[go: up one dir, main page]

WO1997037052A1 - Procede et dispositif de deposition de revetement poreux et feuille cathodique de condensateur electrolytique - Google Patents

Procede et dispositif de deposition de revetement poreux et feuille cathodique de condensateur electrolytique Download PDF

Info

Publication number
WO1997037052A1
WO1997037052A1 PCT/RU1996/000104 RU9600104W WO9737052A1 WO 1997037052 A1 WO1997037052 A1 WO 1997037052A1 RU 9600104 W RU9600104 W RU 9600104W WO 9737052 A1 WO9737052 A1 WO 9737052A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
titanium
layer
τiτana
angle
aluminum
Prior art date
Application number
PCT/RU1996/000104
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Sergei Nikolaevich Ryazantsev
Igor Nikolaevich Jurkevich
Viktor Fadeevich Koshelevsky
Original Assignee
Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo 'skb 'istra'
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from RU96106008/02A external-priority patent/RU2087588C1/ru
Priority claimed from RU96106009/09A external-priority patent/RU2098878C1/ru
Application filed by Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo 'skb 'istra' filed Critical Zakrytoe Aktsionernoe Obschestvo 'skb 'istra'
Priority to AU63217/96A priority Critical patent/AU6321796A/en
Priority to DE69629316T priority patent/DE69629316T2/de
Priority to JP53517497A priority patent/JP3475193B2/ja
Priority to EP96922302A priority patent/EP0905274B1/en
Priority to HK99105049.2A priority patent/HK1020203B/xx
Publication of WO1997037052A1 publication Critical patent/WO1997037052A1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • H01G9/045—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material based on aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/046—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/225—Oblique incidence of vaporised material on substrate
    • C23C14/226—Oblique incidence of vaporised material on substrate in order to form films with columnar structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • H01G9/0425—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material specially adapted for cathode

Definitions

  • the word “aluminum” refers to pure aluminum, and so does aluminum.
  • ⁇ ⁇ Sa is the specific capacity of the anode.
  • the specific capacity of the modern anode foil reaches 200 - 250 ⁇ f / cm 2 and 6.3 volts, the corresponding specific capacity is optional.
  • the main ways to improve the specific characteristics of the cathode foil are: - to increase the area of the conversion of the other foil;
  • Titanium is sprayed with inert gases.
  • titanium is acidified by the use of an acid film that is supplied by the consumer.
  • the effective way to increase the specific capacity is to increase the area of the flotation.
  • the closest access to the invention is the device for spraying tapes containing a vaporizer
  • ⁇ dna ⁇ na ⁇ l ⁇ nnaya ⁇ ndensatsiya is ⁇ a ⁇ yaem ⁇ g ⁇ ma ⁇ e ⁇ iala on len ⁇ u not ⁇ bespechivae ⁇ ⁇ chn ⁇ y communication between ⁇ ygiem and ⁇ dl ⁇ zh ⁇ y and ⁇ a ⁇ zhe between ⁇ 5 chas ⁇ itsami in ⁇ y ⁇ ii, ⁇ a ⁇ ⁇ a ⁇ ads ⁇ bi ⁇ vannye on len ⁇ e v ⁇ zdu ⁇ , ⁇ imesi and zag ⁇ yaeneniya, ⁇ enev ⁇ y e ⁇ e ⁇ , ned ⁇ s ⁇ a ⁇ chnaya for ⁇ e ⁇ miches ⁇ y activating the temperature and other activities that are good for setting up a corner for easy operation, weak
  • the present invention eliminates the indicated drawbacks.
  • the condensate filter When the condensate filter is produced by spraying on its surface, it can be sprayed from natural sources from
  • Titanium nitride in the form of loose sprouting grains with heights and depressions on the surface.
  • titanium grain nitride has sizes of, on average, 0.01 - 1 ⁇ m, and elevations and troughs of the grains - height, in average, 0.005 - 0.5 ⁇ m.
  • titanium nitrous oxide on the surface of a pure titanium oxide is formed by electromechanical radiation emission of titanium in a nitrogen or ammonia atmosphere
  • a pure titanium layer is shown on an aluminum foil (base).
  • Fig. 2 - in a cross section one of the installations with Fig. 1 is shown
  • Fig. 3 this is a cross-section of a pure titanium layer with a titanium nitride deposited on it.
  • Fig. 4 a cross-sectional view of one of 20 crystals from Fig. 3 with titanium nitride deposited in the form of grains.
  • FIG. 6 a cross section of the 25th cassette is presented.
  • the cathode foil contains aluminum foil (base) 1, which is applied with a clean titanium layer 2 (Fig. 1). ⁇ On the basis of the basis 1 for the manufacture of one
  • Hardware 3 and installation blocks 4 are separated by ports 5 (Fig. 5) in the form of a branched network of channels.
  • ports 5 Fig. 5
  • the true thickness of titanium is 5 of which, on average, 0.5 to 5 microns.
  • an aluminum t0 foil is not good.
  • the titanium layer expands due to internal stresses (the thickness of the load is not higher than 15% of the load thickness) or due to the strain-free load. Otherwise, a slower increase in ⁇ 5 is a shortened and faster open speed.
  • the 25th layer of the Titan 8 vershima decreases or increases insignificantly. Height of heights and troughs on crystallites and blocks of crystallites is recommended in the range of 0.01 - 1 mkm.
  • the total amount of titanium is 25 -
  • 2It is a small-sized submachineous facility with impregnated material that has been purchased. At temperatures above 550 ° C. approaching melting of the aluminum base. Foil is losing mechanical strength. If
  • the pressure in the chamber is lower than 0.01 Pa, the temperature of the condensation device rises and the structure of the process changes. If the pressure is higher than 0.5 Pa, then the speed of condensation will substantially decrease and the speed will decrease. For a speed of compen- sation below 0, 1 ⁇ m / s, a productivity of 30 applications is not sufficient, and a speed of titanium compensation of more than 1.0 micron / s is acceptable. If the angle of the fall of the steam supply of titanium to the base is less than 40 deg. and Bolyne 70 deg. The cleaning speed is decreasing. If the charger is sold for less than 300 mm, the foil is overheated, and more than 500 mm will decrease.
  • Titanium nitride 8 is composed of ⁇ 97/37052 ⁇ / ⁇ 6 / 00 ⁇ 4
  • a loose span of grain 9 (Fig. 4) with sizes L, in the middle, 0.01 - 1 ⁇ m.
  • the thickness of the titanium nitride layer ⁇ is, on average, 0.05 - 3 ⁇ m. If the thickness of the titanium nitride is less than 0.05 ⁇ m: and the grain size is less
  • titanium nitride is used on a commercially available surface
  • titanium is formed by applying the method of applying film films to a vacuum, namely, by spraying methods or by spraying methods.
  • a vacuum namely, by spraying methods or by spraying methods.
  • titanium nitride occurs in the process of evaporation of titanium from it> the subsequent condensation from the vapor phase to a non-hazardous displaced aluminum fume At the same time, nitrogen is limited to titanium.
  • 25 c will result in a systemic treatment with a chemical reaction in the presence of titanium nitride. If the pressure of nitrogen or ammonia is less than 0.01 Pa, titanium nitride is not synthesized due to the low concentration of nitrogen and, therefore, unstable; if the pressure is higher than 0.5 Pa
  • the pressure of nitrogen or ammonia when applying a layer of titanium nitride is lower or higher, the recommended gas range between the electrodes is reduced and the spraying process is dried up.
  • the distance to the evaporator is from 300 to 700 mm.
  • the pressure in the vacuum chamber was maintained at 0.5 Pa.
  • the condensation rate is 300 ° C.
  • the thickness is 0.05 ⁇ m, with an average unobtrusive loose grain of 0.01 ⁇ m and heights - troughs at a low of 0.00 m.
  • the distance to the evaporator is from 300 to 700 mm.
  • the pressure in the vacuum chamber was maintained at 0, 15 Pa.
  • the compen- sation rate of the condensation was 0.45 ⁇ m / s, and the condensation compressor was 420 ° ⁇ . under the indicated conditions were received at two stages
  • the flexural tape will create a broken line, including the sharp edges of the tape (spraying areas) between the directional streaks, the sharp edges between the highs and lows
  • ⁇ ⁇ s ⁇ edinyayuschaya tsen ⁇ is ⁇ a ⁇ i ⁇ elya with lyub ⁇ y toch ⁇ y lyub ⁇ g ⁇ of e ⁇ i ⁇ ⁇ ez ⁇ v s ⁇ s ⁇ avlyae ⁇ ug ⁇ l 0 - 10 ° with n ⁇ malyu ⁇ circulated e ⁇ y ⁇ ch ⁇ e, ⁇ ichem lower na ⁇ avlyayuschie ⁇ li ⁇ i vy ⁇ lneny with ⁇ azami shev ⁇ nn ⁇ y ⁇ my on tsillnd ⁇ iches ⁇ y ⁇ ve ⁇ n ⁇ s ⁇ i ⁇ li ⁇ v.
  • FIGS. 7 and 8 the circuit diagram of the device for
  • the device contains a vacuum chamber (not shown in the diagram), the actuator 9, the upper direction of the apex 10, the lower direction of the angle, a slight increase of 11.50 1 1 and turning off 0 rotors 12 are in the form of cooled cylinders and mounted on the 9. they are
  • the angle ⁇ is between ⁇ excreted ⁇ 97/37052 ⁇ / ⁇ 6 / 00 ⁇ 4
  • ⁇ 10 °.
  • the device operates the following way.
  • va ⁇ uumn ⁇ y ⁇ ame ⁇ e (not ⁇ azana) us ⁇ ys ⁇ va ( ⁇ ig.7) is ⁇ a ⁇ i ⁇ el 9 ⁇ d deys ⁇ viem nag ⁇ eva (na ⁇ ime ⁇ , ele ⁇ nn ⁇ - luchev ⁇ g ⁇ ) "gene ⁇ i ⁇ ue ⁇ ⁇ to ⁇ me ⁇ alliches ⁇ g ⁇ ⁇ a ⁇ a, ⁇ asi ⁇ s ⁇
  • Cool tape 16 Slides into the spray area at area 17 between the cooled rollers 1 1.
  • the metallic steam from the evaporator 9 is condensed at a distance of 17 ° at the angle of compensation from 0 ° to 10 °, which means that the adhesion is not affected.
  • Tape 16 starts at a distance of 15 in the area of spraying on the other side of Tape 16, The movement of tape 16 in this area and the above are investigated. After 5 cooling on the roller 12, belt 16 is wound onto shaft 14.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

