CN102044606A - 一种led外延片及其外延生长方法 - Google Patents
一种led外延片及其外延生长方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102044606A CN102044606A CN2009101880667A CN200910188066A CN102044606A CN 102044606 A CN102044606 A CN 102044606A CN 2009101880667 A CN2009101880667 A CN 2009101880667A CN 200910188066 A CN200910188066 A CN 200910188066A CN 102044606 A CN102044606 A CN 102044606A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type
- layer
- thickness
- gallium nitride
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 267
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 124
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 23
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 24
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 24
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 204
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 18
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 17
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 17
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 16
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 16
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJJMWTODPMDKIL-UHFFFAOYSA-N C(Cl)Cl.[Mg] Chemical group C(Cl)Cl.[Mg] FJJMWTODPMDKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种LED外延片，其结构自下而上依次为蓝宝石衬底、低温氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓、n型氮化镓、多量子阱、p型氮化镓、p型铝镓氮、粗化的p型氮化镓和扩展电流层。其中扩展电流层可以嵌入p型氮化镓层、或者嵌入p型铝镓氮层，或者嵌入粗化的p型氮化镓层。其制造方法是在p型氮化镓层、p型铝镓氮层或者粗化的p型氮化镓层中嵌入生长扩展电流层，由于扩展电流层的禁带宽度较小，降低Mg的激活能，空穴进入发光区的数目增加，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，从而提高了LED的发光强度。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，涉及一种LED外延片及其外延生长方法，特别涉及在p型氮化镓生长过程中嵌入扩展电流层的LED外延片及其外延生长方法。
技术背景
LED的应用越来越广泛，主要应用于LCD屏背光、LED照明、LED显示。商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED的应用无不说明了III-V族元素所蕴藏的潜能。近十几年来为了开发高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入，但依然存在发光强度低的问题。降低器件及系统热阻，从而减低温度；优化LED外延结构，减少载流子泄漏，提高注入比，增加辐射复合效率，是提高led大功率下发光强度的两个主要途径。
GaN基材料的外延生长是发展GaN基高亮度LED和全固态半导体白光照明光源的核心技术，是所有关键难题中的重中之重，因此在这个问题上有大量专利被申请。在GaN基光电子器件中，大量的专利内容集中于发光区和p型掺杂的结构设计，发光层主要的组成不外乎是单层的量子阱或是多层的量子阱，而尽管制造LED的技术一直在进步，但发光区其发光层MQW的品质并没有成正比成长，其原因是MQW的位错密度比较大，垒和阱之间存在晶格失配产生的应力和极化电场，导致辐射复合效率比较低；p型掺杂的优化以及与MQW的匹配更是至关重要。
林振贤等人公开了一种发光二极管结构的制作方法(中国专利公开号CN101212002A)，其特征在于所述的多量子阱缓冲层包括一个或多个InGaN/GaN的复合结构，其中InGaN层结构中掺杂有SiH4。这种多量子阱缓冲层提高了GaN的晶体质量，从而提高发光二极管的出光效率和发光强度。但是这种结构也存在缺点：由于增加了多量子阱缓冲层，而且多量子阱掺Si，引入了n型杂质，使得P-N结偏离InGaN/GaN的多量子阱区，在发光二极管工作于正向偏压时，量子阱区的少数载流子为空穴，空穴在扩散过程中与电子复合发光，但由于空穴的迁移率很低，扩散长度很小，与电子复合发光的空穴数减少。因此进一步提高发光强度的方法是：增加空穴进入发光区的数目，提高了空穴在发光区的注入比，从而提高了LED的发光强度。刘一兵等人2008年在红外技术上发表了《基于GaN材料p型掺杂的研究进展》(《红外技术》，2008年第30卷第3期)，介绍了p型掺杂存在的问题，讨论了p型掺杂的激活方法和机理，综述了目前p型掺杂国内外的研究进展情况。目前，p型GaN的电学、光学和晶体学性质仍不尽人意，难以获得高质量的p型GaN成为阻碍GaN器件进一步发展和应用的重要原因。在p型GaN中，Mg的激活效率低，进入量子阱的空穴数目较少，空穴在发光区的注入比低，因而LED的发光强度低。本发明通过在氮化镓基p型层中嵌入扩展电流层，降低Mg的激活能，相同的电流下，空穴进入发光区的数目增加，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，从而提高了LED的发光强度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED外延片及其外延生长方法，以提高其发光强度。该方法通过在氮化镓基p型层中嵌入扩展电流层，降低Mg的激活能，相同的电流下，空穴进入发光区的数目增加，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，从而提高了发光强度。
