CN101226953A - 有机发光二极管显示器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。实施例提供了一种有机发光二极管显示器及其制造方法，该有机发光二极管显示器通过沿具有像素区和非像素区的基底的至少一个边缘区域形成保护电路来防止包括在有机发光二极管显示器中的像素和驱动器由于静电放电而受到损坏。

Description

有机发光二极管显示器及其制造方法

本申请要求于2007年1月15日提交的第10-2007-0004437号韩国专利申请的优先权和利益，该申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本领域涉及有机发光二极管显示器及其制造方法，更具体地讲，涉及包括保护电路的有机发光二极管显示器及其制造方法，其中，所述保护电路用于防止有机发光二极管显示器中包括的像素和驱动器由于静电放电而受到损坏。

背景技术

有机发光二极管显示器是使用有机发光器件(OLED)的平板显示器之一，其中，OLED通过复合阴极提供的电子和阳极提供的空穴来发光。这种有机发光二极管显示器的优点在于厚度薄、视角宽、响应非常快。

有机发光二极管显示器根据驱动方法分为无源矩阵显示器和有源矩阵显示器。无源矩阵法是一种在基底上垂直地形成阴极和阳极，选择行(line)，从而驱动二极管的方法。相反，有源矩阵法是一种通过利用在各像素中形成的薄膜晶体管(TFT)向有机发光器件(OLED)提供与数据信号对应的驱动电流，通过驱动电流从有机发光器件(OLED)发光，从而显示图像的方法，与无源矩阵法相比，由于亮度稳定，所以功耗低。因此，优势在于对高分辨率和大显示器的应用非常有利。

传统的有机发光二极管显示器包括像素区和非像素区，在像素区中，像素以矩阵形式排列，非像素区具有电源和用于驱动像素的驱动器。像素区中的像素包括驱动或开关所需的薄膜晶体管和有机发光二极管。像素区和非像素区通过多条线彼此连接。

至少通过形成薄膜晶体管的步骤、形成有机发光二极管的步骤、包封步骤和模制步骤来制造上述的传统有机发光二极管显示器。在有机发光二极管显示器中，在执行这些步骤的同时，由于内部和外部的环境因素会产生静电。在几乎所有用于制造有机发光二极管显示器的制造工艺(包括沉积、蚀刻等)过程中都会产生静电，或者在正在有机发光二极管显示器上显示图像的同时由于外部环境也会产生静电。

在传统的有机发光二极管显示器中，问题在于：在上述的制造工艺过程中，由于外部环境产生的静电放电(ESD)会损坏内部电路。

发明内容

本发明公开了一种防止有机发光二极管显示器中包括的像素和驱动器由于静电放电而受到损坏的静电放电电路。

本发明提供了一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：基底，包括像素区和非像素区；静电放电电路，形成在所述基底的所述非像素区中。

本发明提供了一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：在基底上确定像素区和非像素区；在所述像素区和所述非像素区的每个上形成半导体层；在所述像素区和所述非像素区的所述半导体层的每个上形成栅极绝缘层；在所述像素区和所述非像素区的所述栅极绝缘层的每个上形成栅电极；形成层间介电层，所述层间介电层覆盖所述像素区和所述非像素区的所述栅电极的每个；在所述像素区和所述非像素区的所述层间介电层的每个上形成源/漏电极，其中，在所述像素区中至少形成薄膜晶体管，在所述非像素区中形成静电放电电路。

附图说明

包括附图是为了提供进一步的理解，附图包含在此并构成说明书的一部分。附图与说明书一起示出了实施例，用于解释公开的原理。

图1示出了根据一个实施例的有机发光二极管显示器的示意图。

图2示出了显示图1中的A部分的布局图。

图3示出了沿图2中的线I-I截取的剖面。

图4示出了沿图2中的线II-II截取的剖面。

图5示出了根据一个实施例的有机发光二极管显示器中释放静电的通路。

图6示出了显示根据一个实施例的制造有机发光二极管显示器的方法的顺序流程图。

图7a至图7f示出了制造有机发光二极管显示器的步骤。

图8示出了根据一个实施例制造的有机发光二极管显示器的像素区和非像素区。

图9示出了根据一个实施例的有机发光二极管显示器的示意图。

具体实施方式

将参照附图更充分地描述特定的实施例，在附图中示出了实施例。然而，本发明可以以多种不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此提出的实施例；相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完全的。

参照附图和实施例，以下将详细解释有机发光二极管显示器。

图1示出了根据一个实施例的有机发光二极管显示器的示意图。

参照图1，根据一个实施例的有机发光二极管显示器100包括：基底110，包括像素区110a和形成在像素区110a的外部区域中的非像素区110b，像素区110a包括以矩阵形式排列的像素P；静电放电电路120，形成在非像素区110b上。

基底110包括基本为矩形形状的像素区110a和形成在像素区110a外部的非像素区110b。这里，数据驱动器130、扫描驱动器140和发射控制驱动器150也可被结合到基底110。