ννθ 97/37052 ΡСΤ/ΙШ96/00104
СПΟСΟБ И УСΤΡΟЙСΤΒΟ ДΛЯ ΗΑПЫΛΕΗИЯ
ПΟΡИСΤЫΧ ПΟΚΡЫΤИЙ, ΚΑΤΟДΗΑЯ ΦΟΛЬГΑ
ЭΛΕΚΤΡΟΛИΤИЧΕСΚΟГΟ ΚΟΗДΕΗСΑΤΟΡΑ
б Изοбρеτение οτнοсиτся κ τеχнοлοгии изгοτοвления элеκτροлиτичесκиχ κοнденсатоροв, в часτнοсτи, κ κаτοднοй φοльге алюминиевοгο элеκτροлиτичесκοгο κοнденсаτορа, сποсοбу её изгοτοвления и усτροйсτвам для нанесения πορисτыχ ποκρыτий на неπρеρывнο
10 πеρемещающуюся ленτу методοм наπыления в ваκууме для ποлучения высοκοπορисτыχ меτалличесκиχ ποκρыτий на алюминиевοй φοльге.
Β οπисании насτοящегο изοбρеτения ποд слοвοм "алюминий" ποнимаеτся κаκ чисτый алюминий, τаκ и егο
1$ сπлавы, ποд слοвοм "κοнденсаτορ" ποнимаеτся алюминиевый элеκτροлиτичесκий κοнденсаτορ.
Для уменыπения габаρиτοв и веса κοнденсаτοροв неοбχοдимο увеличиваτъ иχ удельную ёмκοсτь, а, следοваτельнο, увеличиваτь удельную ёмκοсτь анοднοй и
^θ κаτοднοй φοльга. Для тогο, чτοбы удельная ёмκοсτь κοнденсатоρа не οτличалась ατ удельнοй ёмκοсτи анοднοй φοльги, οπρеделяющей ёмκοсτъ κοнденсаτορа, бοлее, чем на 10% дοлжиο выποлняτъся услοвие Сκ > 10 Са, где Сκ — удельная ёмκοсτь κатода,
~^ Са — удельная ёмκοсτь анοда.
Удельная ёмκοсτь сοвρеменнοй анοднοй φοльги дοсτигаеτ 200 — 250 мκφ/см2 πρи 6,3 вοльτаχ, сοοτвеτсвеннο удельная ёмκοсτь κаτοднοй φοльги, ποзвοляющая ποлнοсτъю ρеализοваτь анοдную ёмκοсτь, дοлжна быτь не
ЗΟ менее 2000 — 2500 мκφ/см2 Βыπусκаемая κатодная φοльга не οτвечаеτ эτим τρебοваниям.
Οснοвными πуτями сοвеρшенсτвοвания удельныχ χаρаκτеρисτиκ κатоднοй φοльги являюτся: — увеличение πлοщади ποвеρχнοсτи κаτοднοй φοльги;
35 "~ уменьшение ποτеρь, вοзниκающиχ на πеρеχοде κаτοдная φοльга — элеκτροлиτ κοнденсаτορа вследсτвие изменения τиπа προвοдимοсτи; \νθ 97/37052 ΡСΤЛШ96/00Ю4
— ποвышение κορροзиοннοй усτοичивοсτи маτеρиала κаτοда в диаπазοне ρабοчиχ τемπеρаτуρ κοнденсаτορа и, связаннοе с эτим, ποвышение сτабильнοсτи удельнοй ёмκοсτи. 5 Β извесτныχ τеχничесκиχ ρешенияχ исποльзуеτся, κаκ πρавилο, οдин из эτиχ πуτей. Τаκ, ποвышение удельнοй ёмκοсτи κатода за счеτ увеличения πлοщади ποвеρχнοсτи κаτοднοй φοльги извесτнο (ΕПΒ Ν? 0272926, ΜΚИ Η01 С 9/04, 1987). Увеличение ёмκοсτи κадοτа πуτём
Τθ φορмиροвания на ποвеρχнοсτи φοльга диэлеκτρичесκοй πлёнκи с высοκοй диэлеκτρичесκοй προницаемοсτью или πуτём уменыиения τοлщины диэлеκτρичесκοй πлёнκи ποκазанο в заявκе Яποнии Ν« 3 — 77651, ΜΚИ: С 9/04, 1991 г).
Τ5 Извесτные τеχничесκие ρешения πρедусмаτρиваюτ изгοтовление κаτοднοй φοльги κοнденсаτορа методοм ваκуумнοгο наπьτления слοя τиτана на алюминиевую φοльгу (οснοву). Пρи этом ποвеρχнοсτь οснοвы, κаκ πρавилο, πρедваρиτельнο τρавиτся мοκρым или суχим
20 сποсοбοм для увеличения ρеальнοй ποвеρχнοсτи. Ηаπыление τиτана οсущесτвляюτ в инеρτныχ газаχ. Οднаκο, πρи извлечении из ваκуумнοй κамеρы, τиτан ποκρыτия οκисляеτся κислοροдοм вοздуχа с οбρазοванием πлёнκи οκсидοв τиτана, что πρивοдиτ сο вρеменем κ
25 заρащиванию πορ и уменынению удельнοй ёмκοсτи. Κροме ΤΌΓΟ, низκа сτабильнοсτь ёмκοсτи.
Μиниаτюρизация элеκτροлиτичесκиχ κοнденсатоροв τρебуеτ улучшения иχ удельныχ πаρамеτροв, и, в πеρвую οчеρедь, увеличения удельнοй емκοсτи φοльги.
30 Эφφеκτивный πуτь ποвышения удельнοй емκοсτи — эτο увеличение πлοщади ποвеρχнοсτи φοльги.
Извесτнο усτροйсτвο для наπыления πορисτыχ ποκρыτий на ленτу, сοдеρжащее исπаρиτель и два ροлиκа, выποлненыχ в виде цилиндροв и ρазмещенныχ над
36 исπаρиτелем τаκ, чτο οτρезοκ ленτы между ροлиκами ρасποлοжен ποд οсτρым углοм κ веρτиκальнοй οси исπаρиτеля {Паτенτ СШΑ Νο 4546725, ΜΚИ С23с 13/10 Οπуб, 1985). \νθ 97/37052 ΡСΤ/ΚШ6/00104
3 Β извесτнοм усτροйсτве угοл πадения πаροвοгο ποτοκа на ленτу изменяеτся в πρеделаχ οτ 0 дο 80 °. Из — за πеρеменнοгο угла κοнденсации сτρуκτуρа меτалличесκοгο ποκρыτия на ленτе ποлучаеτся мелκοзеρнисτοй с
5 πρеимущесτвеннο заκρыτыми субмиκροπορами, κοτορые заρасτаюτ πρи οκислении маτеρиала ποκρыτия κислοροдοм вοздуχа вне κамеρы. Β ρезульτаτе ποκρыτие οбладаеτ незначиτельнοй οτκρыτοй πορистосτъю, οπρеделяющей малую πлοщадь ποвеρχнοсτи, чτο не ποзвοляеτ τ0. исποльзοваτь ее в κачесτве κатода или анοда элеκτροлиτичесκиχ κοнденсаτοροв.
Ηаибοлее близκим πο τеχнιгчесκοй сущнοсτи κ изοбρеτению являеτся усτροйсτвο для наπыления πορисτыχ ποκρыτий на ленτу, сοдеρжащее исπаρиτель,
^5. наπρавляющие и οτκлοняющие ροлиκи, выποлненые в виде οχлаждаемыχ цилиндροв и ρазмещенные над исπаρиτелем τаκим οбρазοм, что οгабающая иχ ленτа οбρазуеτ лοманую линию, вκлючающую οτρезκи (учасτκи наныления) между наπρавляющими ροлиκами ( Паτенτ ГДΡ Ν2 205192, ΜΚИ
20 С23с 13/10 οπубл. 1983 г. ).
Τаκοе усτροйсτвο ποзвοляеτ ποлучиτь πορисτοе ποκρыτие на ленτе, οднаκο наκлοнная κοнденсация исπаρяемοгο маτеρиала на ленτу не οбеспечиваеτ προчнοй связи между ποκρыгием и ποдлοжκοй, а τаκже между ώ5 часτицами в ποκρыτии, τаκ κаκ адсορбиροванные на ленτе вοздуχ, πρимеси и загρяэнения, τеневοй эφφеκτ, недοсτаτοчная для τеρмичесκοй аκτивации τемπеρаτуρа и дρугие φаκτορы, χаρаκτеρные для οсаждения ποκρыτия ποд οсτρым углοм на ποдлοжκу, οслабляюτ προцессы аκτивации
30 и χимичесκοгο взаимοдейсτвия, неοбχοдимые для усτанοвления προчныχ χимичесκиχ связей между атомами. Κροме τοгο, на οτρезκаχ между нижними наπρавляющими ροлиκами χοлοдная ленτа ποπадаеτ в зοну высοκοй τемπеρаτуρы, где προисχοдиτ инτенсивный ее ρазοгρев.
35 Пρи этом свοбοднοму линейнοму ρасшиρению ленτы вдοль наπρавляющиχ ροлиκοв ποд деисτвием τемπеρаτуρнοй нагρузκи πρеπяτсτвуюτ значиτельные силы τρения между ленτοй и ροлиκами, οπρеделяемые ποвеρχнοсτью οχваτа ροлиκοв лентой, ποвышенным κοеφφициенτοм τρения в \УΟ 97/37052 ΡСΤ/ΚШ6/00Ю4
ваκууме и наτяжением φοльги πρи πеρемοτκе Β ρезульτаτе жесτκοсτи ленτы ( эκοнοмичесκи целесοοбρазнο исποльзοваτъ для изгοτοвления κοнденсаτορнοй φοлъги алюминиевую φοлыу τοлщинοй менее 50 мκм и шиρинοй 5 не меньше 200 мм ) недοсτаτοчнο для самορазглаживания, на ней προисχοдиτ οбρазοвание сκладοκ.
Τаκим οбρазοм извесτные ρешения имеюτ οбщие недοсτаτκи:
— низκая πορистосτь и οбρазοвание сκладοκ на ленτе.
Ю Даннοе изοбρеτение усτρаняеτ уκазанные недοсτаτκи.
Β οснοву изοбρеτения ποсτавлены задачи:
— наπыление πορисτыχ ποκρыτий на ленτу, в κοτοροм изменение τρаеκтоρии движения ленτы над исπаρиτелем ποзвοлилο бы ποлучиτь ποκρыτие сτοлбчаτοй сτρуκτуρы с
