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CN100452312C - 抛光装置和抛光方法 - Google Patents

抛光装置和抛光方法 Download PDF

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CN100452312C
CN100452312C CNB2005800348057A CN200580034805A CN100452312C CN 100452312 C CN100452312 C CN 100452312C CN B2005800348057 A CNB2005800348057 A CN B2005800348057A CN 200580034805 A CN200580034805 A CN 200580034805A CN 100452312 C CN100452312 C CN 100452312C
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polishing
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guide surface
sand belt
substrate
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Abstract

一种抛光装置具有：抛光带(21)；供给卷轴(22)，用于把抛光带(21)供给到接触部分(30)中，在该接触部分上，抛光带(21)与基体(10)的凹槽部分(11)产生接触；及拾取卷轴(23)，用于缠绕来自接触部分(30)的抛光带(21)。该抛光装置还具有：第一导向部分(24)，它具有导向表面(241)从而把抛光带(21)直接供给到接触部分(30)中；及第二导向部分(25)，它具有导向表面，从而把抛光带(21)供给到拾取卷轴(23)中。第一导向部分(24)的导向表面(241)和/或第二导向部分(25)的导向表面具有与基体(10)的凹槽部分(11)的形状相对应的形状。

Description

抛光装置和抛光方法
技术领域
本发明涉及一种抛光装置和抛光方法，更加具体地说，本发明涉及借助抛光带来抛光基体如半导体晶片的一种抛光装置和抛光方法。
背景技术
至今，采用具有磨粒的抛光带来抛光形成在半导体晶片中的凹槽部分。更加具体地说，抛光带与半导体晶片的凹槽部分产生接触，并且沿着垂直于晶片表面的方向运动以抛光晶片凹槽部分。
在传统的方法中，抛光带在抛光负荷的作用下沿着晶片的凹槽部分进行变形。抛光带的边缘部分根据抛光情况可以擦伤晶片的凹槽部分。相应地，根据抛光情况，晶片在凹槽部分可以产生裂缝或者受到不均匀的抛光。此外，如果抛光带没有充分变形，那么接触晶片的抛光带区域减小了，以致难以进行稳定的抛光工作。在这种情况下，实现均匀的抛光是困难的。此外，不使用抛光带的整个表面来进行抛光是不经济的。此外，如果在抛光弯曲表面时接触晶片的抛光带的区域较小，那么晶片需要被分成许多较小区域，这些较小区域顺序地被抛光。相应地，完成该抛光过程需要许多时间。
因此，如果在抛光晶片的凹槽部分时不合适地设定抛光条件，那么产生了一些问题如抛光带的边缘部分擦伤晶片或者不均匀地进行抛光。为了克服这些问题，可以使抛光带变薄以符合凹槽部分的形状。但是，在使抛光带变薄时，对张力的阻力减小了。因此，抛光带具有薄度限制。
发明内容
由于上面缺点而产生了本发明。因此，本发明的第一目的是提供在没有因为抛光带的抛光而擦伤基体的情况下可以均匀地、高速地抛光基体如半导体晶片的凹槽部分等等的一种抛光装置和一种抛光方法。
根据本发明的第一方面，提供了一种抛光装置，该抛光装置在没有由于抛光而擦伤基体的情况下可以实现均匀的、高速的抛光。抛光装置具有：抛光带；供给卷轴，用于把抛光带供给到接触部分中，在该接触部分上，抛光带与要被抛光的一部分基体产生接触；及拾取卷轴，用于缠绕来自接触部分的抛光带。该抛光装置还具有：第一导向部分，具有导向表面以给来自供给卷轴的抛光带导向，从而把抛光带直接供给到接触部分中；第二导向部分，具有导向表面以给直接从接触部分供给来的抛光带导向，从而把抛光带供给到拾取卷轴中；及驱动机构，它被构造成使抛光带和基体彼此相对进行运动。第一导向部分的导向表面和第二导向部分的导向表面中的至少一个具有与要被抛光的该一部分基体的形状相对应的形状。
