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CN100420029C - 有源矩阵型有机发光二极管器件及其制造方法 - Google Patents

有源矩阵型有机发光二极管器件及其制造方法 Download PDF

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CN100420029C
CN100420029C CNB200510117002XA CN200510117002A CN100420029C CN 100420029 C CN100420029 C CN 100420029C CN B200510117002X A CNB200510117002X A CN B200510117002XA CN 200510117002 A CN200510117002 A CN 200510117002A CN 100420029 C CN100420029 C CN 100420029C
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Abstract

有源矩阵型有机发光二极管器件及其制造方法。公开了一种有源矩阵型有机发光二极管器件及其制造方法。在一实施例中，有源矩阵型有机发光二极管器件包括构造为发光的电致发光元件、构造为控制电致发光元件的驱动薄膜晶体管、耦合至驱动薄膜晶体管的存储电容器，以及构造为对所述有源矩阵型有机发光二极管、驱动薄膜晶体管和存储电容器中的至少一个进行绝缘的至少一个绝缘层，该至少一个绝缘层包括形成在所述至少一个绝缘层表面上的多个凹部。

Description

有源矩阵型有机发光二极管器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件，更具体地，涉及一种采用多晶硅薄膜晶体管(TFT)的能够消除莫尔(moire)现象的AMOLED器件及其制造方法。
背景技术
近来，液晶显示(LCD)器件以其重量轻、功耗低而被广泛优选地用作平板显示器。然而，因为LCD器件是无源器件，而非自发光器件，并且由于其在亮度、对比度、视角以及屏幕扩展方面的技术限制，人们已经努力开发能够克服LCD器件的这些缺点的新型平板显示器。
OLED器件(新型平板显示器中的一种)是自发光型显示器件，与传统LCD器件相比其具有优异的视角和对比度，并且由于OLED器件不需要背光，所以其在功耗方面具有优势。
此外，OLED器件还具有以下优点：可以在低直流(DC)电压下进行驱动，具有快速响应速度，由于是完全固体的故能够抵抗外部冲击，具有宽范围的使用温度，并且制造成本低。
特别地，对于OLED器件的制造过程，与LCD器件或PDP(等离子体显示板)不同，OLED器件仅需要淀积和封装装置，从而较大地简化了其制造过程。
当以有源矩阵方法来驱动具有TFT的OLED器件时，通过施加相对较低的电流就可以在各像素处获得相同的亮度，因此OLED器件功耗低、分辨率高，并且其产品也可以具有较大的尺寸。
下面参照图1来说明根据现有技术的有源矩阵型有机LED(AMOLED)器件的基本结构和工作特性。
参照图1，扫描线(选通线)(G)隔开形成在第一方向上，而信号线(数据线)(D)和电源线(P)形成在第二方向上且与所述扫描线交叉，从而形成像素区。
开关TFT(TR1)(寻址元件)连接在扫描线(G)和信号线(D)的交叉处，而存储电容器(Cst)与开关TFT(TR1)以及电源线(P)相连接。驱动TFT(TR2)(电流源元件)与存储电容器(Cst)以及电源线(P)相连接，而EL(电致发光元件)与驱动TFT(TR2)相连接。