本发明的技术方案是：一种LED外延片，其结构自下而上依次为蓝宝石衬底、低温氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型氮化镓层、p型铝镓氮层、粗化的p型氮化镓层和高掺杂的p型GaN基电极接触层。其中所述的LED外延片还包含扩展电流层，所述扩展电流层嵌入在p型氮化镓层、p型铝镓氮层或者粗化的p型氮化镓层中；所述扩展电流层总生长厚度为5～100nm，其中p型InGaN或者p型AlInGaN的厚度为2.5～50nm。
其中，当所述扩展电流层嵌入在p型氮化镓层或者粗化的p型氮化镓层中时，所述扩展电流层为1～10个循环周期的p型InGaN/p型GaN。
当所述扩展电流层嵌入在p型铝镓氮层中时，其中所述扩展电流层为1～10个循环周期的p型AlInGaN/p型GaN。
所述的LED外延片的外延生长方法，采用金属有机化合物化学气相沉积方法，其生长步骤依次为：
(1)在1000～1300℃下在H2环境中高温净化蓝宝石衬底5～10分钟；
(2)降温至450～550℃生长20～40nm厚度的低温氮化镓基缓冲层；
(3)升温至1050～1200℃生长1～3μm厚度的非掺杂氮化镓；
(4)同样的温度下，再生长1～3μm厚度的n型氮化镓层；
(5)降温至700～900℃，生长5～10个循环的InGaN/GaN的多量子阱层；
(6)升温至700～1200℃，生长总厚度为10～100nm的p型氮化镓层；
(7)同样的温度下，生长总厚度为10～100nm的p型铝镓氮层；
(8)升温至700～1200℃，生长总厚度为100～300nm的粗化的p型氮化镓；
(9)同样的温度下，生长10～30nm厚度的高掺杂的p型的GaN基电极接触层。
在所述的步骤(6)中，先生长第一层p型氮化镓层，再生长扩展电流层，最后再生长第二层p型氮化镓层，所述扩展电流层为p型InGaN/p型GaN，总生长厚度为5～100nm，p型InGaN的厚度为2.5～50nm。
本发明的另一种外延生长方案为：在所述的步骤(7)中，先生长第一层p型铝镓氮层，再生长扩展电流层，最后再生长第二层p型铝镓氮层，所述扩展电流层为p型AlInGaN/p型GaN，总生长厚度为5～100nm，p型AlInGaN的厚度为2.5～50nm。
本发明的再一种外延生长方案为：在所述的步骤(8)中，先生长第一层粗化的p型氮化镓层，再生长扩展电流层，最后再生长第二层粗化的p型氮化镓层，所述扩展电流层为p型InGaN/p型GaN，总生长厚度为5～100nm，p型InGaN的厚度为2.5～50nm。
采用上述步骤，在p型氮化镓层或者粗化的p型氮化镓层中嵌入扩展电流层时，扩展电流层由p型InGaN组成，InGaN的禁带宽度小，使得Mg在p型氮化镓中的激活能比较低，相同的电流下，空穴进入发光区的数目增加，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，从而提高了LED的发光强度；在p型铝镓氮层嵌入扩展电流层时，AlGaN的禁带宽度大，但是扩展电流层由p型AlInGaN组成，AlInGaN的禁带宽度比AlGaN小，使得Mg在p型铝镓氮中的激活能比较低，相同的电流下，空穴进入发光区的数目增加，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，从而提高了LED的发光强度。
本发明采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD，Metalorganic Chemical Vapor Deposition)生长，衬底选用(0001)晶向的蓝宝石，金属有机源分别是三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝(TMAl)和氨气(NH3)，n型掺杂剂为200ppm的H2携载的硅烷(SiH4)，p型掺杂剂为二茂镁(Cp2Mg)。外延层生长完毕后，将MOCVD外延炉的温度降至700～800℃，然后将反应室气氛切换成N2环境，对p型层进行退火，完成对p型层的激活。
外延片按照标准芯片工艺制作成45mil×45mil的以ITO为透明电极的芯片。对芯片光效率测试参照GJB 548A-1996《微电子器件试验方法和程序》，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到100lm左右。
本发明的优点在于：通过在氮化镓基p型层嵌入扩展电流层，有效提高了氮化镓基LED芯片的亮度。按标准芯片工艺制作的45mil×45mil的以ITO为透明电极的芯片，其芯片封装后的光效率达到100lm，未采用嵌入扩展电流层结构的芯片封装后的光效率达到80～90lm。
附图说明
图1为外延片主要结构示意图。
图2为外延片另一结构示意图。
图3为外延片又一结构示意图。
其中，
100：蓝宝石衬底；
101：低温氮化镓基缓冲层；
102：非掺杂氮化镓层；
103：n型掺杂氮化镓层；
104：多量子阱层；
105：p型氮化镓；
106：p型铝镓氮；
107：粗化的p型氮化镓；
108：扩展电流层；
109：高掺杂的p型GaN基电极接触层。
具体实施方式
外延片结构如图1所示的实施例如下：
实施例1采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1100℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至500℃生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1050℃，生长1μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1100℃，生长2μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长5个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为22nm，生长温度为900℃；InGaN阱层：厚度为1.3nm，生长温度为750℃。
6.升温至1000℃生长50nm厚度的p型氮化镓。
7.在此温度下，生长扩展电流层，10个循环的p型的InGaN/GaN，InGaN：厚度为5nm，GaN：厚度为5nm。
8.在此温度下生长10nm厚度的p型氮化镓。
9.降温至940℃生长10nm厚度的p型铝镓氮。
10.升温至1200℃生长300nm厚度的粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长25nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
实施例1生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到105lm。
