CN101118881A - 像素结构的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是关于一种像素结构的制作方法，包括下列步骤。首先，提供一基板，并形成栅极于基板上。接着，形成门介电层于基板上，以覆盖栅极。继之，形成半导体层于门介电层上，并提供一暴露出部分半导体层的第一遮罩于半导体层上方，使用激光照射以移除部分半导体层，而形成通道层。之后，形成源极以及漏极于栅极两侧的通道层上。接着，形成图案化保护层覆盖通道层并暴露出漏极。之后，形成导电层以覆盖图案化保护层与暴露的漏极，并通过图案化保护层使导电层图案化，以形成像素电极。
Description
技术领域
本发明是有关于一种像素结构的制作方法，且特别是有关于一种使用激光剥离制作工艺(laser ablation process)来制作半导体层的像素结构的制作方法。
背景技术
显示器为人与信息的沟通界面，目前以平面显示器为主要发展的趋势。平面显示器主要有以下几种：有机电激发光显示器(organicelectroluminescence display)、电浆显示器(plasma display panel)以及薄膜晶体管液晶显示器等(thin film transistor liquid crystal display)。其中，又以薄膜晶体管液晶显示器的应用最为广泛。一般而言，薄膜晶体管液晶显示器主要由薄膜晶体管阵列基板(thin film transistor array substrate)、彩色滤光阵列基板(color filter substrate)和液晶层(liquid crystal layer)所构成。其中，薄膜晶体管阵列基板包括多条扫描线(scan lines)、多条数据线(data lines)以及多个阵列排列的像素结构(pixel unit)，且各个像素结构分别与对应的扫描线及数据线电性连接。
图1A～图1G为现有像素结构的制作方法示意图。首先，请参照图1A，提供一基板10，并通过第一道光罩制作工艺于基板10上形成一栅极20。接着，请参照图1B，在基板10上形成一门介电层30以覆盖住栅极20。然后，请参照图1C，通过第二道光罩制作工艺于门介电层30上形成一位于栅极20上方的通道层40。一般而言，通道层40的材质为非晶硅(amorphous silicon)。之后，请参照图1D，通过第三道光罩制作工艺于通道层40的部分区域以及门介电层30的部分区域上形成一源极50以及一漏极60。由图1D可知，源极50与漏极60分别由通道层40的两侧延伸至门介电层30上，并将通道层40的部分区域暴露。接着，请参照图1E，于基板10上形成一保护层70以覆盖闸绝缘层30、通道层40、源极50以及漏极60。然后，请参照图1F，通过第四道光罩制作工艺将保护层70图案化，以于保护层70中形成一接触孔H。由图1F可知，保护层70中的的接触孔H会将漏极60的部分区暴露。之后，请参照图1G，通过第四道光罩制作工艺于保护层70上形成一像素电极80，由图1G可知，像素电极80会透过接触孔H与漏极60电性连接。在像素电极80制作完成之后，便完成了像素结构90的制作。
承上所述，现有的像素结构90主要是通过五道光罩制作工艺来进行制作，换言之，像素结构90需采用五个具有不同图案的光罩(mask)来进行制作。由于光罩的造价十分昂贵，且每道光罩制作工艺皆须使用到具有不同图案的光罩，因此，若无法缩减光罩制作工艺的数目，像素结构90的制造成本将无法降低。
此外，随着薄膜晶体管液晶显示面板的尺寸日益增加，用来制作薄膜晶体管阵列基板的光罩尺寸亦会随之增加，而大尺寸的光罩在造价上将更为昂贵，使得像素结构90的制造成本无法有效地降低。
发明内容
本发明关于一种像素结构的制作方法，其适于降低制作成本。
为具体描述本发明的内容，在此提出一种像素结构的制作方法，其先提供一基板，并形成一栅极于基板上。接着，形成一门介电层于基板上，以覆盖栅极。继之，形成一半导体层于门介电层上。然后，提供一第一遮罩于半导体层上方，且第一遮罩暴露出部分的半导体层。接着，使用激光经由第一遮罩照射半导体层，以移除第一遮罩所暴露的部分半导体层，而形成一通道层。之后，形成一源极以及一漏极于栅极两侧的通道层上，其中栅极、通道层、源极以及漏极构成一薄膜晶体管。接着，形成一图案化保护层于薄膜晶体管上，以覆盖通道层并暴露出漏极。然后形成一导电层，以覆盖图案化保护层与暴露的漏极，并且通过图案化保护层使导电层图案化，以形成一像素电极。
