WO2024080205A1

WO2024080205A1 - フィルタ装置

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Publication number: WO2024080205A1
Application number: PCT/JP2023/036224
Authority: WO
Inventors: 直山崎; 泰伸林; 康政谷口
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2022-10-11
Filing date: 2023-10-04
Publication date: 2024-04-18

Abstract

フィルタ装置１０は、互いに対向している第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂを有する第１の圧電性基板２Ａと、第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａに設けられているＩＤＴ電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子１３Ａと、第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａに設けられており、第１の弾性波共振子１３Ａを囲むように設けられている支持体８Ａと、支持体８Ａ上に設けられており、第１の圧電性基板２Ａ側に位置している第３の主面２ｃ、及び第３の主面２ｃと対向している第４の主面２ｄを有する第２の圧電性基板２Ｂと、第２の圧電性基板２Ｂの第３の主面２ｃに設けられているＩＤＴ電極を含み、少なくとも１つが直列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子１３Ｂとを備え、第２の圧電性基板２Ｂの電気機械結合係数Ｋｓａｗが、第１の圧電性基板２Ａの電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも小さく、少なくとも１つの第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む。

Description

フィルタ装置

　本発明は、弾性波共振子を有するフィルタ装置に関する。

　従来、弾性波共振子を有するフィルタ装置は、携帯電話機のフィルタなどとして広く用いられている。下記の特許文献１には、フィルタ装置としての、弾性波デバイスの一例が開示されている。この弾性波デバイスはデュプレクサである。該弾性波デバイスにおいては、支持基板上に２つの圧電基板が設けられている。２つの圧電基板は、いずれもタンタル酸リチウム基板である。もっとも、２つの圧電基板においては、カット角が互いに異なる。これにより、２つの圧電基板において、電気機械結合係数が互いに異ならされている。送信フィルタの並列腕共振子、及び受信フィルタの直列腕共振子は、電気機械結合係数が小さい方の圧電基板において構成されている。

特開２０２０－０４３４４２号公報

　フィルタ装置においては、スタック構造が採用されることがある。スタック構造においては、例えば、１組の積層基板が積み重ねられる。各積層基板において、フィルタが構成される。よって、例えば、スタック構造のフィルタ装置は、１組の弾性波デバイスを含む。このようなフィルタ装置の弾性波デバイスのうちの１つとして、特許文献１に記載の弾性波デバイスが採用されたとしても、フィルタ特性における十分な急峻性及び十分な耐電力性を両立することができないおそれがある。

　本発明の目的は、スタック構造であり、フィルタ特性における急峻性の劣化を抑制することができ、かつ耐電力性を高めることができる、フィルタ装置を提供することにある。

　本発明に係るフィルタ装置のある広い局面では、互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する第１の圧電性基板と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられているＩＤＴ電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられており、前記第１の弾性波共振子を囲むように設けられている支持体と、前記支持体上に設けられており、前記第１の圧電性基板側に位置している第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する第２の圧電性基板と、前記第２の圧電性基板の前記第３の主面に設けられているＩＤＴ電極を含み、少なくとも１つが直列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子とが備えられており、前記第１の圧電性基板が、第１の支持基板と、前記第１の支持基板と積層されている第１の圧電体層とを有し、前記第１の主面が前記第１の圧電体層の主面を含み、前記第２の圧電性基板が、第２の支持基板と、前記第２の支持基板と積層されている第２の圧電体層とを有し、前記第３の主面が前記第２の圧電体層の主面を含み、前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極、及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極がそれぞれ、互いに異なる電位に接続され、かつ互いに間挿し合っている、複数の第１の電極指と、複数の第２の電極指とを有し、前記第１の圧電性基板、前記第２の圧電性基板及び前記支持体により囲まれた空間が構成されており、前記第２の圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗが、前記第１の圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも小さく、前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、前記第１の圧電性基板及び前記第２の圧電性基板において構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む。

　本発明に係るフィルタ装置の他の広い局面では、互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する第１の圧電性基板と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられているＩＤＴ電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられており、前記第１の弾性波共振子を囲むように設けられている支持体と、前記支持体上に設けられており、前記第１の圧電性基板側に位置している第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する第２の圧電性基板と、前記第２の圧電性基板の前記第３の主面に設けられているＩＤＴ電極を含み、少なくとも１つが並列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子とが備えられており、前記第１の圧電性基板が、第１の支持基板と、前記第１の支持基板と積層されている第１の圧電体層とを有し、前記第１の主面が前記第１の圧電体層の主面を含み、前記第２の圧電性基板が、第２の支持基板と、前記第２の支持基板と積層されている第２の圧電体層とを有し、前記第３の主面が前記第２の圧電体層の主面を含み、前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極、及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極がそれぞれ、互いに異なる電位に接続され、かつ互いに間挿し合っている、複数の第１の電極指と、複数の第２の電極指とを有し、前記第１の圧電性基板、前記第２の圧電性基板及び前記支持体により囲まれた空間が構成されており、前記第２の圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗが、前記第１の圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも小さく、前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、前記第１の圧電性基板及び前記第２の圧電性基板において構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含む。

　本発明によれば、スタック構造であり、フィルタ特性における急峻性の劣化を抑制することができ、かつ耐電力性を高めることができる、フィルタ装置を提供することができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図３は、本発明の第１の実施形態においての、第１の圧電性基板の第１の主面における電極構成を示す、略図的透視平面図である。図４は、本発明の第１の実施形態においての、第２の圧電性基板の第３の主面における電極構成を示す、略図的平面図である。図５は、本発明の第１の実施形態においての、第２の圧電性基板の第４の主面における電極構成を示す、略図的透視平面図である。図６は、図３中のＩＩ－ＩＩ線に沿う部分を示す略図的断面図である。図７は、タンタル酸リチウム層の厚みと、比帯域との関係を示す図である。図８は、タンタル酸リチウム層のカット角と、比帯域との関係を示す図である。図９は、本発明の第１の実施形態における第１の弾性波共振子の電極構成を示す模式的透視平面図である。図１０は、本発明の第１の実施形態の変形例に係るフィルタ装置の、図６に示す断面に相当する部分を示す略図的断面図である。図１１は、本発明の第３の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図１２は、本発明の第４の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図１３は、本発明の第５の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図１４は、本発明の第５の実施形態における第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子のインピーダンス周波数特性の模式図である。図１５は、本発明の第５の実施形態におけるフィルタ装置の減衰量周波数特性の模式図である。図１６は、本発明の第６の実施形態における第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子のインピーダンス周波数特性の模式図である。図１７は、本発明の第６の実施形態におけるフィルタ装置の減衰量周波数特性の模式図である。図１８は、本発明の第７の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図１９は、本発明の第９の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図２０は、中間層の厚みの規格値と、比帯域との関係を示す図である。図２１は、圧電体層の厚み及び中間層の厚みと、高調波の位相との関係を示す図である。図２２は、本発明の第１０の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図２３は、本発明の第１０の実施形態における効果を説明するための略図的正面断面図である。図２４は、本発明の第１１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図２５は、本発明の第１１の実施形態における効果を説明するための略図的正面断面図である。図２６は、本発明の第１２の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図２７は、支持基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるψと、レイリー波及び高調波の位相との関係を示す図である。図２８は、図２７に示した関係において、位相が－６０°以下である場合を示す図である。図２９は、本発明の第１４の実施形態に係るフィルタ装置の模式的正面断面図である。図３０は、ＩＤＴ電極の厚み及びＴＣＦａの関係を示す図である。図３１は、ＩＤＴ電極の厚み及びＴＣＦｒの関係を示す図である。図３２は、本発明の第１５の実施形態に係るフィルタ装置の模式的正面断面図である。図３３は、本発明の第１６の実施形態においての、第１の圧電性基板の第１の主面における弾性波共振子の配置を示す略図的透視平面図である。図３４は、本発明の第１６の実施形態においての、第２の圧電性基板の第３の主面における弾性波共振子の配置を示す略図的平面図である。図３５は、本発明の第１７の実施形態に係るフィルタ装置の模式的正面断面図である。図３６は、誘電体膜の厚みと比帯域との関係を示す図である。図３７は、本発明の第１８の実施形態に係るフィルタ装置の模式的正面断面図である。

　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

　図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。

　本実施形態のフィルタ装置１０は送信フィルタである。フィルタ装置１０の通過帯域は、Ｂａｎｄ２５の送信帯域である、１８５０ＭＨｚ～１９１５ＭＨｚである。もっとも、フィルタ装置１０の通過帯域は上記に限定されない。フィルタ装置１０は送信フィルタに限定されない。フィルタ装置１０は、例えば受信フィルタであってもよい。本実施形態では、フィルタ装置１０は１つのみのフィルタである。なお、本発明に係るフィルタ装置は、デュプレクサや、３つ以上のフィルタを有するマルチプレクサであってもよい。

　図１に示すように、フィルタ装置１０はラダー型フィルタである。よって、フィルタ装置１０は、少なくとも１つの直列腕共振子及び少なくとも１つの並列腕共振子を有する。本実施形態では、直列腕共振子及び並列腕共振子は、いずれも弾性表面波共振子である。以下において、フィルタ装置１０の具体的な構成を説明する。

　図２は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図２においては、各共振子を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。他の略図的断面図や略図的平面図においても同様である。なお、図２においては、図２により示す部分に、後述するバンプが設けられているものとして、略図的に示す。他の略図的断面図においても同様である。

　フィルタ装置１０は第１の圧電性基板２Ａと、第２の圧電性基板２Ｂと、支持体８Ａとを有する。第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂの間に、支持体８Ａが設けられている。支持体８Ａは枠状の形状を有する。第１の圧電性基板２Ａ、第２の圧電性基板２Ｂ及び支持体８Ａにより囲まれた空間が構成されている。該空間及び支持体８Ａを挟み、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂが互いに対向している。

　第１の圧電性基板２Ａは、第１の圧電体層５Ａを含む積層基板である。第１の圧電性基板２Ａは第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂを有する。第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂは互いに対向している。本実施形態では、第１の圧電体層５Ａの主面が第１の主面２ａである。同様に、第２の圧電性基板２Ｂは、第２の圧電体層５Ｂを含む積層基板である。第２の圧電性基板２Ｂは第３の主面２ｃ及び第４の主面２ｄを有する。第３の主面２ｃ及び第４の主面２ｄは互いに対向している。本実施形態では、第２の圧電体層５Ｂの主面が第３の主面２ｃである。

　本実施形態においては、第１の圧電体層５Ａ及び第２の圧電体層５Ｂの材料として、回転Ｙカットのニオブ酸リチウムが用いられている。もっとも、第１の圧電体層５Ａ及び第２の圧電体層５Ｂの材料は上記に限定されず、例えば、タンタル酸リチウムなどを用いることもできる。

　第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいては、電気機械結合係数Ｋｓａｗが互いに異なる。具体的には、第２の圧電性基板２Ｂの電気機械結合係数Ｋｓａｗが、第１の圧電性基板２Ａの電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも小さい。圧電性基板における電気機械結合係数Ｋｓａｗは、例えば、圧電体層の厚みや、カット角により調整することができる。本実施形態では、第１の圧電体層５Ａの厚みは４００ｎｍであり、第１の圧電体層５Ａのカット角は３５°Ｙである。第２の圧電体層５Ｂの厚みは６００ｎｍであり、第２の圧電体層５Ｂのカット角は５５°Ｙである。

　第１の圧電性基板２Ａにおいては、第１の弾性波共振子１３Ａが構成されている。第２の圧電性基板２Ｂにおいては、第２の弾性波共振子１３Ｂが構成されている。第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂはそれぞれ、直列腕共振子または並列腕共振子である。本明細書における第１の圧電性基板２Ａの電気機械結合係数Ｋｓａｗは、第１の弾性波共振子１３Ａが利用するメインモードに係る電気機械結合係数Ｋｓａｗである。第２の圧電性基板２Ｂの電気機械結合係数Ｋｓａｗは、第２の弾性波共振子１３Ｂが利用するメインモードに係る電気機械結合係数Ｋｓａｗである。

　各圧電性基板上の電極構成を図３及び図４により示す。なお、図３及び図４においては、第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂを、図１に示す直列腕共振子または並列腕共振子の符号により示す。

　図３は、第１の実施形態においての、第１の圧電性基板の第１の主面における電極構成を示す、略図的透視平面図である。図４は、第１の実施形態においての、第２の圧電性基板の第３の主面における電極構成を示す、略図的平面図である。図５は、第１の実施形態においての、第２の圧電性基板の第４の主面における電極構成を示す、略図的透視平面図である。図３中及び図４中の矢印Ａは、フィルタ装置１０における入力端側から出力端側に向かう経路を模式的に示す。なお、上記図２は、図３中のＩ－Ｉ線に沿う略図的断面図である。

　図３に示すように、第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａにおいて、複数の第１の弾性波共振子が構成されている。具体的には、第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａには、複数の機能電極が設けられている。各第１の弾性波共振子は機能電極を含む。なお、本実施形態においては、各機能電極はＩＤＴ電極である。第１の主面２ａには、複数の配線及び上記支持体８Ａが設けられている。

　図３中の上側の二点鎖線は、支持体８Ａ及び配線の境界を示す。配線により、第１の弾性波共振子同士が電気的に接続されている。支持体８Ａは、複数の第１の弾性波共振子を囲むように設けられている。より具体的には、支持体８Ａは、第１の主面２ａに設けられた複数の機能電極を囲んでいる。上記のように、本実施形態では、支持体８Ａは枠状の形状を有する。なお、第１の主面２ａには、柱状の複数の支持体が、複数の第１の弾性波共振子を囲むように設けられていてもよい。支持体８Ａ上に、図４に示す第２の圧電性基板２Ｂが設けられている。