实施例2采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1250℃，稳定6分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至550℃生长40nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1070℃，生长1μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1050℃，生长3μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长10个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为20nm，生长温度为850℃；InGaN阱层：厚度为1.0nm，生长温度为750℃。
6.升温至1000℃生长10nm厚度的p型氮化镓。
7.在此温度下，生长扩展电流层，1个循环的p型的InGaN/GaN，InGaN：厚度为25nm，GaN：厚度为25nm。
8.在此温度下生长15nm厚度的p型氮化镓。
9.降温至700℃生长100nm厚度的p型铝镓氮。
10.在700℃生长100nm厚度的粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长10nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
实施例2生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到101lm。
实施例3采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1050℃，稳定6分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至550℃生长30nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1200℃，生长1μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1050℃，生长3μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长8个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为20nm，生长温度为850℃；InGaN阱层：厚度为1.5nm，生长温度为740℃。
6.升温至800℃生长10nm厚度的p型氮化镓(p1)。
7.在此温度下，生长扩展电流层，2个循环的p型的InGaN/GaN，InGaN：厚度为20nm，GaN：厚度为10nm。
8.在此温度下生长15nm厚度的p型氮化镓。
9.降温至700℃生长100nm厚度的p型铝镓氮。
10.在700℃生长100nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长10nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
实施例3生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到98lm。
实施例4采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1050℃，稳定10分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至550℃生长40nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1180℃，生长3μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1050℃，生长3μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长10个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为18nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1.8nm，生长温度为740℃。
6.升温至800℃生长40nm厚度的p型氮化镓。
7.在此温度下，生长扩展电流层，5个循环的p型的InGaN/GaN，InGaN：厚度为5nm，GaN：厚度为10nm。
8.在此温度下生长15nm厚度的p型氮化镓。
9.升温至在1200℃生长100nm厚度的p型铝镓氮。
10.降温至1000℃生长150nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长25nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
实施例4生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到96lm。
实施例5采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1300℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至550℃生长40nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1180℃，生长3μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1050℃，生长3μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长6个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为18nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1.7nm，生长温度为700℃。
6.升温至700℃生长80nm厚度的p型氮化镓。
7.在此温度下，生长扩展电流层，5个循环的p型的InGaN/GaN，InGaN：厚度为10nm，GaN：厚度为10nm。
8.在此温度下生长15nm厚度的p型氮化镓。
9.升温至1200℃生长100nm厚度的p型铝镓氮。
10.降温至1000℃生长150nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长25nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
实施例5生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到110lm。
