WO2007093497A1 - Method for producing a test structure in order to test flexibility of a membrane of a micromechanical component and corresponding examination structure - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a method for producing a test structure for testing the deflection of a membrane of a micromechanical component and a corresponding test structure.
- cavities in semiconductor substrates such as. Semiconductor wafers (see eg DE 100 32 579 A1 or WO 02/02458).
- Such cavities are usually a component of a pressure sensor device or similar micromechanical components. If these cavities are closed by a thin membrane, this membrane bends through, provided that the pressure in the cavity is different from the ambient pressure.
- the size of the deflection is dependent, inter alia, on the pressure difference, the thickness and the size of the membrane / cavity system and on the material properties of the membrane. If the impermeability of the cavity or the deflection of the membrane is important for the function of the component, then this must be checked and ensured in later process steps.
- One possibility is to perform an inspection by an optical inspection, e.g. By a microscope with phase interference contrast or infrared spectroscopy. Also conceivable is a functional check of the finished component, for example by, an electrical measurement of pressure sensors at different ambient pressures.
- components are usually defined via photolithographic process steps, in particular coating of a wafer, exposure and development of the photoresist.
- the wafer surface is aligned to the focal plane of the imaging optic, with an accuracy of alignment of typically about 0.1 ⁇ m can be achieved. If the wafer or part of the wafer is not exactly in the focal plane (deviation> 0.3 ⁇ m), aberrations occur. These aberrations mean that the structure widths can be reduced or minimal structures can no longer be opened.
- the testing for aberrations occurs in semiconductor manufacturing, among other things with the help of resolution structures. If these dissolution structures or parts thereof are placed on bent or curved regions of the wafer, individual parts of the dissolution structures are no longer imaged depending on the distance to the focal plane.
- the inventive method for producing a test structure for testing the deflection of a membrane of a micromechanical device according to claim 1 or 3 and the corresponding test structure according to claim 8 or 10 have the advantage that they provide a simple and reliable way to check the deflection of a micromechanical Create a membrane.
- the idea underlying the present invention lies in the creation of a photolithographic test structure in the production of the micromechanical device, which after exposure and
- a resistive electrical test structure can be realized whose value is influenced by the lithographic resolution due to the deflection.
- the evaluation of the deflection can be made simpler and safer by the test structure, or image recognition can be automated, which results in cost savings and improved quality.
- electrical test structures are implemented, then optical methods can be replaced by electrical measurements, which can be evaluated faster and more reliably. If these electrical test structures are included in an evaluation circuit, entire work steps can be omitted. Both methods have the advantage that rejects can be detected in earlier process steps, which also brings a cost savings.
- the optical evaluation can be simplified or an optical evaluation can be replaced by a simple electrical evaluation.
- the evaluation can be done essentially without additional effort if it is done visually, and realized with little additional effort, if it is done electrically.
- the developed test patterns comprise a photoresist area in which photoresist-free ladder-type area is embedded with a plurality of photoresist-free ladder rungs, the number of photoresist-free ladder rungs being the measure for deflection of the membrane at the position of a respective test pattern.
- the developed test pattern comprises a photoresist region in which the strip-like region is embedded, wherein the width of the strip-like region is the measure for deflection of the membrane at the position at the respective position of the test pattern.
- 1 a, b is a schematic cross-sectional view and plan view of a test structure for testing the deflection of a membrane of a micromechanical device according to a first embodiment of the present invention
- FIG. 2 is a flow chart for explaining a method for manufacturing a test structure for testing the deflection of a diaphragm of a micromechanical device according to the first and a second embodiment of the present invention
- 3a, b are two schematic plan views of a test structure for testing the deflection of a membrane of a micromechanical device according to the second embodiment of the present invention.
- 1a, b are a schematic cross-sectional view and a top view of a test structure for testing the deflection of a membrane of a micromechanical device according to a first embodiment of the present invention.
- reference numeral 1 denotes a silicon semiconductor substrate.
- the cavity 2 is spanned by a membrane 3, which due to a pressure difference in the cavity 2 with respect to the environment has a deflection of the height .DELTA.h of 1 micron.
- Discrete test patterns T1-T4 which occupy different positions with respect to the maximum deflection ⁇ h of the membrane 3, are provided at different locations of the membrane 3 and at a location on the surrounding surface O of the substrate 1.
- test patterns T1-T4 have been exposed by means of an exposure apparatus, wherein the surface O of the surrounding substrate has been selected for the optical focal plane OFP of the exposure apparatus. Thereafter, a conventional development for removing the exposed positive photoresist
- the developed test patterns T1-T4 comprise one after the photoresist area U, into which a photoresist-free area B1, B2, S1-S4 having a plurality of photo-lacquer-free areas Ladder rungs S1-S4 is embedded.
- the ladder rungs S1-S4 have a critical dimension, whereas the ladder legs Bl, B2 have a much larger dimension. Due to the variable position of the various test patterns with respect to the optical focal plane OFP, the test patterns T1-T4 have been structurally differently resolved during development so that the structural resolution of a respective test pattern is a measure of the deflection of the diaphragm 3 at the respective position of a respective test pattern.
- the number of photoresist-free ladder rungs is the measure of the deflection of the membrane 3 at the position of a respective test pattern.
- the test pattern T4 which lies on the surface O of the associated substrate 1, which coincides with the optical focal plane OFP, all ladder rungs S1-S5 are resolved.
- the test pattern T3 only the rungs S1-S4, only the rungs S1-S3 for the test pattern T2 and only the rungs S1 and S2 for the test pattern T1.
- the number of ladder rungs developed decreases substantially continuously.
- FIG. 2 is a flow chart for explaining a method of manufacturing a test structure for testing the deflection of a diaphragm of a micromechanical device according to the first and a second embodiments of the present invention.
