[go: up one dir, main page]

WO2005113617A1 - (メタ)アクリル酸エステル、重合体、およびレジスト組成物 - Google Patents

(メタ)アクリル酸エステル、重合体、およびレジスト組成物 Download PDF

Info

Publication number
WO2005113617A1
WO2005113617A1 PCT/JP2005/008955 JP2005008955W WO2005113617A1 WO 2005113617 A1 WO2005113617 A1 WO 2005113617A1 JP 2005008955 W JP2005008955 W JP 2005008955W WO 2005113617 A1 WO2005113617 A1 WO 2005113617A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
formula
polymer
acid
meth
represented
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/008955
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Atsushi Ootake
Tadashi Nakamura
Original Assignee
Mitsubishi Rayon Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Rayon Co., Ltd. filed Critical Mitsubishi Rayon Co., Ltd.
Priority to US11/596,865 priority Critical patent/US8088875B2/en
Priority to JP2006513693A priority patent/JP5269311B2/ja
Publication of WO2005113617A1 publication Critical patent/WO2005113617A1/ja
Priority to US12/393,455 priority patent/US8114949B2/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/10Esters
    • C08F20/26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/10Esters
    • C08F20/26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F20/28Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

Definitions

  • the present invention relates to a polymer useful as a constituent resin material of a positive resist and a monomer useful as a raw material of a polymer for a positive resist.
  • the present invention also relates to a resist composition and a method for producing a pattern using the polymer, and more particularly to a chemically amplified resist polymer suitable for fine processing using excimer laser, electron beam and X-ray.
  • miniaturization has rapidly progressed due to the progress of lithography technology.
  • a shorter wavelength of irradiation light is used.
  • ultraviolet light DUV typically represented by conventional g-line (wavelength: 438 nm) and i-line (wavelength: 365 nm)
  • Irradiation light is changing to Deep Ultra Violet).
  • Lithography technology Long: 157nm
  • EUV lithography technology which are slightly different types of lithography technology, have been studied energetically.
  • a "chemically amplified resist" containing a photoacid generator As a high-resolution resist for such short-wavelength irradiation light or electron beam, a "chemically amplified resist" containing a photoacid generator has been proposed. At present, improvement and development of the chemically amplified resist have been proposed. Is being vigorously pursued. In a chemically amplified positive resist, the dissolution rate of a resist polymer in an alkaline developer must be increased by the action of an acid, and has a structure in which a hydrophilic group is protected by an acid-eliminable protecting group. Polymers are widely used.
  • Patent Document 1 discloses a monomer in which (meth) acrylic acid is protected by an acid-eliminable protecting group.
  • a polymer having a constitutional unit is mentioned.
  • Patent Document 2 discloses a polymer having a structural unit represented by the following formula (5).
  • R represents a hydrogen atom, a methyl group, a linear or branched hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a linear or branched fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • each R 3 independently represents a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms or a derivative thereof, or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • at least one of R 3 is the alicyclic hydrocarbon group or a derivative thereof, or any two R 3 are bonded to each other to form a carbon atom together with the carbon atom to which each is bonded.
  • R 3 is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a monovalent having 4 to 20 carbon atoms; Represents an alicyclic hydrocarbon group or a derivative thereof, and U represents a divalent bridged hydrocarbon group having 5 to 12 carbon atoms.
  • a (meth) acrylic acid ester described in Patent Document 2 for forming an acid-eliminable structural unit represented by the general formula (5) is used in the production thereof.
  • a (meth) acrylic acid having a bridged hydrocarbon group having a carboxyl group bonded thereto (structure U in general formula (5)) and a tertiary alcohol (C (R) OH) can be subjected to an esterification reaction.
  • Patent Document 1 JP 2003-122007
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-330192
  • an acid-labile group can be introduced by a simple method with a small reaction constant.
  • Another object of the present invention is to provide a polymer using the (meth) acrylic acid ester and a resist composition using the polymer.
  • the inventors of the present invention have conducted intensive studies in view of the above problem, and as a result, it has been found that a (meth) acrylate ester having a structure in which an acetal-containing structure is bonded to a specific ring structure can be easily removed by a simple method.
  • the inventors have found that a group can be introduced and that the polymer is useful as a constituent resin material of a positive resist, and the present invention has been accomplished.
  • a first gist of the present invention is a polymer containing a structural unit represented by the following formula (1).
  • R represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R ⁇ R 2 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or RR 2 is taken together.
  • a 1 represents a single bond, alkylene, oxyalkylene, C (0) 0— or one CH CH OC (O) —, and
  • a 2 represents a single bond, alkylene, oxyalkylene, CO, one
  • a second aspect of the present invention is a polymer in which the above formula (1) is a structural unit represented by the following formula (2).
  • R represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 2 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
  • a third aspect of the present invention is a (meth) acrylic acid ester represented by the following formula (3).
  • a fourth aspect of the present invention is a (meth) acrylic acid ester in which the above formula (3) is represented by the following formula (4).
  • R represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 2 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
  • N is 0 or 1.
  • a fifth aspect of the present invention is a resist composition containing the polymer.
  • a sixth gist of the present invention includes a step of applying the resist composition on a substrate to be processed, a step of exposing to light having a wavelength of 250 nm or less, and a step of forming a pattern by developing using a developer. And a pattern manufacturing method including:
  • a polymer using an acrylate ester is useful as a positive resist.
  • FIG. 1 is a view showing the measurement results of 1 H-NMR analysis of a methacrylic acid ester represented by (A-1) obtained in Example 1.
  • FIG. 2 is a view showing a measurement result of 1 H-NMR analysis of a methacrylate represented by (A-2) obtained in Example 3.
  • FIG. 3 shows the results of mass spectrometry of the methacrylate represented by (A-2) obtained in Example 3.
  • FIG. 4 is a view showing a measurement result of 1 H-NMR analysis of a methacrylate represented by (A-3) obtained in Example 5.
  • FIG. 5 is a diagram showing the results of mass spectrometry measurement of the methacrylate represented by (A-3) obtained in Example 5.
  • (meth) acrylic acid represents methacrylic acid or acrylic acid
  • the polymer of the present invention contains the structural unit represented by the formula (1), and is particularly useful as a raw material for a resist composition. Since the polymer of the present invention has excellent transparency to light having a wavelength of 250 nm or less, the polymer for KrF resist, the polymer for ArF resist, and the F resist
  • It can be used as a polymer for a strike, and particularly suitable as a polymer for an ArF resist.
  • the polymer of the present invention is a cyclohexane ring, a norbornane ring, a bicyclo [2.2.2] octane ring, which may be substituted, represented by Z in the above formula (1). Or a tetracyclo [4. 4. 0. I 2 ' 5 ] dodecane ring.
  • the substituents are not particularly limited, but include a hydroxy group, a carboxyl group, a C1-C6 acyl group, a C1-C6 alkoxy group, and a carboxy group esterified with a C1-C6 alcohol.
  • a cyclic saturated hydrocarbon group is excellent in etching resistance when a polymer is used as a resist.
  • a cyclic saturated hydrocarbon group since a raw material is easily available, a bicyclo [2.2.2] octane ring and a tetracyclo [4. 4.0. I 2 ' 5 ] dodecane ring is preferred.
  • the polymer of the present invention is characterized in that the cyclic saturated hydrocarbon group has a single bond, alkylene, Via cyanoreylene, one O—, one CO—, one C (0) 0—, or one CH CH OC (O) —
  • Acetals decompose in the presence of an acid catalyst to form carboxyl or hydroxy groups.
  • it can be used for resist compositions for metal etching, photo application, plate making, hologram, color filter, retardation film, etc. .
  • it can be suitably used for a positive-acting amplification type resist using a photoacid generator.
  • the polymer of the present invention when used as a raw resin for a positive resist composition, it has excellent line edge roughness.
  • the structural unit represented by the formula (1) is a structural unit represented by the following formula (2).
  • R represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 2 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
  • the polymer containing the structural unit represented by the above formula (2) is particularly preferable because it has a high thermal stability of the acetal structure and tends to have excellent storage stability. It is particularly preferable because of excellent line edge roughness. This is thought to be due to the carboxy group protected by the alkoxymethyl group. Alkoxymethyl groups are smaller in size under acidic conditions than those of other acid-labile groups such as tertiary ester groups and alkoxyethyl groups. It is presumed to be very small. Also, the alkoxymethyl group is considered to have lower elimination energy than acid-labile groups such as tertiary ester groups used in conventional chemically amplified positive resists. It is presumed to suppress life.
  • the polymer of the present invention can be produced by polymerizing a (meth) acrylate monomer represented by the following formula (3).
  • monomers represented by the above formula (3) include monomers represented by the following formulas (3-1) to (3-91).
  • R and Z have the same meanings as in the formula (1)
  • the monomers represented by (3-38) to (3-42) are preferred, and the formulas (3-10), (3-11), (3-24), (3-25), In (3-38) and the formula (3-39), those in which ⁇ is a bicyclo [2.2.2] octane ring are particularly preferable.
  • Equation (3-1), Equation (3-43), Equation (3-57), Equation (3-64), Equation (3-71)-Equation (3-71) — 77) is preferable, and a monomer represented by the following formula (4) is particularly preferable.
  • R represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 2 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
  • N is 0 or 1.
  • the (meth) acrylic acid ester represented by the above formula (4) tends to have excellent storage stability due to high thermal stability of the acetal structure when used as a raw material for a polymer for a positive resist. It is in. It is particularly preferable because of excellent line edge roughness. This is thought to be due to the carboxy group protected by the alkoxymethyl group. Alkoxymethyl groups are small in size compared to other acid leaving groups such as tertiary ester groups, alkoxyethyl groups, etc. It is presumed to be very small. Alkoxymethyl groups, such as tertiary ester groups, have also been used in conventional chemically amplified positive resists! The energy of elimination is considered to be lower than that of acid-labile groups. It is assumed that the occurrence of pulling is suppressed.
  • R represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 1 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
  • (meth) acrylate represented by the formulas (1A) and (1B) include the following formulas (4A-1) to (4A-22) and (4B-1) to (4B-22).
  • R represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • the (meth) acrylates represented by the above formulas (4A-1) to (4A-22) and (4B-1) to (4B-22) are represented by the following formulas (4A-a) to It may have two or more positional isomers, stereoisomers, and optical isomers represented by (4A-h), (4B-a) to (4B-X).
  • the (meth) acrylic acid esters represented by the above formulas (4A) and (4B) may be either of these isomers alone or two or more isomers. It's a mixture and a little.
  • the monomer of the present invention can be produced, for example, by the following method.
  • the following steps (I) to (IV) are steps for producing the monomers represented by the formulas (3-22), (3-24), (3-5), and (3-46), respectively.
  • steps (I) to (IV) are steps for producing the monomers represented by the formulas (3-22), (3-24), (3-5), and (3-46), respectively.
  • other similar monomers can be produced by the same process.
  • the starting materials, norbornenecarboxylic acid and norbornene alcohol can be synthesized by known methods, or commercially available products may be used.
  • the addition reaction of acrylic acid or methacrylic acid to norbornene carboxylic acid and norbornene alcohol should be carried out using an acid catalyst without solvent or in a solvent such as toluene, using an excess of acrylic acid or methacrylic acid. Is preferred,.
  • the acid catalyst used in the addition reaction is not particularly limited, and examples thereof include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, acetic acid, trifluoroacetic acid, and trifluoromethanesulfonic acid. Above all, from the viewpoint of the reaction rate, trifluoromethanesulfonic acid is more preferable, with sulfuric acid, p-toluenesulfonic acid and trifluoromethanesulfonic acid being preferred.
  • the addition reaction of the carboxylic acid or alcohol to the butyl ether is preferably carried out in a solvent such as toluene or tetrahydrofuran using an acid catalyst.
  • step (III) commercially available terpinene as a raw material can be used.
  • the cycloaddition reaction between terbinene and acrylic acid is easily carried out by a known method.
  • a catalyst such as a Lewis acid is used as necessary, and it is preferable to carry out the reaction without a solvent or in a solvent such as methanol.
  • the subsequent addition reaction of acrylic acid or methacrylic acid and addition reaction to vinyl ether can be carried out in the same manner as in steps (1) and (II).
  • step (IV) commercially available starting materials such as hydroxyethyl methacrylate, hexahydrophthalic anhydride and 2,3-dihydropyran can be used.
  • the ring-opening addition reaction of hydroxyethyl methacrylate to hexahydrophthalic anhydride proceeds easily by a known method.However, if necessary, a catalyst such as a Lewis acid can be used, and no solvent or methanol or the like can be used. It is preferable to carry out in a solvent.
  • a catalyst such as a Lewis acid can be used, and no solvent or methanol or the like can be used. It is preferable to carry out in a solvent.
  • the subsequent addition reaction of carboxylic acid to 2,3-dihydropyran can be carried out in the same manner as in steps (1) and (II).
  • the (meth) acrylic acid esters represented by the above formulas (4A) and (4B) can be produced, for example, by the following steps (V) and (VI).