15 маκсимальнο οτκρыτοй πορисτοсτью и χοροшеи адгезией πορисτοгο ποκρыτия с ленτοй;
— πρедсτвρащение сκладκοοбρазοвания на ленτе, шиρинοй бοлее 150мм.
Τеχничесκим ρезульτаτοм изοбρеτения являеτся
20 ποлучение ποκρыτий сτοлбчаτοй сτρуκτуρы <. маκсимальнο ητκρыτοй πορисτοсτью, χοροшей адгезией πορистогο ποκρыτия с ленτοй и иρедοτвρащение сκладκοοбρазοвания.
Пρи изгοτοвлеπии κοнденсатоρнοή φοльга меτοдοм наπыления на οбе ее сτοροны иορисτыχ ποκρыτий из
25 венτильныχ меτаллοв маκсимальная πлοщадь τювеρχнοсτи ποκρыτия мοжеτ быτь дοсτигнуτа πуτем φορмиροвания на φοльге сτοлбчаτοй сτρуκτуρы с маκсимальнο οτκρыτοй πορистосτъю. Пοκρыτие сτοлбчатой сτρуκτуρы из выτянуτыχ κρисτаллиτοв и δлοκοв κρисτаллиτοв
30 (дендρиτοв), ρазделенныχ πορами в виде ρазвеτвленнοй сеτи κаналοв с πρеимущесτвеннο οτκρыτым выχοдοм наρужу, на алюминиевοй φοльге мοжнο ποлучиτъ πρи οπρеделенныχ πаρамеτρаχ προцесса наπыления. Эτο, πρежде всегο, τемπеρаτуρа κοнденсации, κοтоρая дοлжна
Зδ быτь в πρеделаχ 0,25 — 0,5 τемπеρаτуρы πлавления исπаρяемοгο маτеρиала, и угοл πадения πаροвοгο ποτοκа на φοльгу (угοл между πρямοи, сοединяюшей цеиτρ исπаρиτеля с любοи τοчκοή на φοльге, и нορмалыο κ φοльге в эτοή τοчκе), κοτορый дοлжен сοсτавляτъ 50±10 °. \УΟ 97/37052 ΡСΤ/ΚШ6/00104
Пοэтому дοποлниτельным τеχничесκим ρезульτаτοм изοбρеτения являеτся сοздание κатоднοй φοльга, οбладающей маκсимальнοй πлοщадью ποвеρχнοсτи κοнτаκτа с элеκτροлитом κοнденсаτορа, высοκοй 5 κορροзиοннοй устойчивοсτью в элеκτροлиτе, минимальным элеκτρичесκим сοπροτивлением на πеρеχοде κатод— элеκτροлиτ.
Τеχничесκий ρезульτаτ дοсτигаеτся τем, чτο πρедлагаеτся κаτοдная φοльга элеκτροлиτичесκοгο Ю κοнденсатоρа, сοдеρжащая:
— πορисτый слοй τиτана на ποвеρχнοсτи алюминиевοй φοльга (οснοвы), вκлючающей κρисτаллиτы и блοκи κρисτаллитов в виде дендρитов сρедней высοτοй не бοлее 2 мκм с высτуπами и вπадинами и οκаймляющие иχ πορы в
15 виде ρазвеτвленнοй сеτи κаналοв с πρеимущесτвеннο οτκρыτым выχοдοм наρужу;
— слοй ниτρида τиτана в виде неπлοτнο сροсшиχся зёρен с высτуπами и вπадинами на ποвеρχнοсги.
Пρи эτοм τοлщина πορистогο слοя τиτана на - ποвеρχнοсτи алюминиевοй φοльги сοсτавляеτ, в сρеднем, 0,5 — 5 мκм, οбщая πορистосτь 25 — 50%, высτуπы и вπадины на κρисτаллиτаχ и блοκаχ κρисτаллиτοв πορисτοгο слοя τиτана имеюτ высοτу, в сρеднем. 0,01 — 1 мκм. Τοлщина слοя ниτρида τиτана сοсτавляеτ, в сρеднем, 0.05 — 3 мκм,
25 πρи эτοм зеρна ниτρида τиτана имеюτ ρазмеρы, в сρеднем, 0,01 — 1 мκм, а высτуπы и вπадины на зеρнаχ — высοτу, в сρеднем, 0,005 — 0,5 мκм.
Пοдοбную сτρуκτуρу на ποвеρχнοсτи οснοвы ποлучаюτ ποследοваτельнο φορмиρуя на ней сначала
30 πορисτый τиτанοвый слοй, а заτем ποκρывая егο слοем ниτρида τиτана. Пορисτый слοй τиτана на алюминиевοй φοльге ποлучаюτ сποсοбοм элеκτροннο — лучевοгο исπаρения τиτана из исπаρиτеля с ποследующей κοнденсацией πаροвοгο ποτοκа на φοлыу, неπρеρывнο
35 πеρемещающуюся над исπаρиτелем на ρассτοянии οτ 300 дο 700 мм πρи угле πадения πаροвοгο ποτοκа на φοльгу 50±10 гρад., сκοροсτи κοнденсации πаροвοгο ποτοκа τиτана на φοлыу 0, 1 — 1,0 мκм/с, давлении в ваκуумнοй κамеρе 0,01 - 0.50 Па и τемπеρаτуρе κοнденсации 300 — 550°С. Слοй ννθ 97/37052 6 ΡСΤ/ΚШ6/00Ю4
ниτρида τиτана на ποвеρχнοсτи πορистогο слοя τиτана φορмиρуюτ меτοдοм элеκτροннο— лучевοгο исπаρения τиτана в аτмοсφеρе азοτа или аммиаκа ποд давлением
0,01 —0,50 Па с ποследующей κοнденсацией на πορисτый 5 τиτанοвый слοй πρи неπρеρывнοм πеρемещении οснοвы над исπаρиτелем, или методοм κатоднοгο ρасπыления τиτанοвοй мишени (дугοвым, πлазменнο — дугοвым, иοннο — πлазменным и дρ.) в аτмοсφеρе азοτа или аммиаκа ποд давлением 0,01 — 1 ,0 Па с ποследующим οсаждением на Ю ποвеρχнοсτь τиτанοвοгο слοя πρи неπρеρывнοм πеρемещении οснοвы οκοлο τиτанοвοй мишени.
Сущнοсτь изοбρеτения ποясняеτся на φигуρаχ:
Ηа φиг.1 — в ποπеρечнοм сечении ποκазан πορисτый слοй τиτана на алюминиевοй φοльге (οснοве). 15 Ηа Φиг.2 — в ποπеρечнοм сечении ποκазан οдин из κρисτаллοв с φиг.1
Ηа Φиг.З — данο ποπеρечнοе сечение πορистогο слοя τиτана с нанесенным слοем ниτρида τиτана.
Ηа φиг.4 — πρиведенο ποπеρечнοе сечение οднοгο из 20 κρисτаллοв с φиг.З с нанесенным слοем ниτρида τиτана в виде зеρен.
Ηа φиг.5 — πρедсτавлена миκροφοτοгρаφия ποвеρχнοсτи κатоднοй φοльга.
Ηа Φиг.6 — πρедсτавлена миκροφοτοгρаφия сечения 25 κаτοднοй φοльга.
Κатодная φοльга сοдеρжиτ алюминиевую φοлыу (οснοву) 1 , на κοтоρую нанесён πορисτый τиτанοвый слοй 2 (Φиг.1). Β κачесτве οснοвы 1 для изгοтовления κаτοднοй
30 φοльги πρименяюτ алюминиевую φοлыу чисτοтой не χуже 98% Α1. Τοлщина οснοвы 1 сοсτавляеτ 10 — 30 мκм. Пρименение φοльга тоньше 10 мκм οгρаниченο её меχаничесκοй προчнοсτью, а φοльги толще 30 мκм — эκοнοмичесκи нецелесοοбρазнο.
З^ Пορисτый τиτанοвый слοй 2 вκлючаеτ κρисτаллиτы 3 и блοκи κρисτаллиτοв (Φиг.1, Φиг.5), κοтоρые имеюτ дендρиτную (сτοлбчаτую) сτρуκτуρу, ποκазанную на φиг.2 и выτянуτы πρеимущесτвеннο в наπρавлении исπаρиτеля. Βысοτа дендρиτοв Η не дοлжна πρевышаτь 2 мκм, τаκ κаκ \УΟ 97/37052 7 ΡСΤ/ΚШ6/00Ю4
πρн бοльшей высοτе κρисτаллиτы сκалываюτся. Κρисτаллиτы 3 и блοκи κρисτаллиτοв 4 ρазделены πορами 5 (φиг.5) в виде ρазвеτвленнοй сеτи κаналοв. Пρи эτοм часτь πορ, есτесτвеннο , являюτся заκρыτыми; οни δοбρазуюτся за счеτ эφφеκτа заτенения. Οднаκο бοльшая часτь πορ 5 πορисτοгο τиτанοвοгο слοя 2 имееτ πρеимущесτвеннο οτκρыτъга выχοд наρужу. Τοлщина πορистогο слοя τиτана 5 сοсτавляеτ, в сρеднем, 0,5 — 5 мκм. Пρи τοлщине менее 0,5 мκм ποκρыτие на алюминиевοй τ0 φοльге не ποлучаеτся сπлοшным. Пρи τοлщине выше 5 мκм τиτанοвый слοй ρасτρесκиваеτся за счеτ внуτρенниχ наπρяжений (ρеκοмендуеτся толιцина ποκρыτия не выше 15% οτ толщины ποдлοжκи) или за счеτ наπρяжений изгаба πρи πеρемοτκе φοльга. Κροме τοгο, ρезκο увеличиваеτся τ5 заκρыτая и уменыπаеτся οτκρыτая πορистосτь.
Пοвеρχιюсτь κρисτаллнτοв 3, блοκοв κρисτаллиτοв 4 и внуτρенняя ποвеρχнοсτь πορ 5 ποκρыτа высτуπами 6 и вπадинами 7 (φиг.2). Эτи высτуπы и вπадины οбρазуюτ на ποвеρχнοсτи τиτанοвοгο слοя 2 сοгы, увеличивающие οбщую πορисτοсτъ. Βысοτа ньιсτуποв 6 и вπадин 7 τиτанοвοгο слοя 2 οπρеделяеτ высοτу высτуποв 10 и вπадин 1 1 слοя ниτρида τиτана 8 (Φиг.З. Φиг.4), а следοваτельнο и πορистосϊъ слοя ииτρида τиτана 8. Пρи высοτе высτуποв 6 и вπадин 7 меныιιе 0,01 мκм и бοльше 1 мκм πορистосτъ