- step S2 the photoresist layer with the test structure with the plurality of discrete test patterns T1-T4, which, as in Figure Ia represented, assume different positions with respect to the deflection of the membrane 3 and with respect to the optical focal plane OFP during exposure, exposed via a mask.
- step S3 the development of the photoresist layer takes place with the plurality of exposed test patterns T1-T4, which results in the structurally differently resolved test patterns T1-T4 according to FIG.
- Membrane of a pressure sensor can be evaluated optically (variant a) in Fig. 2). More specifically, with reference to step S4a, an optical inspection simply counts the number of remaining sprouts in the respective test patterns T1-T4.
- the test pattern T4 serves only as a reference.
- 3a, b are two schematic plan views of a test structure for testing the deflection of a membrane of a micromechanical device according to the second embodiment of the present invention.
- reference symbol T5 denotes a continuous test pattern which has a strip-like, photoresist-free region WS with a width b.sub.O which is guided from a first corner E1 to a second diagonally opposite corner E2 over the membrane.
- the remaining surface O is photoresist region U '.
- FIG. 3 a the case of a lack of bending of the membrane 3 is shown.
- the width b ⁇ of the strip-like region WS does not change over the membrane 3.
- all the dots of the stripe-like photoresist-free region WS were within the optical focus plane OFP coincident with the upper surface O of the surrounding substrate 1, so that the structural resolution is the same everywhere.
- the membrane 3 is deflected analogously to the illustration in FIG. 1a by the maximum height difference ⁇ h, so that the developed test pattern T5 is structurally resolved in a continuously changing manner.
- the structurally variable resolution of the test pattern T5 at a respective position of the test pattern T5 is a measure of the deflection of the membrane 3 at the respective position of the test pattern T5.
- the width of the stripe-like photoresist-free region WS ' varies from the maximum width bl at the ends El and E2 to the minimum width b ⁇ in the center of the diaphragm 3, d. H. the highest area.
- step S4b an electrical doping of the membrane 3 by means of foreign ions in the strip-like region WS 'and the production of electrical contacts at the ends E1, E2 of the strip-shaped region WS' takes place.
- the resistance value measured at the ends E1, E2 will be different.
- the electrical resistance will be the lowest, and in the case of a desired deflection according to Figure 3b highest.
- the current deflection can be determined either by calibration or by comparison with a flat resistance strip introduced in the surface O (analogous to FIG. 3 a). If you integrate such a derstand directly into an evaluation circuit, the deflection can be tested without further effort in testing the relevant micromechanical device.
- the electrical evaluation of such resistors can also be carried out by means of more complex evaluation circuits, for example, if additionally a van der Pauw structure is implemented. Doping variations of the resistors can thus be eliminated.
- the present invention has been described in terms of a micromechanical pressure sensor having a membrane capped cavity, but of course it is applicable to any curved membrane structures.
- the membrane could take on an open tent-like shape.
- the shown geometry of the discrete test pattern according to FIG. 1a, b or the continuous test pattern according to FIG. 3a, b can only be varied by way of example and as desired.
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Abstract
The invention relates to a test structure for testing flexibility of a membrane (3) of a micromechanical component (10), comprising a plurality of discrete test patterns (T1-T4). Said test patterns (T1-T4) are resolved in a structurally different manner by a developing process so that the structural resolution of a respective test pattern (T1-T4) represents a measurement for the flexibility of the membrane (3) in the position of a respective test pattern (T1-T4), and to a corresponding production method. The invention also relates to an test structure for testing the flexibility of a membrane (3) of a micromechanical component (10), said test structure comprising a continuous test structure (T5), whereby the test pattern (T1-T4) is resolved in a structurally continuous manner by a developing process so that the structural resolution of the test pattern (T5) in a respective position of the pest pattern (T5) represents a measurement of the flexibility of the membrane (3) in the respective position of the test pattern (T5), in addition to a corresponding method.
Description
Beschreibungdescription
Titeltitle
Verfahren zur Herstellung einer Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran eines mikromechanischen Bauelements und entsprechende PrüfstrukturMethod for producing a test structure for testing the deflection of a membrane of a micromechanical component and corresponding test structure
STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran eines mikromechanischen Bauelements und eine entsprechende Prüfstruk- tur.The present invention relates to a method for producing a test structure for testing the deflection of a membrane of a micromechanical component and a corresponding test structure.
Obwohl prinzipiell auf beliebige mikromechanische Bauelemente anwendbar, werden die vorliegende Erfindung und die ihr zugrundeliegende Problematik anhand von mikromechanischen Drucksensoren erläutert.Although applicable in principle to any micromechanical components, the present invention and the problems underlying it are explained with reference to micromechanical pressure sensors.
Mit Hilfe von mikromechanischen Prozessschritten können Hohlräume in Halbleitersubstraten, wie z. B. Halbleiterwafern, erzeugt werden (siehe z. B. DE 100 32 579 Al oder WO 02/02458). Derartige Hohlräume sind üblicherweise ein Bestandteil von einer Drucksensoreinrichtung oder ähnlichen mikromechanischen Bauelementen. Sind diese Hohlräume durch eine dünne Membran verschlossen, so biegt sich diese Membran durch, sofern der Druck im Hohlraum verschieden vom Umgebungsdruck ist. Die Größe der Durchbiegung ist dabei unter Anderem abhängig von der Druckdifferenz, der Dicke und der Größe des Membran-/Hohlraum- Systems sowie von den Materialeigenschaften der Membran. Ist die Dichtigkeit des Hohlraums bzw. die Durchbiegung der Membran wichtig für die Funktion des Bauelements, so muss diese in späteren Prozessschritten geprüft und sichergestellt werden.With the help of micromechanical process steps cavities in semiconductor substrates, such as. Semiconductor wafers (see eg DE 100 32 579 A1 or WO 02/02458). Such cavities are usually a component of a pressure sensor device or similar micromechanical components. If these cavities are closed by a thin membrane, this membrane bends through, provided that the pressure in the cavity is different from the ambient pressure. The size of the deflection is dependent, inter alia, on the pressure difference, the thickness and the size of the membrane / cavity system and on the material properties of the membrane. If the impermeability of the cavity or the deflection of the membrane is important for the function of the component, then this must be checked and ensured in later process steps.
