CN101817257B - 液体排出头用基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种液体排出头用基板的制造方法，该基板是具有第一面和与第一面相反的第二面的硅基板，该制造方法包括如下步骤：在硅基板的第二面上提供如下的层：当暴露于硅的蚀刻剂时，该层具有比硅的蚀刻速率低的蚀刻速率；部分地去除该层，以使硅基板的第二面的一部分露出，其中，露出部分包围该层的至少一部分；以及使用硅的蚀刻剂对该层和硅基板的第二面的所述露出部分进行湿法蚀刻，以形成从硅基板的第二面延伸到第一面的液体供给口。

Description

液体排出头用基板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种液体排出头基板(液体排出头用基板)的制造方法，具体地，涉及一种用于将墨排出到记录介质上以进行记录的喷墨记录头的喷墨记录头用基板的制造方法。

背景技术

液体排出头的一个应用示例是由能量将墨以液滴的形式排出到记录介质(典型地，纸)上以进行记录的喷墨记录头。对于喷墨记录头，已知如下技术：经由从基板的背面贯通至基板的表面的供给口从基板的背面向被安装于基板的表面的能量产生元件供给墨。在美国专利申请No.2007/0212890中公开了这种类型的喷墨记录头用基板的制造方法。

在美国专利申请No.2007/0212890所说明的制造方法中，在硅基板的背面的蚀刻掩模层中形成开口，通过干法蚀刻、激光等在暴露于开口的硅中形成凹部，并且从该凹部对硅基板进行湿法蚀刻，以形成贯通基板的供给口。

然而，在美国专利申请No.2007/0212890所说明的方法中，在基板的背面的与供给口相对应的整个区域中形成开口，这需要对蚀刻掩模层进行图案化。光刻处理(photolithographyprocess)对于该操作是必须的。

发明内容

考虑到上述问题，本发明具有如下优点：提供一种液体排出头用基板的制造方法，根据该制造方法，能够在较短的时间内简单地形成墨供给口。

本发明提供一种液体排出头用基板的制造方法，该基板是具有第一面和第二面的硅基板，该制造方法提供如下步骤：在硅基板的第二面上提供如下的层：当暴露于硅的蚀刻剂时，该层具有比硅的蚀刻速率低的蚀刻速率；部分地去除上述层，以使硅基板的第二面的一部分露出，其中，露出部分包围上述层的至少一部分；以及使用硅的蚀刻剂对上述层和硅基板的第二面的所述露出部进行湿法蚀刻，以形成从硅基板的第二面延伸到第一面的液体供给口。

根据本发明，能够在较短的时间内形成墨供给口。

通过以下参考附图对典型实施方式的说明，本发明的其它特征将变得明显。

附图说明

图1是示出根据第一实施方式的喷墨记录头的结构的立体图。

图2A和图2B是用于说明根据第一实施方式的喷墨记录头的制造方法的图。

图3A和图3B是用于说明根据第一实施方式的喷墨记录头的制造方法的图。

图4A和图4B是示出根据第一实施方式的喷墨记录头的制造方法中的制造过程中的状态的图。

图5A和图5B是用于说明根据第一实施方式的喷墨记录头的制造方法中的制造过程中的状态的图。

图6A、图6B、图6C、图6D、图6E和图6F是用于说明根据第一实施方式的喷墨记录头的制造方法中的制造过程中的状态的图。

图7A和图7B是示出根据第二实施方式的喷墨记录头的制造方法中的制造过程中的状态的图。

图8A、图8B、图8C、图8D和图8E是示出根据第二实施方式的喷墨记录头的制造方法中的制造过程中的状态的图。

具体实施方式

现在将根据附图详细说明本发明的优选实施方式。

下面参考附图说明本发明的实施方式。在下面的说明中，喷墨记录头被用作液体排出头的示例，并且喷墨记录头基板被用作液体排出头基板的示例。然而，本发明不限于此。液体排出头不仅可适用于打印领域，也可适用于诸如电路形成等各种工业领域，并且液体排出头基板可被用作安装于该液体排出头的基板。