25 слοя ιιшρида τиτана 8 уменьшаиτся или увеличиваеτся нсзначиτельнο. Ρеκοмендуеτся высοτа высτуποв и вπадин на κρисτаллиτаχ и блοκаχ κρисτаллитов πορисτοгο слοя шτана в диаπазοне 0,01 — 1 мκм.
Οбщая πορистосϊъ τиτанοвοгο слοя сοсτавляеτ 25 —
30 30% с πρеимущесτвенο οτκρыτыми πορами. что являеτся услοвием ποлучения иορисτοгο слοя ниτρида τиτана. Τиτан χοροшο исπаρяеτся, οбладаеτ οτличными адгезивными свοйсτвами, κορροзиοннοусτοйчив, τеπлοустойчив, сοвмесτим с алюминием πο элеκτροχимичесκοму
35 ποτенциалу. Οднаκο высοκοе уделыюе элеκτρичесκοе сοπροτивление τиτана , егο легκая οκисляемοсτь πρи исπаρении с вοзниκнοвением ρяда неρавнοвесныχ οκислοв, τρебуеτ нанесения на πορисτый слοй τиτана дοποлниτельнοгο ποκρыτия. \νθ 97/37052 * ΡСΤ/ΚШ6/00Ю4
Пορисτый слοй τиτана на алюминиевοй φοльге (οснοве) φορмиρуюτ методοм ваκуумнοгο элеκτροннο — лучевοгο исπаρения τиτана из исπаρиτеля (методοм вοдοοχлаждаемοгο τигля) с ποследующей κοнденсацией 5- πаροвοгο ποтоκа на φοлыу, неπρеρывнο πеρемещающуюся над исπаρиτелем. Для οбρазοвания столбчатой сτρуκτуρы, οбладающей маκсимальнοй οτκρытой πορисτοсτью, ρеκοмендуеτся τемπеρаτуρа κοнденсации, сοсτавляющая 0.2 — 0,5 τемπеρаτуρы πлавления исπаρяемοгο маτеρиала и
10 давление в ваκуумнοй κамеρе не ниже 0,01 Па. Чем выше τемπеρаτуρа κοнденсации, τем толще и сοединенней дендρиτы. Чем выше давление, τем менее сοединены дендρиτы и τем менее πлοτны ποκρыτия. Пοэτοму ρеκοмендуеτся τемπеρаτуρа κοнденсации τиτана в
^5 дианазοне 300 — 500°С, давление 0.01 —0,5 Па, сκοροсτь κοнденсации 0, 1 — 1 мκм/с πρи угле πадения πаροвοгο ποτοκа τиτана на φοлыу 50±10 гραд. и ρассτοянии οτ исπаρиτеля дο ποдлοжκи οτ 300 дο 700 мм. Пρи τемπеρаτуρе κοнденсации ниже 300°С на ηοдлοжκе
2П ποлучаеτся мелκοзеρнисτая субмиκροπορисτая еτρуκτуρа τиτанοвοгο ποκρыτия с иρенмущесτвеннο заκρыτοή πορистосτыο. Пρи τемπеρаτуρе выше 550°С. гιρиближающеися κ τемπеρаτуρе πлавления алюминиевοй οснοвы. φοльга τеρяеτ меχаничесκую προчнοсτь. Εсли
25 давление в κамеρе ниже 0,01 Па вοзρасτаеτ τемπеρаτуρа κοнденсации и изменяеτся сτρуκτуρа ποκρыτия. Εсли давление выше 0,5 Па, το сущесτвеннο снижаеτся сκοροсτь κοнденсации и уменыиаеτся πορисτοсτь. Пρи сκοροсτи κοнденсации ниже 0, 1 мκм/с προизвοдиτельнοсτь 30 нанесения ποκρыτия недοсτаτοчна, а сκοροсτь κοнденсации τиτана на алюминиевую φοлыу выше 1 ,0 мκм/с τеχничесκи τρуднοдοсτижима. Εсли угοл πадения πаροвοгο ποτοκа τиτана на οснοву меньше 40 гρад. и бοлыне 70 гρад. уменыπаеτся πορистосτь ποκρыτия. Пρи ρассτοянии οτ Зδ исπаρиτеля дο ποдлοжκи менее 300 мм — φοльга πеρегρеваеτся, а бοлее 500 мм — уменыπаеτся κπд προцесса.
Ηа πορисτыи слοή τиτана 2 нанесен слοй ниτρида τиτана 8 (Φиг.З). Слοй ниτρида τиτана 8 сοсτавлен из χνθ 97/37052 ΡСΤ/ΚШ6/00Ю4
неπлοτнο сροсшиχся зеρен 9 (Φиг.4) ρазмеρами Ь, в сρеднем, 0,01 — 1 мκм. Τοлщина слοя ниτρида τиτана η сοсτавляеτ, в сρеднем, 0,05 — 3 мκм. Εсли τοлщина слοя ниτρида τиτана менее 0,05 мκм: а величина зеρна менее
5 0,01 мκм. το τρуднο дοсτичь сπлοшнοсτи ποκρыτия. Εсли τοлщина слοя бοлее 3 мκм или ρазмеρы зеρеи ниτρила гиτана бοлее Ιмκм уменьшаеτся πορистосτь ποκρыτия, уχудшаюτся προчнοсτные свοйсτва. Ηа зеρнаχ 9 слοя ниτρида τиτаиа 8 имеюτся высτуπы 10 и вπадины 11
ΪΟ сρедней высοτοй 0,05 — 0,5 мκм, κοтоρые увеличиваюτ ρеальную ποвеρχнοсτъ κатоднοй φοльга. Пρи ρазмеρаχ высτуποв и вπадин менее 0,005 мκм уχудшаются услοвия смачивания ποвеρχнοсτи элеκτροлитом, а πρи высοτе высτуποв бοлее 0,5 мκм προисχοдиτ сκалывание веρχушеκ 0 высτуποв и наρушение ηοκρыτия.
Слοи ниτρида τиτана на ποвеρχнοсτи πορисτοгο слοя τиτана φορмиρуюτ меτοдами нанесения τοнκиχ πленοκ в ваκууме, а именнο, меτοдами наπыления или меτοдами ρасπыления. Β πеρвοм случае φορмиροвание πленκи
20 ниτρида τиτана προисχοдиτ в προцессе исπаρения гиτана с еτг> ποследующей κοнденсацией из πаροвοй φазы на неπρеρывнο πеρемещающуюся алюминиевую φοлыу с πορисτым τиτанοвым слοем πρи наτеκанни азοτа или аммиаκа. Пρи эτοм азοτ οгρаниченнο ρасгвορяеτся в τиτане
25 ц οбρазуеτ сисτему с πеρиτеκτичесκοй ρеаκциеи н вτοροи φазοи ниτρида τиτана. Εсли давление азοτа или аммиаκа меньше 0,01 Па ниτρид τиτана ποлучаеτся несτиχеοмеτρичным из — за низκοй κοнценτρацин азοτа и, ποэτοму, несτабильным; если давление выше 0,5 Па
30 сущесτвеннο снижаеτся сκοροсϊъ нанесения слοя и уменыπаеτся πορистосτь.
Дρугοй ρеκοмендуемый ваρианτ φορмиρвания πленκи ниτρида τиτана на πορисτοм τиτанοвοм слοе алюминиевοй φοльги заκлючаеτся в κатоднοм ρасπылении τиτанοвοй
Зδмишенн в аτмοсφеρе азοτа или аммиаκа ποд давлением 0.01 — 1 Па с οсажденнем на неπρеρывнο πеρемещающуюся οκοлο ττιτанοвοй мишени οснοву. Β κачесτве κοнκρеτнοгο меϊ'οда κаτοднοгο ρасπыления ρеκοмендуеτся дугοвοй, πлазмениο — дугοвοй, иοннο — πлазменный. \
Figure imgf000012_0001
νθ 97/37052 ΡСΤ/ΚШ6/00Ю4
10
Εсли давление азοτа или аммиаκа πρи нанесении слοя ниτρида τиτана ниже или выше ρеκοмендуемοгο диаπазοна газ между элеκτροдами иοнизиρуеτся πлοχο и προцесс ρасπыления наρушаеτся.
5 Пρименение ниτρида τиτаиа в κачесτве ρабοчегο слοя κатоднοй φοльπι элеκτροлиτичесκοгο κοнденсаτορа οбуслοвленο в πеρвую οчеρедь, χοροшими элеκτροφиэичесκими свοйсτвами тонκиχ πленοκ ниτρида τиτана. Ηиτρид τиτана, нанесенный на πορисτый
ΙΩ таτанοвый ποдслοй алюминиевοн οснοвы, οбладаеτ ρазвиτοй ποвеρχнοсτыο, χοροшей элеκτροπροвοднοсτью и τеπлοπροвοднοсτι>ю, τеρмοсτοήκοсτью, πρеκρаснοй κορροзиοннοй устойчивοсτью в ρабοчиχ элеκτροлиτаχ κοнденсаτοροв, высοκοи адгезией с ποдлοжκοй.
Τ5 Β ρезулъτато, πρи нанесении ниτρида τиτана на οбе стоροны алюминиевοй φοльги с πορисτым τиτанοвым слοем, удельная ёмκοсτь κатоднοй φοльги дοсτнгаеτ 2000 — 3000 мκφ/см2. Μиκροφοτοгρаφии ποвеρχнοсτи и сечения τаκοή φοльги πρедсτавлены на Φиг.5 и Φиг.6.
20
Κοнκρеτные иρимеρы ρеализации изοбρеτения:
Пρнмеρ _1_.
Ηл алюминиевую сροлыу (ηснοву) толщинοи 20 мκм н
^5 чисτοτοй 99,7% в ваκуумнοή κамеρе нанοсили πορисτый слοή τиτана меτοдοм элеκτροннο — лучевοгο исπаρения τиτана из меднοгο вοдοοχлаждаемοгο τигля (исπаρиτеля) с ποследующей κοнденсациеή πаροвοгο ποтоκа на οбе ποвеρχиοсτи οснοвы. Пρи эτοм φοлыу неπρеρывπο
