CN101727997A - Ybco厚膜电阻浆料 - Google Patents
Ybco厚膜电阻浆料 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101727997A CN101727997A CN200810143397A CN200810143397A CN101727997A CN 101727997 A CN101727997 A CN 101727997A CN 200810143397 A CN200810143397 A CN 200810143397A CN 200810143397 A CN200810143397 A CN 200810143397A CN 101727997 A CN101727997 A CN 101727997A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- percent
- film resistor
- ybco
- thick film
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- ZFOZVQLOBQUTQQ-UHFFFAOYSA-N Tributyl citrate Chemical compound CCCCOC(=O)CC(O)(C(=O)OCCCC)CC(=O)OCCCC ZFOZVQLOBQUTQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- IIZPXYDJLKNOIY-JXPKJXOSSA-N 1-palmitoyl-2-arachidonoyl-sn-glycero-3-phosphocholine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@H](COP([O-])(=O)OCC[N+](C)(C)C)OC(=O)CCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCC IIZPXYDJLKNOIY-JXPKJXOSSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 claims abstract description 5
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000000787 lecithin Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229940067606 lecithin Drugs 0.000 claims abstract description 5
- 235000010445 lecithin Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 15
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 8
- RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N trans-p-Menthane-1,8-diol Chemical compound CC(C)(O)C1CCC(C)(O)CC1 RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920002160 Celluloid Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 4
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 2
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 abstract 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 abstract 1
- 229940079938 nitrocellulose Drugs 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 compound yttrium barium copper oxide Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- MQWCQFCZUNBTCM-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-6-(3-tert-butyl-2-hydroxy-5-methylphenyl)sulfanyl-4-methylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(SC=2C(=C(C=C(C)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O MQWCQFCZUNBTCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- BTGZYWWSOPEHMM-UHFFFAOYSA-N [O].[Cu].[Y].[Ba] Chemical compound [O].[Cu].[Y].[Ba] BTGZYWWSOPEHMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
