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WO2012120879A1 - 弾性波装置 - Google Patents

弾性波装置 Download PDF

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Publication number
WO2012120879A1
WO2012120879A1 PCT/JP2012/001546 JP2012001546W WO2012120879A1 WO 2012120879 A1 WO2012120879 A1 WO 2012120879A1 JP 2012001546 W JP2012001546 W JP 2012001546W WO 2012120879 A1 WO2012120879 A1 WO 2012120879A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
idt
terminal
filter
balanced terminal
comb
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/001546
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
和紀 西村
池内　哲
Original Assignee
パナソニック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニック株式会社 filed Critical パナソニック株式会社
Priority to CN201280002266.9A priority Critical patent/CN103053112B/zh
Priority to JP2013503392A priority patent/JP5476617B2/ja
Priority to US13/701,417 priority patent/US9172350B2/en
Publication of WO2012120879A1 publication Critical patent/WO2012120879A1/ja

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    • H—ELECTRICITY
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    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device having an unbalance-balance conversion function.
  • an elastic wave device including a plurality of high frequency filters having different pass bands has been used in mobile phones and the like.
  • a filter having a relatively close frequency band such as a filter having a pass band of 1805 to 1880 MHz and a filter having a pass band of 1930 to 1990 MHz is used.
  • a dual filter having a structure in which balanced terminals are shared is used in order to share circuits other than the filter.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of the conventional acoustic wave device 101.
  • the acoustic wave device 101 includes a low-pass filter 103 and a high-pass filter 104 on the piezoelectric substrate 2 made of a piezoelectric single crystal.
  • the low-pass filter 103 is an unbalance-balance conversion type filter having a pass characteristic in a band having a relatively low center frequency.
  • the high-pass filter 104 is an unbalance-balance conversion type filter having a pass characteristic in a band having a relatively high center frequency.
  • the low-pass filter 103 is connected to the unbalanced terminal 5 on the input side.
  • the high-pass filter 104 is connected to the unbalanced terminal 6 on the input side.
  • the low-pass filter 103 and the high-pass filter 104 are connected to the balanced terminal 7 and the balanced terminal 8 on the output side, and are shared.
  • the low-pass filter 103 includes longitudinally coupled acoustic wave filters (longitudinal coupled acoustic wave resonators) 51 and 52.
  • the high-pass filter 104 includes longitudinally coupled elastic wave filters 53 and 54.
  • the longitudinally coupled elastic wave filter 51 is formed by IDT (Inter Digital Transducer) 51a, 51b, 51c.
  • the longitudinally coupled elastic wave filter 52 is formed of IDTs 52a, 52b, and 52c.
  • the longitudinally coupled elastic wave filter 53 is formed of IDTs 53a, 53b, and 53c.
  • the longitudinally coupled elastic wave filter 54 is formed of IDTs 54a, 54b, and 54c.
  • the phases of the IDT 51a, IDT 51b, and IDT 51c of the low-pass filter 103 and the phases of IDT 53a, IDT 53b, and IDT 53c of the high-pass filter 104 are the same. Further, the phases of the IDT 52a, IDT 52b, and IDT 52c of the low-pass filter 103 and the phases of the IDT 54a, IDT 54b, and IDT 54c of the high-pass filter 104 are the same (for example, Patent Document 1).
  • the acoustic wave device includes a first unbalanced terminal, a second unbalanced terminal, a first balanced terminal, a second balanced terminal, a first filter unit, and a second filter unit.
  • the first filter unit has a first pass band, the input side is electrically connected to the first unbalanced terminal, and the output side is electrically connected to the first balanced terminal and the second balanced terminal.
  • the second filter unit has a second passband having a frequency higher than that of the first passband, the input side is electrically connected to the second unbalanced terminal, and the output side is connected to the first balanced terminal and the second It is electrically connected to the balanced terminal of this and has an unbalanced-balanced conversion function.
  • phase of the electrical signal transmitted from the first unbalanced terminal of the first filter unit to the first balanced terminal and the phase from the second unbalanced terminal of the second filter unit to the first balanced terminal are The phase is different from the first unbalanced terminal to the second balanced terminal of the first filter unit, and the second unbalanced terminal of the second filter unit to the second balanced terminal. Are different so that their phases are opposite.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the acoustic wave device according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 3A is a pass characteristic diagram of the low-pass filter of the acoustic wave device according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 3B is a pass characteristic diagram of the high-pass filter of the acoustic wave device according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of a conventional acoustic wave device.
  • acoustic wave device 101 In recent years, in a communication apparatus using such an acoustic wave device 101, there is a tendency that an electronic circuit (not shown) connected to the balanced terminals 7 and 8 is made common to reduce the size and cost.
  • the acoustic wave device 101 is also required to share the balanced terminals 7 and 8 connected to the low-pass filter 3 and the balanced terminals 7 and 8 connected to the high-pass filter 104.
  • a signal may be mixed into the low-pass filter 103 or the high-pass filter 104 from the other filter.
  • the counterpart means the high-pass filter 104 for the low-pass filter 103, and the low-pass filter 103 for the high-pass filter 104.
  • the low-pass filter 103 ensures a good attenuation at a frequency corresponding to the pass band of the high-pass filter 104
  • the high-pass filter 104 has a frequency corresponding to the pass band of the low-pass filter 103. In this case, it is necessary to ensure a good attenuation.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of an acoustic wave device 1 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the acoustic wave device 1 has a first filter part (low-pass filter) and a second filter part (high-pass filter) on the piezoelectric substrate 2.
  • a first elastic wave filter 3 having a first pass band is formed as the first filter section.
  • a second elastic wave filter 4 having a second pass band whose center frequency is higher than the first pass band is formed.
  • the elastic wave device 1 includes a first unbalanced terminal 5 connected to the first elastic wave filter 3, a second unbalanced terminal 6 connected to the second elastic wave filter 4, and a first elastic wave device.
  • the first balanced terminal 7 and the second balanced terminal 8 are connected to both the wave filter 3 and the second elastic wave filter 4.
  • the first elastic wave filter 3 is a longitudinally coupled elastic wave resonator and includes IDTs (Inter Digital Transducers) 21a, 21b, 21c, 21d, 21e, 21f, and 21g.
  • IDTs Inter Digital Transducers
  • IDT 21a, IDT 21d, and IDT 21e one of the opposing comb electrodes is connected to the first unbalanced terminal 5, and the other is connected to the ground.
  • IDT 21b and IDT 21f one of the opposing comb electrodes is connected to the balanced terminal 7 and the other is connected to the ground.
  • IDT 21c and IDT 21g one of the opposing comb electrodes is connected to the balanced terminal 8, and the other is connected to the ground.
  • two reflectors 25 sandwich the IDT 21a, IDT 21b, IDT 21c, IDT 21d, IDT 21e, IDT 21f, and IDT 21g.
  • the second elastic wave filter 4 is a longitudinally coupled elastic wave resonator and includes IDTs 22a, 22b, 22c, 22d, 22e, 22f, and 22g.
  • One of the opposing comb electrodes in the IDT 22a, IDT 22d, and IDT 22e is connected to the first unbalanced terminal 6, and the other is connected to the ground.
  • One of the opposing comb electrodes in the IDT 22b and IDT 22f is connected to the balanced terminal 7, and the other is connected to the ground.
  • One of the opposing comb electrodes in the IDT 22c and IDT 22g is connected to the balanced terminal 8, and the other is connected to the ground.
  • two reflectors 25 sandwich the IDTs 22a, 22b, 22c, 22d, 22e, 22f, and 22g.
  • a case where one of the adjacent comb electrodes in two adjacent IDTs is a comb electrode connected to the signal line and the other is a comb electrode connected to the ground is defined as a normal phase connection.
  • a case where both of the adjacent comb electrodes in two adjacent IDTs are comb electrodes connected to the signal line, or a case where both are connected to the ground is defined as reverse phase connection.
  • the phase relationship between IDT 21a and IDT 21b, the phase relationship between IDT 21d and IDT 21b, and the phase relationship between IDT 21d and IDT 21f of the first elastic wave filter 3 are normal phase connections.
  • the phase relationship between IDT 21a and IDT 21c, the phase relationship between IDT 21e and IDT 21c, and the phase relationship between IDT 21e and IDT 21g are reverse-phase connections. Therefore, the phase of the electrical signal transmitted from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 7 and the phase of the electrical signal transmitted from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 8 are opposite to each other, and the first elastic wave filter 3 is improper. Balance-balance conversion is performed.
  • phase relationship between the IDT 22a and the IDT 22b, the phase relationship between the IDT 22d and the IDT 22b, and the phase relationship between the IDT 22d and the IDT 22f of the second elastic wave filter 4 are in reverse phase connection.
  • phase relationship between IDT 22a and IDT 22c, the phase relationship between IDT 22e and IDT 22c, and the phase relationship between IDT 22e and IDT 22g are normal phase connections. Therefore, the phase of the electrical signal transmitted from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 7 and the phase of the electrical signal transmitted from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 8 are opposite to each other, and the second elastic wave filter 4 is improper. Balance-balance conversion is performed.
  • the transmission path of the first elastic wave filter 3 from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 7 is a normal phase connection, whereas the second elastic wave filter 4 from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 7
  • the transmission path is in reverse phase connection.
  • the transmission path of the first elastic wave filter 3 from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 8 is a reverse phase connection, whereas the second elastic wave filter 4 from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 8
  • the transmission path is a normal phase connection.
  • the first elastic wave filter 3 and the second elastic wave filter 4 have different passband frequencies, they not only operate as a filter but also correspond to each other's passband frequencies. Make the frequency attenuation good.
  • the counterpart means a high-pass filter for the low-pass filter, and a low-pass filter for the high-pass filter. More specifically, a low-pass filter characteristic having a small insertion loss in the first pass band (low band side) and excellent frequency attenuation corresponding to the second pass band (high band side) can be obtained. .
  • the filter characteristic on the high frequency side where the insertion loss of the second pass band is small and the attenuation amount of the frequency corresponding to the first pass band is excellent can be obtained. Since the attenuation is improved, the isolation characteristics at the first passband frequency and the second passband frequency are also improved.
  • the IDT connected to the input side (the first unbalanced terminal 5 or the second unbalanced terminal 6 side) is the IDT for input, and the output side (the first balanced terminal 7 or the second balanced terminal 8).
  • the IDT connected to the output side is defined as an output IDT.
  • FIG. 1 the number of comb electrodes connected to the ground among the comb electrodes where the input IDT and the output IDT are adjacent to each other will be described below.
  • the total number of comb electrodes connected to the ground in the path from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 7 and the path from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 7 and the path from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 8 is equal. More specifically, the comb electrode connected to the ground on the path from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 7 and the path from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 7 is one IDT 21d between IDT 21d and IDT 21f. 1 between IDT21b and IDT21b, 1 between IDT21a and IDT21b, and 2 between IDT22b and IDT22a.
  • two comb electrodes connected to the ground in the path from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 8 and the path from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 8 are provided between the IDT 21a and the IDT 21c, and the IDT 22a and the IDT 22c.
  • the comb electrode is indicated by a thick line.
  • the parasitic capacitance generated between the IDTs of the filter section generated between the first unbalanced terminal 5 and the second unbalanced terminal 6 is substantially the same.
  • the average distance between the centers of the input IDT and the output IDT is calculated from the first balanced terminal 7 to the first unbalanced terminal 5, the second unbalanced terminal 6, and the second balanced terminal 8.
  • the path is the same for the first unbalanced terminal 5 and the second unbalanced terminal 6. Therefore, the degree of balance required for a filter having an unbalance-balance function can be improved.
  • the difference between the transmission characteristic from the unbalanced terminal to the first balanced terminal and the transmission characteristic from the unbalanced terminal to the first balanced terminal is 1 dB or less in amplitude and phase in the passband frequency. It is desirable to be within 180 ° ⁇ 10 °.
  • the amplitude can be 0.6 dB or less and the phase can be within 180 ° ⁇ 6 °.