这里，开关TFT(TR1)包括：与扫描线(G)相连接的栅极(G1)、连接至信号线(D)并提供数据信号的源极(S1)，以及与驱动TFT(TR2)的栅极(G2)相连接的漏极(D1)，开关TFT(TR1)对EL进行切换。
驱动TFT(TR2)包括：与开关TFT(TR1)的漏极(D1)相连接的栅极(G2)、与EL的阳极相连接的漏极(D2)、以及与电源线(P)和地线相连接的源极(S2)。
存储电容器(Cst)的一个电极通常与开关TFT(TR1)的漏极(D1)以及驱动TFT(TR2)的栅极(G2)相连接，而存储电容器(Cst)的另一个电极与驱动TFT(TR2)的源极(S2)以及电源线(P)相连接。
EL包括：与驱动TFT(TR2)的漏极(D2)相连接的阳极、与地线相连接的阴极、以及形成在阴极和阳极间的EL层。EL层包括空穴传输层、发光层以及电子传输层。
在上述构成的AMOLED器件中，通过驱动TFT将电流提供给EL。对此，由于现有的非晶硅TFT具有低载流子迁移率，近来优选地采用多晶硅TFT，其具有优于非晶硅TFT的载流子迁移率。
此外，为了适当表现精细色彩变化，精确的灰度级性能是显示器的基础。在上述OLED器件中，控制通过EL的电流量。在有源驱动方法中，控制通过驱动TFT(其将电流提供给EL)的电流量以改变OLED器件的发光量，从而显示灰度级。
下面将参照图2说明根据现有技术制造上述一般的AMOLED的方法。
参照图2，通过采用诸如氧化膜的绝缘材料在绝缘基板11上形成缓冲层13，并且通过采用第一掩模(未示出)在缓冲层13上形成由多晶硅薄膜(多硅)制成的半导体层15。
接着，在绝缘基板11包括半导体层15的整个表面上形成栅绝缘膜17，在其上淀积有栅极材料，然后采用第二掩模(未示出)对栅绝缘膜17进行构图以同时一起形成栅极19、下电极21以及选通线(未示出)。
随后，通过采用栅极19作为掩模将具有一定电导率的杂质(例如，p型杂质离子)注入半导体层15，形成源极区15a和漏极区15b。
而后，在栅绝缘膜17包括栅极19上淀积第一夹层绝缘膜23，其上淀积有诸如金属的导电材料，然后采用第三掩模(未示出)有选择地对其进行构图以形成EL的阴极(即，像素电极)25并且在存储电容器Cst的下电极21的上部形成电容器的上电极27。
随后，在包括阴极25以及电容器的上电极27的整个表面上形成第二夹层绝缘膜29，并且通过采用第四掩模(未示出)有选择地对第二夹层绝缘膜29以及第一夹层绝缘膜23进行构图以形成第一至第五接触孔31a～31e，这些接触孔露出了源区15a、漏区15b以及电容器Cst的上电极27和下电极21。
然后，在包括第一至第五接触孔31a～31e的基板上整体地淀积诸如金属的导电材料，然后通过采用第五掩模(未示出)有选择地对其进行构图，以形成第一导电层图案33来连接漏极区15a和EL，形成第二导电层图案35来连接源极区15b和电容器(即，电源线)的上电极27，以及形成第三导电层图案37来连接电容器的下电极21、第一TFT(TR1)的漏极以及第二TFT(TR2)的栅极。
而后，通过采用诸如氧化膜的绝缘材料在基板整个表面上淀积较厚的钝化膜39，随后，通过采用第六掩模(未示出)有选择地对钝化膜39和第二夹层绝缘膜29进行构图以形成露出阴极25的开口41。
接着，在开口部分41下方的阴极25上形成EL层43(有机发光层)，并在EL层43上形成阳极45以制造EL。这就形成了现有技术的AMOLED器件。
然而，根据按现有技术的上述AMOLED器件及其制造方法，在以连续横向结晶(SLS)对AMOLED进行结晶后，完成了下基板的制造过程，然后，淀积单层彩色有机发光层以进行DC测试。如图3所示，在这种情况下产生了梳齿图案的莫尔条纹，这就是问题所在。
当采用非晶硅或上述现有多晶硅TFT作为驱动TFT(TR2)时，不会出现这种莫尔现象。然而，当采用带来高生产率的两次曝光(2-shot)处理时，会发生这种莫尔现象。
