CN101308299B - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种液晶显示器件包括彼此交叉以限定像素区域的栅线和数据线、位于栅线和数据线的交叉处的薄膜晶体管、位于所述像素区域的相对侧且平行于栅线延伸的第一和第二公共线、连接到所述第一公共线并具有延伸至像素区域的公共指状部分的公共电极，且每个公共指状部分的端部与第二公共线重叠、以及连接到薄膜晶体管的漏极并具有延伸至像素区域且与第一公共线重叠的像素指状部分的像素电极。

Description

液晶显示器件及其制造方法

本申请要求享有于2007年5月14日递交的韩国专利申请No.10-2007-046694和于2007年7月25日递交的韩国专利申请No.10-2007-074487的权益，这里引入其全部内容作为参考。 

技术领域

本发明的实施例涉及一种显示器件，尤其涉及一种液晶显示(“LCD”)器件及其制造方法。尽管本发明的实施例适用范围很广泛，但尤其适用于液晶显示器件中改进的透射率。 

背景技术

液晶显示器(“LCD”)控制施加到液晶单元上的电场以调节入射到液晶单元上的光，从而显示图像。液晶显示器根据驱动液晶材料的电场的方向可分为垂直电场型液晶显示器或水平电场型液晶显示器。 

在垂直电场型液晶显示器中，当电压施加到上基板和下基板上彼此相对的像素电极和公共电极上时，电场施加到电极之间的整个液晶材料上。垂直电场型液晶显示器具有视角狭窄的缺陷。 

在水平电场型液晶显示器中，当向相同的基板上的像素电极和公共电极施加电压时，电场施加到电极之间的整个液晶材料上。与垂直电场型液晶显示器相比，水平电场型液晶显示器具有视角广阔的优点。 

水平电场型液晶显示器包括连接到滤色片基板的薄膜晶体管基板以使两基板相对，在两个基板之间保持一个盒间隙的衬垫料，以及在盒间隙内的液晶材料。该薄膜晶体管基板包括在每个单元内产生水平电场的信号线和薄膜晶体管，在信号线和薄膜晶体管上设置以对液晶材料取向的定向膜。该滤色片基板包括呈现色彩的滤色片、避免漏光的黑矩阵和位于滤色片和黑矩阵上方以对液晶材料取向的定向膜。 

图1是描述依照现有技术的水平电场型液晶显示器的薄膜晶体管基板的图。如图1所示，现有技术的液晶显示器薄膜晶体管基板包括：互相交叉以限 定像素区域的栅线2和数据线4；在相关的栅线2之一和相关的数据线4之一的每个交叉处的薄膜晶体管6；在像素区域内分别平行于栅线2延伸的第一公共线16a和第二公共线16b；分别连接到第一公共线16a并用指状部分18b在像素区域上延伸的公共电极18；以及在像素区域上延伸的像素电极14，其分别连接到相关的薄膜晶体管6之一的漏极上，并与公共电极18的指状部分18b交替排列。 

使用与栅线2相同的不透明金属在形成栅线2的同时形成第一和第二公共线16a和16b。第一和第二公共线16a和16b连接到公共电极18并向公共电极18提供公共电压。 

图1中所示的液晶显示器还包括连接第一非透明公共线16a与第二非透明公共线16b的连接线16c。平行于数据线4延伸的连接线16c由与第一和第二公共线16a和16b一样的非透明材料制成以避免在液晶显示器的驱动期间像素区域漏光。 

响应栅线2的扫描脉冲，薄膜晶体管6向像素区域中的像素电极14施加来自数据线4的数据信号。此操作中，薄膜晶体管6包括连接到栅线2的栅极8，连接到数据线4的源极10和连接到像素电极14的漏极12。薄膜晶体管6还包括在栅极8上面源极10和漏极12之间形成沟道的有源层(图中未示出)，以及允许通过源极10和漏极12欧姆连接到有源层的欧姆接触层(图中未示出)。 