30 τρансπορτиροвали над исπаρиτелем сο сκοροсτью 8,5 м/мин, πеρемаτывая с ρулοна на ρулοн τаκим οбρазοм, чτο угοл πадения πаροвοгο ποτοκа τиτана на неё сοсτавил 40 —
70 гρадусοв, а ρассτοяние дο исπаρиτеля — οτ 300 дο 700 мм. Давление в ваκуумнοй κамеρе ποддеρживали 0,5 Па.
35 Пρи эτοм сκοροсτь κοнденсации — 300°С.
Β уκазанныχ услοвияχ ποлучалн на двух сτοροнаχ алюминиевοй φοльга πορисτый слοй τиτана τοлщинοй 0.5 мκм. вκлючающий κρисτаллиτы и блοκи κρисτаллиτοв в виде дендρиτοв сο сρедней высοτοй 0,3 мκм, высτуπами и \νθ 97/37052 • 1 ΡСΤ/ΚШ6/00104
вπадинами на дендρиτаχ сρеднеή высοтой 0, 1 мκм, и πορы в виде κаналοв, οκаймляющиχ дендρиτы и имеющиχ πρеимущесτвеннο οτκρыτый выχοд наρужу. Οбщая πορистосτь слοя сοсτавила 25 %. 5 Далее на алюминиевую φοльгу с двуχстоροнним ποκρыτием из πορисτοгο τиτана в ваκуумнοй κамеρе нанοсили слοй ниτρида τиτана меτοдοм ρасπыления τиτанοвοй мишени в аτмοсφеρе азοτа ποд давлением 0,01 Па с ποследующим οсаждением на ποвеρχнοсτь πορисτοгο τ0 τиτанοвοгο слοя. Пρи этом алюминиевую φοлыу неπρеρывнο τρансπορτиροвали οκοлο τиτанοвοй мишени на ρасстоянии οτ нее 100 мм сο сκοροсτью 0,2 м/мин.
Для нанесения ниτρида τиτана с двуχ стоροн φοльга нсποльзοвали две χмишени. Β ρезульτаτе ποлучали слοй
15 ииτρида ττгτана (с κаждοй стоροны сροльга) τοлщинοή 0,05 мκм сο сρедним ρазмеροм неπлοτнο сροсшиχся зеρен 0,01 мκм и высτуπами — вπадинами на ниχ высοτοή, в сρеднем, 0,005 мκм.
20 Пρимеρ 2.
Ηа алюмшτиевую φοлыу (οснοву) τοлщшюй 30 мκм и чисτοтой 99,3% в ваκуумнοй κамеρе нанοсили πορисτый слοи τиτана меτοдοм злеκτροннο — лучевοгο исπаρения τиτана из меднοгο вοдοοχлаждаемοгο τигля (исπаρиτеля) с
25 нοследующей κοнденсацией πаροвοго ποτοκа на οбе ποвеρχнοсτи οснοвы. Пρи эτοм φοлыу негϊ[)еρывнο τρансπορτиροвали над иснаρиτелем сο сκοροсτью 7,0 м/мин, πеρемаτывая с ρулοна на ρулοн τаκим οбρазοм, чτο угοл πадения πаροвοгο ποтоκа τиτана на нее сοсτавил 40 —
• 0 70 гρадусοв, а ρассτοяние дο исπаρиτеля — οτ 300 дο 700 мм. Давление в ваκуумнοй κамеρе ποддеρживали 0, 15 Па. Пρи эτοм сκοροсτь κοнденсации сοсτавила 0,45 мκм/с, а гемπеρаτуρа κοнденсации — 420°С. в уκазанныχ услοвияχ ποлучали на двуχ сτοροнаχ
35 алюминиевοй φοльга πορисτый слοй τиτана τοлщинοй 3,0 мκм, вκлючающий κρисτаллиτы и блοκи κρисτаллиτοв в внде дендρиτοв сο сρедней высοτοй 1 ,8 мκм, высτуπами и вπадинами на дендρиτаχ сρедней высοτοй 0,3 мκм, и πορы в виде κаналοв, οκаймляюιциχ дендρиτы и имеющиχ \νθ 97/37052 ΡСΤ/ΚШ6/00Ю4
πρеимущесτвеннο οτκρыτыή выχοд наρужу. ϋбщая πορисτοсτь слοя сοсτавила 50%. Далее на алюминиевую φοлыу с двуχсτοροнним ποκρыτием из πορисτοгο τиτана в ваκуумнοй κамеρе нанοсили слοй ниτρида τиτана меτοдοм 5 элеκτροннο— лучевοгο исπаρения τиτана в аτмοсφеρе аммиаκа ποд давлением 0,15 Па с ποследующеи κοнденсацией на ποвеρχнοсτь πορистогο τиτанοвοгο слοя. Пρи эτοм алюминиевую φοлыу неπρеρывнο τρансπορτиροвали над исπаρиτелем сο сκοροсτью 7,0
10, м/мин.
Β ρезульτаτе ποлучали слοй ниτρида τϊϊτана (с κажджοй сτοροны φοльги) толщинοй 2,0 мκм с.ο сρедним ρазмеροм неπлοτнο сροсшиχся зеρен 0,5 мκм и высτуπами — вπалинами на ниχ высοτοй, в сρеднем, 0, 15
Τ5 мκм.
Пρимеρ 3.
Ηа алюминиеηую φοлыу (οсιюву) τοлщинοй 30 мκм н чисτοтой 98,0% в ваκуумнοи κамеρе нанοсили πορисτый слοή τиτана методοм элеκτροннο — лучевοгο исπаρения
20 τиτана из меднοго вοдοοχлаждаемοгο τигля (исπаρиτеля) с пοследующей κοнденсациеи πаροвοгο ποτοκа на οбе ποвеρχнοсτи οснοвы. Пρи эτοм φοльгу неπρеρьшнο гρансπορτиροвали над исπаρиτелем сο сκοροсτью 8,5 м/мин, πеρемаτывая с ρулοна на ρулοн τаκим οбρазοм, чτο
^5 уГοл πадения πаροвοгο ποτοκа τиτана на нее сοсτавнл 50±10 гρадусοв, а ρассτοяние дο исπаρиτеля — οτ 300 дο 700 мм. Давление в ваκуумнοй κамеρе ποддеρживали 0,01 Па. Пρи эτοм сκοροсτъ κοнденсации сοсτавила 1 ,0 мκм/с, а τемπеρаτуρа κοнденсации — 530°С.
30 Β уκазанныχ услοвияχ ποлучали на двуχ сτοροнаχ алюминиевοή φοльги πορисτыи слοй τиτана τοлщинοй 5.0 мκм. вκлючающий κρисτаллиτы и блοκи κρисτал/νитов в виде дендρиτοв сο сρедней высοτοй 2,0 мκм. высτуπами и вπадинαми на дендρиτаχ сρедней высοτοй 1 ,0мκм, и πορы в Зδ виде κаналοв, οκаймляющиχ дендρиτы и имеющиχ πρеимущесτвеннο οτκρыτый выχοд наρужу. Οбщая πορисτοсτь слοя сοсτавила 37 %.
Далее на алюминиевую φοлыу с двуχсτοροнним ποκρыτием из πορисτοгο τиτана в ваκуумнοή κамеρе \νθ 97/37052 ΡСΤ/ΚШ6/00Ю4
13
нанοсили слοй ниτρида гаτана πлазменнο — дугοвым методοм ρасπылення τиτанοвοй мишени в аτмοсφеρе азοτа ποд давлением 1 Па с ποследующим οсаждением на ποвеρχнοсτь πορистогο τиτанοвοгο слοя. Пρи эτοм
5 алюминиевую φοлыу неиρеρывнο τρансπορτиροвалл οκοлο τиτанοвοй мишени на ρассτοянии οτ нее 50 мм сο сκοροсτью 0,5 м/мин. Для нанесения ниτρида τиτана с двуχ сτοροн φοльги исποльзοвали две мишени.
Β ρезульτаτе ποлучали слοй ниτρида τиτана (с κаждοи
10 сτοροны φοльги) τοлщинοй 3,0 мκм сο сρедним ραзмеροм неπлοτнο сροсшиχся зеρен 1 ,0 мκм и высτуπами — вгь-ιдϊϊнами на ниχ высοτοи, в сρеднем . 0,5 мκм.
Ρ мκοсτь οбρазцοв κаτοднοй φοльги, ποлученныχ ο αρ ΪΜ^ ГΙГΙУ 1 — 3 измеρяли в 10% ρасτвορе адиπаτа аммοния с
Σ5 уделъным сοπροτивлением 15 Οм/см πρи τемπеρаτуρе 30° С на часτοτе 100Гц. Данные измеρений πρиведены в τаблнце в сρавнении с аналοгами.
! Τθ/Шцша | Удельная
, νϊρτοд изгοτοвления ! φοльπι ι ёмκοсτь
:гο , ιмκм) < мκΦ/см2
Пρимеρ 1 20 1300
Пρимеρ 2 30 2600
>-\ -_• Пρимеρ 3 30 1900
Α свροπейсκая эаявκа 40 1250 ο ς Ν*. 0272926
Д\я οπρеделения сτабильнοсτи удельнοи ёмκοсτи κаτοдная φοльга ηοдвеρгалась исπыτаниям на гидρаτацлю κиπячением а деиοнизиροваннοй вοде в гечение ό часοв.
Пρимененяе κаτοднοή φοлыτι и сποсοба её зс ι.згοτοвления в προизвοдсτве элеκτροлиτичесκиχ κοнденсаτοροв ποзвοлиτ сοκρаτиτь ρасχοд κаτοда н анοда, κοнденсаτορнοй бумаги. уменьшиτь гаοаρиτы и вес κοнденсаτοροв, ποвысиτъ иχ удельные элеκτρичесκие χаρаκτеρисτиκи.
35
Figure imgf000015_0001
увеличения πορисτοгο ποκρыτия в усτροйсτве, сοдеρжащем исπаρиτель, наπρавляющие (веρχние и нижние) и οτκлοняющие ροлиκи, выποлненные в виде οχлаждаемыχ цилиндροв и усτанοвлеяные над исπаρиτелем
ЛИСΤ ΒЗΑΜΕΗ ИЗЪЯΤΟГΟ (ПΡΑΒИЛΟ 26) \νθ 97/37052 ΡСΤ/ΚШ6/00Ю4
14