　図４に示すように、第２の圧電性基板２Ｂにおいて、複数の第２の弾性波共振子が構成されている。具体的には、第２の圧電性基板２Ｂの第３の主面２ｃに、複数の機能電極としての、複数のＩＤＴ電極が設けられている。各第２の弾性波共振子はＩＤＴ電極を含む。第３の主面２ｃには、複数の配線が設けられている。配線により、第２の弾性波共振子同士が電気的に接続されている。

　図２に戻り、第１の圧電性基板２Ａ、第２の圧電性基板２Ｂ及び支持体８Ａにより囲まれた空間内に、複数の第１の弾性波共振子１３Ａ及び複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが位置している。このように、フィルタ装置１０はスタック構造である。なお、本実施形態では、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂは、いずれも直列腕共振子である。もっとも、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂは、直列腕共振子及び並列腕共振子のうち少なくとも一方を含んでいればよい。

　フィルタ装置１０は、少なくとも１つの柱部材８Ｂを有する。具体的には、本実施形態では、フィルタ装置１０は、複数の柱部材８Ｂを有する。第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂは、支持体８Ａと共に、柱部材８Ｂによっても支持されている。支持体８Ａ及び柱部材８Ｂは、本実施形態では、複数の金属層の積層体である。支持体８Ａ及び柱部材８Ｂは、各配線を介して、第１の弾性波共振子１３Ａまたは第２の弾性波共振子１３Ｂに電気的に接続されている。フィルタ装置１０における第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂは、全ての柱部材８Ｂのうち一部の複数の柱部材８Ｂにより、電気的に接続されている。

　図６は、図３中のＩＩ－ＩＩ線に沿う部分を示す略図的断面図である。

　図６に示すように、フィルタ装置１０は、複数の外部接続端子１１を有する。外部接続端子１１の一部が、第２の圧電性基板２Ｂを貫通している。各外部接続端子１１は、支持体８Ａまたは柱部材８Ｂに接続されている。さらに、各外部接続端子１１には、導電性接合部材としてのバンプ９が接合されている。なお、導電性接合部材として、例えば、導電性接着剤などが用いられていてもよい。フィルタ装置１０は、複数のバンプ９により、実装基板などに接合される。各第１の弾性波共振子１３Ａ及び各第２の弾性波共振子１３Ｂは、外部接続端子１１及びバンプ９を介して、外部に電気的に接続される。

　図２に戻り、本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。１）第２の圧電性基板２Ｂの電気機械結合係数Ｋｓａｗが第１の圧電性基板２Ａの電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも小さいこと。２）複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含むこと。それによって、フィルタ特性における急峻性の劣化を抑制することができ、かつ耐電力性を高めることができる。本明細書において急峻性が高いとは、通過帯域の端部付近において、ある一定の減衰量の変化量に対して、周波数の変化量が小さいことをいう。上記の効果の詳細を、以下において説明する。

　フィルタ装置１０のようなラダー型フィルタにおいては、通過帯域を構成している直列腕共振子の共振周波数が通過帯域内に位置している。一方で、該直列腕共振子の反共振周波数は、通過帯域よりも高域側に位置している。直列腕共振子における反共振周波数が低いほど、該反共振周波数は、ラダー型フィルタの通過帯域に近い。そのため、ラダー型フィルタの直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子の、通過帯域における高域側の端部付近の急峻性に対する影響は、特に大きい。よって、該直列腕共振子の反共振周波数が大きく変化すると、急峻性が劣化するおそれがある。

　ここで、直列腕共振子などの弾性波共振子においては、弾性波が励振されると、熱が生じる。そのため、フィルタ装置が用いられる際には、各弾性波共振子の温度が変化する。そして、ラダー型フィルタの直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子は、ラダー型フィルタの直列腕共振子の中で、特に発熱し易い。これは、該直列腕共振子の反共振周波数が、ラダー型フィルタの直列腕共振子の反共振周波数のうち、通過帯域に最も近いことによる。弾性波共振子の温度が大きく変化すると、反共振周波数も大きく変化する。そのため、ラダー型フィルタの通過帯域における高域側の端部付近の急峻性が、より劣化するおそれがある。さらに、該直列腕共振子におけるＩＤＴ電極が高温となり、ＩＤＴ電極が破損するおそれがある。

　これに対して、本実施形態においては、フィルタ装置１０の直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子は、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された、第２の弾性波共振子１３Ｂである。そして、第２の圧電性基板２Ｂの電気機械結合係数Ｋｓａｗは、第１の圧電性基板２Ａの電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも小さい。ここで、圧電性基板においては、電気機械結合係数Ｋｓａｗが小さいほど、熱抵抗が小さい。よって、フィルタ装置１０においての、反共振周波数が最も低い直列腕共振子が構成された部分における放熱性を高めることができる。これにより、通過帯域における高域側の端部付近において、急峻性の劣化を抑制することができる。加えて、該直列腕共振子のＩＤＴ電極が破損することを抑制できる。このように、耐電力性を高めることができる。

　なお、図６中の黒色の矢印Ｂは、第２の弾性波共振子１３Ｂの熱が外部に移動する経路を示す。図６中の白色の矢印Ｃは、第１の弾性波共振子１３Ａの熱が外部に移動する経路を示す。本実施形態においては、矢印Ｂに示す経路における熱抵抗が、矢印Ｃに示す経路における熱抵抗よりも小さい。それによって、第２の弾性波共振子１３Ｂから外部に、熱を効率的に移動させることができる。従って、フィルタ特性における急峻性の劣化を抑制することができ、かつ耐電力性を高めることができる。

　本実施形態のように、外部接続端子１１が、第２の圧電性基板２Ｂに設けられていることが好ましい。それによって、第２の弾性波共振子１３Ｂから外部に、熱をより一層効率的に移動させることができる。もっとも、外部接続端子１１は、第２の圧電性基板２Ｂに設けられていなくともよい。外部接続端子１１は、第１の圧電性基板２Ａに設けられていてもよい。

　上述したように、圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗは、圧電体層の厚みやカット角により調整することができる。これを、圧電体層がタンタル酸リチウム層である例により示す。なお、弾性波共振子の電気機械結合係数Ｋｓａｗは、弾性波共振子の比帯域との相関関係を有する。具体的には、比帯域の値が大きいほど、電気機械結合係数Ｋｓａｗは大きい。よって、比帯域の調整の例を示すことを以て、電気機械結合係数Ｋｓａｗを調整できることを示す。ここでいう比帯域は、共振周波数をｆｒ、反共振周波数をｆａとしたときに、（｜ｆａ－ｆｒ｜／ｆｒ）×１００［％］により表わされる。

　図７は、タンタル酸リチウム層の厚みと、比帯域との関係を示す図である。図８は、タンタル酸リチウム層のカット角と、比帯域との関係を示す図である。

　図７に示すように、タンタル酸リチウム層の厚みが厚くなるほど、比帯域の値が小さくなっていることがわかる。なお、図７に示す例においては、タンタル酸リチウム層の厚み及び比帯域の関係は、１次関数により表わされる。具体的には、比帯域の値の変化の、タンタル酸リチウム層の厚みの変化に対する傾きは、－０．００２％／ｎｍである。

　図８に示すように、タンタル酸リチウム層のカット角が変化すると、比帯域も変化していることがわかる。以上のように、圧電体層の厚みまたはカット角を調整することにより、比帯域を調整することができる。そして、比帯域と、電気機械結合係数Ｋｓａｗとは相関関係を有する。よって、圧電体層の厚みまたはカット角を調整することにより、電気機械結合係数Ｋｓａｗを調整することができる。

　以下において、本実施形態の構成のさらなる詳細を説明する。図１に示すように、フィルタ装置１０は、第１の信号端子１２Ａと、第２の信号端子１２Ｂとを有する。フィルタ装置１０においては、第１の信号端子１２Ａが入力端に相当し、第２の信号端子１２Ｂが出力端に相当する。

　フィルタ装置１０の複数の直列腕共振子は、具体的には、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４、直列腕共振子Ｓ５、直列腕共振子Ｓ６及び直列腕共振子Ｓ７である。第１の信号端子１２Ａ及び第２の信号端子１２Ｂの間に、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４、直列腕共振子Ｓ５、直列腕共振子Ｓ６及び直列腕共振子Ｓ７が、この順序において互いに直列に接続されている。

　フィルタ装置１０の複数の並列腕共振子は、具体的には、並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３、並列腕共振子Ｐ４、並列腕共振子Ｐ５及び並列腕共振子Ｐ６である。直列腕共振子Ｓ１及び直列腕共振子Ｓ２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ４が接続されている。直列腕共振子Ｓ５及び直列腕共振子Ｓ６の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ５が接続されている。直列腕共振子Ｓ６及び直列腕共振子Ｓ７の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ６が接続されている。

　図３に示すように、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ７及び全ての並列腕共振子が、第１の弾性波共振子１３Ａである。他方、図４に示すように、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４、直列腕共振子Ｓ５及び直列腕共振子Ｓ６が、第２の弾性波共振子１３Ｂである。図４に示すいずれかの直列腕共振子が、フィルタ装置１０における、反共振周波数が最も低い直列腕共振子である。ここで、図９により、第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂの具体的な構成を示す。

　図９は、第１の実施形態における第１の弾性波共振子の電極構成を示す模式的透視平面図である。図９では、第１の弾性波共振子１３Ａに接続された配線などは省略している。

　第１の弾性波共振子１３Ａは、ＩＤＴ電極１５と、１対の反射器１４Ａ及び反射器１４Ｂとを有する。第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａに、ＩＤＴ電極１５と、反射器１４Ａ及び反射器１４Ｂとが設けられている。

　ＩＤＴ電極１５は、１対のバスバーと、複数の電極指とを有する。１対のバスバーは、具体的には、第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７である。第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７は互いに対向している。複数の電極指は、具体的には、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９である。第１のバスバー１６に、複数の第１の電極指１８の一端がそれぞれ接続されている。第２のバスバー１７に、複数の第２の電極指１９の一端がそれぞれ接続されている。複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９は互いに間挿し合っている。第１の電極指１８及び第２の電極指１９は、互いに異なる電位に接続される。ＩＤＴ電極１５に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。

　以下においては、第１の電極指１８及び第２の電極指１９を、単に電極指と記載することがある。ＩＤＴ電極１５の複数の電極指が延びる方向を電極指延伸方向とする。反射器１４Ａ及び反射器１４Ｂは、電極指延伸方向と直交する方向において、ＩＤＴ電極１５を挟み互いに対向している。なお、本実施形態においては、電極指延伸方向と直交する方向と、弾性波伝搬方向とは平行である。ＩＤＴ電極１５、反射器１４Ａ及び反射器１４Ｂは、単層の金属膜からなっていてもよく、積層金属膜からなっていてもよい。

　図９に示す第１の弾性波共振子１３Ａと同様に、図２などに示す他の各第１の弾性波共振子１３Ａや、各第２の弾性波共振子１３Ｂも、ＩＤＴ電極及び１対の反射器を有する。本実施形態においては、各第１の弾性波共振子１３Ａ及び各第２の弾性波共振子１３Ｂは、弾性表面波共振子である。

　以下において、図２及び図６に示す、外部接続端子１１の詳細を説明する。各外部接続端子１１は、少なくとも１つの貫通電極７と、電極パッド６とを有する。具体的には、本実施形態においては、複数の貫通電極７が、第２の圧電性基板２Ｂを貫通するように設けられている。複数の電極パッド６が、第２の圧電性基板２Ｂの第４の主面２ｄに設けられている。各貫通電極７の一端は電極パッド６に接続されている。これにより、各外部接続端子１１が構成されている。なお、各貫通電極７の他端は、支持体８Ａまたは柱部材８Ｂなどに接続されている。

　複数の外部接続端子１１は、信号電位に接続される外部接続端子１１、及びグラウンド電位に接続される外部接続端子１１を含む。本実施形態では、グラウンド電位に接続される外部接続端子１１の貫通電極７には、支持体８Ａが接続されている。複数の第１の弾性波共振子１３Ａ及び複数の第２の弾性波共振子１３Ｂのうちの並列腕共振子はそれぞれ、配線を介して支持体８Ａに電気的に接続されている。よって、各並列腕共振子は、配線、支持体８Ａ、外部接続端子１１及びバンプ９を介して、グラウンド電位に接続される。

　一方で、本実施形態においては、信号電位に接続される外部接続端子１１の貫通電極７には、配線または柱部材８Ｂが接続されている。具体的には、図１に示すように、最も第１の信号端子１２Ａ側の弾性波共振子は、直列腕共振子Ｓ１である。そして、図４に示すように、直列腕共振子Ｓ１は、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成されている。第２の圧電性基板２Ｂの第３の主面２ｃに設けられた配線に、直列腕共振子Ｓ１が接続されている。該配線に、フィルタ装置１０の入力端側における、外部接続端子１１の貫通電極７が接続されている。

　他方、最も第２の信号端子１２Ｂ側の弾性波共振子は、直列腕共振子Ｓ７である。そして、図３に示すように、直列腕共振子Ｓ７は、第１の圧電性基板２Ａにおいて構成されている。第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａに設けられた配線に、直列腕共振子Ｓ７が接続されている。該配線に柱部材８Ｂが接続されている。該柱部材８Ｂに、フィルタ装置１０の出力端側における、外部接続端子１１の貫通電極７が接続されている。

