCD阵列基板包括栅线、数据线、公共电极线、像素电极和薄膜晶体管，公共电极线为具有水平电极线和竖直电极线且相互连接的矩阵结构。水平电极线和竖直电极线与栅线同层设置，水平电极线为整体结构，竖直电极线为位于数据线下方的间断结构，竖直电极线通过至少一个连接线连接成整体。本发明通过在基板上形成矩阵结构的公共电极线，保证了公共电极线各位置相同的公共电压，保证了液晶偏转的准确度，提高了显示质量。本发明断线修复方法利用矩阵结构的公共电极线实现栅线或数据线修复，修复难度小且方便，修复成功率高，有效避免了因栅线或数据线断线产生的不良。
Description
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造和维修方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造和断线修复方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD的主体结构包括对盒在一起并将液晶夹设其间的TFT-LCD阵列基板和彩膜基板，TFT-LCD阵列基板上形成有栅线、数据线、公共电极线以及以矩阵方式排列的薄膜晶体管和像素电极，彩膜基板上形成有黑矩阵、彩色树脂和公共电极，通过控制TFT-LCD阵列基板的像素电极与彩膜基板的公共电极之间的电压差使液晶分子偏转，液晶分子偏转的角度不同使透过的光线不同，从而产生不同的灰度，实现所需画面的显示。
目前，现有技术TFT-LCD阵列基板上的公共电极线通常设置成与栅线同层，且为与栅线平行的水平状，用于与像素电极一起构成存储电容。工作时，外围电路从公共电极线的一端或两端施加公共电压。随着TFT-LCD尺寸的不断增大，较长公共电极线的电压降导致公共电极线上各位置的公共电压不相同，公共电极线端部的公共电压大于公共电极线中部的公共电压。研究表明，这种公共电压不相同在一定程度上影响了液晶偏转的准确度，降低了TFT-LCD的显示质量。虽然现有技术提出了一种通过增加公共电极线宽度来减小公共电极线压降程度的解决方案，但该解决方案严重降低了TFT-LCD的开口率。
发明内容
本发明的第一目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，有效解决现有结构公共电极线上各位置公共电压不相同的技术缺陷，提高显示质量。
本发明的第二目的是提供一种TFT-LCD阵列基板断线修复方法，具有修复成功率高、修复难度小等优点。
为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线、数据线、公共电极线、像素电极和薄膜晶体管，所述公共电极线为具有水平电极线和竖直电极线且相互连接的矩阵结构。
所述水平电极线和竖直电极线与栅线同层设置，所述水平电极线为整体结构，所述竖直电极线为位于数据线下方的间断结构，所述竖直电极线通过至少一个连接线连接成整体。
所述连接线与像素电极同层设置，并通过第二过孔使间断结构的竖直电极线连接成整体。
所述竖直电极线与数据线之间栅绝缘层的厚度为
所述第二过孔的侧壁为避免连接线断裂的阶梯状。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：
通过构图工艺形成包括栅电极、栅线和公共电极线的图形，所述公共电极线包括整体结构的水平电极线和间断结构的竖直电极线，所述水平电极线与竖直电极线相互连接；
在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括栅绝缘层、有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；
在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括第一过孔和第二过孔的图形，所述第一过孔位于漏电极的上方，所述第二过孔位于竖直电极线的两个端部；
在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括像素电极和连接线的图形，所述像素电极通过第一过孔与漏电极连接，所述连接线通过第二过孔使间断结构的竖直电极线连接成整体。
所述栅绝缘层的厚度为
所述通过构图工艺形成包括第一过孔和第二过孔的图形包括：
沉积钝化层；
在所述钝化层上涂覆一层光刻胶；
采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶曝光，显影后使光刻胶形成光刻胶完全保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶部分保留区域，光刻胶完全去除区域对应于第二过孔图形的中心区域和第一过孔图形所在区域，光刻胶部分保留区域对应于第二过孔图形的外围区域，光刻胶完全保留区域对应于上述图形以外区域；
通过第一次刻蚀工艺，在光刻胶完全去除区域的第一过孔位置完全刻蚀掉钝化层，在第二过孔图形的中心区域完全刻蚀掉钝化层和栅绝缘层；
通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，暴露出该区域的钝化层；
通过第二次刻蚀工艺，完全刻蚀掉光刻胶部分保留区域的钝化层和部分厚度的栅绝缘层；