根据本发明的第二方面，提供了一种抛光方法，该方法在没有由于抛光而擦伤基体的情况下可以实现均匀的、高速的抛光。根据这种抛光方法，抛光带被供给到第一导向部分的导向表面中。抛光带从第一导向部分的导向表面直接地供给到接触部分中，在该接触部分上，抛光带与要被抛光的一部分基体产生接触。抛光带从接触部分直接地供给到第二导向部分的导向表面中。借助第一导向部分的导向表面和第二导向部分的导向表面中的至少一个将一部分抛光带变形，从而与要被抛光的该一部分基体的形状相对应。要被抛光的该一部分基体和抛光带彼此相对进行运动以抛光该一部分基体。
更加具体地说，当抛光带与要被抛光的一部分半导体基体产生接触，并且该基体和抛光带彼此相对进行运动以抛光该一部分基体时，一部分抛光带变形从而与要被抛光的该一部分基体的形状相对应。例如，一部分抛光带与形成在半导体基体的边缘部分上的凹槽部分产生接触，及抛光带沿着垂直于基体表面的方向运动以抛光凹槽部分。那时，一部分抛光带沿着抛光带的宽度方向进行变形从而与凹槽部分的形状相对应。
根据本发明，使抛光带变形，从而在抛光一部分半导体基体之前与半导体基体的该一部分如凹槽部分的形状相一致。因此，抛光带很可能变成与要被抛光的基体的整个部分产生均匀接触。相应地，该基体不太可能由于抛光而被擦伤。因此，可以实现均匀的和高速的抛光。
结合附图的下面描述使本发明的上面的和其它的目的、特征和优点变得更加清楚，这些附图借助例子示出了本发明的优选实施例。
附图说明
图1是平面视图，它示出了本发明第一实施例的抛光装置；
图2是沿着图1的线II-II所截取的横剖视图；
图3是前视图，它示出了图1的抛光装置中的抛光机构；
图4是横剖视图，它示出了图3的抛光机构的第一导向部分；
图5是沿着图3的线V-V所截取的横剖视图；
图6是平面视图，它示出了在使用图3的抛光机构时在晶片的凹槽部分和抛光带之间的接触状态；
图7是平面视图，它示出了本发明第二实施例的抛光装置；
图8是后视图，它示出了图7的抛光装置中的第一导向部分；
图9是沿着图8的线IX-IX所截取的横剖视图；
图10是横剖视图，它示出了在图7的抛光装置中晶片的倾斜部分和抛光带之间的接触状态；
图11是平面视图，它示出了本发明第三实施例的抛光装置；
图12A-12E是侧横剖视图，它们示出了图11的抛光装置和晶片一起中的每个抛光头部；
图13是晶片的边缘部分的放大横剖视图；
图14是横剖视图，它示出了抛光头部被设置成在图11的抛光装置中抛光晶片的边缘部分的状态；
图15是抛光头部与晶片产生接触的那一部分的放大横剖视图；
图16A和16B是透视图，它们示出了生产本发明第三实施例的抛光装置中的抛光头部的方法；
图17A是后视图，它示出了图8的第一导向部分的变形；
图17B和17C是图17A所示的第一导向部分的横剖视图；
图18A-18E是侧横剖视图，它们示出了第三实施例的抛光头部的变形；
图19是前视图，它示出了图3的抛光机构的第一变形；
图20A是沿着图19的线A-A所截取的横剖视图；
图20B是沿着图19的线B-B所截取的横剖视图；
图20C是沿着图19的线C-C所截取的横剖视图；
图21是平面视图，它示出了在使用图19的抛光机构时在晶片的凹槽部分和抛光带之间的接触状态；
图22是前视图，它示出了图3的抛光机构的第二变形；
图23A是沿着图22的线A-A所截取的横剖视图；
图23B是沿着图22的线B-B所截取的横剖视图；
图23C是沿着图22的线C-C所截取的横剖视图；
图24是侧横剖视图，它示出了图3的抛光机构的第三变形；及
图25是侧横剖视图，它示出了操纵图24的抛光机构的状态。
具体实施方式
在下面参照图1到25详细地描述本发明的抛光装置的实施例。在图1到25，相同或者相应的零件用相同的标号来表示，并且没有重复地描述。
图1是示出了本发明第一实施例的抛光装置的平面视图，及图2是沿着图1的线II-II所截取的横剖视图。本实施例中的抛光装置用来抛光形成在半导体片的边缘部分中的凹槽部分。抛光装置具有用来抛光半导体片10的凹槽部分11的抛光机构20，该凹槽部分11被水平地保持在工作台(未示出)上。
如图1和2所示那样，抛光机构20具有：抛光带21，该抛光带具有磨粒；供给卷轴22，它把抛光带21供给到接触部分30中，在该接触部分30上，抛光带21与要抛光的一部分片10形成接触；拾取卷轴23，它缠绕来自接触部分30的抛光带21；第一导向部分(导向辊)24，它给来自供给卷轴22的抛光带21导向以把抛光带21直接供给到接触部分30中；及第二导向部分(导向辊)25，它给直接从接触部分30所供给来的抛光带21进行导向，从而把抛光带21供给到拾取卷轴23中。因此，从供给卷轴22中供给抛光带21，该抛光带21由第一导向部分24来导向，然后供给到接触部分30中，从而与要被抛光的一部分晶片10形成接触，随后借助第二导向部分25来导向，及借助拾取卷轴23来缠绕。在本实施例中，第一导向部分24和第二导向部分25基本上具有相同的结构。
在多个导向部分(导向辊)设置在供给卷轴22和接触部分30之间或者设置在拾取卷轴23和接触部分30之间的情况下，使接触部分30设置于它们之间的、设置成最靠近抛光带21上的接触部分30的一对导向部分(导向辊)与上述第一导向部分24和第二导向部分25相对应。
第一导向部分24设置在位于晶片10前表面上方的位置上，而第二导向部分25设置在位于晶片10后表面下方的位置上。抛光带21沿着垂直于晶片10表面的方向在第一导向部分24和第二导向部分25之间延伸。一定的张力被施加到位于第一导向部分24和第二导向部分25之间的抛光带21上，从而在接触部分30上把抛光带21压靠在半导体晶片10的凹槽11上。整个抛光机构20被构造成，在这样的状态下借助驱动机构(未示出)沿着垂直方向(垂直于晶片10的表面的方向)进行运动，以致抛光带21与晶片10的凹槽部分11形成接触。抛光液体供给喷嘴26设置在晶片10的上方和下方，从而把抛光液体(纯水、酸或者碱)分别喷射到晶片10的前表面和后表面上。
图3是示出了抛光机构20的前视图。如图3所示那样，第一导向部分24具有用来给抛光带导向的导向表面241和一对法兰242，这一对法兰使导向表面241设置在它们之间。导向表面241不是平坦的而是弯曲的。更加具体地说，设置在法兰242之间的导向表面241具有与晶片10内的凹槽部分11的凹形相对应的凸形。
图4是图3的第一导向部分24的横剖视图，该导向部分借助垂直于抛光带21的供给方向(图3中的方向Z)的平面来剖开。如图4所示，第一导向部分24的导向表面241在垂直于抛光带21的供给方向的横截面上具有一定的曲率。更加具体地说，第一导向部分24的导向表面241包括弯曲表面，该弯曲表面沿着抛光带21的宽度方向进行弯曲。在本实施例中，第一导向部分24的导向表面241和法兰242相互形成一体。
在一定压力下，抛光带21邻接弯曲的导向表面241。导向表面241的曲率在垂直于抛光带21的供给方向的横截面上不是零。相应地，通过导向表面241的抛光带21沿着抛光带21的宽度方向进行弯曲，如图5所示那样。更加具体地说，抛光带21在通过第一导向部分24之后沿着宽度方向被弯曲成弧形横截面。
在抛光带21因此而被弯曲时，如图6所示，沿着宽度方向弯曲的抛光带21与晶片10中的凹槽部分11的整个表面产生均匀接触。在那种状态下，抛光机构20借助驱动机构沿着垂直方向进行运动以通过抛光带21均匀地抛光凹槽部分11。
以下面方式来缠绕抛光带21。首先，以上述方式使具有一定长度的抛光带21弯曲。弯曲部分与晶片10的凹槽部分11产生接触。借助抛光机构20的振动来抛光凹槽部分11。在抛光进行一定的时间期间之后，只有抛光带21的一定长度被缠绕，因此最近所供给的、抛光带21的一部分以上面方式被弯曲。因此，抛光带21的该新部分与半导体晶片10的凹槽部分11产生接触。重复这些过程，因此抛光带21的新部分总是与凹槽部分21产生接触。
此外，在借助抛光机构20的振动抛光凹槽部分11时，连续地、小量地供给抛光带21。在这种情况下，不必中断抛光过程来缠绕抛光带21。
在本实施例中，用抛光机构20来抛光晶片10。厚度为50μm且宽度为8mm的抛光带被用作抛光带21，在该抛光带中，颗粒尺寸大小为#4000的钻石研磨颗粒连接到聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂中。在以10mm/min的速度连续地供给抛光带21时，进行抛光。抛光带21被供给到要被抛光的一部分(接触部分30)中，因此在抛光带21通过第一导向部分24之后，借助第一导向部分24变形的形状得到保持。在供给侧和抛光带21的拉伸侧之间施加张力。在1kgf的负荷作用下，使抛光带21压靠在晶片10的凹槽部分11上。抛光机构20一分钟30次地垂直振动，从而因此抛光晶片10。其结果是，凹槽部分11得到满意的抛光而不会由于抛光而被擦伤。
如上所述，根据本实施例的抛光装置，使用了具有弯曲导向表面241的第一导向部分24，并且在一定压力的作用下使抛光带21邻接第一导向部分24。因此，在抛光之前，沿着半导体晶片10中的凹槽部分11的弯曲部分使抛光带21弯曲。相应地，抛光带21可以与凹槽部分11的整个表面产生均匀接触。其结果是，半导体晶片10的凹槽部分11变成不太可能由于抛光而被擦伤。因此，可以实现均匀的和高速的抛光。