　なお、支持体８Ａは、信号電位に接続されてもよく、グラウンド電位に接続されてもよい。同様に、柱部材８Ｂは、信号電位に接続されてもよく、グラウンド電位に接続されてもよい。本実施形態では、各柱部材８Ｂは、いずれかの第１の弾性波共振子１３Ａまたは第２の弾性波共振子１３Ｂに電気的に接続されている。もっとも、複数の柱部材８Ｂは、いずれの弾性波共振子にも電気的に接続されていない柱部材８Ｂを含んでいてもよい。

　フィルタ装置１０においては、複数の外部接続端子１１は、信号電位に接続される外部接続端子１１、及びグラウンド電位に接続される外部接続端子１１を含む。もっとも、複数の外部接続端子１１は、信号電位及びグラウンド電位のいずれにも接続されない外部接続端子１１を含んでいてもよい。

　支持体８Ａの複数の金属層のうち１層の金属層は、第１の圧電性基板２Ａに設けられた配線と一体として設けられている。支持体８Ａの他の１層の金属層は、第２の圧電性基板２Ｂに設けられた配線と一体として設けられている。柱部材８Ｂにおいても同様である。もっとも、支持体８Ａ及び柱部材８Ｂの金属層は、配線と個別に設けられており、かつ配線と接続されていてもよい。

　図５に示すように、１つの外部接続端子１１が複数の貫通電極７を有することが好ましい。それによって、第２の圧電性基板２Ｂ側から外部に、熱をより一層効率的に移動させることができる。これにより、各第２の弾性波共振子１３Ｂの温度変化をより一層小さくすることができる。すなわち、フィルタ装置１０の直列腕共振子のうち、最も反共振周波数が低い直列腕共振子の温度変化をより一層小さくすることができる。従って、フィルタ特性における急峻性の劣化をより一層抑制することができ、かつ耐電力性をより一層高めることができる。もっとも、外部接続端子１１は、必ずしも複数の貫通電極７を有していなくともよい。

　図６に示すように、第２の圧電性基板２Ｂの第４の主面２ｄには、誘電体膜２８が設けられている。誘電体膜２８は、各電極パッド６の一部を覆っている。各電極パッド６における、誘電体膜２８により覆われていない部分に、上記バンプ９が接合されている。誘電体膜２８が設けられていることにより、第２の圧電性基板２Ｂが破損し難い。他方、第１の圧電性基板２Ａの第２の主面２ｂには、誘電体膜２８は設けられていない。もっとも、誘電体膜２８は、第１の圧電性基板２Ａの第２の主面２ｂにも設けられていてもよい。誘電体膜２８は、具体的には、酸化ケイ素膜である。なお、誘電体膜２８の材料は上記に限定されない。誘電体膜２８は必ずしも設けられていなくともよい。

　上記のように、第１の圧電性基板２Ａは積層基板である。具体的には、第１の圧電性基板２Ａは、第１の支持基板３Ａ、第１の中間層４Ａ及び第１の圧電体層５Ａを有する。第１の支持基板３Ａ上に第１の中間層４Ａが設けられている。第１の中間層４Ａ上に第１の圧電体層５Ａが設けられている。

　第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａは、第１の圧電性基板２Ａにおける、最も第２の圧電性基板２Ｂ側に位置している主面である。本実施形態では、第１の圧電体層５Ａの主面が第１の主面２ａである。なお、第１の主面２ａは、少なくとも第１の圧電体層５Ａの主面を含んでいればよい。例えば、第１の主面２ａは、第１の圧電体層５Ａの主面、並びに第１の中間層４Ａの主面または第１の支持基板３Ａの主面を含んでいてもよい。

　第１の圧電性基板２Ａの第２の主面２ｂは、第１の主面２ａと対向しており、かつ第１の圧電性基板２Ａの最も外側に位置している主面である。よって、本実施形態においては、第２の主面２ｂは、第１の支持基板３Ａの、第１の圧電性基板２Ａにおける最も外側に位置している主面である。

　同様に、第２の圧電性基板２Ｂは、第２の支持基板３Ｂ、第２の中間層４Ｂ及び第２の圧電体層５Ｂの積層基板である。第２の圧電性基板２Ｂの第３の主面２ｃは、第２の圧電性基板２Ｂにおける、最も第１の圧電性基板２Ａ側に位置している主面である。本実施形態では、第２の圧電体層５Ｂの主面が第３の主面２ｃである。なお、第３の主面２ｃは、少なくとも第２の圧電体層５Ｂの主面を含んでいればよい。例えば、第３の主面２ｃは、第２の圧電体層５Ｂの主面、並びに第２の中間層４Ｂの主面または第２の支持基板３Ｂの主面を含んでいてもよい。

　第２の圧電性基板２Ｂの第４の主面２ｄは、第３の主面２ｃと対向しており、かつ第２の圧電性基板２Ｂの最も外側に位置している主面である。よって、本実施形態においては、第４の主面２ｄは、第２の支持基板３Ｂの、第２の圧電性基板２Ｂにおける最も外側に位置している主面である。

　本実施形態では、第１の中間層４Ａ及び第２の中間層４Ｂは、低音速膜である。低音速膜は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い。すなわち、第１の中間層４Ａを伝搬するバルク波の音速は、第１の圧電体層５Ａを伝搬するバルク波の音速よりも低い。第２の中間層４Ｂを伝搬するバルク波の音速は、第２の圧電体層５Ｂを伝搬するバルク波の音速よりも低い。

　第１の中間層４Ａ及び第２の中間層４Ｂは酸化ケイ素からなる。もっとも、低音速膜としての第１の中間層４Ａ及び第２の中間層４Ｂの材料は上記に限定されず、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、酸化タンタル、もしくは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物などの誘電体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。本明細書において主成分とは、占める割合が５０ｗｔ％を超える成分をいう。上記主成分の材料は、単結晶、多結晶、及びアモルファスのうちいずれかの状態、もしくは、これらが混在した状態で存在していてもよい。

　なお、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂの電気機械結合係数Ｋｓａｗは、第１の中間層４Ａ及び第２の中間層４Ｂの厚みなどにより調整しても構わない。

　本実施形態では、第１の支持基板３Ａ及び第２の支持基板３Ｂは、高音速材料層である。高音速材料層は相対的に高音速な層である。高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い。すなわち、第１の支持基板３Ａを伝搬するバルク波の音速は、第１の圧電体層５Ａを伝搬する弾性波の音速よりも高い。第２の支持基板３Ｂを伝搬するバルク波の音速は、第２の圧電体層５Ｂを伝搬する弾性波の音速よりも高い。

　第１の支持基板３Ａ及び第２の支持基板３Ｂは、高音速材料であるシリコンからなる高音速材料層である。もっとも、高音速材料は上記に限定されず、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることもできる。なお、上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、ＦｅＡｌ_２Ｏ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＭｎＡｌ_２Ｏ_４を挙げることができる。

　第１の圧電性基板２Ａにおいては、高音速材料層としての第１の支持基板３Ａ、低音速膜としての第１の中間層４Ａ及び第１の圧電体層５Ａが、この順序で積層されている。それによって、各第１の弾性波共振子１３Ａの弾性波のエネルギーを、第１の圧電体層５Ａ側に効果的に閉じ込めることができる。第２の圧電性基板２Ｂも同様の積層構造を有する。よって、各第２の弾性波共振子１３Ｂの弾性波のエネルギーを、第２の圧電体層５Ｂ側に効果的に閉じ込めることができる。

　なお、第１の圧電性基板の積層構造は上記に限定されない。例えば、第１の中間層は、複数の誘電体層の積層体であってもよい。より具体的には、例えば、第１の中間層は、第１の低音速膜と、高音速材料層としての第１の高音速膜との積層体であってもよい。第１の圧電性基板は、第１の支持基板、第１の高音速膜、第１の低音速膜及び第１の圧電体層の積層基板であってもよい。一方で、第１の中間層は第１の高音速膜であってもよい。第１の圧電性基板は、第１の支持基板、第１の高音速膜及び第１の圧電体層の積層基板であってもよい。他方、第１の中間層は設けられていなくともよい。第１の圧電性基板は、高音速材料層としての第１の支持基板及び第１の圧電体層の積層基板であってもよい。これらの場合においても、各第１の弾性波共振子の弾性波のエネルギーを第１の圧電体層側に効果的に閉じ込めることができる。

　第２の圧電性基板においても同様である。第２の圧電性基板は、第２の支持基板、第２の低音速膜、第２の高音速膜及び第２の圧電体層の積層基板であってもよい。あるいは、第２の圧電性基板は、第２の支持基板、第２の高音速膜及び第２の圧電体層の積層基板であってもよく、高音速材料層としての第２の支持基板及び第２の圧電体層の積層基板であってもよい。

　第１の圧電性基板が第１の高音速膜を有する場合には、第１の支持基板が高音速材料層ではなくとも、各第１の弾性波共振子の弾性波のエネルギーを第１の圧電体層側に効果的に閉じ込めることができる。第２の圧電性基板においても同様である。これらの場合、第１の支持基板及び第２の支持基板には、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどのセラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体、もしくは樹脂、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。

　図２に戻り、第１の圧電性基板２Ａは、第１の支持基板３Ａと、第１の圧電体層５Ａとを有していればよい。上記に挙げた例のように、第１の支持基板３Ａ及び第１の圧電体層５Ａは、直接的に積層されていてもよく、第１の中間層４Ａを介して間接的に積層されていてもよい。第２の圧電性基板２Ｂは、第２の支持基板３Ｂと、第２の圧電体層５Ｂとを有していればよい。上記に挙げた例のように、第２の支持基板３Ｂ及び第２の圧電体層５Ｂは、直接的に積層されていてもよく、第２の中間層４Ｂを介して間接的に積層されていてもよい。

　上記のように、本実施形態では、図２などに示す、各第１の弾性波共振子１３Ａ及び各第２の弾性波共振子１３Ｂは、弾性表面波共振子である。弾性表面波共振子同士の共振周波数及び反共振周波数は、ＩＤＴ電極の電極指ピッチ及びデューティ比を用いて比較することができる。なお、電極指ピッチとは、互いに異なる電位に接続される、隣り合う電極指同士の、弾性波伝搬方向における中心間距離である。例えば、弾性表面波共振子同士の電極指の厚みが同じである場合には、電極指ピッチ及びデューティ比の積の逆数が大きい方の弾性表面波共振子の共振周波数が、他方の弾性表面波共振子の共振周波数よりも高い。同様に、弾性表面波共振子同士の電極指の厚みが同じである場合には、電極指ピッチ及びデューティ比の積の逆数が大きい方の弾性表面波共振子の反共振周波数が、他方の弾性表面波共振子の反共振周波数よりも高い。

　弾性表面波共振子同士の電極指の厚みが互いに異なる場合には、電極指ピッチ、デューティ比及び電極指の厚みの積の逆数が大きい方の弾性表面波共振子の共振周波数が、他方の弾性表面波共振子の共振周波数よりも高い。同様に、弾性表面波共振子同士の電極指の厚みが互いに異なる場合には、電極指ピッチ、デューティ比及び電極指の厚みの積の逆数が大きい方の弾性表面波共振子の反共振周波数が、他方の弾性表面波共振子の反共振周波数よりも高い。

　フィルタ装置１０における全ての直列腕共振子のうち、いずれかの第２の弾性波共振子１３ＢにおけるＩＤＴ電極の電極指ピッチ及びデューティ比の積の逆数が、最も小さいことが好ましい。あるいは、フィルタ装置１０における全ての直列腕共振子のうち、いずれかの第２の弾性波共振子１３ＢにおけるＩＤＴ電極の電極指ピッチ、デューティ比及び電極指の厚みの積の逆数が、最も小さいことが好ましい。それによって、フィルタ装置１０における全ての直列腕共振子のうち、第２の弾性波共振子１３Ｂである直列腕共振子の反共振周波数を、より確実に最も低くさせることができる。

　第１の圧電性基板２Ａの第１の主面２ａには、各第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極を覆うように、保護膜が設けられていてもよい。それによって、各第１の弾性波共振子１３Ａが破損し難い。同様に、第２の圧電性基板２Ｂの第３の主面２ｃには、各第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極を覆うように、保護膜が設けられていてもよい。それによって、各第２の弾性波共振子１３Ｂが破損し難い。保護膜には、適宜の誘電体を用いることができる。なお、本発明における、第１の実施形態以外の構成においても、第１の主面２ａまたは第３の主面２ｃに、機能電極を覆うように保護膜が設けられた構成を採用することができる。

　保護膜を有する弾性表面波共振子同士の保護膜の厚みが同じである場合には、電極指ピッチ、デューティ比及び電極指の厚みの積の逆数が大きい方の弾性表面波共振子の共振周波数が、他方の弾性表面波共振子の共振周波数よりも高い。同様に、保護膜を有する弾性表面波共振子同士の保護膜の厚みが同じである場合には、電極指ピッチ、デューティ比及び電極指の厚みの積の逆数が大きい方の弾性表面波共振子の反共振周波数が、他方の弾性表面波共振子の反共振周波数よりも高い。