Eine Möglichkeit ist, eine Prüfung durch eine optische Inspektion, z. B. durch ein Mikroskop mit Pha- seninterferenzkontrast oder Infrarotspektroskopie. Auch vorstellbar ist eine Funktionsüberprüfung des fertigen Bauelements, z.B. durch, eine elektrische Messung von Drucksensoren bei verschiedenen Umgebungsdrücken.
Bauelemente werden in der Halbleitertechnologie üblicherweise über photolithographische Verfahrensschritte definiert, insbesondere Belacken eines Wafers, Belichten und Entwickeln des Photolacks. Beim Belichten eines Wafers wird die Waferoberfläche zur Fokusebene der abbildenden Optik ausgerichtet, wobei eine Genauigkeit von der Ausrichtung von typischerweise ca. 0,1 μm erreicht werden kann. Liegt der Wafer oder Teil des Wafers nicht exakt in der Fokusebene (Abweichung > 0,3 μm), treten Abbildungsfehler auf. Diese Abbildungsfehler führen dazu, dass sich die Strukturbreiten verringern bzw. Minimalstrukturen nicht mehr geöffnet werden können.One possibility is to perform an inspection by an optical inspection, e.g. By a microscope with phase interference contrast or infrared spectroscopy. Also conceivable is a functional check of the finished component, for example by, an electrical measurement of pressure sensors at different ambient pressures. In semiconductor technology, components are usually defined via photolithographic process steps, in particular coating of a wafer, exposure and development of the photoresist. When exposing a wafer, the wafer surface is aligned to the focal plane of the imaging optic, with an accuracy of alignment of typically about 0.1 μm can be achieved. If the wafer or part of the wafer is not exactly in the focal plane (deviation> 0.3 μm), aberrations occur. These aberrations mean that the structure widths can be reduced or minimal structures can no longer be opened.
Die Prüfung auf Abbildungsfehler erfolgt in der Halbleiterfertigung unter Anderem mit Hilfe von Auflö- sungsstrukturen. Werden diese Auflösungsstrukturen oder Teile davon auf durchgebogenen bzw. gewölbten Bereichen des Wafers platziert, so werden in Abhängigkeit vom Abstand zur Fokusebene einzelne Teile der Auflösungsstrukturen nicht mehr abgebildet.The testing for aberrations occurs in semiconductor manufacturing, among other things with the help of resolution structures. If these dissolution structures or parts thereof are placed on bent or curved regions of the wafer, individual parts of the dissolution structures are no longer imaged depending on the distance to the focal plane.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran eines mikromechanischen Bauelements nach Anspruch 1 bzw. 3 und die entsprechende Prüfstruktur nach Anspruch 8 bzw. 10 weisen den Vorteil auf, dass sie eine einfache und zuverlässige Möglichkeit zur Überprüfung der Durchbiegung einer mikromechanischen Membran schaffen.The inventive method for producing a test structure for testing the deflection of a membrane of a micromechanical device according to claim 1 or 3 and the corresponding test structure according to claim 8 or 10 have the advantage that they provide a simple and reliable way to check the deflection of a micromechanical Create a membrane.
Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee liegt in der Erstellung einer photolithographi- sehen Teststruktur bei der Herstellung des mikromechanischen Bauelements, die nach Belichtung undThe idea underlying the present invention lies in the creation of a photolithographic test structure in the production of the micromechanical device, which after exposure and
Entwicklung automatisch ein Maß für die Größe der Durchbiegung ergibt. In einem typischen mikromechanischen Herstellungsprozess erfolgen zur Strukturierung bei einzelnen Schichten Belichtungs- und Entwicklungsschritte von Lackschichten (sogenannte Lithographie-Prozessschritte). Da die Strukturbreite bzw. die Auflösung empfindlich von der Fokusebene der Belichtungseinrichtung relativ zur Wa- fer- bzw. Substrat-Oberfläche abhängt, werden kritische Strukturen auf durchgebogenen Gebieten, die außerhalb der Fokusebene liegen, unscharf bzw. gar nicht mehr abgebildet. Mit anderen Worten wird eine Teststruktur geschaffen, deren Belichtungsqualität abhängig von der Größe der Durchbiegung und der Größe der Teststrukturelemente ist. Werden derartige optische Teststrukturen auf einer zu inspizierenden durchgebogenen Membran platziert, so kann anhand dieser Struktur nach Belichtung und Ent- wicklung auf einfache Weise bewertet werden, ob bzw. in welchem Maß eine Durchbiegung vorliegt.Development automatically gives a measure of the size of the deflection. In a typical micromechanical manufacturing process, exposure and development steps of paint layers (so-called lithography process steps) take place for structuring individual layers. Since the structure width or the resolution depends sensitively on the focal plane of the exposure device relative to the wafer or substrate surface, critical structures on bent-through regions which lie outside the focal plane are blurred or no longer imaged. In other words, a test structure is created whose exposure quality is dependent on the size of the deflection and the size of the test structure elements. If such optical test structures are placed on a deflected membrane to be inspected, it can be easily evaluated on the basis of this structure after exposure and development whether or to what extent a deflection exists.
