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CN101211083B - 液晶装置及电子设备 - Google Patents

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CN101211083B CN200710307081XA CN200710307081A CN101211083B CN 101211083 B CN101211083 B CN 101211083B CN 200710307081X A CN200710307081X A CN 200710307081XA CN 200710307081 A CN200710307081 A CN 200710307081A CN 101211083 B CN101211083 B CN 101211083B
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宫坂光敏
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Seiko Epson Corp
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Abstract

本发明公开了一种可以进行光输入的液晶装置，能够在简单化各像素部结构的同时提高画面质量，所述液晶装置包括：与液晶扫描线(10)并列配置的光电传感器扫描线(12)；光电传感器转换晶体管(42)，作为像素部(16)的一部分，其栅极与光电传感器扫描线(12)连接，源极/漏极中的一个电极(D)与液晶转换晶体管(40)的源极/漏极(S)连接、且源极/漏极中的另一个电极(S)与液晶扫描线(10)连接；以及遮光膜，覆盖液晶转换晶体管(40)和光电传感器转换晶体管(42)的背光源侧。

Description

液晶装置及电子设备 
技术领域
本发明涉及液晶装置以及电子设备。 
背景技术
近年来，为了可以在显示区域进行光输入，有这样一种液晶装置的提案，在显示部矩阵配置的像素部具有光电转换功能(例如、参照专利文献1、2)。 
在这种液晶装置中，通过pin二极管等和多个晶体管构成具备上述光电转换功能的像素部。 
基于此，目前使用只显示图像的显示部作为输入装置成为可能。 
【专利文献1】日本特开2001-292276号公报 
【专利文献2】日本特开2006-3857号公报 
不过，在目前可以进行光输入的液晶装置中，如专利文献1(尤其图2)及专利文献2(尤其图3)所示，需在各个像素部设置5～7个转换晶体管和pin二极管。 
考虑不能进行光输入的普通液晶装置的各个像素部只具备一个晶体管而不具备pin二极管的结构，设置于可在显示部上进行光 输入的液晶装置的各像素部的元件(晶体管及二极管)的数量非常多。 
因此，可在显示部进行光输入的液晶装置各个像素部的结构变得复杂，同时各个像素部的开口率降低，显示图像变暗，从而导致低对比度化的画面质量的劣化。 
发明内容
本发明鉴于上述的问题，目的在于提供一种可光输入的液晶装置，其各像素部的结构得到简化的同时，提高画面质量。 
为了上述目的，第一方面发明的液晶装置包括：多个第一扫描线；多个信号线，与所述第一扫描线交叉配置；以及像素部，通过对应所述第一扫描线和所述信号线的各个交叉点进行配置，从而呈矩阵状配置，其中，所述像素部包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，且所述第一晶体管的源极/漏极中的一个与所述信号线连接；像素电极，与所述第一晶体管的源极/漏极中的另一个连接；公共电极，与所述像素电极对置配置；以及液晶层，配置在所述像素电极和所述公共电极的相互之间，所述液晶装置还包括：第二扫描线，与第一扫描线并列配置；第二晶体管，作为所述像素部的一部分，所述第二晶体管的栅极与所述第二扫描线连接，所述第二晶体管的源极/漏极中的一个与所述第一晶体管的所述源极/所述漏极中的另一个连接，且所述第二晶体管的所述源极/所述漏极中的另一个与电源线连接；以及第一遮光膜，覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管的一侧。 
根据具有上述结构的第一方面发明的液晶装置，通过使光照射到第一晶体管生成截止电流。而且，把第一晶体管设为截止状态、扫描第二晶体管依次设为导通状态，在这种状态下，通过检测出截 止电流，能够掌握截止电流大的第一晶体管及其截止电流的大小，能够取得基于这些的信号。 
因此，根据第一方面发明的液晶装置，可以提供一种光输入和图像显示双方都可能的液晶装置，而且各像素部的结构简单，具有提高显示图像时的画面质量的效果。 
此外，在第一方面发明的液晶装置中，上述的第二晶体管的另一侧被第二遮光膜覆盖，在上述的第一晶体管的另一侧不存在遮光物。 
通过采用这种结构，不必遮光从另一侧入射的光就能够入射到第一晶体管，同时用第二晶体管的光泄漏能够防止光检测灵敏度下落的情况。 
接着，本发明第二方面的液晶装置，包括：多个第一扫描线；多个信号线，与所述第一扫描线交叉配置；以及像素部，通过对应所述第一扫描线和所述信号线的各个交叉点进行配置，从而呈矩阵状配置，其中，所述像素部包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，且所述第一晶体管的源极/漏极中的一个与所述信号线连接；像素电极，与所述第一晶体管的源极/漏极中的另一个连接；公共电极，与所述像素电极对置配置；以及液晶层，配置在所述像素电极和所述公共电极的相互之间，所述液晶装置还包括：第二扫描线，与第一扫描线并列配置；第二晶体管，作为所述像素部的一部分，所述第二晶体管的栅极与所述第二扫描线连接，所述第二晶体管的源极/漏极中的一个与所述第一晶体管的所述源极/所述漏极中的另一个连接，且所述第二晶体管的所述源极/所述漏极中的另一个与电源线连接；第三晶体管，作为所述像素部的一部分，在所述信号线和所述像素电极之间所述第三晶体管与所述第一晶体管串联连接的同时，所述第三晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，所述第三晶体管的源极/漏极中的一个与所述第一晶体管的所述源极/所述漏极中的另一个连接，且所述第三晶体管的所述源极/所述漏极中的另一个与所述像素电极连接；以及第一遮光膜，覆盖所述第一晶体管、所述第二晶体管及所述第三晶体管的一侧。
根据具有上述结构的第二方面发明的液晶装置，通过使光照射到第一晶体管生成截止电流。而且，把第一晶体管设为截止状态、扫描第二晶体管依次设为导通状态，在该状态下，根据检测出截止电流，能够掌握截止电流大的第一晶体管及其截止电流的大小，能够取得基于这些的信号。 
因此，根据第二方面发明的液晶装置，能够提供一种光输入和图像显示双方都可能的液晶装置，而且各像素部的结构简单，具有提高显示图像时的画面质量的效果。 
此外，在第二方面发明的液晶装置中，上述第二晶体管的另一侧和第三晶体管的另一侧被第二遮光膜覆盖，在上述第一晶体管的另一侧不存在遮光物。在这种结构中，在信号线和像素电极之间具有与第一晶体管串联连接的第三晶体管，该第三晶体管的另一侧被第二遮光膜覆盖。因此，即使在光照射到第一晶体管时，光也不必入射到第三晶体管就能够在图像显示时在第三晶体管中进行完美的转换。因此，能够不必遮光从另一侧入射的光就使其入射到第一晶体管，把此光作为光电(photo sensor)在光输入时使用。同时，第二晶体管被夹在第一遮光膜和第二遮光膜之间，所以能够用第二晶体管的光泄漏防止光检测灵敏度下落的情况。根据第二方面发明的液晶装置，能够提供一种液晶装置，其在光输入时检测灵敏度高，在图像显示时不产生图像混乱。 
此外，在第一及第二方面发明的液晶装置中，上述第二遮光膜(第二遮光物)采用由与信号线相同的金属构成。 
根据采用该结构，不需设置多余的遮光层，而且，因为遮光层形成在距离晶体管极近的附近(晶体管的正上面或正下面)，所以具有以小的面积准确地遮光晶体管的效果。 
此外，在第一及第二方面发明的液晶装置中，上述第一晶体管的栅极采用透明电极的结构。 
通过采用这种结构，能够防止由于第一晶体管的栅极而产生截止电流的光被遮断，可以取得更准确且大的截止电流。 
此外，在第一及第二方面发明的液晶装置中，上述第一晶体管是采用在半导体膜的沟道区和源极/漏极区之间形成有本征区的补偿型晶体管的结构。 
通过采用这样的结构，使光不必被栅极遮挡就能入射到本征区。因此，可以更可靠地得到截止电流。 
此外，在第一及第二方面发明的液晶装置中，上述电源线是采用行方向上的像素部的第一扫描线的结构。 
通过采用该结构，能够削减电源线数，更进一步提高像素部的开口率。 
此外，在第一方面发明的液晶装置中，像素部包括保持电容，该保持电容的一个电极连接于所述第一晶体管的源极/漏极中的另一个，该保持电容的另一个电极连接于在行方向上相邻的像素部的第一扫描线。 
通过采用该结构，能够提高液晶装置的显示对比度。 
此外，在第二方面的液晶装置中，像素部具有保持电容，该保持电容的一个电极连接至上述第三晶体管的源极/漏极中的另一个，该保持电容的另一个电极连接至在行方向上相邻的像素部的第一扫描线。 
通过采用这种结构，能够提高液晶装置的限制对比度。 
此外，在第一及第二方面发明的液晶装置中，上述保持电容包括：上述像素电极、保持电容电极、以及夹在所述像素电极和保持电容电极相互之间的保持电容介质膜，上述像素电极和上述保持电容电极以及上述保持电容介质膜呈透明状。 
通过该结构，能够通过保持电容抑制开口率的下降的同时，能够防止被保持电容遮光入射到第一晶体管的光。 
此外，在第一及第二方面发明的液晶装置中，所述液晶装置包括：连接于上述第一扫描线的一端侧的第一扫描驱动器；连接于上述信号线的一端侧的信号线驱动器；连接于上述第二扫描线的一端侧的第二扫描驱动器；配置在上述信号线和信号线驱动器之间，转换上述信号线和信号线驱动器的导通/非导通的转换电路；以及连接于上述信号线的另一端侧的光电传感器信号读出电路(photo sensorscan driver)。 
而且，在通过转换电路使信号线和信号线驱动器为导通状态时，通过第一扫描驱动器选择第一扫描线从而在信号线上供给图像信号。此外，在通过转换电路使信号线和信号线驱动器为非导通状态时，截止电流通过信号线供给光电传感器信号读出电路。 
因此，在第一及第二方面发明的液晶装置中，由于包括转换电路，能够以比较简单的结构既进行光照射的位置及被照射的光的发 光强度的检测所涉及的控制，又进行形成图像、即液晶层的驱动所涉及的控制。 
此外，在第一及第二方面发明的液晶装置中，还包括控制上述第一扫描驱动器、上述第二扫描驱动器、上述信号线驱动器、上述光电传感器信号读出电路及上述转换电路的控制部，以及与所述控制部连接的存储部；上述控制部将通过上述光电传感器信号读出电路读出的读出数据存储到上述存储部中。 
通过采用上述构成，能够将存储在存储部中的读出数据用于控制部进行之后处理。 
此外，在第一及第二方面发明的液晶装置中，上述控制部基于上述读出数据更新存储在上述存储部中的图像数据，将对应所述图像数据的控制信号供给上述信号线驱动器。 
通过采用上述结构，能够显示对应光照射的位置及光的发光强度的图像。 
此外，第一及第二方面发明的液晶装置还包括与上述控制部连接的输入部，上述控制部在使用输入部输入了规定的操作指示时，控制上述转换电路使上述信号线和信号线驱动器为非导通状态，使上述光电传感器信号读出电路动作。 
通过采用上述构成，通过输入部的操作能够容易地转换显示图像的模式和进行光输入的模式。 
此外，本发明的电子设备将本发明的液晶装置作为显示部。 
根据本发明的液晶装置，能够通过简化像素部的结构提高像素部的开口率，取得画面质量的提升。因此，根据本发明的电子设备， 能够以简单的结构提供包括具有光电转换功能的显示部的电子设备。 
此外，本发明的电子设备包括用于对上述液晶装置进行光输入的照射装置。 
通过采用上述的构成，能够使用照射装置对本发明的液晶装置进行光输入。 
附图说明
图1是表示本发明的第一实施例的液晶装置的结构的框图。 
图2是表示本发明的第一实施例的液晶装置包括的像素部的结构的电路图。 
图3是模式地示出本发明的第一实施例的液晶装置所包括的像素部的截面结构的局部截面图。 
图4是表示本发明的第一实施例的液晶装置所包括的像素部的配线结构的部分平面图。 
图5是用于说明本发明的第一实施例的液晶装置所包括的像素部的配线结构的形成工序的说明图。 
图6是用于说明本发明的第一实施例的液晶装置所包括的像素部的配线结构的形成工序的说明图。 
图7是用于说明本发明的第一实施例的液晶装置所包括的像素部的配线结构的形成工序的说明图。 
图8是用于说明本发明的第一实施例的液晶装置所包括的像素部的配线结构的形成工序的说明图。 
图9是用于说明本发明的第一实施例的液晶装置所包括的像素部的配线结构的形成工序的说明图。 
图10是表示本发明的第二实施例的液晶装置所包括的像素部的结构的电路图。 
图11是模式地示出表示本发明的第二实施例的液晶装置所包括的像素部的截面结构的局部截面图。 
图12是表示表示本发明的第二实施例的液晶装置所包括的像素部的配线结构的部分俯视图。 
图13是用于说明表示本发明的第二实施例的液晶装置所包括的像素部的配线结构的形成工序的说明图。 
图14是用于说明表示本发明的第二实施例的液晶装置所包括的像素部的配线结构的形成工序的说明图。 
图15是用于说明表示本发明的第二实施例的液晶装置所包括的像素部的配线结构的形成工序的说明图。 
图16是用于说明表示本发明的第二实施例的液晶装置所包括的像素部的配线结构的形成工序的说明图。 
图17是用于说明表示本发明的第二实施例的液晶装置所包括的像素部的配线结构的形成工序的说明图。 
图18是具备将本发明的第一实施例的液晶装置作为显示部的电子设备的立体图。 
图19是说明笔型光照射装置的结构例的概略图。 
图20是用于说明从笔型光照射装置的笔尖到焦点的距离的说明图。 
图21是模式地示出本发明的第一实施例的液晶装置的变形例的截面结构的局部截面图。 
图22是模式地示出本发明的第二实施例的液晶装置的变形例的截面结构的局部截面图。 
具体实施方式
参照下面的附图，对本发明涉及的液晶装置及电子设备的实施例进行说明。此外，在以下附图中，为了更好理解各个部件适当改变各个部件的比例。 
液晶装置 
(第一实施例) 
图1是表示本发明第一实施例的液晶装置的结构的框图。 
