WO2007114471A1

WO2007114471A1 - 液晶表示装置

Info

Publication number: WO2007114471A1
Application number: PCT/JP2007/057577
Authority: WO
Inventors: Akihiro Shoraku; Toshihide Tsubata
Original assignee: Sharp Kabushiki Kaisha
Priority date: 2006-04-04
Filing date: 2007-04-04
Publication date: 2007-10-11
Also published as: US20090225246A1; CN101943821B; CN101943834A; CN102116965A; CN102116964A; CN102116965B; CN101943834B; CN102116964B; CN101416105A; CN101943821A; CN101416105B; US8334954B2

Abstract

　画素領域は、電圧が印加されたときのチルト方向が予め決められた第１方向である第１液晶ドメインと、第２方向である第２液晶ドメインと、第３方向である第３液晶ドメインと、第４方向である第４液晶ドメインとを有し、第１、第２、第３および第４方向は、任意の２つの方向の差が９０°の整数倍に略等しい４つの方向であり、かつ、第１、第２、第３および第４液晶ドメインは、それぞれ他の液晶ドメインと隣接し、かつ、２行２列のマトリクス状に配置されており、補助容量配線の延設部が、第１、第２、第３および第４液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光する中央遮光部の少なくとも一部を構成しており、ドレイン引出し配線と第１電極とのコンタクト部が形成される絶縁層に設けられたコンタクトホールが中央遮光部の液晶層側に形成されている。

Description

液晶表示装置

技術分野

[0001] 本発明は液晶表示装置に関し、特に広視野角特性を有する液晶表示装置に関する。

背景技術

[0002] 液晶表示装置の表示特性が改善され、テレビジョン受像機などへの利用が進んでいる。液晶表示装置の視野角特性は向上したものの更なる改善が望まれている。特に、垂直配向型の液晶層を用いた液晶表示装置 (VAモード液晶表示装置と呼ばれることもある。）の視野角特性を改善する要求は強い。

[0003] 現在、テレビ等の大型表示装置に用いられている VAモード液晶表示装置には、視野角特性を改善するために、 1つの画素領域に複数の液晶ドメインを形成する配向分割構造が採用されている。配向分割構造を形成する方法としては、 MVAモードが主流である。 MVAモードは、垂直配向型液晶層を挟んで対向する一対の基板の液晶層側に、配向規制構造を設けることによって、配向方向（チルト方向）が異なる複数のドメイン (典型的には配向方向は 4種類)を形成している。配向規制構造としては、電極に設けたスリット（開口部）あるいはリブ (突起構造）が用いられ、液晶層の両側から配向規制力を発揮する。

[0004] し力しながら、スリットやリブを用いると、従来の TNで用いられていた配向膜によつてプレチルト方向を規定した場合と異なり、スリットやリブが線状であることから、液晶分子に対する配向規制力が画素領域内で不均一となるため、例えば、応答速度に分布が生じるという問題がある。また、スリットやリブを設けた領域の光の透過率が低下するので、表示輝度が低下するという問題もある。

特許文献 1：特開平 11— 133429号公報

特許文献 2：特開平 11― 352486号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題 [0005] 上述の問題を回避するためには、 VAモード液晶表示装置についても、配向膜によつてプレチルト方向を規定することによって配向分割構造を形成することが好ましい。そこで、本発明者は、種々の検討を行ったところ、 VAモード液晶表示装置に特有の配向乱れが発生し、表示品位に悪影響を及ぼすことを見出した。

[0006] 従来の配向膜を用いた配向分割構造を形成した液晶表示装置においても、配向乱れによる表示特性の低下を抑制するために、遮光部を設け、配向乱れが発生した領域を透過した光を遮蔽する技術が知られている (例えば、特許文献 1)。

[0007] し力しながら、従来の配向分割構造において遮光部を設ける目的は、 TNモードの液晶表示装置におけるリバースチルトのような配向乱れによって、正面視において、光の透過率が所定の値よりも高くなる領域、すなわち液晶分子が正常に配向した領域よりも明るく見える領域を隠すことであつたのに対し、 VAモードの液晶表示装置においては、正面視において正常配向領域よりも明るく見える領域を遮光するだけでは表示品位を十分に改善できない場合があることを見出した。

[0008] 本発明は、上記諸点に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示品位に優れた VAモードの液晶表示装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0009] 本発明の液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向する第 1基板および第 2基板と、前記第 1基板の前記液晶層側に設けられた第 1 電極および前記第 2基板の前記液晶層側に設けられた第 2電極と、前記液晶層に接するように設けられた少なくとも 1つの配向膜とを有し、画素領域は、前記第 1電極と前記第 2電極との間に電圧が印加されたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が予め決められた第 1方向である第 1液晶ドメインと、第 2方向である第 2液晶ドメインと、第 3方向である第 3液晶ドメインと、第 4方向である第 4液晶ドメインとを有し、前記第 1方向、第 2方向、第 3方向および第 4 方向は、任意の 2つの方向の差が 90° の整数倍に略等しい 4つの方向であり、かつ、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインは、それぞれ他の液晶ドメインと隣接し、かつ、 2行 2列のマトリクス状に配置されており、前記第 1基板は、 TFT、ゲートバスライン、ソースバスライン、ドレイン引出し配線、補助容量配線、および前記ドレイン引出し配線と前記第 1電極との間に設けられた絶縁層をさらに有し、前記補助容量配線の延設部が、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域を選択的に遮光する中央遮光部の少なくとも一部を構成しており、前記ドレイン引出し配線と前記第 1電極とのコンタクト部が形成される前記絶縁層に設けられたコンタクトホールが、前記中央遮光部の前記液晶層側に形成されていることを特徴とする。

[0010] ある実施形態にお!ヽて、前記補助容量配線の前記延設部および前記ドレイン引出し配線の延設部は、互いに重なり、且つ、互いに異なる方向に延びる 2以上の矩形部分を有し、前記中央遮光部は、前記互いに異なる方向に延びる 2以上の矩形部分を含み、前記コンタクトホールは、前記 2以上の矩形部分の交差部の前記液晶層側に形成されている。

[0011] ある実施形態において、前記補助容量配線の前記延設部および前記ドレイン引出し配線の延設部は、互いに重なり、且つ、列方向に延びる矩形部分だけを有し、前記中央遮光部は、前記列方向に延びる矩形部分を含み、前記コンタクトホールは、前記列方向に延びる矩形部分の前記液晶層側に形成されている。

[0012] ある実施形態において、前記コンタクト部は、前記 2行 2列のマトリクス状に配置された前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインが形成する十字状の境界領域の中心に形成されている。

[0013] ある実施形態において、前記中央遮光部を構成する前記補助容量配線の前記延設部の前記液晶層側には、ゲート絶縁層および半導体層が形成されており、前記コンタクト部は前記半導体層の前記液晶層側に形成されている。

[0014] ある実施形態にぉヽて、前記画素領域は、それぞれが対応する TFTを介して前記ソースバスラインカ供給されるある信号電圧に対して、前記液晶層に互いに異なる電圧が印加される 2つの副画素領域を含み、前記 2つの副画素領域のそれぞれが、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメイン、第 4液晶ドメインおよび前記中央遮光部を有し、前記 2つの副画素領域のそれぞれに対応して、前記第 1電極、前記 TFT、前記ドレイン電極引出し配線および補助容量配線が設けられており、且つ、前記ドレイン電極引き出し配線の延設部と、前記補助容量配線の延設部と、これらの間に設けられた絶縁層および半導体層とを備える補助容量が設けられており、前記補助容量の前記半導体層は、前記 TFTの半導体層と同じ層から形成されている。

[0015] ある実施形態にお!、て、前記画素領域における前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインの面積は互いに略等、。

[0016] 本発明の他の液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向する第 1基板および第 2基板と、前記第 1基板の前記液晶層側に設けられた第 1電極および前記第 2基板の前記液晶層側に設けられた第 2電極と、前記液晶層に接するように設けられた少なくとも 1つの配向膜とを有し、画素領域は、ある中間調を表示するときに、正面視において、前記第 1電極のエッジ部よりも内側に前記ェッジ部に略平行に当該中間調よりも喑ヽ領域を形成する少なくとも 1つの液晶ドメインを有し、前記第 1基板または前記第 2基板は遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記暗い領域を選択的に遮光する少なくとも 1つの遮光部を含むことを特徴とする。

[0017] 本発明の他の液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向する第 1基板および第 2基板と、前記第 1基板の前記液晶層側に設けられた第 1電極および前記第 2基板の前記液晶層側に設けられた第 2電極と、前記液晶層に接するように設けられた少なくとも 1つの配向膜とを有し、画素領域は、電圧が印カロされたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が予め決められた第 1方向である第 1液晶ドメインを有し、前記第 1液晶ドメインは前記第 1電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第 1電極の内側に向力う方位角方向が前記第 1方向と 90° 超の角をなす第 1エッジ部を含み、前記第 1基板または前記第 2基板は遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記第 1エッジ部を選択的に遮光する第 1遮光部を含むことを特徴とする。

[0018] ある実施形態において、前記画素領域は、電圧が印加されたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が、第 2方向である第 2液晶ドメインと、第 3方向である第 3液晶ドメインと、第 4方向である第 4液晶ドメインとを更に有し、前記第 1方向、第 2方向、第 3方向および第 4方向は、任意の 2つの方向の差が 90° の整数倍に略等しい 4つの方向であり、前記第 2液晶ドメインは前記第 1電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第 1電極の内側に向力う方位角方向が前記第 2方向と 90° 超の角をなす第 2 エッジ部を含み、前記第 3液晶ドメインは前記第 1電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第 1電極の内側に向力方位角方向が前記第 3方向と 90° 超の角をなす第 3エッジ部を含み、前記第 4液晶ドメインは前記第 1電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第 1電極の内側に向かう方位角方向が前記第 4方向と 90° 超の角をなす第 4ェッジ部を含み、前記遮光部材は、前記第 2エッジ部を選択的に遮光する第 2遮光部、前記第 3エッジ部を選択的に遮光する第 3遮光部、および前記第 4エッジ部を選択的に遮光する第 4遮光部をさらに含む。

[0019] ある実施形態にぉ、て、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインは、前記チルト方向が、隣接する液晶ドメイン間で約 90° 異なるように配置されている。

[0020] ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を 0° とするとき、前記第 1方向は約 225° 、前記第 2方向は約 315° 、前記第 3方向は約 45° 、前記第 4 方向は約 135° 方向であって、前記第 1エッジ部および前記第 3エッジ部は垂直方向に平行であって、前記第 2エッジ部および前記第 4エッジ部は水平方向に平行である。