剥离剩余的光刻胶，形成具有阶梯状侧壁的第二过孔的图形。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板断线修复方法，包括：
采用激光焊接方法将栅线断开点两侧的栅线与连接线熔接；
采用激光切割方法断开栅线断开点所在像素区域的公共电极线与相邻像素区域的公共电极线的连接，所述公共电极线为具有水平电极线和竖直电极线且相互连接的矩阵结构。
为了实现上述目的，本发明还提供了另一种TFT-LCD阵列基板断线修复方法，包括：
采用激光焊接方法将数据线断开点两侧的数据线与公共电极线的竖直电极线熔接；
采用激光切割方法断开数据线断开点所在像素区域的公共电极线与相邻像素区域的公共电极线的连接，所述公共电极线为具有水平电极线和竖直电极线且相互连接的矩阵结构。
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，通过在基板上形成矩阵结构的公共电极线，由于公共电极线为矩阵结构且相互连接，因此外围电路可以从矩阵结构的任意点施加任意电压，通过各位置施加电压的组合保证公共电极线各位置具有相同的公共电压，保证了液晶偏转的准确度，提高了TFT-LCD的显示质量。此外，本发明为了保证开口率，将公共电极线的竖直电极线设置在数据线下方，为了降低公共电极线与数据线之间的寄生电容，采用了较厚的栅绝缘层，为了避免连接线的断裂，采用了阶梯状侧壁的过孔结构。本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板断线修复方法，当发生栅线或数据线断线时，利用矩阵结构的公共电极线实现栅线或数据线修复，从而达到通过公共电极线来传输栅线或数据线信号的作用，修复难度小且方便，修复成功率高，有效避免了因栅线或数据线断线产生的不良。
附图说明
图1为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例的平面图；
图2为图1中A1-A1向的剖面图；
图3为图1中B1-B1向的剖面图；
图4为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第一次构图工艺后的平面图；
图5为图4中A2-A2向的剖面图；
图6为图4中B2-B2向的剖面图；
图7为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第二次构图工艺后的平面图；
图8为图7中A3-A3向的剖面图；
图9为图7中B3-B3向的剖面图；
图10为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第三次构图工艺后的平面图；
图11为图10中A4-A4向的剖面图；
图12为图10中B4-B4向的剖面图；
图13为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例的结构示意图；
图14为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中光刻胶曝光显影后B1-B1向的剖面图；
图15为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中第一次刻蚀工艺后B1-B1向的剖面图；
图16为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中灰化工艺后B1-B1向的剖面图；
图17为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中第二次刻蚀工艺后B1-B1向的剖面图；
图18为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺后B1-B1向的剖面图；
图19为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法的流程图；
图20为本发明TFT-LCD阵列基板断线修复方法修复栅线的流程图；
图21为本发明TFT-LCD阵列基板修复栅线断线的示意图；
图22为本发明TFT-LCD阵列基板断线修复方法修复数据线的流程图；
图23为本发明TFT-LCD阵列基板修复数据线断线的示意图。
附图标记说明：
1-基板； 2-栅电极； 3-栅绝缘层；
4-半导体层； 5-掺杂半导体层；6-源电极；
7-漏电极； 8-钝化层； 11-栅线；
12-数据线； 13-像素电极； 14-公共电极线；
15-连接线； 20-光刻胶； 21-第一过孔；
22-第二过孔；31-栅线断开点； 32一熔接点；
33-第一断开点；34-第二断开点；35-数据线断开点。
具体实施方式
