WO2018221372A1 - 残渣層除去方法、残渣層除去装置、及び表示モジュール - Google Patents
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Definitions
- This technology relates to a residue layer removal method, a residue layer removal apparatus, and a display module.
- a display module As a display module, a display panel capable of displaying an image, a driver (IC chip) for driving the display panel, a control circuit board for supplying various input signals to the driver from the outside, an external control circuit board, and a display panel
- An FPC board flexible circuit board
- Electrical components such as drivers and FPC boards are usually bonded and electrically connected to a glass substrate constituting a display panel via an anisotropic conductive adhesive (ACF) or the like.
- ACF anisotropic conductive adhesive
- any component provided with a contact portion that performs electrical connection by contact is referred to as an electrical component.
- operation check is performed as appropriate. For example, after an electrical component such as a driver or an FPC board is connected to the board, a lighting inspection is performed.
- an electrical component such as a driver or an FPC board
- a lighting inspection is performed.
- a semi-finished product of a display module with electrical parts assembled is not suitable for lighting inspection due to malfunction due to damage of electrical parts or poor connection due to misalignment, etc., malfunction may occur depending on symptoms and conditions
- Rework (repair) is performed in which only the electrical component is replaced and a member other than the electrical component is reused.
- the substrate in order to recycle the substrate so that it can be reused, it is necessary to first remove the defective electrical component from the substrate, and then remove the residue layer of the adhesive resin such as ACF attached on the substrate.
- the adhesive resin such as ACF attached on the substrate.
- the cured adhesive resin is firmly attached to the substrate, and it is not easy to completely remove the adhesive resin residue layer. Forcibly peel off by applying external force using bamboo spatula, etc., or by applying an adhesive resin softener and wiping it off, but this method is very difficult to work. In addition to taking time, there is a problem that the substrate and the like may be damaged.
- Patent Document 1 discloses a method in which an adhesive resin (adhesive member) is softened by heating and then scraped or wiped off from a substrate. Further, in Patent Document 2 below, an adhesive resin (connection member) softened by heating is fused with an adhesive film having a high adhesive force, transferred to an adherend such as a rough copper foil, and the substrate. A method of removing from is disclosed.
- An object of the present invention is to provide a residue layer removing method for removing a residue layer of an adhesive resin adhering to an adhesive.
- the present specification also discloses a residual layer removing apparatus that enables this and a display module using a regenerated base material.
- the technology disclosed in the present specification is a residue layer removing method for removing a residue layer of an adhesive resin attached to a base material used in a display module, and a metal porous material is disposed on the surface of the residue layer.
- An arrangement step, a heating step for heating and softening the residue layer, and the metal porous material arranged on the surface of the residue layer by the arrangement step are pressure-bonded to the residue layer softened by the heating step.
- a pressure-bonding step in which at least a part of the residue layer is press-fitted into the opening of the metal porous material, and the metal porous material in which the residue layer is press-fitted into the opening is peeled from the substrate.
- the metal porous material refers to a material having a plurality of openings opened at least on the surface to be pressure-bonded to the surface of the residue layer.
- the metal porous material is preferably a planar body.
- the residue layer made of the heat-softened adhesive resin is press-fitted into the opening of the metal porous material, so that the space between the residue layer and the metal porous material is between
- the adhesive force increases, and this adhesive force can be made larger than the adhesive force between the residue layer and the substrate.
- the breaking rate (failure rate) can be reduced.
- positioning process are not ask
- the crimping process is performed after the placing process and the heating process. From the viewpoint of sufficiently softening the residue layer and facilitating press-fitting into the metal porous material, the heating of the residue layer is continued during the crimping process. Are preferred. Whether or not the residue layer is heated during the peeling step can be appropriately determined according to the thermal properties of the adhesive resin, the shape of the metal porous material, and the like.
- the present specification also discloses a residual layer removing device that removes a residual layer of an adhesive resin attached to a substrate used in a display module.
- the residue layer removing apparatus disclosed in the present specification includes a base on which the base material is disposed, a heating mechanism for heating and softening the residue layer, and a metal porous material disposed on the surface of the residue layer Are pressed against the residue layer softened by the heating mechanism, and at least a part of the residue layer is pressed into the opening of the metal porous material, and the residue layer is pressed into the opening. And a peeling mechanism for peeling the metallic porous material from the base material.
- the adhesive resin residue adhered to the base material while reducing the failure rate, stabilizing the work, and shortening the work time when regenerating the display module base material. can be efficiently removed.
- the present specification discloses a display module using a base material that has been regenerated by removing the residual layer of the adhesive resin attached to the base material.
- a residue layer of an adhesive resin attached to the base material is arranged to dispose a metal porous material on the surface of the residue layer, and the residue layer is heated and softened.
- a heating step, and the metal porous material disposed on the surface of the residue layer is pressure-bonded to the residue layer softened by the heating, and at least a part of the residue layer is opened by the metal porous material.
- a residue layer removing method including a pressure-bonding step for press-fitting into a hole, and a peeling step for peeling the metal porous material having the residue layer press-fitted into the opening from the substrate.
- a substrate is used.
- the cost of the display module can be reduced by using the regenerated substrate. Further, by using the reproduction base material from which the adhesive resin residue layer adhering to the base material is removed with a high probability, it is possible to reduce the occurrence of defects due to the reproduction base material in the display module.
- the residual layer of the adhesive resin attached to the base material can be efficiently removed, and the base material can be easily reused.
- FIGS. 1 to 10A and 10B The first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 10A and 10B.
- the removal of an ACF residue layer from an array substrate constituting a liquid crystal panel (an example of a display panel) of a liquid crystal module (an example of a display module) will be exemplified.
- the X-axis, the Y-axis, and the Z-axis are shown so that the directions of the respective axes are the directions shown in the drawings. Also, in FIG.
- the upper side is the upper side (lower side is the lower side)
- the right side is the right side (the left side is the left side)
- the front side of the paper is the front side (the back side of the paper is the back side)
- Reference numerals may be given to other members, and reference numerals may be omitted for other members.
- the liquid crystal module 1 includes a liquid crystal panel 11 capable of displaying an image, and various electrical components necessary for displaying the image are connected to the liquid crystal panel 11.
- a driver IC chip; an example of an electrical component
- a control board control circuit board; an external signal supply source
- An example of an electrical component) 14 and an FPC board (flexible circuit board; an example of an electrical component) 13 for electrically connecting the liquid crystal panel 11 and an external control board 14 are provided.
- the liquid crystal panel 11 will be briefly described. As shown in FIG. 1, the liquid crystal panel 11 has a vertically long rectangular shape (rectangular shape) as a whole, and a display area (active area) AA capable of displaying an image is formed at the center of the plate surface. ing.
- the liquid crystal panel 11 includes a pair of substrates 20 and 30.
- the front side is a CF substrate (color filter substrate, counter substrate) 20
- the back side is an array substrate (TFT substrate, active matrix substrate) 30.
- the array substrate 30 corresponds to a base material in the claims.
- CF substrate 20 a color filter in which colored portions such as R (red), G (green), and B (blue) are arranged in a predetermined arrangement on the inner surface (back surface) of the glass substrate, a counter electrode, and an orientation A film or the like is provided.
- switching elements for example, TFTs
- a pixel electrode connected to the switching element
- an alignment film Etc. is provided.
- the liquid crystal panel 11 includes a liquid crystal layer sandwiched between the substrates 20 and 30 and a liquid crystal layer interposed between the substrates 20 and 30 in addition to the pair of substrates 20 and 30 described above. And a sealing material for sealing (sealing) the layer.
- the liquid crystal layer includes liquid crystal molecules whose optical characteristics change with application of an electric field, and is disposed so as to cover the entire display area AA.
- the front polarizing plate 29 and the back polarizing plate 39 are each affixed on the outer surface side of both the board
- the switching elements of the array substrate 30 described above are driven based on various signals supplied to the gate wiring and the source wiring, and the potential supply to the pixel electrode is controlled in accordance with the driving. Further, a common electrode (not shown) is provided so as to overlap with the pixel electrode, and when a potential difference occurs between these electrodes, a fringe electric field (an oblique electric field) including a component in a normal direction with respect to the plate surface of the array substrate 30. Is applied to the liquid crystal layer. By applying this electric field, the optical characteristics of the liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer change, whereby the light transmittance changes and an image is displayed in the display area AA.
- a fringe electric field an oblique electric field
- the glass substrates constituting the pair of substrates 20 and 30 have the same length in the left-right direction (X-axis direction), but the length in the vertical direction (Y-axis direction).
- the glass substrate of the CF substrate 20 is set to be smaller than the glass substrate of the array substrate 30, and both glass substrates are arranged to face each other with their upper ends aligned.
- a region where the array substrate 30 and the CF substrate 20 are overlapped is referred to as a substrate overlapping region SOA
- a region below the array substrate 30 where the CF substrate 20 is not overlapped is referred to as a substrate non-overlapping region NSOA.
- the aforementioned display area AA is formed in the substrate overlapping area SOA, while a driver 12 and an FPC board 13 described later are mounted in the non-overlapping area NSOA.
- control board 14 for example, electronic components for supplying various input signals to the driver 12 are mounted on a board made of paper phenol or glass epoxy resin, and wiring (conductive path) of a predetermined pattern (not shown) is provided. A cord formed can be used.
- One end (one end side) of the FPC board 13 is electrically and mechanically connected to the control board 14 via an ACF (an anisotropic conductive adhesive, an example of an adhesive resin) 50 described later. Has been.
- the FPC board 13 includes a base material made of a synthetic resin material (polyimide resin or the like) having insulation and flexibility, and has a large number of wiring patterns (not shown) on the base material. As shown in FIG. 1, the FPC board 13 has one end (one end side) 13A in the length direction connected to the control board 14 described above, whereas the other end (other end side). 13B is connected to the other end of the long side direction of the array substrate 30, and can be bent in a folded shape so that the cross-sectional shape is substantially U-shaped in the liquid crystal module 1, for example.
- a synthetic resin material polyimide resin or the like
- the wiring pattern is exposed to the outside to form terminal portions (not shown), and these terminal portions are respectively connected to the control board 14 and the array board 30. Electrically connected. Thereby, an input signal supplied from the control board 14 side can be transmitted to the liquid crystal panel 11 side.
- the driver 12 has a driving circuit inside, and wirings and elements are formed on a silicon wafer containing silicon with high purity.
- the driver 12 generates an output signal based on a signal supplied from the control board 14 that is a signal supply source, and outputs the output signal toward the display area AA of the liquid crystal panel 11.
- the driver 12 is directly mounted on the non-overlapping region NSOA of the array substrate 30, that is, mounted on a COG (Chip on Glass).
- the FPC board 13 has a length direction along the long side direction (Y-axis direction) of the array board 30 and the other end 13B is the lower end of the non-overlapping area NSOA. Is connected to a substantially central portion in the left-right direction (X-axis direction) of the portion so as to extend along the lower edge of the array substrate 30.
- an FPC connection terminal portion for receiving an input signal from the FPC board 13 side is provided in the mounting area of the FPC board 13.
- the other end portion 13B of the FPC board 13 is provided with an FPC-side terminal portion (not shown) on one plate surface facing the array substrate 30 side.
- the FPC side terminal portion is electrically connected to the FPC connection terminal portion via the ACF 50 disposed on the FPC connection terminal portion of the array substrate 30.
- the ACF 50 includes an insulating thermosetting resin 50A as an adhesive and a large number of conductive particles 50B dispersed and blended in the thermosetting resin 50A (see FIG. 4).
- the thermosetting resin 50A constituting the ACF 50 include phenoxy resins and epoxy resins to which a curing agent is added.
- the ACF50 is not particularly limited, but as an example, an anisotropic conductive adhesive “Three Bond 3370K” made by Three Bond in which Ni / Au plated conductive particles having an average particle size of 5.0 ⁇ m are added to an epoxy resin. Can be used. Three Bond 3370K completes reliable curing by thermocompression bonding under conditions of 160 ° C to 170 ° C for 20 seconds and 2 MPa to 3 MPa.
- the other end portion 13B of the FPC board 13 is crimped to the FPC connection terminal portion of the array substrate 30 via the ACF 50, so that the FPC connection terminal portion and the FPC side terminal portion are The conductive particles 50 ⁇ / b> B are sandwiched and crushed between the FPC connection terminals and the FPC connection terminal portions and the FPC-side terminal portions.
- the driver 12 has a horizontally long rectangular shape in plan view, the long side direction being along the short side direction of the array substrate 30, and the short side direction being the long side of the array substrate 30. It is arranged in a posture along the direction.
- the driver 12 is disposed closer to the display area AA than the FPC board 13 in the board non-overlapping area NSOA, and is connected to a position sandwiched between the board overlapping area SOA and the FPC board 13.
- the mounting area of the driver 12 receives an input terminal for supplying an input signal to the driver 12 and an output signal from the driver 12.
- a driver connection terminal portion (not shown) including the output terminal portion is provided.
- the FPC connection terminal portion and the driver connection terminal portion are formed so as to cross between the mounting region of the FPC board 13 and the mounting region of the driver 12 in the non-overlapping region NSOA of the array substrate 30.
- a relay wiring (not shown).
- a plurality of input-side bumps and a plurality of output-side bumps that protrude toward the array substrate 30 are provided on the surface of the driver 12 that faces the array substrate 30 (all are not shown).
- the input-side bump and the output-side bump are electrically connected to the input terminal portion or the output terminal portion of the driver connection terminal portion via the ACF 50 arranged on the driver connection terminal portion of the array substrate 30. .
- the ACF 50 is interposed between the array substrate 30 and the driver 12 so as to cover the exposed surfaces of the input terminal portion and the output terminal portion and the exposed surfaces of the input side bump and the output side bump without any gap.