导致莫尔现象的主要原因在于光干涉现象。即，认为在像素的规则金属图案和另一规则光学层之间出现相互干涉。该光学层的光学特性与在结晶处理中经受高温的绝缘膜和多晶硅薄膜的光学特性不同。
这种莫尔现象影响了画面质量特性，从而即使灰度级发生变化，莫尔现象中的梳齿也不会消失，而是持续存在。
下面将更详细地说明引起这些问题的莫尔现象。
为了理解莫尔现象，必须先理解声波的拍现象。
拍现象是指两束具有相似频率的波彼此影响使得频宽根据两波频率差按一定周期发生变化的现象。具有相似频率的波中的一个被另一频率抵消或增强来形成一定周期，波按此周期变大或消逝。
莫尔现象对应于视觉产生的拍现象。当物体彼此间具有一定间隔时，在这些物体间产生干涉条纹。因此，在液晶显示板或在OLED器件中，由于衍射狭缝光干涉，选通线、数据线、晶界等在屏幕上形成莫尔图案。在这种情况下，莫尔图案可以形成彩虹状栅格或梳齿栅格。
对于诸如液晶显示(LCD)器件的图像显示器件必须解决莫尔现象，在采用EL作为发光器件的EL图像显示器件情况下莫尔现象问题很大。
采用EL作为发光器件的图像显示器件与LCD器件的相似之处在于它包括多个平行排列的选通线和与选通线垂直交叉的多个数据线，这里由选通线和数据线的交叉来限定一个单元像素，而TFT被设置为各单元像素处的开关器件。
与此同时，EL图像显示器件与LCD器件的不同之处在于：(1)它采用自身发光的EL作为光源从而不需要背光组件(LCD器件的光源)；(2)因为它通过控制电压来控制EL的发光量来显示色彩，所以不需要LCD器件中采用的液晶层；以及(3)因为EL本身具有红色、绿色以及蓝色，故不需要LCD器件中采用的滤色层来显示自然色彩。
EL图像显示器件和LCD器件都存在莫尔问题。然而，在EL中莫尔问题更为严重，EL中没有LCD器件中的偏光片。因此，对于EL图像显示器件必须要解决莫尔现象。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件及其制造方法，这种有源矩阵型有机发光二极管器件通过令像素的绝缘膜具有不规则图案能够消除由光干涉引起的莫尔现象。
本发明的另一目的是提供一种有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件及其制造方法，这种有源矩阵型有机发光二极管器件能够通过在AMOLED器件结晶时消除莫尔现象来提高屏幕特性。
本发明的又一目的是提供一种EL图像显示器件及其制造方法，其克服了与现有技术相关的问题和局限。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如在此具体实施和广泛描述的，在一个方面中提供了一种有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件，其包括：形成在绝缘基板上的缓冲层；形成在缓冲层上的具有漏极/源极的半导体层；形成在缓冲层包括半导体层上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的栅极和电容器下电极；形成栅极和电容器下电极上的第一夹层绝缘膜；形成在第一夹层绝缘膜上的EL阴极和电容器上电极；形成在绝缘基板整个表面的所得结构上的具有露出阴极、漏极、源极、电容器上电极和电容器下电极各部分的接触孔的第二夹层绝缘膜；形成在第二夹层绝缘膜上的第一和第二导电层图案，第一导电层图案连接阴极和漏极，第二导电层图案连接源极和电容器上电极；形成在所得结构上的具有露出部分阴极的开口的钝化层；形成在开口内的EL层；以及形成在EL层上的阳极，其中在缓冲层、栅绝缘膜、第一夹层绝缘膜、第二夹层绝缘膜和钝化层中的至少一个表面上形成有多个凹部。
