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WO2009131036A1 - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents

成膜方法及び成膜装置 Download PDF

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WO2009131036A1
WO2009131036A1 PCT/JP2009/057494 JP2009057494W WO2009131036A1 WO 2009131036 A1 WO2009131036 A1 WO 2009131036A1 JP 2009057494 W JP2009057494 W JP 2009057494W WO 2009131036 A1 WO2009131036 A1 WO 2009131036A1
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WO
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film
film forming
processing tank
forming
vacuum processing
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/057494
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English (en)
French (fr)
Inventor
小林　洋介
信博 林
正行 飯島
勲 多田
Original Assignee
株式会社アルバック
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社アルバック filed Critical 株式会社アルバック
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Priority to JP2010509147A priority patent/JP5202623B2/ja
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5826—Treatment with charged particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
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    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0808—Mirrors having a single reflecting layer

Definitions

  • the present invention relates to a technique for forming a film by vapor deposition in a vacuum, and more particularly, to a technique for forming a reflective film used for a reflecting mirror.
  • the present invention has been made to solve such problems of the conventional technique, and an object thereof is to provide a reflection film forming technique capable of simplifying the apparatus configuration and reducing the cost. .
  • the present inventors can form a film inferior to the case of using argon gas by performing vapor deposition and hydrophilization treatment using a gas containing oxygen.
  • the present invention made on the basis of such knowledge includes a reflective film forming step of forming a light reflective reflective film by vapor deposition on a film formation target while introducing a processing gas containing oxygen into the film formation region, and the reflection
  • a film forming method including a process.
  • the processing gas introduced in the hydrophilization processing step is air.
  • the processing gas introduced in the vapor deposition film forming step is air.
  • the film formation target is a three-dimensional member constituting a reflecting mirror.
  • the present invention is connected to a vacuum processing tank capable of accommodating a film formation target, a processing gas introduction unit that is connected to the vacuum processing tank and introduces a processing gas containing oxygen, and is connected to the vacuum processing tank.
  • a film forming apparatus having a monomer introduction portion for introducing a monomer for forming a water-repellent polymer film, an evaporation source provided in the vacuum processing tank, and a plasma generation source provided in the vacuum processing tank. is there.
  • the processing gas introduction unit is configured to introduce air in the vicinity of the vacuum processing tank.
  • the present invention by using air as the processing gas, it is possible to reduce the cost of the processing gas in the formation of the reflective film and the hydrophilic treatment, and the piping for the processing gas is not necessary.
  • the structure can be simplified and the cost of the film formation apparatus can be reduced.
  • safety measures such as prevention of oxygen deficiency are not necessary, so that a film forming apparatus that is easy to handle can be provided.
  • Sectional drawing which shows the internal structure of the film-forming apparatus of this Embodiment Flow chart showing an example of a film forming method according to the present invention (A) to (d): Cross-sectional views showing the structure of a film formed by the film forming method
  • SYMBOLS 1 ... Film formation apparatus, 2 ... Vacuum processing tank (film formation area), 3 ... Process gas introduction part, 4 ... Monomer introduction part, 5 ... Holding mechanism, 20 ... Film formation object, 22 ... Reflection film, 23 ... Repellency Aqueous polymer film, 24 ... hydrophilic polymer film, 30 ... air
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the internal configuration of the film forming apparatus of the present embodiment.
  • the film forming apparatus 1 of the present embodiment has a vacuum processing tank (film forming region) 2 connected to a vacuum exhaust system (not shown).
  • a processing gas introduction part 3 and a monomer introduction part 4 provided outside the vacuum processing tank 2 are connected.
  • the introduction pipe 32 is connected to the vacuum processing tank 2 through the flow rate adjusting valve 31 so that a predetermined amount of air 30 is introduced into the vacuum processing tank 2 from the atmosphere near the vacuum processing tank 2. It is configured.
  • the monomer introduction part 4 has a monomer supply source 40 for supplying a monomer for forming a water-repellent polymer film.
  • the monomer supply source 40 is connected to an introduction pipe 42 via a flow rate adjustment valve 41, and is configured to introduce a predetermined amount of monomer into the vacuum processing tank 2 via the introduction pipe 42.
  • a holding mechanism 5 that holds the film formation target 20 is provided in the vacuum processing tank 2.
  • the holding mechanism 5 of the present embodiment has a linear holding portion 6 provided, for example, in the vertical direction in the central region of the vacuum processing tank 2.