图1所示液晶装置1包括：液晶扫描线10(第一扫描线)、光电传感器扫描线12(第二扫描线)、信号线14、像素部16、液晶扫描驱动器18(第一扫描驱动器)、光电传感器扫描驱动器20(第二扫描驱动器)、液晶信号线驱动器22、转换电路24、光电传感器信号读出电路26、控制部28、存储部30、以及输入部32。 
液晶扫描线10和光电传感器扫描线12相互之间数目相同、并列配置。 
信号线14与液晶扫描线10及光电传感器扫描线12的各条线交叉配置。 
像素部16按照液晶扫描线10与光电传感器扫描线12以及与信号线14的各个交叉点矩阵状配置(行列配置)。 
液晶扫描驱动器18(第一扫描驱动器)连接于各个液晶扫描线10的一端侧。该液晶扫描驱动器18通过供给规定的控制信号(扫描信号)，选择任一个液晶扫描线10。 
光电传感器扫描驱动器20连接于各个光电传感器扫描线12的一端侧。该光电传感器扫描驱动器20通过供给规定的控制信号，选择任一个光电传感器扫描线12。 
液晶信号线驱动器22连接于各个信号线14的一端侧，向各个信号线14供给图像信号。 
转换电路24位于像素部16和液晶信号线驱动器22之间。该转换电路24基于由控制部28供给的控制信号，转换各个信号线14和液晶信号线驱动器22的导通/非导通。该转换电路24在由液晶信号线驱动器22进行写入时处于导通状态，在由光电传感器信号读出电路26进行读出时处于非导通状态。 
光电传感器信号读出电路26连接于各个信号线的另一端。该光电传感器信号读出电路26选择任一个信号线，将选择的信号线的电流作为光电传感器信号读出。此外，光电传感器信号读出电路26例如、包含有信号线选择电路(移位寄存器和/或译码器)和电流测量电路(放大电路和/或比较电路)，放大信号线所显示的微弱的信号。 
控制部28向液晶扫描驱动器18、光电传感器扫描驱动器20、液晶信号线驱动器22、转换电路24、以及光电传感器信号读出电路26的各个驱动器或电路供给控制信号。在该控制部28连接有存储部30。本实施例的控制部28取得通过光电传感器信号读出电路26读出的数据(以后称为“读出数据”)，将该读出数据存储在存储部30中。此外，控制部28基于读出数据，更新预先存储在存储部30中的图像数据，将对应所述图像数据的控制信号供给液晶信号线驱动器22。对其详细说明稍后描述。 
存储部30例如用DRAM或SRAM等的半导体存储器构成，除作为保持图像数据的图像存储器外，还具有存储通过控制部28生成或被使用的各种数据的功能。 
输入部32与控制部28连接，将使用者的各种输入指示传递给控制部28。该输入部32例如是方向指示键(十字键等)或按钮等。 
图2是表示像素部的详细结构的电路图。在图2中，表示出了位于i行j列(i、j同为自然数)的像素部16，但其他的各个像素部16具有相同的结构。如图所示，像素部16形成于第i行的液晶扫描线10和第i行的光电传感器扫描线12与第j列的信号线14的交叉点上，包括：液晶转换晶体管40(第一晶体管)、光电传感器转换晶体管42(第二晶体管)、像素电极48、公共电极50、液晶层52、以及保持电容46。 
液晶转换晶体管40的栅极(G)连接至第i行的液晶扫描线10，源极/漏极中的一个电极(D)连接至第j列的信号线14。液晶转换晶体管40优选补偿结构。 
光电传感器转换晶体管42的栅极(G)连接至第i行的光电传感器扫描线12，光电传感器转换晶体管42的源极/漏极中的一个电 极(D)与液晶转换晶体管40的源极/漏极中的另一个电极(S)连接，光电传感器转换晶体管42的源极/漏极中的另一个电极(S)连接至电源线。此外，作为连接有光电传感器转换晶体管42的源极/漏极中的另一个电极(S)的电源线例如能够使用另行形成的配线或作为前级的第i-1行的液晶扫描线10。此外，如本实施例的液晶装置1所示，优选将第i-1行的液晶扫描线10作为电源线使用。通过这种利用第i-1行的液晶扫描线10，能够提高像素的开口率。 
像素电极48连接于液晶转换晶体管40的源极/漏极的另一个电极(S)。公共电极50与像素电极48对置配置。液晶层52配置于像素电极48和公共电极50的相互之间。 
保持电容46连接于液晶转换晶体管40的源极/漏极的另一个电极(S)和第i-1行的液晶扫描线10之间。通过将保持电容46的一个电极连接于作为前级的第i-1行的液晶扫描线10上，能够取得削减配线数并提高开口率的效果。这时，前级的液晶扫描线10的电位作为基准电位使用。此外，也可以设置其他途经的配线，将保持电容46的一个电极连接在该配线上。通过设置保持电容46能够提高显示的对比度。 
此外，保持电容46优选前级栅极重合(不是重叠的意思而是作为基准电位使用)，用透明导电膜-透明导电膜制成。 
图3是模式地表示液晶装置的像素部的截面结构的局部截面图。如图3所示，液晶装置1包括：透明的第一基板60、配置在该第一基板60上同时与像素电极48接触配置的电路层62、配置在第一基板60和电路层62之间的规定位置的第一遮光膜64、与第一基板60对置配置的同时配置有公共电极50的透明的第二基板68、配置在第一基板60和第二基板68相互之间的液晶层52、以及配置在第一基板60侧的背光源(back light)100。 
本实施例的液晶装置1采用将从背光源100射出的光在液晶层52中调制，从第二基板68一侧看显示图像的结构。因此，第一基板60及第二基板68相对于可见光透明。 
第一基板60是使可见光透过的透明的基板，例如、使用玻璃基板或塑料基板等。 
电路层62包括：液晶扫描线10、光电传感器扫描线12、信号线14、液晶转换晶体管40、光电传感器转换晶体管42、以及保持电容46。如图3所示，液晶转换晶体管40和光电传感器转换晶体管42同是由薄膜晶体管构成。 
第一遮光膜64形成在液晶转换晶体管40和光电传感器转换晶体管42的下面，配置在第一基板60和电路层62之间以使在高度方向(第一基板60、电路层62、液晶层52及第二基板68等层叠的方向)上与液晶转换晶体管40和光电传感器转换晶体管42重叠。该第一遮光膜64优选诸如铝或铬等的金属膜。基于此，能够进行遮蔽以使来自背光源100的光不入射到后述的液晶转换晶体管40的半导体膜部分及光电传感器转换晶体管42的半导体膜部分。 
此外，第一遮光膜64优选设置在液晶转换晶体管40的半导体膜部分及光电传感器转换晶体管42的半导体膜部分中与最少的活性区域重叠的位置。在这里，“活性区域”就是沟道形成区域和漏极区域之间的本征区及沟道形成区域和源极区域之间的本征区。通过这种第一遮光膜64能够回避由于来自背光源100的光从液晶转换晶体管40及光电传感器转换晶体管42产生截止电流。 
接着，对电路层62的结构进行详细讲述。 
作为底保护膜的绝缘膜70形成在第一基板60上以覆盖第一遮光膜64。在作为该底保护膜的绝缘膜70的上面形成有岛状的半导体膜72。 
半导体膜72由高温多晶硅膜或低温多晶硅膜构成，如图3所示在液晶转换晶体管40和光电传感器转换晶体管42两者间被共有。 
栅极绝缘膜78形成在绝缘膜70上覆盖半导体膜72。可以将半导体膜热氧化制成。该绝缘膜78作为各晶体管的栅极绝缘膜发挥作用。在成为底保护膜的绝缘膜78上、半导体膜72的上方的规定位置形成有液晶扫描线10及光电传感器扫描线12。 