- the ACF 50 that connects the bumps of the driver 12 and the driver connection terminal portion of the array substrate 30 is an ACF 50 that electrically connects the FPC connection terminal portion and the FPC side terminal portion described above.
- the type of thermosetting resin 50A constituting the ACF 50, the type of conductive particles 50B, and the content are all the same.
- the conduction mode between the driver connection input terminal unit and the input side bump, and the conduction mode between the driver connection output terminal unit and the output side bump the FPC connection terminal unit and the FPC side terminal unit It is the same as the conduction mode between.
- the driver 12 is crimped and connected to the array substrate 30 via the ACF 50 described above, whereby the ACF 50 conducts between the input terminal portion and the input side bump and between the output terminal portion and the output side bump.
- the conductive particles 50B are sandwiched and crushed, and conduction between the driver connecting terminal portion and the driver 12 is achieved.
- the present technology can also be applied to a configuration in which the driver 12 and the FPC board 13 are connected by different types of ACFs.
- the front polarizing plate 29 and the rear polarizing plate 39 are attached to the front and back outer surfaces of the liquid crystal panel 11, and then the driver 12 and the FPC board are placed in the non-overlapping region NSOA of the array substrate 30. 13 is manufactured through a process of sequentially connecting and fixing through the ACF 50.
- inspection operation check
- the semi-finished product to which the driver 12 and the FPC board 13 are connected is also inspected by, for example, lighting inspection. If a defect such as a lighting failure is confirmed here, the semi-finished product is excluded from the normal manufacturing process as a nonconforming product.
- Semi-finished products that are considered non-conforming products are further inspected, and by removing and replacing defective parts such as malfunctions due to damage to the driver 12 and FPC board 13, misalignment during connection, etc. They are classified into those that can be reused, that is, reworked (repaired), and those that cannot be reworked. And the reworkable semi-finished product becomes the object of rework (repair).
- the nonconforming product that is the target of rework occurs in the inspection related to each manufacturing process of the liquid crystal module 1, but in the following, it is considered nonconforming in the inspection related to the connection process of the driver 12 and the FPC board 13, and the driver 12 and the FPC board 13.
- the rework of the semi-finished product 1A of the liquid crystal module 1 in which a defect based on an internal wiring defect or the like is confirmed is described in
- the driver 12 and the FPC board 13 to be replaced are detached from the array board 30.
- the fixing positions of the driver 12 and the FPC board 13 in the array substrate 30 are heated to a temperature at which the ACF 50 connecting them is melted, for example, 160 ° C. or more, and the driver 12 and the FPC board 13 are removed.
- Heating for melting the ACF 50 may be performed from the driver 12 and FPC board 13 side (front side) or from the array substrate 30 side (back side) depending on the situation. Or you may carry out from both sides.
- it is preferable that partial cooling or heat shielding is appropriately performed so that normal members such as the polarizing plates 29 and 39 and the liquid crystal layer are not affected by heating.
- the ACF 50 that has adhered the component to the array substrate 30 is formed as a residue layer 50L at these fixed locations on the array substrate 30. Remains.
- the new driver 12 and the FPC substrate 13 which are non-defective products are not fixed to the array substrate 30 well, and are manufactured using this.
- the method and apparatus are devised to efficiently remove the residue layer 50L of the ACF 50 from the array substrate 30. So that it can be removed.
- the residue layer 50L is removed by a residue layer removal method including an arranging step, a thermocompression bonding step (heating and pressure bonding step), and a peeling step.
- the removal of the residual layer 50L is preferably performed using a residual layer removing apparatus equipped with a mechanism necessary for this.
- the removal apparatus according to the present embodiment includes a base 91, a thermocompression bonding mechanism (heating mechanism / compression bonding mechanism) 92, and a peeling mechanism (not shown).
- the base 91, the thermocompression bonding mechanism 92, and the peeling mechanism may be manually operated individually, or the removal device may further include a control mechanism that controls them in conjunction with each other.
- 4 to 8 are cross-sectional views schematically showing the states of the respective steps related to the method for removing the residual layer 50L in the present embodiment.
- a metal mesh (metal wire fabric, an example of a metal porous material) 60 is placed on the surface of the residue layer 50L.
- the liquid crystal panel 11 with the residue layer 50 ⁇ / b> L attached to the array substrate 30 is placed on the base 91.
- the base 91 according to the present embodiment is a stable fixed base made of a material having high heat resistance such as a metal plate. It is preferable that the liquid crystal panel 11 is fixed on the upper surface of the base 91 so as not to move in the horizontal direction, for example, by forming a protrusion corresponding to the outer shape of the liquid crystal panel 11.
- the base 91 may be partly or wholly configured to be capable of raising or lowering the temperature so as to have a function of heating or pressure bonding.
- the metal mesh 60 is arranged from the front side of the liquid crystal panel 11 on the base 91 so as to cover the surface of the residual layer 50L attached to the array substrate 30.
- the metal mesh 60 may be disposed by moving a movable arm or the like that holds the metal mesh 60, or may be manually disposed by a worker at a predetermined location. The metal mesh 60 disposed in this step will be described in detail later.
- heating is performed so as to soften the residue layer 50L, and in the crimping process, the metal mesh 60 disposed on the surface of the residue layer 50L by the placing process is crimped to the residue layer 50L softened by the heating process.
- the heating process and the crimping process are performed simultaneously as a heating and crimping process (heating process and crimping process). As shown in FIG.
- thermocompression bonding mechanism 92 that has been heated to a predetermined temperature is brought close to and brought into contact from the front side of the metal mesh 60 disposed on the surface of the residue layer 50L.
- the thermocompression bonding mechanism 92 according to the present embodiment has a heating section that can be set to a predetermined temperature, and can be moved up and down by a motor, compressed gas, or the like.
- the array substrate 30 of the fixed base 91 is fixed.
- the thermocompression bonding mechanism 92 is lowered onto the surface of the metal plate 60, and the surface of the metal mesh 60 is pressed at a predetermined pressure for a predetermined time by a heating unit maintained at a predetermined temperature. As shown in FIG.
- thermocompression bonding mechanism 92 As the thermocompression bonding mechanism 92 that has been sufficiently heated is lowered, the residue layer 50 ⁇ / b> L comes into contact with the surface of the metal mesh 60 and the like to heat and soften it, and the softened residue layer The metal mesh 60 is pushed into the surface of 50L. Thereby, at least a part of the ACF 50 constituting the residue layer 50 ⁇ / b> L is press-fitted into the opening 60 ⁇ / b> A of the metal mesh 60. In the present embodiment, the thermocompression bonding mechanism 92 is lowered until the metal wire 60 ⁇ / b> B constituting the metal mesh 60 contacts the surface of the array substrate 30.
- the set values such as the heating temperature and the applied pressure at the time of thermocompression bonding are not only the thermal properties and adhesion state of the ACF 50 constituting the residue layer 50L, but also the structure and configuration of the liquid crystal panel 11 etc. used in this process, the metal mesh 60 and the structure and configuration of a jig or the like including the same, the working environment, and the like.
- the residual layer 50L made of Three Bond 3370K described above changes its state in the vicinity of 160 ° C. when heated, and softens in a jelly state as the temperature rises further. Therefore, when this is used as the ACF 50, For example, the heating section heated to 160 ° C. to 200 ° C.
- the heating of the residue layer 50L is not necessarily performed from the front side, and may be performed from the back side of the array substrate 30 by raising the temperature of the base 91 in some cases. You may heat from the front and back both sides.
- the thermocompression bonding mechanism 92 is raised to complete the pressurization and heating. As a result, the temperature of the residue layer 50L is lowered, and the ACF 50 constituting the residue layer 50L enters the opening 60A and hardens while being entangled with the metal wire 60B.
- the peeling step is performed following the thermocompression bonding step, and the metal mesh 60 in which the ACF 50 is press-fitted into the opening 60A is peeled from the array substrate 30 by the peeling mechanism.
- the metal mesh 60 is preferably peeled away from the array substrate 30.
- the peeling is performed so that not only an external force perpendicular to the bonding surface between the residue layer 50L and the array substrate 30 works but also an external force acting obliquely.
- the peeling mechanism can be driven using a rotating arm, a rotating roll member, or the like. For example, a peeling mechanism described in JP 2001-199626 A may be applied.
- Whether or not the residue layer 50L is heated during the peeling process can be appropriately determined according to the thermal properties of the ACF 50, the shape of the metal mesh 60, and the like. For example, heating may be performed from the front side or both sides until the crimping process, and heating may be performed from the back side only in the peeling process. By this step, as will be described in detail later, the residual layer 50L attached to the array substrate 30 is removed together with the metal mesh 60.
- the metal mesh 60 used in this embodiment will be described in detail.
- the metal mesh 60 may be a planar body that is a knitted fabric having a structure in which the metal wire 60 ⁇ / b> B is knitted and formed into a planar shape.
- a metal mesh 60 having a single layer structure is used.
- the metal constituting the metal mesh 60 is not particularly limited. However, since the metal mesh 60 is pressure-bonded to the ACF 50 of the residue layer 50L that is heated and melted as described later, the heat resistance temperature is higher than the heating temperature (for example, 160 ° C. to 300 ° C.). It is preferable to form with a high metal. For example, copper or aluminum can be used.
- the metal mesh 60 has a porous structure, such as a punching metal formed by perforating a metal plate from the viewpoint of facilitating the press-fitting of the ACF 50 into the opening 60A and obtaining a large adhesive force with the press-fitted ACF 50.
- a woven fabric or a knitted fabric having a structure in which the metal wire 60B is knitted is more preferable.
- the woven structure is not particularly limited. In this embodiment, as shown in FIG. 9, a metal mesh 60 made of a woven fabric in which the metal wires 60B are plain woven is used.
- a woven fabric such as a twill woven fabric or a tatami woven fabric may be used.
- a knitted fabric may be used. It is preferable to select an appropriate structure in consideration of the porosity, strength (stretchability), surface structure, and the like.
- the shape of the opening at the interface between the metal mesh 60 and the residue layer 50L is not particularly limited.
- a hole having a square shape is used, but various polygonal shapes such as a rhombus, a parallelogram, a rectangle, and a triangle can be used.
- the cross-sectional shape of the metal wire 60B that forms the knitted fabric or the like is not particularly limited. In this embodiment, as shown in FIG.
- a cross-sectional shape having a substantially perfect circle shape is used.
- the shape is not limited to this, and various shapes such as an elliptical shape, a triangular shape, and a star shape are used. Things can be used.
- the wire diameter of the metal wire 60B forming the knitted fabric or the like is not particularly limited, but is preferably selected as appropriate according to the layer thickness of the residual layer 50L to be removed.
- the ACF 50 press-fitted into the opening 60A is in contact with the outer peripheral surface of the metal wire 60B as much as possible. It is preferable to reach the surface layer side and wrap the metal wire 60B. For example, when the average layer thickness (l in FIG.
- the diameter of the metal wire 60B (d in FIG. 10A) is 50 ⁇ m or less (d ⁇ 2l). Is preferable, and more preferably 25 ⁇ m or less (d ⁇ l).
- a thick metal wire 60B having a diameter of about 50 ⁇ m or 100 ⁇ m can be used.
- a metal wire 60B having a diameter d satisfying 1 ⁇ d ⁇ 2l is used.
- the adhesive force between the ACF 50 of the residual layer 50L and the metal mesh 60 is appropriately selected so as to be larger than the adhesive force between the ACF 50 and the array substrate 30.
- FIG. 10A is an image diagram showing an enlarged cross section of the residue layer 50L before the thermocompression bonding process and FIG. 10B after the thermocompression bonding process.
- the back surface (lower side in the drawing) of the residue layer 50L is an adhesive surface with the array substrate 30.
- the residue layer 50L made of ACF50 is to be removed.
- the residual layer 50L is formed as an integral lump and is bonded to the array substrate 30 with a continuous large bonding surface.
- the metal mesh 60 arranged to cover the surface of the residue layer 50L in the arrangement step is pressure-bonded to the residue layer 50L while being heated together with the residue layer 50L in the thermocompression bonding step, the ACF 50 constituting the residue layer 50L softened by heating is obtained.
- the metal mesh 60 enters the opening 60A.
- the ACF 50 comes into contact with the metal wire 60 ⁇ / b> B around the outer periphery, and the residue layer 50 ⁇ / b> L is entangled with the metal mesh 60.
- the adhesion area between the ACF 50 and the metal wire 60B increases, the adhesion force between the residue layer 50L and the metal mesh 60 increases accordingly, and the residue layer 50L becomes difficult to be separated from the metal mesh 60.
- the lump-like residue layer 50L becomes the metal wire of the metal mesh 60 as shown in FIG.
- the adhesive surface between the residue layer 50L and the array substrate 30 is subdivided by being divided by 60B.
- the bonding surface is subdivided to reduce each bonding area, the adhesive force between the residue layer 50L and the array substrate 30 is reduced accordingly, and the residue layer 50L is easily peeled from the array substrate 30.
- the ACF 50 When the heating is finished in a state where the ACF 50 is press-fitted into the opening 60 ⁇ / b> A, most of the ACF 50 is fixed with a decrease in temperature while being entangled with the metal wire 60 ⁇ / b> B of the metal mesh 60.
- the metal wire 60B having a diameter d satisfying 1 ⁇ d ⁇ 2l is used, the ACF 50 has the narrowest portion of the opening 60A (the position where the distance between the adjacent metal wires 60B is the shortest). ). Therefore, the residue layer 50L and the metal mesh 60 are hardly separated from each other also by the anchor effect of the ACF 50 that is hardened as the temperature decreases.
- the adhesive force between the residue layer 50L and the metal mesh 60 can be made larger than the adhesive force between the residue layer 50L and the array substrate 30. Therefore, the residue layer 50L can be peeled off together by scraping the metal mesh 60 from the array substrate 30.