  • the holding unit 6 is connected to a rotation shaft 7a of a drive motor 7 provided outside the vacuum processing tank 2, and the film formation surfaces 20a of a plurality of film formation objects 20 are directed outward with respect to the rotation shaft 7a. It is configured to rotate while being held.
  • An evaporation source 8 is provided on the side wall portion in the vacuum processing tank 2.
  • the evaporation source 8 is disposed such that the vapor discharge surface 8a faces the film formation surface 20a of each film formation target 20.
  • the evaporation source 8 has a filament-like evaporation material (not shown) made of, for example, aluminum (Al).
  • FIG. 2 is a flowchart showing an example of a film forming method according to the present invention
  • FIGS. 3A to 3D are cross-sectional views showing the structure of a film formed by the film forming method.
  • the inside of the vacuum processing tank 2 is evacuated to a predetermined pressure (for example, 1 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa).
  • the flow rate adjusting valve 31 is controlled to introduce air into the vacuum processing tank 2 (process P2).
  • the pressure in the vacuum processing tank 2 is set to 5.0 ⁇ 10 ⁇ 2 from the viewpoint of improving the attachment of the film to the three-dimensional film formation target 20. It is preferable to adjust to Pa to 1.0 Pa.
  • the deposition mechanism 20 is operated to rotate and move the film formation target 20 (process P2).
  • the pressure in the vacuum processing tank 2 is maintained while exhausting while introducing air.
  • a reflective film 22 made of aluminum is formed on the undercoat layer 21 of the film formation target 20.
  • the flow rate adjustment valve 41 is controlled to supply the raw material monomer for forming the polymer film from the monomer supply source 40 into the vacuum processing tank 2, and the plasma generation source 9 is operated while rotating the film formation target 20.
  • a water-repellent polymer film 23 is formed on the reflective film 22 (process P3, FIG. 3C).
  • This water-repellent polymer film 23 functions as an alkali-resistant protective film for preventing the reflection film 22 from being oxidized and corroded.
  • a raw material monomer for example, silicon such as hexamethyldisiloxane (HMDSO) is used.
  • the monomer containing can be used suitably.
  • the inside of the vacuum processing tank 2 is evacuated (process P4). Further, the flow rate adjusting valve 31 is controlled to introduce air into the vacuum processing tank 2 to a predetermined pressure (process P5).
  • a predetermined pressure process P5.
  • the plasma generation source 9 is operated (for example, 40 kHz to 13.56 MHz), and oxygen plasma and nitrogen plasma are generated in the vacuum processing tank 2, so that the surface of the water repellent polymer film 23 of the film formation target 20 is oxygenated.
  • a hydrophilic polymer film 24 is formed on the surface of the water-repellent polymer film 23 as shown in FIG. 3D (process P5).
  • the pressure in the vacuum processing tank 2 is maintained while exhausting while introducing air.
  • the hydrophilicity treatment by plasma is performed on the water-repellent polymer film 23 using air as the treatment gas containing oxygen, it is compared with the case where conventional argon gas is used.
  • the reactivity can be improved by using active radicals (O 2 , N 2 ).
  • the electric power input in the hydrophilic treatment process on the water repellent polymer film 23 can be reduced, the power cost can be reduced.
  • the apparatus configuration can be simplified and the cost of the film forming apparatus can be reduced. Furthermore, by using air as the processing gas, safety measures such as prevention of oxygen deficiency are not required, and thus a film forming apparatus that can be easily handled can be provided.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made.
  • air is used as the processing gas.
  • the present invention is not limited to this, and a gas containing only oxygen, for example, can be used as long as the gas contains oxygen. It is.
  • air it is also possible to use air as a processing gas in one of the reflective film forming step and the hydrophilization processing step.
  • air is introduced when the reflective film is formed by vapor deposition and when the hydrophilic treatment is performed.
  • the drying treatment is performed.
  • air from an air cylinder can be supplied.
  • nitrogen gas can also be used as what can be used cheaper than Ar.
  • this invention performs a reflective film formation process and a hydrophilization process in a different vacuum processing tank. Including cases.
  • HMDSO is used as a raw material monomer for the water-repellent polymer film, and a polymer film having a thickness of 300 angstroms is formed on a three-dimensional object as a film formation target.
  • Gas was introduced to generate plasma, and a hydrophilic treatment was performed (frequency: 40 kHz).
  • each film-forming target was immersed in 1% KOH aqueous solution for 10 minutes, and the alkali resistance of the hydrophilized polymer film was evaluated.
  • the results are shown in Table 2.
  • the case where the aluminum was not discolored by immersion in a 1% KOH aqueous solution for 10 minutes was marked with ⁇ , and the color changed with x. Further, the contact angle of each film-formed object that had been subjected to the hydrophilic treatment was visually measured. The results are shown in Table 2.

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Abstract

　本発明は、装置構成の簡素化及びコストダウンが可能な反射膜形成技術を提供するものである。本発明の成膜方法は、成膜領域に空気を導入しつつ成膜対象物上に蒸着によって光反射性の反射膜を形成する反射膜形成工程（Ｐ２）と、この反射膜上に撥水性重合体膜を形成する重合体膜形成工程（Ｐ３）と、成膜領域に空気を導入しつつ前記撥水性重合体膜上にプラズマによる親水化処理を施す親水化処理工程（Ｐ５）とを有する。本発明によれば、アルゴンガスを用いることなく反射膜の形成及び重合体膜の親水化処理を行うことができる。

Description

成膜方法及び成膜装置
　本発明は、真空中で蒸着によって成膜を行う技術に関し、特に、反射鏡に用いる反射膜の成膜技術に関する。
　従来、この種の反射鏡を製造する際には、真空槽内にアルゴン（Ａｒ）ガスを導入して成膜対象物上に蒸着によって反射膜を形成した後、真空槽内に撥水性重合体膜形成用モノマーを導入して反射膜上に重合体膜を形成し、さらに、アルゴンガスのプラズマを用いて重合体膜表面の親水化処理を行うようにしている（例えば、特許文献１参照）。
　近年、このような反射鏡製造用の成膜装置の構成の簡素化及びコストダウンが要求されており、そのための研究開発が進展している。
特開２００３－２０７６１１号公報
　本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、装置構成の簡素化及びコストダウンが可能な反射膜形成技術を提供することにある。
　本発明者等は上記課題を解決すべく鋭意努力を重ねた結果、酸素を含有するガスを用いて蒸着及び親水化処理を行うことでアルゴンガスを用いた場合と遜色のない膜を形成しうることを見出し、本発明を完成するに到った。
　かかる知見に基づいてなされた本発明は、酸素を含有する処理ガスを成膜領域に導入しつつ成膜対象物上に蒸着によって光反射性の反射膜を形成する反射膜形成工程と、前記反射膜上に撥水性重合体膜を形成する重合体膜形成工程と、酸素を含有する処理ガスを成膜領域に導入しつつ前記撥水性重合体膜上にプラズマによる親水化処理を施す親水化処理工程とを有する成膜方法である。
　また、本発明は、前記発明において、前記親水化処理工程において導入する前記処理ガスが空気であるものである。
　また、本発明は、前記発明において、前記蒸着膜形成工程において導入する前記処理ガスが空気であるものである。
　また、本発明は、前記発明において、前記成膜対象物が、反射鏡を構成する立体的な部材であるものである。
　一方、本発明は、成膜対象物を収容可能な真空処理槽と、前記真空処理槽に接続され、酸素を含有する処理ガスを導入する処理ガス導入部と、前記真空処理槽に接続され、撥水性重合体膜形成用のモノマーを導入するモノマー導入部と、前記真空処理槽内に設けられた蒸発源と、前記真空処理槽内に設けられたプラズマ発生源と、を有する成膜装置である。
　また、本発明は、前記発明において、前記処理ガス導入部が、前記真空処理槽近傍の空気を導入するように構成されているものである。
　本発明の場合、酸素を含有する処理ガス中で撥水性重合体膜上にプラズマによる親水化処理を施すようにしたことから、従来のアルゴンガスを用いる場合と比較して、活性のラジカルを用いることによって反応性を向上させることができる。その結果、撥水性重合体膜上への親水化処理工程において投入する電力を小さくすることができるので、電力コストを削減することができる。
　また、本発明によれば、処理ガスとして空気を用いることによって、反射膜形成及び親水化処理における処理ガスのコストを削減することができるとともに、処理ガス用の配管等が不要になるので、装置構成の簡素化及び成膜装置のコストダウンを図ることができる。
　さらに、処理ガスとして空気を用いれば、酸欠防止等の安全対策が不要になるため、取り扱いの容易な成膜装置を提供することができる。
　本発明によれば、装置構成の簡素化及びコストダウンが可能な反射膜形成技術を提供することができる。
本実施の形態の成膜装置の内部構成を示す断面図 本発明に係る成膜方法の一例を示す流れ図 （ａ）～（ｄ）：同成膜方法によって形成された膜の構成を示す断面図
１…成膜装置、２…真空処理槽（成膜領域）、３…処理ガス導入部、４…モノマー導入部、５…保持機構、２０…成膜対象物、２２…反射膜、２３…撥水性重合体膜、２４…親水化重合体膜、３０…空気
　以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
　図１は、本実施の形態の成膜装置の内部構成を示す断面図である。
　図１に示すように、本実施の形態の成膜装置１は、図示しない真空排気系に接続された真空処理槽（成膜領域）２を有している。
　この真空処理槽２は、それぞれ真空処理槽２の外部に設けられた処理ガス導入部３とモノマー導入部４が接続されている。
　処理ガス導入部３は、流量調整弁３１を介して導入管３２が真空処理槽２に接続され、真空処理槽２近傍の大気から所定量の空気３０を真空処理槽２内に導入するように構成されている。
　モノマー導入部４は、撥水性重合体膜形成用のモノマーを供給するモノマー供給源４０を有している。このモノマー供給源４０は、流量調整弁４１を介して導入管４２が接続され、この導入管４２を介して所定量のモノマーを真空処理槽２内に導入するように構成されている。
　真空処理槽２内には、成膜対象物２０を保持する保持機構５が設けられている。
　本実施の形態の保持機構５は、真空処理槽２の中央領域において、例えば鉛直方向に向けて設けられた直線状の保持部６を有している。
　この保持部６は、真空処理槽２の外部に設けられた駆動モータ７の回転軸７ａに連結され、複数の成膜対象物２０の成膜面２０ａを回転軸７ａに対し外方側に向けて保持した状態で回転させるように構成されている。
　真空処理槽２内の側壁部分には、蒸発源８が設けられている。この蒸発源８は、その蒸気放出面８ａが各成膜対象物２０の成膜面２０ａと対向するように配置されている。なお、蒸発源８は、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなるフィラメント状の蒸発材料（図示せず）を有している。
　また、真空処理槽２内の側壁部分には、図示しない交流電源を有するプラズマ発生源９が設けられている。このプラズマ発生源９は、そのプラズマ放出面９ａが各成膜対象物２０の成膜面２０ａと対向するように配置されている。
　図２は、本発明に係る成膜方法の一例を示す流れ図、図３（ａ）～（ｄ）は、同成膜方法によって形成された膜の構成を示す断面図である。
　本例においては、図１に示す成膜装置１を用い、図３（ａ）に示すように、アンダーコート層２１を有する成膜対象物２０上に成膜を行う場合を例にとって説明する。
　まず、プロセスＰ１において、真空処理槽２内を真空排気して所定の圧力にする（例えば、１×１０-2Ｐａ）。
　次いで、流量調整弁３１を制御して真空処理槽２内に空気を導入する（プロセスＰ２）。
　本発明の場合、特に限定されることはないが、立体形状の成膜対象物２０への膜の付き回りを向上させる観点からは、真空処理槽２内の圧力を５．０×１０-2Ｐａ～１．０Ｐａに調整することが好ましい。
　そして、保持機構５を動作させて成膜対象物２０を回転移動させながら蒸着を行う（プロセスＰ２）。蒸着中は、空気を導入しつつ排気を行いながら、真空処理槽２内の圧力を維持する。
　これにより、図３（ｂ）に示すように、成膜対象物２０のアンダーコート層２１上にアルミニウムからなる反射膜２２が形成される。
　次に、流量調整弁４１を制御してモノマー供給源４０から真空処理槽２内に重合体膜形成用の原料モノマーを供給し、成膜対象物２０を回転移動させながらプラズマ発生源９を動作させ、反射膜２２上に撥水性重合体膜２３を形成する（プロセスＰ３、図３（ｃ））。
　この撥水性重合体膜２３は、反射膜２２の酸化及び腐食を防止するための耐アルカリ性の保護膜として機能するもので、その原料モノマーとしては、例えばヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）等のシリコンを含むモノマーを好適に用いることができる。
　その後、真空処理槽２内を真空排気する（プロセスＰ４）。
　さらに、流量調整弁３１を制御して真空処理槽２内に空気を導入して所定の圧力にする（プロセスＰ５）。
　本発明の場合、特に限定されることはないが、安定したプラズマを維持する観点からは、真空処理槽２内の圧力を０．１Ｐａ～１０Ｐａに調整することが好ましい。
　そして、プラズマ発生源９を動作させ（例えば４０ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚ）、真空処理槽２内に酸素プラズマ、窒素プラズマを発生させて、成膜対象物２０の撥水性重合体膜２３の表面を酸素及び窒素プラズマにさらすことにより、図３（ｄ）に示すように、撥水性重合体膜２３の表面に親水化重合体膜２４を形成する（プロセスＰ５）。プラズマ処理中は、空気を導入しつつ排気を行いながら、真空処理槽２内の圧力を維持する。
