WO2004112449A1

WO2004112449A1 - 電子部品の製造方法および電子部品

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Publication number: WO2004112449A1
Application number: PCT/JP2004/008298
Authority: WO
Inventors: Masashi Gotoh; Hajime Kuwajima; Hiroki Hara; Hiroshi Yamamoto
Original assignee: Tdk Corporation
Priority date: 2003-06-13
Filing date: 2004-06-08
Publication date: 2004-12-23
Also published as: CN1806476A; CN1806476B; US7371682B2; US20060128143A1; KR20060018264A; TW200507723A; KR100772294B1; TWI303148B; JP2005005559A; JP3674927B2

Abstract

本発明は、下層配線を覆う絶縁部材の上側表面に前記下層配線から接続される導体部を露出させる電子部品の製造方法である。当該方法においては、絶縁部材の上側表面に給電膜を形成した後、この給電膜側から下層配線を底部とする開口部を形成する。そして給電膜を電極として開口部から前記給電膜の縁端部より金属めっきを成長させ、下層配線に密着する金属めっきを前記開口部に充填し、導体部を形成する。

Description

明細書電子部品の製造方法および電子部品技術分野

本発明は、芯材に配線層を順次積層した電子部品の製造方法および電子部品に係り、特に前記配線層において層間接続をなす導電体を形成するのに好適な電子部品の製造方法および電子部品に関する。背景技術

従来、芯材の表面に順次配線層を積層させ、これら積層された配線層間の接続を行うことで立体的な配線構造を形成するようにした電子部品が知られている。

そして前記配線層においては、層間接続をなす導体部を形成するための製造方法が種々提案 '開示されている。図 8 A乃至 8 Dは、電子部品の従来における配線層の製造過程を示した工程説明図である。

電子部品を構成する配線層では、図 8 Aに示すように一定の厚みを有した絶緣材料からなる基材 1と、この基材 1の裏面および当該基材 1の内部に形成された下層配線 2とを有している。

このような形態からなる配線層の表面側に導体部 3と、上層配線 4 (ともに図 1 0 Cを参照）を形成するには、まず銅箔 5がー面に形成された前記配線層 1の表面側に、保護膜となるドライフィルム 6を貼り付ける。そして当該ドラィフィルム 6を基材 1に貼り付けた後は、図 8 Bに示すように前記ドライフィルム 6に対し露光および現像処理を行い、前記導体部 3の形成領域に開口部 7 を形成する。その後は、図 8 Cに示すように前記開口部 7の底面に露出する銅箔を異なるエッチングによって除去し基材 1を露出させるとともに、この露出した基材 1の表面に対しブラスト処理を施し、前記基材 1の下方に位置する下層配線 2を露出させる。ブラスト処理によって開口部 7の底面に下層配線 2が露出した状態を図 8 Dに示す。

ところで上記従来例では、基材 1に対する穴加工をブラスト処理によって行うようにしたが、この方法に限定されることもなく、他の方法を用いるようにしてもよい。

図 9 Aおよび 9 Bは、レーザ加工を用いて開口部を形成する手順を示したェ程説明図である。そして図 9 Aは、レーザ加工前の配線層の状態を示しており、当該配線層の加工をなすレーザ加工機（図示せず）は、この配線層の上方に配置されている。

そしてレーザ加工機が備える位置決め機構を用い、開口部 7の形成予定位置にレーザ照射部を移動させることで、銅箔 5および基材 1の穴あけ加工を個別に行う。レーザ加工によって開口部 7を形成した後の状態を図 9 Bに示す。なお上述した銅箔 5への加工には、 YA Gレ一ザ (yt trium aluminum garnet laser) が用いられ、また絶縁樹脂からなる基材 1への加工には、炭酸ガスレ一ザが用いられるのが一般的である。そしてこれら異なるレーザは加工効率向上の見地から同一の位置決め機構に搭載し、（銅箔 5と基材 1との）連続加工を行うようにすればよい。また YA Gレーザを用いる代わりに、銅箔のみをェツチングでパターンエングしてもよい。

