BE681638A

BE681638A -

Info

Publication number: BE681638A
Authority: BE
Priority date: 1965-06-18
Filing date: 1966-05-26
Publication date: 1966-10-31
Also published as: DE1299778C2; FR1483423A; NL6608235A; DE1299778B

Description


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  "Elément semi-conducteur". 



   La présente invention est relative à un dispositif   @   semi-conducteur constitué par un mélange de substances multiples, qui revient lors du dépassement d'une tension fixée, d'un état à haute impédance à un état à basse   impédenoe,   ainsi que lors du   dépassement     d'une   valeur de seuil de courant.

   ,       
Les mélanges de   substances   multiples les plus divers,   @   en particulier des mélanges de trois substances ont été proposée   jsuqu'à   présent, possédant la qualité préoitée et qui peuvent être commutés depuis une très haute résistance, par exemple 106 chsm 

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 jusqu'à une très faible résistance, par temple 1 ohm, .%oui en ,1,, h revenant automatiquement a l'état à hautn àmpédenoe ou haute ré'- r. i.i siatanoe après l'arrêt du courant* Toutefois, des expériences ont j=,,, révélé que cette réversibilité fait défaut lorsqu'une oertaine   @   
 EMI2.2 
 charge a été dépassée dans l'état à biisso impédenoe.

   A cause de I:: cet%e ciiarge, ex% évidez% qu'tl produit, >eu%-4%ro sous cette charge, il est évident qu'il sa produit, peut-être soua l'effet de la température qui est engendrée, une modification   @   de   structure   qui ne permet plue un retour automatique au point   @   de départ. 
 EMI2.3 
 Des essais internes ont révélé qu'il est possible d'ar- river à des mélanges uniques particuliers,   grâce   auxquels une 
 EMI2.4 
 charge plue élevée est possible sans que lbn arrive à un état non réversible. 



   De tels mélanges ne son pas appliqués en pratique,   étant' 0   
 EMI2.5 
 donné que lors de la production de tels éléments semi-conducteurs, une proportion de mélange absolument invariable ne peut être obte- nue qu'à un prix de revient   très   élevé. Normalement, l'on doit tenir compte du fait, par exemple lorsqu'il s'agit d'un processus   de dépôt sous forme de vapeur, que la proportion de mélange au @ cours de la phase vapeur et dans la couche déposée sous forme @ de vapeur variera dans certaines limites. 



  L'invention a pour bass le problème d'offrir un élément   
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 semi-conducteur tel que défini précédemment, qui possédera dans   une   proportion de mélange plus large, la capacité de charge plus élevée requise. 



   Suivant l'invention, ce problème est résolu grâce au fait que l'élément   semi-oonduoteur   est constitué par un mélange 
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 de 10 à 33 de silicium, 20 à 60 96 d'arsenic et 40 à 80 % de      tellure   ( en   poids atomique %).      



   Ces données signifient que les proportions de mélange   utilisables   se situent dans la zone d'un diagramme de trois consti- tuants du système si-as-te, tele qu'indiquée dans le dessin annexé.! 
Etant donné que pour les constituants d'arsenic et de tellure, des possibilités de variation relativement importantes sont admises, il est particulièrement important pour   l'invention   

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 que la proprotion de silicium ne puisse varier que dans des limi- tes relativement étroites,   qu'elle   soit relativement faible et qu'elle ne dépasse en aucun cas 33 %.

   Une attention   supplé-     mentaire   doit être accordée au fait quo le but recherche ne peut être obtenu qu'avec du   silicium   et non avec du germanium, qui avait été considéré jusqu'à présent comme l'équivalent du aili- cium en ce qui concerne les   qualités   semi-conductrices   néoessai-   res dans le présent cas. 



   Lorsque l'on doit veiller à ce que les éléments semi- conducteurs aient une réversibilité active totale, les proportions de mélange indiquées doivent être maintenues dans le processus de production. Etant donné qu'une variation de plus ou moins   5 %   peut aisément se produire lors de la production, il est recomman- dé de choisir les proportions de mélange requises de telle sorte qu'elles se situent dans la gamme de 15 à 38   %   de silium, 25 à 55 % d'arsenic et 45   à   75 % de tellure. 



   Comme indiqué dans le diagramme de trois constituants du dessin annex   :1   existe dans le système décrit un point de proportion de mélange optimum où de très larges tolérances des proportions de mélange sott admises lors de la production. Le point optimum correspond à des proportions de mélange d'environ   20 %   de   si,   30 % de as et 50 % de te. 



   Dans le diagramme, la zone requise suivant l'invention est définie clairement par un trait gras, La zone préférée est indiquée par des   hachures   et les proportions de mélange optimum sont   représentées   par un point. 

**ATTENTION** fin du champ DESC peut contenir debut de CLMS **.

Claims

REVENDICATIONS 1. Elément semi-conducteur constitué par un mélange de substances multiples, qui revient d'un état à haute impédenoe à un état à basse impédence lors du département d'une tension prévue et lors da dépassement d'une valeur de seuil de oourant, caractérisé en ce qu'il est constitué par un mélange de 10 à 33% de silicium, 20 à 60 % d'arsenic et 40 à 80 % de tellure (en poids atomique %). <Desc/Clms Page number 4> EMI4.1

.-. ". \, ' Loj [.i' 2. Elément semi-conducteur suivant la fevend,.a,1on: Ji;\} caractérisé en ce qu'il est constitué par un mélange de 15 à 28 % EMI4.2 de silicium, de 25 à 55 y6dareenio et de 45 à 75 9 de tellure.

3. Elément semi-conducteur suivant la revendication 2, caractérisé en ce qu'il est constitué par un mélange de 20 % de silicium, 30 % d'arsenic et 50 % de tellure.

4. Elément semi-conducteur, tel que décrit ci-avant ou conforme au diagramme annexé.