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WO2020189290A1 - Led発光装置 - Google Patents

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Publication number
WO2020189290A1
WO2020189290A1 PCT/JP2020/009247 JP2020009247W WO2020189290A1 WO 2020189290 A1 WO2020189290 A1 WO 2020189290A1 JP 2020009247 W JP2020009247 W JP 2020009247W WO 2020189290 A1 WO2020189290 A1 WO 2020189290A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
resin
emitting device
light emitting
led
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/009247
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
有章 志田
井 宏元
幸宏 牧島
Original Assignee
コニカミノルタ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コニカミノルタ株式会社 filed Critical コニカミノルタ株式会社
Priority to CN202080021373.0A priority Critical patent/CN113574684B/zh
Priority to JP2021507178A priority patent/JPWO2020189290A1/ja
Publication of WO2020189290A1 publication Critical patent/WO2020189290A1/ja

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/854Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins

Definitions

  • the present invention relates to an LED light emitting device. More specifically, it prevents deterioration and corrosion of LED elements, phosphor particles, and LED constituent materials due to moisture and corrosive gas (for example, halogen element, hydrogen sulfide gas, etc.), prevents discoloration, and is durable. And an LED light emitting device having improved light emission stability.
  • moisture and corrosive gas for example, halogen element, hydrogen sulfide gas, etc.
  • LED Light Emitting Diode
  • Such an LED light emitting device generally has a structure in which an LED element is arranged on a heat-dissipating lead frame such as a copper substrate, connected to an electrode, and then sealed by embedding the LED element with a translucent resin.
  • the LED light emitting device As a specific configuration of the LED light emitting device, as the first configuration, LED elements that emit light of three colors of red, green, and blue are arranged, and the three colors of light are synthesized by lighting these. Then, a method of obtaining white light can be mentioned. Further, as a second configuration, for example, a white LED device in which a phosphor such as a YAG phosphor is arranged in the vicinity of a gallium nitride (GaN) -based blue LED element has been developed. In the white LED device, white light is obtained by mixing blue light emitted by a blue LED element and yellow light emitted by a phosphor in response to blue light. Further, a white LED device in which various phosphors are arranged in the vicinity of the blue LED element has also been developed.
  • a phosphor such as a YAG phosphor is arranged in the vicinity of a gallium nitride (GaN) -based blue LED element
  • white light is obtained by mixing blue light emitted by a blue LED element with red light or green light emitted by a phosphor in response to blue light.
  • a white LED device is widely applied as a substitute for a conventional fluorescent lamp, an incandescent lamp, or the like, and further improvement in light extraction efficiency and extension of life are required.
  • the mounting type has evolved from SMT type (SMT type, Surface Mount Technology) to FlipChip with the miniaturization of LED elements, and further, as a mounting specification of CSP type (Chip Size Package), Smartphones, miniaturized MiniLEDs, and ⁇ LEDs are appearing.
  • SMT type Surface Mount Technology
  • CSP type Chip Size Package
  • Smartphones miniaturized MiniLEDs
  • ⁇ LEDs are appearing.
  • the color material of the LED whose wavelength is converted by the dye is vulnerable to moisture. Deterioration of coloring materials due to the intrusion of gas has become apparent.
  • a reflection layer (reflector) is provided around the connection electrode and the LED element made of a metal material.
  • the connection electrodes and the reflective layer made of a metal material (for example, silver or the like) constituting the LED light emitting device are easily corroded by the hydrogen sulfide gas contained in the usage environment of the LED light emitting device. When such deterioration of the LED element or metal corrosion occurs, the efficiency of extracting light from the LED light emitting device is lowered. Therefore, in a general LED device, the LED element and the metal member are directly sealed with an epoxy resin, a silicone resin, or the like (see, for example, Patent Document 1).
  • epoxy resin is easily deteriorated by heat and light. Further, the epoxy resin has a problem that it is easily deteriorated by light having a short wavelength (for example, blue light) and the resin itself is easily colored. In the configuration in which the LED element is directly sealed with the epoxy resin, the epoxy resin is easily affected by light or heat from the LED element, and the resin is likely to be deteriorated or colored.
  • silicone resin has a low gas barrier property against water vapor and hydrogen sulfide gas, and deterioration of LED elements and corrosion of metal materials cannot be sufficiently suppressed only by sealing with silicone resin. As a result, there is a problem that the durability and the light emission stability of the LED light emitting device are gradually lowered only by forming the sealing structure with the epoxy resin or the silicone resin alone.
  • the present invention has been made in view of the above problems and situations, and the problem to be solved thereof is an LED element, a phosphor particle, and an LED configuration using moisture or a corrosive gas (for example, halogen element, hydrogen sulfide gas, etc.). It is an object of the present invention to provide an LED light emitting device which prevents deterioration and corrosion of a material, prevents discoloration, and has improved durability and light emission stability.
  • a corrosive gas for example, halogen element, hydrogen sulfide gas, etc.
  • the present inventor has at least an LED element and a resin layer on the base material, and has a specific structure on the surface of the LED element or in the resin layer.
  • An LED light emitting device having at least an LED element and a resin layer on a base material.
  • the surface of the LED element has at least an organometallic oxide-containing film having a structure represented by the following general formula (1) or an organometallic oxide-containing film having a structure represented by the following general formula (2).
  • An LED light emitting device characterized by this.
  • R represents a hydrogen atom, an alkyl group having one or more carbon atoms, an alkenyl group, an aryl group, a cycloalkyl group, an acyl group, an alkoxy group, or a heterocyclic group. However, R may be a carbon chain containing a fluorine atom as a substituent.
  • M 1 represents a metal atom selected from Ti, Zn, Sn, Al, Si and Zr.
  • M 2 represents a metal atom selected from Cu, Ag, Au, Mn, Co and Ni.
  • OR 1 and OR 2 each represent a fluorinated alkoxy group.
  • x represents the valence of the metal atom and y represents any integer between 1 and x.
  • n represents the degree of polycondensation.
  • An organometallic oxide-containing film having a structure represented by the general formula (1) and an organometallic oxide-containing film having a structure represented by the following general formula (2) are laminated on the surface of the LED element.
  • An LED light emitting device having at least an LED element and a resin layer on a base material.
  • the resin layer contains at least organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the following general formula (1) or organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the following general formula (2).
  • An LED light emitting device characterized by this.
  • R represents a hydrogen atom, an alkyl group having one or more carbon atoms, an alkenyl group, an aryl group, a cycloalkyl group, an acyl group, an alkoxy group, or a heterocyclic group. However, R may be a carbon chain containing a fluorine atom as a substituent.
  • M 1 represents a metal atom selected from Ti, Zn, Sn, Al, Si and Zr.
  • M 2 represents a metal atom selected from Cu, Ag, Au, Mn, Co and Ni.
  • OR 1 and OR 2 each represent a fluorinated alkoxy group.
  • x represents the valence of the metal atom and y represents any integer between 1 and x.
  • n represents the degree of polycondensation.
  • the resin layer is characterized by containing organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (1) and organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (2).
  • the LED light emitting device according to the third item is characterized by containing organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (1) and organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (2).
  • the resin layer contains organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (1) or organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (2).
  • the LED light emitting device according to the first item contains organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (1) or organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (2).
  • the fluorescent dye is sensitive to moisture, so it is caused by the moisture derived from the external environment.
  • the chromaticity conversion efficiency changes, and the emitted color changes.
  • the bonding wire contains a trace amount of sulfur on the order of ppm, and halogen ions such as Cl, which are derived from the external environment, invade, causing corrosion of the lead frame, the bonding wire, and the connection portion of the electrode terminal. It turned out to be.
  • LED packages and LED modules are packed and shipped to users, and the packing materials used for these and hydrogen sulfide gas derived from the environment also connect lead frames, bonding wires, and electrode terminals. It has been found that the portion is corroded, and particularly when Ag is used for a reflector or the like, the reactivity is high, so that significant corrosion is caused.
  • the present inventor of the present invention is an organic metal oxide that efficiently traps water, hydrogen sulfide, halogen molecules, halogen ions, etc. as an adsorbing material, particularly preferably the present invention.
  • the organic metal oxide having the structure represented by the general formula (1) or the organic metal oxide having the structure represented by the general formula (2) according to the above is contained in the resin layer in the state of particles.
  • a sealing layer containing an organic metal oxide having a function of trapping water, hydrogen sulfide gas, halogen component, etc. in the LED light emitting device, water, halogen component, hydrogen sulfide gas, etc. We were able to obtain a highly reliable sealing layer that can prevent corrosion of the metal terminals and reflectors that make up the LED element.
  • sulfur and halogen components existing in the sealing layer halogen components invading from the outside, such as chlorine, react with water and hydrogen inside and outside the resin to become HCl, and in the additive and composition.
  • SO 2 and H 2 S are generated by the reaction of water like the sulfur compounds present in. The water will generate HCl by reacting with halogen, more H 2 S is directly cause corrosion and migration of the reaction easily Cu wiring and Cu.
  • Schematic cross-sectional view showing another example of the structure of the surface mount type (SMT) LED light emitting device of the present invention, which contains organometallic oxide-containing particles in the sealing layer (Embodiment 2).
  • Embodiment 3 Schematic cross-sectional view showing an example of a configuration in which the LED surface is coated with an organometallic oxide in the surface mount type (SMT) LED light emitting device of the present invention (Embodiment 4).
  • Schematic cross-sectional view (Embodiment 5) showing another example of the structure of the surface mount type (SMT) LED light emitting device of the present invention in which the LED surface is coated with an organometallic oxide.
  • FIG. 6 Schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the CSP type LED light emitting device of the present invention, in which the sealing layer contains organometallic oxide-containing particles and the LED surface is coated with the organometallic oxide (Embodiment 6).
  • FIGmatic top view showing an example of the configuration of the CSP type LED light emitting device of the present invention in which the sealing layer contains organometallic oxide-containing particles and the LED surface is coated with the organometallic oxide (Embodiment 6).
  • FIG. 7 Schematic cross-sectional view showing an example of a configuration in which organic metal oxide-containing particles are contained in a sealing layer in the TFT type LED light emitting device of the present invention (Embodiment 7).
  • Schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the TFT type LED light emitting device of the present invention in which two kinds of organometallic oxide-containing particles are contained in the sealing layer (Embodiment 8).
  • Schematic cross-sectional view showing an example of the structure of the TFT type LED light emitting device of the present invention, in which the sealing layer contains organometallic oxide-containing particles and the LED surface is coated with the organometallic oxide (Embodiment 9).
  • Schematic cross-sectional view showing an example of a configuration in which an organic metal oxide-containing particle is contained in a phosphor-containing layer on an LED element in another TFT type LED light emitting device of the present invention (Embodiment 10).
  • Schematic cross-sectional view showing another example of a configuration in which an organic metal oxide-containing particle is contained in a phosphor-containing layer on an LED element in another TFT type LED light emitting device of the present invention (Embodiment 11).
  • the LED light emitting device of the present invention is an LED light emitting device having at least an LED element and a resin layer on a base material, and has a structure represented by at least the general formula (1) on the surface of the LED element.
  • an organometallic oxide-containing film having a structure represented by the general formula (1) and the general one on the surface of the LED element It is preferable to have a structure in which an organometallic oxide-containing film having a structure represented by the formula (2) is laminated, in that the objective effect of the present invention can be more exhibited.
  • the resin layer simultaneously contains the organometallic oxide-containing particles having the structure represented by the general formula (1) and the organometallic oxide-containing particles having the structure represented by the general formula (2).
  • the configuration is preferable in that the objective effect of the present invention can be more exhibited.
  • the surface of the LED element is coated with an organometallic oxide-containing film having a structure represented by the general formula (1) or an organometallic oxide-containing film having a structure represented by the general formula (2).
  • the resin layer is configured to contain organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (1) or organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (2). It is preferable that the target effect of the present invention can be more exhibited.
  • the LED light emitting device of the present invention is an LED light emitting device having at least an LED element and a resin layer on a base material, and is an organic having at least a structure represented by the general formula (1) on the surface of the LED element.
  • One feature is that it has a metal oxide-containing film or an organic metal oxide-containing film having a structure represented by the general formula (2).
  • the organometallic oxide-containing film referred to in the present invention is a film containing an organometallic oxide as a main component and has a structure in which a component such as a binder is hardly contained.
  • the LED light emitting device of the present invention is an LED light emitting device having at least an LED element and a resin layer on a base material, and the resin layer has at least a structure represented by the following general formula (1). It is characterized by containing organic metal oxide-containing particles having an organic metal oxide-containing particles or organic metal oxide-containing particles having a structure represented by the following general formula (2).
  • the surface mount type (SMT type, Surface Mount Technology) LED light emitting device is a surface mount type (SMT type, Surface Mount Technology) LED light emitting device in which an LED element is placed on a substrate having a metal terminal (lead frame) and the LED element and the electrode are connected by a bonding wire. It is a mounting method.
  • the CSP type (Chip Size Package) LED light emitting device having a different chip size has a metalized anode and cathode in the LED element itself and is directly soldered to the circuit board. It is a mounting method.
  • the TFT type LED light emitting device referred to in the present invention is a method in which a TFT is provided to control the light emission of the LED.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of an SMT type LED light emitting device containing organometallic oxide-containing particles according to the present invention.
  • the LED light emitting device 100 shown in FIG. 2 shows a surface mount type (SMT type) LED light emitting device, and a lead frame 3 as an electrode and an LED element 7 are connected on an insulating substrate 2 constituting a package substrate P. It is connected via the terminal 6, and is connected to the lead frame 3 via the solder 8 provided on the surface of the LED element 7 and the bonding wire 9.
  • SMT type surface mount type
  • a resin layer 10 is provided so as to cover the LED element 7, the bonding wire 9, the lead frame 3, and the like.
  • the particulate organic metal oxide according to the present invention is provided together with the phosphor particles 11. It is a structure containing.
  • FIG. 2 shows an example composed of Ti organometallic oxide-containing particles 12 as the organometallic oxide.
  • a reflective layer 5 is further formed around the resin layer 10.
  • the reflective layer 5 may or may not be present.
  • the reflective layer 5 is preferably made of Ag having a high reflectance, and metals such as Al, Ni, and Ti can be used in addition to Ag.
  • the phosphor 11 contained in the resin layer 10 is inactivated by water, it is possible to provide the LED light emitting device 100 capable of maintaining the color purity for a long time by capturing the water.
  • the surface mount type (SMT) LED light emitting device shown in FIG. 1 is a comparative example, and has a configuration in which only the phosphor particles 11 are contained in the resin layer 10 with respect to the configuration of the present invention shown in FIG. is there.
  • the organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (1) together with the phosphor particles 11 in the resin layer 10, for example, Ti organic metal A configuration example in which the oxide-containing particles 12 and the organometallic oxide-containing particles having the structure represented by the general formula (2), for example, the Cu organometallic oxide-containing particles 13 are simultaneously contained is shown.
  • the resin layer 10 contains the organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (1) as the organometallic oxide-containing particles together with the phosphor particles 11.
  • the organometallic oxide-containing film using a certain Ti organometallic oxide-containing particle 12 a Cu organometallic oxide-containing film 13B is used as the organometallic oxide-containing film having a structure represented by the general formula (2). An example of the formation is shown.
  • the coating liquid is applied to a predetermined position by, for example, a conventionally known wet coating method. Can be formed.
  • FIG. 5 shows an example of forming the organometallic oxide-containing film using the Ti organometallic oxide-containing film 12B as the organometallic oxide-containing film having the structure represented by the general formula (1). ..
  • the surface of the LED element is provided with an organometallic oxide-containing film having a structure represented by the general formula (1) and an organometallic oxide-containing film having a structure represented by the general formula (2).
  • the configuration formed at the same time can also be increased.
  • the LED element 7, the lead frame 3, the connection terminal 6, the solder 8 provided on the surface of the LED element 7, and the surface of the bonding wire 9 are used as the first step.
  • a Cu organic metal oxide-containing film 13B is formed, and then a structure represented by the general formula (1) is formed above the Cu organic metal oxide-containing film 13B.
  • a Ti organic metal oxide-containing film 12B may be formed.
  • FIG. 7A is a cross-sectional view of a CSP type LED light emitting device, and FIG. 7B is a top view thereof.
  • a plurality of LED elements 7 are arranged on the package substrate P, an electrode pattern is formed on each LED element 7, and an anode electrode 103 and a cathode electrode are formed on one side.
  • the LED element 7 in which 112 is also formed of solder bumps is connected to the package substrate P, and the phosphor 11 and the metal according to the present invention are protected so as to protect the package substrate P and the LED element 7 in the same manner as in the configuration of FIG.
  • a structure represented by the general formula (2) which comprises covering the surface of the resin layer 10 containing oxide-containing particles, for example, the Ti organic metal oxide-containing film 12, the LED element 7, and the electrodes 103 and 112.
  • the organic metal oxide-containing film having the above the Mn organic metal oxide-containing film 15B is formed.
  • the electrode portion is extremely corroded by deactivating the phosphor due to water and capturing water, halogen, halogen ions, hydrogen sulfide and the like. It can be prevented efficiently.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the LED light emitting device of the present invention, in which one kind of particulate organic metal oxide according to the present invention is contained in a resin layer that seals an LED element that emits white light. It is a constitution containing it (Embodiment 7).
  • TFT Thin Film Transistor
  • a mortar-shaped (inverted conical) package 4 and a reflective layer 5 made of a metal material such as Ag are formed on the surface of the peripheral portion of the LED element 7 on the TFT substrate 102.
  • a resin layer 10 is formed in which a sealing resin and an organometallic oxide according to the present invention, for example, Ti organometallic oxide-containing particles 12 and phosphor particles 11 are filled.
  • a glass plate 106 is arranged on the outermost surface of the LED light emitting device 100.
  • the organic metal oxide-containing particles according to the present invention for example, Ti organic metal oxide-containing particles 12, which are present in a dispersed state in the resin layer, invade from the outside of the LED light emitting device 100.
  • corrosive gas such as hydrogen sulfide, halogen molecules, halogen ions, or water
  • the constituent materials and reflective layer of the LED element 7 are captured. Corrosion of metal components such as silver constituting 5 can be prevented extremely efficiently.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the LED light emitting device of the present invention, in which two kinds of particulate organic metal oxides according to the present invention are contained in a resin layer that seals an LED element that emits white light. The composition contained is shown (Embodiment 8).
  • the basic configuration of the LED light emitting device 100 shown in FIG. 9 is the same as the configuration described in FIG. 8 above, and the organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (1) in the resin layer 10
  • the organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (1) in the resin layer 10 For example, a Ti organometallic oxide-containing particle 12 and an organometallic oxide-containing particle having a structure represented by the general formula (2), for example, a Cu organometallic oxide-containing particle 13 are simultaneously contained. is there.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing another example of the configuration of the LED light emitting device of the present invention.
  • the LED element 7, the terminal electrode 114, and the connection terminal 112 are further arranged.
  • the surface is coated with a Cu organometallic oxide-containing film 13B as an organometallic oxide according to the present invention, for example, an organometallic oxide-containing film having a structure represented by the general formula (2).
  • the basic configuration is the same as that of the LED light emitting device described in FIGS. 9 and 10, but the LED element 7 is mainly composed of monochromatic light emitting, and the LED element 7
  • the phosphor-containing layer 115 is formed on the light emitting surface of the above.
  • the phosphor-containing layer 115 is mainly composed of the phosphor particles 11 and the fluorescent resin 116, and further contains the organometallic oxide-containing particles according to the present invention, for example, Ti organometallic oxide-containing particles 12. It is a feature that it is.
  • the phosphor particles 11 contained in the phosphor-containing layer 115 are excited by the wavelength (excitation wavelength) of the light emitted by the LED element 7 and have a wavelength different from the excitation wavelength. It emits fluorescence.
  • a white light emitting LED light emitting device can be obtained by adding the phosphor particles 11 that emit yellow fluorescence to the phosphor containing layer 115.
  • an example of the phosphor particles 11 that emit yellow fluorescence is a YAG (yttrium aluminum garnet) phosphor.
  • the YAG phosphor emits yellow (wavelength 550 to 650 nm) fluorescence using blue light (wavelength 420 to 485 nm) emitted from the blue LED element as excitation light.
  • the Ti organic metal oxide-containing particles 12 are also present in the phosphor-containing layer 115 having the configuration shown in FIG. 11 as the organic metal oxide-containing particles according to the present invention.
  • the corrosive gas such as hydrogen sulfide, halogen molecule, halogen ion, or water that invades from, the deterioration of the phosphor particles 11 due to these gases can be prevented.