Analog kann eine widerstandsartige elektrische Teststruktur realisiert werden, deren Wert durch die lithographische Auflösung aufgrund der Durchbiegung beeinflusst ist.
Im Falle von optisch auszuwertenden Teststrukturen kann durch die Teststruktur die Bewertung der Durchbiegung einfacher und sicherer erfolgen bzw. eine Bilderkennung automatisiert werden, was Kostenersparnis und Qualitätsverbesserung mit sich bringt. Werden elektrische Teststrukturen implementiert, so können optische Verfahren durch elektrische Messungen ersetzt werden, welche schneller und sicherer zu bewerten sind. Werden diese elektrischen Teststrukturen mit in eine Auswerteschaltung einbezogen, so können ganze Arbeitsschritte entfallen. Beide Verfahren haben den Vorteil, dass Ausschussteile in früheren Prozessschritten erkannt werden können, was ebenfalls eine Kostenersparnis mit sich bringt.Analogously, a resistive electrical test structure can be realized whose value is influenced by the lithographic resolution due to the deflection. In the case of optically evaluated test structures, the evaluation of the deflection can be made simpler and safer by the test structure, or image recognition can be automated, which results in cost savings and improved quality. If electrical test structures are implemented, then optical methods can be replaced by electrical measurements, which can be evaluated faster and more reliably. If these electrical test structures are included in an evaluation circuit, entire work steps can be omitted. Both methods have the advantage that rejects can be detected in earlier process steps, which also brings a cost savings.
Dadurch kann die optische Bewertung vereinfacht werden bzw. eine optische Bewertung durch eine einfache elektrische Bewertung ersetzt werden. Die Bewertung kann im Wesentlichen ohne Zusatzaufwand erfolgen, wenn sie optisch erfolgt, und mit geringem Zusatzaufwand realisiert werden, wenn sie elektrisch erfolgt.As a result, the optical evaluation can be simplified or an optical evaluation can be replaced by a simple electrical evaluation. The evaluation can be done essentially without additional effort if it is done visually, and realized with little additional effort, if it is done electrically.
In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des jeweiligen Gegenstandes der Erfindung.In the dependent claims are advantageous developments and improvements of the respective subject of the invention.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung umfassen die entwickelten Testmuster einen Photolackbereich, in den photolackfreier leiterartiger Bereich mit einer Mehrzahl von photolackfreien Leitersprossen ein- gebettet ist, wobei die Anzahl photolackfreier Leitersprossen das Maß für Durchbiegung der Membran an der Position eines jeweiligen Testmusters ist.According to a preferred development, the developed test patterns comprise a photoresist area in which photoresist-free ladder-type area is embedded with a plurality of photoresist-free ladder rungs, the number of photoresist-free ladder rungs being the measure for deflection of the membrane at the position of a respective test pattern.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung umfasst das entwickelte Testmuster einen Photolackbereich, in den streifenartiger Bereich eingebettet ist, wobei die Breite des streifenartigen Bereichs das Maß für Durchbiegung der Membran an der Position an der jeweiligen Position des Testmusters ist.According to a further preferred development, the developed test pattern comprises a photoresist region in which the strip-like region is embedded, wherein the width of the strip-like region is the measure for deflection of the membrane at the position at the respective position of the test pattern.
ZEICHNUNGENDRAWINGS
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden in der nachfolgen- den Beschreibung näher erläutert.Embodiments of the invention are illustrated in the drawings and are explained in more detail in the following description.
Es zeigen:
Fig. 1 a,b eine schematische Querschnittsansicht bzw. Draufsicht einer Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran eines mikromechanischen Bauelements gemäss einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;Show it: 1 a, b is a schematic cross-sectional view and plan view of a test structure for testing the deflection of a membrane of a micromechanical device according to a first embodiment of the present invention;
Fig. 2 ein Ablaufdiagramm zum Erläutern eines Verfahrens zur Herstellung einer Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran eines mikromechanischen Bauelements gemäss der ersten und einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; undFIG. 2 is a flow chart for explaining a method for manufacturing a test structure for testing the deflection of a diaphragm of a micromechanical device according to the first and a second embodiment of the present invention; FIG. and
Fig. 3a,b zwei schematische Draufsichten einer Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran eines mikromechanischen Bauelements gemäss der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.3a, b are two schematic plan views of a test structure for testing the deflection of a membrane of a micromechanical device according to the second embodiment of the present invention.
BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELEDESCRIPTION OF THE EMBODIMENTS
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Komponenten.In the figures, the same reference numerals designate the same or functionally identical components.
Fig. la,b sind eine schematische Querschnittsansicht bzw. Draufsicht einer Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran eines mikromechanischen Bauelements gemäss einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.1a, b are a schematic cross-sectional view and a top view of a test structure for testing the deflection of a membrane of a micromechanical device according to a first embodiment of the present invention.
In Figur 1 bezeichnet Bezugszeichen 1 ein Halbleitersubstrat aus Silizium. Vorgesehen im Halbleitersubstrat 1 ist ein Hohlraum 2. Der Hohlraum 2 ist überspannt von einer Membran 3, welche aufgrund von einer Druckdifferenz im Hohlraum 2 gegenüber der Umgebung eine Durchbiegung der Höhe Δh von 1 μm aufweist. An verschiedenen Orten der Membran 3 sowie an einem Ort auf der umgebenden Ober- fläche O des Substrats 1 sind diskrete Testmuster T1-T4 vorgesehen, welche unterschiedliche Positionen bezüglich der maximalen Durchbiegung Δh der Membran 3 einnehmen.In Fig. 1, reference numeral 1 denotes a silicon semiconductor substrate. Provided in the semiconductor substrate 1 is a cavity 2. The cavity 2 is spanned by a membrane 3, which due to a pressure difference in the cavity 2 with respect to the environment has a deflection of the height .DELTA.h of 1 micron. Discrete test patterns T1-T4, which occupy different positions with respect to the maximum deflection Δh of the membrane 3, are provided at different locations of the membrane 3 and at a location on the surrounding surface O of the substrate 1.