在本发明的像素结构制作方法中，还包括在形成图案化保护层之后，烘烤图案化保护层，以使图案化保护层具有一蕈状(mushroom)的顶表面，其中图案化保护层的蕈状的顶表面略大于其底表面。
在本发明的像素结构制作方法中，上述形成栅极的方法，在一实施例中例如先形成一第一金属层于基板上。接着，再图案化第一金属层，以形成栅极。在另一实施例中，形成栅极的方法例如先形成一第一金属层于基板上。接着，提供一第二遮罩于第一金属层上方，且第二遮罩暴露出部分的第一金属层。然后，使用激光经由第二遮罩照射第一金属层，以移除第二遮罩所暴露的部分第一金属层。
在本发明的像素结构制作方法中，形成源极以及漏极的方法例如为先形成一第二金属层于通道层与门介电层上，接着，图案化第二金属层，以形成源极以及漏极。
在本发明的像素结构制作方法中，图案化保护层包括形成于部分门介电层上。
在本发明的像素结构制作方法中，形成图案化保护层的方法，在一实施例中例如是在形成薄膜晶体管之后，形成一保护层于门介电层与薄膜晶体管上。接着，再图案化保护层。在另一实施例中，形成图案化保护层的方法例如是在形成薄膜晶体管之后，形成一保护层于门介电层与薄膜晶体管上。接着，提供一第三遮罩于保护层上方，且第三遮罩暴露出部分的保护层。然后，使用激光经由第三遮罩照射保护层，以移除第三遮罩所暴露的部分保护层。
在本发明的像素结构制作方法中，形成导电层的方法包括通过溅镀形成一铟锡氧化物层或一铟锌氧化物层。
在本发明的像素结构制作方法中，照射于半导体层的激光能量例如是介于10至500mJ/cm2之间。另外，激光的波长例如是介于100nm至400nm之间。
在本发明的像素结构制作方法中，图案化保护层的蕈状的顶表面包括图案化保护层的顶表面略大于其底表面。
在本发明的像素结构制作方法中，还包括在形成像素电极之后，移除图案化保护层。
在本发明的像素结构制作方法中，还包括在形成栅极的同时形成一下层电容电极，而在形成源极以及漏极的同时形成一上层电容电极，其中下层电容电极与上层电容电极构成一储存电容器。
本发明通过图案化保护层的适当图案在形成导电层的同时，即完成导电层的图案化，以形成像素电极，因此相较于现有的像素结构制作方法，可以简化制作工艺步骤并减少光罩的制作成本。此外，在制作半导体层时，激光剥离制作工艺所使用的遮罩较现有的光罩简易，故此激光剥离制作工艺步骤中所使用的遮罩的造价较为低廉。
附图说明
图1A～图1G为现有像素结构的制作方法示意图。
图2A～图2G为本发明的一种像素结构的制作方法示意图。
图3A～图3C为一种形成栅极的激光剥离制作方法示意图。
图4A～图4C为一种形成源极以及漏极的制作方法示意图。
图5A～图5C为一种形成图案化保护层的制作方法示意图。
图6A～图6H为本发明的另一种像素结构的制作方法示意图。
附图标号：
10、200：基板
20、212：栅极
30：第一介电层
40、232：通道层
50、242：源极
60、244：漏极
70：第二介电层
80、282：像素电极
90：像素结构
210：第一金属层
216：下层电容电极
220：门介电层
230：半导体层
240：第二金属层
246：上层电容电极
250：光刻胶层
260：薄膜晶体管
270：保护层
272：图案化保护层
280：导电层
280A、280B：部分导电层
C：储存电容器
L：激光
H：接触孔
M：蕈状的顶表面
S1：第一遮罩
S2：第二遮罩
S3：第三遮罩
具体实施方式
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。
第一实施例
图2A～图2G为本发明的一种像素结构的制作方法示意图。请参照图2A，首先提供一基板200，基板200的材质例如为玻璃、塑胶等硬质或软质材料。接着，形成一栅极212于基板200上。在本实施例中，还包括在形成栅极212的同时，形成下层电容电极216。
接着，请参照图2B，形成一门介电层220于基板200上，以覆盖栅极212以及下层电容电极216，其中门介电层220例如是通过化学气相沉积法(chemical vapor deposition，CVD)或其他合适的薄膜沉积技术所形成，而门介电层220的材质例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等介电材料。继之，形成一半导体层230于门介电层220上。在本实施例中，半导体层230的材质例如是非晶硅(amorphous silicon)或其他半导体材料。