作为第一层间绝缘膜发挥作用的绝缘膜80形成在绝缘膜78上覆盖液晶扫描线10及光电传感器扫描线12。 
信号线14形成在绝缘膜80上，通过在绝缘膜80上适当设置的接触孔与半导体膜72连接。同样，配线11(与信号线形成在同一层上的同种金属)形成在绝缘膜80上，通过在绝缘膜80上适当设置的接触孔与半导体膜72连接。此外，信号线14及配线11为Al等的金属具备遮光性。而且，配线11的一部分在高度方向优选形成覆盖具有光电转换晶体管功能的半导体膜的活性区。 
作为第二层间绝缘膜功能的绝缘膜82形成在绝缘膜80上覆盖配线11、信号线14、以及其他的配线75。该绝缘膜82上的规定位置、更具体地说是在高度方向上与液晶转换晶体管不重复的位置上形成有保持电容46的一个电极74。 
一个电极74通过适当设置在绝缘膜82中的接触孔与配线11连接。 
绝缘膜84形成在绝缘膜82上覆盖一个电极74及配线76。在本实施例中，因为将调制来自背光源100的光从第二基板68侧可见作为前提，所以上述的各个绝缘膜70、78、80、82、及84适宜采用具有透明性的物质。作为其具体例列举有氧化硅素膜。 
像素电极48通过设置在绝缘膜84的规定位置上的接触孔与配线76连接。该配线76通过设置在绝缘膜82中的接触孔与配线75连接。基于此，像素电极48通过配线75、76电气连接半导体膜72。 
此外，通过介于像素电极48和上述的一个电极74两者之间的绝缘膜84和像素电极48构成保持电容46。像素电极48和一个电极74例如使用ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)等的透明导电膜构成。这是由于本实施例的液晶装置1采用调制来自背光源100的光从第二基板68侧可见图像的结构。换句话说，保持电容46因为前级栅重合(不是重叠的意思，而是作为基准电位利用)，在绝缘没84上由透明导电膜-透明导电膜形成。 
具有公共电极50的第二基板68对置形成有这种像素电极48的第一基板60配置。公共电极50采用ITO等的透明导电膜。在像素电极48和公共电极50之间形成有液晶层52。该液晶层52由液晶原料、及用于规定该液晶原料所包含的液晶分子的排列方向的定向膜构成。 
接着，参照图4对像素部16的配线结构进行说明。图4是表示像素部16的配线结构的部分俯视图。此外，图3所示的剖面图大致对应图4所示的III-III线方向，为了便于理解省略透明导电膜和像素电极。 
如该图4所示，第一遮光膜64设置在半导体膜72的下层侧、在该半导体膜72中与液晶转换晶体管40的半导体膜部分的活性区及光电传感器转换晶体管42的半导体膜部分的活性区重叠的位置。 
半导体膜72由液晶转换晶体管40和光电传感器转换晶体管42共有。在与该半导体膜72相比的上层侧设置有液晶扫描线10及光电传感器扫描线12。 
此外，优选通过ITO等的透明导电体形成在液晶扫描线10中与半导体膜72交叉的部分，该部分就是具有液晶转换晶体管40的栅极功能的部分10a及在光电传感器扫描线12中与半导体膜72交叉的部分12a、即具有光电传感器转换晶体管42的栅极功能的部分。 
在液晶扫描线10及光电传感器扫描线12的更高一层侧设置由Al等的金属构成的信号线14及其他的配线11。如图4所示配线11通过接触孔与半导体膜72(相等于光电传感器转换晶体管42的部分)连接，与第i-l行的液晶扫描线10连接。此外，如图4所示，优选形成配线11的一部分以使罩着作为光电转换晶体管功能的半导体膜的活性区。 
此外，在半导体膜72的中间部分(相等于液晶转换晶体管40的部分和相等于光电传感器转换晶体管42的部分的边界部分)形成接触孔75、76，通过所述接触孔75、76电气连接半导体膜72和像素电极48。 
图5～9示出这些配线等的形成工序。沿着各图对形成工序进行简单地说明。此外，对存在于各个配线等的相互间的绝缘膜省略说明。 
首先，第一遮光膜64形成在第一基板60上的规定位置上。(图5)。 
接着，在一部分与这些第一遮光膜64重叠的位置上形成有半导体膜72(图6)。半导体膜72例如成膜有高温多晶硅膜或低温多晶硅膜，通过岛状制作图案得到。 
接着，在半导体膜72的上层形成有具有液晶转换晶体管40的栅极功能的部分10a、及具有光电传感器扫描线12的栅极功能的部分12a(图7)。这些例如通过成膜有ITO等的透明导电膜，之后制作图案得到。通过将透明导电膜使用于栅极，从而在将液晶转换晶体管作为光电传感器使用时，光照到活性层，得到提高光电传感器的灵敏度的效果。在将液晶转换晶体管作为光电传感器使用时，测量在晶体管的截止状态中的光泄漏电流。光泄漏电流在沟道形成区域和漏极形成区域之间的边界(称为漏极端)产生。即使栅极为遮光性的金属膜，由于光在栅极端衍射照到漏极端产生光泄漏电流，但更增加了透明电极一方的效率。 
接着，在未图示的绝缘膜的规定位置形成有接触孔(图8)。 
接着，形成液晶扫描线10、光电传感器扫描线12、信号线14及配线11(图9)。这时，遮光性导电膜覆盖光电传感器转换晶体管的上部，遮光光电传感器转换晶体管的活性层和漏极端。这些遮光性导电膜通过使用通常的金属膜，例如成膜有铝和铜、铬、钽、银、金、铁、镍、以及适当包含这些的合金等的导电膜，之后制作图案，从而得到。 
根据上述的工序，形成图4所示的像素部16的配线结构。 
本实施例的液晶装置1具有上述的这样构成，接着主要边参照图1及图2，边对其动作内容详细进行说明。 
本实施例的液晶装置1的动作通过控制部28总括控制。例如、控制部28在通过输入部32输入有显示模式的指示时，将控制信号 传送给转换电路24，使各信号线14和液晶信号线驱动器22处于导通状态。另一方面，控制部28在通过输入部32输入有显示模式的指示时，将控制信号传送给转换电路24，使各信号线14和液晶信号线驱动器22处于非导通状态，且将控制信号传送给光电传感器信号读出电路26使所述光电传感器信号读出电路动作(有源状态)。控制部28基于此转换显示模式和取像模式(详细后面讲述)。 
下面，对显示模式、取像模式、并用显示模式及取像模式的重写模式进行说明。 
(1)显示模式 
基于控制部28的控制，液晶扫描驱动器18向液晶扫描线10供给在选择时最高电位(例如、8V)、在非选择时最低电位(例如、0V)的扫描信号。这时，基于控制部28的控制，光电传感器扫描驱动器20向全部的光电传感器扫描线12供给最低电位(例如、0V)的光电传感器扫描信号。据此，全部的光电传感器转换晶体管42为导通状态。 
此外，基于控制部28的控制，液晶信号线驱动器22向信号线供给规定的显示信号。 
在这种显示模式中，基于控制部28的控制，转换电路24将液晶信号线驱动器22和各个信号线14之间设为导通状态。在该状态下液晶扫描驱动器18选择液晶扫描线10。此外，液晶信号线驱动器22选择信号线14，并将想要的显示信号输出给选中的信号线14。其结果，显示信号被供给选中的液晶扫描线10和选中的信号线14的交叉点的像素部16。而且，各像素部16的液晶层52基于显示信号被驱动，从而调制来自背光源100的光。基于此，使用者能够从第二基板68侧可见(目视到)图像。 
(2)取像模式 
使用者用输入部32进行(取像模式转换的)操作指示，其内容从输入部32输入到控制部28。这时，控制部28进行从显示模式向取像模式转换的控制。 