こうして配線層の表面に下層配線 2が露出する開口部 7を形成した後は、当該開口部 7に金属材を充填させ導体部 3を形成する。

図 1 0 A、 1 0 Bおよび 1 0 Cは、開口部に導体部を形成する手順を示すェ程説明図である。

開口部に導体部を形成するには、まず図 1 O Aに示すように、開口部 7が形成された配線層の表側に、基材 1との密着性を向上させる目的から無電解めきを施し無電解めつき層 8を形成する。そして当該無電解めつき層 8を形成した後は、この無電解めつき層 8を電極として電解めつきを施し、開口部 7を埋めるよう電解めつき層 9を無電解めつき層 8の上層に析出させる。電解めつき層 9を形成した後の状態を図 1 0 Bに示す。

このように電解めつき層 9を形成した後は、これら銅箔 5と無電解めつき層 8と電解めつき層 9に対し、サブトラクティブ法を用い、図 1 0 Cに示すように導体部 3および上層配線 4を形成する。

ところで上記従来例では、無電解めつき層を用い基材 1と導体部 3との密着性の向上を図るようにしたが（例えば、特開平 1 1 — 3 4 3 5 9 3号公報参照）、前記無電解めつき層に代えて他の処理を適用する方法も知られている（例えば、特開 2 0 0 1— 2 1 7 5 5 3号公報参照)。

しかし上述した無電解めつき（および無電解めつきに代わるその他の方法）を用いた場合では以下に示すような問題点があった。

すなわち図 1 0 Bに示すように、無電解めつき層を形成した後に、電解めつきを施し開口部 7を金属材で埋めようとすると、配線層の片側表面全体に電解めっき層 9が厚く形成されてしまい、この結果、図 1 0 Cに示すようにエッチングにて配線パターンを形成する際に、当該配線パターンの断面が台形になつてしまい、寸法精度の低下や、幅の狭い配線パターンが形成できなくなるといつた問題点があった。

また無電解めつき層 8を形成し、これを電極として電気めつきを施すと、この無電解めつき層 8における表面と穴の内側とでは、表面の方が新鮮なめっき液が多くあたる。このため当該表面での電気めつき層 9の成長が促進され、この結果、開口部 7に金属材が充填される前に、前記開口部 7 が（電気めつき層 9によって）塞がれ、導体部 3の内部に空隙（いわゆるポイド）が生じてしまうおそれがあった。 '

また無電解めつきを使用せず、他の前処理を施す場合でも同様の問題が生じるおそれがあった。ところで無電解めつきを使用する場合には、導体以外の部分（絶縁体部分）にもメツキを付着させるため、金属触媒が用いられる。しかしこの金属触媒が配線層の表面に残留すると、絶縁抵抗値が低下したり、配線パターンの短絡等の障害を引き起こす可能性があった。なお近年の電子部品では狭ピッチ化が進んでおり、上記障害のおそれは一層高まっている。発明の開示

本発明は、上記従来の問題点に着目し、電気めつきの前処理である無電解めつき、またはそれに準じる他の前処理を廃止することで、工程の簡略化を達成するとともに、電気的信頼性の向上を達成することが可能なのできる電子部品の製造方法および電子部品を提供することを目的とする。

本発明は、配線層にあらかじめ形成された銅箔を電極として、開口部端面より露出する銅箔から電気めつきを成長させれば、無電解めつき層を電極として用いずとも導体部を形成することができるという知見に基づいてなされたものである。

すなわち本発明に係る電子部品の製造方法は、下層配線を覆う絶縁部材の上側表面に前記下層配線から接続される導体部を露出させる電子部品の製造方法であって、前記絶縁部材の上側表面に給電膜を形成した後、この給電膜側から前記下層配線を底部とする開口部を形成し、前記給電膜を電極として前記開口部から前記給電膜の縁端部より金属めつきを成長させ、前記下層配線に密着する金属めつきを前記開口部に充填し、これを導体部とする手順とした。