Belichtet worden sind diese Testmuster T1-T4 mittels einer Belichtungsvorrichtung, wobei für die optische Fokusebene OFP der Belichtungsvorrichtung die Oberfläche O des umgebenden Substrats gewählt worden ist. Danach erfolgte eine übliche Entwicklung zum Entfernen des belichteten Positiv-PhotolacksThese test patterns T1-T4 have been exposed by means of an exposure apparatus, wherein the surface O of the surrounding substrate has been selected for the optical focal plane OFP of the exposure apparatus. Thereafter, a conventional development for removing the exposed positive photoresist
(bzw. des unbelichteten Photolacks im Falle von Negativ-Photolack).(or the unexposed photoresist in the case of negative photoresist).
Wie aus Figur Ib ersichtlich, umfassen die entwickelten Testmuster Tl -T4 einen nach dem Photolackbereich U, in den ein photolackfreier Bereich Bl, B2, S1-S4 mit einer Mehrzahl von photo lackfreien
Leitersprossen S1-S4 eingebettet ist. Die Leitersprossen S1-S4 weisen eine kritische Dimension auf, wohingegen die Leiterholme Bl, B2 eine wesentlich größere Dimension aufweisen. Aufgrund der variablen Position der verschiedenen Testmuster bezüglich der optischen Fokusebene OFP sind die Testmuster T1-T4 beim Entwickeln strukturell unterschiedlich aufgelöst worden, sodass die strukturelle Auflösung eines jeweiligen Testmusters ein Maß für die Durchbiegung der Membran 3 an der jeweiligen Position eines jeweiligen Testmusters ist.As can be seen from FIG. 1b, the developed test patterns T1-T4 comprise one after the photoresist area U, into which a photoresist-free area B1, B2, S1-S4 having a plurality of photo-lacquer-free areas Ladder rungs S1-S4 is embedded. The ladder rungs S1-S4 have a critical dimension, whereas the ladder legs Bl, B2 have a much larger dimension. Due to the variable position of the various test patterns with respect to the optical focal plane OFP, the test patterns T1-T4 have been structurally differently resolved during development so that the structural resolution of a respective test pattern is a measure of the deflection of the diaphragm 3 at the respective position of a respective test pattern.
Insbesondere ist die Anzahl photolackfreier Leitersprossen das Maß für die Durchbiegung der Membran 3 an der Position eines jeweiligen Testmusters. Beim Testmuster T4, das auf der Oberfläche O des zu- gehörigen Substrats 1 liegt, welche mit der optischen Fokusebene OFP zusammenfällt, sind sämtliche Leitersprossen S1-S5 aufgelöst. Beim Testmuster T3 sind es nur noch die Sprossen S1-S4, beim Testmuster T2 nur noch die Sprossen S1-S3 und beim Testmuster Tl nur noch die Sprossen Sl und S2. Mit steigender Abweichung der lokalen Höhe eines jeweiligen Testmusters von der optischen Fokusebene OFP nimmt also die Anzahl der entwickelten Leitersprossen im wesentlichen kontinuierlich ab.In particular, the number of photoresist-free ladder rungs is the measure of the deflection of the membrane 3 at the position of a respective test pattern. In the test pattern T4, which lies on the surface O of the associated substrate 1, which coincides with the optical focal plane OFP, all ladder rungs S1-S5 are resolved. For the test pattern T3, only the rungs S1-S4, only the rungs S1-S3 for the test pattern T2 and only the rungs S1 and S2 for the test pattern T1. With increasing deviation of the local height of a respective test pattern from the optical focal plane OFP, therefore, the number of ladder rungs developed decreases substantially continuously.
Fig. 2 ist ein Ablaufdiagramm zum Erläutern eines Verfahrens zur Herstellung einer Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran eines mikromechanischen Bauelements gemäss der ersten und einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.FIG. 2 is a flow chart for explaining a method of manufacturing a test structure for testing the deflection of a diaphragm of a micromechanical device according to the first and a second embodiments of the present invention.
Im Schritt Sl gemäß Figur 2 erfolgt das Vorsehen einer Photo lackschicht auf der Membran 3 und der umgebenden Oberfläche O des Substrats 1. Im Schritt S2 wird die Photolackschicht mit der Prüfstruktur mit der Mehrzahl von diskreten Testmustern T1-T4, welche, wie in Figur Ia dargestellt, unterschiedliche Positionen bezüglich der Durchbiegung der Membran 3 und bezüglich der optischen Fokusebene OFP beim Belichten annehmen, über eine Maske belichtet.2, the provision of a photo lacquer layer on the membrane 3 and the surrounding surface O of the substrate 1. In step S2, the photoresist layer with the test structure with the plurality of discrete test patterns T1-T4, which, as in Figure Ia represented, assume different positions with respect to the deflection of the membrane 3 and with respect to the optical focal plane OFP during exposure, exposed via a mask.
Weiter mit Bezug auf Schritt S3, erfolgt das Entwickeln der Photolackschicht mit der Mehrzahl von belichteten Testmustern T1-T4, was in die strukturell unterschiedlich aufgelösten Testmuster T1-T4 gemäß Figur Ib resultiert.Continuing with reference to step S3, the development of the photoresist layer takes place with the plurality of exposed test patterns T1-T4, which results in the structurally differently resolved test patterns T1-T4 according to FIG.