本发明涉及一种低成本贱金属氧化物厚膜电阻浆料。其由导电相(钇钡铜氧(YBCO)系材料)、无机粘结相(玻璃粉或Bi氧化物粉或Pb氧化物粉)与有机粘结剂三者均匀混合组成。无机粘结相中玻璃粉为SiO2-Bi2O3-Na2O-CaO-Al2O3系玻璃,各原料及重量比SiO220~80%、Bi2O310~90%、Na2O5~20%、CaO5~30%、Al2O31~15%;有机粘结剂中各组分的重量比:松油醇20~98%、松油醇1~30%、硝酸纤维素1~10%、柠檬酸三丁酯、卵磷脂0.1~6%、皂土0.1~6%。导电相YBCO与无机粘结相(玻璃粉或Bi2O3或PbO粉)重量比根据所需的电阻与电阻温度系数调整,其重量比范围为40~85∶60~15。本厚膜电阻浆料可在500~1000℃中空气气氛中烧成厚膜电阻,电阻范围可在25(Ω/口)~1000K(Ω/口)内可调,电阻值稳定,与传统的贵金属厚膜电阻比较具有极低的成本。
Description
技术领域:
本发明涉及一种新型低成本贱金属氧化物YBCO厚膜电阻浆料,特别涉及能在空气气氛中烧结制备厚膜电阻,能在民用普通领域部分替代贵金属厚膜电阻浆料。
背景技术:
在电气和电子技术领域,用于微电路和混合集成电路的厚膜元件,如电阻器、电容器、厚膜导体等,具有日益增长的重要性,已越来越广泛地被用于各种电气和电子装置中。在厚膜电阻方面,公知的、传统商用厚膜电阻或导体,是以金、银、铂钯等贵金属粉末为基体,加入作为粘结剂的玻璃料,并同有机载体混合形成导电浆料,然后丝网漏印到陶瓷基片上,在大气中500~1000℃温度范围内烧成而制得的。但是,贵金属全球资源有限,价格昂贵且不断上扬,所以贵金属厚膜电阻及导体广泛应用受到限制。人们从七十年代开始就日益重视对贱金属及其氧化物应用到厚膜电阻的研究,但贱金属铜、镍、铝在空气气氛中烧结极易氧化而降低导电性能或不导电,而在隋性气氛中烧结则造成制备成本上扬而无法导致制备厚膜电阻的最终成本下降。随着科学技术的不断进步,新型的、多种类的贱金属氧化物有部分应用到厚膜电阻并商业化,如MoO2、MoSi2等贱金属化合物,但成本仍然高昂而性能无法让人满意。目前,本申请专利中采用非传统的、成本更低、性能更为优良的室温导电化合物钇钡铜氧(YBCO)系材料应用到厚膜电阻导电相及其配套的无机粘结相,国内外鲜见报道。
发明内容:
本发明目的在于:采用非传统的、成本更低、性能更为优良的室温导电化合物钇钡铜氧(YBCO)系材料制备厚膜电阻导电相及其配套的无机粘结相选择与制备。本发明所采用的方案是:
选用钇钡铜氧(YBCO)系材料制备厚膜电阻的导电相,YBCO系材料一定存在Y、Ba、Cu、O等元素,或存在少量Bi、Gd、Ca、La、Sr、Pr、Nd、Zn、Ni、Pb等元素掺杂;
选用玻璃粉、或者Bi氧化物粉、或者Pb氧化物、或者上述几种的混合物作为厚膜电阻的无机粘结相,其中玻璃粉为SiO2-Bi2O3-Na2O-CaO-Al2O3系玻璃,各原料及重量比SiO220~80%、Bi2O310~90%、Na2O5~20%、CaO5~30%、Al2O31~15%;
选用的有机粘结剂主要组分的重量比为:柠檬酸三丁酯20~98%、松油醇1~30%、硝酸纤维素1~10%、、卵磷脂0.1~6%、皂土0.1~6%;
厚膜电阻浆料中导电相、无机粘结相与有机粘结剂配比为:导电相YBCO与无机粘结相(玻璃粉或Bi2O3或PbO粉)重量比根据所需的电阻与电阻温度系数调整,其重量比范围为(40~95)∶(60~5);固相(YBCO与无机粘结相)与液相(有机粘结剂)的重量比范围为(60~90∶40~10)。
将其三者采用如三辊轧机设备均匀混合制备获得YBCO系厚膜电阻浆料。
本发明的优点和积极效果,体现在:
YBCO系厚膜电阻浆料与传统的贵金属厚膜电阻浆料相比材料成本极其低廉,并且可以在空气气氛中烧结制备获得厚膜电阻,制备的厚膜电阻阻值范围可在25(Ω/口)~1000K(Ω/口)内可调,电阻值稳定,可部分取代传统的贵金属厚膜电阻浆料。
具体实施方式:
实例1:
(1)导电相粉末:采用固相法、Sol-gel法+高温培烧、草酸盐沉淀法+高温培烧法或市面上购得的YBCO粉,控制平均粒径小于2um;
(2)无机粘结相:选择Bi2O3,平均粒径控制在5um以下;
(3)有机溶剂及溶解工艺:柠檬酸三丁酯90%,松油醇7%,硝酸纤维素2%,卵磷脂0.5%,皂土0.5%。溶解工艺为将上各组分在高温(80℃~90℃)水浴中保温5小时;
(4)调浆工艺:将固相成分(YBCO∶Bi2O3=95∶5)及有机粘结剂比例(70∶30)置于容器中搅拌分散后进行三辊轧制。
(5)浆料性能:将制得的电阻浆料漏印在基片上经测试,方阻=25Ω/口。
实例2:
(1)导电相粉末:采用固相法、Sol-gel法+高温培烧、草酸盐沉淀法+高温培烧法或市面上购得的YBCO粉,控制平均粒径小于2um;
(2)无机粘结相:选择玻璃粉,平均粒径控制在5um以下;玻璃配方:SiO264%、Bi2O319%、Na2O10%、CaO6%、Al2O3l%;熔炼工艺:在高温1400℃保温三小时;