像素区110a是在其中驱动多个以矩阵形式排列的像素并随后显示图像的区域。各像素形成在该区域上，在该区域附近，数据线、扫描线和发射控制线交叉。虽然在附图中没有详细示出像素P，但是像素P可包括由薄膜晶体管形成的驱动元件、至少一个开关晶体管、存储电容器和有机发光二极管。

非像素区110b形成在基底110上的像素区110a外部的区域上。在非像素区110b中，可形成静电放电电路120以及用于分别向数据线、扫描线和发射控制线提供驱动信号的数据驱动器130、扫描驱动器140和发射控制驱动器150。此外，在非像素区110b中，可包括焊盘单元160，用于将像素P、数据驱动器130、扫描驱动器140和发射控制驱动器150电连接到外部模块。

静电放电电路120形成在基底110的非像素区110b上。静电放电电路120可形成在基底110端部的一侧上。静电放电电路120形成在除了基底110形成有焊盘单元160的区域之外的剩余区域的各个侧上，将在后面描述焊盘单元160。静电放电电路120可与基底110的各侧一体地形成。静电放电电路120防止内部电路(例如，包括在像素P中的驱动元件、开关晶体管或有机发光二极管)由于在制造有机发光二极管显示器100的工艺过程中或在制造有机发光二极管显示器100的工艺之后会产生的静电放电而受到损害。静电放电电路120可保护形成在非像素区110b中的电路(例如，数据驱动器130、扫描驱动器140、发射控制驱动器150和将在后面说明的焊盘单元160)。如上所述，静电放电电路120可形成在基底的端部上，但是本发明并不限于这种形式，实际上，静电放电电路120可形成在基底110的易受静电放电损坏的其它部分上。下面将详细说明静电放电电路120的结构的实施例。

在基底110的非像素区110b上，数据驱动器130、扫描驱动器140和发射控制驱动器150可形成为IC(集成电路)。数据驱动器130、扫描驱动器140和发射控制驱动器150可形成在与像素区110a的形成包括在像素中的薄膜晶体管(未示出)的层相同的层上。另一方面，数据驱动器130、扫描驱动器140和发射控制驱动器150也可形成在另一基底上。形成在另一基底(未示出)上的各个驱动器130、140和150可以是任何类型，例如，驱动器中的每个可以是TCP(载带封装)、FPC(柔性印刷电路)、TAB(自动带载结合，tape automated bonding)、COG(玻璃覆晶)及其等同物中的任意一种，并且可结合到基底110上。驱动器130、140和150的形状、形成位置等不受限制。

焊盘单元160形成在基底110的非像素区110b中。焊盘单元160形成在基底110的一侧上，用于将外部电路模块(未示出)和驱动器130、140、150结合，或将外部电路模块和像素P结合。静电放电电路120可结合到形成在焊盘单元160的至少一侧上的接地焊盘160a。

将更详细地解释根据本发明一个实施例的有机发光二极管显示器100中使用的静电放电电路120。

图2示出了与根据本发明示例性实施例的有机发光二极管显示器100的静电放电电路120的某部分(图1中的A)对应的布局图，图3示出了沿图2中的线I-I截取的静电放电电路120的剖面，图4示出了沿图2中的线II-II截取的静电放电电路120的剖面。以下解释的静电放电电路120指的是形成在基底110的其它所有部分以及某部分(图1中的A)上的静电放电电路120。

参照图2至图4，根据一个实施例的有机发光二极管显示器100中使用的静电放电电路120包括：缓冲层120a，形成在基底110上；半导体层120b，形成在缓冲层120a上；栅极绝缘层120c，形成在半导体层120b上；栅电极120d，形成在栅极绝缘层120c上；层间介电层120e，覆盖栅电极120d；源/漏电极120f，形成在层间介电层120e上。

在这个实施例中，基底110以具有上面和下面的平坦型形成，上面和下面之间的厚度是0.05-1mm。如果基底110的厚度小于0.05mm，则缺点在于在工艺过程中基底通过洗涤、蚀刻和热处理而会容易被损坏，或者易受外力的影响。相反，如果基底110的厚度大于1mm，则缺点在于难以将其应用于优选为薄型的各种二极管显示器。可以用例如玻璃、塑料、不锈钢、纳米复合材料及其等价物中的任何一种来形成基底110，但是本发明并不限制基底的材料。基底110具有像素区110a和非像素区110b，其中，像素区110a包括薄膜晶体管(未示出)和有机发光二极管(未示出)，在非像素区110b上形成各种驱动器。

缓冲层120a可防止湿气(H₂O)、氢气(H₂)或氧气(O₂)等渗入到包括半导体层120b的静电放电电路120中，将在后面描述半导体层120b。为了这个目的，缓冲层120a可通过使用氧化硅膜(SiO₂)、氮化硅膜(Si₃N₄)、无机膜及其等价物中的至少任何一种来形成，并可在半导体工艺过程中制造缓冲层120a，但是本发明并不限制缓冲层120a的材料。此外，可以省略这种缓冲层120a。

