CN101488550B - 高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法 - Google Patents
高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101488550B CN101488550B CN2009100468415A CN200910046841A CN101488550B CN 101488550 B CN101488550 B CN 101488550B CN 2009100468415 A CN2009100468415 A CN 2009100468415A CN 200910046841 A CN200910046841 A CN 200910046841A CN 101488550 B CN101488550 B CN 101488550B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gan
- layer
- quantum well
- thickness
- ingan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，包括一下步骤：步骤1、在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层；步骤2、降低温度，在所述缓冲层上生长1至6个InxGa1-xN/GaN量子阱，接着生长1至6个InyGa1-yN/GaN量子阱，再生长4至15个InzGa1-zN/GaN量子阱；步骤3、在高温下，再顺次生长p型AlGaN层和p型GaN层。本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压。
Description
技术领域
本发明涉及一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，特别涉及一种高In组分多种成分的InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法。
背景技术
GaN基III-V族氮化物是重要的直接带隙的宽禁带半导体材料。GaN基材料具有优异的机械和化学性能，优异的光电性质，室温下其带隙范围从0.7eV(InN)到6.2eV(AlN)，发光波长涵盖了远红外，红外，可见光，紫外光，深紫外，GaN基材料在蓝光，绿光，紫光及白光二极管等光电子器件领域有广泛的应用背景。
近几年GaN基蓝光LED的量子效率获得重大提高，但是GaN基绿光LED的量子效率相对于GaN基蓝光LED低得多(参见：Appl.Phys.Lett.，86，101903等)，制造上比蓝光LED困难的多。GaN基绿光LED需要高质量高In组分的InxGal-xN/GaN量子阱(x≥15％)，但高In组分的InGaN材料及InGaN/GaN量子阱的质量通常较差.InN的晶格常数a为0.3545nm和六方相GaN间的晶格常数a为0.3189nm，可见随着In组分的增加InGaN/GaN间的晶格失配增大，应力增大，容易在InxGal-xN/GaN多量子阱的界面容易产生大量的V型缺陷；并且高In组分的InGaN材料容易发生In的相分离，这些是GaN基绿光、黄光及红光等LED外量子效率低，电性差抗静电能力差的主要原因。此外InN的带隙为0.7eV，GaN的带隙为3.39eV，随着In组分的增加，InGaN的带隙变小，导致LED的开启电压降低等。
为了改进上述问题，在申请号为200580025327.3，发明名称为“具有含铟结构的III族氮化物基量子阱发光器件结构”的发明中，提出了一种在有源区上具有包含铟的III族氮化物层及在包含铟的III族氮化物层上具有包含铝的p型III族氮化物层的结构，来改善结晶质量，然而，其改善仍然有限。
为了克服现有技术中的上述问题，本发明的发明人在LED领域进行了广泛深入的研究，终有本发明的产生。
发明内容
本发明的所要解决的技术方案是提供一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法。
为解决上述技术方案，本发明提供一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，采用MOCVD方法，利用高纯NH3做N源，三甲基镓或三乙基镓做镓源，三甲基铟做铟源，三甲基铝做铝源，硅烷用作n型掺杂剂，二茂镁用作p型掺杂剂，其特征在于，包括一下步骤：
步骤1、在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底并用H2处理，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层，所述GaN缓冲层包括非掺杂GaN层和掺Si的n型GaN层；
步骤2、将温度降低到650～850℃之间，载气切换为N2，在所述缓冲层上生长1至6个InxGa1-xN/GaN量子阱，其中，0＜x≤0.1，每层InxGa1-xN阱层厚度为2-5nm；接着生长1至6个InyGa1-yN/GaN量子阱，其中0.1＜y≤0.2，每层InyGa1-yN阱层厚度为1.5-5nm；再生长4至15个InzGa1-zN/GaN量子阱，其中0.2＜z＜1，每层InzGa1-zN阱层厚度为1-5nm；在上述制造过程中，三甲基镓的摩尔流量为0.1×10-5摩尔/分钟至1.5×10-5摩尔/分钟，三甲基铟的摩尔流量为1×10-5摩尔/分钟至10×10-5摩尔/分钟之间，NH3的流量为6升/分钟至30升/分钟；
步骤3、在高温下，以H2做载气，在所述InzGa1-zN/GaN量子阱上顺次生长p型AlGaN层和p型GaN层。
较佳地，步骤2中，所述InxGa1-xN/GaN量子阱个数为5个，量子阱阱层厚度为3nm，垒层厚度为10nm，x＝0.08。
