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WO2023058584A1 - フィルタ装置 - Google Patents

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WO2023058584A1
WO2023058584A1 PCT/JP2022/036824 JP2022036824W WO2023058584A1 WO 2023058584 A1 WO2023058584 A1 WO 2023058584A1 JP 2022036824 W JP2022036824 W JP 2022036824W WO 2023058584 A1 WO2023058584 A1 WO 2023058584A1
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WO
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ground
parallel arm
terminal
outermost layer
filter device
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/036824
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
芳久 岡野
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to CN202280062368.3A priority Critical patent/CN117957773A/zh
Publication of WO2023058584A1 publication Critical patent/WO2023058584A1/ja

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to a filter device.
  • Patent Literature 1 discloses an example of a filter having an elastic wave resonator.
  • a plurality of series resonators and a plurality of parallel resonators are formed on the piezoelectric substrate. All series and parallel resonators are acoustic wave resonators.
  • a plurality of pads are provided on the piezoelectric substrate. The plurality of pads includes transmit pads, common pads and ground pads.
  • the filter is connected to external circuitry through a plurality of pads.
  • An object of the present invention is to provide a filter device that can effectively improve heat dissipation.
  • a filter device comprises a piezoelectric substrate, an input terminal and an output terminal provided on the piezoelectric substrate, a first ground terminal provided on the piezoelectric substrate, and at least one a plurality of ground terminals including a second ground terminal; a plurality of series arm resonators and at least three parallel arm resonators configured on the piezoelectric substrate; the input terminal; the output terminal; and a mounting board electrically connected to the plurality of ground terminals, the mounting board comprising a first outermost layer including a die attach surface, a second outermost layer, and the first outermost layer.
  • the parallel arm resonator arranged closest to the input terminal is connected to the first ground terminal, and the other plurality of parallel arm resonators are connected to the second ground.
  • At least one of the first outermost layer and the intermediate layer of the mounting substrate has two or more ground electrodes connected to terminals.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to a first embodiment of the invention.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view of the filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic bottom view showing the electrode configuration on the piezoelectric substrate in the first embodiment of the invention.
  • FIG. 4 is a plan view of the first outermost layer of the mounting board according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view of the first intermediate layer of the mounting substrate according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 6 is a bottom view of the second outermost layer of the mounting board according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic bottom view showing the electrode configuration on the piezoelectric substrate in the comparative example.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to a first embodiment of the invention.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view of the filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a heat map on the piezoelectric substrate in the comparative example.
  • FIG. 9 is a heat map on the piezoelectric substrate in the first embodiment of the invention.
  • FIG. 10 is a bottom view showing the electrode configuration of the parallel arm resonator according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a plan view of the first intermediate layer in the second embodiment of the invention.
  • FIG. 12 is a heat map on a piezoelectric substrate in the second embodiment of the invention.
  • FIG. 13 is a diagram showing the relationship between input power and output power in the second embodiment and comparative example of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic front cross-sectional view of a filter device according to a third embodiment of the invention.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • the filter device 1 has a circuit portion of a ladder-type filter. More specifically, the filter device 1 has an input terminal 4 and an output terminal 5, a plurality of ground terminals, a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators.
  • the input terminal 4, the output terminal 5, and the ground terminal may be configured as electrode pads or may be configured as wiring.
  • the input terminal 4, the output terminal 5 and the plurality of ground terminals are configured as electrode pads.
  • a plurality of ground terminals are each connected to a ground potential.
  • the filter device 1 is a Band 40 transmission filter. More specifically, the pass band of the filter device 1 is 2300-2400 MHz. However, the pass band of the filter device 1 is not limited to the above. Furthermore, the filter device 1 may be a receive filter. The filter device 1 can be used, for example, in composite filter devices such as duplexers and multiplexers.
  • the plurality of series arm resonators of this embodiment are a series arm resonator S1, a series arm resonator S2, a series arm resonator S3, and a series arm resonator S4.
  • the plurality of parallel arm resonators are a parallel arm resonator P1, a parallel arm resonator P2, a parallel arm resonator P3 and a parallel arm resonator P4.
  • all series arm resonators and all parallel arm resonators are elastic wave resonators.
  • a series arm resonator S1 is connected between the connection point between the series arm resonators S1 and S2 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P2 is connected between the connection point between the series arm resonators S2 and S3 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P3 is connected between the connection point between the series arm resonators S3 and S4 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P4 is connected between the output terminal 5 and the ground potential.
  • the parallel arm resonator P1 is arranged closest to the input terminal 4 side.
  • the circuit configuration of the filter device 1 is not limited to the above. At least two series arm resonators and at least three parallel arm resonators should be provided. However, the total number of series arm resonators and parallel arm resonators is preferably six or more. In this case, it is easy to improve the filter characteristics.
  • a specific configuration of the filter device 1 will be shown below.
  • FIG. 2 is a schematic front sectional view of the filter device according to the first embodiment.
  • the electrodes of the acoustic wave resonator are shown by a schematic diagram of a rectangle with two diagonal lines added. Note that FIG. 2 schematically shows via electrodes, which will be described later, and the arrangement of the via electrodes in FIG. 2 and other drawings does not necessarily match.
  • the filter device 1 has a mounting substrate 3 and a piezoelectric substrate 2 .
  • the piezoelectric substrate 2 is a substrate consisting of only a piezoelectric layer.
  • the piezoelectric substrate 2 may be a laminated substrate including piezoelectric layers.
  • a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators are provided on the piezoelectric substrate 2 .
  • the direction seen from above in FIG. 2 is defined as a plan view, and the direction seen from below is defined as a bottom view.
  • FIG. 3 is a schematic bottom view showing the electrode configuration on the piezoelectric substrate in the first embodiment.
  • the electrodes of each acoustic wave resonator are shown by a schematic diagram of a rectangle with two diagonal lines added.
  • An input terminal 4 , an output terminal 5 and a plurality of ground terminals are provided on the piezoelectric substrate 2 . More specifically, the multiple ground terminals are a first ground terminal 6A and a second ground terminal 6B.