图7是平面视图，它示出了本发明第二实施例的抛光装置。本实施例的抛光装置用来抛光处于晶片边缘部分处的倾斜部分。抛光装置具有用来抛光水平地保持在旋转台(未示出)上的半导体晶片10的倾斜部分12的抛光机构50。
如图7所示那样，抛光机构50具有：抛光带121，它具有研磨颗粒；供给卷轴122，它把抛光带121供给到接触部分130中，在该接触部分处，抛光带121与要被抛光的一部分晶片10产生接触；拾取卷轴123，它缠绕来自接触部分130的抛光带121；第一导向部分54，它给来自供给卷轴122的抛光带121进行导向，从而把抛光带121直接供给到接触部分130中；第二导向部分(导向辊)55，它给直接从接触部分130中所供给的抛光带121进行导向，从而把抛光带121供给到拾取卷轴123中；抛光头部58；及驱动机构(未示出)，它使旋转台进行旋转。
半导体晶片10、供给卷轴122和拾取卷轴123可以绕着各自的轴相互平行地进行旋转。抛光带121由供给卷轴122来供给，借助第一导向部分54和第二导向部分55来导向，及借助拾取卷轴123来缠绕。半导体晶片10被构造成以这样的状态进行旋转，以致在该台被旋转时，抛光带121与晶片10的倾斜部分12产生接触。
图8是后视图，它示出了第一导向部分54；及图9是沿着图8的线IX-IX所截取的横剖视图。如图8和9所示那样，第一导向部分54包括：导向件541，它具有梯形横截面；及一对柱形辊542和543，它们沿着导向件541的侧表面设置。抛光带121借助导向件541的上表面来导向并且借助辊542和543被压靠在导向件541的侧表面上。
通过这种布置，从供给卷轴122中所供给的抛光带121通过第一导向部分54，从而变形成与晶片10的倾斜部分12的横截面相同的形状。然后，抛光带121在接触部分130处与晶片10的倾斜部分12产生接触，在那里，抛光带121借助抛光头部58被压靠在晶片10的倾斜部分12上。因此，如图10所示那样，抛光带121与倾斜部分12的整个表面(边缘表面，上部倾斜部和下部倾斜部)产生均匀接触。在那个状态下，倾斜部分12借助旋转晶片10可以被有效地抛光。用来抛光的抛光带121借助第二导向部分55恢复到基本上是平坦的形状，然后借助拾取卷轴123来缠绕。
用本实施例的抛光机构50来抛光晶片10。在以10mm/min的速度连续地供给抛光带121时，抛光带121被压靠在晶片10的倾斜部分12上，在1kgf负荷的作用下，该晶片以500rpm进行旋转，从而抛光晶片10的倾斜部分12。其结果是，可以满意地抛光晶片10的倾斜部分12。
如上所述，根据本实施例的抛光装置，由于抛光带121被变形成与半导体晶片10的倾斜部分12相对应，因此抛光带121与倾斜部分12的整个表面产生接触。相应地，擦伤变得不太可能由抛光来产生，并且可以实现均匀的、高速的抛光。此外，可以同时抛光倾斜部分12的边缘表面、上倾斜部和下倾斜部，因此抛光时间可以被缩短。
图11是平面视图，它示出了本发明第三实施例的抛光装置。就第二实施例的抛光装置而言，本实施例的抛光装置用来抛光处于晶片边缘部分的倾斜部分。抛光装置具有用来抛光水平地保持在旋转台(未示出)上的半导体晶片10的倾斜部分12的抛光机构150。
如在第二实施例的抛光装置50的情况一样，抛光机构150具有：，用于供给和缠绕抛光带121(供给卷轴122和拾取卷轴123)的机构；及使抛光带121的形状变形成与倾斜部分12的横截面相同的形状(第一导向部分54)的机构。在上述第二实施例中，如图7所示那样，借助单一的抛光头部58来抛光晶片10的倾斜部分12。在本实施例中，借助多个抛光头部581-585来抛光晶片10的倾斜部分12。
更加具体地说，本实施例的抛光装置具有多个抛光头部，更加具体地说，是5个抛光头部581-585。抛光头部581-585以相同的间隔设置，从而绕着晶片的中心具有预定的角度。每个抛光头部581-585具有这样的机构，即该机构改变该抛光头部相对于晶片表面的角度，而与其它抛光头部无关。更加具体地说，5个抛光头部581-585可以被设计成任意地调整它们的角度。此外，抛光负荷也可以独立地设定。
图12A到12E是侧横剖视图，它们示出了图11中的每个抛光头部581-585和晶片10。如图12A到12E所示那样，5个抛光头部581-585以预定角度与晶片10产生接触。每个抛光头部581-585把一部分抛光带121压靠在晶片10的一部分倾斜部分12上，该一部分抛光带被变形成与倾斜部分12相同的形状。在抛光带121通过5个抛光头部581-585时，可以抛光倾斜部分12的整个表面。