  • Step (V), Te Contact! /, In (VI), is a starting material norbornene carboxylic acid and tetracyclo [4. 4. 0. I 2 ' 5] Dodesenkarubon acid is synthesized by a known method Or a commercially available product may be used.
  • the first step is about Tsukeka ⁇ norbornene carboxylic acid or tetracyclo [4. 4. 0. I 2 '5 ] to dodecene force carboxylic acid (meth) acrylic acid ester.
  • an excess of (meth) acrylic acid relative to norbornenecarboxylic acid or tetracyclo [4.4.0.I 2 ' 5 ] dodecenecarboxylic acid is required from the viewpoint of the reaction rate. U, which is preferred to use.
  • Dodesenkarubon acid 1 mole is preferable instrument 3 moles or more is at least 2 mol More preferably, it is. Further, it is preferably 15 mol or less, more preferably 8 mol or less. If the amount is less than this, the reaction may not proceed sufficiently. If the amount is too large, it becomes difficult to remove excess (meth) acrylic acid after the reaction.
  • the addition reaction of (meth) acrylic acid is generally performed in the presence of an acid catalyst.
  • the acid catalyst include Lewis acids such as boron oxyfluoride, mineral acids such as sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid and phosphoric acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, methanesulfonic acid, camphorsulfonic acid, and the like.
  • Organic acids such as trifluoromethanesulfonic acid, etc .; heteropolyacids such as phosphotungstic acid and keitungstic acid; and strongly acidic ion-exchange resins; and sulfuric acid, p-toluenesulfonic acid, camphor, etc.
  • Sulfonic acid, methanesulfonic acid, and trifluoromethanesulfonic acid are preferred, and methanesulfonic acid is particularly preferred because of easy handling.
  • the amount of the acid catalyst used is preferably 0.03 mol or more, more preferably 0.055 mol or more, more preferably 0.3 mol or less, and preferably 0.25 mol or less, based on 1 mol of norbornene carboxylic acid.
  • the temperature at which the acid addition reaction is performed is preferably 50 ° C or higher, more preferably 70 ° C or higher, further preferably 180 ° C or lower, and more preferably 150 ° C or lower. preferable. At lower temperatures, the reaction may not proceed sufficiently at lower temperatures, and at lower temperatures, the by-products may increase.
  • the solvent used in the acid addition reaction is not particularly limited, but may be tetrahydrofuran, tet Ether solvents such as lahydropyran, dimethyl ether, dimethyl ether, diisopropyl ether, methyl tert-butyl ether, aliphatic hydrocarbon solvents such as pentane, hexane, heptane, heptane, cyclohexane, benzene, toluene, xylene, etc.
  • Aromatic hydrocarbon solvents are exemplified. These solvents are preferably dehydrated in advance by a conventional method because a high reaction yield can be obtained.
  • the acid addition reaction is preferably performed without a solvent in that the caro reaction with acid can be performed without a solvent and the yield is good.
  • the time for the acid addition reaction varies depending on the batch size, the acid catalyst, and the reaction conditions, but is preferably 1 hour or more, and more preferably 12 hours or less. More preferably, it is 2 hours or more and 8 hours or less. If it is shorter than this, the reaction may not proceed sufficiently, and if it is longer than this, the by-products may increase.
  • polymerization inhibitor is not particularly limited as long as it inhibits polymerization.1S hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, 2,4 dimethyl-6-t-butylphenol, ⁇ benzoquinone, 2,5-diphenyl-benzoquinone, phenothiazine, N -Torosodiphenamine, copper salts, copper metal, 2,2,6,6-tetramethylpiperidine 1-oxyl, and the like. Further, performing the reaction while blowing air or oxygen is also effective for suppressing the polymerization.
  • the reaction solution is washed with water or an aqueous alkaline solution such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium hydrogencarbonate, or the like to wash the reaction solution with water or neutralized water to remove the acid catalyst.
  • aqueous alkaline solution such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium hydrogencarbonate, or the like
  • Removal method adding alkali powder such as sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate, magnesium oxide, etc., stirring and filtering the neutralized salt to remove the acid catalyst, triethylamine, triethanolamine, morpholine, etc.
  • the acid catalyst can be removed by, for example, a method of neutralizing the acid catalyst with the above amine. Among them, a method of washing with an aqueous alkali solution and extracting with an organic solvent is preferable because the acid catalyst can be effectively removed.
  • organic solvent used for the extraction examples include toluene, benzene, hexane, cyclohexane, ethyl acetate, dimethyl ether, diisopropyl ether, and the like.
  • Toluene, ethyl acetate and getyl ether are preferred
  • Toluene is particularly preferred because the purity of the target compound can be increased.
  • the obtained (meth) acrylic acid adduct may be purified by a known method such as distillation or column chromatography, or may be directly used in the next step without purification. Since the (meth) acrylic acid additive may be polymerized by heating, it is preferable that purification is not performed because the total yield is high.
  • the next step is a step of alkoxymethyl etherifying the carboxy group of the (meth) acrylic acid adduct.
  • Alkoxy methyl ether is carried out by reacting a (meth) acrylic acid adduct in the presence of a base with a halogenated alkyl ether or dialkoxymethane. Further, the (meth) acrylic acid adduct may be reacted with formaldehyde or alcohol. From the viewpoint of the reaction rate, it is particularly preferable to react with halogen alkyl ether, and from the viewpoint that the amount of by-products is small, a cycloalkyl ether is particularly preferable.
  • the base is not particularly limited, triethylamine, diisopropylethylamine, pyridine, dimethylaminopyridine, sodium hydride, lithium hydride, potassium t-butoxide, sodium methoxide, sodium ethoxide and the like are used.
  • the reaction solvent is not particularly limited, but it is preferable to use a polar solvent such as methanol, ethanol, tetrahydrofuran, formamide, acetoamide, dimethylformamide, dimethylacetamide, or dimethylsulfoxide in view of the reaction speed.
  • Formamide is particularly preferred.
  • the temperature at which the alkoxymethyl etherification is carried out is preferably at least 50 ° C, more preferably at least 0 ° C, preferably at most 100 ° C, preferably at most 50 ° C. More preferred. If the temperature is lower than this V, the reaction may not proceed sufficiently !, and if it is lower than this, the by-products may increase.
  • the obtained (meth) acrylic acid ester of the present invention can be used as a raw material for a polymer without purification, but it is necessary to purify the polymer in order to suppress contamination of the polymer with impurities. I like it. Purification can be performed by a known method such as column chromatography, distillation, or recrystallization, but it is preferable to perform distillation purification because of easy handling. Since polymerization may occur during distillation, it is preferable to add a polymerization inhibitor.
  • the polymerization inhibitor is not particularly limited as long as it inhibits polymerization, but it may be hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, 2,4 dimethyl-6-tbutylphenol, p-benzoquinone, 5-diphenyl-benzoquinone, phenothiazine, torosodiphenamine, copper salts, metallic copper, 2,2,6,6-tetramethylpiperidine 1-oxyl and the like. Further, performing distillation while blowing air or oxygen is also effective for suppressing polymerization.
  • the (meth) acrylic ester of the present invention may decompose when heated during distillation. This is presumed to be due to the fact that the acidic component used in the reaction remained and the acid-labile group was eliminated V.
  • a base may be added for distillation.
  • the base is not particularly limited, but sodium hydroxide and potassium hydroxide are preferable because of easy handling.
  • the (meth) acrylic acid ester of the present invention can also be produced by a method such as the following steps (VII) and (VIII).
  • the first step is the norbornene carboxylic acid or tetracyclo [4. 4. 0. I 2 '5 ] dodecene force carboxylic acid alkoxymethyl etherification step.
  • Alkoxymethyl etherification is based on norbornene carboxylic acid, in the presence of a base, halogenated alkyl ether or It is performed by reacting with dialkoxymethane. Further, the (meth) acrylic acid adduct may be reacted with formaldehyde or alcohol.
  • the second step is a hydroxylation step for the alkoxymethyletherilide. Reacting the alkoxymethyletheride with formic acid, a BH-tetrahydrofuran complex,
  • an alcohol form is obtained by hydrolysis using a base such as sodium carbonate. Further, the obtained alcohol form and (meth) acrylic acid chloride are dechlorinated in the presence of a base such as sodium hydroxide. By performing the hydrogen reaction, the (meth) acrylate ester of the present invention can be obtained.
  • the products of the above steps (I) to (X) may include several positional isomers, geometric isomers and optical isomers.
  • As raw materials for the structural unit (1) of the polymer of the present invention two or more Either a mixture of isomers may be used, or purified and / or some of the isomers may be used alone. Therefore, the mixture of isomers can be used for the polymerization reaction as it is. Further, even if it contains a reaction intermediate, it can be used for the polymerization reaction as it is.
  • the product of the above reaction may be purified by simple distillation, thin film distillation, recrystallization, column chromatography, or the like, if necessary.
  • the polymer of the present invention may be a homopolymer or a copolymer.
  • the monomer of the present invention represented by the above formula (3) and the following formulas (6-1) to (6-80) It is preferable to copolymerize with a compound represented by the above formula in view of excellent resist performance such as sensitivity, resolution and etching resistance. Any monomer can be used as the copolymer component according to the purpose, and the copolymerization ratio may be appropriately determined according to the purpose.
  • R represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • the ratio of the structural unit represented by the above formula (1) in the polymer may be 2 because of excellent sensitivity and resolution and low line edge roughness.
  • the group represented by the monomer represented by the formula (3) and the monomer represented by the formulas (6-19) and (6-74) It is preferred to copolymerize with at least one selected monomer.
  • Alicyclic bone having such a hydroxy group or a cyano group A positive resist using a polymer containing a case has a good pattern shape.
  • the group represented by the monomer represented by the formula (3) and the monomer represented by the formulas (6-22) and (6-64) are selected. It is preferred to copolymerize with one or more monomers.
  • 25 to 70 mol% of the structural unit represented by the formula (1) is defined as the formula (6-23), the formula (6-24), the formula (6-28), or the formula (6 6-29), Formula (6-36), Formula (6-47), Formula (6-59), and Formula (6-63)
  • the structural unit derived from the body is 25 to 70 mol%, and the structural unit derived from one or more monomers whose group force is also selected from the formulas (6-19) and (6-74) Is particularly preferred from the viewpoint of excellent sensitivity, resolution and line edge roughness.
  • each structural unit can take an arbitrary sequence. Therefore, when the polymer of the present invention is a copolymer, it may be a random copolymer, an alternating copolymer, or a block copolymer.
  • the monomer represented by the formula (3) can be copolymerized with other monomers. Specifically, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid Butyl, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, methoxymethyl (meth) acrylate, n-propoxyshetyl (meth) acrylate, i-propoxyshetyl (meth) acrylate, (meth) ) N-butoxysyl acrylate, i-butoxysyl (meth) acrylate, t-butoxystyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate
  • Runnene tetrafluoroethylene, acrylamide, N-methylacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, butyl chloride, ethylene, butyl fluoride, bi-lidene fluoride, tetrafluoroethylene, butylpyrrolidone and the like.
  • the weight average molecular weight of the polymer of the present invention is not particularly limited, but is preferably 1,000 or more, and more preferably 1,000,000 or less.
  • the polymer preferably has a mass average molecular weight of 1,000 or more from the viewpoints of etching resistance and resist shape. More preferably, it is particularly preferably 5,000 or more.
  • the weight average molecular weight of the polymer of the present invention is preferably 100,000 or less, more preferably 50,000 or less, from the viewpoint of solubility in a resist solution and resolution, and more preferably 50,000 or less. Especially preferred is 000 or less.
  • the polymer of the present invention can be produced by polymerizing the monomer represented by the formula (3).
  • the polymerization method include radical polymerization, anion polymerization, and cationic polymerization.
  • a polymerization method called precision polymerization represented by living polymerization may be used.
  • a production process for obtaining a polymer includes a bulk polymerization process, a suspension polymerization process, an emulsion polymerization process, a gas phase polymerization process, a solution polymerization process, and the like. These production processes may be appropriately determined according to the properties of the target polymer.
  • Example As mentioned above, the above-described process is required because it is necessary to remove the monomers remaining after the polymerization reaction in order to prevent the light transmittance from lowering, and it is necessary to make the molecular weight of the copolymer relatively low. Among them, a solution polymerization process is often employed.
  • a so-called drop polymerization method in which a monomer solution in which is dissolved in an organic solvent is dropped into an organic solvent maintained at a constant temperature, is suitably used.
  • the polymer of the present invention is usually obtained by polymerizing a monomer solution containing a monomer represented by the formula (3) in the presence of a polymerization initiator.
  • a radical form of the polymerization initiator is generated in the reaction solution, and chain polymerization of the monomer proceeds from the radical form as a starting point.
  • polymerization initiator used in the production of the polymer of the present invention one that efficiently generates radicals by heat is preferable.
  • polymerization initiators include, for example, azoi conjugates such as 2,2'-azobisisobutymouth-tolyl and dimethyl-2,2, -azobisisobutyrate; 2,5 dimethyl-2,5bis ( organic peroxides such as tert-butylperoxy) hexane and the like.
  • a chain transfer agent may be used.
  • a chain transfer agent By using a chain transfer agent, a polymer having a low molecular weight and a small molecular weight distribution can be produced.
  • Suitable chain transfer agents include, for example, 1-butanethiol, 2-butanethiol, 1-octanethiol (n- Octyl mercaptan), 1-decanethiol, 1-tetradecanethiol, cyclohexanethiol, 2-methyl-1 propanethiol, 2-mercaptoethanol, mercaptoacetic acid, 1-thioglycerol and the like.
