UA21939U - Production method for film gan on gaas porous layer - Google Patents
Production method for film gan on gaas porous layer Download PDFInfo
- Publication number
- UA21939U UA21939U UAU200611309U UAU200611309U UA21939U UA 21939 U UA21939 U UA 21939U UA U200611309 U UAU200611309 U UA U200611309U UA U200611309 U UAU200611309 U UA U200611309U UA 21939 U UA21939 U UA 21939U
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- films
- film
- epitaxy
- processing
- porous layer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 4
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- -1 chloride-hydride Chemical compound 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02463—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02513—Microstructure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Корисна модель належить до способів виготовлення напівпровідникових приладів, а саме способів 2 епітаксіального нарощування і може знайти застосування при створенні напівпровідникових лазерів; світлодіодів, що мають робочий діапазон у ультрафіолетовій області спектру.The useful model belongs to the methods of manufacturing semiconductor devices, namely methods 2 of epitaxial growth and can be used in the creation of semiconductor lasers; LEDs that have a working range in the ultraviolet region of the spectrum.
Відомі способи виготовлення напівпровідникових плівок ІП-нітрідов на чужерідній підкладці (патент КИ 2187172 СН ОЇ. 21/20). Технічний результат виходу виявляється в покращенні якості як буферного, так і епітаксіального шарів за рахунок зниження щільності дефектів. 70 Однак отримані таким способом шари Сам містять як кубічну , так і гексагональну модифікації, що негативно відбивається на однорідності шарів, і, як наслідок, на якості приладів на основі цих плівок.Known methods of manufacturing IP-nitride semiconductor films on a foreign substrate (patent KI 2187172 SN ОИ. 21/20). The technical result of the output is manifested in the improvement of the quality of both buffer and epitaxial layers due to a decrease in the density of defects. 70 However, Sam layers obtained in this way contain both cubic and hexagonal modifications, which negatively affects the uniformity of the layers and, as a result, the quality of devices based on these films.
Відомий спосіб отримання шару напівізолювального арсеніду галію (патент ША 50883 С2 Н 01 І 21/208) шляхом нарощування плівки епітаксією на підкладці з поруватого шару СадАз із розчину-розплаву, що включає легування розчину-розплаву ітербієм та алюмінієм, а нарощування шару здійснюють в інтервалі температур 72 5О0-8002С. Цим способом можна отримати шари сам з досить високим питомим опором, але вони містять як кубічну, так і гексагональну модифікації Сам, що обмежує їх застосування при виготовленні напівпровідникових приладів.There is a known method of obtaining a layer of semi-insulating gallium arsenide (patent SHA 50883 C2 H 01 I 21/208) by growing a film by epitaxy on a substrate from a porous layer of SadAz from a melt solution, which includes doping the melt solution with ytterbium and aluminum, and the layer growth is carried out in the interval temperature 72 5O0-8002С. In this way, it is possible to obtain Sam layers with a fairly high resistivity, but they contain both cubic and hexagonal modifications of Sam, which limits their use in the manufacture of semiconductor devices.
Шари сам кубічної модифікації мають у порівнянні з 0-.М гексагональної модифікації ряд переваг завдяки кубічній симетрії: кращі електричні властивості, меншу ефективну масу і тому способи отримання шарів зам 20 саме кубічної модифікації дуже актуальні.The layers of the cubic modification have a number of advantages compared to the 0-.M hexagonal modification due to cubic symmetry: better electrical properties, lower effective mass, and therefore methods of obtaining layers instead of the cubic modification are very relevant.
Відомий спосіб отримання плівок зам кубічної модифікації на монокристалічних підкладках СадАз |М. Мігцща,A known method of obtaining films of cubic modification on monocrystalline substrates SadAz |M. Migtscha,
З. Еціеда, М. Маївитоїю, Т. Каматига, дУрп. У. Аррі. РНуз. 25 (1992) 49334 Проте отримані таким способом плівки Сам кубічної модифікації мають низьку якість.Z. Etsieda, M. Maivytoiyu, T. Kamatiga, dUrp. U. Arry. RNuz. 25 (1992) 49334 However, Sam cubic modification films obtained in this way are of low quality.