　ところで、図２に示すように、第２の圧電性基板２Ｂは側面２ｅを有する。側面２ｅは、第３の主面２ｃ及び第４の主面２ｄに接続されている。第１の実施形態のように、第２の圧電性基板２Ｂが積層基板である場合には、側面２ｅは、各層の側面により構成されている。この側面２ｅに外部接続端子１１の一部が設けられていてもよい。すなわち、外部接続端子１１は、貫通電極７と、電極パッド６とを有する構成に限定されない。

　例えば、図１０に示す第１の実施形態の変形例においては、外部接続端子２１は、外部電極２５と、電極パッド６とを有する。外部電極２５は、第２の圧電性基板２Ｂの第３の主面２ｃ、側面２ｅ及び第４の主面２ｄに連続的に設けられている。外部電極２５は、支持体８Ａ及び電極パッド６を電気的に接続している。具体的には、本変形例においては、外部電極２５及び電極パッド６は一体として設けられている。もっとも、外部電極２５及び電極パッド６は、個別に設けられ、かつ外部電極２５及び電極パッド６が接続されていてもよい。本変形例においても、第１の実施形態と同様に、フィルタ特性における急峻性の劣化を抑制することができ、かつ耐電力性を高めることができる。なお、外部電極２５を含む外部接続端子２１と、図６に示す貫通電極７を含む外部接続端子１１との双方が設けられていてもよい。

　第１の実施形態においては、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む例を示した。もっとも、本発明に係るフィルタ装置の構成はこれに限定されるものではない。第１の実施形態の構成を説明するために用いた図６を援用して、本発明に係る第２の実施形態を説明する。

　図６を援用して示すように、第２の実施形態のフィルタ装置は、第１の実施形態と同様の第１の圧電性基板２Ａ、第２の圧電性基板２Ｂ、支持体８Ａ、柱部材８Ｂ及び外部接続端子１１を有する。そして、第２の実施形態のフィルタ装置における回路構成は、第１の実施形態における回路構成と同様である。もっとも、第２の実施形態は、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含む点において、第１の実施形態と異なる。

　第２の実施形態のフィルタ装置のようなラダー型フィルタにおいては、通過帯域を構成している並列腕共振子の反共振周波数が通過帯域内に位置している。一方で、該並列腕共振子の共振周波数は、通過帯域よりも低域側に位置している。なお、並列腕共振子における共振周波数が高いほど、該共振周波数は、ラダー型フィルタの通過帯域に近い。そのため、ラダー型フィルタの並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子の、通過帯域における低域側の端部付近の急峻性に対する影響は、特に大きい。よって、該並列腕共振子の共振周波数が大きく変化すると、急峻性が劣化するおそれがある。

　そして、ラダー型フィルタの並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子は、ラダー型フィルタの並列腕共振子の中で、特に発熱し易い。これは、該並列腕共振子の共振周波数が、ラダー型フィルタの並列腕共振子の共振周波数のうち、通過帯域に最も近いことによる。弾性波共振子の温度が大きく変化すると、共振周波数も大きく変化する。そのため、ラダー型フィルタの通過帯域における低域側の端部付近の急峻性が、より劣化するおそれがある。さらに、該並列腕共振子におけるＩＤＴ電極が高温となり、ＩＤＴ電極が破損するおそれがある。

　これに対して、第２の実施形態においては、フィルタ装置の並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子は、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された、第２の弾性波共振子１３Ｂである。そして、第２の圧電性基板２Ｂの電気機械結合係数Ｋｓａｗは、第１の圧電性基板２Ａの電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも小さい。そのため、第２の圧電性基板２Ｂの熱抵抗は、第１の圧電性基板２Ａの熱抵抗よりも小さい。よって、第２の実施形態のフィルタ装置における、共振周波数が最も高い並列腕共振子が構成された部分における放熱性を高めることができる。これにより、通過帯域における低域側の端部付近において、急峻性の劣化を抑制することができる。加えて、該並列腕共振子のＩＤＴ電極が破損することを抑制できる。このように、耐電力性を高めることができる。

　フィルタ装置における全ての並列腕共振子のうち、いずれかの第２の弾性波共振子１３ＢにおけるＩＤＴ電極の電極指ピッチ及びデューティ比の積の逆数が、最も大きいことが好ましい。あるいは、フィルタ装置における全ての並列腕共振子のうち、いずれかの第２の弾性波共振子１３ＢにおけるＩＤＴ電極の電極指ピッチ、デューティ比及び電極指の厚みの積の逆数が、最も大きいことが好ましい。それによって、フィルタ装置における全ての並列腕共振子のうち、第２の弾性波共振子１３Ｂである並列腕共振子の共振周波数を、より確実に最も高くさせることができる。

　本発明では、第２の圧電性基板において構成された少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、フィルタ装置における反共振周波数が最も低い直列腕共振子、及びフィルタ装置における共振周波数が最も高い並列腕共振子のうち少なくとも一方を含んでいればよい。もっとも、複数の第２の弾性波共振子が、フィルタ装置における反共振周波数が最も低い直列腕共振子、及びフィルタ装置における共振周波数が最も高い並列腕共振子の双方を含んでいることが好ましい。それによって、耐電力性を効果的に高めることができる。第１の実施形態や第２の実施形態のように、フィルタ装置が１つのフィルタである場合には、通過帯域の高域側及び低域側の端部付近における急峻性の劣化を抑制することができる。なお、上述したように、フィルタ装置は複数のフィルタを含んでいてもよい。この場合には、フィルタ装置おける共振周波数が最も低い直列腕共振子を含むフィルタ、及びフィルタ装置における共振周波数が最も高い並列腕共振子を含むフィルタにおいて、急峻性の劣化を抑制することができる。

　第１の実施形態及び第２の実施形態では、フィルタ装置はラダー型フィルタであるが、これに限定されるものではない。フィルタ装置は、例えば、縦結合共振子型弾性波フィルタと、直列腕共振子と、並列腕共振子とを有していてもよい。縦結合共振子型弾性波フィルタに直列腕共振子及び並列腕共振子が接続されていてもよい。あるいは、例えば、フィルタ装置は、縦結合共振子型弾性波フィルタと、ラダー型回路部とを有していてもよい。ラダー型回路部は、少なくとも１つの直列腕共振子と、少なくとも１つの並列腕共振子とを含む。縦結合共振子型弾性波フィルタにラダー型回路部が接続されていてもよい。これらの場合において、上記少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、フィルタ装置における反共振周波数が最も低い直列腕共振子、及びフィルタ装置における共振周波数が最も高い並列腕共振子のうち少なくとも一方を含んでいてもよい。

　第１の実施形態及び第２の実施形態では、フィルタ装置が１つのフィルタである例を示した。もっとも、本発明に係るフィルタ装置は、複数のフィルタを含んでいてもよい。フィルタ装置がデュプレクサである例を、第３の実施形態及び第４の実施形態により示す。

　図１１は、第３の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。

　フィルタ装置３０は、第１の実施形態と同様の第１の圧電性基板２Ａ、第２の圧電性基板２Ｂ、支持体８Ａ、柱部材８Ｂ及び外部接続端子１１を有する。もっとも、フィルタ装置３０は、デュプレクサである点において第１の実施形態と異なる。

　フィルタ装置３０は第１のフィルタ３１Ａ及び第２のフィルタ３１Ｂを有する。第１のフィルタ３１Ａが送信フィルタである。第２のフィルタ３１Ｂが受信フィルタである。第１のフィルタ３１Ａの通過帯域は、Ｂａｎｄ２５の送信帯域である、１８５０ＭＨｚ～１９１５ＭＨｚである。第２のフィルタ３１Ｂの通過帯域は、Ｂａｎｄ２５の受信帯域である、１９３０ＭＨｚ～１９９５ＭＨｚである。もっとも、第１のフィルタ３１Ａ及び第２のフィルタ３１Ｂの通過帯域は上記に限定されない。

　本実施形態では、フィルタ装置３０がデュプレクサである例を示す。なお、例えば、第１のフィルタ３１Ａ及び第２のフィルタ３１Ｂの双方が、送信フィルタであってもよく、あるいは受信フィルタであってもよい。

　第１のフィルタ３１Ａ及び第２のフィルタ３１Ｂはそれぞれ、ラダー型フィルタである。よって、第１のフィルタ３１Ａ及び第２のフィルタ３１Ｂはそれぞれ、少なくとも１つの直列腕共振子及び少なくとも１つの並列腕共振子を有する。図１１に示すように、本実施形態では、第１のフィルタ３１Ａ及び第２のフィルタ３１Ｂはそれぞれ、第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂの双方をそれぞれ有する。

　第２の圧電性基板２Ｂの電気機械結合係数Ｋｓａｗは、第１の圧電性基板２Ａの電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも小さい。そのため、第２の圧電性基板２Ｂの熱抵抗は、第１の圧電性基板２Ａの熱抵抗よりも小さい。そして、第２の圧電性基板２Ｂに構成された複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む。なお、本実施形態では、反共振周波数が最も低い直列腕共振子は第２のフィルタ３１Ｂに含まれている。フィルタ装置３０が上記の構成を有することにより、第２のフィルタ３１Ｂにおける該直列腕共振子の温度変化を小さくすることができる。よって、該直列腕共振子の周波数の変動を小さくすることができる。従って、フィルタ装置３０における第２のフィルタ３１Ｂの、通過帯域における高域側の端部付近において、急峻性の劣化を抑制することができる。加えて、第２のフィルタ３１Ｂの耐電力性を高めることができる。

　あるいは、第２の圧電性基板２Ｂに構成された複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。該並列腕共振子が、第２のフィルタ３１Ｂに含まれていてもよい。この場合には、第２のフィルタ３１Ｂの、通過帯域における低域側の端部付近において、急峻性の劣化を抑制することができる。加えて、第２のフィルタ３１Ｂの耐電力性を高めることができる。

　なお、第１のフィルタ３１Ａが、フィルタ装置３０における、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を有し、かつ該直列腕共振子が第２の弾性波共振子１３Ｂであってもよい。あるいは、第１のフィルタ３１Ａが、フィルタ装置３０における、共振周波数が最も高い並列腕共振子を有し、かつ該並列腕共振子が第２の弾性波共振子１３Ｂであってもよい。これらの場合には、フィルタ装置３０における第１のフィルタ３１Ａの、通過帯域における急峻性の劣化を抑制することができ、かつ耐電力性を高めることができる。

　図１２は、第４の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。

　本実施形態のフィルタ装置４０は、第３の実施形態と同様の第１の圧電性基板２Ａ、第２の圧電性基板２Ｂ、支持体８Ａ、柱部材８Ｂ及び外部接続端子１１を有する。本実施形態においては、第１のフィルタ４１Ａ及び第２のフィルタ４１Ｂは、第３の実施形態と同様に、ラダー型フィルタである。

　もっとも、本実施形態においては、第１のフィルタ４１Ａは、第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂのうち第１の弾性波共振子１３Ａのみを含む。よって、第１のフィルタ４１Ａの全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は、第１の圧電性基板２Ａにおいて構成された第１の弾性波共振子１３Ａである。第２のフィルタ４１Ｂは、第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂのうち第２の弾性波共振子１３Ｂのみを含む。よって、第２のフィルタ４１Ｂの全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は、第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された第２の弾性波共振子１３Ｂである。

　本実施形態においても、第３の実施形態と同様に、第２の圧電性基板２Ｂに構成された複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む。そして、本実施形態では、反共振周波数が最も低い直列腕共振子は第２のフィルタ４１Ｂに含まれている。それによって、フィルタ装置４０における第２のフィルタ４１Ｂの、通過帯域の高域側の端部付近における急峻性の劣化を抑制することができる。加えて、第２のフィルタ４１Ｂの耐電力性を高めることができる。

　あるいは、第２の圧電性基板２Ｂに構成された複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板２Ａ及び第２の圧電性基板２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。この場合には、第２のフィルタ４１Ｂの、通過帯域の低域側における端部付近の急峻性の劣化を抑制することができる。加えて、第２のフィルタ４１Ｂの耐電力性を高めることができる。

　図１３は、第５の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。

　本実施形態は、第２の圧電体層５５Ｂの厚みが第１の圧電体層５５Ａの厚みよりも厚い点において、第１の実施形態と異なる。第１の圧電体層５５Ａ及び第２の圧電体層５５Ｂの材料として、回転Ｙカットのタンタル酸リチウムが用いられている点においても、第１の実施形態と異なる。もっとも、第１の圧電体層５５Ａ及び第２の圧電体層５５Ｂの材料として、ニオブ酸リチウムが用いられていてもよい。さらに、本実施形態は、全ての第２の弾性波共振子１３Ｂが直列腕共振子である点においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置５０は第１の実施形態のフィルタ装置１０と同様の構成を有する。

　第２の圧電性基板５２Ｂの電気機械結合係数Ｋｓａｗは、第１の圧電性基板５２Ａの電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも小さい。そのため、第２の圧電性基板５２Ｂの熱抵抗は、第１の圧電性基板５２Ａの熱抵抗よりも小さい。そして、第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成された複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板５２Ａ及び第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む。それによって、第１の実施形態と同様に、フィルタ特性における急峻性の劣化を抑制することができ、かつ耐電力性を高めることができる。

　加えて、本実施形態においては、第２の圧電体層５５Ｂの厚みが第１の圧電体層５５Ａの厚みよりも厚い。それによって、フィルタ特性における急峻性の劣化を効果的に抑制することができる。この詳細を以下において説明する。