[0021] ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を 0° とするとき、前記第 1方向は約 225° 、前記第 2方向は約 315° 、前記第 3方向は約 45° 、前記第 4 方向は約 135° 方向であって、前記第 1エッジ部および前記第 3エッジ部は水平方向に平行であり、前記第 2エッジ部および前記第 4エッジ部は垂直方向に平行である

[0022] ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を 0° とするとき、前記第 1方向は約 225° 、前記第 2方向は約 315° 、前記第 3方向は約 45° 、前記第 4 方向は約 135° 方向であって、前記第 1エッジ部、前記第 2エッジ部、前記第 3エツジ部および前記第 4エッジ部は、それぞれ、水平方向に平行な第 1部分と垂直方向に平行な第 2部分を含む。

[0023] ある実施形態において、前記画素領域は、電圧が印加されたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が、第 2方向である第 2液晶ドメインと、第 3方向である第 3液晶ドメインと、第 4方向である第 4液晶ドメインとを更に有し、前記第 1方向、第 2方向、第 3方向および第 4方向は、任意の 2つの方向の差が 90° の整数倍に略等しい 4つの方向であり、前記第 1方向と前記第 2 方向とは約 180° の角をなし、前記第 2液晶ドメインは前記第 1電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第 1電極の内側に向力う方位角方向が前記第 2方向と 90° 超の角をなす第 2エッジ部を含み、前記第 1エツジ部および第 2エッジ部は、それぞれ、水平方向に平行な第 1部分と垂直方向に平行な第 2部分を含み、前記遮光部材は、第 2エッジ部の少なくとも一部を選択的に遮光する第 2遮光部をさらに含む。

[0024] ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を 0° とするとき、前記第 1方向は約 135° または約 225° である。

[0025] ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を 0° とするとき、前記第 1方向は約 90° 、前記第 2方向は約 180° 、前記第 3方向は約 0° 、前記第 4方向は約 270° 方向であって、前記第 1エッジ部および前記第 4エッジ部は水平方向に平行であり、前記第 2エッジ部および前記第 3エッジ部は垂直方向に平行である。

[0026] ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を 0° とするとき、前記第 1方向は約 225° 、前記第 2方向は約 315° 、前記第 3方向は約 45° 、前記第 4 方向は約 135° 方向であって、前記第 1エッジ部、第 2エッジ部、第 3エッジ部および第 4エッジ部は、ずれも垂直方向に平行である。

[0027] ある実施形態にお!、て、前記遮光部材は、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光する中央遮光部を含む。

[0028] ある実施形態にお!、て、前記遮光部材は、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域が、前記第 1エッジ部、第 2エッジ部、第 3エッジ部および第 4エッジ部のいずれカと交わる領域を遮光する更なる遮光部を含む。

[0029] ある実施形態において、前記第 1基板は、 TFT、ゲートバスライン、ソースバスライン、ドレイン引出し配線および補助容量配線をさらに有し、前記第 1遮光部、前記第 2 遮光部、前記第 3遮光部、前記第 4遮光部、前記中央遮光部または前記更なる遮光部は、前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記ドレイン引出し配線および前記補助容量配線カゝらなる群カゝら選択される少なくとも 1つの配線の少なくとも一部を含む。

[0030] ある実施形態において、前記少なくとも 1つの配線は、その長手方向に交差する方向に屈曲した部分または幅が広くなつた部分を有し、前記少なくとも 1つの配線の前記少なくとも一部は、前記屈曲部または前記幅広部の少なくとも一部を含む。

[0031] ある実施形態において、前記第 2基板は、ブラックマトリクス層をさらに有し、前記第 1遮光部、前記第 2遮光部、前記第 3遮光部、前記第 4遮光部、前記中央遮光部または前記更なる遮光部は、前記ブラックマトリクス層の一部によって形成されている。

[0032] ある実施形態において、前記液晶層を介して互いに対向し、透過軸が互いに直交するように配置された一対の偏光板を更に有し、前記第 1方向、第 2方向、第 3方向および第 4方向は、前記一対の偏光板の前記透過軸と約 45° の角をなす。

[0033] ある実施形態において、前記垂直配向型液晶層は、誘電異方性が負の液晶材料を含み、前記少なくとも 1つの配向膜は、前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜であって、一方の配向膜が規定するプレチルト方向と、他方の配向膜が規定するプレチルト方向は互いに略 90° 異なる。

[0034] ある実施形態において、前記少なくとも 1つの配向膜は前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜であって、前記一方の配向膜が規定するプレチルト角と、前記他方の配向膜が規定するプレチルト角とは互いに略等、。

[0035] ある実施形態において前記少なくとも 1つの配向膜は、光配向膜から形成されている。

[0036] 本発明のさらに他の液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向する第 1基板および第 2基板と、前記第 1基板の前記液晶層側に設けられた第 1電極および前記第 2基板の前記液晶層側に設けられた第 2電極と、前記液晶層に接するように設けられた少なくとも 1つの配向膜とを有し、画素領域は、電圧が印加されたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が、第 1方向である第 1液晶ドメインと、第 2方向である第 2液晶ドメインと、第 3方向である第 3液晶ドメインと、第 4方向である第 4液晶ドメインとを更に有し、前記第 1方向、第 2方向、第 3方向および第 4方向は、任意の 2つの方向の差が 9 0° の整数倍に略等しい 4つの方向であり、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインはそれぞれ他の液晶ドメインと隣接しており、前記遮光部材は、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光する中央遮光部を含む。

[0037] ある実施形態において、前記第 1液晶ドメインは前記第 1電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第 1電極の内側に向力う方位角方向が前記第 1方向と 90° 超の角をなす第 1エッジ部を含み、前記第 2液晶ドメインは前記第 1電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第 1電極の内側に向かう方位角方向が前記第 2方向と 90° 超の角をなす第 2エッジ部を含み、前記第 3液晶ドメインは前記第 1電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第 1電極の内側に向力う方位角方向が前記第 3方向と 90° 超の角をなす第 3エッジ部を含み、前記第 4液晶ドメインは前記第 1電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第 1電極の内側に向かう方位角方向が前記第 4方向と 90° 超の角をなす第 4エッジ部を含む。

[0038] ある実施形態にお!、て、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインは、 2行 2列のマトリクス状に配置されて、る。

[0039] ある実施形態にお!、て、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインは、所定の方向に一列に配置されて！、る。

[0040] ある実施形態にぉ、て、前記第 1基板は、 TFT、ゲートバスライン、ソースバスライン、ドレイン引出し配線および補助容量配線をさらに有し、前記中央遮光部は、前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記ドレイン引出し配線および前記補助容量配線カゝらなる群カゝら選択される少なくとも 1つの配線の少なくとも一部を含む。

[0041] ある実施形態において、前記少なくとも 1つの配線は、その長手方向に交差する方向に屈曲した部分または幅が広くなつた部分を有し、前記少なくとも 1つの配線の前記少なくとも一部は、前記屈曲部または前記幅広部の少なくとも一部を含む。

[0042] ある実施形態において、前記第 2基板は、ブラックマトリクス層をさらに有し、前記中央遮光部は、前記ブラックマトリクス層の一部によって形成されている。

[0043] ある実施形態において、前記液晶層を介して互いに対向し、透過軸が互いに直交するように配置された一対の偏光板を更に有し、前記第 1方向、第 2方向、第 3方向および第 4方向は、前記一対の偏光板の前記透過軸と約 45° の角をなす。

[0044] ある実施形態にぉ、て、前記垂直配向型液晶層は、誘電異方性が負の液晶材料を含み、前記少なくとも 1つの配向膜は、前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜であって、一方の配向膜が規定するプレチルト方向と、他方の配向膜が規定するプレチルト方向は互いに略 90° 異なる。

[0045] ある実施形態において、前記少なくとも 1つの配向膜は前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜であって、前記一方の配向膜が規定するプレチルト角と、前記他方の配向膜が規定するプレチルト角とは互いに略等、。

[0046] ある実施形態において、前記少なくとも 1つの配向膜は光配向膜から形成されている。

[0047] 本発明のさらに他の液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向する第 1基板および第 2基板と、前記第 1基板の前記液晶層側に設けられた第 1電極および前記第 2基板の前記液晶層側に設けられた第 2電極と、前記液晶層に接するように設けられた少なくとも 1つの配向膜とを有し、画素領域は、電圧が印加されたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が、第 1方向である第 1液晶ドメインと、第 2方向である第 2液晶ドメインと、第 3方向である第 3液晶ドメインと、第 4方向である第 4液晶ドメインとを更に有し、前記第 1方向、第 2方向、第 3方向および第 4方向は、任意の 2つの方向の差が 9 0° の整数倍に略等しい 4つの方向であり、前記第 1液晶ドメインは前記第 1電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第 1電極の内側に向力う方位角方向が前記第 1方向と 90° 超の角をなす第 1エッジ部を含み

、前記第 2液晶ドメインは前記第 1電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第 1電極の内側に向力う方位角方向が前記第 2方向と 90° 超の角をなす第 2エッジ部を含み、前記第 3液晶ドメインは前記第 1電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第 1電極の内側に向力う方位角方向が前記第 3方向と 90° 超の角をなす第 3エッジ部を含み、前記第 4液晶ドメインは前記第 1電極のエッジの少なくとも一部と近接し、前記少なくとも一部は、それに直交し前記第 1電極の内側に向力う方位角方向が前記第 4方向と 90° 超の角をなす第 4エッジ部を含み、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインはそれぞれ他の液晶ドメインと隣接しており、前記第 1基板または前記第 2基板は遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記第 1 液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域が、前記第 1エッジ部、第 2エッジ部、第 3エツジ部および第 4エッジ部のいずれかと交わる領域を遮光する遮光部を含む。

[0048] ある実施形態にぉ、て、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインは、前記チルト方向が、隣接する液晶ドメイン間で略 90° 異なるように配置されている。

[0049] ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を 0° とするとき、前記第 1方向は約 225° 、前記第 2方向は約 315° 、前記第 3方向は約 45° 、前記第 4 方向は約 135° 方向であって、前記第 1エッジ部および前記第 3エッジ部は垂直方向に平行であって、前記第 2エッジ部および前記第 4エッジ部は水平方向に平行である。

[0050] ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を 0° とするとき、前記第 1方向は約 225° 、前記第 2方向は約 315° 、前記第 3方向は約 45° 、前記第 4 方向は約 135° 方向であって、前記第 1エッジ部および前記第 3エッジ部は水平方向に平行であり、前記第 2エッジ部および前記第 4エッジ部は垂直方向に平行である [0051] ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を 0° とするとき、前記第 1方向は約 90° 、前記第 2方向は約 180° 、前記第 3方向は約 0° 、前記第 4方向は約 270° 方向であって、前記第 1エッジ部および前記第 4エッジ部は水平方向であり、前記第 2エッジ部および前記第 3エッジ部は垂直方向に平行である。

[0052] ある実施形態において、表示面における水平方向の方位角を 0° とするとき、前記第 1方向は約 225° 、前記第 2方向は約 315° 、前記第 3方向は約 45° 、前記第 4 方向は約 135° 方向であって、前記第 1エッジ部、第 2エッジ部、第 3エッジ部および第 4エッジ部は、ずれも垂直方向に平行である。

[0053] ある実施形態において、前記遮光部は略三角形を有している。

[0054] ある実施形態にお!、て、前記遮光部材は、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光する中央遮光部を含む。

[0055] ある実施形態において、前記第 1基板は、 TFT、ゲートバスライン、ソースバスライン、ドレイン引出し配線および補助容量配線をさらに有し、前記遮光部または前記中央遮光部は、前記ゲートバスライン、前記ソースバスライン、前記ドレイン引出し配線および前記補助容量配線力なる群力選択される少なくとも 1つの配線の少なくとも一部を含む。

[0056] ある実施形態において、前記第 2基板は、ブラックマトリクス層をさらに有し、前記遮光部または前記中央遮光部は前記ブラックマトリクス層の一部によって形成されている。

[0057] ある実施形態において、前記液晶層を介して互いに対向し、透過軸が互いに直交するように配置された一対の偏光板を更に有し、前記第 1方向、第 2方向、第 3方向および第 4方向は、前記一対の偏光板の前記透過軸と約 45° の角をなす。

[0058] ある実施形態において、前記垂直配向型液晶層は、誘電異方性が負の液晶材料を含み、前記少なくとも 1つの配向膜は、前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜であって、一方の配向膜が規定するプレチルト方向と、他方の配向膜が規定するプレチルト方向は互いに略 90° 異なる。

[0059] ある実施形態において、前記少なくとも 1つの配向膜は前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜であって、前記一方の配向膜が規定するプレチルト角と、前記他方の配向膜が規定するプレチルト角とは互いに略等、。

[0060] ある実施形態において、前記少なくとも 1つの配向膜は光配向膜から形成されている。

発明の効果

[0061] 本発明によると VAモードの液晶表示装置の表示品位、特に視角依存性を向上させることができる。また、本発明は、特に、配向膜を用いて配向分割構造を形成した液晶表示装置の表示品位を向上させることができる。

図面の簡単な説明

[0062] [図 1]本発明による VAモードの液晶表示装置における配向分割構造を有する画素領域の例を示す図である。

[図 2] (a)および (b)は、本発明による VAモードの液晶表示装置における配向分割構造を有する画素領域の例を示す図である。

[図 3] (a)および (b)は、本発明による VAモードの液晶表示装置における配向分割構造を有する画素領域の他の例を示す図である。

[図 4] (a)および (b)は、本発明による VAモードの液晶表示装置における配向分割構造を有する画素領域のさらに他の例を示す図である。

[図 5] (a)および (b)は、本発明による VAモードの液晶表示装置における配向分割構造を有する画素領域のさらに他の例を示す図である。

[図 6]本発明による VAモードの液晶表示装置の画素領域の断面図であり、液晶層中に形成される電界の等電位線、液晶分子の配向方向および透過率をシミュレーションで求めた結果を示す図である。

[図 7]本発明による VAモードの液晶表示装置の画素領域の断面図であり、液晶層中に形成される電界の等電位線、液晶分子の配向方向および透過率をシミュレーションで求めた結果を示す図である。

[図 8]本発明による VAモードの液晶表示装置の画素領域の断面図であり、液晶層中に形成される電界の等電位線、液晶分子の配向方向および透過率をシミュレーションで求めた結果を示す図である。 [図 9]本発明による VAモードの液晶表示装置の画素領域の断面図であり、液晶層中に形成される電界の等電位線、液晶分子の配向方向および透過率をシミュレーションで求めた結果を示す図である。

[図 10]図 2 (a)に示した画素領域を方位角 45° 方向から観察したときの透過強度の分布を示すグラフである。

[図 11]本発明による液晶表示装置の画素構造の例を示す模式図である。

[図 12]本発明による液晶表示装置の画素構造の他の例を示す模式図である。

[図 13]本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。

[図 14]本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。

[図 15]図 14に示した画素構造の断面図を示す模式図である。

[図 16]本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。

[図 17]図 16に示した画素構造の断面図を示す模式図である。

[図 18]本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。

[図 19]本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。

[図 20]本発明による VAモードの液晶表示装置における配向分割構造を有する画素領域における配向不良が発生する他の領域の例を示す模式図である。

[図 21]本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。

[図 22]本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。

[図 23]本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。

[図 24]図 23の 24A— 24A，線に沿った模式的な断面図である。

[図 25]本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。符号の説明

1 TFT基板

la、 2a 透明基板

2 CF基板

3 液晶層

3a 液晶分子

10 画素領域 11 画素電極

12 対向電極

111 画素電極

111a 畐 ij画素電極

111E 画素電極幅広部または副画素電極幅広部

112 ゲートバスライン

113 CSバスライン (補助容量配線）

113E CSバスライン延設部

114 ソースノスライン

116、 116a, 116b TFT

117 ドレイン引出し配線

117E ドレイン引出し配線の延設部

SD1〜SD4 画素電極エッジ

EG1〜EG4 画素電極エッジ部

A〜D 液晶ドメイン

tl〜t4 チルト方向（基準配向方向）

el〜_e4 画素電極のエッジに直交し、画素電極の内側に向力う方位角方向発明を実施するための最良の形態

[0064] 以下、図面を参照しながら、本発明による実施形態の液晶表示装置の構成を説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本発明は、少なくとも 1つの配向膜を用いてプレチルト方向が規制された垂直配向型の液晶層を備える液晶表示装置において、配向不良が発生する場所に遮光膜を設けることによって、表示品位を向上させる。

[0065] 配向不良が発生する場所によって、表示品位への影響が異なるので、要求される表示特性に応じて、遮光部を設けて隠す配向不良が異なる。以下では、画素領域内の 3つの場所 (電極エッジ部、中央部および交差領域）に発生する配向不良に分けて説明する。 3つの場所を独立に遮光してもよいし、任意の 2以上の場所を遮光しても良ぐ全てを遮光してもよい。本明細書において、「垂直配向型液晶層」とは、垂直配向膜の表面に対して、液晶分子軸（「軸方位」ともいう。）が約 85° 以上の角度で配向した液晶層をいう。液晶分子は負の誘電異方性を有し、クロス-コル配置された偏光板と組み合わせて、ノーマリーブラックモードで表示を行う。なお、配向膜は少なくとも一方に設ければ良いが、配向の安定性の観点から両側に設けることが好ましい。以下の実施形態では、両側に垂直配向膜を設けた例を説明する。また、電極エッジ部に形成される配向不良以外は、配向分割構造において発生するので、特に視野角特性に優れる 4分割構造を例に説明する。なお、本明細書において「画素」とは、表示において特定の階調を表現する最小の単位を指し、カラー表示においては、例えば、 R、 Gおよび Bのそれぞれの階調を表現する単位に対応し、ドットとも呼ばれる。 R画素、 G画素および B画素の組み合わせが、 1つのカラー表示画素を構成する。「画素領域」は、表示の「画素」に対応する液晶表示装置の領域を指す。「プレチルト方向」は、配向膜によって規制される液晶分子の配向方向であって、表示面内の方位角方向を指す。また、このとき液晶分子が配向膜の表面となす角をプレチルト角と呼ぶ。プレチルト方向は、配向膜に、ラビング処理または光配向処理を行うことによって規定されることになる。液晶層を介して対向する一対の配向膜のプレチルト方向の組み合わせを変えることによつて 4分割構造を形成することができる。 4分割された画素領域は、 4つの液晶ドメイン（単に「ドメイン」ということもある。）を有する。それぞれの液晶ドメインは、液晶層に電圧が印加されたときの液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向（「基準配向方向」ということもある。）に特徴付けられ、このチルト方向（基準配向方向）が各ドメインの視角依存性に支配的な影響を与える。チルト方向も方位角方向である。方位角方向の基準は、表示の水平方向とし、左回りに正をとる (表示面を時計の文字盤に例えると 3時方向を方位角 0° として、反時計回りを正とする）。 4つの液晶ドメインのチルト方向力任意の 2つの方向の差が 90° の整数倍に略等しい 4つの方向（例えば、 12時方向、 9時方向、 6時方向、 3時方向）となるように設定することによって、視野角特性が平均化され、良好な表示を得ることができる。また、視野角特性の均一さの観点からは、 4つの液晶ドメインの画素領域内に占める面積は互いに略等しくすることが好ましい。具体的には、 4つの液晶ドメインの内の最大の液晶ドメインの面積と最小の液晶ドメインの面積との差力最大の面積の 25%以下であることが好ましい。

[0067] 以下の実施形態で例示する垂直配向型液晶層は、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含み、液晶層の両側に設けられた一対の配向膜の一方の配向膜が規定するプレチルト方向と、他方の配向膜が規定するプレチルト方向は互いに略 90° 異なっており、これら 2つのプレチルト方向の中間の方向にチルト角（基準配向方向）が規定されている。カイラル剤は添加しておらず、液晶層に電圧を印加したときには、配向膜の近傍の液晶分子は配向膜の配向規制力に従ってツイスト配向をとる。必要に応じてカイラル剤を添加しても良い。このように、一対の配向膜によって規定されるプレチルト方向（配向処理方向）が互いに直交する垂直配向膜を用いることにより、液晶分子がツイスト配向となる VAモードは、 VATN (Vertical Alignment Twist ed Nematic)モードと呼ばれることもある（例えば特許文献 2)。

[0068] VATNモードにおいては、本出願人が特願 2005— 141846号に記載しているように、一対の配向膜のそれぞれによって規定されるプレチルト角は互いに略等、ことが好ましい。プレチルト角が略等しい配向膜を用いることによって、表示輝度特性を向上させることができるという利点が得られる。特に、一対の配向膜によって規定されるプレチルト角の差を 1° 以内にすることによって、液晶層の中央付近の液晶分子のチルト方向（基準配向方向）を安定に制御することが可能となり、表示輝度特性を向上させることができる。これは、上記プレチルト角の差が 1° 超になると、チルト方向が液晶層内の位置によってばらつき、その結果、透過率がばらつく（すなわち所望の透過率よりも低い透過率となる領域が形成される)ためと考えられる。