在本发明的取像模式中，基于控制部28的控制，液晶扫描驱动器18向全部的液晶扫描线10供给最低电位(例如、0V)的扫描信号。据此，全部的液晶转换晶体管40为截止状态。这时，基于控制部28的控制，光电传感器扫描驱动器20向光电传感器扫描线12供给在选择时最高电位(例如、8V)、在非选择时最低电位(例如、0V)的光电传感器扫描信号。 
此外，与此同时，控制部28通过供给规定的控制信号，从而利用转换电路24将液晶信号线驱动器22和信号线14的连接平常时设为切断状态，同时使光电传感器信号读出电路26动作。 
在这种取像模式中，基于控制部28的控制，上述的转换电路24将液晶信号线驱动器22和各个信号线14之间设为绝缘状态。在该状态下，光电传感器扫描驱动器20选择规定的像素部16的光电传感器扫描线12。接着，光电传感器信号读出电路26通过选择规定的像素部16的信号线14，读出来自信号线14的光电传感器信号。光电传感器读出电路26包含有信号线选择电路(移位寄存器和/或译码器)和电流测量电路(例如、放大电路和/或比较电路)。而且，来自选择的信号线14的光电传感器信号在电流测量电路中被测量(也就是被放大、被模拟-数字转换)，将结果输出给设置在外部的运算装置等。 
此外，在取像模式时优选关闭背光源100。通过关闭背光源100提高光敏感度。此外，在后述的重写模式中，通过间歇显示来平稳地放映动画，同时解决不识别取像时的图像的混乱。 
而且，通过使用者例如用笔型光照射装置等的照明装置进行取像(诸如写字)描在液晶装置1的第二基板68的表面(参照图3)上。笔型光照射装置就是具有与一般的笔同样的形状，且从其一端能够发射强的光。对其结构例稍后进行详述。此外，使用取像的照明装置并不限于此，小的发出强光的照明装置都可以。 
在这种笔形光照射装置中，当检测出写入的信息时，如上所述，通过液晶扫描驱动器18向全部的液晶扫描线10供给最低电位(例如、0V)的扫描信号，使液晶转换晶体管40处于截止状态。而且，光电传感器扫描驱动器20依次向各个光电传感器扫描线12供给最高电位(例如、8V)的光电传感器扫描信号。也就是说，依次选择光电传感器扫描线12。基于此，连接在选择的光电传感器扫描线12上的光电传感器转换晶体管42为导通状态。在指定的光电传感器扫描线12被选择的状态下，将第j行的信号线14设为最高电位(例如、8V)，在液晶转换晶体管40中设置电位差。 
在该状态下，光通过第二基板68照在与由笔型光照射装置写入地方对应的位置的液晶转换晶体管40的半导体膜72上，在照有光的液晶转换晶体管40中产生光泄漏，根据光照强度产生不同大小的截止电流。光电传感器信号读出电路26依次读出该截止电流。根据该光电传感器信号读出电路26的读出数据输入给控制部28，存储在存储部30中。控制部28基于该读出数据能够规定使用者用笔型光照射装置描在第二基板68上的任意位置(就是笔尖的位置)。此外，如上所述由于配线11延伸形成以使具有光电传感器转换晶体管42功能的半导体膜的规定部分重叠，所以来自照明装置的光(隔着第二基板68的光)不必照射在光电传感器转换晶体管42的 半导体膜部分就能抑制在光电传感器转换晶体管42中的截止电流的发生。 
控制部28能够将表示该笔尖的位置检测结果的取像结果反映给之后的处理。例如、在显示规定图像的状态下，能够基于笔尖的位置进行加工显示图像的重写处理。此外，在该液晶装置1装入种种电子设备时，控制部28能够向未图示的上位控制部提交位置检测结果。通过这些，能够将使用者的指示内容通过上位的控制部反映给之后的处理。 
(3)重写模式 
接着，在显示规定的图像的状态下，基于笔尖的位置对进行加工显示图像的重写处理的情况进行简单说明。 
使用者用输入部32进行“重写模式转换”的操作指示，其内容从输入部32输入到控制部28。这时，控制部28进行从上述的显示模式或取像模式向重写模式转换的控制。 
在本发明重写模式中，上述显示模式和上述取像模式以规定间隔交替转换。该规定间隔例如是保持有显示图像的规定的一个彗形像差(coma)的时间、即设为1帧间隔的二分之一。 
更详细地说，视为在一个图像(1帧)中以高速重复显示模式和取像模式。例如帧频为fRHz，则帧基板为1/fR秒，在该期间内设置显示模式和取像模式各一次。如果不论显示模式还是取像模式都是1/(2fR)秒，则时钟信号等的控制变得容易。 
在这种情况下，基于控制部28的控制，在1帧期间交替转换显示模式和取像模式。因在取像模式时发生光泄漏，所以在显示模式时有显示的图像混乱的情况。因此使用者感到不舒服，所以优选 在取像模式时关闭背光源为黑显示。在显示图像和下次的显示图像之间进入短时间的黑显示(取像模式)。在以这种应对慢数毫秒的液晶显示动画时没有余像感，作为结果防止动画的轮廓模糊或摆动的发生。此外，关闭背光源进一步提高用光笔的输入灵敏度。 
在该重写模式，通过使用者用笔型光照射装置描在液晶装置1的第二基板68的表面(参照图3)上进行取像(例如、描图像的轮廓)，控制部28在给定的取像模式中只用1帧的一半时间从光电传感器信号读出电路26取得作为读出数据，基于存储在存储部30中的读出数据指定在画面上的笔尖的位置。 
而且，控制部28对存储在存储部30中的当前显示对象的图像数据进行在下一帧改写基于读出数据指定的位置所对应的像素部的图像数据的处理。 
据此，重新显示对应通过笔型光照射装置写入的位置进行了加工的图像。 
这样，根据本实施例的这种液晶装置1，即可以作为液晶显示装置使用也可以用来作为光电传感器转换装置(取像装置)，能够将直接信息输入给液晶装置的显示表面。 
根据上述的本实施例的液晶装置1，具有以下优点： 
(1)所述液晶装置包括：与液晶扫描线10并列配置的光电传感器扫描线12；光电传感器转换晶体管42，作为像素部16的一部分，栅极连接光电传感器扫描线12，光电传感器转换晶体管42的源极/漏极(源极和/或漏极)中的一个电极(D)连接液晶转换晶体管40的源极/漏极(S)、且光电传感器转换晶体管42的源极/漏极中的另一个电极(S)连接电源线、即液晶扫描线10；以及覆盖液 晶转换晶体管40和光电传感器转换晶体管42的背光源100侧的第一遮光膜64。 
在这种液晶装置1中，由于光照射到液晶转换晶体管40产生截止电流。而且，把液晶转换晶体管40设为截止状态，扫描光电传感器转换晶体管42并依次设为导通状态，在该状态下，通过信号线14检测出所述截止电流，从而能够掌握截止电流大的液晶转换晶体管40的位置及其截止电流的大小，取得基于这些的信号。 
也就是说，本实施例的液晶装置1因只在矩阵方向配置有2个晶体管的像素部16，而使液晶装置具备光电传感器转换功能。 
因此，根据本实施例的液晶装置1，在具备光电传感器转换功能的液晶装置中能够简单化各像素部的结构。此外，因简单化像素部16的结构能够提高像素部的开口率，取得画面质量的提升。 
(2)在本实施例的液晶装置1中，在液晶转换晶体管40的上方不存在遮光物。 
因此，不必遮光液晶转换晶体管40就能够准确地取得截止电流。 
(3)在本实施例的液晶装置1中，光电传感器转换晶体管42通过配线11(信号线金属)被覆盖。 
因此，能够防止在光电传感器转换晶体管42中产生截止电流。 
(4)在本实施例的液晶装置1中，液晶转换晶体管40的栅极也就是液晶扫描线10中与半导体膜72交叉的部分10a为透明。 