　図７に示すように、タンタル酸リチウム層などの圧電体層の厚みが厚いほど、比帯域の値は小さい。そして、フィルタ装置５０においては、第２の圧電性基板５２Ｂにおける第２の圧電体層５５Ｂの厚みが厚い。そのため、第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成される第２の弾性波共振子１３Ｂの比帯域の値は小さい。上述したように、圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗは、比帯域との相関関係を有する。具体的には、比帯域の値が小さいほど、電気機械結合係数Ｋｓａｗは小さい。よって、本実施形態においては、第２の圧電性基板５２Ｂの電気機械結合係数Ｋｓａｗを効果的に小さくすることができる。

　圧電性基板においては、電気機械結合係数Ｋｓａｗが小さいほど、熱抵抗が小さい。よって、フィルタ装置５０においての、反共振周波数が最も低い直列腕共振子が構成された部分における放熱性を高めることができる。これにより、通過帯域における高域側の端部付近において、急峻性の劣化を効果的に抑制することができる。加えて、該直列腕共振子のＩＤＴ電極が破損することを抑制できる。このように、耐電力性を高めることができる。

　なお、本実施形態においては、急峻性の劣化を抑制するだけでなく、急峻性を高くすることができる。これを以下において示す。

　図１４は、第５の実施形態における第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子のインピーダンス周波数特性の模式図である。図１５は、第５の実施形態におけるフィルタ装置の減衰量周波数特性の模式図である。

　図１４に示すように、本実施形態においては、直列腕共振子である第２の弾性波共振子１３Ｂの比帯域の値は小さい。それによって、図１５に示すように、フィルタ装置５０における通過帯域の高域側の端部付近において、急峻性を高くすることができる。

　一方で、弾性波共振子の比帯域の値が小さい場合には、該弾性波共振子の消費電力が大きくなり易い。そのため、該弾性波共振子において生じる熱の熱量が大きくなり易い。もっとも、本実施形態においては、第２の圧電性基板５２Ｂの熱抵抗は小さい。よって、急峻性を高くすることができ、かつ耐電力性を高くすることができる。

　加えて、外部接続端子１１が、第２の圧電性基板５２Ｂに設けられている。それによって、第２の弾性波共振子１３Ｂから外部に、熱をより一層効率的に移動させることができる。従って、耐電力性を効果的に高くすることができる。

　本実施形態のフィルタ装置５０は、全ての第１の弾性波共振子１３Ａ及び全ての第２の弾性波共振子１３Ｂを含む１つのラダー型フィルタである。そして、全ての第２の弾性波共振子１３Ｂが直列腕共振子である。なお、フィルタ装置５０においては、少なくとも１つのラダー型フィルタが構成されていればよい。

　例えば、フィルタ装置５０は、図１１に示す第３の実施形態などのように、複数のラダー型フィルタを有していてもよい。そして、少なくとも１つのラダー型フィルタが、少なくとも１つの第１の弾性波共振子１３Ａ及び少なくとも１つの第２の弾性波共振子１３Ｂを含んでいてもよい。該ラダー型フィルタの少なくとも１つの第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板５２Ａ及び第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含んでいればよい。

　以下において、第５の実施形態を説明するために用いた図面及び符号を援用して、第６の実施形態を説明する。

　図１３を援用して示すように、第６の実施形態のフィルタ装置は、第５の実施形態と同様の第１の圧電性基板５２Ａ、第２の圧電性基板５２Ｂ、支持体８Ａ、柱部材８Ｂ及び外部接続端子１１を有する。そして、第６の実施形態のフィルタ装置における回路構成は第５の実施形態及び第１の実施形態と同様である。もっとも、第６の実施形態は、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが全て並列腕共振子である点において第５の実施形態と異なる。

　第６の実施形態においても、第５の実施形態と同様に、第２の圧電性基板５２Ｂにおける第２の圧電体層５５Ｂの厚みが、第１の圧電性基板５２Ａにおける第１の圧電体層５５Ａの厚みよりも厚い。そのため、第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成されている、第２の弾性波共振子１３Ｂの比帯域の値は小さい。これにより、第２の圧電性基板５２Ｂの電気機械結合係数Ｋｓａｗを効果的に小さくすることができる。

　圧電性基板においては、電気機械結合係数Ｋｓａｗが小さいほど、熱抵抗が小さい。よって、第６の実施形態のフィルタ装置においての、共振周波数が最も高い並列腕共振子が構成された部分における放熱性を高めることができる。これにより、通過帯域における低域側の端部付近において、急峻性の劣化を効果的に抑制することができる。加えて、該並列腕共振子のＩＤＴ電極が破損することを抑制できる。このように、耐電力性を高めることができる。

　なお、第６の実施形態においては、急峻性の劣化を抑制するだけでなく、急峻性を高くすることができる。これを以下において示す。

　図１６は、第６の実施形態における第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子のインピーダンス周波数特性の模式図である。図１７は、第６の実施形態におけるフィルタ装置の減衰量周波数特性の模式図である。

　図１６に示すように、第６の実施形態においては、並列腕共振子である第２の弾性波共振子１３Ｂの比帯域の値は小さい。それによって、図１７に示すように、フィルタ装置における通過帯域の低域側の端部付近において、急峻性を高くすることができる。

　一方で、弾性波共振子の比帯域の値が小さい場合には、該弾性波共振子の消費電力が大きくなり易い。そのため、該弾性波共振子において生じる熱の熱量が大きくなり易い。もっとも、第６の実施形態においては、第２の圧電性基板５２Ｂの熱抵抗は小さい。よって、急峻性を高くすることができ、かつ耐電力性を高くすることができる。

　第６の実施形態のフィルタ装置は、全ての第１の弾性波共振子１３Ａ及び全ての第２の弾性波共振子１３Ｂを含む１つのラダー型フィルタである。そして、全ての第２の弾性波共振子１３Ｂが並列腕共振子である。なお、上記のように、第２の圧電体層５５Ｂの厚みが第１の圧電体層５５Ａの厚みよりも厚い構成においても、例えば、少なくとも１つのラダー型フィルタが構成されていればよい。少なくとも１つのラダー型フィルタが、少なくとも１つの第１の弾性波共振子１３Ａ及び少なくとも１つの第２の弾性波共振子１３Ｂを含んでいてもよい。該ラダー型フィルタの少なくとも１つの第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板５２Ａ及び第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいればよい。

　以下において、第７～第１８の実施形態の構成を説明する。第７～第１８の実施形態においても、第５の実施形態または第６の実施形態と同様に、スタック構造のフィルタ装置における急峻性を高めることができ、かつ耐電力性を高めることができる。

　図１８は、第７の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。

　本実施形態では、第１の圧電体層５５Ａ及び第２の圧電体層５５Ｂの双方が、回転ＹカットのＬｉＴａＯ_３層である。そして、本実施形態は、第１の圧電体層５５Ａのカット角と、第２の圧電体層５５Ｂのカット角とが互いに異なる点において、第５の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第５の実施形態のフィルタ装置５０と同様の構成を有する。

　本明細書において、第１の圧電体層のカット角と、第２の圧電体層のカット角とが互いに異なるとは、これらのカット角同士の差が、０．５°以上であることをいう。

　本実施形態においては、具体的には、第１の圧電体層５５Ａのカット角は５５°Ｙである。第２の圧電体層５５Ｂのカット角は３５°Ｙである。なお、第１の圧電体層５５Ａ及び第２の圧電体層５５Ｂのカット角は上記に限定されない。

　図８に示すように、タンタル酸リチウム層などの圧電体層のカット角が変化すると、比帯域の値も変化する。本実施形態においては、第１の圧電体層５５Ａのカット角と、第２の圧電体層５５Ｂのカット角とが互いに異なる。そのため、第１の弾性波共振子１３Ａの比帯域の値と、第２の弾性波共振子１３Ｂの比帯域の値とは互いに異なる。

　第２の弾性波共振子１３Ｂの比帯域の値が、第１の弾性波共振子１３Ａの比帯域の値よりも小さくなるように、第１の圧電体層５５Ａのカット角と、第２の圧電体層５５Ｂのカット角とが互いに異ならされていることが好ましい。本実施形態では、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板５２Ａ及び第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む。この場合、第５の実施形態と同様に、フィルタ装置における通過帯域の高域側の端部付近において、急峻性を高くすることができる。

　なお、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板５２Ａ及び第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。この場合には、第６の実施形態と同様に、フィルタ装置における通過帯域の低域側の端部付近において、急峻性を高くすることができる。

　以下において、第８の実施形態の構成を説明する。第８の実施形態の構成は、圧電体層の材料以外においては第５の実施形態の構成と同様である。よって、第８の実施形態の説明には、第５の実施形態の説明に用いた図面及び符号を援用することとする。

　図１３を援用して示す第８の実施形態は、第１の圧電体層５５Ａに用いられている材料と、第２の圧電体層５５Ｂに用いられている材料とが互いに異なる点において、第５の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第８の実施形態のフィルタ装置は第５の実施形態のフィルタ装置５０と同様の構成を有する。

　第１の圧電体層５５Ａ及び第２の圧電体層５５Ｂの材料としては、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウムまたは窒化スカンジウムアルミニウムなどを用いることができる。

　第８の実施形態においては、第７の実施形態と同様に、第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂの比帯域を好適に調整することができる。それによって、フィルタ装置における通過帯域の高域側の端部付近において、急峻性を高くすることができる。

　もっとも、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板５２Ａ及び第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。当該構成を、第８の実施形態の変形例とする。本変形例では、第６の実施形態と同様に、フィルタ装置における通過帯域の低域側の端部付近において、急峻性を高くすることができる。

　第８の実施形態及びその変形例の構成は、第８の実施形態及びその変形例以外の本発明の構成に採用することもできる。

　図１９は、第９の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。

　本実施形態は、第１の中間層５４Ａの厚みと、第２の中間層５４Ｂの厚みとが互いに異なる点において、第５の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第５の実施形態のフィルタ装置５０と同様の構成を有する。なお、本実施形態では、第５の実施形態と同様に、第１の中間層５４Ａ及び第２の中間層５４Ｂの材料として、酸化ケイ素が用いられている。もっとも、第１の中間層５４Ａ及び第２の中間層５４Ｂの材料は上記に限定されない。

　本明細書において、第１の中間層の厚みと、第２の中間層の厚みとが互いに異なるとは、これらの厚み同士の差が、第１の中間層の厚み及び第２の中間層の厚みのいずれに対しても、５％以上であることをいう。

　本実施形態においては、具体的には、第１の中間層５４Ａの厚みは３００ｎｍである。第２の中間層５４Ｂの厚みは６００ｎｍである。もっとも、第１の中間層５４Ａ及び第２の中間層５４Ｂの厚みは上記に限定されない。本実施形態では、第５の実施形態と同様に、フィルタ装置における急峻性を高くすることができる。上記効果の詳細を、以下において説明する。

　図２０は、中間層の厚みの規格値と、比帯域との関係を示す図である。

　図２０に示すように、中間層の厚みが厚いほど、比帯域の値が小さいことがわかる。本実施形態では、第２の中間層５４Ｂの厚みは、第１の中間層５４Ａの厚みよりも厚い。そのため、第２の弾性波共振子１３Ｂの比帯域の値を、第１の弾性波共振子１３Ａの比帯域の値よりも、より確実に小さくすることができる。そして、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂは、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板において構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む。これにより、第５の実施形態と同様に、フィルタ装置における通過帯域の高域側の端部付近において、急峻性を高くすることができる。

　もっとも、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板において構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。当該構成を、第９の実施形態の変形例とする。本変形例では、第６の実施形態と同様に、フィルタ装置における通過帯域の低域側の端部付近において、急峻性を高くすることができる。

　第９の実施形態及びその変形例の構成は、第９の実施形態及びその変形例以外の本発明の構成に採用することもできる。

　第１の中間層５４Ａまたは第２の中間層５４Ｂの厚みが、３５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることが好ましく、４００ｎｍ以上、４５０ｎｍ以下であることがより好ましい。それによって、不要波としての高調波を抑制することができる。なお該高調波は、メインモードの１．５倍付近に生じる高調波である。この効果の詳細を以下において示す。

　図２１は、圧電体層の厚み及び中間層の厚みと、高調波の位相との関係を示す図である。なお、図２１では、圧電体層の厚みを規格値として示している。

　図２１に示すように、中間層の厚みが３５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下である場合には、圧電体層の厚みに関わらず、高調波の位相が０°未満に抑制されていることがわかる。中間層の厚みが４００ｎｍ以上、４５０ｎｍ以下である場合には、高調波の位相がより一層抑制されていることがわかる。

　なお、第１の中間層５４Ａの材料と、第２の中間層５４Ｂの材料とが互いに異なっていてもよい。この場合には、生じ易い高調波の種類を調整することができる。そのため、各弾性波共振子のメインモードの周波数を調整すると共に、高調波が生じる周波数などを調整することができる。よって、フィルタ装置がマルチプレクサである場合には、高調波が生じる周波数が、いずれの帯域通過型フィルタの通過帯域内にも位置しないように調整することができる。加えて、本実施形態と同様に、帯域通過型フィルタにおける通過帯域の低域側の端部付近において、急峻性を高くすることができる。

　第１の中間層５４Ａの材料と、第２の中間層５４Ｂの材料とが互いに異なる構成は、第９の実施形態や第９の実施形態以外の本発明の構成に採用することができる。例えば、第１の中間層５４Ａの材料と、第２の中間層５４Ｂの材料とが互いに異なる場合において、第１の中間層５４Ａの厚みと、第２の中間層５４Ｂの厚みとが同じであってもよい。あるいは、例えば、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板において構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。