- the liquid crystal module 1 can be manufactured using the liquid crystal panel 11 including the array substrate 30 that has been regenerated by removing the residual layer 50L as described above. For example, a new ACF 50 is arranged at a predetermined position on the regenerated array substrate 30 and a new good driver 12 and FPC board 13 are connected and fixed to produce the liquid crystal module 1 as shown in FIG.
- the liquid crystal panel 11 including the array substrate 30 that has been regenerated by removing the residual layer 50L as described above.
- a new ACF 50 is arranged at a predetermined position on the regenerated array substrate 30 and a new good driver 12 and FPC board 13 are connected and fixed to produce the liquid crystal module 1 as shown in FIG.
- the residual layer 50L of the ACF 50 attached to the array substrate 30 used in the liquid crystal module 1 is efficiently removed.
- at least a part of the ACF 50 constituting the heat-softened residue layer 50L is press-fitted into the opening 60A of the metal mesh 60, so that the adhesion area between the ACF 50 and the metal wire 60B is increased.
- the adhesive force between the residue layer 50L and the metal mesh 60 can be made larger than the adhesive force between the residue layer 50L and the array substrate 30.
- the residual layer 50 ⁇ / b> L can be removed from the array substrate 30 so as to be entangled together with the metal mesh 60.
- the metal mesh 60 is formed of a metal having excellent heat resistance, the crimping process and the peeling process can be performed stably.
- the thermocompression bonding mechanism 92 heats the residue layer 50L via the metal mesh 60 as in this embodiment
- the residue layer 50L can be efficiently heated by the metal wire 60B made of metal having high thermal conductivity. it can.
- the peeling process it is only necessary to peel the metal mesh 60 having excellent mechanical strength, so that the work can be easily performed, and the damage to the array substrate 30 when removing the residual layer 50L is suppressed, and the failure rate is reduced. (Failure rate) can be reduced.
- the variation among workers is reduced, and it is possible to realize an apparatus, thereby further improving the efficiency of the work of removing the residual layer 50L.
- the metal wire 60 ⁇ / b> B that forms the opening 60 ⁇ / b> A of the metal mesh 60 is crimped so as to contact the array substrate 30.
- the massive residue layer 50L is finely divided by the metal wire 60B of the metal mesh 60, and the adhesion area between the residue layer 50L and the array substrate 30 is reduced. 50L can be easily peeled from the array substrate 30.
- the metal mesh 60 used in the present embodiment is a planar body having a knitted structure formed of metal wires 60B.
- the metal mesh 60 formed by knitting the metal wire 60B has an opening edge that is easier to cut into the residue layer 50L than a metal porous material formed by drilling a metal plate.
- the adhesion area between the metal mesh 60 and the residue layer 50L is increased and a large adhesion force is obtained, and the residue layer 50L is easily peeled off from the array substrate 30 together with the metal mesh 60.
- the metal mesh 60 formed into a planar body can be easily crimped to the residue layer 50L or peeled off from the array substrate 30, the residue layer 50L is scraped off together with the metal mesh 60 at the time of peeling. Is advantageous.
- the metal wire 60B forming the metal mesh 60 used in the present embodiment has a diameter d that is larger than the average layer thickness l of the residual layer 50L and smaller than twice (l ⁇ d ⁇ 2l).
- the thermocompression bonding mechanism 92 is configured to abut against the metal mesh 60 from the front side and push the metal wire 60B into the residue layer 50L.
- the thermocompression bonding mechanism 92 is lowered as it is. Only the metal wire 60B can be brought into contact with the array substrate 30.
- the ACF 50 is press-fitted so as to wrap around to the surface layer side from the narrowest portion of the opening 60A by the pressure-bonding step.
- the bonding area between the ACF 50 and the metal wire 60B increases, and an anchor effect by the ACF 50 solidified by the end of heating is obtained, so that the residue layer 50L and the metal mesh 60 are more difficult to separate. Therefore, the residue layer 50L can be easily peeled from the array substrate 30 together with the metal mesh 60.
- this technique is particularly useful when the array substrate 30 is recycled by removing the residual layer 50L of the ACF 50 that has connected and fixed the driver 12 and the FPC substrate 13 on the array substrate 30. It can be preferably applied.
- the residue layer removing apparatus when the array substrate 30 is regenerated, the residue layer of the ACF 50 attached to the array substrate 30 while reducing the failure rate, stabilizing the operation, and shortening the operation time. 50 L can be efficiently removed.
- the cost of the liquid crystal module 1 can be reduced. Further, by using the reproduction array substrate 30 from which the residual layer 50L of the ACF 50 has been removed with a high probability, it is possible to reduce the occurrence of defects due to the reproduction array substrate 30 in the liquid crystal module 1.
- FIG. 11 is a diagram schematically showing a cross-sectional configuration of the metal mesh 260 according to the second embodiment, along with a cross section of the residue layer 250L to be removed.
- the metal mesh 260 according to the second embodiment is a multilayer planar body in which a structure in which metal wires 260B are knitted is formed in multiple layers.
- the metal wire 260B forming the metal mesh 260 used in the present embodiment has a diameter d smaller than the average layer thickness l of the residual layer 250L (d ⁇ l). According to the configuration of the second embodiment, since the volume of the gap into which ACF can be pressed increases in the thickness direction of the metal mesh 260, a thicker residue layer can be removed.
- the same metal mesh 260 can be used repeatedly multiple times. Further, by setting d ⁇ l, the metal mesh 260 can be pushed into the residue layer 250L so that at least the metal wire 260B in contact with the residue layer 250L is wrapped in the ACF. As a result, the ACF enters the void of the woven structure of the metal mesh 260 in a complicated shape, and the adhesion area increases, and a large anchor effect is obtained by the ACF solidified while entering the metal mesh 260. As a result, the residue layer 250L and the metal mesh 260 are more difficult to separate. Therefore, the residue layer 250 ⁇ / b> L can be more easily peeled together with the metal mesh 260.
- the metal mesh 250 is moved from the front side as in the first embodiment. By pressing the residue layer 250L as it is, the metal wire 260B can be brought into contact with the surface of the substrate. Note that the same effect as that of the metal mesh 260 can be obtained even when a plurality of planar bodies having a single-layer knitted structure are used as the metal mesh.
- FIG. 12 is a diagram schematically showing a cross-sectional configuration of the metal mesh 360 according to the third embodiment.
- the metal mesh 360 according to the present embodiment at least a part of the surface of the opening 360A, that is, the outer peripheral surface of the metal wire 360B is covered with the same resin as the residual layer 350L made of ACF350, that is, ACF350.
- the coating resin having excellent affinity with the adhesive resin a resin having a surface energy close to that of the adhesive resin, such as a resin containing the same functional group as the adhesive resin, can be used.
- a metal mesh 360 in which the metal wire 60B is coated with ACF350 can be used.
- a resin film may be sandwiched between metal meshes or a resin gel may be applied.
- the adhesive force between the residue layer 350L and the metal mesh 360 is increased because the coating resin made of the same ACF 350 as the residue layer 350L is interposed on the surface of the opening 360A of the metal mesh 360.
- the ACF 350 of the residual layer 350L is likely to adhere to the metal mesh 360.
- the residue layer 350L is hardly separated from the metal mesh 360, and the residue layer 350L can be removed with higher probability.
- FIG. 13 schematically shows a state in which the metal mesh 60 is heat-pressed to a thick residual layer 450L made of a hot melt adhesive attached to the frame 430 of the backlight device, and then peeled off from the frame 430.
- the metal wire 460B forming the metal mesh 460 used in the present embodiment has a diameter d smaller than the average layer thickness l of the residual layer 450L (d ⁇ l).
- the metal mesh 460 according to the fourth embodiment has a single layer structure, and the thickness of the entire metal mesh 460 is also smaller than the average layer thickness l of the residual layer 450L. Therefore, in the fourth embodiment, a metal mesh 460 having a sufficiently larger area than the residue layer 450L is used and, for example, a peripheral portion that is not superimposed on the residue layer 450L is pressed into the residue layer 450L. It is good to crimp until it contacts the frame 430. In this case, it is preferable that the heating mechanism and the pressure-bonding mechanism are constituted by separate members.
- a structure in which the heating mechanism is brought into contact with the surface of the residue layer 450L to heat and the metal mesh 460 is pressed downward while only the pressure-bonding mechanism is pressed a structure in which the residue layer 450L is heated from the frame 430 side, or an electron beam It can be considered that the heating is performed in a non-contact state, for example.
- the relatively thin residue layer made of ACF but also the relatively thick residue layer 450L made of hot melt adhesive can be efficiently performed without increasing the thickness of the entire metal mesh 460. Can be removed.
- the present technology is not limited to the embodiments described with reference to the above description and drawings.
- the following embodiments are also included in the technical scope of the present technology.
- (1) As the metal porous material materials having various structures can be used in addition to the metal mesh exemplified in the above embodiments.
- the present technology not only the ACF and hot melt adhesive exemplified in each of the above-described embodiments, but also residual layers of various adhesive resins that are softened by heating can be efficiently removed.
- the present technology not only the hard base material such as the array substrate of the liquid crystal panel and the frame of the backlight device exemplified in the above embodiment, but also the residual layer of the adhesive resin attached to the soft base material is removed. can do.
- the present technology is also effective in removing the ACF residue layer adhering to a flexible base material included in an FPC substrate or a COF (Chip on Film) film base material.
- liquid crystal module including the liquid crystal panel exemplified in the above embodiment, but also a residual layer from a substrate for a display module including an organic EL panel, a plasma display panel, etc. as a display panel. Widely applicable to removal.