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图1为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图2为图1中A1-A1向的剖面图，图3为图1中B1-B1向的剖面图。如图1～图3所示，本实施例TFT-LCD阵列基板的主体结构包括形成在基板1上的栅线11、数据线12、像素电极13、公共电极线14和薄膜晶体管，相互垂直的栅线11和数据线12定义了像素区域，薄膜晶体管和像素电极13形成在像素区域内，栅线11用于向薄膜晶体管提供开启或关断信号，数据线12用于向像素电极13提供数据信号，公共电极线14用于与像素电极13构成存储电容，且公共电极线14为具有水平电极线和竖直电极线且相互连接的矩阵结构。具体地，本实施例薄膜晶体管包括栅电极2、源电极6和漏电极7，栅电极2、栅线11和公共电极线14形成在基板1上，栅电极2与栅线11连接，公共电极线14包括水平电极线和竖直电极线，水平电极线为与栅线11平行的整体结构，竖直电极线为与栅线11垂直的间断结构，竖直电极线位于相邻的两条栅线11之间，且水平电极线与竖直电极线相互连接。栅绝缘层3形成在栅电极2、栅线11和公共电极线14上并覆盖整个基板1。包括半导体层4和掺杂半导体层5的有源层形成在栅绝缘层3上并位于栅电极2的上方。源电极6和漏电极7形成在有源层上，源电极6的一端位于栅电极2的上方，另一端与数据线12连接，漏电极7的一端位于栅电极2的上方，另一端与像素电极13连接，源电极6与漏电极7之间形成TFT沟道区域，TFT沟道区域的掺杂半导体层5被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的半导体层4，使TFT沟道区域的半导体层4暴露出来。钝化层8形成在数据线12、源电极6、漏电极7和TFT沟道区域上并覆盖整个基板1，在漏电极7位置开设有第一过孔21，在竖直电极线的两个端部开设有至少一个第二过孔22。像素电极13和连接线15形成在钝化层8上，像素电极13形成在像素区域内，通过第一过孔21与漏电极7连接，连接线15跨设在栅线11上，通过第二过孔22使栅线11两侧的间断结构的竖直电极线连接成整体，使公共电极线14形成具有水平电极线和竖直电极线且相互连接的矩阵结构。
本实施例提供了一种TFT-LCD阵列基板，通过在基板上形成矩阵结构的公共电极线，由于公共电极线为矩阵结构且相互连接，因此外围电路可以从矩阵结构的任意点施加任意电压，通过各位置施加电压的组合保证公共电极线各位置具有相同的公共电压。例如，可以采用横向施加公共电压、纵向施加补偿电压的方式消除压降。由此可见，即使TFT-LCD尺寸增大，本实施例TFT-LCD阵列基板均能保证均衡的公共电极电压，保证了液晶偏转的准确度，提高了TFT-LCD的显示质量。此外，由于公共电极线的竖直电极线设置在数据线下方，因此本实施例结构不会影响开口率。
图4～图12为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例制造过程的示意图，可以进一步说明本实施例的技术方案，在以下说明中，本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀和光刻胶剥离等工艺，光刻胶以正性光刻胶为例。
图4为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第一次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图5为图4中A2-A2向的剖面图，图6为图4中B2-B2向的剖面图。首先采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板1(如玻璃基板或石英基板)上沉积一层厚度为
的栅金属薄膜，栅金属薄膜可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属的单层薄膜，也可以采用由上述单层薄膜构成的多层复合薄膜。采用普通掩模板对栅金属薄膜进行构图，在基板1上形成包括栅电极2、栅线11和公共电极线14的图形，栅电极2与栅线11连接，公共电极线14包括水平电极线和竖直电极线，水平电极线为与栅线11平行的整体结构，竖直电极线为与栅线11垂直的间断结构，竖直电极线位于相邻的两条栅线11之间，且水平电极线与竖直电极线相互连接，如图4～图6所示。
图7为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第二次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图8为图7中A3-A3向的剖面图，图9为图7中B3-B3向的剖面图。在完成图4所示构图的基板上，首先采用等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)方法，依次沉积厚度为的栅绝缘层3、厚度为
的半导体薄膜和厚度为
的掺杂半导体薄膜，然后采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积一层厚度为
的源漏金属薄膜。栅绝缘层3可以采用氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等，源漏金属薄膜可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属的单层薄膜，也可以采用由上述单层薄膜构成的多层复合薄膜。采用半色调或灰色调掩模板通过第二次构图工艺形成包括有源层、数据线12、源电极6、漏电极7和TFT沟道区域的图形，如图7～图9所示。