公共电极18通过接触孔17连接到第一公共线16a，且包括平行于栅线2延伸的底部18a和从底部18a延伸到像素区域的多个指状部分18b。公共电极18由透明金属制成。 

像素电极14包括通过接触孔13连接到薄膜晶体管6的漏极12并平行于栅线2延伸的第一像素电极14a，以及从第一像素电极14a向像素区域延伸并与公共电极18的指状部分18b交替排列的多个第二像素电极14b。像素电极14由与公共电极18相同的透明金属制成。第一像素电极14a与带有绝缘层(图中未示出)的第二非透明公共线16b重叠以形成存储电容。 

可在通过薄膜晶体管6接收数据信号的第二像素电极14b和通过第一公共线16a接收公共电压的公共电极18的指状部分18b之间施加水平电场。由于介电各向异性的存在，此水平电场使得原先在像素区域中水平方向排列的液 晶分子旋转。此外，通过像素区域透射的光的透射率根据液晶分子的旋转角度变化，从而实现灰度级。然而，如图1中区域A和B所示，在现有技术的液晶显示器中，透射率在第二像素电极14b的端部和公共电极18的指状部分18b的端部恶化。 

图2是描述当施加电场时发生在区域A中的透射率恶化的现象的图。如图2所示，区域A中的液晶分子20不仅被公共电极18的指状部分18b和第二像素电极14b之间施加的电场驱动，同时也被公共电极18的底部18a和第二像素电极14b之间的电场驱动。同时，具有以直角交叉的透射轴以控制透光率的偏振板分别安装在液晶显示器的上部和下部。在驱动液晶分子20期间，在区域A和B中偏振板的透射轴不对应于液晶分子20的取向的情况下，与其他区域相比光不被透射，并因此对比度和亮度降级。 

发明内容

因此，本发明的实施例涉及一种液晶显示(“LCD”)器件及其制造方法，其能够充分消除现有技术的限制和缺陷。 

本发明实施例的一个目的是提供一种提高孔径比并能避免像素电极和公共电极的端部亮度恶化的液晶显示器(“LCD”)面板及其制造方法。 

在下面的描述中将列举本发明实施例的附加特征和优势，其中部分可从描述中明显的看出来，或借鉴本发明实施例的实践。通过书面描述和权利要求以及附图特别指出的结构可以实现并获得本发明实施例的目的和其它优势。 

为实现这些以及其它优势，并根据本发明实施例的目的，如具体并广泛的描述的那样，一种液晶显示器件包括彼此交叉以限定像素区域的栅线和数据线，位于栅线和数据线的交叉处的薄膜晶体管，位于所述像素区域的相对侧且平行于栅线延伸的第一和第二公共线，连接到所述第一公共线并具有延伸至像素区内的公共指状部分的公共电极，且每个公共指状部分的端部与第二公共线重叠，以及连接到薄膜晶体管的漏极并具有延伸至像素区内且与第一公共线重叠的的像素指状部分的像素电极。 

另一方面，一种液晶显示器件包括彼此交叉以限定像素区域的栅线和数据线，位于栅线和数据线的交叉处的薄膜晶体管，位于像素区域的相对侧并与栅线平行延伸的第一和第二公共线，连接到第一公共线并具有延伸至像素区域内的公共指状部分且与第二公共线重叠的公共电极，以及连接到薄膜晶体管的 漏极并具有延伸至像素区内的像素指状部分的像素电极。 

另一方面，一种制造液晶显示器件的方法包括：在基板上对栅极、栅线和公共线构图，其中在基板上对栅极、栅线和公共线构图包括形成平行于栅线延伸的第一和第二公共线；对栅绝缘膜、有源层、欧姆接触层、源极和漏极构图；对具有通往第一公共线的第一接触孔和通往漏极的第二接触孔的钝化层构图；形成通过第一接触孔连接到第一公共线并具有公共指状部分的公共电极，其中，形成公共电极包括形成公共指状部分以与第二公共线重叠；以及形成通过第二接触孔连接到漏极并具有与第一公共线重叠的像素指状部分的像素电极。 