- SYMBOLS 1 Liquid crystal module (an example of a display module), 11 ... Liquid crystal panel, 12 ... Driver (an example of an electrical component), 13 ... FPC board (an example of an electrical component), 14 ... Control board, 20 ... CF board, 30 ... Array Substrate (example of base material), 50 ... ACF (example of adhesive resin), 50L, 250L, 350L, 450L ... residue layer, 60,260,360,460 ... metal mesh (metal wire fabric, metal porous material) Example), 60A, 360A ... Open hole, 60B, 260B, 360B, 460B ... Metal wire, 91 ... Base, 92 ... Heat crimping mechanism (heating mechanism and crimping mechanism), d ... Metal wire diameter, l ... Residue Average layer thickness
Landscapes
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Abstract
液晶モジュール1に用いられる液晶パネル11のアレイ基板30に付着したACF50の残渣層50Lを、残渣層50Lの表面に金属メッシュ60を配置する配置工程と、残渣層50Lを加熱して軟化させる加熱工程と、配置工程によって残渣層50Lの表面に配置された金属メッシュ60を、加熱工程によって軟化した残渣層50Lに圧着して、残渣層50Lを構成するACF50の少なくとも一部を金属メッシュ60の開孔60A内に圧入させる圧着工程と、ACF50が開孔60A内に圧入された金属メッシュ60をアレイ基板30から剥離する剥離工程と、を含む除去方法によって除去する。
Description
本技術は、残渣層除去方法、残渣層除去装置、及び表示モジュールに関する。
表示モジュールとして、画像を表示可能な表示パネルと、表示パネルを駆動するドライバ(ICチップ)と、ドライバに各種入力信号を外部から供給する制御回路基板と、外部の制御回路基板と表示パネルとを電気的に接続するFPC基板(フレキシブル回路基板)と、を備えたものが知られている。ドライバやFPC基板等の電気部品は、通常、表示パネルを構成するガラス製の基板上に、異方導電性接着剤(ACF)等を介して接着固定され、電気的に接続される。なお、本明細書では、接触により電気的接続を行う接点部を備えたあらゆる部品を電気部品と称する。
このような表示モジュールの製造の過程では、適宜に動作確認が行われる。例えばドライバやFPC基板等の電気部品が基板上に接続された後には、点灯検査が行われる。電気部品が組み付けられた表示モジュールの半製品が、電気部品の破損等による動作不良や位置ずれ等による接続不良のために点灯検査において不適合とされた場合、症状や状態によっては、不具合を生じた電気部品のみを交換し、当該電気部品以外の部材を再利用するリワーク(リペア)が行われる。
例えば基板を再利用可能に再生するためには、まず不具合を生じた電気部品を基板から脱着し、次いで基板上に付着したACF等の接着性樹脂の残渣層を除去する必要がある。接着性樹脂が残存したままの基板を用いて表示モジュールを作製すると、接続不良が発生する虞が高くなるからであり、再生時には、基板から接着性樹脂の残渣層を完全に除去することが好ましい。しかしながら、硬化が進行した接着性樹脂は基板に強固に付着しており、接着性樹脂の残渣層を完全に除去することは容易ではない。竹ベラ等を用いて外力を加えて強制的に剥離したり、接着性樹脂の軟化剤を塗布して拭き取ったりすることも行われていたが、このような方法は作業難度が高く、作業に時間がかかるばかりか、基板等を損傷することがあるという問題があった。
そこで、下記特許文献1には、接着性樹脂(接着部材)を加熱によって軟化させた後に、基板から削り取るもしくは拭き取る方法が開示されている。また、下記特許文献2には、加熱によって軟化させた接着性樹脂(接続部材)を、高い接着力を有する接着性フィルムと融合させ、粗面銅箔等の被着体に転写して、基板から除去する方法が開示されている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記特許文献1の方法では、加熱によってゼリー状に溶融した接着性樹脂の残渣が、視認できないレベルの薄膜として基板上に残留する可能性がある。また、特許文献2の方法では、被着体となる粗面銅箔の表面状態のばらつきや酸化被膜の形成等により、被着体からの剥離抵抗の方が基板からの剥離抵抗よりも小さくなると、転写が上手く行われず接着性樹脂の残渣層を基板から除去しきれない虞があった。
しかしながら、上記特許文献1の方法では、加熱によってゼリー状に溶融した接着性樹脂の残渣が、視認できないレベルの薄膜として基板上に残留する可能性がある。また、特許文献2の方法では、被着体となる粗面銅箔の表面状態のばらつきや酸化被膜の形成等により、被着体からの剥離抵抗の方が基板からの剥離抵抗よりも小さくなると、転写が上手く行われず接着性樹脂の残渣層を基板から除去しきれない虞があった。
本技術は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、表示モジュール用基材の再生にあたって、仕損率の低減や作業の安定化、作業時間の短縮化を図りつつ、基材に付着した接着性樹脂の残渣層を除去する残渣層除去方法を提供することを目的とする。また、本明細書では、これを可能とする残渣層除去装置、及び再生した基材を用いた表示モジュールについても開示する。
(課題を解決するための手段)
本明細書が開示する技術は、表示モジュールに用いられる基材に付着した接着性樹脂の残渣層を除去する残渣層除去方法であって、前記残渣層の表面に金属製多孔質材を配置する配置工程と、前記残渣層を加熱して軟化させる加熱工程と、前記配置工程によって前記残渣層の表面に配置された前記金属製多孔質材を、前記加熱工程によって軟化した前記残渣層に圧着し、前記残渣層の少なくとも一部を前記金属製多孔質材の開孔内に圧入させる圧着工程と、前記残渣層が開孔内に圧入された前記金属製多孔質材を前記基材から剥離する剥離工程と、を含む。ここで、金属製多孔質材は、少なくとも残渣層表面に圧着される面に開口した複数の開孔を有するものをいう。金属製多孔質材は、面状体であることが好ましい。
本明細書が開示する技術は、表示モジュールに用いられる基材に付着した接着性樹脂の残渣層を除去する残渣層除去方法であって、前記残渣層の表面に金属製多孔質材を配置する配置工程と、前記残渣層を加熱して軟化させる加熱工程と、前記配置工程によって前記残渣層の表面に配置された前記金属製多孔質材を、前記加熱工程によって軟化した前記残渣層に圧着し、前記残渣層の少なくとも一部を前記金属製多孔質材の開孔内に圧入させる圧着工程と、前記残渣層が開孔内に圧入された前記金属製多孔質材を前記基材から剥離する剥離工程と、を含む。ここで、金属製多孔質材は、少なくとも残渣層表面に圧着される面に開口した複数の開孔を有するものをいう。金属製多孔質材は、面状体であることが好ましい。
上記構成によれば、金属製多孔質材の開孔内に、加熱軟化した接着性樹脂からなる残渣層の少なくとも一部が圧入されることで、残渣層と金属製多孔質材との間の接着力が増大し、この接着力を、残渣層と基材との接着力よりも大きくすることができる。これにより、金属製多孔質材を基板から捲り取れば、金属製多孔質材に付着した残渣層を、絡めとるようにして一緒に基材から除去できる。金属製多孔質材は耐熱性に優れるため、加熱された残渣層への圧着を安定的に行うことができる。また、剥離工程では、機械強度にも優れた金属製多孔質材を剥離すればよいため、作業が容易であるのに加え、残渣層を除去する際の基材等へのダメージが抑制され、破損率(仕損率)を低減することができる。
なお、加熱工程と配置工程の先後は問わない。すなわち、加熱工程は、配置工程の前に行っても、同時に行っても、後に行ってもよく、配置工程の前後に亘る一定期間継続して行ってもよい。また、配置工程及び加熱工程以降に圧着工程が行われるが、残渣層を十分に軟化させて金属製多孔質材に圧入され易くする観点から、圧着工程中も残渣層の加熱が継続して行われることが好ましい。剥離工程中に残渣層の加熱を行うか否かは、接着性樹脂の熱的性質や金属製多孔質材の形状等に応じて適宜判断することができる。
なお、加熱工程と配置工程の先後は問わない。すなわち、加熱工程は、配置工程の前に行っても、同時に行っても、後に行ってもよく、配置工程の前後に亘る一定期間継続して行ってもよい。また、配置工程及び加熱工程以降に圧着工程が行われるが、残渣層を十分に軟化させて金属製多孔質材に圧入され易くする観点から、圧着工程中も残渣層の加熱が継続して行われることが好ましい。剥離工程中に残渣層の加熱を行うか否かは、接着性樹脂の熱的性質や金属製多孔質材の形状等に応じて適宜判断することができる。
また、本明細書は、表示モジュールに用いられる基材に付着した接着性樹脂の残渣層を除去する残渣層除去装置について開示する。
本明細書が開示する残渣層除去装置は、前記基材が配置される基台と、前記残渣層を加熱して軟化させる加熱機構と、前記残渣層の表面に配置された金属製多孔質材を、前記加熱機構によって軟化した前記残渣層に圧着し、前記残渣層の少なくとも一部を前記金属製多孔質材の開孔内に圧入させる圧着機構と、前記残渣層が開孔内に圧入された前記金属製多孔質材を前記基材から剥離する剥離機構と、を備える。
本明細書が開示する残渣層除去装置は、前記基材が配置される基台と、前記残渣層を加熱して軟化させる加熱機構と、前記残渣層の表面に配置された金属製多孔質材を、前記加熱機構によって軟化した前記残渣層に圧着し、前記残渣層の少なくとも一部を前記金属製多孔質材の開孔内に圧入させる圧着機構と、前記残渣層が開孔内に圧入された前記金属製多孔質材を前記基材から剥離する剥離機構と、を備える。
上記構成の残渣層除去装置を用いれば、表示モジュール用基材の再生にあたり、仕損率の低減や作業の安定化、作業時間の短縮化を図りつつ、基材に付着した接着性樹脂の残渣を効率的に除去することができる。
また、本明細書は、基材に付着した接着性樹脂の残渣層が除去されて再生された基材を用いた表示モジュールについて開示する。
本明細書が開示する表示モジュールは、前記基材に付着した接着性樹脂の残渣層が、前記残渣層の表面に金属製多孔質材を配置する配置工程と、前記残渣層を加熱して軟化させる加熱工程と、前記残渣層の表面に配置された前記金属製多孔質材を、前記加熱によって軟化した前記残渣層に圧着し、前記残渣層の少なくとも一部を前記金属製多孔質材の開孔内に圧入させる圧着工程と、記残渣層が開孔内に圧入された前記金属製多孔質材を前記基材から剥離する剥離工程と、を含む残渣層除去方法によって除去されて再生された基材を用いている。
本明細書が開示する表示モジュールは、前記基材に付着した接着性樹脂の残渣層が、前記残渣層の表面に金属製多孔質材を配置する配置工程と、前記残渣層を加熱して軟化させる加熱工程と、前記残渣層の表面に配置された前記金属製多孔質材を、前記加熱によって軟化した前記残渣層に圧着し、前記残渣層の少なくとも一部を前記金属製多孔質材の開孔内に圧入させる圧着工程と、記残渣層が開孔内に圧入された前記金属製多孔質材を前記基材から剥離する剥離工程と、を含む残渣層除去方法によって除去されて再生された基材を用いている。
上記構成によれば、再生基材を利用することで、表示モジュールの低コスト化を図ることができる。また、基材に付着していた接着性樹脂の残渣層が高い確率で除去された再生基材を利用することで、表示モジュールにおける再生基材に起因した不具合の発生を低減することができる。
(発明の効果)
以上のように、本明細書が開示する技術によれば、基材に付着した接着性樹脂の残渣層を効率的に除去して、基材を容易に再利用することができる。
以上のように、本明細書が開示する技術によれば、基材に付着した接着性樹脂の残渣層を効率的に除去して、基材を容易に再利用することができる。
<実施形態1>
実施形態1を、図1から図10A、および図10Bを参照しつつ説明する。
本実施形態では、液晶モジュール(表示モジュールの一例)の液晶パネル(表示パネルの一例)を構成するアレイ基板からのACF残渣層の除去について例示する。なお、一部の図面にはX軸、Y軸及びZ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図1における上側を上側(下側を下側)、右側を右側(左側を左側)、紙面手前側を表側(紙面奥側を裏側)とし、複数の同一部材については、一部の部材に符号を付し、他の部材については符号を省略することがある。
実施形態1を、図1から図10A、および図10Bを参照しつつ説明する。
本実施形態では、液晶モジュール(表示モジュールの一例)の液晶パネル(表示パネルの一例)を構成するアレイ基板からのACF残渣層の除去について例示する。なお、一部の図面にはX軸、Y軸及びZ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図1における上側を上側(下側を下側)、右側を右側(左側を左側)、紙面手前側を表側(紙面奥側を裏側)とし、複数の同一部材については、一部の部材に符号を付し、他の部材については符号を省略することがある。
図1に示すように、液晶モジュール1は、画像を表示可能な液晶パネル11を備えており、この液晶パネル11には、画像を表示させるために必要な各種電気部品が接続されている。具体的には、液晶パネル11を駆動するドライバ(ICチップ。電気部品の一例)12と、ドライバ12に対して各種入力信号を外部から供給するコントロール基板(制御回路基板。外部の信号供給源。電気部品の一例)14と、液晶パネル11と外部のコントロール基板14とを電気的に接続するFPC基板(フレキシブル回路基板。電気部品の一例)13と、が少なくとも備えられている。
まず、液晶パネル11について簡単に説明する。
図1に示すように、液晶パネル11は、全体として縦長な方形状(矩形状)をなしており、その板面の中央部に、画像を表示可能な表示領域(アクティブエリア)AAが形成されている。
図1に示すように、液晶パネル11は、全体として縦長な方形状(矩形状)をなしており、その板面の中央部に、画像を表示可能な表示領域(アクティブエリア)AAが形成されている。