本发明第二次构图工艺是一种采用多步刻蚀方法的构图工艺，与现有技术四次构图工艺中形成有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形的过程相同，工艺过程具体为：首先在源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，显影后使光刻胶形成未曝光区域(光刻胶完全保留区域)、完全曝光区域(光刻胶完全去除区域)和部分曝光区域(光刻胶部分保留区域)，其中未曝光区域对应于数据线、源电极和漏电极图形所在区域，部分曝光区域对应于源电极和漏电极之间TFT沟道区域图形所在区域，完全曝光区域对应于上述图形以外的区域。通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉完全曝光区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，形成包括有源层和数据线的图形。通过灰化工艺，去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜。通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉部分曝光区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，并刻蚀掉部分厚度的半导体薄膜，暴露出该区域的半导体薄膜，形成包括源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形。最后剥离剩余的光刻胶，完成本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第二次构图工艺。本次构图工艺后，数据线12位于公共电极线14中竖直电极线的上方，栅线11和数据线12限定了像素区域，有源层(包括半导体层4和掺杂半导体层5)形成在栅绝缘层3上并位于栅电极2的上方；源电极6和漏电极7形成在有源层上，源电极6的一端位于栅电极2的上方，另一端与数据线12连接，漏电极7的一端位于栅电极2的上方，与源电极6相对设置，源电极6和漏电极7之间形成TFT沟道区域，TFT沟道区域的掺杂半导体层5被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的半导体层4，使TFT沟道区域的半导体层4暴露出来。此外，数据线12的下方保留有掺杂半导体薄膜和半导体薄膜。
图10为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第三次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图11为图10中A4-A4向的剖面图，图12为图10中B4-B4向的剖面图。在完成图7所示构图的基板上，采用PECVD方法沉积一层厚度为
的钝化层8。钝化层8可以采用氧化物、氮化物或氧氮化合物。采用普通掩模板对钝化层进行构图，形成包括第一过孔21和第二过孔22的图形，其中第一过孔21位于漏电极7的上方，第一过孔21内的钝化层8被刻蚀掉，暴露出漏电极7的表面，第二过孔22位于公共电极线14中竖直电极线的两个端部，第二过孔22内的钝化层8和栅绝缘层3被刻蚀掉，暴露出竖直电极线的表面，如图10～图12所示。本构图工艺中，还同时形成有栅线接口区域(栅线PAD)的栅线接口过孔和数据线接口区域(数据线PAD)的数据线接口过孔等图形，通过构图工艺形成栅线接口过孔和数据线接口过孔图形的结构和工艺已广泛应用于目前的构图工艺中，这里不再赘述。实际应用中，竖直电极线的每个端部可以设置一个第二过孔22，也可以设置二个第二过孔22。
最后，在完成图10所示构图的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积厚度为
的透明导电薄膜，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌等材料，也可以采用其它金属及金属氧化物。采用普通掩模板通过构图工艺形成包括像素电极13和连接线15的图形，像素电极13形成在像素区域内，通过第一过孔21与漏电极7连接，至少一个连接线15跨设在栅线11上，一端通过第二过孔22与栅线11一侧的竖直电极线连接，另一端通过第二过孔22与栅线11另一侧的竖直电极线连接，使栅线11两侧间断结构的竖直电极线连接成整体，最终形成具有水平电极线和竖直电极线且相互连接的矩阵结构的公共电极线14，如图1～图3所示。实际应用中，连接线可以根据第二过孔的数量设置，可以设置一个连接线，也可以设置二个连接线。
以上所说明的四次构图工艺仅仅是制备本实施例TFT-LCD阵列基板的一种实现方法，实际使用中还可以通过增加或改变构图工艺、选择不同的材料或材料组合来实现本发明。例如，本实施例TFT-LCD阵列基板第二次构图工艺可以由二个采用普通掩模板的构图工艺完成，即通过一次采用普通掩模板的构图工艺形成有源层图形，通过另一次采用普通掩模板的构图工艺形成数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形。
图13为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例的结构示意图，为图1中B1-B1向的剖面图。如图13所示，本实施例是前述第一实施例的一种结构扩展。由于公共电极线14的竖直电极线位于数据线12的下方，为了降低公共电极线14中竖直电极线与数据线12之间的寄生电容，因此本实施例在前述第一实施例技术方案基础上，采用了较厚的栅绝缘层3，栅绝缘层3的厚度为同时第二过孔22采用阶梯状侧壁，有效避免连接线15的断裂。