  • the organometallic oxide-containing particles having the structure represented by the general formula (1) and the organometallic oxide having the structure represented by the general formula (2). Containing particles can also be used in combination.
  • an organometallic oxide-containing particle is contained in the phosphor-containing layer, and the surfaces of the LED element 7, the terminal electrode 114, and the connection terminal 112 are made of an organometallic oxide according to the present invention, for example, a general formula ( As the organometallic oxide-containing film having the structure represented by 2), the Cu organometallic oxide-containing film 13B is formed.
  • the organometallic oxide according to the present invention is an organometallic oxide having a structure represented by the following general formula (1) or general formula (2) produced from a compound represented by the following general formula (A). It is preferably contained as a main component.
  • the "main component” means that the composition ratio of the organometallic oxide having the structure represented by the general formula (1) or the general formula (2) is 70% by mass or more in the total mass of the organometallic oxide. , More preferably 80% by mass or more, and particularly preferably 90% by mass or more.
  • R represents a hydrogen atom, an alkyl group having one or more carbon atoms, an alkenyl group, an aryl group, a cycloalkyl group, an acyl group, an alkoxy group, or a heterocyclic group. However, R may be a carbon chain containing a fluorine atom as a substituent.
  • M represents a metal atom.
  • OR 1 represents a fluorinated alkoxy group.
  • x represents the valence of the metal atom and y represents any integer between 1 and x.
  • an organometallic oxide-containing film having a structure represented by the general formula (1) or an organometallic oxide having a structure represented by the general formula (2) is formed on the surface of the LED element.
  • the structure having the containing film or the resin layer is at least the organometallic oxide-containing particles having the structure represented by the general formula (1), or the organometallic oxide-containing particles having the structure represented by the general formula (2). It is characterized by containing.
  • R represents a hydrogen atom, an alkyl group having one or more carbon atoms, an alkenyl group, an aryl group, a cycloalkyl group, an acyl group, an alkoxy group, or a heterocyclic group. However, R may be a carbon chain containing a fluorine atom as a substituent.
  • M 1 represents a metal atom selected from Ti, Zn, Sn, Al, Si and Zr.
  • M 2 represents a metal atom selected from Cu, Ag, Au, Mn, Co and Ni.
  • OR 1 and OR 2 each represent a fluorinated alkoxy group.
  • x represents the valence of the metal atom and y represents any integer between 1 and x.
  • n represents the degree of polycondensation, respectively.
  • OR 1 and OR 2 represent a fluoride alkoxy group, respectively, while R 1 and R 2 are an alkyl group or an aryl group substituted with at least one fluorine atom. Represents a cycloalkyl group, an acyl group, an alkoxy group, or a heterocyclic group. Specific examples of each substituent will be described later.
  • R represents a hydrogen atom, an alkyl group having one or more carbon atoms, an alkenyl group, an aryl group, a cycloalkyl group, an acyl group, an alkoxy group, or a heterocyclic group. Alternatively, at least a part of hydrogen of each group may be substituted with halogen. It may also be a polymer.
  • Alkyl groups are substituted or unsubstituted, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group and octyl.
  • nonyl group decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecil group, icosyl group, henicosyl group, docosyl and the like, but carbon is preferable. Those with a number of 8 or more are preferable. Further, these oligomers and polymers may be used.
  • the alkenyl group is substituted or unsubstituted, and specific examples thereof include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, a hexenyl group and the like, and preferably one having 8 or more carbon atoms. Further, these oligomers or polymers may be used.
  • the aryl group is substituted or unsubstituted, and specific examples thereof include a phenyl group, a tolyl group, a 4-cyanophenyl group, a biphenyl group, an o, m, p-terphenyl group, a naphthyl group, an anthranyl group, and a phenanthrenyl group.
  • substituted or unsubstituted alkoxy group are a methoxy group, an n-butoxy group, a tert-butoxy group, a trichloromethoxy group, a trifluoromethoxy group and the like, preferably those having 8 or more carbon atoms. Further, these oligomers and polymers may be used.
  • substituted or unsubstituted cycloalkyl group examples include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbonan group, an adamantane group, a 4-methylcyclohexyl group, a 4-cyanocyclohexyl group and the like, preferably those having 8 or more carbon atoms. Is good. Further, these oligomers or polymers may be used.
  • substituted or unsubstituted heterocyclic group examples include a pyrrol group, a pyrrolin group, a pyrazole group, a pyrazoline group, an imidazole group, a triazole group, a pyridine group, a pyridazine group, a pyrimidine group, a pyrazine group, a triazine group, and an indol group.
  • Benzimidazole group purine group, quinoline group, isoquinoline group, quinoline group, quinoxalin group, benzoquinoline group, fluorenone group, dicyanofluorenone group, carbazole group, oxazole group, oxadiazole group, thiazole group, thiazazole group, benzoxazole group , Benzoxthazole group, benzotriazole group, bisbenzoxazole group, bisbenzothiazole group, benzbenzimidazole group and the like. Further, these oligomers or polymers may be used.
  • substituted or unsubstituted acyl group examples include a hole mill group, an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, an isobutyryl group, a valeryl group, an isovaleryl group, a pivaloyl group, a lauroyl group, a myritoyl group, a palmitoyl group, and a stearoyl group.
  • Nicotinoyl group isonicotinoyl group, glycoloyl group, lactoyl group, glyceroyl group, tartronoyl group, maloyl group, tartaroyl group, tropoil group, benziloyl group, salicyloyl group, anisoyl group, vanilloyl group, veratroyl group, piperoniloyl group, protocatechuyl group.
  • Galoyl group Galoyl group, glyoxyloyl group, pyruvoyl group, acetoacetyl group, mesooxalyl group, mesooxalo group, oxalacetyl group, oxalacet group, lebrinoyl group May be good.
  • the acyl group has 8 or more carbon atoms. Further, these oligomers or polymers may be used.
  • Examples of the metal alkoxide or metal carboxylate according to the present invention include the following compounds represented by M (OR) n or M (OCOR) n, and the organometallic oxide according to the present invention is the above-mentioned (R'-OH: F). When combined with -1 to F-16), it becomes a compound having the structure of the following exemplified compound numbers 1 to 110 (see the following exemplified compounds I, II and III).
  • the organometallic oxide according to the present invention is not limited to this.
  • the organometallic oxide according to the present invention exhibits reactivity as shown in the following reaction scheme II and reaction scheme III.
  • "M" in the "OM” portion further has a substituent, but is omitted.
  • reaction scheme III when two kinds of metal oxides having different metal species coexist, they have the reactivity as shown in the following reaction scheme III.
  • the fluorinated alcohol produced by hydrolysis is water-repellent or hydrophobic, in addition to the original drying property (desiccant property), a water-repellent function is added by reaction with water. It has a characteristic that it exerts a synergistic effect (synergy effect) on the sealing property.
  • iodine (I 2) having a corrosive and reacts with the gas to trap iodine to generate a silver iodide, relatively stable poly iodine ions (I 3 -, I 5 - and I 7 -) is generated.
  • the method for producing an organometallic oxide according to the present invention is characterized in that it is produced using a mixed solution of a metal alkoxide and a fluoroalcohol.
  • a catalyst for the hydrolysis / polymerization reaction as shown below may be added for the purpose of promoting the hydrolysis / polycondensation reaction.
  • the ones used as catalysts for the hydrolysis / polymerization reaction of the sol-gel reaction are "Technology for producing functional thin films by the latest sol-gel method” (written by Satoshi Hirashima, General Technology Center Co., Ltd., P29) and "Sol-gel". It is a catalyst used in a general sol-gel reaction described in "Science of Law” (Sumio Sakka, Agne Shofusha, P154).
  • examples of acid catalysts include inorganic and organic acids such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, acetic acid, oxalic acid, tartaric acid, and toluenesulfonic acid.
  • the amount of the catalyst used is preferably 2 molar equivalents or less, more preferably 1 molar equivalent or less, with respect to 1 mol of the metal alkoxide or metal carboxylate used as the raw material of the organometallic oxide.
  • the preferable amount of water added is 40 molar equivalents or less, more preferably 10 molar equivalents or less, with respect to 1 mol of the metal alkoxide or metal carboxylate as a raw material of the organic metal oxide. It is more preferably 5 molar equivalents or less.
  • the preferable reaction concentration, temperature, and time of the sol-gel reaction cannot be unconditionally stated because the types and molecular weights of the metal alkoxide or metal carboxylate used and the respective conditions are related to each other. That is, when the molecular weight of the alkoxide or metal carboxylate is high, or when the reaction concentration is high, if the reaction temperature is set high or the reaction time is set too long, the reaction product accompanies the hydrolysis and polycondensation reactions. There is a possibility that the molecular weight of the alkoxide will increase, resulting in high viscosity and gelation.
  • the usual preferable reaction concentration is generally in the range of 1 to 50% in terms of the mass% concentration of the solid content in the solution, and more preferably in the range of 5 to 30%.
  • the reaction temperature is usually in the range of 0 to 150 ° C., preferably in the range of 1 to 100 ° C., more preferably in the range of 20 to 60 ° C.
  • the reaction time is in the range of 0 to 150 ° C., although it depends on the reaction time. It is preferably in the range of 1 to 50 hours.
  • the value F / (C + F) of the ratio of the number of fluorine atoms to the total number of carbon atoms and the total number of fluorine atoms in the organometallic oxide contained in the resin layer is within the range of 0.05 to 1.00. Is preferable from the viewpoint of water repellency or hydrophobicity. That is, it is preferable that the fluorine ratio in the organometallic complex oxide according to the present invention satisfies the following formula (a).
  • the measurement significance of the formula (a) is to quantify that the organic thin film produced by the sol-gel method requires a certain amount or more of fluorine atoms.
  • F and C in the above formula (a) represent the concentrations of fluorine atoms and carbon atoms, respectively.
  • a more preferable range is the range of 0.2 ⁇ F / (C + F) ⁇ 0.6.
  • the fluorine ratio is determined by applying the sol-gel solution used for forming an organic thin film onto a silicon wafer to form a thin film, and then applying the thin film to an SEM / EDS (Energy Dispersive X-ray Spectoroscopy, energy dispersive X-ray analyzer. ) Can be used to determine the concentrations of fluorine atoms and carbon atoms, respectively.
  • SEM / EDS Energy Dispersive X-ray Spectoroscopy, energy dispersive X-ray analyzer.
  • JSM-IT100 manufactured by JEOL Ltd.
  • SEM / EDS analysis has the feature of being able to detect elements accurately at high speed and with high sensitivity.
  • the organic metal oxide according to the present invention can be prepared by using the sol-gel method.
  • the general according to the present invention among the metals introduced on pages 13 and 20 of "Science of the sol-gel method", the general according to the present invention.
  • a metal atom selected from Ti, Zn, Sn, Al, Si and Zr as M 1 is also represented by the general formula (2).
  • Epoxy resins have generally been widely used as the resin for forming the sealing layer, but in order to meet the recent demand for longer life of light emitting devices, silicone resin materials that are less likely to cause discoloration (yellowing) have been adopted. There is. Silicone resin materials such as modified polydimethylsiloxane (PDMS) compounds that can reduce organic components are also used for the heat resistance required for high power LED elements.
  • PDMS modified polydimethylsiloxane
  • various materials can be used, for example, a low molecular weight organic matrix, an organic resin matrix, a low molecular weight inorganic matrix, and an inorganic resin matrix (for example).
  • a low molecular weight organic matrix for example, Polysiloxane, fluorinated silicon oxide, phosphazene, etc.
  • a matrix composed of a composite thereof for example, an organic silica film made of silicone, trifluoromethylsilane, trimethoxyphenylsilane, triethoxymethylsilane, etc., inorganic to the organic matrix. Examples thereof include those filled with compounds, organic-inorganic hybrid films).
  • the material constituting the low-molecular-weight organic matrix may be any material that is vitrified by mixing crystalline low-molecular-weight compounds or any material that can form a matrix with low molecules.
  • crystalline low-molecular-weight compounds or any material that can form a matrix with low molecules.
  • Phthalocyanine, benzocyclobutene and the like are known.
  • substances such as those found in JP-A-8-32117 and JP-A-11-116663 can be exemplified.
  • silicone resin examples include resins containing a siloxane bond having an organic group such as an alkyl group and an aromatic group as a constituent unit.
  • the alkyl group is not particularly limited, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an iobutyl group, a sec-butyl group, and a tert-butyl group.
  • the aromatic group is not particularly limited, and examples thereof include a phenyl group and a tolyl group.
  • Silicone resins can also be obtained as commercial products, and reactive modified silicone resins include amino, epoxy, carboxyl, hydroxyl groups, methacryl, mercapto, phenol, etc. at the side chain, one end or both ends of polysiloxane. It is a substituted reactive type modified silicone resin.
  • amino-modified silicone resin examples include KF-860, KF-861, X-22-161A, X-22-161B (manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.), FM-3311, FM-3325 (and above).
  • KF-6001, KF-6003 (above, manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.) as carbinol-modified silicone resin
  • X-22-164C above, Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.
  • methacryl-modified silicone resin examples of the mercapto-modified silicone resin include KF-2001 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.), and examples of the phenol-modified silicone resin include X-22-1821 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.).
  • hydroxyl group-modified silicone resin examples include FM-4411, FM-4421, FM-DA21, FM-DA26 (all manufactured by Chisso Corporation) and the like.
  • X-22-170DX, X-22-2426, X-22-176F (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) of one-terminal reactive silicone resin can be mentioned.
  • Examples of the material constituting the organic resin matrix include various organic resins used in this field. Typical examples include epoxy resins, such as bisphenol A type epoxy resins and alicyclic epoxy resins having high weather resistance and less yellowing even when used for a long period of time.
  • Examples of the material constituting the inorganic resin matrix include siloxane-based materials such as hydrogenated silsesikioxane, methylsilsesquioxane, and hydrogenated methylsilsesquioxane.
  • a matrix using a composite of a plurality of types of materials constituting the various matrices may be used.
  • an organic resin matrix and an inorganic resin matrix which are superior in terms of suppressing gas permeation as compared with a low molecular weight matrix, and it is desirable to use an inorganic resin matrix which is further excellent in terms of heat resistance. ..
  • modified PDMS modified polydimethylsiloxane compound
  • thermoplastic resin for example, (i) thermoplastic resin, (ii) thermosetting resin, (iii) radiation curable resin, and (Iv) A composite resin composed of two or more types of a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a radiation curable resin, or (v) a mixture of two or more types of (i) to (iv) above can be used.
  • thermoplastic resin for example, thermoplastic resin, thermosetting resin, and a radiation curable resin, and a composite resin composed of two or more types of a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a radiation curable resin, or (v) a mixture of two or more types of (i) to (iv) above can be used.
  • these matrices are "New Materials for Next Generation ULSI Multilayer Wiring, Process Technology" (2000 Technical Information Association), "Transforming Mounting Materials / Laminating Technology-High Frequency, High Density, Low Temperature Sintering, Environmental Response-" "(2003 TIC) is detailed.
  • thermoplastic resin examples include polyolefin resins such as polyethylene resin, polypropylene resin, poly1-butene resin, and poly 4-methyl-1-pentene resin; polyester resins such as polyethylene terephthalate resin and polyethylene naphthalate resin; nylon 6, nylon.
  • Polyamide resin such as 66; Fluororesin such as polytetrafluoroethylene resin and polytrifluorinated ethylene resin;
  • Other polystyrene resin, polyvinyl chloride resin, polymethyl (meth) acrylate resin, polycarbonate resin, polyether sulfone resin, polyphenylene ether examples thereof include resins and polyamideimide resins.
  • thermosetting resin used in the field of electronic parts and the like can be widely used, and basically it is possible by using a compound having two or more double bonds. Further, in order to form a finer pattern, a side chain having a double bond and a carboxyl group for aqueous development can be used. It is often used as an ultraviolet curable type.
  • thermosetting resins for example, those described in JP-A-61-243869, JP-A-2002-294131, JP-A-2005-154780 and the like can be used.
  • the thermosetting resin includes a compound obtained by reacting a "compound containing two or more epoxy groups” with an "ethylenically unsaturated monomer having a carboxyl group”.
  • “compounds containing two or more epoxy groups” include phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol A-novolac type epoxy resin, and alicyclic epoxy.
  • Resin for example, "EHPE-3150” manufactured by Daicel Chemical Industry Co., Ltd.
  • polyfunctional epoxy resin which is a derivative of tris (hydroxyphenyl) methane for example, EPPN-502H manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., and Dow Chemical Co., Ltd.
  • EPPN-502H manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., and Dow Chemical Co., Ltd.
  • epoxy resins such as Tactex-742 and XD-9053).
  • a copolymer of the epoxy compound shown below and an ethylenically unsaturated monomer can also be used. That is, as the epoxy compound, glycidyl (meth) acrylates such as glycidyl (meth) acrylate and 2-methylglycidyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic such as (3,4-epoxycyclohexyl) methyl (meth) acrylate Examples thereof include epoxy cyclohexyl derivatives of acids.
  • an aliphatic or alicyclic alkyl (meth) acrylate an aromatic (meth) acrylate such as a benzyl (meth) acrylate; a hydroxyethyl (meth) acrylate or a methoxy.
  • Ethylene glycol ester-based (meth) acrylates such as ethyl (meth) acrylate, polyethylene glycol ester-based (meth) acrylate and propylene glycol-based (meth) acrylate; (meth) acrylamide-based compound; N-substituted maleimide-based compound; vinyl pyrrolidone; Examples thereof include (meth) acrylonitrile; vinyl acetate; styrene; ⁇ -methylstyrene; and vinyl ether.
  • heat-curable resin examples include polyimide resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), crosslinkable polyphenylene oxide, curable polyphenylene ether, phenol resin, melamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, and alkyd resin.
  • BT resin bismaleimide triazine resin
  • crosslinkable polyphenylene oxide examples include polyimide resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), crosslinkable polyphenylene oxide, curable polyphenylene ether, phenol resin, melamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, and alkyd resin.
  • thermoplastic resin and the thermosetting resin examples include polyphenylene ether / epoxy resin, polyamide-imide / epoxy resin, polyamide / epoxy resin, and polyamide-imide / polyimide resin.
  • epoxy resin epoxy resin, polyester resin, polycarbonate, polyimide, polyetherimide, polyphenylene sulfide, condensed polycyclic polynuclear aromatic (COPNA) resin, polybenzoimidazole, fluororesin, fluorinated polymer, amorphous polyolefin resin, Resins such as syndiotactic polystyrene, polynaphthalene, polyindane, polyphenylene ether, liquid crystal polymer, polyquinoline, polyphenylquinoxaline, cyanate resin, polysulfone, polyethersulfone, polyetheretherketone, polyetherethernitrile, aromatic polyether, etc. Be done.
  • COPNA condensed polycyclic polynuclear aromatic
  • the curing accelerator applicable to the resin layer according to the present invention may be any compound having a catalytic function that promotes the etherification reaction of the epoxy group and the phenolic hydroxy group, for example, alkali.
  • examples thereof include metal compounds, alkaline earth metal compounds, imidazole compounds, organic phosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, and quaternary ammonium salts.
  • imidazole in which the imino group is masked with acrylonitrile, isocyanate, melamine acrylate, or the like is preferable because it can obtain excellent stability.
  • the flame retardant is not particularly limited as long as it is generally referred to as a flame retardant, and is, for example, a halide such as a novolac resin such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, polyvinylphenol, phenol, cresol, alkylphenol, and catechol. , Glycidyl ether and the like, but are not particularly limited, and antimony trioxide, tetraphenylphosphine and the like may be used in combination.
  • examples of the flame retardant include tetrabromobisphenol A and glycidyl ether of tetrabromobisphenol A.
  • Inorganic resin matrix It is also preferable to use an inorganic resin matrix as the resin material for forming the sealing layer.
  • an inorganic resin matrix various ones can be used, and for example, polysiloxane, silicon fluorinated oxide, phosphazene and the like can be used.
  • polysiloxane silicon fluorinated oxide, phosphazene and the like can be used.
  • an antioxidant may be added to the resin material.
  • an antioxidant it is possible to prevent oxidative deterioration during heating and obtain a cured product with less coloring.
  • antioxidants are phenolic, sulfur and phosphorus antioxidants.
  • the preferable compounding ratio when the antioxidant is used is in the range of 0.0001 to 0.1 in terms of mass ratio based on the thermosetting resin.
  • an ultraviolet absorber may be added to the resin layer, if necessary.