半导体层120b形成在缓冲层120a的上面上或基底110的上面上。半导体层120b与栅电极120d和源/漏电极120f一起引发静电放电，将在后面描述栅电极120d和源/漏电极120f。半导体层120b可为非晶硅、微晶硅(具有非晶硅和多晶硅之间的晶粒尺寸)、有机材料及其等价物中的任何一种，并且本发明不限制半导体层120b的材料。

栅极绝缘层120c可形成在半导体层120b的上面上。形成栅极绝缘层120c，用于确保栅电极120d(将在下面描述)和半导体层120b之间的电绝缘。可通过使用氧化硅膜、氮化硅膜、无机膜及其等价物中的至少任何一种来形成栅极绝缘层120c，并可在半导体工艺过程中获得栅极绝缘层120c，但是本发明并不限制栅极绝缘层120c的材料。栅极绝缘层120c可与半导体层120b一起形成在缓冲层120a上。因为栅极绝缘层120c通过促使栅极绝缘层120c到栅电极120d或源/漏电极120f的介电击穿而释放静电，所以能够防止像素区110a中的像素P和非像素区110b的驱动器130、140、150由于静电放电而受到损害。由于栅极绝缘层120c具有形成在栅电极120d和半导体层120b之间的大约1μm以下的厚度，所以当产生与几百伏对应的相对低的静电时发生介电击穿。因此，可保护有机发光二极管显示器100免于静电放电。

栅电极120d形成在栅极绝缘层120c的上面上。更具体地讲，栅电极120d可形成在栅极绝缘层120c的上面的与半导体层120b对应的区域上。栅电极120d可与焊盘单元(图1中的160)中包括的接地焊盘(图1中的160a)连接。栅电极120d可由至少一种金属(例如，Mo、MoW、Ti、Cu、Al、AlNd、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金等)、掺杂的多晶硅及其等价物形成，但是本发明并不限制栅电极120d的材料。

层间介电层120e形成在栅电极120d的上面上。层间介电层120e也可形成在形成在栅电极120d的内周上的栅极绝缘层120c上。这里，层间介电层120e可由从聚合物组、塑料组、玻璃组及其等价物组中选择的任何一种形成，但是本发明并不限制层间介电层120e的材料。层间介电层120e可由与栅极绝缘层120c的材料相同的材料形成。与栅极绝缘层120c相同，由于经栅电极120d或源/漏电极120f引发的静电，而导致层间介电层120e可经受介电击穿。

源/漏电极120f可形成在层间介电层120e的上面上。这里，在源/漏电极120f和半导体层120b之间可形成穿过层间介电层120e的导电接触件c1。源/漏电极120f可通过导电接触件c1连接到半导体层120b。这里，源/漏电极120f和栅电极120d之间可隔开的水平距离(图4中的l1)为1μm-10μm。如果水平距离(图4中的l1)小于1μm，则由于源/漏电极120f和栅电极120d之间的电阻变低，所以静电放电电路120保护的电压电平变低。即，将难以控制大于几千伏的高静电。相反，如果水平距离(图4中的l1)大于10μm，则由于上述电阻较大，所以保护的电压电平较高，但是由于可在非像素区110b中形成的静电放电电路120的区域受到限制，所以期望控制水平距离(图4中的l1)使其小于10μm。另一方面，在源/漏电极120f和半导体层120b之间可形成大约1μm的厚度(T2)。由于源/漏电极120f被一体地形成，从而源区和漏区相连接，所以当有机发光二极管显示器100正常工作时，源/漏电极120f不工作。源/漏电极120f可由与上述栅电极120d的材料相同的金属材料形成，并且本发明并不限制源/漏电极120f的材料。

在源/漏电极120f的上面上还可形成保护层120g和平坦化层120h。保护层120g覆盖源/漏电极120f和层间介电层120e，从而保护源/漏电极120f和层间介电层120e。保护层120g可由从普通无机膜及其等价物中选择的至少一种形成，但是本发明并不限制保护层120g的材料。此外，由于平坦化层120h覆盖保护层120g，所以对使静电放电电路的整个表面平坦化非常有帮助。可通过涂覆或沉积从BCB(苯并环丁烯)系列树脂、压克力(acryl)及其等价物中选择的至少一种来形成平坦化层120h。本发明并不限制平坦化层120h的材料或形成方法。

还可在平坦化层120h的上面上形成电极层120i。电极层120i经导电通孔v1连接到源/漏电极120f。当产生静电时，电极层120i允许静电经导电通孔v1和源/漏电极120f被释放。电极层120i可由与上述栅电极120d的材料相同的金属材料形成，并且本发明不限制电极层120i的材料。