接着请参考图2C，提供一第一遮罩S1于半导体层230上方，且第一遮罩S1暴露出部分的半导体层230。接着，使用激光L经由第一遮罩S1照射半导体层230，以移除第一遮罩S1所暴露的部分半导体层230，而形成一通道层232。详言之，经激光L照射后的半导体层230会吸收激光L的能量而自门介电层220表面剥离(ablation)，留下被第一遮罩S1遮住的半导体层230而形成一通道层232。具体而言，用来剥离半导体层230的激光L的能量例如是介于10至500mJ/cm2之间。另外，激光L的波长例如是介于100nm至400nm之间。利用半导体层230对特定激光吸收剥离，而底下的门介电层220却几乎不吸收的特性，可避免传统蚀刻制作工艺对底下门介电层220表面的破坏，所以可以使储存电容更佳的电荷储存能力，进而获得更佳的显示品质。
请接着参照图2D，形成一源极242以及一漏极244于栅极212两侧的通道层232上，其中栅极212、通道层232、源极242以及漏极244构成一薄膜晶体管260。此外，在其他实施例中，可先在半导体层230(绘示于图2B)的表面形成一欧姆接触层(未绘示)，接着，再通过一蚀刻制作工艺移除部分的欧姆接触层(未绘示)。举例而言，可利用离子掺杂(ion doping)的方式于半导体层230(绘示于图2B)的表面形成N型掺杂区，以减少通道层232与源极242之间以及通道层232与漏极244之间的接触阻抗。另外，在本实施例中，在形成源极242以及漏极244的同时，还包括形成上层电容电极246，如图2D所示。其中，下层电容电极216与上层电容电极246构成一储存电容器C，以维持良好的显示品质。
接着，请参照图2E，形成一图案化保护层272于薄膜晶体管260上，以覆盖通道层232并暴露出漏极244。如图2E所示，在本实施例中，图案化保护层272所形成的范围包括形成于部分门介电层272上，图案化保护层272的材质可以例如是丙烯酸树脂、感光性树脂等有机介电材料所组成，也可以例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等无机介电材料所组成，而形成图案化保护层272的方法例如是通过光刻胶涂布或其他合适的薄膜沉积技术，如化学气相沉积法所形成。接着，请继续参照图2E，以图案化保护层272以及第二金属层240为罩幕，进行一蚀刻制作工艺，以移除部分门介电层220，并同时暴露出栅极焊垫(未绘示)上的第一金属层210(未绘示)。
然后，请参考图2F，形成一导电层280，以覆盖图案化保护层272与暴露的漏极244，而形成导电层280的方法例如是通过溅镀形成一铟锡氧化物层或一铟锌氧化物层。由于作为导电层280底层的图案化保护层272具有一适当厚度，使得在形成导电层280时会形成电性绝缘的二部分导电层280A与280B。详言之，设计者可以适当控制底层图案化保护层272的厚度，并利用导电层280的薄膜沉积制作工艺的非等向性特性，使得导电层280适应底层图案化保护层272的厚度落差，形成不连续的二部分导电层280A与280B。一部分导电层280A形成于图案化保护层272上，而另一部分导电层280B则形成于基板200与漏极244上。其中，部分与漏极244连接的导电层280B则构成像素电极282。值得注意的是，不同于现有，本实施例利用图案化保护层272的设计，于形成导电层280时同步图案化，而完成像素电极282制作，因此本发明可以减少一道光罩制作工艺，并降低制作工艺的复杂度。
一般而言，在形成像素电极282之后，更可以将图案化保护层272移除，如图2G所示。移除图案化保护层272的方法例如使用一剥离液于图案化保护层272与导电层280的表面，使得图案化保护层272的底表面因剥离液的侵入而自薄膜晶体管260表面或门介电层220表面剥离。
此外，上述形成栅极212的方法例如可以使用激光剥离制作工艺来进行制作。图3A～图3C为一种形成栅极的激光剥离制作方法示意图。请先参照图3A，先形成一第一金属层210于基板200上。接着参照图3B，提供一第二遮罩S2于第一金属层210上方，且第二遮罩S2暴露出部分的第一金属层210。然后，使用激光L经由第二遮罩S2照射第一金属层210，以移除第二遮罩S2所暴露的部分第一金属层210。最后如图3C所示，剩余的第一金属层210构成栅极212以及下层电容电极216。在另一实施例中，形成栅极212的方法也可以是先形成一第一金属层210于基板220上。之后再将第一金属层210图案化，以形成栅极212以及下层电容电极216。第一金属层210例如是通过溅镀(sputtering)、蒸镀(evaporation)或是其他薄膜沉积技术所形成，而第一金属层210的图案化例如是通过微影蚀刻制作工艺来进行。
