WO2016204056A1

WO2016204056A1 - 表示装置の製造方法及び表示装置

Info

Publication number: WO2016204056A1
Application number: PCT/JP2016/067172
Authority: WO
Inventors: 菅　勝行
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2015-06-16
Filing date: 2016-06-09
Publication date: 2016-12-22
Also published as: US20180173033A1

Abstract

第１基板３０Ａ上の一部に第１樹脂膜１３を形成する第１樹脂膜形成工程と、第１基板３０Ａ上の他の一部と第１樹脂膜１２上とに亘って連続する金属配線３６Ｇを形成し、金属配線３６Ｇ上に絶縁膜３８Ｇを形成する金属配線形成工程と、第１基板３０Ａ上の他の一部に複数の薄膜パターン３０Ｌを形成するパターン形成工程と、薄膜パターン３０Ｌを囲む形で第１基板３０Ａ上にシール剤４０を塗布し、第１基板３０Ａを第２基板２０Ａと対向状に貼り合わせる貼り合わせ工程と、第２基板２０Ａのうちシール剤４０の外側に位置する部分を除去する第２基板除去工程と、シール剤４０の外側に位置する第１樹脂膜１３上に第２樹脂膜１７を形成する第２樹脂膜形成工程と、第１基板３０Ａのうちシール剤４０の外側に位置する部分の少なくとも一部を第１樹脂膜１２から剥離させて除去する第１基板除去工程と、を備える。

Description

表示装置の製造方法及び表示装置

　本明細書で開示される技術は、表示装置の製造方法及び表示装置に関する。

　従来、表示装置を構成する液晶パネル等の表示パネルにおいて、表示パネルに駆動信号や電源等を供給するために、表示パネルを構成する基板の外縁部上に、可撓性を有するフレキシブル基板を接続する技術が知られている。このようなフレキシブル基板は、通常、表示装置の製造過程において、表示パネルを構成する一対の基板をシール剤を介して貼り合わせた後、一方の基板の外縁部上に、絶縁性樹脂の内部に導電性粒子が含有された異方性導電膜（ACF：Anisotropic Conductive Film）を介して接続される。このように表示パネルを構成する基板上に異方性導電膜を介してフレキシブル基板が接続された液晶表示装置が、例えば特許文献１に開示されている。

特開２００９－１２８７７９号公報

（発明が解決しようとする課題）
　しかしながら上記特許文献１に開示される液晶表示装置では、シリコン基板と透明基板がシール部材を介して貼り合わされることで液晶パネルが構成されており、シール部材の外側においてシリコン基板上に透明基板から突出した形でフレキシブル基板の接続領域（実装領域）が確保されている。フレキシブル基板は熱圧着によりシリコン基板上に接続されるため、フレキシブル基板の接続領域は１～２ｍｍ程度の幅が必要とされる。このため、このようにシール部材の外側にフレキシブル基板の接続領域が確保されていると、その分表示装置の額縁部分の幅が大きくなり、表示装置の狭額縁化を図ることが難しい。

　本明細書で開示される技術は、上記の課題に鑑みて創作されたものであって、表示装置の狭額縁化を図ることを目的とする。

（課題を解決するための手段）
　本明細書で開示される技術は、第１基板上の一部に可撓性を有する第１樹脂膜を形成する第１樹脂膜形成工程と、前記第１基板上の他の一部と前記第１樹脂膜上とに亘って連続する金属配線を形成するとともに該金属配線上に絶縁膜を形成する金属配線形成工程と、前記第１基板上の前記他の一部に複数の薄膜パターンを形成するパターン形成工程と、前記樹脂膜形成工程及び前記金属配線形成工程及び前記パターン形成工程の後に、前記薄膜パターンを囲む形で前記第１基板上にシール剤を塗布し、該シール剤を介して前記第１基板を第２基板と対向状に貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせ工程の後に、前記第２基板のうち前記シール剤の外側に位置する部分を除去する第２基板除去工程と、前記第２基板除去工程の後に、前記シール剤の外側に位置する前記第１樹脂膜上に第２樹脂膜を形成する第２樹脂膜形成工程と、前記貼り合わせ工程の後に、前記第１基板のうち前記シール剤の外側に位置する部分の少なくとも一部を前記第１樹脂膜から剥離させて除去する第１基板除去工程と、を備える表示装置の製造方法に関する。なお、本明細書でいう「連続する金属配線」とは、金属配線だけで連続する配線をいい、単一の金属膜で形成された配線だけでなく、複数の金属膜で形成された配線も含まれる。

　上記の表示装置の製造方法では、パターン形成工程において第１基板上の他の一部に複数の薄膜パターンを形成するため、例えば複数の薄膜パターンによって薄膜トランジスタが構成される場合、第１基板上の他の一部に形成される金属配線の一部を薄膜トランジスタのゲート電極とすることができる。さらに、金属配線形成工程において第１基板上の他の一部と第１樹脂膜上とに亘って連続する金属配線を形成し、その金属配線上に絶縁膜を形成するため、第１樹脂膜形成工程において第１基板上の一部に形成する第１樹脂膜と、第１樹脂膜上に形成される金属配線及び絶縁膜を、製造後の表示装置を駆動するための信号が伝送されるフレキシブル基板とすることができる。このため、第１基板上にフレキシブル基板の一端部を圧着接続等することなく、フレキシブル基板を第１基板に接続することができる。

　そして、貼り合わせ工程は上記各工程の後に行われるので、上記フレキシブル基板の一端部をフレキシブル基板と第１基板との接続部とする場合、貼り合わせ工程では、当該接続部の位置がシール剤の内側又はシール剤に近接した位置（第１基板の厚み方向においてシール剤と重畳する位置を含む）となるようにシール剤を塗布することができる。このため、第２基板除去工程及び第１基板除去工程では、従来技術のようにシール剤の外側にフレキシブル基板を実装するための領域を確保する必要がなく、第１基板及び第２基板のうちシール剤の外側に位置する部分を大幅に除去することができる。また、第２樹脂膜形成工程でシール剤の外側に位置する第１樹脂膜上に第２樹脂膜を形成することで、シール剤の外側に位置するフレキシブル基板の強度を第２樹脂膜によって補強することができる。以上の結果、シール剤の外側にフレキシブル基板の実装領域が確保された従来の表示装置と比べて、狭額縁が実現された表示装置を製造することができる。

　上記の表示装置の製造方法において、前記第１樹脂膜形成工程及び前記金属配線形成工程では、前記第１樹脂膜の厚みと前記金属配線の厚みと前記絶縁膜の厚みとの総和が、前記貼り合わせ工程で対向状に貼り合わせる前記第１基板と前記第２基板との間の間隔よりも小さくなるように前記第１樹脂膜と前記金属配線と前記絶縁膜とを形成し、前記第２樹脂膜形成工程では、前記第１樹脂膜の厚みと前記金属配線の厚みと前記絶縁膜の厚みとの総和よりも大きな厚みで前記第２樹脂膜を形成してもよい。

　この製造方法によると、対向状に貼り合わされる第１基板と第２基板との間にフレキシブル基板を構成する第１樹脂膜、金属配線、及び絶縁膜をそれぞれ形成するための、第１樹脂膜、金属配線、及び絶縁膜の厚みの総和についての具体的な基準を提供することができる。その一方で、第１樹脂膜、金属配線、及び絶縁膜の厚みの総和が第１基板と第２基板との間の間隔より小さいと、フレキシブル基板の強度低下が懸念される。これに対し上記の製造方法では、第１樹脂膜、金属配線、及び絶縁膜の厚みの総和よりも大きな厚みで第２樹脂膜を形成するため、第１樹脂膜の強度を第２樹脂膜によって効果的に補強することができ、フレキシブル基板の強度低下を効果的に抑制することができる。

　上記の表示装置の製造方法において、前記第１樹脂膜の厚みと前記金属配線の厚みと前記絶縁膜の厚みとの総和が、前記パターン形成工程で形成する前記薄膜パターンの厚みよりも小さくなるように前記第１樹脂膜と前記金属配線と前記絶縁膜とを形成してもよい。

　ここで、上記の製造方法によって製造される表示装置が液晶表示装置である場合、薄膜パターンの上面から第２基板に至るまでの間隔を液晶層の厚みとして、上記間隔を確保するために、通常、シール剤内に液晶層の厚みに対応するサイズのスペーサ部材が含まれる。このため、フレキシブル基板を構成する第１樹脂膜、金属配線、及び絶縁膜の厚みの総和が上記薄膜パターンの厚みより大きいと、フレキシブル基板上のうちシール剤と重畳する部位では、フレキシブル基板が上記スペーサ部材を介して第２基板を押し上げ、第１基板と第２基板との間を適正な間隔に保てないことがある。

　また、金属配線形成工程において、第１基板上の他の一部と第１樹脂膜上とに亘って連続する金属配線のパターンをフォトリソグラフィー法によって形成する場合、第１基板上の他の一部と第１樹脂膜上との間の段差に跨る形で金属配線を構成する金属膜上にフォトレジスト膜を形成する必要がある。このため、第１樹脂膜の厚みが大きく、その結果としてフレキシブル基板の厚みが大きければ、第１基板上の他の一部と第１樹脂膜上との間に大きな段差が生じ、これにより、第１基板と第１樹脂膜との境界部上に形成されるフォトレジスト膜が他の部位に形成されるフォトレジスト膜よりも厚くなり、当該境界部上に意図しないフォトレジスト膜残りが発生することがある。その結果、フォトレジスト膜残りが発生した部分では金属膜のエッチング不良が起こり、金属配線の各配線間で短絡が発生することがある。

　これに対し上記の製造方法では、第１樹脂膜、金属配線、及び絶縁膜の厚みの総和が上記薄膜パターンの厚みより小さくなるように第１樹脂膜、金属配線、及び絶縁膜を形成するため、上記第１基板と第２基板との間の適正な間隔が保てない問題や、上記金属配線の各配線間で短絡が発生する問題が生じることを回避することができる。

　上記の表示装置の製造方法は、前記第１基板除去工程の前に、前記第１基板除去工程で除去する前記第１基板の一部と前記樹脂膜との境界部に光を照射する光照射工程をさらに備えてもよい。