较佳地，步骤2中，所述InyGa1-yN/GaN量子阱个数为4个，量子阱阱层厚度为3nm，垒层厚度为10nm，y＝0.15。
较佳地，所述InzGa1-zN/GaN量子阱个数为5个，量子阱阱层厚度为2.3nm，垒层厚度为10nm，z＝0.25。
本发明的有益效果在于：能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压，改善LED的电学性质，提高发光效率。
附图说明
图1为本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构LED的结构示意图。
图2为InGaN/GaN量子阱有源层的导带示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。
请参阅图1，图1所示为一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，包括在蓝宝石衬底1上依次向上生长的GaN成核层2、非掺杂GaN层3、n型GaN层4、InGaN/GaN量子阱有源层5、p型ALGaN载流子阻挡层6及p型GaN层7。
InGaN/GaN量子阱有源层5包括第一InGaN/GaN量子阱层5a、第二InGaN/GaN量子阱层5b及第三InGaN/GaN量子阱层5c。第一InGaN/GaN量子阱层5a由1至6个InxGa1-xN/GaN量子阱组成，其中，0＜x≤0.1，InxGa1-xN为阱层，厚度为2-5nm，GaN为垒层；第二InGaN/GaN量子阱层5b由1至6个InyGa1-yN/GaN量子阱组成，其中0.1＜y≤0.2，InyGa1-yN为阱层，厚度为1.5-5nm，GaN为垒层；第三InGaN/GaN量子阱层5c由4至15个InzGa1-zN/GaN量子阱组成，其中0.2＜z＜1，InzGa1-zN为阱层，厚度为1-5nm，GaN为垒层。
上述第一InGaN/GaN量子阱层5a的阱层厚度优选为3nm，第二InGaN/GaN量子阱层5b的阱层厚度优选为3nm，第三InGaN/GaN量子阱层5c的阱层厚度优选为2.3nm。
本发明提供制造上述高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的方法，本发明采用MOCVD方法，利用高纯NH3做N源，三甲基镓或三乙基镓做镓源，三甲基铟做铟源，三甲基铝做铝源，硅烷用作n型掺杂剂，二茂镁用作p型掺杂剂。
实施例一
利用MOCVD设备外延生长高亮度的高In组分多量子阱的LED，所用的衬底为(001)面的蓝宝石。首先在MOCVD反应室中将蓝宝石衬底1加热到1200℃，在H2下处理5min，然后温度降低到500～600℃生长GaN成核层2，厚度约30nm；然后温度升至1160℃，H2作载气，以3.0微米/小时的生长速率外延生长4微米厚的GaN缓冲层，其中包括0.5微米厚的非掺杂GaN层3和3.5微米厚的掺Si的n型GaN层4，Si的掺杂浓度在5×1017cm-3至5×1019cm-3之间。
然后将温度降低到650～750℃间，载气切换为N2，在该缓冲层上生长1至6个InxGa1-xN/GaN量子阱，其中，0＜x≤0.1，每层InxGa1-xN阱层厚度为3nm，每层GaN垒层厚度为10nm；接着生长1至6个InyGa1-yN/GaN量子阱，其中0.1＜y≤0.2，每层InyGa1-yN阱层厚度为3nm，每层GaN垒层厚度为10nm；再生长4至15个InzGa1-zN/GaN量子阱，其中0.2＜z＜1，每层InzGa1-zN阱层厚度为2.3nm，每层GaN垒层厚度为10nm；在上述制造过程中，三甲基镓的摩尔流量为0.1×10-5摩尔/分钟至1.5×10-5摩尔/分钟，三甲基铟的摩尔流量为1×10-5摩尔/分钟至10×10-5摩尔/分钟之间，NH3的流量为6升/分钟至30升/分钟。
最后，把温度升高至1000～1100℃，H2做载气，生长25nm厚的p型Al0.15Ga0.85N和200nm厚的p型GaN层，Mg掺杂浓度在5×1019cm-3至5×1020cm-3之间。
实施例二
利用MOCVD设备外延生长高亮度的高In组分多量子阱的LED，所用的衬底为(001)面的蓝宝石。首先在MOCVD反应室中将蓝宝石衬底1加热到1200℃，在H2下处理5min，然后温度降低到500～600℃生长GaN成核层2，厚度约30nm；然后温度升至1160℃，H2作载气，以3.0微米/小时的生长速率外延生长4微米厚的GaN缓冲层，其中包括0.5微米厚的非故意掺杂GaN层3和3.5微米厚的掺Si的n型GaN缓冲层4，Si的掺杂浓度在5×1017cm-3至5×1019cm-3之间。
然后将温度降低到650～850℃间，载气切换为N2，在该缓冲层上以800℃生长5个InxGa1-xN/GaN量子阱，其中x＝0.08，每层InxGa1-xN阱层厚度为3nm，每层GaN垒层厚度为10nm；接着以750℃生长4个InyGa1-yN/GaN量子阱，其中y＝0.15，每层InyGa1-yNN阱层厚度为3nm，每层GaN垒层厚度为10nm；再以720℃生长5个InzGa1-zN/GaN量子阱，其中z＝0.25，每层InzGa1-zN阱层厚度为2.3nm，每层GaN垒层厚度为10nm；在上述生长过程中，三甲基镓的摩尔流量为0.1×10-5摩尔/分钟至1.5×10-5摩尔/分钟，三甲基铟的摩尔流量为5×10-5摩尔/分钟，NH3的流量为6升/分钟至30升/分钟。
最后，把温度升高至1000～1100℃，H2做载气，生长25nm厚的p型Al0.15Ga0.85N和200nm厚的p型GaN层，Mg掺杂浓度在5×1019cm-3至5×1020cm-3之间。