在另一个实施例中，一种液晶显示器件包括在第一基板上彼此交叉以限定像素区域的第一栅线和数据线，位于该交叉处的薄膜晶体管，在像素区域内交替排列的公共电极和像素电极，以及与像素电极重叠的公共电极，其中绝缘膜夹在公共电极和像素电极之间，其中，像素电极具有重叠邻近像素区域的第二栅线的延伸部分，以及重叠第二栅线的延伸部分中的开口。 

应理解前面的概要描述和下面的详细描述都是示意性和说明性的，意在提供对本发明实施例的进一步说明。 

附图说明

引入并构成本说明的一部分，同时提供了对本发明实施例的进一步理解的附图描述了本发明的实施例，并连同本说明一起描述了本发明实施例的原理。在图中： 

图1是描述现有技术中液晶显示器件的图； 

图2是描述图1中区域A的图； 

图3是描述根据本发明的第一实施例的液晶显示器件的图； 

图4是沿图3中线I-I’获取的横截面图； 

图5是描述根据本发明的第二实施例的液晶显示器件的图； 

图6是沿图5中线II-II’获取的横截面图； 

图7a到7d是描述根据本发明的第二实施例的液晶显示器件制造方法的图； 

图8是描述根据本发明的第三实施例的共平面液晶显示器的像素结构的图； 

图9是沿图8中线III-III’获取的横截面图；以及 

图10是描述根据本发明的第三实施例的根据液晶显示器件内像素区域中 电场的液晶的旋转方向图。 

具体实施方式

现在详细参考附图中描述的本发明的优选实施例。然而，本发明可以多种不同的方式实施，不应理解为仅限于这里列举的实施方式；而且，这些实施例的提供使得本公开彻底而完整，并向本领域技术人员充分传达了本发明的原理。图中，各层和各区域的厚度为了清楚起见均进行了放大。图中相同的图标表示相同的元件。 

图3描述了根据本发明的第一实施例的液晶显示器件的薄膜晶体管基板。图4为沿着图3中I-I’线获取的横截面图。如图3和图4所示，根据第一实施例的液晶显示器薄膜晶体管包括：彼此交叉以限定像素区域的栅线102和数据线104；位于栅线102和数据线104的交叉处的薄膜晶体管106；平行于栅线102延伸并与数据线104交叉的非透明公共线116；连接到非透明公共线116并具有延伸至像素区内的公共指状部分118b的透明公共电极118；以及连接到薄膜晶体管106的漏极并具有延伸至像素区域内，且与公共指状部分118b交替排列的像素指状部分114b的像素电极114。使用与栅线102同样的非透明金属在形成栅线102的同时形成非透明公共线116。非透明公共线116连接到透明公共电极118以向透明公共电极118提供公共电压。 

响应栅线102的扫描脉冲，薄膜晶体管106通过数据线104向像素电极114施加数据信号，从而允许数据电压充入到像素电极114上。此操作中，薄膜晶体管116包括连接到栅线102的栅极108，连接到数据线104的源极110，以及连接到像素电极114的漏极112。此外，薄膜晶体管106包括在栅极108上面、源极110和漏极112之间形成沟道的有源层148，以及允许通过源极110和漏极112欧姆接触到有源层的欧姆接触层150。 

透明公共电极118由透明金属构成，且包括底部118a和多个公共指状部分118b。底部118a通过公共接触孔117连接到非透明公共线116，并平行于栅线102。公共指状部分118b从底部118a延伸至像素区域内。 