在下面的说明中，在附图中可以用相同的数字指示相对应的特征，并且省略对它们的说明。

第一实施方式

图1是示出根据本发明的第一实施方式的喷墨记录头的立体图。图1所示的喷墨记录头10包括硅基板1，在该硅基板1上，以预定节距将用于产生排出诸如墨等液体用的能量的能量产生元件2配置成两列。在硅基板1上形成作为粘合层的聚醚酰胺层(未示出)。此外，在硅基板1上形成包括流路侧壁和位于能量产生元件2上方的墨排出口11的有机膜层6。另外，墨供给口13在能量产生元件2的列之间形成于硅基板1中。此外，形成从墨供给口13连通到各墨排出口11的墨流路。

以形成有墨排出口11的表面面对记录介质的记录面的方式来定位喷墨记录头10。当能量产生元件2对从墨供给口13填充在墨流路中的墨(液体)施加压力时，墨滴从墨排出口11排出。这些墨滴沉积在记录介质上，结果，形成图像。注意，术语“形成图像”不仅包括形成诸如文字、图形和符号等具有意义的图像的情况，而且还包括形成诸如几何图案等没有特定意义的图像的情况。

在根据本发明的实施方式的制造方法中，通过激光、干法蚀刻等处理蚀刻掩模层，从而产生用于形成墨供给口的开口的框图案，然后，进行晶体各向异性蚀刻。

图3A和图3B是沿图1中的剖面线2A-2A截取的用于说明喷墨记录头10的制造方法的剖视图。图2A是沿图1中的剖面线2A-2A截取的剖视图，图2B是硅基板1的背面(第二面)的俯视图。注意，图2A示出了形成墨供给口13之前的状态。图4A是沿图1中的剖面线2A-2A截取的剖视图，图4B是硅基板1的背面(第二面)的俯视图。图2A、图2B、图4A和图4B示出了形成墨供给口13之前的状态。

如图3A所示，制备硅基板1，该硅基板1具有作为设置有墨排出口11的排出口构件的有机膜层6。在硅基板1的表面上，能量产生元件2沿硅基板1的纵向被配置成两列。能量产生元件2是由Al等制成的配线、诸如TaSiN或TaN等高阻抗材料等组成的。此外，用于规定表面侧的墨供给口13的开口宽度的牺牲层(sacrificial layer)5可以被形成在硅基板1的表面上。因为能够在配线的同时形成牺牲层5，因此，使用Al作为牺牲层5的材料是有效的。在形成牺牲层5之后，以覆盖能量产生元件2和牺牲层5的方式形成绝缘保护膜3。绝缘保护膜3由SiO、SiN等制成。绝缘保护膜3保护形成于硅基板1的配线免受墨和其它液体的侵扰，并且绝缘保护膜3还用作形成墨供给口13时的蚀刻停止层。利用光刻处理将粘合层(未示出)和有机膜层6设置在绝缘保护膜3上，由此形成墨流路和墨排出口11。硅基板1在其背面还具有蚀刻掩模层4。硅的蚀刻剂对蚀刻掩模层4的蚀刻速率比该蚀刻剂对硅的蚀刻速率低。蚀刻掩模层4能够充分地抵抗硅的蚀刻剂，并且在硅基板1的背面上形成至少一层蚀刻掩模层4。例如，诸如SiO等绝缘膜、诸如Mo、Au、TiN或Ti等金属膜、无机膜和有机膜等被形成为蚀刻掩模层4。因为可以在表面上形成绝缘保护膜3的同时形成SiO的热氧化膜，所以使用SiO的热氧化膜能够缩短制造时间。

在形成掩模层4的操作中，在硅基板1的背面存在灰尘等的情况下，该灰尘可能引起掩模层4的小缺陷。考虑到该问题，即使在存在小孔(pinhole)(未示出)时，也可以形成能够覆盖该小孔的保护膜16。在形成保护膜16时，可以从诸如有机膜和无机膜等膜中选择。然而，在Si的附着性方面，诸如SiO、SiO₂、SiN或SiC等硅基膜是合适的。形成方法可以是诸如旋转涂布或溅射等众所周知的方法。在该实施方式中，作为可适用于本发明的TMAH(四甲基氢氧化氨)蚀刻剂的保护膜16，通过使用聚硅氨烷烧制(firing)而在蚀刻掩模层4上形成SiO₂膜。如式1所示，聚硅氨烷通过与空气中的水发生反应而形成SiO₂膜。

-(SiH₂NH)-+2H₂O→SiO₂+NH₃+2H₂(式1)