图14～图18为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例制造过程的示意图，以进一步说明本实施例的技术方案。本实施例第一次构图工艺和第二次构图工艺与前述第一实施例相同，不再赘述，第三次构图工艺的过程说明如下。
图14为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中光刻胶曝光显影后B1-B1向的剖面图。在完成数据线、源电极和漏电极构图的基板上，采用PECVD方法沉积一层钝化层8，然后在钝化层8上涂覆一层光刻胶20，采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶20进行曝光，显影后使光刻胶形成未曝光区域A(光刻胶完全保留区域)、完全曝光区域B(光刻胶完全去除区域)和部分曝光区域C(光刻胶部分保留区域)，其中完全曝光区域B对应于第一过孔图形所在区域和第二过孔图形的中心区域，部分曝光区域C对应于第二过孔图形的外围区域，未曝光区域A对应于上述图形以外的区域，如图14所示。
图15为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中第一次刻蚀工艺后B1-B1向的剖面图。通过第一次刻蚀工艺，在完全曝光区域的第一过孔位置完全刻蚀掉钝化层8，在第二过孔图形的中心区域完全刻蚀掉钝化层8和栅绝缘层3，在第一过孔图形所在区域完全刻蚀掉钝化层8，如图15所示。
图16为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中灰化工艺后B1-B1向的剖面图。通过灰化工艺，去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出该区域的钝化层8，如图16所示。
图17为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中第二次刻蚀工艺后B1-B1向的剖面图。通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉部分曝光区域的钝化层8和部分厚度的栅绝缘层3，形成第二过孔图形的外围区域，如图17所示。
图18为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺后B1-B1向的剖面图。最后剥离剩余的光刻胶，形成具有阶梯状侧壁第二过孔22的图形，完成本实施例第三次构图工艺，如图18所示。
在本实施例第四次构图工艺中，首先沉积透明导电薄膜，然后采用普通掩模板通过构图工艺在像素区域内形成包括像素电极和至少一个连接线的图形，像素电极通过第一过孔与漏电极连接，连接线跨设在栅线上，通过两个第二过孔使栅线两侧的间断结构的竖直电极线连接成整体。由于第二过孔的侧壁为阶梯状，因此连接线可以平缓地覆盖住第二过孔，有效避免了连接线的断裂。
图19为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法的流程图，包括：
步骤1、通过构图工艺形成包括栅电极、栅线和公共电极线的图形，所述公共电极线包括整体结构的水平电极线和间断结构的竖直电极线，所述水平电极线与竖直电极线相互连接；
步骤2、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括栅绝缘层、有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；
步骤3、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括第一过孔和第二过孔的图形，所述第一过孔位于漏电极的上方，所述第二过孔位于竖直电极线的两个端部；
步骤4、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括像素电极和连接线的图形，所述像素电极通过第一过孔与漏电极连接，所述连接线通过第二过孔使间断结构的竖直电极线连接成整体。
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，通过在基板上形成矩阵结构的公共电极线，可以实现公共电极线各位置具有相同的公共电压。本发明TFT-LCD阵列基板制造方法的技术方案已在前述图4～图12所示制造流程中详细说明，这里不再赘述。
在图19所示技术方案基础上，由于公共电极线的竖直电极线位于数据线的下方，可以通过采用较厚栅绝缘层的方法来降低公共电极线与数据线之间的寄生电容，同时第二过孔采用阶梯状侧壁，有效避免连接线的断裂。优选地，栅绝缘层的厚度为
为了形成具有阶梯状侧壁的第二过孔，图19中的步骤3具体包括：
步骤31、采用PECVD方法沉积钝化层；
步骤32、在所述钝化层上涂覆一层光刻胶；
步骤33、采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶曝光，显影后使光刻胶形成光刻胶完全保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶部分保留区域，光刻胶完全去除区域对应于第二过孔图形的中心区域和第一过孔图形所在区域，光刻胶部分保留区域对应于第二过孔图形的外围区域，光刻胶完全保留区域对应于上述图形以外区域；