ここで前記絶縁部材の上側表面に給電膜と保護膜を厚み方向に形成した後、開口部を形成し、. 前記開口部から露出する前記給電膜より金属めつきを成長させればよい。

更に具体的には、下層配線を覆う絶縁部材の上側表面に前記下層配線から接続される導体部を露出させる電子部品の製造方法であって、前記絶縁部材の上側表面に給電膜と保護膜を厚み方向に形成した後、前記導体部の形成領域に前記保護膜と前記給電膜とに前記下層配線を底部とする開口部を形成し、前記給電膜を電極として前記開口部から露出する前記給電膜より金属めつきを成長させ、当該金属めつきが前記下層配線層に達した後は、魴記給電膜と前記下層配線層とを電極とし、前記下層配線に密着する金属めつきを前記開口部に充填させ、これを導体部とする手順とした。

なお前記絶縁部材への前記給電膜の形成に代えて、前記絶縁部材を絶縁樹脂付き銅箔としたり、あるいは接着シートと銅箔に相当する金属箔とを重ね合わせて、プレスにより形成する方法でもよい。

そして本発明に係る電子部品は、下層配線を覆う絶緣部材の上側表面に上層配線が形成されるとともに、前記絶縁部材を貫通する導体部によって前記下層配線と前記上層配線とが接続される構造を有した電子部品であって、前記下層配線と前記上層配線との接続をなす前記導体部は、電気めつきによる金属の析出のみで形成することとした。 '

上記構成によれば、まず給電膜や保護膜が積層された絶縁部材の上方からェツチング処理を行う。そしてエッチング処理を行った後は、露出した絶縁部材に対し、ブラス卜処理やレーザ加工によって絶縁部材を除去し、当該絶縁部材の下方に位置する下層配線を露出させ開口部を形成する。

このように開口部を形成した後は、前記給電膜を電極として電気めつきを行うと、めっきによって析出される金属は、開口部における給電膜の縁端部が電流密度集中効果により特に成長する。そして成長した金属めつきが、開口部の底面に露出する下層配線に差し掛かると、今度は、給電膜の端面に加え前記下層配線も電極として作用する。このため前記金属めつきは、給電膜の端面を起点とするだけでなく、下層配線からも成長する。このように給電膜の端面と下層配線を起点とした金属めつきの成長が続くと、開口部の内側は金属めつきによって充填され導体部が形成される。そして導体部を形成した後は、導体部の上側を研磨等によってあらかじめ設定した高さを得たのち、サブトラクティブ法ゃセミアディティブ法によってパターンニングを行うようにすればよい。このような手順を行えば、無電解めつきあるいはこれに代わる他の処理が不要になり電気めつき処理だけで導体部を形成することが可能になる。

そして本発明においては、下層に回路パターンがすでに形成されており、下層側から給電ができない場合であっても対処することが可能である。また給電部の縁端部を利用しているためめつきの析出速度が速く、さらにめつきの成長後は、前記縁端部と開口部の底面とを電極としてめつきを析出させることから、めっきの析出速度を向上させることが可能になる。

なお上記構成では構成の都合上、下層配線と、この下層配線の上側に位置する導体部としたが、この上下関係に限定されることもなく、上記プロセスで製造した電子部品は、前記導体部を下側とし、前記下層配線を前記導体部の上側に配置するように使用してもよいことはいうまでもない。図面の簡単な説明

図 1は、配線層に導体部を形成した直後の形態を示す要部断面図である。図 2 A、 2 B、 2 Cおよび 2 Dは、柱状導体の上方に導体部を形成する手順を示す工程説明図である。