Die so hergestellte erste Ausführungsform einer Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einerThe thus produced first embodiment of a test structure for testing the deflection of a
Membran eines Drucksensors kann auf optische Weise (Variante a) in Fig. 2) ausgewertet werden. Insbesondere erfolgt mit Bezug auf Schritt S4a eine optische Inspektion, bei der einfach die Anzahl der verbleibenden Sprossen in den jeweiligen Testmustern Tl -T4 gezählt wird. Das Testmuster T4 dient dabei lediglich als Referenz.
Fig. 3a,b sind zwei schematische Draufsichten einer Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran eines mikromechanischen Bauelements gemäss der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.Membrane of a pressure sensor can be evaluated optically (variant a) in Fig. 2). More specifically, with reference to step S4a, an optical inspection simply counts the number of remaining sprouts in the respective test patterns T1-T4. The test pattern T4 serves only as a reference. 3a, b are two schematic plan views of a test structure for testing the deflection of a membrane of a micromechanical device according to the second embodiment of the present invention.
In Figur 3 a bezeichnet Bezugszeichen T5 ein kontinuierliches Testmuster, das einen streifenartigen pho- to lackfreien Bereich WS mit einer Breite bθ aufweist, der von einem ersten Eck El zu einem zweiten diagonal gegenüberliegenden Eck E2 über die Membran geführt ist. Die restliche Oberfläche O ist Photolackbereich U'.In FIG. 3 a, reference symbol T5 denotes a continuous test pattern which has a strip-like, photoresist-free region WS with a width b.sub.O which is guided from a first corner E1 to a second diagonally opposite corner E2 over the membrane. The remaining surface O is photoresist region U '.
In Figur 3 a dargestellt, ist der Fall einer fehlenden Durchbiegung der Membran 3. In diesem Fall ändert sich die Breite bθ des streifenartigen Bereichs WS über der Membran 3 nicht. Mit anderen Worten lagen bei der Belichtung sämtliche Punkte des streifenartigen photolackfreien Bereichs WS innerhalb der optischen Fokusebene OFP, die mit der Oberseite O des umliegenden Substrats 1 zusammenfiel, sodass die strukturelle Auflösung überall gleich ist.In FIG. 3 a, the case of a lack of bending of the membrane 3 is shown. In this case, the width bθ of the strip-like region WS does not change over the membrane 3. In other words, in the exposure, all the dots of the stripe-like photoresist-free region WS were within the optical focus plane OFP coincident with the upper surface O of the surrounding substrate 1, so that the structural resolution is the same everywhere.
Weiter mit Bezug auf Figur 3b, ist die Membran 3 analog zur Darstellung in Figur 1 a durchgebogen um die maximale Höhendifferenz Δh, so dass das entwickelte Testmuster T5 strukturell sich kontinuierlich ändernd aufgelöst ist. Dabei ist die strukturell veränderliche Auflösung des Testmusters T5 an einer jeweiligen Position des Testmusters T5 ein Maß für die Durchbiegung der Membran 3 an der jeweiligen Position des Testmusters T5. Mit anderen Worten variiert die Breite des streifenartigen photolackfreien Bereichs WS' von der maximalen Breite bl an den Enden El bzw. E2 zur minimalen Breite bθ in der Mitte der Membran 3, d. h. dem am höchstliegenden Bereich.With further reference to FIG. 3b, the membrane 3 is deflected analogously to the illustration in FIG. 1a by the maximum height difference Δh, so that the developed test pattern T5 is structurally resolved in a continuously changing manner. The structurally variable resolution of the test pattern T5 at a respective position of the test pattern T5 is a measure of the deflection of the membrane 3 at the respective position of the test pattern T5. In other words, the width of the stripe-like photoresist-free region WS 'varies from the maximum width bl at the ends El and E2 to the minimum width bθ in the center of the diaphragm 3, d. H. the highest area.
Eine derartige Struktur ist prinzipiell auch gemäß Figur 2 (Variante a), Schritt S4a) optisch auswertbar, jedoch bietet sich bei einer derartigen kontinuierlichen Prüfstruktur auch eine elektrische Auswertung an. In diesem Fall erfolgt gemäß Variante b) in Figur 2 in Schritt S4b eine elektrische Dotierung der Membran 3 mittels Fremdionen im streifenartigen Bereich WS' sowie die Herstellung von elektrischen Kontakten an den Enden El, E2 des streifenförmigen Bereichs WS'. Je nach Durchbiegung der Memb- ran wird der an den Enden El, E2 gemessene Widerstandswert unterschiedlich sein. Im Falle einer fehlenden Durchbiegung gemäß Figur 3 a wird der elektrische Widerstand am geringsten sein, und im Falle einer gewünschten Durchbiegung gemäß Figur 3b am höchsten. Die aktuelle Durchbiegung kann dabei entweder durch eine Kalibrierung oder durch einen Vergleich mit einem in der Oberfläche O eingebrachten ebenen Widerstandsstreifen (analog Figur 3 a) ermittelt werden. Integriert man einen derartigen Wi-
derstand direkt in eine Auswerteschaltung, kann die Durchbiegung ohne weiteren Aufwand beim Testen des betreffenden mikromechanischen Bauelements geprüft werden. Die elektrische Auswertung derartiger Widerstände kann auch mittels komplexerer Auswerteschaltungen durchgeführt werden, beispielsweise, wenn zusätzlich eine Van-der-Pauw-Struktur implementiert wird. Dotierungsschwankungen der Widerstände können so eliminiert werden.In principle, such a structure can also be optically evaluated according to FIG. 2 (variant a), step S4a), but in such a continuous test structure an electrical evaluation is also suitable. In this case, according to variant b) in FIG. 2, in step S4b an electrical doping of the membrane 3 by means of foreign ions in the strip-like region WS 'and the production of electrical contacts at the ends E1, E2 of the strip-shaped region WS' takes place. Depending on the deflection of the membrane, the resistance value measured at the ends E1, E2 will be different. In the case of a lack of deflection according to Figure 3 a, the electrical resistance will be the lowest, and in the case of a desired deflection according to Figure 3b highest. The current deflection can be determined either by calibration or by comparison with a flat resistance strip introduced in the surface O (analogous to FIG. 3 a). If you integrate such a derstand directly into an evaluation circuit, the deflection can be tested without further effort in testing the relevant micromechanical device. The electrical evaluation of such resistors can also be carried out by means of more complex evaluation circuits, for example, if additionally a van der Pauw structure is implemented. Doping variations of the resistors can thus be eliminated.
Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise modifizierbar.Although the present invention has been described above with reference to a preferred embodiment, it is not limited thereto, but modifiable in many ways.
Insbesondere ist die vorliegende Erfindung anhand eines mikromechanischen Drucksensors mit einer durch eine Membran verdeckelten Hohlraum beschrieben worden, jedoch ist sie selbstverständlich auf beliebige Strukturen mit gewölbten Membranen anwendbar. So könnte beispielsweise die Membran eine offene zeltartige Gestalt annehmen. Auch ist die gezeigte Geometrie der diskreten Testmuster gemäss Fig. la,b bzw. der kontinuierlichen Testmuster gemäss Fig. 3a,b nur beispielhaft und beliebig variier- bar.
In particular, the present invention has been described in terms of a micromechanical pressure sensor having a membrane capped cavity, but of course it is applicable to any curved membrane structures. For example, the membrane could take on an open tent-like shape. Also, the shown geometry of the discrete test pattern according to FIG. 1a, b or the continuous test pattern according to FIG. 3a, b can only be varied by way of example and as desired.
Claims
1. Verfahren zur Herstellung einer Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran (3) eines mikromechanischen Bauelements (10) mit den Schritten:1. A method for producing a test structure for testing the deflection of a membrane (3) of a micromechanical component (10), comprising the steps of:
Vorsehen (Sl) einer Photolackschicht auf der Membran (3) und einer umgebenden OberflächeProviding (Sl) a photoresist layer on the membrane (3) and a surrounding surface
(O) eines zugehörigen Substrats (1);(O) an associated substrate (1);
Belichten (S2) der Photolackschicht mit einer Prüfstruktur mit einer Mehrzahl von diskreten Testmustern (Tl -T4), welche unterschiedliche Positionen bezüglich der Durchbiegung der Membran (3) und bezüglich einer optischen Fokusebene (OFP) beim Belichten (S2) annehmen;Exposing (S2) the photoresist layer to a test structure having a plurality of discrete test patterns (Tl -T4) which assume different positions with respect to the deflection of the membrane (3) and with respect to an optical focal plane (OFP) during exposure (S2);
Entwickeln (S3) der Photolackschicht mit der Mehrzahl von belichteten Testmustern (Tl -T4), wobei sich die Testmuster (Tl -T4) beim Entwickeln (S3) strukturell unterschiedlich aufgelöst werden, so dass die strukturelle Auflösung eines jeweiligen Testmusters (T1-T4) ein Maß für Durchbiegung der Membran (3) an der Position eines jeweiligen Testmusters (T1-T4) ist.Developing (S3) the photoresist layer with the plurality of exposed test patterns (T1-T4), wherein the test patterns (T1-T4) are structurally differently resolved during development (S3) so that the structural resolution of a respective test pattern (T1-T4) a measure of deflection of the membrane (3) at the position of a respective test pattern (T1-T4).
2. Verfahren nach Anspruch 1 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die entwickelten Testmuster (T1-T4) einen Photo lackbereich (U) umfassen, in den photo- lackfreier Bereich (B 1 , B2, S 1 -S5) mit einer Mehrzahl von photo lackfreien Leitersprossen (Sl-2. The method according to claim 1, characterized in that the developed test pattern (T1-T4) comprise a photo paint area (U), in the photo-paint-free area (B 1, B2, S 1 -S5) with a plurality of photo paint-free ladder rungs (SL
S4) eingebettet ist, wobei die Anzahl photo lackfreier Leitersprossen (S1-S4) das Maß für Durchbiegung der Membran (3) an der Position eines jeweiligen Testmusters (T1-T4) ist.S4) is embedded, wherein the number of photo varnish-free ladder rungs (S1-S4) is the measure of deflection of the membrane (3) at the position of a respective test pattern (T1-T4).
3. Verfahren zur Herstellung einer Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran (3) eines mikromechanischen Bauelements (10) mit den Schritten:3. A method for producing a test structure for testing the deflection of a membrane (3) of a micromechanical component (10) with the steps:
Vorsehen (Sl) einer Photolackschicht auf der Membran (3) und einer umgebenden Oberfläche (O) eines zugehörigen Substrats (1); Belichten (S2) der Photolackschicht mit einer Prüfstruktur mit einem kontinuierlichen Testmuster (T5), welche eine sich kontinuierlich ändernde Position bezüglich der Durchbiegung der Membran (3) und bezüglich einer optischen Fokusebene (OFP) beim Belichten (S2) annimmt;Providing (Sl) a photoresist layer on the membrane (3) and a surrounding surface (O) of an associated substrate (1); Exposing (S2) the photoresist layer to a test pattern having a continuous test pattern (T5) which assumes a continuously changing position with respect to the deflection of the diaphragm (3) and with respect to an optical focal plane (OFP) during exposure (S2);
Entwickeln (S3) der Photolackschicht mit dem kontinuierlichen Testmuster (T5), wobei dasDeveloping (S3) the photoresist layer with the continuous test pattern (T5), wherein the
Testmuster (T5) beim Entwickeln (S3) strukturell sich kontinuierlich ändernd aufgelöst wird, so dass die strukturelle Auflösung des Testmusters (T5) an einer jeweiligen Position des Testmusters (T5) ein Maß für Durchbiegung der Membran (3) an der jeweiligen Position des Testmusters (T5) ist.Test pattern (T5) is developed to develop structurally (S3) continuously changing, so that the structural resolution of the test pattern (T5) at a respective position of the test pattern (T5) is a measure of deflection of the membrane (3) at the respective position of the test pattern (T5) is.
