CH388636A - Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben - Google Patents
Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von HalbleiterstäbenInfo
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES62993A DE1226984B (de) | 1959-05-14 | 1959-05-14 | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstaeben |
DES0063624 | 1959-06-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH388636A true CH388636A (de) | 1965-02-28 |
Family
ID=25995694
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH502160A CH378546A (de) | 1959-05-14 | 1960-05-02 | Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben, insbesondere Siliziumstäben |
CH665960A CH388636A (de) | 1959-05-14 | 1960-06-10 | Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH502160A CH378546A (de) | 1959-05-14 | 1960-05-02 | Einrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben, insbesondere Siliziumstäben |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3053918A (de) |
CH (2) | CH378546A (de) |
DE (1) | DE1226984B (de) |
GB (2) | GB869461A (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3773499A (en) * | 1968-04-03 | 1973-11-20 | M Melnikov | Method of zonal melting of materials |
DE2158274A1 (de) * | 1971-11-24 | 1973-05-30 | Siemens Ag | Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen von staeben aus halbleitermaterial |
DE2217407A1 (de) * | 1972-04-11 | 1973-11-29 | Siemens Ag | Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen |
DE2919988A1 (de) * | 1979-05-17 | 1980-11-27 | Siemens Ag | Stromzufuehrung in koaxialbauweise |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2686864A (en) * | 1951-01-17 | 1954-08-17 | Westinghouse Electric Corp | Magnetic levitation and heating of conductive materials |
US2664496A (en) * | 1952-11-25 | 1953-12-29 | Westinghouse Electric Corp | Apparatus for the magnetic levitation and heating of conductive materials |
US2792317A (en) * | 1954-01-28 | 1957-05-14 | Westinghouse Electric Corp | Method of producing multiple p-n junctions |
US2743199A (en) * | 1955-03-30 | 1956-04-24 | Westinghouse Electric Corp | Process of zone refining an elongated body of metal |
US2809905A (en) * | 1955-12-20 | 1957-10-15 | Nat Res Dev | Melting and refining metals |
US2870309A (en) * | 1957-06-11 | 1959-01-20 | Emil R Capita | Zone purification device |
-
1959
- 1959-05-14 DE DES62993A patent/DE1226984B/de active Pending
-
1960
- 1960-03-23 GB GB10360/60A patent/GB869461A/en not_active Expired
- 1960-04-20 US US23535A patent/US3053918A/en not_active Expired - Lifetime
- 1960-05-02 CH CH502160A patent/CH378546A/de unknown
- 1960-06-10 CH CH665960A patent/CH388636A/de unknown
- 1960-06-24 GB GB22278/60A patent/GB876467A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1408558B2 (de) | 1972-07-06 |
US3053918A (en) | 1962-09-11 |
GB876467A (en) | 1961-09-06 |
DE1408558A1 (de) | 1969-12-11 |
CH378546A (de) | 1964-06-15 |
DE1226984B (de) | 1966-10-20 |
GB869461A (en) | 1961-05-31 |
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