　図２２は、第１０の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。

　本実施形態は、第１の支持基板５３Ａの厚みと、第２の支持基板５３Ｂの厚みとが互いに異なる点において、第５の実施形態と異なる。具体的には、第２の支持基板５３Ｂの厚みが、第１の支持基板５３Ａの厚みよりも厚い。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第５の実施形態のフィルタ装置５０と同様の構成を有する。

　本明細書において、第１の支持基板の厚みと、第２の支持基板の厚みとが互いに異なるとは、これらの厚み同士の差が、５０ｎｍ以上であることをいう。

　本実施形態においては、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板を含むスタックが実装基板に実装された場合において、第２の支持基板５３Ｂに割れが生じ難い。例えば、図２３中の矢印により略図的に示すように、スタックを実装基板６１に実装するに際し、実装基板６１及び第２の支持基板５３Ｂに熱応力が加わる。あるいは、スタックが実装基板６１に実装された後においても、フィルタ装置の使用時などにおいて、実装基板６１及び第２の支持基板５３Ｂに熱応力が加わる。これらの場合においても、第２の支持基板５３Ｂの厚みが厚いため、第２の支持基板５３Ｂが破損し難い。よって、フィルタ装置の信頼性を高くすることができる。

　図２４は、第１１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。

　本実施形態は、第１の支持基板５３Ａの厚みが、第２の支持基板５３Ｂの厚みよりも厚い点において、第５の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第５の実施形態のフィルタ装置５０と同様の構成を有する。

　本実施形態においては、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板を含むスタックが実装基板に実装される際において、第１の支持基板５３Ａに割れが生じ難い。例えば、図２５により略図的に示すように、スタックを実装基板６１に実装するに際し、吸着コレット１００によって第１の支持基板５３Ａが吸着され、該スタックが搬送される。その後、該スタックが実装基板６１に実装される。実装時には、第１の支持基板５３Ａに特に大きい衝撃が加えられる。これに対して、本実施形態においては、第１の支持基板５３Ａの厚みが厚いため、第１の支持基板５３Ａが破損し難い。よって、フィルタ装置の信頼性を高くすることができる。

　第１０の実施形態及び第１１の実施形態の構成は、第１０の実施形態及び第１１の実施形態以外の本発明の構成に採用することもできる。例えば、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板において構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。

　図２６は、第１２の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。

　本実施形態は、第１の支持基板５３Ａ及び第２の支持基板５３Ｂの結晶方位において、オイラー角（φ，θ，ψ）におけるψが互いに異なる点で、第５の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第５の実施形態のフィルタ装置５０と同様の構成を有する。なお、本実施形態においては、第１の支持基板５３Ａ及び第２の支持基板５３Ｂの材料として、シリコンが用いられている。もっとも、第１の支持基板５３Ａ及び第２の支持基板５３Ｂの材料は上記に限定されない。

　本明細書において、第１の支持基板及び第２の支持基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるψが互いに異なるとは、これらのψ同士の差が、１°以上であることをいう。

　本実施形態においては、生じ易い高調波の種類を調整することができる。そのため、各弾性波共振子のメインモードの周波数を調整すると共に、高調波が生じる周波数などを調整することができる。よって、フィルタ装置がマルチプレクサである場合には、高調波が生じる周波数が、いずれの帯域通過型フィルタの通過帯域内にも位置しないように調整することができる。

　図２７は、支持基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるψと、レイリー波及び高調波の位相との関係を示す図である。図２８は、図２７に示した関係において、位相が－６０°以下である場合を示す図である。図２７及び図２８においては、ψを規格値として示している。なお、以下においては、メインモードの２．２倍よりも高い周波数に生じる高調波は、高次の高調波と記載する。図２７及び図２８においては、高次の高調波を、単に高次と記載している。

　図２７に示すように、メインモードが生じる周波数の２．２倍付近の周波数に生じる高調波の位相は、支持基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるψに対する依存性が特に高い。もっとも、図２８に示すように、メインモードの周波数の１．５倍付近の周波数に生じる高調波、高次の高調波や、レイリー波の位相も、支持基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるψに依存していることがわかる。

　第１２の実施形態の構成は、第１２の実施形態以外の本発明の構成に採用することもできる。例えば、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板において構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。

　以下において、第１３の実施形態の構成を説明する。第１３の実施形態の構成は、支持基板の材料以外においては、第５の実施形態の構成と同様である。よって、第１３の実施形態の説明には第５の実施形態の説明に用いた図面及び符号を援用することとする。

　図１３を援用して示す第１３の実施形態は、第１の支持基板３Ａに用いられている材料と、第２の支持基板３Ｂに用いられている材料とが互いに異なる点において、第５の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第１３の実施形態のフィルタ装置は第５の実施形態のフィルタ装置５０と同様の構成を有する。

　第１３の実施形態では、例えば、第１の支持基板３Ａ及び第２の支持基板３Ｂにおいてそれぞれ、周波数温度係数（ＴＣＦ）を調整することができる。これにより、第１の圧電性基板５２Ａにおいて構成されている第１の弾性波共振子１３ＡのＴＣＦ、及び第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成されている第２の弾性波共振子１３ＢのＴＣＦを調整することができる。

　以下においては、共振周波数における周波数温度係数をＴＣＦｒとする。反共振周波数における周波数温度係数をＴＣＦａとする。第１３の実施形態では、各弾性波共振子において、例えば、ＴＣＦｒまたはＴＣＦａを０ｐｐｍ／℃に近づけることができる。従って、フィルタ装置における急峻性を高くする効果や、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）の劣化を抑制する効果などを得ることができる。

　第２の支持基板３Ｂに用いられている材料の放熱性が、第１の支持基板３Ａに用いられている材料の放熱性よりも高いことが好ましい。それによって、第１の圧電性基板５２Ａ及び第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子において生じた熱を、外部により一層効率的に移動させることができる。従って、フィルタ装置における通過帯域の高域側の急峻性の劣化をより一層抑制することができ、かつ耐電力性をより一層高くすることができる。

　第２の支持基板３Ｂに強度が高い材料を用いることによって、第１０の実施形態と同様に、第２の支持基板３Ｂの割れを生じ難くすることができる。それによって、フィルタ装置の信頼性を高くすることができる。なお、第２の支持基板３Ｂの材料として、例えば、ＴＣＦｒまたはＴＣＦａを調整するための材料、高調波を抑制できる材料や、放熱性が高い材料などを用いてもよい。

　あるいは、第１の支持基板３Ａに強度が高い材料を用いることによって、第１１の実施形態と同様に、第１の支持基板３Ａの割れを生じ難くすることができる。それによって、フィルタ装置の信頼性を高くすることができる。なお、第１の支持基板３Ａの材料として、例えば、ＴＣＦｒまたはＴＣＦａを調整するための材料や、高調波を抑制できる材料などを用いてもよい。

　第１３の実施形態の構成は、第１３の実施形態以外の本発明の構成に採用することもできる。例えば、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板５２Ａ及び第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。

　図２９は、第１４の実施形態に係るフィルタ装置の模式的正面断面図である。

　本実施形態は、第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極６５Ａの厚みと、第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極６５Ｂの厚みとが互いに異なる点において、第５の実施形態と異なる。具体的には、第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極６５Ｂの厚みが、第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極６５Ａの厚みよりも薄い。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第５の実施形態のフィルタ装置５０と同様の構成を有する。なお、本実施形態においては、ＩＤＴ電極６５Ａ及びＩＤＴ電極６５Ｂの材料として、Ａｌが用いられている。もっとも、ＩＤＴ電極６５Ａ及びＩＤＴ電極６５Ｂの材料は上記に限定されない。

　本明細書において、一方のＩＤＴ電極の厚みと、他方のＩＤＴ電極の厚みとが互いに異なるとは、これらの厚み同士の差が、双方のＩＤＴ電極の厚みのいずれに対しても、５％以上であることをいう。

　ここで、ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλとする。第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極６５Ａの厚みは０．１λである。第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極６５Ｂの厚みは０．０５λである。ＩＤＴ電極６５Ａ及びＩＤＴ電極６５Ｂの厚みの基準となる波長λは、全てのＩＤＴ電極６５Ａ及び全てのＩＤＴ電極６５Ｂの波長λのうち最も短い波長λである。もっとも、ＩＤＴ電極６５Ａ及びＩＤＴ電極６５Ｂの厚みは上記に限定されない。

　本実施形態においては、温度が高くなっても、フィルタ特性における急峻性が劣化し難い。この効果の詳細を以下において示す。

　図３０は、ＩＤＴ電極の厚み及びＴＣＦａの関係を示す図である。なお、図３０においては、ＩＤＴ電極の厚みを規格値として示している。図３０は、ＩＤＴ電極の材料としてＡｌが用いられている例を示している。

　図３０に示すように、ＩＤＴ電極の厚みが厚いほど、ＴＣＦａは負の方向に大きくなっている。本実施形態では、第５の実施形態と同様に、全ての第２の弾性波共振子１３Ｂは直列腕共振子である。そして、第２の弾性波共振子１３Ｂにおいては、ＩＤＴ電極６５Ｂの厚みが薄い。よって、直列腕共振子である第２の弾性波共振子１３Ｂにおいて、ＴＣＦａを０ｐｐｍ／℃に近づけることができる。これにより、第２の弾性波共振子１３Ｂの温度が高くなった場合においても、第２の弾性波共振子１３Ｂの反共振周波数の変化が生じ難い。それによって、フィルタ装置における通過帯域の高域側の急峻性が劣化し難い。

　図３１は、ＩＤＴ電極の厚み及びＴＣＦｒの関係を示す図である。なお、図３１においては、ＩＤＴ電極の厚みを規格値として示している。図３１は、ＩＤＴ電極の材料としてＡｌが用いられている例を示している。

　図３１に示すように、ＩＤＴ電極の厚みが厚いほど、ＴＣＦｒは負の方向に大きくなっている。本実施形態では、複数の第１の弾性波共振子１３Ａは、並列腕共振子を含む。そして、第１の弾性波共振子１３Ａにおいては、ＩＤＴ電極６５Ａの厚みが厚い。よって、並列腕共振子である第１の弾性波共振子１３Ａにおいて、ＴＣＦｒを０ｐｐｍ／℃に近づけることができる。これにより、第１の弾性波共振子１３Ａの温度が高くなった場合においても、並列腕共振子である第１の弾性波共振子１３Ａの共振周波数が変化し難い。それによって、フィルタ装置における通過帯域の低域側の急峻性が劣化し難い。

　もっとも、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板において構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。当該構成を、第１４の実施形態の変形例とする。本変形例においては、第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極６５Ｂの厚みが、第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極６５Ａの厚みよりも厚いことが好ましい。それによって、フィルタ装置における通過帯域の低域側の急峻性が劣化し難い。

　第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極６５Ａ及び第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極６５Ｂの厚みが、０．０３λ以上、０．３λ以下であることが好ましい。ＩＤＴ電極６５Ａ及びＩＤＴ電極６５Ｂの厚みが０．０３λ以上であることにより、フィルタ装置の挿入損失が大きくなり難い。ＩＤＴ電極６５Ａ及びＩＤＴ電極６５Ｂの厚みが０．３λ以下であることにより、耐電力性の劣化を抑制することができる。

　第１４の実施形態及びその変形例の構成は、第１４の実施形態及びその変形例以外の本発明の構成に採用することもできる。

　図３２は、第１５の実施形態に係るフィルタ装置の模式的正面断面図である。

　本実施形態は、第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極６５Ａに用いられている材料と、第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極６５Ｂに用いられている材料とが互いに異なる点において、第５の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第１５の実施形態のフィルタ装置は第５の実施形態のフィルタ装置５０と同様の構成を有する。

　本実施形態では、第５の実施形態と同様に、全ての第２の弾性波共振子１３Ｂは直列腕共振子である。複数の第１の弾性波共振子１３Ａは並列腕共振子を含む。この場合には、第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極６５Ａに用いられる材料の電気抵抗が、第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極６５Ｂに用いられる材料の電気抵抗よりも高いことが好ましい。並列腕共振子において電気抵抗が高くとも、フィルタ装置におけるフィルタ特性の劣化は生じ難い。加えて、並列腕共振子である第１の弾性波共振子１３Ａの耐電力性を高くすることができる。

　あるいは、第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極６５Ａに用いられる材料の強度が、第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極６５Ｂに用いられる材料の強度よりも高いことが好ましい。それによって、並列腕共振子である第１の弾性波共振子１３Ａの耐電力性を高くすることができる。

　もっとも、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板において構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。当該構成を、第１５の実施形態の変形例とする。本変形例においては、第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極６５Ｂに用いられる材料の電気抵抗が、第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極６５Ａに用いられる材料の電気抵抗よりも高いことが好ましい。あるいは、第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極６５Ｂに用いられる材料の強度が、第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極６５Ａに用いられる材料の強度よりも高いことが好ましい。それによって、並列腕共振子である第２の弾性波共振子１３Ｂの耐電力性を高くすることができる。

　なお、第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極６５Ａ、及び第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極６５Ｂの材料としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ａｕ、Ａｇ、または上記金属を主成分とする合金を用いることができる。

　第１５の実施形態及びその変形例の構成は、第１５の実施形態及びその変形例以外の本発明の構成に採用することもできる。

　図３３は、第１６の実施形態においての、第１の圧電性基板の第１の主面における弾性波共振子の配置を示す略図的透視平面図である。図３４は、第１６の実施形態においての、第２の圧電性基板の第３の主面における弾性波共振子の配置を示す略図的平面図である。なお、図３３中及び図３４中の両矢印Ｆは、弾性波伝搬方向を示す。図３３及び図３４においては、配線、支持体及び柱部材などを省略している。図３３及び図３４中の円形の部分は、電極パッドを略図的に示している。