外延片结构如图2所示的实施例如下：
实施例6采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1130℃，稳定6分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至450℃生长40nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1100℃，生长2μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1100℃，生长1μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长10个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为18nm，生长温度为900℃；InGaN阱层：厚度为1.7nm，生长温度为700℃。
6.升温至1000℃生长10nm厚度的p型氮化镓。
7.升温至1200℃生长20nm厚度的p型铝镓氮。
8.在此温度下，生长扩展电流层，1个循环的p型的AlInGaN/GaN，AlInGaN：厚度为5nm，GaN：厚度为5nm。
9.在此温度下生长10nm厚度的p型铝镓氮。
10.降温至1000℃生长150nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长25nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
本实施例生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到98lm。
实施例7采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1130℃，稳定6分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至500℃生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1120℃，生长2μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1100℃，生长1μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长5个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为18nm，生长温度为900℃；InGaN阱层：厚度为1.7nm，生长温度为700℃。
6.升温至1000℃生长100nm厚度的p型氮化镓。
7.升温至1200℃生长20nm厚度的p型铝镓氮。
8.在此温度下，生长扩展电流层，4个循环的p型的AlInGaN/GaN，AlInGaN：厚度为10nm，GaN：厚度为5nm。
9.在此温度下生长10nm厚度的p型铝镓氮。
10.降温至1000℃生长100nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长25nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
本实施例生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到109lm。
实施例8采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1250℃，稳定10分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至500℃生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1140℃，生长3μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1200℃，生长2μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长10个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为18nm，生长温度为900℃；InGaN阱层：厚度为1.5nm，生长温度为720℃。
6.升温至1090℃生长100nm厚度的p型氮化镓。
7.降温至940℃生长20nm厚度的p型铝镓氮。
8.在此温度下，生长扩展电流层，5个循环的p型的AlInGaN/GaN，AlInGaN：厚度为5nm，GaN：厚度为5nm。
9.在此温度下生长20nm厚度的p型铝镓氮。
10.升温至1200℃生长200nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长30nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
本实施例生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到103lm。
实施例9采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1050℃，稳定7分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至500℃生长30nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1050℃，生长2μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1200℃，生长2μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长6个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为20nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1.4nm，生长温度为700℃。
6.升温至750℃生长20nm厚度的p型氮化镓。
7.升温至940℃生长50nm厚度的p型铝镓氮。
8.在此温度下，生长扩展电流层，2个循环的p型的AlInGaN/GaN，AlInGaN：厚度为10nm，GaN：厚度为5nm。
9.在此温度下生长20nm厚度的p型铝镓氮。
10.降温至700℃生长100nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长30nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
本实施例生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到110lm。