请参阅图2，在本实施例中的InGaN/GaN多量子阱有源层5的生长过程中，组成第一量子阱层5a的InxGa1-xN/GaN量子阱，组成第二量子阱层5b的InyGa1-yN/GaN量子阱，组成第三量子阱层5c的InzGa1-zN/GaN量子阱，具有生长温度阶梯。InxGa1-xN/GaN量子阱、InyGa1-yN/GaN量子阱及InzGa1-zN/GaN量子阱的生长温度分别约为800℃、750℃及720℃。
本发明通过在外延生长发光层第三InGaN/GaN量子阱层5c前引入一组In组分在0～0.1之间的第一InGaN/GaN量子阱层5a，及In组分在0.1～0.2之间的第二InGaN/GaN量子阱层5b，在此基础上外延出出高质量的高In组分(In组分大于0.2)的第三InGaN/GaN量子阱发光层5c，其中第一InGaN/GaN量子阱层5a可以释放n型GaN层4和有源区5之间的应力，第二InGaN/GaN量子阱层5b的In组分比第三InGaN/GaN量子阱层5c中的要少很多，晶体质量比第三InGaN/GaN量子阱层5c好很多，能够较好地改善电学性质，第三InGaN/GaN量子阱层5c为发光层。此发明的多量子阱结构特别适应于高In组分的多InGaN/GaN量子阱结构的LED，可减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高发光效率。
经测试，采用此发明的多量子阱结构的LED，300微米×300微米的520nm的LED芯片的电致发光谱中是单峰，20mA下的亮度由200mcd升高至350mcd，芯片的正向工作电压不变，芯片的开启电压由2.0V提高至2.4V，芯片的抗静电能力由人体模式1000V提高至人体模式4000V。
以上实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案。不脱离本发明精神和范围的任何修改或局部替换，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (4)
1.一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，采用MOCVD方法，利用高纯NH3做N源，三甲基镓或三乙基镓做镓源，三甲基铟做铟源，三甲基铝做铝源，硅烷用作n型掺杂剂，二茂镁用作p型掺杂剂，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底并用H2处理，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层，所述GaN缓冲层包括非掺杂GaN层和掺Si的n型GaN层；
步骤2、将温度降低到650～850℃之间，载气切换为N2，在所述缓冲层上生长1至6个InxGa1-xN/GaN量子阱，其中，0＜x≤0.1，每层InxGa1-xN阱层厚度为2-5nm；接着生长1至6个InyGa1-yN/GaN量子阱，其中0.1＜y≤0.2，每层InyGa1-yN阱层厚度为1.5-5nm；再生长4至15个InzGa1-zN/GaN量子阱，其中0.2＜z＜1，每层InzGa1-zN阱层厚度为1-5nm；在上述制造过程中，三甲基镓的摩尔流量为0.1×10-5摩尔/分钟至1.5×10-5摩尔/分钟，三甲基铟的摩尔流量为1×10-5摩尔/分钟至10×10-5摩尔/分钟之间，NH3的流量为6升/分钟至30升/分钟；
步骤3、在高温下，以H2做载气，在所述InzGa1-zN/GaN量子阱上顺次生长p型AlGaN层和p型GaN层。
2.如权利要求1所述的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，其特征在于：步骤2中，所述InxGa1-xN/GaN量子阱个数为5个，量子阱阱层厚度为3nm，垒层厚度为10nm，x＝0.08。
3.如权利要求1所述的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，其特征在于：步骤2中，所述InyGa1-yN/GaN量子阱个数为4个，量子阱阱层厚度为3nm，垒层厚度为10nm，y＝0.15。
4.如权利要求1所述的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，其特征在于：所述InzGa1-zN/GaN量子阱个数为5个，量子阱阱层厚度为2.3nm，垒层厚度为10nm，z＝0.25。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100468415A CN101488550B (zh) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | 高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100468415A CN101488550B (zh) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | 高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101488550A CN101488550A (zh) | 2009-07-22 |
| CN101488550B true CN101488550B (zh) | 2010-10-13 |
Family
ID=40891328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009100468415A Expired - Fee Related CN101488550B (zh) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | 高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101488550B (zh) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102487113B (zh) * | 2010-12-02 | 2014-08-13 | 山东华光光电子有限公司 | 提高发光效率的GaN基LED外延片及其制备与应用 |