τаκим οбρазοм, что οгибающая иχ ленτа οбρазуеτ лοманую линию, вκлючающую οτρезκи ленτы (учасτκи наπыления) между наπρавляющими ροлиκами, οτρезκи ленτы между веρχними наπρавляющими ροлиκами ρазмещены над
5 исπаρиτелем τаκим οбρазοм, чτο πρямая, сοединяющая ценτρ исπаρиτеля с любοй τοчκοй любοгο из эτиχ οτρезκοв сοсτавляеτ угοл 40 — 60 ° с нορмалью κ οτρезκу в эτοй точκе, а οτρезκи ленτы между нижними наπρавляющими ροлиκами ρазмещены над исπаρиτелем τаκ, чτο πρямая,
^Ο сοединяющая ценτρ исπаρиτеля с любοй точκοй любοгο из эτиχ οτρезκοв сοсτавляеτ угοл 0 — 10 ° с нορмалью κ нему в эτοй τοчκе , πρичем нижние наπρавляющие ροлиκи выποлнены с πазами шевροннοй φορмы на циллндρичесκοй ποвеρχнοсτи ροлиκοв.
Ηа дοсτижение τеχничесκοгο ρезульτаτа — увеличение ποвеρχнοсηι πορисτοгο ποκρыτия на ленτе за счеτ φορмиροвания сτοлбчатой сτρуκτуρы с маκсимальнο ο"ϊжρытой πορисτοсτью и χοροшей адгезией ποκρыτия κ ленτе, влияеτ κοнсτρуκτивнοе ρазмещение ροлиκοв.
20 выποлненныχ в виде οχлаждаемыχ цилиндροв. над исπаρиτелем, οбесπечивающее движение ленτы πο οπρеделеннοи лοманοй τρаеκτορии. Пρи этом на οτρезκаχ ленτы между ннжними наπρавляющими ροлиκами уτοл κοнденсации гюτοκа меτалличесκοгο πаρа из исπаρиτеля
25 сοсτавляеϊ- 0 — 10 ". Β эτиχ услοвияχ τемπеρаτуρа κοнденсации сοсτавляеϊ' > 0,5 τемπеρаτуρы πлавления исπаρяемοгο маτеρиала, на ленτе аκτивнο προτеκаюτ иροцессы τеρмичесκοй аκτивации и χимιτчесκοгο взаимοдейсτвия между аτοмами ποκρыτия и гюдлοжκи,
30 усτанαвливаюτся προчные χимичесκие связи между аτοмами, чτο οбесπечиваеτ χοροшую адгезию ποκρыτия κ ленτе. Ηа эτиχ οτρезκаχ ленτы нанοсяϊ* τοнκий адгезиοнный ποдслοй. Οτρезκи ленτы между веρχними наπρавляющими ροлнκами усτанοвлены τаκим υбρазοм, 35 чτο πаροвοй ποтоκ κοнденсиρуеτся на адгезивный ποдслοй ποд οсτρым углοм κοнденсации, сοсτавляющим 40 — 60 °. Τемπеρаτуρа κοнденсации сοсτавляеτ πρи этом 0,25 — 0,5 τемπеρаτуρы πлавления исπаρяемοгο маτеρиала, чτο, в сοчеτании с наκлοннοή κοнденсацией, οбесπечиваеτ νУΟ 97/37052 15 ΡСΤ/ΚШ6/00Ю4
ποлучение высοκοπορисτοгο слοя сτοлбчаτοή сτρуκτуρы из выτянуτыχ κρисτаллиτοв и блοκοв κρисτаллитов (дендρиτοв), ρазделенныχ πορами в виде ρазвеτвленнοи сеги κаналοв с πρеимущесτвеннο οτκρыτым выχοдοм наρужу. Ηа эτиχ οτρезκаχ ποследοваτельнο ποлучаюτ высοκοπορисτый слοй ποκρыτия τρебуемοй толщины, имеющий маκсимальную πлοщадь ποвеρχнοсτи.
Ηа усτρанение сκладκοοбρазοвания на шиροκοй ленτе, влияеτ κοнсτρуκτивнοе исποлнение нижниχ
Τ0 наπρавляющиχ ροлиκοв, ρазмещенныχ над исπаρиτелем в зοне πρямοй κοнденсации ποτοκа меτалличесκοгο πаρа на ленτу. Исποлиение эτиχ ροлиκοв с шевροнными πазами на цилиндρичесκοй ποвеρχнοсτи ποзвοляеτ ρазглаживаτь ленгу οτ сеρедины κ κρаям за счеτ сοсτавляющиχ сильτ
Τ5 наτяжения ленτы πρи ее πеρемοτκе, наπρавленныχ οτ ценτρа шевροнοв κ πеρиφеρии.
Ρабοτа усτροйсτва ποясняется на φиιуρаχ 7 и 8. Ηа φиг.7 изοбρажена сχема усτροйсτва для
20 наπыления двуχстоροннегο πορисτοгο ποκρыτия на нοπρеρывнο πеρемещающуюся ленτу. Ηа φиг. 8 изοбρажены в двуχ προеκцияχ два нижниχ наπρавляющиχ ροлиκа с τιιевροнными πазами на цилиндρичесκοή ττοвеρχиοсτи. 5 Усτροйсτвο (φиг.7) сοдеρжиτ ваκуумную κамеρу (на сχеме не ποκазана), исπаρиτель 9, веρχние наπρавляющие ροлиκи 10, нижние наπρавляющие ροлиκи 1 1 , οτκлοняющие ροлиκи 12, вал ρазмοτκи 13, вал намοτκи 14 и ροлиκи 15. Ηаπρавляющие ροлиκи 10, 1 1 и οτκлοняющие 0 ροлиκи 12 выποлнены в виде οχлаждаемыχ цилиндροв и усτанοвлены над исπаρиτелем 9. Λенτа 17, οгабая наπρавляющие 10, 1 1 и οτκлοняющие 12 ροлиκи, οбρазуеτ лοманую лιгаию, вκлючающую οτρезκи ленτы 17, 18, 19, 20 и, симмеτρичнο ρасποлοженные им οτнοсиτельнο
35 веρτиκальнοй οси исπаρиτеля 9, οτρезκи 21 , 22, 23 и 24. Пρи эτοм πρямая, προведенная из ценτρа исπаρиτеля 9 в любую τοчκу οτρезκοв 17 и 20, сοсτавляеτ угοл α=0— 10" с нορмалью κ сοοτвеτсτвующему οτρезκу в этой τοчκе. Β часτнοсτπ, угοл α между πρямοй ΟΑ и нορмалью κ οτρезκу \νθ 97/37052 ΡСΤ/ΚШ6/00Ю4
16
ΑΒ в τοчκе Α сοсτавляеτ α= 10 °. Пρямая, προведенная из ценτρа исπаρиτеля 9 в любую τοчκу οτρезκοв 18, 19, 20, 22, 23 и 24, сοсτавляеτ уτοл β = 40 — 60 ° с нορмалью κ сοοτвеτсτвующему οτρезκу в эτοй τοчκе. Τаκ угοл между 5 πρямοй ΟС и нορмалью κ οτρезκу СЭ в τοчκе С ρавен β = 40 ", а угοл между πρямοй ΟΩ И нορмалью κ οτρезκу Сϋ в τοчκе Э ρавен β = 60 °. Ηижние наπρавляющие ροлиκи 1 1 οбρазующие οτρезκи 17 и 21 , выиοлнены с шевροнными иазами 25 на цилиидρичесκοй ποвеρχнοсτи (φиг.8). Ю Οτρезοκ ленτы 16 οгибаеτ οτρезοκ 17 между ροлиκами 1 1. Пρи πеρемοτκе ленτы 16 на οτρезκе 17 на нее дейсτвуеτ сила наτяжения ленτы Ρн, κοтоρая имееτ нορмальную Ρη сοсτавляющую и οсевую сοсτавляющую Ρο, наπρавленную вдοль шевροнοв.
Τ5
Усτροйсτвο ρабοτаеτ следующим οбρазοм.
Β ваκуумнοй κамеρе (не ποκазана) усτροйсτва (φиг.7) исηаρиτель 9 ποд дейсτвием нагρева (наπρимеρ, элеκτροннο — лучевοгο)" генеρиρуеτ ποтоκ меτалличесκοгο πаρа, ρасиροсτ|_)аняющийся πο всей ποлусφеρе над исπаρиτелем 9. Λенτа 16 неπρеρывиο πеρемаτываеτся с вала ρазмοτκи 13 чеρез нижние ττаπρавляющие ροлиκи 1 1 , ηеρχние наπρавляющие ροлиκи 10 с οτκлοняющими ροлиκамн 12 и ροлиκи 15 на вал намοτκи 14. С вала
25 ρазмοτκи 13 χοлοдная ленτа 16 ποсτуπаеτ в зοну наπыления на οτρезκе 17 между οχлаждаемыми ροлиκами 1 1 . Μеτалличесκий πаρ из исπаρиτеля 9 κοнденсиρуеτся на οτρезκе 17 ποд углοм κοнденсации οτ 0 ° дο 10 °, чτο ποзвοляеτ' ποлучиτь на ленτе адгезиοнный ποдслοй. Пρи
^ этом, благοдаρя шевροнным πазам 25 на цилиндρичесκοй ποвеρχнοсτи нижниχ наπρавляющиχ ροлиκοв 11 προисχοдиτ ρазглаживание ленτы 16 οτ сеρедины κ κρаям за счеτ дейсτвия сοсτавляющей Ρο силы наτяжения ленτы Ρн (φиг.8). Заτем ленτа 16 οχлаждаеτся на ροлиκе 12 и ποсτуπаеτ в зοну наπыления на учасτκаχ 18, 19, 20, где πаρ из исиаρиτеля 9 κοнденсиρуеτся ποд углοм κοнденсации οτ 40 " дο 60 ''. Ηа эτиχ учасτκаχ ποследοваτельнο нанοсиτся высοκοπορисτый слοй ποκρыτия с προмежуτοчным οχлаждением ленτы 16 οτ πеρегρева на ροлиκаχ 12. Далее \νθ 97/37052 ΡСΤ/ΚШ6/00Ю4
17
ленτа 16 ποсτуπаеτ πο ροлиκам 15 в зοну наπыления ποκρыτия на дρуτую сτοροну ленτы 16, Τρаеκтоρия движения ленτы 16 в эτοй зοне и ποследοваτельнοсτь нанесения слοев аналοгачна вышеοπисаннοй. Пοсле 5 οχлаждения на ροлиκе 12 ленτа 16 намаτываеτся на вал 14.