此外，图4A～图4C为一种上述形成源极242以及漏极244的制作方法示意图。请先参照图4A，先形成一第二金属层240于通道层232与门介电层220上。接着请参照图4B，图案化第二金属层240。详言之，例如在栅极212两侧的通道层232上形成一光刻胶层250，并以此光刻胶层250为罩幕进行一蚀刻制作工艺，以去除未被光刻胶层250覆盖的第二金属层240。移除光刻胶层250之后，如图4C所示，在栅极212两侧的通道层232上分别形成源极242以及漏极242。在本实施例中，光刻胶层250还包括形成于下层电容电极216上方的门介电层220上，以于进行蚀刻制作工艺后，形成上层电容电极246，使得上层电容电极246与下层电容电极216构成一储存电容器C。第二金属层240的材质例如为铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、钕(Nd)、上述的氮化物如氮化钼(MoN)、氮化钛(TiN)、其迭层、上述的合金或是其他导电材料。在本实施例中，蚀刻制作工艺例如为进行一湿式蚀刻，在其他实施例中，蚀刻制作工艺也可以是干式蚀刻。另外，去除光刻胶层250的制作工艺例如是湿式蚀刻制作工艺。
此外，上述形成图案化保护层272的方法例如是在形成薄膜晶体管260之后，形成一保护层270于门介电层220与薄膜晶体管260上。接着，再图案化保护层270，而图案化保护层270的方法例如是进行一微影蚀刻制作工艺。另一种形成图案化保护层272的方法为通过激光剥离制作工艺来完成制作，图5A～图5C为一种形成图案化保护层的激光剥离制作方法示意图。请先参照图5A，在形成薄膜晶体管260之后，接着如图5B，于门介电层220与薄膜晶体管260上形成一保护层270，并提供一第三遮罩S3于保护层270上方，且第三遮罩S3暴露出部分的保护层270。然后，使用激光L经由第三遮罩S3照射保护层270，以移除第三遮罩S3所暴露的部分保护层270。最后，如图5C所示，形成图案化保护层272。
第二实施例
图6A～图6H为本发明的第二实施例中像素结构的制作方法的示意图。由于图6A～图6E的步骤与第一实施例的图2A～图2E相似，故此处省略其描述。
请参照图6F，在形成图案化保护层272之后，烘烤图案化保护层272，以使图案化保护层272具有一蕈状的顶表面M。烘烤后的图案化保护层272会呈现图案化保护层272的顶表面略大于其底表面的图案，使得图案化保护层272的顶表面实质上呈现上述的蕈状的顶表面M。值得一提的是，在实务上必须考量烘烤制作工艺的温度、加热速度、加热时间等制作工艺误差，因此图案化保护层272的形状可能因制作工艺误差而产生些许的变异，但大致上呈现顶表面略大于其底表面的蕈状图案，本发明的图案化保护层272的顶表面形状并不以此为限。
然后，请参考图6G，形成一导电层280，以覆盖图案化保护层272与暴露的漏极244，而形成导电层280的方法例如是通过溅镀形成一铟锡氧化物层或一铟锌氧化物层。由于图案化保护层272具有顶表面略大于其底表面的蕈状的顶表面M，因此在形成导电层280时会形成电性绝缘的二部分导电层280A与280B。一部分导电层280A形成于图案化保护层272上，另一部分导电层280B则形成于基板200以及漏极244上。其中，部分与漏极244连接的导电层280B则构成像素电极282。值得注意的是，不同于现有，在本实施例中利用图案化保护层272的蕈状顶表面M的设计，于形成导电层280时同步图案化，而完成像素电极282制作，因此可以减少一道光罩制作工艺，并降低制作工艺的复杂度。
一般而言，在形成像素电极282之后，还可以将图案化保护层272移除，如图6H所示。移除图案化保护层272的方法例如使用一剥离液于图案化保护层272与导电层280的表面，使得图案化保护层272的底表面因剥离液的侵入而自薄膜晶体管260表面或门介电层220表面剥离。