因此，根据本实施例的液晶装置1，因液晶转换晶体管40的栅极，能够防止遮断用于产生截止电流的光，更准确地取得更大的截止电流。 
(5)在本实施例的液晶装置1中，液晶转换晶体管40是作为补偿型的晶体管的结构。 
因此，根据本实施例的液晶装置1，不被栅极(液晶扫描线10)遮盖，光能够入射到半导体膜72的本征区，更准确地得到截止电流。 
(6)在本实施例的液晶装置1中，行方向的像素部16的液晶扫描线10作为连接光电传感器转换晶体管42的电源线使用。 
因此，不需另设连接光电传感器转换晶体管42的电源线，能够削减电源线数。更进一步提高像素部16的开口率。 
(7)在本实施例的液晶装置1中，像素部16包含有保持电容46。因此，能够提高液晶装置1的显示对比度。 
此外，保持电容46由透明的像素电极48、透明的绝缘膜84(保持电容介质膜)、以及透明的一个电极74(保持电容电极)构成。 
因此，不必通过保持电容46遮断光，而是通过保持电容46在抑制开口率下降的同时，能够防止入射到液晶转换晶体管40的光被保持电容46遮光。 
(8)本实施例的液晶装置1包括：连接于液晶扫描线10的一端侧的液晶扫描驱动器18；连接于信号线14的一端侧的液晶信号线驱动器22；连接于光电传感器扫描线12的一端侧的光电传感器扫描驱动器20；配置在信号线14和液晶信号线驱动器22之间、转 换信号线14和液晶信号线驱动器22的导通/非导通的转换电路24；以及连接于信号线14的另一端侧的光电传感器信号线读出电路26。 
而且，通过转换电路24在使信号线14和液晶信号线驱动器22为导通状态时，通过由液晶扫描驱动器18选择液晶扫描线10向信号线14供给图像信号。此外，通过转换电路24使信号线14和液晶信号线驱动器22为非导通状态时，截止电流通过信号线14供给到光电传感器信号读出电路26。 
这样，根据本实施例的液晶装置1包括转换电路24，所以既能够以比较简单的结构使光照射的位置及被照射光的发光强度的检测就是截止电流检测所涉及的控制，又能够进行形成图像就是液晶层52的控制。 
(9)本实施例的液晶装置1包括：液晶扫描驱动器18、光电传感器扫描驱动器20、液晶信号线驱动器22、控制光电传感器信号读出电路26及转换电路24的控制部28、以及连接于控制部28的存储部30。而且，控制部28将由光电传感器信号读出电路的读出数据存储到存储部30中。 
因此，根据本实施例的液晶装置1能够把存储在存储部30中的读出数据用于控制部在之后的处理中。 
(10)在本实施例的液晶装置1还包括与控制部28连接的输入部32，控制部28在利用输入部32输入了规定的操作指驱动器示时，控制转换电路24将信号线14和液晶信号线驱动器22设为非导通状态，使光电传感器信号读出电路26动作。 
因此，根据本实施例的液晶装置1，通过输入部32的操作能够容易地转换显示图像模式和进行光输入的模式。 
(第二实施例) 
接着，对液晶装置的第二实施例进行说明。对在本实施例的说明中与上述的第一实施例相同的部分省略或简化其说明。 
图10是表示本实施例的液晶装置所具备的像素部的详细结构的电路图。如图所示，本实施例的液晶装置所具备的像素部16包括在信号线14和像素电极48之间、与液晶转换晶体管40(第一晶体管)串联连接的第二液晶转换晶体管43(第三晶体管)。该第二液晶转换晶体管43的栅极(G)连接至第i行的液晶扫描线10，第二液晶转换晶体管43的源极/漏极一个电极(D)与液晶转换晶体管40的源极/漏极中的另一个电极(D)连接、第二液晶转换晶体管43的源极/漏极中的另一个电极(S)与像素电极48连接。 
图11是模式地示出本实施例的液晶装置的像素部的截面结构的局部截面图。在图11中，为绘图方便液晶转换晶体管40和第二液晶转换晶体管43被分开描绘，但实际如图10所示，液晶转换晶体管40的源极/漏极中的另一个电极(S)与第二液晶转换晶体管43的源极/漏极中的一个电极(D)电气连接。 
如图11所示，在本实施例中，第一遮光膜64形成在液晶转换晶体管40和光电传感器转换晶体管42的下面及第二液晶转换晶体管43的下面。基于此，能够遮蔽来自背光源100的光不入射到液晶转换晶体管40的半导体膜部分、光电传感器转换晶体管42的半导体膜部分及第二液晶转换晶体管43的半导体膜部分。 
此外，与上述实施例相同，第一遮光膜64优选设置在液晶转换晶体管40的半导体膜部分、光电传感器转换晶体管42的半导体膜部分及第二液晶转换晶体管43中与最少(至少)的活性区重叠的位置。基于此，能够避免因来自背光源100的光从液晶转换晶体 管40、光电传感器转换晶体管42及第二液晶转换晶体管43产生截止电流。 
在电路层62中，半导体膜72位于液晶转换晶体管40、光电传感器转换晶体管42及第二液晶转换晶体管43之间被共有。在图11中，液晶转换晶体管40及光电传感器转换晶体管42的半导体膜72和第二液晶转换晶体管43的半导体膜72分开描绘，但这些半导体膜72在图1的纵深方向连接。 
此外，配线11及其一部分11a具有第二遮光膜的功能，在高度方向罩着光电传感器转换晶体管42和第二液晶转换晶体管43的半导体膜72活性区。 
接着，参照图12对本实施例的液晶装置所具备的像素部16的配线结构进行说明。图12是表示本实施例的液晶装置所具备的像素部16的配线结构的部分俯视图。图11所示的剖面图大致对应图12所示的IV-IV线方向，为了便于理解省略透明导电膜和像素电极。 
如该图12所示，第一遮光膜64设置在半导体膜72的下层侧、即在该半导体膜72中与液晶转换晶体管40的半导体膜部分的活性区、光电传感器转换晶体管42的半导体膜部分的活性区及第二液晶转换晶体管43的半导体膜部分的活性区重叠的位置。 
半导体膜72由液晶转换晶体管40、光电传感器转换晶体管42及第二液晶转换晶体管43共有。在该半导体膜的上层侧设置有液晶扫描线10及光电传感器扫描线12。 
也就是说，优选通过ITO等的透明导电体形成以下部分：在液晶扫描线中与半导体膜72交叉的部分也就是具有液晶转换晶体管40的栅极功能的部分10a和具有第二液晶转换晶体管43的栅极功 能的部分10b、以及在光电传感器扫描线12中与半导体膜72交叉的部分12a也就是具有光电传感器转换晶体管42的栅极功能的部分。 
而且，形成配线11及其一部分11a罩着光电传感器转换晶体管42和第二液晶转换晶体管43的半导体膜72活性区。 
在本实施例中，用于电气连接半导体膜72和像素电极48的接触孔75、76与具有第二液晶转换晶体管43功能的半导体体膜的另一侧的源极/漏极(S)连接。 
用图13～17示出这些配线等的形成工序。沿着各图简单地说明形成工序。对存在各个配线等的相互之间的绝缘膜省略说明。 
首先，在第一基板60上的规定位置形成有第一遮光膜64(图13)。 
接着，在一部分与这些遮光膜64重叠的位置上形成有半导体膜72(图14)。 
接着，在半导体膜72的上层形成有具有作为液晶转换晶体管40的栅极的功能的部分10a、具有第二液晶转换晶体管43的栅极功能的部分10b、以及具有光电传感器扫描线12的栅极功能的部分12a(图15)。 
接着，在未图示的绝缘膜的规定位置上形成有接触孔(图16)。 
接着，形成液晶扫描线10、光电传感器扫描线12、信号线14、以及配线11(图17)。 