　図３３及び図３４に示す本実施形態は、弾性波共振子の配置及び回路構成において第５の実施形態と異なる。本実施形態は、平面視において、第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極６５Ａにおける弾性波伝搬方向と、第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極６５Ｂにおける弾性波伝搬方向とが交叉している点においても、第５の実施形態と異なる。なお、弾性波伝搬方向は、電極指延伸方向と直交する。よって、平面視において、第１の弾性波共振子１３ＡのＩＤＴ電極６５Ａの電極指延伸方向と、第２の弾性波共振子１３ＢのＩＤＴ電極６５Ｂの電極指延伸方向とが交叉している。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第５の実施形態のフィルタ装置５０と同様の構成を有する。本実施形態では、第１の圧電体層５５Ａ及び第２の圧電体層５５Ｂのオイラー角（φ，θ，ψ）は同じである。

　第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂにおいては、弾性波伝搬方向と圧電体層のオイラー角（φ，θ，ψ）との関係が互いに異なる。それによって、第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂにおいて、比帯域を互いに異ならせることができる。本実施形態では、全ての第２の弾性波共振子１３Ｂは直列腕共振子である。よって、第２の弾性波共振子１３Ｂの比帯域の値を小さくすることにより、フィルタ装置の通過帯域における高域側の端部付近において、急峻性を高くすることができる。

　もっとも、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板５２Ａ及び第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。当該構成を、第１６の実施形態の変形例とする。本変形例では、並列腕共振子である第２の弾性波共振子１３Ｂの比帯域の値を小さくすることによって、フィルタ装置の通過帯域における低域側の端部付近において、急峻性を高くすることができる。

　第１６の実施形態及びその変形例の構成は、第１６の実施形態及びその変形例以外の本発明の構成に採用することもできる。

　図３５は、第１７の実施形態に係るフィルタ装置の模式的正面断面図である。

　本実施形態は、第１の圧電体層５５Ａ上に、複数のＩＤＴ電極６５Ａを覆うように、保護膜としての第１の誘電体膜６６Ａが設けられている点において、第５の実施形態と異なる。本実施形態は、第２の圧電体層５５Ｂ上に、複数のＩＤＴ電極６５Ｂを覆うように、保護膜としての第２の誘電体膜６６Ｂが設けられている点においても、第５の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第５の実施形態のフィルタ装置５０と同様の構成を有する。

　本実施形態においても、第５の実施形態と同様に、第２の圧電性基板５２Ｂにおける第２の圧電体層５５Ｂの厚みが、第１の圧電性基板５２Ａにおける第１の圧電体層５５Ａの厚みよりも厚い。これにより、第２の圧電性基板５２Ｂの電気機械結合係数Ｋｓａｗを第１の圧電性基板５２Ａの電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも、より確実に小さくすることができる。そして、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板５２Ａ及び第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む。それによって、フィルタ装置における高域側の端部付近の急峻性の劣化を抑制することができ、かつ耐電力性を高めることができる。

　加えて、複数のＩＤＴ電極６５Ａが第１の誘電体膜６６Ａにより覆われている。複数のＩＤＴ電極６５Ｂが第２の誘電体膜６６Ｂにより覆われている。それによって、各ＩＤＴ電極が保護されるため、各ＩＤＴ電極が破損し難い。

　本実施形態では、第１の誘電体膜６６Ａの厚みと、第２の誘電体膜６６Ｂの厚みとが互いに異なる。具体的には、第１の誘電体膜６６Ａの厚みは、第２の誘電体膜６６Ｂの厚みよりも厚い。より具体的には、第１の誘電体膜６６Ａの厚みは０．０２５λである。第２の誘電体膜６６Ｂの厚みは０．０１５λである。

　より詳細には、第１の誘電体膜６６Ａの厚みは、第１の誘電体膜６６Ａにおける、ＩＤＴ電極６５Ａと接触している面から、第１の誘電体膜６６Ａにおける表面までの距離である。同様に、第２の誘電体膜６６Ｂの厚みは、第２の誘電体膜６６Ｂにおける、ＩＤＴ電極６５Ｂと接触している面から、第２の誘電体膜６６Ｂにおける表面までの距離である。第１の誘電体膜６６Ａ及び第２の誘電体膜６６Ｂの厚みの基準となる波長λは、全てのＩＤＴ電極６５Ａ及び全てのＩＤＴ電極６５Ｂの波長λのうち最も短い波長λである。もっとも、第１の誘電体膜６６Ａ及び第２の誘電体膜６６Ｂの厚みは上記に限定されない。

　なお、本明細書において、一方の誘電体膜の厚みと、他方の誘電体膜の厚みとが互いに異なるとは、双方の厚みの差が±５％以下であることをいう。双方の厚みの差が±５％以下であるとは、具体的には、一方の誘電体膜の厚みと、他方の誘電体膜の厚みとの差の絶対値が、双方の誘電体膜の厚みのいずれに対しても、５％以下であることをいう。

　第１の誘電体膜６６Ａ及び第２の誘電体膜６６Ｂの材料として、酸化ケイ素が用いられている。なお、第１の誘電体膜６６Ａ及び第２の誘電体膜６６Ｂの材料は上記に限定されず、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、酸化タンタル、もしくは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物などの誘電体、または上記材料を主成分とする材料を用いることもできる。

　本実施形態においては、フィルタ装置の通過帯域における急峻性を高くすることができる。この詳細を以下において説明する。以下においては、第１の誘電体膜６６Ａ及び第２の誘電体膜６６Ｂをまとめて、単に誘電体膜と記載することがある。もっとも、ここでいう誘電体膜は、第２の圧電性基板５２Ｂの第４の主面２ｄに設けられた誘電体膜２８とは異なることを指摘しておく。

　図３６は、誘電体膜の厚みと比帯域との関係を示す図である。図３６においては、誘電体膜の厚みを規格値として示している。

　図３６に示すように、誘電体膜の厚みが厚くなるほど、比帯域の値が小さいことがわかる。本実施形態においては、第５の実施形態と同様に、複数の第１の弾性波共振子１３Ａは並列腕共振子を含む。そして、第１の誘電体膜６６Ａの厚みは厚い。よって、並列腕共振子である第１の弾性波共振子１３Ａにおいて、比帯域の値を小さくすることができる。これにより、フィルタ装置の通過帯域における低域側の端部付近において、急峻性を高めることができる。

　もっとも、第２の誘電体膜６６Ｂの厚みが、第１の誘電体膜６６Ａの厚みよりも厚くてもよい。当該構成を第１７の実施形態の第１の変形例とする。本変形例においては、第１７の実施形態及び第５の実施形態と同様に、全ての第２の弾性波共振子１３Ｂは直列腕共振子である。よって、直列腕共振子である第２の弾性波共振子１３Ｂにおいて、比帯域の値を小さくすることができる。これにより、フィルタ装置の通過帯域における高域側の端部付近において、急峻性を高めることができる。

　なお、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板５２Ａ及び第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。この場合において、第２の誘電体膜６６Ｂの厚みが、第１の誘電体膜６６Ａの厚みよりも厚くてもよい。当該構成を、第１７の実施形態の第２の変形例とする。本変形例においては、並列腕共振子である第２の弾性波共振子１３Ｂの比帯域の値を小さくすることによって、フィルタ装置の通過帯域における低域側の端部付近において、急峻性を高くすることができる。

　第１７の実施形態並びにその第１の変形例及び第２の変形例の構成は、第１７の実施形態並びにその第１の変形例及び第２の変形例以外の本発明の構成に採用することもできる。

　図３７は、第１８の実施形態に係るフィルタ装置の模式的正面断面図である。

　本実施形態は、第１の誘電体膜６６Ａ及び第２の誘電体膜６６Ｂの厚みが同じである点において第１７の実施形態と異なる。本実施形態は、第１の誘電体膜６６Ａに用いられている材料と、第２の誘電体膜６６Ｂに用いられている材料とが互いに異なる点においても、第１７の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第１７の実施形態のフィルタ装置と同様の構成を有する。

　本実施形態においても、第１７の実施形態及び第５の実施形態と同様に、第２の圧電性基板５２Ｂにおける第２の圧電体層５５Ｂの厚みが、第１の圧電性基板５２Ａにおける第１の圧電体層５５Ａの厚みよりも厚い。それによって、フィルタ装置における高域側の端部付近の急峻性の劣化を抑制することができ、かつ耐電力性を高めることができる。

　加えて、第１の誘電体膜６６Ａに用いられる材料及び第２の誘電体膜６６Ｂに用いられる材料によって、例えば、第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂの比帯域を調整することができる。それによって、第１７の実施形態と同様に、フィルタ装置の通過帯域における急峻性を高くすることができる。

　第１８の実施形態の構成は、第１８の実施形態以外の本発明の構成に採用することもできる。例えば、第１の誘電体膜６６Ａの材料と、第２の誘電体膜６６Ｂの材料とが互いに異なる場合において、第１の誘電体膜６６Ａの厚みと、第２の誘電体膜６６Ｂの厚みとが互いに異なっていてもよい。あるいは、例えば、複数の第２の弾性波共振子１３Ｂが、第１の圧電性基板５２Ａ及び第２の圧電性基板５２Ｂにおいて構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含んでいてもよい。

　以下において、本発明に係るフィルタ装置の形態の例をまとめて記載する。

　＜１＞互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する第１の圧電性基板と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられているＩＤＴ電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられており、前記第１の弾性波共振子を囲むように設けられている支持体と、前記支持体上に設けられており、前記第１の圧電性基板側に位置している第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する第２の圧電性基板と、前記第２の圧電性基板の前記第３の主面に設けられているＩＤＴ電極を含み、少なくとも１つが直列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子と、を備え、前記第１の圧電性基板が、第１の支持基板と、前記第１の支持基板と積層されている第１の圧電体層と、を有し、前記第１の主面が前記第１の圧電体層の主面を含み、前記第２の圧電性基板が、第２の支持基板と、前記第２の支持基板と積層されている第２の圧電体層と、を有し、前記第３の主面が前記第２の圧電体層の主面を含み、前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極、及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極がそれぞれ、互いに異なる電位に接続され、かつ互いに間挿し合っている、複数の第１の電極指と、複数の第２の電極指と、を有し、前記第１の圧電性基板、前記第２の圧電性基板及び前記支持体により囲まれた空間が構成されており、前記第２の圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗが、前記第１の圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも小さく、前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、前記第１の圧電性基板及び前記第２の圧電性基板において構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む、フィルタ装置。

　＜２＞互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する第１の圧電性基板と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられているＩＤＴ電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子と、前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられており、前記第１の弾性波共振子を囲むように設けられている支持体と、前記支持体上に設けられており、前記第１の圧電性基板側に位置している第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する第２の圧電性基板と、前記第２の圧電性基板の前記第３の主面に設けられているＩＤＴ電極を含み、少なくとも１つが並列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子と、を備え、前記第１の圧電性基板が、第１の支持基板と、前記第１の支持基板と積層されている第１の圧電体層と、を有し、前記第１の主面が前記第１の圧電体層の主面を含み、前記第２の圧電性基板が、第２の支持基板と、前記第２の支持基板と積層されている第２の圧電体層と、を有し、前記第３の主面が前記第２の圧電体層の主面を含み、前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極、及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極がそれぞれ、互いに異なる電位に接続され、かつ互いに間挿し合っている、複数の第１の電極指と、複数の第２の電極指と、を有し、前記第１の圧電性基板、前記第２の圧電性基板及び前記支持体により囲まれた空間が構成されており、前記第２の圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗが、前記第１の圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも小さく、前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、前記第１の圧電性基板及び前記第２の圧電性基板において構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含む、フィルタ装置。

　＜３＞第１のフィルタ及び第２のフィルタを備えるフィルタ装置であって、前記第１のフィルタが、前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子のうち一部の弾性波共振子を含み、前記第２のフィルタが、前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子のうち残りの弾性波共振子を含む、＜１＞または＜２＞に記載のフィルタ装置。

　＜４＞複数の前記第１の弾性波共振子と、複数の前記第２の弾性波共振子と、を備え、前記第１のフィルタが、前記複数の第１の弾性波共振子及び前記複数の第２の弾性波共振子のうち前記複数の第１の弾性波共振子のみを含み、前記第２のフィルタが、前記複数の第１の弾性波共振子及び前記複数の第２の弾性波共振子のうち前記複数の第２の弾性波共振子のみを含む、＜３＞に記載のフィルタ装置。

　＜５＞複数の前記第１の弾性波共振子と、複数の前記第２の弾性波共振子と、を備え、前記第１のフィルタ及び前記第２のフィルタがそれぞれ、前記第１の弾性波共振子と、前記第２の弾性波共振子とを含む、＜３＞に記載のフィルタ装置。

　＜６＞全ての前記第１の弾性波共振子及び全ての前記第２の弾性波共振子を備える、１つのフィルタである、＜１＞または＜２＞に記載のフィルタ装置。

　＜７＞外部接続端子が、前記第２の圧電性基板を貫通している貫通電極と、前記第２の圧電性基板の前記第４の主面に設けられており、かつ前記貫通電極に接続されている電極パッドと、を含む、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。

