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CH489909A - Verfahren zum Herstellen eines Diffusionstransistors aus Silicium - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Diffusionstransistors aus Silicium

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Publication number
CH489909A
CH489909A CH404069A CH404069A CH489909A CH 489909 A CH489909 A CH 489909A CH 404069 A CH404069 A CH 404069A CH 404069 A CH404069 A CH 404069A CH 489909 A CH489909 A CH 489909A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
silicon
making
diffusion transistor
diffusion
transistor
Prior art date
Application number
CH404069A
Other languages
English (en)
Inventor
Albus Peter
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH489909A publication Critical patent/CH489909A/de

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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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CH404069A 1968-03-20 1969-03-18 Verfahren zum Herstellen eines Diffusionstransistors aus Silicium CH489909A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19681764004 DE1764004A1 (de) 1968-03-20 1968-03-20 Verfahren zum Herstellen eines Hochfrequenztransistors aus Silicium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH489909A true CH489909A (de) 1970-04-30

Family

ID=5697823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH404069A CH489909A (de) 1968-03-20 1969-03-18 Verfahren zum Herstellen eines Diffusionstransistors aus Silicium

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3634133A (de)
JP (1) JPS4840666B1 (de)
AT (1) AT286361B (de)
CH (1) CH489909A (de)
DE (1) DE1764004A1 (de)
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GB (1) GB1195189A (de)
NL (1) NL6815800A (de)
SE (1) SE339053B (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2032838A1 (de) * 1970-07-02 1972-01-13 Licentia Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Halb leiterzone durch Diffusion
US6669871B2 (en) * 2000-11-21 2003-12-30 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. ESD dissipative ceramics

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Also Published As

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GB1195189A (en) 1970-06-17
NL6815800A (de) 1969-09-23
AT286361B (de) 1970-12-10
FR1597211A (de) 1970-06-22
US3634133A (en) 1972-01-11
DE1764004A1 (de) 1971-04-08
SE339053B (de) 1971-09-27
JPS4840666B1 (de) 1973-12-01

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