  • a parallel arm resonator P1 is connected to the first ground terminal 6A.
  • a plurality of other parallel arm resonators are commonly connected to the second ground terminal 6B.
  • the parallel arm resonator P2, the parallel arm resonator P3, and the parallel arm resonator P4 are commonly connected to the second ground terminal 6B.
  • Bumps 7 are provided on the input terminal 4, the output terminal 5, and the plurality of ground terminals, respectively.
  • a plurality of bumps 7 are bonded to the mounting board 3 .
  • a plurality of second ground terminals 6B may be provided. However, since there is one second ground terminal 6B, the size of the filter device 1 can be reduced.
  • the mounting substrate 3 has a first outermost layer 3A, a first intermediate layer 3B, a second intermediate layer 3C, and a second outermost layer 3D.
  • the laminated structure of the mounting board 3 is not limited to the above, and at least one intermediate layer may be provided between the first outermost layer 3A and the second outermost layer 3D.
  • the first outermost layer 3A includes a die attach surface 3a.
  • FIG. 4 is a plan view of the first outermost layer of the mounting board in the first embodiment.
  • 5 is a plan view of the first intermediate layer of the mounting board in the first embodiment.
  • FIG. 6 is a bottom view of the second outermost layer of the mounting board in the first embodiment.
  • an input electrode 14A, an output electrode 15A, and a plurality of ground electrodes are provided on the die attach surface 3a of the first outermost layer 3A.
  • the plurality of ground electrodes are a first ground electrode 16A and a second ground electrode 16B.
  • the input electrode 14A is connected to the input terminal 4 described above.
  • the output electrode 15A is connected to the output terminal 5 described above.
  • the first ground electrode 16A is connected to the first ground terminal 6A.
  • a second ground electrode 16B is connected to the second ground terminal 6B.
  • the electrodes on the first outermost layer 3A are connected to the terminals on the piezoelectric substrate 2 via bumps 7, respectively.
  • the input terminal 4 , the output terminal 5 and the plurality of ground terminals are electrically connected to the mounting substrate 3 via the plurality of bumps 7 .
  • an input electrode 14B, an output electrode 15B, a first ground electrode 16C, and a second ground electrode 16D are provided on the first intermediate layer 3B.
  • electrodes similar to those on the first intermediate layer 3B are also provided on the second intermediate layer 3C.
  • the shapes of the electrodes provided on the first intermediate layer 3B and the second intermediate layer 3C may be the same or different.
  • an input electrode 14C, an output electrode 15C, a first ground electrode 16E, and a second ground electrode 16F are provided on the second outermost layer 3D.
  • the mounting board 3 is provided with a plurality of via electrodes 8 .
  • a plurality of via electrodes 8 penetrate each layer of the mounting board 3 . Some via electrodes 8 among the plurality of via electrodes 8 connect the input electrodes of each layer. Similarly, some other via electrodes 8 connect the output electrodes of each layer. Other via electrodes 8 connect the first ground electrodes of each layer. Some other via electrodes 8 connect the second ground electrodes of each layer.
  • Each electrode of the second outermost layer 3D is connected to the outside.
  • a sealing resin layer 9 is provided on the first outermost layer 3A of the mounting substrate 3 so as to cover the piezoelectric substrate 2 .
  • the feature of this embodiment is that it has the following configuration. 1)
  • the parallel arm resonator P1 arranged closest to the input terminal 4 is connected to the first ground terminal 6A, and the other plurality of parallel arm resonators are connected to the second ground terminal 6B. .
  • the first outermost layer 3A of the mounting board 3 has two or more ground electrodes. However, at least one of the first outermost layer 3A and the intermediate layer of the mounting substrate 3 may have two or more ground electrodes. Thereby, heat dissipation can be effectively improved. This will be explained below by comparing the present embodiment and a comparative example.
  • the circuit configuration in the comparative example is the same as the circuit configuration in this embodiment. As shown in FIG. 7, the comparative example differs from the present embodiment in that the parallel arm resonator P1 and the parallel arm resonator P2 are commonly connected to the first ground terminal 6A. Also in the comparative example, the parallel arm resonator P3 and the parallel arm resonator P4 are commonly connected to the second ground terminal 6B.
  • FIG. 8 is a heat map on the piezoelectric substrate in the comparative example.
  • FIG. 9 is a heat map on the piezoelectric substrate in the first embodiment.
  • the temperature near the center of all elastic wave resonators is 1.62 ⁇ 10 3 [deg. ] and above.
  • the series arm resonator S1 and the parallel arm resonator P1 are 1.62 ⁇ 10 3 [deg. ], and the rise in temperature is suppressed. Furthermore, it can be seen that the high-temperature region is narrowed in the parallel arm resonator P2, the series arm resonator S2, and the series arm resonator S3 as well.
  • the parallel arm resonator P1 is arranged closest to the input terminal 4 among the plurality of parallel arm resonators. Therefore, when electric power is applied, it generates the most heat among the plurality of parallel arm resonators.
  • the parallel arm resonator P1 and the parallel arm resonator P2 are commonly connected to the first ground terminal 6A, the efficiency of heat dissipation from the parallel arm resonator P1 and the parallel arm resonator P2 is low.
  • the temperature of the parallel arm resonator P2 was high, the temperature of the series arm resonator S2 and the series arm resonator S3 adjacent to the parallel arm resonator P2 was also high.
  • the parallel arm resonator P1 and other parallel arm resonators are connected to separate ground terminals.
  • heat can be efficiently dissipated from the parallel arm resonator P1.
  • the parallel arm resonator P2 is connected to a different ground terminal than the parallel arm resonator P1 that generates the most heat. Therefore, the heat radiation efficiency of the parallel arm resonator P2 is less likely to deteriorate, and the temperature rise in the parallel arm resonator P2 can be suppressed.
  • the first ground electrode 16A provided on the die attach surface 3a of the first outermost layer 3A of the mounting substrate 3 shown in FIG. 4 is connected to the first ground terminal 6A and serves as the second ground. It is not connected to terminal 6B.