[0069] 液晶分子のプレチルト方向を配向膜に規定させる方法としては、ラビング処理を行う方法、光配向処理を行う方法、配向膜の下地に微細な構造を予め形成しておきその微細構造を配向膜の表面に反映させる方法、あるいは、 SiOなどの無機物質を斜め蒸着することによって表面に微細な構造を有する配向膜を形成する方法などが知られている力量産性の観点からは、ラビング処理または光配向処理が好ましい。特に、光配向処理は、非接触で処理できるので、ラビング処理のように摩擦による静電気の発生が無ぐ歩留まりを向上させることが出来る。さらに、上記特願 2005— 141 846号に記載されているように、感光性基を含む光配向膜を用いることによって、プレチルト角のばらつきを 1° 以下に制御することができる。感光性基としては、特に、 4 —カルコン基、 4'—カルコン基、クマリン基、及び、シンナモイル基カもなる群より選ばれる少なくとも一つの感光性基を含むことが好ま、。

[0070] 以下の実施形態では、典型的な例として、 TFT型の液晶表示装置を示すが、本発明は他の駆動方式の液晶表示装置に適用できることも言うまでもない。

[0071] (エッジ部および中央部）

まず、電極エッジ部に発生する配向不良について説明する。

[0072] 本発明者は、配向膜を用いてプレチルト方向が規制された垂直配向型液晶層を備えた液晶表示装置において、ある中間調を表示するための電圧が印加されたとき、正面視において、画素電極のエッジ部よりも内側にエッジ部に略平行に、表示すベき中間調よりも暗い領域が形成されることを見出した。配向分割した場合には、液晶ドメインが近接する画素電極のエッジの内で、それに直交し画素電極の内側に向力う方位角方向が液晶ドメインのチルト方向（基準配向方向）と 90° 超の角をなすエッジ部が存在すると、このエッジ部よりも内側にエッジ部に略平行に、表示すべき中間調よりも暗い領域が形成される。これは、液晶ドメインのチルト方向と画素電極のエッジに生成される斜め電界による配向規制力の方向が互いに対向する成分を有することになるために、この部分で液晶分子の配向が乱れると考えられる。

[0073] ここで、「中間調」とは、黒 (最低階調)および白（最高階調)を除く任意の階調を指す。上記暗い領域が形成されるという現象は、原理的には、黒以外の階調（白を含む )を表示するときに発生するが、暗い領域の視認のされ易さは比較的高い階調で起こる。また、本明細書において、特に視角方向を示さない場合、正面視 (表示面法線方向から観察した場合）における表示状態を表すことにする。

[0074] 図 1に示した 4分割構造の画素領域 10について説明する。図 1には、簡単のために、略正方形の画素電極に対応して形成された画素領域 10を示しているが、本発明は画素領域の形状に制限されるものではない。

[0075] 画素領域 10は、 4つの液晶ドメイン A、 B、 Cおよび Dを有しており、それぞれのチルト方向（基準配向方向）を tl、 t2、 t3および t4とすると、これは、任意の 2つの方向の差が 90° の整数倍に略等しい 4つの方向である。液晶ドメイン A、 B、 Cおよび Dの面積も互いに等しぐ視角特性上最も好ましい 4分割構造の例である。 4つの液晶ドメインは、 2行 2列のマトリクス状に配列されて、る。

[0076] 画素電極は、 4つのエッジ（辺） SD1、 SD2、 SD3および SD4を有しており、電圧印加時に生成する斜め電界はそれぞれの辺に直交し、画素電極の内側に向かう方向（方位角方向）の成分を有する配向規制力を生成する。図 1では、 4つのエッジ SD1、 SD2、 SD3および SD4〖こ直交し、画素電極の内側に向力う方位角方向を el、 e2、 e 3および e4で示して!/、る。

[0077] 4つの液晶ドメインのそれぞれは、画素電極の 4つのエッジの内の 2つと近接しており、電圧印加時には、それぞれのエッジに生成される斜め電界による配向規制力を受ける。

[0078] 液晶ドメイン Aが近接する画素電極のエッジの内のエッジ部 EG1は、それに直交し画素電極の内側に向力う方位角方向 elが液晶ドメインのチルト方向 tlと 90° 超の角をなし、この領域に配向乱れが発生する。その結果、液晶ドメイン Aは、電圧印加時に、このエッジ部 EG1に平行に他の領域よりも暗い領域 (ドメインライン DL1)を生じる。なお、ここで、液晶層を介して互いに対向するように配置される一対の偏光板の透過軸 (偏光軸）は、互いに直交するように配置されており、一方が水平方向、他方が垂直方向に配置されている。以下、特に示さない限り、偏光板の透過軸の配置はこれと同じである。

[0079] 同様に、液晶ドメイン Bが近接する画素電極のエッジの内エッジ部 EG2は、それに直交し画素電極の内側に向力う方位角方向 e2が液晶ドメインのチルト方向 t2と 90° 超の角をなし、この領域に配向乱れが発生する。その結果、液晶ドメイン Bは、電圧印加時に、このエッジ部 EG2に平行に他の領域よりも暗い領域 (ドメインライン DL2) を生じることがある。

[0080] 同様に、液晶ドメイン Cが近接する画素電極のエッジの内エッジ部 EG3は、それに直交し画素電極の内側に向力う方位角方向 e3が液晶ドメインのチルト方向 t3と 90° 超の角をなし、この領域に配向乱れが発生する。その結果、液晶ドメイン Cは、電圧印加時に、このエッジ部 EG3に平行に他の領域よりも暗い領域 (ドメインライン DL3) を生じることがある。

[0081] 同様に、液晶ドメイン Dが近接する画素電極のエッジの内エッジ部 EG4は、それに直交し画素電極の内側に向力う方位角方向 e4が液晶ドメインのチルト方向 t4と 90° 超の角をなし、この領域に配向乱れが発生する。その結果、液晶ドメイン Dは、電圧印加時に、このエッジ部 EG4に平行に他の領域よりも喑、領域 (ドメインライン DL4) を生じることがある。

[0082] 表示面における水平方向の方位角（3時方向）を 0° とすると、チルト方向 tlは約 2 25° (液晶ドメィン八）、 2は約315° (液晶ドメイン B)、t3は約 45° (液晶ドメイン C )、 t4は約 135° 方向（液晶ドメイン D)であって、液晶ドメイン A、 B、 Cおよび Dは、それぞれのチルト方向力隣接する液晶ドメイン間で約 90° 異なるように配置されている。液晶ドメイン A、 B、 Cおよび Dのチルト方向 tl、 t2、 t3および t4のそれぞれ力近接するエッジ部 EG1、 EG2、 EG3および EG4に生成される斜め電界による配向規制力の方位角成分 el、 e2、 e3および e4となす角は、いずれも約 135° である。

[0083] このようにエッジ部 EG1、 EG2、 EG3および EG4に平行に画素領域 10内に形成される暗い領域 (ドメインライン DL1〜4)は、後述するように視野角特性を低下させるので、エッジ部 EG1、 EG2、 EG3および EG4の少なくとも一部を選択的に遮光する遮光部を設けることにより、視野角特性の低下を抑制することが出来る。

[0084] ここで、「エッジ部を遮光する」とは、エッジ部 EG1、 EG2、 EG3および EG4だけでなぐエッジ部の近傍の画素領域内に形成される暗い領域 (ドメインライン DL1〜4) を遮光することを意味する。ドメインラインが形成される位置 (画素電極のエッジ部からの距離は、画素電極の大きさなどに依存する力典型的には、画素電極のエッジ部から 10 μ mから 20 μ m程度の範囲までを遮光するように遮光部を配置すればよ!ヽ。また、「ある領域を選択的に遮光する遮光部」とは、もっぱら当該領域だけを遮光するために設けられた遮光部であることを意味する。但し、ある領域を選択的に遮光する遮光部が他の遮光部と分離独立して形成される必要は無い。なお、視野角特性の低下を抑制するという観点力は、ドメインラインの全てを遮光するように遮光部を設けることが好ましいが、遮光部を設けると光の利用効率 (画素の有効開口率)が低下する。エッジ部 (その近傍に形成されるドメインラインを含む)の少なくとも一部を遮光する遮光部を設ければ、少なくともその分だけ視野角特性の低下を抑制できるので、液晶表示装置に要求される特性に応じて、光の利用効率とのバランスを考慮して、遮光する部分を設定すれば良、。

[0085] なお、典型的には、エッジ部およびエッジ部の近傍の画素領域内に形成されるドメインラインを遮光するように遮光部が設けられるが、画素開口率と視野角特性とのバランスを考慮して、画素開口率を優先する場合には、遮光部の面積を小さくするために、エッジ部は遮光せず、ドメインラインの全部または一部だけを遮光する構成としてもよい。以下では、エッジ部およびドメインラインの全部を遮光する実施形態を主に例示するが、いずれの実施形態においても、少なくともドメインラインの一部を選択的に遮光する遮光部を設けることによって、視野角特性を向上させることができる。

[0086] 上述した 4つの液晶ドメイン A〜Dに配向分割する方法 (液晶ドメインの画素領域内の配置）は図 1の例に限られない。図 2〜図 5を参照しながら、配向分割方法 (液晶ドメインの配置)を説明する。

[0087] 図 2 (a)は図 1に示した画素領域 10の分割方法を説明するための図である。 TFT 側基板（下側基板)の配向膜のプレチルト方向 PA1および PA2、カラーフィルタ (CF )基板 (上側基板)の配向膜のプレチルト方向 PB1および PB2と、液晶層に電圧を印カロしたときのチルト方向および配向乱れによって暗く見える領域 (ドメインライン) DL1 〜DL4を示している。この領域はいわゆるディスクリネーシヨンラインではない。これらの図は、観察者側力見たときの液晶分子の配向方向を模式的に示しており、円柱状に示した液晶分子の端部 (楕円形部分)が描かれている方が観察者に近づくように、液晶分子がチルトしていることを示している。

[0088] 図 2 (a)に示すように配向処理を行うことによって画素領域 10を形成することが出来る。 TFT基板側の画素領域を 2つに分割し、垂直配向膜に反平行なプレチルト方向 PA1および PA2を付与するように配向処理する。ここでは、矢印で示した方向から紫外線を斜め照射することによって光配向処理を行う。 CF基板側の画素領域を 2つに分割し、垂直配向膜に反平行なプレチルト方向 PB1および PB2を付与するように配向処理する。これらの基板を貼り合せることによって、画素領域 10の配向分割構造を得ることができる。なお、光配向処理における光照射の方向は上記の例に限られず、例えば CF基板側を縦方向（列方向）に傾斜した方向から照射し、 TFT基板側を横方向（行方向）に傾斜した方向から照射しても良い。