当烧制温度更高时，耐蚀刻性增加。考虑到蚀刻时间，烧制温度在250°以上是合适的。

作为可选方案，如图3B所示，可以采用不设置保护膜16的结构。

接着，通过利用激光去除保护层16和蚀刻掩模层4，在蚀刻掩模层4的与墨供给口13相对应的部分形成如图2B所示的具有矩形框形状的槽7。一个该框与一个供给口13相对应。由于去除了保护层16和蚀刻掩模层4而以框形状露出的硅在该框内侧包围保护层16和蚀刻掩模层4。在该实施方式中，从保护膜16的上方进行激光加工。在激光加工操作中，硅具有优异的吸收率的YAG激光器的三次谐波(355nm的波长)被用作激光源，并且在大约4.5W的输出和大约30KHz的频率的条件下形成槽7。以贯通蚀刻掩模层4的方式形成框形状的槽7，并且槽7具有距离硅基板1的背面大约10μm的深度。

另一方面，在如图3B所示没有设置保护膜16的情况下，如图4A所示，槽7以仅贯通掩模层4的方式被设置在硅基板1中。

图2A和图4A所示的各尺寸被限定如下。

t表示蚀刻掩模层4的厚度，T表示硅基板1的厚度。X表示从硅基板1的纵向中心线14到槽7的中心(不是框自身的中心)的横向距离。L表示牺牲层5的宽度，即硅基板1的表面上的墨供给口13的开口的在硅基板1的横向上的宽度。D表示槽7朝向基板的深度。

硅基板1的厚度T是大约600μm至750μm，并且槽7的深度是大约5μm至20μm。代替在硅基板1中形成槽7，可以仅通过用激光以框形状去除掩模层4而露出硅。只要露出硅，就能够利用硅蚀刻剂从背面向表面进行蚀刻。

图5A和图5B是示出槽7的另一种图案的图。图5A是沿图1中的剖面线2A-2A截取的剖视图，图5B是覆盖有蚀刻掩模层4的硅基板1的背面的俯视图。槽7可以不形成为如图2B所示的框形状，而是可以形成为如图5B所示的格子(或梯子)形状。槽7的对边部(opposing side portion)7d位于最外侧框部7a(其形成矩形)的内侧，由此形成格子形状。在最外侧框部7a中，与沿基板1的纵向延伸的长边部7b(长度由R表示)连接的短边部7c(长度由Q表示)与对边部7d大致平行，并且对边部7d与短边部7c一样也与长边部7b连接。

在槽7形成为格子形状的情况下，激光加工时间和后述的蚀刻操作中的蚀刻速率根据图5B所示的槽7的沿硅基板1的纵向的节距P而改变(根据槽的横向部之间的距离而改变)。

在本实施方式的制造方法中，在采用图5A和图5B所示的槽7的形状的情况下，表1示出了蚀刻速率和激光加工时间与槽7的沿硅基板1的纵向的节距P的关系。这里，R＝15200μm，Q＝700μm。

表1

在表1中，用A表示当在后述的蚀刻操作中能够在10小时内形成作为硅的表面取向(surface orientation)中的一个的{100}面时的蚀刻速率。用B表示虽然在蚀刻操作中不能在10小时内形成{100}面但是当蚀刻进行到牺牲层5时能够形成{100}面时的蚀刻速率。同时，用A表示当形成槽7所需的时间不比形成图2B所示的框形状的槽7的时间的两倍长(形成槽7所需的时间小于或等于形成图2B所示的框形状的槽7的时间的两倍)时的激光加工时间，用B表示当形成槽7所需的时间比形成框形状的槽7的时间两倍的长时的激光加工时间。如表1所示，节距P越小，激光加工时间越长但是蚀刻时间越短。因此，对于与传统的蚀刻速率的水平相同的蚀刻速率而言，节距P可以被设定为不超过800μm。此外，当考虑到激光加工时间时，节距P优选被设定为600μm至800μm。

在槽7形成为格子形状的情况下，槽7不限于如图5B所示的在硅基板1的纵向上被隔开的形状，也可以具有在横向上被隔开的形状。此外，在激光加工操作中，槽7的深度D优选地满足下面的关系式(1)(参见图2A)。

t≤D≤T-(X-L/2)tan54.7°(1)