  • the area of the first ground terminal 6A can be reduced. Therefore, the area of the portion of the first ground terminal 6A facing the series arm resonator or the parallel arm resonator can be reduced.
  • heat from elastic wave resonators other than the parallel arm resonator P1 is less likely to propagate to the first ground electrode 16A. Therefore, heat propagated from the parallel arm resonator P1 via the first ground terminal 6A and the bump 7 can be efficiently radiated to the outside.
  • heat generated in other parallel arm resonators can be radiated to the outside via the second ground terminal 6B, the bump 7 and the second ground electrode 16B. Therefore, heat dissipation can be effectively improved.
  • the parasitic capacitance can also be reduced.
  • At least one of the first outermost layer 3A and the intermediate layer of the mounting substrate 3 may have two or more ground electrodes.
  • the ground electrodes provided on the die attach surface 3a of the first outermost layer 3A preferably include the first ground electrode 16A and the second ground electrode 16B.
  • the first outermost layer 3A is closest to the plurality of elastic wave resonators. Therefore, heat is particularly likely to propagate from the elastic wave resonator to the electrodes provided on the first outermost layer 3A.
  • the electrodes are particularly likely to contribute to parasitic capacitance.
  • the ground electrode is split into a first ground electrode 16A and a second ground electrode 16B. As a result, the heat dissipation can be further improved and the parasitic capacitance can be reduced.
  • the number of the second ground terminals 6B is not necessarily one.
  • a plurality of parallel arm resonators other than parallel arm resonator P1 may not be commonly connected to one second ground terminal 6B.
  • the number of locations where the second ground terminal 6B is provided can be reduced. Therefore, the size of the filter device 1 can be reduced.
  • the filter device 1 is small, the distance between the acoustic wave resonators and the distance between the terminals are shortened, and the heat dissipation tends to deteriorate. Therefore, the present invention is particularly suitable.
  • a specific configuration of the acoustic wave resonator in the first embodiment is shown below.
  • FIG. 10 is a bottom view showing the electrode configuration of the parallel arm resonator in the first embodiment. Note that the wiring connected to the parallel arm resonator P1 is omitted in FIG.
  • the parallel arm resonator P1 has a piezoelectric substrate 2.
  • An IDT electrode 12 is provided on the piezoelectric substrate 2 .
  • An elastic wave is excited by applying an AC voltage to the IDT electrode 12 .
  • a pair of reflectors 13A and 13B are provided on both sides of the IDT electrode 12 on the piezoelectric substrate 2 in the elastic wave propagation direction.
  • the IDT electrode 12 has a first busbar 17A and a second busbar 17B, and a plurality of first electrode fingers 18A and a plurality of second electrode fingers 18B.
  • the first busbar 17A and the second busbar 17B face each other.
  • One end of each of the plurality of first electrode fingers 18A is connected to the first bus bar 17A.
  • One end of each of the plurality of second electrode fingers 18B is connected to the second bus bar 17B.
  • the plurality of first electrode fingers 18A and the plurality of second electrode fingers 18B are interdigitated with each other.
  • All acoustic wave resonators of the filter device 1 share the piezoelectric substrate 2 .
  • Each acoustic wave resonator other than the parallel arm resonator P1 also has an IDT electrode and a reflector similarly to the parallel arm resonator P1.
  • FIG. 11 is a plan view of the first intermediate layer in the second embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that one ground electrode 26 is provided in the first intermediate layer 23B. Except for the above points, the filter device of this embodiment has the same configuration as the filter device 1 of the first embodiment. Therefore, the drawings and reference numerals describing the configuration of the first embodiment are used for the description of the configuration other than the first intermediate layer 23B in the present embodiment.
  • the ground electrode is divided into a first ground electrode 16A and a second ground electrode 16B.
  • the first ground electrode 16A and the second ground electrode 16B are commonly connected to one ground electrode 26 shown in FIG. 11 through via electrodes 8, respectively. Therefore, the heat radiation path from the first ground terminal 6A and the heat radiation path from the second ground terminal 6B are shared within the mounting board.
  • FIG. 12 is a heat map on the piezoelectric substrate in the second embodiment.
  • the high temperature range can be further narrowed.
  • the high temperature range is narrow.
  • heat dissipation can be further improved. This is for the following reasons.
  • the heat radiation path from the first ground terminal 6A and the heat radiation path from the second ground terminal 6B are integrated within the mounting board. As a result, heat from the first ground terminal 6A side can be propagated to the heat dissipation path that was only from the second ground terminal 6B in the first embodiment. Thus, the heat radiation path from the first ground terminal 6A can be widened. Similarly, the heat dissipation path from the second ground terminal 6B to which the parallel arm resonator P2 and the like are connected can be widened.
  • the first outermost layer 3A is provided between the ground electrode 26 provided on the first intermediate layer 23B and each elastic wave resonator. Therefore, even if the area of the ground electrode 26 is increased, heat is less likely to propagate from each acoustic wave resonator to the ground electrode 26 via any other means than wiring. Therefore, the efficiency of heat dissipation from the parallel arm resonator P1 is less likely to be hindered. Therefore, the heat radiation performance of the filter device as a whole can be further enhanced.
  • the distance from the ground electrode 26 to each elastic wave resonator is longer than the distance from each electrode provided on the die attach surface 3a to each elastic wave resonator. Therefore, the contribution of the ground electrode 26 to the parasitic capacitance is relatively small. Also in this embodiment, the configuration of the electrodes on the die attach surface 3a is the same as in the first embodiment. Therefore, parasitic capacitance can be reduced.
  • the frequency of the input signal was the frequency at the end of the high band in the band with small insertion loss including the passband.
  • An LTE modulated signal with this frequency was input from the input terminal, and the power output from the output terminal was measured.
  • the comparative example which performed the electric power application test is a comparative example shown in FIG.
  • FIG. 13 is a diagram showing the relationship between input power and output power in the second embodiment and the comparative example.
  • the output power peaks near the input power of 29.2 dBm.
  • the output power continues to increase even when the input power exceeds 29.2 dBm.
  • the output power peaks around an input power of 30.2 dBm.