  • the amount of the polymerization initiator to be used is not particularly limited, but is usually preferably 1 to 20 mol% based on the total amount of the monomers used.
  • the amount of the chain transfer agent is not particularly limited, it is usually preferably 1 to 20 mol% based on the total amount of the monomers used!
  • the polymerization temperature is not particularly limited, but is usually preferably 50 ° C or higher, more preferably 150 ° C or lower.
  • Examples of the organic solvent used in the solution polymerization process include a solvent that can dissolve even the misalignment of the chain transfer agent when the monomer used, the polymerization initiator and the obtained polymer, and the chain transfer agent are used together. preferable.
  • organic solvent examples include 1,4-dioxane, isopropyl alcohol, acetone, tetrahydrofuran (hereinafter, also referred to as “THF”), methyl isobutyl ketone, ⁇ -butyrolataton, propylene glycol monomethyl ether acetate (hereinafter, “ PGMEA "), ethyl lactate and the like.
  • the polymer solution produced by a method such as solution polymerization may be used, if necessary, with 1,4-dioxane, acetone, THF, methyl isobutyl ketone, ⁇ -butyrolataton, PGMEA, ethyl ethyl lactate, or the like.
  • the polymer may be purified by dropping it into a large amount of a poor solvent such as methanol or water to precipitate a polymer. This step is generally called reprecipitation, and is very effective for removing unreacted monomers and polymerization initiator remaining in the polymerization solution.
  • the precipitate is separated by filtration and sufficiently dried to obtain the polymer of the present invention. Also, after filtration, the wet powder can be used without drying.
  • the resist composition of the present invention is obtained by dissolving the polymer of the present invention as described above in a solvent.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention is obtained by dissolving the above-described polymer of the present invention and a photoacid generator in a solvent. Chemically amplified positive resist is excellent in sensitivity.
  • the polymer of the present invention may be used alone or in combination of two or more. Further, the polymer of the present invention may be used as a blend polymer in which the polymer is mixed with another polymer.
  • the polymer solution obtained by solution polymerization or the like can be used for the resist composition without separating the polymer, or the polymer solution can be diluted with an appropriate solvent. Can be used in a resist composition. Further, the resist composition of the present invention may contain a polymer other than the polymer of the present invention.
  • the solvent in which the polymer of the present invention is dissolved is arbitrarily selected according to the use conditions and the like.
  • the solvent examples include linear or branched chain ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and 2-pentanone; cyclic ketones such as cyclopentanone and cyclohexanone Propylene glycol monoalkyl acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate; ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate; propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethylene glycol monomethyl ether Ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene ether; diethylene glycol alkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether; esters such as ethyl acetate and ethyl lactate; alcohols such as n -propyl alcohol, isopropyl alcohol, n -butyl alcohol and tert-butyl alcohol. 1,4-
  • the content of the solvent is usually at least 200 parts by mass, more preferably at least 300 parts by mass, per 100 parts by mass of the resist polymer.
  • the content of the solvent is usually 5,000 parts by mass or less, more preferably 2,000 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the resist polymer.
  • the polymer of the present invention When the polymer of the present invention is used for a chemically amplified positive resist, it is necessary to use a photoacid generator.
  • the photoacid generator contained in the chemically amplified resist composition of the present invention can be arbitrarily selected from those usable as an acid generator of the chemically amplified resist composition.
  • One photoacid generator may be used, or two or more photoacid generators may be used in combination.
  • Examples of such a photoacid generator include a rubber salt compound, a sulfonimide compound, a sulfone compound, a sulfonate compound, a quinonediazide compound, a diazomethane compound, and the like.
  • a rubber salt compound e.g., a rubber salt compound, a sulfonimide compound, a sulfone compound, a sulfonate compound, a quinonediazide compound, a diazomethane compound, and the like.
  • oxosalts such as sulfosulfum salts, eodomium salts, phosphodium salts, diazodium salts and pyridinium salts.
  • Examples include: triphenylsulfo-dimethyltriflate, triphenylsulfo-dimethylhexafluoroantimonate, triphenylsulfo-dimethylnaphthalenesulfonate, (hydroxyphenyl-benzoyl) benzinolemethinoresnorethole-dimethylalumines Norefonate, diphen-norodeonium triflate, diphenyl-nordenium pyrene sulphonate, diphenylenorodenium dimethyl decylbenzenesulfonate, And p-methylphenyldiphenylsulfo-dimethylnonafluorobutanesulfonate, tri (tert-butylphenyl) sulfo-dimethyltrifluoromethanesulfonate and the like.
  • the content of the photoacid generator is appropriately determined depending on the type of the selected photoacid generator, but is usually 0.1 part by mass or more based on 100 parts by mass of the polymer for a positive resist. It is more preferable that the amount be 0.5 part by mass or more.
  • the content of the photoacid generator is usually 20 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer for a positive resist. By setting the content of the photoacid generator in this range, the stability of the resist composition is improved, and the occurrence of unevenness in application of the composition and scum during development are sufficiently reduced.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention may further contain a nitrogen-containing compound.
  • a nitrogen-containing compound By containing a nitrogen-containing compound, the resist pattern shape, the stability with time of storage, and the like are further improved.
  • the cross-sectional shape of the resist pattern becomes closer to a rectangle, and the resist film is exposed, beta-exposed (PEB) after exposure, and left for several hours before the next development process.
  • PEB beta-exposed
  • the nitrogen-containing compound is preferably a polyamide capable of using any known one, and among them, a secondary lower aliphatic amine and a tertiary lower aliphatic amine are more preferred.
  • lower aliphatic amine refers to an alkyl or alkyl alcohol amine having 5 or less carbon atoms.
  • Examples of the secondary lower aliphatic amine and the tertiary lower aliphatic amine include, for example, trimethylamine, getylamine, triethylamine, di- n -propylamine, tree n-propylamine, tripentylamine, diethanolamine, and triethanolamine. And the like.
  • tertiary alkanolamines such as triethanolamine are more preferable.
  • the nitrogen-containing compound one type may be used, or two or more types may be used in combination.
  • the content of the nitrogen-containing compound is appropriately determined depending on the type of the selected nitrogen-containing compound and the like, but is usually preferably 0.01 part by mass or more based on 100 parts by mass of the polymer for a positive resist. Nitrogen By setting the content of the elemental compound in this range, the shape of the resist pattern can be made more rectangular.
  • the content of the nitrogen-containing compound is usually preferably 2 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polymer for a positive resist. By setting the content of the nitrogen-containing compound in this range, deterioration in sensitivity can be reduced.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention may also contain an organic carboxylic acid, an oxo acid of phosphorus, or a derivative thereof. By containing these compounds, it is possible to prevent the sensitivity from being deteriorated due to the compounding of the nitrogen-containing compound, and to further improve the resist pattern shape, the stability over time, and the like.
  • organic carboxylic acid for example, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid and the like are preferable.
  • Examples of phosphorus oxo acids or derivatives thereof include derivatives such as phosphoric acid such as phosphoric acid, di-n-butyl phosphate ester and diphenyl phosphate ester and derivatives thereof; phosphonic acid, dimethyl phosphonate Derivatives such as esters, phosphonic acid di-n-butyl ester, phenolenophosphonic acid, diphenyl enoestenolate phosphonate, dibenzinoester phosphonate, and phosphonic acids and their esters; phosphinic acid, phenylphosphinic acid, etc. Derivatives such as phosphinic acid and esters thereof, and the like, among which phosphonic acid is preferable.
  • These compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of these compounds is appropriately determined depending on the type of the selected compound, and is usually 100 parts by mass of the resist polymer. On the other hand, it is preferably 0.01 part by mass or more. By setting the content of these compounds in this range, the shape of the resist pattern can be made more rectangular. Further, the content of these compounds (organic carboxylic acid, oxo acid of phosphorus, or a derivative thereof) is usually preferably 5 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the resist polymer. By setting the content of these compounds in this range, the film loss of the resist pattern can be reduced by / J.
  • the nitrogen-containing compound, the organic carboxylic acid, the oxo acid of phosphorus and the derivative thereof can be used.
  • One or more selected ones can be contained in the chemically amplified resist composition of the present invention, or only one of them can be contained.
  • the resist composition of the present invention may further contain, if necessary, a surfactant, a quencher other than the nitrogen-containing compound, a sensitizer, an antihalation agent, a storage stabilizer, a defoaming agent, and the like.
  • a surfactant e.g., sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium
  • the polymer for a positive resist of the present invention may be used as a resist composition for metal etching, photo application, plate making, hologram, color filter, retardation film and the like.
  • the resist composition of the present invention is applied to the surface of a substrate to be processed such as a silicon wafer on which a pattern is to be formed, by spin coating or the like.
  • the substrate to which the resist composition has been applied is dried by a baking process (pre-beta) or the like to form a resist film on the substrate.
  • the resist film thus obtained is irradiated with light having a wavelength of 250 nm or less via a photomask (exposure).
  • the light used for exposure is preferably a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, or an F excimer laser, particularly an ArF excimer laser.
  • Exposure with an electron beam is also preferred.
  • the substrate After exposure, heat treatment is appropriately performed (beta after exposure, PEB), the substrate is immersed in an alkaline developer, and the exposed portion is dissolved and removed in the developer (development).
  • the alkali developer a known developer may be used. After the development, the substrate is appropriately rinsed with pure water or the like. In this way, a resist pattern is formed on the substrate to be processed.
  • the substrate on which a resist pattern is formed is appropriately heat-treated (post-beta) to strengthen the resist and selectively etch portions without the resist. After etching, the resist is usually removed using a stripper.
  • the thermal stability of the polymer was determined by heating and stirring the polymer 3.Og in a test tube at 100 ° C for 4 hours using a personal organic synthesis device Chem iStationPPS-2510 manufactured by Tokyo Rikakikai Co., Ltd. It was determined by 1 H-NMR measurement after stirring. This measurement was performed using a JN GX-270 type FT-NMR (trade name) manufactured by JEOL Ltd., and a deuterated chromate form, deuterium of about 5% by mass of a polymer sample for a positive resist was used.
  • a solution of fluorinated acetone or deuterated dimethyl sulfoxide was placed in a test tube with a diameter of 5 mm and the measurement was performed at a measurement temperature of 40 ° C, an observation frequency of 270 MHz, and a single pulse mode, with a total of 64 times.
  • the thermal stability was evaluated based on the ratio S of the oxygen in the acetal structure and the hydrogen bonded to the carbon sandwiched by the oxygen, and how much it did not change.
  • Thermal stability index ⁇ (Integrated value of oxygen bonded to oxygen and carbon sandwiched between oxygen after thermal decomposition test) Z (Chemical shift ⁇ value after thermal decomposition test Total integrated value between 0 and 2.6 ppm) ⁇ / ⁇ (Integral value of oxygen and hydrogen bound to carbon sandwiched between oxygen before thermal decomposition test) / (Chemical shift before thermal decomposition test ⁇ value Total integrated value between 0 and 2.6 ppm) ⁇
  • thermal stability index The closer the thermal stability index is to 1, the higher the thermal stability of the acetal. If the thermal stability index is smaller than 1, it indicates that the thermal stability of the acetal is lower.
  • HAdMA5.2 expressed by the following formula, 2 parts,
  • PGMEA40 4 parts and dimethyl 2,2'-azobisisobutyrate (hereinafter referred to as DAIB) It was dropped into the flask at a constant rate over 4 hours. Thereafter, the temperature of 80 ° C was maintained for 3 hours.
  • DAIB dimethyl 2,2'-azobisisobutyrate
  • the precipitate after washing was separated by filtration and dried under reduced pressure at 60 ° C. for about 40 hours to obtain a copolymer P-1.
  • the thermal stability of the acetal structure of the obtained copolymer P-1 was measured. Table 1 shows the results.
  • the methacrylic acid adduct 110.Og represented by the above formula (7) obtained in the same manner as in Example 3 was charged into a 1-L glass three-necked flask equipped with a stirrer and a thermometer, and 200 ml of dimethylformamide Then, 50.5 g of triethylamine was stirred into the syrup. While stirring, while maintaining the internal temperature at 25 ° C, 74.0 g (0.5 mol) of chloromethylcyclohexyl ether was added dropwise over 3 hours using a dropping funnel. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at room temperature for 1 hour, and then 600 ml of toluene and 200 ml of water were added.
  • Copolymer P-3 was obtained in the same manner as in Example 3, except that a monomer solution obtained by mixing 1 part of PGMEA365, 6.56 parts of AIBN, and 58 parts of nOMO was used. Table 1 shows the measurement results of the physical properties of the copolymer P-3.
  • the polymer of the present invention is useful as a constituent resin of a positive resist.
  • the polymer of the present invention when used as a resist resin in DUV excimer laser lithography, electron beam lithography, EUV lithography, and the like, it has high sensitivity and high resolution, and has poor line edge roughness and tailing. Since it is excellent, a highly accurate and fine resist pattern can be stably formed.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Description