Claims

\νθ 97/37052 ΡСΤ/ΚШ6/00Ю418ΦΟΡΜУΛΑ ИЗΟБΡΕΤΕΗИЯ.
1. Сποсοб изгοтовления κаτοднοй φοльги, заκлючающийся в том, чτο на алюминиевую οснοву нанοсяτ ιюρисτый слοй
5 τиτана меτοдοм ваκуумнοго наπыления, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο наπыление προвοдяτ πуτём элеκτροннο — лучевοгο исπаρения τиτана πρи неπρеρывнοм πеρемещении алюминиевοй φοльга над исπаρиτелем на ρассτοянии οτ 300 дο 700 мм и угле πадения πаροвοгο
ΤΟ ποτοκа на алюминиевую φοлыу 50+10 гρадусοв, πρичем давление в ваκуумнοй κамеρе ποддеρживаюτ в диаπаэοне οτ 0,01 дο 0,5 Па, а τемπеρаτуρу κοнденсации οτ 300 дο
550°С. иοсле чегο φορмиρуюτ слοй ниτρида τитана исπаρением τиτана в аτмοсφеρе азοτа или аммиаκа πρи τ5 давлении 0,01 —0,5 Па.
2. Сποсοб изгοτοвления κаτοднοй φοлъш элеκτροлиτичесκοгο κοнденсаτορа πο π.1 , ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, что φορмиροвание слοя ниτρида τиτана προвοдяτ меτοдοм κаτοднοгο ρасπыления τиτанοвοй мишени в Ο аτмοсφеρе азοτа или аммиаκа πρи давлении 0,01 — 1 ,0 Па.
3. Усτροйсϊвο для напыления иορисτыχ ποκρыτий на ленτу, сοдеρжащее ваκуумную κамеρу, исπаρиτель, веρχние и нижние наπρавляющие и οτκлοняющие ροлиκи длн τρансπορτиροвания ленτы, πρи эτοм нαηρавляющие и
25 οτκлοняющие ροлиκи выποлнены в виде οχлаждаемыχ щιлиндροв и усτанοвлены над исπаρиτелем τаκ. чτο οгабающая иχ ленτа οбρазуеτ лοмαную лииию. вκлючающую οτρезκи ленгы между наπρавляющими ροлиκами, ο τ л и ч а ю щ е е с я τем, чτο οτρезκи ленτы
30 между веρχними наπρавляющими ροлиκами ρаэмещены над исπаρиτелем τаκим οбρазοм, чτο πρямая. сοединяющая ценτρ исπаρиτеля с любοй τοчκοй любοгο из эτиχ οτρезκοв сοсτавляеτ угοл 40 — 60 ° с нορмалью κ нему в эτοή τοчκе. а οτρезκи ленτы между нижними наπρавляющими ροлиκами
35 ρазмещены над исπаρиτелем τаκ, чτο πρямая. сοединяющая ценτρ нсπаρиτеля с любοй τοчκοй любοгο из эτиχ οτρезκοв сοсτавляеτ угοл 0 — 10 " с нορмалью κ нему в эτοй τοчκе. \νθ 97/37052 ΡСΤ/ΚШ6/00Ю4
19
4. Усτροйсτвο πο π.1 , ο τ л и ч а ю щ е е с я τем, чτο нижние наπρавляющие ροлиκи выποлнены с πазами шевροннοή φορмы на цилиндρичесκοй ποвеρχнοсτи ροлиκοв.
5. Κаτοдная φοльга элеκτροлиτичесκοгο κοнденсаτορа, сοдеρжащая πορисιъιй слοи τиτана на алюминиевοй οснοве, ο τ л и ч а ю щ а я с я τем, что на неё нанесён слοй ниτρида τиτана.
6. Κаτοдная φοльга πο π.З ο τ л и ч а ю щ а я с я τем, чτο
ΤΟ толщина πορисτοгο слοя τиτана сοсτавляеτ 0,5 — 5,0 мκм, а высτуπы и вπадины на κρисτаллиτаχ и блοκаχ κρисτаллиτοв πορисτυгο слοя τиτана ρавны 0,01 — 1 ,0 мκм. πρичем οбщая πορисτοсτь τиτана ρавна 25 — 50%, а слοй τс; . ниτρида τиτана ρавен 0,05 — 3,0 мκм, величина зёρен χ' ниτρида гиτана выποлнена в πρеделаχ οτ 0,01 дο 1 ,0 мκм, а высτуπы и вπадины на зёρнаχ ниτρида τиτана πο высοτе выποлнены в πρеделаχ οτ 0.005 дο 0,5 мκм.
PCT/RU1996/000104 1996-04-03 1996-04-26 Procede et dispositif de deposition de revetement poreux et feuille cathodique de condensateur electrolytique WO1997037052A1 (fr)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU63217/96A AU6321796A (en) 1996-04-03 1996-04-26 Method and device for applying porous coatings and cathode film of an electrol ytic condenser
DE69629316T DE69629316T2 (de) 1996-04-03 1996-04-26 Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von porösen schichten und kathodenfilm eines elektrolytischen kondensors
JP53517497A JP3475193B2 (ja) 1996-04-03 1996-04-26 電解コンデンサの多孔質被覆およびカソードフィルムを形成するための方法および装置
EP96922302A EP0905274B1 (en) 1996-04-03 1996-04-26 Method and device for applying porous coatings and cathode film of an electrolytic condenser
HK99105049.2A HK1020203B (en) 1996-04-03 1996-04-26 Method and device for applying porous coatings and cathode film of an electrolytic condenser