　以上述べた本実施の形態では、酸素を含有する処理ガスとして空気を用いて撥水性重合体膜２３上にプラズマによる親水化処理を施すようにしたことから、従来のアルゴンガスを用いる場合と比較して、活性のラジカル（Ｏ2、Ｎ2）を用いることによって反応性を向上させることができる。その結果、撥水性重合体膜２３上への親水化処理工程において投入する電力を小さくすることができるので、電力コストを削減することができる。
　また、本実施の形態によれば、処理ガスとして空気を用いているので、反射膜形成及び親水化処理における処理ガスのコストを削減することができるとともに、処理ガス用の配管等が不要になるので、装置構成の簡素化及び成膜装置のコストダウンを図ることができる。
　さらに、処理ガスとして空気を用いることにより、酸欠防止等の安全対策が不要になるため、取り扱いの容易な成膜装置を提供することができる。
　なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
　例えば、上述の実施の形態においては、処理ガスとして空気を用いるようにしたが、本発明はこれに限られず、酸素を含有するガスであれば、例えば酸素のみからなるガスなどを用いることも可能である。
　また、反射膜形成工程及び親水化処理工程の一方において処理ガスとして空気を用いることも可能である。
　ただし、処理ガスのコスト削減並びに装置構成簡素化及び装置コスト削減の観点からは、上記実施の形態のように、反射膜形成工程及び親水化処理工程の両方の工程において空気を用いることが好ましい。
　また、上述の本実施の形態では、蒸着による反射膜形成時、及び、親水化処理時に空気を導入するようにしたが、地域や気候により空気中の水分等に変動がある場合は、乾燥処理した空気若しくは空気ボンベからの空気を供給することもできる。
　さらに、Ａｒより安価に使用できるものとして、窒素ガスを使用することもできる。ただし、酸欠処理などの対応が必要がないことを考慮すると、上述したように、空気（酸素含有ガス）を用いることが好ましい。
　また、上記実施の形態では、同一の真空処理槽において反射膜形成工程及び親水化処理工程を行うようにしたが、本発明は、反射膜形成工程と親水化処理工程を異なる真空処理槽において行う場合をも含むものである。
　以下、本発明の実施例について、比較例とともに詳細に説明する。
＜反射膜形成時の空気導入の効果＞
　図１に示す装置を使用し、蒸発材料として同一量のアルミニウムを用い、成膜対象物として立体形状のものに対し、圧力を変えて蒸着を行い、膜の付き回りの良さを目視によって判定した。その結果を表１に示す。
　ここでは、蒸発源に対して垂直な面上の膜の膜厚が反射面として十分であったものを○、当該膜の膜厚が反射面として不十分で暗さが生じたものを×とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１から理解されるように、真空処理槽内に空気を導入することによって（圧力１．０×１０-1Ｐａ）、成膜対象物への膜の付き回りの良さが改善されることが判明した。
＜親水化処理時の空気導入の効果＞
　図１に示す装置を使用し、撥水性重合体膜の原料モノマーとしてＨＭＤＳＯを用い、成膜対象物として立体形状のものに対し、厚さ３００オングストロームの重合膜を形成し、さらに、空気又はアルゴンガスを導入してプラズマを発生させ、親水化処理を行った（周波数：４０ｋＨｚ）。
　そして、各成膜対象物を１％ＫＯＨ水溶液に１０分間浸漬して、親水化重合体膜の耐アルカリ性を評価した。その結果を表２に示す。
　ここでは、１％ＫＯＨ水溶液に１０分間浸漬してアルミニウムが変色しなかったものを○、変色したものを×とした。
　また、上記親水化処理済の各成膜対象物について、目視によって接触角を測定した。その結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２から理解されるように、親水化処理の際に空気を導入した場合には、アルゴンガスを導入した場合に比べ、より低い投入電力（１ｋＷ）で良好な接触角（３０°）の親水性処理を行うことができた。
　以上より、本発明による効果を確認することができた。 