明 細 書
(メタ)アクリル酸エステル、重合体、およびレジスト組成物
技術分野
[0001] 本発明は、ポジ型レジストの構成成分榭脂原料として有用な重合体およびポジ型レ ジスト用重合体の原料として有用な単量体に関する。また、本発明は、この重合体を 使用したレジスト組成物およびパターン製造方法に関し、特に、エキシマレーザー、 電子線および X線を使用する微細加工に好適な化学増幅型レジスト用重合体に関 する。
背景技術
[0002] 近年、半導体素子や液晶素子の製造における微細加工の分野においては、リソグ ラフィー技術の進歩により急速に微細化が進んで 、る。その微細化の手法としては、 一般に、照射光の短波長化が用いられ、具体的には、従来の g線 (波長: 438nm)、 i 線 (波長: 365nm)に代表される紫外線力 DUV (Deep Ultra Violet)へと照射光が 変化してきている。
[0003] 現在では、 KrFエキシマレーザー(波長: 248nm)リソグラフィー技術が巿場に導入 され、さらなる短波長化を図った ArFエキシマレーザー(波長: 193nm)リソグラフィー 技術も導入されようとしている。さらに、次世代の技術として、 Fエキシマレーザー(波
2
長: 157nm)リソグラフィー技術が研究されている。また、これらとは若干異なるタイプ のリソグラフィー技術として、電子線リソグラフィー技術、 EUVリソグラフィー技術につ V、ても精力的に研究されて 、る。
[0004] このような短波長の照射光あるいは電子線に対する高解像度のレジストとして、光 酸発生剤を含有する「化学増幅型レジスト」が提唱され、現在、この化学増幅型レジ ストの改良および開発が精力的に進められている。化学増幅型ポジ型レジストにおい ては、酸の作用によりレジスト用重合体のアルカリ現像液に対する溶解速度が増大 する必要があり、親水性基が酸脱離性の保護基で保護された構造を有する重合体 が広く用いられている。例えば、 ArFエキシマレーザーリソグラフィー用のレジストとし て、特許文献 1には、(メタ)アクリル酸が酸脱離性の保護基で保護された単量体を構 成単位として有する重合体が挙げられている。また、特許文献 2には、下記式(5)で 表される構成単位として有する重合体が挙げられている。
[化 1]
Figure imgf000004_0001
〇—— U C—— O—— C—— R
0 ( 5 )
(一般式 (5)において、 Rは水素原子、メチル基、炭素数 1〜4の直鎖状もしくは分岐 状のヒドロキシアルキル基または炭素数 1〜4の直鎖状もしくは分岐状のフッ素化ァ ルキル基を示し、各 R3は相互に独立に炭素数 4〜20の 1価の脂環式炭化水素基も しくはその誘導体または炭素数 1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示し、 かつ R3の少なくとも 1つが該脂環式炭化水素基もしくはその誘導体である力、あるい は何れか 2つの R3が相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に、炭 素数 4〜20の 2価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を形成し、残りの R3が炭 素数 1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数 4〜20の 1価の脂環 式炭化水素基もしくはその誘導体を示し、 Uは炭素数 5〜12の 2価の有橋式炭化水 素基を示す。 )
しカゝしながら、特許文献 2に記載されている、一般式(5)であらわされる酸脱離性を 有する構成単位を形成するための (メタ)アクリル酸エステルは、その製造をする際に 、カルボキシル基が結合した有橋式炭化水素基 (一般式 (5)における構造 U)を有す る (メタ)アクリル酸と三級アルコール (C (R ) OH)とをエステルイ匕反応させることが必
3 3
要である。この場合、エステルイ匕反応の反応性を上げるため、カルボキシル基が結合 した有橋式炭化水素基を有する (メタ)アクリル酸の酸無水物を形成させたり、カルボ キシル基が結合した有橋式炭化水素基を有する (メタ)アクリル酸と塩化チォニルとを 作用させ酸クロライドを生成させたりしてから、エステルイ匕反応をさせる必要があり、反 応工程数が多!、と 、う問題があった。
特許文献 1 :特開 2003— 122007号公報
特許文献 2:特開 2003 - 330192号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 本発明は、反応ェ定数が少なぐ簡便な方法で酸脱離性基を導入することができる
(メタ)アクリル酸エステルを提供することを目的とする。また、本発明は、この (メタ)ァ クリル酸エステルを用いた重合体、およびこの重合体を用いたレジスト組成物を提供 することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0008] 本発明者らは、前記課題に鑑み鋭意検討した結果、特定の環構造にァセタール含 有構造が結合した構造を含有する (メタ)アクリル酸エステルが、簡便な方法で酸脱 離性基の導入が可能で、その重合体が、ポジ型レジストの構成成分榭脂原料として 有用であることを見出し、本発明に至った。
[0009] すなわち、本発明の第一の要旨は、下記式(1)で表される構成単位を含有する重 合体である。
[化 2]
Figure imgf000006_0001
(式(1)中、 Rは水素原子またはメチル基を表す。 R\ R2は、それぞれ独立して、水 素原子または炭素数 1〜20のアルキル基を表し、または R R2が一緒になつて環構 造を形成する。 A1は単結合、アルキレン、ォキシアルキレン、 C(0)0—または一 C H CH OC(O)—を表し、 A2は単結合、アルキレン、ォキシアルキレン、 CO 、 一
2 2
C(0)0—または— C(0)OCH CH—を表す。 Zは、置換基を有していてもよいシク
2 2
口へキサン環、ノルボルナン環、ビシクロ [2.2.2]オクタン環、またはテトラシクロ [4. 4.0. I2' 5]ドデカン環である。 )
本発明の第二の要旨は、上記式(1)が下記式 (2)で表される構成単位である重合 体である。
[化 3]
Figure imgf000007_0001
(式(2)中、 Rは水素原子またはメチル基を表す。 R2は、炭素数 1〜20のアルキル基 を表す。)
本発明の第三の要旨は、下記式(3)で表される (メタ)アクリル酸エステルである。
[化 4]
Figure imgf000007_0002
(式(3)中、 R、 R\ R2、 A\ A2、 Zは、式(1)と同義である。 )
本発明の第四の要旨は、上記式 (3)が下記式 (4)で表される (メタ)アクリル酸エス テルである。
[化 5]
Figure imgf000008_0001
(式 (4)中、 Rは水素原子またはメチル基を表す。 R2は、炭素数 1〜20のアルキル基 を表す。 nは 0または 1である。 )
[0013] 本発明の第五の要旨は、前記重合体を含有するレジスト組成物である。
本発明の第六の要旨は、前記レジスト組成物を被加工基板上に塗布する工程と、 2 50nm以下の波長の光で露光する工程と、現像液を用いて現像してパターンを形成 する工程とを含むパターン製造方法である。
発明の効果
[0014] 本発明は、特定の環構造にァセタール構造を導入することによって、(メタ)アクリル 酸エステルに簡便な方法で酸脱離性基を導入することが可能となる。また、この (メタ
)アクリル酸エステルを用いた重合体は、ポジ型レジストとして有用である。
図面の簡単な説明
[0015] [図 1]実施例 1で得た ( A— 1 )で表されるメタクリル酸エステルの1 H - NMR分析の測 定結果を示す図である。
[図 2]実施例 3で得た (A— 2)で表されるメタクリル酸エステルの1 H—NMR分析の測 定結果を示す図である。
[図 3]実施例 3で得た (A— 2)で表されるメタクリル酸エステルの質量分析の測定結果 を示す図である。
[図 4]実施例 5で得た (A— 3)で表されるメタクリル酸エステルの1 H—NMR分析の測 定結果を示す図である。
[図 5]実施例 5で得た (A— 3)で表されるメタクリル酸エステルの質量分析の測定結果 を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
[0016] 1.本 明の重合体: よび ¾告 法
まずはじめに、本発明の重合体について説明する。
なお、本発明において、「(メタ)アクリル酸」とは、メタクリル酸またはアクリル酸を表す
[0017] 本発明の重合体は、前記式(1)で表される構成単位を含有し、レジスト組成物の原 料榭脂として特に有用である。本発明の重合体は、波長 250nm以下の光に対する 透明性に優れるので、 KrFレジスト用重合体、 ArFレジスト用重合体、および、 Fレジ
2 スト用重合体として使用することができ、特に、 ArFレジスト用重合体として好適に使 用できる。
[0018] 本発明の重合体は、上記式(1)中の Zで表される、置換基を有していてもよいシクロ へキサン環、ノルボルナン環、ビシクロ [2. 2. 2]オクタン環またはテトラシクロ [4. 4. 0. I2' 5]ドデカン環を含有する。置換基は特に制限がないが、ヒドロキシ基、カルボキ シ基、炭素数 1〜6のァシル基、炭素数 1〜6のアルコキシ基、炭素数 1〜6のアルコ ールでエステルイ匕されたカルボキシ基およびアミノ基力 なる群より選ばれる少なくと も一つの基を有して ヽてもよ ヽ炭素数 1〜6の直鎖もしくは分岐アルキル基、ヒドロキ シ基、カルボキシ基、炭素数 1〜6のァシル基、炭素数 1〜6のアルコキシ基、炭素数 1〜6のアルコールでエステル化されたカルボキシ基またはアミノ基などが挙げられる 。このような環式飽和炭化水素基により、重合体をレジストとして使用した際に、エツ チング耐性に優れる。環式飽和炭化水素基としては、原料が容易に入手できることか ら、ノルボルナン環およびシクロへキサン環が好ましぐエッチング耐性の点ではビシ クロ [2. 2. 2]オクタン環、テトラシクロ [4. 4. 0. I2' 5]ドデカン環が好ましい。
[0019] また、本発明の重合体は、前記環式飽和炭化水素基に単結合、アルキレン、ォキ シァノレキレン、一O—、 一CO—、 一C (0) 0—、または一CH CH OC (O)—を介し
2 2
て結合したァセタールを含有する。ァセタールは、酸触媒存在下で分解し、カルボキ シ基またはヒドロキシ基を生成する。この反応により樹脂の溶解性が変化することを利 用して、金属エッチング用、フォトフアプリケーション用、製版用、ホログラム用、カラー フィルター用、位相差フィルム用等のレジスト組成物に用いることができる。特に、光 酸発生剤を用いたィ匕学増幅型ポジ型レジストに好適に用いられる。更に、本発明の 重合体をポジ型レジスト組成物の原料榭脂として用いた場合、ラインエッジラフネスに 優れる。これは、ァセタールが酸性条件で分解する際、榭脂の溶解性以外の物性変 化が、従来のポジ型レジスト用重合体と異なり、小さいためと推測される。また、本発 明の重合体をレジスト組成物の原料榭脂として用いた場合、すそ引きが抑制される。 これはァセタールが酸で非常に分解しやすいことに起因すると推測される。
また、本発明においては、前記式(1)で表される構成単位が、下記式 (2)で表され る構成単位であることが好まし 、。
[化 6]
Figure imgf000011_0001
(式(2)中、 Rは水素原子またはメチル基を表す。 R2は、炭素数 1〜20のアルキル基 を表す。)
上記式(2)で表される構成単位を含有する重合体は、ァセタール構造の熱安定性 が高いため貯蔵安定性にすぐれる傾向にあるため、特に好ましい。またラインエッジ ラフネスに優れるため特に好ましい。これは、アルコキシメチル基で保護されたカルボ キシ基に起因すると考えられる。アルコキシメチル基は、酸性条件において脱離する 基の大きさが、 3級エステル基、アルコキシェチル基など他の酸脱離性基と比較して 小さぐ榭脂の溶解性以外の物性変化が、非常に小さいためと推測される。また、ァ ルコキシメチル基は、 3級エステル基など従来力 化学増幅ポジ型レジストに用いら れている酸脱離性基と比較して、脱離のエネルギーが低いと考えられ、すそ引きの発 生を抑制するものと推測される。
[0022] 本発明の重合体は、下記式(3)で表される (メタ)アクリル酸エステル単量体を重合 することで製造することができる。
[化 7]
Figure imgf000012_0001
(式(3)中、 R、 R\ R2、 A\ A2、 Zは、式(1)と同義である。 )
[0023] 上記式(3)で表される単量体の具体例としては、下記式(3— 1)〜(3— 91)で表さ れる単量体が挙げられる。式(3— 1)〜(3— 91)中、 Rおよび Zは式(1)と同義である
[化 8]
//:/ O ssioi2TI>d Ϊ92Ϊ¾0AV
IX-
ノ。。 ο ,、 .... 一 ο
() () ε6ε 1
Figure imgf000013_0001
〔s I
Figure imgf000014_0001
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000016_0001
Figure imgf000016_0002
[化 12]
Figure imgf000017_0001
[化 13]
O
〇 ό
(
Figure imgf000018_0001
Y:.:/ ,ぐ p。
Figure imgf000019_0001
Z、
O 、..,メ、、' 0
(3-91)
[0024] 中でも、ポジ型レジスト用重合体として利用した際にエッチング耐性に優れる点から 、式(3— 10)〜(3— 14)、式(3— 24)〜(3— 28)、式(3— 38)〜(3— 42)で表され る単量体が好ましく、式(3— 10)、式(3— 11)、式(3— 24)、式(3— 25)、式(3— 3 8)および式(3— 39)において Ζがビシクロ [2. 2. 2]オクタン環であるものが特に好 ましい。また、ポジ型レジスト用重合体として利用した際にラインエッジラフネスが少な い点から、式(3— 5)、式(3— 6)、式(3— 8)、式(3— 9)、式(3— 19)、式(3— 20) 、式(3— 22)、式(3— 23)、式(3— 33)、式(3— 34)、式(3— 36)、および式(3— 3
7)において Ζがノルボルナン環またはビシクロ [2. 2. 2]オクタン環、テトラシクロ [4. 4. 0. I2' 5]ドデカン環である単量体が好ましぐ上記式(3— 5)、式(3— 6)、式(3—
8)、式(3— 9)において Ζがノルボルナン環またはビシクロ [2. 2. 2]オクタン環、テト ラシクロ [4. 4. 0. I2' 5]ドデカン環である単量体が特に好ましい。
[0025] また、熱安定性の面から、式(3— 1)、式(3— 43)、式(3— 57)、式(3— 64)、式 ( 3— 71)〜式(3— 77)が好ましく、特に下記式 (4)で表される単量体が好ま U 、。
[化 16]
Figure imgf000020_0001
(式 (4)中、 Rは水素原子またはメチル基を表す。 R2は、炭素数 1〜20のアルキル基 を表す。 nは 0または 1である。 )
[0026] 上記式 (4)で表される (メタ)アクリル酸エステルは、ポジ型レジスト用重合体の原料 として使用した際に、ァセタール構造の熱安定性が高いため貯蔵安定性に優れる傾 向にある。またラインエッジラフネスに優れるため特に好ましい。これは、アルコキシメ チル基で保護されたカルボキシ基に起因すると考えられる。アルコキシメチル基は、 酸性条件において脱離する基の大きさ力 3級エステル基、アルコキシェチル基など 他の酸脱離性基と比較して小さぐ榭脂の溶解性以外の物性変化が、非常に小さい ためと推測される。また、アルコキシメチル基は、 3級エステル基など従来力も化学増 幅ポジ型レジストに用いられて!/ヽる酸脱離性基と比較して、脱離のエネルギーが低 ヽ と考えられ、すそ引きの発生を抑制するものと推測される。
[0027] 上記式 (4)で表される (メタ)アクリル酸エステルにお 、て、 nが 0の場合は下記式 (4 A)となり、 nが 1の場合は下記式 (4B)となる。
[化 17]
Figure imgf000021_0001
(式(1A)および(IB)中、 Rは水素原子またはメチル基を表す。 R1は、炭素数 1〜20 のアルキル基を表す。 )
式(1A)および(1B)で表される (メタ)アクリル酸エステルの具体例としては、下記 式 (4A— 1)〜(4A— 22)および (4B— 1)〜(4B— 22)で表される(メタ)アクリル酸 エステルが挙げられる。