図 3 A、 3 B , 3 C、 3 Dおよび 3 Eは、柱状導体の上方に導体部を形成する手順を示す工程説明図である。

図 4 A、 4 B、 4 Cおよび 4 Dは、基材の裏面および内部に配線層が形成された基材に対し導体部を形成する手順を示す工程説明図である。

図 5 A、 5 B、 5 C、 5 Dおよび 5 Eは、基材の裏面および内部に配線層が形成された基材に対し導体部を形成する手順を示す工程説明図である。

図 6 A、 6 B、 6 Cおよび 6 Dは、柱状導体の上方に導体部を形成する他の手順を示す工程説明図である。図 7 A、 7 B、 7 C、 7 Dおよび 7 Eは、柱状導体の上方に導体部を形成する他の手順を示す工程説明図である。

図 8 A、 8 B、 8 Cおよび 8 Dは、電子部品の従来における配線層の製造過程を示した工程説明図である。

図 9 Aおよび 9 Bは、電子部品のレーザ加工を用いて開口部を形成する手順を示した工程説明図である。

図 1 0 A、 1 0 Bおよび 1 0 Cは、電子部品の開口部に導体部を形成する手順を示す工程説明図である。発明を実施するための最良の形態

以下に本発明に係る電子部品の製造方法、および電子部品について好適な具体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。

本実施の形態に係る電子部品は、芯材の両側表面に、順次配線層を積層させた形態となっている。そしてこれら積層された配線層間の接続を行うことで立体的な配線構造を形成している。

図 1は、配線層に導体部を形成した直後の形態を示す要部断面図である。同図に示すように、本実施の形態に係る電子部品を構成する配線層 1 0は、一定の厚みを有した絶縁部材からなる基材 1 2と、.当該基材 1 2の上表面に一様に形成された銅箔 1 4と、前記基材 1 2の内部に形成された下層配線となる柱状導体 1 6を有している。

そして柱状導体 1 6の上方には、基材 1 2と銅箔 1 4とを貫通する開口部 1 8が形成され、この開口部 1 8の内部には金属材からなる導体部 2 0が形成されている。ところで上層配線の基となる銅箔 1 4と前記柱状導体 1 6との電気的接続をなす導体部 2 0は、例えば無電解めつき等の前処理を行わず、電気めつきのみによって形成されたものである。ゆえに本実施の形態にかかる製造方法で製造された配線層 1 0では、導体部 2 0を形成する際に、無電解めつき等の前処理工程が不要になることから、製造工程の短縮化が達成される。さらに前記前処理工程を不要としたことで、例えば無電解めつき処理の導体以外の部分（絶縁体部分）にもめつきを付着させるための金属触媒が銅箔 1 4側に残留するのを防止でき、電子部品の信頼性を向上させることが可能になる。

このように特徴を備えた電子部品の製造方法を以下に示す。

図 2 A乃至 2 Dおよび図 3 A乃至 3 Eは、柱状導体の上方に導体部形成する手順を示す工程説明図である。

下層配線となる柱状導体 1 6の上方に導体部 2 0を形成するには、まず図 2 Aに示すように、給電膜となる銅箔 1 4の上面にドライフィルム（保護膜） 2 4を貼り合わせる。そしてこのドライフィルム 2 4を貼り合わせた後は、当該ドライフィルム 2 4に対し図 2 Bに示すようにフォトエッチングを行い、開口部 1 8の形成対象領域に当該開口部 1 8の縁部に相当する穴を形成する。

こうしてドライフィルム 2 4に開口部 1 8の縁部に相当する穴を形成した後は、前記ドライフィルム 2 4の下側に露出する銅箔 1 4に対してエッチングを行い、当該銅箔 1 4を除去する。エッチングにより前記銅箔 1 4を除去した後の状態を図 2 Cに示す。