本发明的另一方面，提供了一种用于制造有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件的方法，该方法包括以下步骤：在绝缘基板上形成缓冲层；在缓冲层上形成半导体层；在半导体层上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成栅极和电容器下电极，并在栅极两侧下方的半导体层处形成漏极区和源极区；在所得结构的表面上形成第一夹层绝缘膜；在第一夹层绝缘膜上形成EL阴极和电容器上电极；在所得结构的表面上形成第二夹层绝缘膜；通过至少一次刻蚀处理形成露出阴极、漏极区、源极区、电容器上电极和电容器下电极各部分的多个接触孔；形成通过所述多个接触孔连接阴极和漏极区的第一导电层图案以及连接源极区和电容器上电极的第二导电层图案；在所得结构的表面上形成钝化膜并对所述钝化膜进行构图以形成露出部分阴极的开口；在开口内形成EL层并在其上形成阳极；以及在缓冲层、栅绝缘层、第一夹层绝缘膜、第二夹层绝缘膜和钝化膜中的至少一个的表面上形成多个凹部。
本发明的又一方面，提供了一种有机发光二极管(OLED)器件，其包括：构造为发光的EL；构造为控制EL的驱动TFT；耦合至驱动TFT的存储电容器；以及构造为对EL、驱动TFT和存储电容器中的至少一个进行绝缘的至少一个绝缘层，其包括形成在至少一个绝缘层的表面上的多个凹部。
本发明的另一方面，提供了一种形成有机发光二极管(OLED)器件的方法，该方法包括以下步骤：形成构造为发光的EL；形成构造为控制EL的驱动TFT；形成耦合至驱动TFT的存储电容器；以及形成构造为对EL、驱动TFT和存储电容器中的至少一个进行绝缘的至少一个绝缘层，其中至少一个绝缘层包括形成在至少一个绝缘层表面上的多个凹部。
结合附图阅读以下对本发明的详细描述，本发明的上述的和其它的目的、特征、方面以及优点将变得更加明显。
附图说明
附图被包括进来用以进一步理解本发明，其被并入且构成说明书的一部分，示出了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1示出了一般有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件的基本像素结构；
图2是根据现有技术的AMOLED器件的剖视图；
图3是示出根据现有技术在驱动AMOLED器件后生成的多个角度的莫尔现象的照片；
图4是根据本发明实施例的AMOLED器件的剖视图；
图5是图4中“A”部分的放大剖视图，示出了根据本发明实施例在其上形成有多个凹部的层叠状态下的绝缘膜；
图6是示出根据本发明的在AMOLED器件的制造过程中形成的多个绝缘膜中的一绝缘膜的表面上形成的多个不规则构图凹部的示例的平面图；以及
图7A至图7H是示出根据本发明的制造AMOLED器件的方法的顺序处理的视图。
具体实施方式
图4是根据本发明的AMOLED器件的剖视图；图5是图4中“A”部分放大后的图，示出了在其上形成有多个凹部的层叠状态下的绝缘膜；图6是示出在AMOLED器件的制造过程中形成在绝缘膜表面上的多个不规则构图凹部的示例的平面图。虽然图4集中示出一个包括开关TFT、存储电容器Cst、驱动TFT和EL(全部进行操作耦合)的单元像素，但AMOLED器件具有按已知矩阵排列的多个这种单元像素。
如图4和图5所示，根据本发明的AMOLED器件构成为：在绝缘基板111上形成有缓冲层113，缓冲层113上形成有多个第一凹部113a，并且在缓冲层113上形成有由多晶硅制成的半导体层115，以构成一沟道层，在半导体层115两侧形成有漏极区115b和源极区115a。
在包括半导体层115的基板的整个表面上形成栅绝缘膜117，栅绝缘膜117上形成有多个第二凹部117a，对应于漏极区115b和源极区115a之间的半导体层115在栅绝缘膜117上形成栅极119，并且在存储电容器区的栅绝缘膜117上形成存储电容器Cst的下电极121。