在上述关系式(1)中，t表示蚀刻掩模层4的厚度，并且T表示硅基板1的厚度。X表示从硅基板1的纵向中心线14到沿中心线14形成的槽7的中心的距离。L表示牺牲层5的在硅基板1的横向上的宽度。

当满足上述关系式时，蚀刻区域被包含于牺牲层5的区域内，使得硅基板1的表面上的墨供给口13的开口的开口宽度能够被设定为牺牲层5的宽度L。存在牺牲层5的宽度L足够大并且(X-L/2)变成负值的情况。在该情况下，无论T和t的值为多少，蚀刻区域都到达牺牲层5。这里，即使在该情况下，也满足关系式(1)。

在激光加工操作结束之后，进行如下的蚀刻操作：通过晶体各向异性蚀刻从槽7至牺牲层5贯通硅基板1来形成墨供给口13。在该蚀刻操作中，TMAH(四甲基氢氧化氨)被用作蚀刻剂。以下参考图6A至图6F说明蚀刻操作中的硅基板1的内部状态。图6A至图6F是示出第一实施方式的蚀刻操作中的硅基板1的内部状态的图。首先，以在从硅基板1的背面朝向表面的方向上的宽度减小的方式形成作为硅的表面取向中的一个的{111}面21a、21b、21c和21d。虚线区域表示槽7的原始位置。此时，蚀刻掩模层4在与硅基板1的厚度方向垂直的方向上被蚀刻(参见图6A)。

当从图6A所示的状态进一步进行蚀刻时，{111}面21a和21b在它们的顶部彼此相交并且{111}面21c和21d在它们的顶部彼此相交，并且在硅基板1的厚度方向上不再进行蚀刻。然而，因为在蚀刻掩模层4中在与硅基板1的厚度方向垂直的方向上进行蚀刻，所以从被蚀刻部分进行新的晶体各向异性蚀刻。据此，在硅基板1的厚度方向以及与厚度方向垂直的方向上进行蚀刻(参见图6B)。当从图6B所示的状态进一步进行蚀刻时，残留在槽7之间的蚀刻掩模层4被蚀刻，并且在槽7之间形成{100}面22(参见图6C)。当从图6C所示的状态进一步进行蚀刻时，{100}面22向硅基板1的表面移动(参见图6D)，并且最终到达牺牲层5。在该实施方式中，在1450分钟的蚀刻时间内形成墨供给口13。通过控制聚硅氨烷的保护膜16的厚度和TMAH对保护膜16的蚀刻速率，由TMAH完全去除聚硅氨烷的保护膜16的时间能够与硅基板1的蚀刻时间匹配。因此，能够得到在硅基板1中形成贯通口的时点去除保护膜16的状态(图6E)。去除牺牲层5，由此完成蚀刻操作。即使在小孔存在于蚀刻掩模层4的情况下，如果蚀刻时间短，小孔的影响也不明显。因此，即使在去除聚硅氨烷的保护膜16之后，也能够继续蚀刻。这里，没有必要去除聚硅氨烷的保护膜16。可以考虑例如保护膜16和在组装喷墨记录头的过程中将硅基板1的背面侧接合到用于支撑硅基板1的氧化铝等的支撑构件时被涂布到硅基板1的背面侧的粘合剂之间的兼容性来选择是否去除保护膜16。

最后，如图6F所示，通过干法蚀刻去除绝缘保护膜3的覆盖墨供给口13的开口的部分，因此，形成与供给口13连通的墨流路100。

作为上述操作的结果，完成了形成有喷嘴部的硅基板1(喷墨记录头基板)，其中，该喷嘴部用于从墨排出口11排出从墨供给口13流入的墨。由划片机(dicing saw)等将该硅基板1切成晶片(chip)。在各晶片上布置用于驱动能量产生元件2的电线之后，连接用于墨供给的晶片容器(chip tank)构件。由此完成喷墨记录头10。

根据该实施方式，通过利用激光形成槽7，与利用光刻处理进行蚀刻掩模层4的图案化操作的传统方法相比，能够实现每批(或每宗)的时间减少240分钟的效果。

第二实施方式

图7A和图7B是用于说明该实施方式中的喷墨记录头的制造方法的图。图7A是沿与图1中的剖面线2A-2A对应的剖面线截取的该实施方式中的喷墨记录头12的剖视图。图7B是喷墨记录头12中的硅基板1的背面的俯视图。注意，用相同的数字表示与第一实施方式中说明的喷墨记录头10的结构相同的结构，并且省略对这些结构的详细说明。此外，在硅基板1的表面结构和上述层处理方面，喷墨记录头12与喷墨记录头10相同，因此也将省略对它们的说明。