[化 18]
Figure imgf000022_0001
Figure imgf000022_0002
(4A-5) (4A-6)
[化 19]
OI>dAV
Figure imgf000023_0001
OI>dAV
Figure imgf000024_0001
Figure imgf000025_0001
Figure imgf000025_0002
Figure imgf000025_0003
[化 23]
Figure imgf000026_0001
Figure imgf000026_0002
(上記式(4A— 1)〜(4A— 22)および(4B— 1)〜(4B— 22)中、 Rは、水素原子ま たはメチル基を表す。 )
[0029] 中でも、レジスト用重合体としたときに感度に優れる点からは、上記式 (4A— 7)、(4 A— 8)、 (4A— 20)および上記式 (4B— 8)で表される(メタ)アクリル酸エステルが好 ましく、また、ラインエッジラフネスに優れる点からは、上記式 (4A— 1)、 (4A— 2)、 ( 4B- 1)および上記式 (4B— 2)で表される (メタ)アクリル酸エステルが特に好ま ヽ
[0030] また、上記式(4A— 1)〜(4A— 22)および(4B— 1)〜(4B— 22)で表される(メタ )アクリル酸エステルは、下記式(4A— a)〜(4A— h)、 (4B— a)〜(4B— X)で表さ れるような 2つ以上の位置異性体、立体異性体および、これらの光学異性体を有する 場合がある。
Figure imgf000027_0001
Figure imgf000027_0002
Figure imgf000028_0001
(4B
Figure imgf000029_0001
[化 27]
u O ZJ92sooiAV
Figure imgf000030_0001
Figure imgf000030_0002
Figure imgf000031_0001
Figure imgf000031_0002
[0031] 上記式 (4A)および (4B)で表される (メタ)アクリル酸エステルは、これらの異性体 のうち、いずれかの異性体単独であってもよぐ 2つ以上の異性体の混合物であって ちょい。
[0032] 本発明の単量体は、例えば以下の方法によって製造することができる。下記工程 (I )〜(IV)は、それぞれ、式(3— 22)、式(3— 24)、式(3— 5)、式(3— 46)で表され る単量体の製造工程の例であるが、それ以外の類似の単量体も同様の工程により製 造することができる。
[0033] [化 29]
Figure imgf000032_0001
Figure imgf000032_0002
Figure imgf000033_0001
[0034] 工程(I)および(II)にお!/、て、原料であるノルボルネンカルボン酸およびノルボルネ ンアルコールは既知の方法で合成することができ、また、市販品を使用してもよい。ノ ルボルネンカルボン酸およびノルボルネンアルコールへのアクリル酸またはメタクリル 酸の付加反応は、酸触媒を使用し、無溶媒またはトルエンなどの溶媒中で、過剰の アクリル酸またはメタクリル酸を使用して行うことが好ま 、。この付加反応にぉ 、て 使用される酸触媒は特に限定されないが、塩酸、硫酸、硝酸、 p—トルエンスルホン 酸、メタンスルホン酸、酢酸、トリフルォロ酢酸、トリフルォロメタンスルホン酸などが挙 げられる。中でも、反応速度の点から、硫酸、 p—トルエンスルホン酸、トリフルォロメタ ンスルホン酸が好ましぐトリフルォロメタンスルホン酸がより好ましい。カルボン酸また はアルコールのビュルエーテルへの付加反応は、好ましくは、トルエン、テトラヒドロフ ランなどの溶媒中で、酸触媒を使用して行われる。
[0035] 工程 (III)にお 、て、原料であるテルピネンは巿販品を用いることができる。テルビネ ンとアクリル酸の環化付加反応は、公知の方法にて容易に進行する力 必要に応じ てルイス酸などの触媒を使用し、無溶媒またはメタノールなどの溶媒中で行うことが 好まし 、。引き続くアクリル酸またはメタクリル酸の付加反応およびビニルエーテルへ の付加反応は、工程 (1)、 (II)と同様の方法で行うことができる。 [0036] 工程(IV)にお!/、て、原料であるメタクリル酸ヒドロキシェチル、へキサヒドロ無水フタ ル酸および 2, 3—ジヒドロピランは巿販品を用いることができる。へキサヒドロ無水フ タル酸へのメタクリル酸ヒドロキシェチルの開環付加反応は、公知の方法にて容易に 進行するが、必要に応じてルイス酸などの触媒を使用し、無溶媒またはメタノールな どの溶媒中で行うことが好ましい。引き続くカルボン酸の 2, 3—ジヒドロピランへの付 加反応は、工程 (1)、 (II)と同様の方法で行うことができる。
[0037] 前記式 (4A)および (4B)で表される (メタ)アクリル酸エステルは、例えば以下の (V )および (VI)のような工程にて製造することができる。
[化 31]
Figure imgf000034_0001
[0038] 工程 (V)、 (VI)にお!/、て、原料であるノルボルネンカルボン酸およびテトラシクロ [4 . 4. 0. I2' 5]ドデセンカルボン酸は、公知の方法で合成してもよいし、市販品を用い てもよい。
[0039] 第一工程は、ノルボルネンカルボン酸またはテトラシクロ [4. 4. 0. I2' 5]ドデセン力 ルボン酸への (メタ)アクリル酸エステルの付カ卩工程である。(メタ)アクリル酸付加反応 を行う際には、反応速度の点から、ノルボルネンカルボン酸またはテトラシクロ [4. 4. 0. I2' 5]ドデセンカルボン酸に対し、過剰の (メタ)アクリル酸を用いることが好ま U、。 (メタ)アクリル酸の使用量は、ノルボルネンカルボン酸またはテトラシクロ [4. 4. 0. 1 2' 5]ドデセンカルボン酸 1モルに対し、 2モル以上であることが好ましぐ 3モル以上で あることが更に好ましい。また、 15モル以下であることが好ましぐ 8モル以下が更に 好ましい。これより少ないと反応が十分に進行しないことがあり、また、多いと反応後 の過剰な (メタ)アクリル酸の除去が困難になる。
[0040] (メタ)アクリル酸の付加反応は、一般に酸触媒の存在下で行われる。酸触媒として は、酸フッ化ホウ素などのルイス酸、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等の鉱酸、 p—トルエン スルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、メタンスルホン酸、 カンファースルホン酸、トリフルォロメタンスルホン酸等の有機酸、リンタングステン酸 、ケィタングステン酸等のへテロポリ酸、強酸性イオン交換榭脂などが挙げられ、反応 性が高い点から、硫酸、 p—トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸、メタンスルホ ン酸、トリフルォロメタンスルホン酸が好ましぐ取り扱いが容易であることから、メタン スルホン酸が特に好ましい。酸触媒の使用量としては、ノルボルネンカルボン酸 1モ ルに対し、 0. 03モル以上が好ましぐ 0. 05モル以上が更に好ましぐ 0. 3モル以下 が好ましぐ 0. 25モル以下が更に好ましい。これより少ないと酸付加反応が十分に 進行しないことがあり、また、多いと酸付加反応後の精製が困難になる場合がある。 酸付加反応を行う温度は、 50°C以上であることが好ましぐ 70°C以上であることが更 に好ましぐ 180°C以下であることが好ましく 150°C以下であることが更に好ましい。こ れより低 、温度では反応が十分に進行しな 、ことがあり、これより低 、と副生成物が 増加する場合がある。
[0041] 酸付加反応に使用する溶媒としては、特に限定されないが、テトラヒドロフラン、テト ラヒドロピラン、ジメチルエーテル、ジェチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチ ルー t ブチルエーテルなどのエーテル系溶媒、ペンタン、へキサン、ヘプタン、オタ タン、シクロへキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンな どの芳香族炭化水素系溶媒が挙げられる。また、これらの溶媒は、常法によりあらか じめ脱水しておくと高い反応収率が得られるため好ましい。また、無溶媒でも酸付カロ 反応を行うことができ、収率が良好である点から、無溶媒で酸付加反応を行うことが 好ましい。
酸付加反応させる時間は、バッチサイズ、酸触媒、反応条件により異なるが、 1時間 以上であることが好ましぐ 12時間以下であることが好ましい。更に好ましくは、 2時間 以上であり、 8時間以下である。これより短いと反応が十分進行しない場合があり、こ れ以上長!/、と副生成物が増加する場合がある。
[0042] 酸付加反応を行う際には、重合が起こる場合があるため、重合禁止剤を添加するこ とが好ましい。重合禁止剤としては、重合を抑制するものであれば特に限定されない 1S ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、 2, 4 ジメチルー 6—t—ブチルフ ェノール、 ρ ベンゾキノン、 2, 5 ジフエ-ルー p ベンゾキノン、フエノチアジン、 N -トロソジフエ-ルァミン、銅塩、金属銅、 2, 2, 6, 6—テトラメチルピペリジン 1 ーォキシルなどが挙げられる。また、空気あるいは酸素を吹き込みながら反応を行う ことも重合抑制に有効である。
[0043] 酸付加反応終了後は、水あるいは水酸ィ匕ナトリウム、水酸ィ匕カリウム、炭酸ナトリウ ム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ水溶液で反応液を水洗あるいは中和水洗して、 酸触媒を除去する方法、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、酸ィ匕マグネシウム等の アルカリ粉末を加え、攪拌の後、中和塩をろ過して酸触媒を除去する方法、トリェチ ルァミン、トリエタノールァミン、モルホリン等のアミンをカ卩え、酸触媒を中和する方法 等により、酸触媒を除去することができる。中でも、酸触媒の除去が効果的に行える 点から、アルカリ水溶液で洗浄し、有機溶媒で抽出する方法が好ましい。抽出に用い る、有機溶媒としては、トルエン、ベンゼン、へキサン、シクロへキサン、酢酸ェチル、 ジェチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等が挙げられ、抽出効率が高ぐ溶媒の 使用量が少なくできる点から、トルエン、酢酸ェチル、ジェチルエーテルが好ましぐ 目的の化合物の純度が高くできる点から、トルエンが特に好ましい。
[0044] 得られた (メタ)アクリル酸付加体は、蒸留、カラムクロマトグラフィー等公知の方法で 精製してもよいし、精製せず、そのまま次の工程に用いてもよい。(メタ)アクリル酸付 加体は加熱により重合する恐れがあるため、また、全収率が高くなる点で精製を行わ ないことが好ましい。
[0045] 次工程は、(メタ)アクリル酸付加体のカルボキシ基のアルコキシメチルエーテル化 工程である。アルコキシメチルエーテルィ匕は、(メタ)アクリル酸付加体を塩基存在化 、ハロゲン化アルキルエーテルまたはジアルコキシメタンと反応させることで行われる 。また、(メタ)アクリル酸付加体とホルムアルデヒド、アルコールとを反応させてもよい 。反応速度の点から、ハロゲンィヒアルキルエーテルと反応させることが好ましぐ副生 成物が少ない点から、クロ口アルキルエーテルが特に好ましい。塩基としては特に限 定されないが、トリエチルァミン、ジイソプロピルェチルァミン、ピリジン、ジメチルァミノ ピリジン、水素化ナトリウム、水素化リチウム、カリウム t—ブトキシド、ナトリウムメトキシ ド、ナトリウムエトキシドなどが用いられる。反応溶媒は、特に限定されないが、反応速 度の点から、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、ホルムアミド、ァセトアミド、ジ メチルホルムアミド、ジメチルァセトアミド、ジメチルスルホキシドなどの極性溶媒を用 いることが好ましぐジメチルホルムアミドが特に好ましい。アルコキシメチルエーテル 化を行う温度は、 50°C以上であることが好ましぐ 0°C以上であることが更に好まし く、 100°C以下であることが好ましく 50°C以下であることが更に好ましい。これより低 V、温度では反応が十分に進行しな!、ことがあり、これより低!、と副生成物が増加する 場合がある。
[0046] 得られた本発明の (メタ)アクリル酸エステルは、精製せずに重合体の原料として用 いることもできるが、重合体中への不純物混入を抑制するため、精製を行うことが好ま しい。精製は、カラムクロマトグラフィー、蒸留、再結晶など公知の方法で行うことがで きるが、取り扱いが容易であることから、蒸留精製を行うことが好ましい。蒸留中に重 合が起こる場合があるため、重合禁止剤を添加することが好ましい。重合禁止剤とし ては、重合を抑制するものであれば特に限定されないが、ヒドロキノン、ヒドロキノンモ ノメチルエーテル、 2, 4 ジメチルー 6— t ブチルフエノール、 p べンゾキノン、 2, 5—ジフエ-ルー p ベンゾキノン、フエノチアジン、 トロソジフエ-ルァミン、銅 塩、金属銅、 2, 2, 6, 6—テトラメチルピペリジン 1ーォキシルなどが挙げられる。ま た、空気あるいは酸素を吹き込みながら蒸留を行うことも重合抑制に有効である。
[0047] また、本発明の (メタ)アクリル酸エステルは、蒸留時に加熱すると分解が起こる場合 がある。これは、反応に利用した酸性成分が残存し、酸脱離性基の脱離が起こって V、るものと推測される。この分解を抑制するために塩基を加えて蒸留を行ってもょ 、。 塩基としては特に限定されないが、取り扱いが容易なことから、水酸化ナトリウム、水 酸ィ匕カリウムが好ましい。
[0048] また、本発明の(メタ)アクリル酸エステルは、以下の工程 (VII)および (VIII)のような 方法でも製造することができる。
[化 32]
Figure imgf000038_0001
第一工程は、ノルボルネンカルボン酸またはテトラシクロ [4. 4. 0. I2' 5]ドデセン力 ルボン酸のアルコキシメチルエーテル化工程である。アルコキシメチルエーテル化は 、ノルボルネンカルボン酸に対し、塩基存在化、ハロゲン化アルキルエーテルまたは ジアルコキシメタンと反応させることで行われる。また、(メタ)アクリル酸付加体とホル ムアルデヒド、アルコールとを反応させてもよい。
[0050] 第二工程は、アルコキシメチルエーテルィ匕体に対するヒドロキシィ匕工程である。ァ ルコキシメチルエーテルィ匕体と、ギ酸、 BH —テトラヒドロフラン錯体等とを反応させ、
3
更に、炭酸ナトリウム等の塩基を用いて加水分解することにより、アルコール体を得る 更に得られたアルコール体と、(メタ)アクリル酸クロライドとを、水酸化ナトリウム等の 塩基の存在下で、脱塩化水素反応させることにより、本発明の (メタ)アクリル酸エステ ノレを得ることができる。
[0051] また、工程 (VII)、 (VIII)と工程順を入れ替えた以下の工程 (IX)、(X)のような方法 で製造することもできる。
[化 33]
Figure imgf000039_0001
上記工程 (I)〜(X)の生成物は、いくつ力の位置異性体、幾何異性体、光学異性 体を含む場合がある。本発明の重合体の構成単位(1)の原料としては、 2種以上の 異性体の混合物を用いてもよ!ヽし、精製して!/、ずれかの異性体を単独で用いてもよ い。そのため、異性体の混合物のまま重合反応に使用することができる。また、反応 中間体を含んでいてもそのまま重合反応に使用することができる。上記反応の生成 物は、必要に応じて、単蒸留、薄膜蒸留、再結晶またはカラムクロマトグラフィーなど によって精製してもよい。
本発明の重合体は、単独重合体であっても、共重合体であってもよい。
また、本発明の重合体をポジ型レジスト材料として用いる場合には、前記式(3)で 表される本発明の単量体と、下記式 (6— 1)〜下記式 (6— 80)等で表される化合物 とを共重合することが、感度、解像度、エッチング耐性などレジスト性能が優れる点か ら好ましい。共重合成分としては目的に応じて任意の単量体が使用でき、共重合比 も、目的に応じて適宜決めればよい。式 (6— 1)〜下記式 (6— 80)中、 Rは水素原子 又はメチル基を表す。
〔S 3 )20-
Figure imgf000041_0001
0Γ、
() τ9979 -
Figure imgf000042_0001