在包括栅极119的基板上整个地形成第一夹层绝缘膜123，第一夹层绝缘膜123上形成有多个第三凹部123a，分别在EL区和存储电容器区的第一夹层绝缘膜123上形成EL的阴极125和电容器Cst的上电极127。
在基板的整个表面上形成第二夹层绝缘膜129，第二夹层绝缘膜129上形成有多个第四凹部129a，并且具有露出阴极125、漏极区115b、源极区115a、电容器Cst的上电极127和电容器Cst的下电极121的第一至第五接触孔131a～131e。
在第二夹层绝缘膜129上，形成有：通过第一至第五接触孔131a～131e连接阴极125和漏极区115b的第一导电层图案133；连接源极区115a和电容器Cst(即，电源线)的上电极127的第二导电层图案135；以及与下电极121、开关TFT的漏极区(直接连接至选通线和数据线)和驱动TFT的栅极(直接连接至EL)相连接的第三导电层图案137。
形成由绝缘材料制成的钝化膜139，其具有露出EL的阴极125的开口141。并且，在钝化膜139上形成多个第五凹部139a。
在开口141处形成EL层143，并在EL层143上形成EL的阳极145。
参照图5，其示出了图4中“A”部分的放大后的图，在本发明的AMOLED中，在由绝缘材料制成的绝缘层113、栅绝缘膜117、第一夹层绝缘膜123、第二夹层绝缘膜129以及钝化膜139的表面上不规则地形成了多个凹部113a、117a、123a、129a以及139a，从而消除了规则的光程差。即，这些凹部具有不规则的图案、形状和/或尺寸(参见图6中的示例)。从而，与像素的规则金属图案不会发生干涉，因此没有也不能发生莫尔现象，从而有效地处理了这一现象。
参照图6，其示出了在多个由绝缘材料制成的层中的凹部的示例，在位于选通线(G)和数据线(D)交叉处的像素区中的一绝缘膜(第二夹层绝缘膜129)表面上不规则地形成多个凹部129a。由此，非刻蚀区(没有形成凹部的区域)和通过刻蚀形成有多个凹部129a的区域的比值在大约1∶1范围内。
与本实施例(这里在由绝缘材料制成的全部层上形成有多个凹部)不同，在本发明的不同实施例中，可以在由绝缘材料制成的层中的至少一个的表面上形成多个凹部。例如，层113、117、123、129、139等中的一个或多个可以具有不规则构图的凹部。
参照附图说明根据本发明的用于制造上述构造的AMOLED器件的方法。
图7A至7H是示出了根据本发明的用于制造图4～6的AMOLED器件的方法的顺序过程的图。
如图7A所示，根据用于制造AMOLED器件的方法，在绝缘基板111上形成缓冲层113，在缓冲层113上淀积一多晶硅层，并采用第一掩模通过刻蚀处理有选择地对多晶硅层进行刻蚀以形成由多晶硅膜制成的半导体层15。
然后，通过刻蚀处理110在缓冲层113的表面上不规则地形成多个第一凹部113a。此时，在对半导体层115的刻蚀处理中可以形成第一凹部113a或者可以通过单独的掩模处理形成第一凹部113a。
随后，如图7B所示，在包括半导体层115的基板的整个表面上形成栅绝缘膜117，然后，通过刻蚀处理120在栅绝缘膜117的表面上不规则地形成多个第二凹部117a。在这种情况下，在与形成在缓冲层113的表面上的第一凹部113a的位置不对应或不匹配的位置处形成第二凹部117a。此外，可以通过刻蚀处理或通过单独的掩模处理，来进行用于形成第一凹部117a的刻蚀处理，或者根据情况可以不进行这一掩模处理。
然后，如图7C所示，在栅绝缘膜117上淀积栅极材料，然后通过采用第二掩模对其进行有选择地构图以形成栅极119。此时，当形成栅极119时，也一起形成电容器Cst的下电极121和选通线。
接着，通过采用栅极119作为掩模将具有一定导电率类型的杂质(例如，p型杂质)离子注入至半导体层115，以形成高密度漏极区115b和源极区115a。