基于以上工序，形成图12所示的像素部16的配线结构。 
根据具有该种结构的本实施例的液晶装置，与上述第一实施例相同，在照有光的液晶转换晶体管40中发生光泄漏，生成对应光照强度不同大小的截止电流。另一方面，由于第二液晶转换晶体管43被夹在第一遮光膜64和配线11的一部分10a，所以即使在光照射到液晶转换晶体管40的情况下，不必在第二液晶转换晶体管43中照射光，在第二液晶转换晶体管43中不发生光泄漏、不产生截止电流。 
因此，在液晶转换晶体管40具有光电功能时，能够通过第二液晶转换晶体管43进行完整的转换。 
因此，根据本实施例的液晶装置，能够取得与上述第一实施例同样的效果，更进一步消除在能够进行光输入的情况(取像模式)的图像混乱。 
电子设备 
接着，对具备上述的液晶装置的电子设备进行说明。 
图18是电子设备的一个、PDA(Personal Digital Assistants：个人数字助理)1000的立体图。该PDA 1000包含本实施例的液晶装置作为显示部1001。此外，PDA 1000具备用于在显示部中进行光输入的笔型光照射装置(照射装置)。 
图19是对笔型光照射装置的结构例进行说明的概略图。在图19中，通过俯视图示出一例笔型光照射装置，且一端(笔尖)以局部截面图示出。该图所示的笔型光照射装置2000在主体2001的一端侧内置有反射镜2001、LED光源2003及透镜2004。从LED光源2003放射的光经反射镜2001成为反射光直接的入射透镜2004。该入射的光通过透镜2004聚光焦点2005。在焦点2005聚光的光之后进行发散。就是说，LED光源2003是一例，也可以是其他的光 源。根据这种笔型光照射装置2000，能够将在焦点2005的光照强度高的光照射到液晶装置的液晶转换晶体管40上。 
在这里，如根据雨天或晴天等外界气候下的太阳光照射强度的强弱，对能够通过笔型光照射装置2000写入的条件进行研究。雨天或昏暗天的太阳光照射强度大概为2000勒克司，晴朗的太阳光照射强度大概为10万勒克司。另一方面，薄膜晶体管的截止电流与光照射量成比例关系。0勒克司的截至电流相当于1pA(微微安培)，1万勒克司相当于10pA。在晴朗的天气的太阳照射下(发光强度10万勒克司)，截至电流为100pA。因此，通过透镜2004将光束直径束为1mm时，焦点2005的发光强度为1000万勒克司左右。也就是说，能够获得在焦点2005中，天气晴朗时的太阳光强度100倍左右的发光强度。相对于该焦点308中的光的发光强度薄膜的、晶体管的截止电流为10000pA左右，该值用于判断光照射的有无足够了。LED光源的发光部通常为0.2mm×0.2mm，所以，可以通过透镜2004聚焦到这个尺寸。在该尺寸发光强度容易超过1亿勒克司。是晴朗天气时的太阳光的1000倍以上，所以薄膜晶体管的截止电流也能达到1000倍以上。因此，即使在晴朗天气下也可以通过笔型光照射装置写入。 
在这里，用图20对从笔型光照射装置2000的笔尖到焦点2005的距离的适宜范围进行说明。将从笔尖到焦点2005的距离设为L，将液晶装置的第二基板68及液晶层52的厚度设为d，如图所示，从笔尖到液晶转换晶体管40的距离如以下公式1所示： 
(公式1) 
L = d 1 tan 2 θ + 1
在该公式中，人们自然地将持笔时的角度θ的范围60°～80°代入到公式中，距离L的适当范围为：1.015d≤L≤1.155d。因此，优选使用能够实现该值这样的焦点距离。 
此外，液晶装置不限于应用在PDA，也可以应用在手机、电子手册、个人计算机、数码相机、液晶电视、寻像器型的磁带录象机或者监控直视型的磁带录像器、汽车驾驶导向装置、寻呼机、电子记事本、文字处理器、工作站、电视电话、POS终端、具有触摸面板的设备等上。 
根据上述的电子设备，具有以下优点： 
(1)因为具备本实施例的液晶装置作为显示部，所以具有能够以简单的结构具有光电转换功能的显示部。 
(2)上述的电子设备包括笔型光照射装置。因此能够对液晶装置进行可靠地光输入。 
以上参照附图对本发明所涉及的液晶装置以及电子设备的优选实施例进行了说明，但本发明当然并不限于上述实施例。上述实施例中所示的各种构成不见的各种形状和组合等指示一例，只要不脱离本发明的发明构思根据各种涉及要求可以进行各种变形。 
例如，在第一实施例中，对在配线11上形成一个电极74(参见图3)并将该一个电极作为保持电容的保持电容电极使用的结构 进行了说明。通过采用这样结构，能够容量大的保持电容，能够取得使液晶装置1的灰阶数得到提高的效果。 
不过，在液晶装置中，因为也可以保持电容小，如图21所示，不形成一个电极，将像素电极48(透明电极)和配线11(保持电容电极)作为电极，在这些之间夹着第二层间绝缘膜作为保持电容介质膜。 
通过采用这种结构，因为各削减了一层配线层和绝缘层，所以简化了制造工序。此外，因为各削减了一层配线层和绝缘层，所以能够提供光的透光率进行明亮显示。 
此外，在上述第二实施例中，如图22所示，不形成一个电极，间像素电极48(透明电极)和配线11(保持电容电极)作为电极，在这些之间夹着第二层间绝缘膜作为保持电容介质膜，也可以是这样的结构。 
通过采用这种结构，在第二实施例的液晶装置中，因为各削减了一层配线层和绝缘层，所以能够简化制造工序。此外，因为各削减了一层配线层和绝缘层，所以能够提高光的透光率，进行明亮显示。 
此外，例如在光电传感器信号读出电路26上设置多个电流计，在多个电流计中同时计量不同的信号线14的电流，从而可以同时计量来自多个像素部16的电流。 
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。 
附图标记说明 
1     液晶装置                 10    液晶扫描线(第一扫描线) 
10a   部分(栅极)               11    配线 
11a   部分(第二遮光膜) 
12    光电传感器扫描线(第二扫描线) 
14    信号线                   16    像素部 
18    液晶扫描驱动器(第一扫描驱动器) 
20    光电传感器扫描驱动器(第二扫描驱动器) 
22    信号线驱动器             24    转换电路 
26    光电传感器信号读出电路   28    控制部 
30    存储部                   32    输入部 
40    液晶转换晶体管(第一晶体管) 
42    光电传感器转换晶体管(第二晶体管) 
43    第二液晶转换晶体管(第三晶体管) 
46    保持电容                 48    像素电极 
50    公共电极                 52    液晶层 
64     第一遮光膜               72     半导体膜 
74     一个电极(保持电容电极)   84     色缘膜(保持电容介质膜) 
100    背光源                   1000   PDA(电子设备) 
2000   笔型光照射装置(照射装置) 

Claims (23)

1.一种液晶装置，包括：
多个第一扫描线；
多个信号线，与所述第一扫描线交叉配置；以及