接下来，将更详细地解释根据一个实施例的静电放电电路120的操作。

图5示出了在根据一个实施例的有机发光二极管显示器100中释放静电的通路。根据该实施例，可主要经过源/漏电极120f和栅电极120d之间的第一通路(①)、源/漏电极120f和半导体层120b之间的第二通路(②)以及栅电极120d和半导体层120b之间的第三通路(③)来释放静电。

第一通路(①)是在源/漏电极120f和栅电极120d之间经层间介电层120e来执行放电的通路，从源/漏电极120f产生的具有相对高电压电平的静电可被迅速地释放到栅电极120d的方向。在源/漏电极120f和栅电极120d之间形成的层间介电层120e中，产生介电击穿，从而使静电放电旁路。从源/漏电极120f产生的静电可被旁路到与栅电极120d连接的接地焊盘160a。源/漏电极120f与栅电极120d在水平方向上隔开大约1μm至大约10μm，并且层间介电层120e夹在它们之间。如果源/漏电极120f和栅电极120d之间的水平距离(l1)小于1μm，则由于源/漏电极120f和栅电极120d之间的电阻变低，所以静电放电电路120保护的电压电平变低。即，难以控制大于几千伏的高静电。相反，如果源/漏电极120f和栅电极120d之间的水平距离(l1)大于10μm，则由于电阻较高，所以保护的电压电平较高，但是由于可在非像素区110b中形成的静电放电电路120的区域受到限制，所以期望将水平距离(l1)控制在10μm内。

第二通路(②)是在源/漏电极120f和半导体层120b之间经层间介电层120e和栅极绝缘层120c来执行放电的通路。从源/漏电极120f产生的具有相对低的电压电平的静电可被释放到形成半导体层120b的方向上。在这种情况下，在层间介电层120e和栅极绝缘层120c中，当产生介电击穿时，可使静电放电旁路。因为在源/漏电极120f和半导体层120b之间形成了近似为1μm的厚度(T2)，所以该厚度(T2)保护有机发光二极管显示器100不受具有相对低的电压电平的静电的影响。

第三通路(③)是在栅电极120d和半导体层120b之间经栅极绝缘层120c执行放电的通路。从栅电极120d产生的静电可被释放到形成半导体层120b的方向上。在这样的情况下，由于在栅极绝缘层120c中产生介电击穿，所以能够保护有机发光二极管显示器100免于静电放电。由于在栅电极120d和半导体层120b之间形成近似为1μm以下的厚度(T1)，所以能够保护有机发光二极管显示器100不受具有相对低的电压的静电的影响。另一方面，从栅电极120d产生的静电并不导致栅极绝缘层120c的介电击穿，但是该静电可被释放到接地焊盘160a。

根据上述的有机发光二极管显示器，优势在于静电放电电路120保护有机发光二极管显示器不受在从相对高的电平到相对低的电平范围内的静电的影响。

接下来，将解释制造根据本发明示例性实施例的有机发光二极管显示器100的方法。

图6是示出根据一个实施例的制造有机发光二极管显示器的方法的顺序流程图。图7a至图7f示出了根据图6中的制造工艺顺序形成的有机发光二极管显示器，图8示出了根据一个实施例完成的有机发光二极管显示器100的像素区110a和非像素区110b。

参照图6至图8，根据一个实施例的制造有机发光二极管显示器的方法包括：步骤S1，制备具有像素区110a和非像素区110b的基底；步骤S2，形成半导体层；步骤S3，形成栅极绝缘层；步骤S4，形成栅电极；步骤S5，形成层间介电层；步骤S6，形成源/漏电极，其中，至少在像素区110a中形成薄膜晶体管170，在非像素区110b中形成静电放电电路120。

参照图7a，制备基底的步骤S1是在像素区110a和非像素区110b上制备基底。步骤S1还可包括：洗涤步骤，防止外来物质被引入到基底110，该基底110以板状形状形成并具有上面和下面；预压制步骤，使得基底在制造过程中不易受热或压力而变形。优选的是，制备厚度为0.05mm-1mm的基底110。如果基底110的厚度小于0.05mm，则缺点在于在工艺过程中通过洗涤、蚀刻和热处理会容易毁坏基底，或基底易受外力影响。相反，如果基底110的厚度大于1mm，则缺点在于难以将其应用到近来变得越来越薄的各种二极管显示器中。然而，这些缺点在一些实施例中并不是问题。基底110可划分为像素区110a和非像素区110b，其中，像素区110a包括薄膜晶体管170和有机发光二极管180，在非像素区110b中形成静电放电电路120和各种驱动器。