  • the ultraviolet absorber a general ultraviolet absorber for plastics can be used, and the preferable blending ratio thereof is in the range of 0.0001 to 0.1 in terms of mass ratio based on the resin material as the matrix.
  • examples of the additive according to the present invention include, for example, JP-A-2012-15485, JP-A-2013-84796, JP-A-2013-166886, JP-A-2014-135400, International.
  • Examples of the compounds described in Publication No. 2013/099193, International Publication No. 2014/027460, International Publication No. 2014/091762, and International Publication No. 2014/1033030 can be mentioned.
  • the resin layer according to the present invention contains organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (1) or organometallic oxide-containing particles having a structure represented by the general formula (2). This is one of the features, but as described with reference to FIG. 2, it is further contained of phosphor particles, a resin for forming a resin layer, and the like. Further, in the LED light emitting device having the configuration described with reference to FIG. 11 and the like, the phosphor particles are present in the phosphor-containing layer.
  • the phosphor particles contained in the resin layer or the phosphor-containing layer according to the present invention have a characteristic of being excited by emitted light having a specific wavelength (excitation wavelength) from the LED element and emitting fluorescence having a wavelength different from the excitation wavelength. are doing. When blue light is emitted from the LED element, the phosphor particles emit yellow fluorescence, so that an LED element that emits white light can be obtained.
  • a phosphor that emits yellow fluorescence is a YAG (yttrium aluminum garnet) phosphor.
  • the YAG phosphor can emit yellow light (wavelength 550 to 650 nm) fluorescence by receiving excitation light composed of blue light (wavelength 420 to 485 nm) emitted from the blue LED element.
  • Sr 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 Eu 2+
  • CaS: Bi CaSrS: Bi
  • Ba 1-a Eu a MgAl 10 O 17 as a blue phosphor
  • ZnS Cu, Al
  • Ba 2 SiO 4 Eu
  • ZnGe 2 O 4 Eu
  • red phosphors Y 2 O 2 S: Eu 3+
  • CaS: Eu, 3.5 MgO ⁇ 0.5 MgF 2 ⁇ GeO 2 : Mn, K 5 Eu 2.5 (WO 4 ) and the like can be mentioned.
  • a mixed raw material having a predetermined composition is mixed and pressurized with an appropriate amount of fluoride such as ammonium fluoride as a flux to obtain a molded product, and 2) the obtained molded product is packed in a rut.
  • a sintered body can be obtained by firing in air in a temperature range of 1350 to 1450 ° C. for 2 to 5 hours.
  • the mixed raw material having a predetermined composition is obtained by sufficiently mixing an oxide of Y, Gd, Ce, Sm, Al, La, Ga, or a compound that easily becomes an oxide at a high temperature in a stoichiometric ratio. Can be done.
  • the mixed raw material having a predetermined composition is coprecipitated oxidation obtained by coprecipitating a solution of rare earth elements of Y, Gd, Ce, and Sm dissolved in an acid in a chemical quantitative ratio and coprecipitating with oxalic acid. It can be obtained by mixing a product with aluminum oxide and gallium oxide.
  • the type of the phosphor is not limited to the YAG phosphor, and for example, other phosphors such as a non-garnet-based phosphor that does not contain Ce can be used.
  • the average particle size of the phosphor particles is preferably in the range of 1 to 50 ⁇ m, and more preferably in the range of 1 to 10 ⁇ m.
  • the fluorescent resin 116 forming the phosphor-containing layer 115 according to the present invention as shown in FIG. 11 is not particularly limited, but is preferably a thermosetting resin that is transparent to visible light.
  • resins for forming a fluorescent layer include silicone resins such as epoxy-modified silicone resin, alkyd-modified silicone resin, acrylic-modified silicone resin, polyester-modified silicone resin, and phenyl silicone resin; epoxy resin; acrylic resin; methacrylic resin; urethane.
  • a transparent resin such as a resin is included. Particularly, it is preferably a phenyl silicone resin.
  • the same resin material as the sealing resin used for forming the resin layer can be mentioned.
  • the fluorescent substance-containing layer according to the present invention includes the above-mentioned resin layer as long as the objective effect of the present invention is not impaired.
  • Various additives applicable to the above can be used.
  • the TFT formed on the TFT substrate 2 may be a conventionally known top gate type TFT or a bottom gate type TFT.
  • Examples of the TFT formed on the TFT substrate include a TFT made of an amorphous silicon semiconductor formed on a plastic film.
  • Examples thereof include TFTs formed on a flexible plastic film obtained by arranging them.
  • TFTs using organic semiconductors as described in the literature such as Science, 283,822 (1999), Appl. Phys. Lett, 771488 (1998), Nature, 403,521 (2000), etc. Good.
  • the substrate material applicable to the TFT is not particularly limited as long as it has insulating properties, and can be selected from various materials.
  • the resin substrate material an epoxy resin, a polyamide resin, a liquid crystal polymer resin, a silicone resin, or the like can be used.
  • the polyamide resin polyphthalamide (PPA) resin and PA6T (heat-resistant polyamide resin using nonanediamine as a raw material polymer) can be used.
  • FR-4 glass epoxy composite substrate
  • CEM-3 CEM-3
  • ceramic substrate material sintered alumina or sintered aluminum nitride can be used, and LTCC (low temperature sintered ceramic substrate) can also be used.
  • a substrate having an insulating layer on the surface of the metal substrate can also be used.
  • a layer of the above-mentioned resin substrate material for example, epoxy resin
  • a metal substrate having high thermal conductivity such as aluminum or copper. It is also possible to use the provided one.
  • a metal substrate provided with an inorganic layer instead of an organic layer (resin layer) as an insulating layer can also be used.
  • the inorganic layer include an oxide layer formed on the surface of a metal substrate, and examples thereof include a layer having an anodic oxide film formed on the surface of an aluminum substrate.
  • the glass layer can be formed by various techniques such as enamel and sol-gel method.
  • the TFT substrate is a member for holding the LED element, and is connected to a connection terminal made of metal.
  • the terminal electrode is a member that supplies electricity to the LED element from a power source (not shown) arranged outside the TFT substrate.
  • the terminal electrode may also serve as a reflective layer for reflecting light from the LED element or, for example, light from the phosphor-containing layer toward the light extraction surface side.
  • the TFT substrate may have a cavity (recess) as shown in FIGS. 9 to 12, or may have a flat plate shape.
  • the shape of the cavity of the TFT substrate is not particularly limited. For example, it may have a truncated cone shape, a truncated cone shape, a columnar shape, a prismatic shape, or the like.
  • a conical package 4 (also referred to as a bank) is provided on the TFT substrate.
  • the package is formed mainly for the purpose of improving the contrast of the image. Therefore, the package is required to have low light transmittance as a basic characteristic. For this reason, a material having a large light absorption is used as a material for forming a light-shielding layer.
  • a resin black matrix in which a light-shielding dye is dispersed in a resin has been attracting attention from the viewpoints of environmental problems, low reflection, and low cost.
  • light-shielding particles such as carbon fine particles, metal oxides, inorganic pigments, and organic pigments may be contained in the resin binder, and the resin binder used includes polyimide resin, acrylic resin, epoxy resin, polyacrylamide, and polyvinyl.
  • a mixture of one or more resins such as alcohol, gelatin, casein, and cellulose, a photosensitive resin, and an O / W emulsion type resin composition, for example, an emulsion of reactive silicone, etc. Can be used.
  • a method for patterning such a resinous black matrix a commonly used method such as a photolithography method or a printing method can be used.
  • the reflective layer 5 is provided on the surface of the package 4.
  • the reflective layer conventionally known ones can be appropriately referred to and applied.
  • the reflective layer may be formed by depositing a metal thin film such as silver or aluminum on the entire surface of a dot-shaped or striped-shaped or black matrix. it can.
  • PSA Pressure-sensitive adhesive layer
  • the pressure-sensitive adhesive layer referred to in the present invention is not a curing type adhesive layer that is cured by heat curing or irradiation with ultraviolet rays to obtain adhesive strength, but is pressure-sensitive that adheres by pressure and does not involve curing of the bonded portion at that time.
  • a layer that uses an adhesive is not a curing type adhesive layer that is cured by heat curing or irradiation with ultraviolet rays to obtain adhesive strength, but is pressure-sensitive that adheres by pressure and does not involve curing of the bonded portion at that time.
  • the type of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer according to the present invention is not particularly limited, and for example, urethane-based, epoxy-based, aqueous polymer-isocyanate-based, acrylic-based adhesives, polyether methacrylate type, and the like.
  • examples thereof include ester-based methacrylate-type adhesives, oxidized-type polyether methacrylate-based adhesives, rubber-based adhesives, vinyl ether-based adhesives, and silicone-based adhesives.
  • the form includes a solvent type, an emulsion type, a hot melt type and the like.
  • an acrylic pressure-sensitive adhesive with high transparency and strong adhesive strength is preferable.
  • an antistatic agent and various fillers may be mixed in the pressure-sensitive adhesive by using a known method.
  • the method for forming the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, and general wet coating methods such as gravure coater, microgravure coater, comma coater, reverse roll coater, knife coater, bar coater, and slot die coater are used. Examples thereof include a method using a tar, an air knife coater, a reverse gravure coater, a vario gravure coater, a spray coating method, an inkjet method, and the like.
  • the layer thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably in the range of 1 to 50 ⁇ m, more preferably in the range of 10 to 40 ⁇ m, and most preferably in the range of 20 to 30 ⁇ m.
  • the color filter shown in FIGS. 8 to 12 is preferably formed by a second base material and a color filter layer.
  • the second base material applicable to the color filter according to the present invention one having sufficient strength, flatness, heat resistance, light transmission and the like is preferable, and for example, it is used as a base material of a normal color filter.
  • Examples thereof include transparent resin films and thin glass substrates such as non-alkali glass and soda glass.
  • the transparent resin film substrate examples include polyethylene terephthalate (abbreviation: PET), polyethylene naphthalate (abbreviation: PEN), polymethylmethacrylate (abbreviation: PMMA), polycarbonate (abbreviation: PC), polysulfone, and polyethersulfone (abbreviation: PC).
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PMMA polymethylmethacrylate
  • PC polycarbonate
  • PC polysulfone
  • PC polyethersulfone
  • PC polyethersulfone
  • PC polyethersulfone
  • PES polycycloolefin
  • acrylic crosslinkable resin epoxy crosslinkable resin crosslinkable resin
  • unsaturated polyester crosslinkable resin unsaturated polyester crosslinkable resin
  • high temperature resistant varnish imidized polyimide, etc.
  • the color filter layer according to the present invention applies a combination of a plurality of color filters, for example, red / green / blue (RGB) and yellow / magenta / cyan (YMC), a mixed system thereof, and transparent pixels for brightness adjustment. can do.
  • a flattening layer is formed on the plurality of color filters for flattening and the like.
  • red colorant for forming the red color filter examples include C.I. I. Pigment Red 7, 9, 14, 41, 48: 1, 48: 2, 48: 3, 48: 4, 81: 1, 81: 2, 81: 3, 97, 122, 123, 146, 149, 168, 177, 178, 179, 180, 184, 185, 187, 192, 200, 202, 208, 210, 215, 216, 217, 220, 223, 224, 226, 227, 228, 240, 242, 246, 254, Red pigments such as 255, 264, 269, 272, 279 can be used. A yellow pigment and an orange pigment can be used in combination with the red colorant.
  • the green colorant for forming the green color filter (CFG1) is C.I. I. Green pigments such as Pigment Green 7, 36 and 58 can be used.
  • the same yellow pigment as the red coloring composition can be used in combination with the green coloring composition.
  • the blue colorant for forming the blue color filter is C.I. I. Pigment Blue 15: 3, 15: 4 blue pigment, C.I. I. In addition to the purple pigment of Pigment Violet 23, other pigments can be used in combination as appropriate.
  • an inorganic pigment in combination with the above organic pigment, it is also possible to use an inorganic pigment in combination as necessary in order to secure good coatability, sensitivity, developability, etc. while balancing saturation and lightness.
  • inorganic pigments include metal oxide powders such as yellow lead, zinc yellow, red iron oxide (III), cadmium red, ultramarine blue, dark blue, chromium oxide green, and cobalt green, metal sulfide powder, and metal powder. Can be mentioned. Further, for color matching, the dye can be contained within a range that does not reduce the liquid crystal resistance and heat resistance.
  • Binder for forming color filter layer As a binder that can be applied to hold each of the above colorants and form a color filter, the following various resin materials can be applied as long as the color filter layer does not impair the objective effect of the present invention. ..
  • thermoplastic resin examples include butyral resin, styrene-maleic acid copolymer, chlorinated polyethylene, chlorinated polypropylene, polyvinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyvinyl acetate, polyurethane resin, and polyester resin. , Acrylic resin, alkyd resin, polystyrene, polyamide resin, rubber resin, cyclized rubber resin, celluloses, polyethylene, polybutadiene, polyimide resin and the like.
  • thermosetting resin examples include epoxy resin, benzoguanamine resin, rosin-modified maleic acid resin, rosin-modified fumaric acid resin, melamine resin, urea resin, phenol resin and the like.
  • a linear polymer containing an acid anhydride such as a styrene-maleic anhydride copolymer or an ⁇ -olefin-maleic anhydride copolymer is a (meth) acrylic compound having a hydroxy group such as a hydroxyalkyl (meth) acrylate.
  • a half-esterified product is also used.
  • a solvent can be contained in the formation of the color filter containing the colorant according to the present invention.
  • the solvent include cyclohexanone, ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, 1-methoxy-2-propyl acetate, diethylene glycol dimethyl ether, ethylbenzene, ethylene glycol diethyl ether, xylene, ethyl cellosolve, methyl-n amylketone, propylene glycol monomethyl ether toluene, and methyl ethyl ketone.
  • the LED light emitting device of the present invention is provided with a protective member on the outermost surface layer.
  • the protective member is preferably, for example, a member having light transmission and scratch resistance, and more preferably a glass base material or a resin member having flexibility.
  • glass base material constituting the specific protective member examples include soda lime glass and silicate glass, which are preferably silicate glass, and specifically silica glass or borosilicate glass. Is more preferable. 8 to 12 show an example in which the glass plate 106 is applied as the protective member.
  • the flexible resin member examples include polyolefins such as polyethylene, polypropylene and cyclic olefin copolymer (COP), polyesters such as polyamide, polyimide, polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), and cellophane.
  • polyolefins such as polyethylene, polypropylene and cyclic olefin copolymer (COP)
  • polyesters such as polyamide, polyimide, polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), and cellophane.
  • CSP type LED light emitting device having the configuration shown in FIG. 7A
  • one substrate is first exposed by dry etching so as to form an anode electrode and a cathode electrode in one direction of the LED element 7, and reflection electrodes are formed on each of the anode and the cathode. Then, it is connected to the package substrate with solder bumps as in FIG.
  • the CSP type LED light emitting device 100 is formed by forming the resin layer so as to cover the LED element 7 and the package substrate P as in FIG.
  • Step 1) Preparation of TFT substrate
  • the TFT substrate 102 is connected to the TFT 111, and the terminal electrode 114 is further formed at the connection position with the LED element 7.
  • the package 4 and the reflective layer 5 are formed in a conical shape on the TFT substrate 102, and a concave cavity is formed at the LED installation position.
  • Step 2) Addition of LED Next, the LED element 7 is installed on the terminal electrode 114 formed on the TFT base material 102 via the connection terminal 112.
  • Step 3 Formation of Resin Layer Next, a sealing resin containing an organic metal oxide, a sealing optical resin, and a phosphor particle 11 according to the present invention so as to seal the LED element 7 and the reflective layer 5.
  • the layer 10 is formed.
  • the pressure sensitive adhesive layer 103 is formed on the entire surface of the TFT substrate 102 formed up to the resin layer 10 by a wet coating method.
  • Step 5 Applying a color filter
  • a color filter 104 having a conventionally known configuration is installed on the entire surface of the TFT base material 102 formed up to the pressure-sensitive adhesive layer 103.
  • the LED light emitting device shown in FIG. 11 is a phosphor containing organic metal oxide-containing particles according to the present invention on the LED element between steps 2 and 3 in the method for manufacturing the LED light emitting device shown in FIG.
  • the method includes a step (step A) for forming the content layer, and the other steps are the same as the method shown in FIG. 8 above.
  • a mask member that covers a region other than the formation region of the LED element 7 formed on the TFT base material 102, at least the organic metal oxide, the phosphor particles, and the phosphor according to the present invention are used.
  • a phosphor layer-forming composition containing a layer-forming resin is applied onto a predetermined LED element by, for example, an inkjet printing method to form the phosphor-containing layer 115.
  • the resin layer and the phosphor-containing layer are preferably formed by a wet coating method, and more preferably, an inkjet printing method is applied as the wet coating method.
  • wet coating method examples include spin coating method, casting method, screen printing method, die coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, curtain coating method, and LB method (Langmuir-bro).
  • the jet method), the inkjet printing method, and the like are preferable from the viewpoint of easy to obtain a uniform thin film and high productivity.
  • the inkjet printing method is preferable in that a uniform layer thickness can be formed with high accuracy with respect to a local region.
  • the inkjet head used in the inkjet printing method may be an on-demand method or a continuous method.
  • the discharge method includes an electric-mechanical conversion method (for example, single cavity type, double cavity type, bender type, piston type, shared mode type, shared wall type, etc.) and an electric-heat conversion method (for example, thermal).
  • Specific examples include an inkjet type, a bubble jet (registered trademark) type, etc.), an electrostatic attraction method (for example, an electric field control type, a slit jet type, etc.), and a discharge method (for example, a spark jet type, etc.).
  • any discharge method may be used.
  • a serial head method, a line head method, or the like can be used without limitation.
  • LED1 which is an LED light emitting element was manufactured according to the following method.
  • Fluorescent material 1 YAG (yttrium aluminum garnet) 405C205; particle size distribution D50: 20.5 ⁇ m manufactured by Nemoto & Co., Ltd.
  • Resin layer forming resin 1 silicone resin
  • Lead frame 5050 type made by Alphact Co., Ltd.
  • Bonding wire Y type LED element made by Takashi Tanaka Metal: InGaN-based LED element that emits blue light with an emission wavelength of about 460 nm is used as the light source, and YAG phosphor is used as the phosphor.
  • White light was obtained by mixing blue light and yellow light.
  • ⁇ Mounting of LED element> As the LED element, after forming a contact hole, a rectangular parallelepiped LED element having a dicer length of 200 um ⁇ width of 200 um ⁇ height of 200 um was prepared.
  • the package substrate use a package that can mount multiple general LED chips with an opening diameter of 3.6 mm ⁇ , and use a lead frame that is Cu-plated on the lead frame of Alloy 194-H, and use an Au lead frame. It was implemented using.
  • the lead frame used was made of alloy and Cu-plated.
  • the LED element was mounted on the package substrate, and the lead frame and the LED terminal were connected and mounted with a bonding wire.
  • Resin layer forming resin 1 (Silicone resin: OE6630 manufactured by Toray Dow Corning) 80 parts by mass Fluorescent body 1 (YAG 405C205 manufactured by Nemoto Tokushu Kagaku Co., Ltd .; Particle size distribution D50: 20) 20 parts by mass Resin layer forming resin 1 and fluorescence
  • a composition for forming a resin layer was prepared by stirring the body 1 at 1500 rpm for 15 minutes using a planetary stirring and defoaming device "Mazelstar KK-400" manufactured by Kurabou Co., Ltd., and a dispenser (MPP-1 manufactured by Musashino Engineering Co., Ltd.). ) Was poured into the package substrate to which the LED element was connected, and the mixture was dried at 150 ° C. for 15 minutes to prepare LED1 as a comparative example.
  • LED4 The present invention (SMP type, embodiment 3)
  • SMP type, embodiment 3 the LED 4 having the configuration shown in FIG. 4 was produced in the same manner except that a protective film was further formed on the package substrate on which the LED element was mounted by the following method.
  • LED4 Ti organometallic oxide and Cu organometallic oxide were prepared, and the Cu organometallic oxide was applied to the package substrate on which the LED element was mounted, and then used for the fabrication of LED2.
  • LED4 was produced by pouring a resin layer forming composition containing a Ti organometallic oxide similar to the above into a package substrate.
  • the LED element was mounted on the package substrate in the same manner as in the production of LED2.
  • Cu organometallic oxide (exemplified compound 86) was applied onto the package substrate with a dispenser so that the wet film thickness was 2 ⁇ m, and heated at 110 ° C. for 30 minutes to form a protective film.
  • the dry film thickness of this protective film was 200 nm, and the transmittance was 88%.
  • Resin layer forming resin 1 (above) 78 parts by mass Fluorescent material 1 (above) 20 parts by mass Silane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .: KBM-403) 2 parts by mass
  • the composition for forming the resin layer was prepared by stirring in the same manner as described above, and was poured into the package substrate on which the LED element was mounted with a dispenser in the same manner as in the production of LED1.
  • Ti organometallic oxide (exemplary compound 1) is applied onto the package substrate on which the LED element is mounted using a dispenser so that the wet film thickness is 2 ⁇ m, and heated at 110 ° C. for 30 minutes. , A protective film was formed. The dry film thickness of this protective film was 200 nm, and the transmittance was 88%.
  • LED6 The present invention (SMP type, embodiment 5)]
  • a first protective film composed of Ti organometallic oxide (exemplified compound 1) is formed on a package substrate on which an LED element is mounted by the following method, and Cu organometallic oxidation is performed on the first protective coating.
  • An LED 6 having the structure shown in FIG. 6 was produced in the same manner except that a second protective film made of an object (exemplified compound 86) was formed.
  • Ti organometallic oxide (exemplified compound 1) is applied onto the package substrate on which the LED element is mounted using a dispenser so that the wet film thickness is 2 ⁇ m, and then Cu organometallic oxide (Example compound 1) is applied.
  • Exemplified compound 86) was laminated in the same manner and heated at 110 ° C. for 30 minutes to form a first protective film and a second protective film. The dry film thickness of each protective film was 200 nm, and the transmittance was 88%.
  • the LED 7 is a flip chip type package that assumes a chip scale package (CSP).
  • the CSP type does not require a lead frame and uses a die bond film or the like, so the connection method is different.
  • LED4 The same material as LED4 was used except for the package substrate and protective film forming material.
  • the package board we prepared a board on which 5 LED chips can be mounted on a 5 cm x 2 cm PCB board.
  • an InGaN-based LED element having a peak at about 460 nm was prepared, and each was cut to 200 ⁇ m.
  • Resin layer forming resin 1 (above) 78 parts by mass Fluorescent material 1 (above) 20 parts by mass Organometallic oxide: Ti organometallic oxide Example compound 15 5 parts by mass Silane coupling agent (above) 2 parts by mass Each of the above constituent materials is stirred in the same manner as above in a nitrogen environment to prepare a resin layer forming composition, which is poured into a package substrate on which an LED element is mounted by a dispenser in the same manner as in the production of LED1 to obtain a resin. A layer was formed to produce a CSP type LED 7 having the configuration shown in FIG. 7A.
  • TFT type, Embodiment 7 A TFT type LED 8 having the configuration shown in FIG. 8 was produced according to the following method.
  • Amorphous Si type is used as the TFT.
  • a polyimide film was used as the flexible substrate.
  • a gas barrier layer is formed on the flexible base material by a known method, and a TFT is formed on the gas barrier layer. The method for forming the TFT on these flexible substrates was carried out according to the method described in JP-A-2016-162535.
  • a reflective layer 5 was formed in order to extract the light of the LED element in the front direction.
  • Package 4 also called a bank
  • Photosensitive polyimide manufactured by Merck & Co., Inc.
  • the mixture was applied by a spin coating method and prebaked at 60 ° C. for 120 seconds.
  • the package 4 was formed by pattern exposure in a photo step, development with tetramethylammonium hydroxide (abbreviation: TMAH), and pure rinsing.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • the reflective layer 5 was formed by a sputtering method using Ag.
  • a DC sputtering apparatus manufactured by ULVAC was used to form a film of Ag with a thickness of 300 nm under the condition of a total pressure of 0.5 Pa, and a reflective layer 5 was prepared.
  • the electrode portion on which the LED element is mounted was removed by photopatterning.
  • a TFT substrate having a pixel portion having a subpixel size of 700 ⁇ m ⁇ 500 ⁇ m was formed.
  • a 200 ⁇ m ⁇ 200 ⁇ m LED element was placed on these TFT substrates and connected by reflow.
  • the resin layer was prepared using the same material as that for LED2.
  • Resin layer forming resin 1 75 parts by weight Phosphor 2 (below) 20 parts by weight red phosphor: Nemoto Co. 0.5MgF 2 ⁇ 3.5MgO ⁇ GeO 2: Mn material green phosphor: Zn 2 SiO 4 : Mn manufactured by Nemoto & Co., Ltd. Blue phosphor: Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu manufactured by Nemoto & Co., Ltd.
  • Organometallic Oxide Ti Organometallic Oxide Example Compound 15 parts by mass Stir each of the above constituent materials in the same manner as above in a nitrogen environment to prepare a composition for forming a resin layer, and the same as in the production of LED2. It was poured into the TFT substrate on which the LED element was mounted with a dispenser.
  • a pressure-sensitive adhesive layer, a color filter, a pressure-sensitive adhesive layer, and a crow substrate produced by a known method were laminated on the resin layer.
  • a 0.5 mm glass substrate (EagleXG manufactured by Corning Inc.) was washed by the following method.
  • the alkaline detergent was diluted to 5% by mass, the diluted detergent solution was heated to 60 ° C., the crow substrate was immersed in the detergent solution at 60 ° C., and scrubbing was performed to remove foreign substances adhering to the glass substrate.
  • the glass substrate was sequentially subjected to ultrasonic cleaning treatment, pure water rinsing, nitrogen gas blowing and IR (Infra Red) drying.
  • the glass substrate was irradiated with UV (Ultra Violet) to remove organic substances adhering to the surface of the glass substrate. Subsequently, the glass substrate was dried using an oven.
  • a 3M heat-curable adhesive was bonded to the produced glass substrate as a pressure-sensitive adhesive layer to form an adhesive layer, and then a color filter and a similar pressure-sensitive adhesive layer were formed to form an LED unit.
  • the LED 8 was produced by bonding and heat-treating at 100 ° C. for 30 minutes.
  • the LED 10 having the configuration shown in FIG. 10 was produced in the same manner except that the protective film and the resin layer were formed according to the following method.
  • Resin layer forming resin 1 (supra) 73 parts by weight Phosphor 2 (below) 20 parts by weight red phosphor: Nemoto Co. 0.5MgF 2 ⁇ 3.5MgO ⁇ GeO 2: Mn material green phosphor: Zn 2 SiO 4 : Mn manufactured by Nemoto & Co., Ltd. Blue phosphor: Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu manufactured by Nemoto & Co., Ltd.
  • Organometallic oxide Ti Organometallic oxide Exemplified compound 15 parts by mass Silane coupling agent (above) 2 parts by mass Each of the above constituent materials is stirred in the same manner as above in a nitrogen environment to form a resin layer. A product was prepared and poured into a TFT substrate on which an LED element was mounted with a dispenser in the same manner as in the production of LED 8.
  • the LED 11 is an LED light emitting element in which a phosphor-containing layer containing organometallic oxide-containing particles is directly formed on the LED element to display a color.
  • the LED element As the LED element, the one described in LED8 was used, and the LED element was cut into pieces of 200 ⁇ m ⁇ 200 ⁇ m.
  • the LED element is reflowed to the TFT substrate, and then a phosphor-containing layer containing Ti organometallic oxide-containing particles (exemplified compound 1) on the LED element has the same configuration as the resin layer used in the production of the LED 10. Formed.
  • the sol-gel reaction was promoted by heating at 110 ° C. for 30 minutes.
  • the LED 12 was produced in the same manner as the LED 11 produced above, except that a protective film composed of Cu organometallic oxide was further formed on the LED unit.
  • LEDs 1 to 7 and 3 LEDs 8 to 12 were prepared, all placed in a constant temperature bath at 85 ° C. and 85% RH, and stored for 1000 hours. This evaluation is a test to evaluate the degree to which water permeates the phosphor from the external environment and the fluorescent material that is sensitive to water is inactivated.
  • the light emission characteristics of each LED light emitting device were confirmed by drive evaluation, the brightness maintenance level of the phosphor was confirmed with an integrating sphere, and the high temperature and high humidity resistance was evaluated according to the following criteria.
  • The number of individuals with abnormalities in the operation of the LED light emitting device is less than 1%.
  • The number of individuals with abnormalities in the operation of the LED light emitting device is 1% or more and less than 5%.
  • the number of individuals in which an abnormality occurred in the operation operation was 5% or more and less than 10%.
  • Among the LED light emitting devices, the number of individuals in which an abnormality occurred in the operation operation was 10% or more.
  • The number of individuals with abnormalities in the operation of the LED light emitting device is less than 1%.
  • The number of individuals with abnormalities in the operation of the LED light emitting device is 1% or more and less than 5%.
  • the number of individuals in which an abnormality occurred in the operation operation was 5% or more and less than 10%.
  • Among the LED light emitting devices, the number of individuals in which an abnormality occurred in the operation operation was 10% or more.
  • This evaluation is a test to evaluate the degree of deactivation of the phosphor and the degree of corrosion resistance when water and the S8 sulfur component invade the sealing layer from the external environment.
  • the present inventors have previously evaluated that the evaluation with hydrogen sulfide and the S8 test with sulfur powder show almost the same tendency characteristics, and established a method that can simultaneously evaluate the resistance to corrosion due to S8 together with water in this experiment. ing.
  • The number of individuals with abnormalities in the operation of the LED light emitting device is less than 1%.
  • The number of individuals with abnormalities in the operation of the LED light emitting device is 1% or more and less than 5%.
  • the number of individuals in which an abnormality occurred in the operation operation was 5% or more and less than 10%.
  • Among the LED light emitting devices, the number of individuals in which an abnormality occurred in the operation operation was 10% or more.
  • the LED light emitting device of the present invention was stored for a long period of time in a high temperature and high humidity environment with a large amount of water, an environment containing hydrogen sulfide, and a high temperature and high humidity environment in which water and sulfur components are present. Even after that, there was no corrosion of the electrodes or deterioration of the phosphor due to sulfur components, moisture, etc., and it was possible to confirm that the present invention operates normally with respect to LED1, which is a comparative example, and the corrosion resistance is extremely high. It turns out to be excellent.
  • the LED light emitting device of the present invention has improved color discoloration resistance as compared with the comparative example. It was.
  • the LED light emitting device of the present invention prevents deterioration and corrosion due to moisture and corrosive gas, prevents discoloration, and has excellent durability and light emission stability. It is used as a backlight for a display device and various electric devices and electronic devices. It can be suitably used for indicator lights, in-vehicle lighting, general lighting and the like.

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Abstract

本発明の課題は、水分や腐食性ガス(例えば、ハロゲン元素、硫化水素ガス等。)によるLED素子、蛍光体粒子、及びLED構成材料の劣化や腐食を防止し、耐久性及び発光安定性が向上したLED発光装置を提供することである。 本発明のLED発光装置は、基材上に、少なくとも、LED素子と、樹脂層を有するLED発光装置であって、前記LED素子表面に、少なくとも、下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜、又は下記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜を有することを特徴とする。 一般式(1): R-[M1(OR1)y(O-)x-y]n-R 一般式(2): R-[M2(OR2)y(O-)x-y]n-R

Description

LED発光装置
 本発明は、LED発光装置に関する。より詳しくは、水分や腐食性ガス(例えば、ハロゲン元素、硫化水素ガス等。)によるLED素子、蛍光体粒子、及びLED構成材料の劣化や腐食を防止し、色変色を防止し、かつ耐久性及び発光安定性が向上したLED発光装置に関する。
 近年、LED素子を基板又はリードフレームに実装したLED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)発光装置が、表示装置のバックライトや、各種電気機器や電子機器の表示灯、車載照明、一般照明等に用いられている。このようなLED発光装置は、一般に、銅基板等の放熱性リードフレーム上にLED素子を配置し、電極と接続した後、透光性樹脂で当該LED素子を埋設するようにして封止した構造を有する。
 LED発光装置の具体的な構成は、第1の構成としては、赤、緑、青の3色の光をそれぞれ発するLED素子を配置して、これらを点灯することにより、3色の光を合成して白色光を得る方法が挙げられる。また、第2の構成は、例えば、窒化ガリウム(GaN)系の青色LED素子の近傍に、YAG蛍光体等の蛍光体を配置した白色LED装置が開発されている。当該白色LED装置では、青色LED素子が出射する青色光と、青色光を受けて蛍光体が発する黄色光とを混色して白色光を得る。また、青色LED素子の近傍に各種蛍光体を配置した白色LED装置も開発されている。
 当該白色LED装置では、青色LED素子が出射する青色光と、青色光を受けて蛍光体が出射する赤色光や緑色光等を混色して、白色光を得る。このような白色LED装置は、従来の蛍光灯や白熱電灯等の代替品として広く適用されており、さらなる光取り出し効率の向上及び長寿命化が求められている。
 これらのLED発光装置では、LED素子の小型化に伴い、実装タイプがSMTタイプ(SMTタイプ、Surface Mount Technology)からFlipChip化へと発展し、更にはCSPタイプ(Chip Size Package)の実装仕様として、スマートフォンや小型化したMiniLED、μLEDが登場してきている。色素で波長変換するLEDの色材は水分に弱く、特に、FlipChip化と小型化に伴いLED素子の断面積に対する封止材料の断面積の比率が低下し、封止部からの水分や腐食性ガスの侵入による色材の劣化が顕在化してきている。
 また、表面実装型のLED発光装置では、金属材料より構成される接続用電極やLED素子の周辺部には反射層(リフレクター)が設けられている。このLED発光装置を構成する接続用電極や金属材料(例えば、銀等。)から構成される反射層等は、LED発光装置の使用環境に含まれる硫化水素ガスによって腐食しやすい。このようなLED素子の劣化や金属腐食が生じると、LED発光装置からの光取り出し効率が低下する。そこで、一般的なLED装置では、LED素子や金属部材を、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等で直接封止している(例えば、特許文献1参照。)。
 しかしながら、エポキシ樹脂は熱や光によって劣化しやすい。また、エポキシ樹脂は短波長の光(例えば、青色光)によって劣化しやすく、樹脂自体が着色しやすいという問題を有している。そして、LED素子をエポキシ樹脂で直接封止する構成では、エポキシ樹脂がLED素子からの光や熱の影響を受けやすく、当該樹脂の劣化や着色が生じやすい。
 一方、シリコーン樹脂は、水蒸気や硫化水素ガスに対するガスバリアー性が低く、シリコーン樹脂による封止だけでは、LED素子の劣化や、金属材料の腐食を十分に抑制できない。その結果、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂単独で封止構造を形成しただけでは、徐々にLED発光装置において、耐久性や発光安定性が低下する、との問題があった。
特開2002-314142号公報
 本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、水分や腐食性ガス(例えば、ハロゲン元素、硫化水素ガス等。)によるLED素子、蛍光体粒子、及びLED構成材料の劣化や腐食を防止し、色変色を防止し、かつ耐久性及び発光安定性が向上したLED発光装置を提供することである。
 本発明者は、上記課題を解決すべく上記問題の原因等について検討する過程において、基材上に、少なくとも、LED素子と、樹脂層を有し、LED素子表面又は樹脂層中に特定の構造を有する有機金属酸化物を含有することを特徴とするLED発光装置により、水分や腐食性ガス(例えば、ハロゲン元素、硫化水素ガス等。)によるLED素子、蛍光体粒子、及びLED構成材料の劣化や腐食を防止し、色変色を防止し、かつ耐久性及び発光安定性が向上したLED発光装置を実現することができることを見いだし、本発明に至った。
 すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
 1.基材上に、少なくとも、LED素子と、樹脂層を有するLED発光装置であって、
 前記LED素子表面に、少なくとも、下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜、又は下記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜を有することを特徴とするLED発光装置。
 一般式(1): R-[M(OR(O-)x-y-R
 一般式(2): R-[M(OR(O-)x-y-R
〔式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含む炭素鎖でもよい。MはTi、Zn、Sn、Al、Si及びZrから選ばれる金属原子を表す。MはCu、Ag、Au、Mn,Co及びNiから選ばれる金属原子を表す。OR及びORは、それぞれフッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度を表す。〕
 2.前記LED素子表面上に、前記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜及び下記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜が積層されていることを特徴とする第1項に記載のLED発光装置。
 3.基材上に、少なくとも、LED素子と、樹脂層を有するLED発光装置であって、
 前記樹脂層が、少なくとも、下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子、又は下記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を含有することを特徴とするLED発光装置。
 一般式(1): R-[M(OR(O-)x-y-R
 一般式(2): R-[M(OR(O-)x-y-R
〔式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含む炭素鎖でもよい。MはTi、Zn、Sn、Al、Si及びZrから選ばれる金属原子を表す。MはCu、Ag、Au、Mn,Co及びNiから選ばれる金属原子を表す。OR及びORは、それぞれフッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度を表す。〕
 4.前記樹脂層が、前記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子及び前記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を含有することを特徴とする第3項に記載のLED発光装置。
 5.さらに、前記樹脂層が、前記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子、又は前記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を含有することを特徴とする第1項に記載のLED発光装置。
 本発明の上記手段により、水分や腐食性ガス(例えば、ハロゲン元素、硫化水素ガス等。)によるLED素子、蛍光体粒子、及びLED構成材料の劣化や腐食を防止し、色変色を防止し、かつ耐久性及び発光安定性が向上したLED発光装置を提供することができる。
 本発明の効果の発現機構又は作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
 LED素子とパッケージ基板を接続するLEDパッケージについて、様々な環境下での耐久性の検討や実機評価を進めていく中で、蛍光体色素は水分に弱いため、外部環境由来の水分に起因して色度変換効率が変わってしまい、発光色が変わってしまう。
 また、ボンディングワイヤーはppmオーダーの微量の硫黄を含んでおり、また外部環境由来でClを代表とするハロゲンイオンが侵入してしまい、リードフレームやボンディングワイヤー、電極端子の接続部が腐食を引き起こしていることが判明した。
 これは、同端子部に異なる金属接続されると、酸化還元電位差による電池効果が発生し、発光のために電圧が印加されると、そこに、水分とハロゲン、特にハロゲンイオンが混在することにより、腐食を引き起こすことが判明した。
 しかしながら、外部環境からのハロゲン成分の侵入を完全に防止することはできず、特に高信頼性を求められる製品においては腐食が止められないでいた。
 もう一つの大きな問題として、LEDパッケージやLEDモジュールを梱包してユーザーへ発送するが、これらに使用される梱包材や環境由来による硫化水素ガスが、同様にリードフレームやボンディングワイヤー、電極端子の接続部を腐食させ、特に反射板などでAgを使う場合には反応性が高いため、著しい腐食を起こしてしまうことが判明した。
 本発明者は、上記問題の解決手段の検討を進めていく中で、吸着材料として水分、硫化水素、ハロゲン分子、ハロゲンイオン等を効率的にトラップする有機金属酸化物、特に好ましくは、本発明に係る一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物、又は一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物を、粒子の状態で樹脂層に含有して構成した封止層で封止する方法、表面を有機金属酸化物でコーティングした粒子を含むエポキシ樹脂で構成される封止層で封止する方法、又は、部品を有機金属酸化物で被覆した後、樹脂で封止する方法で、前記有機金属酸化物でLEDパッケージやLEDモジュールなどLED発光装置の部品、例えば、CuやAg,Auで接続されるボンディングワイヤーや同ワイヤーが半田接続されている端子部表面、リードフレームや反射板の腐食を防止する封止方法により、LED発光装置の腐食を押さえることができることを見いだした。
 すなわち、本発明は、LED発光装置に、水分、硫化水素ガス、ハロゲン成分等をトラップする機能を有する有機金属酸化物を含む封止層を形成することにより、水分、ハロゲン成分、硫化水素ガス等によるLED素子を構成する金属端子部や反射板の腐食を防止することができる高信頼性のある封止層を得ることができた。
 具体的には、封止層内に存在する硫黄やハロゲン成分、外部から侵入するハロゲン成分、例えば、塩素等が同樹脂内外の水分や水素と反応し、HClとなり、また添加剤や組成物内に存在する硫黄化合物と同じく水分が反応することで、SOやHSを発生する。また、水はハロゲンと反応することでHClを発生し、更にHSはCuと反応しやすくCu配線の直接腐食やマイグレーションを引き起こす。
 本発明では、それら腐食の根源となるハロゲン成分を吸着し、更にSOを発生する要因となるHSやHOを吸着することで、ハロゲン化水素化(例えば、HCl化)を遮断し、腐食サイクルを止めることが可能となる。またHSガスによるCuの直接腐食を防止することも可能となるため、高信頼性を有する封止層を提供することができた。
 また、蛍光体によってはHOに対する耐性が弱いため、HOの侵入を防止するポッティング剤を、蛍光封止層を具備する方法もあるが、樹脂から構成される封止材を介してのHOブロックはできないため、これによる蛍光体劣化が生じていた。
 しかしながら、本発明においては、上述と同様のメカニズムにより、HOを吸着することで、腐食だけでなくこれら蛍光体の劣化を防ぐことも可能とした。
比較例の表面実装タイプ(SMT)のLED発光装置の構成の一例を示す概略断面図 本発明の表面実装タイプ(SMT)のLED発光装置で、封止層中に有機金属酸化物含有粒子を含有する構成の一例を示す概略断面図(実施形態1) 本発明の表面実装タイプ(SMT)のLED発光装置で、封止層中に有機金属酸化物含有粒子を含有する構成の他の一例を示す概略断面図(実施形態2) 本発明の表面実装タイプ(SMT)のLED発光装置で、封止層中に有機金属酸化物含有粒子を含有し、かつLED表面を有機金属酸化物で被覆した構成の一例を示す概略断面図(実施形態3) 本発明の表面実装タイプ(SMT)のLED発光装置で、LED表面を有機金属酸化物で被覆した構成の一例を示す概略断面図(実施形態4) 本発明の表面実装タイプ(SMT)のLED発光装置で、LED表面を有機金属酸化物で被覆した構成の他の一例を示す概略断面図(実施形態5) 本発明のCSPタイプのLED発光装置で、封止層中に有機金属酸化物含有粒子を含有し、かつLED表面を有機金属酸化物で被覆した構成の一例を示す概略断面図(実施形態6) 本発明のCSPタイプのLED発光装置で、封止層中に有機金属酸化物含有粒子を含有し、かつLED表面を有機金属酸化物で被覆した構成の一例を示す概略上面図(実施形態6) 本発明のTFTタイプのLED発光装置で、封止層中に有機金属酸化物含有粒子を含有する構成の一例を示す概略断面図(実施形態7) 本発明のTFTタイプのLED発光装置で、封止層中に有機金属酸化物含有粒子を2種含有する構成の一例を示す概略断面図(実施形態8) 本発明のTFTタイプのLED発光装置で、封止層中に有機金属酸化物含有粒子を含有し、かつLED表面を有機金属酸化物で被覆した構成の一例を示す概略断面図(実施形態9) 本発明の他のTFTタイプのLED発光装置で、LED素子上の蛍光体含有層に有機金属酸化物含有粒子を含有する構成の一例を示す概略断面図(実施形態10) 本発明の他のTFTタイプのLED発光装置で、LED素子上の蛍光体含有層に有機金属酸化物含有粒子を含有する構成の他の一例を示す概略断面図(実施形態11)
 本発明のLED発光装置は、基材上に、少なくとも、LED素子と、樹脂層を有するLED発光装置であって、前記LED素子表面に、少なくとも、前記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜、又は前記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜を有することを特徴とするLED発光装置、又は、基材上に、少なくとも、LED素子と、樹脂層を有するLED発光装置であって、前記樹脂層が、少なくとも、下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子、又は下記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を含有することを特徴とする。この特徴は、下記各実施形態に共通する又は対応する技術的特徴である。
 本発明の実施形態としては、本発明の目的とする効果をより発現できる観点から、LED素子表面上に、前記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜及び前記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜を積層された構造を有することが、本発明の目的効果をより発現させることができる点で好ましい。
 また、前記樹脂層が、前記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子及び前記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を同時に含有する構成であることが、本発明の目的効果をより発現させることができる点で好ましい。
 また、LED素子表面が、前記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜又は前記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜で被覆され、かつ前記樹脂層が、前記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子又は前記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を含有する構成であることが、本発明の目的効果をより発現させることができる点で好ましい。
 以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「~」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。なお、各図の説明において、構成要素の末尾に記載した数字は、各図における符号を表す。
 《LED発光装置》
 本発明のLED発光装置は、基材上に、少なくとも、LED素子と樹脂層を有するLED発光装置であって、LED素子表面に、少なくとも、前記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜、又は前記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜を有することを一つの特徴とする。本発明でいう有機金属酸化物含有膜とは、有機金属酸化物を主成分として含有する被膜で、バインダー等の成分をほぼ含まない構成をいう。
 また、本発明のLED発光装置は、基材上に、少なくとも、LED素子と樹脂層を有するLED発光装置であって、前記樹脂層が、少なくとも、下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子、又は下記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を含有することを特徴とする
 [LED発光装置の基本構造]
 はじめに、本発明のLED発光装置の基本構造について、図を交えて説明する。
 本発明のLED発光装置の基本的な構成としては、以下で説明する表面実装型(SMTタイプ)のLED発光装置、パッケージ方法が異なるチップサイズであるCSPタイプ、及びTFTを用いるTFTタイプを挙げることができる。
 本発明でいう表面実装型(SMTタイプ、Surface Mount Technology)のLED発光装置とは、金属端子(リードフレーム)の付いた基板上に,LED素子を載せて、ボンディングワイヤーでLED素子と電極をつなぐ実装方式である。
 また、本発明でいうパッケージ方法が異なるチップサイズであるCSPタイプ(Chip Size Package)のLED発光装置とは、LED素子自身に金属化された陽極及び陰極を有し、回路基板に直接半田付する実装方式である。
 また、本発明でいうTFTタイプのLED発光装置とは、TFTを具備してLEDの発光を制御する方式である。
 〔SMTタイプのLED発光装置の構成例1(実施形態1)〕
 図2は、本発明に係る有機金属酸化物含有粒子を含有するSMTタイプのLED発光装置の一例を示す概略断面図である。
 図2に示すLED発光装置100は、表面実装型(SMTタイプ)のLED発光装置を示しており、パッケージ基板Pを構成する絶縁性基板2上に、電極なるリードフレーム3とLED素子7が接続用端子6を介して接続され、LED素子7表面に設けた半田8とボンディングワイヤー9を介して、リードフレーム3と接続されている。
 このLED素子7や、ボンディングワイヤー9、リードフレーム3等を被覆する構成で樹脂層10が設けられ、樹脂層10中には、蛍光体粒子11と共に、粒子状の本発明に係る有機金属酸化物を含有させた構成である。図2では、有機金属酸化物として、Ti有機金属酸化物含有粒子12で構成した例を示してある。
 図2の構成では、更に樹脂層10の周辺部には、反射層5が形成されている。反射層5はあってもなくてもよい。この反射層5は反射率の高いAgで構成されていることが好ましく、また、Ag以外にもAl、Ni、Ti等の金属を用いることもできる。
 図2で示す構成のLED発光装置100では、蛍光体11を含有する樹脂層10に分散状態で存在しているTi有機金属酸化物含有粒子12が、LED発光装置1の外部より侵入してくる硫化水素、ハロゲン分子、ハロゲンイオン、又は水等の腐食性ガスと反応し、当該硫化水素、ハロゲン分子、ハロゲンイオン、又は水を捕獲することにより、LED素子の構成材料や反射層を構成する銀等の金属成分の腐食を、極めて効率的に防止することができる。
 また、樹脂層10に含まれる蛍光体11は水により失活してしまうため、水を捕獲することにより、色純度を長時間維持可能なLED発光装置100を提供することができる。
 なお、図1に示す表面実装タイプ(SMT)のLED発光装置は比較例であり、上記図2で示す本発明の構成に対し、樹脂層10中に、蛍光体粒子11のみ含有させた構成である。
 〔SMTタイプのLED発光装置の構成例2(実施形態2)〕
 また、本発明のSMTタイプのLED発光装置として、樹脂層中に本発明に係る一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子及び本発明に係る一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を同時に含有する構成も好ましい態様の一つである。
 図3に示すSMTタイプのLED発光装置100では、樹脂層10中には、蛍光体粒子11とともに、一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子、例えば、Ti有機金属酸化物含有粒子12と、一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子、例えば、Cu有機金属酸化物含有粒子13を同時に含有している構成例を示してある。
 〔SMTタイプのLED発光装置の構成例3(実施形態3)〕
 また、図4で示すように、本発明のSMTタイプのLED発光装置として、樹脂層中に本発明に係る一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子又は本発明に係る一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を含有させ、かつLED素子7と、リードフレーム3と接続用端子6、LED素子7表面に設けた半田8とボンディングワイヤー9表面を、一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜又は下記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜で被覆する構成を挙げることができる。
 図4に示すLED発光装置100では、樹脂層10中には、蛍光体粒子11とともに、有機金属酸化物含有粒子として、一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子であるTi有機金属酸化物含有粒子12を用い、有機金属酸化物含有膜においては、一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜として、Cu有機金属酸化物含有膜13Bを形成した例を示してある。
 本発明において、有機金属酸化物含有膜の形成方法としては、有機金属酸化物成分を含む塗布液を調製した後、当該塗布液を、例えば、従来公知の湿式塗布法により所定の位置に付与して形成することができる。
 〔SMTタイプのLED発光装置の構成例4(実施形態4)〕
 また、図5で示す本発明のSMTタイプのLED発光装置では、LED素子7と、リードフレーム3と接続用端子6、LED素子7表面に設けた半田8とボンディングワイヤー9表面を、一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜又は下記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜のみで被覆した構成も挙げることができる。図5では、有機金属酸化物含有膜として、一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜として、Ti有機金属酸化物含有膜12Bを用いて形成した例を示してある。
 〔SMTタイプのLED発光装置の構成例5(実施形態5)〕
 また、本発明においては、LED素子表面を、一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜及び一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜を同時に形成する構成も上げることができる。
 図6に示す本発明のSMTタイプのLED発光装置では、LED素子7と、リードフレーム3と接続用端子6、LED素子7表面に設けた半田8とボンディングワイヤー9表面を、第1ステップとして、例えば、一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜として、Cu有機金属酸化物含有膜13Bを形成した後、その上部に、一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜として、Ti有機金属酸化物含有膜12Bを形成した構成とすることもできる。
 〔CSPタイプのLED発光装置の構成例1(実施形態6)〕
 図7A及び図7Bに、パッケージ方法が異なるチップサイズであるCSPタイプのLED発光装置の構成を示す。
 図7Aは、CSPタイプのLED発光装置の断面図であり、図7Bはその上面図である。
 図7Aに示すCSPタイプのLED発光装置100では、パッケージ基板P上に、複数のLED素子7が配置され、各LED素子7には電極パターンが形成されており、片面にアノード電極103とカソード電極112が同じく半田バンプで形成しているLED素子7をパッケージ基板Pに接続し、図4の構成と同様に、パッケージ基板PとLED素子7を保護するように蛍光体11及び本発明に係る金属酸化物含有粒子、例えば、Ti有機金属酸化物含有膜12を含有する樹脂層10と、LED素子7と各電極103、112の表面を被覆する構成で、一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜として、Mn有機金属酸化物含有膜15Bを形成している構成である。
 実施形態6で示すCSPタイプのLED発光装置100においても、同様に水に起因した蛍光体の失活や、水、ハロゲン、ハロゲンイオン、硫化水素等を捕獲することにより、電極部の腐食を極めて効率的に防止することができる。
 〔TFTタイプのLED発光装置の構成例1(実施形態7)〕
 図8は、本発明のLED発光装置の構成の一例を示す概略断面図であり、白色発光するLED素子を封止する樹脂層中に、粒子状の本発明に係る有機金属酸化物を1種含有させた構成である(実施形態7)。
 図8に示すLED発光装置100では、TFT基板102上に、TFT111に接続している端子電極114と接続用端子112を介して、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色の光をそれぞれ発するLED素子7が配置され、これらを点灯することにより、3色の光を合成して白色光が発光する。TFT基板102の下部には、TFT111を介して薄層トランジスター(Thin Film Transistor、以下、「TFT」と略記する。)が配置されているが、図8ではその記載は省略している。
 また、TFT基板102上のLED素子7の周辺部には、すり鉢状(逆円錐形)のパッケージ4と、その表面部にAg等の金属材料より構成されている反射層5が形成され、その内部に、凹状の空間であるキャビティーを形成している。
 形成したキャビティー内に、封止用樹脂と本発明に係る有機金属酸化物、例えば、Ti有機金属酸化物含有粒子12及び蛍光体粒子11が充填されている樹脂層10を形成している。
 更に、樹脂層10上には、感圧接着層103を介して、LED素子7からの発光光(矢印で表示)を特定の方向に変更するためのカラーフィルラー104と、感圧接着層105を介して最表面にガラスプレート106が配置されて、LED発光装置100を構成している。
 図8に示す構成においては、樹脂層中に分散状態で存在している本発明に係る有機金属酸化物含有粒子、例えば、Ti有機金属酸化物含有粒子12が、LED発光装置100の外部より侵入してくる硫化水素、ハロゲン分子、ハロゲンイオン、又は水等の腐食性ガスと反応し、当該硫化水素、ハロゲン分子、ハロゲンイオン、又は水を捕獲することにより、LED素子7の構成材料や反射層5を構成する銀等の金属成分の腐食を、極めて効率的に防止することができる。
 〔TFTタイプのLED発光装置の構成例2(実施形態8)〕
 図9は、本発明のLED発光装置の構成の一例を示す概略断面図であり、白色発光するLED素子を封止する樹脂層中に、粒子状の本発明に係る有機金属酸化物を2種含有させた構成を示してある(実施形態8)。
 図9で示すLED発光装置100の基本的な構成は、上記図8で説明した構成と同様で、樹脂層10中に、一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子、例えば、Ti有機金属酸化物含有粒子12と、一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子、例えば、Cu有機金属酸化物含有粒子13を同時に含有している構成である。
 〔TFTタイプのLED発光装置の構成例3(実施形態9)〕
 図10は、本発明のLED発光装置の構成の他の一例を示す概略断面図であり、前述の図8に示した構成に対し、更に、LED素子7、端子電極114、接続用端子112の表面を本発明に係る有機金属酸化物、例えば、一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜として、Cu有機金属酸化物含有膜13Bで被覆した構成である。
 〔TFTタイプ2のLED発光装置の構成例1(実施形態10)〕
 次いで、本発明のLED発光装置の構成の一例として、LED素子上に蛍光体含有層を有する構成のTFTタイプ2のLED発光装置について説明する。
示す概略断面図(実施形態4)である。
 図11に示すLED発光装置100では、基本的な構成は上記図9及び図10で説明したLED発光装置と同一であるが、LED素子7が主には単色発光で構成され、当該LED素子7の発光面上に、蛍光体含有層115が形成されている構成である。
 蛍光体含有層115は、主には、蛍光体粒子11及び蛍光樹脂116により構成され、更に、本発明に係る有機金属酸化物含有粒子、例えば、Ti有機金属酸化物含有粒子12を含有していることが特徴である。
 図11で示す構成のLED発光装置100において、蛍光体含有層115が含有する蛍光体粒子11は、LED素子7が発光する光の波長(励起波長)により励起されて、励起波長と異なる波長の蛍光を出射する。例えば、LED素子7から青色光が出射される場合、蛍光体含有層115に黄色の蛍光を発する蛍光体粒子11を添加することで、白色発光のLED発光装置が得られる。例えば、黄色の蛍光を発する蛍光体粒子11の例としては、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)蛍光体がある。YAG蛍光体は、青色LED素子から出射される青色光(波長420~485nm)を励起光として、黄色(波長550~650nm)の蛍光を発する。
 図8及び図9と同様に、図11に示す構成の蛍光体含有層115にも、本発明に係る有機金属酸化物含有粒子として、Ti有機金属酸化物含有粒子12を存在させることにより、外部から侵入してくる硫化水素、ハロゲン分子、ハロゲンイオン、又は水等の腐食性ガスを補足することにより、蛍光体粒子11のこれらガスによる劣化を防止することができる。
 図11に示す構成においても、金属酸化物含有粒子として、一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子及び一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を併用することもできる。
 〔TFTタイプ2のLED発光装置の構成例2(実施形態11)〕
 図12には、蛍光体含有層に有機金属酸化物含有粒子を含有させ、かつLED素子7、端子電極114、接続用端子112の表面を本発明に係る有機金属酸化物、例えば、一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜として、Cu有機金属酸化物含有膜13Bを形成している構成である。
 図11と同様に、図12で示す構成とすることにより、外部から侵入してくる硫化水素、ハロゲン分子、ハロゲンイオン、又は水等の腐食性ガスを補足することにより、蛍光体粒子のこれらのガスによる劣化を防止することができる。
 次いで、上記説明した本発明のLED発光装置の各構成成分の詳細について、以下に説明する。
 [LED発光装置の構成材料]
 〔有機金属酸化物〕
 本発明に係る当該有機金属酸化物は、下記一般式(A)で表される化合物から製造された下記一般式(1)又は一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物を主成分として含有することが好ましい。「主成分」とは、有機金属酸化物の全体の質量のうち、一般式(1)又は一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物の構成比率が70質量%以上であり、より好ましくは80質量%以上、特に好ましくは90質量%以上であることをいう。
 一般式(A) M(OR(O-R)x-y
 上記一般式(A)において、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含む炭素鎖でもよい。Mは、金属原子を表す。ORは、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。
 本発明のLED発光装置においては、LED素子表面に、一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜、もしくは一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜を有する構成、又は樹脂層が少なくとも、一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子、もしくは一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を含有することを特徴とする。
 一般式(1):R-[M(OR(O-)x-y-R
 一般式(2):R-[M(OR(O-)x-y-R
 式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含む炭素鎖でもよい。MはTi、Zn、Sn、Al、Si及びZrから選ばれる金属原子を表す。MはCu、Ag、Au、Mn,Co及びNiから選ばれる金属原子を表す。ORは及びORは、それぞれフッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度をそれぞれ表す。
 上記一般式(1)及び一般式(2)において、OR及びORはそれぞれフッ化アルコキシ基を表すが、R及びRは、少なくとも一つのフッ素原子に置換したアルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。各置換基の具体例は後述する。
 Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。又はそれぞれの基の水素の少なくとも一部をハロゲンで置換したものでもよい。また、ポリマーでもよい。
 アルキル基は置換又は未置換のものであるが、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル等であるが、好ましくは炭素数が8以上のものがよい。またこれらのオリゴマー、ポリマーでもよい。
 アルケニル基は、置換又は未置換のもので、具体例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキシセニル基等があり、好ましくは炭素数が8以上のものがよい。またこれらのオリゴマー又はポリマーでもよい。
 アリール基は、置換又は未置換のもので、具体例としては、フェニル基、トリル基、4-シアノフェニル基、ビフェニル基、o,m,p-テルフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、9-フェニルアントラニル基、9,10-ジフェニルアントラニル基、ピレニル基等があり、好ましくは炭素数が8以上のものがよい。また、これらのオリゴマー又はポリマーでもよい。
 置換又は未置換のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基等でありが好ましくは炭素数が8以上のものがよい。また、これらのオリゴマー、ポリマーでもよい。
 置換又は未置換のシクロアルキル基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボナン基、アダマンタン基、4-メチルシクロヘキシル基、4-シアノシクロヘキシル基等であり、好ましくは炭素数が8以上のものがよい。また、これらのオリゴマー又はポリマーでもよい。
 置換又は未置換の複素環基の具体例としては、ピロール基、ピロリン基、ピラゾール基、ピラゾリン基、イミダゾール基、トリアゾール基、ピリジン基、ピリダジン基、ピリミジン基、ピラジン基、トリアジン基、インドール基、ベンズイミダゾール基、プリン基、キノリン基、イソキノリン基、シノリン基、キノキサリン基、ベンゾキノリン基、フルオレノン基、ジシアノフルオレノン基、カルバゾール基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、チアゾール基、チアジアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾトリアゾール基、ビスベンゾオキサゾール基、ビスベンゾチアゾール基、ビスベンゾイミダゾール基等がある。また、これらのオリゴマー又はポリマーでもよい。
 置換又は未置換のアシル基の具体例としては、正孔ミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ラウロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピメロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、イソクロトノイル基、オレオイル基、エライドイル基、マレオイル基、フマロイル基、シトラコノイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、グリコロイル基、ラクトイル基、グリセロイル基、タルトロノイル基、マロイル基、タルタロイル基、トロポイル基、ベンジロイル基、サリチロイル基、アニソイル基、バニロイル基、ベラトロイル基、ピペロニロイル基、プロトカテクオイル基、ガロイル基、グリオキシロイル基、ピルボイル基、アセトアセチル基、メソオキサリル基、メソオキサロ基、オキサルアセチル基、オキサルアセト基、レブリノイル基これらのアシル基にフッ素、塩素、臭素、又はヨウ素などが置換してもよい。好ましくは、アシル基の炭素は8以上良い。また、これらのオリゴマー又はポリマーでもよい。
 本発明に係る一般式(1)又は(2)で表される構造を有する有機金属酸化物を形成するための、金属アルコキシド、金属カルボキシレート及びフッ素化アルコールの具体的な組み合わせについて、以下に例示する。ただし、本発明は、これに限定されるものではない。
 本発明に係る一般式(1)又は(2)で表される構造を有する有機金属酸化物の形成に適用する金属アルコキシド又は金属カルボキシレートとフッ化アルコール(R′-OH)は、以下の反応スキームIによって、本発明に係る有機金属酸化物となる。ここで、(R′-OH)としては、以下のF-1~F-16の構造が例示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 本発明に係る金属アルコキシド又は金属カルボキシレートは、以下のM(OR)又はM(OCOR)に示す化合物が例示され、本発明に係る有機金属酸化物は、前記(R′-OH:F-1~F-16)との組み合わせにより、下記例示化合物番号1~110の構造を有する化合物(下記例示化合物I、II及びIII参照。)となる。本発明に係る有機金属酸化物は、これに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 〈有機金属酸化物の反応性〉
 本発明に係る有機金属酸化物は、以下の反応スキームII及び反応スキームIIIに示すような反応性を示すものである。なお、焼結後の有機金属酸化物の重縮合体の構造式において、「O-M」部の「M」は、さらに置換基を有しているが、省略してある。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 例えば、金属種の異なる2種の金属オキサイドが共存する場合、下記反応スキームIIIで示されるような反応性を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 上記有機金属酸化物が、焼結又は紫外線照射等により重縮合して形成された有機薄膜は、以下の反応スキームIV及び反応スキームVに示すような反応性を有する。
 反応スキームIVの場合、系外からの水分(HO)によって加水分解し、撥水性又は疎水性物質であるフッ素化アルコール(R′-OH)を放出する。このフッ素化アルコールによって、さらに水分の電子デバイス内部への透過を防止するものである。
 すなわち、本発明に係る有機金属酸化物は、加水分解によって生成したフッ素化アルコールが撥水性又は疎水性のため、本来の乾燥性(デシカント性)に加え、水分との反応により撥水機能が付加されて、封止性に相乗効果(シナジー効果)を発揮するという特徴を有する。
 なお、下記構造式において、「O-M」部の「M」は、さらに置換基を有しているが、省略してある。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 反応スキームVの場合、腐食性を有するヨウ素(I)ガスと反応してヨウ素をトラップし、ヨウ化銀を生成するとともに、比較的安定なポリヨウ素イオン(I 、I 及びI )を生成する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 〈有機金属酸化物の製造方法〉
 本発明に係る有機金属酸化物を製造する有機金属酸化物の製造方法は、金属アルコキシドとフッ化アルコールの混合液を用いて製造することが特徴である。
 本発明に係る有機金属酸化物の製造方法は、金属アルコキシド又は金属カルボキシレートにフッ化アルコールを加え混合液として撹拌混合させた後に、必要に応じて水と触媒を添加して所定温度で反応させる方法を挙げることができる。
 ゾル・ゲル反応をさせる際には、加水分解・重縮合反応を促進させる目的で下記に示すような加水分解・重合反応の触媒となりうるものを加えてもよい。ゾル・ゲル反応の加水分解・重合反応の触媒として使用されるものは、「最新ゾル-ゲル法による機能性薄膜作製技術」(平島碩著、株式会社総合技術センター、P29)や「ゾル-ゲル法の科学」(作花済夫著、アグネ承風社、P154)等に記載されている一般的なゾル・ゲル反応で用いられる触媒である。例えば、酸触媒では塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、酒石酸、トルエンスルホン酸等の無機及び有機酸類等が挙げられる。
 好ましい触媒の使用量は、有機金属酸化物の原料となる金属アルコキシド又は金属カルボキシレート1モルに対して2モル当量以下、さらに好ましくは1モル当量以下ある。
 ゾル・ゲル反応をさせる際、好ましい水の添加量は、有機金属酸化物の原料となる金属アルコキシド又は金属カルボキシレート1モルに対して、40モル当量以下であり、より好ましくは、10モル当量以下であり、さらに好ましくは、5モル当量以下である。
 本発明において、好ましいゾル・ゲル反応の反応濃度、温度、時間は、使用する金属アルコキシド又は金属カルボキシレートの種類や分子量、それぞれの条件が相互に関わるため一概には言えない。すなわち、アルコキシド又は金属カルボキシレートの分子量が高い場合や、反応濃度の高い場合に、反応温度を高く設定したり、反応時間を長くし過ぎたりすると、加水分解、重縮合反応に伴って反応生成物の分子量が上がり、高粘度化やゲル化する可能性がある。したがって、通常の好ましい反応濃度は、おおむね溶液中の固形分の質量%濃度で1~50%の範囲内であり、5~30%の範囲内がより好ましい。また、反応温度は反応時間にもよるが通常0~150℃の範囲内であり、好ましくは1~100℃の範囲内であり、より好ましくは20~60℃の範囲内であり、反応時間は1~50時間の範囲内が好ましい。
 本発明においては、樹脂層が含有する前記有機金属酸化物における炭素原子数とフッ素原子数の総数に対するフッ素原子数の比の値F/(C+F)が、0.05~1.00の範囲内であることが、撥水性又は疎水性の観点から好ましい。すなわち、本発明に係る有機金属錯酸化物中のフッ素比率が、下記式(a)を満たすことが好ましい。
 式(a):0.05≦F/(C+F)≦1.00
 式(a)の測定意義は、ゾル・ゲル法により作製した有機薄膜がある量以上のフッ素原子を必要とすることを数値化するものである。上記式(a)中のF及びCは、それぞれフッ素原子及び炭素原子の濃度を表す。
 更に好ましい範囲としては、0.2≦F/(C+F)≦0.6の範囲である。
 上記フッ素比率は、有機薄膜形成に使用するゾル・ゲル液をシリコンウェハ上に塗布して薄膜を形成した後、当該薄膜をSEM・EDS(Energy Dispersive X-ray Spectoroscopy、エネルギー分散型X線分析装置)による元素分析により、それぞれフッ素原子及び炭素原子の濃度を求めることができる。SEM・EDS装置の一例として、JSM-IT100(日本電子社製)を挙げることができる。
 SEM・EDS分析は、高速及び高感度で精度よく元素を検出できる特徴を有する。
 本発明に係る有機金属酸化物は、ゾル・ゲル法を用いて調製でき、例えば、「ゾル-ゲル法の科学」の13ページ及び20ページに紹介されている金属の中でも、本発明に係る一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物においては、MとしてTi、Zn、Sn、Al、Si及びZrから選ばれる金属原子を、また、一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物においては、MとしてCu、Ag、Au、Mn,Co及びNiから選ばれる金属原子を適用することを特徴とし、本発明の効果を得る観点から好ましい。
 (樹脂層形成用樹脂)
 封止層形成用樹脂としては、一般に、エポキシ樹脂が多く用いられてきたが、近年の発光装置に対する長寿命化の要請に応えるため、変色(黄変)が生じにくいシリコーン樹脂材料が採用されている。高出力のLED素子に対する要求である耐熱性に対しては、有機成分を減少させることができる変性ポリジメチルシロキサン(PDMS)化合物のようなシリコーン樹脂材料も使用されている。
 樹脂層形成用樹脂材料の主成分、すなわち、封止層形成用のマトリックスとしては、種々のものを使用でき、例えば、低分子有機マトリックス、有機樹脂マトリックス、低分子無機マトリックス、無機樹脂マトリックス(例えば、ポリシロキサン、フッ素化酸化ケイ素、ホスファゼン等)又はそれらの複合物からなるマトリックス(例えば、シリコーン、トリフロロメチルシラン、トリメトキシフェニルシラン、トリエトキシメチルシラン等からできる有機シリカ膜、有機マトリックスに無機化合物が充填されたもの、有機無機ハイブリッド膜)等が例示できる。
 上記低分子有機マトリックスを構成する材料としては、結晶性低分子化合物を混合してガラス状態化したような物質や低分子でマトリックスを形成できるものであれば何でもよく、例えば、電子材料としては、フタロシアニンやベンゾシクロブテン等が知られている。また、特開平8-321217号公報、特開平11-116663号公報などにみられるような物質が例示できる。
 〈シリコーン樹脂〉
 シリコーン樹脂としては、構成単位としてアルキル基、芳香族基等の有機基を有するシロキサン結合を含む樹脂が挙げられる。前記アルキル基としては、特に制限されないが、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イオブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等が挙げられる。また、前記芳香族基としては、特に制限されないが、フェニル基、トリル基等が挙げられる。これらのうち、メチル基又はフェニル基を有するものが好ましく、ジメチルポリシロキサン、メチルフェニルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、及びこれらの変性体がより好ましい。また、シリコーン樹脂は市販品としても入手することができ、反応性変性シリコーン樹脂としては、ポリシロキサンの側鎖、片末端又は両末端にアミノ、エポキシ、カルボキシル、水酸基、メタクリル、メルカプト、フェノール等で置換された反応性タイプの変性シリコーン樹脂である。アミノ変性シリコーン樹脂として、具体的には、KF-860、KF-861、X-22―161A、X-22―161B(以上、信越化学工業株式会社製)、FM-3311、FM-3325(以上、チッソ株式会社製)、エポキシ変性シリコーン樹脂としては、KF―105、X-22-163A、X-22-163B、KF-101、KF-1001(以上、信越化学工業株式会社製)、ポリエーテル変性シリコーン樹脂としてはX-22-4272、X-22-4952(以上、信越化学工業株式会社製)、カルボキシル変性シリコーン樹脂としては、X-22-3701E、X-22-3710(以上、信越化学工業株式会社製)、カルビノール変性シリコーン樹脂としてはKF-6001、KF-6003(以上、信越化学工業株式会社製)、メタクリル変性シリコーン樹脂としてはX-22-164C(以上、信越化学工業株式会社製)、メルカプト変性シリコーン樹脂としてはKF-2001(信越化学工業株式会社製)、フェノール変性シリコーン樹脂としてはX-22-1821(信越化学工業株式会社製)等が挙げられる。水酸基変性シリコーン樹脂としては、FM-4411、FM-4421、FM-DA21,FM-DA26(以上、チッソ株式会社製)等が挙げられる。その他、片末端反応性シリコーン樹脂のX-22-170DX、X-22-2426、X-22-176F(信越化学工業株式会社製)等を挙げることができる。
 〈その他の樹脂材料〉
 上記有機樹脂マトリックスを構成する材料としては、この分野で使用されている各種の有機樹脂を挙げることができる。代表的なものとしてはエポキシ樹脂を挙げることができ、ビスフェノールA型エポキシ樹脂や、耐候性が高く、長時間の使用に対しても黄変が少ない脂環式エポキシ樹脂を挙げることができる。
 上記無機樹脂マトリックスを構成する材料としては、水素化シルセシキオキサン、メチルシルセスキオキサン、水素化メチルシルセスキオキサンなどのシロキサン系材料などを例示できる。
 上記各種マトリックスを構成する材料を複数種類用いてそれらの複合物を用いたマトリックスを用いてもよい。
 本発明においては、低分子マトリックスに比較してガス透過抑制の観点で優れる、有機樹脂マトリックス及び無機樹脂マトリックスを用いることが望ましく、更に耐熱性の観点で優れている無機樹脂マトリックスを用いることが望ましい。
 無機樹脂マトリックスを形成するものの中では、特に成膜時に有機成分の残存を抑制するためのユニットを導入した変性ポリジメチルシロキサン化合物(変性PDMS)を使用することが望ましい。
 その他のマトリックスとして使用される望ましい有機樹脂としては、種々のものを使用することができるが、例えば、(i)熱可塑性樹脂、(ii)熱硬化性樹脂、(iii)放射線硬化性樹脂、及び(iv)熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、放射線硬化性樹脂の中の2種類以上からなる複合樹脂、又は、(v)上記(i)~(iv)の2種以上の混合物が使用できる。これらのマトリックスの例は「次世代ULSI多層配線の新材料、プロセス技術」(2000年技術情報協会)、「変貌する実装材料・積層技術-高周波、高密度、低温焼結、環境への対応-」(2003年TIC)に詳しい。なかでも、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との複合樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂が好ましく使用できる。
 上記熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ1-ブテン樹脂、ポリ4-メチル-1-ペンテン樹脂等のポリオレフィン樹脂;ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂;ナイロン6、ナイロン66等のポリアミド樹脂;ポリ四フッ化エチレン樹脂、ポリ三フッ化エチレン樹脂等のフッ素樹脂;その他ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリメチル(メタ)アクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリアミドイミド樹脂等を例示できる。
 〈放射線硬化性樹脂〉
 本発明においては、放射線硬化性樹脂として、電子部品等の分野で使用されているものが広く使用でき、基本的には二重結合を2個以上もつ化合物を使用することで可能となるが、さらにはより精細なパターンを形成するために側鎖に二重結合と水性現像可能なためのカルボキシル基を付与したものが使用できる。紫外線硬化型として使用されていることが多い。これら放射線硬化性樹脂としては、例えば、特開昭61-243869号公報、特開2002-294131号公報、特開2005-154780号公報等に記載のものが使用できる。
 典型的には、放射線硬化性樹脂としては、「エポキシ基を2個以上含む化合物」に「カルボキシル基を有するエチレン性不飽和単量体」を反応させたものが挙げられる。
 ここで「エポキシ基を2個以上含む化合物」としてはフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA-ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂(例えば、ダイセル化学工業社製 「EHPE-3150」)、及びトリス(ヒドロキシフェニル)メタンの誘導体である多官能エポキシ樹脂(例えば、日本化薬(株)製EPPN-502H、及びダウケミカル社製タクテックス-742及びXD-9053等)等のエポキシ樹脂がある。
 また、「エポキシ基を2個以上含む化合物」としては、以下に示すエポキシ化合物とエチレン性不飽和単量体との共重合体も使用できる。すなわち、エポキシ化合物としては、グリシジル(メタ)アクリレートや2-メチルグリシジル(メタ)アクリレート等のグリシジル(メタ)アクリレート類、及び(3,4-エポキシシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸のエポキシシクロヘキシル誘導体類等が挙げられる。また、上記のエチレン性不飽和単量体としては、脂肪族又は脂環族のアルキル(メタ)アクリレート;ベンジル(メタ)アクリレート等の芳香族系(メタ)アクリレート;ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートやメトキシエチル(メタ)アクリレート等のエチレングリコールエステル系(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールエステル系(メタ)アクリレート及びプロピレングリコール系(メタ)アクリレート;(メタ)アクリルアミド系化合物;N-置換マレイミド系化合物;ビニルピロリドン;(メタ)アクリロニトリル;酢酸ビニル;スチレン;α-メチルスチレン;及びビニルエーテル等が挙げられる。
 上記熱硬化性樹脂としては、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレジン)、架橋性ポリフェニレンオキサイド、硬化性ポリフェニレンエーテル、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ジアリルフタレート樹脂、キシレン樹脂、(メタ)アクリル樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA、レゾルシン等から合成される各種ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂、スピロ環式エポキシ樹脂等を例示できる。
 上記熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との複合樹脂としては、ポリフェニレンエーテル・エポキシ樹脂、ポリアミドイミド・エポキシ樹脂、ポリアミド・エポキシ樹脂、ポリアミドイミド・ポリイミド樹脂等を例示できる。
 具体的には、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、縮合多環多核芳香族(COPNA)樹脂、ポリベンゾイミダゾール、フッ素樹脂、フッ素化ポリマー、非晶性ポリオレフィン樹脂、シンジオタクティックポリスチレン、ポリナフタレン、ポリインダン、ポリフェニレンエーテル、液晶ポリマー、ポリキノリン、ポリフェニルキノキサリン、シアネート樹脂、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルエーテルニトリル、芳香族ポリエーテルなどの樹脂が挙げられる。
 (樹脂層のその他の添加剤)
 本発明に係る樹脂層には、上記説明した有機金属酸化物及び樹脂層形成用樹脂の他に、本発明の目的効果を損なわない範囲で、各種添加剤を用いることができる。
 〈硬化促進剤〉
 本発明に係る樹脂層に適用可能な硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性ヒドロキシ基のエーテル化反応を促進させるような触媒機能を持つ化合物であればどのようなものでもよく、例えば、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、イミダゾール化合物、有機リン化合物、第二級アミン、第三級アミン、第四級アンモニウム塩などが例示できる。なかでも、イミノ基がアクリロニトリル、イソシアネート、メラミンアクリレートなどでマスク化されたイミダゾールが、優れた安定性を得ることができる点で好ましい。
 〈難燃剤〉
 難然剤は、一般に難燃剤として称されるものであれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、ポリビニルフェノール、フェノール、クレゾール、アルキルフェノール、カテコールなどのノボラック樹脂などのハロゲン化物、グリシジルエーテル等があるが、特に制限するものではなく、また三酸化アンチモン、テトラフェニルホスフィンなどを併用してもよい。なかでも、該難然剤として、テトラブロモビスフェノールA又はテトラブロモビスフェノールAのグリシジルエーテル等を挙げることができる。
 〈無機樹脂マトリックス〉
 封止層形成用の樹脂材料として、無機樹脂マトリックスを用いることも好ましい。マトリックスとして使用される望ましい無機樹脂としては、種々のものを使用することができるが、例えば、ポリシロキサン、フッ素化酸化ケイ素、ホスファゼンなどが使用できる。特にポリシロキサンの末端をシリケート化合物で置換した変性ポリシロキサンを用いることが望ましい。
 〈酸化防止剤〉
 樹脂層形成用材料が熱硬化性樹脂の場合には、樹脂材料に酸化防止剤を添加してもよい。酸化防止剤を添加することにより、加熱時の酸化劣化を防止し着色の少ない硬化物とすることができる。酸化防止剤の例はフェノール系、硫黄系、及びリン系の酸化防止剤である。酸化防止剤を使用するときの好ましい配合割合は、熱硬化性樹脂を基準とする質量比で0.0001~0.1の範囲内である。
 〈紫外線吸収剤〉
 また、耐光性を向上させるために、必要に応じて樹脂層に紫外線吸収剤を配合してもよい。紫外線吸収剤としては、一般のプラスチック用紫外線吸収剤を使用でき、その好ましい配合割合は、マトリックスとなる樹脂材料を基準とする質量比で0.0001~0.1の範囲内である。
 上記説明したほかに、本発明に係る添加剤としては、例えば、特開2012-15485号公報、特開2013-84796号公報、特開2013-166886号公報、特開2014-135400号公報、国際公開第2013/099193号、国際公開第2014/027460号、国際公開第2014/091762号、国際公開第2014/103330号のそれぞれに記載されている化合物を挙げることができる。
 〔蛍光体含有層〕
 本発明に係る樹脂層には、一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子、又は一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を含有することを一つの特徴とするが、更に、図2で説明したように、蛍光体粒子、樹脂層形成用樹脂等を含有して構成されている。また、図11等で説明した構成のLED発光装置では、蛍光体粒子は蛍光体含有層に存在させる。
 (蛍光体粒子)
 本発明に係る樹脂層又は蛍光体含有層に含有する蛍光体粒子は、LED素子からの特定波長(励起波長)を有する出射光により励起されて、励起波長と異なる波長の蛍光を発する特性を有している。LED素子から青色光が出射される場合には、蛍光体粒子が黄色の蛍光を発することによって、白色発光のLED素子を得ることができる。
 黄色の蛍光を発する蛍光体の例としては、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)蛍光体が挙げられる。YAG蛍光体は、青色LED素子から出射される青色光(波長420~485nm)からなる励起光を受けて、黄色光(波長550~650nm)の蛍光を発することができる。
 具体的な蛍光体として、青色蛍光体としては、Sr10(POCl:Eu2+、CaS:Bi、CaSrS:Bi、Ba1-aEuMgAl1017、緑色蛍光体としては、ZnS:Cu,Al、BaSiO:Eu、ZnGe:Eu、赤色蛍光体としては、YS:Eu3+、CaS:Eu、3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn、KEu2.5(WO)などが挙げられる。
 蛍光体は、例えば、1)所定の組成を有する混合原料に、フラックスとしてフッ化アンモニウム等のフッ化物を適量混合・加圧し、成形体を得て、2)得られた成形体をルツボに詰め、空気中1350~1450℃の温度範囲で2~5時間焼成し焼結体を得ることができる。
 所定の組成を有する混合原料は、Y、Gd、Ce、Sm、Al、La、Gaの酸化物、又は高温で容易に酸化物となる化合物を、化学量論比で十分に混合して得ることができる。あるいは、所定の組成を有する混合原料は、Y、Gd、Ce、Smの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶液を、シュウ酸で共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを混合して得ることができる。
 蛍光体の種類は、YAG蛍光体に限定されるものではなく、例えば、Ceを含まない非ガーネット系蛍光体などの他の蛍光体を使用することもできる。
 蛍光体粒子の平均粒径は、1~50μmの範囲内であることが好ましく、1~10μmの範囲内であることがより好ましい。
 (蛍光体含有層形成用樹脂)
 図11で示すような本発明に係る蛍光体含有層115を形成する蛍光樹脂116としては、特に制限はないが、可視光に対して透明な熱硬化性樹脂であることが好ましい。蛍光層形成用樹脂の例としては、例えば、エポキシ変性シリコーン樹脂、アルキッド変性シリコーン樹脂、アクリル変性シリコーン樹脂、ポリエステル変性シリコーン樹脂、フェニルシリコーン樹脂等のシリコーン樹脂;エポキシ樹脂;アクリル樹脂;メタクリル樹脂;ウレタン樹脂等の透明樹脂等が含まれる。特にフェニルシリコーン樹脂であることが好ましい。
 その他にも、上記樹脂層の形成に用いる封止用樹脂と同様の樹脂材料を挙げることができる。
 (その他の添加剤)
 本発明に係る蛍光体含有層には、上記説明した有機金属酸化物、蛍光体粒子及び蛍光体層形成用の蛍光樹脂の他に、本発明の目的効果を損なわない範囲で、前述の樹脂層に適用可能な各種添加剤を用いることができる。
 〔TFT〕
 本発明のLED発光装置において、TFT基板2に形成されるTFTとしては、従来公知のトップゲート型TFTであってもボトムゲート型TFTであっても構わない。
 TFT基板上に形成されたTFTとしては、例えば、プラスチックフィルム上に形成されたアモルファスシリコン系半導体のTFTが挙げられる。その他にも、米国Alien Technology社が開発しているFSA(Fluidic Self Assembly)技術を応用して得られるTFT、すなわち、エンボス加工したプラスチックフィルム上に単結晶シリコンで形成される微小CMOS(Nanoblocks)を配列させることで得られる、フレキシブルなプラスチックフィルム上に形成されたTFTなどが挙げられる。さらに、Science,283,822(1999)やAppl.Phys.Lett,771488(1998)、Nature,403,521(2000)等の文献に記載されているような有機半導体を用いたTFTであってもよい。
 TFTに適用な可能な基板材料としては、絶縁性を有する限り特に限定されず、種々の材料から選択することができる。例えば、樹脂基板材料としては、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、液晶ポリマー樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。ポリアミド樹脂としてはポリフタルアミド(PPA)樹脂、PA6T(ノナンジアミンを原料ポリマーとした耐熱ポリアミド樹脂)を用いることができる。
 複合基板材料としては、FR-4、CEM-3などと呼ばれるガラスエポキシ複合基板を用いることができる。
 セラミック基板材料としては、焼結アルミナ又は焼結した窒化アルミを用いることができ、LTCC(低温焼結セラミック基板)も用いることができる。
 また、金属基板表面に絶縁層を設けた基板も使用することができる。このような絶縁層を設けた金属基板の具体例としては、アルミニウム又は銅のような熱伝導性の高い金属基板の表面に、絶縁層として上述した樹脂基板材料(例えば、エポキシ樹脂)の層を設けたものを用いることもできる。
 更に、金属基板に絶縁層として有機層(樹脂層)ではなく、無機層を設けたものも用いることができる。無機層としては、金属基板表面に形成した酸化物層が挙げられ、例えば、アルミニウム基板表面に陽極酸化皮膜を形成したものが挙げられる。
 また、金属基板表面にガラス層を形成したものが挙げられる。この場合、ガラス層は琺瑯やゾル・ゲル法といった種々技術で形成することができる。
 TFT基板は、LED素子を保持するための部材であり、金属からなる接続用端子に接続されている。端子電極は、TFT基板の外部に配置される電源(図示せず)から、LED素子に電気を供給する部材である。端子電極は、LED素子からの光や、例えば、蛍光体含有層からの光を、光取り出し面側に反射するための反射層を兼ねてもよい。
 また、TFT基板は、図9~図12に示されるようにキャビティ(凹部)を有していてもよく、平板状であってもよい。TFT基板が有するキャビティーの形状は特に制限されない。例えば、円錐台状であってもよく、角錐台状や、円柱状、角柱状等であってもよい。
 〔パッケージ、バンク〕
 本発明のLED発光装置では、TFT基材上に、例えば、円錐状のパッケージ4(バンクともいう。)が設けられている。
 パッケージは、主に画像のコントラストの改善を目的として形成される。したがってパッケージは、基本的な特性として、光透過率が低いことを要求される。このことから光吸収の大きい材料が遮光層を形成する材料として用いられる。
 パッケージ又はバンクの形成材料としては、近年、環境問題、低反射化、低コスト化の観点から、樹脂に遮光性の色素を分散させた樹脂製ブラックマトリックスが着目されている。例えば、樹脂バインダー中にカーボン微粒子、金属酸化物、無機顔料、有機顔料等の遮光性粒子を含有させてもよく、用いられる樹脂バインダーとしては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ゼラチン、カゼイン、セルロース等の樹脂を1種又は2種以上混合したものや、感光性樹脂、さらにはO/Wエマルジョン型の樹脂組成物、例えば、反応性シリコーンをエマルジョン化したもの等を用いることができる。このような樹脂性ブラックマトリックスのパターニングの方法は、フォトリソ法、印刷法等一般的に用いられている方法を用いることができる。
 〔反射層〕
 本発明のLED発光装置では、上記パッケージ4の表面部に、反射層5が設けられている。
 反射層としては、従来公知のものを適宜参照して適用することができ、例えば、銀やアルミニウムなどの金属薄膜をドット状若しくはストライプ状、又はブラックマトリックスの全面に蒸着することにより形成することができる。
 〔感圧接着層(PSA)〕
 本発明の図8~図12で示すLED発光装置では、上記説明した樹脂層上には、カラーフィルターを接着するための感圧接着層103を形成する。
 本発明でいう感圧接着層とは、熱硬化や紫外線照射により硬化して接着力が得られる硬化タイプの接着層ではなく、加圧により接着しその際に接着部の硬化を伴わない感圧接着剤を用いた層をいう。
 本発明に係る感圧接着層を構成する感圧接着剤の種類は特に限定されないが、例えば、ウレタン系、エポキシ系、水性高分子-イソシアネート系、アクリル系等の接着剤、ポリエーテルメタクリレート型、エステル系メタクリレート型、酸化型ポリエーテルメタクリレート型、ゴム系、ビニルエーテル系、シリコーン系等の接着剤等が挙げられる。形態としては溶剤型、エマルション型、ホットメルト型などがある。
 光透過性の高い感圧接着剤で接着することが望ましく、透明性が高く接着力の強いアクリル系の感圧接着剤が好ましい。また、公知の方法を用いて感圧接着剤中に帯電防止剤や各種のフィラーを混ぜても良い。
 本発明において、感圧接着層の形成方法としては、特に限定されず、一般的な湿式塗布法、例えば、グラビアコーター、マイクログラビアコーター、コンマコーター、リバースロールコーター、ナイフコーター、バーコーター、スロットダイコーター、エアナイフコーター、リバースグラビアコーター、バリオグラビアコーター等を用いた方法、あるいはスプレー塗布法、インクジェット法等の方法が挙げられる。
 感圧接着層の層厚は1~50μmの範囲内であることが好ましく、より好ましくは10~40μmの範囲内であり、最も好ましくは20~30μmの範囲内である。
 〔カラーフィルター〕
 図8~図12で示すカラーフィルターは、第2基材とカラーフィルター層により構成されていることが好ましい形態である。
 (第2基材)
 本発明に係るカラーフィルターに適用可能な第2基材としては、充分な強度、平坦性、耐熱性、光透過性などを有するものが好ましく、例えば、通常のカラーフィルターの基材として用いられている透明な、樹脂フィルムや、無アルカリガラスやソーダガラス等の薄膜ガラス基板が挙げられる。
 透明な樹脂フィルム基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(略称:PET)、ポリエチレンナフタレート(略称:PEN)、ポリメチルメタクリレート(略称:PMMA)、ポリカーボネート(略称:PC)、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン(略称:PES)、ポリシクロオレフィン(略称:COP)、アクリル系架橋性樹脂、エポキシ系架橋性樹脂架橋性樹脂、不飽和ポリエステル系架橋性樹脂、高温耐性を有するワニスやイミド化したポリイミド等から構成されているフィルム基材を挙げることができる。
 (カラーフィルター層)
 本発明係るカラーフィルター層は、複数のカラーフィルター、例えば、赤・緑・青(RGB)や黄・マゼンタ・シアン(YMC)の組合せ、その混合系のほか、輝度調整のための透明画素を適用することができる。複数のカラーフィルター上には、平坦化等のために平坦化層が形成されている。
 カラーフィルターの形成に適用可能な代表的な着色剤を以下に列挙する。
 赤色カラーフィルター(CFR1)を形成するための赤色着色剤には、例えばC.I.Pigment Red 7、9、14、41、48:1、48:2、48:3、48:4、81:1、81:2、81:3、97、122、123、146、149、168、177、178、179、180、184、185、187、192、200、202、208、210、215、216、217、220、223、224、226、227、228、240、242、246、254、255、264、269、272、279等の赤色顔料を用いることができる。赤色着色剤には、黄色顔料、橙色顔料を併用することができる。
 黄色顔料としては、C.I.Pigment Yellow 1、2、3、4、5、6、10、12、13、14、15、16、17、18、20、24、31、32、34、35、35:1、36、36:1、37、37:1、40、42、43、53、55、60、61、62、63、65、73、74、77、81、83、86、93、94、95、97、98、100、101、104、106、108、109、110、113、114、115、116、117、118、119、120、123、125、126、127、128、129、137、138、139、144、146、147、148、150、151、152、153、154、155、156、161、162、164、166、167、168、169、170、171、172、173、174、175、176、177、179、180、181、182、185、187、188、193、194、199、213、214等が挙げられる。
 橙色顔料としては、C.I.Pigment Orange 36、43、51、55、59、61、71、73等が挙げられる。
 緑色カラーフィルター(CFG1)を形成するための緑色着色剤には、C.I.Pigment Green 7、36、58等の緑色顔料を用いることができる。緑色着色組成物には赤色着色組成物と同様の黄色顔料を併用することができる。
 青色カラーフィルター(CFB1)を形成するための青色着色剤には、C.I.Pigment Blue 15:3、15:4の青色顔料、C.I.Pigment Violet 23の紫色顔料の他、適宜他の顔料を組み合わせて用いることもできる。
 また、上記有機顔料と組み合わせて、彩度と明度のバランスを取りつつ良好な塗布性、感度、現像性等を確保するため、必要に応じて無機顔料を組み合わせて用いることも可能である。無機顔料としては、黄色鉛、亜鉛黄、べんがら(赤色酸化鉄(III))、カドミウム赤、群青、紺青、酸化クロム緑、コバルト緑等の金属酸化物粉、金属硫化物粉、金属粉等が挙げられる。さらに、調色のため、耐液晶性、耐熱性を低下させない範囲内で染料を含有させることができる。
 (カラーフィルター層形成用バインダー)
 上記各着色剤を保持して、カラーフィルターを形成するために適用可能なバインダーとしては、カラーフィルター層が、本発明の目的効果を損なわない範囲で、以下の各種樹脂材料を適用することができる。
 熱可塑性樹脂としては、例えば、ブチラール樹脂、スチレン-マレイン酸共重合体、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル系樹脂、アルキッド樹脂、ポリスチレン、ポリアミド樹脂、ゴム系樹脂、環化ゴム系樹脂、セルロース類、ポリエチレン、ポリブタジエン、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
 また、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ロジン変性マレイン酸樹脂、ロジン変性フマル酸樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
 感光性樹脂としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基等の反応性の置換基を有する線状高分子にイソシアネート基、アルデヒド基、エポキシ基等の反応性置換基を有する(メタ)アクリル化合物やケイヒ酸を反応させて、(メタ)アクリロイル基、スチリル基等の光架橋性基を該線状高分子に導入した樹脂が用いられる。また、スチレン-無水マレイン酸共重合物やα-オレフィン-無水マレイン酸共重合物等の酸無水物を含む線状高分子をヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート等のヒドロキシ基を有する(メタ)アクリル化合物によりハーフエステル化したものも用いられる。
 本発明に係る着色剤を含むカラーフィルターの形成においては、溶剤を含有することができる。溶剤としては、例えばシクロヘキサノン、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、1-メトキシ-2-プロピルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチルベンゼン、エチレングリコールジエチルエーテル、キシレン、エチルセロソルブ、メチル-nアミルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルトルエン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、イソブチルケトン、石油系溶剤等が挙げられ、これらを単独又は混合して用いることができる。
 〔保護部材〕
 本発明のLED発光装置には、最表層に保護部材が設けられている。
 保護部材としては、例えば、光透過性及び耐擦過性を有する部材であることが好ましく、更に好ましくはガラス基材又はフレキシブル性を有する樹脂部材である。
 具体的な保護部材を構成するガラス基材としては、例えば、ソーダライムガラス、ケイ酸塩ガラスなどが挙げられ、ケイ酸塩ガラスであることが好ましく、具体的には、シリカガラス又はホウケイ酸ガラスであることがより好ましい。図8~図12においては、保護部材として、ガラスプレート106を適用した例を示してある。
 また、フレキシブル性を有する樹脂部材としては、例えば、ポリエチレンやポリプロピレン、環状オレフィン共重合体(COP)等のポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、セロファン、セルロースジアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、トリアセチルセルロース(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール共重合体(EVOH)、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、フッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート(PMMA)等のアクリル樹脂、ポリアリレート類等の材料とそれらの誘導体を用いることができる。さらに、例えば、アートン(登録商標:JSR社製)、又は、アペル(登録商標:三井化学社製)と呼ばれるシクロオレフィン系樹脂を用いることもできる。
 [LED発光装置の製造方法]
 本発明のLED発光装置の製造方法の一例を以下に示す。
 〔製造工程フロー〕
 (図2に示すSMTタイプのLED発光装置の製造)
 チップサイズに切断されたLED素子7をパッケージ基板Pへマウントし、一方の電極をAgペーストなどで固定し、ダイアタッチメントを行う。次に、LED素子7と他方の電極をボンディングワイヤー9で溶接接続する。次に、蛍光体粒子11及び本発明に係る有機金属酸化物含有粒子12が分散されているシリコーンやエポキシなどより構成されている樹脂層10をディスペンサーで塗布することでLED発光装置100を形成する。
 (図7Aに示す構成のCSPタイプLED発光装置)
 図7Aに示すCSPタイプのLED発光装置は、まずLED素子7の1方向にアノード電極とカソード電極を形成するよう、ドライエッチングで1方の基板を露出させ、アノードとカソードそれぞれに反射電極を形成し、半田バンプで図2と同じくパッケージ基板と接続する。次に、樹脂層を図2と同じくLED素子7とパッケージ基板Pを覆うように形成することで、CSP型のLED発光装置100を形成する。
 (図8に示すTFTタイプのLED発光装置の製造)
 工程1)TFT基材の準備
 TFT基板102にTFT111に接続し、更にLED素子7との接続位置に、端子電極114を形成する。
 次いで、TFT基板102上に、図8で示すように、パッケージ4及び反射層5を円錐状に形成し、LED設置位置に、凹状のキャビティーを形成する。
 工程2)LEDの付与
 次いで、TFT基材102に上に形成した端子電極114上に、接続用端子112を介して、LED素子7を設置する。
 工程3)樹脂層の形成
 次いで、LED素子7及び反射層5を封止するように、本発明に係る有機金属酸化物、封止用光学樹脂、蛍光体粒子11を含有する封止用の樹脂層10を形成する。
 工程4)感圧接着層の形成
 次いで、樹脂層10まで形成したTFT基板102の全面に、湿式塗布法により、感圧接着層103を形成する。
 工程5)カラーフィルターの付与
 次いで、感圧接着層103まで形成したTFT基材102の全面に、従来公知の構成からなるカラーフィルター104を設置する。