像素电极114由与透明公共电极118相同的透明金属制成。像素电极114包括透明底部像素电极114a和多个透明像素指状部分114b。该透明底部像素电极114a通过像素接触孔113连接到薄膜晶体管106的漏极112，并与栅线 102平行。透明像素指状部分114b与公共指状部分118b交替排列，同时从透明底部像素电极114a延伸至像素区域。透明像素指状部分114b的端部与非透明公共线116重叠，这样现有技术中区域A被移动以位于非透明公共线116上面。在本发明的第一实施例中，公共指状部分118b可具有倾斜的端部。此外，透明像素指状部分114b也可具有倾斜的端部。此外，透明底部像素电极114a可包括直接面对公共指状部分118b的倾斜端部的同一侧的相应的边缘。在另一个可选实施例中，公共底部l18a可包括直接面对透明像素指状部分114b的倾斜端部的同一侧的相应的边缘。 

因此，在通过薄膜晶体管106接收数据信号的透明像素指状部分114b之一和通过非透明公共线116接收公共电压的透明公共电极118的公共指状部分118b之一之间施加水平电场。由于介电各向异性，此水平电场使得像素区域内沿水平方向排列的液晶分子旋转。此外，透射到像素区域的光的透射率根据液晶分子的旋转角度变化，从而表示灰度。 

在根据本发明第一实施例的液晶显示器件的像素区域中，透明像素电极114的透明指状部分114b与透明公共电极118的公共指状部分118b交替排列的区域对应于显示部分。另一方面，由非透明金属制成的非透明公共线116所在的区域对应于非显示部分。换句话说，根据第一实施例的液晶显示器件，与非透明公共线116的透明指状部分114b重叠的端部位于非显示部分中。因此，在依照本发明第一实施例的液晶显示器件中，现有技术液晶显示器中发生透光率恶化的透明像素指状部分114b的端部位于非显示部分中，从而提高透光率。 

图5是描述根据本发明的第二实施例的液晶显示器件的薄膜晶体管基板的图。图6是沿图5中线II-II’获取的横截面图。如图5和图6所示，根据本发明第二实施例的液晶显示器件薄膜晶体管基板包括：彼此交叉以限定像素区域的栅线102和数据线104；位于栅线102和数据线104的交叉处的薄膜晶体管106；位于像素区的相对侧并平行于栅线102延伸的一对平行非透明公共线116a和116b；连接到非透明公共线116a并具有延伸至像素区的公共指状部分118b的透明公共电极118；以及连接到薄膜晶体管106的漏极并具有延伸至像素区且与公共指状部分118b交替排列的像素指状部分114b的像素电极114。使用与栅线102同样的非透明金属在形成栅线102的同时形成非透明公 共线116a和116b。非透明公共线116a连接到透明公共电极118以向透明公共电极118提供公共电压。 

根据本发明的第二实施例，该液晶显示器件薄膜晶体管基板也可包括位于像素区域两侧的连接线116c，以连接第一非透明公共线116a和第二非透明公共线116b。所述连接线116c平行于数据线104延伸，且由与第一和第二非透明公共线116a和116b相同的非透明金属制成，以避免液晶显示器件驱动过程中像素区域的光漏。 

响应栅线102的扫描脉冲，薄膜晶体管106将数据信号通过数据线104施加到像素电极114。此操作中，所述薄膜晶体管106包括连接到栅线102的栅极108，连接到数据线104的源极110，以及连接到像素电极114的漏极112。此外，薄膜晶体管106包括在栅极108之上、源极11O和漏极112之间形成沟道的有源层148，和允许有源层148欧姆连接到源极110和漏极112的欧姆接触层150。 

透明公共电极118由透明金属制成，且包括底部118a和多个公共指状部分118b。底部118a通过公共接触孔117连接到第一非透明公共线116a，并平行于栅线102。公共指状部分118b从底部118a延伸至像素区域。每个公共指状部分118b的端部与第二非透明公共线116b重叠，使得栅绝缘膜144和钝化膜146夹在指状部分118b和第二非透明公共线116b之间。 