在变形成(弯曲成)梯形横截面(它不包括沿着宽度方向的下侧)的抛光带121中，如图9所示，抛光带121在梯形的三表面的边缘处折叠。在这些折叠部分上可以产生不充分的抛光。相应地，在本实施例中，抛光带121在多个位置上被压靠在晶片10上，从而可以完全地抛光上述这些边缘。在逐渐从上表面转换到晶片10下表面上的一些部分上挤压抛光带121。因此，在抛光带121通过多个抛光头部581-585时，抛光带121可以平稳地符合倾斜部分12，因此可以防止产生皱纹和折缝。
抛光头部581-585可以独立地把抛光带121压靠在晶片10上，并且也可以独立地移离晶片10。例如，五个抛光头部581-585中的三个可以被用来把抛光带121压靠在晶片10上，同时它们中的两个与晶片10分离开。此外，抛光头部581-585可以被设计成任意地调整它们的角度。例如，所有五个抛光头部581-585可以被设定成具有相同的角度。此外，抛光头部581-585可以被如此地结合起来，以致它们中的两个使抛光带121压靠在晶片10的上表面上，一个使抛光带121压靠在晶片10的侧表面上，及两个使抛光带121压靠在晶片10的下表面上。抛光头部581-585可以被如此地形成，以致在该一部分晶片10通过第一抛光头部581之后和在一部分晶片10通过最后的抛光头部585之前，在从上表面、侧表面和下表面移动的部分上抛光晶片10。此外，借助合适地调整抛光头部581-585的角度，晶片10可以通过抛光头部581-585，因此依次地抛光了晶片10的侧表面、上表面和下表面。
图13是晶片10的边缘部分的放大横剖视图。一般地，晶片10的倾斜部分12涉及晶片10的边缘部分的倾斜部分B。设置在倾斜部分B的边缘和上表面D之间的区域E(晶片10的装置形成在该区域内)被称为边缘部分。
图14示出了这样的例子，即在该例子中，抛光该边缘部分E。更加具体地说，如图14所示那样，五个抛光头部中的中心抛光头部583沿着垂直于中心轴线的方向被压靠在晶片10上，其中该中心轴线沿着晶片10的厚度进行延伸，从而抛光边缘部分E。在这种情况下，具有较大带宽的抛光带用作抛光带121，从而盖住晶片10的边缘部分。因此，抛光头部可以被构造成借助改变抛光头部的角度来不仅抛光倾斜部分B而且也抛光边缘部分E。相应地，通过多个抛光头部来同时抛光倾斜部分B和边缘部分E。
在本实施例中，使用了五个抛光头部581-585。在这五个抛光头部的两侧上可以加入额外的抛光头部，因此抛光机构具有七个抛光头部。两个抛光头部可以用来，在抛光期间借助改变抛光头部的角度来抛光晶片的整个表面。因此，可以对抛光头部进行各种各样的改进。
图15是抛光头部581与晶片10产生接触的一部分的放大横剖视图。如图15所示那样，抛光头部581具有用来把抛光带121压靠在半导体晶片10上的弹性件59和用来支撑弹性件59的支撑件57。弹性件59由材料如橡胶或者海绵形成减少对晶片10的损害。在使用相同的抛光带121时，借助改变弹性件59的硬度，可以调整抛光性能如抛光表面粗糙度、抛光率和抛光轮廓。
此外，具有不同弹性的弹性件59可以各自连接到多个抛光头部581-585上。例如，抛光头部可以使用软的弹性件来把抛光带121压靠在晶片10的上表面上，而抛光头部可以使用硬的弹性件来把抛光带121压靠在晶片10的侧表面上。此外，在抛光头部具有相同角度时，抛光头部的弹性件的硬度可以变化从而在晶片10通过抛光头部时改变抛光性能。
图16A和16B是这样的视图，这些视图示出形成抛光头部的方式，弹性件59以该方式中连接到支撑件57上。如图16A所示那样，支撑件57具有形成来安装弹性件59的那一部分。弹性件59被插入到支撑件57的下部中，如沿着横向的箭头所示那样。如图16B所示那样，弹性件59被安装在支撑件57的下部中以形成抛光头部。因此所形成的抛光头部具有即使由于在抛光期间晶片的旋转或者带的供给而施加横向力也可以防止弹性件59在支撑件57的一侧上移动的结构。
如上所述那样，根据本发明的抛光装置，通过可以调整相对于晶片10的角度的多个抛光头部，可以进行抛光以符合晶片10倾斜部分12的形状。因此，可以调整晶片10的形状。此外，在每个抛光头部581-585中可以调整抛光负荷。相应地，借助把抛光负荷设定成与抛光头部581-585的角度相对应，可以进行抛光以与倾斜部分12的形状相符合。因此，可以调整晶片10的形状。
此外，提供弹性件59以把抛光带121压靠在晶片10上。对多个抛光头部581-585中的每一个可以改变弹性件59的材料或者硬度。相应地，当晶片10通过抛光头部581-585时，该硬度可以改变。因此，尤其可以控制晶片10的抛光粗糙度。
