[go: up one dir, main page]

CH407062A - Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial - Google Patents

Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial

Info

Publication number
CH407062A
CH407062A CH50464A CH50464A CH407062A CH 407062 A CH407062 A CH 407062A CH 50464 A CH50464 A CH 50464A CH 50464 A CH50464 A CH 50464A CH 407062 A CH407062 A CH 407062A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
crucible
semiconductor material
free zone
zone melting
melting
Prior art date
Application number
CH50464A
Other languages
English (en)
Inventor
Wolfgang Dr Keller
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH407062A publication Critical patent/CH407062A/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
CH50464A 1963-04-27 1964-01-17 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial CH407062A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1963S0084953 DE1243642B (de) 1963-04-27 1963-04-27 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH407062A true CH407062A (de) 1966-02-15

Family

ID=7512062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH50464A CH407062A (de) 1963-04-27 1964-01-17 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial

Country Status (4)

Country Link
BE (1) BE647136A (de)
CH (1) CH407062A (de)
DE (1) DE1243642B (de)
GB (1) GB1045526A (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5003551A (en) * 1990-05-22 1991-03-26 Inductotherm Corp. Induction melting of metals without a crucible
EP3945148A1 (de) 2020-07-27 2022-02-02 ScIDre Scientific Instruments Dresden GmbH Laserbasierte nacherwärmung für das kristallwachstum

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1270943A (fr) * 1959-10-19 1961-09-01 Philips Nv Procédé et dispositif pour la fabrication de corps en forme de tiges par fusion par zone
FR1317786A (de) * 1961-03-17 1963-05-08
DE1147206B (de) * 1961-10-02 1963-04-18 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen stabfoermiger Siliciumeinkristalle mit einer mittleren Versetzungsdichte durch tiegelloses Zonenschmelzen
FR1315934A (fr) * 1961-12-15 1963-01-25 Radiotechnique Appareil horizontal pour la purification et le tirage de cristaux semi-conducteurs

Also Published As

Publication number Publication date
BE647136A (de) 1964-10-27
DE1243642B (de) 1967-07-06
GB1045526A (en) 1966-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT261675B (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleitereinkristallen
CH506187A (de) Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterial
AT249116B (de) Verfahren zum Ziehen von einkristallinem Halbleitermaterial
CH373903A (de) Verfahren zum tiegellosen Zonenziehen von Halbleitermaterial
CH365362A (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenziehen von stabförmigem Halbleitermaterial
CH380384A (de) Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von lotrecht stehenden Stäben aus Halbleitermaterial
CH416558A (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial
AT244858B (de) Vorrichtung zum Verschweißen von Wandungen aus thermoplastischem Material
CH429012A (de) Vorrichtung zum Behandeln und Weiterbewegen von Fasermaterial
CH375527A (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
CH389249A (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial
CH456798A (de) Vorrichtung zum elektrolytischen Abtragen von Material
DE1913881A1 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
CH410613A (de) Vorrichtung zum Abschneiden von Blättern von bandförmigem Material
CH430656A (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial, insbesondere von Silizium
CH407062A (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial
CH440225A (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
CH420069A (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial
CH435207A (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
CH464153A (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial
CH540716A (de) Vorrichtung zum induktiven tiegellosen Zonenschmelzen von Stäben
CH407959A (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
CH388636A (de) Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben
CH432475A (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
CH438229A (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen