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WO2013183221A1 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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WO2013183221A1
WO2013183221A1 PCT/JP2013/002860 JP2013002860W WO2013183221A1 WO 2013183221 A1 WO2013183221 A1 WO 2013183221A1 JP 2013002860 W JP2013002860 W JP 2013002860W WO 2013183221 A1 WO2013183221 A1 WO 2013183221A1
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WO
WIPO (PCT)
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substrate
liquid crystal
conductive film
crystal display
transparent conductive
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/002860
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English (en)
French (fr)
Inventor
宏 宮下
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
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    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned

Definitions

  • the present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a horizontal electric field type liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.
  • a horizontal electric field type liquid crystal display device includes, for example, a first substrate provided as an electrode substrate, a second substrate provided as an electrodeless substrate so as to face the first substrate, and a first substrate and a second substrate.
  • a liquid crystal layer provided therebetween, and by applying an electric field in the lateral direction (a direction along the substrate surface) to the liquid crystal layer, transmission of light transmitted through the liquid crystal layer for each sub-pixel which is the minimum unit of an image The image is displayed by adjusting the rate.
  • the second substrate of the electrodeless substrate is easily charged. Therefore, the liquid crystal layer has a vertical direction (substrate thickness direction) due to the charge charged on the second substrate. If the electric field is generated, display defects may occur. Therefore, conventionally, by providing a transparent conductive film on the outer surface of the second substrate and connecting the transparent conductive film to the grounding wiring provided in the terminal region of the first substrate, the second substrate becomes difficult to be charged. Such a configuration has been proposed.
  • Patent Document 1 discloses that a liquid crystal is sandwiched between an array substrate (corresponding to the first substrate) and a CF substrate (corresponding to the second substrate) (corresponding to the liquid crystal layer).
  • a liquid crystal device having an electric field type liquid crystal display panel corresponding to the liquid crystal display device
  • a transparent conductive film formed on the outer surface of the CF substrate and an array substrate corresponding to the ground wiring
  • the ground wiring is connected through a conductive film in which a conductive substance is dispersed in a melt-curing rubber material.
  • an electrode substrate (corresponding to the first substrate) having a pixel electrode and a common electrode disposed on the surface of the substrate, and an electrode substrate facing the electrode substrate (corresponding to the second substrate).
  • a liquid crystal display device including a liquid crystal panel in which a liquid crystal material is sealed between a counter substrate and a conductive film (corresponding to the transparent conductive film) formed on the surface side of the counter substrate, and formed on the surface of the electrode substrate It is described that the grounding wiring thus connected is connected via a conductive paste such as a silver paste.
  • connection material called a conductive tape is required separately, so there is only a concern about an increase in manufacturing cost.
  • the conductive tape expands or contracts depending on the ambient temperature, peeling may occur between the conductive tape and the adherend surface, which may cause poor connection, so there is room for improvement.
  • a connection material called a conductive paste is required separately, so that not only the manufacturing cost is increased, As the paste shrinks by heat, the conductive paste itself cracks, or peeling occurs between the conductive paste and the coated surface, which may cause poor connection, so there is room for improvement. There is.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to suppress the manufacturing cost and to provide a grounding wiring provided on the first substrate and a transparent conductive film provided on the second substrate. It is in connecting with.
  • the present invention connects a ground wiring provided on a first substrate and a transparent conductive film provided on a second substrate through a connection layer provided integrally with the transparent conductive film. It is what you do.
  • the liquid crystal display device includes a first substrate having a terminal region provided with a grounding wiring, a second substrate facing a region other than the terminal region of the first substrate, and the first substrate.
  • a liquid crystal layer provided between the substrate and the second substrate and applied with an electric field in a direction along a surface of the first substrate; and a liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate in a frame shape.
  • the grounding wiring provided in the terminal region of the first substrate and the transparent conductive film provided on the surface of the second substrate opposite to the liquid crystal layer expand and expand according to the ambient temperature, for example. Since it is connected through a connection layer formed of the same material as the transparent conductive film, not through a conductive tape or conductive paste that easily contracts, the ground wiring provided on the first substrate And the transparent conductive film provided on the second substrate are securely connected. Moreover, since the connection layer is provided integrally with the transparent conductive film, for example, a separate connection material such as a conductive tape or a conductive paste becomes unnecessary, and the manufacturing cost is suppressed. Therefore, the manufacturing cost is suppressed, and the ground wiring provided on the first substrate and the transparent conductive film provided on the second substrate are reliably connected.
  • the edge of the second substrate along the terminal region may coincide with the outer peripheral edge of the sealing material at least at a portion where the connection layer is provided.
  • region corresponds with the outer periphery of a sealing material at least in the part in which the connection layer was provided, the side surface of a sealing material and a connection layer It becomes difficult to form a space between them, and disconnection of the connection layer is suppressed.
  • a plurality of the grounding wirings are provided on the first substrate, a plurality of the connection layers are provided for the plurality of grounding wirings, and the transparent conductive film and the connection layer integral with the transparent conductive film are: You may provide so that the edge part of the said 2nd board
  • the transparent conductive film and each connection layer are provided so that the edge part of the 2nd board
  • the first substrate includes a plurality of pixel electrodes provided in a matrix shape and a common electrode provided on the pixel electrode via an insulating film, and the pixel electrodes may be provided in a comb shape. Good.
  • the first substrate includes a plurality of comb-like pixel electrodes provided in a matrix and a common electrode provided via an insulating film on each pixel electrode.
  • An electrode substrate constituting an electric field type liquid crystal display device is specifically configured.
  • the method for manufacturing a liquid crystal display device includes a first substrate having a terminal region provided with a grounding wiring, a second substrate facing the region other than the terminal region of the first substrate, and the first substrate.
  • a liquid crystal layer provided between the substrate and the second substrate and applied with an electric field in a direction along the surface of the first substrate, and provided between the first substrate and the second substrate and enclosing the liquid crystal layer
  • the grounding wiring provided in the terminal region of the first substrate and the transparent conductive film provided on the surface of the second substrate opposite to the liquid crystal layer expand and
  • the first substrate is connected through a connection layer formed of the same material as the transparent conductive film in the transparent conductive film forming step, not through a conductive tape or conductive paste that easily contracts.
  • the grounding wiring provided on the transparent substrate and the transparent conductive film provided on the second substrate are securely connected.
  • the connection layer formed in the transparent conductive film forming step is formed integrally with the transparent conductive film by extending the transparent conductive film, for example, a separate connection material such as a conductive tape or a conductive paste Is unnecessary, and the manufacturing cost is suppressed. Therefore, the manufacturing cost is suppressed, and the ground wiring provided on the first substrate and the transparent conductive film provided on the second substrate are reliably connected.
  • the transparent conductive film and the connection layer may be formed by a sputtering method using a mask.
  • the transparent conductive film and the connection layer are formed by a sputtering method using a mask. Therefore, the connection layer connecting the transparent conductive film and the ground wiring is a transparent conductive film. It is specifically formed simultaneously with the film.
  • the grounding wiring provided on the first substrate and the transparent conductive film provided on the second substrate are connected via the connection layer provided integrally with the transparent conductive film. Cost can be suppressed and the grounding wiring provided on the first substrate and the transparent conductive film provided on the second substrate can be reliably connected.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of a first substrate constituting the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the first substrate along the line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the first substrate along the line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is an explanatory view showing a manufacturing process of the liquid crystal display device according to Embodiment 1 in a series of cross sections.
  • FIG. 6 is a plan view illustrating a first dividing step in the manufacturing process of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a first dividing step along the line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a plan view showing a transparent conductive film forming process of the manufacturing process of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the transparent conductive film forming step along the line IX-IX in FIG.
  • FIG. 10 is an explanatory view showing a manufacturing process of the liquid crystal display device according to the second embodiment in a series of cross sections.