基于上述，本发明在像素电极的制作上，不同于现有使用一道光罩来进行像素电极的的制作，而是在形成导电层的同时，通过适当图案的图案化保护层直接图案化导电层，以形成像素电极，因此相较于现有具有减少制作工艺步骤的优点。并且，本发明采用激光照射的方式形成半导体层，而非采用现有的微影蚀刻制作工艺，因此本发明所提出的像素结构的制作方法至少具有下列优点：
本发明提出的像素结构的制作方法，其像素电极制作工艺不需使用微影制作工艺，故相较于微影制作工艺所使用的高精度光罩制作工艺，能降低光罩的制作成本。
由于制作像素结构的制作工艺较少，可以减少冗长的光罩制作工艺(如光刻胶涂布、软烤、硬烤、曝光、显影、蚀刻、光刻胶剥除等)制作像素结构时所产生缺陷。
本发明所提出的激光剥离部份半导体层的方法可以应用于像素修补中的像素电极的修补，以在像素结构制作工艺中，移除可能残留的像素电极(ITOresidue)，解决像素电极之间的短路问题，进而增加生产良率。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。
Claims (14)
1.一种像素结构的制作方法，包括：
提供一基板；
形成一栅极于所述的基板上；
形成一门介电层于所述的基板上，以覆盖所述的栅极；
形成一半导体层于所述的门介电层上；
提供一第一遮罩于所述的半导体层上方，且所述的第一遮罩暴露出部分的所述的半导体层；
使用激光经由所述的第一遮罩照射所述的半导体层，以移除所述的第一遮罩所暴露的部分半导体层，而形成一通道层；
形成一源极以及一漏极于所述的栅极两侧的所述的通道层上，其中所述的栅极、所述的通道层、所述的源极以及所述的漏极构成一薄膜晶体管；
形成一图案化保护层于所述的薄膜晶体管上，以覆盖所述的通道层并暴露出所述的漏极；以及
形成一导电层，以覆盖所述的图案化保护层与暴露的所述的漏极，并且通过所述的图案化保护层使所述的导电层图案化，以形成一像素电极。
2.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，更包括在形成所述的图案化保护层之后，烘烤所述的图案化保护层，以使所述的图案化保护层具有一蕈状的顶表面。
3.如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，图案化保护层的所述的蕈状的顶表面略大于其底表面。
4.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，更包括在形成所述的像素电极之后，移除所述的图案化保护层。
5.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述的栅极的方法包括：
形成一第一金属层于所述的基板上；以及
图案化所述的第一金属层，以形成所述的栅极。
6.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述的栅极的方法包括：
形成一第一金属层于所述的基板上；
提供一第二遮罩于所述的第一金属层上方，且所述的第二遮罩暴露出部分的所述的第一金属层；以及
使用激光经由所述的第二遮罩照射所述的第一金属层，以移除所述的第二遮罩所暴露的部分所述的第一金属层。
7.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述的源极以及所述的漏极的方法包括：
形成一第二金属层于所述的通道层与所述的门介电层上；以及
图案化所述的第二金属层，以形成所述的源极以及所述的漏极。
8.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述的图案化保护层包括形成于部分所述的门介电层上。
9.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述的图案化保护层的方法包括：
形成一保护层于所述的门介电层与所述的薄膜晶体管上；以及
图案化所述的保护层。
10.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述的图案化保护层的方法包括：
形成一保护层于所述的门介电层与所述的薄膜晶体管上；
提供一第三遮罩于所述的保护层上方，且所述的第三遮罩暴露出部分的所述的保护层；以及
使用激光经由所述的第三遮罩照射所述的保护层，以移除所述的第三遮罩所暴露的部分所述的保护层。