如果制备基底110，则在基底110中的像素区110a和非像素区110b上分别形成具有预定厚度的缓冲层170a和120a。缓冲层170a和120a可同时或单独地形成在基底110的像素区110a和非像素区110b上。缓冲层170a和120a防止外来物质经基底110被引入到内部电路(如薄膜晶体管170、有机发光二极管180和静电放电电路120)中。另外，缓冲层170a和120a能够使半导体层170b和120b平滑地形成在其表面上。可通过使用氧化硅膜(SiO₂)、氮化硅膜(Si₃N₄)、无机膜及其等价物中的至少一种来形成这样的缓冲层170a和120a，可在半导体工艺过程中制造缓冲层170a和120a，但是本发明并不限制缓冲层170a和120a的材料。这里，这样的缓冲层170a和120a可形成为多层结构，可以省略缓冲层170a和120a。

参照图7b，在形成半导体层的步骤S2，在基底110的像素区110a和非像素区110b上形成半导体层170b、120b。半导体层170b、120b可同时或单独地形成在像素区110a和非像素区110b上。这里，在基底110和半导体层170b、120b之间还可形成有缓冲层170a、120a。

半导体层170b、120b包括在相对侧上的源区和漏区(未示出)以及源区和漏区之间的沟道区(未示出)。半导体层170b、120b可由非晶硅、微晶硅、有机材料及其等价物中的任何一种形成，本发明并不限制半导体层170b、120b的材料。例如，半导体层170b、120b可通过硅晶化步骤和多晶硅图案化步骤在期望的位置形成为期望的形状。

在硅晶化步骤，将非晶硅沉积在缓冲层170a、120a的上面上，然后非晶硅被晶化为多晶硅。可通过微晶硅的晶化来形成多晶硅。可通过PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、LPCVD(低压化学气相沉积)、溅射法及其等价的方法中的任何一种方法在缓冲层170a、120a的上面上沉积非晶硅。然而，本发明并不限制形成非晶硅的方法。在将非晶硅沉积在缓冲层170a、120a上之后，根据以下将描述的方法将非晶硅结晶为多晶硅。

可通过利用ELA(准分子激光退火)的激光结晶法、利用promotingmaterial的金属诱导晶化和SPC(固相晶化)中的任何一种方法将非晶硅晶化。此外，可以使用在传统的激光结晶法中增加掩模的SLS(连续侧向结晶)。

激光结晶法是应用非常广泛的方法，可以使用传统多晶液晶像素装置的结晶方法，并且工艺简单，已经开发了与该工艺相关的技术。

金属诱导晶化是可以在低温下进行结晶而不使用激光结晶法的方法之一。在金属诱导晶化方法中，起初在非晶硅的表面上沉积或旋涂金属催化剂(如Ni、Co、Pd、Ti等)，金属催化剂中的金属被直接沉积到非晶硅的表面上，改变非晶硅的相，实现晶化，这个方法的优势在于可以在低温下实现晶化。

根据使用促进材料(promoting material)的另一种类型的金属诱导晶化，优势在于：当将金属层插入到非晶硅的表面中时，可通过使用掩模来防止污物(如硅化镍)被引入到薄膜晶体管的特定区域。这种晶化方法被称为MILC(金属诱导侧向结晶)。可以使用阴罩(shadow mask)作为在这种MILC方法中使用的掩模，并且阴罩可为线状掩模(linear mask)或点型掩模(dot typemask)。

使用促进材料的另一类型的金属诱导晶化是MICC(具有覆盖层的金属诱导晶化)，在MICC中，为了控制引入到非晶硅中的金属催化剂的量，当在非晶硅的表面上沉积或旋涂金属催化剂层时插入覆盖层。可使用氮化硅层作为覆盖层。根据氮化硅层的厚度，改变从金属催化剂层引入到非晶硅中的金属催化剂的量。这里，引入到氮化硅层中的金属催化剂可形成在氮化硅层的整个表面上，或者可通过使用阴罩选择性地形成。在金属催化剂层使非晶硅结晶为多晶硅之后，可选择性地去除覆盖层。可使用湿蚀刻或干蚀刻来去除覆盖。在形成多晶硅后，在层间介电层170e、120e(将在后面解释)上形成通孔(未示出)，然后杂质通过通孔被注入到晶化的多晶硅中，可以去除在其多晶硅内部形成的金属催化剂杂质。这里，去除金属催化剂杂质的方法被称作吸杂工艺。这种吸杂工艺包括在低温下加热薄膜晶体管的加热过程以及注入杂质的过程。通过这种吸杂工艺，可以实现优良的薄膜晶体管。

微晶硅的晶粒尺寸范围为从非晶硅的晶粒尺寸到多晶硅的晶粒尺寸，通常采用的尺寸为1nm-100nm。微晶硅的电子迁移率大于1且小于50，空穴迁移率大于0.01且小于0.2。由于与多晶硅相比，微晶硅的晶粒尺寸较小，所以晶粒的突出区域小，当电子在晶粒之间运动时，没有问题，从而可表现出均匀的特性。