  • FIG. 11 is a plan view illustrating a dividing step of the manufacturing process of the liquid crystal display device according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a dividing step along the line XII-XVII in FIG. FIG.
  • FIG. 13 is a plan view of a film forming tray used in the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the second embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the film forming tray along the line XIV-XIV in FIG.
  • FIG. 15 is a plan view illustrating a transparent conductive film forming process in the manufacturing process of the liquid crystal display device according to the second embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing the transparent conductive film forming step along the line XVI-XVI in FIG.
  • FIG. 17 is a plan view illustrating the method for manufacturing the liquid crystal display device according to the third embodiment.
  • Embodiment 1 of the Invention 1 to 9 show Embodiment 1 of a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof according to the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device 70a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of the TFT substrate 20a constituting the liquid crystal display device.
  • 3 is a cross-sectional view of the TFT substrate 20a along the line III-III in FIG. 2
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the TFT substrate 20a along the line IV-IV in FIG.
  • the liquid crystal display device 70 a includes a liquid crystal display panel 50 a, a transparent conductive film 61 provided on the upper surface of the CF substrate 30 (described later) of the liquid crystal display panel 50 a, and the transparent conductive film 61. And a connection layer 62a connected to a ground wiring G on a TFT substrate 20a (to be described later) of the liquid crystal display panel 50a.
  • the liquid crystal display panel 50a includes a TFT (Thin Film Transistor) substrate 20a provided as a first substrate and a CF (Color Filter) provided as a second substrate so as to face the TFT substrate 20a.
  • the substrate 30, the liquid crystal layer 40 provided between the TFT substrate 20a and the CF substrate 30, and the TFT substrate 20a and the CF substrate 30 are bonded to each other, and the liquid crystal layer 40 is sealed between the TFT substrate 20a and the CF substrate 30.
  • a sealing material 45 provided in a frame shape is provided.
  • a display area D for displaying an image is defined inside the sealing material 45.
  • a plurality of sub-pixels P (see FIG. 2), which are the minimum unit of an image, are arranged in a matrix.
  • a sub-pixel P for performing red gradation display, a sub-pixel P for performing green gradation display, and a sub-pixel P for performing blue gradation display are mutually connected.
  • the pixels are provided adjacent to each other, and one of these three subpixels P constitutes one pixel.
  • the edge of the CF substrate 30 coincides with the outer peripheral edge of the sealing material 45 as shown in FIG.
  • the TFT substrate 20a includes a transparent substrate 10, a plurality of gate lines 11 provided on the transparent substrate 10 so as to extend in parallel to each other in the horizontal direction in FIG.
  • a gate insulating film 12 provided so as to cover the line 11, and a plurality of sources provided on the gate insulating film 12 so as to extend in parallel to each other in a direction orthogonal to each gate line 11 (vertical direction in FIG. 2)
  • a plurality of TFTs 5 provided for each intersection of the line 14a, each gate line 11 and each source line 14a, that is, for each sub-pixel P, and a TFT provided so as to cover each TFT 5 and each source line 14a.
  • a first interlayer insulating film 15, a common electrode 16 provided on the first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17 provided so as to cover the common electrode 16, and a matrix on the second interlayer insulating film 17 Provided in the shape of each It includes a plurality of pixel electrodes 18 respectively connected to FT5, and an alignment film provided so as to cover the pixel electrode 18 (not shown).
  • the TFT substrate 20a is provided with a terminal region T so as to be exposed from the CF substrate 30 as shown in FIG.
  • the CF substrate 30 is provided so as to face a region other than the terminal region T of the TFT substrate 20a.
  • each gate line 11 and each source line 14a are drawn out for connection to a drive circuit.
  • an FPC Flexible Printed Circuit
  • an ACF Anisotropic Conductive Film
  • a ground wiring G is provided so as to be connected to a ground potential on an FPC (not shown).
  • the ground wiring G includes, for example, a metal conductive film for forming the gate line 11, a metal conductive film for forming the source line 14a, a transparent conductive film for forming the common electrode 16, and a pixel electrode.
  • a transparent conductive film for forming 18 is appropriately laminated to form a thickness of about 700 nm to 900 nm.
  • the underlying conductive film is a non-aluminum metal conductive film (including an alloy film) such as a titanium film or a molybdenum film, an ITO film, It is formed of a material that hardly generates electrolytic corrosion, such as a transparent conductive film such as an IZO (IndiumInZinc Oxide) film.
  • a transparent conductive film such as an IZO (IndiumInZinc Oxide) film.
  • the TFT 5 includes a gate electrode 11a provided on the transparent substrate 10, a gate insulating film 12 provided so as to cover the gate electrode 11a, and a gate electrode on the gate insulating film 12.
  • the semiconductor layer 13 is provided in an island shape so as to overlap with 11a, and the source electrode (14a) and the drain electrode 14b are provided on the semiconductor layer 13 so as to be separated from each other.
  • the gate electrode 11 a is a portion protruding laterally for each subpixel P of each gate line 11.
  • the source electrode (14a) is a part of each source line 14a, and is a portion bent into a U shape (U shape) for each sub-pixel P of each source line 14a.
  • the drain electrode 14b is connected to the pixel electrode 18 through a contact hole H formed in the first interlayer insulating film 15 for each subpixel P.
  • the semiconductor layer 13 has a channel region C in a U-shaped (U-shaped) portion (see FIG. 2) exposed from the source electrode (14a) and the drain electrode 14b.
  • the semiconductor layer 13 is provided on the intrinsic amorphous silicon layer so that the intrinsic amorphous silicon layer provided on the gate insulating film 12 side and the channel region C of the intrinsic amorphous silicon layer are exposed, and the source electrode ( 14a) and n + amorphous silicon layers respectively connected to the drain electrode 14b.
  • the first interlayer insulating film 15 includes an inorganic insulating film 15a provided on the gate insulating film 12 so as to cover the TFT 5, and an organic insulating film provided on the inorganic insulating film 15a. 15b.
  • the common electrode 16 is integrally formed over all the sub-pixels P as shown in FIGS. As shown in FIGS. 3 and 4, the common electrode 16 overlaps the pixel electrode 18 via the second interlayer insulating film 17 in each subpixel P, thereby forming the auxiliary capacitor 6.
  • the pixel electrode 18 is provided in a comb shape (fork shape) so as to be branched into a plurality of portions and the branched portions extend in parallel with each other.
  • the counter substrate 30 includes, for example, a transparent substrate, a black matrix provided in a lattice shape on the transparent substrate, and a plurality of colored layers such as a red layer, a green layer, and a blue layer provided between the lattices of the black matrix. And a plurality of photo spacers provided in a columnar shape on the black matrix, and an alignment film provided so as to cover each colored layer, the black matrix, and each photo spacer.
  • the liquid crystal layer 40 is made of a nematic liquid crystal material having electro-optical characteristics.
  • the liquid crystal display device 70a having the above configuration applies a predetermined voltage for each sub-pixel P to the liquid crystal layer 40 disposed between each pixel electrode 18 and the common electrode 16 on the TFT substrate 20a, in other words, in the horizontal direction.
  • a predetermined voltage for each sub-pixel P to the liquid crystal layer 40 disposed between each pixel electrode 18 and the common electrode 16 on the TFT substrate 20a, in other words, in the horizontal direction.
  • each subpixel P is changed.
  • the image display is performed by adjusting the transmittance of light transmitted through the panel.
  • FIG. 5 is explanatory drawing which shows the manufacturing process of the liquid crystal display device 70a in a series of cross sections.
  • FIG. 6 is a plan view showing a first dividing step in the manufacturing process of the liquid crystal display device 70a.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a first dividing step along the line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a plan view showing a transparent conductive film forming step of the manufacturing process of the liquid crystal display device 70a.