液晶パネル11は、一対の基板20,30を備えている。基板20,30のうち、表側がCF基板(カラーフィルタ基板、対向基板)20とされ、裏側がアレイ基板(TFT基板、アクティブマトリクス基板)30とされる。本実施形態では、アレイ基板30が、請求項における基材に相当する。CF基板20では、ガラス基板の内面(裏面)に、R(赤色),G(緑色),B(青色)等の各着色部が所定配列で配置されたカラーフィルタや、対向電極、さらには配向膜等が設けられている。一方、アレイ基板30では、ガラス基板の内面(表面)に、互いに直交するソース配線とゲート配線に接続されたスイッチング素子(例えばTFT)と、そのスイッチング素子に接続された画素電極、さらには配向膜等が設けられている。
図には示されていないが、液晶パネル11は、上記した一対の基板20,30のほか、両基板20,30間に挟持された液晶層と、両基板20,30間に介在して液晶層をシール(封止)するシール材と、を有している。液晶層は、電界印加に伴って光学特性が変化する液晶分子を含んで、表示領域AAの全域を覆うように配設されている。そして、表示領域AAにおける両基板20,30の外面側には、それぞれ表偏光板29及び裏偏光板39が貼り付けられている(図2等参照)。
既述したアレイ基板30のスイッチング素子は、ゲート配線及びソース配線に供給される各種信号に基づいて駆動され、その駆動に伴って画素電極への電位の供給が制御される。また、画素電極と重畳するように、図示しない共通電極が設けられており、これらの電極間に電位差が生じると、アレイ基板30の板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界(斜め電界)が液晶層に印加されるようになっている。この電界印加により、液晶層に含まれる液晶分子の光学特性が変化することで、光の透過率が変化して表示領域AA内に画像が表示される。
図1に示すように、一対の基板20,30を構成するガラス基板は、左右方向(X軸方向)の長さ寸法は同等とされているが、上下方向(Y軸方向)の長さ寸法はCF基板20のガラス基板の方がアレイ基板30のガラス基板よりも小さく設定されており、両ガラス基板は上端を揃えた状態で対向配置される。以下、液晶パネル11において、アレイ基板30とCF基板20とが重畳された領域を基板重畳領域SOAとし、CF基板20が重畳されていないアレイ基板30の下側の領域を基板非重畳領域NSOAとする。基板重畳領域SOA内には既述した表示領域AAが形成される一方、基板非重畳領域NSOA内には、後述するドライバ12及びFPC基板13が実装される。
次に、液晶パネル11のアレイ基板30に接続される電気部品、すなわちコントロール基板14、FPC基板13、及びドライバ12について、順次説明する。
コントロール基板14としては、例えば紙フェノール又はガラスエポキシ樹脂製の基板上に、ドライバ12に各種入力信号を供給するための電子部品が実装されるとともに、図示しない所定のパターンの配線(導電路)が配索形成されたものを用いることができる。このコントロール基板14には、FPC基板13の一方の端部(一端側)が、後述するACF(異方導電性接着剤。接着性樹脂の一例)50を介して電気的にかつ機械的に接続されている。
コントロール基板14としては、例えば紙フェノール又はガラスエポキシ樹脂製の基板上に、ドライバ12に各種入力信号を供給するための電子部品が実装されるとともに、図示しない所定のパターンの配線(導電路)が配索形成されたものを用いることができる。このコントロール基板14には、FPC基板13の一方の端部(一端側)が、後述するACF(異方導電性接着剤。接着性樹脂の一例)50を介して電気的にかつ機械的に接続されている。
FPC基板13は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料(ポリイミド系樹脂等)からなる基材を備え、その基材上に図示しない多数本の配線パターンを有している。図1に示すように、FPC基板13は、長さ方向についての一方の端部(一端側)13Aが既述したコントロール基板14に接続されるのに対し、他方の端部(他端側)13Bがアレイ基板30の長辺方向についての他方の端部に接続されており、例えば液晶モジュール1内で断面形状が略U字状となるように折り返し状に屈曲させことができる。FPC基板13における長さ方向についての両端部13A,13Bでは、配線パターンが外部に露出して図示しない端子部を構成しており、これらの端子部がそれぞれコントロール基板14及びアレイ基板30に対して電気的に接続されている。これにより、コントロール基板14側から供給される入力信号を液晶パネル11側に伝送することが可能とされている。
ドライバ12は、内部に駆動回路を有しており、シリコンを高い純度で含んだシリコンウェハ上に、配線や素子が形成されてなる。ドライバ12は、信号供給源であるコントロール基板14から供給される信号に基づいて出力信号を生成し、その出力信号を液晶パネル11の表示領域AAへ向けて出力する。このドライバ12は、アレイ基板30の基板非重畳領域NSOAに直接実装、即ちCOG(Chip on Glass)実装されている。
続いて、液晶パネル11のアレイ基板30と、FPC基板13及びドライバ12との接続態様について説明する。
FPC基板13は、図1に示すように、その長さ方向がアレイ基板30の長辺方向(Y軸方向)に沿った姿勢で、その他方の端部13Bが、基板非重畳領域NSOAの下端部の左右方向(X軸方向)についての略中央部分にアレイ基板30の下端縁に沿って延在するように接続されている。
FPC基板13は、図1に示すように、その長さ方向がアレイ基板30の長辺方向(Y軸方向)に沿った姿勢で、その他方の端部13Bが、基板非重畳領域NSOAの下端部の左右方向(X軸方向)についての略中央部分にアレイ基板30の下端縁に沿って延在するように接続されている。
アレイ基板30の基板非重畳領域NSOAのうち、FPC基板13の実装領域には、FPC基板13側から入力信号の供給を受けるための図示しないFPC接続用端子部が設けられている。一方、FPC基板13の他方の端部13Bには、アレイ基板30側に向けられた一方の板面に、図示しないFPC側端子部が設けられている。
FPC側端子部は、アレイ基板30のFPC接続用端子部上に配されたACF50を介して、当該FPC接続用端子部と電気的に接続される。
FPC側端子部は、アレイ基板30のFPC接続用端子部上に配されたACF50を介して、当該FPC接続用端子部と電気的に接続される。
ACF50は、接着剤である絶縁性の熱硬化性樹脂50Aと、この熱硬化性樹脂50A中に分散配合された多数の導電性粒子50Bと、からなっている(図4参照)。ACF50を構成する熱硬化性樹脂50Aとしては、硬化剤が添加されたフェノキシ樹脂やエポキシ樹脂が挙げられる。ACF50は特に限定されるものではないが、一例として、エポキシ樹脂中に平均粒径5.0μmのNi/Auメッキ導電粒子が添加されたThree Bond製の異方導電性接着剤「Three Bond 3370K」を用いることができる。Three Bond 3370Kは、160℃~170℃、20秒、2MPa~3MPaの条件下に加熱圧着することで、信頼し得る硬化を完了する。
本実施形態では、FPC基板13の他方の端部13Bが、ACF50を介してアレイ基板30のFPC接続用端子部に対して圧着接続されることで、FPC接続用端子部とFPC側端子部との間に導電性粒子50Bが挟み込まれて押し潰され、これにより、FPC接続用端子部とFPC側端子部との間で導通が図られるようになっている。
本実施形態では、FPC基板13の他方の端部13Bが、ACF50を介してアレイ基板30のFPC接続用端子部に対して圧着接続されることで、FPC接続用端子部とFPC側端子部との間に導電性粒子50Bが挟み込まれて押し潰され、これにより、FPC接続用端子部とFPC側端子部との間で導通が図られるようになっている。
ドライバ12は、図1に示すように、平面に視て横長の矩形状をなしており、その長辺方向がアレイ基板30の短辺方向に沿うとともにその短辺方向がアレイ基板30の長辺方向に沿った姿勢で配される。ドライバ12は、基板非重畳領域NSOAにおおけるFPC基板13よりも表示領域AA寄りに位置して配され、基板重畳領域SOAとFPC基板13との間に挟まれた位置に接続されている。
アレイ基板30の基板非重畳領域NSOAのうち、ドライバ12の実装領域には、当該ドライバ12に対して入力信号の供給を図るための入力端子部と、ドライバ12からの出力信号の供給を受けるための出力端子部を含む図示しないドライバ接続用端子部が、それぞれ設けられている。なお、FPC接続用端子部とドライバ接続用端子部とは、アレイ基板30の基板非重畳領域NSOAのうち、FPC基板13の実装領域とドライバ12の実装領域との間を横切る形で配索形成された、図示しない中継配線によって電気的に接続されている。一方、ドライバ12のアレイ基板30側に向けられた面には、アレイ基板30側向かって突出する複数の入力側バンプと複数の出力側バンプとが設けられている(いずれも図示しない)。
入力側バンプ及び出力側バンプは、アレイ基板30のドライバ接続用端子部に配されたACF50を介して、当該ドライバ接続用端子部の入力端子部もしくは出力端子部と、それぞれ電気的に接続される。このACF50は、入力端子部及び出力端子部の露出面と、入力側バンプ及び出力側バンプの露出面とをそれぞれ隙間無く覆う形で、アレイ基板30とドライバ12との間に介在している。
入力側バンプ及び出力側バンプは、アレイ基板30のドライバ接続用端子部に配されたACF50を介して、当該ドライバ接続用端子部の入力端子部もしくは出力端子部と、それぞれ電気的に接続される。このACF50は、入力端子部及び出力端子部の露出面と、入力側バンプ及び出力側バンプの露出面とをそれぞれ隙間無く覆う形で、アレイ基板30とドライバ12との間に介在している。
本実施形態では、上記ドライバ12のバンプとアレイ基板30のドライバ接続用端子部とを接続するACF50は、既述したFPC接続用端子部とFPC側端子部との間を電気的に接続するACF50と同一種類のものとされており、当該ACF50を構成する熱硬化性樹脂50Aの種類、及び導電性粒子50Bの種類、含有率はいずれも同一とされている。また、ドライバ接続用入力端子部と入力側バンプとの間の導通態様、及びドライバ接続用出力端子部と出力側バンプとの間の導通態様についても、FPC接続用端子部とFPC側端子部との間の導通態様と同一である。すなわち、ドライバ12が上記のACF50を介してアレイ基板30上に圧着接続されることで、入力端子部と入力側バンプとの間、及び出力端子部と出力側バンプとの間に、ACF50の導電性粒子50Bがそれぞれ挟み込まれて押し潰され、ドライバ接続用端子部とドライバ12との間の導通が図られる。
ただし、本技術は、ドライバ12とFPC基板13が異なる種類のACFによって接続される構成にも、適用可能である。
ただし、本技術は、ドライバ12とFPC基板13が異なる種類のACFによって接続される構成にも、適用可能である。
上記のような構成を有する液晶モジュール1は、液晶パネル11の表裏外面に表偏光板29及び裏偏光板39が貼付された後、アレイ基板30の基板非重畳領域NSOAに、ドライバ12及びFPC基板13がACF50を介して順次接続固定される工程を経て、製造される。液晶モジュール1を製造する過程では、適宜に検品(動作確認)が行われ、ドライバ12及びFPC基板13が接続された半製品についても、例えば点灯検査による検品が行われる。ここで点灯不良等の不具合が確認されると、この半製品は、不適合品として通常の製造工程から除外される。不適合品とされた半製品についてはさらに検査が行われ、ドライバ12やFPC基板13の破損等による動作不良、接続時の位置ずれ等による加工不良等、不具合を生じた部品を脱着交換することによって当該部品以外の部材の再利用すなわちリワーク(リペア)が可能なものと、リワーク出来ないものとに分類される。そして、リワーク可能な半製品が、リワーク(リペア)の対象となる。
次に、液晶モジュール1の半製品のリワークについて説明する。
リワークの対象となる不適合品は、液晶モジュール1の各製造工程に係る検品において発生するが、以下では、ドライバ12及びFPC基板13の接続工程に係る検品で不適合とされ、ドライバ12及びFPC基板13に内部配線不良等に基づく不具合が確認された液晶モジュール1の半製品1Aのリワークについて記載する。
リワークの対象となる不適合品は、液晶モジュール1の各製造工程に係る検品において発生するが、以下では、ドライバ12及びFPC基板13の接続工程に係る検品で不適合とされ、ドライバ12及びFPC基板13に内部配線不良等に基づく不具合が確認された液晶モジュール1の半製品1Aのリワークについて記載する。
図2に示すように、まず、交換対象となるドライバ12及びFPC基板13が、アレイ基板30から脱着される。
ここでは、アレイ基板30におけるドライバ12及びFPC基板13の固定箇所を、これらを接続しているACF50が溶融する温度、例えば160℃以上に加熱して、ドライバ12及びFPC基板13を脱着する。ACF50を溶融させるための加熱は、状況に応じて、ドライバ12及びFPC基板13側(表側)から行ってもよいし、アレイ基板30側(裏側)から行ってもよい。或いは、両側から行ってもよい。ただし、偏光板29,39や液晶層等の正常な部材に加熱による影響が及ばないように、部分的な冷却や遮熱が適宜に行われることが好ましい。本実施形態では、ドライバ12及びFPC基板13の両電気部品を脱着交換する場合について例示するが、何れか一方のみを交換する場合も、交換対象とならない電気部品は同様に保護されることが好ましい。なお、これらの脱着は加熱を伴って行われる必要はなく、例えば外力を加えて脱着する構成であっても構わない。
ここでは、アレイ基板30におけるドライバ12及びFPC基板13の固定箇所を、これらを接続しているACF50が溶融する温度、例えば160℃以上に加熱して、ドライバ12及びFPC基板13を脱着する。ACF50を溶融させるための加熱は、状況に応じて、ドライバ12及びFPC基板13側(表側)から行ってもよいし、アレイ基板30側(裏側)から行ってもよい。或いは、両側から行ってもよい。ただし、偏光板29,39や液晶層等の正常な部材に加熱による影響が及ばないように、部分的な冷却や遮熱が適宜に行われることが好ましい。本実施形態では、ドライバ12及びFPC基板13の両電気部品を脱着交換する場合について例示するが、何れか一方のみを交換する場合も、交換対象とならない電気部品は同様に保護されることが好ましい。なお、これらの脱着は加熱を伴って行われる必要はなく、例えば外力を加えて脱着する構成であっても構わない。