  • the output power is 26.5 dBm or more. Comparative examples do not meet this criterion.
  • the output power can be 26.5 dBm or higher.
  • the output power increases as the input power increases.
  • the temperature of each acoustic wave resonator increases due to heat generation of each acoustic wave resonator.
  • the frequency characteristic of each elastic wave resonator changes. Therefore, the band in which the insertion loss is small in the filter device becomes a low frequency band according to temperature changes. Therefore, even if the input power of the signal of the same frequency is increased, the temperature rise makes it difficult for the signal to pass through the filter device. As a result, a peak appears in the output power.
  • the second embodiment it is possible to improve the heat dissipation of the filter device as a whole. As a result, it is possible to suppress the increase in the temperature of each elastic wave resonator, thereby suppressing the change in the frequency characteristics. Therefore, even if the input power is increased, the output power can be increased. In this way, power durability can be enhanced.
  • the portion in which a plurality of elastic wave resonators are configured is a CSP (Chip Size Package) type.
  • the portion in which a plurality of acoustic wave resonators are configured may be of a WLP (Wafer Level Package) type. An example of this is given below.
  • FIG. 14 is a schematic front sectional view of the filter device according to the third embodiment.
  • the electrodes of the acoustic wave resonator are shown by a schematic diagram of a rectangle with two diagonal lines added.
  • the present embodiment differs from the first embodiment in that the portion in which a plurality of elastic wave resonators are configured is of the WLP type. Except for the above points, the filter device of this embodiment has the same configuration as the filter device 1 of the first embodiment.
  • a support member 34 is provided on the piezoelectric substrate 2 so as to surround the IDT electrodes of the plurality of elastic wave resonators. More specifically, the support member 34 has an opening 34a. A plurality of IDT electrodes are positioned within the opening 34a. Note that the support member 34 covers at least a portion of a plurality of terminals such as the input terminal 4 and the first ground terminal 6A.
  • a cover member 35 is provided on the support member 34 so as to close the opening 34a. Thereby, a hollow portion surrounded by the cover member 35, the support member 34, and the piezoelectric substrate 2 is provided. IDT electrodes of a plurality of elastic wave resonators are arranged in this hollow portion.
  • a plurality of through electrodes 36 are provided so as to penetrate through the cover member 35 and the support member 34 .
  • One end of each through electrode 36 is connected to each terminal.
  • a bump 7 is joined to the other end of each through electrode 36 .
  • a plurality of bumps 7 are bonded to the mounting board 3 .

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