像素部，通过对应所述第一扫描线和所述信号线的各个交叉点进行配置，从而呈矩阵状配置，
其中，所述像素部包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，且所述第一晶体管的源极/漏极中的一个与所述信号线连接；像素电极，与所述第一晶体管的所述源极/所述漏极中的另一个连接；公共电极，与所述像素电极对置配置；以及液晶层，配置在所述像素电极和所述公共电极相互之间，
所述液晶装置的特征在于，还包括：
第二扫描线，与所述第一扫描线并列配置；
第二晶体管，作为所述像素部的一部分，所述第二晶体管的栅极与所述第二扫描线连接，所述第二晶体管的源极/漏极中的一个与所述第一晶体管的所述源极/所述漏极中的另一个连接，且所述第二晶体管的所述源极/所述漏极中的另一个与电源线连接；以及
第一遮光膜，覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管的一侧，
所述第二晶体管的另一侧被第二遮光膜覆盖，所述第一晶体管的另一侧不存在遮光物。
2.一种液晶装置，包括：
多个第一扫描线；
多个信号线，与所述第一扫描线交叉配置；以及
像素部，通过对应所述第一扫描线和所述信号线的各个交叉点进行配置，从而呈矩阵状配置，
其中，所述像素部包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，且所述第一晶体管的源极/漏极中的一个与所述信号线连接；像素电极，与所述第一晶体管的源极/漏极中的另一个连接；公共电极，与所述像素电极对置配置；以及液晶层，配置在所述像素电极和所述公共电极的 相互之间，
所述液晶装置的特征在于，还包括：
第二扫描线，与所述第一扫描线并列配置；
第二晶体管，作为所述像素部的一部分，所述第二晶体管的栅极与所述第二扫描线连接，所述第二晶体管的源极/漏极中的一个与所述第一晶体管的所述源极/所述漏极中的另一个连接，且所述第二晶体管的所述源极/所述漏极中的另一个与电源线连接；
第三晶体管，作为所述像素部的一部分，在所述信号线和所述像素电极之间所述第三晶体管与所述第一晶体管串联连接的同时，所述第三晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，所述第三晶体管的源极/漏极中的一个与所述第一晶体管的所述源极/所述漏极中的另一个连接，且所述第三晶体管的所述源极/所述漏极中的另一个与所述像素电极连接；以及
第一遮光膜，覆盖所述第一晶体管、所述第二晶体管及所述第三晶体管的一侧。
3.根据权利要求2所述的液晶装置，其特征在于：所述第二晶体管的另一侧和所述第三晶体管的另一侧被第二遮光膜覆盖，所述第一晶体管的另一侧不存在遮光物。
4.根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于：所述第二遮光膜是由与信号线相同的金属构成。
5.根据权利要求3所述的液晶装置，其特征在于：所述第二遮光膜是由与信号线相同的金属构成。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的液晶装置，其特征在于：所述第一晶体管的栅极为透明电极。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的液晶装置，其特征在于：所述第一晶体管是在半导体膜的沟道区域和源极/漏极区域之间形成有本征区的补偿型晶体管。
8.根据权利要求6所述的液晶装置，其特征在于：所述第一晶体管是在半导体膜的沟道区域和源极/漏极区域之间形成有本征区的补偿型晶体管。
9.根据权利要求1～5中任一项所述的液晶装置，其特征在于：所述电源线是在行方向上的像素部的第一扫描线。
10.根据权利要求6所述的液晶装置，其特征在于：所述电源线是在行方向上的像素部的第一扫描线。
11.根据权利要求7所述的液晶装置，其特征在于：所述电源线是在行方向上的像素部的第一扫描线。
12.根据权利要求8所述的液晶装置，其特征在于：所述电源线是在行方向上的像素部的第一扫描线。
13.根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于：所述像素部包括保持电容，所述保持电容的一个电极连接至所述第一晶体管的源极/漏极中的另一个，所述保持电容的另一电极连接至在行方向上相邻的像素部的第一扫描线。
14.根据权利要求2或3所述的液晶装置，其特征在于：所述像素部包括保持电容，所述保持电容的一个电极连接至所述第三晶体管的源极/漏极中的另一个，所述保持电容的另一电极连接至在行方向上相邻的像素部的第一扫描线。
15.根据权利要求13所述的液晶装置，其特征在于，所述保持电容包括：所述像素电极、保持电容电极、以及夹在所述像素电极和所述保持电容电极相互之间的保持电容介质膜，所述像素电极、所述保持电容电极及所述保持电容介质膜均为透明。
16.根据权利要求14所述的液晶装置，其特征在于，所述保持电容包括：所述像素电极、保持电容电极、以及夹在所述像素电极和所述保持电容电极相互之间的保持电容介质膜，所述像素电极、所述保持电容电极及所述保持电容介质膜均为透明。
17.根据权利要求1～3、8、10～12、15、16中任一项所述的液晶装置，其特征在于，包括：
第一扫描驱动器，与所述第一扫描线的一端侧连接；
信号线驱动器，与所述信号线的一端侧连接；
第二扫描驱动器，与所述第二扫描线的一端侧连接；
转换电路，配置在所述信号线和所述信号线驱动器之间，对所述信号线和所述信号线驱动器的导通/非导通进行转换；以及
光电传感器信号读出电路，与所述信号线的另一端侧连接。
18.根据权利要求17所述的液晶装置，其特征在于，还包括：
控制部，用于控制所述第一扫描驱动器、所述第二扫描驱动器、所述信号线驱动器、所述光电传感器信号读出电路、以及所述转换电路；以及
与所述控制部连接的存储部；
其中，所述控制部将通过所述光电传感器信号读出电路读出的读出数据存储在所述存储部中。
19.根据权利要求18所述的液晶装置，其特征在于：所述控制部基于所述读出数据更新存储在所述存储部中的图像数据，将对应所述图像数据的控制信号供给所述信号线驱动器。
20.根据权利要求18或19所述的液晶装置，其特征在于：还包括与所述控制部连接的输入部，所述控制部在利用所述输入部输入了规定的操作指示时，控制所述转换电路将所述信号线和所述信号线驱动器设为非导通状态，使所述光电传感器信号读出电路动作。
21.根据权利要求18或19所述的液晶装置，其特征在于，还包括与所述控制部连接的输入部，所述控制部在利用所述输入部输入了规定的操作指示时，控制所述转换电路每隔规定时间重复所述信号线和所述信号线驱动器的导通状态及非导通状态，在所述信号线和所述信号线驱动器处于非导通状态时，使所述光电传感器信号读出电路动作。
22.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1～21中任一项所述的液晶装置，作为显示部。
23.根据权利要求22所述的电子设备，其特征在于，包括用于对所述液晶装置进行光输入的照射装置。
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