[0089] 図 1を参照しながら説明したように、液晶ドメイン Aにはエッジ部 EG1に平行にドメインライン DL1が生じ、液晶ドメイン Bにはエッジ部 EG2に平行にドメインライン DL2が形成され、液晶ドメイン Cにはエッジ部 EG3に平行にドメインライン DL3が形成され、液晶ドメイン Dにはエッジ部 EG4に平行にドメインライン DL4が形成される。 4つのドメインライン DL1〜DL4の長さの合計は、画素電極のエッジの全長の約 2分の 1になる。エッジ部 EG1 (ドメインライン DL1)およびエッジ部 EG3 (ドメインライン DL3)は垂直方向に平行であって、エッジ部 EG2 (ドメインライン DL2)およびエッジ部 EG4 (ドメインライン DL4)は水平方向に平行である。

[0090] また、図 2 (a)に示されて、るように、液晶ドメイン A〜Dのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に、破線 CL1で示す位置に暗いラインが観察される。後に示すように、画素領域の中央部に形成される十字状の暗！ヽラインは必ずしも配向不良では無ぐ積極的に遮光する必要は無いが、画素領域内に遮光性の部材を配置する必要がある場合には、この暗いラインに重なるように配置すると、画素の有効開口率 (光の利用効率)を向上させることができる。

[0091] また、図 2 (b)に示すように配向処理した TFT基板と CF基板とを貼り合せることによつて、画素領域 20の配向分割構造を得ることができる。この画素領域 20も 4つの液晶ドメイン A〜Dを有する。液晶ドメイン A〜Dのそれぞれのチルト方向は、図 1に示した画素領域 10の液晶ドメインと同じである。

[0092] 液晶ドメイン Aにはエッジ部 EG1に平行にドメインライン DL1が生じ、液晶ドメイン B にはエッジ部 EG2に平行にドメインライン DL2が形成され、液晶ドメイン Cにはエッジ部 EG3に平行にドメインライン DL3が形成され、液晶ドメイン Dにはエッジ部 EG4に平行にドメインライン DL4が形成される。 4つのドメインライン DL1〜DL4の長さの合計は、画素電極のエッジの全長の約 2分の 1になる。エッジ部 EG 1 (ドメインライン DL 1)およびエッジ部 EG3 (ドメインライン DL3)は水平方向に平行であって、エッジ部 E G2 (ドメインライン DL2)およびエッジ部 EG4 (ドメインライン DL4)は垂直方向に平行である。また、図 2 (b)に示されているように、液晶ドメイン A〜Dのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に破線 CL1で示す位置に喑、ラインが観察される。この喑、ラインは画素領域の中央部に十字状に形成される。

[0093] また、図 3 (a)に示すように配向処理した TFT基板と CF基板とを貼り合せることによつて、画素領域 30の配向分割構造を得ることができる。この画素領域 30も 4つの液晶ドメイン A〜Dを有する。液晶ドメイン A〜Dのそれぞれのチルト方向は、図 1に示した画素領域 10の液晶ドメインと同じである。

[0094] 液晶ドメイン Aおよび Cは、これらのチルト方向 tlおよび t3が画素電極のエッジ部の方に向いていないため、これらの液晶ドメインにはドメインラインは形成されない。一方、液晶ドメイン Bおよび Dは、これらのチルト方向 t2および t4力画素電極のエッジ部の方に向いており、且つ、エッジ部に直交し、画素電極の内側に向力う方位角方向に対して 90° 超の角をなすので、ドメインライン DL2および DL4を生成する。ドメインライン DL2および DL4は、それぞれ、水平方向に平行な部分 (H)と垂直方向に平行な部分 (V)を含む。すなわち、チルト方向 t2および t4は、水平なエッジに対しても、垂直なエッジに対しても、エッジ部に直交し画素電極の内側に向力う方位角方向に対して 90° 超の角を形成するので、両方向にドメインラインを生じるのである。また、図 3 (a)に示されているように、液晶ドメイン A〜Dのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に破線 CL1で示す位置に喑、ラインが観察される。この喑、ラインは画素領域の中央部に十字状に形成される。

[0095] また、図 3 (b)に示すように配向処理した TFT基板と CF基板とを貼り合せることによつて、画素領域 40の配向分割構造を得ることができる。この画素領域 40も 4つの液晶ドメイン A〜Dを有する。液晶ドメイン A〜Dのそれぞれのチルト方向は、図 1に示した画素領域 10の液晶ドメインと同じである。

[0096] 液晶ドメイン Aおよび Cでは、これらのチルト方向 tlおよび t3は、画素電極のエッジ部の方に向いており、且つ、エッジ部に直交し、画素電極の内側に向力う方位角方向に対して 90° 超の角をなすので、ドメインライン DL1および DL3を生成する。ドメインライン DL1および DL3は、それぞれ、水平方向に平行な部分 DL1 (H)、 DL3 ( H)と垂直方向に平行な部分 DL1 (V)、 DL3 (V)を含む。チルト方向 tlおよび t3は、画素電極の水平なエッジに対しても、垂直なエッジに対しても、それに直交し画素電極の内側に向かう方位角方向に対して 90° 超の角を形成するので、両方向にドメインラインを生じるのである。一方、液晶ドメイン Bおよび Dは、これらのチルト方向 t2および t4力画素電極のエッジ部の方に向いていないため、これらの液晶ドメインにはドメインラインは形成されない。また、図 3 (b)に示されているように、液晶ドメイン A〜 Dのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に破線 CL1で示す位置に暗いラインが観察される。この暗いラインは画素領域の中央部に十字状に形成される。

[0097] また、図 4 (a)に示すように配向処理した TFT基板と CF基板とを貼り合せることによつて、画素領域 50の配向分割構造を得ることができる。この画素領域 50も 4つの液晶ドメイン A〜Dを有する。液晶ドメイン A〜Dのそれぞれのチルト方向は、図 1に示した画素領域 10の液晶ドメインと同じである。

[0098] 液晶ドメイン A〜Dは、これらのチルト方向 tl〜t4のすべてが、画素電極のエッジ部の方に向いており、且つ、エッジ部に直交し、画素電極の内側に向力う方位角方向に対して 90° 超の角をなすので、ドメインライン DL1〜DL4を生成する。ドメインライン DL1〜DL4は、それぞれ、水平方向に平行な部分 DLl (H)、 DL2 (H)、 DL3 ( H)、 DL4 (H)と垂直方向に平行な部分 DLl (V)、 DL2 (V)、 DL3 (V)、 DL4 (V)を含む。チルト方向 tl〜t4はいずれも画素電極の水平なエッジに対しても、垂直なェッジに対しても、それに直交し画素電極の内側に向力う方位角方向に対して 90° 超の角を形成するので、両方向にドメインラインを生じるのである。また、図 4 (a)に示されて、るように、液晶ドメイン A〜Dのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に破線 CL 1で示す位置に喑、ラインが観察される。この喑、ラインは画素領域の中央部に十字状に形成される。

[0099] なお、図 4 (b)に示すように配向処理した TFT基板と CF基板とを貼り合せることによつて、画素領域 60の配向分割構造を得ることができる。この画素領域 60も 4つの液晶ドメイン A〜Dを有する。液晶ドメイン A〜Dのそれぞれのチルト方向は、図 1に示した画素領域 10の液晶ドメインと同じである。

[0100] 液晶ドメイン A〜Dは、これらのチルト方向 tl〜t4のすべてが、画素電極のエッジ部の方に向いていないので、ドメインラインは形成されない。一方、液晶ドメイン A〜 Dのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に破線 CL1で示す位置に暗いラインが観察される。この暗いラインは画素領域の中央部に十字状に形成される。

[0101] 上記の 4分割構造は、 4つの液晶ドメインを 2行 2列のマトリクス状に配列した例であつたがこれに限られず、図 5 (a)および (b)に示すように、所定の方向に一列に配列してもよ、。ここでは列方向に一列に配列した例を示して、る。

[0102] 図 5 (a)に示す画素領域 70も、 4つの液晶ドメイン A〜Dを有する。液晶ドメイン A〜 Dのそれぞれのチルト方向は、図 1に示した画素領域 10の液晶ドメインと同じである。液晶ドメイン A〜Dは、これらのチルト方向 tl〜t4力画素電極のエッジ部の方に向いており、且つ、エッジ部に直交し、画素電極の内側に向かう方位角方向に対して 9 0° 超の角をなすので、ドメインライン DL1〜DL4を生成する。ドメインライン DL1〜 DL4はいずれも垂直方向（すなわち、液晶ドメインの配列方向）に平行である。また、液晶ドメイン A〜Dのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に暗いラインが観察される。この暗いラインは画素領域の中央部に水平方向（すなわち液晶ドメインの配列方向に直交する方向に）に形成される。

[0103] また、図 5 (b)に示す画素領域 80は、 4つの液晶ドメイン A'〜D 'のそれぞれのチルト方向は図示したように、 90° 、 180° 、0° 、 270° であって、液晶ドメイン A，および D'のドメインライン DL1 'および DL4'は水平方向に平行であり、ドメインライン D L2'およびドメインライン DL3'は垂直方向に平行である。また、液晶ドメイン A，〜D' のそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域に喑、ラインが観察される。この暗いラインは画素領域の中央部に水平方向（すなわち液晶ドメインの配列方向に直交する方向に）に形成される。なお、このようにチルト方向を設定した場合は、偏光板の透過軸は、水平方向に対して ±45° 方向に配置することが好ましい。

[0104] 次に、図 6〜9を参照して、画素電極のエッジ部の近傍のドメインラインおよび画素領域の中央の暗いライン (例えば図 2中の十字)が形成される現象を説明する。図 6 〜9は、液晶表示装置の画素領域の断面図であり、液晶層 3中に形成される電界の等電位線、液晶分子 3aの配向方向および相対透過率 (正面）をシミュレーションで求めた結果を示している。

[0105] この液晶表示装置は、透明基板 (例えばガラス基板） laと透明基板 la上に形成された画素電極 11を備える TFT基板 1と、透明基板 (例えばガラス基板) 2aと透明基板 2a上に形成された対向電極 12を備える CF基板 2と、 TFT基板 1と CF基板 2との間に設けられた垂直配向型液晶層 3とを有している。 TFT基板 1および CF基板 2の液晶層 3側の表面には垂直配向膜 (不図示）が設けられており、それぞれ図中に矢印、矢先および矢尻の記号で示すようにプレチルト方向を規制するように配向処理されている。

[0106] まず、図 6を参照する。図 6は、例えば図 2 (b)の液晶ドメイン Dのドメインライン DL4 が形成されるエッジ部を含む左側半分の方位角が 0° の線に沿った断面図に対応する。図 6に示した画素電極 11のエッジ部において、液晶ドメインの中央付近 (層面内および厚さ方向における中央付近)の液晶分子 3a (チルト方向 135° )が、画素電極 11のエッジ部に生成される斜め電界による配向規制力（方位角方向が 0° )によつて、画素電極のエッジ部に近づくにつれて捩れている様子が分かる。この捩れ角はここでは 135° であり、 90° を超えているので、この捩れの領域における液晶層のリタデーシヨン変化に起因して、図示したように相対透過率が複雑に変化し、画素領域内に（画素電極のエッジよりも内側に)相対透過率が極小値をとるドメインラインが形成される。図 6中の点線で囲んだ領域に見られる透過率が極小値をとる部分力例えば、図 2 (b)中の液晶ドメイン D中のドメインライン DL4に対応する。

[0107] これに対し、図 7に示すようにドメインラインが形成されない画素電極エッジ部における液晶分子の捩れ角（液晶ドメインの中央付近の液晶分子と画素電極 11のエッジ部に生成される斜め電界によって配向規制された液晶分子のチルト方向の差）は 90 ° 以下であり、画素領域の中央部から端部に向かうにつれて相対透過率は単調に減少し、画素領域内で相対透過率が極小値をとることなく画素領域外で極小となる（図 7の左端)。図 7は、例えば図 2 (b)の液晶ドメイン Dのドメインライン DL4が形成されな、エッジ部を含む下側半分の方位角が 90° の線に沿った断面図に対応する。

[0108] また、図 8および図 9に示すように、画素領域内で液晶ドメインが隣接する境界領域においても液晶分子の捩れ角は 90° 以下なので、相対透過率の変化は単純で、一つの極小値をとる。図 8は、例えば、図 2 (b)における液晶ドメイン Dと Aとの境界領域の方位角が 0° の線に沿った断面図に対応し、図 9は、例えば、図 4 (b)における液晶ドメイン Bと Aとの境界領域の方位角が 0° の線に沿った断面図に対応する。 [0109] 図 10に、画素領域 10を方位角 45° 方向から観察したときの透過強度の分布を示す。図 10に示す 4つの透過強度分布を示すグラフは、それぞれ、図中 I〜IVで示した線に沿った透過強度分布を示している。また、それぞれのグラフにおいて、極角が 0° (正面）、 45° 、60° の 3つの視角方向における結果を示している。

[0110] グラフ Iの左端、グラフ IIの右端、グラフ IIIの右端、グラフ IVの左端に現れるドメインラインでは、極角によって、透過強度の振る舞いが大きく異なっていることがわかる（特にグラフ ΠΙにおいて顕著)。すなわち、透過強度が最小となる位置が極角によって異なっており、例えば、正面 (極角 0° )で極小になっているにも関わらず、極角 45° や 60° においては極大になっている。このように、極角によって透過強度が異なると、視角特性が低下する。特に、「白浮き」と呼ばれる γ特性の視角依存性が低下する

[0111] 上述した画素電極のエッジ部に形成されるドメインラインの少なくとも一部を選択的に遮光する遮光部を設けることによって、視角特性の低下を抑制することができる。また、このエッジ部に形成されるドメインラインは、液晶層の中央付近の液晶分子のチルト方向が電極エッジに対して上述の配置関係にある場合に生成されるので、配向分割構造を有しない、通常の画素領域においても生成され得る。従って、画素電極のエッジ部に形成されるドメインラインに起因する視角特性の低下を抑制するためには、配向分割構造の有無に関わらず、ドメインラインの少なくとも一部を選択的に遮光する遮光部を設けることが好まし、。

[0112] 一方、画素領域の中央部に形成される暗いライン (たとえば十字状のライン CL1) は必ずしも配向不良では無ぐ積極的に遮光する必要は無いが、画素領域内に遮光性の部材を配置する必要がある場合には、この暗いラインに重なるように配置すると、画素の有効開口率 (光の利用効率)を向上させることができる。

[0113] 以下に、遮光部の好ましい形態を具体的に説明する。以下に説明する遮光部は、それぞれ単独で、また、他の遮光部と組み合わせて用いることができる。

[0114] TFT型液晶表示装置は、遮光性部材を備えて、る。例えば、 TFT基板は、ゲートノスライン、ソースバスライン、ドレイン引出し配線および補助容量配線 (以下、「CS バスライン」という。）を有している。また、 CF基板は、画素領域に対応して設けられるカラーフィルタの周辺を遮光するためのブラックマトリクスを有して、る。これらの遮光部材を用いて、上述したドメインラインの少なくとも一部を選択的に遮光する遮光部を形成すればよい。また、画素領域内に配置する遮光部材による光の利用効率の低減を抑制するために、隣接する液晶ドメイン間に形成される喑ヽ領域に遮光部材を配置することが好ましい。

[0115] 以下に、本発明による液晶表示装置の画素構造の例を示す。以下の図においては、実質的に同じ機能を有する部材は同じ参照符号で示し、重複する説明を省略する。また、行および列を有するマトリクス状に配列された複数の画素の内、 m行 n列目の画素の構造を説明する。なお、行はゲートバスライン (走査線）に沿った画素の配列に対応し、列はソースバスライン (信号線）に沿った画素の配列に対応する。典型的には、行は表示面の水平方向であり、列は表示面の垂直方向である。

[0116] 例えば、図 11に示すように、ソースバスライン 114、 CSノスライン 113、ドレイン引出し配線 117、ゲートバスライン 112の少なくとも一部を用いて遮光部を構成することができる。以下、 m本目のゲートバスライン 112をゲートバスライン 112 (m)と表記し、 n本目のソースバスライン 114をソースバスライン 114 (n)と表記することにする。

[0117] 図 11に示した画素領域は、特開 2004-62146号公報に記載されている画素分割構造の 1つの副画素を示している。以下では、上下の 2つの副画素領域の内、副画素電極 11 laを備える上側の副画素領域の構造を主に説明する。

[0118] 副画素電極 111aは、 TFT116aのドレイン電極 116Dに接続されており、榭脂層からなる層間絶縁膜 (不図示)を介して、ソースバスライン 114、ゲートバスライン 112および CSバスライン 113と一部が重なるように、配置されている。また、副画素電極 11 laの中央部には、ドレイン引出し配線 117の延設部 117Eと CSバスライン 113の延設部 113Eとこれらの間の絶縁層（例えばゲート絶縁層）によって構成される補助容量 (CS)が形成されている。

[0119] ここに例示する画素分割構造の特徴は、以下の点にある。

[0120] 従来の画素電極が 2つの副画素電極に分割されており、それぞれの副画素電極は、対応する TFT116aおよび 116b (合計 2つの TFT)を介して共通のソースバスライン 114に接続されて!、る。 2つの TFT116aおよび 116bは共通のゲートバスライン 11 2で ONZOFF制御される。 2つの TFT116aおよび 116bは、半導体層 116m、ソース電極 116S、ゲート電極（ゲートバスライン 112)を共有しており、各 TFTのドレイン電極 116Dはそれぞれ対応する副画素電極に電気的に接続されてヽる。 TFT116a のドレイン電極 116Dと副画素電極 11 laとの電気的な接続は、ドレイン電極 116Dから延設されているドレイン引出し配線 117と副画素電極 11 laとを層間絶縁膜 (図 11 中不図示、例えば図 15の参照符号 118a参照）に形成されたコンタクトホール 119内で接続することによって行われる。

[0121] 各副画素電極 (上側副画素電極 11 la、下側副画素電極は省略）は、液晶層と、液晶層を介してこれらに対向する対向電極 (共通電極）とで液晶容量を構成している。各副画素領域に対応する液晶容量に電気的に並列にそれぞれ補助容量 (CS)が形成されている。上側副画素についてみると、補助容量を構成する一方の電極 (補助容量電極）は、副画素電極 11 laと同じ TFT116aのドレイン 116Dに接続されたドレイン引出し配線 117の延設部 117Eで構成され、他方の電極 (補助容量対向電極）は、上側副画素に対して設けられた CSバスライン 113の延設部 113Eによって構成されている。下側副画素についても同様に、補助容量を構成する一方の電極 (補助容量電極）は、下側の副画素電極 (不図示）と同じ TFT116bのドレイン (不図示）に接続されたドレイン引出し配線 (不図示)の延設部 (不図示)で構成され、他方の電極 (補助容量対向電極）は、下側副画素に対して設けられた CSバスライン (不図示)の延設部（不図示）によって構成されて！ヽる。

[0122] CSバスライン 113は、 2つの副画素に対して、互いに電気的に独立に設けられて V、る。一方の副画素に属する補助容量に CSバスライン 113から供給される補助容量対向電圧が、例えば、 TFT116aがオフにされた後上昇する場合、他方の副画素に属する補助容量に CSバスライン 113から供給される補助容量対向電圧は、 TFT11 6bがオフにされた後下降する。このように、 TFTがオフにされた後に各副画素に属する補助容量の補助容量対向電圧の変化を異ならせる（変化の大きさおよび変化の方向の少なくとも一方を異ならせる）ことによって、 2つの副画素の液晶層に印加される実効電圧が異なり、それによつて、 2つの副画素は、ソースバスライン 114から供給された表示信号電圧に対して、 2つの異なる輝度（一方は高輝度、他方は低輝度）を呈し、 γ特性の視角依存性を改善することができる。

[0123] ここに示した副画素領域は、先の画素領域 10と同様の配向分割構造を有し、副画素電極のエッジ部 EG1〜EG4の近傍にドメインラインが形成されるとともに、副画素領域の中央に十字状の喑、ラインが形成される。

[0124] エッジ部 EG1および EG3の近傍に形成されているドメインラインの少なくとも一部を選択的に遮光する遮光部は、ソースバスライン 114をその長手方向（垂直方向）に交差する方向（副画素電極側）に屈曲し、屈曲した部分を用いて形成されている。ソースバスライン 114の幅を部分的に太くしても良いが、浮遊容量が増大する場合があるので、屈曲させることが好ましい。