前記エッチングによって銅箔 1 4を除去し、基材 1 2の表面を露出させた後は、この基材 1 2に対し図 2 Dに示すようにブラスト処理を行い、柱状導体 1 6の上部に位置する基材 1 2を除去し、柱状導体 1 6の頭部を露出させる。なお本実施の形態では、柱状導体 1 6の上部に位置する銅箔 1 4と基材 1 2 を除去するのに、エッチングとブラスト処理を用いるようにしたがこの形態に限定されることもなく、例えば、レーザ加工機を用い、銅箔 1 4と基材 1"2に応じたレーザ照射を行うことで、これら部材の除去を行うようにしてもよい (例えば、銅箔 1 4に対しては YA Gレ一ザを用い、基材 1 2に対しては、炭酸ガスレ一ザを用いる等）。 - このように上記工程によって基材 1 2に開口部 1 8を形成した後は、図 3 A に示すように、銅箔 1 4を給電膜（いわゆる電極）として電気めつきを行う。なお本実施の形態では、エッチングおよびブラスト処理で用いたドライフィルム 2 4をそのまま残したまま電気めつきを行うこととしたが、これは縁端部への電流密度集中効果に加え、上面に露出した銅箔 1 4の表面をドライフィルム 2 4で覆うことで、より積極的に録端部を利用して導体を析出させるためである。

ここで開口部 1 8の内壁面にはエッチングよって（あるいはレーザ加工によって）銅箔 1 4の縁端部となる端面が露出しているので、この銅箔 1 4を給電膜として、電気めつきを施すと銅箔 1 4の端面より、導体部 2 0の基となる金属材 2 6が析出され、当該金属材 2 6が開口部 1 8内で成長する。

こうして時間経過とともに金属材 2 6が成長していくと、当該金属材 2 6が柱状導体 1 6の上面 2 8に達する。この状態を図 3 Bに示す。このように金属材 2 6が柱状導体 1 6の上面 2 8に達すると、銅箔 1 4と柱状導体 1 6とは電気的に接続がなされ、柱状導体 1 6の上面 2 8もめつき析出用の電極となり、前記上面 2 8にも金属材 2 6が析出され、導体部 2 0が形成される。この状態を図 3 Cに示す。

そして導体部 2 0が形成された後は、図 3 Dに示すように、ドライフィルム 2 4を除まし、その後、図 3 Eに示すようにサブトラクティブ法ゃセミアデテイブ法によって銅箔 1 4に対しパターンニングを行い、前記銅箔 1 4から上層配線 3 0を形成すればよい。また上記電気めつきにより形成された導体部 2 0 の高さを、前記上層配線 3 0の高さに揃えたり、導体部 2 0の表面を平坦にする必要があるが、これに関しては、導体部 2 0を形成した後に、その上面を研磨し前記上層配線 3 0との高さを揃えるようにしたり、あるいは導体部 2 0を形成する際に、タイマー管理や（電気めゥきの）電流管理や、めっき液への添加剤を行うことで調整を行うようにすればよい。

このように柱状導体 1 6がすでに形成された配線層 1 0においては、パターンニング前の銅箔 1 4を給電膜として、開口部 1 8に金属材 2 6を成長させれば、開口部 1 8が複数であっても電荷を加えることが可能となり、複数の導体部 2 0を形成することができる。また上述したように、本実施の形態に係る製造方法を使用して、配線層 1 0を形成すれば、無電解めつき等の前工程が削除できることから工程削除による製造過程の簡略化と、前記無電解めつき等に用いる金属触媒が不要になり、配線層 1 0や、当該配線層 1 0を積層されて形成される電子部品の信頼性を向上させることができる。なお導体部 2 0は、柱状導体 1 6の上面 2 8と、上層配線 3 0の端面とに強固に接続されていることから、配線層 1 0自体に外力が加わっても、前記導体部 2 0が開口部 1 8より脱落するのを防止することができる。またドライフィルム 2 4で銅箔 1 4の表面を覆うことによって、めっきを表層につけないので、サブトラクティブ法でも台形になる割合（すなわちテーパ部分の割合）を小さくすることが可能になる。図 4 A乃至 4 Dおよび図 5 A乃至 5 Eは、基材の裏面および内部に配線層が形成された基材に対し導体部を形成する手順を示す工程説明図である。

なお同工程において、上述した工程における共通の部材に関しては、同一の番号を付与し説明を行うこととする。

これらの図に示すように、基材 1 2の背面側にもすでにパタンニングが形成された配線層 1 0に対しても、本実施の形態に係る製造方法を用いれば、電解めつきのみによって上層配線 3 0側に露出する導体部 2 0を形成することが可能になる。