　この製造方法によると、第１基板除去工程で除去する第１基板の一部と第１樹脂膜との境界部に光を照射することで、光エネルギーによって第１樹脂膜のうち当該境界部に位置する部分に脆弱層が形成されるため、第１基板除去工程において第１基板の一部を樹脂膜から剥離させ易くすることができる。

　上記の表示装置の製造方法において、前記第１樹脂膜形成工程では、ポリイミドを主成分とする前記第１樹脂膜を用いてもよい。

　パターン形成工程では、第１基板上に複数の薄膜パターンを形成する際に、第１基板に対して高温の熱処理を施すことがある。このため、第１樹脂膜形成工程をパターン形成工程よりも先に行う場合、第１樹脂膜を構成する樹脂の耐熱性が低ければ、パターン形成工程において第１樹脂膜に悪影響が及ぶ虞がある。上記の製造方法によると、第１樹脂膜形成工程において耐熱性に優れたポリイミドを主成分とする第１樹脂膜を用いることで、パターン形成工程において第１樹脂膜に悪影響が及ぶことを抑制することができる。

　上記の表示装置の製造方法において、前記第１樹脂膜形成工程では、前記第１基板上のうち前記第１樹脂膜を挟んで前記薄膜パターンを形成する領域とは反対側に当該表示装置を駆動する駆動部品を実装するための領域を確保しつつ前記第１基板上に前記第１樹脂膜を形成し、前記第１基板除去工程では、前記第１基板のうち前記第１樹脂膜形成工程で確保した前記領域を除いた領域の少なくとも一部を除去し、前記第２基板除去工程の後に、前記第１基板上のうち前記第１樹脂膜形成工程で確保した前記領域に前記駆動部品を実装する実装工程を備えてもよい。

　この製造方法によると、第１基板除去工程で第１基板のうち第１樹脂膜形成工程で確保した上記駆動部品を実装するための領域を除いた領域の少なくとも一部を除去し、第１基板上のうち上記領域に上記駆動部品を実装することで、第１基板除去工程後にシール剤と駆動部品との間に位置する第１樹脂膜を撓ませて折り曲げることができる。このため、シール剤の外側に駆動部品の実装領域を確保することなく、第１基板上に駆動部品をＣＯＧ（Chip On Glass）実装することができ、狭額縁が実現された表示装置を製造することができる。

　上記の表示装置の製造方法において、前記第１樹脂膜形成工程では、前記第１基板との境界部近傍に金属膜を含む前記第１樹脂膜を形成してもよい。

　この構成によると、第１基板除去工程において、例えば第１基板の第１樹脂膜が形成された側とは反対側から第１基板に対してレーザを照射することで第１基板を除去する場合、上記金属膜にレーザが照射され、ポリイミド膜にレーザが直接照射されることが回避される。このため、ポリイミド膜がレーザによってダメージを受けて破損することを抑制することができる。

　本明細書で開示される他の技術は、シール剤を介して貼り合わされた一対の基板を有し、表示を行う表示パネルと、可撓性を有し、前記表示パネルを駆動するための信号が伝送される金属配線が形成されたフレキシブル基板であって、一端部が一方の前記基板に接続され、その一部が一対の前記基板の間であって該基板の厚み方向において前記シール剤と重畳する位置に配された第１樹脂膜からなるフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板を補強する補強樹脂膜であって、前記一対の基板の外側において前記第１樹脂膜上に該第１樹脂膜よりも大きな厚みで配された第２樹脂膜からなる補強樹脂膜と、を備える表示装置に関する。

　上記の表示装置では、表示パネルを駆動するための信号が伝送される金属配線が形成されたフレキシブル基板の一部が、表示パネルの一対の基板の間であってシール剤と重畳する位置に配されているため、フレキシブル基板が表示パネルに対してシール剤と重畳する位置又はシール剤よりも内側の位置で接続されている。このため、シール剤よりも外側にフレキシブル基板の実装領域を確保する必要がなく、シール剤の外側にフレキシブル基板の実装領域が確保された従来の表示装置と比べて、表示装置の狭額縁化を図ることができる。

　また、上記の表示装置では、一対の基板の外側に配される補強樹脂膜によってフレキシブル基板が補強されるため、フレキシブル基板の厚みについてその一部が一対の基板の間に収まる程度の薄さを実現しながら、フレキシブル基板の強度低下を抑制することができる。なお、本明細書でいうフレキシブル基板は、表示パネルを構成する各基板とは異なる基板である。

　上記の表示装置において、一方の前記基板上に複数の薄膜パターンが形成され、前記シール剤は前記薄膜パターンを囲む形で配され、前記金属配線が単一の金属膜からなるとともにその一部が前記薄膜パターンの一部を構成して該薄膜パターンから前記シール剤の外側にはみ出す形で連続して配されていてもよい。

　例えば、表示装置の製造過程において、基板上に薄膜パターンを形成する工程と金属配線を形成する工程とを同一工程内で行うことで、上記の構成を実現することができ、製造工程の短縮化を図ることができる。上記の構成によると、製造工程の短縮化を図りながら、表示装置の狭額縁化を図ることができる。

　上記の表示装置において、前記表示パネルは、そのパネル面内に画像を表示する表示領域と画像を表示しない非表示領域とを有し、前記フレキシブル基板は、一対の前記基板の間に配された部分が該基板の厚み方向において前記非表示領域と重畳する位置にのみ配されていてもよい。

　フレキシブル基板を構成する材料が不透明である場合、フレキシブル基板の一部が表示パネルの表示領域と重畳すると、当該重畳する領域において表示不良が発生する。また、フレキシブル基板を構成する材料が透明であっても樹脂膜の光学特性によっては、当該重畳する領域において表示品位が劣化する虞がある。上記の構成によると、フレキシブル基板が上記非表示領域と重畳する位置にのみ配されているため、このような表示不良や表示品位の劣化が発生することを抑制することができる。

　上記の表示装置において、前記表示パネルは、平面視において矩形状とされ、
　前記表示パネルの一辺側に前記フレキシブル基板が配されるとともに、少なくとも一つの他の辺側に、その一部が一対の前記基板の間で該基板の厚み方向において前記シール剤と重畳する配置で、材質及び厚みが前記フレキシブル基板と等しいダミー基板が配されていてもよい。

　平面視矩形状とされた表示パネルの一辺側にのみ上記フレキシブル基板が配されていると、表示パネルの製造過程において一対の基板を貼り合わせる際、表示パネルのパネル面内に均等に圧力が加わらず、一対の基板間の距離の制御が困難となることがある。上記の構成によると、表示パネルの少なくとも一つの他の辺側にフレキシブル基板と等しい配置態様で、材質及び厚みがフレキシブル基板と等しいダミー基板が配されることで、表示パネルの製造過程において一対の基板を貼り合わせる際、表示パネルのパネル面内に均等に圧力が加わり易いものとすることができ、一対の基板間の距離を略均一にすることができる。その結果、表示装置の表示品位を向上させることができる。

　上記の表示装置は、前記表示パネルに光を供給する照明装置をさらに備え、一方の前記基板が前記照明装置に固着され、前記フレキシブル基板のうち一対の前記基板の間に配された部分を除く部分の少なくとも一部が前記照明装置に固着されていてもよい。

　この構成によると、表示パネルやフレキシブル基板が照明装置から離間した構成と比べて表示装置の薄型化を図ることができる。また、表示パネルやフレキシブル基板が照明装置から離間した構成である場合、表示装置の製造過程においてフレキシブル基板を表示装置の筐体等に組み付ける際にフレキシブル基板が撓んでフレキシブル基板が破損する虞があるが、上記の構成では、このように表示装置の製造過程においてフレキシブル基板が破損することを抑制することができる。

（発明の効果）
　本明細書で開示される技術によれば、表示装置の狭額縁化を図ることができる。

実施形態１に係る液晶表示装置の概略平面図図１におけるII－II断面の断面構成であって、液晶パネルの概略断面図フレキシブル基板の接続部分を拡大した液晶パネルの拡大断面図実施形態１の液晶表示装置の製造方法の工程（１）を示す断面図実施形態１の液晶表示装置の製造方法の工程（２）を示す断面図実施形態１の液晶表示装置の製造方法の工程（３）を示す断面図実施形態１の液晶表示装置の製造方法の工程（４）を示す断面図実施形態１の液晶表示装置の製造方法の工程（５）を示す断面図実施形態１の液晶表示装置の製造方法の工程（６）を示す断面図実施形態１の液晶表示装置の製造方法の工程（７）を示す断面図実施形態１の液晶表示装置の製造方法の工程（８）を示す断面図実施形態１の変形例１に係る液晶パネルの概略断面図実施形態１の変形例２に係る液晶パネルの概略断面図実施形態２においてフレキシブル基板の接続部分を拡大した液晶パネルの拡大断面図実施形態２の液晶表示装置の製造方法の工程（１）を示す断面図実施形態２の液晶表示装置の製造方法の工程（２）を示す断面図実施形態２の変形例においてフレキシブル基板の接続部分を拡大した液晶パネルの拡大断面図実施形態３に係る液晶表示装置の概略平面図図１７におけるXVI－XVI断面の断面構成であって、液晶パネルの概略断面図実施形態３の変形例に係る液晶表示装置の概略平面図実施形態４においてフレキシブル基板の接続部分を拡大した液晶パネルの拡大断面図実施形態４の液晶表示装置の製造方法の工程（１）を示す断面図実施形態４の液晶表示装置の製造方法の工程（２）を示す断面図実施形態４の液晶表示装置の製造方法の工程（３）を示す断面図実施形態５に係る液晶パネルの概略断面図

　＜実施形態１＞
　図１から図１１を参照して実施形態１を説明する。本実施形態では、液晶表示装置（表示装置の一例）１の製造方法について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で共通した方向となるように描かれている。また、各断面図では図の上側を液晶表示装置１の上側（表側）とする。

　先に液晶表示装置１、及び液晶パネル１０の構成について説明する。本実施形態で例示する液晶表示装置１は、図１に示すように、平面視矩形状の液晶パネル（表示パネルの一例）１０と、液晶パネル１０の裏側に組み付けられ、液晶パネル１０に光を供給するバックライト装置（不図示）と、を備えている。液晶パネル１０では、その大部分に画像を表示可能な横長の表示領域Ａ１（図１における一点鎖線で囲まれる領域）が配され、表示領域Ａ１外の枠状の領域が、画像が表示されない非表示領域Ａ２とされている。枠状をなす非表示領域Ａ２は、液晶パネル１０の額縁部分とされる。