| CN102208500A (zh) * | 2011-05-20 | 2011-10-05 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 一种led外延生长方法和led外延结构 |
| JP5996846B2 (ja) | 2011-06-30 | 2016-09-21 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| CN102569567A (zh) * | 2012-03-21 | 2012-07-11 | 中国科学院半导体研究所 | 氮化物led外延结构的生长方法 |
| CN102738333B (zh) * | 2012-04-16 | 2013-07-10 | 江苏汉莱科技有限公司 | 一种绿光发光二极管及其制备方法 |
| CN102881788A (zh) * | 2012-09-26 | 2013-01-16 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种改善GaN基LED量子阱结构提高载子复合效率的外延生长方法 |
| CN102931303A (zh) * | 2012-10-22 | 2013-02-13 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 外延结构及其生长方法 |
| CN103258923B (zh) * | 2013-05-16 | 2016-03-30 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种GaN基LED发光效率的量子阱垒层生长方法 |
| CN103746052B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-08-17 | 太原理工大学 | 一种InGaN基多量子阱结构及其制备方法 |
| CN104319317B (zh) * | 2014-10-27 | 2017-04-12 | 苏州新纳晶光电有限公司 | 一种可有效提高p‑GaN空穴注入层质量的外延生产方法 |
| CN104617194B (zh) * | 2015-02-03 | 2018-12-11 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | GaN基LED外延结构的制备方法 |
| CN105355737B (zh) * | 2015-11-24 | 2018-03-13 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 高发光效率的量子阱组合led外延结构及其制备方法 |
| CN105702817B (zh) * | 2016-04-25 | 2018-07-27 | 安徽三安光电有限公司 | 一种发光二极管及其制备方法 |
| CN105845716B (zh) * | 2016-05-12 | 2019-01-29 | 西安电子科技大学 | 渐变In组分InGaN子量子阱的RTD二极管及工艺 |
| CN106057996A (zh) * | 2016-06-22 | 2016-10-26 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管的外延片及其生长方法 |
| CN106449915B (zh) * | 2016-10-11 | 2019-03-01 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片的生长方法 |
| CN106816501B (zh) * | 2017-01-12 | 2019-05-14 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法 |
| CN107188112B (zh) * | 2017-04-14 | 2019-10-01 | 南京邮电大学 | 一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法 |
| CN110504334A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-11-26 | 陕西科技大学 | 一种高In组分的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池 |
| CN113451455B (zh) * | 2020-11-26 | 2022-05-03 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | Led外延的制备方法及led外延结构与led芯片 |
| CN114142345B (zh) * | 2021-11-29 | 2024-04-30 | 中国科学院半导体研究所 | 一种氮化镓基激光器制备方法和氮化镓基激光器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6153894A (en) * | 1998-11-12 | 2000-11-28 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Group-III nitride semiconductor light-emitting device |