(3)有机溶剂及溶解工艺:柠檬酸三丁酯90%,松油醇7%,硝酸纤维素2%,卵磷脂0.5%,皂土0.5%。溶解工艺为将上各组分在高温(80℃~90℃)水浴中保温5小时;
(4)调浆工艺:将固相成分(YBCO∶玻璃粉=70∶30)及有机粘结剂比例(70∶30)置于容器中搅拌分散后进行三辊轧制。
(5)浆料性能:制得的电阻浆料漏印在基片上经测试,方阻=950KΩ/口。
Claims (6)
1.一种新型低成本贱金属氧化物厚膜电阻浆料,其由导电相、无机粘结相与有机粘结剂三者均匀混合组成。
2.权利要求1所述的导电相为YBCO系材料,其一定存在Y、Ba、Cu、O等元素,并有少量Bi、Gd、Ca、La、Sr、Pr、Nd、Zn、Ni、Pb等元素掺杂。
3.权利要求1所述的无机粘结相为玻璃粉、或者Bi氧化物粉、或者Pb氧化物、或者上述几种的混合物。
4.权利要求1与3所述的玻璃粉为SiO2-Bi2O3-Na2O-CaO-Al2O3系玻璃,各原料及重量比SiO220~80%、Bi2O310~90%、Na2O5~20%、CaO5~30%、Al2O31~15%。
5.权利要求1所述的有机粘结剂,各组分的重量比:松油醇20~98%、松油醇1~30%、硝酸纤维素1~10%、柠檬酸三丁酯、卵磷脂0.1~6%、皂土0.1~6%。
6.权利要求1中厚膜电阻浆料中导电相、无机粘结相与有机粘结剂配比为:导电相YBCO与无机粘结相(玻璃粉或Bi2O3或PbO粉)重量比根据所需的电阻与电阻温度系数调整,其重量比范围为(40~95)∶(60~5);固相(YBCO与无机粘结相)与液相(有机粘结剂)的重量比范围为(60~90∶40~10)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200810143397A CN101727997A (zh) | 2008-10-23 | 2008-10-23 | Ybco厚膜电阻浆料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200810143397A CN101727997A (zh) | 2008-10-23 | 2008-10-23 | Ybco厚膜电阻浆料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101727997A true CN101727997A (zh) | 2010-06-09 |
Family
ID=42448731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200810143397A Pending CN101727997A (zh) | 2008-10-23 | 2008-10-23 | Ybco厚膜电阻浆料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101727997A (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102013280A (zh) * | 2010-09-28 | 2011-04-13 | 彩虹集团公司 | 一种应用于厚膜电路的浆料 |
CN104347202A (zh) * | 2013-07-30 | 2015-02-11 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种厚膜负温度系数电阻浆料的制备方法 |
CN104916345A (zh) * | 2015-05-25 | 2015-09-16 | 电子科技大学 | 一种厚膜电阻浆料及其制备方法 |
CN106935310A (zh) * | 2015-12-30 | 2017-07-07 | 上海晶材新材料科技有限公司 | 应用于低温共烧陶瓷的表面导电金铂钯浆及其制备方法 |
CN107180665A (zh) * | 2016-03-11 | 2017-09-19 | 上海卡翱投资管理合伙企业(有限合伙) | 应用于低温共烧陶瓷的灌孔过渡金铂银孔浆及其制备方法 |
CN107567115A (zh) * | 2017-08-11 | 2018-01-09 | 中南大学 | 一种掺杂型ybco导电陶瓷组合物、电阻浆料、多孔陶瓷基发热体及其应用 |
CN108053960A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-05-18 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | 一种厚膜电阻浆料 |
-
2008
- 2008-10-23 CN CN200810143397A patent/CN101727997A/zh active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102013280A (zh) * | 2010-09-28 | 2011-04-13 | 彩虹集团公司 | 一种应用于厚膜电路的浆料 |