实施例10采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1100℃，稳定10分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至450℃生长30nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1060℃，生长2μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1200℃，生长2μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长10个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为20nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1.4nm，生长温度为750℃。
6.升温至850℃生长20nm厚度的p型氮化镓。
7.升温至1200℃生长50nm厚度的p型铝镓氮。
8.在此温度下，生长扩展电流层，1个循环的p型的AlInGaN/GaN，AlInGaN：厚度为2.5nm，GaN：厚度为2.5nm。
9.在此温度下生长20nm厚度的p型铝镓氮。
10.降温至700℃生长100nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长25nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
本实施例生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到98lm。
实施例11采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1250℃，稳定10分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至500℃生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1140℃，生长3μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1200℃，生长2μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长10个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为18nm，生长温度为900℃；InGaN阱层：厚度为1.5nm，生长温度为720℃。
6.升温至1090℃生长100nm厚度的p型氮化镓。
7.降温至940℃生长20nm厚度的p型铝镓氮。
8.在此温度下，生长扩展电流层，5个循环的p型的AlInGaN/GaN，AlInGaN：厚度为5nm，GaN：厚度为5nm。
9.在此温度下生长20nm厚度的p型铝镓氮。
10.升温至1200℃生长200nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长30nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
本实施例生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到110lm。
外延片结构如图3所示的实施例如下：
实施例12采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1100℃，稳定6分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至450℃生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1100℃，生长2μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1100℃，生长1μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长5个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为18nm，生长温度为900℃；InGaN阱层：厚度为1.7nm，生长温度为700℃。
6.升温至1000℃生长50nm厚度的p型氮化镓。
7.升温至1200℃生长20nm厚度的p型铝镓氮。
8.降温至1000℃生长150nm厚度的p型氮化镓。
9.在此温度下，生长扩展电流层，10个循环的p型的InGaN/GaN，InGaN：厚度为5nm，GaN：厚度为5nm。
10.在此温度下生长10nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长30nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
本实施例生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到98lm。
实施例13采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1250℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至550℃生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1070℃，生长2μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1060℃，生长3μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长8个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为20nm，生长温度为850℃；InGaN阱层：厚度为1.0nm，生长温度为750℃。
6.升温至1000℃生长10nm厚度的p型氮化镓。
7.降温至700℃生长100nm厚度的p型铝镓氮。
8.在700℃生长100nm厚度粗化的p型氮化镓。
9.在此温度下，生长扩展电流层，1个循环的p型的InGaN/GaN，InGaN：厚度为50nm，GaN：厚度为50nm。
10.在此温度下生长15nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长10nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
本实施例生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到108lm。