 工程6)保護部材の付与
 最後に、全面に保護部材を付与して、実施形態1(図1)のLED発光装置を作製する。
 (図11に示す構成のLED発光装置の製造)
 図11に示すLED発光装置は、図8等で示したLED発光装置の製造方法において、工程2と工程3の間に、LED素子上に本発明に係る有機金属酸化物含有粒子を含む蛍光体含有層の形成を行う工程(工程A)を有する方法であり、それ以外の工程は、上記図8で示した方法と同様である。
 工程A)蛍光体含有層の形成
 次いで、TFT基材102上に形成したLED素子7の形成領域以外を被覆するマスク部材を用い、少なくとも本発明に係る有機金属酸化物、蛍光体粒子及び蛍光体層形成用樹脂を含む蛍光体層形成用組成物を、例えば、インクジェット・プリント法により、所定のLED素子上に付与して、蛍光体含有層115を形成する。
 〔湿式塗布法〕
 本発明においては、樹脂層や蛍光体含有層は、湿式塗布法により形成することが好ましく、更に好ましくは、湿式塗布法として、インクジェット・プリント法を適用する形成方法である。
 本発明に適用可能な湿式塗布法としては、例えば、スピンコート法、キャスト法、スクリーン印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア-ブロジェット法)、インクジェット・プリント法等が挙げられ、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から好ましい。
 (インクジェット・プリント法)
 本発明においては、局所的な領域に対し、高精度で均質の層厚を形成することができる点で、インクジェット・プリント法が好ましい。
 〈インクジェットヘッド〉
 インクジェット・プリント法で用いられるインクジェットヘッドとしては、オンデマンド方式でもコンティニュアス方式でもよい。また、吐出方式としては、電気-機械変換方式(例えば、シングルキャビティー型、ダブルキャビティー型、ベンダー型、ピストン型、シェアーモード型、シェアードウォール型等)、電気-熱変換方式(例えば、サーマルインクジェット型、バブルジェット(登録商標)型等)、静電吸引方式(例えば、電界制御型、スリットジェット型等)、放電方式(例えば、スパークジェット型等)などを具体的な例として挙げることができるが、いずれの吐出方式を用いてもよい。また、印字方式としては、シリアルヘッド方式、ラインヘッド方式等を制限なく用いることができる。
 以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」又は「質量%」を表す。
 《LED発光装置の作製》
 〔LED1の作製:比較例(SMPタイプ)〕
 下記の方法に従って、LED発光素子であるLED1を作製した。
 LED1の作製に用いた各構成材料を以下に示す。
 ・パッケージ基板:開口径3mm、底面直径2mm、壁面角度60°市販品
 蛍光体1:根本特殊化学社製 YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット) 405C205;粒度分布D50:20.5μm
 樹脂層形成用樹脂1(シリコーン樹脂):東レ・ダウコーニング社製 OE6630
 リードフレーム:株式会社アルファクト製 5050タイプ
 ボンディングワイヤー:田中貴金属製 Yタイプ
 LED素子:光源には発光波長が約460nmの青色光を発光するInGaN系のLED素子を用い、蛍光体にはYAG蛍光体を使用することで、青色光と黄色光の混色で白色光を得た。
 〈LED素子の実装〉
 LED素子は、コンタクトホールを形成したのち、ダイサー縦200um×横200um×高さ200umの直方体状のLED素子を用意した。
 パッケージ基板は、開口径3.6mmφの一般的なLEDチップを複数個搭載可能なパッケージを用い、アロイ194-HのリードフレームにCuメッキを施すこしたリードフレームを使用し、Au製リードフレームを用いて実装を行った。
 リードフレームは、アロイ製にCuメッキした物を使用した。
 パケージ基板をプラズマ洗浄法によりクリーニングし、有機汚染物を除去したのち、パッケージ基板にLED素子をマウントし、リードフレームとLED端子をボンディングワイヤーで接続実装した。
 〈樹脂層の形成〉
 樹脂層は、以下の構成の樹脂層形成用組成物を用いた。
 樹脂層形成用樹脂1(シリコーン樹脂:東レ・ダウコーニング社製OE6630)                         80質量部
 蛍光体1(根本特殊化学社製 YAG 405C205;粒度分布D50:20)                       20質量部
 樹脂層形成用樹脂1及び蛍光体1を、クラボウ社製遊星式攪拌脱泡装置「マゼルスターKK-400」を用い、1500rpmで15分攪拌することで、樹脂層形成用組成物を調製し、ディスペンサー(武蔵野エンジニアリング社製 MPP-1)を用いてLED素子が接続されている上記パッケージ基板へ流し込み、150℃で15分乾燥させることで比較例であるLED1を作製した。
 〔LED2の作製:本発明(SMPタイプ、実施形態1)〕
 上記LED1の作製において、下記の方法で樹脂層を形成した以外は同様にして、図2で示す構成からなるLED2を作製した。
 (樹脂層の形成)
 樹脂層形成用樹脂1(前出)               75質量部
 蛍光体1(前出)                    20質量部
 有機金属酸化物:Ti有機金属酸化物 例示化合物1     5質量部
 上記各構成材料を窒素環境下で上記と同様の方法で攪拌し、樹脂層形成用組成物を調製し、LED1の作製と同様にLED素子がマウントされているパッケージ基板へディスペンサーで流し込んだ。
 次に、ゾル・ゲル反応を開始させるべく、110℃で30分間の加熱処理を行い、その後、樹脂を乾燥するため、150℃で15分間の熱処理を行って、LED2を作製した。
 〔LED3の作製:本発明(SMPタイプ、実施形態2)〕
 上記LED1の作製において、下記の方法で樹脂層を形成した以外は同様にして、図3で示す構成からなるLED3を作製した。
 (樹脂層の形成)
 樹脂層形成用樹脂1(前出)               70質量部
 蛍光体1(前出)                    20質量部
 有機金属酸化物1:Ti有機金属酸化物 例示化合物1    5質量部
 有機金属酸化物2:Cu有機金属酸化物 例示化合物86   5質量部
 上記各構成材料を窒素環境下で上記と同様の方法で攪拌し、樹脂層形成用組成物を調製し、LED1の作製と同様にして、LED素子がマウントされているパッケージ基板へディスペンサーで流し込んだ。
 次に、ゾル・ゲル反応を開始させるべく、110℃で30分間の加熱処理を行い、その後、樹脂を乾燥するため、150℃で15分間の熱処理を行って、LED3を作製した。
 〔LED4の作製:本発明(SMPタイプ、実施形態3)〕
 上記LED2の作製において、下記の方法でさらに、LED素子がマウントされているパッケージ基板に保護被膜を形成した以外は同様にして、図4で示す構成からなるLED4を作製した。
 LED4の作製においては、Ti有機金属酸化物とCu有機金属酸化物を調製し、Cu有機金属酸化物はLED素子がマウントされているパッケージ基板へ塗布を行い、その後、LED2の作製に用いたのと同様のTi有機金属酸化物を含有する樹脂層形成用組成物をパッケージ基板へ流し込むことでLED4を作製した。
 具体的には、LED2の作製と同様の方法にてLED素子をパッケージ基板へマウントした。
 その後、Cu有機金属酸化物(例示化合物86)をディスペンサーでウェット膜厚が2μmとなるようパッケージ基板上へ塗布し、110℃で30分間加熱して、保護被膜を形成した。この保護被膜のドライ膜厚は200nmで、透過率は88%であった。
 次に、LED2の作製で用いたのと同様の樹脂層形成用組成物を同じくディスペンサーでパッケージ基板へ塗布し、同じく110℃で30分間の加熱処理を行った後、150℃で15分間の熱処理を行い、図4に記載の構成からなるLED4を作製した。
 〔LED5の作製:本発明(SMPタイプ、実施形態4)〕
 上記LED1の作製において、下記の方法で、LED素子がマウントされているパッケージ基板に保護被膜を形成した以外は同様にして、図5で示す構成からなるLED5を作製した。
 〈樹脂層の形成〉
 樹脂層は、以下構成の樹脂層形成用組成物を用いた。
 樹脂層形成用樹脂1(前出)               78質量部
 蛍光体1(前出)                    20質量部
 シランカップリング剤(信越化学工業社製:KBM-403) 2質量部
 上記各構成材料を窒素環境下で上記と同様の方法で攪拌し、樹脂層形成用組成物を調製し、LED1の作製と同様にLED素子がマウントされているパッケージ基板へディスペンサーで流し込んだ。
 〈保護被膜の形成〉
 Ti有機金属酸化物(例示化合物1)を、LED素子がマウントされているパッケージ基板上へディスペンサーを用いてウェット膜厚が2μmとなるようパッケージ基板上へ塗布し、110℃で30分間加熱して、保護被膜を形成した。この保護被膜のドライ膜厚は200nmで、透過率は88%であった。
 〔LED6の作製:本発明(SMPタイプ、実施形態5)〕
 上記LED5の作製において、下記の方法で、LED素子がマウントされているパッケージ基板に、Ti有機金属酸化物(例示化合物1)から構成される第1の保護被膜と、その上にCu有機金属酸化物(例示化合物86)から構成される第2保護被膜の形成した以外は同様にして、図6で示す構成からなるLED6を作製した。
 Ti有機金属酸化物(例示化合物1)を、LED素子がマウントされているパッケージ基板上へディスペンサーを用いてウェット膜厚が2μmとなるようパッケージ基板上へ塗布し、次いで、Cu有機金属酸化物(例示化合物86)を同様の方法で積層して、110℃で30分間加熱して、第1の保護被膜及び第2の保護被膜を形成した。それぞれの保護被膜のドライ膜厚は200nmで、透過率は88%であった。
 〔LED7の作製:本発明(CSPタイプ、実施形態6)〕
 LED7は、チップスケールパッケージ(CSP)を想定したフリップチップタイプのパッケージである。CSPタイプはリードフレームが要らない、またダイボンドフィルムなどを使用するため、接続方式が異なる。
 パッケージ基板、保護被膜形成材料以外は、LED4と同様の材料を使用した。
 パッケージ基板は、5cm×2cmのPCB基板に5個のLEDチップを実装可能な基板を用意した。
 LEDチップは、460nm程度にピークを有するInGaN系のLED素子を用意し、それぞれ200μmにカットした。
 〈保護被膜の形成〉
 パッケージ基板上に5個のLED素子をリフローで接続し、同基板にMn有機金属酸化物(例示化合物96)をウェット膜厚が2μmとなるようディスペンサーで塗布し、110℃で30分加熱することで、ゾル・ゲル反応を促進し、ドライ膜厚が200nmの保護被膜を形成した。
 〈樹脂層の形成〉
 下記の構成からなる樹脂層形成用組成物を調製した。
 樹脂層形成用樹脂1(前出)               78質量部
 蛍光体1(前出)                    20質量部
 有機金属酸化物:Ti有機金属酸化物 例示化合物1     5質量部
 シランカップリング剤(前出)               2質量部
 上記各構成材料を窒素環境下で上記と同様の方法で攪拌し、樹脂層形成用組成物を調製し、LED1の作製と同様にLED素子がマウントされているパッケージ基板へディスペンサーで流し込んで、樹脂層を形成して、図7Aに記載の構成からなるCSPタイプのLED7を作製した。
 〔LED8の作製:本発明(TFTタイプ、実施形態7)〕
 下記の方法に従って、図8に記載の構成からなるTFTタイプのLED8を作製した。
 TFTとしてはアモルファスSiタイプを用い。フレキシブル基板としてはポリイミドフィルムを用いた。フレキシブル基材上に、公知の方法でガスバリアー層を形成し、その上にTFTを形成する。これらフレキシブル基板へTFTを形成する方法は、特開2016-162535号公報に記載されている方法に準じて行った。
 図8に示すように、LED素子の光を正面方向へ取り出すため、反射層5を形成した。初めに、パッケージ4(バンクともいう。)を形成した。パッケージ4の形成材料としては感光性ポリイミド(メルク社製)を用い、スピンコート法で塗布し、60℃で120秒間のプリベークを行った。次に、フォト工程でパターン露光し、水酸化テトラメチルアンモニウム(略称:TMAH)で現像、純粋リンスすることで、パッケージ4を形成した。
 次いで、反射層5を、Agを用いたスパッタリング法で形成した。アルバック製のDCスパッタリング装置で、全圧0.5Paの条件でAgを300nmの厚さで成膜し、反射層5を用意した。LED素子をマウントする電極部位をフォトパターニングで除去した。
 上記方法で、サブピクセルが700μm×500μmのサイズからなる画素部を有するTFT基板を形成した。次に、これらTFT基板へ200μm×200μmのLED素子を配置し、リフローにて接続した。
 〈樹脂層の形成〉
 樹脂層は、LED2の作製と同様の材料を用いて作製した。
 樹脂層形成用樹脂1(前出)               75質量部
 蛍光体2(下記)                    20質量部
  赤色蛍光体:根本特殊化学社製の0.5MgF・3.5MgO・GeO:Mn材料
  緑色蛍光体:根本特殊化学社製のZnSiO:Mn
  青色蛍光体:根本特殊化学社製のSr(POCl:Eu
 有機金属酸化物:Ti有機金属酸化物 例示化合物1     5質量部
 上記各構成材料を窒素環境下で上記と同様の方法で攪拌し、樹脂層形成用組成物を調製し、LED2の作製と同様にLED素子がマウントされているTFT基板へディスペンサーで流し込んだ。
 次に、ゾル・ゲル反応を開始させるべく、110℃30分の加熱処理を行い、その後樹脂の乾燥のため150℃で15分間の熱処理を行って、LEDユニットを作製した。
 次いで、樹脂層上に公知の方法で作製した感圧接着層、カラーフィルター、感圧接着層、カラス基板積層した。
 ガラス基板としては、0.5mmのガラス基板(コーニング社製 EagleXG)を以下方法で洗浄した。アルカリ洗剤を5質量%に希釈し、希釈された洗剤溶液を60℃に加熱し、60℃の洗剤溶液にカラス基板を浸漬させ、スクラブ洗浄を実施し、ガラス基板に付着した異物を除去した。続いて、ガラス基板に対して超音波洗浄処理、純水リンス、窒素ガスブロー及びIR(Infra Red)乾燥を順次実施した。次いで、ガラス基板に対して、UV(Ultra Violet)照射を実施し、ガラス基板表面に付着した有機物を除去した。続いて、オーブンを用いてガラス基板を乾燥させた。
 次いで、上記作製したガラス基板に、感圧接着層として3M製の熱硬化型接着剤を貼合して接着層を形成した後、カラーフィルター及び同様の感圧接着層を形成し、LEDユニットと貼合し、100℃で30分間の加熱処理を施すことで、LED8を作製した。
 〔LED9の作製:本発明(TFTタイプ、実施形態8)〕
 上記LED8の作製において、樹脂層の形成を下記の方法に変更した以外は同様にして、有機金属酸化物を2種含有する樹脂層を有する、図9に記載の構成のLED9を作製した。
 〈樹脂層の形成〉
 樹脂層形成用樹脂1(前出)               70質量部
 蛍光体2(下記)                    20質量部
  赤色蛍光体:根本特殊化学社製の0.5MgF・3.5MgO・GeO:Mn材料
  緑色蛍光体:根本特殊化学社製のZnSiO:Mn
  青色蛍光体:根本特殊化学社製のSr(POCl:Eu
 有機金属酸化物1:Ti有機金属酸化物 例示化合物1    5質量部
 有機金属酸化物2:Cu有機金属酸化物 例示化合物86   5質量部
 上記各構成材料を窒素環境下で上記と同様の方法で攪拌し、樹脂層形成用組成物を調製し、LED8の作製と同様にLED素子がマウントされているTFT基板へディスペンサーで流し込んだ。
 次に、ゾル・ゲル反応を開始させるべく、110℃で30分間の加熱処理を行い、その後、樹脂を乾燥させるため、150℃で15分間の熱処理を行って、LEDユニットであるLED9を作製した。
 〔LED10の作製:本発明(TFTタイプ、実施形態9)〕
 上記LED8の作製において、下記の方法に従って、保護被膜及び樹脂層を形成した以外は同様にして、図10に記載の構成からなるLED10を作製した。
 (保護被膜の形成)
 Cu有機金属酸化物(例示化合物86)をディスペンサーでウェット膜厚が2μmとなるようLEDユニット上へ塗布し、110℃で30分間加熱して、保護被膜を形成した。この保護被膜のドライ膜厚は200nmで、透過率は88%であった。
 (樹脂層の形成)
 樹脂層形成用組成物は、LED8の作製と同様の材料を用いて調製した。
 樹脂層形成用樹脂1(前出)               73質量部
 蛍光体2(下記)                    20質量部
  赤色蛍光体:根本特殊化学社製の0.5MgF・3.5MgO・GeO:Mn材料
  緑色蛍光体:根本特殊化学社製のZnSiO:Mn
  青色蛍光体:根本特殊化学社製のSr(POCl:Eu
 有機金属酸化物:Ti有機金属酸化物 例示化合物1     5質量部
 シランカップリング剤(前出)               2質量部
 上記各構成材料を窒素環境下で上記と同様の方法で攪拌し、樹脂層形成用組成物を調製し、LED8の作製と同様にLED素子がマウントされているTFT基板へディスペンサーで流し込んだ。
 次に、ゾル・ゲル反応を開始させるべく、110℃で30分間の加熱処理を行い、その後、樹脂を乾燥させるため、150℃で15分間の加熱処理を行って、LEDユニットであるLED10を作製した。
 〔LED11の作製:本発明(TFTタイプ、実施形態10)〕
 LED11は、図11で示すように、LED素子上に有機金属酸化物含有粒子を含む蛍光体含有層を直接形成し、カラー表示するLED発光素子であるLED11を作製した。
 LED素子は、前記LED8に記載したものを使用し、200μm×200μmへカットし個片化した。LED素子をTFT基板にリフローで接続し、次に、LED10の作製で用いた樹脂層と同様の構成で、LED素子上にTi有機金属酸化物含有粒子(例示化合物1)を含む蛍光体含有層を形成した。次に、110℃で30分間加熱することでゾル・ゲル反応を促進させた。
 〔LED12の作製:本発明(TFTタイプ、実施形態11)〕
 LED12は、上記作製したLED11に対し、更に、LEDユニット上へCu有機金属酸化物から構成される保護被膜を形成した以外は同様にして、LED12を作製した。
 (保護被膜の形成)
 Cu有機金属酸化物(例示化合物86)をディスペンサーでウェット膜厚が2μmとなるようLEDユニット上へ塗布し、110℃で30分間加熱して、保護被膜を形成した。この保護被膜のドライ膜厚は200nmで、透過率は88%であった。
 《LED発光装置の評価》
 上記作製したLED発光装置であるLED1~LED12について、下記の方法に従って、高温高湿試験と硫化成分による腐食耐性の評価を行った。
 (高温高湿試験:耐水性の評価)
 下記の方法に従って、蛍光体の高温高湿環境での水分による劣化耐性の評価を行った。
 LED1~LED7を30個、LED8~12を3個準備し、全て85℃、85%RHの環境条件とした恒温槽内へ入れ、1000時間保存した。本評価では外部環境から水分が蛍光体へ浸透し、水分に弱い蛍光体が失活する程度を評価する試験である。
 次いで、1000時間保存した後、それぞれのLED発光装置について駆動評価による発光特性を確認し、蛍光体の輝度維持レベルを積分球で確認し、下記の基準に従って高温高湿耐性を評価した。
 ◎:LED発光装置の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、1%未満
 ○:LED発光装置の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、1%以上、5%未満
 △:LED発光装置の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、5%以上、10%未満
 ×:LED発光装置の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、10%以上。
 (硫化水素ガス耐性の評価)
 LED1~LED7を30個、LED8~12を3個準備し、25℃の密封装置内に腐食成分(G)として10LのN容器内に150ppmの硫化水素を導入し、200時間放置して硫化水素による耐腐食性を評価し、各LED発光装置について駆動評価による発光特性を確認し、蛍光体の輝度維持レベルを積分球で確認し、下記の基準に従って硫化水素ガス耐性を評価した。
 ◎:LED発光装置の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、1%未満
 ○:LED発光装置の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、1%以上、5%未満
 △:LED発光装置の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、5%以上、10%未満
 ×:LED発光装置の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、10%以上。
 (複合評価)
 LED1~LED7を30個、LED8~12を3個準備し、硫黄粉末を有する開放系のサンプル瓶を配置し、85℃、85%RHの環境条件とした恒温槽内に入れ、実稼働状態で、1000時間保存した。
 この評価は、外部環境から水分とS8硫黄成分が封止層内に侵入し、蛍光体の失活の程度と耐腐食性の程度を評価する試験である。本発明者らは硫化水素による評価と硫黄粉末によるS8試験がほぼ同等の傾向特性を示していることをあらかじめ評価しており、本実験で水分とともにS8による腐食を同時に耐性評価できる手法を確立している。
 本試験も同じく1000時間保存した後、それぞれのLED装置について駆動評価による発光特性を確認し、蛍光体の輝度維持レベルを積分球で確認し、下記の基準に従って水分及び硫黄成分を含む複合環境における耐性を評価した。
 ◎:LED発光装置の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、1%未満
 ○:LED発光装置の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、1%以上、5%未満
 △:LED発光装置の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、5%以上、10%未満
 ×:LED発光装置の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、10%以上。
 以上により得られた結果を、表Iに示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
 表Iの記載より明らかなように、本発明のLED発光装置は、水分が多い高温高湿下や硫化水素を含む環境や、水分と硫黄成分が存在する高温高湿環境下で長期間保存した後でも、硫黄成分、水分等による電極の腐食や蛍光体の劣化の発生がなく、比較例であるLED1に対し、本発明は、正常に稼働することを確認することができ、腐食耐性に極めて優れていることが分かる。また、上記の各評価後のLED発光装置の色変色の状態を目視観察した結果、本発明のLED発光装置は、比較例に対し、色変色耐性が向上していることを確認することができた。
 本発明のLED発光装置は、水分や腐食性ガスによる劣化や腐食を防止し、色変色を防止し、かつ耐久性及び発光安定性に優れ、表示装置のバックライトや、各種電気機器や電子機器の表示灯、車載照明、一般照明等に好適に使用することができる。
 2 絶縁性基板
 3 リードフレーム
 4 パッケージ(バンクともいう)
 5 反射層
 6 接続用端子
 7 LED素子
 8 半田
 9 ボンディングワイヤー
 10 樹脂層
 11 蛍光体粒子
 12 Ti有機金属酸化物含有粒子
 12B Ti有機金属酸化物含有膜
 13 Cu有機金属酸化物含有粒子
 13B Cu有機金属酸化物含有膜
 15B Mn有機金属酸化物含有膜
 100 LED発光装置
 102 TFT基板
 103、105 感圧接着層
 104 カラーフィルター
 106 カラスプレート
 111 TFT
 112 接続用端子
 114 端子電極
 115 蛍光体含有層
 116 蛍光樹脂
 P パッケージ基板

Claims (5)

  1.  基材上に、少なくとも、LED素子と、樹脂層を有するLED発光装置であって、
     前記LED素子表面に、少なくとも、下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜、又は下記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜を有することを特徴とするLED発光装置。
     一般式(1): R-[M(OR(O-)x-y-R
     一般式(2): R-[M(OR(O-)x-y-R
    〔式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含む炭素鎖でもよい。MはTi、Zn、Sn、Al、Si及びZrから選ばれる金属原子を表す。MはCu、Ag、Au、Mn,Co及びNiから選ばれる金属原子を表す。OR及びORは、それぞれフッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度を表す。〕
  2.  前記LED素子表面上に、前記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜及び前記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有膜が積層されていることを特徴とする請求項1に記載のLED発光装置。
  3.  基材上に、少なくとも、LED素子と、樹脂層を有するLED発光装置であって、
     前記樹脂層が、少なくとも、下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子、又は下記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を含有することを特徴とするLED発光装置。
     一般式(1): R-[M(OR(O-)x-y-R
     一般式(2): R-[M(OR(O-)x-y-R
    〔式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含む炭素鎖でもよい。MはTi、Zn、Sn、Al、Si及びZrから選ばれる金属原子を表す。MはCu、Ag、Au、Mn,Co及びNiから選ばれる金属原子を表す。OR及びORは、それぞれフッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度を表す。〕
  4.  前記樹脂層が、前記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子及び前記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を含有することを特徴とする請求項3に記載のLED発光装置。
  5.  さらに、前記樹脂層が、前記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子、又は前記一般式(2)で表される構造を有する有機金属酸化物含有粒子を含有することを特徴とする請求項1に記載のLED発光装置。
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