然后，在栅绝缘膜117包括栅极119上淀积第一夹层绝缘膜123，并通过刻蚀处理130在第一夹层绝缘膜123的表面上不规则地形成多个第三凹部123a。在这种情况下，在与形成在栅绝缘膜123的表面上的第二凹部123a的位置不对应或不匹配的位置处形成第三凹部123a。此外，可以通过采用单独的掩模处理来执行用于形成第三凹部123a的刻蚀处理，或者根据情况可以不执行这一刻蚀处理。
之后，如图7D所示，将诸如金属的导电材料淀积在基板的整个表面上，然后通过采用第三掩模有选择地对其进行构图以形成EL的阴极(即，像素电极)125，并在存储电容器Cst的下电极121的上侧形成存储电容器Cst的上电极127。
然后，在包括EL的阴极125和电容器的上电极127的基板的整个表面上形成第二夹层绝缘膜129，并通过采用第四掩模对第二夹层绝缘膜129和第一夹层绝缘膜123有选择地进行构图，以形成露出阴极125、漏极区115b和源极区115a以及电容器上电极127和下电极121各部分的第一至第五接触孔131a～131e。
此时，可以在形成第一至第五接触孔131a～131e的刻蚀处理140期间，即当刻蚀第二夹层绝缘膜129时，一起在第二夹层绝缘膜129的表面上不规则地形成多个第四凹部129a，或者可以通过增加单独的刻蚀处理来形成多个第四凹部129a。在与形成在第一夹层绝缘膜123上的第三凹部123a不对应或不匹配的位置处形成第四凹部129a。另选地，可以根据情况根本不进行用于形成第四凹部129a的处理，以不形成第四凹部129a。
接着，如图7E所示，在包括第一至第五接触孔131a～131e的基板的整个表面上淀积诸如金属的导电材料，然后通过采用第五掩模对该导电材料层有选择地进行构图，以形成连接阴极125和漏极区115b的第一导电层图案133、连接源极区115a和电容器(即电源线)上电极127的第二导电层图案135、以及连接电容器下电极121、第一TFT漏极和第二TFT栅极的第三导电层图案137。
然后，如图7F所示，在基板的整个表面上淀积较厚的由绝缘材料制成的钝化膜139，然后，通过采用第六掩模对钝化膜139和第二夹层绝缘膜129有选择地进行构图，以形成露出阴极125的开口141。此时，可以在形成开口141的刻蚀处理150期间或者通过增加单独的刻蚀处理，在表面上一起不规则地形成多个第五凹部139a。此外，在与形成在第二夹层绝缘膜129表面上的第四凹部129a的位置不对应或不匹配的位置处形成第五凹部139a。另选地，可以根据情况不进行用于形成第五凹部139a的处理。
然后，如图7G和7H所示，在开口141内的阴极125上形成EL层143，在EL层143上形成阳极145以制造AMOLED器件。
如上所述，由于在用于AMOLED器件的由绝缘材料制成的各绝缘层上不规则地形成多个凹部，或由于在由绝缘材料制成的层中的至少一个的表面上不规则地形成多个凹部，在具有不规则凹部的层和像素的规则金属图案之间不存在干涉。因此，不会发生莫尔现象。也就是说，在形成不规则图案(即凹部)的过程中，在绝缘膜表面上，通过刻蚀处理对绝缘膜部分地进行刻蚀，使得以不规则的形式、形状、尺寸等在整个像素上形成非刻蚀区(无凹部)和刻蚀区(有凹部)。在这种情况下，如图6所示，形成多个不规则的凹部使得非刻蚀部分和刻蚀部分的面积比大约为1∶1。
另外，在本发明的其他实施例中，可以增加对具有不规则凹部图案的绝缘膜的刻蚀处理为单独的处理，或者可以在在绝缘膜中形成接触孔的处理中附加地形成不规则的图案。而且，可以采用掩模或通过两次曝光处理来形成凹部。
如上所述，根据本发明的AMOLED器件及其制造方法具有很多优点。
通过在几个像素上的绝缘膜上形成不规则图案，即不规则凹部图案，光程差不可能具有规则性。因此，既然不存在能够与像素的规则金属图案相干涉的不同光学层，就不会发生莫尔现象，也有效地消除了莫尔问题。