实施例14采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1100℃，稳定5分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至500℃生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1070℃，生长1μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1100，生长2μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长5个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为20nm，生长温度为900℃；InGaN阱层：厚度为1.3nm，生长温度为750℃。
6.升温至1000℃生长50nm厚度的p型氮化镓。
7.降温至940℃生长20nm厚度的p型铝镓氮。
8.升温至1200℃生长200nm厚度的p型氮化镓。
9.在此温度下，生长扩展电流层，8个循环的p型的InGaN/GaN，InGaN：厚度为5nm，GaN：厚度为5nm。
10.在此温度下生长10nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长25nm厚度的高掺杂p型6aN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
本实施例生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到97lm。
实施例15采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1050℃，稳定10分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至550℃生长40nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1180℃，生长2μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1050℃，生长1.5μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长8个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为22nm，生长温度为800℃；InGaN阱层：厚度为1.8nm，生长温度为740℃。
6.升温至800℃生长40nm厚度的p型氮化镓。
7.升温至1200℃生长100nm厚度的p型铝镓氮。
8.降温至升温至1000℃生长100nm厚度粗化的p型氮化镓。
9.在此温度下，生长扩展电流层，5个循环的p型的InGaN/GaN，InGaN：厚度为5nm，GaN：厚度为10nm。
10.在此温度下生长15nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长25nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
本实施例生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到100lm。
实施例16采用MOCVD生长外延片，从下到上依次生长：
1.将(0001)晶向的蓝宝石衬底放入反应室中，然后在H2环境中升温至1130℃，稳定6分钟，对衬底进行高温净化。
2.降温至500℃生长20nm厚度的低温氮化镓基缓冲层。
3.升温至1120℃，生长2μm厚度的非掺杂氮化镓层。
4.在1100℃，生长1μm厚度的n型掺杂氮化镓层。
5.在N2环境中生长5个循环的多量子阱层，GaN垒层：厚度为18nm，生长温度为900℃；InGaN阱层：厚度为1.7nm，生长温度为700℃。
6.升温至1000℃生长10nm厚度的p型氮化镓。
7.升温至1200℃生长20nm厚度的p型铝镓氮。
8.降温至1000℃生长100nm厚度的p型氮化镓。
9.在此温度下，生长扩展电流层，4个循环的p型的InGaN/GaN，InGaN厚度为10nm，GaN厚度为5nm。
10.在此温度下生长10nm厚度粗化的p型氮化镓。
11.在此温度下生长25nm厚度的高掺杂p型GaN电极接触层。
12.退火。
13.降温至室温，生长结束。
本实施例生长的GaN基外延片，提高了空穴在发光区的注入比，增加了与电子复合发光的空穴数，提高了LED的发光强度，对45mil×45mil的芯片进行测试，封装后光效率可达到97lm。
Claims (6)
1.一种LED外延片，其结构自下而上依次为蓝宝石衬底、低温氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型氮化镓层、p型铝镓氮层、粗化的p型氮化镓层和高掺杂的p型GaN基电极接触层，其特征在于所述LED外延片还包含扩展电流层，所述扩展电流层嵌入在p型氮化镓层、p型铝镓氮层或者粗化的p型氮化镓层中；
其中所述扩展电流层为1～10个循环周期的p型InGaN/p型GaN，或者为1～10个循环周期的p型AlInGaN/p型GaN；
所述扩展电流层总生长厚度为5～100nm，所述扩展电流层中的p型InGaN或者p型AlInGaN的厚度为2.5～50nm。
2.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述扩展电流层嵌入在p型氮化镓层或者p型铝镓氮层中，所述扩展电流层为1～10个循环周期的p型InGaN/p型GaN。
3.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述扩展电流层嵌入在粗化的p型氮化镓层中，其中所述扩展电流层为1～10个循环周期的p型AlInGaN/p型GaN。
4.根据权利要求1或2所述的LED外延片的外延生长方法，采用金属有机化合物化学气相沉积方法，其生长步骤依次为：
(1)在1000～1300℃下在H2环境中高温净化蓝宝石衬底5～10分钟；
(2)降温至450～550℃生长20～40nm厚度的低温氮化镓基缓冲层；
(3)升温至1050～1200℃生长1～3μm厚度的非掺杂氮化镓；
(4)同样的温度下，再生长1～3μm厚度的n型氮化镓层；
(5)降温至700～900℃，生长5～10个周期的InGaN/GaN的多量子阱层；
(6)升温至700～1200℃，生长总厚度为10～100nm的p型氮化镓层；
(7)同样的温度下，生长总厚度为10～100nm的p型铝镓氮层；
(8)升温至700～1200℃，生长总厚度为100～300nm的粗化的p型氮化镓；
(9)同样的温度下，生长10～30nm厚度的高掺杂的p型的GaN基电极接触层。
其特征在于，在所述的步骤(6)中，先生长第一层p型氮化镓层，再生长扩展电流层，最后再生长第二层p型氮化镓层，所述扩展电流层为p型InGaN/p型GaN，总生长厚度为5～100nm，p型InGaN的厚度为2.5～50nm。