　液晶パネル１０のＹ軸方向における一方の端部側（図１に示す右側）には、フレキシブル基板１２の一端側が接続されている。フレキシブル基板１２の他端側には、コントロール基板１４が接続されており、そのコントロール基板１４上にはＩＣチップ（駆動部品の一例）１６が実装されている。また、フレキシブル基板１２上の一部には、補強樹脂膜１７が配されている。ＩＣチップ１６は、液晶パネル１０を駆動するための電子部品であり、コントロール基板１４は、ＩＣチップ１６に各種入力信号を供給するための基板である。

　フレキシブル基板１２は、可撓性を有しており、図３に示すように、ポリイミド膜（第１樹脂膜の一例）１３を主成分とする黄色の不透明な樹脂材料と、ポリイミド膜１３上に形成された後述するゲート配線３６Ｇと、当該ゲート配線３６Ｇ上に形成された後述するゲート絶縁膜３８Ｇと、によりなる。フレキシブル基板１２は、コントロール基板１４及びＩＣチップ１６を液晶パネル１０と接続することで、ＩＣチップ１６からの信号を液晶パネル１０に伝送するための基板である。補強樹脂膜１７は、例えばアクリル系樹脂やシリコン樹脂により構成され、フレキシブル基板１２上に形成されることでフレキシブル基板１２を補強するための樹脂膜である。

　液晶パネル１０は、駆動方式がＴＮ（Twisted Nematic）型とされ、図１及び図２に示すように、透光性に優れた一対のガラス製の基板２０、３０と、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層１８と、を備えている。液晶パネル１０を構成する両基板２０，３０は、液晶層１８の厚さ分のセルギャップを維持した状態で紫外線硬化型のシール剤４０によって貼り合わされている。シール剤４０は、上記液晶層１８及び後述する薄膜パターン群３０Ｌを囲むように、両基板２０，３０の外形形状に沿った形で枠状に配されている。また、上記フレキシブル基板１２の一端部（液晶パネル１０に接続されている側の端部）は、液晶パネル１０を構成する両基板２０，３０の厚み方向（Ｚ軸方向）において、シール剤４０の一部と重畳する形で配されている。従って当該フレキシブル基板１２の一端部は、Ｚ軸方向において液晶パネル１０の非表示領域Ａ２と重畳する位置にのみ配されている。

　液晶パネル１０を構成する両基板２０，３０は、表側（正面側）の基板２０がカラーフィルタ基板（基板の一例）２０とされ、裏側（背面側）の基板３０がアレイ基板（基板の一例）３０とされる。カラーフィルタ基板２０とアレイ基板３０は、Ｘ軸方向における寸法及びＹ軸方向における寸法がほぼ同等となっている。両基板２０，３０の内面側には、液晶層１８に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜１０Ａ，１０Ｂがそれぞれ形成されている。カラーフィルタ基板２０を構成する第１ガラス基板（第２基板の一例）２０Ａの外面側，及びアレイ基板３０を構成する第２ガラス基板（第１基板の一例）３０Ａの外面側には、それぞれ偏光板１０Ｃ，１０Ｄが貼り付けられている。第２ガラス基板３０Ａ上のうちＹ軸方向の一端部（図１及び図２に示す右側）には、上記フレキシブル基板１２の一端部が配されている。フレキシブル基板１２の第２ガラス基板３０Ａ上に位置する部分の幅Ｗ１（図３参照）は、数十μｍ程度となっている。

　アレイ基板３０を構成する第２ガラス基板３０Ａの内面側（液晶層１８側）には、積層された複数の薄膜パターンからなる薄膜パターン群３０Ｌが形成されている。具体的には、薄膜パターン群３０Ｌは、スイッチング素子であるＴＦＴ３２の薄膜パターンと、各ＴＦＴ３２の上層側に形成された画素電極３４の薄膜パターンと、各ＴＦＴ３２及び各画素電極３４の周りを取り囲むようにして配設された格子状をなすゲート配線（金属配線の一例）３６Ｇの一部及びソース配線の薄膜パターンと、を含んでいる。なお、ＴＦＴ３２及び画素電極３４の周りには、ゲート配線３６Ｇと平行に伸びる容量配線が配設されている。

　画素電極３４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなり、ＴＦＴ３２に接続され、平面視において多数個ずつマトリクス状に並んで設けられている。ゲート配線３６Ｇは、第２ガラス基板３０Ａ上にパターニングされた単一の金属膜からなる金属配線であり、ソース配線は、ゲート配線３６Ｇとの間にゲート絶縁膜（絶縁膜の一例）３８Ｇを挟んでゲート配線３６Ｇの上層側にパターニングされた金属膜からなる金属配線である。このうちゲート配線３６Ｇ及びゲート絶縁膜３８Ｇは、図３に示すように、第２ガラス基板３０Ａ上からフレキシブル基板１２上に跨る形で連続して形成されている。ゲート配線３６Ｇは、第２ガラス基板３０Ａ上からフレキシブル基板１２上を経由して伸びてその先端部がコントロール基板１４に接続されている。ゲート絶縁膜３８Ｇは、透明な無機材料（例えばシリコン酸化膜）からなっており、ゲート配線３６Ｇ上の全面を覆う形でパターニングされることで、ゲート配線３６Ｇを外部から絶縁するとともにフレキシブル基板１２上のゲート配線３６Ｇを外部から保護している。

　本実施形態では、図３に示すように、ゲート配線３６Ｇ及びゲート絶縁膜３８Ｇが積層形成されたフレキシブル基板１２の厚みＴ１（例えば３．５μｍ程度）、即ちポリイミド膜１３の厚みとポリイミド膜上に形成されたゲート配線の厚みとゲート配線上に形成されたゲート絶縁膜の厚みとの総和Ｔ１が、第１ガラス基板２０Ａと第２ガラス基板３０Ａとの間の間隔Ｔ２よりも小さくなっており、これにより、一対の基板２０，３０の間にフレキシブル基板１２の一部が配された構成が実現されている。詳しくは、フレキシブル基板１２の厚みＴ１は、薄膜パターン群３０Ｌの厚みＴ３よりも小さくなっている。なお、シール剤４０内には、液晶層１４の厚み、即ち薄膜パターン群３０Ｌの上面から第１ガラス基板２０Ａに至るまでの間隔を確保するため、液晶層１８の厚みに対応するサイズのスペーサ部材（不図示）が含まれている。

　また、補強樹脂膜１７は、図３に示すように、その厚みＴ４がフレキシブル基板１２の厚みＴ１より大きくなっている。そして、補強樹脂膜１７は、図１に示すように、シール剤４０の外側に位置するフレキシブル基板１２上のほぼ全域に形成されており、その一端部がシール剤１２の端面の一部を覆うともに第１ガラス基板２０Ａの端面の一部まで達している（図２及び図３参照）。これにより、シール剤４０の外側に位置するフレキシブル基板１２の強度が補強樹脂膜１７によって高められている。

　次に、アレイ基板３０に設けられたスイッチング素子であるＴＦＴ３２について説明する。ゲート配線３６ＧのうちＺ軸方向においてＴＦＴ３２と重畳する部分はＴＦＴ３２のゲート電極３２Ｇを構成しており、ＴＦＴ３２は、図３に示すように、このゲート電極３２Ｇから上層側に積層される形で配置されている。ソース配線のうちＺ軸方向においてＴＦＴ３２と重畳する部分はＴＦＴ３２のソース電極３２Ｓを構成している。また、ＴＦＴ３２は、ソース電極３２Ｓとの間にＹ軸方向について所定の間隔を空けつつ対向状に配されることで島状をなすドレイン電極３２Ｄを有している。ドレイン電極３２Ｄは、ソース配線と同一材料で形成され、ソース配線と同一工程にてアレイ基板３０上にパターニングされている。

　また、ＴＦＴ３２において、ゲート絶縁膜３８Ｇ上には、図３に示すように、ソース電極３２Ｓとドレイン電極３２Ｄとの間を架け渡す形で半導体膜３７が形成されている。半導体膜３７は、例えばアモルファスシリコン（a-Si）や低温ポリシリコン（LTPS）や酸化物半導体膜からなってもよく、その他の半導体からなってもよい。ここで、ソース電極３２Ｓ及びドレイン電極３２Ｄは、所定の間隔を挟んで対向状に配されているため、相互が直接的には電気的に接続されていない。しかし、ソース電極３２Ｓ及びドレイン電極３２Ｄは、その下層側の半導体膜３７を介して間接的に電気的に接続されており、この半導体膜３７における両電極３２Ｓ，３２Ｄ間のブリッジ部分が、ドレイン電流が流れるチャネル領域として機能する。両電極３２Ｓ，３２Ｄ、及び半導体膜３７の上層側には、これらを覆う形で層間絶縁膜３９が形成されている。層間絶縁膜３９は、透明な無機材料からなっており、表面を平坦にするための平坦化膜として機能する。

　層間絶縁膜３９のうち、Ｚ軸方向においてドレイン電極３２Ｄの一部と重畳する位置には、図３に示すように、コンタクトホールＣＨ１が上下に貫通する形で形成されている。このコンタクトホールＣＨ１の開口内には、ドレイン電極３２Ｄが露出している。画素電極３４は、このコンタクトホールＣＨ１を跨ぐ形で層間絶縁膜３９上の一部に形成されており、コンタクトホールＣＨ１を通して画素電極３４がドレイン電極３２Ｄに接続されている。画素電極３４がドレイン電極３２Ｄに接続されることで、ＴＦＴ３２のゲート電極３２Ｇが通電すると（ＴＦＴ３２がオンされると）、チャネル領域を介してソース電極３２Ｓとドレイン電極３２Ｄとの間に電流が流されるとともに、画素電極３４に所定の電圧が印加されるようになっている。

　ここで、ソース配線及び容量配線は、アレイ基板３０のフレキシブル基板１２が接続されている側の端部においてゲート配線３６Ｇと接続されている。そして、これらのゲート配線３６Ｇ、ソース配線、容量配線には、フレキシブル基板１２上にパターニングされたゲート配線３６Ｇを介してコントロール基板１６から各信号または基準電位が入力されるようになっており、それによりＴＦＴ３２の駆動が制御される。なお、上述したように、ゲート配線３６Ｇは、アレイ基板３０上からフレキシブル基板１２上に跨る形で連続して形成されているので、ゲート配線３６Ｇを介してコントロール基板１４とアレイ基板３０上に形成された薄膜パターン群３０Ｌとの間で良好な導通が図られている。

　次に、液晶パネル１０の表示領域Ａ１におけるカラーフィルタ基板２０の構成について説明する。カラーフィルタ基板２０を構成する第１ガラス基板２０Ａの内面側（液晶層１８側）には、図２に示すように、アレイ基板３０の各画素電極３４と平面視において重畳する位置に多数個ずつマトリクス状に並列して配置されたカラーフィルタ２２が並んで設けられている。カラーフィルタ２２は、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）等の各着色部から構成されている。カラーフィルタ２２を構成する各着色部間には、混色を防ぐための略格子状の遮光部（ブラックマトリクス）２３が形成されている。遮光部２３は、アレイ基板３０上に設けられたゲート配線３６Ｇ（フレキシブル基板１２上に形成されているものは除く）、ソース配線、及び容量配線に対して平面に視て重畳する配置とされる。

　液晶パネル１０では、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の３色の着色部及びそれらと対向する３つの画素電極３４の組によって表示単位である１つの表示画素が構成されている。表示画素は、Ｒの着色部を有する赤色画素と、Ｇの着色部を有する緑色画素と、Ｂの着色部を有する青色画素とからなる。これら各色の画素は、液晶パネル１０の板面において行方向（Ｘ軸方向）に沿って繰り返し並べて配されることで、画素群を構成しており、この画素群が列方向（Ｙ軸方向）に沿って多数並んで配されている。また、カラーフィルタ２２及び遮光部２３の内面側には、図２に示すように、アレイ基板３０側の画素電極３４と対向する対向電極２４が設けられている。対向電極２４は、液晶パネル１０の非表示領域Ａ２に配設された図示しない対向電極配線と接続されている。対向電極２４には、対向電極配線から基準電位が印加されるようになっており、ＴＦＴ３２によって画素電極３４に印加する電位を制御することで、画素電極３４と対向電極２４との間に所定の電位差を生じさせることができる。

　本実施形態の液晶パネル１０では、上述したようにフレキシブル基板１２の一端部がＺ軸方向においてシール剤４０の一部と重畳する形でアレイ基板３０上に配されているので、フレキシブル基板１２を液晶パネル１０に接続するためにアレイ基板３０をシール剤４０の外側に張り出させる必要がない。換言すれば、シール剤４０よりも外側にフレキシブル基板１２の実装領域を確保する必要がない。このため液晶パネル１０では、図２及び図３に示すように、カラーフィルタ基板２０及びアレイ基板３０を構成する両ガラス基板２０Ａ，３０Ａの端面がシール剤４０の端面とほぼ一致しており、これにより、狭額縁が実現されている。

　以上が本実施形態に係る液晶パネル１０の構成であり、次に、上記のような構成とされた液晶パネル１０の製造方法を説明する。以下では、アレイ基板３０の製造方法について特に詳しく説明するものとし、先にアレイ基板３０の製造方法について説明する。本実施形態のアレイ基板３０の製造工程では、まず、図４に示すように、既知のフォトリソグラフィー法を用いて、第２ガラス基板３０Ａ上の一部にフレキシブル基板１２を構成するポリイミド膜１３を形成する。即ち、第２ガラス基板３０Ａ上の全面にポリイミド膜１３を成膜し、そのポリイミド膜１３をパターニングする（第１樹脂膜形成工程）。このとき成膜するポリイミド膜１３の厚みは、上記厚みＴ１（図３参照）に応じて調整する。なお、フォトリソグラフィー法ではなくスクリーン印刷等によって、第２ガラス基板３０Ａ上に部分的にポリイミド膜を成膜することでフレキシブル基板１２を形成してもよい。

　次に、図５に示すように、同様に既知のフォトリソグラフィー法を用いて、第２ガラス基板３０Ａ上に、ポリイミド膜１３上に跨る形で、パターニングされたゲート配線３６Ｇを形成し、続いてゲート配線３６Ｇを覆う形でパターニングされたゲート絶縁膜３８Ｇを形成する（金属配線形成工程）。このとき、アレイ基板３０側からポリイミド膜１３上に向かって伸びるゲート配線３６Ｇの先端部がゲート絶縁膜３８Ｇから露出するようにゲート絶縁膜３８Ｇを形成する。これにより、ポリイミド膜１３とゲート配線３６Ｇとゲート絶縁膜３８Ｇとからなり、可撓性を有するフレキシブル基板１２が形成される。

　次に、図６に示すように、第２ガラス基板３０Ａ上（ゲート絶縁膜３８Ｇ上）に、パターニングされたソース配線、半導体膜３７、をそれぞれ形成することで、第２ガラス基板３０Ａ上の他の一部（フレキシブル基板１２が形成されていない部分）に複数のＴＦＴ３２を形成する。パターニングされたソース配線のうちＴＦＴ３２と重畳する部分は、ソース電極３２Ｓ又はドレイン電極３２Ｄを構成する。また、パターニングされたゲート配線３６ＧのうちＴＦＴ３２と重畳する部分は、ゲート電極３２Ｇを構成する。

　なお、上述したアレイ基板３０上にＴＦＴ３２を形成する工程では、ＴＦＴ３２を構成する各薄膜間の密着性を高めるために第２ガラス基板３０Ａに高温（例えば４００℃程度）の熱処理を施すポストベークを行ってもよい。ここで、フレキシブル基板１２の材料であるポリイミドは、熱分解温度が５００℃以上であり、通常の高分子に比べて耐熱性が非常に高いため、本実施形態のようにフレキシブル基板１２の形成後にＴＦＴ３２を形成する際に上記ポストベークを行なったとしても、フレキシブル基板１２を構成する材料が熱分解され難く、フレキシブル基板１２に悪影響が及ぶことを抑制することができる。

　次に、図６に示すように、各ＴＦＴ３２を覆う形でパターニングされた層間絶縁膜３９を形成し、ＴＦＴ３２の表面を平坦化する。このとき形成する層間絶縁膜３９の厚みは、上記厚みＴ２（図３参照）に応じて調整する。次に、層間絶縁膜３９の表面にパターニングされた画素電極３４を形成する。以上により、アレイ基板３０を構成する第２ガラス基板３０Ａ上に積層された複数の薄膜パターンからなる薄膜パターン群３０Ｌが形成される（パターン形成工程）。その後、層間絶縁膜３９及び画素電極３４の表面に配向膜１０Ｂを形成する。以上の手順によりアレイ基板３０が完成する。なお、本実施形態では、使用するフォトマスクを変更するのみでゲート配線３６Ｇと薄膜パターン群３０Ｌとを連続して形成できるため、上記金属配線形成工程と上記パターン形成工程とを同一工程内で行うことができる。

　次に、カラーフィルタ基板２０の製造方法について簡単に説明する。カラーフィルタ基板２０の製造過程では、まず、第１ガラス基板２０Ａ上に薄膜状の遮光部２３を成膜し、フォトリソグラフィー法により略格子状に加工する。遮光部２３は、例えばチタンにより形成される。次に、カラーフィルタ２２を構成する各着色部を所望の位置に形成する。次に、遮光部２３及びカラーフィルタ２２を覆う形で、対向電極２４を形成する。次に、対向電極を覆う形で保護膜としての透明な絶縁膜（不図示）を形成する。この絶縁膜は、例えば二酸化珪素により形成される。その後、絶縁膜の表面に配向膜１０Ａを形成する。以上の手順によりカラーフィルタ基板２０が完成する。

　アレイ基板３０及びカラーフィルタ基板２０が完成すると、次に、第２ガラス基板３０Ａの外形形状に沿って第２ガラス基板３０Ａ上に枠状にシール剤４０を塗布する。このとき、図７に示すように、シール剤４０の一部がＺ軸方向においてフレキシブル基板１２の一端部と重畳するようにし、フレキシブル基板１２の当該重畳する部分の幅が上記幅Ｗ１となるように塗布位置を調整しながら、第２ガラス基板３０Ａ上にシール剤４０を塗布する。次に、第２ガラス基板３０Ａ上にカラーフィルタ基板２０を構成する第１ガラス基板２０Ａを対向配置し、第１ガラス基板２０Ａの端面と第２ガラス基板３０Ａの端面とが略一致するように位置合わせを行う。次に、液晶滴下装置を用いたＯＤＦ（One Drop Fill）法により、第２ガラス基板３０Ａ上のシール剤４０に囲まれた領域内に液晶を滴下注入し、液晶層１８を形成する。このとき滴下注入する液晶の量は、上記厚みＴ３に応じて調整する。次に、図８に示すように、当該シール剤４０を介して第２ガラス基板３０Ａに第１ガラス基板２０Ａを対向状に貼り合わせる（貼り合わせ工程）。

　次に、図８に示すように、スクライバー４４を用いて、第１ガラス基板２０Ａのうちシール剤４０の外側に位置する部分と他の部分との境界部に切り込みを入れ、当該外側に位置する部分を除去する（第２基板除去工程）。次に、図９に示すように、間にゲート配線３６Ｇ及びゲート絶縁膜３８Ｇを挟んでシール剤４０の外側に位置するポリイミド膜１３上、即ちシール剤４０の外側に位置するフレキシブル基板１２上のほぼ全域に、補強樹脂膜１７を構成する樹脂を形成する（第２樹脂膜形成工程）。この第２樹脂膜形成工程では、その一端部がシール剤４０の端面の一部を覆うとともに第１ガラス基板２０Ａの端面の一部に至る形で、補強樹脂膜１７を構成する樹脂をフレキシブル基板１２より大きな厚みで成膜し、補強樹脂膜１７を形成する。なお、製造する液晶表示装置１の表示品位に悪影響が及ぶことを回避するため、補強樹脂膜１７を構成する樹脂は、常温で硬化、又は紫外線で硬化する樹脂であることが好ましい。

　次に、図１０に示すように、レーザ照射装置４２を用いて、第２ガラス基板３０Ａとフレキシブル基板１２との境界部のうちシール剤４０の外側に位置する部分にレーザＬ１を照射する（光照射工程）。これにより、フレキシブル基板１２のうちレーザＬ１が照射された部分に脆弱層１２Ａが形成される。なお、この脆弱層１２Ａの形成は、第１樹脂膜形成工程でフレキシブル基板１２を構成するポリイミド膜のうち第２ガラス基板３０Ａとの境界部近傍にチタンやモリブデン等の金属膜を挿入しておき、この金属膜にレーザＬ１を照射することで発生する熱によって行うことも可能である。この場合、金属膜にレーザＬ１が照射されることでポリイミド膜にレーザＬ１が直接照射されることが回避されるため、ポリイミド膜がレーザＬ１によってダメージを受けて破損することを抑制することができる。

　次に、図１１に示すように、上記第２基板除去工程と同様にスクライバー４４を用いて、第２ガラス基板３０Ａのうちシール剤４０の外側に位置する部分と他の部分との境界部に切り込みを入れ、当該外側に位置する部分をフレキシブル基板１２から剥離させて除去する（第１基板除去工程）。このとき、フレキシブル基板１２に形成された上記脆弱層１２Ａによって、第２ガラス基板３０Ａの一部をフレキシブル基板１２から容易に剥離させることができる。

　その後、両ガラス基板２０Ａ、３０Ａの外面側にそれぞれ偏光板１０Ｃ、１０Ｄを貼り付け、フレキシブル基板１２の他端部にコントロール基板１４を接続してゲート絶縁膜３８Ｇから露出するゲート配線３６Ｇの先端部をコントロール基板１４に接続するとともに当該コントロール基板１４上にＩＣチップ１６等を実装する。従って、実装工程では、シール剤４０の外側に位置する部分であってフレキシブル基板１２上を除いた部分にＩＣチップ１６が実装される。以上の手順により、液晶パネル１０が完成する。その後、液晶パネル１０の裏側にバックライト装置を組み付けることで、本実施形態に係る液晶表示装置１が完成する。

　以上説明したように本実施形態の液晶パネル１０の製造方法では、パターン形成工程において第２ガラス基板３０Ａ上の他の一部に複数の薄膜パターンからなる薄膜パターン群３０Ｌを形成することで、第２ガラス基板３０Ａ上の他の一部に形成されるゲート配線３６Ｇの一部をＴＦＴ３２のゲート電極３２Ｇとする。さらに、金属配線形成工程において第２ガラス基板３０Ａ上の他の一部とポリイミド膜１３上とに亘って連続するゲート配線３６Ｇを形成することで、第１樹脂膜形成工程において第２ガラス基板３０Ａ上の一部に形成するポリイミド膜１３を、製造後の液晶表示装置１を駆動するための信号が伝送されるフレキシブル基板１２とする。このため、第２ガラス基板３０Ａ上にフレキシブル基板１２の一端部を圧着接続等することなく、フレキシブル基板１２を第２ガラス基板３０Ａ上に接続することができる。

　そして、貼り合わせ工程は上記各工程の後に行われるので、上述したように、貼り合わせ工程では、フレキシブル基板１２の一端部、即ちフレキシブル基板１２と第２ガラス基板３０Ａとの接続部の位置がＺ軸方向においてシール剤４０と重畳する位置となるようにシール剤４０を塗布することができる。このため、第２基板除去工程及び第１基板除去工程では、従来技術のようにシール剤の外側にフレキシブル基板を実装するための領域を確保する必要がなく、第１ガラス基板２０Ａ及び第２ガラス基板３０Ａのうちシール剤４０の外側に位置する部分のほぼ全域を除去することができる。その結果、シール剤の外側にフレキシブル基板の実装領域が確保された従来の液晶表示装置と比べて、狭額縁が実現された液晶表示装置１を製造することができる。

　ここで、本実施形態の製造方法によって製造される液晶表示装置１では、シール剤４０内に液晶層１８の厚みに対応するサイズのスペーサ部材が含まれている。このため、フレキシブル基板１２を構成するポリイミド膜１３、ゲート配線３６Ｇ、及びゲート絶縁膜３８Ｇの厚みの総和が薄膜パターン群Ｔ３の厚みより大きいと、フレキシブル基板１２上のうちシール剤４０と重畳する部位では、フレキシブル基板１２が上記スペーサ部材を介して第１ガラス基板２０Ａを上方に押し上げ、第１ガラス基板２０Ａと第２ガラス基板３０Ａとの間を適正な間隔に保てないことがある。

　また、本実施形態の製造方法では、金属配線形成工程において、第２ガラス基板３０Ａ上に、ポリイミド膜１３上に跨る形で、パターニングされたゲート配線３６Ｇを形成する。このため、ポリイミド膜１３の厚みが大きく、その結果としてフレキシブル基板１２の厚みが大きければ、第２ガラス基板３０Ａ上とポリイミド膜１３上との間に大きな段差が生じ、これにより、第２ガラス基板３０Ａとポリイミド膜１３との境界部上に形成されるフォトレジスト膜が他の部位に形成されるフォトレジスト膜よりも厚くなり、当該境界部上に意図しないフォトレジスト膜残りが発生することがある。その結果、フォトレジスト膜残りが発生した部分では金属膜のエッチング不良が起こり、ゲート配線３６Ｇの各配線間で短絡が発生することがある。

　これに対し本実施形態の製造方法では、ポリイミド膜１３、ゲート配線３６Ｇ、及びゲート絶縁膜３８Ｇの厚みの総和が薄膜パターン群３０Ｌの厚みより小さくなるようにフレキシブル基板１２を構成するポリイミド膜１３、ゲート配線３６Ｇ、及びゲート絶縁膜３８Ｇを形成するため、上記第１ガラス基板２０Ａと第２ガラス基板３０Ａとの間の適正な間隔が保てない問題や、上記ゲート配線３６Ｇの各配線間で短絡が発生する問題が生じることを回避することができる。さらに、本実施形態の製造方法では、上記のようにフレキシブル基板１２を極めて薄く形成するものであっても、第２樹脂膜形成工程でシール剤４０の外側に位置するポリイミド膜１３上に補強樹脂膜１７を形成することで、シール剤４０の外側に位置するフレキシブル基板１２の強度を補強樹脂膜１７によって補強することができる。

　また、フレキシブル基板１２を構成するポリイミド膜１３は不透明であるため、フレキシブル基板１２の一部が液晶パネル１０の表示領域Ａ１と重畳すると、当該重畳する領域において表示不良が発生する虞がある。これに対し本実施形態の製造方法によって製造される液晶表示装置１では、上述したようにフレキシブル基板１２の一端部がＺ軸方向において液晶パネル１０の非表示領域Ａ２と重畳する位置にのみ配されている。このため、このような表示不良や表示品位の劣化が発生することを抑制することができる。

　なお、本実施形態の製造方法では、上述したように、金属配線形成工程とパターン形成工程とを同一工程内で行うことができるため、ゲート配線３６Ｇの形成と薄膜パターン群３０Ｌの形成とが別の工程で行われる場合と比べて製造工程の短縮化を図ることもできる。

　また、ＴＦＴ側のゲート配線とコントロール基板のパターン配線との間が異方性導電膜を介して接続される従来の表示装置の場合、異方性導電膜の実装態様によっては当該異方性導電膜において電気抵抗が高くなり、ＴＦＴ側のゲート配線とコントロール基板のパターン配線との間で良好な導通を図れない虞がある。これに対し本実施形態の液晶表示装置１の製造方法では、金属配線形成工程において、上述したように第２ガラス基板３０Ａ上のＴＦＴ３２からフレキシブル基板１２上を介してコントロール基板１４に至るまでゲート配線３６Ｇからなる金属配線が連続して形成されるため、上記従来の表示装置と比べて、ＴＦＴ３２側のゲート配線３６Ｇとコントロール基板１４のパターン配線との間で良好な導通を図ることができる。

　＜実施形態１の変形例１＞
　図１２を参照して実施形態１の変形例１を説明する。本変形例に係る液晶表示装置は、液晶パネル１１０Ａに対するフレキシブル基板１２の接続位置が実施形態１のものと異なっている。その他の構成については、実施形態１で説明した液晶表示装置１と同様である。本変形例では、図１０に示すように、液晶パネル１１０Ａにおいて、アレイ基板１３０の端面のうちフレキシブル基板１２が接続される側の端面がカラーフィルタ基板２０の端面よりもわずかに外側に張り出した構成とされている。そして、フレキシブル基板１２の一端部は、当該張り出した部分（図１０において符号１３０Ａ１で示す部分）に配されるとともに、その端面がシール剤４０の外面に近接した状態で液晶パネル１１０Ａに接続されている。また、補強樹脂膜１７は、実施形態１と同様に、シール剤４０の外側に位置するフレキシブル基板１２上のほぼ全域に形成されるとともにその一端部が第１ガラス基板２０Ａの端面の一部まで達している。

　上記のような構成とされた本変形例の液晶パネル１１０Ａは、例えば以下のようにして製造する。即ち、貼り合わせ工程では、シール剤４０の一部の外面がフレキシブル基板１２の一端部の端面と近接するように塗布位置を調整しながら、第２ガラス基板１３０Ａ上にシール剤４０を塗布する。そして、第１基板除去工程では、シール剤４０の外側に上記張り出した部分１３０Ａ１を確保しながら第２ガラス基板１３０Ａの一部を除去する。その他の製造過程については実施形態１と同様である。このようにして製造された本変形例の液晶表示装置では、上記張り出した部分１３０Ａ１が数十μｍ程度の幅を有していれば、フレキシブル基板１２の一端部を液晶パネル１１０Ａに接続することができるので、シール剤の外側にフレキシブル基板の実装領域が確保された従来の液晶表示装置と比べて、狭額縁を実現することができる。

　＜実施形態１の変形例２＞
　図１３を参照して実施形態１の変形例２を説明する。本変形例に係る液晶表示装置は、第２ガラス基板３０Ａのサイズが実施形態１のものと異なっている。その他の構成については実施形態１と同様である。本変形例では、図１３に示すように、液晶パネル１１０Ｂにおいて、第２ガラス基板１３０Ｂのサイズが実施形態１のものと比べて小さくされている。詳しくは、第２ガラス基板１３０Ｂのうち樹脂膜１２がシール剤４０の外側に伸びている側の端面（図１２における右側の端面）が、シール剤４０の外面よりも内側に位置するとともにＺ軸方向においてシール剤４０と重畳している。

　本変形例では、第２ガラス基板１３０Ｂが上記のようなサイズとされることで、図１２に示すように、シール剤４０の外側に位置するフレキシブル基板１２が下方に折り曲げられた状態で第２ガラス基板１３０Ｂの端面とフレキシブル基板１２の折り曲げ部分との間に隙間Ｓ１が設けられる。また、補強樹脂膜１７は、実施形態１と同様に、シール剤４０の外側に位置する折り曲げられたフレキシブル基板１２上のほぼ全域に形成されるとともにその一端部が第１ガラス基板２０Ａの端面の一部まで達している。本変形例では、上述した隙間Ｓ１によって第２ガラス基板１３０Ｂの端面とフレキシブル基板１２の折り曲げ部分との間が非接触となり、本変形例の液晶表示装置では、第２ガラス基板１３０Ｂの端面によってフレキシブル基板１２の折り曲げ部分が損傷することを抑制することができる。

　＜実施形態２＞
　次に、図１４から図１６を参照して実施形態２を説明する。本実施形態に係る液晶表示装置は、第２ガラス基板２３０Ａ上からフレキシブル基板２１２上に跨る形で連続して形成されたゲート配線２３６Ｇ１，２３６Ｇ２の態様、及びゲート絶縁膜２３８Ｇの態様が実施形態１のものと異なっている。その他の構成については実施形態１と同様であるため、説明を省略する。本実施形態では、図１４に示すように、液晶パネル２１０におけるゲート配線２３６Ｇ１，２３６Ｇ２及びゲート絶縁膜２３８Ｇ１，２３８Ｇ２が、アレイ基板２３０を構成する第２ガラス基板２３０Ａ上に配設された第１ゲート配線２３６Ｇ１及び第１ゲート絶縁膜２３８Ｇ１と、フレキシブル基板２１２上に配設された第２ゲート配線２３６Ｇ２及び第２ゲート絶縁膜２３８Ｇ２と、からなっている。なお、補強樹脂膜１７が形成される態様は、実施形態１と同様である。

　詳しくは、第１ゲート配線２３６Ｇ１及び第１ゲート絶縁膜２３８Ｇ１は、第２ガラス基板２３０Ａ上においてフレキシブル基板２１２が接続されている側の端部に至るまで伸びており、当該端部において第１ゲート配線２３６Ｇ１が第１ゲート絶縁膜２３８Ｇ１から露出している。そして、第１ゲート配線２３６Ｇ１の上記露出する部分を覆う形で、フレキシブル基板２１２の一端部が第２ガラス基板２３０Ａ上に配されている。また、フレキシブル基板２１２の一端部には、コンタクトホールＣＨ２が上下に貫通する形で形成されており、このコンタクトホールＣＨ２の開口内に第１ゲート配線２３６Ｇ１が露出している。

　第２ゲート配線２３６Ｇ２は、上記コンタクトホールＣＨ２を跨ぐ形でフレキシブル基板２１２上に形成されており、一端部がこのコンタクトホールＣＨ２を通して第１ゲート配線２３６Ｇ１と電気的に接続されるとともに、他端部が図示しないコントロール基板と電気的に接続されている。また、第２ゲート配線２３６Ｇ２上には、第２ゲート配線２３６Ｇ２を覆う形で第２ゲート絶縁膜２３８Ｇ２が形成されている。このような態様とされることで、第１ゲート配線２３６Ｇ１と第２ゲート配線２３６Ｇ２からなる金属配線がアレイ基板２３０からフレキシブル基板２１２に跨る形で連続して形成された構成が実現されている。

　次に、上記のような構成とされた液晶パネル２１０の製造方法を説明する。まず、図１５に示すように、アレイ基板２３０を構成する第２ガラス基板２３０Ａ上の一部にパターニングされた第１ゲート配線２３６Ｇ１を形成し、第１ゲート配線２３６Ｇ１上に当該第１ゲート配線２３６Ｇ１の一端部が露出するようにパターニングされた第１ゲート絶縁膜２３８Ｇ１を形成する（金属配線形成工程）。その後、第２ガラス基板２３０Ａ上の一部に複数のＴＦＴ３２を形成し、パターニングされた層間絶縁膜３９、パターニングされた画素電極３４を順に形成する（パターン形成工程）。このように本実施形態では、実施形態１と異なり、第２ガラス基板２３０Ａ上にフレキシブル基板２１２を形成する前に、第２ガラス基板２３０Ａ上に複数のＴＦＴ３２を含む薄膜パターン群２３０Ｌを形成する。

　次に、図１６に示すように、第２ガラス基板２３０Ａ上の一部に、その一端部がゲート絶縁膜２３８Ｇから露出する第１ゲート配線２３６Ｇ１の一端部を覆うように、パターニングされたフレキシブル基板２１２を形成する（第１樹脂膜形成工程）。次に、フレキシブル基板２１２の一端部にコンタクトホールＣＨ２を形成し、その開口内に第１ゲート配線２３６Ｇ１の一端部を露出させる。次に、コンタクトホールＣＨ２を跨ぐ形でフレキシブル基板２１２上に第２ゲート配線２３６Ｇ２を形成し、第２ゲート配線２３６Ｇ２を覆う形で第２ゲート配線２３６Ｇ２上に第２ゲート絶縁膜２３８Ｇ２を形成する（金属配線形成工程）。その後、実施形態１と同様に、貼り合わせ工程、光照射工程、第２基板除去工程、第２樹脂膜形成工程、第１基板除去工程を行うことで、本実施形態の液晶パネル２１０が完成する。

　本実施形態では、第１ゲート配線２３６Ｇ１と第２ゲート配線２３６Ｇ２とによって、第２ガラス基板２３０Ａ上の一部とフレキシブル基板２１２上とに亘って連続する金属配線が形成されるので、第２ガラス基板２３０Ａ上にフレキシブル基板２１２の一端部を圧着接続等することなく、フレキシブル基板２１２を第２ガラス基板２３０Ａ上に接続することができる。そして、貼り合わせ工程では、フレキシブル基板２１２の一端部がシール剤４０の内側又はシール剤４０の近傍に位置するようにシール剤４０を塗布することができる。このため、第２基板除去工程及び第１基板除去工程では、図１４に示すように、第１ガラス基板２２０Ａ及び第２ガラス基板２３０Ａのうちシール剤４０の外側に位置する部分のほぼ全域を除去することができ、狭額縁が実現された液晶表示装置１を製造することができる。

　また本実施形態の製造方法では、第２ガラス基板２３０Ａ上にフレキシブル基板２１２を形成する前に、第２ガラス基板２３０Ａ上に薄膜パターン群２３０Ｌを形成するため、ＴＦＴ３２を形成する工程においてポストベークを行ったとしても、フレキシブル基板２１２を構成する材料が高温に晒されることがない。このため、フレキシブル基板２１２を構成する材料に耐熱性の低い樹脂材料を用いることができ、材料の選択肢を広げることができる。例えば、フレキシブル基板２１２の材料として、感光性や透光性に優れた透明なポリイミドを用いることもでき、製造工程の簡略化や短縮化を図ることができる。さらに、ＴＦＴ３２を構成する各薄膜パターンを成膜するための装置が、フレキシブル基板２１２を構成する有機材料によって汚染されることを防止することもできる。

　＜実施形態２の変形例＞
　図１７を参照して実施形態２の変形例を説明する。本変形例に係る液晶表示装置は、液晶パネル３１０に対するフレキシブル基板２１２の接続位置が実施形態２のものと異なっている。その他の構成については、実施形態２で説明した液晶表示装置と同様である。本変形例では、図１６に示すように、液晶パネル３１０において、アレイ基板３３０の端面のうちフレキシブル基板２１２が接続される側の端面がカラーフィルタ基板２０の端面よりもわずかに外側に張り出した構成とされ、シール剤４０の外側に位置する当該張り出した部分の表面には、第１ゲート配線３３６Ｇ１のうち第１ゲート絶縁膜３３８Ｇ１から露出した部分が伸びている。そして、フレキシブル基板２１２の一端部は、当該張り出した部分（図１６において符号３３０Ａ１で示す部分）に配されるとともに、その端面がシール剤４０の外面と近接した状態で液晶パネル３１０に接続されている。

　上記のような構成とされた本変形例の液晶パネル３１０は、例えば以下のようにして製造する。即ち、金属配線形成工程では、上記張り出した部分３３０Ａ１に至るまでパターニングされた第１ゲート配線３３６Ｇ１を形成する。そして、貼り合わせ工程では、シール剤４０の一部の外面がフレキシブル基板２１２の一端部の端面と近接するように塗布位置を調整しながら、第２ガラス基板３３０Ａ上にシール剤４０を塗布する。そして、第１基板除去工程では、シール剤４０の外側に上記張り出した部分３３０Ａ１を確保しながら第２ガラス基板３３０Ａの一部を除去する。その他の製造過程については実施形態１と同様である。このようにして製造された本変形例の液晶表示装置では、上記張り出した部分３３０Ａ１が、シール剤の外面とフレキシブル基板２１２との間の隙間の距離に加え、数十μｍ程度の幅を有していれば、フレキシブル基板２１２の一端部を液晶パネル３１０に接続することができるので、シール剤の外側にフレキシブル基板の実装領域が確保された従来の液晶表示装置と比べて、狭額縁を実現することができる。

　＜実施形態３＞
　次に、図１８及び図１９を参照して実施形態３を説明する。本実施形態に係る液晶表示装置４０１は、フレキシブル基板１２に加え、アレイ基板３０とカラーフィルタ基板２０の間に第１ダミー基板（ダミー基板の一例）１２Ｄ１が配されている点が実施形態１のものと異なっている。その他の構成については実施形態１と同様であるため、説明を省略する。本実施形態では、図１８及び図１９に示すように、平面視矩形状とされた液晶パネル４１０のうち、表示領域Ａ１を挟んでフレキシブル基板１２が接続された側の端部（一辺）とは反対側の端部（一辺）に、Ｚ軸方向においてシール剤４０の一部と重畳する形で第１ダミー基板１２Ｄ１が配されている。第１ダミー基板１２Ｄ１は、材質及び厚みがフレキシブル基板１２と等しくされており、その外面がアレイ基板３０の端面及びカラーフィルタ基板２０の端面と一致した状態で第２ガラス基板３０Ａ上に形成されている。なお、第１ダミー基板１２Ｄ１は、シール剤４０の外側にはほとんど露出していないので、第１ダミー基板１２Ｄ１上には補強樹脂膜が形成されていない。

　ここで仮に、平面視矩形状とされた液晶パネルの一辺側にのみフレキシブル基板が配されていると、液晶パネルの製造過程においてアレイ基板とカラーフィルタ基板とを貼り合わせる際、液晶パネルのパネル面内に均等に圧力が加わらず、両基板間の距離の制御が困難となることがある。これに対し本実施形態では、液晶パネル４１０のうち、表示領域Ａ１を挟んでフレキシブル基板１２が接続された側の端部とは反対側の端部に材質及び厚みがフレキシブル基板１２と等しい第１ダミー基板１２Ｄ１が配されている。このため、液晶パネル４１０の製造過程においてアレイ基板３０とカラーフィルタ基板２０とを貼り合わせる際、液晶パネル４１０のパネル面内に均等に圧力が加わり易いものとすることができ、アレイ基板３０とカラーフィルタ基板２０との間の距離を略均一にすることができる。その結果、液晶表示装置４０１の表示品位を向上させることができる。

　＜実施形態３の変形例＞
　図２０を参照して実施形態３の変形例を説明する。本変形例に係る液晶表示装置５０１は、アレイ基板３０とカラーフィルタ基板２０との間に、フレキシブル基板１２及び第１ダミー基板１２Ｄ１に加え、第２ダミー基板１２Ｄ２及び第３ダミー基板１２Ｄ３が配されている点が実施形態３のものと異なっている。その他の構成については、実施形態３で説明した液晶表示装置４０１と同様である。

　本変形例では、図２０に示すように、平面視矩形状とされた液晶パネル５１０のうち、フレキシブル基板１２が接続された側の端部（一辺）を除く他の全ての端部（他の三辺）に、それぞれ材質及び厚みがフレキシブル基板１２と等しい第１ダミー基板１２Ｄ１、第２ダミー基板１２Ｄ２、第３ダミー基板１２Ｄ３が配されている。このため、液晶パネル５１０の製造過程においてアレイ基板３０とカラーフィルタ基板２０とを貼り合わせる際、液晶パネル４１０のパネル面内により均等に圧力が加わり易いものとすることができ、アレイ基板３０とカラーフィルタ基板２０との間の距離を略均一にすることができる。なお、本変形例においても実施形態３と同様に、各ダミー基板１２Ｄ１，１２Ｄ２，１２Ｄ３上には補強樹脂膜が形成されていない。

　＜実施形態４＞
　次に、図２１から図２４を参照して実施形態４を説明する。本実施形態に係る液晶表示装置は、バックライト装置６４４の裏側に位置する第３ガラス基板３０Ｂ上にＩＣチップ６１６がＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている点が実施形態１のものと異なっている。その他の構成については実施形態１と同様であるため、説明を省略する。本実施形態では、図２１に示すように、フレキシブル基板６１２が折り曲げられてフレキシブル基板６１２の他端部（アレイ基板３０に接続された側とは反対側の端部）がバックライト装置６４４の裏側に位置しており、当該他端部に第３ガラス基板３０Ｂが接続されている。この第３ガラス基板３０Ｂは、製造工程において第２ガラス基板３０Ａから切り離されたものである。

　また、本実施形態においても、図２１に示すように、シール剤４０の外側に位置するフレキシブル基板６１２上のほぼ全域に補強樹脂膜１７が形成されている。また、第３ガラス基板３０Ｂ上には、ゲート配線６３６Ｇから離間した形でパターン配線６４７が形成されている。第３ガラス基板３０Ｂ上に配されたゲート配線６３６Ｇの一端部はゲート絶縁膜６３８Ｇから露出している。そして、第３ガラス基板３０Ｂ上に配されたゲート配線６３６Ｇの上記露出する部分とパターン配線６４７との間に跨る形で、ＩＣチップ１６が異方性導電膜６４６を介して第３ガラス基板３０Ｂ上にＣＯＧ実装されており、これにより、ゲート配線６３６Ｇとパターン配線３０Ｂ１との間が電気的に接続されている。なお、コントロール基板は、図示はしないが、別のフレキシブル基板等を介してパターン配線３０Ｂ１に接続することができる。

　次に、上記のような構成とされた液晶パネル６１０の製造方法を説明する。まず、実施形態１と同様に、第１樹脂膜形成工程、金属配線形成工程、パターン形成工程、貼り合わせ工程を行う。このとき第１樹脂膜形成工程では、図２１に示すように、第２ガラス基板３０Ａ上のうちフレキシブル基板６１２を挟んで薄膜パターン群３０Ｌを形成する領域とは反対側にＩＣチップ６１６を実装するための領域（図２１において符号３０Ａ２で示す部分）を確保しつつ第２ガラス基板３０Ａ上にフレキシブル基板６１２を形成する。また、金属配線形成工程では、ゲート配線６３６Ｇの先端部（第１樹脂膜形成工程で確保した上記領域３０Ａ２上に形成される部分）に、ゲート配線６３６Ｇと同一材料からなり、ゲート配線６３６Ｇの先端部と所定の間隔を空けつつ対向状に配されるパターン配線６４７を形成する。その後、実施形態１と同様に第２基板除去工程と第２樹脂膜形成工程とを順に行う（図２２及び図２３参照）。

　次に、光照射工程を行う。この工程では、図２３に示すように、フレキシブル基板６１２の両端部を除く部分と第２ガラス基板３０Ａとの境界部にレーザＬ１を照射し、当該境界部に脆弱層６１２Ａを形成する。なお、光照射工程を第２基板除去工程より先に行ってもよい。次に、図２３に示すように、第２ガラス基板３０Ａ上のうち第１樹脂膜形成工程で確保した上記領域３０Ａ２上に、ＩＣチップ６１６を実装する（実装工程）。この実装工程では、ゲート配線６３６Ｇとパターン配線６４７との間に跨る形で、異方性導電膜６４６を介してフレキシブル基板６１２を形成しない上記領域３０Ａ２上にＩＣチップ６１６をＣＯＧ実装する。

　次に、第１基板除去工程を行う。この工程では、図２３に示すように、第２ガラス基板３０Ａのうち上記光照射工程でレーザが照射された部分と他の部分との境界部である２箇所にそれぞれ切り込みを入れ、第２ガラス基板３０Ａのうち当該２箇所の境界部の間に位置する部分をフレキシブル基板６１２から剥離させて除去する。これにより、図２４に示すように、第２ガラス基板３０Ａの一部が除去され、第２ガラス基板３０Ａ上のうちフレキシブル基板６１２を形成しない上記領域３０Ａ２が、第２ガラス基板３０Ａから離間した第３ガラス基板３０Ｂとされる。

　その後、両ガラス基板２０Ａ、３０Ａの外面側にそれぞれ偏光板を貼り付け、アレイ基板３０の裏側にバックライト装置６４４を組み付けるとともに、第３ガラス基板３０Ｂ上のパターン配線６４７にコントロール基板を接続する。そして、第３ガラス基板３０Ｂがバックライト装置６４４の裏側に位置するまで、フレキシブル基板６１２を撓ませて折り曲げる。以上の手順により、本実施形態の液晶表示装置が完成する。

　以上説明した本実施形態の製造方法によると、第１樹脂膜形成工程で確保した上記領域３０Ａ２にＩＣチップ６１６を実装し、第１基板除去工程において第２ガラス基板３０Ａのシール剤４０の外側に位置する部分のうちフレキシブル基板６１２を形成しない上記領域３０Ａ２を除く一部を除去することで、第１基板除去工程後にシール剤４０とＩＣチップ６１６との間に位置するフレキシブル基板６１２を撓ませて折り曲げることができる。このため、シール剤４０の外側にＩＣチップ６１６の実装領域を確保することなく、シール剤４０の外側に位置する部分であってフレキシブル基板６１２上を除いた部分、具体的には第２ガラス基板３０Ａから切り離された第３ガラス基板３０Ｂ上にＩＣチップ６１６をＣＯＧ実装することができ、狭額縁が実現された液晶表示装置を製造することができる。

　なお、フレキシブル基板の厚みが非常に薄くされた構成では、仮にフレキシブル基板上にＩＣチップが実装され、かつ、第１基板除去工程においてフレキシブル基板の直下に位置する第２ガラス基板が除去された場合、フレキシブル基板のうちＩＣチップが実装された部位が第２ガラス基板によって支持されなくなり、当該部位が破損する虞がある。これに対し本実施形態では、シール剤４０の外側に位置する第３ガラス基板３０Ｂ上にＩＣチップ６１６が実装されるため、フレキシブル基板６１２の厚みが非常に薄くされた（例えば２μｍ）構成を実現しながら、上述したようなフレキシブル基板６１２の破損を抑制することができる。

　＜実施形態５＞
　次に、図２５を参照して実施形態５を説明する。本実施形態の液晶表示装置は、図２５に示すように、液晶パネル７１０のアレイ基板３０の裏側にバックライト装置（照明装置の一例）６４４が固着されて組み付けられており、フレキシブル基板１２のうちアレイ基板３０とカラーフィルタ基板２０との間に位置する部分を除く部分がバックライト装置６４４に固着されている。その他の構成については実施形態１と同様である。

　本実施形態では、上記のような構成とされていることで、液晶パネルやフレキシブル基板がバックライト装置から離間した構成と比べて液晶表示装置の薄型化を図ることができる。また、仮に液晶パネルやフレキシブル基板がバックライト装置から離間した構成である場合、液晶表示装置の製造過程においてフレキシブル基板を液晶表示装置の筐体等に組み付ける際にフレキシブル基板が撓んでフレキシブル基板が破損する虞があるが、本実施形態では、上記のような構成とされることで、液晶表示装置の製造過程においてフレキシブル基板１２が破損することを抑制することができる。

　上記の各実施形態の変形例を以下に列挙する。
（１）上記の各実施形態では、フレキシブル基板のうちアレイ基板とカラーフィルタ基板との間に配された部分が、Ｚ軸方向において液晶パネルの非表示領域と重畳する位置にのみ配された構成を例示したが、フレキシブル基板のうちアレイ基板とカラーフィルタ基板との間に配された部分の一部が、液晶パネルの表示領域と重畳する構成であってもよい。このような構成であっても、例えばフレキシブル基板が透光性の透明材料で形成されている場合は、表示不良や表示品位の劣化が発生し難い。

（２）上記の各実施形態では、フレキシブル基板が不透明なポリイミドを主成分とする樹脂材料から構成された例を示したが、フレキシブル基板を構成する材料は限定されない。耐熱性の観点からポリイミドを用いることが好ましいが、実施形態２のように薄膜パターン群をフレキシブル基板より先に形成する場合には、透明なポリイミドやポリイミド以外の樹脂材料でフレキシブル基板を形成しても、パターン形成工程において、フレキシブル基板に悪影響が及ぶことを抑制することができる。

（３）上記の各実施形態では、ＩＣチップがガラス基板上又はコントロール基板上に実装された構成を例示したが、ＩＣチップが実装される位置については限定されない。例えば、ガラス基板に支持されたフレキシブル基板上にＩＣチップが実装された構成であってもよいし、シール剤の外側にガラス基板を有しながらガラス基板上及びフレキシブル基板上のいずれにもＩＣチップが実装されない構成であってもよい。

（４）上記の各実施形態では、液晶パネルが平面視矩形状とされた構成を例示したが、液晶パネルの外形形状をなす輪郭線の少なくとも一部が曲線状とされている構成であっても、本発明は適用可能である。

（５）上記の各実施形態では、貼り合わせ工程において液晶滴下装置を用いたＯＤＦ（One Drop Fill）法によって、シール剤に囲まれた領域内に液晶を滴下注入することで一対の基板の間に液晶層を形成する例を示したが、これに限定されない。例えば貼り合わせ工程後に一対の基板の間に液晶を注入することで液晶層を形成してもよい。

（６）上記の各実施形態では、光照射工程において第２ガラス基板とフレキシブル基板との境界部に光を照射する例を示したが、光照射工程において照射する光はレーザに限定されない。光照射工程において上記境界部に例えばフラッシュランプ等の他の光を照射することでその光エネルギーによってフレキシブル基板のうち上記境界部に位置する部分に脆弱層を形成してもよい。

（７）上記の各実施形態では、第２樹脂膜を構成する樹脂として、アクリル系樹脂やシリコン樹脂を例示したが、第２樹脂膜を構成する樹脂は限定されない。また、上記の各実施形態では、溶液状の樹脂を塗布して硬化させることで第２樹脂膜を形成する例を示したが、第２樹脂膜を形成する方法についても限定されない。例えば、フィルム状の樹脂を粘着剤等によってガラス基板上に貼り付けることで第２樹脂膜を形成してもよい。

（８）上記の実施形態４では、第１基板除去工程の前に実装工程を行う例を示したが、実装工程を第１基板除去工程の後に行ってもよい。

（９）上記の各実施形態では、液晶パネルの駆動方式がＴＮ（Twisted Nematic）型とされた液晶表示装置の製造方法を例示したが、これに限定されない。例えば液晶パネルの駆動方式がＩＰＳ（In-Plane Swiching）型、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）型、ＦＦＳ（Fringe Field Swiching）型とされた液晶表示装置の製造過程において本発明を適用してもよい。

（１０）上記の各実施形態では、液晶表示装置及びその製造方法について説明したが、これに限定されず、本発明は、液晶表示装置以外の表示装置にも適用可能である。例えば、有機ＥＬ表示装置の製造過程において本発明を適用してもよい。

　以上、各実施形態について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

　１，４０１，５０１：液晶表示装置、１０，１１０Ａ，１１０Ｂ，２１０，３１０，４１０，７１０：液晶パネル、１２，２１２，６１２：フレキシブル基板、１２Ｄ１：第１ダミー基板、１２Ｄ２：第２ダミー基板、１２Ｄ３：第３ダミー基板、１３：ポリイミド膜、１４：コントロール基板、１６，６１６：ＩＣチップ、１７：補強樹脂膜、１８：液晶層、２０：カラーフィルタ基板、２０Ａ：第１ガラス基板、２４：対向電極、３０，１３０，２３０：アレイ基板、３０Ａ，１３０Ａ，１３０Ｂ，２３０Ａ，３３０Ａ：第２ガラス基板、３０Ｂ：第３ガラス基板、３０Ｂ１：パターン配線、３０Ｌ，２３０Ｌ：薄膜パターン群、３２：ＴＦＴ、３２Ｄ：ドレイン電極、３２Ｇ：ゲート電極、３２Ｓ：ソース電極、３４：画素電極、３６Ｇ，６３６Ｇ：ゲート配線、３７：半導体膜、３８Ｇ，２３８Ｇ，３３８Ｇ，６３８Ｇ：ゲート絶縁膜、４０：シール剤、４４：スクライバー、２３６Ｇ１，３３６Ｇ１：第１ゲート配線、２３６Ｇ２，３３６Ｇ２：第２ゲート配線、２３８Ｇ１：第１ゲート絶縁膜、２３８Ｇ２：第２ゲート絶縁膜、６４６：異方性導電膜、Ａ１：表示領域、Ａ２：非表示領域、ＣＨ１，ＣＨ２：コンタクトホール

Claims

　第１基板上の一部に可撓性を有する第１樹脂膜を形成する第１樹脂膜形成工程と、
　前記第１基板上の他の一部と前記第１樹脂膜上とに亘って連続する金属配線を形成するとともに該金属配線上に絶縁膜を形成する金属配線形成工程と、
　前記第１基板上の前記他の一部に複数の薄膜パターンを形成するパターン形成工程と、
　前記樹脂膜形成工程及び前記金属配線形成工程及び前記パターン形成工程の後に、前記薄膜パターンを囲む形で前記第１基板上にシール剤を塗布し、該シール剤を介して前記第１基板を第２基板と対向状に貼り合わせる貼り合わせ工程と、
　前記貼り合わせ工程の後に、前記第２基板のうち前記シール剤の外側に位置する部分を除去する第２基板除去工程と、
　前記第２基板除去工程の後に、前記シール剤の外側に位置する前記第１樹脂膜上に第２樹脂膜を形成する第２樹脂膜形成工程と、
　前記貼り合わせ工程の後に、前記第１基板のうち前記シール剤の外側に位置する部分の少なくとも一部を前記第１樹脂膜から剥離させて除去する第１基板除去工程と、
　を備える表示装置の製造方法。
　前記第１樹脂膜形成工程及び前記金属配線形成工程では、前記第１樹脂膜の厚みと前記金属配線の厚みと前記絶縁膜の厚みとの総和が、前記貼り合わせ工程で対向状に貼り合わせる前記第１基板と前記第２基板との間の間隔よりも小さくなるように前記第１樹脂膜と前記金属配線と前記絶縁膜とを形成し、
　前記第２樹脂膜形成工程では、前記第１樹脂膜の厚みと前記金属配線の厚みと前記絶縁膜の厚みとの総和よりも大きな厚みで前記第２樹脂膜を形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
　前記第１樹脂膜形成工程及び前記金属配線形成工程では、前記第１樹脂膜の厚みと前記金属配線の厚みと前記絶縁膜の厚みとの総和が、前記パターン形成工程で形成する前記薄膜パターンの厚みよりも小さくなるように前記第１樹脂膜と前記金属配線と前記絶縁膜とを形成する、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
　前記第１基板除去工程の前に、前記第１基板除去工程で除去する前記第１基板の一部と前記樹脂膜との境界部に光を照射する光照射工程をさらに備える、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
　前記第１樹脂膜形成工程では、ポリイミドを主成分とする前記第１樹脂膜を用いる、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
　前記第１樹脂膜形成工程では、前記第１基板上のうち前記第１樹脂膜を挟んで前記薄膜パターンを形成する領域とは反対側に当該表示装置を駆動する駆動部品を実装するための領域を確保しつつ前記第１基板上に前記第１樹脂膜を形成し、
　前記第１基板除去工程では、前記第１基板のうち前記第１樹脂膜形成工程で確保した前記領域を除いた領域の少なくとも一部を除去し、
　前記第２基板除去工程の後に、前記第１基板上のうち前記第１樹脂膜形成工程で確保した前記領域に前記駆動部品を実装する実装工程を備える、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
　前記第１樹脂膜形成工程では、前記第１基板との境界部近傍に金属膜を含む前記第１樹脂膜を形成する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
　シール剤を介して貼り合わされた一対の基板を有し、表示を行う表示パネルと、
　可撓性を有し、前記表示パネルを駆動するための信号が伝送される金属配線及び該金属配線を覆う絶縁膜が形成されたフレキシブル基板であって、一端部が一方の前記基板に接続され、その一部が一対の前記基板の間であって該基板の厚み方向において前記シール剤と重畳する位置に配された第１樹脂膜からなるフレキシブル基板と、
　前記フレキシブル基板を補強する補強樹脂膜であって、前記一対の基板の外側において前記第１樹脂膜上に該第１樹脂膜よりも大きな厚みで配された第２樹脂膜からなる補強樹脂膜と、
　を備える表示装置。
　一方の前記基板上に複数の薄膜パターンが形成され、
　前記シール剤は前記薄膜パターンを囲む形で配され、
　前記金属配線が単一の金属膜からなるとともにその一部が前記薄膜パターンの一部を構成して該薄膜パターンから前記シール剤の外側にはみ出す形で連続して配されている、請求項８に記載の表示装置。
　前記表示パネルは、そのパネル面内に画像を表示する表示領域と画像を表示しない非表示領域とを有し、
　前記フレキシブル基板は、一対の前記基板の間に配された部分が該基板の厚み方向において前記非表示領域と重畳する位置にのみ配されている、請求項８または請求項９に記載の表示装置。
　前記表示パネルは、平面視において矩形状とされ、
　前記表示パネルの一辺側に前記フレキシブル基板が配されるとともに、少なくとも一つの他の辺側に、その一部が一対の前記基板の間で該基板の厚み方向において前記シール剤と重畳する配置で、材質及び厚みが前記フレキシブル基板と等しいダミー基板が配されている、請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
　前記表示パネルに光を供給する照明装置をさらに備え、
　一方の前記基板が前記照明装置に固着され、
　前記フレキシブル基板のうち一対の前記基板の間に配された部分を除く部分の少なくとも一部が前記照明装置に固着されている、請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。