在喷墨记录头12中，首先，在激光加工操作中形成格子形状的槽7。这与第一实施方式中说明的相同。也就是，在槽7中，对边部7d位于最外侧框部7a的内侧，由此形成格子形状。在最外侧框部7a中，与在基板1的纵向延伸的长边部7b(长度由R表示)连接的短边部7c(长度由Q表示)与对边部7d大致平行，并且对边部7d与短边部7c一样也与长边部7b连接。

此后，在由槽7的最外侧框部7a包围的区域内形成如图7A所示的深凹部一样的引导孔8。引导孔8不是通孔，其贯通蚀刻掩模层4和保护膜16，但是结束于硅基板1的内部。在该实施方式中，对边部7d的一部分是引导孔8。此外，如图7B所示，引导孔8在硅基板1的纵向上被配置成两列。注意，只要引导孔8被形成于墨供给口13的开口(硅基板1的背面侧的开口)内，引导孔8的配置和引导孔8的数量就不受限制。然而，当如图所示以与槽7重叠的方式配置(在槽中形成)引导孔8时，在蚀刻操作中，蚀刻剂能够容易地进入引导孔8，这有助于更快的各向异性蚀刻。在该情况下，槽7的设置有引导孔8的部分比槽7的位于引导孔8周围的部分向硅基板1的背面凹陷地深。当硅基板1的厚度是大约700μm至750μm时，槽7的最外侧框部的深度D是5μm至20μm。以如下方式形成槽7：向基板1背面侧(蚀刻掩模层4)的一个部位照射一个或多个激光脉冲；然后以同样的方式向作为中心的位置照射激光，该作为中心的位置从前一脉冲或前面的脉冲的中心偏离大致激光斑直径的一半。重复这种处理，从而连续地排列具有不同中心位置的孔，以形成槽7。引导孔8的深度DS是350μm至650μm，数量比形成槽7的过程中的数量多的激光脉冲被发射到基板1的一个部位，使得在槽7中形成作为深凹部的引导孔8。在该实施方式中，如图7B所示，槽7具有与引导孔8重叠的部分，并且槽7在硅基板1的纵向上以800μm的节距形成为格子形状。这里，如第一实施方式所述的那样(参见表1)，考虑到蚀刻速率和激光加工时间将节距设定成800μm。

在激光加工操作结束之后，如在第一实施方式中那样进行蚀刻操作。在蚀刻操作中，如在第一实施方式中那样，TMAH被用作蚀刻剂，并且从保护膜16(当存在时)至牺牲层5形成墨供给口13。下面参考图8A至图8E说明本实施方式的蚀刻操作中的硅基板1的内部状态。图8A至图8E是示出第二实施方式的蚀刻操作中的硅基板1的内部状态的图。首先，以在从硅基板1的背面朝向表面的方向上的宽度减小的方式形成{111}面31a、31b、31c和31d。同时，在与硅基板1的厚度方向垂直的方向上从引导孔8和槽7进行蚀刻。此外，在硅基板1的背面侧的墨供给口13的开口中，以在硅基板1的背面朝向表面的方向上的宽度增加的方式形成{111}面32a和32b(参见图8A)。

当从图8A所示的状态进一步进行蚀刻时，{111}面31b和31c彼此接触，从由该接触形成的顶部在朝向硅基板1的表面的方向上进一步进行蚀刻。另外，{111}面31a和32a彼此相交，并且{111}面31d和32b彼此相交，并且在与硅基板1的厚度方向垂直的方向上不再进行蚀刻(参见图8B)。

当从图8B所示的状态进一步进行蚀刻时，在被配置成两列的引导孔8之间形成{100}面33(参见图8C)。随着蚀刻的进行，该{100}面33朝向硅基板1的表面移动，并且最终到达牺牲层5。此后，去除牺牲层5，由此完成蚀刻操作(参见图8D)。

最后，如图8E所示，通过干法蚀刻去除绝缘保护膜3的覆盖硅基板1的表面侧的墨供给口13的开口的部分。因此，墨流路100与供给口13连通。随后，可以去除蚀刻掩模层4。