5.根据权利要求4所述的LED外延片的外延生长方法，其特征在于，在所述的步骤(8)中，先生长第一层粗化p型氮化镓层，再生长扩展电流层，最后再生长第二层粗化p型氮化镓层，所述扩展电流层为p型InGaN/p型GaN，总生长厚度为5～100nm，p型InGaN的厚度为2.5～50nm。
6.根据权利要求1或3所述的LED外延片的外延生长方法，采用金属有机化合物化学气相沉积方法，其生长步骤依次为：
(1)在1000～1300℃下在H2环境中高温净化蓝宝石衬底5～10分钟；
(2)降温至450～550℃生长20～40nm厚度的低温氮化镓基缓冲层；
(3)升温至1050～1200℃生长1～3μm厚度的非掺杂氮化镓；
(4)同样的温度下，再生长1～3μm厚度的n型氮化镓层；
(5)降温至700～900℃，生长5～10个周期的InGaN/GaN的多量子阱层；
(6)升温至700～1200℃，生长总厚度为10～100nm的p型氮化镓层；
(7)同样的温度下，生长总厚度为10～100nm的p型铝镓氮层；
(8)升温至700～1200℃，生长总厚度为100～300nm的粗化的p型氮化镓；
(9)同样的温度下，生长10～30nm厚度的高掺杂的p型的GaN基电极接触层。
其特征在于，在所述的步骤(7)中，先生长第一层p型铝镓氮层，再生长扩展电流层，最后再生长第二层p型铝镓氮层，所述扩展电流层为p型AlInGaN/p型GaN，总生长厚度为5～100nm，p型AlInGaN的厚度为2.5～50nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009101880667A CN102044606A (zh) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 一种led外延片及其外延生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009101880667A CN102044606A (zh) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 一种led外延片及其外延生长方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102044606A true CN102044606A (zh) | 2011-05-04 |
Family
ID=43910585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009101880667A Pending CN102044606A (zh) | 2009-10-22 | 2009-10-22 | 一种led外延片及其外延生长方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102044606A (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102427103A (zh) * | 2011-09-16 | 2012-04-25 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体led外延片及其生长方法以及包括其的led显示装置 |
| CN102437262A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-05-02 | 南昌黄绿照明有限公司 | 一种氮化物发光二极管结构 |
| CN102683521A (zh) * | 2012-06-04 | 2012-09-19 | 泉州市博泰半导体科技有限公司 | 发光二极管的制造方法 |
| CN103050593A (zh) * | 2011-10-17 | 2013-04-17 | 大连美明外延片科技有限公司 | AlGaInP四元系发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN103996765A (zh) * | 2012-12-18 | 2014-08-20 | 大连路美芯片科技有限公司 | 一种提高内量子效率的led外延结构及生长方法 |
| CN104716237A (zh) * | 2013-12-17 | 2015-06-17 | 比亚迪股份有限公司 | 一种GaN基LED外延片及其制备方法 |
| CN106098886A (zh) * | 2012-08-29 | 2016-11-09 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种氮化镓基外延片及生长方法 |
| CN109300851A (zh) * | 2018-09-03 | 2019-02-01 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种具有Al和In掺杂生长的低温P型GaN外延片 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1862843A (zh) * | 2005-05-11 | 2006-11-15 | 厦门大学 | 氮化镓基蓝光发光二极管 |
| JP2007088351A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード用エピタキシャルウェハおよび発光ダイオード |
| JP4306015B2 (ja) * | 1999-05-18 | 2009-07-29 | 昭和電工株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| CN101521258A (zh) * | 2009-03-27 | 2009-09-02 | 武汉华灿光电有限公司 | 一种提高发光二极管外量子效率的方法 |
| CN101540364A (zh) * | 2009-04-23 | 2009-09-23 | 厦门大学 | 一种氮化物发光器件及其制备方法 |
-
2009
- 2009-10-22 CN CN2009101880667A patent/CN102044606A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4306015B2 (ja) * | 1999-05-18 | 2009-07-29 | 昭和電工株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| CN1862843A (zh) * | 2005-05-11 | 2006-11-15 | 厦门大学 | 氮化镓基蓝光发光二极管 |
| JP2007088351A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード用エピタキシャルウェハおよび発光ダイオード |