由于不发生莫尔现象，因此可以提高屏幕的特性。
此外，由于在对AMOLED器件结晶处理过程中不发生莫尔现象，所以提高了生产率。
在不脱离本发明的精神和本质特征的情况下，本发明可以以多种形式具体实现，因此应该理解，除非特别指出，否则上述实施例不限于上述的任何细节，而是应该在所附权利要求确定的精神和范围内广泛地解释，因此所附权利要求将包括落在权利要求及其等同物的边界内的所有变型和修改。
本发明要求2004年10月29日提交的韩国专利申请第2004-0087479号的权益，通过引用将其并入本文。

Claims (25)

1. 一种有源矩阵型有机发光二极管器件，包括：
形成在绝缘基板上的缓冲层；
形成在所述缓冲层上的半导体层，具有漏极和源极；
形成在所述缓冲层包括所述半导体层上的栅绝缘膜；
形成在所述栅绝缘膜上的栅极和电容器下电极；
形成在所述栅极和电容器下电极上的第一夹层绝缘膜；
形成在所述第一夹层绝缘膜上的阴极和电容器上电极；
形成在绝缘基板整个表面的所得结构上的第二夹层绝缘膜，具有露出所述阴极、漏极、源极、电容器上电极和电容器下电极各部分的接触孔；
形成在所述第二夹层绝缘膜上的第一和第二导电层图案，所述第一导电层图案连接所述阴极和漏极，所述第二导电层图案连接所述源极和电容器上电极；
形成在所得结构上的钝化层，具有露出所述阴极的一部分的开口；
形成在所述开口内的电致发光层；以及
形成在所述电致发光层上的阳极，
其中，在所述缓冲层、栅绝缘膜、第一夹层绝缘膜、第二夹层绝缘膜以及钝化层中的至少一个的表面上形成有多个凹部。
2. 根据权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件，其中所述多个凹部是不规则地构图的。
3. 根据权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件，其中所述多个凹部形成在所述缓冲层、栅绝缘膜、第一夹层绝缘膜、第二夹层绝缘膜以及钝化层的表面上。
4. 根据权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件，其中所述多个凹部被形成得不位于交叠的上层和下层的同一对应位置处。
5. 根据权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件，其中所述多个凹部具有不同的尺寸。
6. 根据权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件，其中形成有所述多个凹部的区域与没有形成凹部的区域的尺寸比为1∶1。
7. 根据权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件，其中所述第二导电层图案与电源线相连接。
8. 根据权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件，其中所述多个凹部形成在所述缓冲层的表面上。
9. 一种用于制造有源矩阵型有机发光二极管器件的方法，该方法包括以下步骤：
在绝缘基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成栅绝缘膜；
在所述栅绝缘膜上形成栅极和电容器下电极，在所述栅极的两侧下方的所述半导体层上形成漏极区和源极区；
在所得结构的表面上形成第一夹层绝缘膜；
在所述第一夹层绝缘膜上形成阴极和电容器上电极；
在所得结构的表面上形成第二夹层绝缘膜；
通过至少一次刻蚀处理，形成露出所述阴极、漏极区、源极区、电容器上电极以电容器下电极各部分的多个接触孔；