放熱性を効果的に高めることができる、フィルタ装置を提供する。　フィルタ装置１は、圧電性基板２と、入力端子４及び出力端子と、第１のグラウンド端子６Ａ及び第２のグラウンド端子と、複数の直列腕共振子及び少なくとも３個の複数の並列腕共振子と、実装基板３とを備える。実装基板３は、第１の最表層３Ａと、第２の最表層３Ｄと、中間層（第１，第２の中間層３Ｂ，３Ｃ）と、第１の最表層３Ａ及び中間層にそれぞれ設けられており、かつグラウンド端子に電気的に接続されているグラウンド電極（第１のグラウンド電極１６Ａ，１６Ｃ，１６Ｅ及び第２のグラウンド電極）とを有する。最も入力端子４側の並列腕共振子Ｐ１が第１のグラウンド端子６Ａに接続されている。他の並列腕共振子は第２のグラウンド端子に接続されている。第１の最表層３Ａ及び中間層のうち少なくとも１層において、グラウンド電極が２つ以上とされている。

Description

フィルタ装置
　本発明は、フィルタ装置に関する。
　従来、フィルタ装置は、携帯電話機などに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波共振子を有するフィルタの一例が開示されている。このフィルタにおいては、圧電基板上において複数の直列共振器及び複数の並列共振器が構成されている。全ての直列共振器及び並列共振器は弾性波共振器である。圧電基板上には、複数のパッドが設けられている。複数のパッドは、送信パッド、共通パッド及びグランドパッドを含む。フィルタは複数のパッドを介して外部回路に接続される。
特開２０１８－０７８４８９号公報
　特許文献１に記載されたフィルタにおいては、アイソレーション特性の改善が図られている。しかしながら、放熱性を十分に改善することは困難であった。
　本発明の目的は、放熱性を効果的に高めることができる、フィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係るフィルタ装置は、圧電性基板と、前記圧電性基板上に設けられている入力端子及び出力端子と、前記圧電性基板上に設けられている第１のグラウンド端子、及び少なくとも１つの第２のグラウンド端子を含む複数のグラウンド端子と、前記圧電性基板上において構成されている複数の直列腕共振子、及び少なくとも３個の複数の並列腕共振子と、前記入力端子、前記出力端子及び前記複数のグラウンド端子に電気的に接続されている実装基板とを備え、前記実装基板が、ダイアタッチ面を含む第１の最表層と、第２の最表層と、前記第１の最表層及び前記第２の最表層の間に設けられている少なくとも１層の中間層と、前記第１の最表層及び前記中間層にそれぞれ設けられており、かつ前記グラウンド端子に電気的に接続されているグラウンド電極とを有し、最も前記入力端子側に配置された前記並列腕共振子が前記第１のグラウンド端子に接続されており、他の前記複数の並列腕共振子が前記第２のグラウンド端子に接続されており、前記実装基板の前記第１の最表層及び前記中間層のうち少なくとも１層において、前記グラウンド電極が２つ以上とされている。
　本発明に係るフィルタ装置によれば、放熱性を効果的に高めることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態における圧電性基板上の電極構成を示す略図的底面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態における実装基板の第１の最表層の平面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態における実装基板の第１の中間層の平面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態における実装基板の第２の最表層の底面図である。 図７は、比較例における圧電性基板上の電極構成を示す略図的底面図である。 図８は、比較例における圧電性基板上のヒートマップである。 図９は、本発明の第１の実施形態における圧電性基板上のヒートマップである。 図１０は、本発明の第１の実施形態における並列腕共振子の電極構成を示す底面図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態における第１の中間層の平面図である。 図１２は、本発明の第２の実施形態における圧電性基板上のヒートマップである。 図１３は、本発明の第２の実施形態及び比較例における、入力電力及び出力電力の関係を示す図である。 図１４は、本発明の第３の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。
　フィルタ装置１はラダー型フィルタの回路部を有する。より具体的には、フィルタ装置１は、入力端子４及び出力端子５と、複数のグラウンド端子と、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子とを有する。入力端子４、出力端子５及びグラウンド端子は、電極パッドとして構成されていてもよく、配線として構成されていてもよい。本実施形態では、入力端子４、出力端子５及び複数のグラウンド端子は電極パッドとして構成されている。複数のグラウンド端子はそれぞれグラウンド電位に接続される。
　フィルタ装置１はＢａｎｄ４０の送信フィルタである。より具体的には、フィルタ装置１の通過帯域は２３００～２４００ＭＨｚである。もっとも、フィルタ装置１の通過帯域は上記に限定されない。さらに、フィルタ装置１は受信フィルタであってもよい。フィルタ装置１は、例えば、デュプレクサやマルチプレクサなどの複合フィルタ装置に用いることができる。
　本実施形態の複数の直列腕共振子は、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４である。複数の並列腕共振子は、並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４である。フィルタ装置１においては、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は弾性波共振子である。
　入力端子４及び出力端子５の間に、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４が互いに直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ１及び直列腕共振子Ｓ２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。出力端子５とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ４が接続されている。複数の並列腕共振子のうち並列腕共振子Ｐ１が最も入力端子４側に配置されている。なお、フィルタ装置１の回路構成は上記に限定されない。少なくとも２個の直列腕共振子及び少なくとも３個の並列腕共振子が設けられていればよい。もっとも、直列腕共振子及び並列腕共振子の合計は６個以上であることが好ましい。この場合には、フィルタ特性を良好とし易い。
　以下において、フィルタ装置１の具体的な構成を示す。
　図２は、第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図２においては、弾性波共振子の電極を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。なお、図２においては、後述するビア電極を模式的に示しており、図２と他の図面とにおけるビア電極の配置は必ずしも一致しない。
　フィルタ装置１は、実装基板３と、圧電性基板２とを有する。本実施形態では、圧電性基板２は圧電体層のみからなる基板である。もっとも、圧電性基板２は、圧電体層を含む積層基板であってもよい。圧電性基板２上において、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子が設けられている。なお、以下においては、図２における上方から見る方向を平面視とし、下方から見る方向を底面視とする。
　図３は、第１の実施形態における圧電性基板上の電極構成を示す略図的底面図である。図３では、各弾性波共振子の電極を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。
　圧電性基板２上には、入力端子４、出力端子５及び複数のグラウンド端子が設けられている。より具体的には、複数のグラウンド端子は、第１のグラウンド端子６Ａ及び第２のグラウンド端子６Ｂである。第１のグラウンド端子６Ａには並列腕共振子Ｐ１が接続されている。他方、第２のグラウンド端子６Ｂには、他の複数の並列腕共振子が共通接続されている。具体的には、第２のグラウンド端子６Ｂには、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４が共通接続されている。
　入力端子４上、出力端子５上及び複数のグラウンド端子上には、それぞれバンプ７が設けられている。複数のバンプ７は実装基板３に接合されている。本実施形態では第２のグラウンド端子６Ｂは１つである。なお、複数の第２のグラウンド端子６Ｂが設けられていてもよい。もっとも、第２のグラウンド端子６Ｂが１つであることにより、フィルタ装置１を小型にすることができる。
　図２に戻り、実装基板３は、第１の最表層３Ａと、第１の中間層３Ｂと、第２の中間層３Ｃと、第２の最表層３Ｄとを有する。もっとも、実装基板３の積層構造は上記に限定されず、第１の最表層３Ａ及び第２の最表層３Ｄの間に少なくとも１層の中間層が設けられていればよい。第１の最表層３Ａはダイアタッチ面３ａを含む。
　図４は、第１の実施形態における実装基板の第１の最表層の平面図である。図５は、第１の実施形態における実装基板の第１の中間層の平面図である。図６は、第１の実施形態における実装基板の第２の最表層の底面図である。
　図４に示すように、第１の最表層３Ａのダイアタッチ面３ａには、入力用電極１４Ａと、出力用電極１５Ａと、複数のグラウンド電極とが設けられている。具体的には、複数のグラウンド電極は第１のグラウンド電極１６Ａ及び第２のグラウンド電極１６Ｂである。入力用電極１４Ａは上記入力端子４に接続されている。出力用電極１５Ａは上記出力端子５に接続されている。第１のグラウンド電極１６Ａは上記第１のグラウンド端子６Ａに接続されている。第２のグラウンド電極１６Ｂは上記第２のグラウンド端子６Ｂに接続されている。なお、第１の最表層３Ａ上の上記各電極は、圧電性基板２上の上記各端子に、各バンプ７を介して接続されている。このように、入力端子４、出力端子５及び複数のグラウンド端子は、複数のバンプ７を介して実装基板３に電気的に接続されている。
　同様に、図５に示すように、第１の中間層３Ｂ上には、入力用電極１４Ｂと、出力用電極１５Ｂと、第１のグラウンド電極１６Ｃと、第２のグラウンド電極１６Ｄとが設けられている。図示しないが、第２の中間層３Ｃ上にも、第１の中間層３Ｂ上と同様の電極が設けられている。もっとも、第１の中間層３Ｂ及び第２の中間層３Ｃに設けられている電極の形状は、同じであってもよく、異なっていてもよい。
　図６に示すように、第２の最表層３Ｄ上には、入力用電極１４Ｃと、出力用電極１５Ｃと、第１のグラウンド電極１６Ｅと、第２のグラウンド電極１６Ｆとが設けられている。図２に示すように、実装基板３には、複数のビア電極８が設けられている。複数のビア電極８は、実装基板３の各層を貫通している。複数のビア電極８のうち一部のビア電極８は、各層の入力用電極同士を接続している。同様に、他の一部のビア電極８は、各層の出力用電極同士を接続している。他の一部の各ビア電極８は、各層の第１のグラウンド電極同士を接続している。さらに他の一部のビア電極８は、各層の第２のグラウンド電極同士を接続している。第２の最表層３Ｄの各電極は外部に接続される。
　実装基板３の第１の最表層３Ａ上には、圧電性基板２を覆うように封止樹脂層９が設けられている。
　本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。１）最も入力端子４側に配置された並列腕共振子Ｐ１が第１のグラウンド端子６Ａに接続されており、他の複数の並列腕共振子が第２のグラウンド端子６Ｂに接続されていること。２）実装基板３の第１の最表層３Ａにおいて、グラウンド電極が２つ以上とされていること。もっとも、実装基板３の第１の最表層３Ａ及び中間層のうち少なくとも１層において、グラウンド電極が２つ以上とされていればよい。それによって、放熱性を効果的に高めることができる。これを、本実施形態と比較例とを比較することにより、以下において説明する。
　なお、比較例における回路構成は、本実施形態における回路構成と同じである。図７に示すように、比較例は、並列腕共振子Ｐ１及び並列腕共振子Ｐ２が、第１のグラウンド端子６Ａに共通接続されている点において本実施形態と異なる。比較例においても、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４は、第２のグラウンド端子６Ｂに共通接続されている。
　本実施形態及び比較例のフィルタ装置において、ムラタソフトウェア株式会社製の有限要素法シミュレーションソフトＦｅｍｔｅｔ（登録商標）を用いてシミュレーションを行い、各弾性波共振子に一律に１Ｗの電力を印加した場合の温度を求めた。
　図８は、比較例における圧電性基板上のヒートマップである。図９は、第１の実施形態における圧電性基板上のヒートマップである。
　図８に示すように、比較例においては、全ての弾性波共振子の中央付近の温度が１．６２×１０３［ｄｅｇ．］以上となっている。特に、並列腕共振子Ｐ２の中央付近においては、１．９４×１０３［ｄｅｇ．］以上となっている。並列腕共振子Ｐ２に隣接する直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３の中央付近においても、１．７８×１０３［ｄｅｇ．］と高温になっている。
　これに対して、図９に示すように、第１の実施形態においては、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１は１．６２×１０３［ｄｅｇ．］未満となっており、温度の上昇が抑制されている。さらに、並列腕共振子Ｐ２、直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３においても、高温の領域が狭くなっていることがわかる。
　並列腕共振子Ｐ１は、複数の並列腕共振子のうち最も入力端子４側に配置されている。そのため、電力を印加した際、複数の並列腕共振子のうち最も発熱する。比較例においては、並列腕共振子Ｐ１及び並列腕共振子Ｐ２が第１のグラウンド端子６Ａに共通接続されているため、並列腕共振子Ｐ１及び並列腕共振子Ｐ２からの放熱の効率が低い。さらに、並列腕共振子Ｐ２が高温となったため、並列腕共振子Ｐ２に隣接する直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３も高温となっていた。
　これに対して、第１の実施形態では、並列腕共振子Ｐ１及び他の並列腕共振子は別々のグラウンド端子に接続されている。これにより、並列腕共振子Ｐ１からの放熱を効率的に行うことができる。並列腕共振子Ｐ２は、最も発熱する並列腕共振子Ｐ１とは異なるグラウンド端子に接続されている。そのため、並列腕共振子Ｐ２の放熱の効率が劣化し難く、並列腕共振子Ｐ２における温度の上昇を抑制することができる。これに伴い、並列腕共振子Ｐ２に隣接する直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３の温度の上昇も抑制することができる。このように、フィルタ装置１全体として、放熱性を高めることができる。
　さらに、図４に示す、実装基板３の第１の最表層３Ａにおけるダイアタッチ面３ａに設けられた第１のグラウンド電極１６Ａは、第１のグラウンド端子６Ａに接続されており、第２のグラウンド端子６Ｂには接続されていない。それによって、第１のグラウンド端子６Ａの面積を小さくすることができる。そのため、第１のグラウンド端子６Ａにおける、直列腕共振子または並列腕共振子と対向している部分の面積を小さくすることができる。これにより、第１のグラウンド電極１６Ａには、並列腕共振子Ｐ１以外の弾性波共振子の熱は伝搬し難い。よって、並列腕共振子Ｐ１から第１のグラウンド端子６Ａ及びバンプ７を介して伝搬した熱を、外部に効率的に放熱することができる。他方、他の並列腕共振子などにおいて生じた熱は、第２のグラウンド端子６Ｂ、バンプ７及び第２のグラウンド電極１６Ｂを介して外部に放熱することができる。従って、放熱性を効果的に高めることができる。
　加えて、上記のように、第１のグラウンド電極１６Ａにおける、直列腕共振子または並列腕共振子、並びに配線と対向している部分の面積を小さくできるため、寄生容量を小さくすることもできる。
　なお、実装基板３の第１の最表層３Ａ及び中間層のうち少なくとも１層において、グラウンド電極が２つ以上とされていればよい。もっとも、第１の実施形態のように、第１の最表層３Ａのダイアタッチ面３ａに設けられたグラウンド電極が、第１のグラウンド電極１６Ａ及び第２のグラウンド電極１６Ｂを含むことが好ましい。実装基板３においては、第１の最表層３Ａが、複数の弾性波共振子に最も近い。そのため、第１の最表層３Ａに設けられた電極に、弾性波共振子から特に熱が伝搬し易い。さらに、該電極は寄生容量に特に寄与し易い。第１の実施形態においては、グラウンド電極が分割されて、第１のグラウンド電極１６Ａ及び第２のグラウンド電極１６Ｂとされている。それによって、放熱性をより一層高めることができ、かつ寄生容量を小さくすることができる。
　第２のグラウンド端子６Ｂは、必ずしも１つではなくともよい。並列腕共振子Ｐ１以外の複数の並列腕共振子は、１つの第２のグラウンド端子６Ｂに共通接続されていなくともよい。もっとも、第１の実施形態のように、並列腕共振子Ｐ１以外の複数の並列腕共振子は、１つの第２のグラウンド端子６Ｂに共通接続されていることが好ましい。この場合には、第２のグラウンド端子６Ｂを設ける箇所を減らすことができる。よって、フィルタ装置１を小型にすることができる。さらに、フィルタ装置１が小型である場合には、弾性波共振子間の距離や、端子間の距離が短くなり、放熱性は劣化し易い。そのため、本発明が特に好適である。
　以下において、第１の実施形態における弾性波共振子の具体的な構成を示す。　
　図１０は、第１の実施形態における並列腕共振子の電極構成を示す底面図である。なお、図１０においては、並列腕共振子Ｐ１に接続された配線は省略している。
　並列腕共振子Ｐ１は圧電性基板２を有する。圧電性基板２上にＩＤＴ電極１２が設けられている。ＩＤＴ電極１２に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。圧電性基板２上における、ＩＤＴ電極１２の弾性波伝搬方向両側に、１対の反射器１３Ａ及び反射器１３Ｂが設けられている。
　ＩＤＴ電極１２は、第１のバスバー１７Ａ及び第２のバスバー１７Ｂと、複数の第１の電極指１８Ａ及び複数の第２の電極指１８Ｂとを有する。第１のバスバー１７Ａ及び第２のバスバー１７Ｂは互いに対向している。第１のバスバー１７Ａに、複数の第１の電極指１８Ａの一端がそれぞれ接続されている。第２のバスバー１７Ｂに、複数の第２の電極指１８Ｂの一端がそれぞれ接続されている。複数の第１の電極指１８Ａ及び複数の第２の電極指１８Ｂは互いに間挿し合っている。
　フィルタ装置１の全ての弾性波共振子は、圧電性基板２を共有している。並列腕共振子Ｐ１以外の各弾性波共振子もそれぞれ、並列腕共振子Ｐ１と同様に、ＩＤＴ電極及び反射器を有する。
　図１１は、第２の実施形態における第１の中間層の平面図である。
　本実施形態は、第１の中間層２３Ｂにおいて、１つのグラウンド電極２６が設けられている点で第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第１の実施形態のフィルタ装置１と同様の構成を有する。よって、本実施形態における第１の中間層２３Ｂ以外の構成の説明には、第１の実施形態の構成を説明した図面及び符号を援用する。
　図４を援用して示すように、第１の最表層３Ａにおいては、グラウンド電極は分割されており、第１のグラウンド電極１６Ａ及び第２のグラウンド電極１６Ｂとされている。第１のグラウンド電極１６Ａ及び第２のグラウンド電極１６Ｂは、それぞれビア電極８を介して、図１１に示す１つのグラウンド電極２６に共通接続されている。よって、第１のグラウンド端子６Ａからの放熱経路と、第２のグラウンド端子６Ｂからの放熱経路とが、実装基板内において共通化されている。
　ここで、本実施形態のフィルタ装置において、前述の有限要素法シミュレーションソフトを用いてシミュレーションを行い、各弾性波共振子に一律に１Ｗの電力を印加した場合の温度を求めた。
　図１２は、第２の実施形態における圧電性基板上のヒートマップである。
　図１２及び図９を比較して明らかなように、本実施形態においては、高温となる範囲をより一層狭くすることができている。特に、並列腕共振子Ｐ２及び直列腕共振子Ｓ３において、高温となる範囲が狭くなっている。このように、本実施形態においては、放熱性をより一層高めることができる。これは以下の理由による。
　本実施形態では、第１の実施形態と同様に、最も入力端子４側に配置された並列腕共振子Ｐ１のみが第１のグラウンド端子６Ａに接続されている。よって、電力を印加した際に最も発熱する並列腕共振子Ｐ１から、第１のグラウンド端子６Ａ及びバンプ７を介して、実装基板に効率的に放熱することができる。さらに、本実施形態では、第１のグラウンド端子６Ａからの放熱経路と、第２のグラウンド端子６Ｂからの放熱経路とが、実装基板内において一体とされている。これにより、第１の実施形態においては、第２のグラウンド端子６Ｂからのみであった放熱経路に、第１のグラウンド端子６Ａ側からの熱を伝搬させることができる。このように、第１のグラウンド端子６Ａからの放熱経路を広げることができる。同様にして、並列腕共振子Ｐ２などが接続された第２のグラウンド端子６Ｂからの放熱経路を広げることもできる。
　しかも、第１の中間層２３Ｂに設けられたグラウンド電極２６と、各弾性波共振子との間には、第１の最表層３Ａが設けられている。そのため、グラウンド電極２６の面積を大きくしても、各弾性波共振子からグラウンド電極２６には、配線以外を介しては熱は伝搬し難い。よって、並列腕共振子Ｐ１からの放熱の効率は阻害され難い。従って、フィルタ装置全体として、放熱性をより一層高めることができる。
　加えて、グラウンド電極２６から各弾性波共振子までの距離は、ダイアタッチ面３ａに設けられた各電極から各弾性波共振子までの距離よりも長い。そのため、グラウンド電極２６による寄生容量に対する寄与は比較的小さい。そして、本実施形態においても、ダイアタッチ面３ａにおける電極の構成は第１の実施形態と同様である。よって、寄生容量を小さくすることができる。