図3に示すように、ドライバ12及びFPC基板13をアレイ基板30から脱着した後、アレイ基板30におけるこれらの固定箇所には、当該部品をアレイ基板30に接着していたACF50が残渣層50Lとして残存する。残渣層50Lが付着したままのアレイ基板30が再利用に供されると、良品である新たなドライバ12及びFPC基板13のアレイ基板30への固定が良好に行われず、これを用いて作製された液晶モジュール1において接続不良が発生する可能性が高くなる。このため、ドライバ12及びFPC基板13の脱着に引き続いて、アレイ基板30上の残渣層50Lの除去が行われる。ACF50はアレイ基板30に強固に付着しており、この残渣層50Lの除去は容易ではないため、本実施形態では、方法や装置を工夫して、ACF50の残渣層50Lをアレイ基板30から効率的に除去できるようにしている。
残渣層50Lの除去について説明する。
本実施形態では、残渣層50Lが、配置工程、加熱圧着工程(加熱工程兼圧着工程)、剥離工程、を含む残渣層除去方法によって除去される。残渣層50Lの除去は、これに必要な機構を備えた残渣層除去装置を用いて行うことが好ましい。本実施形態に係る除去装置は、基台91と、加熱圧着機構(加熱機構兼圧着機構)92と、図示しない剥離機構と、を備える。なお、基台91、加熱圧着機構92及び剥離機構は、個々に手動で動作させるものであってもよいし、これらを連動させつつ制御する制御機構を、除去装置がさらに備えていてもよい。
本実施形態では、残渣層50Lが、配置工程、加熱圧着工程(加熱工程兼圧着工程)、剥離工程、を含む残渣層除去方法によって除去される。残渣層50Lの除去は、これに必要な機構を備えた残渣層除去装置を用いて行うことが好ましい。本実施形態に係る除去装置は、基台91と、加熱圧着機構(加熱機構兼圧着機構)92と、図示しない剥離機構と、を備える。なお、基台91、加熱圧着機構92及び剥離機構は、個々に手動で動作させるものであってもよいし、これらを連動させつつ制御する制御機構を、除去装置がさらに備えていてもよい。
以下、残渣層50Lの除去に係る各工程等について、順に説明する。
図4から図8は、本実施形態における残渣層50Lの除去方法に係る各工程の様子を模式的に示した断面図である。
図4から図8は、本実施形態における残渣層50Lの除去方法に係る各工程の様子を模式的に示した断面図である。
配置工程では、残渣層50Lの表面に金属メッシュ(金属線織物。金属製多孔質材の一例)60が配置される。
図4に示されているように、本実施形態では、まず、アレイ基板30に残渣層50Lが付着した液晶パネル11を、基台91上に載せる。本実施形態に係る基台91は、金属板等の耐熱性の高い材料からなる安定した固定式の台とする。基台91の上面には、液晶パネル11の外形に合わせた突条を形成するなどして、液晶パネル11が水平方向に動かないように固定されることが好ましい。なお、基台91は、加熱や圧着の機能を有するように、一部もしくは全体が昇温可能もしくは昇降可能に構成されていてもよい。
次いで、基台91上の液晶パネル11の表側から、アレイ基板30に付着している残渣層50Lの表面を覆うように、金属メッシュ60を配置する。金属メッシュ60は、これを保持させた可動性アーム等を動かすことで配置してもよいし、作業者が手作業で所定箇所に配置してもよい。なお、本工程で配置される金属メッシュ60については、後に詳述する。
図4に示されているように、本実施形態では、まず、アレイ基板30に残渣層50Lが付着した液晶パネル11を、基台91上に載せる。本実施形態に係る基台91は、金属板等の耐熱性の高い材料からなる安定した固定式の台とする。基台91の上面には、液晶パネル11の外形に合わせた突条を形成するなどして、液晶パネル11が水平方向に動かないように固定されることが好ましい。なお、基台91は、加熱や圧着の機能を有するように、一部もしくは全体が昇温可能もしくは昇降可能に構成されていてもよい。
次いで、基台91上の液晶パネル11の表側から、アレイ基板30に付着している残渣層50Lの表面を覆うように、金属メッシュ60を配置する。金属メッシュ60は、これを保持させた可動性アーム等を動かすことで配置してもよいし、作業者が手作業で所定箇所に配置してもよい。なお、本工程で配置される金属メッシュ60については、後に詳述する。
加熱工程では、残渣層50Lを軟化させるべく加熱が行われ、圧着工程では、配置工程によって残渣層50Lの表面に配置された金属メッシュ60が、加熱工程によって軟化した残渣層50Lに圧着される。これにより、残渣層50Lを構成するACF50の少なくとも一部が、金属メッシュ60の開孔60A内に圧入される。本実施形態では、加熱工程と圧着工程とが同時に行われる加熱圧着工程(加熱工程兼圧着工程)として実施される。
図5に示されているように、本実施形態では、残渣層50Lの表面に配置された金属メッシュ60の表側から、所定の温度に昇温させた加熱圧着機構92を接近させて当接させる。本実施形態に係る加熱圧着機構92は、所定の温度に昇温設定可能な加熱部を有するとともに、モータや圧縮気体等によって昇降可能に形成されており、固定された基台91のアレイ基板30等の表面に加熱圧着機構92が下降して、所定温度に維持された加熱部で、金属メッシュ60の表面を所定圧力で所定時間だけ押圧する構成としている。
図6に示されているように、十分に昇温された加熱圧着機構92が下降するに伴い、金属メッシュ60等の表面に当接して残渣層50Lを加熱軟化させ、さらに、軟化した残渣層50Lの表面に金属メッシュ60を押し込む。これにより、残渣層50Lを構成するACF50の少なくとも一部が金属メッシュ60の開孔60A内に圧入される。本実施形態では、金属メッシュ60を構成する金属線60Bがアレイ基板30の表面に当接するまで、加熱圧着機構92が下降するようになっている。
加熱圧着時の加熱温度や加圧力等の設定値は、残渣層50Lを構成するACF50の熱的性質や付着状態のみならず、本工程に供される液晶パネル11等の構造や構成、金属メッシュ60及びこれを含む治具等の構造や構成、作業環境等に応じて適宜選択される。なお、既述したThree Bond 3370Kからなる残渣層50Lは、加熱されると160℃付近で状態が変化し、さらなる温度上昇に伴ってゼリー状に軟化するため、ACF50としてこれを用いた場合には、例えば160℃~200℃に昇温した加熱部を、2MPa~3MPaの圧力で、20秒~60秒に亘って圧着させるとよい。なお、残渣層50Lの加熱は、必ずしも表側から行われる必要はなく、アレイ基板30の裏側から、場合によっては基台91を昇温させることによって行ってもよい。表及び裏の両側から加熱してもよい。
図7に示されているように、加熱圧着後、加熱圧着機構92を上昇させて、加圧及び加熱を終了する。これにより、残渣層50Lの温度が低下し、残渣層50Lを構成するACF50は、開孔60Aに入り込んで金属線60Bに絡みついた状態で固まる。
図5に示されているように、本実施形態では、残渣層50Lの表面に配置された金属メッシュ60の表側から、所定の温度に昇温させた加熱圧着機構92を接近させて当接させる。本実施形態に係る加熱圧着機構92は、所定の温度に昇温設定可能な加熱部を有するとともに、モータや圧縮気体等によって昇降可能に形成されており、固定された基台91のアレイ基板30等の表面に加熱圧着機構92が下降して、所定温度に維持された加熱部で、金属メッシュ60の表面を所定圧力で所定時間だけ押圧する構成としている。
図6に示されているように、十分に昇温された加熱圧着機構92が下降するに伴い、金属メッシュ60等の表面に当接して残渣層50Lを加熱軟化させ、さらに、軟化した残渣層50Lの表面に金属メッシュ60を押し込む。これにより、残渣層50Lを構成するACF50の少なくとも一部が金属メッシュ60の開孔60A内に圧入される。本実施形態では、金属メッシュ60を構成する金属線60Bがアレイ基板30の表面に当接するまで、加熱圧着機構92が下降するようになっている。
加熱圧着時の加熱温度や加圧力等の設定値は、残渣層50Lを構成するACF50の熱的性質や付着状態のみならず、本工程に供される液晶パネル11等の構造や構成、金属メッシュ60及びこれを含む治具等の構造や構成、作業環境等に応じて適宜選択される。なお、既述したThree Bond 3370Kからなる残渣層50Lは、加熱されると160℃付近で状態が変化し、さらなる温度上昇に伴ってゼリー状に軟化するため、ACF50としてこれを用いた場合には、例えば160℃~200℃に昇温した加熱部を、2MPa~3MPaの圧力で、20秒~60秒に亘って圧着させるとよい。なお、残渣層50Lの加熱は、必ずしも表側から行われる必要はなく、アレイ基板30の裏側から、場合によっては基台91を昇温させることによって行ってもよい。表及び裏の両側から加熱してもよい。
図7に示されているように、加熱圧着後、加熱圧着機構92を上昇させて、加圧及び加熱を終了する。これにより、残渣層50Lの温度が低下し、残渣層50Lを構成するACF50は、開孔60Aに入り込んで金属線60Bに絡みついた状態で固まる。
剥離工程は、加熱圧着工程に続いて行われ、開孔60A内にACF50が圧入された金属メッシュ60が、剥離機構によってアレイ基板30から剥離される。
図8に示されているように、金属メッシュ60は、アレイ基板30から捲り取るように剥離されることが好ましい。換言すれば、残渣層50Lとアレイ基板30との接着面に垂直な外力のみが働くのではなく、斜めに作用する外力も働くように剥離することが好ましい。剥離機構については図示しないが、回動アームや、回転するロール状の部材等を利用して駆動することができる。例えば、特開2001-199626号公報に掲載されている剥離機構等を適用してもよい。また、本剥離工程中に残渣層50Lの加熱を行うか否かは、ACF50の熱的性質や金属メッシュ60の形状等に応じて適宜判断することができる。例えば、圧着工程までは表側又は両側から加熱を行い、剥離工程では裏側のみから加熱するように切り替えてもよい。
本工程により、後で詳述するように、アレイ基板30に付着していた残渣層50Lが、金属メッシュ60と共に除去される。
図8に示されているように、金属メッシュ60は、アレイ基板30から捲り取るように剥離されることが好ましい。換言すれば、残渣層50Lとアレイ基板30との接着面に垂直な外力のみが働くのではなく、斜めに作用する外力も働くように剥離することが好ましい。剥離機構については図示しないが、回動アームや、回転するロール状の部材等を利用して駆動することができる。例えば、特開2001-199626号公報に掲載されている剥離機構等を適用してもよい。また、本剥離工程中に残渣層50Lの加熱を行うか否かは、ACF50の熱的性質や金属メッシュ60の形状等に応じて適宜判断することができる。例えば、圧着工程までは表側又は両側から加熱を行い、剥離工程では裏側のみから加熱するように切り替えてもよい。
本工程により、後で詳述するように、アレイ基板30に付着していた残渣層50Lが、金属メッシュ60と共に除去される。
本実施形態で使用される金属メッシュ60について、詳しく説明する。
図9に示すように、金属メッシュ60には、金属線60Bを編織した構造を有する編織物で、面状に形成された面状体を用いることができる。図4等に表されているように、本実施形態では、単層構造の金属メッシュ60を使用する。
金属メッシュ60を構成する金属は特に限定されないが、後述するように加熱溶融させた残渣層50LのACF50に圧着されるため、この際の加熱温度(例えば160℃~300℃)よりも耐熱温度が高い金属で形成することが好ましい。例えば銅やアルミ等を用いることができる。また、残渣層50Lに食い込ませた後に剥離するため、これらの作業に耐えうる強度を備えたものを使用する。
金属メッシュ60の多孔構造は、ACF50が開孔60A内に圧入され易くする観点、また圧入されたACF50との間に大きな接着力が得られる観点から、金属板に穿孔して形成したパンチングメタル等よりも、金属線60Bを編織した構造を有する織物もしくは編物等の方が好ましい。編織構造は、特に限定されるものではない。本実施形態では、図9に示すように、金属線60Bを平織にした織物からなる金属メッシュ60を使用するが、例えば綾織や畳織等の織物を使用してもよく、様々な編構造の編物を使用してもよい。空隙率や強度(伸縮性)、表面構造等を考慮して、適当な構造のものを選択することが好ましい。また、これと関連し、金属メッシュ60の残渣層50Lとの界面における開孔形状も、特に限定されない。本実施形態では図9に示すように開孔が正方形状をなすものを使用しているが、菱形や平行四辺形、長方形、三角形等、様々な多角形状をなすものを用いることができる。
編物等を形成する金属線60Bの断面形状は、特に限定されない。本実施形態では、図10A等に示すように断面形状が略真円形状のものを使用しているが、これに限らず、例えば楕円形状や、三角形状、星形形状等、様々な形状のものを用いることができる。
編物等を形成する金属線60Bの線径は特に限定されないが、除去対象とされる残渣層50Lの層厚に応じて、適宜選択することが好ましい。ACF50と金属メッシュ60との接着力を大きくするためには、後述するように、開孔60A内に圧入されたACF50が金属線60Bの外周表面にできるだけ当接すること、ひいてはACFが金属メッシュ60の表層側に達して金属線60Bを包み込むことが好ましい。例えば、残渣層50Lの平均層厚(図10Aにおけるl)が25μm程度の薄層である場合には、金属線60Bの直径(図10Aにおけるd)は、50μm以下(d≦2l)であることが好ましく、25μm以下(d≦l)であることがより好ましい。層厚の大きな残渣層50Lを除去対象とする場合には、50μmや100μm程度の直径を有する太い金属線60Bを用いることもできる。本実施形態では、直径dがl≦d≦2lを満たす金属線60Bを使用する。
金属メッシュ60の開孔60Aの開孔ピッチ(図9におけるp)は、後述するように残渣層50Lのアレイ基板30との接着面を細分化する観点から、狭すぎても広すぎても効果が発揮できない。従って、残渣層50LのACF50と金属メッシュ60との間の接着力が、同ACF50とアレイ基板30との間の接着力よりも大きくなるように適宜選択される。
図9に示すように、金属メッシュ60には、金属線60Bを編織した構造を有する編織物で、面状に形成された面状体を用いることができる。図4等に表されているように、本実施形態では、単層構造の金属メッシュ60を使用する。
金属メッシュ60を構成する金属は特に限定されないが、後述するように加熱溶融させた残渣層50LのACF50に圧着されるため、この際の加熱温度(例えば160℃~300℃)よりも耐熱温度が高い金属で形成することが好ましい。例えば銅やアルミ等を用いることができる。また、残渣層50Lに食い込ませた後に剥離するため、これらの作業に耐えうる強度を備えたものを使用する。
