CH397875A - Procédé de fabrication d'un corps semi-conducteur monocristallin, appareil pour la mise en oeuvre dudit procédé et produit résultant dudit procédé - Google Patents
Procédé de fabrication d'un corps semi-conducteur monocristallin, appareil pour la mise en oeuvre dudit procédé et produit résultant dudit procédéInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US7234460A | 1960-11-29 | 1960-11-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH397875A true CH397875A (fr) | 1965-08-31 |
Family
ID=22106995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH1389561A CH397875A (fr) | 1960-11-29 | 1961-11-29 | Procédé de fabrication d'un corps semi-conducteur monocristallin, appareil pour la mise en oeuvre dudit procédé et produit résultant dudit procédé |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT243317B (de) |
BE (1) | BE610469A (de) |
CH (1) | CH397875A (de) |
DE (1) | DE1419716B2 (de) |
ES (1) | ES272455A1 (de) |
GB (1) | GB990119A (de) |
SE (1) | SE305201B (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7772097B2 (en) | 2007-11-05 | 2010-08-10 | Asm America, Inc. | Methods of selectively depositing silicon-containing films |
CN112626615A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-04-09 | 黄梦蕾 | 一种半导体分立器用硅外延生长扩散辅助设备 |
-
1961
- 1961-11-14 DE DE19611419716 patent/DE1419716B2/de active Pending
- 1961-11-14 ES ES272455A patent/ES272455A1/es not_active Expired
- 1961-11-17 BE BE610469A patent/BE610469A/fr unknown
- 1961-11-18 AT AT871161A patent/AT243317B/de active
- 1961-11-23 GB GB4198361A patent/GB990119A/en not_active Expired
- 1961-11-28 SE SE1184661A patent/SE305201B/xx unknown
- 1961-11-29 CH CH1389561A patent/CH397875A/fr unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AT243317B (de) | 1965-11-10 |
DE1419716A1 (de) | 1968-10-10 |
GB990119A (en) | 1965-04-28 |
BE610469A (fr) | 1962-05-17 |
SE305201B (de) | 1968-10-21 |
ES272455A1 (es) | 1962-03-01 |
DE1419716B2 (de) | 1971-12-16 |
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