Відомий спосіб отримання плівок бЗаМм на поруватих шарах Сам |див. статтю Мупраєма М., Тіком А,., 25 КгугпапомуеКкі А., Коїсизома І., 2ИБпйом А.5., Каїпіком М.М., Юамудом М. Ми., Кигпеївом М.І, Мупраєм К., -уA known method of obtaining bZaMm films on porous layers Sam | see. article by Muprayem M., Tikom A,., 25 KgugpapomueKki A., Koisizoma I., 2IBpyom A.5., Kaipikom M.M., Yuamud M. My., Kygpeiv M.I, Muprayem K., -u
Твуеіком О.М. 5іерапом 5., Спегепком А., Ютйгіем М.А. Бігаіп геіахайоп іп Сам Іауеге дгомп оп рогоиз Сам зиріауеге // МАК Іпіегпеї у. Мійіде бЗетісопа. Кез.-1999,-М. 4.-апйісае М 14). Згідно цього способу епітаксиальні плівки зам вирощують методом хлорідно-гідридної газофазної епітаксії (НУРЕ) на підкладках ІС, на які нанесені тонкі шари поруватого Сам. Але таким чином отримують плівки сам гексоганальної модифікації. б 30 Найбільш близьким є спосіб отримання плівок Зам на поруватих шарах сСаАзв (див. статтю "Получение со кубического Сам молекулярно-пучковой зпитаксией на подложках пористого (заАз" Письма в ЖТФ, 1999, том 25,Tvueikom O.M. 5ierapom 5., Spegepkom A., Yutygiem M.A. Bigaip geiahayop ip Sam Iauege dgomp op rogoiz Sam zyriauege // MAK Ipiegpei u. Miyide bZetisopa. Kez.-1999,-M. 4.-apyisae M 14). According to this method, epitaxial films are grown by the method of chloride-hydride gas phase epitaxy (NURE) on IC substrates on which thin layers of porous Sam are applied. But in this way, films of the hexagonal modification are obtained. b 30 The closest is the method of obtaining Zam films on porous layers of sCaAzv (see the article "Obtaining cubic Sam molecular-beam optical radiation on porous (zaAz) substrates" Letters in ZhTP, 1999, volume 25,
Мо1). За цим способом проводять обробку монокристала (заАз водним розчином НЕ при напрузі 8-148 в Ф імпульсному режимі з частотою подання імпульсів 2Н2, дегазацію, випалювання продуктів взаємодії обробки «-Mo1). According to this method, a single crystal is processed (by Az aqueous solution of HE at a voltage of 8-148 V in pulse mode with a frequency of 2H2 pulses, degassing, burning of the products of the processing interaction "-
СадАв, та нарощування плівки епітаксією молекулярно-пучковим методом.SadAv, and film growth by molecular beam epitaxy.
Зо Але завдяки цьому способу можна отримати лише нестехиометричні плівки Зам кубічної модифікації. сBut thanks to this method, only non-stoichiometric films of cubic modification can be obtained. with
Нестехиометричні плівки сам мають свої точкові дефекти, тому такі плівки мають максимум випромінювання в блакитній області спектра. Підвищення стехіометрії плівок (зам дозволяє перемістити максимум випромінювання до області високих частот, а саме до ультрафіолетової області спектра. «Non-stoichiometric films themselves have their own point defects, so such films have a maximum emission in the blue region of the spectrum. Increasing the stoichiometry of the films (instead allows you to move the maximum radiation to the high-frequency region, namely to the ultraviolet region of the spectrum. "
В основу корисної моделі поставлена задача вдосконалення способу отримання плівок Зам на поруватих З7З шарах СаАзв таким чином, щоби отримати плівки із переміщенням максимуму робочого діапазону частот плівок у с бік високих (ультрафіолетових) частот із збереженням стабільності роботи у всьому робочому діапазоні. "з Поставлена задача вирішується тим, що проводять обробку монокристала СаАв5 шляхом електролітичного травлення та нарощування плівки Сам епітаксією. Причому епітаксію здійснюють радикало-променевим методом у два етапи: перший при температурі 720-820 К у потоці атомарного азоту, другий - при температурі 7 но 930-950 К та вакуумі 10Умм.рт.ст.The useful model is based on the task of improving the method of obtaining Zam films on porous Z7Z layers of CaAzv in such a way as to obtain films with a shift of the maximum operating frequency range of the films towards high (ultraviolet) frequencies while maintaining stability of operation in the entire operating range. "The task is solved by processing a CaAv5 single crystal by electrolytic etching and growing the Sam film by epitaxy. Moreover, epitaxy is carried out by the radical-radiation method in two stages: the first at a temperature of 720-820 K in a stream of atomic nitrogen, the second at a temperature of 7 no 930-950 K and a vacuum of 10 mmHg.