11.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述的导电层的方法包括通过溅镀形成一铟锡氧化物层或一铟锌氧化物层。
12.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述的激光的能量介于10至500mJ/cm2之间。
13.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述的激光的波长介于100nm至400nm之间。
14.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，更包括在形成所述的栅极的同时形成一下层电容电极，而在形成所述的源极以及漏极的同时形成一上层电容电极，其中所述的下层电容电极与所述的上层电容电极构成一储存电容器。
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Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| CN102496618A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-06-13 | 华映视讯（吴江）有限公司 | 像素结构及其制作方法 |
| CN104662692A (zh) * | 2012-09-18 | 2015-05-27 | 应用材料公司 | 金属上方的sin层上的胶带辅助单步剥除 |
| CN106940501A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-07-11 | 友达光电股份有限公司 | 画素单元与其制造方法 |
| CN106960805A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-07-18 | 武汉华星光电技术有限公司 | 应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置 |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102496618A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-06-13 | 华映视讯（吴江）有限公司 | 像素结构及其制作方法 |
| CN104662692A (zh) * | 2012-09-18 | 2015-05-27 | 应用材料公司 | 金属上方的sin层上的胶带辅助单步剥除 |
| US9627211B2 (en) | 2012-09-18 | 2017-04-18 | Applied Materials, Inc. | Tape assisted single step peel-off on sin layer above metal electrodes |
| CN104662692B (zh) * | 2012-09-18 | 2018-07-06 | 应用材料公司 | 金属上方的sin层上的胶带辅助单步剥除 |
| CN106960805A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-07-18 | 武汉华星光电技术有限公司 | 应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置 |
| CN106960805B (zh) * | 2017-03-09 | 2019-11-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 应用于显示面板的晶体管电性测量方法及装置 |
| CN106940501A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-07-11 | 友达光电股份有限公司 | 画素单元与其制造方法 |
| CN109343266A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-02-15 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20080206 |