| EP1189289A1 (en) * | 1999-06-07 | 2002-03-20 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| CN101006590A (zh) * | 2004-07-27 | 2007-07-25 | 克里公司 | 具有含铟盖层结构的ⅲ族氮化物基量子阱发光器件结构 |
| CN101211999A (zh) * | 2006-12-29 | 2008-07-02 | 上海蓝光科技有限公司 | 发光二极管多量子阱的制作方法 |
| CN101343733A (zh) * | 2008-08-28 | 2009-01-14 | 上海蓝光科技有限公司 | Movcd生长氮化物外延层的方法 |
-
2009
- 2009-02-27 CN CN2009100468415A patent/CN101488550B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6153894A (en) * | 1998-11-12 | 2000-11-28 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Group-III nitride semiconductor light-emitting device |
| EP1189289A1 (en) * | 1999-06-07 | 2002-03-20 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| CN101006590A (zh) * | 2004-07-27 | 2007-07-25 | 克里公司 | 具有含铟盖层结构的ⅲ族氮化物基量子阱发光器件结构 |
| CN101211999A (zh) * | 2006-12-29 | 2008-07-02 | 上海蓝光科技有限公司 | 发光二极管多量子阱的制作方法 |
| CN101343733A (zh) * | 2008-08-28 | 2009-01-14 | 上海蓝光科技有限公司 | Movcd生长氮化物外延层的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| US 2003/0006418 A1,全文. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101488550A (zh) | 2009-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101488550B (zh) | 高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法 | |
| CN101488548B (zh) | 一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED | |
| CN101359710B (zh) | 一种绿光发光二极管的制造方法 | |
| CN103730552B (zh) | 一种提高led发光效率的外延生长方法 | |
| CN103824909B (zh) | 一种提高GaN基LED发光亮度的外延方法 | |
| CN102306691B (zh) | 一种提高发光二极管发光效率的方法 | |
| CN104409587B (zh) | 一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法 | |
| CN103811601B (zh) | 一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法 | |
| CN105070805A (zh) | 一种硅基氮化物紫外led外延结构及其实现方法 | |
| CN102185056A (zh) | 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 | |
| CN104051586A (zh) | 一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 | |
| CN101834248A (zh) | 氮化镓系发光二极管 | |
| CN104319330A (zh) | 一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法 | |
| CN100580966C (zh) | 一种绿光发光二极管 | |
| CN104576852A (zh) | 一种GaN基LED外延结构的发光量子阱应力调控方法 | |
| CN103996769A (zh) | Led外延层结构、生长方法及具有该结构的led芯片 | |
| CN106935690A (zh) | 一种提高紫外led光输出功率的外延结构 | |
| CN106328771A (zh) | 一种在金属氮化镓复合衬底上外延无裂纹高晶体质量led外延层的方法 | |
| CN101931036B (zh) | 一种氮化镓系发光二极管 | |
| CN104253181A (zh) | 一种具有多重垒层led外延结构 | |
| CN102044606A (zh) | 一种led外延片及其外延生长方法 | |
| CN110473940B (zh) | 紫外led的外延结构 | |
| CN106229389B (zh) | 一种在金属氮化镓复合衬底上制备发光二极管的方法 | |
| CN108878608A (zh) | 一种具有应变减少结构的InGaN量子点LED外延结构 | |
| CN108281519B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101013 |