　＜８＞前記第２の圧電体層の厚みが、前記第１の圧電体層の厚みよりも厚い、＜７＞に記載のフィルタ装置。

　＜９＞複数の前記第２の弾性波共振子を備え、外部接続端子が、前記第２の圧電性基板を貫通している貫通電極と、前記第２の圧電性基板の前記第４の主面に設けられており、かつ前記貫通電極に接続されている電極パッドと、を含み、前記第２の圧電体層の厚みが、前記第１の圧電体層の厚みよりも厚く、少なくとも１つの前記第１の弾性波共振子及び少なくとも１つの前記第２の弾性波共振子を含む少なくとも１つのラダー型フィルタが構成されており、全ての前記第２の弾性波共振子のうち複数の前記第２の弾性波共振子が、少なくとも１つの前記ラダー型フィルタに含まれており、該ラダー型フィルタが含む全ての前記第２の弾性波共振子が、該ラダー型フィルタの直列腕共振子である、＜１＞に記載のフィルタ装置。

　＜１０＞複数の前記第２の弾性波共振子を備え、外部接続端子が、前記第２の圧電性基板を貫通している貫通電極と、前記第２の圧電性基板の前記第４の主面に設けられており、かつ前記貫通電極に接続されている電極パッドと、を含み、前記第２の圧電体層の厚みが、前記第１の圧電体層の厚みよりも厚く、少なくとも１つの前記第１の弾性波共振子及び少なくとも１つの前記第２の弾性波共振子を含む少なくとも１つのラダー型フィルタが構成されており、全ての前記第２の弾性波共振子のうち複数の前記第２の弾性波共振子が、少なくとも１つの前記ラダー型フィルタに含まれており、該ラダー型フィルタが含む全ての前記第２の弾性波共振子が、該ラダー型フィルタの並列腕共振子である、＜２＞に記載のフィルタ装置。

　＜１１＞前記第１の圧電体層のカット角と、前記第２の圧電体層のカット角とが互いに異なる、＜８＞～＜１０＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。

　＜１２＞前記第１の圧電体層に用いられている材料と、前記第２の圧電体層に用いられている材料とが互いに異なる、＜８＞～＜１１＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。

　＜１３＞前記第１の圧電性基板が、前記第１の支持基板及び前記第１の圧電体層の間に設けられている第１の中間層を含み、前記第２の圧電性基板が、前記第２の支持基板及び前記第２の圧電体層の間に設けられている第２の中間層を含み、前記第１の中間層の厚みと前記第２の中間層の厚みとが互いに異なる、＜８＞～＜１２＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。

　＜１４＞前記第１の支持基板の厚みと前記第２の支持基板の厚みとが互いに異なる、＜８＞～＜１３＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。

　＜１５＞前記第１の支持基板に用いられている材料と、前記第２の支持基板に用いられている材料とが互いに異なる、＜８＞～＜１４＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。

　＜１６＞平面視において、前記第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極の前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指が延びる方向と、前記第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極の前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指が延びる方向とが交叉している、＜８＞～＜１５＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。

　＜１７＞前記第１の圧電体層上に、前記第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている第１の誘電体膜と、前記第２の圧電体層上に、前記第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている第２の誘電体膜と、をさらに備え、前記第１の誘電体膜の厚みと、前記第２の誘電体膜の厚みとが互いに異なる、＜８＞～＜１６＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。

　＜１８＞前記第１の圧電体層上に、前記第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている第１の誘電体膜と、前記第２の圧電体層上に、前記第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている第２の誘電体膜と、をさらに備え、前記第１の誘電体膜に用いられている材料と、前記第２の誘電体膜に用いられている材料とが互いに異なる、＜８＞～＜１７＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。

　＜１９＞前記第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極の厚みと、前記第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極の厚みとが互いに異なる、＜８＞～＜１８＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。

　＜２０＞前記第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極に用いられている材料と、前記第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極に用いられている材料とが互いに異なる、＜８＞～＜１９＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。

２Ａ，２Ｂ…第１，第２の圧電性基板
２ａ～２ｄ…第１～第４の主面
２ｅ…側面
３Ａ，３Ｂ…第１，第２の支持基板
４Ａ，４Ｂ…第１，第２の中間層
５Ａ，５Ｂ…第１，第２の圧電体層
６…電極パッド
７…貫通電極
８Ａ…支持体
８Ｂ…柱部材
９…バンプ
１０…フィルタ装置
１１…外部接続端子
１２Ａ，１２Ｂ…第１，第２の信号端子
１３Ａ，１３Ｂ…第１，第２の弾性波共振子
１４Ａ，１４Ｂ…反射器
１５…ＩＤＴ電極
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２１…外部接続端子
２５…外部電極
２８…誘電体膜
３０…フィルタ装置
３１Ａ，３１Ｂ…第１，第２のフィルタ
４０…フィルタ装置
４１Ａ，４１Ｂ…第１，第２のフィルタ
５０…フィルタ装置
５２Ａ，５２Ｂ…第１、第２の圧電性基板
５３Ａ，５３Ｂ…第１，第２の支持基板
５４Ａ，５４Ｂ…第１，第２の中間層
５５Ａ，５５Ｂ…第１，第２の圧電体層
６１…実装基板
６５Ａ，６５Ｂ…ＩＤＴ電極
６６Ａ，６６Ｂ…第１，第２の誘電体膜
Ｐ１～Ｐ６…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ７…直列腕共振子

Claims

　互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する第１の圧電性基板と、
　前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられているＩＤＴ電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子と、
　前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられており、前記第１の弾性波共振子を囲むように設けられている支持体と、
　前記支持体上に設けられており、前記第１の圧電性基板側に位置している第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する第２の圧電性基板と、
　前記第２の圧電性基板の前記第３の主面に設けられているＩＤＴ電極を含み、少なくとも１つが直列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子と、
を備え、
　前記第１の圧電性基板が、第１の支持基板と、前記第１の支持基板と積層されている第１の圧電体層と、を有し、前記第１の主面が前記第１の圧電体層の主面を含み、
　前記第２の圧電性基板が、第２の支持基板と、前記第２の支持基板と積層されている第２の圧電体層と、を有し、前記第３の主面が前記第２の圧電体層の主面を含み、
　前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極、及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極がそれぞれ、互いに異なる電位に接続され、かつ互いに間挿し合っている、複数の第１の電極指と、複数の第２の電極指と、を有し、
　前記第１の圧電性基板、前記第２の圧電性基板及び前記支持体により囲まれた空間が構成されており、
　前記第２の圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗが、前記第１の圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも小さく、前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、前記第１の圧電性基板及び前記第２の圧電性基板において構成された全ての直列腕共振子のうち、反共振周波数が最も低い直列腕共振子を含む、フィルタ装置。
　互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する第１の圧電性基板と、
　前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられているＩＤＴ電極を含み、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの第１の弾性波共振子と、
　前記第１の圧電性基板の前記第１の主面に設けられており、前記第１の弾性波共振子を囲むように設けられている支持体と、
　前記支持体上に設けられており、前記第１の圧電性基板側に位置している第３の主面、及び前記第３の主面と対向している第４の主面を有する第２の圧電性基板と、
　前記第２の圧電性基板の前記第３の主面に設けられているＩＤＴ電極を含み、少なくとも１つが並列腕共振子である、少なくとも１つの第２の弾性波共振子と、
を備え、
　前記第１の圧電性基板が、第１の支持基板と、前記第１の支持基板と積層されている第１の圧電体層と、を有し、前記第１の主面が前記第１の圧電体層の主面を含み、
　前記第２の圧電性基板が、第２の支持基板と、前記第２の支持基板と積層されている第２の圧電体層と、を有し、前記第３の主面が前記第２の圧電体層の主面を含み、
　前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極、及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極がそれぞれ、互いに異なる電位に接続され、かつ互いに間挿し合っている、複数の第１の電極指と、複数の第２の電極指と、を有し、
　前記第１の圧電性基板、前記第２の圧電性基板及び前記支持体により囲まれた空間が構成されており、
　前記第２の圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗが、前記第１の圧電性基板の電気機械結合係数Ｋｓａｗよりも小さく、前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子が、前記第１の圧電性基板及び前記第２の圧電性基板において構成された全ての並列腕共振子のうち、共振周波数が最も高い並列腕共振子を含む、フィルタ装置。
　第１のフィルタ及び第２のフィルタを備えるフィルタ装置であって、
　前記第１のフィルタが、前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子のうち一部の弾性波共振子を含み、前記第２のフィルタが、前記少なくとも１つの第１の弾性波共振子及び前記少なくとも１つの第２の弾性波共振子のうち残りの弾性波共振子を含む、請求項１または２に記載のフィルタ装置。
　複数の前記第１の弾性波共振子と、
　複数の前記第２の弾性波共振子と、
を備え、
　前記第１のフィルタが、前記複数の第１の弾性波共振子及び前記複数の第２の弾性波共振子のうち前記複数の第１の弾性波共振子のみを含み、
　前記第２のフィルタが、前記複数の第１の弾性波共振子及び前記複数の第２の弾性波共振子のうち前記複数の第２の弾性波共振子のみを含む、請求項３に記載のフィルタ装置。
　複数の前記第１の弾性波共振子と、
　複数の前記第２の弾性波共振子と、
を備え、
　前記第１のフィルタ及び前記第２のフィルタがそれぞれ、前記第１の弾性波共振子と、前記第２の弾性波共振子とを含む、請求項３に記載のフィルタ装置。
　全ての前記第１の弾性波共振子及び全ての前記第２の弾性波共振子を備える、１つのフィルタである、請求項１または２に記載のフィルタ装置。
　外部接続端子が、前記第２の圧電性基板を貫通している貫通電極と、前記第２の圧電性基板の前記第４の主面に設けられており、かつ前記貫通電極に接続されている電極パッドと、を含む、請求項１～６のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
　前記第２の圧電体層の厚みが、前記第１の圧電体層の厚みよりも厚い、請求項７に記載のフィルタ装置。
　複数の前記第２の弾性波共振子を備え、
　外部接続端子が、前記第２の圧電性基板を貫通している貫通電極と、前記第２の圧電性基板の前記第４の主面に設けられており、かつ前記貫通電極に接続されている電極パッドと、を含み、
　前記第２の圧電体層の厚みが、前記第１の圧電体層の厚みよりも厚く、
　少なくとも１つの前記第１の弾性波共振子及び少なくとも１つの前記第２の弾性波共振子を含む少なくとも１つのラダー型フィルタが構成されており、
　全ての前記第２の弾性波共振子のうち複数の前記第２の弾性波共振子が、少なくとも１つの前記ラダー型フィルタに含まれており、該ラダー型フィルタが含む全ての前記第２の弾性波共振子が、該ラダー型フィルタの直列腕共振子である、請求項１に記載のフィルタ装置。
　複数の前記第２の弾性波共振子を備え、
　外部接続端子が、前記第２の圧電性基板を貫通している貫通電極と、前記第２の圧電性基板の前記第４の主面に設けられており、かつ前記貫通電極に接続されている電極パッドと、を含み、
　前記第２の圧電体層の厚みが、前記第１の圧電体層の厚みよりも厚く、
　少なくとも１つの前記第１の弾性波共振子及び少なくとも１つの前記第２の弾性波共振子を含む少なくとも１つのラダー型フィルタが構成されており、
　全ての前記第２の弾性波共振子のうち複数の前記第２の弾性波共振子が、少なくとも１つの前記ラダー型フィルタに含まれており、該ラダー型フィルタが含む全ての前記第２の弾性波共振子が、該ラダー型フィルタの並列腕共振子である、請求項２に記載のフィルタ装置。
　前記第１の圧電体層のカット角と、前記第２の圧電体層のカット角とが互いに異なる、請求項８～１０のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
　前記第１の圧電体層に用いられている材料と、前記第２の圧電体層に用いられている材料とが互いに異なる、請求項８～１１のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
　前記第１の圧電性基板が、前記第１の支持基板及び前記第１の圧電体層の間に設けられている第１の中間層を含み、
　前記第２の圧電性基板が、前記第２の支持基板及び前記第２の圧電体層の間に設けられている第２の中間層を含み、
　前記第１の中間層の厚みと前記第２の中間層の厚みとが互いに異なる、請求項８～１２のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
　前記第１の支持基板の厚みと前記第２の支持基板の厚みとが互いに異なる、請求項８～１３のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
　前記第１の支持基板に用いられている材料と、前記第２の支持基板に用いられている材料とが互いに異なる、請求項８～１４のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
　平面視において、前記第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極の前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指が延びる方向と、前記第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極の前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指が延びる方向とが交叉している、請求項８～１５のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
　前記第１の圧電体層上に、前記第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている第１の誘電体膜と、
　前記第２の圧電体層上に、前記第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている第２の誘電体膜と、
をさらに備え、
　前記第１の誘電体膜の厚みと、前記第２の誘電体膜の厚みとが互いに異なる、請求項８～１６のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
　前記第１の圧電体層上に、前記第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている第１の誘電体膜と、
　前記第２の圧電体層上に、前記第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている第２の誘電体膜と、
をさらに備え、
　前記第１の誘電体膜に用いられている材料と、前記第２の誘電体膜に用いられている材料とが互いに異なる、請求項８～１７のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
　前記第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極の厚みと、前記第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極の厚みとが互いに異なる、請求項８～１８のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
　前記第１の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極に用いられている材料と、前記第２の弾性波共振子の前記ＩＤＴ電極に用いられている材料とが互いに異なる、請求項８～１９のいずれか１項に記載のフィルタ装置。