すなわち図 4 Aに示すように、配線層 1 2の上面にドライフィルム 2 4を貼り合わせ、その後図 4 B乃至 4 Dに示すように、前記ドライフィルム 2 4へのフォトエッチングと、銅箔 1 4へのエッチング、およぴ基材 1 2へのブラスト処理を行い、前記基材 1 2の表面に開口部 1 8を形成する。そして開口部 1 8 の形成によって、当該開口部 1 8の底面に接続対象となる下層配線 3 2を露出させた後は、図 5 Aに示すように、銅箔 1 4を給電膜として開口部 1 8内に金属材 2 6を析出させ、これを成長させる。そして図 5 Bに示すように前記金属材 2 6が下層配線 3 2の上面 3 4に達した後は、銅箔 1 4の端面と、下層配線 3 2の上面 3 4を電極として、金属材 2 6を成長させ、導体部 2 0を形成する。この状態を図 5 Cに示す。

このように導体部 2 0を形成した後は、図 5 Dに示すようにドライフィルム 2 4を除去し、その後、図 5 Eに示すように銅箔 1 4に対しパターンニングを施し、上層配線 3 0を形成すればよい。

このように基材 1 2の背面側にすでに配線パターンが形成され、下層配線側を電極として用いることができない場合であっても、上層配線 3 0の基となる銅箔 1 4を給電膜として使用すれば、無電解めつき等の前処理工程を適用することなく、電気めつき工程のみで導体部 2 0を形成することかできる。

ところで本実施の形態では、端縁部への電流密度を集中させる見地から、ドライフィルムを銅箔の表面に残した形態で電気めつきを行うようにしたが、この形態に限定されることもなく、ドライフィルムを銅箔の表面に残さずとも本発明を達成することが可能である。

- 図 6 A乃至 6 Dおよび図 7 A乃至 7 Eは、柱状導体の上方に導体部を形成する他の手順を示す工程説明図である。なお既に図 2 A乃至 2 Dおよび図 3 A乃至 3 Eを用いて説明した導体部の形成方法に共通する部材については、同一の番号を用いて説明を行うものとする。

下層配線となる柱状導体 1 6の上方に導体部 2 0を形成するには、まず図 6 Aに示すように、給電膜となる銅箔 1 4の上面にドライフィルム（保護膜） 2 4を貼り合わせる。そしてこのドライフィルム 2 4を貼り合わせた後は、当該 'ドライフィルム 2 4に対し図 6 Bに示すようにフォトエッチングを行い、開口部 1 8の形成対象領域に当該開口部 1 8の縁部に相当する穴を形成する。こうしてドライフィルム 2 4に開口部 1 8の縁部に相当する穴を形成した後は、前記ドライフィルム 2 4の下側に露出する銅箔 1 4に対してエッチング P T/JP2004/008298

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を行い、当該銅箔 1 4を除去する。エッチングにより前記銅箔 1 4を除去した後の状態を図 6 Cに示す。

前記エッチングによって銅箔 1 4を除去し、基材 1 2の表面を露出させた後は、この基材 1 2に対し図 6 Dに示すようにブラスト処理を行い、柱状導体 1 6の上部に位置する基材 1 2を除去し、柱状導体 1 6の頭部を露出させる。このように上記工程によって基材 1 2に開口部 1 8を形成した後は、図 7 A に示すように、銅箔 1 4の上層に位置するドライフイルム 2 4を除去し、前記銅箔 1 4を露出させる。

前記ドライフイルム 2 4を除去した後は、銅箔 1 4を給電膜（いわゆる電極）として電気めつきを行う。このように表面が露出した銅箔 1 4を給電膜とすれば、銅箔 1 4が露出する部分に金属材 2 6が析出されるが、ここで銅箔 1 4においては、当該銅箔 1 4の表面よりもその縁端部に電流密度が集中するので、縁端部でのめっきの成長が表面部分よりも早まる。端縁部でめつきが進行している状態を図 7 Bに示す。