透明像素电极114由与公共电极118相同的透明金属制成，且包括透明底部像素电极114a和多个透明像素指状部分114b。该透明底部像素电极114a通过像素接触孔113连接到薄膜晶体管106的漏极112，并平行于栅线102延伸。透明像素指状部分114b与公共指状部分118b交替排列，同时从透明底部像素电极114a延伸至像素区域。透明像素指状部分114b的端部与第一非透明公共线116a重叠，使得现有技术中的区域A移动以位于第一非透明公共线116a上。此外，公共指状部分118b的端部与第二非透明公共线116b重叠，使得现有技术中的区域B移动以位于第二非透明公共线116b上。 

在第二实施例中，公共指状部分118b可具有倾斜的端部。而且，透明像素指状部分114b可具有倾斜的端部。此外，透明底部像素电极114a可包括直接面对公共指状部分118b的倾斜端部的同一侧的相应边缘。在另一备选实施例中，该公共底部118a可包括直接面对透明像素指状部分114b的倾斜端部的 同一侧的相应边缘。 

可在通过薄膜晶体管106接收数据信号的像素电极114的像素指状部分114b和通过第一非透明公共线116a接收公共电压的公共电极118的公共指状部分118b之间施加水平电场。此水平电场使得像素区域中沿水平方向排列的液晶分子由于介电各向异性而旋转。此外，透射到像素区域的光的透射率根据液晶分子的旋转角度变化，从而实现灰度。 

在根据本发明的第二实施例的液晶显示器的像素区域中，由透明金属制成的像素指状部分114b与透明公共电极118的公共指状部分118b交替排列的区域对应于显示部分C。第一和第二非透明公共线116a和116b以及由非透明金属制成的连接线116c的区域对应于非显示部分。换句话说，在第二实施例的液晶显示器件中，与第一非透明公共线116a重叠的像素电极114的像素指状部分114b的端部，以及与第二非透明公共线116b重叠的透明公共电极118的公共指状部分118b的端部都位于非显示部分中。因此，在依照本发明的第二实施例的液晶显示器件中，现有技术的液晶显示器中发生透光率恶化的区域位于非显示部分中，从而提高透光率。 

下面描述依照本发明的实施例的液晶显示器件的制造方法。图7a到7d是描述图5和图6中所示的薄膜晶体管基板的制造工艺的截面图。下面将参考图6以及图7a到7d描述依照本发明的第二实施例的液晶显示器件的制造方法。参考附图，将制造方法描述为4轮掩模工艺，但依照本发明实施例的液晶显示器件无论掩模工艺中掩模数是多少均适用。 

如图7a所示，包括栅线102、栅极108、以及第一和第二非透明公共线116a和116b的非透明栅金属图案利用第一掩模工艺在基板142上形成。更具体地，通过沉积如溅射，在基板142上形成非透明栅金属层。然后，利用第一掩模依照光刻和蚀刻工艺对非透明栅金属层构图，以形成非透明栅金属图案，包括栅线102、栅极108、以及第一和第二非透明公共线116a和116b。此时，可进一步形成连接第一非透明公共线116a和第二非透明公共线116b的连接线116c。栅金属层可以是由诸如铝、钼或铬的金属构成的单层或双层。 