  • the first filter section and the second filter section are longitudinally coupled acoustic wave resonators having seven IDTs.
  • Parasitic capacitance may occur between the IDTs of the first filter unit in the signal transmission path between the first balanced terminal 7, the first unbalanced terminal 5, and the second unbalanced terminal 6.
  • parasitic capacitance may occur between the IDT of the filter unit in the transmission path between the terminal of the second balanced terminal 8 and the first unbalanced terminal 5 and the second unbalanced terminal 6. In this configuration, these parasitic capacitances can be made substantially the same. Therefore, the insertion loss in the pass band can be reduced, and the attenuation of the other pass band frequency band can be improved while maintaining a good balance.
  • the elastic wave device 1 with good isolation can be obtained.
  • the elastic wave device 1 in which the first elastic wave filter is DCS (passband frequency: 1805 to 1880 MHz) and the second elastic wave filter is PCS (passband frequency: 1930 to 1990 MHz) can be manufactured with the following specifications.
  • IDT 21f and IDT 21g have the same number of comb electrodes
  • IDT 22f and IDT 22g have the same number of comb electrodes.
  • the degree of balance may decrease due to the influence of the parasitic impedance of the wiring on the acoustic wave element, the parasitic impedance of the wiring in the package, and the like. Therefore, as a means for improving the degree of balance, the degree of balance may be improved by setting at least one of the number of comb electrodes of IDT 21f and IDT 21g to a different number of comb electrodes. In addition, the degree of balance may be improved by setting at least one of the number of comb electrodes of IDT 22f and IDT 22g to a different number of comb electrodes.
  • the degree of balance may be improved by setting at least one of the number of comb electrodes of IDT 21f, IDT 21g, IDT 22f, and IDT 22g to a different number of comb electrodes. At this time, one comb electrode may be added to the side closer to the reflector 25, or one may be reduced. In this way, the degree of balance can be improved.
  • the number of comb electrodes of the IDT 21d of the first elastic wave filter 3 and the IDT 22d of the first elastic wave filter 3 may be different from each other, or the IDT 21b of the first elastic wave filter 3 may be different from the IDT 21b of the first elastic wave filter 3.
  • the number of comb electrodes of the IDT 22b of the first elastic wave filter 3 may be varied by one. Even in this way, the degree of balance can be improved.
  • one comb electrode of the IDT 21d is disposed closer to the reflector 25, and the IDT 22d. More than the number of comb electrodes. In this case, it is necessary to reverse the polarity of the IDT 21f adjacent to the IDT 21d.
  • the number of comb electrodes of the IDT 21e of the first elastic wave filter 3 and the IDT 22e of the second elastic wave filter 4 may be different by one. Further, the number of comb electrodes of the IDT 21c of the first elastic wave filter 3 and the IDT 22c of the second elastic wave filter 4 may be different by one. In this way, the degree of balance can be improved.
  • an inductor (not shown) may be used as an external circuit between the first balanced terminal 7 and the second balanced terminal 8.
  • the matching is improved, the voltage standing wave ratio (VSWR) is reduced to 2 or less, and the insertion loss is reduced.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the acoustic wave device 201 according to Embodiment 2 of the present invention.
  • the acoustic wave device 201 has a relatively high center frequency on the piezoelectric substrate 2 and a first acoustic wave filter 203 (first filter unit) having a first passband having a relatively low center frequency. It has the 2nd elastic wave filter 204 (2nd filter part) which has a 2nd pass band.
  • one-terminal-pair elastic wave resonators 12 to 19 are connected to the output side of the first elastic wave filter 203 or the second elastic wave filter 204. Is a point.
  • the one-terminal-pair elastic wave resonators 12 to 19 are connected to the output side, but the one-terminal-pair elastic wave resonator may be connected to the input side.
  • the elastic wave device 201 includes a first unbalanced terminal 5 connected to the first elastic wave filter 203, a second unbalanced terminal 6 connected to the second elastic wave filter 204, and a first elastic wave device.
  • the first balanced terminal 7 and the second balanced terminal 8 are connected to both the wave filter 203 and the second elastic wave filter 204.
  • the first one-terminal-pair elastic wave resonators 12 and 13 are electrically connected in series, and the first elastic wave filter 203 and the second A second one-terminal-pair acoustic wave resonator 14, 15 is electrically connected in series between the balanced terminals 8.
  • a third one-terminal-pair elastic wave resonator 16, 17 is connected between the second elastic wave filter 204 and the first balanced terminal 7, and between the second elastic wave filter 204 and the second balanced terminal 8.
  • the fourth one-terminal-pair elastic wave resonators 18 and 19 are connected to each other.
  • the first acoustic wave filter 203 is a longitudinally coupled acoustic wave resonator composed of IDT 31a, IDT 31b, IDT 31c, DT 31d, IDT 31e, IDT 31f, and IDT 31g.
  • IDT 31a, IDT 31d, and IDT 31e one of the opposing comb electrodes is connected to the first unbalanced terminal 5, and the other is connected to the ground.
  • the IDT 31b and IDT 31f one of the opposing comb electrodes is connected to the balanced terminal 7 and the other is connected to the ground.
  • the IDT 31c and IDT 31g one of the opposing comb electrodes is connected to the balanced terminal 8, and the other is connected to the ground.
  • two reflectors 35 sandwich the IDT 31a, IDT 31b, IDT 31c, DT 31d, IDT 31e, IDT 31f, and IDT 31g.
  • the second acoustic wave filter 204 is a longitudinally coupled acoustic wave resonator composed of IDT 32a, IDT 32b, IDT 32c, DT 32d, IDT 32e, IDT 32f, and IDT 32g.
  • IDT 32a, IDT 32d, and IDT 32e one of the opposing comb electrodes is connected to the first unbalanced terminal 6, and the other is connected to the ground.
  • the IDT 32b and IDT 32f one of the opposing comb electrodes is connected to the balanced terminal 7 and the other is connected to the ground.
  • the IDT 32c and IDT 32g one of the opposing comb electrodes is connected to the balanced terminal 8, and the other is connected to the ground.
  • An elastic wave device 201 in which the first elastic wave filter 203 is DCS (passband frequency: 1805 to 1880 MHz) and the second elastic wave filter 204 is PCS (passband frequency: 1930 to 1990 MHz) can be manufactured with the following specifications. .
  • the transmission path of the first elastic wave filter 203 from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 8 is a reverse phase connection, whereas the second elastic wave filter 204 from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 8 is connected.
  • the transmission path is a normal phase connection.
  • FIG. 3A is a pass characteristic diagram of the low-pass filter of the acoustic wave device 201.
  • FIG. 3B is a pass characteristic diagram of the high-pass filter of the acoustic wave device 201.
  • the same characteristic is shown by changing the unit of the Y axis (insertion loss).
  • the left scale is 1 unit 10 dB, and the right scale is 1 unit 1 dB.
  • 3A and 3B also show a conventional configuration (comparative example) in which a first elastic wave filter (low-pass filter) and a second elastic wave filter (high-pass filter) are connected to a common terminal in an in-phase relationship. .
  • the IDTs 32d, IDT32a, and IDT32e of the second elastic wave filter 204 are vertically inverted so that the phase relationship is in phase with the first elastic wave filter 203 (low-pass filter).
  • the transmission path of the first elastic wave filter 203 from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 7 is forward-phase connected, and the transmission path of the second elastic wave filter 204 from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 7 is also forward. Phase connection.
  • the transmission path of the first elastic wave filter 203 from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 8 is a reverse phase connection, whereas the second elastic wave filter 204 from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 8 is connected.
  • the transmission path is in reverse phase connection.
  • Other electrode finger numbers, electrode finger pitches, and duty ratios have the same configuration.
  • the elastic wave device 201 has a small insertion loss, and the attenuation of the other party is improved.
  • the pass band (first pass band) of the first elastic wave filter 203 is 1.805 GHz to 1.880 GHz, and the pass band (second pass band of the second elastic wave filter 204). ) Is 1.930 GHz to 1.990 GH.
  • the anti-resonance frequencies of the first one-terminal-pair elastic wave resonators 12 and 13 and the second one-terminal-pair elastic wave resonators 14 and 15 are 1916 MHz, 1920 MHz, 1916 MHz, and 1920 MHz, respectively. Are set outside the high frequency band and outside the low frequency band of the second pass band. With this configuration, the impedance in the second pass band of the first elastic wave filter can be made high, and the insertion loss of the second filter due to the common connection to the balanced terminal can be reduced. Further, the attenuation characteristic in the second passband frequency is good in the pass characteristic from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminals 7 and 8.
  • the anti-resonance frequencies of the third one-terminal acoustic wave resonators 16 and 17 and the fourth one-terminal acoustic wave resonators 18 and 19 are set to 2007 MHz, 2020 MHz, 2007 MHz, and 2020 MHz, respectively. Is set outside the high-frequency band. With this configuration, the amount of attenuation on the high frequency side of the second filter can be increased. Furthermore, the degree of balance can be improved by adjusting the frequencies and capacities of the resonators of the first one-terminal-pair elastic wave resonators 12 and 13 and the fourth one-terminal-pair elastic wave resonators 18 and 19.
  • a one-terminal pair acoustic wave resonator may be provided between the first acoustic wave filter 203 and the unbalanced terminal 5, and a one-terminal pair acoustic wave is provided between the second acoustic wave filter 204 and the unbalanced terminal 6.
  • a resonator may be provided.
  • the filter unit is configured by one elastic wave filter, but may be configured by a plurality of elastic wave filters.
  • the first filter unit and the second filter unit have a configuration in which longitudinally coupled elastic wave filters having three IDTs are connected in parallel.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of an acoustic wave device 301 according to Embodiment 3 of the present invention.
  • the acoustic wave device 301 includes, on the piezoelectric substrate 2, a first filter unit 303 having a first passband having a relatively low frequency and a second filter unit having a second passband having a relatively high frequency. 304.
  • the first filter unit 303 is configured by connecting two longitudinally coupled elastic wave filters 41 and 42 in parallel.
  • the longitudinally coupled elastic wave filter 41 includes IDTs 41a, 41b, and 41c.
  • the two reflectors 45 sandwich the IDTs 41a, 41b, and 41c.
  • the longitudinally coupled elastic wave filter 42 includes IDTs 42a, 42b, and 42c.
  • the two reflectors 45 sandwich the IDTs 42a, 42b, and 42c.
  • the second filter unit 304 is configured by connecting two longitudinally coupled elastic wave filters 43 and 44 in parallel.
  • the longitudinally coupled elastic wave filter 43 includes IDTs 43a, 43b, and 43c.
  • the two reflectors 45 sandwich the IDTs 43a, 43b, and 43c.
  • the longitudinally coupled elastic wave filter 44 is composed of IDTs 44a, 44b, and 44c.
  • the two reflectors 45 sandwich the IDTs 44a, 44b, and 44c.
  • One comb electrode of each of the IDTs 41a and 42a in the center of the longitudinally coupled acoustic wave filters 41 and 42 constituting the first filter unit 303 is connected to the first unbalanced terminal 5, and the other comb electrode is connected to the ground. It is connected.
  • the IDT 41b and IDT 41c of the longitudinally coupled elastic wave filter 41 are arranged adjacent to each other so as to sandwich the IDT 41a.
  • One comb electrode of each of the IDTs 41b and 41c is connected to the first balanced terminal 7, and the other comb electrode is connected to the ground.
  • the IDT 42b and IDT 42c of the longitudinally coupled elastic wave filter 42 are arranged adjacent to each other so as to sandwich the IDT 42a.
  • each of the IDTs 42b and 42c is connected to the second balanced terminal 8, and the other comb electrode is connected to the ground.
  • the phase relationship in the transmission path from the input IDT to the output IDT of the longitudinally coupled elastic wave filters 41 and 42 is an antiphase relationship, and the first filter unit 303 has an unbalance-balance conversion function. That is, in FIG. 4, the longitudinally coupled elastic wave filter 41 is in a normal phase connection, and the longitudinally coupled acoustic wave filter 42 is in a reverse phase connection.
  • One comb electrode of each of the IDTs 43a and 44a in the center of the longitudinally coupled acoustic wave filters 43 and 44 constituting the second filter unit 304 is connected to the second unbalanced terminal 6, and the other comb electrode is connected to the ground. It is connected.
  • the IDT 43b and IDT 43c of the longitudinally coupled elastic wave filter 43 are adjacently arranged so as to sandwich the IDT 43a.
  • One comb electrode of each of the IDTs 43b and 43c is connected to the first balanced terminal 7, and the other comb electrode is connected to the ground.
  • the IDT 44b and IDT 44c of the longitudinally coupled elastic wave filter 44 are arranged adjacent to each other so as to sandwich the IDT 44a.
  • each of the IDTs 44b and 44c is connected to the second balanced terminal 8, and the other comb electrode is connected to the ground.
  • the phase relationship in the transmission path from the input IDT to the output IDT of the longitudinally coupled elastic wave filters 43 and 44 is an anti-phase relationship, and the second filter unit 304 has an unbalance-balance conversion function. That is, in FIG. 4, the longitudinally coupled elastic wave filter 43 is connected in reverse phase, and the longitudinally coupled acoustic wave filter 44 is connected in normal phase.
  • the transmission path from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 7 is a normal phase connection by the longitudinally coupled elastic wave filter 41, whereas the transmission path from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 7 is a longitudinally coupled acoustic wave.
  • the filter 43 is connected in reverse phase. Therefore, the phase relationship of the transmission path from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 7 and from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 7 is reversed.
  • the transmission path from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 8 is connected in reverse phase by the longitudinally coupled elastic wave filter 43, whereas the transmission path from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 8 is longitudinally coupled. Normal phase connection is made by the elastic wave filter 44. Therefore, the phase relationship of the transmission path from the unbalanced terminal 5 to the balanced terminal 8 and from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 8 is reversed.
  • the attenuation amount of the frequency corresponding to the passband frequency of the other party can be improved. More specifically, in the low-pass filter characteristic, a filter having a small insertion loss in the first pass band and an excellent attenuation amount of the frequency corresponding to the second pass band can be obtained. In addition, in the high-pass filter characteristics, a filter with good insertion loss in the second pass band and improved attenuation of the frequency corresponding to the first pass band can be obtained. By improving the attenuation, the isolation characteristics at the first passband frequency and the second passband frequency are also improved.
  • the number of comb electrodes connected to the ground among the comb electrodes at the locations where the input IDT and the output IDT are adjacent to each other will be described below.
  • the total number of comb electrodes connected to the ground in the path from the unbalanced terminal 6 to the balanced terminal 8 is equal. More specifically, in the path between the unbalanced terminal 5 and the balanced terminal 7 and the path between the unbalanced terminal 6 and the balanced terminal 8, the comb electrode closest to the counterpart IDT is connected to the ground.
  • the number of comb electrodes is one between IDT 41a and IDT 41b, one between IDT 41a and IDT 41c, zero between IDT 43a and IDT 43b, and zero between IDT 43a and IDT 43c.
  • the comb electrodes connected to the ground are the IDT 42a and the IDT 42b.
  • the comb electrode is indicated by a thick line.
  • the parasitic capacitance generated between the IDT of the filter unit generated between the first balanced terminal 7, the first unbalanced terminal 5, and the second unbalanced terminal 6, and the second balanced terminal 8 The parasitic capacitance generated between the IDTs of the filter unit generated between the first unbalanced terminal 5 and the second unbalanced terminal 6 can be made substantially the same. Further, the average distance between the centers of the input IDT and the output IDT is calculated from the first balanced terminal 7 to the first unbalanced terminal 5, the second unbalanced terminal 6, and the second balanced terminal 8 to the first. Since the same path is used for the unbalanced terminal 5 and the second unbalanced terminal 6, the degree of balance required for the filter having the unbalanced-balanced function can be improved.
  • the degree of balance is improved by making the number of comb electrodes of at least one IDT among IDT 41b, IDT41c, IDT42b, IDT42c, IDT43b, IDT43c, IDT44b, and IDT44c different from the number of comb electrodes of other IDTs. May be. At this time, the degree of balance can be improved by adding one comb electrode to the side closer to the reflector 45 or reducing it by one.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of acoustic wave device 401 according to Embodiment 4 of the present invention.
  • the acoustic wave device 401 includes a first filter unit 403 having a first passband having a relatively low frequency on the piezoelectric substrate 2 and a second filter unit 404 having a second passband having a relatively high frequency.
  • a first filter unit 403 having a first passband having a relatively low frequency on the piezoelectric substrate 2
  • a second filter unit 404 having a second passband having a relatively high frequency.
  • the main difference between the present embodiment and the third embodiment is that one-pair elastic wave resonators 411 to 418 are connected to the input side and the output side of the first filter unit or the second filter unit. It is.
  • the resonance frequency of the one-terminal-pair elastic wave resonator 411 is set within the first passband frequency, and the antiresonance frequency is set to be higher than the first passband frequency.
  • the one-terminal-pair elastic wave resonator 411 is connected in series with the first unbalanced terminal 5 and the first filter unit 403. With this configuration, it is possible to improve the attenuation characteristic at a frequency higher than the first pass band of the low-pass filter characteristic having the relatively low first pass band.
  • the resonance frequency of the one-terminal-pair elastic wave resonator 414 is set within the second passband frequency, and the antiresonance frequency is set to be higher than the second passband frequency.
  • the one-terminal elastic wave resonator 414 is connected in series with the second unbalanced terminal 6 and the second filter unit 404. With this configuration, the attenuation characteristic can be improved at a frequency higher than the second pass band of the filter characteristic on the high frequency side having the relatively high second pass band.
  • the anti-resonance frequency of the one-terminal-pair elastic wave resonator 412 is set to a frequency between the first passband frequency and the second pass frequency.
  • the one-terminal-pair elastic wave resonator 412 is connected in series between the first longitudinally coupled elastic wave filter 41 of the first filter unit and the first balanced terminal 7.
  • the anti-resonance frequency of the one-terminal-pair elastic wave resonator 413 is set to a frequency between the first passband frequency and the second pass frequency.
  • the one-terminal-pair elastic wave resonator 413 is connected in series between the second longitudinally coupled elastic wave filter 42 of the first filter unit and the second balanced terminal 8. With this configuration, when the first filter unit and the second filter unit are connected by the balanced terminals 7 and 8, it is possible to prevent the insertion loss of the high-pass filter characteristic having a relatively high frequency pass band. .
  • the anti-resonance frequencies of the one-terminal-pair elastic wave resonator 415 and the one-terminal-pair elastic wave resonator 416 are set higher than the second passband frequency.
  • the one-terminal-pair acoustic wave resonator 415 and the one-terminal-pair acoustic wave resonator 416 are cascade-connected, and are connected in series between the first balanced terminal 7 and the first longitudinally coupled acoustic wave filter 43 of the second filter unit. It is connected.
  • the anti-resonance frequencies of the one-terminal-pair elastic wave resonator 417 and the one-terminal-pair elastic wave resonator 418 are set higher than the second passband frequency.
  • the one-terminal-pair elastic wave resonator 417 and the one-terminal-pair elastic wave resonator 418 are cascade-connected, and are connected in series between the second balanced terminal 8 and the second longitudinally coupled acoustic wave filter 44 of the second filter unit. It is connected. With this configuration, it is possible to improve the attenuation amount of the filter characteristic having the second passband having a relatively high frequency.
  • the one-terminal-pair elastic wave resonator 412 and the one-terminal-pair elastic wave resonator 413 do not necessarily have the same frequency and capacitance, and the one-terminal-pair elastic wave resonators 415, 416, 417, and 418 do not necessarily have the same frequency and electrostatic capacity. It does not have to be electric capacity. Rather, making each different may lead to an improvement in balance and an improvement in attenuation.
  • the elastic wave devices 1, 201, 301, and 401 described above are SH (Shear Horizontal) wave type surface wave devices, Lamb wave type surface wave devices, Rayleigh wave type surface wave devices, and SH wave type boundary waves. Any of the apparatus and the Rayleigh wave type boundary wave apparatus may be used, and is not limited.
  • the piezoelectric substrate 2 may be any of lithium tantalate, lithium niobate, crystal, and lithium tetraborate, and is not limited.
  • the elastic wave devices 1, 201, 301, 401 can reduce the insertion loss, and can efficiently secure the attenuation in the other party's passband. As a result, good isolation characteristics can be obtained. Therefore, excellent electrical characteristics can be obtained.
  • Elastic wave elements have the effect of reducing insertion loss and improving attenuation, and are applied to electronic devices such as mobile phones.

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Abstract

　弾性波装置は、第１の不平衡端子と、第２の不平衡端子と、第１の平衡端子と、第２の平衡端子と、第１のフィルタ部と、第２のフィルタ部とを有する。第１のフィルタ部の第１の不平衡端子から第１の平衡端子へ伝送される電気信号の位相と、第２のフィルタ部の第２の不平衡端子から第１の平衡端子へ伝送される電気信号の位相が異なり、第１のフィルタ部の第１の不平衡端子から第２の平衡端子へ伝送される電気信号の位相と、第２のフィルタ部の第２の不平衡端子から第２の平衡端子へ伝送される電気信号の位相が異なる。

Description

弾性波装置
　本発明は、不平衡―平衡変換機能を有する弾性波装置に関する。
　近年、携帯電話機などにおいて、通過帯域の異なる複数の高周波フィルタを備えた弾性波装置が用いられている。例えば、通過帯域が１８０５～１８８０ＭＨｚであるフィルタと通過帯域が１９３０～１９９０ＭＨｚであるフィルタのように比較的近い周波数帯域のフィルタが用いられる。このような場合、フィルタ以外の回路を共通化するために平衡端子が共通化された構造のデュアルフィルタが用いられる。
　図６は、従来の弾性波装置１０１の平面模式図である。弾性波装置１０１は、圧電体単結晶からなる圧電基板２の上に低域側フィルタ１０３と高域側フィルタ１０４とを有する。低域側フィルタ１０３は、中心周波数が相対的に低い帯域に通過特性を有する不平衡－平衡変換型のフィルタである。高域側フィルタ１０４は、中心周波数が相対的に高い帯域に通過特性を有する不平衡－平衡変換型のフィルタである。低域側フィルタ１０３は入力側で不平衡端子５に接続されている。高域側フィルタ１０４は、入力側で不平衡端子６に接続されている。また低域側フィルタ１０３および高域側フィルタ１０４は、出力側で平衡端子７および平衡端子８に接続されて共通化されている。
　低域側フィルタ１０３は、縦結合型弾性波フィルタ（縦結合弾性波共振器）５１、５２を有している。高域側フィルタ１０４は、縦結合型弾性波フィルタ５３、５４を有している。
　縦結合型弾性波フィルタ５１は、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）５１ａ、５１ｂ、５１ｃより形成されている。縦結合型弾性波フィルタ５２は、ＩＤＴ５２ａ、５２ｂ、５２ｃより形成されている。縦結合型弾性波フィルタ５３は、ＩＤＴ５３ａ、５３ｂ、５３ｃより形成されている。縦結合型弾性波フィルタ５４は、ＩＤＴ５４ａ、５４ｂ、５４ｃより形成されている。
　低域側フィルタ１０３のＩＤＴ５１ａ、ＩＤＴ５１ｂ、ＩＤＴ５１ｃの位相と、高域側フィルタ１０４のＩＤＴ５３ａ、ＩＤＴ５３ｂ、ＩＤＴ５３ｃの位相は同じである。また低域側フィルタ１０３のＩＤＴ５２ａ、ＩＤＴ５２ｂ、ＩＤＴ５２ｃの位相と、高域側フィルタ１０４のＩＤＴ５４ａ、ＩＤＴ５４ｂ、ＩＤＴ５４ｃの位相は同じである（例えば、特許文献１）。
国際公開第０８／０９６５１４号公報
　弾性波装置は、第１の不平衡端子と、第２の不平衡端子と、第１の平衡端子と、第２の平衡端子と、第１のフィルタ部と、第２のフィルタ部とを有する。第１のフィルタ部は、第１の通過帯域を有し、入力側が第１の不平衡端子と電気的に接続され、出力側が第１の平衡端子と第２の平衡端子に電気的に接続され、不平衡―平衡変換機能を有する。第２のフィルタ部は、第１の通過帯域より周波数の高い第２の通過帯域を有し、入力側が第２の不平衡端子と電気的に接続され、出力側が第１の平衡端子と第２の平衡端子に電気的に接続され、不平衡―平衡変換機能を有する。
　第１のフィルタ部の第１の不平衡端子から第１の平衡端子へ伝送される電気信号の位相と、第２のフィルタ部の第２の不平衡端子から第１の平衡端子への位相が逆位相になるように異なり、第１のフィルタ部の第１の不平衡端子から第２の平衡端子への位相と、第２のフィルタ部の第２の不平衡端子から第２の平衡端子への位相が逆位相になるように異なる。
図１は、本発明の実施の形態１における弾性波装置の平面模式図である。 図２は、本発明の実施の形態２における弾性波装置の平面模式図である。 図３Ａは、本発明の実施の形態２における弾性波装置の低域側フィルタの通過特性図である。 図３Ｂは、本発明の実施の形態２における弾性波装置の高域側フィルタの通過特性図である。 図４は、本発明の実施の形態３における弾性波装置の平面模式図である。 図５は、本発明の実施の形態４における弾性波装置の平面模式図である。 図６は、従来の弾性波装置の平面模式図である。
　近年、このような弾性波装置１０１を用いる通信装置において、平衡端子７、８に接続される電子回路（図示せず）を共通化して、小型化や低コスト化する傾向がある。弾性波装置１０１においても、低域側フィルタ３に接続された平衡端子７、８と高域側フィルタ１０４に接続された平衡端子７、８を共通化することが要請されている。しかし、平衡端子７、８を共通化した場合、低域側フィルタ１０３または高域側フィルタ１０４に他方のフィルタから信号が混入する場合がある。信号の混入をふせぐためには、低域側フィルタ１０３と高域側フィルタ１０４の間のアイソレーションを確保する必要があり、相手方のフィルタの通過帯域における減衰量を十分確保する必要がある。ここで相手方とは低域側フィルタ１０３に対しては高域側フィルタ１０４のことをいい、高域側フィルタ１０４に対しては低域側フィルタ１０３のことをいう。詳細には低域側フィルタ１０３においては高域側フィルタ１０４の通過帯域に対応する周波数において良好な減衰量を確保し、高域側フィルタ１０４においては低域側フィルタ１０３の通過帯域に対応する周波数において良好な減衰量を確保する必要がある。
　（実施の形態１）
　図１は、本発明の実施の形態１における弾性波装置１の平面模式図である。弾性波装置１は、圧電基板２の上に、第１のフィルタ部（低域側フィルタ）と第２のフィルタ部（高域側フィルタ）を有する。第１のフィルタ部として、第１の通過帯域を有する第１の弾性波フィルタ３が形成されている。第２のフィルタ部として、中心周波数が第１の通過帯域より高い第２の通過帯域を有する第２の弾性波フィルタ４が形成されている。
　弾性波装置１は、第１の弾性波フィルタ３に接続された第１の不平衡端子５と、第２の弾性波フィルタ４に接続された第２の不平衡端子６と、第１の弾性波フィルタ３および第２の弾性波フィルタ４の両方に接続された第１の平衡端子７と第２の平衡端子８を有する。
　第１の弾性波フィルタ３は、縦結合型弾性波共振器であり、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆ、２１ｇを有する。ＩＤＴ２１ａ、ＩＤＴ２１ｄ、ＩＤＴ２１ｅにおいて、対向する櫛電極の一方が第１の不平衡端子５に接続され、他方がグランドに接続されている。ＩＤＴ２１ｂ、ＩＤＴ２１ｆにおいて、対向する櫛電極の一方が平衡端子７に接続され、他方がグランドに接続されている。ＩＤＴ２１ｃ、ＩＤＴ２１ｇにおいて、対向する櫛電極の一方が平衡端子８に接続され、他方がグランドに接続されている。さらに２つの反射器２５が、ＩＤＴ２１ａ、ＩＤＴ２１ｂ、ＩＤＴ２１ｃ、ＩＤＴ２１ｄ、ＩＤＴ２１ｅ、ＩＤＴ２１ｆ、ＩＤＴ２１ｇを挟んでいる。
　第２の弾性波フィルタ４は、縦結合型弾性波共振器であり、ＩＤＴ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ、２２ｆ、２２ｇを有する。ＩＤＴ２２ａ、ＩＤＴ２２ｄ、ＩＤＴ２２ｅにおける対向する櫛電極の一方が第１の不平衡端子６に接続され、他方がグランドに接続されている。ＩＤＴ２２ｂ、ＩＤＴ２２ｆにおける対向する櫛電極の一方が平衡端子７に接続され、他方がグランドに接続されている。ＩＤＴ２２ｃ、ＩＤＴ２２ｇにおける対向する櫛電極の一方が平衡端子８に接続され、他方がグランドに接続されている。さらに２つの反射器２５が、ＩＤＴ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ、２２ｆ、２２ｇを挟んでいる。
　また、隣接する２つのＩＤＴにおける隣接している櫛電極のうち、一方が信号ラインに接続された櫛電極であり、他方がグランドに接続された櫛電極である場合を順相接続と定義する。また、隣接する２つのＩＤＴにおける隣接している櫛電極のうち、両方とも信号ラインに接続されている櫛電極である場合、または両方ともグランドに接続されている場合を逆相接続と定義する。
　この定義によれば、第１の弾性波フィルタ３のＩＤＴ２１ａとＩＤＴ２１ｂの位相関係、ＩＤＴ２１ｄとＩＤＴ２１ｂの位相関係、ＩＤＴ２１ｄとＩＤＴ２１ｆの位相関係は順相接続である。一方、ＩＤＴ２１ａとＩＤＴ２１ｃの位相関係、ＩＤＴ２１ｅとＩＤＴ２１ｃの位相関係、ＩＤＴ２１ｅとＩＤＴ２１ｇの位相関係は逆相接続である。したがって、不平衡端子５から平衡端子７に伝送される電気信号の位相と不平衡端子５から平衡端子８に伝送される電気信号の位相は逆位相になり、第１の弾性波フィルタ３は不平衡―平衡変換動作する。
　また、第２の弾性波フィルタ４のＩＤＴ２２ａとＩＤＴ２２ｂの位相関係、ＩＤＴ２２ｄとＩＤＴ２２ｂの位相関係、ＩＤＴ２２ｄとＩＤＴ２２ｆの位相関係は逆相接続である。一方、ＩＤＴ２２ａとＩＤＴ２２ｃの位相関係、ＩＤＴ２２ｅとＩＤＴ２２ｃの位相関係、ＩＤＴ２２ｅとＩＤＴ２２ｇの位相関係は順相接続である。したがって、不平衡端子６から平衡端子７に伝送される電気信号の位相と不平衡端子６から平衡端子８に伝送される電気信号の位相は逆位相になり、第２の弾性波フィルタ４は不平衡―平衡変換動作する。
　また、不平衡端子５から平衡端子７への第１の弾性波フィルタ３の伝達経路が順相接続であるのに対し、不平衡端子６から平衡端子７への第２の弾性波フィルタ４の伝達経路が逆相接続となっている。また、不平衡端子５から平衡端子８への第１の弾性波フィルタ３の伝達経路が逆相接続であるのに対し、不平衡端子６から平衡端子８への第２の弾性波フィルタ４の伝達経路が順相接続となっている。このように共通の平衡端子に２つのフィルタが互いに逆相関係で接続される場合、第１の弾性波フィルタ３と第２の弾性波フィルタ４が同じ通過帯域周波数を有すると、電気信号が互いキャンセルしてしまいフィルタとして動作しない。しかし、第１の弾性波フィルタ３と第２の弾性波フィルタ４が異なる通過帯域周波数を有している場合には、フィルタとして単に動作するだけでなく、互いの相手方の通過帯域周波数に相当する周波数の減衰量を良好にする。ここで相手方とは低域側フィルタに対しては高域側フィルタのことをいい、高域側フィルタに対しては低域側フィルタのことをいう。より詳細には、第１の通過帯域（低域側）の挿入損失が小さく、第２の通過帯域（高域側）に相当する周波数の減衰量に優れた低域側のフィルタ特性が得られる。また、第２の通過帯域の挿入損失が小さく、第１の通過帯域に相当する周波数の減衰量が優れた高域側のフィルタ特性が得られる。減衰量が改善されるので、第１の通過帯域周波数と第２の通過帯域周波数におけるアイソレーション特性も良好になる。
　第１の弾性波フィルタ３と第２の弾性波フィルタ４が伝達経路の位相関係が逆相となるように平衡端子に共通化し接続されたときの他の効果について以下に説明する。ここで入力側（第１の不平衡端子５または第２の不平衡端子６の側）に接続されているＩＤＴを入力用ＩＤＴ、出力側（第１の平衡端子７または第２の平衡端子８の側）に接続されているＩＤＴを出力用ＩＤＴとする。図１において、入力用ＩＤＴと出力用のＩＤＴが隣接する箇所における櫛電極のうち、グランドに接続されている櫛電極の本数を以下に記す。不平衡端子５から平衡端子７への経路と不平衡端子６から平衡端子７への経路にあるグランドに接続されている櫛電極の本数の合計と不平衡端子５から平衡端子８への経路と不平衡端子６から平衡端子８への経路にあるグランドに接続されている櫛電極の本数の合計は等しい。詳細に説明すると、不平衡端子５から平衡端子７への経路と不平衡端子６から平衡端子７への経路にあるグランドに接続されている櫛電極は、ＩＤＴ２１ｄとＩＤＴ２１ｆの間に１本、ＩＤＴ２１ｄとＩＤＴ２１ｂの間に１本、ＩＤＴ２１ａとＩＤＴ２１ｂの間に１本、ＩＤＴ２２ｂとＩＤＴ２２ａの間の２本の合計５本である。また、不平衡端子５から平衡端子８への経路と不平衡端子６から平衡端子８への経路にあるグランドに接続されている櫛電極は、ＩＤＴ２１ａとＩＤＴ２１ｃの間に２本、ＩＤＴ２２ａとＩＤＴ２２ｃの間に１本、ＩＤＴ２２ｅとＩＤＴ２２ｃの間に１本、ＩＤＴ２２ｅとＩＤＴ２２ｇの間に１本の合計５本である。図１において、上記の櫛電極を太線で示している。
　この構成により第１の平衡端子７と、第１の不平衡端子５、第２の不平衡端子６との間に発生するフィルタ部のＩＤＴ間に発生する寄生容量と、第２の平衡端子８と、第１の不平衡端子５、第２の不平衡端子６との間に発生するフィルタ部のＩＤＴ間に発生する寄生容量とがほぼ同じになる。さらに、入力用ＩＤＴと出力用ＩＤＴの中心間距離の平均が、第１の平衡端子７から第１の不平衡端子５、第２の不平衡端子６の経路と、第２の平衡端子８から第１の不平衡端子５、第２の不平衡端子６の経路とで同じになる。そのため、不平衡―平衡機能を有するフィルタに求められるバランス度を良くできる。このバランス度の特性としては、不平衡端子から第１の平衡端子への伝送特性と不平衡端子から第１の平衡端子への伝送特性の差が通過帯域周波数において、振幅で１ｄＢ以下、位相で１８０°±１０°以内であることが望まれる。これに対して上記構成では、振幅で０．６ｄＢ以下、位相で１８０°±６°以内にできる。
　さらに、第１のフィルタ部および第２のフィルタ部を７つのＩＤＴを有する縦結合型弾性波共振器とすることがより好ましい。第１の平衡端子７と、第１の不平衡端子５、第２の不平衡端子６の間の信号伝達経路における第１のフィルタ部のＩＤＴ間に寄生容量が発生する場合がある。また、第２の平衡端子８の端子と、第１の不平衡端子５、第２の不平衡端子６の間の伝達経路におけるフィルタ部のＩＤＴ間に寄生容量が発生する場合がある。本構成ではこれらの寄生容量をほぼ同じにできる。そのため、通過帯域内における挿入損失を小さくでき、バランス度を良好に保ちながら相手方の通過帯域周波数帯の減衰量を改善できる。そのため、アイソレーションが良好な弾性波装置１が得られる。第１の弾性波フィルタをＤＣＳ（通過帯域周波数：１８０５～１８８０ＭＨｚ）第２の弾性波フィルタをＰＣＳ（通過帯域周波数：１９３０～１９９０ＭＨｚ）とした弾性波装置１は、以下の仕様で作製できる。
　（第１の弾性波フィルタ３）
　ＩＤＴ２１ｆ／ＩＤＴ２１ｄ／ＩＤＴ２１ｂ／ＩＤＴ２１ａ／ＩＤＴ２１ｃ／ＩＤＴ２１ｅ／ＩＤＴ２１ｇの櫛電極の本数：５６本／３９本／５８本／３６本／５８本／３９本／５６本
　電極指交差幅：５５．３μｍ
　デューティー比：０．５５
　電極膜厚：１６０ｎｍ
　反射器２５の電極本数：３０本
　（第２の弾性波フィルタ４）
　ＩＤＴ２２ｆ／ＩＤＴ２２ｄ／ＩＤＴ２２ｂ／ＩＤＴ２２ａ／ＩＤＴ２２ｃ／ＩＤＴ２２ｅ／ＩＤＴ２２ｇの櫛電極の本数：３０本／６３本／３４本／３２本／３４本／６３本／３０本
　電極指交差幅：３５．０μｍ
　デューティー比：０．５５
　電極膜厚：１６０ｎｍ
　反射器２５の電極本数：５０本
　図１では、ＩＤＴ２１ｆとＩＤＴ２１ｇは同じ本数の櫛電極を有し、ＩＤＴ２２ｆとＩＤＴ２２ｇは同じ本数の櫛電極を有している。しかし、バランス度は弾性波素子上の配線の寄生インピーダンスや、パッケージ内の配線の寄生インピーダンスなどの影響により低下する場合がある。そのため、バランス度をより良くする手段としてＩＤＴ２１ｆとＩＤＴ２１ｇの櫛電極の本数の少なくともいずれか一方を異なった櫛電極の本数とすることでバランス度が改善されることがある。また、ＩＤＴ２２ｆとＩＤＴ２２ｇの櫛電極の本数の少なくともいずれか一方を異なった櫛電極の本数とすることでバランス度が改善されることがある。あるいは、ＩＤＴ２１ｆ、ＩＤＴ２１ｇ、ＩＤＴ２２ｆ、ＩＤＴ２２ｇの櫛電極の本数の少なくともいずれか一つを異なった櫛電極の本数とすることでバランス度が改善されることがある。この際、反射器２５に近い側に櫛電極を１本追加しても良いし、１本減らしても良い。このようにしてバランス度を改善できる。
　他の方法としては、第１の弾性波フィルタ３のＩＤＴ２１ｄと第１の弾性波フィルタ３のＩＤＴ２２ｄの櫛電極の本数を１本異ならせても良いし、第１の弾性波フィルタ３のＩＤＴ２１ｂと第１の弾性波フィルタ３のＩＤＴ２２ｂの櫛電極の本数を１本異ならせても良い。このようにしてもバランス度を改善できる。
　第１の弾性波フィルタ３のＩＤＴ２１ｄと第２の弾性波フィルタ４のＩＤＴ２２ｄとで櫛電極の本数を１本異ならせる場合、例えば、ＩＤＴ２１ｄの櫛電極を反射器２５に近い側に１本、ＩＤＴ２２ｄの櫛電極の本数より多くする。この場合は、ＩＤＴ２１ｄに隣接するＩＤＴ２１ｆの極性を逆にする必要がある。
　また、第１の弾性波フィルタ３のＩＤＴ２１ｅと第２の弾性波フィルタ４のＩＤＴ２２ｅの櫛電極の本数を１本異ならせても良い。また、第１の弾性波フィルタ３のＩＤＴ２１ｃと第２の弾性波フィルタ４のＩＤＴ２２ｃの櫛電極の本数を１本異ならせても良い。このようにしてバランス度を改善できる。
　弾性波装置１において、第１の平衡端子７と第２の平衡端子８の間にインダクタ（図示せず）を外部回路として使用してもよい。インダクタを用いることにより、マッチングが改善し電圧定在波比（ＶＳＷＲ：Ｖｏｌｔａｇｅ　Ｓｔａｎｄｉｎｇ　Ｗａｖｅ　Ｒａｔｉｏ）が２以下に小さくなるとともに挿入損失が小さくなる。
　（実施の形態２）
　図２は、本発明の実施の形態２における弾性波装置２０１の平面模式図である。弾性波装置２０１は、圧電基板２の上に、中心周波数が相対的に低い第１の通過帯域を有する第１の弾性波フィルタ２０３（第１のフィルタ部）と、中心周波数が相対的に高い第２の通過帯域を有する第２の弾性波フィルタ２０４（第２のフィルタ部）を有する。
　本実施の形態と実施の形態１との主な違いは、第１の弾性波フィルタ２０３または第２の弾性波フィルタ２０４の出力側に一端子対弾性波共振器１２～１９を接続している点である。なお、本実施の形態では、出力側に一端子対弾性波共振器１２～１９を接続したが、入力側に一端子対弾性波共振器を接続してもよい。
　弾性波装置２０１は、第１の弾性波フィルタ２０３に接続された第１の不平衡端子５と、第２の弾性波フィルタ２０４に接続された第２の不平衡端子６と、第１の弾性波フィルタ２０３および第２の弾性波フィルタ２０４の両方に接続された第１の平衡端子７と第２の平衡端子８を有する。第１の弾性波フィルタ２０３と第１の平衡端子７の間に第１の一端子対弾性波共振器１２、１３が電気的に直列に接続され、第１の弾性波フィルタ２０３と第２の平衡端子８の間に第２の一端子対弾性波共振器１４、１５が電気的に直列に接続されている。第２の弾性波フィルタ２０４と第１の平衡端子７の間に第３の一端子対弾性波共振器１６、１７が接続され、第２の弾性波フィルタ２０４と第２の平衡端子８の間に第４の一端子対弾性波共振器１８、１９が接続されている。
　第１の弾性波フィルタ２０３は、ＩＤＴ３１ａ、ＩＤＴ３１ｂ、ＩＤＴ３１ｃ、ＤＴ３１ｄ、ＩＤＴ３１ｅ、ＩＤＴ３１ｆ、ＩＤＴ３１ｇより構成された縦結合型弾性波共振器である。ＩＤＴ３１ａ、ＩＤＴ３１ｄ、ＩＤＴ３１ｅにおいて、対向する櫛電極の一方が第１の不平衡端子５に接続され、他方がグランドに接続されている。ＩＤＴ３１ｂ、ＩＤＴ３１ｆにおいて、対向する櫛電極の一方が平衡端子７に接続され、他方がグランドに接続されている。ＩＤＴ３１ｃ、ＩＤＴ３１ｇにおいて、対向する櫛電極の一方が平衡端子８に接続され、他方がグランドに接続されている。さらに２つの反射器３５が、ＩＤＴ３１ａ、ＩＤＴ３１ｂ、ＩＤＴ３１ｃ、ＤＴ３１ｄ、ＩＤＴ３１ｅ、ＩＤＴ３１ｆ、ＩＤＴ３１ｇを挟んでいる。
　第２の弾性波フィルタ２０４は、ＩＤＴ３２ａ、ＩＤＴ３２ｂ、ＩＤＴ３２ｃ、ＤＴ３２ｄ、ＩＤＴ３２ｅ、ＩＤＴ３２ｆ、ＩＤＴ３２ｇより構成された縦結合型弾性波共振器である。ＩＤＴ３２ａ、ＩＤＴ３２ｄ、ＩＤＴ３２ｅにおいて、対向する櫛電極の一方が第１の不平衡端子６に接続され、他方がグランドに接続されている。ＩＤＴ３２ｂ、ＩＤＴ３２ｆにおいて、対向する櫛電極の一方が平衡端子７に接続され、他方がグランドに接続されている。ＩＤＴ３２ｃ、ＩＤＴ３２ｇにおいて、対向する櫛電極の一方が平衡端子８に接続され、他方がグランドに接続されている。さらに２つの反射器３５が、ＩＤＴ３２ａ、ＩＤＴ３２ｂ、ＩＤＴ３２ｃ、ＤＴ３２ｄ、ＩＤＴ３２ｅ、ＩＤＴ３２ｆ、ＩＤＴ３２ｇを挟んでいる。第１の弾性波フィルタ２０３をＤＣＳ（通過帯域周波数：１８０５～１８８０ＭＨｚ）第２の弾性波フィルタ２０４をＰＣＳ（通過帯域周波数：１９３０～１９９０ＭＨｚ）とした弾性波装置２０１は、以下の仕様で作製できる。
　（第１の弾性波フィルタ２０３）
　ＩＤＴ３１ｆ／ＩＤＴ３１ｄ／ＩＤＴ３１ｂ／ＩＤＴ３１ａ／ＩＤＴ３１ｃ／ＩＤＴ３１ｅ／ＩＤＴ３１ｇの櫛電極の本数：５６本／３９本／５８本／３６本／５８本／３９本／５６本
　電極指交差幅：６５．３μｍ
　デューティー比：０．５５
　電極膜厚：１６０ｎｍ
　反射器３５の電極本数：３０本
　（第２の弾性波フィルタ２０４）
　ＩＤＴ３２ｆ／ＩＤＴ３２ｄ／ＩＤＴ３２ｂ／ＩＤＴ３２ａ／ＩＤＴ３２ｃ／ＩＤＴ３２ｅ／ＩＤＴ３２ｇの櫛電極の本数：３０本／６３本／３４本／３２本／３４本／６３本／３０本
　電極指交差幅：４５．０μｍ
　デューティー比：０．５５
　電極膜厚：１６０ｎｍ
　反射器３５の電極本数：５０本
　（第１の一端子対弾性波共振器１２）
　ＩＤＴの電極指本数：１６５本
　電極指交差幅：１１０μｍ
　デューティー比：０．５５
　電極膜厚：１６０ｎｍ
　（第１の一端子対弾性波共振器１３）
　ＩＤＴの電極指本数：１６０本
　電極指交差幅：４５μｍ
　デューティー比：０．５５
　電極膜厚：１６０ｎｍ
　（第２の一端子対弾性波共振器１４）
　ＩＤＴの電極指本数：１６５本
　電極指交差幅：１１０μｍ
　デューティー比：０．５５
　電極膜厚：１６０ｎｍ
　（第２の一端子対弾性波共振器１５）
　ＩＤＴの電極指本数：１６０本
　電極指交差幅：４５μｍ
　デューティー比：０．５５
　電極膜厚：１６０ｎｍ
　（第３の一端子対弾性波共振器１６）
　ＩＤＴの電極指本数：１６０本
　電極指交差幅：７５μｍ
　デューティー比：０．５５
　電極膜厚：１６０ｎｍ
　（第３の一端子対弾性波共振器１７）
　ＩＤＴの電極指本数：１２０本
　電極指交差幅：６５μｍ
　デューティー比：０．５５
　電極膜厚：１６０ｎｍ
　（第４の一端子対弾性波共振器１８）
　ＩＤＴの電極指本数：１６０本
　電極指交差幅：７５μｍ
　デューティー比：０．５５
　電極膜厚：１６０ｎｍ
　（第４の一端子対弾性波共振器１９）
　ＩＤＴの電極指本数：１２０本
　電極指交差幅：６５μｍ
　デューティー比：０．５５
　電極膜厚：１６０ｎｍ
　不平衡端子５から平衡端子７への第１の弾性波フィルタ２０３の伝達経路が順相接続であるのに対し、不平衡端子６から平衡端子７への第２の弾性波フィルタ２０４の伝達経路が逆相接続となっている。また、不平衡端子５から平衡端子８への第１の弾性波フィルタ２０３の伝達経路が逆相接続であるのに対し、不平衡端子６から平衡端子８への第２の弾性波フィルタ２０４の伝達経路が順相接続となっている。このように共通の平衡端子に逆相関係で接続し分波器を構成することにより、互いの相手方の通過帯域周波数に相当する周波数の減衰量を良好にする作用が生ずる。
　図３Ａは、弾性波装置２０１の低域側フィルタの通過特性図である。図３Ｂは、弾性波装置２０１の高域側フィルタの通過特性図である。図３Ａ、図３Ｂでは、それぞれ、同じ特性をＹ軸（挿入損失）の単位を変えて示している。左側の目盛は１単位１０ｄＢ、右側の目盛は１単位１ｄＢである。図３Ａ、図３Ｂは、第１の弾性波フィルタ（低域側フィルタ）と第２の弾性波フィルタ（高域側フィルタ）を共通端子に同相関係で接続した従来の構成（比較例）も示す。比較例は第２の弾性波フィルタ２０４（高域側フィルタ）のＩＤＴ３２ｄ、ＩＤＴ３２ａ、ＩＤＴ３２ｅを上下反転し、位相関係を第１の弾性波フィルタ２０３（低域側フィルタ）と同相関係になるように反転させ不平衡端子５から平衡端子７への第１の弾性波フィルタ２０３の伝達経路が順相接続、かつ不平衡端子６から平衡端子７への第２の弾性波フィルタ２０４の伝達経路も順相接続となっている。また、不平衡端子５から平衡端子８への第１の弾性波フィルタ２０３の伝達経路が逆相接続であるのに対し、不平衡端子６から平衡端子８への第２の弾性波フィルタ２０４の伝達経路が逆相接続となっている。その他の電極指本数、電極指ピッチ、デューティー比は同一構成である。図３Ａ、図３Ｂより明らかなように弾性波装置２０１は挿入損失が小さく、相手方の減衰量が改善されている。
　本実施の形態において、第１の弾性波フィルタ２０３の通過帯域（第１の通過帯域）は１．８０５ＧＨｚ～１．８８０ＧＨｚであり、第２の弾性波フィルタ２０４の通過帯域（第２の通過帯域）は１．９３０ＧＨｚ～１．９９０ＧＨである。
　第１の一端子対弾性波共振器１２、１３、および第２の一端子対弾性波共振器１４、１５の反共振周波数は、各々１９１６ＭＨｚ、１９２０ＭＨｚ、１９１６ＭＨｚ、１９２０ＭＨｚとされ、第１の通過帯域の高域側帯域外で、かつ第２の通過帯域の低域側帯域外に設定されている。この構成により、第１の弾性波フィルタの第２の通過帯域におけるインピーダンスを高インピーダンスにすることができ、平衡端子に共通接続することによる第２フィルタの挿入損失を小さくできる。また、不平衡端子５から平衡端子７、８への通過特性において第２の通過帯域周波数における減衰特性が良好になる。
　更に第３の一端子対弾性波共振器１６、１７および第４の一端子対弾性波共振器１８、１９の反共振周波数は、各々２００７ＭＨｚ、２０２０ＭＨｚ、２００７ＭＨｚ、２０２０ＭＨｚとされ、第２の通過帯域の高域側帯域外に設定されている。この構成により、第２のフィルタの高域側の減衰量を増加できる。更には、第１の一端子対弾性波共振器１２、１３、および第４の一端子対弾性波共振器１８、１９の共振器の周波数、容量を調整することでバランス度の改善もできる。
　また、第１の弾性波フィルタ２０３と不平衡端子５の間に一端子対弾性波共振器を設けても良く、第２の弾性波フィルタ２０４と不平衡端子６の間に一端子対弾性波共振器を設けても良い。このような構成にすることで更に減衰特性を改善できる。
　（実施の形態３）
　実施の形態１、２ではフィルタ部は一つの弾性波フィルタにより構成されていたが、複数の弾性波フィルタから構成されていてもよい。本実施の形態では、第１のフィルタ部および第２のフィルタ部が３つのＩＤＴを有する縦結合型弾性波フィルタを並列接続した構成を有する。
　図４は、本発明の実施の形態３における弾性波装置３０１の平面模式図である。弾性波装置３０１は、圧電基板２上に、相対的に周波数の低い第１の通過帯域を有する第１のフィルタ部３０３と相対的に周波数の高い第２の通過帯域を有する第２のフィルタ部３０４を有している。
　第１のフィルタ部３０３は２つの縦結合型弾性波フィルタ４１、４２を並列接続して構成されている。縦結合型弾性波フィルタ４１はＩＤＴ４１ａ、４１ｂ、４１ｃから構成されている。２つの反射器４５は、ＩＤＴ４１ａ、４１ｂ、４１ｃを挟んでいる。縦結合型弾性波フィルタ４２はＩＤＴ４２ａ、４２ｂ、４２ｃから構成されている。２つの反射器４５は、ＩＤＴ４２ａ、４２ｂ、４２ｃを挟んでいる。
　第２のフィルタ部３０４は２つの縦結合型弾性波フィルタ４３、４４を並列接続して構成されている。縦結合型弾性波フィルタ４３はＩＤＴ４３ａ、４３ｂ、４３ｃから構成されている。２つの反射器４５は、ＩＤＴ４３ａ、４３ｂ、４３ｃを挟んでいる。縦結合型弾性波フィルタ４４はＩＤＴ４４ａ、４４ｂ、４４ｃから構成されている。２つの反射器４５は、ＩＤＴ４４ａ、４４ｂ、４４ｃを挟んでいる。
　第１のフィルタ部３０３を構成する縦結合型弾性波フィルタ４１、４２の中央のＩＤＴ４１ａ、４２ａのそれぞれの一方の櫛電極は第１の不平衡端子５に接続され、他方の櫛電極はグランドに接続されている。縦結合型弾性波フィルタ４１のＩＤＴ４１ｂ、ＩＤＴ４１ｃはＩＤＴ４１ａを挟むように隣接配置されている。ＩＤＴ４１ｂ、４１ｃのそれぞれの一方の櫛電極は第１の平衡端子７に接続され、他方の櫛電極はグランドに接続されている。縦結合型弾性波フィルタ４２のＩＤＴ４２ｂ、ＩＤＴ４２ｃはＩＤＴ４２ａを挟むように隣接配置されている。ＩＤＴ４２ｂ、４２ｃのそれぞれの一方の櫛電極は第２の平衡端子８に接続され、他方の櫛電極はグランドに接続されている。縦結合型弾性波フィルタ４１、４２の入力用ＩＤＴから出力用ＩＤＴへの伝達経路における位相関係は逆相関係になっており第１のフィルタ部３０３は不平衡―平衡変換機能を有する。すなわち図４において、縦結合型弾性波フィルタ４１は順相接続、縦結合型弾性波フィルタ４２は逆相接続になっている。
　第２のフィルタ部３０４を構成する縦結合型弾性波フィルタ４３、４４の中央のＩＤＴ４３ａ、４４ａのそれぞれの一方の櫛電極は第２の不平衡端子６に接続され、他方の櫛電極はグランドに接続されている。縦結合型弾性波フィルタ４３のＩＤＴ４３ｂ、ＩＤＴ４３ｃはＩＤＴ４３ａを挟むように隣接配置されている。ＩＤＴ４３ｂ、４３ｃのそれぞれの一方の櫛電極は第１の平衡端子７に接続され、他方の櫛電極はグランドに接続されている。縦結合型弾性波フィルタ４４のＩＤＴ４４ｂ、ＩＤＴ４４ｃはＩＤＴ４４ａを挟むように隣接配置されている。ＩＤＴ４４ｂ、４４ｃのそれぞれの一方の櫛電極は第２の平衡端子８に接続され、他方の櫛電極はグランドに接続されている。縦結合型弾性波フィルタ４３、４４の入力用ＩＤＴから出力用ＩＤＴへの伝達経路における位相関係は逆相関係になっており第２のフィルタ部３０４は不平衡―平衡変換機能を有する。すなわち図４において、縦結合型弾性波フィルタ４３は逆相接続、縦結合型弾性波フィルタ４４は順相接続になっている。
　不平衡端子５から平衡端子７への伝達経路が、縦結合型弾性波フィルタ４１により順相接続であるのに対して、不平衡端子６から平衡端子７への伝達経路が縦結合型弾性波フィルタ４３により逆相接続されている。そのため、不平衡端子５から平衡端子７と不平衡端子６から平衡端子７の伝達経路の位相関係が逆になっている。また、不平衡端子５から平衡端子８への伝達経路が、縦結合型弾性波フィルタ４３により逆相接続であるのに対して、不平衡端子６から平衡端子８への伝達経路が縦結合型弾性波フィルタ４４により順相接続されている。そのため、不平衡端子５から平衡端子８と不平衡端子６から平衡端子８の伝達経路の位相関係が逆になっている。
　このように第１のフィルタ部３０３とフィルタ部３０４を逆位相の関係で接続することで相手方の通過帯域周波数に相当する周波数の減衰量を良好にできる。より詳細には、低域側フィルタ特性において、第１の通過帯域の挿入損失が小さく、第２の通過帯域に相当する周波数の減衰量が優れたフィルタが得られる。また高域側フィルタ特性において、第２の通過帯域の挿入損失が良好で、第１の通過帯域に相当する周波数の減衰量が改善されたフィルタが得られる。減衰量の改善により、第１の通過帯域周波数と第２の通過帯域周波数におけるアイソレーション特性も良好になる。
　本実施の形態について、入力用ＩＤＴと出力用のＩＤＴが隣接する箇所における櫛電極のうち、グランドに接続されている櫛電極の本数を以下に記す。不平衡端子５から平衡端子７への経路と不平衡端子６から平衡端子７への経路にあるグランドに接続されている櫛電極の本数の合計と、不平衡端子５から平衡端子８への経路と不平衡端子６から平衡端子８への経路にあるグランドに接続されている櫛電極の本数の合計は等しい。より詳細に説明すると不平衡端子５と平衡端子７の間の経路と不平衡端子６と平衡端子８の間の経路において、相手側のＩＤＴにもっとも近い櫛電極のうち、グランドに接続されている櫛電極は、ＩＤＴ４１ａとＩＤＴ４１ｂの間に１本、ＩＤＴ４１ａとＩＤＴ４１ｃの間に１本、ＩＤＴ４３ａとＩＤＴ４３ｂの間に０本、ＩＤＴ４３ａとＩＤＴ４３ｃの間に０本の合計２本である。不平衡端子５と平衡端子８の間の経路と不平衡端子６と平衡端子８の間の経路において、隣接するＩＤＴの櫛電極のうち、グランドに接続されている櫛電極は、ＩＤＴ４２ａとＩＤＴ４２ｂの間に０本、ＩＤＴ４２ａとＩＤＴ４２ｃの間に０本、ＩＤＴ４４ａとＩＤＴ４４ｂの間に１本、ＩＤＴ４４ａとＩＤＴ４４ｃの間に１本の合計２本である。図４において、上記の櫛電極を太線で示している。
　この構成により第１の平衡端子７と、第１の不平衡端子５、第２の不平衡端子６との間に発生するフィルタ部のＩＤＴ間に発生する寄生容量と、第２平衡端子８と、第１の不平衡端子５、第２の不平衡端子６との間に発生するフィルタ部のＩＤＴ間に発生する寄生容量をほぼ同じにすることができる。さらに、入力用ＩＤＴと出力用ＩＤＴの中心間距離の平均が第１の平衡端子７から第１の不平衡端子５、第２の不平衡端子６の経路と第２の平衡端子８から第１の不平衡端子５、第２の不平衡端子６の経路で同じになることから、不平衡―平衡機能を有するフィルタに求められるバランス度を良くできる。
　また、ＩＤＴ４１ｂ、ＩＤＴ４１ｃ、ＩＤＴ４２ｂ、ＩＤＴ４２ｃ、ＩＤＴ４３ｂ、ＩＤＴ４３ｃ、ＩＤＴ４４ｂ、ＩＤＴ４４ｃのうち、少なくともいずれか１つのＩＤＴの櫛電極の本数を他のＩＤＴの櫛電極の本数と異ならせることで、バランス度が改善される場合がある。この際、反射器４５に近い側に櫛電極を１本追加するか、１本減らすことでバランス度を改善できる。
　（実施の形態４）
　図５は、本発明の実施の形態４における弾性波装置４０１の平面模式図である。弾性波装置４０１は、圧電基板２上に相対的に周波数の低い第１の通過帯域を有する第１のフィルタ部４０３と相対的に周波数の高い第２の通過帯域を有する第２のフィルタ部４０４を有する。フィルタ部４０３、４０４は実施の形態３で示したフィルタ部３０３とフィルタ部３０４と基本構成は同じであるため詳細な説明は省略する。
　本実施の形態と実施の形態３との主な違いは、第１のフィルタ部または第２のフィルタ部の入力側と出力側に一端子対弾性波共振器４１１～４１８が接続されている点である。
　一端子対弾性波共振器４１１の共振周波数は第１の通過帯域周波数内に設定され、反共振周波数は第１の通過帯域周波数より高い周波数となるよう設定されている。一端子対弾性波共振器４１１は、第１の不平衡端子５と第１のフィルタ部４０３と直列に接続されている。この構成により相対的に低い第１の通過帯域を有する低域側のフィルタ特性の第１の通過帯域より高い周波数において減衰特性を改善できる。
　一端子対弾性波共振器４１４の共振周波数は第２の通過帯域周波数内に設定され、反共振周波数は第２の通過帯域周波数より高い周波数となるよう設定されている。一端子対弾性波共振器４１４は、第２の不平衡端子６と第２のフィルタ部４０４と直列に接続されている。この構成により相対的に高い第２の通過帯域を有する高周波側のフィルタ特性の第２の通過帯域より高い周波数において減衰特性を改善できる。
　一端子対弾性波共振器４１２の反共振周波数は第１の通過帯域周波数と、第２の通過周波数の間の周波数に設定されている。一端子対弾性波共振器４１２は、第１のフィルタ部の第１の縦結合型弾性波フィルタ４１と第１の平衡端子７の間に直列に接続されている。
　一端子対弾性波共振器４１３の反共振周波数は第１の通過帯域周波数と、第２の通過周波数の間の周波数に設定されている。一端子対弾性波共振器４１３は、第１のフィルタ部の第２の縦結合型弾性波フィルタ４２と第２の平衡端子８の間に直列に接続されている。この構成により、平衡端子７、８で第１のフィルタ部と第２のフィルタ部を接続した際に、相対的に周波数の高い通過帯域を有する高域側フィルタ特性の挿入損失を防ぐことができる。
　一端子対弾性波共振器４１５と一端子対弾性波共振器４１６の反共振周波数は第２の通過帯域周波数より高く設定されている。一端子対弾性波共振器４１５と一端子対弾性波共振器４１６は縦続接続され、第１の平衡端子７と第２のフィルタ部の第１の縦結合型弾性波フィルタ４３の間に直列に接続されている。
　一端子対弾性波共振器４１７と一端子対弾性波共振器４１８の反共振周波数が第２の通過帯域周波数より高く設定されている。一端子対弾性波共振器４１７と一端子対弾性波共振器４１８は縦続接続され、第２の平衡端子８と第２のフィルタ部の第２の縦結合型弾性波フィルタ４４の間に直列に接続されている。この構成により相対的に周波数の高い第２の通過帯域を有するフィルタ特性の減衰量を改善できる。
　一端子対弾性波共振器４１２と一端子対弾性波共振器４１３は必ずしも同じ周波数、静電容量である必要なく、一端子対弾性波共振器４１５、４１６、４１７、４１８も必ずしも同じ周波数、静電容量である必要はない。むしろ、それぞれを異ならせることで、バランス度の改善や減衰量の改善につながる場合がある。
　以上に述べた弾性波装置１、２０１、３０１，４０１は、ＳＨ　（Ｓｈｅａｒ　Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）波タイプの表面波装置、ラム波タイプの表面波装置、レーリー波タイプの表面波装置、ＳＨ波タイプの境界波装置、レーリー波タイプの境界波装置のいずれでも良く、限定されるものではない。
　圧電基板２は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、四硼酸リチウムのいずれでも良く、限定されるものではない。
　上記の構成により、本実施の形態の弾性波装置１、２０１、３０１，４０１は、挿入損失を小さくでき、相手方の通過帯域における減衰量を効率よく確保できる。その結果、良好なアイソレーション特性が得られる。そのため、優れた電気特性が得られる。
　弾性波素子は、挿入損失を小さくでき、減衰量を改善できるという効果を有し、携帯電話等の電子機器に適用される。
　１，１０１，２０１，３０１，４０１　　弾性波装置
　１０３，１０４，３０３，３０４，４０３，４０４　　フィルタ部
　５，６　　不平衡端子
　７，８　　平衡端子
　４１，４２，４３，４４，５１，５２，５３，５４　縦結合型弾性波フィルタ（縦結合弾性波共振器）
　３，２０３　　第１の弾性波フィルタ
　４，２０４　　第２の弾性波フィルタ
　１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９，１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６，１１７，１１８，４１１，４１２，４１３，４１４，４１５，４１６，４１７，４１８　　一端子対弾性波共振器
　２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２１ｇ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆ，２２ｇ，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆ，３１ｇ，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｅ，３２ｆ，３２ｇ，４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ　　ＩＤＴ
　２５，３５，４５　　反射器

Claims (18)

  1. 第１の不平衡端子と、
    第２の不平衡端子と、
    第１の平衡端子と、
    第２の平衡端子と、
    第１の通過帯域を有し、入力側が前記第１の不平衡端子と電気的に接続され、出力側が前記第１の平衡端子と前記第２の平衡端子に電気的に接続された、不平衡―平衡変換機能を有する第１のフィルタ部と、
    前記第１の通過帯域より周波数の高い第２の通過帯域を有し、入力側が前記第２の不平衡端子と電気的に接続され、出力側が前記第１の平衡端子と前記第２の平衡端子に電気的に接続された、不平衡―平衡変換機能を有する第２のフィルタ部とを備え、
    前記第１のフィルタ部の前記第１の不平衡端子から前記第１の平衡端子への位相と、前記第２のフィルタ部の前記第２の不平衡端子から前記第１の平衡端子への位相が異なり、
    前記第１のフィルタ部の前記第１の不平衡端子から前記第２の平衡端子への位相と、前記第２のフィルタ部の前記第２の不平衡端子から前記第２の平衡端子への位相が異なる
    弾性波装置。
  2. 前記第１のフィルタ部は、
    第１の縦結合型弾性波共振器を有し、
    前記第１の縦結合型弾性波共振器は、
    前記第１の不平衡端子に電気的に接続される櫛電極を有する第１のＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）と、
    前記第１の平衡端子に電気的に接続される櫛電極を有し、前記第１のＩＤＴに隣接する第２のＩＤＴと、
    前記第２の平衡端子に電気的に接続される櫛電極を有し、前記第１のＩＤＴに隣接する第３のＩＤＴとを、
    を備え、
    前記第２のフィルタ部は、
    第２の縦結合型弾性波共振器を有し、
    前記第２の縦結合型弾性波共振器は、
    前記第２の不平衡端子に電気的に接続される櫛電極を有する第４のＩＤＴと、
    前記第１の平衡端子に電気的に接続される櫛電極を有し、前記第４のＩＤＴに隣接する第５のＩＤＴと、
    前記第２の平衡端子に電気的に接続される櫛電極を有し、前記第４のＩＤＴに隣接する第６のＩＤＴとを、
    を備え、
    前記第１のＩＤＴと前記第２のＩＤＴの隣接した電極指のうちグランドに接続される電極指の本数と、
    前記第４のＩＤＴと前記第５のＩＤＴの隣接した電極指のうちグランドに接続される電極指の本数との合計と、
    前記第１のＩＤＴと前記第３のＩＤＴの隣接した電極指のうちグランドに接続される電極指の本数と、
    前記第４のＩＤＴと前記第６のＩＤＴの隣接した電極指のうちグランドに接続される電極指の本数との合計が等しい
    請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 前記第１のフィルタ部と前記第２のフィルタ部の少なくともいずれか一方が７つのＩＤＴにより形成される
    請求項１または２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  4. 前記第１のフィルタ部および前記第２のフィルタ部は、弾性波フィルタにより形成されている
    請求項１または２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 前記第１のフィルタ部および前記第２のフィルタ部は、それぞれ複数の縦結合型弾性波共振器を並列に接続することにより形成されている
    請求項１または２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 前記第１のフィルタ部と前記第２のフィルタ部は、櫛電極を有するＩＤＴにより形成されており、
    前記第１のフィルタ部が第１の反射器と第２の反射器で挟まれており前記第２のフィルタ部が第３の反射器と第４の反射器で挟まれており、前記第１から第４の反射器のいずれかに隣接するＩＤＴの櫛電極の本数と、前記ＩＤＴに隣接するＩＤＴの櫛電極の本数が互いに異なる
    請求項１または２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 第１の不平衡端子と、
    第２の不平衡端子と、
    第１の平衡端子と、
    第２の平衡端子と、
    第１の通過帯域を有し、第１～第７のＩＤＴを備える第１のフィルタ部と、
    前記第１の通過帯域より周波数の高い第２の通過帯域を有し、第８～第１４のＩＤＴを備える第２のフィルタ部とを有し、
    前記第１のフィルタ部において、
    前記第１のＩＤＴと前記第３のＩＤＴに隣接する前記第２のＩＤＴ、前記第３のＩＤＴと前記第５のＩＤＴに隣接する前記第４のＩＤＴ、および前記第５のＩＤＴと前記第７のＩＤＴに隣接する前記第６のＩＤＴの３つが第１の不平衡端子に接続され、
    前記第１のＩＤＴと前記第３のＩＤＴが前記第１の平衡端子に電気的に接続され、
    前記第５のＩＤＴと前記第７のＩＤＴが前記第２の平衡端子に電気的に接続され、
    前記第２のフィルタ部において、
    前記第８のＩＤＴと前記第１０のＩＤＴに隣接する前記第９のＩＤＴ、前記第１０のＩＤＴと前記第１２のＩＤＴに隣接する前記第１１のＩＤＴ、および前記第１２のＩＤＴと前記第１４のＩＤＴに隣接する前記第１３のＩＤＴの３つが前記第２の不平衡端子に接続され、
    前記第８のＩＤＴと前記第１０のＩＤＴが前記第１の平衡端子に電気的に接続され、
    前記第１２のＩＤＴと前記第１４のＩＤＴが第２の平衡端子に電気的に接続され、
    前記第１の不平衡端子と前記第１の平衡端子における電気信号の位相と、前記第１の不平衡端子と前記第２の平衡端子における電気信号の位相は１８０度異なっており、
    前記第２の不平衡端子と前記第１の平衡端子における電気信号の位相と、前記第２の不平衡端子と前記第２の平衡端子における電気信号の位相は１８０度異なっており、
    前記第１のフィルタ部の前記第１の不平衡端子から、前記第１の平衡端子への位相と、前記第２のフィルタ部の前記第２の不平衡端子から、前記第１の平衡端子への位相が異なり、
    前記第１のフィルタ部の第１の不平衡端子から、前記第２の平衡端子への位相と、前記第２のフィルタ部の前記第２の不平衡端子から、前記第２の平衡端子への位相が異なる
    弾性波装置。
  8. 隣接する２つの前記ＩＤＴにおける隣接している櫛電極のうち、一方が信号ラインに接続された櫛電極であり、他方がグランドに接続された櫛電極である場合を順相接続と定義し、
    隣接する２つの前記ＩＤＴにおいて、隣接している櫛電極のうち、両方とも信号ラインに接続されている櫛電極である場合、または両方ともグランドに接続されている場合を逆相接続と定義した場合において、
    前記第１のＩＤＴと前記第２のＩＤＴ、前記第２のＩＤＴと前記第３のＩＤＴ、前記第３のＩＤＴと前記第４のＩＤＴが順相接続であり、
    前記第４のＩＤＴと前記第５のＩＤＴ、前記第５のＩＤＴと前記第６のＩＤＴ、前記第６のＩＤＴと前記第７のＩＤＴが逆相接続であり、
    前記第８のＩＤＴと前記第９のＩＤＴ、前記第９のＩＤＴと前記第１０のＩＤＴ、前記第１０のＩＤＴと前記第１１のＩＤＴが逆相接続であり、
    前記第１１のＩＤＴと前記第１２のＩＤＴ、前記第１２のＩＤＴと前記第１３のＩＤＴ、前記第１３のＩＤＴと前記第１４のＩＤＴが順相接続である
    請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 前記第１のＩＤＴを構成する櫛電極と前記第２のＩＤＴを構成する櫛電極と、前記第２のＩＤＴを構成する櫛電極と前記第３のＩＤＴを構成する櫛電極と、前記第３のＩＤＴを構成する櫛電極と前記第４のＩＤＴを構成する櫛電極において、隣接する櫛電極の一方が信号ラインに接続され、他方がグランドに接続され、
    前記第４のＩＤＴを構成する櫛電極と前記第５のＩＤＴを構成する櫛電極と、前記第５のＩＤＴを構成する櫛電極と前記第６のＩＤＴを構成する櫛電極と、前記第６のＩＤＴを構成する櫛電極と前記第７のＩＤＴを構成する櫛電極において、隣接する櫛電極が信号ラインに接続されるもの同士、またはグランドに接続されるもの同士であり、
    前記第８のＩＤＴを構成する櫛電極と前記第９のＩＤＴを構成する櫛電極の極性と、前記第９のＩＤＴを構成する櫛電極と前記第１０のＩＤＴを構成する櫛電極の極性と、前記第１０のＩＤＴを構成する櫛電極と前記第１１のＩＤＴを構成する櫛電極において、隣接する櫛電極が、信号ラインに接続されるもの同士、またはグランドに接続されるもの同士であり、
    前記第１１のＩＤＴを構成する櫛電極と前記第１２のＩＤＴを構成する櫛電極と、前記第１２のＩＤＴを構成する櫛電極と前記第１３のＩＤＴを構成する櫛電極と、前記第１３のＩＤＴを構成する櫛電極と前記第１４のＩＤＴを構成する櫛電極において、隣接する櫛電極の一方が信号ラインに接続され、他方がグランドに接続されている
    請求項７に記載の弾性波装置。
  10. 前記第１の平衡端子に接続されるＩＤＴと前記第１の不平衡端子に接続されるＩＤＴの隣接する箇所における櫛電極のうちグランドに接続される櫛電極の本数と、前記第１の平衡端子に接続されるＩＤＴと前記第２の不平衡端子に接続されるＩＤＴの隣接する箇所における櫛電極のうちグランドに接続される櫛電極の本数の合計と、
    前記第２の平衡端子に接続されるＩＤＴと前記第１の不平衡端子に接続されるＩＤＴの隣接する箇所における櫛電極のうちグランドに接続される櫛電極の本数と、前記第２の平衡端子に接続されるＩＤＴと前記第２の不平衡端子に接続されるＩＤＴの隣接する箇所における櫛電極のうちグランドに接続される櫛電極の本数の合計が等しい
    請求項７に記載の弾性波装置。
  11. 前記第２のＩＤＴを構成する櫛電極の本数と前記第６のＩＤＴを構成する櫛電極の本数が等しく、前記第３のＩＤＴを構成する櫛電極の本数と前記第５のＩＤＴを構成する櫛電極の本数が等しく、
    前記第９のＩＤＴを構成する櫛電極の本数と前記第１３のＩＤＴを構成する櫛電極の本数が等しく、前記第１０のＩＤＴを構成する櫛電極の本数と前記第１２のＩＤＴを構成する櫛電極の本数が等しく、
    かつ少なくとも前記第２のＩＤＴを構成する櫛電極の本数と前記第９のＩＤＴを構成する櫛電極の本数が異なっている、または前記第３のＩＤＴを構成する櫛電極の本数と前記第１０のＩＤＴを構成する櫛電極の本数が異なっている
    請求項７に記載の弾性波装置。
  12. 前記第２のＩＤＴの櫛電極の本数、前記第６のＩＤＴの櫛電極の本数、前記第９のＩＤＴの櫛電極の本数、および前記第１３のＩＤＴの櫛電極の本数が奇数である
    請求項７に記載の弾性波装置。
  13. 前記第１のフィルタ部が第１の反射器と第２の反射器で挟まれており前記第２のフィルタ部が第３の反射器と第４の反射器で挟まれており、前記第１から第４の反射器に隣接するＩＤＴと、前記ＩＤＴに隣接するＩＤＴの櫛電極の本数が互いに異なる
    請求項７に記載の弾性波装置。
  14. 第１の不平衡端子と、
    第２の不平衡端子と、
    第１の平衡端子と、
    第２の平衡端子と、
    入力側が前記第１の不平衡端子と電気的に接続され、出力側が前記第１の平衡端子と前記第２の平衡端子に電気的に接続された、第１のフィルタ部と
    入力側が前記第２の不平衡端子と電気的に接続され、出力側が前記第１の平衡端子と前記第２の平衡端子に電気的に接続された、通過帯域周波数が第１のフィルタ部とは異なる第２のフィルタ部と
    を備え、
    第１のフィルタ部は並列接続された第３の弾性波フィルタと第４の弾性波フィルタを有し、第３の弾性波フィルタと第４の弾性波フィルタは周波数が等しく、かつ位相が１８０度異なっており、
    第２のフィルタ部は並列接続された第５の弾性波フィルタと第６の弾性波フィルタを有し、第５の弾性波フィルタと第６の弾性波フィルタは周波数が等しく、かつ位相が１８０度異なっており、
    前記第１のフィルタ部と前記第２のフィルタ部は互いに異なる通過帯域周波数を有し、
    前記第１のフィルタ部の前記第１の不平衡端子から前記第１の平衡端子への位相と、前記第２のフィルタ部の前記第２の不平衡端子から前記第１の平衡端子への位相が逆位相であり、
    前記第１のフィルタ部の前記第１の不平衡端子から前記第２の平衡端子への位相と、前記第２のフィルタ部の前記第２の不平衡端子から前記第２の平衡端子への位相が逆位相である
    弾性波装置。
  15. 前記第３～６の弾性波フィルタは、櫛電極を有するＩＤＴにより形成されており、
    前記第１の平衡端子に接続されるＩＤＴと前記第１の不平衡端子に接続されるＩＤＴの隣接する箇所における櫛電極のうちグランドに接続される櫛電極の本数と、前記第１の平衡端子に接続されるＩＤＴと前記第２の不平衡端子に接続されるＩＤＴの隣接する箇所における櫛電極のうちグランドに接続される櫛電極の本数との合計と、
    前記第２の平衡端子に接続されるＩＤＴと前記第１の不平衡端子に接続されるＩＤＴの隣接する箇所における櫛電極のうちグランドに接続される櫛電極の本数と、前記第２の平衡端子に接続されるＩＤＴと前記第２の不平衡端子に接続されるＩＤＴの隣接する箇所における櫛電極のうちグランドに接続される櫛電極の本数の合計が等しい
    請求項１４に記載の弾性波装置。
  16. 前記第１のフィルタ部および前記第２のフィルタ部は、縦結合型弾性波共振器を並列に接続することにより形成されている
    請求項１４に記載の弾性波装置。
  17. 前記第１のフィルタ部が第１の反射器と第２の反射器で挟まれており前記第２のフィルタ部が第３の反射器と第４の反射器で挟まれており、前記第１から第４の反射器に隣接するＩＤＴと、前記ＩＤＴに隣接するＩＤＴの櫛電極の本数が互いに異なる
    請求項１４に記載の弾性波装置。
  18. 第１の不平衡端子と、第２の不平衡端子と、
    第１の平衡端子と、第２の平衡端子と、
    第１の通過帯域を有し、
    入力側が前記第１の不平衡端子と電気的に接続され、
    出力側が前記第１の平衡端子と前記第２の平衡端子に電気的に接続され、
    不平衡―平衡変換機能を有する第１のフィルタと、
    前記第１の通過帯域と異なる第２の通過帯域を有し、
    入力側が前記第２の不平衡端子と電気的に接続され、
    出力側が前記第１の平衡端子と前記第２の平衡端子に電気的に接続された、
    不平衡―平衡変換機能を有する第２のフィルタとを備え、
    前記第１のフィルタは複数のＩＤＴを併設してなる第１の縦結合弾性波共振器を有し、
    前記第２のフィルタは複数のＩＤＴを併設してなる第２の縦結合弾性波共振器を有し、
    前記第１および第２の縦結合弾性波共振器において、
    隣接する２つのＩＤＴにおける隣接した櫛電極のうち、
    一方が信号配線に接続された櫛電極であり、
    他方がグランド配線に接続された櫛電極である場合の接続の種類を順相接続とし、
    隣接する２つのＩＤＴにおける隣接した櫛電極のうち、
    両方とも信号配線に接続されている櫛電極である場合、
    または両方ともグランド配線に接続されている場合の接続の種類を逆相接続としたとき、
    前記第１の不平衡端子から前記第１のフィルタを経由して前記第１の平衡端子に至る接続の種類と
    前記第２の不平衡端子から前記第２のフィルタを経由して前記第１の平衡端子に至る接続の種類とが異なり、
    前記第１の不平衡端子から前記第１のフィルタを経由して前記第２の平衡端子に至る接続の種類と、
    前記第２の不平衡端子から前記第２のフィルタを経由して前記第２の平衡端子に至る接続の種類とが異なる
    弾性波装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020158673A1 (ja) * 2019-01-31 2020-08-06 株式会社村田製作所 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6465047B2 (ja) * 2016-02-19 2019-02-06 株式会社村田製作所 弾性波共振子、帯域通過型フィルタ及びデュプレクサ
KR102825987B1 (ko) * 2020-09-29 2025-06-26 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 종결합 공진자형 탄성파 필터 및 탄성파 필터

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006003787A1 (ja) * 2004-06-30 2006-01-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. バランス型弾性波フィルタ及び弾性波フィルタ装置
WO2008096514A1 (ja) * 2007-02-02 2008-08-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波フィルタ装置
JP2009147740A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Fujitsu Media Device Kk 弾性波フィルタ
WO2009113274A1 (ja) * 2008-03-14 2009-09-17 パナソニック株式会社 弾性波フィルタおよびそれを用いたデュプレクサおよび電子機器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007129548A1 (ja) * 2006-05-08 2007-11-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
CN101682312B (zh) * 2007-05-29 2013-01-23 株式会社村田制作所 弹性波分波器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006003787A1 (ja) * 2004-06-30 2006-01-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. バランス型弾性波フィルタ及び弾性波フィルタ装置
WO2008096514A1 (ja) * 2007-02-02 2008-08-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波フィルタ装置
JP2009147740A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Fujitsu Media Device Kk 弾性波フィルタ
WO2009113274A1 (ja) * 2008-03-14 2009-09-17 パナソニック株式会社 弾性波フィルタおよびそれを用いたデュプレクサおよび電子機器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020158673A1 (ja) * 2019-01-31 2020-08-06 株式会社村田製作所 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ
JPWO2020158673A1 (ja) * 2019-01-31 2021-11-25 株式会社村田製作所 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ
JP7168009B2 (ja) 2019-01-31 2022-11-09 株式会社村田製作所 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ
US11936359B2 (en) 2019-01-31 2024-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device and multiplexer

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