Claims (6)

  1. 　酸素を含有する処理ガスを成膜領域に導入しつつ成膜対象物上に蒸着によって光反射性の反射膜を形成する反射膜形成工程と、
    　前記反射膜上に撥水性重合体膜を形成する重合体膜形成工程と、
    　酸素を含有する処理ガスを成膜領域に導入しつつ前記撥水性重合体膜上にプラズマによる親水化処理を施す親水化処理工程とを有する成膜方法。
  2. 　前記親水化処理工程において導入する前記処理ガスが空気である請求項１記載の成膜方法。
  3. 　前記蒸着膜形成工程において導入する前記処理ガスが空気である請求項１又は２のいずれか１項記載の成膜方法。
  4. 　前記成膜対象物が、反射鏡を構成する立体的な部材である請求項１記載の成膜方法。
  5. 　成膜対象物を収容可能な真空処理槽と、
    　前記真空処理槽に接続され、酸素を含有する処理ガスを導入する処理ガス導入部と、
    　前記真空処理槽に接続され、撥水性重合体膜形成用のモノマーを導入するモノマー導入部と、
    　前記真空処理槽内に設けられた蒸発源と、
    　前記真空処理槽内に設けられたプラズマ発生源と、
    　を有する成膜装置。
  6. 　前記処理ガス導入部が、前記真空処理槽近傍の空気を導入するように構成されている請求項５記載の成膜装置。 
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103282541A (zh) * 2011-01-05 2013-09-04 珐珂斯株式会社 一种耐指纹镀膜方法及装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6532450B2 (ja) * 2016-12-06 2019-06-19 株式会社アルバック 成膜方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02163365A (ja) * 1988-10-06 1990-06-22 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> ポリカーボネート基体表面の処理方法
JP2003207611A (ja) * 2002-01-10 2003-07-25 Koito Mfg Co Ltd 反射鏡製造方法及び反射鏡製造装置
JP2007119885A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Nidek Co Ltd 金属膜付基板の製造方法及び金属膜付基板
JP2007286491A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Murakami Corp 有色防曇鏡
WO2008004397A1 (fr) * 2006-07-04 2008-01-10 Ulvac, Inc. Appareil et procédé pour produire un miroir réfléchissant
JP2008015312A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Mitsui Chemicals Inc 反射体およびその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE435297B (sv) * 1975-08-22 1984-09-17 Bosch Gmbh Robert Optiska reflektorer framstellda genom att reflektorytan belegges med ett skyddsskikt
US4364637A (en) * 1978-06-13 1982-12-21 Nhk Spring Co., Ltd. Highly reflective plastic reflector with crystalline inorganic film coating
JPS5833101B2 (ja) * 1978-11-13 1983-07-18 横浜機工株式会社 耐熱性反射板
JPS5996137A (ja) * 1982-11-25 1984-06-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 塩化ビニル系樹脂複合製品の製造方法
JPH09113707A (ja) * 1995-10-19 1997-05-02 Dainippon Printing Co Ltd 光反射板およびその製造方法
DE102004057155B4 (de) * 2004-11-26 2007-02-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur chemischen Funktionalisierung von Oberflächen durch Plasmapolymerisation
US20080073203A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-27 Guardian Industries Corp. Method of making first surface mirror with oxide graded reflecting layer structure

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02163365A (ja) * 1988-10-06 1990-06-22 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> ポリカーボネート基体表面の処理方法
JP2003207611A (ja) * 2002-01-10 2003-07-25 Koito Mfg Co Ltd 反射鏡製造方法及び反射鏡製造装置
JP2007119885A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Nidek Co Ltd 金属膜付基板の製造方法及び金属膜付基板
JP2007286491A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Murakami Corp 有色防曇鏡
WO2008004397A1 (fr) * 2006-07-04 2008-01-10 Ulvac, Inc. Appareil et procédé pour produire un miroir réfléchissant
JP2008015312A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Mitsui Chemicals Inc 反射体およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103282541A (zh) * 2011-01-05 2013-09-04 珐珂斯株式会社 一种耐指纹镀膜方法及装置

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