步骤34、通过第一次刻蚀工艺，在光刻胶完全去除区域的第一过孔位置完全刻蚀掉钝化层，在第二过孔图形的中心区域完全刻蚀掉钝化层和栅绝缘层；
步骤35、通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，暴露出该区域的钝化层；
步骤36、通过第二次刻蚀工艺，完全刻蚀掉光刻胶部分保留区域的钝化层和部分厚度的栅绝缘层；
步骤37、剥离剩余的光刻胶，形成具有阶梯状侧壁的第二过孔的图形。
上述流程已在前述图4～图18所示制造流程中详细说明，这里不再赘述。
图20为本发明TFT-LCD阵列基板断线修复方法修复栅线的流程图，包括：
采用激光焊接方法将栅线断开点两侧的栅线与连接线熔接；
采用激光切割方法断开栅线断开点所在像素区域的公共电极线与相邻像素区域的公共电极线的连接，所述公共电极线为具有水平电极线和竖直电极线且相互连接的矩阵结构。
图21为本发明TFT-LCD阵列基板修复栅线断线的示意图。如图21所示，当栅线11出现栅线断开点31时，首先通过激光焊接方法将栅线断开点31两侧的栅线11与连接线15熔接，形成熔接点32，这样就使栅线11通过连接线15与公共电极线14连接起来，公共电极线14可以实现栅线信号的传输；然后采用激光切割方法将栅线断开点31所在像素区域的公共电极线断开，使栅线断开点31所在像素区域的公共电极线与其它像素区域的公共电极线隔绝，保证栅线信号的传输。如图21所示，在与栅线断开点31所在像素区域相邻的像素区域内，公共电极线14的断开点包括第一断开点33和第二断开点34，第一断开点33位于相邻像素区域内的水平电极线上，第二断开点34位于相邻像素区域内的连接线15上。这样，栅线断开点31两侧的栅线11通过像素区域一侧的竖直电极线、像素区域中部的水平电极线和像素区域另一侧的竖直电极线连接起来，由于公共电极线14为相互连接的矩阵结构，因此公共电极线上的断开点不会影响其它像素区域公共电极线的正常工作。由此可见，本发明TFT-LCD阵列基板断线修复方法修复难度小且方便，修复成功率高，有效避免了因栅线断线产生的不良。
图22为本发明TFT-LCD阵列基板断线修复方法修复数据线的流程图，包括：
采用激光焊接方法将数据线断开点两侧的数据线与公共电极线的竖直电极线熔接；
采用激光切割方法断开数据线断开点所在像素区域的公共电极线与相邻像素区域的公共电极线的连接，所述公共电极线为具有水平电极线和竖直电极线且相互连接的矩阵结构。
图23为本发明TFT-LCD阵列基板修复数据线断线的示意图。如图23所示，当数据线12出现数据线断开点35时，首先通过激光焊接方法将数据线断开点35两侧的数据线12与公共电极线14中的竖直电极线熔接，形成熔接点32，这样就使数据线12通过竖直电极线连接起来，公共电极线14中的竖直电极线可以实现数据线信号的传输；然后采用激光切割方法将数据线断开点35所在像素区域的公共电极线断开，使数据线断开点35所在像素区域的公共电极线与其它像素区域的公共电极线隔绝，保证栅线信号的传输。如图23所示，在数据线断开点35所在像素区域和相邻的像素区域内，公共电极线14的断开点包括第一断开点33和第二断开点34，第一断开点33位于相邻像素区域内的水平电极线上，第二断开点34位于数据线断开点35所在像素区域的连接线15上。由于公共电极线14为相互连接的矩阵结构，因此公共电极线上的断开点不会影响其它像素区域公共电极线的正常工作。实际应用中，第二断开点34也可以位于相邻像素区域内的连接线15上。由此可见，本发明TFT-LCD阵列基板断线修复方法修复难度小且方便，修复成功率高，有效避免了因栅线断线产生的不良。
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板断线修复方法，当发生栅线或数据线断线时，利用矩阵结构的公共电极线实现栅线或数据线的修复，从而达到通过公共电极线来传输栅线或数据线信号的作用，修复难度小且方便，修复成功率高，有效避免了因栅线断线产生的不良。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线、数据线、公共电极线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述公共电极线为具有水平电极线和竖直电极线且相互连接的矩阵结构。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述水平电极线和竖直电极线与栅线同层设置，所述水平电极线为整体结构，所述竖直电极线为位于数据线下方的间断结构，所述竖直电极线通过至少一个连接线连接成整体。
3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述连接线与像素电极同层设置，并通过第二过孔使间断结构的竖直电极线连接成整体。
4.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述竖直电极线与数据线之间栅绝缘层的厚度为
5.根据权利要求3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二过孔的侧壁为避免连接线断裂的阶梯状。