CN104347202A (zh) * | 2013-07-30 | 2015-02-11 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种厚膜负温度系数电阻浆料的制备方法 |
CN104347202B (zh) * | 2013-07-30 | 2017-12-08 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种厚膜负温度系数电阻浆料的制备方法 |
CN104916345A (zh) * | 2015-05-25 | 2015-09-16 | 电子科技大学 | 一种厚膜电阻浆料及其制备方法 |
CN106935310A (zh) * | 2015-12-30 | 2017-07-07 | 上海晶材新材料科技有限公司 | 应用于低温共烧陶瓷的表面导电金铂钯浆及其制备方法 |
CN107180665A (zh) * | 2016-03-11 | 2017-09-19 | 上海卡翱投资管理合伙企业(有限合伙) | 应用于低温共烧陶瓷的灌孔过渡金铂银孔浆及其制备方法 |
CN107567115A (zh) * | 2017-08-11 | 2018-01-09 | 中南大学 | 一种掺杂型ybco导电陶瓷组合物、电阻浆料、多孔陶瓷基发热体及其应用 |
CN107567115B (zh) * | 2017-08-11 | 2020-12-04 | 中南大学 | 一种掺杂型ybco导电陶瓷组合物、电阻浆料、多孔陶瓷基发热体及其应用 |
CN108053960A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-05-18 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | 一种厚膜电阻浆料 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2164822B1 (en) | Conductor paste for ceramic substrate and electric circuit | |
CN101727997A (zh) | Ybco厚膜电阻浆料 | |
CN105810291A (zh) | 一种中低阻段大功率厚膜电路稀土电阻浆料及其制备方法 | |
JPS6035405A (ja) | 銅伝導体組成物 | |
CN103073267B (zh) | 一种低电阻率、高b值负温度系数热敏材料及其制备方法 | |
CN111028975B (zh) | 一种低温度系数电阻膏体及其制备方法与应用 | |
EP0068167B1 (en) | Conductive composition comprising copper, and flash bar produced therewith | |
CN105825910A (zh) | 一种大功率低温度系数厚膜加热元件电阻浆料及其制备方法 | |
JP3843767B2 (ja) | 抵抗体ペーストの製造方法及び厚膜抵抗体の製造方法 | |
CN107567115B (zh) | 一种掺杂型ybco导电陶瓷组合物、电阻浆料、多孔陶瓷基发热体及其应用 | |
JPH03150234A (ja) | 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 | |
JPH063761B2 (ja) | 厚膜抵抗体組成物用のガラス組成物およびそれを用いた厚膜抵抗体組成物 | |
JP2005244115A (ja) | 抵抗体ペースト、抵抗体及び電子部品 | |
JP4064226B2 (ja) | 導電性ペースト組成物及びそのペースト組成物を用いた回路基板 | |
JP2005129806A (ja) | 抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体 | |
JP7027719B2 (ja) | ガラス組成物およびガラス粉末 | |
JP2007087661A (ja) | 導電性ペーストおよびそれを用いたセラミック電子部品の製造方法 | |
JPH0541110A (ja) | 導体ペースト | |
EP0722175B1 (en) | Resistance paste and resistor comprising the material | |
JP7622738B2 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
JP3800614B1 (ja) | 厚膜抵抗体ペーストおよび厚膜抵抗体 | |
JPH03183640A (ja) | 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 | |
CN114188067A (zh) | 一种玻璃釉电位器用厚膜电阻浆料及其制备方法 | |
WO2021221175A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
JPH04125901A (ja) | 厚膜抵抗体用組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20100609 |