  • FIG. 9 is a sectional view showing the transparent conductive film forming step along the line IX-IX in FIG.
  • the manufacturing method of the liquid crystal display device 70a of this embodiment includes a liquid crystal display panel manufacturing process including a TFT mother board manufacturing process, a CF mother board manufacturing process, a bonding process, and a first cutting process, and a second cutting process.
  • a transparent conductive film forming step is provided.
  • a gate line 11, a source line 14a, a TFT 5, a common electrode 16, a pixel electrode 18 and the like are formed on a large glass substrate using a known method, so that the TFT substrate 20a is arranged in a matrix.
  • a large TFT mother substrate 120 (see FIG. 5A) is fabricated (TFT mother substrate fabrication step).
  • a large CF mother substrate 130 in which the CF substrate 30 is arranged in a matrix (FIG. 5). (Refer to (a)) (CF mother substrate manufacturing step).
  • the seal material 45 is drawn in a frame shape on the surface of each CF substrate 30 of the CF mother substrate 130 using a dispenser.
  • liquid crystal material (40) is dropped onto each CF substrate 30 of the CF mother substrate 130 on which the seal material 45 is drawn, in a region surrounded by each seal material 45.
  • the CF mother substrate 130 and the TFT mother substrate 120 onto which the liquid crystal material (40) is dropped are bonded together under reduced pressure, and then released to atmospheric pressure, whereby each of the TFT mother substrate 120 and the CF mother substrate 130 is obtained.
  • a large-sized bonding body 150 is produced (bonding step).
  • the CF mother substrate 130 is changed to a strip-like CF mother substrate 131 so that the terminal region T of each TFT substrate 20 a of the TFT mother substrate 120 is exposed.
  • the large-sized bonding body 151 is produced by dividing (first dividing step).
  • an ITO film or the like is formed by a sputtering method with a film formation mask M provided with an opening A above the bonded body 151 manufactured in the liquid crystal display panel manufacturing process.
  • a large transparent conductive film 161 and a connection layer 62a are formed by forming a transparent conductive film (with a thickness of about 100 nm to 600 nm).
  • the combined body 152 is produced.
  • the pressure at that time is set higher than the pressure at which the common electrode 16 and the pixel electrode 18 are formed by the sputtering method, for example.
  • the free path may be made relatively short so that the transparent conductive film can be easily formed on the side surfaces of the CF mother substrate 131.
  • the large-sized bonding body 152 is divided into each cell unit, whereby the TFT mother substrate 120 is divided into each TFT 20 a, and the CF mother substrate 131 is divided into each CF substrate 30.
  • the transparent conductive film 161 is divided into each transparent conductive film 61 (second dividing step).
  • the liquid crystal display device 70a of this embodiment can be manufactured.
  • the grounding wiring G provided in the terminal region T of the TFT substrate 20a and the liquid crystal layer 40 on the opposite side of the CF substrate 30 are provided.
  • the transparent conductive film 61 provided on the surface does not pass through the transparent conductive film 161 in the transparent conductive film forming step, not through a conductive tape or conductive paste that easily expands and / or contracts depending on the ambient temperature. Since the connection is made through the connection layer 62a formed of the same material, the ground wiring G provided on the TFT substrate 20a and the transparent conductive film 61 provided on the CF substrate 30 can be reliably connected. .
  • connection layer 62a formed in the transparent conductive film forming step is formed integrally with the transparent conductive film 161 by extending the transparent conductive film 161, for example, a conductive tape, a conductive paste, or the like is separately provided.
  • This connection material is unnecessary, and the manufacturing cost can be reduced. Therefore, the manufacturing cost can be suppressed, and the ground wiring G provided on the TFT substrate 20a and the transparent conductive film 61 provided on the CF substrate 30 can be reliably connected.
  • the edge of the CF substrate 30 along the terminal region T coincides with the outer peripheral edge of the sealing material 45 at least in the portion where the connection layer 62a is provided. Moreover, it becomes difficult to form a space between the side surface of the sealing material 45 and the connection layer 62a, and disconnection of the connection layer 62a can be suppressed.
  • FIG. 10 is explanatory drawing which shows the manufacturing process of the liquid crystal display device 70a of this embodiment in a series of cross sections.
  • FIG. 11 is a plan view showing a dividing step of the manufacturing process of the liquid crystal display device 70a of the present embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a dividing step along the line XII-XVII in FIG.
  • FIG. 13 is a plan view of the film forming tray T used in the method for manufacturing the liquid crystal display device 70a of the present embodiment.
  • FIG. 10 is explanatory drawing which shows the manufacturing process of the liquid crystal display device 70a of this embodiment in a series of cross sections.
  • FIG. 11 is a plan view showing a dividing step of the manufacturing process of the liquid crystal display device 70a of the present embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a dividing step along the line XII-XVII in FIG.
  • FIG. 13 is a plan view of the film forming tray T used in the method
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the film formation tray T along the line XIV-XIV in FIG.
  • FIG. 15 is a plan view showing a transparent conductive film forming process of the manufacturing process of the liquid crystal display device 70a of the present embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing the transparent conductive film forming step along the line XVI-XVI in FIG.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 9 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the method of manufacturing the liquid crystal display device 70a by forming the transparent conductive film 161 in a large size is exemplified, but in the present embodiment, the transparent conductive film 61 is formed for each cell unit, A method for manufacturing the liquid crystal display device 70a will be exemplified.
  • the manufacturing method of the liquid crystal display device 70a of this embodiment includes a TFT mother substrate manufacturing step, a CF mother substrate manufacturing step, a bonding step, a liquid crystal display panel manufacturing step including a dividing step, and a transparent conductive film forming step. Prepare.
  • a gate line 11, a source line 14a, a TFT 5, a common electrode 16, a pixel electrode 18 and the like are formed on a large glass substrate using a known method, so that the TFT substrate 20a is arranged in a matrix.
  • a large TFT mother substrate 120 (see FIG. 10A) is fabricated (TFT mother substrate fabrication step).
  • a large CF mother substrate 130 in which the CF substrate 30 is arranged in a matrix (FIG. 10). (Refer to (a)) (CF mother substrate manufacturing step).
  • the seal material 45 is drawn in a frame shape on the surface of each CF substrate 30 of the CF mother substrate 130 using a dispenser.
  • liquid crystal material (40) is dropped onto each CF substrate 30 of the CF mother substrate 130 on which the seal material 45 is drawn, in a region surrounded by each seal material 45.
  • the CF mother substrate 130 and the TFT mother substrate 120 onto which the liquid crystal material (40) is dropped are bonded together under reduced pressure, and then released to atmospheric pressure, whereby each surface of the active matrix mother substrate and the opposite mother substrate is obtained. Is applied, and each sealing material 45 is cured to produce a large bonded body 150 as shown in FIG. 10A (bonding step).
  • the large size bonded body 150 is divided into cell units, whereby the TFT mother substrate 120 is divided into each TFT 20a, and the CF mother substrate 130 is formed.
  • Each CF substrate 30 is divided into a plurality of liquid crystal display panels 50a (a dividing step).
  • a film formation tray T used in this step is prepared.
  • the film formation tray T includes a plurality of storage portions E provided in a matrix.
  • the accommodating part E has a rectangular through-hole in the center part as shown in FIG.13 and FIG.14, and is comprised so that the TFT substrate 20a side of the liquid crystal display panel 50a may be accommodated.
  • the liquid crystal display panel 50 a produced in the liquid crystal display panel production process is accommodated in each accommodating portion E of the film formation tray T, and an opening is formed above the film formation tray T.
  • a transparent conductive film 61 and a connection layer 62a are formed by depositing a transparent conductive film (thickness of about 100 nm to 600 nm) such as an ITO film by a sputtering method with the film formation mask M provided with the portion A provided. Form.