如图7b所示，栅绝缘膜144涂敷在具有非透明金属图案的基板142的整个表面上。利用第二掩模工艺在栅绝缘膜144上形成包括有源层148和欧姆接触层150的半导体图案，以及包括源极110和漏极112的源/漏金属图案。更 具体地，栅绝缘膜144、非晶硅层、n+非晶硅层以及源/漏金属层随后利用诸如PECVD或溅射的沉积方法在具有非透明栅金属图案的基板142上依次形成。这里使用的栅绝缘膜144的材料是一种无机绝缘体，如SiOx、SiNx。源/漏金属层可为由诸如铝、钼或铬的金属构成的单层或双层。然后利用第二掩模通过光刻工艺在源/漏金属层上形成具有阶梯的光刻胶图案。源/漏金属层利用具有阶梯的光刻胶图案通过蚀刻工艺构图，以形成包括数据线104、源极110、以及与源极110一体形成的漏极112的源/漏金属图案。利用同样的光刻胶图案通过干刻工艺同时对n+非晶硅层和非晶硅层构图，以形成欧姆接触层150和有源层148。随后，灰化光刻胶图案，并将暴露的源/漏金属图案与欧姆接触层150一起蚀刻，以将源极110和漏极112隔开，并且剥离由此产生的结构以移除残留在源/漏金属图案上的光刻胶图案。 

如图7c所示，具有像素接触孔113和公共接触孔117的钝化膜146利用第三掩模工艺在具有源/漏金属图案的栅绝缘膜144上形成。更具体地，钝化膜146通过诸如PECVD的沉积方法在具有源/漏金属图案的栅绝缘膜144的整个表面上形成。随后，利用第三掩模依照光刻工艺和蚀刻工艺对钝化膜146构图，以形成像素接触孔113和公共接触孔117。像素接触孔113穿过钝化膜146以使漏极112暴露于外部，公共接触孔117穿过钝化膜146和栅绝缘膜144以使第一非透明公共线116a暴露于外部。这里使用的钝化膜146的材料可为与栅绝缘膜144相同的无机绝缘体，例如具有低介电常数的基于丙烯酸的有机化合物，或诸如BCB或PFCB的有机绝缘体。 

如图7d所示，具有透明公共电极118和透明像素电极114的透明导电图案在钝化膜146上形成。更具体地，透明导电膜通过诸如溅射的沉积方法涂敷到钝化膜146的上表面上。然后，利用第四掩模依照光刻工艺和蚀刻工艺对透明导电膜构图，以形成具有透明公共电极118和透明像素电极114的透明导电图案。透明公共电极118的底部118a连接到通过公共接触孔117暴露的第一非透明公共线116a。此外，透明像素电极114的第一像素电极114a连接到通过像素接触孔113暴露的漏极112。透明公共电极118的指状部分118b的端部与第二非透明公共线116b重叠。透明像素电极114的第二像素电极114b的端部与第一非透明公共线116a重叠。透明导电膜可由诸如氧化铟锡(ITO)的材料制成。 

这样制造的薄膜晶体管基板与具有黑矩阵中的滤色片和定向层的滤色片基板粘接，以形成依照本发明的实施例的液晶显示器件的液晶显示面板。 

在依照本发明的优选实施例的液晶显示器件及其制造方法中，引起透光率恶化的像素电极和公共电极的端部位于非显示部分中，同时与非透明公共线重叠，从而提高透光率。然而，这样的液晶显示器件在两个相邻的像素边界处可能具有漏光的缺陷，在该边界处，像素中的像素电极延伸至相邻像素的栅线。 

下面将更详细的描述这样一种液晶显示器。 

图8是描述根据本发明的第三实施例的共平面液晶显示器件的像素结构的图。如图8所示，栅线G1和数据线D1彼此交叉以限定像素区P，作为开关器件的薄膜晶体管位于栅线G1和数据线D1的交叉处。此外，公共电极212和像素电极210交替排列在像素区P中，这样它们以预定距离彼此隔开。公共电极212与像素电极210重叠，使得绝缘膜夹在公共电极212和像素电极210之间。 

在本发明的第三实施例中，延长部分210a设置在像素区P中的像素电极210的端部，使得延长部分210a与相邻像素区域的栅线G2重叠。这里使用的术语“相邻的像素区域”指的是由数据线D1限定的像素区，其设置在由栅线G1和数据线D1，以及与数据线D1交叉的前一栅线G2限定的像素区域P内。 