作为与微晶硅的晶粒相关的方法可列举出热结晶法和激光结晶法。热结晶法分为用于获得晶体结构并基本上同时沉积非晶硅的方法和再加热法。激光结晶法是在通过化学气相沉积处理非晶硅之后通过使用激光来获得晶体结构的方法，这时，可将二极管激光用作激光。二极管激光可使用800nm波段的红波长，该激光使微晶硅的晶粒被基本均匀地晶化。

在通过使用上述方法形成的多晶硅中，通过图案化步骤在期望的位置形成期望面积的半导体层170b、120b。多晶硅的图案化步骤包括例如光致抗蚀剂涂覆、曝光、显影、蚀刻和光致抗蚀剂剥离的工艺。

参照图7c，在形成栅极绝缘层的步骤S3，在半导体层170b、120b的上面上形成具有预定厚度的栅极绝缘层170c、120c。栅极绝缘层170c、120c可同时或分别地形成在基底110的像素区110a和非像素区110b上。这里，栅极绝缘层170c、120c可形成在缓冲层170a、120a的为半导体层170b、120b的内周的上面上。可通过PECVD、LPCVD、溅射及其等价方法中的至少一种方法来形成栅极绝缘层170c、120c。这里，可由氧化硅膜(SiO₂)、氮化硅膜(Si₃N₄)、无机膜及其等价物中的至少一种来形成栅极绝缘层170c、120c，但是本发明并不限制栅极绝缘层170c、120c的材料。

参照图7d，在形成栅电极的步骤S4中，在像素区110a和非像素区110b的栅极绝缘层170c、120c的上面上在与半导体层170b、120b对应的位置处形成栅电极170d、120d。可通过PECVD、LPCVD、溅射及其等价方法中的至少一种方法在栅极绝缘层170c、120c的上面上沉积栅电极170d、120d。在栅电极170d、120d被沉积在栅极绝缘层170c、120c的上面上之后，可通过如光致抗蚀剂涂覆、曝光、显影、蚀刻和光致抗蚀剂剥离的工艺在期望的位置形成期望面积的栅电极170d、120d。可由普通金属(Mo、MoW、Ti、Cu、Al、AlNd、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金等)、掺杂的多晶硅及其等价物中的任何一种来形成这种栅电极170d、120d，但是本发明并不限制栅电极170d、120d的材料。

参照图7e，在形成层间介电层的步骤S5中，在像素区110a和非像素区110b的每个的栅电极170d、120d的上面上形成层间介电层170e、120e。可在栅极绝缘层170c、120c和栅电极170d、120d上形成层间介电层170e、120e。这里，可通过蚀刻工艺在层间介电层170e、120e上形成接触孔，用于连接半导体层170b、120b和源/漏电极170f、120f(这将在下面描述)。可由聚合物组、塑料组、玻璃组及其等价物组中的任何一种来形成层间介电层170e、120e，但是本发明并不限制层间介电层170e、120e的材料。

参照图7f，在形成源/漏电极的步骤S6中，在像素区110a和非像素区110b的每个的层间介电层170e、120e的上面上形成源/漏电极170f、120f和导电接触件c2、c1。可通过PECVD、LPCVD、溅射及其等价方法中的至少一种方法来沉积源/漏电极170f、120f，随后，可通过如光致抗蚀剂涂覆、曝光、显影、蚀刻和光致抗蚀剂剥离的工艺在期望的位置将期望面积的源/漏电极170f、120f图案化。这里，通过将导电材料填充到在形成层间介电层的步骤S5中形成的接触孔中来形成导电接触件c2、c1。导电接触件c2、c1可由与栅电极170d、120d和源/漏电极170f、120f的材料相同的金属材料形成，而本发明并不限制导电接触件c2、c1的材料。在与像素区110a的源/漏电极170f的连接中，可单独地形成半导体层170b的源区(未示出)和漏区(未示出)，但是在与非像素区110b的源/漏电极120f的连接中，一体地形成与源区和漏区接触的电极。因此，当施加普通的驱动电压时，静电放电电路120不工作。

根据一个实施例，参照图8，在基底110的像素区110a上形成薄膜晶体管170，用于向有机发光二极管180提供驱动电流，在非像素区110b上形成静电放电电路120，用于防止薄膜晶体管170和有机发光二极管180由于静电放电而被损坏。

在形成在像素区110a和非像素区110b的区域上的源/漏电极170f、120f的上面上还可分别形成保护层170g、120g和平坦化层170h、120h。可形成像素区110a和非像素区110b，使得它们可通过导电通孔v2、v1连接到有机发光二极管180和电极层120i。

可在接近基底110的中心部分处形成像素区110a，包括在像素区110a中的像素各包括至少一个薄膜晶体管170。这里，形成在非像素区110b上的静电放电电路120沿着像素区110a外部的基底110的至少一个边缘区域形成。

根据上述的制造方法，由于可以通过与制造薄膜晶体管170的方法几乎相同的方法来制造静电放电电路120，所以对于制造有机发光二极管显示器100，本发明在成本和时间方面上是非常有效的。

