[go: up one dir, main page]

WO2015182581A1 - 空隙形成用組成物、その組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

空隙形成用組成物、その組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2015182581A1
WO2015182581A1 PCT/JP2015/065030 JP2015065030W WO2015182581A1 WO 2015182581 A1 WO2015182581 A1 WO 2015182581A1 JP 2015065030 W JP2015065030 W JP 2015065030W WO 2015182581 A1 WO2015182581 A1 WO 2015182581A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
void
composition
forming composition
semiconductor device
group
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/065030
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
茂正 中杉
貴史 絹田
剛 能谷
Original Assignee
アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ） ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ） ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ filed Critical アーゼット・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ） ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ
Priority to JP2016523501A priority Critical patent/JP6573876B2/ja
Priority to US15/313,670 priority patent/US10435555B2/en
Priority to CN201580028112.0A priority patent/CN106471057A/zh
Priority to EP15800354.1A priority patent/EP3150668A4/en
Priority to KR1020167036775A priority patent/KR20170013939A/ko
Priority to SG11201609064XA priority patent/SG11201609064XA/en
Publication of WO2015182581A1 publication Critical patent/WO2015182581A1/ja
Priority to IL248722A priority patent/IL248722A0/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L65/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L65/02—Polyphenylenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L65/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L71/08—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives
    • C08L71/10—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives from phenols
    • C08L71/12—Polyphenylene oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L77/00—Compositions of polyamides obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L77/10—Polyamides derived from aromatically bound amino and carboxyl groups of amino-carboxylic acids or of polyamines and polycarboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/02—Polyamines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L81/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of polysulfones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L81/02—Polythioethers; Polythioether-ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L81/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of polysulfones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L81/06—Polysulfones; Polyethersulfones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L85/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage in the main chain of the macromolecule containing atoms other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen and carbon; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L85/02—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage in the main chain of the macromolecule containing atoms other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen and carbon; Compositions of derivatives of such polymers containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L85/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage in the main chain of the macromolecule containing atoms other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen and carbon; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L85/04—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage in the main chain of the macromolecule containing atoms other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen and carbon; Compositions of derivatives of such polymers containing boron
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/5329—Insulating materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/11—Homopolymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/312—Non-condensed aromatic systems, e.g. benzene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/316—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • C08G2261/3162—Arylamines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2650/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2650/28—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type
    • C08G2650/38—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type containing oxygen in addition to the ether group
    • C08G2650/40—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type containing oxygen in addition to the ether group containing ketone groups, e.g. polyarylethylketones, PEEK or PEK
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/02—Polyamines
    • C08G73/026—Wholly aromatic polyamines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • the present invention relates to a void forming composition capable of easily forming a void structure between metal wirings in a semiconductor element or the like, and a void forming method between metal wirings using the composition.
  • a silica (SiO 2 ) film formed by a vacuum process such as a CVD method is frequently used as an interlayer insulating film in a semiconductor element or the like.
  • a coating type insulating film called SOG (Spin on Glass) film containing a hydrolysis product of tetraalkoxylane as a main component is also used.
  • SOG Spin on Glass
  • Patent Documents 1, 2, and 3 As a method for reducing the parasitic capacitance between wirings, for example, a semiconductor device in which a gap is formed between wirings as described in Patent Documents 1, 2, and 3 has been proposed.
  • a filling such as an organic resist or a silica compound
  • the filling is removed by etching or ashing to form a gap between the metal wirings.
  • Patent Documents 4, 5, and 6 have proposed fillers used to form gaps between wirings.
  • these fillers have not enough thermal stability at around 400 ° C., and the parasitic capacitance between wirings cannot be sufficiently reduced, so there is room for improvement.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a void-forming composition having a specific heat-resistant temperature and a specific thermal decomposition temperature, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same.
  • the void-forming composition according to the present invention is Following formula (1): Or the following formula (2): [Where: Ar 1 , Ar 2 , and Ar 2 ′ are each independently an aromatic group containing one or more benzene rings, wherein the aromatic group is alkyl, aryl, alkoxy, nitro, amide, dialkylamino, sulfonamido, Optionally substituted with a substituent selected from the group consisting of imide, carboxy, sulfonate, alkylamino, and arylamino; L 1 and L 2 are each independently oxygen, sulfur, alkylene, sulfone, imide, carbonyl, or the following general formula (3): ⁇ Where, Ar 3 is an aromatic group containing one or more benzene rings, wherein the aromatic group is alkyl, aryl, alkoxy, nitro, amide, dialkylamino, sulfonamide, imide, carboxy, sulfonate ester, alkylamino, and Optionally
  • a method for forming a gap between wirings includes a step of coating a surface of a porous insulating film formed on a semiconductor substrate with the composition for forming a gap, and the composition for forming a gap on the semiconductor substrate.
  • a void is formed between the metal wirings by the step of embedding in the metal and the step of removing the void forming composition.
  • voids can be easily formed between multilayer wirings by applying a void-forming composition containing a polymer having a specific heat-resistant temperature and a specific thermal decomposition temperature to the porous material.
  • a semiconductor device having desired characteristics can be easily manufactured.
  • FIGS. 1A to 1D are schematic cross-sectional views showing a part of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • the present invention relates to a void forming composition.
  • the void forming composition is a composition for forming voids between metal wirings of a substrate in the manufacturing process of a semiconductor device. More specifically, it has the property that it can be filled with voids and vacancies on the substrate surface, is stable below a certain temperature, and can be easily removed by vaporization when exceeding a certain temperature. is there.
  • This void forming composition comprises a specific polymer and a solvent.
  • Ar 1 , Ar 2 , and Ar 2 ′ are aromatic groups containing one or more benzene rings. These aromatic groups preferably contain only one benzene ring, but may contain condensed aromatic rings such as naphthalene ring and anthracene ring.
  • Ar 1 , Ar 2 , and Ar 2 ′ are divalent groups, but the position of the bond is not particularly limited, and may be any of the o-position, m-position, and p-position. Good. However, it is preferable to have two bonds at the p-position from the viewpoint of ease of synthesis and heat resistance.
  • Ar 1 , Ar 2 , and Ar 2 ′ may have a substituent.
  • the substituent is selected from the group consisting of alkyl, aryl, alkoxy, nitro, amide, dialkylamino, sulfonamide, carboxy, sulfonate ester, alkylamino, and arylamino, but if this substituent is too bulky Since the properties due to the polymer main chain may be impaired, the number of carbon atoms contained in the substituent is preferably 10 or less.
  • L 1 and L 2 are linking groups that bind the aromatic rings.
  • the linking group is selected from oxygen, sulfur, alkylene, sulfone, imide, and carbonyl.
  • the linking group is alkylene, a relatively short alkylene group having 1 to 3 carbon atoms is preferred.
  • the coupling group represented by General formula (3) may be sufficient.
  • Ar 3 is selected from an aromatic group (but a monovalent group) having the same structure as Ar 1 or the like. When Ar 3 further has an aromatic group as a substituent, the polymer has a so-called branched chain structure.
  • the polymer used in the present invention preferably has a linear structure.
  • L 3 is selected from any of nitrogen, boron, and phosphorus, and is not particularly limited. Among these, nitrogen or boron is preferable from the viewpoint of availability of the polymer or ease of synthesis.
  • the molecular weight of the polymer that can be used in the present invention can be arbitrarily adjusted according to the purpose.
  • the mass average molecular weight is preferably 1,000 to 1,000,000, and more preferably 3,000 to 500,000.
  • the mass average molecular weight refers to a polystyrene equivalent mass average molecular weight.
  • the molecular weight distribution of a polymer is small from the viewpoints of penetrability when a composition is applied and uniformity of a film to be formed.
  • the void forming composition according to the present invention contains a solvent. This solvent needs to be able to dissolve the polymer.
  • THF, GBL, NMP, DMAC, cyclohexanone, chlorobenzene, chloroform, or toluene is preferable from the viewpoint of solubility
  • THF, GBL, cyclohexanone, chlorobenzene, or toluene is preferable from the viewpoint of applicability.
  • THF, GBL, NMP, DMAC, and a mixed solvent of cyclohexanone and chlorobenzene are preferable.
  • the void-forming composition according to the present invention essentially comprises the polymer and the solvent.
  • the content of the polymer contained in the composition is appropriately adjusted according to the size of the target void, the viscosity of the composition, etc., but generally 0.2 to It is 20% by mass, preferably 0.3 to 10% by mass, more preferably 0.5 to 5% by mass.
  • the void forming composition according to the present invention may contain other components as required.
  • a surfactant any conventionally known surfactant can be used, and an alkylene glycol chain-containing surfactant is particularly preferable.
  • these additives do not affect the performance of the composition for forming a fine pattern, and are generally 1% or less, preferably 0.1% or less, more preferably based on the total mass of the composition. Is 0.05% or less.
  • the void forming composition according to the present invention needs to permeate into narrow trenches or small vacancies, so that the viscosity may have an important meaning.
  • the viscosity of the composition is appropriately adjusted according to the purpose of use.
  • the composition after coating can be allowed to permeate into the pores by lowering the viscosity under high temperature conditions. In such a case, even a composition having a relatively high viscosity at room temperature can be sufficiently penetrated into the pores.
  • Method for forming gap between wiring and method for manufacturing semiconductor device According to the method for forming a gap between wirings and the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a material having a gap, a hole, a groove, a recess, or the like that has been formed in advance is protected in the process of manufacturing the semiconductor device.
  • such materials are collectively referred to as a porous material.
  • Many of the low dielectric constant materials to which the present invention is applied are porous materials having a plurality of pores. That is, since such a porous material has a low density, it is easily damaged physically or chemically when subjected to, for example, a dry etching process.
  • the edge part is easy to receive a physical or chemical damage compared with a flat part.
  • the second method according to the present invention prevents such damage. Such a method is described below with reference to the drawings.
  • the void forming composition 101 is applied to the surface of the porous material 100 (FIG. 1A).
  • the porous material include materials made of silicon dioxide or polyamide.
  • the size and porosity of the pores or voids formed in the porous material vary depending on the performance required for the target semiconductor device, but generally the average diameter of the pores is 100 nm. Or less, preferably 40 nm or less. In general, the porosity is 5 to 70%, preferably 5 to 50%.
  • the average diameter of the pores can be measured by observing with a transmission electron microscope (TEM), and the porosity can be obtained by calculating according to the logarithmic mixing law using the dielectric constant.
  • TEM transmission electron microscope
  • the void forming composition applied to the surface of the porous material 100 penetrates into the porous material over time and fills the pores, but the penetration can be accelerated by pressurization or heating. It is particularly preferable to warm. This is because the viscosity of the composition decreases due to the temperature rise, and the penetration into the pores is accelerated. In addition, it is preferable to select a solvent to be used in consideration of applicability and permeability of the void forming composition.
  • the porous material 100 is sufficiently infiltrated with the void-forming composition and then heated or the like to evaporate a part or all of the solvent in the composition to solidify the composition in the pores, so that the sacrificial material 101A Convert to Thereafter, the sacrificial material exposed on the surface is removed as necessary, and a porous material in which the pores are filled with the sacrificial material is obtained (FIG. 1B). This filled hole portion becomes a sacrificial region.
  • the surface of the material is processed by plasma etching or dry etching to form a concave portion such as the groove structure 103 (FIG. 1C).
  • plasma etching or dry etching employed for surface processing of the porous material is performed under conditions different from the plasma processing performed when the sacrificial material is removed.
  • the porous material is made of silicon dioxide, CF 4 , CHF 3 , and a mixed gas thereof are generally selected as gases used for dry etching.
  • the voids are filled with the sacrificial material, the entire material has high mechanical strength, and thus is not easily damaged by lithography, plasma etching, or dry etching.
  • the trench structure 103 is filled with a metal material by, for example, chemical vapor deposition to form a metal wiring, and then the sacrificial material is selectively removed.
  • the method for selectively removing the sacrificial material is not particularly limited. However, the method for removing the sacrificial material by heating, the method for removing the sacrificial material by plasma treatment, the method for removing the sacrificial material by dissolving it with a solvent that dissolves the sacrificial material, and the high energy A method of removing by irradiating the wire is preferable, and heating is particularly preferable.
  • the sacrificial material 101A filled in the holes can be decomposed and vaporized and removed by heating the entire material (FIG. 1D).
  • the sacrificial region returns to the hollow state and the gap 104 is formed.
  • a porous material whose surface is processed can be obtained without causing damage in the process of plasma etching or dry etching. Since a semiconductor device manufactured using a porous material that is not damaged as described above has few defects, it can be manufactured with high productivity.
  • the void forming composition is preferably excellent in coating properties and permeability into a porous material.
  • a nonpolar solvent such as MIBK is preferably used as the solvent.
  • the molecular weight of the polymer contained in the composition can be adjusted. In such a case, the mass average molecular weight of the polymer is generally 1,000 to 150,000, preferably 1,500 to 50,000. Further, it is preferable that the plasma etching or the dry etching is not decomposed and vaporized but is completely decomposed and vaporized by the subsequent heating.
  • the temperature at which the sacrificial material decomposes and vaporizes is adjusted accordingly.
  • the sacrificial material does not substantially decompose and vaporize at, for example, 400 ° C., and substantially completely decomposes and vaporizes at, for example, 600 ° C.
  • the weight loss when the sacrificial material is heated at 400 ° C. for 1 hour in an inert gas atmosphere or air is preferably 5% or less, more preferably 3% or less, and 600
  • the weight loss upon heating at 1 ° C. for 1 hour is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more.
  • the sacrificial material formed from this composition is substantially composed of the above-mentioned polymer. For this reason, the weight reduction of the sacrificial material and the weight reduction of the polymer itself substantially coincide.
  • the reaction solution was poured into acetone (54000 parts), and the powder was filtered.
  • the powder was dissolved in chloroform (4000 parts), the insoluble part was removed by filtration, and a 1% by mass aqueous ammonia solution (4000 parts) was added to the filtrate to extract the chloroform solution. Further, the chloroform solution was concentrated, the solution was poured into acetone (54000 parts), the powder was filtered, and vacuum dried at 90 ° C. to obtain 85 parts (yield: 40%) of polymer P1.
  • the prepared void forming composition was applied onto a porous SiO 2 wafer by spin coating, and heated on a vacuum hot plate at 150 ° C. in a nitrogen atmosphere for 5 minutes to obtain a void forming polymer thin film.
  • the weight reduction of the void forming polymer thin film was measured by the above-mentioned method, the weight reduction when heated at 400 ° C. (in an air atmosphere) for 1 hour was 0.03%, and 1% at 600 ° C. (in air atmosphere). The weight loss upon heating for 9 hours was 99.23%.
  • the void forming polymer thin film was heated on a vacuum hot plate at 330 ° C. in a nitrogen atmosphere for 5 minutes to embed the void forming polymer thin film in a porous SiO 2 wafer. Furthermore, the excess polymer film for void formation on the porous SiO 2 wafer was removed by rinsing with the prepared solvent cyclohexanone for 20 seconds. As a result of measuring the porous SiO 2 wafer embedded with the void forming polymer thin film with a spectroscopic ellipsometer, the refractive index (n value) at a wavelength of 633 nm was 1.46. Furthermore, as a result of measuring the porous SiO 2 wafer after heating for 1 minute at 400 ° C.
  • the refractive index (n value) at a wavelength of 633 nm was 1.46. Further, the void forming polymer thin film was thermally decomposed by heating in an air atmosphere at 600 ° C. for 1 hour. As a result of measuring the porous SiO 2 wafer after thermal decomposition with a spectroscopic ellipsometer, the refractive index (n value) at a wavelength of 633 nm is 1.31, and the refractive index of the untreated porous SiO 2 wafer (n Value).
  • Examples 2-7 and Comparative Examples 1-2 Compositions of Examples 2 to 7 and Comparative Examples 1 to 2 were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the components of the void forming composition were changed as shown in Table 1. The obtained results were as shown in Table 1.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

［課題］所望の温度で完全に分解気化する犠牲材料からなる犠牲領域を形成させることができる空隙形成用組成物とそれを用いた半導体装置の製造方法の提供。 ［解決手段］下記式（１）： または下記式（２）：［式中、　Ａｒ１、Ａｒ２、およびＡｒ２'はそれぞれ独立に、非置換または置換された芳香族基であり、　Ｌ１～Ｌ２はそれぞれ独立に、酸素、硫黄、アルキル、スルホン、アミド、ケトンもしくは下記一般式（３）：｛式中、　Ａｒ３は芳香族基であり、 Ｌ３は窒素、ホウ素、およびリンからなる群から選択される３価原子である。｝からなる群から選択される。］ で表される少なくとも１種の繰り返し単位を５つ以上含むポリマーと、 溶剤と、 を含んでなることを特徴とする空隙形成用組成物。

Description

空隙形成用組成物、その組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法
　本発明は、半導体素子などにおける金属配線間に容易に空隙構造を形成させることが可能な空隙形成用組成物、およびその組成物を用いた金属配線間の空隙形成方法に関するものである。
　従来、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、ＣＶＤ法などの真空プロセスで形成されたシリカ（ＳｉＯ２）膜が多用されている。また、主に平坦化を目的として、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれるテトラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布型の絶縁膜も使用されている。近年、半導体素子などの高集積化に伴い、配線相互間の寄生容量を低減して配線遅延を改善することを目的に、低誘電率の層間絶縁膜に対する要求が高まっている。配線相互間の寄生容量を低減させる方法として、例えば特許文献１、２、および３に記載されているような、配線間に空隙が形成された半導体装置が提案されている。これらの文献に記載された方法では、まず金属配線の間を有機レジストやシリカ化合物などの充填物で埋めた後、エッチングもしくはアッシングによりその充填物を除去して金属配線間に空隙を形成させている。しかし、このような方法は操作が煩雑であり、改善の余地があった。また、配線間に空隙を形成させるために用いる充填物が、例えば特許文献４、５、および６に提案されている。しかしながら、これらの充填物は４００℃付近での熱安定性が十分ではなく、配線相互間の寄生容量の十分な低減ができないため、改善の余地があった。
特開平９－１７２０６８公報 特開平８－８３８３９公報 特開２００１－８５５１９公報 特開２００３－３４２３７５公報 特開２００４－６３７４９公報 特開２００９－２７５２２８公報
　本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、特定の耐熱温度と特定の熱分解温度を有する空隙形成用組成物と、それを用いた半導体装置の製造方法を提供するものである。
　本発明による空隙形成用組成物は、
下記式（１）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 または下記式（２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 ［式中、
　Ａｒ１、Ａｒ２、およびＡｒ２’はそれぞれ独立に、１個以上のベンゼン環を含む芳香族基であり、前記芳香族基はアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択される置換基で置換されていてもよく、
Ｌ１～Ｌ２はそれぞれ独立に、酸素、硫黄、アルキレン、スルホン、イミド、カルボニルもしくは下記一般式（３）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 ｛式中、
　Ａｒ３は１個以上のベンゼン環を含む芳香族基であり、前記芳香族基はアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択される置換基で置換されていてもよく、
Ｌ３は窒素、ホウ素、およびリンからなる群から選択される３価原子である。｝からなる群から選択される。］
で表される少なくとも１種の繰り返し単位を５つ以上含むポリマーと、
溶剤と、
を含んでいることを特徴とするものである。
　さらに、本発明による配線間の空隙形成方法は半導体基板上に形成された多孔質である絶縁膜の表面を前記空隙形成用組成物で被覆する工程と、前記空隙形成用組成物を半導体基板上に埋め込む工程と、前記空隙形成用組成物を除去する工程により金属配線間に空隙を形成する事を特徴とするものである。
　本発明によれば、多孔質材料に、特定の耐熱温度と特定の熱分解温度を有するポリマーを含む空隙形成用組成物を適用することによって、多層配線間に簡便に空隙を形成することができ、所望の特性を有する半導体装置を容易に製造することができる。
図１（Ａ）～（Ｄ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部分を示す模式断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明すると以下の通りである。
［空隙形成用組成物］
　本発明は空隙形成用組成物に関するものである。ここで、空隙形成用組成物とは、半導体装置の製造過程などにおいて、基板の金属配線間などに空隙を形成させるための組成物である。より具体的には、基板表面の空隙や空孔などを充填することができ、その後一定の温度以下では安定であり、一定の温度を超えると気化などにより容易に除去できるという性質を有するものである。
　この空隙形成用組成物は、特定のポリマーと溶剤とを含んでなる。この特定のポリマーは、
下記式（１）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 または
下記式（２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 ［式中、
　Ａｒ１、Ａｒ２、およびＡｒ２’はそれぞれ独立に、１個以上のベンゼン環を含む芳香族基であり、前記芳香族基はアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択される置換基で置換されていてもよく、
Ｌ１およびＬ２はそれぞれ独立に、酸素、硫黄、アルキレン、スルホン、イミド、カルボニルもしくは下記一般式（３）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 ｛式中、
　Ａｒ３は１個以上のベンゼン環を含む芳香族基であり、前記芳香族基はアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択される置換基で置換されていてもよく、
Ｌ３は窒素、ホウ素、およびリンからなる群から選択される３価原子である。｝からなる群から選択される。］
で表される少なくとも１種の繰り返し単位を含むものである。このポリマーは、前記の繰り返し単位を５つ以上含んでいる。また、繰り返し単位を２種類以上含む場合には、繰り返し単位をランダムに含むランダムポリマーであっても、各繰り返し単位のブロックを含むブロックコポリマーであってもよい。また、このポリマーは、本発明の効果を損なわない範囲で前記した繰り返し単位とは異なる繰り返し単位を含んでいてもよい。
　一般式（１）および（２）において、Ａｒ１、Ａｒ２、およびＡｒ２’は１個以上のベンゼン環を含む芳香族基である。これらの芳香族基は好ましくはベンゼン環をひとつだけ含むものであるが、ナフタレン環、アントラセン環などの縮合芳香環を含んでいてもよい。また、Ａｒ１、Ａｒ２、およびＡｒ２’は２価基であるが、その結合手の位置は、特に限定されず、ｏ－位、ｍ－位、またはｐ－位のいずれであってもよい。しかしながら、合成の容易性や耐熱性の観点から、ｐ－位に二つの結合手を有することが好ましい。また、Ａｒ１、Ａｒ２、およびＡｒ２’は置換基を有していてもよい。置換基としてはアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択されるが、この置換基が過度に嵩高いと、ポリマー主鎖による特性が損なわれることがあるので、置換基に含まれる炭素数が１０以下であることが好ましい。
　また、Ｌ１およびＬ２は芳香環を結合する連結基である。この連結基は、酸素、硫黄、アルキレン、スルホン、イミド、およびカルボニルから選択される。連結基がアルキレンの場合には、その炭素数が１～３である、比較的短いアルキレン基が好ましい。また、一般式（３）で表される連結基であってもよい。一般式（３）においてＡｒ３はＡｒ１などと同じ構造の芳香族基（ただし、１価基）から選択される。なお、Ａｒ３が置換基としてさらに芳香族基を有する場合には、ポリマーはいわゆる分岐鎖構造を有することになる。本発明においては、本発明の効果を損なわない範囲で分岐鎖構造を有していてもよいが、分岐が多いポリマーを用いると耐熱性が低下する傾向にある。このため、本発明に用いられるポリマーは直鎖状構造を有することが好ましい。
　また、Ｌ３は、窒素、ホウ素、またはリンのいずれかから選択され、特に限定されない。これらのうち、ポリマーの入手または合成の容易さの観点から窒素またはホウ素であることが好ましい。
　従来、空隙形成用組成物には、芳香環を含むポリマーが用いられていたが、それらはほとんどの場合ポリスチレンのように側鎖に芳香環を有するものであった。これに対して、本発明者らの検討によれば、芳香環を主鎖中に含み、芳香環同士が、前記したＬ１、またはＬ２で表される連結基によって結合されている場合に、熱安定性が高く、空隙形成用組成物に用いると優れた特性を発揮することが見出された。
　本発明に用いることができるポリマーの分子量は、目的に応じて任意に調整することができる。一般的には、質量平均分子量が、１，０００～１，０００，０００であることが好ましく、３，０００～５００，０００であることがより好ましい。本発明において、質量平均分子量とは、ポリスチレン換算の質量平均分子量をいう。また、組成物を塗布する場合の浸透性や、形成される被膜の均一性などの観点からポリマーの分子量分布は小さいことが好ましい。
　本発明による空隙形成用組成物は、溶媒を含む。この溶媒は、前記ポリマーを溶解し得ることが必要である。
　このような溶媒は、たとえば、水、エタノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）、乳酸エチル（ＥＬ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、アセトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソブチルカルビノール（ＭＩＢＣ）、メチルアミルケトン（ＭＡＫ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、γ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、シクロヘキサノン、クロロベンゼン、クロロホルム、アセトニトリル、およびトルエンなどが挙げられる。これらのうち、溶解性の観点から、ＴＨＦ、ＧＢＬ、ＮＭＰ、ＤＭＡＣ、シクロヘキサノン、クロロベンゼン、クロロホルム、またはトルエンが好ましく、塗布性の観点から、ＴＨＦ、ＧＢＬ、シクロヘキサノン、クロロベンゼンまたはトルエンが好ましい。また、必要に応じてこれらの溶媒を２種類以上組み合わせて用いてもよい。たとえば、経時安定性の観点からは、ＴＨＦ、ＧＢＬ、ＮＭＰ、ＤＭＡＣ、シクロヘキサノンとクロロベンゼンとの混合溶媒が好ましい。
　本発明による空隙形成用組成物は、前記ポリマーと前記溶媒とを必須とするものである。ここで、組成物に含まれるポリマーの含有量は、対象となる空隙のサイズ、組成物の粘度などに応じて適切に調整されるが、組成物の総質量を基準として、一般に０．２～２０質量％、好ましくは０．３～１０質量％、より好ましくは０．５～５質量％である。
　本発明による空隙形成用組成物は、必要に応じてその他の成分を含むこともできる。具体的には、界面活性剤、平滑剤、および殺菌剤などが挙げられる。これらのうち、組成物の塗布性の観点から組成物は界面活性剤を含むことが好ましい。界面活性剤は、従来知られている任意のものを用いることができるが、特にアルキレングリコール鎖含有界面活性剤が好ましい。これらの添加剤は原則的に微細パターン形成用組成物の性能には影響を与えないものであり、通常組成物の全質量を基準として一般に１％以下、好ましくは０．１％以下、より好ましくは０．０５％以下の含有量とされる。
　また、本発明による空隙形成用組成物は、幅の狭いトレンチや小さな空孔内に浸透する必要があるため、その粘度が重要な意味を有する場合がある。組成物の粘度は、用いる目的などに応じて適切に調整される。しかしながら、空隙形成用組成物を空孔内に浸透させる場合には、塗布後の組成物を高温条件下におくことで粘度を低下させて空孔内に浸透させることもできる。このような場合には、常温において比較的粘度の高い組成物であっても空孔内に十分に浸透させることができる。
［配線間の空隙形成方法、および半導体装置の製造方法］
　本発明による配線間の空隙形成方法および半導体装置の製造方法は、あらかじめ形成されていた空隙、空孔、溝、凹部などを有する材料を、半導体装置の製造過程において保護するものである。本発明においては、このような材料を総称して多孔質材料という。本発明を適用しようとする低誘電率材料の多くは複数の空孔を有する多孔質材料である。すなわち、そのような多孔質材料は密度が低いために、たとえばドライエッチング処理などを施すと、物理的または化学的に損傷を受けやすい。また、材料中に空孔が含まれる材料は、その表面に空孔に起因する凹部などが散在するが、その縁部は平坦部分に比較して、物理的または化学的に損傷を受けやすい。本発明による第二の方法は、そのような損傷を防止するものである。このような方法を図面を参照しながら説明すると以下の通りである。
　まず、多孔質材料１００の表面に空隙形成用組成物１０１を塗布する（図１（Ａ））。多孔質材料としては、たとえば二酸化ケイ素やポリアミドからなる材料が挙げられる。また、多孔質材料に形成されている空孔または空隙の大きさや空孔率は、目的とする半導体装置に求められる性能などに応じて変化するが、一般的には空孔の平均直径は１００ｎｍ以下であり、好ましくは４０ｎｍ以下である。また一般に空孔率は５～７０％であり、好ましくは５～５０％である。ここで、空孔の平均直径は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察することにより測定することができ、また空孔率は誘電率を用いて対数混合法則に従って計算することにより求めることができる。
　多孔質材料１００の表面に塗布された空隙形成用組成物は、経時により多孔質材料に浸透して空孔を充填するが、加圧または加熱により浸透を加速することもできる。特に加温することが好ましい。温度上昇によって組成物の粘度が下がり、空孔への浸透が加速されるためである。なお、空隙形成用組成物の塗布性や浸透性などを考慮して、用いる溶媒を選択することが好ましい。
　多孔質材料１００に空隙形成用組成物を十分に浸透させた後、加熱するなどによって組成物中の溶媒の一部またはすべてを蒸発させて空孔内の組成物を固化させて、犠牲材料１０１Ａに転換させる。その後、必要に応じて表面に露出している犠牲材料を除去し、空孔内が犠牲材料で埋められた多孔質材料が得られる（図１（Ｂ））。この埋められた空孔部分が犠牲領域となる。
　引き続き、プラズマエッチングまたはドライエッチングなどにより材料の表面を加工して、たとえば溝構造１０３のような凹部を形成させる（図１（Ｃ））。また、この方法において多孔質材料の表面加工に採用されるプラズマエッチングまたはドライエッチングは、犠牲材料を除去する際に行われるプラズマ処理とは異なる条件で行われる。具体的には、多孔質材料が二酸化ケイ素からなるものである場合には、ドライエッチングに用いるガスとしてＣＦ４、ＣＨＦ３、およびそれらの混合ガスが選択されるのが一般的である。このとき、本発明による方法では、空孔内が犠牲材料で満たされていることによって、材料全体の機械的強度も高いため、リソグラフィー処理、プラズマエッチング、またはドライエッチングによる損傷を受けにくい。
　プラズマ処理またはエッチング処理の後、溝構造１０３に、例えば化学気相成長法などにより金属材料を充填して金属配線を形成させた後、犠牲材料を選択的に除去する。犠牲材料を選択的に除去する方法は特に限定されないが、加熱により犠牲材料を分解させて除去する方法、プラズマ処理によって除去する方法、犠牲材料を溶解する溶媒によって溶解させて除去する方法、高エネルギー線を照射して除去する方法などが好ましく、加熱によって行うことが特に好ましい。犠牲材料の分解除去を加熱によって行う場合には、材料全体を加熱することによって、空孔に充填されていた犠牲材料１０１Ａを分解気化させて除去することができる（図１（Ｄ））。この結果、犠牲領域が中空状態に戻って空隙１０４が形成される。このようにして、プラズマエッチングまたはドライエッチングの過程において損傷を与えることなく、表面が加工された多孔質材料を得ることができる。このように損傷を受けていない多孔質材料を用いて製造された半導体装置は欠陥が少ないので、高い生産性で製造することができる。
　このような半導体装置の製造方法において、空隙形成用組成物は塗布性および多孔質材料への浸透性に優れていることが好ましい。このため、溶媒としては、ＭＩＢＫなどの非極性溶媒が好ましく用いられる。組成物の浸透性を良好に維持するために、組成物に含まれるポリマーの分子量を調整することもできる。このような場合、ポリマーの質量平均分子量は、一般に１，０００～１５０，０００であり、１，５００～５０，０００であることが好ましい。また、プラズマエッチングまたはドライエッチングの際には分解気化せず、その後の加熱によっては完全に分解気化することが好ましい。プラズマエッチングまたはドライエッチングの条件や、加熱温度は種々の理由によって調整されるため、犠牲材料が分解気化する温度はそれに応じて調整される。しかし、一般的には、犠牲材料は例えば４００℃で実質的に分解気化せず、例えば６００℃で、実質的に完全に分解気化することが好ましい。具体的には、不活性ガス雰囲気中または空気中で犠牲材料を４００℃で１時間加熱した際の重量減少が５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、かつ６００℃で１時間加熱した際の重量減少が８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。なお、本発明による空隙形成用組成物は、固形分のほとんどが前記のポリマーであるため、この組成物から形成される犠牲材料は、実質的に前記のポリマーからなるものである。このため、犠牲材料の重量減少と、ポリマーそのものの重量減少とは実質的に一致する。
　以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。なお、以下において、「部」は、特に断りのない限り質量基準である。また、試験、および評価は下記の通りに行った。
［分子量］
　ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、ポリマーの数平均分子量（Ｍｎ）、質量平均分子量（Ｍｗ）および分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を、ポリスチレン換算値として測定した。
［重量減少］
　窒素雰囲気中もしくは空気中、重量測定法（ＴＧ）により、２０℃／ｍｉｎで昇温し、４００℃で１時間加熱した際の重量変化と６００℃で１時間加熱した際の重量変化をそれぞれ測定した。
［多孔質ＳｉＯ２へのポリマー組成物の埋め込みおよび空隙形成の確認］
　分光エリプソメーターにより、波長６３３ｎｍにおける屈折率の変化によりポリマーの埋め込みと空隙形成の有無を確認した。
［ポリマー合成例１］
（ポリ－４－メチルトリフェニレンアミン（ポリマーＰ１）の合成）
　撹拌器、凝縮器、加熱装置、窒素導入管および温度制御装置を取り付けた反応器に窒素雰囲気下において塩化鉄（ＩＩＩ）（無水）（５１９部）、クロロホルム（４３３０部）を加え、反応温度を５０℃に保持した。その後、クロロホルム（４４０部）に溶解させた４－メチルトリフェニルアミン（２１２部）を加えて攪拌した。その後、反応温度を５０℃に保持して０．５時間反応させた。
　反応終了後、反応溶液をアセトン（５４０００部）に注いで、粉体をろ過した。その粉体をクロロホルム（４０００部）に溶解させ、不溶部分をろ過で取り除き、そのろ液に１質量％のアンモニア水溶液（４０００部）を加えてクロロホルム溶液を抽出した。さらに、クロロホルム溶液を濃縮して、その溶液をアセトン（５４０００部）に注いで、粉体をろ過し、９０℃で真空乾燥することによりポリマーＰ１を８５部（収率：４０％）得た。
ＧＰＣ（テトラヒドロフラン）により分子量を測定したところ、数平均分子量Ｍｎ＝２１７０Ｄａ、質量平均分子量Ｍｗ＝３９９１Ｄａ、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．８４であった。
［ポリマー合成例２］
（ポリ－４－メチルトリフェニレンアミン（ポリマーＰ２）の合成）
　反応時間を０．５時間から１時間に変えた以外は合成例１と同様に行ったところ、ポリマーＰ２を８７部（収率：４１％）得た。ＧＰＣ（クロロホルム）により分子量を測定したところ、数平均分子量Ｍｎ＝３１５７Ｄａ、質量平均分子量Ｍｗ＝６０３０Ｄａ、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．９１であった。
［実施例１］
　ポリマーＰ１（１０部）にシクロヘキサノン（２７５部）を添加し、室温で３０分間撹拌して、空隙形成用組成物を調製した。
　調製した空隙形成用組成物を多孔質なＳｉＯ２ウエハ上にスピンコートにより塗布し、１５０℃、窒素雰囲気下において５分間真空ホットプレート上にて加熱して、空隙形成用ポリマー薄膜を得た。この空隙形成用ポリマー薄膜の重量減少を前記方法により測定したところ、４００℃（空気雰囲気下）で１時間加熱した際の重量減少は０．０３％であり、６００℃（空気雰囲気下）で１時間加熱した際の重量減少は９９．２３％であった。
　次に空隙形成用ポリマー薄膜を３３０℃、窒素雰囲気下で５分間真空ホットプレート上にて加熱して、空隙形成用ポリマー薄膜を多孔質なＳｉＯ２ウエハに埋め込んだ。さらに、調製した溶剤であるシクロヘキサノンにて２０秒間リンスすることにより、多孔質なＳｉＯ２ウエハ上の余分な空隙形成用ポリマー薄膜を除去した。この空隙形成用ポリマー薄膜が埋め込まれた多孔質なＳｉＯ２ウエハを分光エリプソメーターで測定した結果、波長６３３ｎｍでの屈折率（ｎ値）は１．４６であった。さらに、４００℃、空気雰囲気下で１分間加熱後の多孔質なＳｉＯ２ウエハを分光エリプソメーターで測定した結果、波長６３３ｎｍでの屈折率（ｎ値）は１．４６であった。また、６００℃で１時間、空気雰囲気下で加熱することにより空隙形成用ポリマー薄膜を加熱分解させた。加熱分解後の多孔質なＳｉＯ２ウエハを分光エリプソメーターで測定した結果、波長６３３ｎｍでの屈折率（ｎ値）は１．３１であり、未処理の多孔質なＳｉＯ２ウエハの屈折率（ｎ値）と同様の値であった。
［実施例２～７および比較例１～２］
　空隙形成用組成物の各成分を、表１に示す通りに変更したほかは実施例１と同様にして、実施例２～７および比較例１～２の組成物を調製し、評価した。得られた結果は表１に示す通りであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　　１００　多孔質材料
　　１０１　空隙形成用組成物
　　１０１Ａ　犠牲領域
　　１０３　溝構造
　　１０４　空隙

Claims (9)

  1. 　下記式（１）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     または下記式（２）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     ［式中、
    　Ａｒ１、Ａｒ２、およびＡｒ２’はそれぞれ独立に、１個以上のベンゼン環を含む芳香族基であり、前記芳香族基はアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択される置換基で置換されていてもよく、
    Ｌ１～Ｌ２はそれぞれ独立に、酸素、硫黄、アルキレン、スルホン、アミド、カルボニルもしくは下記一般式（３）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     ｛式中、
    　Ａｒ３は１個以上のベンゼン環を含む芳香族基であり、前記芳香族基はアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択される置換基で置換されていてもよく、
    Ｌ３は窒素、ホウ素、およびリンからなる群から選択される３価原子である。｝からなる群から選択される。］
    で表される少なくとも１種の繰り返し単位を５つ以上含むポリマーと、
    溶剤と、
    を含んでなることを特徴とする空隙形成用組成物。
  2. 　前記Ａｒ１、Ａｒ２、およびＡｒ２’がベンゼン環を１個含む芳香族基である、請求項１に記載の空隙形成用組成物。
  3. 　前記ポリマーの質量平均分子量が、１，０００～１，０００，０００である、請求項１または２に記載の空隙形成用組成物。
  4. 　前記ポリマーの含有率が、組成物の総質量を基準として０．２～２０質量％である、請求項１～３のいずれか１項に記載の空隙形成用組成物。
  5. 　不活性ガス雰囲気中または空気中、４００℃で１時間加熱した際の重量減少が５％以下、かつ６００℃で１時間加熱した際の重量減少が８０％以上である請求項１～４に記載の空隙形成用組成物。
  6. 　複数の空孔を有する多孔質材料を具備してなる半導体装置を製造する方法であって、
    　前記多孔質材料に、請求項１～５のいずれか１項に記載の空隙形成用組成物を塗布して前記組成物を前記空孔中に充填し、
    　前記組成物に含まれる溶媒の一部またはすべてを蒸発させて犠牲材料からなる犠牲領域を形成させ、
    　前記多孔質材料の表面に凹部を形成させ、
    　前記凹部に金属材料を充填して金属配線を形成させ、
    　前記犠牲材料を選択的に除去することによって、前記犠牲領域を中空状態に戻す工程を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
  7. 　前記多孔質材料の空孔率が５～７０％である、請求項６に記載の方法。
  8. 　前記犠牲材料の除去が、加熱により犠牲材料を分解させて除去する方法、プラズマ処理によって除去する方法、犠牲材料を溶解する溶媒によって溶解させて除去する方法、高エネルギー線を照射して除去する方法のいずれかにより行われる、請求項６または７に記載の方法。
  9. 　請求項６～８のいずれか１項に記載の方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
PCT/JP2015/065030 2014-05-29 2015-05-26 空隙形成用組成物、その組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法 WO2015182581A1 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016523501A JP6573876B2 (ja) 2014-05-29 2015-05-26 空隙形成用組成物、その組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法
US15/313,670 US10435555B2 (en) 2014-05-29 2015-05-26 Void forming composition, semiconductor device provided with voids formed using composition, and method for manufacturing semiconductor device using composition
CN201580028112.0A CN106471057A (zh) 2014-05-29 2015-05-26 空隙形成用组合物、具备使用该组合物而形成的空隙的半导体装置、以及使用了该组合物的半导体装置的制造方法
EP15800354.1A EP3150668A4 (en) 2014-05-29 2015-05-26 Void forming composition, semiconductor device provided with voids formed using composition, and method for manufacturing semiconductor device using composition
KR1020167036775A KR20170013939A (ko) 2014-05-29 2015-05-26 공극 형성용 조성물, 그 조성물을 사용하여 형성된 공극을 구비한 반도체 장치, 및 그 조성물을 사용한 반도체 장치의 제조방법
SG11201609064XA SG11201609064XA (en) 2014-05-29 2015-05-26 Composition for gap formation, and semiconductor device comprising gaps formed using the composition, and method for producing semiconductor device using the composition
IL248722A IL248722A0 (en) 2014-05-29 2016-11-03 A cavity-forming composition, a semiconductor device including cavities created using the composition and a method for preparing a semiconductor device using the composition

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-111552 2014-05-29
JP2014111552 2014-05-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015182581A1 true WO2015182581A1 (ja) 2015-12-03

Family

ID=54698906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/065030 WO2015182581A1 (ja) 2014-05-29 2015-05-26 空隙形成用組成物、その組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10435555B2 (ja)
EP (1) EP3150668A4 (ja)
JP (1) JP6573876B2 (ja)
KR (1) KR20170013939A (ja)
CN (1) CN106471057A (ja)
IL (1) IL248722A0 (ja)
SG (1) SG11201609064XA (ja)
TW (1) TW201607986A (ja)
WO (1) WO2015182581A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016128117A1 (en) * 2015-02-12 2016-08-18 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. Composition for forming underlayer and method for forming underlayer therewith
WO2017137142A1 (en) 2016-02-11 2017-08-17 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. A polymer, composition, forming sacrificial layer and method for semiconductor device therewith

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111433549A (zh) 2017-07-17 2020-07-17 分形散热器技术有限责任公司 多重分形散热器系统及方法
JP2025507101A (ja) * 2022-03-08 2025-03-13 東京エレクトロン株式会社 低容量配線のためのエアギャップを備えた半導体デバイスを形成する方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007010919A1 (ja) * 2005-07-20 2007-01-25 Adeka Corporation 含フッ素共重合体、アルカリ現像性樹脂組成物及びアルカリ現像性感光性樹脂組成物
WO2008126411A1 (ja) * 2007-04-10 2008-10-23 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、積層板、多層プリント配線板、半導体装置、絶縁樹脂シート、多層プリント配線板の製造方法
WO2008146723A1 (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Sumitomo Bakelite Company Limited 樹脂組成物、樹脂スペーサ用フィルムおよび半導体装置
JP2009265450A (ja) * 2008-04-26 2009-11-12 Nippon Kayaku Co Ltd Ｍｅｍｓ用感光性樹脂組成物及びその硬化物
WO2013022068A1 (ja) * 2011-08-10 2013-02-14 日立化成工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性フィルム、永久レジスト及び永久レジストの製造方法

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3933764A (en) * 1974-07-25 1976-01-20 Union Carbide Corporation Coagulative recovery of polysulfone resins from solutions thereof
US5043112A (en) * 1987-10-09 1991-08-27 The Dow Chemical Company Process for forming articles comprising poly(phenylene sulfide) (PPS)
US5461003A (en) 1994-05-27 1995-10-24 Texas Instruments Incorporated Multilevel interconnect structure with air gaps formed between metal leads
JP2763023B2 (ja) 1995-12-18 1998-06-11 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
DE69820232T2 (de) 1997-01-21 2004-09-16 Georgia Tech Research Corp. Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung mit luftspalten für verbindungen mit ultraniedriger kapazität
KR100307490B1 (ko) 1999-08-31 2001-11-01 한신혁 반도체 장치의 기생 용량 감소 방법
TWI226103B (en) * 2000-08-31 2005-01-01 Georgia Tech Res Inst Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnections and methods of making same
US6703324B2 (en) * 2000-12-21 2004-03-09 Intel Corporation Mechanically reinforced highly porous low dielectric constant films
US20020145201A1 (en) * 2001-04-04 2002-10-10 Armbrust Douglas Scott Method and apparatus for making air gap insulation for semiconductor devices
AU2003233470A1 (en) * 2002-04-02 2003-10-20 Dow Global Technologies Inc. Process for making air gap containing semiconducting devices and resulting semiconducting device
US6734094B2 (en) * 2002-04-29 2004-05-11 Intel Corporation Method of forming an air gap within a structure by exposing an ultraviolet sensitive material to ultraviolet radiation
JP3765289B2 (ja) 2002-05-27 2006-04-12 Ｊｓｒ株式会社 多層配線間の空洞形成方法
DE10227663A1 (de) * 2002-06-20 2004-01-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Versiegeln poröser Materialien bei der Chipherstellung und Verbindungen hierfür
JP2004063749A (ja) 2002-07-29 2004-02-26 Asahi Kasei Corp エアアイソレーション構造を有する半導体装置
CN1168760C (zh) 2002-10-09 2004-09-29 武汉大学 一种三苯胺聚合物空穴材料的制备方法
US20040084774A1 (en) * 2002-11-02 2004-05-06 Bo Li Gas layer formation materials
JP4090867B2 (ja) * 2002-12-24 2008-05-28 旭化成株式会社 半導体装置の製造法
US7927997B2 (en) * 2005-03-15 2011-04-19 Panasonic Corporation Flip-chip mounting method and bump formation method
WO2006123554A1 (ja) * 2005-05-17 2006-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. フリップチップ実装体およびフリップチップ実装方法
US7176053B1 (en) * 2005-08-16 2007-02-13 Organicid, Inc. Laser ablation method for fabricating high performance organic devices
CN1331914C (zh) 2005-10-18 2007-08-15 武汉大学 一种聚三苯胺聚合物的合成方法
US20070215864A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-20 Luebben Silvia D Use of pi-conjugated organoboron polymers in thin-film organic polymer electronic devices
US7438636B2 (en) * 2006-12-21 2008-10-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
KR100843233B1 (ko) * 2007-01-25 2008-07-03 삼성전자주식회사 배선층의 양측벽에 인접하여 에어갭을 갖는 반도체 소자 및그 제조방법
JP2009242440A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Fujifilm Corp 絶縁膜形成用組成物
JP2012529544A (ja) * 2009-06-08 2012-11-22 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア セグメント化ポリアリーレンエーテルブロックコポリマー
US8916672B2 (en) * 2009-12-11 2014-12-23 ICUF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) Transparent polyarylene ether polymer with high heat resistance and method for preparing the same
US8410562B2 (en) * 2010-01-22 2013-04-02 Carnegie Mellon University Methods, apparatuses, and systems for micromechanical gas chemical sensing capacitor
US8314005B2 (en) * 2010-01-27 2012-11-20 International Business Machines Corporation Homogeneous porous low dielectric constant materials
US8310040B2 (en) * 2010-12-08 2012-11-13 General Electric Company Semiconductor device package having high breakdown voltage and low parasitic inductance and method of manufacturing thereof
JP5636277B2 (ja) * 2010-12-27 2014-12-03 富士フイルム株式会社 多孔質絶縁膜及びその製造方法
US8541301B2 (en) * 2011-07-12 2013-09-24 International Business Machines Corporation Reduction of pore fill material dewetting
US20130171819A1 (en) * 2011-12-28 2013-07-04 Toshiba America Electronic Components, Inc. Methods for integration of metal/dielectric interconnects
CN104245785B (zh) * 2012-04-17 2018-05-25 默克专利有限公司 可交联的和交联的聚合物、其制备方法及其用途
JP6157160B2 (ja) * 2013-03-15 2017-07-05 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP2014188656A (ja) * 2013-03-28 2014-10-06 Tokyo Electron Ltd 中空構造体の製造方法
EP3013889B2 (de) * 2013-06-28 2020-03-04 Basf Se Polyarylethersulfon-polymere (p) mit reduziertem lösungsmittelgehalt
CN103396533A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 黑龙江大学 含甲氧基三苯胺-芴共聚物、制备方法及其应用
EP3235854B1 (de) * 2013-09-09 2023-06-28 Basf Se Polyarylenethersulfon-polymere für membrananwendungen
US9371431B2 (en) * 2014-07-02 2016-06-21 International Business Machines Corporation Poly(ether sulfone)s and poly(ether amide sulfone)s and methods of their preparation
WO2016017678A1 (ja) * 2014-07-31 2016-02-04 メルクパフォーマンスマテリアルズマニュファクチャリング合同会社 犠牲膜用組成物、およびその製造方法、ならびにその組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法
US20160185984A1 (en) * 2014-12-26 2016-06-30 Dow Global Technologies Llc Pore-fill compositions
JP2016148777A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 下層膜形成用組成物、およびそれを用いた下層膜の形成方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007010919A1 (ja) * 2005-07-20 2007-01-25 Adeka Corporation 含フッ素共重合体、アルカリ現像性樹脂組成物及びアルカリ現像性感光性樹脂組成物
WO2008126411A1 (ja) * 2007-04-10 2008-10-23 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、積層板、多層プリント配線板、半導体装置、絶縁樹脂シート、多層プリント配線板の製造方法
WO2008146723A1 (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Sumitomo Bakelite Company Limited 樹脂組成物、樹脂スペーサ用フィルムおよび半導体装置
JP2009265450A (ja) * 2008-04-26 2009-11-12 Nippon Kayaku Co Ltd Ｍｅｍｓ用感光性樹脂組成物及びその硬化物
WO2013022068A1 (ja) * 2011-08-10 2013-02-14 日立化成工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性フィルム、永久レジスト及び永久レジストの製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3150668A4 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016128117A1 (en) * 2015-02-12 2016-08-18 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. Composition for forming underlayer and method for forming underlayer therewith
US10451971B2 (en) 2015-02-12 2019-10-22 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Composition for forming underlayer and method for forming underlayer therewith
WO2017137142A1 (en) 2016-02-11 2017-08-17 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. A polymer, composition, forming sacrificial layer and method for semiconductor device therewith

Also Published As

Publication number Publication date
CN106471057A (zh) 2017-03-01
US20170210896A1 (en) 2017-07-27
JP6573876B2 (ja) 2019-09-11
SG11201609064XA (en) 2016-12-29
EP3150668A4 (en) 2018-01-17
US10435555B2 (en) 2019-10-08
TW201607986A (zh) 2016-03-01
KR20170013939A (ko) 2017-02-07
IL248722A0 (en) 2017-01-31
EP3150668A1 (en) 2017-04-05
JPWO2015182581A1 (ja) 2017-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI667547B (zh) 聚合物、有機層組成物及圖案形成方法
KR101848344B1 (ko) 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
JP6573876B2 (ja) 空隙形成用組成物、その組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法
CN107337776B (zh) 聚合物、有机层组成物以及形成图案的方法
TWI597321B (zh) 有機層組成物以及形成圖案的方法
TW201619233A (zh) 聚合物、有機層組合物、有機層以及形成圖案的方法
WO2016017678A1 (ja) 犠牲膜用組成物、およびその製造方法、ならびにその組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法
JP6643448B2 (ja) ギャップ充填方法
KR20160099997A (ko) 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR101767080B1 (ko) 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
JP2020507917A (ja) 間隙充填誘電材料
US9873815B2 (en) Polymer, organic layer composition, and method of forming patterns
TWI751367B (zh) 包含聚碳矽烷之矽碳膜形成組成物及使用其製造矽碳膜的方法
KR101682021B1 (ko) 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
TW201643204A (zh) 聚合物、有機層組成物、有機層以及形成圖案的方法
TWI598379B (zh) 聚合物、有機層組合物以及形成圖案的方法
KR102246693B1 (ko) 유기막 조성물 및 패턴 형성 방법
TWI283254B (en) Film-forming composition containing carbosilane-based polymer and film obtained from the same
KR20160101582A (ko) 모노머, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR20180138405A (ko) 유기막 조성물, 중합체 및 패턴 형성 방법
KR102092798B1 (ko) 유기막 제조 방법 및 패턴형성방법
TW202521645A (zh) 阻劑下層膜形成用組成物、阻劑下層膜、阻劑下層膜之製造方法、圖案形成方法、及半導體裝置之製造方法
KR20150013415A (ko) 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15800354

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 248722

Country of ref document: IL

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15313670

Country of ref document: US

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2015800354

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2015800354

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016523501

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167036775

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A