Краще, коли електролітичне травлення проводять обробкою монокристала СадАз у 3095 розчині НЕ у воді, при - проходженні крізь електроліт постійного струму густиною 5-20 мА/см. со Краще, коли після обробки монокристала СаАв додатково проводять дегазацію та випалювання побічних продуктів обробки. о Обробка монокристала садАз електролітичним травленням забезпечує формування пор на підкладці із ЗадвIt is better when electrolytic etching is carried out by processing a single crystal of SadAz in a 3095 solution NOT in water, when - passing through an electrolyte of a direct current with a density of 5-20 mA/cm. It is better when, after processing a CaAv single crystal, additional degassing and burning of processing byproducts are carried out. o Treatment of single crystal sadAz by electrolytic etching ensures the formation of pores on the substrate from Zadv
Ге) та підвищення ступеню мікрошорсткості її поверхні. Обробка монокристала СаАв у 3095 розчині НЕ у воді, при проходженні крізь електроліт постійного струму густиною 5-20мА/см? забезпечує таке формування. Таким чином створюють поруватий, а при необхідності, і нанопоруватий шар СадАз (з розміром пор 5-1Онм). Дегазація таGe) and increasing the degree of microroughness of its surface. Treatment of a CaAv single crystal in a 3095 solution NOT in water, when passing through a direct current electrolyte with a density of 5-20mA/cm? provides such formation. In this way, a porous, and if necessary, a nanoporous layer of SadAz (with a pore size of 5-1 Ohm) is created. Degassing and
Випалювання продуктів взаємодії обробки очищують поверхню шару Садз від газоподібних та твердих побічних продуктів та поверхневих оксидів. Нарощування плівки епітаксією забезпечує отримання плівки кубічного зам на с підкладці з поруватого шару сСадв.Burning the products of the processing interaction cleans the surface of the Sadz layer from gaseous and solid by-products and surface oxides. The growth of the film by epitaxy ensures the production of a film of cubic zam on a substrate from a porous layer of cSadv.
Здійснення епітаксії радикало-променевим методом у два етапи: перший при температурі 720-820 К у потоці атомарного азоту, другий - при температурі 930-950К та вакуумі бо 105 мм.рт.ст. забезпечує насичення азотом та отримання плівки кубічного Сам із підвищеною стехіометрією.Epitaxy is carried out by the radical radiation method in two stages: the first at a temperature of 720-820 K in a flow of atomic nitrogen, the second at a temperature of 930-950 K and a vacuum of 105 mm Hg. provides nitrogen saturation and obtaining a film of cubic Sam with increased stoichiometry.
Таким чином вдосконалення способу отримання плівок Зам на поруватих шарах СаАзв забезпечує отримання плівок з переміщенням максимуму робочого діапазону частот плівок у бік високих (ультрафіолетових) частот.Thus, the improvement of the method of producing Zam films on porous layers of CaAzv ensures the production of films with a shift of the maximum working frequency range of the films towards high (ultraviolet) frequencies.
Корисну модель ілюструють фотографії та креслення, які пояснюють реалізацію способа.The useful model is illustrated by photographs and drawings that explain the implementation of the method.
Фіг.1. Морфологія поверхні поруватої підложки СаАв за результатами скануючої електронної мікроскопії. 65 Фіг.2. Скол поруватої підложки СаАз за результатами скануючої електронної мікроскопії.Fig.1. Morphology of the surface of the porous CaAv substrate according to the results of scanning electron microscopy. 65 Fig. 2. Cracking of the porous CaAz substrate according to the results of scanning electron microscopy.
Фіг.3. Скол плівки Сам за результатами скануючої електронної мікроскопії.Fig. 3. Film chipping Sam according to the results of scanning electron microscopy.
Де: 1 - монокристал Садв, 2 - поруватий шар Садв,Where: 1 - single crystal of Sadv, 2 - porous layer of Sadv,
З - плівка Сам.C - film Sam.
Фіг.4. Спектр фотолюмінесценції плівок сам за кімнатної температури.Fig. 4. The photoluminescence spectrum of the films itself at room temperature.