作为上述操作的结果，完成形成有喷嘴部的硅基板1(喷墨记录头基板)。此后，执行与第一实施方式相同的处理，以完成喷墨记录头12。

根据该实施方式，通过利用激光与槽7一起形成引导孔8，与利用光刻处理进行蚀刻掩模层4的图案化操作的传统方法相比，能够实现时间的显著减少。

第一和第二实施方式说明了在硅基板1的表面形成用作墨流路的构件之后(在硅基板上形成有机膜层6之后)形成槽7和引导孔8的情况。然而，本发明不限于该顺序，可以在制备形成有槽7、引导孔8和蚀刻掩模层4的硅基板1之后在硅基板1的表面形成用作墨流路的构件。

虽然已经参考典型实施方式说明了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的典型实施方式。所附的权利要求书的范围符合最宽泛的解释，以包含所有这些变型、等同结构和功能。

Claims (11)

1.一种液体排出头基板的制造方法，所述液体排出头基板包括：硅基板，其具有第一面，所述第一面设置有用于产生排出液体用的能量的元件；以及供给口，其贯通所述硅基板，并且用于向所述元件供给液体，所述制造方法包括：

提供所述硅基板，其中，所述硅基板具有与所述第一面相反的第二面，在所述第二面上形成有如下的层：硅的蚀刻剂对所述层的蚀刻速率比所述蚀刻剂对硅的蚀刻速率低；

形成贯通所述层且朝向所述硅基板凹陷的槽，其中，当从所述第二面观察所述硅基板时，所述槽是框形状，所述框形状用于将所述层的一部分包围在所述框形状的内侧；以及

通过使用所述蚀刻剂从所述槽向所述第一面对所述硅基板进行湿法蚀刻，在所述硅基板中形成所述供给口。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过用激光照射所述层而形成所述槽。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述层由氮化硅或氧化硅构成。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

通过热氧化所述硅基板以使所述硅基板的一部分氧化而在所述第二面上形成由氧化硅制成的所述层。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，四甲基氢氧化氨的水溶液被用作所述蚀刻剂。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述槽包括深凹部，该深凹部被形成为比所述槽的位于该深凹部周围的部分更深地凹陷到所述硅基板中。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述深凹部位于与一个供给口相对应的所述槽的最外侧框的内侧。

8.一种液体排出头基板的制造方法，所述液体排出头基板包括：硅基板，其具有第一面，所述第一面设置有用于产生排出液体用的能量的元件；以及供给口，其贯通所述硅基板，并且用于向所述元件供给液体，所述制造方法包括：

提供所述硅基板，其中，所述硅基板具有与所述第一面相反的第二面，在所述第二面上形成有如下的层：硅的蚀刻剂对所述层的蚀刻速率比所述蚀刻剂对硅的蚀刻速率低；

形成贯通所述层且朝向所述硅基板凹陷的槽，其中，当从所述第二面观察所述硅基板时，所述槽是格子形状，所述格子形状用于将所述层的一部分包围在所述格子形状的内侧；以及

通过使用蚀刻剂从所述槽向所述第一面对所述硅基板进行湿法蚀刻，在所述硅基板中形成所述供给口。

9.一种液体排出头基板的制造方法，所述液体排出头基板包括：硅基板，其具有第一面，所述第一面设置有用于产生排出液体用的能量的元件；以及供给口，其贯通所述硅基板，并且用于向所述元件供给液体，所述制造方法包括：

提供所述硅基板，其中，所述硅基板具有与所述第一面相反的第二面，在所述第二面上形成有如下的层：硅的蚀刻剂对所述层的蚀刻速率比所述蚀刻剂对硅的蚀刻速率低；

用激光照射所述第二面，使得在所述硅基板中形成贯通所述层并朝向所述硅基板凹陷的槽，其中，当从所述第二面观察所述硅基板时，所述槽是格子形状，所述格子形状用于将所述层的一部分包围在所述格子形状的内侧；以及

通过经由所述槽从所述第二面向所述第一面对所述硅基板进行湿法蚀刻，在所述硅基板中形成所述供给口。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述槽包括深凹部，该深凹部被形成为比所述槽的位于该深凹部周围的部分更深地凹陷到所述硅基板中。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述深凹部位于与一个供给口相对应的所述槽的最外侧框的内侧。

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