  • the liquid crystal display device 70a can be manufactured by the manufacturing method of the present embodiment.
  • the ground wiring G provided on the TFT substrate 20a and the transparent provided on the CF substrate 30 are the same as in the first embodiment. Since the conductive film 61 is connected via the connection layer 62a provided integrally with the transparent conductive film 61, the manufacturing cost is reduced, and the ground wiring G and the CF substrate 30 provided on the TFT substrate 20a are connected. The provided transparent conductive film 61 can be reliably connected.
  • FIG. 17 is a plan view showing a method for manufacturing the liquid crystal display device 70b of the present embodiment.
  • the liquid crystal display device 70b is provided integrally with the liquid crystal display panel 50b, the transparent conductive film 61 provided on the CF substrate 30 of the liquid crystal display panel 50b, and the transparent conductive film 61. 50b, and two connection layers 62b respectively connected to two grounding wirings G (see FIG. 1) on the TFT substrate 20b described later.
  • the liquid crystal display panel 50b includes a TFT substrate 20b provided as a first substrate, a CF substrate 30 provided as a second substrate so as to face the TFT substrate 20b, a TFT substrate 20b, and a CF substrate.
  • a liquid crystal layer 40 (see FIG. 1) provided between the substrate 30, the TFT substrate 20 b and the CF substrate 30 are bonded to each other, and a frame is used to enclose the liquid crystal layer 40 between the TFT substrate 20 b and the CF substrate 30.
  • the sealing material 45 (refer FIG. 1) provided in the shape is provided.
  • the TFT substrate 20b is provided with only two grounding wires G in the terminal region T, and the other configurations are substantially the same as those of the TFT substrate 20a of the first embodiment.
  • the liquid crystal display device 70b changes the shape of the opening A of the film formation mask M to provide the transparent conductive film 61 and the two connection layers 62b for each cell unit. It can be manufactured by forming.
  • the ground wirings G provided on the TFT substrate 20b and the CF substrate 30 are provided as in the first embodiment. Since the transparent conductive film 61 is connected via the connection layers 62b provided integrally with the transparent conductive film 61, the grounding wiring G and the CF substrate provided on the TFT substrate 20b can be suppressed while suppressing the manufacturing cost. 30 can be reliably connected to the transparent conductive film 61 provided on the substrate 30.
  • the transparent conductive film 61 and each connection layer 62b are provided so as to cover the end of the CF substrate 30 along the terminal region T.
  • the connection resistance with the ground wiring G is lowered, and the charging of the CF substrate 30 can be further suppressed.
  • a TFT substrate provided with a bottom gate type TFT for each subpixel and a liquid crystal display device including the TFT substrate are exemplified.
  • the present invention provides a top gate type TFT for each subpixel.
  • the present invention can also be applied to a TFT substrate provided with, and a liquid crystal display device including the TFT substrate.
  • a TFT substrate provided with TFTs using amorphous silicon and a liquid crystal display device including the TFT substrate have been exemplified.
  • the present invention is not limited to, for example, polysilicon, continuous grain boundary crystal silicon (CGS).
  • CGS continuous grain boundary crystal silicon
  • oxide semiconductors such as Continuous (Grain (Silicon), In-Ga-Zn-O (IGZO), and liquid crystal display devices including the TFT substrates. be able to.
  • the present invention can also be applied to various horizontal electric field type liquid crystal display devices such as an AFFS (Advanced Fringe Field Switching) method and an IPS (In Plane Switching) method.
  • AFFS Advanced Fringe Field Switching
  • IPS In Plane Switching
  • a liquid crystal display device including a TFT substrate provided with a TFT for each sub-pixel has been illustrated.
  • the present invention provides other three terminals such as a MOS-FET type for each sub-pixel.
  • the present invention can also be applied to an active matrix substrate provided with the above switching elements and a liquid crystal display device including the active matrix substrate.
  • the TFT substrate using the TFT electrode connected to the pixel electrode as the drain electrode has been exemplified.
  • the present invention is applied to the TFT substrate called the source electrode. Can also be applied.
  • the present invention can suppress the manufacturing cost and connect the transparent conductive film provided on the CF substrate and the ground wiring provided on the TFT substrate. It is useful for a display device and an electronic apparatus including the display device.

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Abstract

　接地用配線（Ｇ）が設けられた端子領域（Ｔ）を有する第１基板（２０ａ）と、第１基板（２０ａ）の端子領域（Ｔ）以外の領域に対向する第２基板（３０）と、両基板（２０ａ、３０）の間に設けられた横電界方式の液晶層（４０）と、両基板（２０ａ、３０）の間に枠状に設けられ、液晶層（４０）を封入するシール材（４５）と、第２基板（３０）の液晶層（４０）と反対側の表面に設けられた透明導電膜（６１）と、透明導電膜（６１）と一体に設けられ、接地用配線（Ｇ）に接続された接続層（６２ａ）とを備えている。

Description

液晶表示装置及びその製造方法
　本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、横電界方式の液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
　横電界方式の液晶表示装置は、例えば、電極基板として設けられた第１基板と、第１基板に対向するように無電極基板として設けられた第２基板と、第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層とを備え、液晶層に横方向（基板表面に沿う方向）の電界を印加することにより、画像の最小単位である各副画素毎に液晶層を透過する光の透過率を調整して、画像表示を行うように構成されている。
　ところで、上記構成の横電界方式の液晶表示装置では、無電極基板の第２基板が帯電し易いので、第２基板に帯電した電荷に起因して、液晶層に縦方向（基板厚さ方向）の電界が発生することにより、表示不良が発生するおそれがある。そこで、従来より、第２基板の外表面に透明導電膜を設け、その透明導電膜を第１基板の端子領域に設けられた接地用配線に接続することにより、第２基板が帯電し難くなるような構成が提案されている。
　例えば、特許文献１には、（上記第１基板に相当する）アレイ基板と、（上記第２基板に相当する）ＣＦ基板との間に（上記液晶層に相当する）液晶が挟持された横電界方式の液晶表示パネルを備えた（上記液晶表示装置に相当する）液晶装置において、ＣＦ基板の外表面に形成された透明導電膜と、アレイ基板に形成された（上記接地用配線に相当する）アース配線とを、溶融硬化性を有するゴム材に導電性物質を分散させた導電性フィルムを介して接続することが記載されている。
　また、特許文献２には、基板表面に画素電極及び共通電極を配置した（上記第１基板に相当する）電極基板と、電極基板に対向して配置される（上記第２基板に相当する）対向基板との間に液晶材料を封入した液晶パネルを備えた液晶表示装置において、対向基板の表面側に形成された（上記透明導電膜に相当する）導電性膜と、電極基板の表面に形成された接地用配線とを、銀ペーストなどの導電性ペーストを介して接続することが記載されている。
特開２００８－２０３５９０号公報 特開２０１０－６０６９６号公報
　しかしながら、上記特許文献１に記載されたような導電性フィルムなどの導電性テープを用いた接続方法においては、導電性テープという接続材料が別途必要になるので、製造コストの増大が懸念されるだけでなく、導電性テープが雰囲気温度によって膨張又は収縮することにより、導電性テープとその被接着面との間に剥離が発生したりして、接続不良も懸念されるので、改善の余地がある。また、上記特許文献２に記載されたような導電性ペーストを用いた接続方法においても、導電性ペーストという接続材料が別途必要になるので、製造コストの増大が懸念されるだけでなく、導電性ペーストが熱収縮することにより、導電性ペースト自体にひび割れが発生したり、導電性ペーストとその被塗布面との間に剥離が発生したりして、接続不良も懸念されるので、改善の余地がある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、製造コストを抑制して、第１基板に設けられた接地用配線と第２基板に設けられた透明導電膜とを確実に接続することにある。
　上記目的を達成するために、本発明は、第１基板に設けられた接地用配線と第２基板に設けられた透明導電膜とを透明導電膜と一体に設けられた接続層を介して接続するようにしたものである。
　具体的に本発明に係る液晶表示装置は、接地用配線が設けられた端子領域を有する第１基板と、上記第１基板の上記端子領域以外の領域に対向する第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられ、該第１基板の表面に沿う方向に電界が印加される液晶層と、上記第１基板及び第２基板の間に枠状に設けられ、上記液晶層を封入するシール材と、上記第２基板の上記液晶層と反対側の表面に設けられた透明導電膜と、上記透明導電膜と一体に設けられ、上記接地用配線に接続された接続層とを備えている。
　上記の構成によれば、第１基板の端子領域に設けられた接地用配線と、第２基板の液晶層と反対側の表面に設けられた透明導電膜とが、例えば、雰囲気温度によって膨張及び／又は収縮し易い導電性テープや導電性ペーストなどを介してではなく、透明導電膜と同じ材料により形成された接続層を介して接続されているので、第１基板に設けられた接地用配線と第２基板に設けられた透明導電膜とが確実に接続される。また、接続層が、透明導電膜と一体に設けられているので、例えば、導電性テープや導電性ペーストなどの別途の接続材料が不必要になり、製造コストが抑制される。したがって、製造コストを抑制して、第１基板に設けられた接地用配線と第２基板に設けられた透明導電膜とが確実に接続される。
　上記端子領域に沿う上記第２基板の端縁は、少なくとも上記接続層が設けられた部分で上記シール材の外周縁と一致していてもよい。
　上記の構成によれば、端子領域に沿う第２基板の端縁が、少なくとも接続層が設けられた部分において、シール材の外周縁と一致しているので、シール材の側面と接続層との間に空間が形成され難くなり、接続層の断線が抑制される。
　上記接地用配線は、上記第１基板に複数設けられ、上記接続層は、上記複数の接地用配線に対して複数設けられ、上記透明導電膜及び該透明導電膜と一体の上記接続層は、上記端子領域に沿う上記第２基板の端部を覆うように設けられていてもよい。
　上記の構成によれば、透明導電膜及び各接続層が端子領域に沿う第２基板の端部を覆うように設けられているので、透明導電膜と接地用配線との接続抵抗が低くなり、第２基板の帯電がいっそう抑制される。
　上記第１基板は、マトリクス状に設けられた複数の画素電極と、該画素電極に絶縁膜を介して設けられた共通電極とを備え、上記画素電極は、櫛歯状に設けられていてもよい。
　上記の構成によれば、第１基板が、マトリクス状に設けられた櫛歯状の複数の画素電極と、各画素電極に絶縁膜を介して設けられた共通電極とを備えているので、横電界方式の液晶表示装置を構成する電極基板が具体的に構成される。
　また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、接地用配線が設けられた端子領域を有する第１基板、上記第１基板の上記端子領域以外の領域に対向する第２基板、上記第１基板及び第２基板の間に設けられ、該第１基板の表面に沿う方向に電界が印加される液晶層、並びに上記第１基板及び第２基板の間に設けられ、上記液晶層を封入するシール材を備えた液晶表示パネルを作製する液晶表示パネル作製工程と、上記液晶表示パネルにおける上記第２基板の上記液晶層と反対側の表面に透明導電膜を形成すると共に、該透明導電膜を延設して上記接地用配線に接続される接続層を形成する透明導電膜成膜工程とを備える。
　上記の方法によれば、第１基板の端子領域に設けられた接地用配線と、第２基板の液晶層と反対側の表面に設けられた透明導電膜とが、例えば、雰囲気温度によって膨張及び／又は収縮し易い導電性テープや導電性ペーストなどを介してではなく、透明導電膜成膜工程で透明導電膜と同じ材料により形成された接続層を介して接続されているので、第１基板に設けられた接地用配線と第２基板に設けられた透明導電膜とが確実に接続される。また、透明導電膜成膜工程で形成される接続層が、透明導電膜を延設して透明導電膜と一体に形成されるので、例えば、導電性テープや導電性ペーストなどの別途の接続材料が不必要になり、製造コストが抑制される。したがって、製造コストを抑制して、第１基板に設けられた接地用配線と第２基板に設けられた透明導電膜とが確実に接続される。
　上記透明導電膜成膜工程では、マスクを用いたスパッタリング法により、上記透明導電膜及び接続層を形成してもよい。
　上記の方法によれば、透明導電膜成膜工程では、マスクを用いたスパッタリング法により、透明導電膜及び接続層を形成するので、透明導電膜と接地用配線とを接続する接続層が透明導電膜と同時に具体的に形成される。
　本発明によれば、第１基板に設けられた接地用配線と第２基板に設けられた透明導電膜とが透明導電膜と一体に設けられた接続層を介して接続されているので、製造コストを抑制して、第１基板に設けられた接地用配線と第２基板に設けられた透明導電膜とを確実に接続することができる。
図１は、実施形態１に係る液晶表示装置の断面図である。 図２は、実施形態１に係る液晶表示装置を構成する第１基板の平面図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿った第１基板の断面図である。 図４は、図２中のIV－IV線に沿った第１基板の断面図である。 図５は、実施形態１に係る液晶表示装置の製造工程を一連の断面で示す説明図である。 図６は、実施形態１に係る液晶表示装置の製造工程の第１分断工程を示す平面図である。 図７は、図６中のVII－VII線に沿った第１分断工程を示す断面図である。 図８は、実施形態１に係る液晶表示装置の製造工程の透明導電膜成膜工程を示す平面図である。 図９は、図８中のIX－IX線に沿った透明導電膜成膜工程を示す断面図である。 図１０は、実施形態２に係る液晶表示装置の製造工程を一連の断面で示す説明図である。 図１１は、実施形態２に係る液晶表示装置の製造工程の分断工程を示す平面図である。 図１２は、図１１中のXII－XVII線に沿った分断工程を示す断面図である。 図１３は、実施形態２に係る液晶表示装置の製造方法で用いる成膜トレイの平面図である。 図１４は、図１３中のXIV－XIV線に沿った成膜トレイの断面図である。 図１５は、実施形態２に係る液晶表示装置の製造工程の透明導電膜成膜工程を示す平面図である。 図１６は、図１５中のXVI－XVI線に沿った透明導電膜成膜工程を示す断面図である。 図１７は、実施形態３に係る液晶表示装置の製造方法を示す平面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《発明の実施形態１》
　図１～図９は、本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法の実施形態１を示している。ここで、図１は、本実施形態の液晶表示装置７０ａの断面図である。また、図２は、液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板２０ａの平面図である。さらに、図３は、図２中のIII－III線に沿ったＴＦＴ基板２０ａの断面図であり、図４は、図２中のIV－IV線に沿ったＴＦＴ基板２０ａの断面図である。
　液晶表示装置７０ａは、図１に示すように、液晶表示パネル５０ａと、液晶表示パネル５０ａの後述するＣＦ基板３０の図中上面に設けられた透明導電膜６１と、透明導電膜６１と一体に設けられ、液晶表示パネル５０ａの後述するＴＦＴ基板２０ａ上の接地用配線Ｇに接続された接続層６２ａとを備えている。
　液晶表示パネル５０ａは、図１に示すように、第１基板として設けられたＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板２０ａと、ＴＦＴ基板２０ａに対向するように第２基板として設けられたＣＦ（Color Filter）基板３０と、ＴＦＴ基板２０ａ及びＣＦ基板３０の間に設けられた液晶層４０と、ＴＦＴ基板２０ａ及びＣＦ基板３０を互いに接着すると共に、ＴＦＴ基板２０ａ及びＣＦ基板３０の間に液晶層４０を封入するために枠状に設けられたシール材４５とを備えている。
　液晶表示パネル５０ａでは、図１に示すように、シール材４５の内側に画像表示を行う表示領域Ｄが規定されている。ここで、表示領域Ｄには、各々、画像の最小単位である複数の副画素Ｐ（図２参照）がマトリクス状に配置されている。また、表示領域Ｄでは、例えば、赤色の階調表示を行うための副画素Ｐ、緑色の階調表示を行うための副画素Ｐ、及び青色の階調表示を行うための副画素Ｐが互いに隣り合うように設けられ、それらの３つの副画素Ｐにより１つの画素が構成されている。また、液晶表示パネル５０ａでは、図１に示すように、ＣＦ基板３０の端縁がシール材４５の外周縁と一致している。
　ＴＦＴ基板２０ａは、図２～図４に示すように、透明基板１０と、透明基板１０上に図２中の横方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１と、各ゲート線１１を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に各ゲート線１１と直交する方向（図２中の縦方向）に互いに並行に延びるように設けられた複数のソース線１４ａと、各ゲート線１１及び各ソース線１４ａの交差部分毎、すなわち、各副画素Ｐ毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ５と、各ＴＦＴ５及び各ソース線１４ａを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に設けられた共通電極１６と、共通電極１６を覆うように設けられた第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上にマトリクス状に設けられ、各ＴＦＴ５にそれぞれ接続された複数の画素電極１８と、各画素電極１８を覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。
　ＴＦＴ基板２０ａには、図１に示すように、ＣＦ基板３０から露出するように端子領域Ｔが設けられている。また、ＣＦ基板３０は、ＴＦＴ基板２０ａの端子領域Ｔ以外の領域に対向するように設けられている。ここで、端子領域Ｔには、例えば、駆動回路に接続するために各ゲート線１１及び各ソース線１４ａがそれぞれ引き出されている。また、端子領域Ｔの基板端部には、例えば、外部回路などに接続するためのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）がＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して圧着されている。さらに、端子領域Ｔには、図１に示すように、接地用配線ＧがＦＰＣ（不図示）上の接地電位に接続されるように設けられている。これにより、ＣＦ基板３０に帯電した電荷は、透明導電膜６１、接続層６２ａ、接地用配線Ｇ及びＦＰＣを介して、外部に放電されることになる。ここで、接地用配線Ｇは、例えば、ゲート線１１を形成するための金属導電膜、ソース線１４ａを形成するための金属導電膜、共通電極１６を形成するための透明導電膜、及び画素電極１８を形成するための透明導電膜を適宜積層して、厚さ７００ｎｍ～９００ｎｍ程度に形成されている。なお、透明導電膜として、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を用いる場合には、その下層の導電膜が、チタン膜やモリブデン膜などの非アルミニウム系金属導電膜（合金膜を含む）、ＩＴＯ膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜などの透明導電膜のような電蝕が発生し難い材料により形成される。
　ＴＦＴ５は、図２及び図３に示すように、透明基板１０上に設けられたゲート電極１１ａと、ゲート電極１１ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極１１ａに重なるように島状に設けられた半導体層１３と、半導体層１３上に互いに離間するように設けられたソース電極（１４ａ）及びドレイン電極１４ｂとを備えている。
　ゲート電極１１ａは、図２に示すように、各ゲート線１１の副画素Ｐ毎に側方に突出した部分である。
　ソース電極（１４ａ）は、図２に示すように、各ソース線１４ａの一部分であり、各ソース線１４ａの各副画素Ｐ毎にＵ字状（コ字状）に屈曲した部分である。
　ドレイン電極１４ｂは、図２及び図３に示すように、第１層間絶縁膜１５に各副画素Ｐ毎に形成されたコンタクトホールＨを介して、画素電極１８に接続されている。
　半導体層１３は、図３に示すように、ソース電極（１４ａ）及びドレイン電極１４ｂから露出するＵ字状（コ字状）の部分（図２参照）にチャネル領域Ｃを有している。ここで、半導体層１３は、例えば、ゲート絶縁膜１２側に設けられた真性アモルファスシリコン層と、真性アモルファスシリコン層のチャネル領域Ｃが露出するように真性アモルファスシリコン層上に設けられ、ソース電極（１４ａ）及びドレイン電極１４ｂにそれぞれ接続されたｎ＋アモルファスシリコン層とを備えている。
　第１層間絶縁膜１５は、図３及び図４に示すように、ＴＦＴ５を覆うようにゲート絶縁膜１２上に設けられた無機絶縁膜１５ａと、無機絶縁膜１５ａ上に設けられた有機絶縁膜１５ｂとを備えている。
　共通電極１６は、図１～図４に示すように、全ての副画素Ｐにわたって一体に形成されている。そして、共通電極１６は、図３及び図４に示すように、各副画素Ｐにおいて、第２層間絶縁膜１７を介して、画素電極１８に重なることにより、補助容量６を構成している。
　画素電極１８は、図２及び図４に示すように、複数に枝分かれし、枝分かれした部分同士が互いに平行に延びるように、櫛歯状（フォーク状）に設けられている。
　対向基板３０は、例えば、透明基板と、透明基板上に格子状に設けられたブラックマトリクスと、ブラックマトリクスの各格子間にそれぞれ設けられた赤色層、緑色層及び青色層などの複数の着色層と、ブラックマトリクス上に柱状に設けられた複数のフォトスペーサと、各着色層、ブラックマトリクス及び各フォトスペーサを覆うように設けられた配向膜とを備えている。
　液晶層４０は、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料などにより構成されている。
　上記構成の液晶表示装置７０ａは、ＴＦＴ基板２０ａ上の各画素電極１８と共通電極１６との間に配置する液晶層４０に各副画素Ｐ毎に所定の電圧を印加して、横方向、言い換えれば、ＴＦＴ基板２０ａの表面に沿う方向、さらに言い換えれば、ＴＦＴ基板２０ａ及び対向基板３０の互いに対向する面に沿う方向に生じる電界によって、液晶層４０の配向状態を変えることにより、各副画素Ｐにパネル内を透過する光の透過率を調整して、画像表示を行うように構成されている。
　次に、本実施形態の液晶表示装置７０ａの製造方法について、図５～図９を用いて説明する。ここで、図５は、液晶表示装置７０ａの製造工程を一連の断面で示す説明図である。また、図６は、液晶表示装置７０ａの製造工程の第１分断工程を示す平面図である。さらに、図７は、図６中のVII－VII線に沿った第１分断工程を示す断面図である。また、図８は、液晶表示装置７０ａの製造工程の透明導電膜成膜工程を示す平面図である。さらに、図９は、図８中のIX－IX線に沿った透明導電膜成膜工程を示す断面図である。なお、本実施形態の液晶表示装置７０ａの製造方法は、ＴＦＴ母基板作製工程、ＣＦ母基板作製工程、貼合工程及び第１分断工程を含む液晶表示パネル作製工程、並びに第２分断工程を含む透明導電膜成膜工程を備える。
　＜液晶表示パネル作製工程＞
　まず、大判のガラス基板上に、周知の方法を用いて、ゲート線１１、ソース線１４ａ、ＴＦＴ５、共通電極１６及び画素電極１８などを形成することにより、ＴＦＴ基板２０ａがマトリクス状に配置された大判のＴＦＴ母基板１２０（図５（ａ）参照）を作製する（ＴＦＴ母基板作製工程）。
　また、大判のガラス基板上に、周知の方法を用いて、ブラックマトリクス、着色層及びフォトスペーサなどを形成することにより、ＣＦ基板３０がマトリクス状に配置された大判のＣＦ母基板１３０（図５（ａ）参照）を作製する（ＣＦ母基板作製工程）。
　続いて、例えば、ディスペンサを用いて、ＣＦ母基板１３０の各ＣＦ基板３０の表面にシール材４５を枠状に描画する。
　その後、シール材４５が描画されたＣＦ母基板１３０の各ＣＦ基板３０に対し、各シール材４５に囲まれた領域に液晶材料（４０）を滴下する。
　そして、液晶材料（４０）が滴下されたＣＦ母基板１３０とＴＦＴ母基板１２０とを、減圧下で貼り合わせた後に、大気圧に開放することにより、ＴＦＴ母基板１２０及びＣＦ母基板１３０の各表面を加圧し、さらに、各シール材４５を硬化させることにより、図５（ａ）に示すように、大判の貼合体１５０を作製する（貼合工程）。
　その後、図５（ｂ）、図６及び図７に示すように、ＴＦＴ母基板１２０の各ＴＦＴ基板２０ａの端子領域Ｔが露出するように、ＣＦ母基板１３０を短冊状のＣＦ母基板１３１に分断することにより、大判の貼合体１５１を作製する（第１分断工程）。
　＜透明導電膜成膜工程＞
　まず、図９に示すように、上記液晶表示パネル作製工程で作製された貼合体１５１の上方に、開口部Ａが設けられた成膜マスクＭを設置した状態で、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜などの透明導電膜（厚さ１００ｎｍ～６００ｎｍ程度）を成膜することにより、図５（ｃ）及び図８に示すように、大判の透明導電膜１６１及び接続層６２ａを形成して、大判の貼合体１５２を作製する。なお、透明導電膜を成膜する際には、そのときの圧力を、例えば、共通電極１６や画素電極１８をスパッタリング法により成膜する際の圧力よりも高く設定することにより、スパッタ粒子の平均自由行程を相対的に短くして、ＣＦ母基板１３１の側面に透明導電膜を成膜し易くしてもよい。
　続いて、図５（ｄ）に示すように、大判の貼合体１５２を各セル単位毎に分断することにより、ＴＦＴ母基板１２０を各ＴＦＴ２０ａに分断し、ＣＦ母基板１３１を各ＣＦ基板３０に分断し、透明導電膜１６１を各透明導電膜６１に分断する（第２分断工程）。
　以上のようにして、本実施形態の液晶表示装置７０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の液晶表示装置７０ａ及びその製造方法によれば、ＴＦＴ基板２０ａの端子領域Ｔに設けられた接地用配線Ｇと、ＣＦ基板３０の液晶層４０と反対側の表面に設けられた透明導電膜６１とが、例えば、雰囲気温度によって膨張及び／又は収縮し易い導電性テープや導電性ペーストなどを介してではなく、透明導電膜成膜工程で透明導電膜１６１と同じ材料により形成された接続層６２ａを介して接続されているので、ＴＦＴ基板２０ａに設けられた接地用配線ＧとＣＦ基板３０に設けられた透明導電膜６１とを確実に接続することができる。また、透明導電膜成膜工程で形成される接続層６２ａが、透明導電膜１６１を延設して透明導電膜１６１と一体に形成されるので、例えば、導電性テープや導電性ペーストなどの別途の接続材料が不必要になり、製造コストを抑制することができる。したがって、製造コストを抑制して、ＴＦＴ基板２０ａに設けられた接地用配線ＧとＣＦ基板３０に設けられた透明導電膜６１とを確実に接続することができる。
　また、本実施形態の液晶表示装置７０ａによれば、端子領域Ｔに沿うＣＦ基板３０の端縁が、少なくとも接続層６２ａが設けられた部分において、シール材４５の外周縁と一致しているので、シール材４５の側面と接続層６２ａとの間に空間が形成され難くなり、接続層６２ａの断線を抑制することができる。
　《発明の実施形態２》
　図１０～図１６は、本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法の実施形態２を示している。ここで、図１０は、本実施形態の液晶表示装置７０ａの製造工程を一連の断面で示す説明図である。また、図１１は、本実施形態の液晶表示装置７０ａの製造工程の分断工程を示す平面図である。また、図１２は、図１１中のXII－XVII線に沿った分断工程を示す断面図である。また、図１３は、本実施形態の液晶表示装置７０ａの製造方法で用いる成膜トレイＴの平面図である。また、図１４は、図１３中のXIV－XIV線に沿った成膜トレイＴの断面図である。また、図１５は、本実施形態の液晶表示装置７０ａの製造工程の透明導電膜成膜工程を示す平面図である。また、図１６は、図１５中のXVI－XVI線に沿った透明導電膜成膜工程を示す断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図９と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記実施形態１では、大判で透明導電膜１６１を成膜して、液晶表示装置７０ａを製造する方法を例示したが、本実施形態では、セル単位毎に透明導電膜６１を成膜して、液晶表示装置７０ａを製造する方法を例示する。ここで、本実施形態の液晶表示装置７０ａの製造方法は、ＴＦＴ母基板作製工程、ＣＦ母基板作製工程、貼合工程及び分断工程を含む液晶表示パネル作製工程、並びに透明導電膜成膜工程を備える。
　＜液晶表示パネル作製工程＞
　まず、大判のガラス基板上に、周知の方法を用いて、ゲート線１１、ソース線１４ａ、ＴＦＴ５、共通電極１６及び画素電極１８などを形成することにより、ＴＦＴ基板２０ａがマトリクス状に配置された大判のＴＦＴ母基板１２０（図１０（ａ）参照）を作製する（ＴＦＴ母基板作製工程）。
　また、大判のガラス基板上に、周知の方法を用いて、ブラックマトリクス、着色層及びフォトスペーサなどを形成することにより、ＣＦ基板３０がマトリクス状に配置された大判のＣＦ母基板１３０（図１０（ａ）参照）を作製する（ＣＦ母基板作製工程）。
　続いて、例えば、ディスペンサを用いて、ＣＦ母基板１３０の各ＣＦ基板３０の表面にシール材４５を枠状に描画する。
　その後、シール材４５が描画されたＣＦ母基板１３０の各ＣＦ基板３０に対し、各シール材４５に囲まれた領域に液晶材料（４０）を滴下する。
　そして、液晶材料（４０）が滴下されたＣＦ母基板１３０とＴＦＴ母基板１２０とを、減圧下で貼り合わせた後に、大気圧に開放することにより、アクティブマトリクス母基板及び対向母基板の各表面を加圧し、さらに、各シール材４５を硬化させることにより、図１０（ａ）に示すように、大判の貼合体１５０を作製する（貼合工程）。
　その後、図１０（ｂ）、図１１及び図１２に示すように、大判の貼合体１５０を各セル単位毎に分断することにより、ＴＦＴ母基板１２０を各ＴＦＴ２０ａに分断し、ＣＦ母基板１３０を各ＣＦ基板３０に分断し、複数の液晶表示パネル５０ａを作製する（分断工程）。
　＜透明導電膜成膜工程＞
　まず、本工程で用いる成膜トレイＴを準備する。ここで、成膜トレイＴは、図１３及び図１４に示すように、マトリクス状に設けられた複数の収容部Ｅを備えている。そして、収容部Ｅは、図１３及び図１４に示すように、中央部に矩形状の貫通孔を有し、液晶表示パネル５０ａのＴＦＴ基板２０ａ側を収容するように構成されている。
　続いて、図１５及び図１６に示すように、成膜トレイＴの各収容部Ｅに上記液晶表示パネル作製工程で作製された液晶表示パネル５０ａを収容し、成膜トレイＴの上方に、開口部Ａが設けられた成膜マスクＭを設置した状態で、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜などの透明導電膜（厚さ１００ｎｍ～６００ｎｍ程度）を成膜することにより、透明導電膜６１及び接続層６２ａを形成する。
　以上のようにして、本実施形態の製造方法で液晶表示装置７０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の液晶表示装置７０ａ及びその製造方法によれば、上記実施形態１と同様に、ＴＦＴ基板２０ａに設けられた接地用配線ＧとＣＦ基板３０に設けられた透明導電膜６１とが透明導電膜６１と一体に設けられた接続層６２ａを介して接続されているので、製造コストを抑制して、ＴＦＴ基板２０ａに設けられた接地用配線ＧとＣＦ基板３０に設けられた透明導電膜６１とを確実に接続することができる。
　《発明の実施形態３》
　図１７は、本実施形態の液晶表示装置７０ｂの製造方法を示す平面図である。
　液晶表示装置７０ｂは、図１７に示すように、液晶表示パネル５０ｂと、液晶表示パネル５０ｂのＣＦ基板３０に設けられた透明導電膜６１と、透明導電膜６１と一体に設けられ、液晶表示パネル５０ｂの後述するＴＦＴ基板２０ｂ上の２つの接地用配線Ｇ（図１参照）にそれぞれ接続された２つの接続層６２ｂとを備えている。
　液晶表示パネル５０ｂは、図１７に示すように、第１基板として設けられたＴＦＴ基板２０ｂと、ＴＦＴ基板２０ｂに対向するように第２基板として設けられたＣＦ基板３０と、ＴＦＴ基板２０ｂ及びＣＦ基板３０の間に設けられた液晶層４０（図１参照）と、ＴＦＴ基板２０ｂ及びＣＦ基板３０を互いに接着すると共に、ＴＦＴ基板２０ｂ及びＣＦ基板３０の間に液晶層４０を封入するために枠状に設けられたシール材４５（図１参照）とを備えている。
　ＴＦＴ基板２０ｂは、端子領域Ｔに接地用配線Ｇが２つ設けられているだけで、その他の構成が上記実施形態１のＴＦＴ基板２０ａと実質的に同じになっている。
　液晶表示装置７０ｂは、上記実施形態２の透明導電膜成膜工程において、成膜マスクＭの開口部Ａの形状を変更して、各セル単位毎に透明導電膜６１及び２つの接続層６２ｂを形成することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の液晶表示装置７０ｂ及びその製造方法によれば、上記実施形態１と同様に、ＴＦＴ基板２０ｂに設けられた各接地用配線ＧとＣＦ基板３０に設けられた透明導電膜６１とが透明導電膜６１と一体に設けられた各接続層６２ｂを介して接続されているので、製造コストを抑制して、ＴＦＴ基板２０ｂに設けられた接地用配線ＧとＣＦ基板３０に設けられた透明導電膜６１とを確実に接続することができる。
　また、本実施形態の液晶表示装置７０ｂによれば、透明導電膜６１及び各接続層６２ｂが端子領域Ｔに沿うＣＦ基板３０の端部を覆うように設けられているので、透明導電膜６１と接地用配線Ｇとの接続抵抗が低くなり、ＣＦ基板３０の帯電をいっそう抑制することができる。
　なお、上記各実施形態では、各副画素毎にボトムゲート型のＴＦＴが設けられたＴＦＴ基板及びそれを備えた液晶表示装置を例示したが、本発明は、各副画素にトップゲート型のＴＦＴが設けられたＴＦＴ基板及びそれを備えた液晶表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、アモルファスシリコンを用いたＴＦＴが設けられたＴＦＴ基板及びそれを備えた液晶表示装置を例示したが、本発明は、例えば、ポリシリコン、連続粒界結晶シリコン（ＣＧＳ：Continuous Grain Silicon）、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ（ＩＧＺＯ）系などの酸化物半導体のような他の半導体材料を用いたＴＦＴが設けられたＴＦＴ基板及びそれを備えた液晶表示装置にも適用することができる。
　また、本発明は、ＡＦＦＳ（Advanced Fringe Field Switching）方式やＩＰＳ（In Plane Switching）方式などの種々の横電界方式の液晶表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、各副画素毎にＴＦＴが設けられたＴＦＴ基板を備えた液晶表示装置を例示したが、本発明は、各副画素毎にＭＯＳ-ＦＥＴ方式などの他の３端子のスイッチング素子が設けられたアクティブマトリクス基板及びそれを備えた液晶表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極としたＴＦＴ基板を例示したが、本発明は、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶＴＦＴ基板にも適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、製造コストを抑制して、ＣＦ基板に設けられた透明導電膜とＴＦＴ基板に設けられた接地用配線とを接続することができるので、横電界方式の液晶表示装置及びそれを備えた電子機器について有用である。
Ｇ　　　接地用配線
Ｍ　　　成膜マスク
Ｔ　　　端子領域
１６　　共通電極
１７　　第２層間絶縁膜
１８　　画素電極
２０ａ，２０ｂ　　ＴＦＴ基板（第１基板）
３０　　ＣＦ基板（第２基板）
４０　　液晶層
４５　　シール材
５０ａ，５０ｂ　　液晶表示パネル
６１　　透明導電膜
６２ａ，６２ｂ　　接続層
７０ａ，７０ｂ　　液晶表示装置

Claims (6)

  1. 　接地用配線が設けられた端子領域を有する第１基板と、
    　上記第１基板の上記端子領域以外の領域に対向する第２基板と、
    　上記第１基板及び第２基板の間に設けられ、該第１基板の表面に沿う方向に電界が印加される液晶層と、
    　上記第１基板及び第２基板の間に枠状に設けられ、上記液晶層を封入するシール材と、
    　上記第２基板の上記液晶層と反対側の表面に設けられた透明導電膜と、
    　上記透明導電膜と一体に設けられ、上記接地用配線に接続された接続層とを備えている、液晶表示装置。
  2. 　上記端子領域に沿う上記第２基板の端縁は、少なくとも上記接続層が設けられた部分で上記シール材の外周縁と一致している、請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 　上記接地用配線は、上記第１基板に複数設けられ、
    　上記接続層は、上記複数の接地用配線に対して複数設けられ、
    　上記透明導電膜及び該透明導電膜と一体の上記接続層は、上記端子領域に沿う上記第２基板の端部を覆うように設けられている、請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
  4. 　上記第１基板は、マトリクス状に設けられた複数の画素電極と、該画素電極に絶縁膜を介して設けられた共通電極とを備え、
    　上記画素電極は、櫛歯状に設けられている、請求項１乃至３の何れか１つに記載の液晶表示装置。
  5. 　接地用配線が設けられた端子領域を有する第１基板、上記第１基板の上記端子領域以外の領域に対向する第２基板、上記第１基板及び第２基板の間に設けられ、該第１基板の表面に沿う方向に電界が印加される液晶層、並びに上記第１基板及び第２基板の間に設けられ、上記液晶層を封入するシール材を備えた液晶表示パネルを作製する液晶表示パネル作製工程と、
    　上記液晶表示パネルにおける上記第２基板の上記液晶層と反対側の表面に透明導電膜を形成すると共に、該透明導電膜を延設して上記接地用配線に接続される接続層を形成する透明導電膜成膜工程とを備える、液晶表示装置の製造方法。
  6. 　上記透明導電膜成膜工程では、マスクを用いたスパッタリング法により、上記透明導電膜及び接続層を形成する、請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09105918A (ja) * 1995-10-12 1997-04-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH10268783A (ja) * 1997-03-26 1998-10-09 Hitachi Ltd 画像表示装置
JP2008185934A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Seiko Instruments Inc 液晶表示装置
JP2010060696A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Ips Alpha Technology Ltd 液晶表示装置
JP2011133594A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Denso Corp 表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09105918A (ja) * 1995-10-12 1997-04-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH10268783A (ja) * 1997-03-26 1998-10-09 Hitachi Ltd 画像表示装置
JP2008185934A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Seiko Instruments Inc 液晶表示装置
JP2010060696A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Ips Alpha Technology Ltd 液晶表示装置
JP2011133594A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Denso Corp 表示装置

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