相邻像素区域的栅线G2和像素区域P中的公共电极212之间的空间被像素电极210的延长部分210a覆盖。此外，该延长部分210a与相邻像素区域的栅线G2重叠，且两者之间绝缘。与相邻像素区域的栅线G2重叠的延长部分210a具有开口X。该开口X用于控制由延长部分210a和相邻像素区域的栅线G2之间的重叠产生的电容级别。 

考虑到制造余量(margin)，延长部分210a和相邻像素区域的栅线G2的重叠根据开口X调整为上下区域的宽度d。尽管由于制造过程中发生的误差像素电极210会向上和向下移动，延长部分210a与相邻的栅线G2重叠的区域可维持不变。换句话说，延长部分210a和相邻像素区域的栅线G2之间空间产生的电容可维持不变。 

图9是沿图8中线III-III’获取的横截面图。如图9所示，上基板具有栅线G2和公共电极212分别设置在相邻的像素区域和玻璃基板201上的像素区域中的结构，且栅绝缘膜202和钝化膜207设置在具有栅线G2和公共电极 212的玻璃基板上。 

像素电极210设置在钝化膜207上，与像素电极210一体形成的延长部分210a设置在相邻的像素区中的栅线G2与栅线G2上的公共电极212之间的区域中。设置在栅线G2上的钝化膜207上的延长部分210a具有开口X，与相邻像素区域中的栅线G2重叠的所述延长部分210a具有在栅线G2两侧宽度d的重叠区域。这样的重叠区域避免了制造过程中由误差产生的电容的变化。 

因为像素电极210的延长部分210a设置在相邻像素区域的栅线G2与公共电极212之间，液晶层220的液晶分子由于栅线G2和公共电极210上产生的电场不旋转。 

现有技术中，相邻像素区域中的栅线G2与公共电极212之间产生的电场使得液晶分子旋转。基于这个原因，设计黑矩阵延伸到相邻像素中的栅线以避免由液晶分子的不正确旋转产生的漏光。另一方面，依照本发明的实施例的像素结构消除了延伸黑矩阵的必要性。 

原因是因为相邻像素区域中的栅线G2与公共电极212之间产生的电场由于延长部分210a的存在没有施加到液晶层220上。此外，由于栅线由非透明金属制成，不仅在像素区域中的公共电极212和相邻像素区域中的栅线G2之间的区域中，而且在对应于上基板211上各像素区域中栅线的区域中形成黑矩阵都是不必要的。 

在本发明实施例的像素结构中，只在对应于下基板的数据线和薄膜晶体管的上基板的预定部分存在黑矩阵，在具有像素区域的栅线的部分和对应于栅线和公共电极之间的部分的上基板211的预定部分没有黑矩阵。 

如图8和图9所示，在信号输入像素区域(图8中图标“P”所示)之前将-5V的低栅电压施加到设置在相邻像素区域的栅线G2上。此时，由于6V的恒定电压施加到了像素区域P中的公共电极212上，在像素电极212和栅线G2之间产生了电场，从而引起液晶旋转。像素电极210的延长部分210a阻止了公共电极210和相邻像素区域中栅线G2之间产生的电场施加到液晶区域220上，使得液晶分子不旋转。结果是不会发生漏光缺陷。此外，像素电极210的延长部分210a与相邻像素中的栅线G2重叠的电容通过控制延长部分210a中的开口X的面积进行控制，从而确保所需的电容。 

图10是描述根据本发明的第三实施例的根据液晶显示器的像素区域中的 电场的液晶的旋转方向的图。如图10所示，当上下偏振板安装在上下基板上时模拟根据电场方向的液晶分子的旋转动作，这样偏振板的偏振方向彼此垂直，-5V的电压施加到相邻的栅线上，6V的电压分别施加到像素电极和公共电极上。从图10可见，液晶分子保持初始的排列状态，该初始状态由相邻的像素区域中的栅线和像素区域中的公共电极之间的定向膜提供，从而不会发生漏光。 