( ()〇 ε6 S9 -
Figure imgf000042_0002
Figure imgf000043_0001
Figure imgf000044_0001
(6-74) (6-75) (6-76)
[化 38]
Figure imgf000045_0001
[0055] また、以上に例示された単量体は、必要に応じて 1種または 2種以上を組み合わせ て使用することができる。
[0056] 本発明の重合体をレジスト組成物として用いる場合、重合体中の上記式(1)で表さ れる構成単位の比率は、感度、解像度に優れ、ラインエッジラフネスが小さい点から 2
0〜60モノレ0 /0力女子ましく、 30〜50モノレ0 /0力 り女子まし!/ヽ。
[0057] 感度、解像度に優れる点から、前記式(3)で表される単量体と、式 (6— 1)、式 (6—
2)、式(6— 16)、式(6— 57)、式(6— 58)、および式(6— 65)〜(6— 67)で表され る単量体力もなる群力 選ばれる一種以上の単量体とを共重合することが好ましい。 これらの単量体を共重合して得られる重合体は酸の作用により分解することでアル力 リ現像液等へ可溶化する。そのため、この重合体を用いたポジ型レジストは感度、解 像度に優れる。
[0058] また、基板密着性に優れる点から、前記式(3)で表される単量体と式 (6— 23)、式
(6— 24)、式(6— 28)、式(6— 29)、式(6— 36)、式(6— 47)、式(6— 59)、および 式 (6— 63)で表される単量体力 なる群力 選ばれる一種以上の単量体とを共重合 することが好ましい。これらの単量体は、分子中にラタトン構造を有しており、これらの 単量体を共重合して得られる重合体は基板密着性に優れる。
[0059] また、パターン形状が良好であることから、前記式(3)で表される単量体と式 (6— 1 9)および式 (6— 74)で表される単量体力 なる群力 選ばれる一種以上の単量体と を共重合することが好まし 、。このようなヒドロキシ基またはシァノ基を有する脂環骨 格を含む重合体を用いたポジ型レジストはパターン形状が良好である。
[0060] また、エッチング耐性が優れる点では、前記式(3)で表される単量体と式 (6— 22) および式 (6— 64)で表される単量体力 なる群力 選ばれる一種以上の単量体とを 共重合することが好ましい。
[0061] これまで述べた中でも、前記式(1)で表される構成単位を 25〜70モル%と式(6— 23)、式(6— 24)、式(6— 28)、式(6— 29)、式(6— 36)、式(6— 47)、式(6— 59) 、および式(6— 63)で表される単量体力 なる群力 選ばれる一種以上の単量体に 由来する構成単位を 25〜70モル%、上記式(6— 19)および式(6 - 74)で表される 単量体力 なる群力も選ばれる一種以上の単量体に由来する構成単位を 5〜20モ ル%の割合で含む共重合体が感度、解像度、ラインエッジラフネスに優れる点から、 特に好ましい。
[0062] また、本発明の重合体にお 、て、各構成単位は任意のシーケンスを取り得る。した がって、本発明の重合体は、共重合体の場合、ランダム共重合体であっても、交互 共重合体であっても、ブロック共重合体であってもよ 、。
[0063] また、前記式(3)で表される単量体はその他の単量体とも共重合させることができる 。具体的には (メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸ェチル、(メタ)アクリル酸 2— ェチルへキシル、(メタ)アクリル酸 n—プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ) アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸 t—ブチル、(メタ)ァ クリル酸メトキシメチル、(メタ)アクリル酸 n—プロポキシェチル、(メタ)アクリル酸 iープ ロポキシェチル、(メタ)アクリル酸 n—ブトキシェチル、(メタ)アクリル酸 i—ブトキシェ チル、(メタ)アクリル酸 t—ブトキシェチル、(メタ)アクリル酸 2—ヒドロキシェチル、(メ タ)アクリル酸 3 ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸 2 ヒドロキシ— n—プロピル、( メタ)アクリル酸 4 ヒドロキシ— n—ブチル、(メタ)アクリル酸 2 エトキシェチル、(メ タ)アクリル酸 1—エトキシェチル、(メタ)アクリル酸 2, 2, 2—トリフルォロェチル、(メ タ)アクリル酸 2, 2, 3, 3—テトラフルォ口— n—プロピル、(メタ)アクリル酸 2, 2, 3, 3 , 3—ペンタフルオロー n—プロピル、 α—(トリ)フルォロメチルアクリル酸メチル、 α (トリ)フルォロメチルアクリル酸ェチル、 (X (トリ)フルォロメチルアクリル酸 2—ェ チルへキシル、 α—(トリ)フルォロメチルアクリル酸 η—プロピル、 α—(トリ)フルォロ メチルアクリル酸 i—プロピル、 α (トリ)フルォロメチルアクリル酸 n—ブチル、 α—( トリ)フルォロメチルアクリル酸 iーブチル、 α (トリ)フルォロメチルアクリル酸 tーブチ ル、 α—(トリ)フルォロメチルアクリル酸メトキシメチル、 α—(トリ)フルォロメチルァク リル酸エトキシェチル等の直鎖または分岐構造を持つ (メタ)アクリル酸エステル;スチ レン、 α—メチルスチレン、ビニルトルエン、 ρ ヒドロキシスチレン、 p— t ブトキシカ ルボニルヒドロキシスチレン、 3, 5—ジ tーブチルー 4ーヒドロキシスチレン、 3, 5— ジメチルー 4ーヒドロキシスチレン、 p—t—ペルフルォロブチルスチレン、 p— (2 ヒド ロキシ—i—プロピル)スチレン等の芳香族ァルケ-ル化合物;(メタ)アクリル酸、マレ イン酸、無水マレイン酸、ィタコン酸、無水ィタコン酸等の不飽和カルボン酸および力 ルボン酸無水物;エチレン、プロピレン、ノルボ
ルネン、テトラフルォロエチレン、アクリルアミド、 N—メチルアクリルアミド、 N, N ジ メチルアクリルアミド、塩化ビュル、エチレン、フッ化ビュル、フッ化ビ-リデン、テトラフ ルォロエチレン、ビュルピロリドン等が挙げられる。
[0064] また、本発明の重合体の質量平均分子量は特に限定されないが、 1, 000以上で あることが好ましぐまた、 1, 000, 000以下であることが好ましい。本発明の重合体 をポジ型レジスト材料として用いる場合には、重合体の質量平均分子量は、エツチン グ耐性およびレジスト形状の点から、 1, 000以上であることが好ましぐ 2, 000以上 であることがより好ましぐ 5, 000以上であることが特に好ましい。また、本発明の重 合体の質量平均分子量は、レジスト溶液に対する溶解性および解像度の点から、 10 0, 000以下であること力 S好ましく、 50, 000以下であること力 Sより好ましく、 20, 000 以下であることが特に好まし 、。
[0065] また、本発明の重合体は、前記式 (3)で表される単量体を重合することによって製 造できる。重合方法としては、ラジカル重合、ァニオン重合、カチオン重合が挙げら れる。また、分子量、分子量分布や立体規則性を制御する必要がある場合には、リビ ング重合に代表される、精密重合と呼ばれる重合方法を用いてもょ 、。
[0066] 一般に、重合体を得るための製造プロセスとしては、塊状重合プロセス、懸濁重合 プロセス、乳化重合プロセス、気相重合プロセス、溶液重合プロセス等が存在する。 これらの製造プロセスは、 目的とする重合体の性質に応じて適宜決めればよい。例を 挙げると、光線透過率を低下させないために、重合反応終了後に残存する単量体を 除去する必要があることと、共重合体の分子量を比較的低くする必要があること等か ら、前記プロセスの中でも、多くの場合、溶液重合プロセスが採用されている。さら〖こ 、溶液重合プロセスの中でも、製造バッチの違いによる平均分子量や分子量分布等 の振れが小さぐ再現性のある共重合体が簡便に得られることから、あらかじめ単量 体および重合開始剤等を有機溶剤に溶解させた単量体溶液を一定温度に保持した 有機溶剤中に滴下する、いわゆる滴下重合法が好適に用いられる。
[0067] また、本発明の重合体は、通常、重合開始剤の存在下で、式 (3)で表される単量体 を含む単量体溶液を重合して得られる。このような重合開始剤を使用する重合では、 まず重合開始剤のラジカル体が反応溶液中に生じ、このラジカル体を起点として単 量体の連鎖重合が進行する。
[0068] 本発明の重合体の製造に用いられる重合開始剤としては、熱により効率的にラジカ ルを発生するものが好ましい。このような重合開始剤としては、例えば、 2, 2'ーァゾ ビスイソブチ口-トリル、ジメチル— 2, 2,—ァゾビスイソブチレート等のァゾィ匕合物; 2 , 5 ジメチルー 2, 5 ビス(tert ブチルパーォキシ)へキサン等の有機過酸化物 などが挙げられる。
[0069] 本発明の重合体を製造する際には、連鎖移動剤を使用してもよい。連鎖移動剤を 使用することにより、低分子量で分子量分布の小さい重合体を製造することができる 好適な連鎖移動剤としては、例えば、 1 ブタンチオール、 2—ブタンチオール、 1 オクタンチオール(n—ォクチルメルカプタン)、 1 デカンチオール、 1ーテトラデカ ンチオール、シクロへキサンチオール、 2—メチルー 1 プロパンチオール、 2—メル カプトエタノール、メルカプト酢酸、 1 チォグリセロール等が挙げられる。
[0070] 重合開始剤の使用量は特に限定されないが、通常、使用する単量体全量に対して 1〜20モル%が好ましい。また、連鎖移動剤の使用量は特に限定されないが、通常 、使用する単量体全量に対して 1〜 20モル%が好まし!/、。
重合温度は特に限定されないが、通常、 50°C以上であることが好ましぐ 150°C以 下であることが好ましい。 [0071] 溶液重合プロセスにおいて用いられる有機溶剤としては、用いる単量体、重合開始 剤および得られる重合体、連鎖移動剤を併用する場合はその連鎖移動剤の!ヽずれ をも溶解できる溶剤が好ましい。このような有機溶媒としては、例えば、 1, 4—ジォキ サン、イソプロピルアルコール、アセトン、テトラヒドロフラン(以下「THF」とも言う。)、 メチルイソブチルケトン、 γ —ブチロラタトン、プロピレングリコールモノメチルエーテ ルアセテート(以下「PGMEA」とも言う。)、乳酸ェチル等が挙げられる。
[0072] 溶液重合等の方法によって製造された重合体溶液は、必要に応じて、 1, 4—ジォ キサン、アセトン、 THF、メチルイソブチルケトン、 γ —ブチロラタトン、 PGMEA、乳 酸ェチル等の良溶媒で適当な溶液粘度に希釈した後、メタノール、水等の多量の貧 溶媒中に滴下して重合体を析出させることで精製してもよい。この工程は一般に再沈 殿と呼ばれ、重合溶液中に残存する未反応の単量体や重合開始剤等を取り除くた めに非常に有効である。その析出物を濾別し、十分に乾燥して本発明の重合体を得 る。また、濾別した後、乾燥せずに湿粉のまま使用することもできる。
[0073] 2.本発明のレジスト組成物
次に、本発明のレジスト組成物について説明する。
本発明のレジスト組成物は、上記のような本発明の重合体を溶剤に溶解したもので ある。また、本発明の化学増幅型レジスト組成物は、上記のような本発明の重合体お よび光酸発生剤を溶剤に溶解したものである。化学増幅型ポジ型レジストは感度に 優れる。本発明の重合体は、 1種を用いても、 2種以上を併用してもよい。また、本発 明の重合体を、他の重合体と混合したブレンドポリマーとして用いてもよい。なお、溶 液重合等によって得られた重合体溶液力 重合体を分離することなぐこの重合体溶 液をそのままレジスト組成物に使用すること、あるいは、この重合体溶液を適当な溶 剤で希釈してレジスト組成物に使用することもできる。また、本発明のレジスト組成物 には、本発明の重合体以外の重合体を含んで 、てもよ 、。
[0074] 本発明のレジスト組成物において、本発明の重合体を溶解させる溶剤は使用条件 等に応じて任意に選択される。
溶剤としては、例えば、メチルェチルケトン、メチルイソブチルケトン、 2—ペンタノン 等の直鎖もしくは分岐鎖ケトン類;シクロペンタノン、シクロへキサノン等の環状ケトン 類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノ アルキルアセテート類;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のェチレ ングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエー テル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;エチレングリコールモノメチ ルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;ジエチレングリコール ジメチルエーテル等のジエチレングリコールアルキルエーテル類;酢酸ェチル、乳酸 ェチル等のエステル類; n—プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、 n—ブチ ルアルコール、 tert ブチルアルコール等のアルコール類; 1, 4 ジォキサン、炭酸 エチレン、 γ—プチ口ラタトン等が挙げられる。これらの溶剤は、 1種を用いても、 2種 以上を併用してもよい。
[0075] 溶剤の含有量は、通常、レジスト用重合体 100質量部に対して 200質量部以上で あり、 300質量部以上であることがより好ましい。また、溶剤の含有量は、通常、レジス ト用重合体 100質量部に対して 5000質量部以下であり、 2000質量部以下であるこ とがより好ましい。
[0076] 本発明の重合体を化学増幅型ポジ型レジストに使用する場合は、光酸発生剤を用 いることが必要である。
本発明の化学増幅型レジスト組成物に含有される光酸発生剤は、化学増幅型レジ スト組成物の酸発生剤として使用可能なものの中から任意に選択することができる。 光酸発生剤は、 1種を用いても、 2種以上を併用してもよい。
[0077] このような光酸発生剤としては、例えば、ォ-ゥム塩ィ匕合物、スルホンイミドィ匕合物、 スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、キノンジアジド化合物、ジァゾメタンィ匕 合物等が挙げられる。光酸発生剤としては、中でも、スルスルホ -ゥム塩、ョードユウ ム塩、ホスホ-ゥム塩、ジァゾ -ゥム塩、ピリジ-ゥム塩等のォ-ゥム塩化合物が好ま しぐ具体的には、トリフエ-ルスルホ -ゥムトリフレート、トリフエ-ルスルホ-ゥムへキ サフルォロアンチモネート、トリフエ-ルスルホ -ゥムナフタレンスルホネート、 (ヒドロ キシフエ-ノレ)ベンジノレメチノレスノレホ-ゥムトノレエンスノレホネート、ジフエ-ノレョードニ ゥムトリフレート、ジフエ-ルョードニゥムピレンスルホネート、ジフエニノレョードニゥムド デシルベンゼンスルホネート、ジフエ-ルョードニゥムへキサフルォロアンチモネート 、 p—メチルフエ-ルジフエ-ルスルホ-ゥムノナフルォロブタンスルホネート、トリ(ter t ブチルフエ-ル)スルホ -ゥムトリフルォロメタンスルホネート等が挙げられる。
[0078] 光酸発生剤の含有量は、選択された光酸発生剤の種類により適宜決められるが、 通常、ポジ型レジスト用重合体 100質量部に対して 0. 1質量部以上であり、 0. 5質 量部以上であることがより好ましい。光酸発生剤の含有量をこの範囲にすることにより 、露光により発生した酸の触媒作用による化学反応を十分に生起させることができる 。また、光酸発生剤の含有量は、通常、ポジ型レジスト用重合体 100質量部に対して 20質量部以下であり、 10質量部以下であることがより好ましい。光酸発生剤の含有 量をこの範囲にすることにより、レジスト組成物の安定性が向上し、組成物を塗布する 際の塗布むらや現像時のスカム等の発生が十分に少なくなる。
[0079] さらに、本発明の化学増幅型レジスト組成物には、含窒素化合物を配合することも できる。含窒素化合物を含有させることにより、レジストパターン形状、引き置き経時 安定性などがさらに向上する。つまり、レジストパターンの断面形状が矩形により近く なり、また、レジスト膜を露光し、露光後ベータ (PEB)して、次の現像処理までの間に 数時間放置されることが半導体の量産ラインではあるが、そのような放置 (経時)した ときにレジストパターンの断面形状の劣化の発生がより抑制される。
[0080] 含窒素化合物は、公知のものいずれも使用可能である力 ァミンが好ましく、中でも 、第 2級低級脂肪族ァミン、第 3級低級脂肪族ァミンがより好ましい。