6.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：
通过构图工艺形成包括栅电极、栅线和公共电极线的图形，所述公共电极线包括整体结构的水平电极线和间断结构的竖直电极线，所述水平电极线与竖直电极线相互连接；
在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括栅绝缘层、有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；
在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括第一过孔和第二过孔的图形，所述第一过孔位于漏电极的上方，所述第二过孔位于竖直电极线的两个端部；
在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括像素电极和连接线的图形，所述像素电极通过第一过孔与漏电极连接，所述连接线通过第二过孔使间断结构的竖直电极线连接成整体。
7.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述栅绝缘层的厚度为
8.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成包括第一过孔和第二过孔的图形包括：
沉积钝化层；
在所述钝化层上涂覆一层光刻胶；
采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶曝光，显影后使光刻胶形成光刻胶完全保留区域、光刻胶完全去除区域和光刻胶部分保留区域，光刻胶完全去除区域对应于第二过孔图形的中心区域和第一过孔图形所在区域，光刻胶部分保留区域对应于第二过孔图形的外围区域，光刻胶完全保留区域对应于上述图形以外区域；
通过第一次刻蚀工艺，在光刻胶完全去除区域的第一过孔位置完全刻蚀掉钝化层，在第二过孔图形的中心区域完全刻蚀掉钝化层和栅绝缘层；
通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，暴露出该区域的钝化层；
通过第二次刻蚀工艺，完全刻蚀掉光刻胶部分保留区域的钝化层和部分厚度的栅绝缘层；
剥离剩余的光刻胶，形成具有阶梯状侧壁的第二过孔的图形。
9.一种TFT-LCD阵列基板断线修复方法，其特征在于，包括：
采用激光焊接方法将栅线断开点两侧的栅线与连接线熔接；
采用激光切割方法断开栅线断开点所在像素区域的公共电极线与相邻像素区域的公共电极线的连接，所述公共电极线为具有水平电极线和竖直电极线且相互连接的矩阵结构。
10.一种TFT-LCD阵列基板断线修复方法，其特征在于，包括：
采用激光焊接方法将数据线断开点两侧的数据线与公共电极线的竖直电极线熔接；
采用激光切割方法断开数据线断开点所在像素区域的公共电极线与相邻像素区域的公共电极线的连接，所述公共电极线为具有水平电极线和竖直电极线且相互连接的矩阵结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200910093305 CN102023429B (zh) | 2009-09-17 | 2009-09-17 | Tft-lcd阵列基板及其制造和断线修复方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200910093305 CN102023429B (zh) | 2009-09-17 | 2009-09-17 | Tft-lcd阵列基板及其制造和断线修复方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102023429A true CN102023429A (zh) | 2011-04-20 |
| CN102023429B CN102023429B (zh) | 2013-10-23 |
Family
ID=43864915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200910093305 Expired - Fee Related CN102023429B (zh) | 2009-09-17 | 2009-09-17 | Tft-lcd阵列基板及其制造和断线修复方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN102023429B (zh) |
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| CN110376809A (zh) * | 2019-06-11 | 2019-10-25 | 惠科股份有限公司 | 断线修复结构、显示面板及断线修复方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102023429B (zh) | 2013-10-23 |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
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