[0125] また、エッジ部 EG2に形成されるドメインラインは、副画素電極 11 laまたはゲートバスライン 112の幅を部分的に大きくする（例えば、図 11中の副画素電極 11 laの幅広部 111Eを設ける）、あるいは、ゲートバスライン 112をその長手方向（水平方向）に交差する方向に屈曲させることによって、副画素電極 11 laのエッジ部とゲートバスライン 112との重なり幅を大きくし、遮光する。

[0126] また、エッジ部 EG4に形成されるドメインラインは、副画素電極 11 laまたは CSバスライン 113の幅を部分的に大きくする（例えば、図 11中の CSバスライン 113の幅広部 113Aを設ける）、あるいは、 CSバスライン 113をその長手方向（水平方向）に交差する方向に屈曲させることによって、副画素電極 11 laのエッジ部と CSバスライン 11 3との重なり幅を大きくし、遮光する。

[0127] 液晶ドメインの境界領域に形成される喑、領域の少なくとも一部を選択的に遮光する遮光部は、 CSバスライン 113の延設部 113eおよび 113E、ならびに、ドレイン引出し配線 117およびその延設部 117Eによって形成されている。このように、画素内に設ける補助容量 (CS)を遮光部として用いることにより、光の利用効率の余分な低下が抑制される。

[0128] さらに、図 12に示すように、 CSバスライン 113の延設部 113eおよび 113Eで画素領域の中央に形成される十字の喑、ラインを遮光するとともに、 CSバスライン 113の延設部 113E1および 113E2をさらに設け、それぞれエッジ部 EG 1およびエッジ部 E G2に形成されるドメインラインを遮光しても良、。 [0129] また、上述した副画素領域に、図 3 (a)に示したような画素領域 30と同様の配向分割構造を形成した場合には、例えば、図 13に示す構成を採用することが出来る。

[0130] エッジ部 EG4の水平部分に形成されるドメインライン（図 3 (a)中の DL4 (H) )は、副画素電極 11 laの幅を部分的に大きくすることによって延設部 111E1を形成し、 CS バスライン 113と副画素電極 11 laとの重なり幅を大きくして遮光する。エッジ部 EG2 の水平部分に形成されるドメインライン（図 3 (a)中の DL2 (H) )は、副画素電極 11 la の幅を部分的に大きくすることによって延設部 111E2を形成し、ゲートバスライン 11 2と副画素電極 11 laとの重なり幅を大きくして遮光する。エッジ部 EG2およびエッジ部 EG4の垂直部分（図 3 (a)中の DL2 (V)および DL4 (V) )は、先の例と同様にソースバスライン 114の屈曲部によって遮光する。

[0131] また、画素領域 10と同様の配向分割構造を有する場合、液晶ドメインの境界領域に形成される暗い領域を遮光する遮光部を、図 14に示すように、ドレイン引出し配線 117の延設部117Eぉょび117E'によって形成しても良い。なお、延設部 117Eは C Sバスライン 113と対向し、補助容量を形成している。

[0132] 図 15に図 14中の 15A—15A'線に沿った断面図を示すように、ドレイン引出し配線 117はゲートバスライン 112との間にゲート絶縁膜 115を介しており、別層なので、ドレイン引出し配線 117とゲートバスライン 112との間のリークが発生しにくいという利点がある。ここでは、画素分割構造を有しない通常の画素を例示したが、画素分割構造に適用した場合、例えば図 14中の上側のゲートバスライン 112に代わって CSバスライン 113が配置されて、る場合にも、図示したようにドレイン引出し配線 117の延設部 117Eおよび 117E'によって中央の十字のラインに対応する遮光部を形成してもよい。 CSバスライン 113は、ゲートバスライン 112と同じ導電層（典型的には金属層）で形成されるので、ドレイン引出し酉己線 117と CSバスライン 113との間のリーク不良は発生しにくい。すなわち、十字の遮光部を構成する垂直方向の遮光部を水平方向のエッジ部を遮光するための遮光部と別層で形成することが好まし、。このような構成を採用すると、特許文献 1の図 60に記載されている構成よりもリーク不良の発生を抑帘 Uすることができる。

[0133] 図 15に示した画素構造においては、画素電極 111とソースバスライン 114との間に感光性榭脂などから形成される比較的厚ヽ層間絶縁膜 118aが形成されてヽる。従つて、図 14に示したように画素電極 111 (または副画素電極 111a)とソースバスライン 114 (およびゲートバスライン 112)とを重ねても、画素電極 111とソースバスライン 1 14との間に形成される容量を十分に小さくできるので、画素電極 111の電圧がこの容量を介してソースバスライン 114の電圧 (信号電圧)の影響を受けて変動することがない。すなわち、図 15に示した画素構造を採用することによって、画素電極 111をソースバスライン 114と重ねることによって、画素開口率を増大させることが可能となる。

[0134] また、図 16および図 17に示すように、 CSノスライン 113の延設部 113eによって、エッジ部に形成されるドメインラインおよび画素中央部に形成される十字の暗いラインを遮光してもよい。なお、例示した構成は、画素電極 111とソースノスライン 114との間に設けられる層間絶縁膜 118bとして SiNなど力も形成される比較的薄い無機絶縁膜を用いている。この構成では、画素電極 111の電圧がソースバスライン 114の電圧 (信号電圧)の影響を受けて変動することを抑制するために、画素電極 111とバスライン 114とは重ならないように配置されている。この構成は、画素開口率の観点からは不利であるが、層間絶縁膜 118bとして比較的薄い無機絶縁膜を用いることが出来るので、製造プロセスを簡略ィ匕できるメリットがある。

[0135] さらに、図 18に示すように、ドレイン引出し配線 117を延設することによって、エッジ部に形成されるドメインラインおよび画素中央部に形成される十字の暗いラインを遮光してもよい。上述したように、ドレイン引出し配線 117は、ゲートバスライン 112および CSバスライン 113とは別の層で形成されるので、これらとの間のリーク不良が発生しにくい。ここでは画素分割構造の副画素領域を例示した力通常の画素領域についても同様に適用できる。

[0136] 上記では、 Vヽずれも TFT基板に設けられた遮光部材を用いて遮光部を形成した例を示した力必要に応じて、遮光部の一部または全部を CF基板側に遮光部を設けても良い。例えば、図 19に示すように、垂直方向に平行なエッジ部に形成されるドメインラインを遮光する遮光部や、画素の中央部に形成される十字の暗いラインを遮光する遮光部など、比較的幅の広い遮光部は CF基板のブラックマトリクス層 132を用いて形成しても良い。ここでは、画素の中央部に形成される十字の暗いラインの横方向に延びる部分の全てをブラックマトリクス層 132の延設部 132Eで遮光した例を示しているが、その一部をブラックマトリクス層 132で遮光し、他の部分をドレイン引出し配線 117で遮光してもよ、し、他の上述した遮光構造と適宜組み合わせることができる。

[0137] また、光配向処理のための光照射 (典型的には UV照射）は、少なくとも上記遮光部を設ける基板に行うことが好ましい。上記遮光部は配向分割構造における配向乱れが生じる領域に設けられるので、配向分割構造を規定するための光照射を行った基板と反対側の基板に遮光部を設けると、基板を貼り合わせるときのァライメント誤差を考慮する必要が生じ、大きな遮光部を形成する必要が生じるので好ましくない。また、光照射は、基板上の凹凸の影響を受けない方向から行うことが好ましい。例えば、 CF基板に光照射を行う場合には、列方向から光照射を行えば、行間に配置されて V、るブラックマトリクスによって影となる領域が形成されな!、。

[0138] (交差領域）

図 20に示すように、上述したエッジ部に形成されるドメインラインと、隣接する液晶領域の境界領域とが交差する領域 ODは、特に、液晶分子の配向が不安定で、応答速度が遅いという問題があることを見出した。従って、動画表示特性を重視する用途などでは、この交差領域 ODにおいて液晶分子の配向が乱れる領域を遮光することが好ましい。

[0139] 例えば、図 21に示すように、上述したエッジ部に形成されるドメインラインおよび隣接する液晶領域の境界領域を遮光するための遮光部から突き出た延設部 TR1、 TR 2、 TR3および TR4を設けることによって、交差領域 ODを遮光することが好ましい。延設部 TR1および TR3は CSバスライン延設部 113Eから、延設部 TR2はゲートバスライン 112から、延設部 TR4は CSバスライン 113から延設されている。もちろん、必要に応じて、交差領域 ODだけを選択的に遮光するようにしてもよい。ここでは、略三角形の延設部 TR1〜TR4を例示した力延設部の形状はこれに限られない。但し、光の利用効率（開口率)を必要以上に低下させないような形状が好ましぐ例示した略三角形が好ましい。

[0140] (部分的な遮光）上述した実施形態の液晶表示装置にぉヽては、ドメインラインが形成されるエッジ部のほぼ全てを遮光する遮光部を設けた例を示した力これに限られない。視野角特性の低下を抑制するという観点からは、例示したように、ドメインラインの全てを遮光するように遮光部を設けることが好ま、が、遮光部を設けると光の利用効率 (画素の有効開口率)が低下するので、視野角特性と光の利用効率とのバランスを考慮して、遮光するエッジ部の一部を遮光すれば良い。

[0141] 特に、基板法線方向から見たときに画素電極とソースバスラインとが重ならない構成 (例えば図 17の断面図参照)を採用すると、画素開口率が小さくなるので、画素開口率の観点からは、遮光する領域はできるだけ小さくすることが好ましい。図 15に例示したように、画素電極 111とソースバスライン 114との間に感光性榭脂など力も形成される比較的厚い層間絶縁膜 118aを設けると、図 14、図 18、図 19および図 21に示したように画素電極 111 (または副画素電極 11 la)とソースバスライン 114 (およびゲートバスライン 112)とを重ねても、画素電極 111 (または副画素電極 11 la)とソースバスライン 114 (およびゲートバスライン 112)との間に形成される容量を十分に小さくできるので、画素電極 111 (または副画素電極 11 la)の電圧がこの容量を介してソースバスライン 114の電圧 (信号電圧)の影響を受けて変動することがない。従って、画素電極 111 (または副画素電極 11 la)をソースバスライン 114 (およびゲートバスライン 112)と重ねることによって、画素開口率を増大させることが可能となる。

[0142] 一方、図 17に断面図を示したように、画素電極 111がソースバスライン 114 (およびゲートバスライン 112)と重ならない構成を採用すると、層間絶縁膜 118bとして SiN などカゝら形成される比較的薄、無機絶縁膜を用いることが出来るので、製造プロセスを簡略ィ匕できるメリットがある。但し、このように画素電極 111がソースノスライン 114と重ならない構成を採用すると、画素開口率が小さくなるので、表示輝度の観点からは、遮光部を出来るだけ小さくすることが好ましい。