如图8所示，由于像素电极210的延长部分210a在相邻像素区域的栅线G2和像素区域的公共电极212的上面，栅线G2和公共电极210之间产生的电场不施加到液晶层220上。因此，跟据本发明的第三实施例的液晶显示器件在消除现有技术中形成黑矩阵以延伸到相邻像素区域的栅线和公共电极之间的空间的必要性的同时，有利地提高了像素区域中的孔径比。 

在不偏离本发明的精神和范围的情况下对本发明的实施例进行各种修改和变型对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，本发明的实施例意在覆盖附加权利要求范围内的所有修改和变型。 

Claims (16)

1.一种液晶显示器件，包括：

彼此交叉以限定像素区域的栅线和数据线；

位于栅线和数据线的交叉处的薄膜晶体管；

位于所述像素区域的相对侧且平行于栅线延伸的第一和第二公共线；

连接到所述第一公共线并具有延伸至像素区域的公共指状部分的公共电极，且每个公共指状部分的端部与所述第二公共线重叠；以及

连接到薄膜晶体管的漏极并具有延伸至像素区域且与所述第一公共线重叠的像素指状部分的像素电极。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述像素指状部分与公共指状部分交替设置。

3.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，像素指状部分与公共指状部分为透明的，而第一和第二公共线为非透明的。

4.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，每个像素指状部分具有倾斜的端部。

5.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，每个公共指状部分具有倾斜的端部。

6.一种液晶显示器件，包括：

彼此交叉以限定像素区域的栅线和数据线；

位于栅线和数据线的交叉处的薄膜晶体管；

位于像素区域的相对侧且平行于栅线延伸的第一和第二公共线；

连接到第一公共线并具有延伸至像素区域且与第二公共线重叠的公共指状部分的公共电极；以及

连接到薄膜晶体管的漏极并具有延伸至像素区域的像素指状部分的像素电极。

7.根据权利要求6所述的液晶显示器件，其特征在于，所述像素指状部分与第一公共线重叠。

8.根据权利要求6所述的液晶显示器件，其特征在于，每个像素指状部分具有倾斜的端部。

9.根据权利要求6所述的液晶显示器件，其特征在于，每个公共指状部分具有倾斜的端部。

10.根据权利要求6所述的液晶显示器件，其特征在于，所述像素指状部分和公共指状部分为透明的，而所述第一和第二公共线为非透明的。

11.根据权利要求6所述的液晶显示器件，其特征在于，还包括像素区域的其它相对侧上的第三和第四公共线，其中第三和第四公共线都连接到第一和第二公共线。

12.根据权利要求11所述的液晶显示器件，其特征在于，所述像素指状部分和公共指状部分为透明的，而所述第一、第二、第三和第四公共线为非透明的。

13.一种制造液晶显示器件的方法，包括：

在基板上对栅极、栅线和公共线构图，其中在基板上对栅极、栅线和公共线构图包括形成平行于栅线延伸的第一和第二公共线；

对栅绝缘膜、有源层、欧姆接触层、源极和漏极构图；

对具有通往第一公共线的第一接触孔和通往漏极的第二接触孔的钝化层构图；

形成通过第一接触孔连接到第一公共线并具有公共指状部分的公共电极，其中，形成公共电极包括形成公共指状部分以与第二公共线重叠；以及

形成通过第二接触孔连接到漏极并具有与第一公共线重叠的像素指状部分的像素电极。

14.根据权利要求13所述的制造液晶显示器件的方法，其特征在于，形成平行于栅线延伸的第一和第二公共线包括形成连接到第一和第二公共线的第三和第四公共线。

15.根据权利要求13所述的制造液晶显示器件的方法，其特征在于，形成公共电极包括形成具有倾斜端部的公共指状部分。

16.根据权利要求13所述的制造液晶显示器件的方法，其特征在于，形成像素电极包括形成具有倾斜端部的像素指状部分。

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