在这里，可以使用如图17A到17C所示那样的第一导向部分64，而不是上述第二和第三实施例中的第一导向部分54。如图17A到17C所示那样，第一导向部分64包括：导向件641，它具有梯形横截面；及两对柱形辊642、643和644、645，这些辊沿着导向件641的侧表面设置。两对辊642、643和644、645沿着抛光带121的供给方向设置。在这个例子中，抛光带121借助导向件641的上表面来导向，该导向件641具有梯形横截面，借助前面辊642和643来变形，及通过后面的辊644和645进一步变形。因此，抛光带121可以被变形以符合第三实施例中所示的五个抛光角度。
此外，如图18A到18E所示的抛光头部581-585可以用作第三实施例的抛光头部的变形。在这个例子中，抛光头部581-585的角度是固定的，但是在各自抛光头部581-585的弹性件591-595中可以改变接触抛光带121的表面角度。因此，抛光带121以各自的预定角度被压靠在晶片10上。如上所述那样，使抛光带121压靠在晶片10上的弹性件591-595的表面是倾斜的。这些弹性件591-595连接到抛光头部581-585上。相应地，可以方便地实现具有多个角度的抛光。因此，无需用来改变抛光头部的角度的上述机构。
图19是前部视图，它示出了上述第一实施例中的抛光机构20的第一变形20a。抛光机构20a采用了具有基本上是平坦的导向表面251的第二导向部分125，而不是图3中所示的第二导向部分25，该导向部分125在垂直于抛光带21的供给方向的横截面上具有零曲率。其它零件与图3所示的抛光机构20相同。
通过这种布置，抛光带21与第一导向部分24的弯曲导向表面241产生接触，同时一定的张力被施加到抛光带21上。相应地，抛光带21在第一导向部分24的附近沿着第一导向部分24的导向表面241弯曲成弧形，如图20A所示那样。此外，抛光带21与基本上是平坦的、第二导向部分125的导向表面251产生接触，同时一定的张力被施加到抛光带21上。相应地，抛光带21沿着第二导向部分125的导向表面251在第二导向部分125附近基本上变成平坦的，如图20C所示那样。因此，在第一导向部分24和第二导向部分125之间的抛光带21从弧形21a变形成基本是平坦的形状21c。在接触晶片10的接触部分处的抛光带21在弧形形状21a和基本上是平坦的形状21c之间具有中间形状21b，如图20B所示那样。
如图21所示那样，使抛光带21从弧形形状21a扩宽成基本上是平坦的形状21c的力F被施加到中间形状21b上。相应地，当抛光带21被压靠在半导体晶片10的凹槽部分11上时，沿着宽度方向的抛光带21的端部可靠地符合凹槽部分11。因此，即使晶片10中的凹槽部分11的形状具有变形，但是抛光带21可以可靠地符合凹槽部分11的形状。
在图19所示的例子中，第一导向部分24可以用第二导向部分125来互换。更加具体地说，在垂直于抛光带21供给方向的横截面上曲率为零的、基本上是平坦的导向表面可以形成在第一导向部分中，及在垂直于抛光带21供给方向的横截面上曲率不为零的导向表面可以形成在第二导向部分中。这些结构也可以实现与上面例子相同的效果。
图22是前视图，它示出了抛光机构20的第二变形20b。抛光机构20b采用了具有导向表面241a的第一导向部分124，而不是图3所示的第一导向部分24，其中第一导向部分124在垂直于抛光带21供给方向的横截面的中心部分具有较大的曲率。其它元件与图3所示的抛光机构20相同。
如图22所示那样，第一导向部分124的导向表面241a具有：弧形形状，该形状在垂直于抛光带21供给方向的横截面的中心部分处具有较大曲率；及线性形状，它从弧形形状的两侧延伸到法兰242上。在这个例子中，第二导向部分25的导向表面在垂直于抛光带21供给方向的横截面上也具有不是零的曲率。第一导向部分124中的导向表面241a的中心部分处的曲率大于第二导向部分25中的导向表面的曲率。
通过这种布置，抛光带21与第一导向部分124的弯曲导向表面241a产生接触，同时一定张力被施加到抛光带21上。相应地，抛光带21在第一导向部分124附近弯曲成弧形形状，该弧形形状沿着第一导向部分124的导向表面241a具有较大的曲率，如图23A所示那样。此外，抛光带21与第二导向部分25的导向表面产生接触，同时一定张力被施加到抛光带21上。相应地，抛光带21在第二导向部分25附近弯曲成弧形形状，该弧形形状沿着第二导向部分25的导向表面具有较小曲率，如图23C所示那样。
因此，在第一导向部分124和第二导向部分25之间的抛光带21从具有较大曲率的弧形形状21d变形成具有较小曲率的弧形形状21f。在接触晶片10的接触部分处的抛光带21在弧形形状21d和弧形形状21f之间具有中间形状21e，如图23B所示那样。