形成通过所述多个接触孔连接所述阴极和漏极区的第一导电层图案及连接所述源极区和电容器上电极的第二导电层图案；
在所得结构的表面上形成钝化膜，并对所述钝化膜进行构图以形成露出所述阴极的一部分的开口；
在所述开口内形成电致发光层，并在所述电致发光层上形成阳极；以及
在所述缓冲层、栅绝缘层、第一夹层绝缘膜、第二夹层绝缘膜以及钝化膜中的至少一个的表面上形成多个凹部。
10. 根据权利要求9所述的方法，其中所述多个凹部是不规则地构图的。
11. 根据权利要求9所述的方法，其中在所述缓冲层、栅绝缘膜、第一夹层绝缘膜、第二夹层绝缘膜以及钝化层的表面上形成所述多个凹部。
12. 根据权利要求9所述的方法，其中所述多个凹部被形成得不位于交叠的上层和下层的同一对应位置处。
13. 根据权利要求9所述的方法，其中所述多个凹部具有不同的尺寸。
14. 根据权利要求9所述的方法，其中形成有所述多个凹部的区域与没有形成凹部的区域的尺寸比为1∶1。
15. 根据权利要求9所述的方法，在所述形成所述多个凹部的步骤中，通过采用掩模或通过两次曝光处理来形成所述凹部。
16. 一种有机发光二极管器件，包括：
构成为发光的电致发光元件；
构成为控制所述电致发光元件的驱动薄膜晶体管；
耦合至所述驱动薄膜晶体管的存储电容器；以及
构成为对所述电致发光元件、驱动薄膜晶体管和存储电容器中的至少一个进行绝缘的至少一个绝缘层，包括形成在所述至少一个绝缘层的表面上的多个凹部。
17. 根据权利要求16所述的有机发光二极管器件，其中所述多个凹部具有不规则的形状和/或尺寸。
18. 根据权利要求16所述的有机发光二极管器件，其中所述至少一个绝缘层包括以下中的至少一个：
缓冲层，其上形成有所述电致发光元件、驱动薄膜晶体管以及存储电容器；
源极区/漏极区和所述驱动薄膜晶体管的栅极之间的栅绝缘层；
所述驱动薄膜晶体管的栅极上的第一夹层绝缘膜；
所述存储电容器上的第二夹层绝缘膜；或
所述电致发光元件的电极上的钝化膜。
19. 根据权利要求16所述的有机发光二极管器件，其中所述至少一个绝缘层包括多个不同的绝缘层，各绝缘层包括位于对应绝缘层的表面上的多个凹部。
20. 根据权利要求16所述的有机发光二极管器件，其中形成有所述多个凹部的所述至少一个绝缘层的总区域的尺寸与没有形成凹部的所述至少一个绝缘层的总区域的尺寸比为1∶1。
21. 一种形成有机发光二极管器件的方法，该方法包括以下步骤：
形成构造为发光的电致发光元件；
形成构造为控制所述电致发光元件的驱动薄膜晶体管；
形成耦合至所述驱动薄膜晶体管的存储电容器；以及
形成构造为对所述电致发光元件、驱动薄膜晶体管和存储电容器中的至少一个进行绝缘的至少一个绝缘层，其中所述至少一个绝缘层包括形成在所述至少一个绝缘层的表面上的多个凹部。
22. 根据权利要求21所述的方法，其中在所述形成至少一个绝缘层的步骤中，所述多个凹部具有不规则的形状和/或尺寸。
23. 根据权利要求21所述的方法，其中在所述形成至少一个绝缘层的步骤中，所述至少一个绝缘层包括以下中的至少一个：
缓冲层，其上形成有所述电致发光元件、驱动薄膜晶体管以及存储电容器；
源极区/漏极区和所述驱动薄膜晶体管的栅极之间的栅绝缘层；
所述驱动薄膜晶体管的栅极上的第一夹层绝缘膜；
所述存储电容器上的第二夹层绝缘膜；或
所述电致发光元件的电极上的钝化膜。
24. 根据权利要求21所述的方法，其中在所述形成至少一个绝缘层的步骤中，所述至少一个绝缘层包括多个不同绝缘层，各绝缘层包括位于对应绝缘层的表面上的多个凹部。
25. 根据权利要求21所述的方法，其中在所述形成至少一个绝缘层的步骤中，形成有所述多个凹部的所述至少一个绝缘层的总区域的尺寸与没有形成凹部的所述至少一个绝缘层的总区域的尺寸比为1∶1。
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