一旦至少部分地形成静电放电电路120，就可以保护薄膜晶体管170和有机发光二极管180不受在形成导电通孔v2的过程中会产生的静电的影响，其中，所述导电通孔v2用于连接像素区110a的薄膜晶体管170和有机发光二极管180。静电放电电路120可防止形成在非像素区110b上的至少一个驱动器(指的是图1中的130、140、150)由于静电放电而受到损坏。

图9示出了根据另一实施例的有机发光二极管显示器的示意图。

参照图9，根据另一实施例的有机发光二极管显示器200包括单独地形成在包括像素区210a和非像素区210b的基底的各侧上的静电放电电路220。因此，优点在于静电放电电路220可选择性地仅形成在频繁产生静电放电的区域或其它期望的区域上。可将静电放电电路220连接到形成在基底210上的焊盘单元260的接地焊盘(未示出)。与上述结构相似地形成静电放电电路220的具体结构。

与用于制造上述的有机发光二极管显示器100的方法有关，将重点解释前发光(front light-emitting)方法，所述前发光方法是向基底110的上面的方向发射光，但是本发明并不限于这种方法，实施例可被应用于向基底110的下面的方向发射光的后发光(back light-emitting)方法和同时向基底110的上下方向发光的方法。

根据一些实施例，由于有机发光二极管显示器包括形成在基底的至少一侧上的静电放电电路，所以可防止像素或驱动器在制造过程中由于内部原因和其它外部环境而产生的静电放电而被损坏。

一些实施例的有机发光二极管由阳极(ITO)、有机层和阴极(金属)构成。有机层可包括：发射层(EML)，在该层中空穴和电子接触，从而形成激子来发光；电子传输层(ETL)，用于传输电子；空穴传输层(HTL)，传输空穴。另外，用于注入电子的电子注入层(EIL)形成在电子传输层的一侧上，用于注入空穴的空穴注入层(HIL)也可形成在空穴传输层的一侧上。此外，在磷光有机发光二极管的情况下，可以在发射层(EML)和电子传输层(ETL)之间选择性地形成空穴阻挡层(HBL)，可在发射层(EML)和空穴传输层(HTL)之间选择性地形成电子阻挡层(EBL)。

此外，有机层也可以形成为由多层形成的纤细的OLED结构。例如，可选择性地形成空穴注入传输层(HITL)结构和电子注入传输层(EITL)结构，其中，空穴注入传输层(HITL)结构允许同时形成空穴注入层和空穴传输层，电子注入传输层(EITL)结构允许同时形成电子注入层和电子传输层。纤细型的有机发光二极管的有利之处在于提高了发射效率。另外，缓冲层可形成为阳极(ITO)和发光层之间的选择层。缓冲层可分为用于缓冲电子的电子缓冲层和用于缓冲空穴的空穴缓冲层。

电子缓冲层可选择性地形成在阴极(金属)和电子注入层(EIL)之间，并可形成来代替电子注入层(EIL)。这里，有机层的层叠结构可包括发射层(EML)/电子传输层(ETL)/电子缓冲层/阴极(金属)。另外，空穴缓冲层可选择性地形成在阳极(ITO)和空穴注入层之间，并可形成来代替空穴注入层(HIL)。这里，有机层的层叠结构可包括阳极(ITO)/空穴缓冲层/空穴传输层(HTL)/发射层(EML)。

关于上述结构，以下为可以使用的一些层叠结构。

a)正常层叠结构

1)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。

2)阳极/空穴缓冲层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。

3)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/电子缓冲层/阴极。

4)阳极/空穴缓冲层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/电子缓冲层/阴极。

5)阳极/空穴注入层/空穴缓冲层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。

6)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子缓冲层/电子注入层/阴极。

b)正常纤细结构

1)阳极/空穴注入和传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。

2)阳极/空穴缓冲层/空穴注入和传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。

3)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入和传输层/电子缓冲层/阴极。

4)阳极/空穴缓冲层/空穴注入和传输层/发光层/电子注入和传输层/电子缓冲层/阴极。

5)阳极/空穴注入和传输层/空穴缓冲层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。

6)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子缓冲层/电子注入和传输层/阴极。

c)反向层叠结构

1)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极。

2)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/空穴缓冲层/阳极。

3)阴极/电子缓冲层/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极。

4)阴极/电子缓冲层/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/空穴缓冲层/阳极。

5)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴缓冲层/空穴注入层/阳极。

6)阴极/电子注入层/电子缓冲层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极。

d)反向纤细结构

1)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴注入和传输层/阳极。

2)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴注入和传输层/空穴缓冲层/阳极。

3)阴极/电子缓冲层/电子注入和传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极。

4)阴极/电子缓冲层/电子注入和传输层/发光层/空穴注入和传输层/空穴缓冲层/阳极。

5)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴缓冲层/空穴注入和传输层/阳极。

6)阴极/电子注入和传输层/电子缓冲层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极。

无源矩阵法和有源矩阵法作为用于驱动这种有机发光二极管的方法是广泛公知的。在无源矩阵方法的情况下，优势在于由于阳极和阴极交叉并通过行选择(line selection)来执行驱动，所以过程简单并且投入资金非常少，但是用于实现大屏幕所需的电流消耗多。在有源驱动方法的情况下，由于在每个像素上形成有源元件(如薄膜晶体管和存储电容器)，所以优势在于不需要那么大的电流消耗，屏幕质量好，寿命长，这种方法可以被应用到中型屏幕和大屏幕。