Де: х - довжина хвилі, нм, - інтенсивність випромінювання, відносні одиниці. 70 Розглянемо спосіб отримання плівок Зам на поруватих шарах СаАв на прикладі отримання плівок для виготовлення лазера. На підкладках із монокристалічного арсеніду галію СадАз 1 з орієнтацією (100), легованих цинком (Мп-6б1Осм У) електролітичним травленням були отримані зразки з поруватими шарами Садз 2 (Фіг.1, 2). Попередньо для видалення жиру підкладки монокристалічного арсеніду галію були промиті в ацетоні, пропанолі й етанолі, далі промиті в деіонізованій воді, а потім просушені в потоці надчистого МЗ3 (99,999965). 75 Зі зворотного боку зразків було нанесено омічний контакт (Са-Іп). Як другий електрод використовувалася платина. Процес електролітичного травлення проводився у 3095 розчині НЕ, на протязі 5хв. при проходженні крізь електроліт постійного струму 20мА/см7.Where: x - wavelength, nm, - radiation intensity, relative units. 70 Let's consider the method of obtaining Zam films on porous layers of CaAv using the example of obtaining films for the manufacture of a laser. Samples with porous layers of Sadz 2 were obtained by electrolytic etching on substrates made of single-crystal gallium arsenide SadAz 1 with (100) orientation, doped with zinc (Mp-6b1Osm U) (Fig. 1, 2). Previously, to remove grease, single-crystal gallium arsenide substrates were washed in acetone, propanol, and ethanol, then washed in deionized water, and then dried in a stream of ultrapure MZ3 (99.999965). 75 An ohmic contact (Ca-Ip) was applied to the reverse side of the samples. Platinum was used as the second electrode. The process of electrolytic etching was carried out in 3095 HE solution for 5 minutes. when passing through the electrolyte, the direct current is 20mA/cm7.
Очищення поверхні поруватого шару СаАвз 2 від газоподібних та твердих побічних продуктів проводили наступним чином. Після електролітичного травлення зразки були промиті в деіонізованій воді й просушені в потоці М», потім зразки були поміщені в камеру й нагріті у вакуумі до З20К протягом Зхв. для видалення води й інших легколетючих компонентів. Потім для видалення поверхневих оксидів зразки поруватого (задАз були нагріті до 800К у потоці Аву.Cleaning of the surface of the porous layer of CaAvz 2 from gaseous and solid by-products was carried out as follows. After electrolytic etching, the samples were washed in deionized water and dried in a flow of M", then the samples were placed in a chamber and heated under vacuum to 320K for 10 min. to remove water and other volatile components. Then, to remove surface oxides, samples of porous (zadAz) were heated to 800K in the Avu stream.
Процес нарощування плівок зам 3 проводився методом радикало-променевої епітаксії. Атомарний азот був отриманий із газоподібного аміаку марки 6.0 при проходженні його крізь розряд високочастотного генератору з робочою частотою 40МГц. Нарощування проводили у два етапи: -о - перший за температури 750К протягом 1 години в потоці МНз. - другий за температури 940К протягом 5 хвилин без аміаку у вакуумі 10 мм.рт.ст. (для видалення з поверхневих шарів саАвМ:. миш'яку й перекристалізації невпорядкованої фази СаАв ,М..у У тонкі плівки Сам кубічної модифікації). (22)The process of growing the films of zam 3 was carried out by the method of radical-radiation epitaxy. Atomic nitrogen was obtained from gaseous ammonia grade 6.0 by passing it through the discharge of a high-frequency generator with an operating frequency of 40 MHz. The build-up was carried out in two stages: -o - the first at a temperature of 750K for 1 hour in a MHz flow. - the second at a temperature of 940K for 5 minutes without ammonia in a vacuum of 10 mmHg. (to remove arsenic from the surface layers of САВМ:. and recrystallization of the disordered phase САВ М..у Into thin films of Sam cubic modification). (22)
Так, згідно з результатами скануючої електронної мікроскопії (на сколі), було отримано плівку сам з со товщиною мкм (Фіг.3). За кімнатної температури у спектрі фотолюмінесценції плівок сам відмічається інтенсивне ультрафіолетове випромінювання з максимумом З361,бнм, що свідчить про високу оптичну якість (22) отриманої плівки сам (Фіг.4). Результати структурного аналізу за допомогою дифрактометричних досліджень свідчать про високу кристалічну якість (напівширіна дифрактометричних піків від площини (200) кубічних шарівThus, according to the results of scanning electron microscopy (on a chip), a self-film with a thickness of 5 μm was obtained (Fig. 3). At room temperature, intense ultraviolet radiation with a maximum of З361, bnm is noted in the photoluminescence spectrum of self films, which indicates the high optical quality (22) of the obtained self film (Fig. 4). The results of the structural analysis using diffractometric studies indicate a high crystalline quality (the half-width of the diffractometric peaks from the (200) plane of the cubic layers
Зо (зам складає ЗОхв.) За результатами атомно-силової мікроскопії показано, що шорсткість поверхні плівки сам с становить 20-ЗОнм, тобто в такий спосіб поверхня плівки Сам залишається оптично гладкою.Зо (the substitute is ЗОхв.) According to the results of atomic force microscopy, it is shown that the surface roughness of the Sam film is 20-ZOnm, that is, in this way, the surface of the Sam film remains optically smooth.