| CN101521258A (zh) * | 2009-03-27 | 2009-09-02 | 武汉华灿光电有限公司 | 一种提高发光二极管外量子效率的方法 |
| CN101540364A (zh) * | 2009-04-23 | 2009-09-23 | 厦门大学 | 一种氮化物发光器件及其制备方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102427103A (zh) * | 2011-09-16 | 2012-04-25 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体led外延片及其生长方法以及包括其的led显示装置 |
| CN102427103B (zh) * | 2011-09-16 | 2014-08-27 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体led外延片及其生长方法以及包括其的led显示装置 |
| CN103050593A (zh) * | 2011-10-17 | 2013-04-17 | 大连美明外延片科技有限公司 | AlGaInP四元系发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN102437262A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-05-02 | 南昌黄绿照明有限公司 | 一种氮化物发光二极管结构 |
| CN102437262B (zh) * | 2011-11-24 | 2013-04-17 | 南昌黄绿照明有限公司 | 一种氮化物发光二极管结构 |
| CN102683521A (zh) * | 2012-06-04 | 2012-09-19 | 泉州市博泰半导体科技有限公司 | 发光二极管的制造方法 |
| CN102683521B (zh) * | 2012-06-04 | 2015-11-25 | 泉州市博泰半导体科技有限公司 | 发光二极管的制造方法 |
| CN106098886A (zh) * | 2012-08-29 | 2016-11-09 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种氮化镓基外延片及生长方法 |
| CN103996765A (zh) * | 2012-12-18 | 2014-08-20 | 大连路美芯片科技有限公司 | 一种提高内量子效率的led外延结构及生长方法 |
| CN104716237A (zh) * | 2013-12-17 | 2015-06-17 | 比亚迪股份有限公司 | 一种GaN基LED外延片及其制备方法 |
| CN104716237B (zh) * | 2013-12-17 | 2017-08-04 | 比亚迪股份有限公司 | 一种GaN基LED外延片及其制备方法 |
| CN109300851A (zh) * | 2018-09-03 | 2019-02-01 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种具有Al和In掺杂生长的低温P型GaN外延片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101645480B (zh) | 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 | |
| CN101488550B (zh) | 高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法 | |
| CN105633235B (zh) | 一种n型GaN结构的GaN基LED外延结构及生长方法 | |
| CN104409586B (zh) | GaN基Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体LED外延片及生长方法 | |
| CN103824909B (zh) | 一种提高GaN基LED发光亮度的外延方法 | |
| CN104538517B (zh) | 一种具有n型超晶格结构的LED外延结构及其生长方法 | |
| CN106229390B (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法 | |
| CN105355737B (zh) | 高发光效率的量子阱组合led外延结构及其制备方法 | |
| CN103515495B (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法 | |
| CN103996769B (zh) | Led外延层结构、生长方法及具有该结构的led芯片 | |
| CN102044606A (zh) | 一种led外延片及其外延生长方法 | |
| CN104716236B (zh) | 一种提高发光效率的GaN基LED外延结构及生长方法 | |
| CN105742415B (zh) | 紫外GaN基LED外延结构及其制造方法 | |
| CN102832306A (zh) | 一种高亮度发光二极管的外延结构及其实现方法 | |
| CN102664145A (zh) | 采用金属有机化合物气相外延技术生长非对称电子储蓄层高亮度发光二极管的方法 | |
| CN108091740A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN101728472A (zh) | 一种多层led芯片结构及其制备方法 | |
| CN108550665A (zh) | 一种led外延结构生长方法 | |
| CN104332544A (zh) | 一种提高led发光效率的外延生长方法 | |
| CN114883460A (zh) | 发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN103579428B (zh) | 一种led外延片及其制备方法 | |
| CN106229389B (zh) | 一种在金属氮化镓复合衬底上制备发光二极管的方法 | |
| CN106910802B (zh) | 一种实现短波长紫外led的外延结构 | |
| CN105428477A (zh) | GaN基LED外延片及其制备方法 | |
| CN110416374B (zh) | 发光二极管外延片及其生长方法、发光二极管、显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110504 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |