WO2011111166A1 - Film for wafer processing, and method for manufacturing semiconductor device using film for wafer processing - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 109
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 169
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 111
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 55
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 113
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 41
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 28
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 28
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 10
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)C YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 2,4-di(propan-2-yl)thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC(C(C)C)=C3SC2=C1 BRKORVYTKKLNKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC(C)=C3SC2=C1 LCHAFMWSFCONOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical class OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- KFJJYOKMAAQFHC-UHFFFAOYSA-N (4-methoxy-5,5-dimethylcyclohexa-1,3-dien-1-yl)-phenylmethanone Chemical compound C1C(C)(C)C(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 KFJJYOKMAAQFHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=C(CN=C=O)C=C1 OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSQSKFCQCCTXCD-UHFFFAOYSA-N 1,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C(CC)=CC=C2CC DSQSKFCQCCTXCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]heptane-2,3-dione Chemical compound C1CC2(C)C(=O)C(=O)C1C2(C)C VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC(Cl)=C3SC2=C1 UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZHUBCULTHIFNO-UHFFFAOYSA-N 2,4-dihydroxy-1,5-bis[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2,4-dimethylpentan-3-one Chemical compound C=1C=C(OCCO)C=CC=1CC(C)(O)C(=O)C(O)(C)CC1=CC=C(OCCO)C=C1 LZHUBCULTHIFNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 2-benzoylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 FGTYTUFKXYPTML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRRQSCPPOIUNGX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1,2-bis(4-methoxyphenyl)ethanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(O)C(=O)C1=CC=C(OC)C=C1 LRRQSCPPOIUNGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPXVRLXJHPTCPW-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-(4-propan-2-ylphenyl)propan-1-one Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C(=O)C(C)(C)O)C=C1 QPXVRLXJHPTCPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl methacrylate Chemical compound CC(O)COC(=O)C(C)=C VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRNDGUSDBCARGC-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetophenone Chemical compound COCC(=O)C1=CC=CC=C1 YRNDGUSDBCARGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCOC(=O)C=C JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012753 Ethylene Ionomers Polymers 0.000 description 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Chemical class 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CO)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- CGXDIDXEMHMPIX-UHFFFAOYSA-N bis(3-methylphenyl)methanone Chemical class CC1=CC=CC(C(=O)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 CGXDIDXEMHMPIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930006711 bornane-2,3-dione Natural products 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;isocyanic acid Chemical group N=C=O.CCOC(N)=O RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006242 ethylene acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920006244 ethylene-ethyl acrylate Polymers 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical group OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920003055 poly(ester-imide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Chemical class 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- OXTXYKOWIHKUFN-UHFFFAOYSA-N tetratert-butyl 5-benzoylbenzene-1,2,3,4-tetracarboperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)C1=C(C(=O)OOC(C)(C)C)C(C(=O)OOC(C)(C)C)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1C(=O)OOC(C)(C)C OXTXYKOWIHKUFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Definitions
- the present invention relates to a wafer processing film, and more particularly to a wafer processing film including a dicing die bonding film having two functions of a dicing tape and a die bonding film.
- the present invention also relates to a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film.
- a dicing tape for fixing a semiconductor wafer when the semiconductor wafer is cut and separated into individual semiconductor chips (dicing), and for bonding the cut semiconductor chip to a lead frame, a package substrate, or the like, or
- a dicing die bonding film having both functions of a die bonding film (also referred to as a die attach film) for laminating and bonding semiconductor chips has been developed.
- Some of these dicing / die bonding films have been pre-cut in consideration of workability such as attachment to a semiconductor wafer and attachment to a ring frame during dicing.
- the adhesive layer 32 and the circular label portion 33a of the pressure-sensitive adhesive film 33 are laminated with their centers aligned, and the circular label portion 33a of the pressure-sensitive adhesive film 33 covers the adhesive layer 32 and is released from the periphery thereof. It is in contact with the film 31.
- the dicing / die bonding film 35 is configured by a laminated structure including the adhesive layer 32 and the circular label portion 33 a of the adhesive film 33.
- the wafer processing film 30 as described above is thicker than the other portions where the adhesive layer 32 and the circular label portion 33 a of the adhesive film 33 are laminated.
- the exposed release film 31 part between the circular label part 33a and the peripheral part 33b is a part from which the adhesive film 33 has been removed, and the adhesive film between the adhesive film 33 (33a, 33b) part.
- the film 30 for wafer processing is distribute
- FIG. 7 shows an example of a winding core 50 in which a cylindrical cavity 53 is formed at the center of rotation. Therefore, as shown in FIG.
- Patent Document 1 in order to suppress generation
- the adhesive sheet of Patent Document 1 is provided with a support layer, so that the winding pressure applied to the adhesive sheet is dispersed or collected in the support layer to suppress the generation of transfer marks.
- the support layer is formed on a part other than the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film required when manufacturing a semiconductor device on the release substrate, the support layer The width of the support layer is limited with respect to the outer diameter of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film, and the effect of suppressing the label traces is not sufficient. Also, since the support layer is generally not sticky and does not adhere well to the release substrate (PET film), it floats from the release substrate at the narrowest part of the support layer, and is diced to the semiconductor wafer. When the die bonding film is bonded, the above-described floating portion is caught by the apparatus, causing a problem that the semiconductor wafer is damaged.
- the object of the present invention is to sufficiently suppress the generation of transfer marks on the adhesive layer when a wafer processing film including a dicing die bonding film having an adhesive layer and an adhesive film is rolled up.
- An object of the present invention is to provide a film for wafer processing that can be used.
- Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device using such a wafer processing film.
- a film for wafer processing includes a base film, an adhesive film comprising an adhesive layer provided on the base film, and An adhesive layer provided on the pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer includes a radiation polymerizable compound and one photoinitiator at least at a position corresponding to the ring frame, and the one photoinitiator
- the wavelength of the light that contains the radiation polymerizable compound and the other photoinitiator at a position other than the part containing the agent, and the one photoinitiator reacts with the wavelength of the light that the other photoinitiator reacts with. It is characterized by being different.
- the pressure-sensitive adhesive layer contains a photoinitiator that reacts to different wavelengths at least in the part corresponding to the ring frame and the other part.
- a photoinitiator that reacts to different wavelengths at least in the part corresponding to the ring frame and the other part.
- the film for wafer processing which concerns on the 2nd aspect of this invention was provided on the adhesive film which consists of a base film, the adhesive layer provided on the said base film, and the said adhesive layer
- An adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer includes at least one of a radiation polymerizable compound and a heat polymerizable compound in a portion corresponding to the ring frame, and includes one of the radiation polymerizable compound and the heat polymerizable compound.
- the other part of the radiation polymerizable compound and the thermally polymerizable compound is included in a part other than the part to be included.
- the portion corresponding to the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer when at least a portion corresponding to the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation polymerizable compound, the portion corresponding to the ring frame is cured by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with radiation.
- the adhesive strength can be reduced and the adhesive layer corresponding to the cured part can be peeled off.
- the semiconductor wafer and the adhesive layer can be peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer and picked up by thermal polymerization and curing. it can.
- the pressure-sensitive adhesive force is reduced by thermal polymerization and curing, and the adhesive layer corresponding to the cured portion can be peeled off. it can. Since at least the portion other than the portion corresponding to the ring frame contains a radiation polymerizable compound, the adhesive layer is irradiated with radiation, and at least the portion other than the portion corresponding to the ring frame is cured, and the semiconductor wafer and The adhesive layer can be separated from the pressure-sensitive adhesive layer and picked up.
- the wafer processing film according to the third aspect of the present invention is the above-described wafer processing film according to the first or second aspect of the present invention, wherein the adhesive layer is precut into a shape corresponding to the semiconductor wafer.
- the pressure-sensitive adhesive layer is not precut into a shape corresponding to the ring frame.
- the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer are not pre-cut, when the film for wafer processing is wound into a roll as a product, the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer are generated in the laminated portion of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film. Since there is no step, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.
- the wafer processing film according to the fourth aspect of the present invention is the above-described wafer processing film according to any one of the first to third aspects of the present invention, wherein the adhesive layer corresponds to at least a semiconductor wafer.
- a cut is provided outside the position corresponding to the ring frame and inside the position corresponding to the ring frame.
- the pressure-sensitive adhesive layer corresponding to the ring frame is cured, thereby reducing the adhesive force and bonding from the cured part of the pressure-sensitive adhesive layer based on the notch.
- the agent layer can be peeled off.
- a method for manufacturing a semiconductor device according to the first aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to any one of the first to fourth aspects of the present invention described above.
- Corresponding to a wafer bonding step a step of fixing the ring frame to the pressure-sensitive adhesive layer, a step of dicing the wafer to form individual chips and an adhesive layer, and a pressure-sensitive adhesive layer wafer Curing the portion and picking up the singulated chip and the adhesive layer.
- a portion corresponding to the ring frame and a portion corresponding to the semiconductor wafer of the pressure-sensitive adhesive layer other than a portion corresponding to the semiconductor wafer of the pressure-sensitive adhesive layer can be cured stepwise to reduce the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer and change the peelable position between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer. Therefore, the design of the desired semiconductor device can be changed without a large-scale change of the existing equipment.
- the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer do not need to be pre-cut with respect to the wafer processing film before manufacturing the semiconductor device. In this case, since there is no level difference generated in the laminated portion of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film, it is possible to prevent transfer marks from being generated in the adhesive layer.
- the pressure-sensitive adhesive layer contains a photoinitiator that reacts to different wavelengths at least in a portion corresponding to the ring frame and in other portions.
- a photoinitiator that reacts to different wavelengths at least in a portion corresponding to the ring frame and in other portions.
- the pressure-sensitive adhesive layer when at least a portion corresponding to the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation polymerizable compound, the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with radiation so that the at least The part corresponding to the ring frame is cured to reduce the adhesive force, and the adhesive layer corresponding to the cured part can be peeled off. And since at least a portion other than the portion corresponding to the ring frame contains a thermopolymerizable compound, the semiconductor wafer and the adhesive layer can be peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer and picked up by thermal polymerization and curing. it can.
- the pressure-sensitive adhesive force is reduced by thermal polymerization and curing, and the adhesive layer corresponding to the cured portion can be peeled off. it can. Since at least the portion other than the portion corresponding to the ring frame contains a radiation polymerizable compound, the adhesive layer is irradiated with radiation, and at least the portion other than the portion corresponding to the ring frame is cured, and the semiconductor wafer and The adhesive layer can be separated from the pressure-sensitive adhesive layer and picked up.
- the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer are not pre-cut, when the wafer processing film is wound into a roll as a product, Since there is no level difference generated in the laminated portion with the pressure-sensitive adhesive film, it is possible to prevent transfer marks from being generated in the adhesive layer. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in the adhesion between the adhesive layer and the semiconductor wafer due to air being caught between the adhesive layer and the semiconductor wafer, and to attach the semiconductor chip to a lead frame, a package substrate, or another semiconductor. When adhering to a chip, it is possible to prevent adhesion failure and problems during processing of a semiconductor wafer.
- the pressure-sensitive adhesive layer corresponding to the ring frame is cured, thereby reducing the adhesive force and curing the pressure-sensitive adhesive layer based on the notch.
- the adhesive layer can be peeled from the applied portion.
- Corresponding portions can be cured stepwise to reduce the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer, and the peelable position can be changed between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer. Therefore, the design of the desired semiconductor device can be changed without a large-scale change of the existing equipment.
- FIG. 1 is a cross-sectional view of a wafer processing film according to the present embodiment.
- 2 and 3 are views for explaining a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to this embodiment.
- a wafer processing film 10 includes a base film 11 and an adhesive film 14 including an adhesive layer 12 provided on the base film 11, and an adhesive.
- a dicing die bonding film 15 having an adhesive layer 13 provided on the layer 12.
- the adhesive layer 13 is not pre-cut into a shape corresponding to a semiconductor wafer (or called a wafer), and the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame.
- the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the adhesive layer 13 are laminated in a long shape on the base film 11 in the same manner as the base film 11, and the wafer processing film 10 has a thickness. Does not have different parts.
- the pressure-sensitive adhesive layer 12 contains a radiation polymerizable compound and two types of photoinitiators having different wavelengths of light to react.
- a release film which is a protective film (not shown), is attached to the entire surface of the adhesive layer 13 and distributed as a wafer processing film 10 to the market.
- the release film, the adhesive layer 13, and the pressure-sensitive adhesive film 14 including the base film 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12, which are components of the wafer processing film 10 will be described.
- release film As the release film used for the wafer processing film 10, a known film such as a polyethylene terephthalate (PET) type, a polyethylene type, or a film subjected to a release treatment can be used.
- PET polyethylene terephthalate
- the thickness of the release film is not particularly limited and may be set appropriately, but is preferably 25 to 50 ⁇ m.
- the adhesive layer 13 is peeled off from the adhesive film 14 and attached to the chip when picking up an individual semiconductor chip (or called a chip) after the semiconductor wafer or the like is bonded and diced. It is used as an adhesive when fixing a chip to a substrate or a lead frame. Therefore, the adhesive layer 13 has releasability that can be peeled off from the pressure-sensitive adhesive film 14 while being attached to the separated chip when picking up the chip. In order to bond and fix the chip to the substrate or the lead frame, it has sufficient adhesion reliability.
- the adhesive layer 13 is obtained by forming a film of an adhesive in advance.
- a known polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyester resin, or polyesterimide used for the adhesive is used.
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Abstract
Disclosed is a film for wafer processing which has a dicing/die bonding film composed of an adhesive layer and a sticky film, and is capable of sufficiently suppressing the formation of transfer marks on the adhesive layer when the film for wafer processing is wound into a roll.
Specifically disclosed is a film for wafer processing which comprises a sticky film that is composed of a base film and a sticky layer provided on the base film, and an adhesive layer that is provided on the sticky layer. The sticky layer contains a radiation polymerizable compound and one photoinitiator at least in a portion corresponding to the ring frame, while containing a radiation polymerizable compound and another photoinitiator in a portion other than the portion in which the first-mentioned photoinitiator is contained. The wavelength of light to which the first-mentioned photoinitiator is reactive is different from the wavelength of light to which the another photoinitiator is reactive.
Description
本発明は、ウエハ加工用フィルムに関し、特に、ダイシングテープとダイボンディングフィルムの２つの機能を有するダイシング・ダイボンディングフィルムを含むウエハ加工用フィルムに関する。また、前記ウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法に関する。
The present invention relates to a wafer processing film, and more particularly to a wafer processing film including a dicing die bonding film having two functions of a dicing tape and a die bonding film. The present invention also relates to a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film.
近時、半導体ウエハを個々の半導体チップに切断分離（ダイシング）する際に半導体ウエハを固定するためのダイシングテープの機能と、切断された半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するため、又は、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するためのダイボンディングフィルム（ダイアタッチフィルムともいう）の機能との２つの機能を併せ持つダイシング・ダイボンディングフィルムが開発されている。
Recently, the function of a dicing tape for fixing a semiconductor wafer when the semiconductor wafer is cut and separated into individual semiconductor chips (dicing), and for bonding the cut semiconductor chip to a lead frame, a package substrate, or the like, or In the stacked package, a dicing die bonding film having both functions of a die bonding film (also referred to as a die attach film) for laminating and bonding semiconductor chips has been developed.
このようなダイシング・ダイボンディングフィルムとしては、半導体ウエハへの貼り付けや、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け等の作業性を考慮して、プリカット加工が施されたものがある。
Some of these dicing / die bonding films have been pre-cut in consideration of workability such as attachment to a semiconductor wafer and attachment to a ring frame during dicing.
プリカット加工されたダイシング・ダイボンディングフィルムの例を、図４及び図５に示す。図４、図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、それぞれダイシング・ダイボンディングフィルム３５を備えたウエハ加工用フィルム３０の概要図、平面図、断面図である。ウエハ加工用フィルム３０は、離型フィルム３１と、接着剤層３２と、粘着フィルム３３とからなる。接着剤層３２は、半導体ウエハの形状に対応した形状（例えば、円形）に加工が施された、円形ラベル形状を有する。粘着フィルム３３は、ダイシング用のリングフレームの形状に対応する円形部分の周辺領域が除去されたものであり、図示するように、円形ラベル部３３ａと、円形ラベル部３３ａの外側を囲むような周辺部３３ｂとを有する。接着剤層３２と粘着フィルム３３の円形ラベル部３３ａとは、その中心を揃えて積層され、また、粘着フィルム３３の円形ラベル部３３ａは、接着剤層３２を覆い、且つ、その周囲で離型フィルム３１に接触している。そして、接着剤層３２と粘着フィルム３３の円形ラベル部３３ａとからなる積層構造により、ダイシング・ダイボンディングフィルム３５が構成される。
Examples of the pre-cut processed dicing die bonding film are shown in FIGS. 4, 5 </ b> A, and 5 </ b> B are a schematic view, a plan view, and a cross-sectional view of a wafer processing film 30 provided with a dicing die bonding film 35, respectively. The wafer processing film 30 includes a release film 31, an adhesive layer 32, and an adhesive film 33. The adhesive layer 32 has a circular label shape that is processed into a shape (for example, a circle) corresponding to the shape of the semiconductor wafer. The adhesive film 33 is obtained by removing the peripheral area of the circular portion corresponding to the shape of the ring frame for dicing. As shown in the drawing, the peripheral area surrounding the circular label portion 33a and the outer side of the circular label portion 33a. Part 33b. The adhesive layer 32 and the circular label portion 33a of the pressure-sensitive adhesive film 33 are laminated with their centers aligned, and the circular label portion 33a of the pressure-sensitive adhesive film 33 covers the adhesive layer 32 and is released from the periphery thereof. It is in contact with the film 31. The dicing / die bonding film 35 is configured by a laminated structure including the adhesive layer 32 and the circular label portion 33 a of the adhesive film 33.
半導体ウエハをダイシングする際には、積層状態の接着剤層３２及び粘着フィルム３３から離型フィルム３１を剥離し、図６に示すように、接着剤層３２上に半導体ウエハＷの裏面を貼り付け、粘着フィルム３３の円形ラベル部３３ａの外周部にダイシング用リングフレームＲを粘着固定する。この状態で半導体ウエハＷをダイシングして個片化した半導体チップを形成し、その後、粘着フィルム３３（３３ａ）に紫外線照射等の硬化処理を施して半導体チップをピックアップする。このとき、粘着フィルム３３（３３ａ）は、硬化処理によって粘着力が低下しているので、接着剤層３２から容易に剥離し、半導体チップは裏面に接着剤層３２を付着した状態でピックアップされる。半導体チップの裏面に付着した接着剤層３２は、その後、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際に、ダイボンディングフィルムとして機能する。
When dicing the semiconductor wafer, the release film 31 is peeled off from the laminated adhesive layer 32 and the adhesive film 33, and the back surface of the semiconductor wafer W is pasted on the adhesive layer 32 as shown in FIG. The dicing ring frame R is adhesively fixed to the outer peripheral portion of the circular label portion 33a of the adhesive film 33. In this state, the semiconductor wafer W is diced to form individual semiconductor chips, and then the adhesive film 33 (33a) is subjected to a curing process such as ultraviolet irradiation to pick up the semiconductor chips. At this time, since the adhesive force of the adhesive film 33 (33a) is reduced by the curing process, the adhesive film 33 (33a) is easily peeled off from the adhesive layer 32, and the semiconductor chip is picked up with the adhesive layer 32 attached to the back surface. . The adhesive layer 32 attached to the back surface of the semiconductor chip then functions as a die bonding film when the semiconductor chip is bonded to a lead frame, a package substrate, or another semiconductor chip.
ところで、上記のようなウエハ加工用フィルム３０は、図４及び図５に示すように、接着剤層３２と粘着フィルム３３の円形ラベル部３３ａとが積層された部分が他の部分よりも厚い。また、円形ラベル部３３ａと周辺部３３ｂとの間の露出した離型フィルム３１部分は、粘着フィルム３３が除去された部分であって、粘着フィルム３３（３３ａ、３３ｂ）部分との間に粘着フィルム３３の厚さ分の段差ができている。また、ウエハ加工用フィルム３０は、巻き芯５０（図７参照）を用いてロール状に巻かれた状態で、製品として市場に流通している。尚、図７は、回転中心に円筒状の空洞部５３が形成された巻き芯５０の一例を示したものである。そのため、図８に示すように、ウエハ加工用フィルム３０をロール状に巻いた際、接着剤層３２と粘着フィルム３３の円形ラベル部３３ａとの積層部分において、粘着フィルム３３と離型フィルム３１とによってできた上述の段差が重なりあい、柔軟な接着剤層３２表面に段差が転写される現象、すなわち図９に示すような転写痕（ラベル痕、シワ、又は、巻き跡ともいう）が発生する。このような転写痕の発生は、特に、接着剤層３２が柔らかい樹脂で形成されている場合や厚みがある場合、及びウエハ加工用フィルム３０の巻き数が多い場合などに顕著である。そして、転写痕が発生すると、接着剤層３２上に半導体ウエハＷの裏面を貼り付ける際に接着剤層３２と半導体ウエハＷとの間に空気を巻き込みながら貼り付けてしまうため、接着剤層３２と半導体ウエハＷとの間が密着せず、その結果、接着不良を引き起こし、半導体ウエハの加工時に不具合が生じるおそれがある。
By the way, as shown in FIGS. 4 and 5, the wafer processing film 30 as described above is thicker than the other portions where the adhesive layer 32 and the circular label portion 33 a of the adhesive film 33 are laminated. The exposed release film 31 part between the circular label part 33a and the peripheral part 33b is a part from which the adhesive film 33 has been removed, and the adhesive film between the adhesive film 33 (33a, 33b) part. There is a level difference of 33 thicknesses. Moreover, the film 30 for wafer processing is distribute | circulating to the market as a product in the state wound by roll shape using the winding core 50 (refer FIG. 7). FIG. 7 shows an example of a winding core 50 in which a cylindrical cavity 53 is formed at the center of rotation. Therefore, as shown in FIG. 8, when the wafer processing film 30 is wound in a roll shape, the adhesive film 33 and the release film 31 are formed in the laminated portion of the adhesive layer 32 and the circular label portion 33 a of the adhesive film 33. The above-described steps formed by the above overlap, and the step is transferred to the surface of the flexible adhesive layer 32, that is, a transfer mark (also referred to as a label mark, wrinkle, or winding mark) as shown in FIG. 9 occurs. . Such transfer marks are particularly noticeable when the adhesive layer 32 is formed of a soft resin or has a thickness, or when the number of windings of the wafer processing film 30 is large. When the transfer mark is generated, when the back surface of the semiconductor wafer W is pasted on the adhesive layer 32, the adhesive layer 32 is stuck while air is involved between the adhesive layer 32 and the semiconductor wafer W. And the semiconductor wafer W are not in close contact with each other. As a result, adhesion failure occurs, and there is a possibility that a problem may occur when the semiconductor wafer is processed.
上記転写痕の発生を抑制するためには、ウエハ加工用フィルムの巻き取り圧を弱くすることが考えられるが、この方法では、製品の巻きズレが生じ、例えばテープマウンターへのセットが困難となる等、ウエハ加工用フィルムの実使用時に支障を来すおそれがある。
In order to suppress the generation of the transfer mark, it is conceivable to reduce the winding pressure of the wafer processing film. However, this method causes a product winding deviation, and for example, it is difficult to set on a tape mounter. There is a risk of hindering actual use of the wafer processing film.
また、特許文献１には、上記のようなラベル痕の発生を抑制するために、剥離基材上の接着剤層及び粘着フィルムの外方に、接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層を設けた接着シートが開示されている。特許文献１の接着シートは、支持層を備えることで、接着シートにかかっていた巻き取りの圧力を分散するか或いは支持層に集め、転写痕の発生を抑制している。
Moreover, in patent document 1, in order to suppress generation | occurrence | production of the label traces as described above, the total film thickness of the adhesive layer and the adhesive film on the outside of the adhesive layer and the adhesive film on the release substrate An adhesive sheet provided with a support layer having an equivalent or greater film thickness is disclosed. The adhesive sheet of Patent Document 1 is provided with a support layer, so that the winding pressure applied to the adhesive sheet is dispersed or collected in the support layer to suppress the generation of transfer marks.
しかしながら、上記特許文献１の接着シートでは、剥離基板上の、半導体装置を製造する場合等に必要とされる接着剤層及び粘着フィルム以外の部分に、支持層が形成されることから、支持層の幅に制限があり、接着剤層及び粘着フィルムの外径に対して支持層の幅が狭く、ラベル痕の抑制効果が十分ではないという問題が生じていた。また、支持層は一般的に粘着性を有さず、剥離基材（ＰＥＴフィルム）と十分に貼り付いていないことから、支持層の最も狭い部分において剥離基材から浮き、半導体ウエハにダイシング・ダイボンディングフィルムを貼り合わせる際に、上述した浮いた部分が装置に引っかかり、半導体ウエハが損傷してしまうという問題が生じていた。
However, in the adhesive sheet of Patent Document 1, since the support layer is formed on a part other than the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film required when manufacturing a semiconductor device on the release substrate, the support layer The width of the support layer is limited with respect to the outer diameter of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film, and the effect of suppressing the label traces is not sufficient. Also, since the support layer is generally not sticky and does not adhere well to the release substrate (PET film), it floats from the release substrate at the narrowest part of the support layer, and is diced to the semiconductor wafer. When the die bonding film is bonded, the above-described floating portion is caught by the apparatus, causing a problem that the semiconductor wafer is damaged.
なお、支持層の幅を広くすることも考えられるが、ウエハ加工用フィルム全体の幅も広くなるため、既存設備の使用が困難となる。また、支持層は、最終的に廃棄される部分であることから、支持層の幅を広げることは材料コストの上昇に繋がる。
Although it is conceivable to increase the width of the support layer, the width of the entire wafer processing film is increased, making it difficult to use existing equipment. In addition, since the support layer is a part that is finally discarded, increasing the width of the support layer leads to an increase in material cost.
そこで、本発明の目的は、接着剤層及び粘着フィルムを有するダイシング・ダイボンディングフィルムを含むウエハ加工用フィルムをロール状に巻き取った場合に、接着剤層への転写痕の発生を十分に抑制することができるウエハ加工用フィルムを提供することにある。また、このようなウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を提供することにある。
Therefore, the object of the present invention is to sufficiently suppress the generation of transfer marks on the adhesive layer when a wafer processing film including a dicing die bonding film having an adhesive layer and an adhesive film is rolled up. An object of the present invention is to provide a film for wafer processing that can be used. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device using such a wafer processing film.
以上のような目的を達成するため、本発明の第１の態様に係るウエハ加工用フィルムは、基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、前記粘着剤層は、少なくともリングフレームに対応する位置に、放射線重合性化合物と一の光開始剤とを含み、前記一の光開始剤を含む箇所以外の位置に、放射線重合性化合物と他の光開始剤とを含み、前記一の光開始剤が反応する光の波長は、前記他の光開始剤が反応する光の波長と異なることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a film for wafer processing according to the first aspect of the present invention includes a base film, an adhesive film comprising an adhesive layer provided on the base film, and An adhesive layer provided on the pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer includes a radiation polymerizable compound and one photoinitiator at least at a position corresponding to the ring frame, and the one photoinitiator The wavelength of the light that contains the radiation polymerizable compound and the other photoinitiator at a position other than the part containing the agent, and the one photoinitiator reacts with the wavelength of the light that the other photoinitiator reacts with. It is characterized by being different.
上述した発明のウエハ加工用フィルムによれば、粘着剤層は、少なくともリングフレームに対応する部分とそれ以外の部分とで異なる波長に反応する光開始剤を含むことから、一の光開始剤が反応する波長の光を粘着剤層に照射することにより、少なくともリングフレームに対応する部分を硬化させて粘着力を低下させ、硬化させた部分に対応する接着剤層を剥離することができる。そして、他の光開始剤が反応する波長の光を粘着剤層に照射することにより、半導体ウエハおよび接着剤層を粘着剤層から剥離してピックアップすることができる。
According to the film for wafer processing of the invention described above, the pressure-sensitive adhesive layer contains a photoinitiator that reacts to different wavelengths at least in the part corresponding to the ring frame and the other part. By irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with light having a wavelength to react, at least a portion corresponding to the ring frame is cured to reduce the adhesive force, and the adhesive layer corresponding to the cured portion can be peeled off. Then, the semiconductor wafer and the adhesive layer can be peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer and picked up by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with light having a wavelength at which another photoinitiator reacts.
従って、従来のウエハ加工用フィルムでは、接着剤層及びその接着剤層を覆う粘着剤層をリングフレームに対応する形状にプリカットすることが不可欠であったが、少なくともリングフレームに対応する部分とそれ以外の部分とで段階的に接着剤層を剥離できるため、プリカットする必要がなくなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。
Therefore, in the conventional film for wafer processing, it was indispensable to pre-cut the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer covering the adhesive layer into a shape corresponding to the ring frame. Since the adhesive layer can be peeled stepwise from other parts, there is no need to pre-cut. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.
また、本発明の第２の態様に係るウエハ加工用フィルムは、基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、前記粘着剤層は、少なくともリングフレームに対応する部分に、放射線重合性化合物および熱重合性化合物の一方を含み、前記放射線重合性化合物および熱重合性化合物の一方を含む箇所以外の部分に、前記放射線重合性化合物および熱重合性化合物の他方を含むことを特徴とする。
Moreover, the film for wafer processing which concerns on the 2nd aspect of this invention was provided on the adhesive film which consists of a base film, the adhesive layer provided on the said base film, and the said adhesive layer An adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer includes at least one of a radiation polymerizable compound and a heat polymerizable compound in a portion corresponding to the ring frame, and includes one of the radiation polymerizable compound and the heat polymerizable compound. The other part of the radiation polymerizable compound and the thermally polymerizable compound is included in a part other than the part to be included.
上述した発明によれば、粘着剤層の少なくともリングフレームに対応する部分が放射線重合性化合物を含む場合、放射線を粘着剤層に照射することにより、前記少なくともリングフレームに対応する部分を硬化させて粘着力を低下させ、硬化させた部分に対応する接着剤層を剥離することができる。そして、前記少なくともリングフレームに対応する部分以外の部分は熱重合性化合物を含むことから、熱重合させて硬化させることにより、半導体ウエハおよび接着剤層を粘着剤層から剥離してピックアップすることができる。
According to the above-described invention, when at least a portion corresponding to the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation polymerizable compound, the portion corresponding to the ring frame is cured by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with radiation. The adhesive strength can be reduced and the adhesive layer corresponding to the cured part can be peeled off. And since at least a portion other than the portion corresponding to the ring frame contains a thermopolymerizable compound, the semiconductor wafer and the adhesive layer can be peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer and picked up by thermal polymerization and curing. it can.
一方、粘着剤層の少なくともリングフレームに対応する部分が熱重合性化合物を含む場合、熱重合させて硬化させて粘着力を低下させ、硬化させた部分に対応する接着剤層を剥離することができる。そして、前記少なくともリングフレームに対応する部分以外の部分は放射線重合性化合物を含むことから、放射線を粘着剤層に照射し、前記少なくともリングフレームに対応する部分以外の部分を硬化させ、半導体ウエハおよび接着剤層を粘着剤層から剥離してピックアップすることができる。
On the other hand, when at least a portion corresponding to the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer contains a thermopolymerizable compound, the pressure-sensitive adhesive force is reduced by thermal polymerization and curing, and the adhesive layer corresponding to the cured portion can be peeled off. it can. Since at least the portion other than the portion corresponding to the ring frame contains a radiation polymerizable compound, the adhesive layer is irradiated with radiation, and at least the portion other than the portion corresponding to the ring frame is cured, and the semiconductor wafer and The adhesive layer can be separated from the pressure-sensitive adhesive layer and picked up.
また、本発明の第３の態様に係るウエハ加工用フィルムは、上述した本発明の第１または２の態様に係るウエハ加工用フィルムにおいて、接着剤層は、半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、粘着剤層は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていないことを特徴とする。
The wafer processing film according to the third aspect of the present invention is the above-described wafer processing film according to the first or second aspect of the present invention, wherein the adhesive layer is precut into a shape corresponding to the semiconductor wafer. The pressure-sensitive adhesive layer is not precut into a shape corresponding to the ring frame.
上述した発明によれば、接着剤層及び粘着剤層はプリカットされていないことから、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。
According to the above-described invention, since the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer are not pre-cut, when the film for wafer processing is wound into a roll as a product, the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer are generated in the laminated portion of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film. Since there is no step, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.
また、本発明の第４の態様に係るウエハ加工用フィルムは、上述した本発明の第１乃至３のいずれか１つの態様に係るウエハ加工用フィルムにおいて、接着剤層は、少なくとも半導体ウエハに対応する位置よりも外側であってリングフレームに対応する位置よりも内側に切り込みが設けられていることを特徴とする。
Further, the wafer processing film according to the fourth aspect of the present invention is the above-described wafer processing film according to any one of the first to third aspects of the present invention, wherein the adhesive layer corresponds to at least a semiconductor wafer. A cut is provided outside the position corresponding to the ring frame and inside the position corresponding to the ring frame.
上述した発明のウエハ加工用フィルムによれば、少なくともリングフレームに対応する部分の粘着剤層を硬化させることにより、粘着力を低下させて、切り込みを基点として粘着剤層の硬化させた部分から接着剤層を剥離させることができる。
According to the wafer processing film of the above-described invention, at least a part of the pressure-sensitive adhesive layer corresponding to the ring frame is cured, thereby reducing the adhesive force and bonding from the cured part of the pressure-sensitive adhesive layer based on the notch. The agent layer can be peeled off.
また、本発明の第１の態様に係る半導体装置を製造する方法は、上述した本発明の第１乃至４のいずれか１つの態様に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法であって、粘着剤層のウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分を硬化させ、硬化させた粘着剤層の部分から接着剤層を剥離する工程と、接着剤層にウエハを貼合する工程と、粘着剤層に前記リングフレームを固定する工程と、ウエハをダイシングし、個片化されたチップ及び接着剤層を形成する工程と、粘着剤層のウエハに対応する部分を硬化させ、個片化されたチップ及び接着剤層をピックアップする工程とを含むことを特徴とする。
A method for manufacturing a semiconductor device according to the first aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to any one of the first to fourth aspects of the present invention described above. A step of curing at least a portion corresponding to the ring frame other than the portion corresponding to the wafer of the pressure-sensitive adhesive layer, and peeling the adhesive layer from the portion of the cured pressure-sensitive adhesive layer; Corresponding to a wafer bonding step, a step of fixing the ring frame to the pressure-sensitive adhesive layer, a step of dicing the wafer to form individual chips and an adhesive layer, and a pressure-sensitive adhesive layer wafer Curing the portion and picking up the singulated chip and the adhesive layer.
上述した発明の半導体装置を製造する方法によれば、粘着剤層の半導体ウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分と、粘着剤層の半導体ウエハに対応する部分とを段階的に硬化させて、粘着剤層の粘着力を低下させ、接着剤層と粘着剤層との間で剥離可能な位置を変えることができる。従って、所望の半導体装置を、既存設備の大規模な変更を伴わず、設計変更することができる。
According to the method of manufacturing the semiconductor device of the invention described above, a portion corresponding to the ring frame and a portion corresponding to the semiconductor wafer of the pressure-sensitive adhesive layer other than a portion corresponding to the semiconductor wafer of the pressure-sensitive adhesive layer. It can be cured stepwise to reduce the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer and change the peelable position between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer. Therefore, the design of the desired semiconductor device can be changed without a large-scale change of the existing equipment.
なお、上述した発明の半導体装置を製造する方法では、半導体装置を製造する前のウエハ加工用フィルムに関して、接着剤層と粘着剤層とはプリカットする必要がないことから、製品としてロール状に巻いた際、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。
In the method of manufacturing the semiconductor device of the invention described above, the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer do not need to be pre-cut with respect to the wafer processing film before manufacturing the semiconductor device. In this case, since there is no level difference generated in the laminated portion of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film, it is possible to prevent transfer marks from being generated in the adhesive layer.
本発明の第１の態様に係るウエハ加工用フィルムによれば、粘着剤層は、少なくともリングフレームに対応する部分とそれ以外の部分とで異なる波長に反応する光開始剤を含むことから、一の光開始剤が反応する波長の光を粘着剤層に照射することにより、少なくともリングフレームに対応する部分を硬化させて粘着力を低下させ、硬化させた部分に対応する接着剤層を剥離することができる。そして、他の光開始剤が反応する波長の光を粘着剤層に照射することにより、半導体ウエハおよび接着剤層を粘着剤層から剥離してピックアップすることができる。従って、従来のウエハ加工用フィルムでは、接着剤層及びその接着剤層を覆う粘着剤層をリングフレームに対応する形状にプリカットすることが不可欠であったが、少なくともリングフレームに対応する部分とそれ以外の部分とで段階的に接着剤層を剥離できるため、プリカットする必要がなくなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。従って、接着剤層と半導体ウエハとの間に空気が巻き込まれることによる接着剤層と半導体ウエハとの間の密着性の低下を防止できるとともに、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際、接着不良や、半導体ウエハの加工時の不具合を防止できる。
According to the wafer processing film of the first aspect of the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer contains a photoinitiator that reacts to different wavelengths at least in a portion corresponding to the ring frame and in other portions. By irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with light having a wavelength at which the photoinitiator reacts, at least the portion corresponding to the ring frame is cured to reduce the adhesive force, and the adhesive layer corresponding to the cured portion is peeled off. be able to. Then, the semiconductor wafer and the adhesive layer can be peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer and picked up by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with light having a wavelength at which another photoinitiator reacts. Therefore, in the conventional film for wafer processing, it was indispensable to pre-cut the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer covering the adhesive layer into a shape corresponding to the ring frame. Since the adhesive layer can be peeled stepwise from other parts, there is no need to pre-cut. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in the adhesion between the adhesive layer and the semiconductor wafer due to air being caught between the adhesive layer and the semiconductor wafer, and to attach the semiconductor chip to a lead frame, a package substrate, or another semiconductor. When adhering to a chip, it is possible to prevent adhesion failure and problems during processing of a semiconductor wafer.
本発明の第２の態様に係るウエハ加工用フィルムによれば、粘着剤層の少なくともリングフレームに対応する部分が放射線重合性化合物を含む場合、放射線を粘着剤層に照射することにより、前記少なくともリングフレームに対応する部分を硬化させて粘着力を低下させ、硬化させた部分に対応する接着剤層を剥離することができる。そして、前記少なくともリングフレームに対応する部分以外の部分は熱重合性化合物を含むことから、熱重合させて硬化させることにより、半導体ウエハおよび接着剤層を粘着剤層から剥離してピックアップすることができる。一方、粘着剤層の少なくともリングフレームに対応する部分が熱重合性化合物を含む場合、熱重合させて硬化させて粘着力を低下させ、硬化させた部分に対応する接着剤層を剥離することができる。そして、前記少なくともリングフレームに対応する部分以外の部分は放射線重合性化合物を含むことから、放射線を粘着剤層に照射し、前記少なくともリングフレームに対応する部分以外の部分を硬化させ、半導体ウエハおよび接着剤層を粘着剤層から剥離してピックアップすることができる。従って、従来のウエハ加工用フィルムでは、接着剤層及びその接着剤層を覆う粘着剤層をリングフレームに対応する形状にプリカットすることが不可欠であったが、粘着剤層リングフレーム対応部分とそれ以外の部分とで段階的に接着剤層を剥離できるため、プリカットする必要がなくなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。従って、接着剤層と半導体ウエハとの間に空気が巻き込まれることによる接着剤層と半導体ウエハとの間の密着性の低下を防止できるとともに、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際、接着不良や、半導体ウエハの加工時の不具合を防止できる。
According to the wafer processing film of the second aspect of the present invention, when at least a portion corresponding to the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation polymerizable compound, the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with radiation so that the at least The part corresponding to the ring frame is cured to reduce the adhesive force, and the adhesive layer corresponding to the cured part can be peeled off. And since at least a portion other than the portion corresponding to the ring frame contains a thermopolymerizable compound, the semiconductor wafer and the adhesive layer can be peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer and picked up by thermal polymerization and curing. it can. On the other hand, when at least a portion corresponding to the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer contains a thermopolymerizable compound, the pressure-sensitive adhesive force is reduced by thermal polymerization and curing, and the adhesive layer corresponding to the cured portion can be peeled off. it can. Since at least the portion other than the portion corresponding to the ring frame contains a radiation polymerizable compound, the adhesive layer is irradiated with radiation, and at least the portion other than the portion corresponding to the ring frame is cured, and the semiconductor wafer and The adhesive layer can be separated from the pressure-sensitive adhesive layer and picked up. Therefore, in the conventional film for wafer processing, it was indispensable to pre-cut the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer covering the adhesive layer into a shape corresponding to the ring frame. Since the adhesive layer can be peeled stepwise from other parts, there is no need to pre-cut. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in the adhesion between the adhesive layer and the semiconductor wafer due to air being caught between the adhesive layer and the semiconductor wafer, and to attach the semiconductor chip to a lead frame, a package substrate, or another semiconductor. When adhering to a chip, it is possible to prevent adhesion failure and problems during processing of a semiconductor wafer.
本発明の第３の態様に係るウエハ加工用フィルムによれば、接着剤層及び粘着剤層はプリカットされていないことから、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。従って、接着剤層と半導体ウエハとの間に空気が巻き込まれることによる接着剤層と半導体ウエハとの間の密着性の低下を防止できるとともに、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際、接着不良や、半導体ウエハの加工時の不具合を防止できる。
According to the wafer processing film of the third aspect of the present invention, since the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer are not pre-cut, when the wafer processing film is wound into a roll as a product, Since there is no level difference generated in the laminated portion with the pressure-sensitive adhesive film, it is possible to prevent transfer marks from being generated in the adhesive layer. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in the adhesion between the adhesive layer and the semiconductor wafer due to air being caught between the adhesive layer and the semiconductor wafer, and to attach the semiconductor chip to a lead frame, a package substrate, or another semiconductor. When adhering to a chip, it is possible to prevent adhesion failure and problems during processing of a semiconductor wafer.
本発明の第４の態様に係るウエハ加工用フィルムによれば、少なくともリングフレームに対応する部分の粘着剤層を硬化させることにより、粘着力を低下させて、切り込みを基点として粘着剤層の硬化させた部分から接着剤層を剥離させることができる。
According to the wafer processing film of the fourth aspect of the present invention, at least a part of the pressure-sensitive adhesive layer corresponding to the ring frame is cured, thereby reducing the adhesive force and curing the pressure-sensitive adhesive layer based on the notch. The adhesive layer can be peeled from the applied portion.
本発明の第１の態様に係る半導体装置を製造する方法によれば、粘着剤層の半導体ウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分と、粘着剤層の半導体ウエハに対応する部分とを段階的に硬化させて、粘着剤層の粘着力を低下させ、接着剤層と粘着剤層との間で剥離可能な位置を変えることができる。従って、所望の半導体装置を、既存設備の大規模な変更を伴わず、設計変更することができる。尚、半導体装置を製造する前のウエハ加工用フィルムに関して、接着剤層と粘着剤層とはプリカットする必要がないことから、製品としてロール状に巻いた際、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。
According to the method of manufacturing a semiconductor device according to the first aspect of the present invention, at least a portion corresponding to the ring frame and a portion corresponding to the ring frame, and a portion corresponding to the ring layer, except for the portion corresponding to the semiconductor wafer of the pressure-sensitive adhesive layer. Corresponding portions can be cured stepwise to reduce the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer, and the peelable position can be changed between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer. Therefore, the design of the desired semiconductor device can be changed without a large-scale change of the existing equipment. In addition, since it is not necessary to pre-cut the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer with respect to the wafer processing film before manufacturing the semiconductor device, when the product is rolled into a roll, the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film are laminated. Since there is no level difference in the portion, it is possible to prevent transfer marks from being generated in the adhesive layer.
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本実施形態に係るウエハ加工用フィルムの断面図である。図２及び図３は本実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a wafer processing film according to the present embodiment. 2 and 3 are views for explaining a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to this embodiment.
＜第１実施形態＞
以下、本発明の第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムの各構成要素について詳細に説明する。本発明の第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０は、図１に示すように、基材フィルム１１及び基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２からなる粘着フィルム１４と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム１５である。また、接着剤層１３は、半導体ウエハ（または、ウエハと呼ぶ）に対応した形状にプリカットされておらず、粘着剤層１２は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていない。本実施形態においては、粘着剤層１２及び接着剤層１３は、基材フィルム１１上に、基材フィルム１１と同様に長尺状に積層されており、ウエハ加工用フィルム１０は、厚さが異なる部分を有していない。また、粘着剤層１２には、放射線重合性化合物と、反応する光の波長が異なる２種類の光開始剤が含まれている。 <First Embodiment>
Hereinafter, each component of the film for wafer processing which concerns on 1st Embodiment of this invention is demonstrated in detail. As shown in FIG. 1, awafer processing film 10 according to a first embodiment of the present invention includes a base film 11 and an adhesive film 14 including an adhesive layer 12 provided on the base film 11, and an adhesive. A dicing die bonding film 15 having an adhesive layer 13 provided on the layer 12. The adhesive layer 13 is not pre-cut into a shape corresponding to a semiconductor wafer (or called a wafer), and the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame. In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the adhesive layer 13 are laminated in a long shape on the base film 11 in the same manner as the base film 11, and the wafer processing film 10 has a thickness. Does not have different parts. The pressure-sensitive adhesive layer 12 contains a radiation polymerizable compound and two types of photoinitiators having different wavelengths of light to react.
以下、本発明の第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムの各構成要素について詳細に説明する。本発明の第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０は、図１に示すように、基材フィルム１１及び基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２からなる粘着フィルム１４と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム１５である。また、接着剤層１３は、半導体ウエハ（または、ウエハと呼ぶ）に対応した形状にプリカットされておらず、粘着剤層１２は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていない。本実施形態においては、粘着剤層１２及び接着剤層１３は、基材フィルム１１上に、基材フィルム１１と同様に長尺状に積層されており、ウエハ加工用フィルム１０は、厚さが異なる部分を有していない。また、粘着剤層１２には、放射線重合性化合物と、反応する光の波長が異なる２種類の光開始剤が含まれている。 <First Embodiment>
Hereinafter, each component of the film for wafer processing which concerns on 1st Embodiment of this invention is demonstrated in detail. As shown in FIG. 1, a
ダイシング・ダイボンディングフィルム１５は、製品として流通する場合、図示しない保護フィルムである離型フィルムが接着剤層１３側全面に貼り付けられ、ウエハ加工用フィルム１０として市場に流通する。以下、ウエハ加工用フィルム１０の構成要素である離型フィルムと、接着剤層１３と、基材フィルム１１及び粘着剤層１２からなる粘着フィルム１４とについて説明する。
When the dicing / die bonding film 15 is distributed as a product, a release film, which is a protective film (not shown), is attached to the entire surface of the adhesive layer 13 and distributed as a wafer processing film 10 to the market. Hereinafter, the release film, the adhesive layer 13, and the pressure-sensitive adhesive film 14 including the base film 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12, which are components of the wafer processing film 10, will be described.
（離型フィルム）
ウエハ加工用フィルム１０に用いられる離型フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系、ポリエチレン系、その他、離型処理がされたフィルム等周知のものを使用することができる。離型フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、２５～５０μｍが好ましい。 (Release film)
As the release film used for thewafer processing film 10, a known film such as a polyethylene terephthalate (PET) type, a polyethylene type, or a film subjected to a release treatment can be used. The thickness of the release film is not particularly limited and may be set appropriately, but is preferably 25 to 50 μm.
ウエハ加工用フィルム１０に用いられる離型フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系、ポリエチレン系、その他、離型処理がされたフィルム等周知のものを使用することができる。離型フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、２５～５０μｍが好ましい。 (Release film)
As the release film used for the
（接着剤層）
接着剤層１３は、半導体ウエハ等が貼り合わされてダイシングされた後、個片化された半導体チップ（または、チップと呼ぶ）をピックアップする際に、粘着フィルム１４から剥離してチップに付着し、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。従って、接着剤層１３は、チップをピックアップする際に、個片化されたチップに付着したままの状態で、粘着フィルム１４から剥離することができる剥離性を有し、さらに、ダイボンディングする際において、チップを基板やリードフレームに接着固定するために、十分な接着信頼性を有するものである。 (Adhesive layer)
Theadhesive layer 13 is peeled off from the adhesive film 14 and attached to the chip when picking up an individual semiconductor chip (or called a chip) after the semiconductor wafer or the like is bonded and diced. It is used as an adhesive when fixing a chip to a substrate or a lead frame. Therefore, the adhesive layer 13 has releasability that can be peeled off from the pressure-sensitive adhesive film 14 while being attached to the separated chip when picking up the chip. In order to bond and fix the chip to the substrate or the lead frame, it has sufficient adhesion reliability.
接着剤層１３は、半導体ウエハ等が貼り合わされてダイシングされた後、個片化された半導体チップ（または、チップと呼ぶ）をピックアップする際に、粘着フィルム１４から剥離してチップに付着し、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。従って、接着剤層１３は、チップをピックアップする際に、個片化されたチップに付着したままの状態で、粘着フィルム１４から剥離することができる剥離性を有し、さらに、ダイボンディングする際において、チップを基板やリードフレームに接着固定するために、十分な接着信頼性を有するものである。 (Adhesive layer)
The
接着剤層１３は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。また、チップやリードフレームに対する接着力を強化するために、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を添加剤として前記材料やその混合物に加えることが望ましい。
The adhesive layer 13 is obtained by forming a film of an adhesive in advance. For example, a known polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyester resin, or polyesterimide used for the adhesive is used. Resin, phenoxy resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene sulfide resin, polyether ketone resin, chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyurethane resin, epoxy resin, polyacrylamide resin, melamine resin, etc. Can do. Moreover, in order to reinforce the adhesive force with respect to a chip | tip or a lead frame, it is desirable to add a silane coupling agent or a titanium coupling agent to the said material and its mixture as an additive.
接着剤層１３の厚さは特に制限されるものではないが、通常５～１００μｍ程度が好ましい。また、本実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０の接着剤層１３は、粘着フィルム１４の粘着剤層１２全面に積層されており、半導体ウエハの形状等に対応させたプリカットが行われておらず、少なくとも半導体ウエハに対応する位置よりも外側であってリングフレームに対応する位置よりも内側に切り込み１３ａが設けられている。切り込み１３ａは、リングフレームが貼着された際にリングフレームの内周および外周が位置する部分に設けてもよいが、本実施の形態においては、接着剤層１３の半導体ウエハの外周に対応する位置に切り込み１３ａが設けられている。
The thickness of the adhesive layer 13 is not particularly limited, but is usually preferably about 5 to 100 μm. Further, the adhesive layer 13 of the wafer processing film 10 according to the present embodiment is laminated on the entire surface of the adhesive layer 12 of the adhesive film 14 and is not pre-cut corresponding to the shape of the semiconductor wafer. A cut 13a is provided at least outside the position corresponding to the semiconductor wafer and inside the position corresponding to the ring frame. The notch 13a may be provided in a portion where the inner periphery and the outer periphery of the ring frame are located when the ring frame is attached. In the present embodiment, the cut 13a corresponds to the outer periphery of the semiconductor wafer of the adhesive layer 13. A cut 13a is provided at the position.
従って、接着剤層１３の切り込み１３ａより外側の部分の接着剤層部分の下に形成されている粘着剤層部分を硬化させることにより、硬化させた粘着剤層部分の粘着力を低下させて、粘着剤層１２にリングフレームを固定する前に、切り込み１３ａを基点として粘着剤層１２の硬化させた部分から接着剤層１３を剥離させることができる。なお、半導体ウエハの外周に対応する位置に設けられた上述の切り込み１３ａの替わりに、リングフレームの内周および外周に対応する位置に切り込みを設け、リングフレームに対応する位置の粘着剤層部分を硬化させ、接着剤層１３のリングフレームに対応する部分を粘着剤層１２から剥離させてもよい。
Therefore, by curing the pressure-sensitive adhesive layer portion formed under the adhesive layer portion of the portion outside the notch 13a of the adhesive layer 13, the adhesive strength of the cured pressure-sensitive adhesive layer portion is reduced, Before fixing the ring frame to the pressure-sensitive adhesive layer 12, the adhesive layer 13 can be peeled from the cured portion of the pressure-sensitive adhesive layer 12 with the notch 13a as a base point. In place of the above-described notches 13a provided at positions corresponding to the outer periphery of the semiconductor wafer, notches are provided at positions corresponding to the inner periphery and outer periphery of the ring frame, and the adhesive layer portion at positions corresponding to the ring frame is provided. The portion corresponding to the ring frame of the adhesive layer 13 may be cured and peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 12.
この結果、半導体ウエハが貼り合わされる部分には接着剤層１３があり、ダイシング用のリングフレームが貼り合わされる部分には接着剤層１３がなく、粘着剤層１２が硬化した粘着フィルム１４のみが存在するウエハ加工用フィルムを形成することができる。
As a result, the adhesive layer 13 is present at the portion where the semiconductor wafer is bonded, the adhesive layer 13 is not present at the portion where the ring frame for dicing is bonded, and only the adhesive film 14 where the adhesive layer 12 is cured. An existing wafer processing film can be formed.
（粘着フィルム）
本実施形態に係る粘着フィルム１４は、基材フィルム１１に粘着剤層１２を設けたものである。そして、粘着フィルム１４は、ウエハをダイシングする際にはウエハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層１３から剥離できるよう低い粘着力を有するものである。また、本実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０は、接着剤層１３のリングフレームに対応する位置がプリカットされていないため、リングフレーム装着前に、接着剤層１３のリングフレームに対応する位置を含む部分の下に位置する粘着剤層１２の粘着力を低くする必要がある。そのため、粘着フィルム１４の粘着剤層１２は、ウエハに対応する部分以外の部分に、放射線重合性化合物と一の光開始剤とが含まれており、一の光開始剤を含む箇所以外の部分すなわちウエハに対応する部分に、放射線重合性化合物と他の光開始剤とを含まれている。なお、ウエハに対応する部分以外の部分は、リングフレームに対応する位置を含む部分であるが、リングフレームに対応する部分にのみ一の光開始剤が含まれるようにし、それ以外の部分には他の光開始剤が含まれるようにしてもよい。 (Adhesive film)
The pressure-sensitive adhesive film 14 according to this embodiment is obtained by providing a base film 11 with a pressure-sensitive adhesive layer 12. The adhesive film 14 has sufficient adhesive strength so that the wafer does not peel when dicing the wafer, and has low adhesive strength so that it can be easily peeled off from the adhesive layer 13 when picking up the chip after dicing. It is what has. Further, since the position corresponding to the ring frame of the adhesive layer 13 is not pre-cut in the wafer processing film 10 according to the present embodiment, the position corresponding to the ring frame of the adhesive layer 13 is set before mounting the ring frame. It is necessary to reduce the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 12 located under the portion to be included. Therefore, the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the pressure-sensitive adhesive film 14 contains a radiation polymerizable compound and one photoinitiator in a part other than the part corresponding to the wafer, and a part other than the part containing the one photoinitiator. That is, the portion corresponding to the wafer contains a radiation polymerizable compound and another photoinitiator. The portion other than the portion corresponding to the wafer is a portion including a position corresponding to the ring frame, but only one portion corresponding to the ring frame includes one photoinitiator, and the other portions are included. Other photoinitiators may be included.
本実施形態に係る粘着フィルム１４は、基材フィルム１１に粘着剤層１２を設けたものである。そして、粘着フィルム１４は、ウエハをダイシングする際にはウエハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層１３から剥離できるよう低い粘着力を有するものである。また、本実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０は、接着剤層１３のリングフレームに対応する位置がプリカットされていないため、リングフレーム装着前に、接着剤層１３のリングフレームに対応する位置を含む部分の下に位置する粘着剤層１２の粘着力を低くする必要がある。そのため、粘着フィルム１４の粘着剤層１２は、ウエハに対応する部分以外の部分に、放射線重合性化合物と一の光開始剤とが含まれており、一の光開始剤を含む箇所以外の部分すなわちウエハに対応する部分に、放射線重合性化合物と他の光開始剤とを含まれている。なお、ウエハに対応する部分以外の部分は、リングフレームに対応する位置を含む部分であるが、リングフレームに対応する部分にのみ一の光開始剤が含まれるようにし、それ以外の部分には他の光開始剤が含まれるようにしてもよい。 (Adhesive film)
The pressure-
粘着フィルム１４の基材フィルム１１としては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、本実施形態に係る粘着フィルム１４の粘着剤層１２は放射線硬化性の放射線重合性化合物を含むため、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。
The base film 11 of the pressure-sensitive adhesive film 14 can be used without particular limitation as long as it is a conventionally known film, but the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the pressure-sensitive adhesive film 14 according to this embodiment is a radiation curable radiation polymerization. It is preferable to use a material having radiation transparency because it contains a functional compound.
例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、ポリブテン－１、ポリ－４－メチルペンテン－１、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα－オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン－エチレン－ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド－ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム１１はこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。基材フィルム１１の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０～２００μｍが好ましい。
For example, the materials include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic. Homopolymers or copolymers of α-olefins such as methyl acid copolymers, ethylene-acrylic acid copolymers, ionomers or mixtures thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymers, polyamide-polyols Listed are thermoplastic elastomers such as copolymers, and mixtures thereof. Moreover, the base film 11 may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer. The thickness of the base film 11 is not particularly limited and may be set appropriately, but is preferably 50 to 200 μm.
粘着フィルム１４の粘着剤層１２に使用される樹脂としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。
The resin used for the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the pressure-sensitive adhesive film 14 is not particularly limited, and known chlorinated polypropylene resins, acrylic resins, polyester resins, polyurethane resins, epoxy resins, and the like used for pressure-sensitive adhesives are used. Can be used.
粘着剤層１２の樹脂には、アクリル系粘着剤、放射線重合性化合物、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましく、本実施形態に係る粘着剤層１２の樹脂には放射線重合性化合物を含む。従って、放射線重合性化合物を粘着剤層１２に配合して放射線硬化により接着剤層１３から剥離しやすくすることができる。粘着剤層１２の厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、５～３０μｍが好ましい。
It is preferable to prepare a pressure-sensitive adhesive by appropriately mixing an acrylic pressure-sensitive adhesive, a radiation polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a curing agent and the like into the resin of the pressure-sensitive adhesive layer 12, and the pressure-sensitive adhesive layer 12 according to this embodiment. The resin contains a radiation polymerizable compound. Therefore, a radiation polymerizable compound can be blended in the pressure-sensitive adhesive layer 12 to facilitate peeling from the adhesive layer 13 by radiation curing. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 5 to 30 μm.
放射線重合性化合物として、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４－ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が適用可能である。
Examples of radiation polymerizable compounds include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6 Hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, and the like are applicable.
また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４－トリレンジイソシアナート、２，６－トリレンジイソシアナート、１，３－キシリレンジイソシアナート、１，４－キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４－ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシエチルメタクリレート、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。なお、粘着剤層１２には、上記の樹脂から選ばれる２種以上が混合されたものでもよい。
In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. Urethane acrylate oligomers include polyester compounds or polyether compounds such as polyol compounds and polyisocyanate compounds (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene). A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting isocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2-hydroxyethyl) Acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Obtained by the reaction. The pressure-sensitive adhesive layer 12 may be a mixture of two or more selected from the above resins.
光開始剤としては、例えば、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α´－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα－ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフエノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１などのアセトフェノン系化合物；べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２－ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１－フェノン－１，１―プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２－クロロチオキサンソン、２－メチルチオキサンソン、２，４－ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４－ジクロロチオキサンソン、２，４－ジエチルチオキサンソン、２，４－ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重合体１００質量部に対して０．０１～５質量部が好ましい。
Examples of the photoinitiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropiophenone. Α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio ) -Phenyl] -2-morpholinopropane-1 and other acetophenone compounds; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; Naphthalenesulfonyl Aromatic sulfonyl chloride compounds such as chloride; photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketone; acyl phosphinoxide; acyl phosphonate and the like. The blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.
ここで、１－（４－イソプロピルフェニル）－２－ヒドロキシ－２メチルプロパン－１－オン、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等のアセトフェノン系光開始剤は紫外線領域の有効励起波長２２０～２６０ｎｍを、３，３－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン、テトラ（ｔ－ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン等のベンゾフェノン系光開始剤は紫外線領域の有効励起波長２１０～２６０ｎｍを、２，４－ジエチルチオキサンソン、２，４－ジイソプロピルチオキサンソン，２，４－ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン等のチオキサントン系光開始剤は紫外線領域の有効励起波長２５９～２６０ｎｍを、ベンゾインエーテル系光開始剤のベンゾインイソプロピルエーテルは紫外線領域の有効励起波長３６０ｎｍを有する。従って、これらの光開始剤を適宜組合せることにより、反応する波長が異なる２種類の光開始剤を粘着剤層１２のウエハに対応する部分とそれ以外の部分とにそれぞれ含ませることができる。なお、ウエハに対応する部分とそれ以外の部分とで、反応する波長が異なっていれば、それぞれに複数種類の光開始剤を含ませてもよい。
Here, acetophenone-based photoinitiation of 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2methylpropan-1-one, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, etc. The agent has an effective excitation wavelength of 220 to 260 nm in the ultraviolet region, and a benzophenone photoinitiator such as 3,3-dimethyl-4-methoxybenzophenone and tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone has an effective excitation wavelength of 210 to 260 in the ultraviolet region. Thioxanthone photoinitiators such as 260 nm, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone and the like have an effective excitation wavelength in the ultraviolet region of 259 to 260 nm, benzoin ether photoinitiator benzoin isopro Ether has an effective excitation wavelength 360nm in the ultraviolet range. Therefore, by appropriately combining these photoinitiators, two types of photoinitiators having different reacting wavelengths can be included in the portion corresponding to the wafer of the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the other portions. In addition, as long as the wavelength which reacts in the part corresponding to a wafer and the part other than that may differ, you may contain multiple types of photoinitiators in each.
Here, acetophenone-based photoinitiation of 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2methylpropan-1-one, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, etc. The agent has an effective excitation wavelength of 220 to 260 nm in the ultraviolet region, and a benzophenone photoinitiator such as 3,3-dimethyl-4-methoxybenzophenone and tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone has an effective excitation wavelength of 210 to 260 in the ultraviolet region. Thioxanthone photoinitiators such as 260 nm, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone and the like have an effective excitation wavelength in the ultraviolet region of 259 to 260 nm, benzoin ether photoinitiator benzoin isopro Ether has an effective excitation wavelength 360nm in the ultraviolet range. Therefore, by appropriately combining these photoinitiators, two types of photoinitiators having different reacting wavelengths can be included in the portion corresponding to the wafer of the pressure-
例えば、１８５～２５４ｎｍの紫外線を発生させる低圧水銀ランプや、３６５ｎｍの紫外線を発生させる高圧水銀ランプ等を用いて、２種類の波長の異なる紫外線を発生させ、反応する波長が異なる２種類の光開始剤を含む粘着剤層１２に照射することにより、光開始剤が反応する波長の紫外線ごとに、粘着剤層１２のウエハに対応する部分とそれ以外の部分とを２段階にわけて硬化させることができる。
For example, using a low-pressure mercury lamp that generates ultraviolet light of 185 to 254 nm, a high-pressure mercury lamp that generates ultraviolet light of 365 nm, etc., two types of ultraviolet light having different wavelengths are generated, and two types of light initiation with different reacting wavelengths are started. By irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 12 containing the adhesive, the portion corresponding to the wafer of the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the other portion are cured in two stages for each ultraviolet ray having a wavelength that the photoinitiator reacts with. Can do.
このような、粘着フィルム１４は、例えば、基材フィルム１１のウエハに対応する位置にマスキングを施して、一の光開始剤を含む粘着剤層組成物を塗工して乾燥させ、その後この部分にマスキングをして他の光開始剤を含む粘着剤層組成物を塗工することにより、製造することができる。
Such an adhesive film 14 is, for example, masked at a position corresponding to the wafer of the base film 11, coated with an adhesive layer composition containing one photoinitiator and dried, and then this part It can manufacture by masking to and apply | coating the adhesive layer composition containing another photoinitiator.
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムは、本発明の第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０（図１参照）と同様、基材フィルム（図１の符号１１に相当）及び基材フィルム上に設けられた粘着剤層（図１の符号１２に相当）からなる粘着フィルム（図１の符号１４に相当）と、粘着剤層上に設けられた接着剤層（図１の符号１３に相当）とを有するものであり、接着剤層は半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、粘着剤層もリングフレームに対応した形状にプリカットされていない。また、接着剤層には、少なくとも半導体ウエハに対応する位置よりも外側であってリングフレームに対応する位置よりも内側に切り込みが設けられている。なお、粘着剤層及び接着剤層は、基材フィルム上に、基材フィルムと同様に長尺状に積層されており、ウエハ加工用フィルムは、厚さが異なる部分を有していない。 Second Embodiment
The wafer processing film according to the second embodiment of the present invention is similar to the wafer processing film 10 (see FIG. 1) according to the first embodiment of the present invention, and is a base film (corresponding to 11 in FIG. 1) and An adhesive film (corresponding to reference numeral 14 in FIG. 1) composed of an adhesive layer (corresponding to reference numeral 12 in FIG. 1) provided on the base film and an adhesive layer (in FIG. 1) provided on the adhesive layer. The adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to the semiconductor wafer, and the pressure-sensitive adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame. The adhesive layer is provided with a notch at least outside the position corresponding to the semiconductor wafer and inside the position corresponding to the ring frame. The pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer are laminated in a long shape on the base film in the same manner as the base film, and the wafer processing film does not have a portion having a different thickness.
本発明の第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムは、本発明の第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０（図１参照）と同様、基材フィルム（図１の符号１１に相当）及び基材フィルム上に設けられた粘着剤層（図１の符号１２に相当）からなる粘着フィルム（図１の符号１４に相当）と、粘着剤層上に設けられた接着剤層（図１の符号１３に相当）とを有するものであり、接着剤層は半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、粘着剤層もリングフレームに対応した形状にプリカットされていない。また、接着剤層には、少なくとも半導体ウエハに対応する位置よりも外側であってリングフレームに対応する位置よりも内側に切り込みが設けられている。なお、粘着剤層及び接着剤層は、基材フィルム上に、基材フィルムと同様に長尺状に積層されており、ウエハ加工用フィルムは、厚さが異なる部分を有していない。 Second Embodiment
The wafer processing film according to the second embodiment of the present invention is similar to the wafer processing film 10 (see FIG. 1) according to the first embodiment of the present invention, and is a base film (corresponding to 11 in FIG. 1) and An adhesive film (corresponding to reference numeral 14 in FIG. 1) composed of an adhesive layer (corresponding to reference numeral 12 in FIG. 1) provided on the base film and an adhesive layer (in FIG. 1) provided on the adhesive layer. The adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to the semiconductor wafer, and the pressure-sensitive adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame. The adhesive layer is provided with a notch at least outside the position corresponding to the semiconductor wafer and inside the position corresponding to the ring frame. The pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer are laminated in a long shape on the base film in the same manner as the base film, and the wafer processing film does not have a portion having a different thickness.
本発明の第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムと本発明の第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０の相違点は、第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０の粘着フィルム１４の粘着剤層１２は、放射線重合性化合物と、反応する光の波長が異なる２種類の光開始剤を含むものであるのに対し、第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムの粘着フィルムの粘着剤層は、２種類の光開始剤に代えて、１種類の光開始剤及び熱重合性化合物を含むもの、すなわち、第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムの粘着フィルムの粘着剤層は、放射線重合性化合物及び光開始剤と、熱重合性化合物と、を含むものである点である。従って、粘着剤層は、ウエハに対応する部分以外の部分とウエハに対応する部分とは、それぞれ放射線重合性化合物および熱重合性化合物で異なるものを含むことから、粘着剤層のウエハに対応する部分とそれ以外の部分とを２段階にわけて硬化させることができる。すなわち、ウエハに対応する部分以外の部分に放射線重合性化合物を含めた場合は、ウエハに対応する部分には熱重合性化合物を含め、ウエハに対応する部分以外の部分に熱重合性化合物を含めた場合は、ウエハに対応する部分には放射線重合性化合物を含めるとよい。尚、ウエハに対応する部分以外の部分には、リングフレームに対応する位置が含まれており、ウエハに対応する部分以外の部分においても、リングフレームに対応する部分とそれ以外の部分とで、それぞれ放射線重合性化合物および熱重合性化合物で異なるものを含むような構成にしてもよい。
The difference between the film for wafer processing according to the second embodiment of the present invention and the film for wafer processing 10 according to the first embodiment of the present invention is that the adhesive film 14 of the wafer processing film 10 according to the first embodiment is adhered. The agent layer 12 includes a radiation polymerizable compound and two types of photoinitiators having different wavelengths of light to react with, whereas the adhesive layer of the adhesive film of the wafer processing film according to the second embodiment is Instead of two types of photoinitiators, one containing one type of photoinitiator and a thermopolymerizable compound, that is, the pressure-sensitive adhesive layer of the adhesive film of the film for wafer processing according to the second embodiment is a radiation-polymerizable compound. And a photoinitiator and a thermally polymerizable compound. Therefore, the pressure-sensitive adhesive layer corresponds to the wafer of the pressure-sensitive adhesive layer because the portion other than the portion corresponding to the wafer and the portion corresponding to the wafer include different ones in the radiation polymerizable compound and the thermally polymerizable compound, respectively. The part and the other part can be cured in two stages. That is, when a radiation polymerizable compound is included in a portion other than the portion corresponding to the wafer, the portion corresponding to the wafer includes the thermopolymerizable compound, and the portion other than the portion corresponding to the wafer includes the heat polymerizable compound. In such a case, the portion corresponding to the wafer may contain a radiation polymerizable compound. The portion other than the portion corresponding to the wafer includes a position corresponding to the ring frame, and in the portion other than the portion corresponding to the wafer, the portion corresponding to the ring frame and the other portions You may make it the structure which contains a different thing by a radiation polymerizable compound and a thermopolymerizable compound, respectively.
従って、本発明の第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０の場合と同様に、本発明の第２実施形態に係るウエハ加工用フィルム場合も、粘着剤層の硬化した部分を段階的にわけて形成することができることから、接着剤層及びその接着剤層を覆う粘着剤層を所定の形状にプリカットする必要がなくなるため、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。
Accordingly, as in the case of the wafer processing film 10 according to the first embodiment of the present invention, the cured portion of the pressure-sensitive adhesive layer is divided stepwise in the case of the wafer processing film according to the second embodiment of the present invention. Since it is not necessary to pre-cut the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer covering the adhesive layer into a predetermined shape, when the wafer processing film is rolled into a roll as a product, the adhesive layer It is possible to prevent transfer marks from being generated on the surface.
熱重合性化合物としては、熱により重合するもの、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができる。なお、ウエハ加工用フィルムの耐熱性を考慮した上で、熱によって硬化して、粘着剤層の硬化した部分の粘着力を低下させ、接着剤層と粘着剤層との間で剥離可能なものを使用する。
Examples of the thermopolymerizable compound include compounds that polymerize by heat, for example, compounds having a functional group such as a glycidyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an isocyanurate group, an amino group, and an amide group. Can be used alone or in combination of two or more. In consideration of the heat resistance of the wafer processing film, it can be cured by heat to reduce the adhesive strength of the cured part of the adhesive layer, and peelable between the adhesive layer and the adhesive layer Is used.
＜半導体装置を製造する方法＞
第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０を用いて半導体装置を製造する方法を、図２及び図３を用いて説明する。図２及び図３は第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０を用いて半導体装置を製造する方法を説明する図であって、図２（Ａ）は離型フィルム１６が接着剤層１３上に貼り付けられている状態を示すウエハ加工用フィルムの断面図であり、図２（Ｂ）は粘着剤層１２の一部を硬化させ、硬化させた粘着剤層部分１２ａ上の接着剤層１３を剥離させた状態を示すウエハ加工用フィルムの断面図である。また、図２（Ｃ）はウエハＷがウエハ加工用フィルムに貼り付けられた状態を示すウエハ及びウエハ加工用フィルムの断面図であり、図２（Ｄ）はウエハがダイシングされた状態を示すウエハ及びウエハ加工用フィルムの断面図であり、図２（Ｅ）はウエハに対応する位置の粘着剤層部分１２ｂを硬化させた状態を示すウエハ及びウエハ加工用フィルムの断面図である。さらに、図３（Ａ）はダイシングされたウエハが貼り合わされたウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置に搭載した状態のウエハ及びウエハ加工用フィルムを示す断面図であり、図３（Ｂ）はエキスパンド後のウエハ及びウエハ加工用フィルムを示す断面図である。 <Method for Manufacturing Semiconductor Device>
A method of manufacturing a semiconductor device using thewafer processing film 10 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3 are views for explaining a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film 10 according to the first embodiment. FIG. 2A shows the release film 16 on the adhesive layer 13. It is sectional drawing of the film for wafer processing which shows the state currently affixed on FIG. 2, (B) is hardening the adhesive layer 13 on the adhesive layer part 12a which hardened a part of adhesive layer 12, and was hardened | cured. It is sectional drawing of the film for wafer processing which shows the state which peeled. 2C is a cross-sectional view of the wafer and the wafer processing film showing a state where the wafer W is attached to the wafer processing film, and FIG. 2D is a wafer showing a state where the wafer is diced. FIG. 2E is a cross-sectional view of the wafer and the wafer processing film showing a state where the adhesive layer portion 12b at a position corresponding to the wafer is cured. Further, FIG. 3A is a cross-sectional view showing the wafer and the wafer processing film in a state where the wafer processing film on which the diced wafer is bonded is mounted on the expanding apparatus, and FIG. It is sectional drawing which shows a wafer and the film for wafer processing.
第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０を用いて半導体装置を製造する方法を、図２及び図３を用いて説明する。図２及び図３は第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０を用いて半導体装置を製造する方法を説明する図であって、図２（Ａ）は離型フィルム１６が接着剤層１３上に貼り付けられている状態を示すウエハ加工用フィルムの断面図であり、図２（Ｂ）は粘着剤層１２の一部を硬化させ、硬化させた粘着剤層部分１２ａ上の接着剤層１３を剥離させた状態を示すウエハ加工用フィルムの断面図である。また、図２（Ｃ）はウエハＷがウエハ加工用フィルムに貼り付けられた状態を示すウエハ及びウエハ加工用フィルムの断面図であり、図２（Ｄ）はウエハがダイシングされた状態を示すウエハ及びウエハ加工用フィルムの断面図であり、図２（Ｅ）はウエハに対応する位置の粘着剤層部分１２ｂを硬化させた状態を示すウエハ及びウエハ加工用フィルムの断面図である。さらに、図３（Ａ）はダイシングされたウエハが貼り合わされたウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置に搭載した状態のウエハ及びウエハ加工用フィルムを示す断面図であり、図３（Ｂ）はエキスパンド後のウエハ及びウエハ加工用フィルムを示す断面図である。 <Method for Manufacturing Semiconductor Device>
A method of manufacturing a semiconductor device using the
（準備工程）
図２（Ａ）に示すように、まず、基材フィルム１１及び基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２からなる粘着フィルム１４と、図示しないウエハの外周に対応した位置に切り込み１３ａが設けられている接着剤層１３とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム１５に対して、接着剤層１３側から離型フィルム１６が貼り付けられているウエハ加工用フィルムを準備する。ウエハ加工用フィルムは、接着剤層１３等がプリカットされていないことから、離型フィルム１６が貼り合わされた製品としてロール状に巻いた際、接着剤層１３と粘着フィルム１４との積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層１３に転写痕が発生することを防止することができる。 (Preparation process)
As shown in FIG. 2A, first, abase film 11 and an adhesive film 14 comprising an adhesive layer 12 provided on the base film 11 and a notch 13a at a position corresponding to the outer periphery of the wafer (not shown). A wafer processing film is prepared in which a release film 16 is attached to the dicing die bonding film 15 having the adhesive layer 13 provided from the adhesive layer 13 side. Since the film for wafer processing is not pre-cut with the adhesive layer 13 or the like, it is generated in a laminated portion of the adhesive layer 13 and the pressure-sensitive adhesive film 14 when wound in a roll shape as a product to which the release film 16 is bonded. Since there is no level difference, transfer marks can be prevented from occurring in the adhesive layer 13.
図２（Ａ）に示すように、まず、基材フィルム１１及び基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２からなる粘着フィルム１４と、図示しないウエハの外周に対応した位置に切り込み１３ａが設けられている接着剤層１３とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム１５に対して、接着剤層１３側から離型フィルム１６が貼り付けられているウエハ加工用フィルムを準備する。ウエハ加工用フィルムは、接着剤層１３等がプリカットされていないことから、離型フィルム１６が貼り合わされた製品としてロール状に巻いた際、接着剤層１３と粘着フィルム１４との積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層１３に転写痕が発生することを防止することができる。 (Preparation process)
As shown in FIG. 2A, first, a
（第１段階紫外線照射工程）
次に、一の光開始剤、すなわち、粘着剤層１２のウエハに対応する部分以外に含まれる光開始剤が反応する波長（「波長Ａ」と称する）の紫外線を、粘着剤層１２に照射して硬化させる。硬化した部分１２ａの粘着力が低下するため、図２（Ｂ）に示すように、ウエハ加工用フィルムから離型フィルム１６を剥がすとともに、接着剤層１３の切り込み１３ａを基点として、硬化した粘着剤層部分１２ａ上の接着剤層１３のみを剥離することができる。 (First stage UV irradiation process)
Next, ultraviolet light having a wavelength (referred to as “wavelength A”) with which one photoinitiator, that is, a photoinitiator contained in a portion other than the portion corresponding to the wafer of the pressure-sensitive adhesive layer 12 reacts, is irradiated on the pressure-sensitive adhesive layer 12 And let it harden. Since the adhesive strength of the cured portion 12a is reduced, as shown in FIG. 2B, the release film 16 is peeled off from the wafer processing film and the adhesive is cured with the notch 13a of the adhesive layer 13 as a starting point. Only the adhesive layer 13 on the layer portion 12a can be peeled off.
次に、一の光開始剤、すなわち、粘着剤層１２のウエハに対応する部分以外に含まれる光開始剤が反応する波長（「波長Ａ」と称する）の紫外線を、粘着剤層１２に照射して硬化させる。硬化した部分１２ａの粘着力が低下するため、図２（Ｂ）に示すように、ウエハ加工用フィルムから離型フィルム１６を剥がすとともに、接着剤層１３の切り込み１３ａを基点として、硬化した粘着剤層部分１２ａ上の接着剤層１３のみを剥離することができる。 (First stage UV irradiation process)
Next, ultraviolet light having a wavelength (referred to as “wavelength A”) with which one photoinitiator, that is, a photoinitiator contained in a portion other than the portion corresponding to the wafer of the pressure-
（貼合工程）
次に、図２（Ｃ）に示すように、硬化した粘着剤層部分１２ａの所定位置にリングフレーム２０を貼り合わせ、ダイシング・ダイボンディングフィルム１５の接着剤層１３側から、接着剤層１３に対して半導体ウエハＷの裏面を貼り合わせる。なお、以後の工程において、リングフレーム２０及び半導体ウエハＷを長尺状のダイシング・ダイボンディングフィルム１５に貼り合わせた状態で各工程を搬送させるのではなく、リングフレーム２０及び半導体ウエハＷを１組ずつ個別に搬送させる場合には、リングフレーム２０を貼り合わせる前あるいは貼り合わせた後に、リングフレーム２０の外周に沿って、ダイシング・ダイボンディングフィルム１５を切断するとよい。 (Bonding process)
Next, as shown in FIG. 2C, thering frame 20 is bonded to a predetermined position of the cured pressure-sensitive adhesive layer portion 12a, and the adhesive layer 13 is applied to the dicing / die-bonding film 15 from the adhesive layer 13 side. On the other hand, the back surface of the semiconductor wafer W is bonded. In the subsequent processes, the ring frame 20 and the semiconductor wafer W are not transported in a state where the ring frame 20 and the semiconductor wafer W are bonded to the long dicing die-bonding film 15. In the case where the ring frames 20 are individually conveyed, the dicing die bonding film 15 may be cut along the outer periphery of the ring frame 20 before or after the ring frame 20 is bonded.
次に、図２（Ｃ）に示すように、硬化した粘着剤層部分１２ａの所定位置にリングフレーム２０を貼り合わせ、ダイシング・ダイボンディングフィルム１５の接着剤層１３側から、接着剤層１３に対して半導体ウエハＷの裏面を貼り合わせる。なお、以後の工程において、リングフレーム２０及び半導体ウエハＷを長尺状のダイシング・ダイボンディングフィルム１５に貼り合わせた状態で各工程を搬送させるのではなく、リングフレーム２０及び半導体ウエハＷを１組ずつ個別に搬送させる場合には、リングフレーム２０を貼り合わせる前あるいは貼り合わせた後に、リングフレーム２０の外周に沿って、ダイシング・ダイボンディングフィルム１５を切断するとよい。 (Bonding process)
Next, as shown in FIG. 2C, the
（ダイシング工程）
リングフレーム２０を介してウエハ加工用フィルムをダイシング装置（図示せず）に固定し、ブレードを用いて、半導体ウエハＷを機械的に切断し、複数の半導体チップＣに分割するとともに、接着剤層１３も分割する（図２（Ｄ））。 (Dicing process)
A wafer processing film is fixed to a dicing apparatus (not shown) through thering frame 20, and the semiconductor wafer W is mechanically cut by using a blade to be divided into a plurality of semiconductor chips C, and an adhesive layer. 13 is also divided (FIG. 2D).
リングフレーム２０を介してウエハ加工用フィルムをダイシング装置（図示せず）に固定し、ブレードを用いて、半導体ウエハＷを機械的に切断し、複数の半導体チップＣに分割するとともに、接着剤層１３も分割する（図２（Ｄ））。 (Dicing process)
A wafer processing film is fixed to a dicing apparatus (not shown) through the
（第２段階紫外線照射工程）
そして、図２（Ｅ）に示すように、複数の半導体チップＣに分割されたウエハの位置に対応する粘着剤層部分１２ｂに含まれる波長Ａ以外の波長（「波長Ｂ」と称する）に反応する光開始剤を反応させるため、波長Ａとは異なる波長Ｂの紫外線を、粘着剤層１２に照射して硬化させる。硬化した部分１２ｂは粘着力が低下するため、硬化した粘着剤層部分１２ｂ上の接着剤層１３を剥離させることが可能となる。 (Second stage UV irradiation process)
Then, as shown in FIG. 2E, it reacts to a wavelength (referred to as “wavelength B”) other than the wavelength A included in theadhesive layer portion 12b corresponding to the position of the wafer divided into a plurality of semiconductor chips C. In order to make the photoinitiator to react, the pressure-sensitive adhesive layer 12 is irradiated with ultraviolet rays having a wavelength B different from the wavelength A to be cured. Since the cured portion 12b has a reduced adhesive force, the adhesive layer 13 on the cured pressure-sensitive adhesive layer portion 12b can be peeled off.
そして、図２（Ｅ）に示すように、複数の半導体チップＣに分割されたウエハの位置に対応する粘着剤層部分１２ｂに含まれる波長Ａ以外の波長（「波長Ｂ」と称する）に反応する光開始剤を反応させるため、波長Ａとは異なる波長Ｂの紫外線を、粘着剤層１２に照射して硬化させる。硬化した部分１２ｂは粘着力が低下するため、硬化した粘着剤層部分１２ｂ上の接着剤層１３を剥離させることが可能となる。 (Second stage UV irradiation process)
Then, as shown in FIG. 2E, it reacts to a wavelength (referred to as “wavelength B”) other than the wavelength A included in the
（載置工程）
半導体チップＣに分割されたウエハの位置に対応する粘着剤層部分１２ｂを波長Ｂの紫外線照射で硬化させた後、図３（Ａ）に示すように、分割された複数の半導体チップＣを保持するウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置のステージ２１上に載置する。図中、符号２２は、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。 (Installation process)
After theadhesive layer portion 12b corresponding to the position of the wafer divided into the semiconductor chips C is cured by irradiation with ultraviolet rays of wavelength B, as shown in FIG. 3A, a plurality of divided semiconductor chips C are held. The wafer processing film is placed on the stage 21 of the expanding apparatus. In the figure, reference numeral 22 denotes a hollow cylindrical push-up member of the expanding device.
半導体チップＣに分割されたウエハの位置に対応する粘着剤層部分１２ｂを波長Ｂの紫外線照射で硬化させた後、図３（Ａ）に示すように、分割された複数の半導体チップＣを保持するウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置のステージ２１上に載置する。図中、符号２２は、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。 (Installation process)
After the
（エキスパンド工程）
そして、図３（Ｂ）に示すように、ダイシングされた半導体チップＣ及び接着剤層１３を保持した基材フィルム１１及び粘着剤層１２（１２ａ及び１２ｂ）からなる粘着フィルム１４をリングフレーム２０の周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数の半導体チップＣ及び接着フィルム１３を保持した状態の粘着フィルム１４に対して、中空円柱形状の突き上げ部材２２を、粘着フィルム１４の下面側から上昇させ、上記粘着フィルム１４をリングフレーム２０の周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、半導体チップＣ同士の間隔を広げ、ＣＣＤカメラ等による半導体チップＣの認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接する半導体チップＣ同士が接触することによって生じる半導体チップＣ同士の再接着を防止することができる。 (Expanding process)
Then, as shown in FIG. 3B, theadhesive film 14 including the base film 11 and the adhesive layer 12 (12 a and 12 b) holding the diced semiconductor chip C and the adhesive layer 13 is attached to the ring frame 20. An expanding process of stretching in the circumferential direction is performed. Specifically, the hollow cylindrical push-up member 22 is raised from the lower surface side of the adhesive film 14 with respect to the adhesive film 14 holding the diced semiconductor chips C and the adhesive film 13, and the adhesive The film 14 is stretched in the circumferential direction of the ring frame 20. The expansion process increases the distance between the semiconductor chips C, improves the recognizability of the semiconductor chips C by a CCD camera or the like, and re-adheres the semiconductor chips C that are generated when adjacent semiconductor chips C come into contact with each other during pick-up. Can be prevented.
そして、図３（Ｂ）に示すように、ダイシングされた半導体チップＣ及び接着剤層１３を保持した基材フィルム１１及び粘着剤層１２（１２ａ及び１２ｂ）からなる粘着フィルム１４をリングフレーム２０の周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数の半導体チップＣ及び接着フィルム１３を保持した状態の粘着フィルム１４に対して、中空円柱形状の突き上げ部材２２を、粘着フィルム１４の下面側から上昇させ、上記粘着フィルム１４をリングフレーム２０の周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、半導体チップＣ同士の間隔を広げ、ＣＣＤカメラ等による半導体チップＣの認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接する半導体チップＣ同士が接触することによって生じる半導体チップＣ同士の再接着を防止することができる。 (Expanding process)
Then, as shown in FIG. 3B, the
（ピックアップ工程）
エキスパンド工程を実施した後、粘着フィルム１４をエキスパンドした状態のままで、半導体チップＣをピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着フィルム１４の下側から半導体チップＣをピン（図示せず）によって突き上げるとともに、粘着フィルム１４の上面側から吸着冶具（図示せず）で半導体チップＣを吸着することで、個片化された半導体チップＣを当該半導体チップＣに付着した状態の接着剤層１３とともにピックアップする。 (Pickup process)
After carrying out the expanding step, a picking up step for picking up the semiconductor chip C is carried out with theadhesive film 14 being expanded. Specifically, the semiconductor chip C is pushed up by a pin (not shown) from the lower side of the adhesive film 14 and the semiconductor chip C is adsorbed from the upper surface side of the adhesive film 14 by an adsorption jig (not shown). The separated semiconductor chip C is picked up together with the adhesive layer 13 attached to the semiconductor chip C.
エキスパンド工程を実施した後、粘着フィルム１４をエキスパンドした状態のままで、半導体チップＣをピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着フィルム１４の下側から半導体チップＣをピン（図示せず）によって突き上げるとともに、粘着フィルム１４の上面側から吸着冶具（図示せず）で半導体チップＣを吸着することで、個片化された半導体チップＣを当該半導体チップＣに付着した状態の接着剤層１３とともにピックアップする。 (Pickup process)
After carrying out the expanding step, a picking up step for picking up the semiconductor chip C is carried out with the
（ダイボンディング工程）
そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的には、ピックアップ工程で半導体チップＣとともにピックアップされた接着剤層１３により、半導体チップＣをリードフレームやパッケージ基板等に接着して、半導体装置を製造する。 (Die bonding process)
Then, after performing the pickup process, the die bonding process is performed. Specifically, the semiconductor chip C is bonded to a lead frame, a package substrate, or the like by theadhesive layer 13 picked up together with the semiconductor chip C in the pickup process to manufacture a semiconductor device.
そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的には、ピックアップ工程で半導体チップＣとともにピックアップされた接着剤層１３により、半導体チップＣをリードフレームやパッケージ基板等に接着して、半導体装置を製造する。 (Die bonding process)
Then, after performing the pickup process, the die bonding process is performed. Specifically, the semiconductor chip C is bonded to a lead frame, a package substrate, or the like by the
なお、第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０を用いて半導体装置を製造する方法では、粘着剤層１２のウエハに対応する部分とそれ以外の部分とに、反応する光の波長が異なる光開始剤をそれぞれに含むウエハ加工用フィルムを用いていることから、波長の異なる紫外線（波長Ａと波長Ｂの紫外線）を２段階にわけて照射し、１段階目でウエハに対応する部分以外の部分１２ａ（リングフレームに対応する部分を含む部分）を硬化させて、リングフレームＲを装着するために、粘着剤層１２ａ上の接着剤層１３を剥離した。しかしながら、第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いた場合、粘着剤層１２のウエハに対応する部分とそれ以外の部分とで光開始剤及び熱重合性化合物のどちらか一方をそれぞれに含むことから、粘着剤層部分１２ａの硬化と粘着剤層部分１２ｂの硬化を、熱硬化と紫外線硬化との２段階にわけて行い、１段階目でウエハに対応する部分以外の部分（リングフレームＲに対応する部分を含む部分）を硬化させて、リングフレームＲを装着するために、硬化させた粘着剤層１２上の接着剤層１３を剥離するとよい。
In the method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film 10 according to the first embodiment, the wavelength of the light that reacts is different between the portion of the adhesive layer 12 corresponding to the wafer and the other portion. Since the film for processing a wafer containing an initiator is used for each, ultraviolet rays having different wavelengths (ultraviolet rays having a wavelength A and a wavelength B) are irradiated in two steps, and the portions other than the portion corresponding to the wafer in the first step. In order to cure the portion 12a (the portion including the portion corresponding to the ring frame) and attach the ring frame R, the adhesive layer 13 on the pressure-sensitive adhesive layer 12a was peeled off. However, when the wafer processing film according to the second embodiment is used, the part corresponding to the wafer of the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the other part each include either a photoinitiator or a thermopolymerizable compound. Accordingly, the curing of the pressure-sensitive adhesive layer portion 12a and the curing of the pressure-sensitive adhesive layer portion 12b are divided into two stages of thermal curing and ultraviolet curing, and the parts other than the part corresponding to the wafer (ring frame R) in the first stage. In order to cure the portion including the portion corresponding to) and mount the ring frame R, the adhesive layer 13 on the cured pressure-sensitive adhesive layer 12 may be peeled off.
以上より、本実施形態に係るウエハ加工用フィルムによれば、プリカットを設ける必要がないため、ウエハ加工用フィルムをロール状に巻き取った場合に、接着剤層での転写痕の発生を十分に抑制することができ、接着剤層と半導体ウエハとの間に空気が巻き込まれることによる接着剤層と半導体ウエハとの間の密着性の低下を防止するとともに、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際、接着不良や、ウエハの加工時の不具合を防止できた。さらに、本発明のウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法によれば、所望の半導体装置を、既存設備の大規模な変更を伴わず、設計変更することができた。
As described above, according to the film for wafer processing according to the present embodiment, since it is not necessary to provide a pre-cut, when the film for wafer processing is wound up in a roll shape, generation of transfer marks in the adhesive layer is sufficiently generated. It is possible to suppress the deterioration of the adhesion between the adhesive layer and the semiconductor wafer due to the air being caught between the adhesive layer and the semiconductor wafer, and the semiconductor chip is connected to the lead frame, the package substrate, Or, when bonding to another semiconductor chip, it was possible to prevent adhesion failure and defects during processing of the wafer. Furthermore, according to the method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film of the present invention, the desired semiconductor device can be changed in design without a large-scale change of existing facilities.
１０，３０：ウエハ加工用フィルム
１１：基材フィルム
１２：粘着剤層
１３：接着剤層
１３ａ：接着剤層の切り込み
１４：粘着フィルム
１５：ダイシング・ダイボンディングフィルム
１６：離型フィルム DESCRIPTION OFSYMBOLS 10,30: Film for wafer processing 11: Base film 12: Adhesive layer 13: Adhesive layer 13a: Cut of adhesive layer 14: Adhesive film 15: Dicing die bonding film 16: Release film
１１：基材フィルム
１２：粘着剤層
１３：接着剤層
１３ａ：接着剤層の切り込み
１４：粘着フィルム
１５：ダイシング・ダイボンディングフィルム
１６：離型フィルム DESCRIPTION OF
Claims (5)
- 基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、
前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、
前記粘着剤層は、少なくともリングフレームに対応する部分に、放射線重合性化合物と一の光開始剤とを含み、前記一の光開始剤を含む箇所以外の部分に、放射線重合性化合物と他の光開始剤とを含み、
前記一の光開始剤が反応する光の波長は、前記他の光開始剤が反応する光の波長と異なる
ことを特徴とするウエハ加工用フィルム。 A base film, and an adhesive film comprising an adhesive layer provided on the base film;
An adhesive layer provided on the pressure-sensitive adhesive layer,
The pressure-sensitive adhesive layer includes a radiation polymerizable compound and one photoinitiator at least in a portion corresponding to the ring frame, and a portion other than the portion including the one photoinitiator includes a radiation polymerizable compound and another photoinitiator. A photoinitiator,
The film for processing a wafer, wherein a wavelength of light to which the one photoinitiator reacts is different from a wavelength of light to which the other photoinitiator reacts. - 基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、
前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、
前記粘着剤層は、少なくともリングフレームに対応する部分に、放射線重合性化合物および熱重合性化合物の一方を含み、前記放射線重合性化合物および熱重合性化合物の一方を含む箇所以外の部分に、前記放射線重合性化合物および熱重合性化合物の他方を含む
ことを特徴とするウエハ加工用フィルム。 A base film, and an adhesive film comprising an adhesive layer provided on the base film;
An adhesive layer provided on the pressure-sensitive adhesive layer,
The pressure-sensitive adhesive layer includes at least one of a radiation polymerizable compound and a thermopolymerizable compound in a portion corresponding to the ring frame, and a portion other than the portion including one of the radiation polymerizable compound and the thermopolymerizable compound, A wafer processing film comprising the other of a radiation polymerizable compound and a thermally polymerizable compound. - 前記接着剤層は、半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、前記粘着剤層は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていないことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のウエハ加工用フィルム。 3. The adhesive layer according to claim 1, wherein the adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to a semiconductor wafer, and the pressure-sensitive adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to a ring frame. Film for wafer processing.
- 前記接着剤層は、少なくとも半導体ウエハに対応する位置よりも外側であってリングフレームに対応する位置よりも内側に切り込みが設けられていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のウエハ加工用フィルム。 4. The adhesive layer according to any one of claims 1 to 3, wherein the adhesive layer is provided with notches at least outside a position corresponding to the semiconductor wafer and inside a position corresponding to the ring frame. The film for wafer processing according to 1.
- 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法であって、
前記粘着剤層のウエハに対応する部分以外であって、少なくとも前記リングフレームに対応する部分を硬化させ、硬化させた粘着剤層の部分から前記接着剤層を剥離する工程と、
前記接着剤層に前記ウエハを貼合する工程と、
前記粘着剤層に前記リングフレームを固定する工程と、
前記ウエハをダイシングし、個片化されたチップ及び接着剤層を形成する工程と、
前記粘着剤層のウエハに対応する部分を硬化させ、前記個片化されたチップ及び接着剤層をピックアップする工程とを含む
ことを特徴とする方法。 A method for manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to any one of claims 1 to 4,
A step of curing at least a portion corresponding to the ring frame other than a portion corresponding to the wafer of the pressure-sensitive adhesive layer, and peeling the adhesive layer from a portion of the cured pressure-sensitive adhesive layer;
Bonding the wafer to the adhesive layer;
Fixing the ring frame to the adhesive layer;
Dicing the wafer to form singulated chips and an adhesive layer;
Curing the portion of the pressure-sensitive adhesive layer corresponding to the wafer and picking up the singulated chips and the adhesive layer.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2010/053879 WO2011111166A1 (en) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | Film for wafer processing, and method for manufacturing semiconductor device using film for wafer processing |
| SG2012060596A SG183334A1 (en) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | Wafer-processing film and method of manufacturing semiconductor device by using wafer-processing film |
| KR1020127024319A KR101427019B1 (en) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | Film for wafer processing, and method for manufacturing semiconductor device using film for wafer processing |
| CN201080065170.8A CN102782813B (en) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | Film for machining wafer and use film for machining wafer manufacture the method for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2010/053879 WO2011111166A1 (en) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | Film for wafer processing, and method for manufacturing semiconductor device using film for wafer processing |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2011111166A1 true WO2011111166A1 (en) | 2011-09-15 |
Family
ID=44563012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2010/053879 WO2011111166A1 (en) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | Film for wafer processing, and method for manufacturing semiconductor device using film for wafer processing |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101427019B1 (en) |
| CN (1) | CN102782813B (en) |
| SG (1) | SG183334A1 (en) |
| WO (1) | WO2011111166A1 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7829441B2 (en) | 2007-03-01 | 2010-11-09 | Nitto Denko Corporation | Thermosetting die-bonding film |
-
2010
- 2010-03-09 SG SG2012060596A patent/SG183334A1/en unknown
- 2010-03-09 KR KR1020127024319A patent/KR101427019B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-09 WO PCT/JP2010/053879 patent/WO2011111166A1/en active Application Filing
- 2010-03-09 CN CN201080065170.8A patent/CN102782813B/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102782813A (en) | 2012-11-14 |
| SG183334A1 (en) | 2012-09-27 |
| KR20130007578A (en) | 2013-01-18 |
| KR101427019B1 (en) | 2014-08-05 |
| CN102782813B (en) | 2015-08-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
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