ここで「低級脂肪族ァミン」とは、炭素数 5以下のアルキルまたはアルキルアルコー ルのァミンのことをいう。
第 2級低級脂肪族ァミン、第 3級低級脂肪族ァミンとしては、例えば、トリメチルアミ ン、ジェチルァミン、トリェチルァミン、ジー n—プロピルァミン、トリー n—プロピルアミ ン、トリペンチルァミン、ジエタノールァミン、トリエタノールァミンなどが挙げられる。含 窒素化合物としては、中でも、トリエタノールァミンなどの第 3級アルカノールァミンが より好まし 、。
[0081] 含窒素化合物は、 1種を用いても、 2種以上を併用してもよい。含窒素化合物の含 有量は、選択された含窒素化合物の種類などにより適宜決められるが、通常、ポジ型 レジスト用重合体 100質量部に対して 0. 01質量部以上であることが好ましい。含窒 素化合物の含有量をこの範囲にすることにより、レジストパターン形状をより矩形にす ることができる。また、含窒素化合物の含有量は、通常、ポジ型レジスト用重合体 100 質量部に対して 2質量部以下であることが好ましい。含窒素化合物の含有量をこの 範囲にすることにより、感度の劣化を小さくすることができる。
[0082] また、本発明の化学増幅型レジスト組成物には、有機カルボン酸、リンのォキソ酸、 または、その誘導体を配合することもできる。これらの化合物を含有させることにより、 含窒素化合物の配合による感度劣化を防止することができ、また、レジストパターン 形状、引き置き経時安定性などがさらに向上する。
有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クェン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香 酸、サリチル酸などが好ましい。
リンのォキソ酸、または、その誘導体としては、例えば、リン酸、リン酸ジー n—プチ ルエステル、リン酸ジフエ-ルエステル等のリン酸およびそれらのエステルのような誘 導体;ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸ジー n—ブチルエステル 、フエ二ノレホスホン酸、ホスホン酸ジフエ-ノレエステノレ、ホスホン酸ジベンジノレエステ ル等のホスホン酸およびそれらのエステルのような誘導体;ホスフィン酸、フエ-ルホ スフイン酸等のホスフィン酸およびそれらのエステルのような誘導体などが挙げられ、 中でも、ホスホン酸が好ましい。
[0083] これらの化合物(有機カルボン酸、リンのォキソ酸、または、その誘導体)は、 1種を 用いても、 2種以上を併用してもよい。
これらの化合物(有機カルボン酸、リンのォキソ酸、または、その誘導体)の含有量 は、選択されたィ匕合物の種類などにより適宜決められるが、通常、レジスト用重合体 1 00質量部に対して 0. 01質量部以上であることが好ましい。これらの化合物の含有 量をこの範囲にすることにより、レジストパターン形状をより矩形にすることができる。 また、これらの化合物(有機カルボン酸、リンのォキソ酸、または、その誘導体)の含 有量は、通常、レジスト用重合体 100質量部に対して 5質量部以下であることが好ま しい。これらの化合物の含有量をこの範囲にすることにより、レジストパターンの膜減り を/ J、さくすることができる。
[0084] なお、含窒素化合物と、有機カルボン酸、リンのォキソ酸およびその誘導体力 な る群力 選ばれる一種以上との両方を本発明の化学増幅型レジスト組成物に含有さ せることもできるし、 、ずれか片方のみを含有させることもできる。
[0085] さらに、本発明のレジスト組成物には、必要に応じて、界面活性剤、前記含窒素化 合物以外のクェンチヤ一、増感剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤等の 各種添加剤を配合することもできる。これらの添加剤は、当該分野で公知のものであ ればいずれも使用可能である。また、これらの添加剤の配合量は特に限定されず、 適宜決めればよい。
[0086] 本発明のポジ型レジスト用重合体は、金属エッチング用、フォトフアプリケーション用 、製版用、ホログラム用、カラーフィルター用、位相差フィルム用等のレジスト組成物と して使用してちょい。
[0087] 3.本発明のパターン製诰方法
次に、本発明のパターン製造方法の一例について説明する。
最初に、パターンを形成するシリコンウェハー等の被加工基板の表面に、本発明の レジスト組成物をスピンコート等により塗布する。そして、このレジスト組成物が塗布さ れた被加工基板は、ベーキング処理 (プリベータ)等で乾燥し、基板上にレジスト膜を 形成する。
[0088] 次!、で、このようにして得られたレジスト膜に、フォトマスクを介して、 250nm以下の 波長の光を照射する(露光)。露光に用いる光は、 KrFエキシマレーザー、 ArFェキ シマレーザーまたは Fエキシマレーザーであることが好ましぐ特に ArFエキシマレ
2
一ザ一であることが好ましい。また、電子線で露光することも好ましい。
[0089] 露光後、適宜熱処理 (露光後ベータ、 PEB)し、基板をアルカリ現像液に浸漬し、露 光部分を現像液に溶解除去する(現像)。アルカリ現像液は公知のもの ヽずれを用 いてもよい。そして、現像後、基板を純水等で適宜リンス処理する。このようにして被 加工基板上にレジストパターンが形成される。
[0090] 通常、レジストパターンが形成された被カ卩ェ基板は、適宜熱処理 (ポストベータ)し てレジストを強化し、レジストのない部分を選択的にエッチングする。エッチングを行 つた後、レジストは、通常、剥離剤を用いて除去される。
実施例 [0091] 以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるも のではない。
実施例、比較例において、重合体の物性測定およびレジストの評価は以下の方法 で行った。
[0092] <重合体の重量平均分子量 >
約 20mgの重合体を 5mLの THFに溶解し、 0. 5 mメンブランフィルターで濾過し て試料溶液を調製し、この試料溶液を東ソー製ゲル ·パーミエーシヨン'クロマトグラフ ィー(GPC)を用いて測定した。この測定は、分離カラムは昭和電工社製、 Shodex GPC K—805L (商品名)を 3本直列にしたものを用い、溶剤は THF、流量 1. OmL Zmin、検出器は示差屈折計、測定温度 40°C、注入量 0. lmLで、標準ポリマーと してポリスチレンを使用して測定した。
[0093] <重合体のァセタール構造の熱安定性 >
重合体の熱安定性は、東京理科器械株式会社製パーソナル有機合成装置 Chem iStationPPS— 2510を用い、試験管中で重合体 3. Ogを 100°C、 4時間加熱攪拌 し、加熱攪拌前と過熱攪拌後の1 H—NMRの測定により求めた。この測定は、 日本 電子 (株)製、 JN GX—270型FT—NMR (商品名)を用ぃて、約 5質量%のポジ型 レジスト用重合体試料の重水素化クロ口ホルム、重水素化アセトンあるいは重水素化 ジメチルスルホキシドの溶液を直径 5mm φの試験管に入れ、測定温度 40°C、観測 周波数 270MHz、シングルパルスモードにて、 64回の積算で行った。
[0094] 熱安定性は、ァセタール構造の酸素と酸素に挟まれた炭素に結合した水素の比率 力 Sどれだけ変化しな 、かで評価した。
熱安定性指数 = { (熱分解試験後の酸素と酸素に挟まれた炭素に結合した水素の 積分値) Z (熱分解試験後のケミカルシフト δ値 0〜2. 6ppm間の合計積分値) }/{ (熱分解性試験前の酸素と酸素に挟まれた炭素に結合した水素の積分値) / (熱分 解試験前のケミカルシフト δ値 0〜2. 6ppm間の合計積分値) }
この熱安定性指数が 1に近い程、ァセタールの熱安定性が高ぐ 1より小さいとァセ タールの熱安定性が低 、ことを示す。
[0095] <実施例 1 > (下記式 (A— 1)で表されるメタクリル酸エステルの合成) [化 39]
Figure imgf000055_0001
[0096] 攪拌機、温度計および還流冷却管を取り付けた 1Lガラス製三口フラスコに、ノルボ ルネンカルボン酸 69. Og (0. 50モル)、メタクリル酸 129. Og (l. 5モル)、メタンスル ホン酸 4. 8g (0. 05モル)、を仕込み、攪拌しながら 130°Cまで温度を昇温した。その 後、フラスコの温度を 130°Cに保ったまま、 2時間反応させた。反応終了後、反応液 を氷浴で冷却し、攪拌しながら、トルエン 200ml、水 100mlをカ卩えた。これを分液口 ートに移し、水層を除去した後、トルエン層を濃縮したところ、下記式(7)でメタクリル 酸付加体が 110. Og得られた。
[0097] 得られた上記式(7)で表されるメタクリル酸付加体 110. 0g、ブチルビニルエーテ ル 73. 7g (0. 74モル)を攪拌機、温度計および還流冷却管を取り付けた 300mlガラ ス製三口フラスコに仕込み、攪拌しながら 100°Cまで温度を昇温した。その後、フラス コ内の温度を 100°Cに保ったまま、 3時間半反応させた。メタクリル酸付加体が消失し て 、ることをガスクロマトグラフィーで確認し、上記式 (A— 1)で表されるメタクリル酸ェ ステルが生成していることを H1— NMRで確認した。反応終了後、室温まで冷却し、 粗体の (A— 1)を得た。
[0098] この粗体 (A— 1)を蒸留精製するために、オイルバスを用いて 160°Cまで加熱して 、 26. 6-79. 8Paの真空度で、塔頂温度 108〜145°Cの留分を分取した。しかしな がら、蒸留中に熱による分解がおこり、分取した留分は、原料のメタクリル酸付加体で あり、蒸留精製ができな力 た。よって、以降の操作では、上記式 (A— 1)で表される メタクリル酸エステルとして、蒸留精製して 、な 、反応終了後の粗体 (A- 1)を用い [0099] <実施例 2> (共重合体 P— 1の合成)
窒素導入口、攪拌機、コンデンサー、および温度計を備えたフラスコに、窒素雰囲 気下で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、 PGMEAという。 )を 22. 4部入れ、攪拌しながら湯浴の温度を 80°Cに上げた。前記式 (A— 1)で表さ れるメタクリル酸エステル 14. 3部、下記式で表される単量体(以下、 GBLMAという 。)7. 5部、
[化 40]
Figure imgf000056_0001
下記式で表される HAdMA5. 2部、
[化 41]
Figure imgf000056_0002
PGMEA40. 4部、およびジメチルー 2, 2'ーァゾビスイソブチレート(以下、 DAIBと 言う。) 3. 04部を混合した単量体溶液の入った滴下装置から、該単量体溶液を一定 速度で 4時間かけてフラスコ中へ滴下した。その後、 80°Cの温度を 3時間保持した。
[0100] 次いで、得られた反応溶液を約 10倍量のメタノール Z水 = 8Z2 (体積比)混合溶 媒中に攪拌しながら滴下し、白色の析出物 (共重合体 P— 1)の沈殿を得た。この沈 殿を濾別して得られた湿粉を、再度上記反応溶液に対して約 10倍量のメタノール Z 水 = 9Zl (体積比)混合溶媒中で洗浄を行った。そして洗浄後の沈殿を濾別して、 減圧下 60°Cで約 40時間乾燥し共重合体 P— 1を得た。得られた共重合体 P— 1のァ セタール構造の熱安定性を測定した。結果を表 1に示す。
[0101] <実施例 3 > (下記式 (A— 2)で表されるメタクリル酸エステルの合成)
[化 42]
Figure imgf000057_0001
[0102] 攪拌機、温度計および還流冷却管を取り付けた 1Lガラス製三口フラスコに、ノルボ ルネンカルボン酸 69. Og (0. 50モル)、メタクリル酸 129. Og (l. 5モル)、メタンスル ホン酸 4. 8g (0. 05モル)、を仕込み、攪拌しながら 130°Cまで温度を昇温した。その 後、フラスコの温度を 130°Cに保ったまま、 2時間反応させた。反応終了後、反応液 を氷浴で冷却し、攪拌しながら、トルエン 200ml、水 100mlをカ卩えた。これを分液口 ートに移し、水層を除去した後、トルエン層を濃縮したところ、下記式(7)でメタクリル 酸付加体が 110. Og得られた。
[化 43]
Figure imgf000058_0001
[0103] 得られた上記式 (7)で表されるメタクリル酸付加体 110. Ogを攪拌機、温度計を取り 付けた 1Lガラス製三口フラスコに仕込み、ジメチルホルムアミド 200ml、トリェチルァ ミン 50. 5gをカ卩ぇ攪拌した。攪拌しながら、内温を 25°Cに保ったまま、滴下ロートを 用いてクロロメチルメチルエーテル 40. 2g (0. 5モル)を 2時間かけて滴下した。滴下 終了後、室温で 1時間攪拌した後、トルエン 600ml、水 200mlを加えた。これを分液 ロートに移し、水層を除去した後、トルエン層を濃縮した。この濃縮液を、減圧蒸留に より精製したところ、上記式 (A— 2)で表されるメタクリル酸エステルが 96. 6g (0. 36 モル)得られた。
[0104] <実施例 4 > (共重合体 P— 2の合成)
窒素導入口、攪拌機、コンデンサーおよび温度計を備えたフラスコに、窒素雰囲気 下で、 PGMEA185. 3部を入れ、攪拌しながら湯浴の温度を 80°Cに上げた。前記 式 (A— 2)で表されるメタクリル酸エステル 107. 2部、 GBLMA68. 0部、 HAdMA 47. 2部、 PGMEA333. 6部、および 2, 2'—ァゾビスイソブチ口-トリル(以下、 AI βΝと!ヽぅ。)6. 56咅^、 η—ォクチノレメノレ ^プタン(J¾"F、 nOMと!ヽぅ。) 1. 75咅を 合した単量体溶液を、滴下装置を用い、一定速度で 6時間かけてフラスコ中へ滴下 し、その後、 80°Cで 1時間保持した。次いで、得られた反応溶液を約 30倍量のメタノ ール中に攪拌しながら滴下し、無色の析出物の沈殿 (共重合体 P— 2)を得た。沈殿 物に残存する単量体を取り除くために、得られた沈殿を濾別し、重合に使用した単量 体に対して約 30倍量のメタノール中で沈殿を洗浄した。そして、この沈殿を濾別し、 減圧下 50°Cで約 40時間乾燥した。得られた共重合体 P— 2の各物性を測定した結 果を表 1に示す。
<実施例 5 > (下記式 (A— 3)で表されるメタクリル酸エステルの合成)
[化 44]
Figure imgf000059_0001
[0106] 実施例 3と同様にして得られた前記式(7)で表されるメタクリル酸付加体 110. Ogを 攪拌機、温度計を取り付けた 1Lガラス製三口フラスコに仕込み、ジメチルホルムアミ ド 200ml、トリェチルァミン 50. 5gをカ卩ぇ攪拌した。攪拌しながら、内温を 25°Cに保 つたまま、滴下ロートを用いてクロロメチルシクロへキシルエーテル 74. 0g (0. 5モル )を 3時間かけて滴下した。滴下終了後、室温で 1時間攪拌した後、トルエン 600ml、 水 200mlを加えた。これを分液ロートに移し、水層を除去した後、トルエン層を濃縮し た。この濃縮液に、粉末状にした水酸化ナトリウムを 0. 5g加えた後、減圧蒸留により 精製したところ、上記式 (A— 3)で表されるメタクリル酸エステルが 107. 5g (0. 32モ ル)得られた。
[0107] <実施例 6 > (共重合体 P— 3の合成)
フラスコに入れる PGMEAの量を 202. 8部とし、単量体溶液を、前記式 (A— 3)で 表されるメタクリル酸エステル 134. 4部、 GBLMA68. 0部、下記式で表される 5—ま たは 6—シァノビシクロ [2. 2. 1]へプチルー 2—メタタリレート(以下、 CNNMAという 。)41. 0部、
[化 45]
Figure imgf000060_0001
PGMEA365. 1部、および AIBN6. 56部、 nOMO. 58部を混合した単量体溶液と した以外は実施例 3と同様にして共重合体 P— 3を得た。共重合体 P— 3の各物性を 測定した結果を表 1に示す。
[0108] [表 1]
Figure imgf000060_0002
産業上の利用可能性
[0109] 本発明の重合体はポジ型レジストの構成成分榭脂として有用である。特に、本発明 の重合体を、 DUVエキシマレーザーリソグラフィー、電子線リソグラフィー、あるいは EUVリソグラフィ一等においてレジスト榭脂として用いた場合に、高感度、高解像度 であり、ラインエッジラフネスおよびすそ引きの点に優れているため、高精度の微細な レジストパターンを安定して形成することができる。