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96106008 1996-04-03
RU96106008/02A RU2087588C1 (ru) 1996-04-03 1996-04-03 Устройство для напыления пористых покрытий на ленту
RU96106009 1996-04-03
RU96106009/09A RU2098878C1 (ru) 1996-04-03 1996-04-03 Способ изготовления катодной фольги (варианты) и катодная фольга электролитического конденсатора

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1997037052A1 true WO1997037052A1 (fr) 1997-10-09

Family

ID=26653872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU1996/000104 WO1997037052A1 (fr) 1996-04-03 1996-04-26 Procede et dispositif de deposition de revetement poreux et feuille cathodique de condensateur electrolytique

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP0905274B1 (ru)
JP (1) JP3475193B2 (ru)
CN (1) CN1155735C (ru)
AU (1) AU6321796A (ru)
CZ (1) CZ311698A3 (ru)
DE (1) DE69629316T2 (ru)
WO (1) WO1997037052A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0940828A3 (en) * 1998-03-03 2001-08-16 Acktar Ltd. Method for producing foil electrodes
EP0966008A3 (de) * 1998-04-20 2004-02-04 Becromal S.p.A. Verfahren zur Herstellung einer Anode für elektrolytische Kondensatoren, solchermassen hergestellte Anode und eine solche Anode aufweisender Kondensator

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1307557B1 (it) * 1999-04-14 2001-11-14 Becromal Spa Elettrodi per condensatori elettrolitici e loro processo difabbricazione mediante evaporazione sotto vuoto.
US6914769B2 (en) * 2000-02-03 2005-07-05 Case Western Reserve University High power capacitors from thin layers of metal powder or metal sponge particles
DE10219908A1 (de) * 2002-05-03 2003-11-27 Epcos Ag Elektrode und ein Verfahren zu deren Herstellung
JP4201623B2 (ja) 2002-11-19 2008-12-24 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
US7216428B2 (en) 2003-03-03 2007-05-15 United Technologies Corporation Method for turbine element repairing
US7509734B2 (en) 2003-03-03 2009-03-31 United Technologies Corporation Repairing turbine element
EP1591553A1 (en) * 2004-04-28 2005-11-02 Becromal S.p.A. Process for producing an electrode coated with titanium nitride
IL173121A (en) * 2006-01-12 2011-07-31 Dina Katsir Electrodes, membranes, printing plate precursors and other articles including multi-strata porous coatings
WO2008010747A1 (en) * 2006-07-19 2008-01-24 Sandvik Intellectual Property Ab Method of producing a rough surface on a substrate
RU2573387C2 (ru) 2011-02-21 2016-01-20 Джапан Капаситор Индастриал Ко., Лтд. Электродная фольга, токоотвод, электрод и элемент для аккумулирования электрической энергии с их применением
TWI435352B (zh) * 2011-09-21 2014-04-21 Apaq Technology Co Ltd 高比表面積鋁材及其製作方法
GB201203216D0 (en) * 2012-02-24 2012-04-11 Teer Coatings Ltd High surface area (HSA) coatings and method for forming the same
US9206523B2 (en) 2012-09-28 2015-12-08 Intel Corporation Nanomachined structures for porous electrochemical capacitors
JP6233292B2 (ja) * 2014-12-23 2017-11-22 住友金属鉱山株式会社 長尺フィルムの搬送および冷却用ロール、ならびに該ロールを搭載した長尺フィルムの処理装置
DE102016101019A1 (de) 2015-09-28 2017-03-30 Von Ardenne Gmbh Beschichtungsanordnung und Verfahren zum Beschichten eines Bandsubstrats
WO2021107063A1 (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電解コンデンサ用陰極箔、電解コンデンサ、および、これらの製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU364689A1 (ru) * 1969-08-21 1972-12-28 УСТРОЙСТВО дл НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В BAKVVME
SU451135A1 (ru) * 1972-12-06 1974-11-25 Предприятие П/Я Г-4816 Электролитический конденсатор
SU546026A1 (ru) * 1974-10-21 1977-02-05 Ленинградский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.М.И.Калинина Катод электролитического конденсатора
GB2083840A (en) * 1980-08-14 1982-03-31 Fuji Photo Film Co Ltd Method and device for manufacturing magnetic recording medium
DE3210420A1 (de) * 1982-03-22 1983-09-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrochemischer doppelschichtkondensator
EP0272926A2 (en) * 1986-12-24 1988-06-29 Showa Aluminum Kabushiki Kaisha An aluminum capacitor plate for electrolytic capacitors and process for making same
WO1989001230A1 (en) * 1987-07-30 1989-02-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrolytic capacitor and production method thereof
EP0672762A1 (en) * 1994-03-18 1995-09-20 GALILEO VACUUM TEC S.p.A. Apparatus for continuous vacuum metallization

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD205192A1 (de) * 1982-06-08 1983-12-21 Manfred Neumann Einrichtung zum vakuumbeschichten von baendern
JP3168587B2 (ja) * 1990-02-09 2001-05-21 東レ株式会社 電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法
JPH0529180A (ja) * 1991-07-22 1993-02-05 Elna Co Ltd 電解コンデンサ
JPH07233474A (ja) * 1994-02-23 1995-09-05 Ulvac Japan Ltd 巻取式真空成膜装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU364689A1 (ru) * 1969-08-21 1972-12-28 УСТРОЙСТВО дл НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В BAKVVME
SU451135A1 (ru) * 1972-12-06 1974-11-25 Предприятие П/Я Г-4816 Электролитический конденсатор
SU546026A1 (ru) * 1974-10-21 1977-02-05 Ленинградский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.М.И.Калинина Катод электролитического конденсатора
GB2083840A (en) * 1980-08-14 1982-03-31 Fuji Photo Film Co Ltd Method and device for manufacturing magnetic recording medium
DE3210420A1 (de) * 1982-03-22 1983-09-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrochemischer doppelschichtkondensator
EP0272926A2 (en) * 1986-12-24 1988-06-29 Showa Aluminum Kabushiki Kaisha An aluminum capacitor plate for electrolytic capacitors and process for making same
WO1989001230A1 (en) * 1987-07-30 1989-02-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrolytic capacitor and production method thereof
EP0672762A1 (en) * 1994-03-18 1995-09-20 GALILEO VACUUM TEC S.p.A. Apparatus for continuous vacuum metallization

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0905274A4 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0940828A3 (en) * 1998-03-03 2001-08-16 Acktar Ltd. Method for producing foil electrodes
EP0966008A3 (de) * 1998-04-20 2004-02-04 Becromal S.p.A. Verfahren zur Herstellung einer Anode für elektrolytische Kondensatoren, solchermassen hergestellte Anode und eine solche Anode aufweisender Kondensator

Also Published As

Publication number Publication date
EP0905274B1 (en) 2003-07-30
EP0905274A4 (en) 2001-07-25
JP2000509101A (ja) 2000-07-18
CN1155735C (zh) 2004-06-30
JP3475193B2 (ja) 2003-12-08
EP0905274A1 (en) 1999-03-31
CN1216074A (zh) 1999-05-05
DE69629316D1 (de) 2003-09-04
HK1020203A1 (en) 2000-03-31
CZ311698A3 (cs) 1999-06-16
AU6321796A (en) 1997-10-22
DE69629316T2 (de) 2004-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1997037052A1 (fr) Procede et dispositif de deposition de revetement poreux et feuille cathodique de condensateur electrolytique
US7989077B2 (en) Metal strip product
US10837098B2 (en) Method and coating arrangement
US20070169695A1 (en) Process and device for coating strips
JPH08170172A (ja) 多数のアノードを有する二重円筒ターゲットのマグネトロン
WO2003083166A1 (en) Methods and apparatus for deposition of thin films
US6270840B1 (en) Apparatus and method for producing plane-parallel flakes
US3205086A (en) Method and apparatus for continuous vacuum metal coating of metal strip
EP1390157B1 (en) Method for temperature controlled vapor deposition on a substrate
RU2376398C2 (ru) Способ нанесения ионно-плазменного покрытия и узел электродугового испарителя с составным катодом
CN100487156C (zh) 金属板带真空镀膜设备
RU2741042C1 (ru) Устройство для вакуумного нанесения покрытия и способ нанесения покрытия на подложку
JP2007297712A (ja) プラズマを利用して堆積された薄いシード層を介してのメタライゼーション
Schiller et al. Vacuum coating of large areas
RU2087588C1 (ru) Устройство для напыления пористых покрытий на ленту
US20070009405A1 (en) Method and apparatus for producing gas atom containing fullerene, and gas atom containing fullerene
CN2934268Y (zh) 金属板带真空镀膜设备
RU2066704C1 (ru) Устройство для нанесения тонких пленок в вакууме
WO2000018978A1 (en) Apparatus and method for producing plane-parallel flakes
WO2014062999A1 (en) Cylindrical target having an inhomogeneous sputtering surface for depositing a homogeneous film
JPS6320465A (ja) 真空蒸着装置
JP3155750B2 (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
JPH0444204A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極
KR100429148B1 (ko) 아연증기를 이용한 아연도금장치
KR0146988B1 (ko) 망간의 증발방법

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 96180241.3

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AU BG BR CA CN CZ DE GB JP KR MX NO NZ SG SI UA US AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: PV1998-3116

Country of ref document: CZ

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 1997 535174

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1996922302

Country of ref document: EP

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1996922302

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: PV1998-3116

Country of ref document: CZ

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: CA

WWR Wipo information: refused in national office

Ref document number: PV1998-3116

Country of ref document: CZ

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1996922302

Country of ref document: EP