本发明并不限于上述的具体的优选实施例，在不脱离本发明的精神的情况下，事实上，具有本发明所属技术领域的公知常识的人可以实现各种各样的修改。

如上所示，在有机发光二极管显示器及其制造方法中，效果在于由于在基底的至少一侧上形成静电放电电路，所以可防止像素和驱动器由于静电放电而受到损坏。

因此，由于控制静电放电电路的源/漏电极和栅电极之间的水平距离，所以可具有可控制具有相对高的电压电平的静电的效果。

因此，由于包括在静电放电电路中的栅极绝缘层和层间介电层引起来自于源/漏电极和半导体层之间或栅电极和半导体层之间的静电的介电击穿，所以可具有可保护有机发光二极管显示器不受静电放电的影响。

此外，由于通过与像素区的薄膜晶体管的制造方法相似的制造方法来形成非像素区的静电放电电路，所以在制造有机发光二极管显示器所需的成本和时间方面可具有有效的效果。

Claims (28)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

基底，包括像素区和非像素区；

静电放电电路，形成在所述基底的所述非像素区中。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放电电路包括：

半导体层，形成在所述基底上；

栅极绝缘层，形成在所述半导体层上；

栅电极，形成在所述栅极绝缘层上；

层间介电层，形成在所述栅电极上；

源/漏电极，形成在所述层间介电层上。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述源/漏电极与所述栅电极在水平方向上间隔大约1μm至大约10μm。

4.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述非像素区还包括：

至少一个驱动器，构造为驱动所述像素区的像素；

焊盘单元，构造为将所述像素和所述驱动器电连接到外部模块。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述焊盘单元沿所述基底的至少一个边缘区域形成。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放电电路沿所述基底的另一边缘区域形成。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放电电路沿所述基底的各边缘区域单独地形成。

8.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放电电路沿所述基底的边缘区域一体地形成。

9.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述栅电极连接到形成在所述焊盘单元上的接地焊盘。

10.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放电电路还包括形成在所述基底和所述半导体层之间的缓冲层。

11.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放电电路还包括所述源/漏电极上的保护层。

12.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放电电路还包括导电接触件，用于将所述源/漏电极与所述半导体层电连接。

13.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述静电放电电路还包括形成在所述保护层上的电极层。

14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中，所述电极层通过导电通孔连接到所述源/漏电极。

15.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：

在基底上确定像素区和非像素区；

在所述像素区和所述非像素区的每个上形成半导体层；

在所述像素区和所述非像素区的所述半导体层的每个上形成栅极绝缘层；

在所述像素区和所述非像素区的所述栅极绝缘层的每个上形成栅电极；

形成层间介电层，所述层间介电层覆盖所述像素区和所述非像素区的所述栅电极的每个；

在所述像素区和所述非像素区的所述层间介电层的每个上形成源/漏电极，

其中，在所述像素区中至少形成薄膜晶体管，在所述非像素区中形成静电放电电路。

16.根据权利要求15所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述静电放电电路和所述薄膜晶体管用相同的层形成。

17.根据权利要求15所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述非像素区的所述源/漏电极与所述非像素区的所述栅电极在水平方向上间隔大约1μm至大约10μm。

18.根据权利要求15所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述非像素区还包括：

至少一个驱动器，构造为驱动所述像素区的像素；

焊盘单元，构造为将所述像素和所述驱动器电连接到外部模块。

19.根据权利要求18所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述焊盘单元沿所述基底的至少一个边缘区域形成。

20.根据权利要求19所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述静电放电电路沿所述基底的另一边缘区域形成。

21.根据权利要求20所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述静电放电电路沿所述基底的各边缘区域单独地形成。

22.根据权利要求20所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述静电放电电路沿所述基底的边缘区域一体地形成。

23.根据权利要求18所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述栅电极连接到形成在所述焊盘单元上的接地焊盘。

24.根据权利要求15所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述静电放电电路还包括形成在所述基底和所述半导体层之间的缓冲层。

25.根据权利要求15所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述静电放电电路还包括所述源/漏电极上的保护层。

26.根据权利要求15所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述静电放电电路还包括导电接触件，用于将所述源/漏电极与所述半导体层电连接。

27.根据权利要求25所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述静电放电电路还包括形成在所述保护层上的电极层。

28.根据权利要求27所述的制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述电极层通过导电通孔连接到所述源/漏电极。

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