金属メッシュ60の多孔構造は、ACF50が開孔60A内に圧入され易くする観点、また圧入されたACF50との間に大きな接着力が得られる観点から、金属板に穿孔して形成したパンチングメタル等よりも、金属線60Bを編織した構造を有する織物もしくは編物等の方が好ましい。編織構造は、特に限定されるものではない。本実施形態では、図9に示すように、金属線60Bを平織にした織物からなる金属メッシュ60を使用するが、例えば綾織や畳織等の織物を使用してもよく、様々な編構造の編物を使用してもよい。空隙率や強度(伸縮性)、表面構造等を考慮して、適当な構造のものを選択することが好ましい。また、これと関連し、金属メッシュ60の残渣層50Lとの界面における開孔形状も、特に限定されない。本実施形態では図9に示すように開孔が正方形状をなすものを使用しているが、菱形や平行四辺形、長方形、三角形等、様々な多角形状をなすものを用いることができる。
編物等を形成する金属線60Bの断面形状は、特に限定されない。本実施形態では、図10A等に示すように断面形状が略真円形状のものを使用しているが、これに限らず、例えば楕円形状や、三角形状、星形形状等、様々な形状のものを用いることができる。
編物等を形成する金属線60Bの線径は特に限定されないが、除去対象とされる残渣層50Lの層厚に応じて、適宜選択することが好ましい。ACF50と金属メッシュ60との接着力を大きくするためには、後述するように、開孔60A内に圧入されたACF50が金属線60Bの外周表面にできるだけ当接すること、ひいてはACFが金属メッシュ60の表層側に達して金属線60Bを包み込むことが好ましい。例えば、残渣層50Lの平均層厚(図10Aにおけるl)が25μm程度の薄層である場合には、金属線60Bの直径(図10Aにおけるd)は、50μm以下(d≦2l)であることが好ましく、25μm以下(d≦l)であることがより好ましい。層厚の大きな残渣層50Lを除去対象とする場合には、50μmや100μm程度の直径を有する太い金属線60Bを用いることもできる。本実施形態では、直径dがl≦d≦2lを満たす金属線60Bを使用する。
金属メッシュ60の開孔60Aの開孔ピッチ(図9におけるp)は、後述するように残渣層50Lのアレイ基板30との接着面を細分化する観点から、狭すぎても広すぎても効果が発揮できない。従って、残渣層50LのACF50と金属メッシュ60との間の接着力が、同ACF50とアレイ基板30との間の接着力よりも大きくなるように適宜選択される。
上記各工程により、アレイ基板30に付着していた残渣層50Lが金属メッシュ60と共に除去されるメカニズムについて、図10A、図10Bを参照しつつ考察する。
図10Aは加熱圧着工程前、図10Bは加熱圧着工程後、の残渣層50Lの断面を拡大して示したイメージ図である。なお、図10A、図10Bの何れにおいても、残渣層50Lの裏面(図示下側)は、アレイ基板30との接着面である。
本実施形態では、ACF50からなる残渣層50Lを除去対象としている。(A)に示すように、加熱圧着工程前は、残渣層50Lは一体的な塊状をなし、連続する大きな接着面でアレイ基板30に接着している。配置工程において残渣層50L表面を覆うように配置した金属メッシュ60を、加熱圧着工程において残渣層50Lと一緒に加熱しつつ残渣層50Lに圧着すると、加熱によって軟化した残渣層50Lを構成するACF50が金属メッシュ60の開孔60A内に入り込む。これにより、ACF50が金属線60Bに外周周囲に当接し、残渣層50Lが金属メッシュ60に絡みついたような状態となる。ACF50と金属線60Bとの接着面積が増大すると、これに伴って残渣層50Lと金属メッシュ60との接着力も増大し、残渣層50Lは金属メッシュ60から離れ難くなる。
金属メッシュ60がさらに圧着されて、開孔60Aを形成する金属線60Bが、アレイ基板30の表面に当接すると、(B)に示すように、塊状の残渣層50Lが金属メッシュ60の金属線60Bによって分割され、残渣層50Lとアレイ基板30との接着面が細分化される。接着面が細分化されて各接着面積が小さくなると、これに伴って残渣層50Lとアレイ基板30との接着力が低下して、残渣層50Lをアレイ基板30から剥離し易くなる。
そして、ACF50が開孔60A内に圧入された状態で加熱を終了すると、ACF50の大半が金属メッシュ60の金属線60Bに絡まった状態で温度低下に伴って固着する。本実施形態では、直径dがl≦d≦2lとなるような金属線60Bを用いているため、ACF50は、開孔60Aの最も狭い部分(隣接する金属線60B間の距離が最も短くなる位置)よりも表層側まで圧入される。よって、温度低下に伴って固まったACF50のアンカー効果によっても、残渣層50Lと金属メッシュ60とが離れ難くなる。
結果として、残渣層50Lと金属メッシュ60との接着力を、残渣層50Lとアレイ基板30との接着力よりも大きくすることができる。よって、金属メッシュ60をアレイ基板30から捲り取ることで、残渣層50Lを一緒に剥離することが可能となる。
図10Aは加熱圧着工程前、図10Bは加熱圧着工程後、の残渣層50Lの断面を拡大して示したイメージ図である。なお、図10A、図10Bの何れにおいても、残渣層50Lの裏面(図示下側)は、アレイ基板30との接着面である。
本実施形態では、ACF50からなる残渣層50Lを除去対象としている。(A)に示すように、加熱圧着工程前は、残渣層50Lは一体的な塊状をなし、連続する大きな接着面でアレイ基板30に接着している。配置工程において残渣層50L表面を覆うように配置した金属メッシュ60を、加熱圧着工程において残渣層50Lと一緒に加熱しつつ残渣層50Lに圧着すると、加熱によって軟化した残渣層50Lを構成するACF50が金属メッシュ60の開孔60A内に入り込む。これにより、ACF50が金属線60Bに外周周囲に当接し、残渣層50Lが金属メッシュ60に絡みついたような状態となる。ACF50と金属線60Bとの接着面積が増大すると、これに伴って残渣層50Lと金属メッシュ60との接着力も増大し、残渣層50Lは金属メッシュ60から離れ難くなる。
金属メッシュ60がさらに圧着されて、開孔60Aを形成する金属線60Bが、アレイ基板30の表面に当接すると、(B)に示すように、塊状の残渣層50Lが金属メッシュ60の金属線60Bによって分割され、残渣層50Lとアレイ基板30との接着面が細分化される。接着面が細分化されて各接着面積が小さくなると、これに伴って残渣層50Lとアレイ基板30との接着力が低下して、残渣層50Lをアレイ基板30から剥離し易くなる。
そして、ACF50が開孔60A内に圧入された状態で加熱を終了すると、ACF50の大半が金属メッシュ60の金属線60Bに絡まった状態で温度低下に伴って固着する。本実施形態では、直径dがl≦d≦2lとなるような金属線60Bを用いているため、ACF50は、開孔60Aの最も狭い部分(隣接する金属線60B間の距離が最も短くなる位置)よりも表層側まで圧入される。よって、温度低下に伴って固まったACF50のアンカー効果によっても、残渣層50Lと金属メッシュ60とが離れ難くなる。
結果として、残渣層50Lと金属メッシュ60との接着力を、残渣層50Lとアレイ基板30との接着力よりも大きくすることができる。よって、金属メッシュ60をアレイ基板30から捲り取ることで、残渣層50Lを一緒に剥離することが可能となる。
上記のように残渣層50Lを除去して再生したアレイ基板30を含む液晶パネル11を用いて、液晶モジュール1を製造することができる。
例えば、再生したアレイ基板30の所定の位置に、新たにACF50を配し、良品である新たなドライバ12及びFPC基板13を接続固定して、図1に示したような液晶モジュール1が製造される。
例えば、再生したアレイ基板30の所定の位置に、新たにACF50を配し、良品である新たなドライバ12及びFPC基板13を接続固定して、図1に示したような液晶モジュール1が製造される。
以上説明したように、本実施形態によれば、液晶モジュール1に用いられるアレイ基板30に付着したACF50の残渣層50Lが効率的に除去される。
本実施形態の方法によれば、金属メッシュ60の開孔60A内に、加熱軟化した残渣層50Lを構成するACF50の少なくとも一部が圧入されることで、ACF50と金属線60Bとの接着面積が増大し、残渣層50Lと金属メッシュ60との接着力を、残渣層50Lとアレイ基板30との接着力よりも大きくすることができる。これにより、金属メッシュ60をアレイ基板30から捲り取ることで、残渣層50Lを金属メッシュ60と一緒に絡めとるようにしてアレイ基板30から除去できる。金属メッシュ60は耐熱性に優れた金属で形成されるため、圧着工程や剥離工程を安定的に行うことができる。本実施形態のように、加熱圧着機構92が金属メッシュ60を介して残渣層50Lを加熱する構成では、熱伝導率の高い金属製の金属線60Bによって効率的に残渣層50Lを加熱することができる。剥離工程では、機械強度にも優れた金属メッシュ60を剥離すればよいため、作業を容易に行うことができ、残渣層50Lを除去する際のアレイ基板30へのダメージを抑制して、破損率(仕損率)を低減することができる。また、作業者によるばらつきが少なくなり、装置化を図ることが可能となって、残渣層50Lを除去する作業のさらなる効率化が図られる。
本実施形態の方法によれば、金属メッシュ60の開孔60A内に、加熱軟化した残渣層50Lを構成するACF50の少なくとも一部が圧入されることで、ACF50と金属線60Bとの接着面積が増大し、残渣層50Lと金属メッシュ60との接着力を、残渣層50Lとアレイ基板30との接着力よりも大きくすることができる。これにより、金属メッシュ60をアレイ基板30から捲り取ることで、残渣層50Lを金属メッシュ60と一緒に絡めとるようにしてアレイ基板30から除去できる。金属メッシュ60は耐熱性に優れた金属で形成されるため、圧着工程や剥離工程を安定的に行うことができる。本実施形態のように、加熱圧着機構92が金属メッシュ60を介して残渣層50Lを加熱する構成では、熱伝導率の高い金属製の金属線60Bによって効率的に残渣層50Lを加熱することができる。剥離工程では、機械強度にも優れた金属メッシュ60を剥離すればよいため、作業を容易に行うことができ、残渣層50Lを除去する際のアレイ基板30へのダメージを抑制して、破損率(仕損率)を低減することができる。また、作業者によるばらつきが少なくなり、装置化を図ることが可能となって、残渣層50Lを除去する作業のさらなる効率化が図られる。
本実施形態に係る加熱圧着工程では、金属メッシュ60の開孔60Aを形成する金属線60Bが、アレイ基板30に当接するように圧着される。
これにより、塊状の残渣層50Lが金属メッシュ60の金属線60Bによって細かく分割されて、残渣層50Lとアレイ基板30との接着面積が小さくなり、これに伴って接着力が低下して、残渣層50Lをアレイ基板30から剥離し易くなる。
これにより、塊状の残渣層50Lが金属メッシュ60の金属線60Bによって細かく分割されて、残渣層50Lとアレイ基板30との接着面積が小さくなり、これに伴って接着力が低下して、残渣層50Lをアレイ基板30から剥離し易くなる。
また、本実施形態で使用される金属メッシュ60は、金属線60Bで形成された編織構造を有する面状体である。
金属線60Bを編織して形成された金属メッシュ60は、金属板に穿孔して形成した金属製多孔質材と比べて開孔縁が残渣層50L内に切り込み易い。これにより、金属メッシュ60と残渣層50Lとの接着面積が増大して大きな接着力が得られ、金属メッシュ60と一緒に残渣層50Lをアレイ基板30から剥離し易くなる。また、面状体とされた金属メッシュ60は、残渣層50Lへの圧着やアレイ基板30からの剥離を容易に行うことができるため、剥離時に金属メッシュ60と一緒に残渣層50Lを捲り取る上で有利である。
金属線60Bを編織して形成された金属メッシュ60は、金属板に穿孔して形成した金属製多孔質材と比べて開孔縁が残渣層50L内に切り込み易い。これにより、金属メッシュ60と残渣層50Lとの接着面積が増大して大きな接着力が得られ、金属メッシュ60と一緒に残渣層50Lをアレイ基板30から剥離し易くなる。また、面状体とされた金属メッシュ60は、残渣層50Lへの圧着やアレイ基板30からの剥離を容易に行うことができるため、剥離時に金属メッシュ60と一緒に残渣層50Lを捲り取る上で有利である。
本実施形態で使用される金属メッシュ60を形成する金属線60Bは、残渣層50Lの平均層厚lよりも大きく、2倍よりも小さな直径dを有している(l≦d≦2l)。
本実施形態では、加熱圧着機構92が、金属メッシュ60に表側から当接して金属線60Bを残渣層50Lに押し込む構成としているが、l≦dとしたことで、加熱圧着機構92をそのまま下降させるだけで、金属線60Bをアレイ基板30に当接させることができる。また、d≦2lとしたことで、圧着工程によってACF50が開孔60Aの最も狭い部分よりも表層側まで回り込むように圧入される。よって、ACF50と金属線60Bとの接着面積が増大するとともに、加熱の終了によって固まったACF50によるアンカー効果が得られ、残渣層50Lと金属メッシュ60とが一層離れ難くなる。よって、残渣層50Lを、金属メッシュ60と一緒にアレイ基板30から剥離し易くなる。
本実施形態では、加熱圧着機構92が、金属メッシュ60に表側から当接して金属線60Bを残渣層50Lに押し込む構成としているが、l≦dとしたことで、加熱圧着機構92をそのまま下降させるだけで、金属線60Bをアレイ基板30に当接させることができる。また、d≦2lとしたことで、圧着工程によってACF50が開孔60Aの最も狭い部分よりも表層側まで回り込むように圧入される。よって、ACF50と金属線60Bとの接着面積が増大するとともに、加熱の終了によって固まったACF50によるアンカー効果が得られ、残渣層50Lと金属メッシュ60とが一層離れ難くなる。よって、残渣層50Lを、金属メッシュ60と一緒にアレイ基板30から剥離し易くなる。
本実施形態で示したように、本技術は、アレイ基板30上にドライバ12及びFPC基板13を接続固定していたACF50の残渣層50Lを除去してアレイ基板30を再生利用する際に、特に好ましく適用することができる。
本実施形態に係る残渣層除去装置を用いれば、アレイ基板30の再生にあたり、仕損率の低減や作業の安定化、作業時間の短縮化を図りつつ、アレイ基板30に付着したACF50の残渣層50Lを効率的に除去することができる。
本実施形態のように再生されたアレイ基板30を利用して液晶モジュール1を製造することで、液晶モジュール1の低コスト化を図ることができる。また、ACF50の残渣層50Lが高い確率で除去された再生アレイ基板30を利用することで、液晶モジュール1における再生アレイ基板30に起因した不具合の発生を低減することができる。
<実施形態2>
実施形態2を、図11によって説明する。実施形態2では、金属メッシュの構造が実施形態1とは異なっている。以下では、上記した実施形態1と同様の構成、作用及び効果について、重複する記載は省略する(実施形態3についても同様とする)。
実施形態2を、図11によって説明する。実施形態2では、金属メッシュの構造が実施形態1とは異なっている。以下では、上記した実施形態1と同様の構成、作用及び効果について、重複する記載は省略する(実施形態3についても同様とする)。