　さらに、本実施形態及び比較例のフィルタ装置において電力印加試験を行った。入力した信号の周波数は、通過帯域を含む挿入損失が小さい帯域における高域側の端部の周波数とした。この周波数のＬＴＥ変調信号を入力端子から入力し、出力端子から出力される電力を測定した。なお、電力印加試験を行った比較例は、図７に示した比較例である。
　図１３は、第２の実施形態及び比較例における、入力電力及び出力電力の関係を示す図である。
　図１３に示すように、比較例では、入力電力２９．２ｄＢｍ付近において出力電力がピークとなっている。これに対して、第２の実施形態においては、入力電力２９．２ｄＢｍを越えても出力電力は大きくなり続けている。第２の実施形態では、入力電力３０．２ｄＢｍ付近において出力電力がピークなっている。近年においては、出力電力は２６．５ｄＢｍ以上であることが好ましいとされている。比較例では、この基準を満たせていない。一方で、第２の実施形態では、出力電力を２６．５ｄＢｍ以上とすることができている。
　一般的には、入力電力が小さい領域では、入力電力が大きくなるほど、出力電力が増大していく。しかしながら、入力電力が大きい領域では、各弾性波共振子の発熱により、各弾性波共振子の温度が高くなる。各弾性波共振子の温度が変化すると、各弾性波共振子の周波数特性は変化する。そのため、フィルタ装置において挿入損失が小さい帯域が、温度の変化に応じて低い周波数帯域となる。よって、同じ周波数の信号の入力電力を大きくしたとしても、温度の上昇により、該信号がフィルタ装置を通過し難くなる。その結果、出力電力にピークが現れることとなる。
　これに対して、第２の実施形態においては、フィルタ装置全体としての放熱性を高めることができる。これにより、各弾性波共振子の温度の上昇を抑制することができ、周波数特性の変化を抑制することができる。よって、入力電力を大きくしても、出力電力を増大させることができる。このように、耐電力特性を高めることができる。
　上記の第１の実施形態及び第２の実施形態においては、複数の弾性波共振子が構成された部分はＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）型である。もっとも、複数の弾性波共振子が構成された部分はＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ）型であってもよい。この例を以下において示す。
　図１４は、第３の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図１４においては、弾性波共振子の電極を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。
　本実施形態は、複数の弾性波共振子が構成された部分がＷＬＰ型である点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第１の実施形態のフィルタ装置１と同様の構成を有する。
　圧電性基板２上には、複数の弾性波共振子のＩＤＴ電極を囲むように、支持部材３４が設けられている。より具体的には、支持部材３４は開口部３４ａを有する。複数のＩＤＴ電極は、開口部３４ａ内に位置している。なお、支持部材３４は入力端子４及び第１のグラウンド端子６Ａなどの複数の端子の少なくとも一部を覆っている。
　支持部材３４上に、開口部３４ａを塞ぐように、カバー部材３５が設けられている。これにより、カバー部材３５、支持部材３４及び圧電性基板２によって囲まれた中空部が設けられている。この中空部内に、複数の弾性波共振子のＩＤＴ電極が配置されている。
　カバー部材３５及び支持部材３４を貫通するように、複数の貫通電極３６が設けられている。各貫通電極３６の一方端は、各端子に接続されている。各貫通電極３６の他方端には、バンプ７が接合されている。複数のバンプ７は実装基板３に接合されている。
　本実施形態においても、並列腕共振子Ｐ１のみが第１のグラウンド端子６Ａに接続されており、かつ実装基板３の第１の最表層３Ａにおいて、グラウンド電極が分割されて２つとされている。それによって、第１の実施形態と同様に、放熱性を効果的に高めることができる。
１…フィルタ装置
２…圧電性基板
３…実装基板
３Ａ…第１の最表層
３Ｂ，３Ｃ…第１，第２の中間層
３Ｄ…第２の最表層
３ａ…ダイアタッチ面
４…入力端子
５…出力端子
６Ａ，６Ｂ…第１，第２のグラウンド端子
７…バンプ
８…ビア電極
９…封止樹脂層
１２…ＩＤＴ電極
１３Ａ，１３Ｂ…反射器
１４Ａ～１４Ｃ…入力用電極
１５Ａ～１５Ｃ…出力用電極
１６Ａ，１６Ｂ…第１，第２のグラウンド電極
１６Ｃ，１６Ｄ…第１，第２のグラウンド電極
１６Ｅ，１６Ｆ…第１，第２のグラウンド電極
１７Ａ，１７Ｂ…第１，第２のバスバー
１８Ａ，１８Ｂ…第１，第２の電極指
２３Ｂ…第１の中間層
２６…グラウンド電極
３４…支持部材
３４ａ…開口部
３５…カバー部材
３６…貫通電極
Ｐ１～Ｐ４…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ４…直列腕共振子

Claims (5)

  1. 　圧電性基板と、
    　前記圧電性基板上に設けられている入力端子及び出力端子と、
    　前記圧電性基板上に設けられている第１のグラウンド端子、及び少なくとも１つの第２のグラウンド端子を含む複数のグラウンド端子と、
    　前記圧電性基板上において構成されている複数の直列腕共振子、及び少なくとも３個の複数の並列腕共振子と、
    　前記入力端子、前記出力端子及び前記複数のグラウンド端子に電気的に接続されている実装基板と、
    を備え、
    　前記実装基板が、ダイアタッチ面を含む第１の最表層と、第２の最表層と、前記第１の最表層及び前記第２の最表層の間に設けられている少なくとも１層の中間層と、前記第１の最表層及び前記中間層にそれぞれ設けられており、かつ前記グラウンド端子に電気的に接続されているグラウンド電極と、を有し、
    　最も前記入力端子側に配置された前記並列腕共振子が前記第１のグラウンド端子に接続されており、他の前記複数の並列腕共振子が前記第２のグラウンド端子に接続されており、前記実装基板の前記第１の最表層及び前記中間層のうち少なくとも１層において、前記グラウンド電極が２つ以上とされている、フィルタ装置。
  2. 　前記第１の最表層の前記ダイアタッチ面に設けられた前記グラウンド電極が、第１のグラウンド電極及び第２のグラウンド電極を含み、前記第１のグラウンド端子が前記第１のグラウンド電極に接続されており、前記第２のグラウンド端子が前記第２のグラウンド電極に接続されている、請求項１に記載のフィルタ装置。
  3. 　前記第１の最表層における前記第１のグラウンド電極及び前記第２のグラウンド電極が、前記中間層に設けられている１つの前記グラウンド電極に共通接続されている、請求項２に記載のフィルタ装置。
  4. 　前記複数の並列腕共振子のうち、最も前記入力端子側に配置された並列腕共振子以外の複数の並列腕共振子が、１つの前記第２のグラウンド端子に共通接続されている、請求項１～３のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  5. 　送信フィルタである、請求項１～４のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
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