そして図 7 Bの状態から時間経過により、錄端部でのめっきの成長が進行すると、図 7 Cに示すように金属材 2 6が柱状導体 1 6の上面 2 8に達する。このように金属材 2 6が柱状導体 1 6の上面 2 8に達すると、銅箔 1 4と柱状導体 1 6とは電気的に接続がなされ、柱状導体 1 6の上面 2 8もめつき析出用の電極となり、前記上面 2 8にも金属材 2 6が析出され、導体部 2 0が形成される。この状態を図 7 Dに示す。

そして導体部 2 0が形成された後は、図 7 Eに示すように、サブトラクティブ法ゃセミアデティブ法によって銅箔 1 4に対しパターンニングを行い、前記銅箔 1 4から上層配線 3 0を形成すればよい。

なお本実施の形態では構成の都合上、下層配線と、この下層配線の上側に位置する導体部としたが、この上下関係に限定されることもなく、上記プロセスで製造した配線層ならぴにこれを用いた電子部品は、前記導体部（上層配線側）を下側とし、前記下層配線を前記導体部の上側に配置するように使用してもよいことはいうまでもない。

以上説明したように本発明によれば、下層配線を覆う絶縁部材の上側表面に前記下層配線から接続される導体部を露出させる電子部品の製造方法であつて、前記絶縁部材の上側表面に給電膜を形成した後、この給電膜側から前記下層配線を底部とする開口部を形成し、前記給電膜を電極として前記開口部から前記給電膜の縁端部より金属めつきを成長させ、前記下層配線に密着する金属めっきを前記開口部に充填し、これを導体部としたことから、従来から行っていた無電解めつき工程（あるいはこれに代わる他の処理工程）を削除することができるので、製造工程の簡略化が達成できるとともに、金属触媒の残留等を解決することができるので、電気的信頼性を向上させることが可能になる。

Claims

H 請求の範囲

1 . 下層配線を覆う絶縁部材の上側表面に前記下層配線から接続される導体部を露出させる電子部品の製造方法であって、前記絶縁部材の上側表面に給電膜を形成した後、この給電膜側から前記下層配線を底部とする開口部を形成し、前記給電膜を電極として前記開口部から前記給電膜の縁端部より金属めっきを成長させ、前記下層配線に密着する金属めつきを前記開口部に充填し、これを導体部とすることを特徴とする電子部品の製造方法。

2 . 前記絶縁部材の上側表面に給電膜と保護膜を厚み方向に形成した後、開口部を形成し、前記開口部から露出する前記給電膜より金属めつきを成長させることを特徴とする請求項 1に記載の電子部品の製造方法。

3 . 下層配線を覆う絶緣部材の上側表面に前記下層配線から接続される導体部を露出させる電子部品の製造方法であって、前記絶縁部材の上側表面に給電膜と保護膜を厚み方向に形成した後、前記導体部の形成領域に前記保 '護膜と前記給電膜とに前記下層配線を底部とする開口部を形成し、前記給電膜を電極として前記開口部から露出する前記給電膜より金属めつきを成長させ、当該金属めつきが前記下層配線層に達した後は、前記給電膜と前記下層配線層とを電極とし、前記下層配線に密着する金属めつきを前記開口部に充填させ、これを導体部とすることを特徵とする電子部品の製造方法。

4 . 前記絶縁部材への前記給電膜の形成に代えて、前記絶縁部材を絶緣樹脂付き銅箔としたことを特徴とする請求項 1または請求項 3に記載の電子部品の製造方法。

5 . 下層配線を覆う絶縁部材の上側表面に上層配線が形成されるとともに、前記絶縁部材を貫通する導体部によつて前記下層配線と前記上層配線と力 S接続される構造を有した電子部品であって、前記下層配線と前記上層配線どの接続,をなす前記導体部は、電気めつきによる金属の析出のみで形成されていることを特徴とする電子部品。