図11は、本実施形態2に係る金属メッシュ260の断面構成を、除去対象とする残渣層250Lの断面と共に模式的に示した図である。本実施形態2に係る金属メッシュ260は、金属線260Bを編織した構造が多層に形成された多層面状体である。本実施形態で使用される金属メッシュ260を形成する金属線260Bは、残渣層250Lの平均層厚lよりも小さな直径dを有している(d≦l)。
本実施形態2の構成によれば、ACFを圧入可能な空隙の体積が、金属メッシュ260の厚さ方向に増加するため、より厚い残渣層を除去することが可能となる。或いは、残渣層250Lの層厚が小さい場合には、同じ金属メッシュ260を複数回繰り返して使用できる。また、d≦lとしたことで、少なくとも残渣層250Lに当接する側の金属線260BがACFに包み込まれるように、金属メッシュ260を残渣層250L中に押し込むことができる。これにより、金属メッシュ260の編織構造の空隙内にACFが複雑な形状で入り込み、接着面積が増大するとともに、金属メッシュ260内に入り込んだ状態で固まったACFによって大きなアンカー効果が得られる。この結果、残渣層250Lと金属メッシュ260とが一層離れ難くなる。よって、残渣層250Lを、金属メッシュ260と一緒に一層剥離し易くなる。また、d≦lであっても、金属メッシュ260全体の厚みは、残渣層250Lの層厚よりも大きくされているため、加熱圧着工程では、実施形態1と同様に、金属メッシュ250を表側から残渣層250Lにそのまま押圧することで、金属線260Bを基材の表面に当接させることができる。なお、金属メッシュとして、単層構造の編織構造を有する面状体を複数重ねて使用しても、金属メッシュ260と同様の効果が得られる。
本実施形態2の構成によれば、ACFを圧入可能な空隙の体積が、金属メッシュ260の厚さ方向に増加するため、より厚い残渣層を除去することが可能となる。或いは、残渣層250Lの層厚が小さい場合には、同じ金属メッシュ260を複数回繰り返して使用できる。また、d≦lとしたことで、少なくとも残渣層250Lに当接する側の金属線260BがACFに包み込まれるように、金属メッシュ260を残渣層250L中に押し込むことができる。これにより、金属メッシュ260の編織構造の空隙内にACFが複雑な形状で入り込み、接着面積が増大するとともに、金属メッシュ260内に入り込んだ状態で固まったACFによって大きなアンカー効果が得られる。この結果、残渣層250Lと金属メッシュ260とが一層離れ難くなる。よって、残渣層250Lを、金属メッシュ260と一緒に一層剥離し易くなる。また、d≦lであっても、金属メッシュ260全体の厚みは、残渣層250Lの層厚よりも大きくされているため、加熱圧着工程では、実施形態1と同様に、金属メッシュ250を表側から残渣層250Lにそのまま押圧することで、金属線260Bを基材の表面に当接させることができる。なお、金属メッシュとして、単層構造の編織構造を有する面状体を複数重ねて使用しても、金属メッシュ260と同様の効果が得られる。
<実施形態3>
実施形態3を、図12によって説明する。実施形態3でも、金属メッシュの構造が実施形態1とは異なっている。
図12は、本実施形態3に係る金属メッシュ360の断面構成を模式的に示した図である。本実施形態に係る金属メッシュ360は、ACF350からなる残渣層350Lと同じ樹脂、すなわちACF350によって、開孔360A表面、すなわち金属線360Bの外周面の少なくとも一部が被覆されている。なお、接着性樹脂との親和性に優れた被覆樹脂としては、接着性樹脂と同種の官能基を含む樹脂等、接着性樹脂に近い表面エネルギーを有する樹脂を用いることができる。また、金属メッシュ360としては、ACF350で金属線60Bをコーティングした金属メッシュ360を用いることができる。或いは、金属メッシュに樹脂フィルムを挟んだり、樹脂ジェルを塗布したりしてもよい。
実施形態3を、図12によって説明する。実施形態3でも、金属メッシュの構造が実施形態1とは異なっている。
図12は、本実施形態3に係る金属メッシュ360の断面構成を模式的に示した図である。本実施形態に係る金属メッシュ360は、ACF350からなる残渣層350Lと同じ樹脂、すなわちACF350によって、開孔360A表面、すなわち金属線360Bの外周面の少なくとも一部が被覆されている。なお、接着性樹脂との親和性に優れた被覆樹脂としては、接着性樹脂と同種の官能基を含む樹脂等、接着性樹脂に近い表面エネルギーを有する樹脂を用いることができる。また、金属メッシュ360としては、ACF350で金属線60Bをコーティングした金属メッシュ360を用いることができる。或いは、金属メッシュに樹脂フィルムを挟んだり、樹脂ジェルを塗布したりしてもよい。
本実施形態3の構成によれば、金属メッシュ360の開孔360A表面に残渣層350Lと同じACF350からなる被覆樹脂が介在することで、残渣層350Lと金属メッシュ360との接着力が増大し、残渣層350LのACF350が金属メッシュ360に付着し易くなる。この結果、残渣層350Lが金属メッシュ360から離れ難くなって、より高い確率で残渣層350Lを除去することができる。
<実施形態4>
実施形態4を、図13によって説明する。実施形態4では、バックライト装置を含む液晶モジュールにおいて、液晶パネルをバックライト装置のフレームに接着していた接着剤層の除去に本技術を適用した点で、実施形態1とは異なっている。
図13は、バックライト装置のフレーム430に付着したホットメルト接着剤からなる層厚の厚い残渣層450Lに金属メッシュ60を加熱圧着した後、これらをフレーム430から剥離する様子を模式的に示した図である。本実施形態で使用される金属メッシュ460を形成する金属線460Bは、残渣層450Lの平均層厚lよりも小さな直径dを有している(d≦l)。本実施形態4に係る金属メッシュ460は単層構造であり、金属メッシュ460全体の厚みも、残渣層450Lの平均層厚lよりも小さい。よって、本実施形態4では、金属メッシュ460として、残渣層450Lよりも十分に大きな面積を有するものを使用し、例えば残渣層450Lに重畳されない周縁部を押さえる等して残渣層450L内に食い込ませフレーム430に当接するまで圧着するとよい。この際には、加熱機構と圧着機構とは別々の部材で構成することが好ましい。例えば、加熱機構を残渣層450L表面に当接させて加熱しつつ圧着機構のみを下降させて金属メッシュ460を下方に押し付ける構成、フレーム430側から残渣層450Lの加熱を行う構成、或いは、電子線等によって非接触状態で加熱する構成とすることが考えられる。
実施形態4を、図13によって説明する。実施形態4では、バックライト装置を含む液晶モジュールにおいて、液晶パネルをバックライト装置のフレームに接着していた接着剤層の除去に本技術を適用した点で、実施形態1とは異なっている。
図13は、バックライト装置のフレーム430に付着したホットメルト接着剤からなる層厚の厚い残渣層450Lに金属メッシュ60を加熱圧着した後、これらをフレーム430から剥離する様子を模式的に示した図である。本実施形態で使用される金属メッシュ460を形成する金属線460Bは、残渣層450Lの平均層厚lよりも小さな直径dを有している(d≦l)。本実施形態4に係る金属メッシュ460は単層構造であり、金属メッシュ460全体の厚みも、残渣層450Lの平均層厚lよりも小さい。よって、本実施形態4では、金属メッシュ460として、残渣層450Lよりも十分に大きな面積を有するものを使用し、例えば残渣層450Lに重畳されない周縁部を押さえる等して残渣層450L内に食い込ませフレーム430に当接するまで圧着するとよい。この際には、加熱機構と圧着機構とは別々の部材で構成することが好ましい。例えば、加熱機構を残渣層450L表面に当接させて加熱しつつ圧着機構のみを下降させて金属メッシュ460を下方に押し付ける構成、フレーム430側から残渣層450Lの加熱を行う構成、或いは、電子線等によって非接触状態で加熱する構成とすることが考えられる。
本実施形態4の構成によれば、金属メッシュ460全体の厚みを増加させることなく、ACFからなる比較的薄い残渣層のみならず、ホットメルト接着剤からなる比較的厚い残渣層450Lも、効率的に除去することができる。
<他の実施形態>
本技術は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本技術の技術的範囲に含まれる。
(1)金属製多孔質材は、上記した各実施形態にて例示した金属メッシュ以外にも、様々な構造のものを用いることができる。各実施形態に示したように、金属線で形成された編織構造を有することが好ましいが、これに限定されるものではなく、表面に開孔し、残渣層を構成する接着性樹脂の少なくとも一部を圧入可能な孔を多数有する面状体であればよい。
(2)本技術によれば、上記した各実施形態にて例示したACFやホットメルト接着剤のみならず、加熱によって軟化する各種接着性樹脂の残渣層を効率的に除去することができる。
(3)本技術によれば、上記実施形態で例示した液晶パネルのアレイ基板やバックライト装置のフレームの様な硬い基材だけでなく、柔らかい基材に付着した接着性樹脂の残渣層も除去することができる。例えば、FPC基板に含まれる可撓性基材や、COF(Chip on Film)のフィルム基材に付着したACFの残渣層を除去する上でも、本技術は有効である。
(4)本技術は、上記実施形態で例示した液晶パネルを備えた液晶モジュールのみならず、表示パネルとして、有機ELパネル、プラズマディスプレイパネル等を備えた表示モジュール用の基材からの残渣層の除去に、広く適用することができる。
本技術は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本技術の技術的範囲に含まれる。
(1)金属製多孔質材は、上記した各実施形態にて例示した金属メッシュ以外にも、様々な構造のものを用いることができる。各実施形態に示したように、金属線で形成された編織構造を有することが好ましいが、これに限定されるものではなく、表面に開孔し、残渣層を構成する接着性樹脂の少なくとも一部を圧入可能な孔を多数有する面状体であればよい。
(2)本技術によれば、上記した各実施形態にて例示したACFやホットメルト接着剤のみならず、加熱によって軟化する各種接着性樹脂の残渣層を効率的に除去することができる。
(3)本技術によれば、上記実施形態で例示した液晶パネルのアレイ基板やバックライト装置のフレームの様な硬い基材だけでなく、柔らかい基材に付着した接着性樹脂の残渣層も除去することができる。例えば、FPC基板に含まれる可撓性基材や、COF(Chip on Film)のフィルム基材に付着したACFの残渣層を除去する上でも、本技術は有効である。
(4)本技術は、上記実施形態で例示した液晶パネルを備えた液晶モジュールのみならず、表示パネルとして、有機ELパネル、プラズマディスプレイパネル等を備えた表示モジュール用の基材からの残渣層の除去に、広く適用することができる。
1…液晶モジュール(表示モジュールの一例)、11…液晶パネル、12…ドライバ(電気部品の一例)、13…FPC基板(電気部品の一例)、14…コントロール基板、20…CF基板、30…アレイ基板(基材の一例)、50…ACF(接着性樹脂の一例)、50L,250L,350L,450L…残渣層、60,260,360,460…金属メッシュ(金属線織物。金属製多孔質材の一例)、60A、360A…開孔、60B、260B、360B、460B…金属線、91…基台、92…加熱圧着機構(加熱機構兼圧着機構)、d…金属線の直径、l…残渣層の平均層厚
Claims (12)
- 表示モジュールに用いられる基材に付着した接着性樹脂の残渣層を除去する残渣層除去方法であって、
前記残渣層の表面に金属製多孔質材を配置する配置工程と、
前記残渣層を加熱して軟化させる加熱工程と、
前記配置工程によって前記残渣層の表面に配置された前記金属製多孔質材を、前記加熱工程によって軟化した前記残渣層に圧着して、前記残渣層の少なくとも一部を前記金属製多孔質材の開孔内に圧入させる圧着工程と、
前記残渣層が開孔内に圧入された前記金属製多孔質材を前記基材から剥離する剥離工程と、を含む残渣層除去方法。 - 前記圧着工程において、前記金属製多孔質材は、当該金属製多孔質材の開孔縁が前記基材に当接するように圧着される請求項1に記載の残渣層除去方法。
- 前記金属製多孔質材は、金属線で形成された編織構造を有する面状体である請求項1または請求項2に記載の残渣層除去方法。
- 前記金属線は、前記残渣層の平均層厚よりも小さな直径を有する請求項3に記載の残渣層除去方法。
- 前記金属製多孔質材は、金属線で形成された多層の編織構造を有する多層面状体である請求項3または請求項4に記載の残渣層除去方法。
- 前記金属製多孔質材の開孔表面の少なくとも一部は、前記接着性樹脂との親和性に優れた被覆樹脂で被覆されている請求項1から請求項5の何れか一項に記載の残渣層除去方法。
- 前記基材は、当該基材内に電子回路が形成された基板であって、前記接着性樹脂は、前記基板上に電気部品を接続固定する異方導電性接着剤である請求項1から請求項6の何れか一項に記載の残渣層除去方法。
- 表示モジュールに用いられる基材に付着した接着性樹脂の残渣層を除去する残渣層除去装置であって、
前記基材が配置される基台と、
前記残渣層を加熱して軟化させる加熱機構と、
前記残渣層の表面に配置された金属製多孔質材を、前記加熱機構によって軟化した前記残渣層に圧着して、前記残渣層の少なくとも一部を前記金属製多孔質材の開孔内に圧入させる圧着機構と、
前記残渣層が開孔内に圧入された前記金属製多孔質材を前記基材から剥離する剥離機構と、を備える残渣層除去装置。 - 前記圧着機構により、前記金属製多孔質材は、当該金属製多孔質材の開孔縁が前記基材に当接するように圧着される請求項8に記載の残渣層除去装置。
- 前記金属製多孔質材が、金属線で形成された編織構造を有する面状体である請求項8または請求項9に記載の残渣層除去装置。
- 前記金属線は、前記残渣層の平均層厚よりも小さな直径を有する請求項10に記載の残渣層除去装置。
- 基材に付着した接着性樹脂の残渣層が除去されて再生された基材を用いた表示モジュールであって、
前記基材は、前記残渣層が、
前記残渣層の表面に金属製多孔質材を配置する配置工程と、
前記残渣層を加熱して軟化させる加熱工程と、
前記配置工程によって残渣層の表面に配置された前記金属製多孔質材を、前記加熱工程によって軟化した前記残渣層に圧着して、前記残渣層の少なくとも一部を前記金属製多孔質材の開孔内に圧入させる圧着工程と、
前記残渣層が開孔内に圧入された前記金属製多孔質材を前記基材から剥離する剥離工程と、を含む残渣層除去方法によって除去されたものである表示モジュール。
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