Claims

請求の範囲 下記式(1)で表される構成単位を含有する重合体。
(式(1)中、 Rは水素原子またはメチル基を表す。 それぞれ独立して、水 素原子または炭素数 1〜20のアルキル基を表し、
Figure imgf000061_0002
R2が一緒になつて環構 造を形成する。 A1は単結合、アルキレン、ォキシアルキレン、 C (0) 0—または一 C H CH OC (O)—を表し、 A2は単結合、アルキレン、ォキシアルキレン、 CO 、 一
2 2
C (0) 0—または— C (0) OCH CH—を表す。 Zは、置換基を有していてもよいシク
2 2
口へキサン環、ノルボルナン環、ビシクロ [2. 2. 2]オクタン環、またはテトラシクロ [4. 4. 0. I2' 5]ドデカン環である。 )
[2] 式(1)が下記式(2)で表される構成単位である請求項 1記載の重合体。
[化 2]
Figure imgf000062_0001
(式(2)中、 Rは水素原子またはメチル基を表す。 R2は、炭素数 1〜20のアルキル基 を表す。)
下記式(3)で表される (メタ)アクリル酸エステル。
[化 3]
Figure imgf000063_0001
(式(3)中、 R、
Figure imgf000063_0002
Zは、式(1)と同義である。 )
ル。
式(2)が下記式 (4)で表される請求項 3記載の (メタ)アクリル酸エステル。 [化 4]
Figure imgf000063_0003
(式 (4)中、 Rは水素原子またはメチル基を表す。 R2は、炭素数 1〜20のアルキル基 を表す。 nは 0または 1である。 )
[5] 請求項 1または 2記載の重合体を含有するレジスト組成物。
[6] 請求項 5記載のレジスト組成物を被加工基板上に塗布する工程と、 250nm以下の 波長の光で露光する工程と、現像液を用いて現像してパターンを形成する工程とを 含むパターン製造方法。
PCT/JP2005/008955 2004-05-20 2005-05-17 (メタ)アクリル酸エステル、重合体、およびレジスト組成物 WO2005113617A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/596,865 US8088875B2 (en) 2004-05-20 2005-05-17 (Meth)acrylate, polymer and resist composition
JP2006513693A JP5269311B2 (ja) 2004-05-20 2005-05-17 (メタ)アクリル酸エステル、重合体、およびレジスト組成物
US12/393,455 US8114949B2 (en) 2004-05-20 2009-02-26 (Meth)acrylate, polymer and resist composition

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004-150822 2004-05-20
JP2004150822 2004-05-20
JP2004320606 2004-11-04
JP2004-320606 2005-11-04

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/596,865 A-371-Of-International US8088875B2 (en) 2004-05-20 2005-05-17 (Meth)acrylate, polymer and resist composition
US12/393,455 Continuation US8114949B2 (en) 2004-05-20 2009-02-26 (Meth)acrylate, polymer and resist composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005113617A1 true WO2005113617A1 (ja) 2005-12-01

Family

ID=35428379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/008955 WO2005113617A1 (ja) 2004-05-20 2005-05-17 (メタ)アクリル酸エステル、重合体、およびレジスト組成物

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8088875B2 (ja)
JP (1) JP5269311B2 (ja)
KR (1) KR100827903B1 (ja)
TW (1) TWI359820B (ja)
WO (1) WO2005113617A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014071075A (ja) * 2012-10-01 2014-04-21 Mitsubishi Rayon Co Ltd 重合体の分子量の測定方法、重合体の製造方法、レジスト組成物の製造方法、ならびにパターンが形成された基板の製造方法
JP2014156586A (ja) * 2013-01-21 2014-08-28 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8088875B2 (en) * 2004-05-20 2012-01-03 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. (Meth)acrylate, polymer and resist composition
US8017303B2 (en) * 2009-02-23 2011-09-13 International Business Machines Corporation Ultra low post exposure bake photoresist materials
JP5541766B2 (ja) * 2009-05-19 2014-07-09 株式会社ダイセル フォトレジスト用高分子化合物の製造方法
JP5708082B2 (ja) * 2010-03-24 2015-04-30 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びネガ型レジスト組成物
JP6477667B2 (ja) * 2016-11-08 2019-03-06 トヨタ自動車株式会社 成形体製造方法、及び、成形体製造装置
DE102017220993A1 (de) * 2017-11-23 2019-05-23 Henkel Ag & Co. Kgaa Mittel zur temporären Verformung von keratinischen Fasern
CN110531579A (zh) * 2019-09-26 2019-12-03 京东方科技集团股份有限公司 掩模版及其制造方法、光刻方法、显示面板、曝光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1130864A (ja) * 1997-07-10 1999-02-02 Fuji Photo Film Co Ltd 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
JP2003147023A (ja) * 2001-08-31 2003-05-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP2005070316A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2907144B2 (ja) * 1995-12-11 1999-06-21 日本電気株式会社 酸誘導体化合物、高分子化合物、それを用いた感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
JP2973998B2 (ja) 1997-03-07 1999-11-08 日本電気株式会社 感光性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US6030747A (en) * 1997-03-07 2000-02-29 Nec Corporation Chemically amplified resist large in transparency and sensitivity to exposure light less than 248 nanometer wavelength and process of forming mask
JP3042618B2 (ja) * 1998-07-03 2000-05-15 日本電気株式会社 ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
KR100574574B1 (ko) * 1998-08-26 2006-04-28 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물
JP3680920B2 (ja) 1999-02-25 2005-08-10 信越化学工業株式会社 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP4310028B2 (ja) 2000-06-12 2009-08-05 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4790153B2 (ja) 2000-09-01 2011-10-12 富士通株式会社 ネガ型レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び電子デバイスの製造方法
JP2002182393A (ja) 2000-10-04 2002-06-26 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2002341541A (ja) * 2001-05-18 2002-11-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
US6844133B2 (en) * 2001-08-31 2005-01-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
JP2003122007A (ja) 2001-10-09 2003-04-25 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP4048824B2 (ja) 2002-05-09 2008-02-20 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
CN1281653C (zh) 2002-07-10 2006-10-25 Lg化学株式会社 降冰片烯-酯基加成聚合物及该降冰片烯-酯基加成聚合物的制备方法
KR100821440B1 (ko) 2003-01-31 2008-04-10 미츠비시 레이온 가부시키가이샤 레지스트용 중합체 및 레지스트 조성물
US7341816B2 (en) 2003-02-24 2008-03-11 Promerus, Llc Method of controlling the differential dissolution rate of photoresist compositions, polycyclic olefin polymers and monomers used for making such polymers
US7022459B2 (en) * 2003-03-14 2006-04-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive composition
CN1930194B (zh) 2004-03-08 2011-03-30 三菱丽阳株式会社 抗蚀剂用聚合物、抗蚀剂组合物及图案制造方法以及抗蚀剂用聚合物用原料化合物
US8088875B2 (en) 2004-05-20 2012-01-03 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. (Meth)acrylate, polymer and resist composition

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1130864A (ja) * 1997-07-10 1999-02-02 Fuji Photo Film Co Ltd 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
JP2003147023A (ja) * 2001-08-31 2003-05-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP2005070316A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014071075A (ja) * 2012-10-01 2014-04-21 Mitsubishi Rayon Co Ltd 重合体の分子量の測定方法、重合体の製造方法、レジスト組成物の製造方法、ならびにパターンが形成された基板の製造方法
JP2014156586A (ja) * 2013-01-21 2014-08-28 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200613334A (en) 2006-05-01
TWI359820B (en) 2012-03-11
KR100827903B1 (ko) 2008-05-07
KR20070027597A (ko) 2007-03-09
JP5269311B2 (ja) 2013-08-21
US8114949B2 (en) 2012-02-14
US20090226851A1 (en) 2009-09-10
JPWO2005113617A1 (ja) 2008-03-27
US20080003529A1 (en) 2008-01-03
US8088875B2 (en) 2012-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8114949B2 (en) (Meth)acrylate, polymer and resist composition
JPWO2008081768A1 (ja) 脂環構造含有クロロメチルエーテル類、フォトレジスト用重合性モノマーおよびその製造方法
JP4568278B2 (ja) レジスト材料、レジスト組成物、およびパターン製造方法、並びにレジスト用重合体用原料化合物
KR101575943B1 (ko) 알코올 화합물과 그 제조 방법, 락톤 화합물의 제조 방법, (메트)아크릴산에스테르와 그 제조 방법, 중합체와 그 제조 방법, 레지스트 조성물과 이것을 사용한 기판의 제조 방법
JP5339494B2 (ja) 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法
JP5318350B2 (ja) 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法
WO2006028071A1 (ja) レジスト用重合体、レジスト用重合体の製造方法、レジスト組成物、およびパターンが形成された基板の製造方法
JP5416889B2 (ja) レジスト用重合体、レジスト組成物、およびパターンが形成された基板の製造方法
JP5059419B2 (ja) 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法
JP4332445B2 (ja) レジスト用重合体
JP4851140B2 (ja) (メタ)アクリル酸エステル、重合体、レジスト組成物、およびパターンが形成された基板の製造方法
KR102213419B1 (ko) 레지스트용 공중합체 및 레지스트용 조성물
JP2006104378A (ja) レジスト用単量体およびレジスト用重合体
JP4951199B2 (ja) (メタ)アクリル酸エステルの製造方法
JP4442887B2 (ja) レジスト用重合体
JP7711171B2 (ja) アセタール化合物、当該化合物を含む添加剤、および当該化合物を含むレジスト用組成物
WO2007049593A1 (ja) レジスト用重合体、レジスト組成物、パターンが形成された基板の製造方法、重合性モノマー、および重合性モノマーの製造方法
JP4375785B2 (ja) レジスト用重合体
JP6705286B2 (ja) 重合性単量体の製造方法、リソグラフィー用重合体の製造方法およびレジスト組成物の製造方法
JP4979477B2 (ja) レジスト用重合体、レジスト組成物、およびパターン製造方法、並びにレジスト用重合体用原料化合物
JP5001744B2 (ja) 重合体および該重合体を含有するレジスト組成物
JP2006016520A (ja) レジスト用重合体およびレジスト組成物

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006513693

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11596865

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067026640

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067026640

Country of ref document: KR

122 Ep: pct application non-entry in european phase
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11596865

Country of ref document: US