把抛光带21从弧形形状21d扩宽到弧形形状21f的力被施加到中间形状21e中。相应地，在抛光带21被压靠在半导体晶片10的凹槽部分11上时，沿着宽度方向的抛光带21的端部可靠地符合凹槽部分11。因此，即使晶片10中的凹槽部分11的形状具有改变，但是抛光带21可以可靠地符合凹槽部分11的形状。
如上所述，这种变形20b可以实现与前述第一变形20a相同的效果。在这个例子中，第一导向部分和第二导向部分的导向表面的曲率可以被调整从而把接触部分处的抛光带曲率调整到理想值。因此，抛光带21可以可靠地符合凹槽部分11的形状。在图22所示的例子中，第一导向部分124可以用第二导向部分25来互换。
图24是侧横剖视图，它示出了抛光机构20的第三变形20c。如图24所示那样，抛光机构20c除了图3所示的第一导向部分24和第二导向部分25之外还具有第三导向部分224和第四导向部分225。第三导向部分224被设置在第一导向部分24的上游，并且具有导向表面以给来自供给卷轴22抛光带21导向，从而把抛光带21直接供给到第一导向部分24中。此外，第四导向部分225设置在第二导向部分25的下游并且具有导向表面以给从第二导向部分25所直接供给来的抛光带21导向从而把抛光带21供给到拾取卷轴23中。
在只通过第一导向部分24和第二导向部分25来供给抛光带21时，如图3所示，根据抛光过程的进展，抛光带21可以从导向表面的中心部分滑动到靠近每个法兰的的部分中，因为第一导向部分24和第二导向部分25的导向表面被弯曲。
图24所示的第三导向部分224和第四导向部分225用来防止抛光带21在第一导向部分24和第二导向部分25的导向表面上滑动。第三导向部分224和第四导向部分225的导向表面在垂直于抛光带21供给方向的横截面上基本上是平坦的。如图24所示那样，在抛光带21没有与晶片10形成接触时，抛光带21从第三导向部分224的导向表面供给到第一导向部分24的导向表面中的方向基本上与抛光带21从第一导向部分24的导向表面供给到第二导向部分25的导向表面中的方向相同。类似地，在抛光带21没有与晶片10产生接触时，抛光带21从第一导向部分24的导向表面供给到第二导向部分25的导向表面中的方向基本上与抛光带21从第二部分25的导向表面供给到第四导向部分225的导向表面中的方向相同。在因此而布置第三导向部分224和第四导向部分225时，可以防止抛光带21在第一导向部分24和第二导向部分25的导向表面上滑动。
在晶片10与抛光机构20c相分离时，如图24所示，第一导向部分24和第二导向部分25在导向表面的顶部上与抛光带21形成滑动接触。在晶片10被压靠在抛光带21上(或者抛光带21被压靠在晶片10)时，如图25所示那样，抛光带21借助第一导向部分24和第二导向部分25的导向表面沿着宽度方向弯曲。抛光带21借助基本上平坦的第三导向部分224的导向表面被支撑在第一导向部分24的上游，并且借助基本上平坦的第四导向部分225的导向表面被支撑在第二导向部分25的下游。相应地，可以防止抛光带21在第一导向部分24和第二导向部分25的导向表面上滑动。
在这个抛光机构20c中，第一导向部分24和第二导向部分25的导向表面可以具有相同的曲率或者可以具有不同的曲率，从而应付凹槽形状的变形。
本发明不局限于前述实施例。例如，要抛光的一部分不局限于半导体晶片的凹槽部分或者倾斜部分并且可以是借助与抛光带相接触来抛光的任何部分。此外，在抛光半导体晶片的凹槽部分时抛光带以滑动接触进行运动的方向不局限于垂直晶片表面的方向，并且相对于垂直晶片表面的方向是倾斜的。
尽管详细地示出和描述了本发明的一些优选实施例，但是应该知道，在没有脱离附加权利要求的范围的情况下可以进行各种变形和改变。
本发明适合用在借助抛光带来抛光基体如半导体晶片的抛光装置中。

Claims (20)

1.一种抛光装置，包括：
抛光带；
供给卷轴，用于把所述抛光带供给到接触部分中，在该接触部分上，所述抛光带与要被抛光的一部分基体产生接触；
拾取卷轴，用于缠绕来自接触部分的所述抛光带；
第一导向部分，具有导向表面以给来自所述供给卷轴的所述抛光带导向，从而把所述抛光带直接供给到接触部分中；
第二导向部分，具有导向表面以给直接从接触部分供给来的所述抛光带导向，从而把所述抛光带供给到所述拾取卷轴中；及
驱动机构，被构造成使所述抛光带和基体彼此相对进行运动；
其中，所述第一导向部分的所述导向表面和所述第二导向部分的所述导向表面中的至少一个具有与要被抛光的该一部分基体的形状相对应的形状。