[0143] 上述したように、また、視野角特性の均一さの観点からは、 4つの液晶ドメインの画素領域内に占める面積は互いに略等しくすることが好ましい。また、上述したような画素分割を採用する場合には、例えば、図 11〜図 14、図 16、図 18、図 19および図 2 1に示すように、副画素領域ごとに 4つの液晶ドメインの面積を略同一にすることが好ましい。

[0144] ここで、図 22〜図 25を参照しながら、画素分割構造を有する場合の画素構造の好ましい例を説明する。

[0145] 図 19に示した画素構造（図は副画素のみを示している）では、 4つの液晶ドメインがほぼ同じ面積となっている力 CSバスライン 113によって遮光される領域が大きぐ光の利用効率（開口率:表示に利用される面積の比率）が小さい。以下に、 4つの液晶ドメインの面積を互いにほぼ等しくできる画素構造の例を説明する。

[0146] 図 22は、本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図であり、図 23は、本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図であり、図 24は、図 23の 24A—24A，線に沿った模式的な断面図であり、コンタクト部の断面構造を示す図である。図 25は本発明による液晶表示装置の画素構造の更に他の例を示す模式図である。なお、図 22および図 25に示す画素構造におけるコンタクト部の断面構造は、図 24に示す断面構造と同じである。

[0147] 図 22に示すように、補助容量を形成していない部分の CSバスライン 113の幅を狭くする、言い換えると、補助容量を形成する部分の CSバスライン 113の幅を選択的に広くした CSバスライン延設部 113Eを設けることによって、開口率を増大することが出来る。し力しながら、図 22に示す画素構造を採用すると、 4つの液晶ドメインの面積を同じにすることが難しくなる。

[0148] また、図 22に示す補助容量は、図 24に示す断面構造と同じ断面構造を有しており、下層から (すなわち、ガラス基板側から）、 CSバスラインの延設部 113E (補助容量対向電極として機能する）、ゲート絶縁膜 115、半導体層（i層 116mと n+層 116ηとの積層構造)、ドレイン引出し配線 117の延設部 117E (補助容量電極として機能する）で構成されており、この上に形成されているパッシベーシヨン膜 118cおよび層間絶縁膜 118dに形成されたコンタクトホールにおいて、ドレイン引出し配線 117と副画素電極 11 laとのコンタクト部 119が形成されている。ここで、半導体層（i層 116mZn+ 層 116η)は、 TFTl 16aおよび 116bを構成する半導体層と同じ層で形成されており、同じプロセスでパターユングされる。なお、図 22では TFTl 16aおよび 116bを構成する半導体層として i層 116mを図示して!/、るが、ソース電極 116Sと接触するソース領域およびドレイン電極 116Dと接触するドレイン領域には n+層 116ηが形成されていることは言うまでもない。

[0149] 補助容量対向電極 (CSバスライン延設部 113E)と補助容量電極 (ドレイン引出し配線延設部 117Ε)との間に上記半導体層 116mおよび 116ηを設ける構成を採用すると、図 24からわ力るように、半導体層の厚さ分だけコンタクトホールが浅くなるので、副画素電極 (ΙΤΟなどの透明導電層） 11 laが段差によって切断される不良の発生を低減することができる。

[0150] し力しながら、図 22に示す構成を採用すると、ソースバスライン 114に沿って上下方向（列方向）に隣接する 2つの画素に属する副画素の補助容量 (上方の画素内の下側の副画素の補助容量と下方の画素内の上側の副画素の補助容量）が互いに近接するので、半導体層のパターユング不良がおきて、 n+層 116ηが短絡すると、ノーマリーブラックモードの液晶表示装置においては輝点欠陥となる。

[0151] この問題を回避するためには、図 23に示す画素構造のように、補助容量配線 113 の延設部 113Eが、 4つの液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光する中央遮光部の少なくとも一部を構成し、ドレイン引出し配線 117と副画素電極 11 laとのコンタクト部 119が形成される絶縁層に設けられたコンタクトホールが、中央遮光部の液晶層側に形成される構成とすることが好ましい。より具体的には、補助容量配線 113の延設部 113Eおよびドレイン引出し配線 117の延設部 117Eは、互いに重なり、且つ、互いに異なる方向に延びる 2以上の矩形部分を有しており、この矩形分は補助容量を構成するとともに、中央遮光部を構成している。

[0152] 特に、中央遮光部が、例示するように、互いに異なる方向に延びる 2以上の矩形部分を有する場合、コンタクトホール (コンタクト部 119)は矩形部分の交差部に形成することが好ましい。また、コンタクトホールが 2行 2列のマトリクス状に配置された 4つの液晶ドメインが形成する十字状の境界領域の中心に形成されるように、補助容量配線 113の延設部 113Eおよびドレイン引出し配線 117の延設部 117Eの矩形部分を設けることが好ま、。コンタクトホールの段差の影響を受けて液晶分子の配向に乱れが生じる領域を、十字状の境界線の中心に設けることによって、所望の配向状態が得られない領域の増加を抑制することができるとともに、中央遮光部の交差部によつて効果的に遮光できるので、表示品位の低下を抑制できる。

[0153] 図 23に示す様な構成を採用すると、図 22との比較力も明らかなように、列方向に隣接する異なる画素に属する 2つの副画素の補助容量に設けられたコンタクトホールの間隔が広くなるので、補助容量に半導体層（116mおよび 116η)を残した構成を採用しても、これらの半導体層の η+層 116ηの短絡の発生を防止することが出来る。また、 4つの液晶ドメインの面積を比較的同じにし易い。

[0154] なお、開口率を向上させるために、図 25に示す画素構造を採用することもできる。

図 25に示す画素にお、ては、補助容量配線 113の延設部 113Εおよびドレイン引出し配線 117の延設部 117Eは、互いに重なり、且つ、列方向に延びる矩形部分だけを有し、中央遮光部は、列方向に延びる矩形部分を含み、コンタクトホールは、列方向に延びる矩形部分の液晶層側に形成されている。すなわち、図 23における行方向に延びる矩形部分を有していないので、その分だけ開口率が高い。なお、図 23 の画素に比べて補助容量の面積力、さくなる点に留意する必要がある。図 25の構成を採用する場合においても、コンタクトホールは 2行 2列のマトリクス状に配置される 4つの液晶ドメインが形成する十字状の境界領域の中心に形成することが好ましい。産業上の利用可能性

[0155] 本発明による液晶表示装置は、テレビジョン受像機などの高品位の表示が求められる用途に好適に用いられる。

Claims

請求の範囲

[1] 垂直配向型の液晶層と、

前記液晶層を介して互いに対向する第 1基板および第 2基板と、

前記第 1基板の前記液晶層側に設けられた第 1電極および前記第 2基板の前記液晶層側に設けられた第 2電極と、

前記液晶層に接するように設けられた少なくとも 1つの配向膜とを有し、画素領域は、前記第 1電極と前記第 2電極との間に電圧が印加されたときの前記液晶層の層面内および厚さ方向における中央付近の液晶分子のチルト方向が予め決められた第 1方向である第 1液晶ドメインと、第 2方向である第 2液晶ドメインと、第 3方向である第 3液晶ドメインと、第 4方向である第 4液晶ドメインとを有し、前記第 1方向、第 2方向、第 3方向および第 4方向は、任意の 2つの方向の差が 90° の整数倍に略等しい 4つの方向であり、かつ、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインは、それぞれ他の液晶ドメインと隣接し、かつ、 2行 2列のマトリクス状に配置されており、

前記第 1基板は、 TFT、ゲートバスライン、ソースバスライン、ドレイン引出し配線、補助容量配線、および前記ドレイン引出し配線と前記第 1電極との間に設けられた絶縁層をさらに有し、

前記補助容量配線の延設部が、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインのそれぞれが他の液晶ドメインと隣接する境界領域の少なくとも一部を選択的に遮光する中央遮光部の少なくとも一部を構成しており、前記ドレイン引出し配線と前記第 1電極とのコンタクト部が形成される前記絶縁層に設けられたコンタクトホールが、前記中央遮光部の前記液晶層側に形成されている、液晶表示装置。

[2] 前記補助容量配線の前記延設部および前記ドレイン引出し配線の延設部は、互いに重なり、且つ、互いに異なる方向に延びる 2以上の矩形部分を有し、前記中央遮光部は、前記互いに異なる方向に延びる 2以上の矩形部分を含み、前記コンタクトホールは、前記 2以上の矩形部分の交差部の前記液晶層側に形成されている、請求項 1に記載の液晶表示装置。

[3] 前記補助容量配線の前記延設部および前記ドレイン引出し配線の延設部は、互いに重なり、且つ、列方向に延びる矩形部分だけを有し、前記中央遮光部は、前記列方向に延びる矩形部分を含み、前記コンタクトホールは、前記列方向に延びる矩形部分の前記液晶層側に形成されている、請求項 1に記載の液晶表示装置。

[4] 前記コンタクト部は、前記 2行 2列のマトリクス状に配置された前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインが形成する十字状の境界領域の中心に形成されている、請求項 1から 3のいずれかに記載の液晶表示装置。

[5] 前記中央遮光部を構成する前記補助容量配線の前記延設部の前記液晶層側には、ゲート絶縁層および半導体層が形成されており、前記コンタクト部は前記半導体層の前記液晶層側に形成されている、請求項 1から 4のいずれかに記載の液晶表示装置。

[6] 前記画素領域は、それぞれが対応する TFTを介して前記ソースバスラインカ供給されるある信号電圧に対して、前記液晶層に互いに異なる電圧が印加される 2つの副画素領域を含み、

前記 2つの副画素領域のそれぞれが、前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3 液晶ドメイン、第 4液晶ドメインおよび前記中央遮光部を有し、

前記 2つの副画素領域のそれぞれに対応して、前記第 1電極、前記 TFT、前記ドレイン電極引出し配線および補助容量配線が設けられており、且つ、前記ドレイン電極引き出し配線の延設部と、前記補助容量配線の延設部と、これらの間に設けられた絶縁層および半導体層とを備える補助容量 (CS)が設けられており、

前記補助容量の前記半導体層は、前記 TFTの半導体層と同じ層から形成されて V、る、請求項 1から 5の、ずれかに記載の液晶表示装置。

[7] 前記画素領域における前記第 1液晶ドメイン、第 2液晶ドメイン、第 3液晶ドメインおよび第 4液晶ドメインの面積は互いに略等し、、請求項 1から 6の、ずれかに記載の液晶表示装置。