4. Verfahrennach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das entwickelte Testmuster (T5) einen Photolackbereich (U') umfasst, in den ein streifenartiger Bereich (WS') eingebettet ist, wobei die Breite (bl, b2) des streifenartigen Bereichs (WS') das Maß für Durchbiegung der Membran (3) an der Position an der jeweiligen Position desA method according to claim 3, characterized in that the developed test pattern (T5) comprises a photoresist area (U ') in which a strip-like area (WS') is embedded, wherein the width (bl, b2) of the strip-like area (WS ') ) the amount of deflection of the membrane (3) at the position at the respective position of the
Testmusters (T5) ist.Test pattern (T5) is.
5. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass im streifenartigen Bereich (WS') sich ändernderen Breite (bl, b2) Fremdionen zur elektrischen Dotierung in die Membran (3) eingebracht werden und der dotierte streifenartige Bereich (WS') für eine Widerstandsmessung im Bereich seiner Enden (El, E2) kontaktierbar gemacht wird.5. The method according to claim 5, characterized in that in the strip-like region (WS ') changing width (bl, b2) foreign ions for electrical doping in the membrane (3) are introduced and the doped strip-like region (WS') for a resistance measurement made contactable in the region of its ends (El, E2).
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Fokusebene (OFP) mit der umgebenden Oberfläche (O) des zugehörigen Substrats (1) zusammenfällt.6. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the optical focal plane (OFP) coincides with the surrounding surface (O) of the associated substrate (1).
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran einen im Substrat (1) vorgesehenen Hohlraum (2) verdeckelt. 7. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the membrane covers a in the substrate (1) provided cavity (2).
8. Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran (3) eines mikromechanischen Bauelements (10) mit einer Mehrzahl von diskreten Testmustern (T1-T4), wobei die Testmuster (T1-T4) durch Entwickeln (S3) strukturell unterschiedlich aufgelöst sind, so dass die strukturelle Auflösung eines jeweiligen Testmusters (Tl -T4) ein Maß für Durchbiegung der Membran (3) an der Position eines jeweiligen Testmusters (Tl -T4) ist.8. test structure for testing the deflection of a membrane (3) of a micromechanical device (10) having a plurality of discrete test patterns (T1-T4), wherein the test patterns (T1-T4) by structuring (S3) are structurally differently resolved, so that the structural resolution of a respective test pattern (Tl -T4) is a measure of deflection of the membrane (3) at the position of a respective test pattern (Tl -T4).
9. Prüfstruktur nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die entwickelten Testmuster (T1-T4) einen Photo lackbereich (U) umfassen, in den photo- lackfreier Bereich (Bl, B2, S1-S5) mit einer Mehrzahl von photo lackfreien Leitersprossen (Sl-9. test structure according to claim 8, characterized in that the developed test pattern (T1-T4) comprise a photo paint area (U), in the photo paint-free area (Bl, B2, S1-S5) with a plurality of photo paint-free ladder rungs ( sl-
S4) eingebettet ist, wobei die Anzahl photo lackfreier Leitersprossen (S1-S4) das Maß für Durchbiegung der Membran (3) an der Position eines jeweiligen Testmusters (Tl -T4) ist.S4) is embedded, wherein the number of photo lacquer-free ladder rungs (S1-S4) is the measure of deflection of the membrane (3) at the position of a respective test pattern (Tl -T4).
10. Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran (3) eines mikromechanischen Bau- elements (10) mit einem kontinuierlichen Testmuster (T5), wobei das Testmuster (T5) durch10. test structure for testing the deflection of a membrane (3) of a micromechanical device (10) with a continuous test pattern (T5), wherein the test pattern (T5) by
Entwickeln (S3) strukturell sich kontinuierlich ändernd aufgelöst ist, so dass die strukturelle Auflösung des Testmusters (T5) an einer jeweiligen Position des Testmusters (T5) ein Maß für Durchbiegung der Membran (3) an der jeweiligen Position des Testmusters (T5) ist.Developing (S3) structurally resolved continuously changing, so that the structural resolution of the test pattern (T5) at a respective position of the test pattern (T5) is a measure of deflection of the membrane (3) at the respective position of the test pattern (T5).
11. Prüfstruktur nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das entwickelte Testmuster (T5) einen Photolackbereich (U') umfasst, in den ein streifenartiger Bereich (WS') eingebettet ist, wobei die Breite (bl, b2) des streifenartigen Bereichs (WS') das Maß für Durchbiegung der Membran (3) an der Position an der jeweiligen Position des Testmusters (T5) ist.11. A test structure according to claim 10, characterized in that the developed test pattern (T5) comprises a photoresist area (U ') in which a strip-like area (WS') is embedded, wherein the width (bl, b2) of the strip-like area (WS ') is the measure of deflection of the membrane (3) at the position at the respective position of the test pattern (T5).
12. Verwendung einer Prüfstruktur nach einem der Ansprüche 8 bis 11 zum optischen und/oder elektrischen Prüfen der Durchbiegung einer Membran (3) eines mikromechanischen Drucksensors. 12. Use of a test structure according to one of claims 8 to 11 for the optical and / or electrical testing of the deflection of a membrane (3) of a micromechanical pressure sensor.
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