2.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述第一导向部分的所述导向表面和所述第二导向部分的所述导向表面中的所述至少一个沿着所述抛光带的宽度方向弯曲。
3.根据权利要求2所述的抛光装置，其特征在于，所述第一导向部分的所述导向表面和所述第二导向部分的所述导向表面在垂直于所述抛光带的供给方向的横截面上具有不同的曲率。
4.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述第一导向部分的所述导向表面和所述第二导向部分的所述导向表面中的一个具有弯曲表面，该弯曲表面至少沿着所述抛光带的宽度方向进行弯曲；
其中所述第一导向部分的所述导向表面和所述第二导向部分的所述导向表面中的另一个沿着所述抛光带的宽度方向是平坦的。
5.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，还包括第三导向部分和第四导向部分中的至少一个，其中第三导向部分具有导向表面，该导向表面沿着所述抛光带的宽度方向是平坦的，从而给来自所述供给卷轴的所述抛光带导向，以把所述抛光带直接供给到所述第一导向部分中；第四导向部分具有导向表面，该导向表面沿着所述抛光带的宽度方向是平坦的，从而给直接从所述第二导向部分供给来的所述抛光带导向，以把所述抛光带供给到所述拾取卷轴中。
6.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述第一导向部分包括：
导向件，具有梯形横截面，该梯形横截面与所述抛光带产生接触；及
一对辊，它们沿着所述导向件的表面设置。
7.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，还包括至少一个抛光头部，从而把所述抛光带压靠在要被抛光的该一部分基体上。
8.根据权利要求7所述的抛光装置，其特征在于，所述抛光头部包括用于把所述抛光带压靠在要被抛光的该一部分基体上的弹性件。
9.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，还包括用于把所述抛光带以独立设置的接触角度压靠在要被抛光的该一部分基体上的多个抛光头部。
10.根据权利要求9所述的抛光装置，其特征在于，所述多个抛光头部中的每一个具有用于把所述抛光带压靠在要被抛光的该一部分基体上的弹性件；
其中所述多个抛光头部的所述弹性件具有不同的弹性。
11.一种抛光方法，包括：
把抛光带供给到第一导向部分的导向表面中；
把所述抛光带从所述第一导向部分的所述导向表面直接地供给到接触部分中，在该接触部分上，所述抛光带与要被抛光的一部分基体产生接触；
把所述抛光带从接触部分直接地供给到第二导向部分的导向表面中；
借助所述第一导向部分的所述导向表面和所述第二导向部分的所述导向表面中的至少一个使一部分所述抛光带变形，从而与要被抛光的该一部分基体的形状相对应；及
要被抛光的该一部分基体和所述抛光带彼此相对进行运动以抛光该一部分基体。
12.根据权利要求11所述的抛光方法，其特征在于，所述第一导向部分的所述导向表面和所述第二导向部分的所述导向表面中的所述至少一个沿着所述抛光带的宽度方向弯曲。
13.根据权利要求12所述的抛光方法，其特征在于，所述第一导向部分的所述导向表面和所述第二导向部分的所述导向表面在垂直于所述抛光带的供给方向的截面上具有不同的曲率。
14.根据权利要求11所述的抛光方法，其特征在于，所述第一导向部分的所述导向表面和所述第二导向部分的所述导向表面中的一个具有弯曲表面，该弯曲表面至少沿着所述抛光带的宽度方向进行弯曲，
其中所述第一导向部分的所述导向表面和所述第二导向部分的所述导向表面中的另一个沿着所述抛光带的宽度方向是平坦的。
15.根据权利要求11所述的抛光方法，其特征在于，要被抛光的该一部分基体包括形成在基体的边缘部分上的凹槽部分。
16.根据权利要求11所述的抛光方法，其特征在于，还包括借助至少一个抛光头部把所述抛光带压靠在要被抛光的该一部分基体上。
17.根据权利要求16所述的抛光方法，其特征在于，所述抛光头部通过弹性件把所述抛光带压靠在要被抛光的该一部分基体上。
18.根据权利要求11所述的抛光方法，其特征在于，还包括借助多个抛光头部以独立设置的接触角度把所述抛光带压靠在要被抛光的该一部分基体上。
19.根据权利要求16所述的抛光方法，其特征在于，要被抛光的该一部分基体包括基体的倾斜部分。
20.根据权利要求19所述的抛光方法，其特征在于，要被抛光的该一部分基体还包括基体的边缘部分。
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