Таким чином був вдосконалений спосіб отримання плівок зам на поруватих шарах СадАз із переміщенням максимуму робочого діапазону частот плівок у бік високих (ультрафіолетових) частот. «In this way, the method of producing zam films on porous SadAz layers was improved with the shift of the maximum working frequency range of the films towards high (ultraviolet) frequencies. "
Отримання матеріалів, що мають робочий діапазон частот плівок у області високих (ультрафіолетових) частот, до того ж економічно дешевім методом, яким є запропонований спосіб, є вирішенням однієї з о, с найважливіших задач сучасної оптоелектроніки.Obtaining materials that have a working frequency range of films in the region of high (ultraviolet) frequencies, moreover, by an economically cheap method, which is the proposed method, is a solution to one of the most important problems of modern optoelectronics.
Claims (1)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU200611309U UA21939U (en) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | Production method for film gan on gaas porous layer |
| PCT/UA2007/000075 WO2008051172A2 (en) | 2006-10-27 | 2007-12-12 | METHOD FOR PRODUCING CUBICAL GaN FILMS ON SUBTRACTS OF A POROUS GaAs LAYER |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU200611309U UA21939U (en) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | Production method for film gan on gaas porous layer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA21939U true UA21939U (en) | 2007-04-10 |
Family
ID=38022599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UAU200611309U UA21939U (en) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | Production method for film gan on gaas porous layer |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA21939U (en) |
| WO (1) | WO2008051172A2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010040753A1 (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Zf Friedrichshafen Ag | Wheel lug for fastening vehicle wheel to wheel carrier of vehicle, has fuse element designed as passport coil provided to shift backup by bolt head and another fuse element designed as knurling tool provided to anti-twist plate by shaft |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5985687A (en) * | 1996-04-12 | 1999-11-16 | The Regents Of The University Of California | Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials |
| US5834379A (en) * | 1996-07-16 | 1998-11-10 | Cornell Research Foundation, Inc. | Process for synthesis of cubic GaN on GaAs using NH3 in an RF plasma process |
| JP3899652B2 (en) * | 1997-03-14 | 2007-03-28 | 住友電気工業株式会社 | Epitaxial wafer |
-
2006
- 2006-10-27 UA UAU200611309U patent/UA21939U/en unknown
-
2007
- 2007-12-12 WO PCT/UA2007/000075 patent/WO2008051172A2/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2008051172A2 (en) | 2008-05-02 |
| WO2008051172A3 (en) | 2008-08-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4613373B2 (en) | Method for forming group III nitride compound semiconductor thin film and method for manufacturing semiconductor element | |
| KR101311901B1 (en) | ZnO CRYSTAL, ITS GROWTH METHOD AND MANUFACTURE METHOD FOR LIGHT EMITTING DEVICE | |
| JP2001068485A (en) | ZnO crystal growth method, ZnO crystal structure, and semiconductor device using the same | |
| JP4806475B2 (en) | Substrate and manufacturing method thereof | |
| JP3830083B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US20150280017A1 (en) | Nanometer sized structures grown by pulsed laser deposition | |
| JP7167969B2 (en) | GaAs single crystal | |
| JP4565062B2 (en) | Thin film single crystal growth method | |
| Chen et al. | ZnO thin films synthesized by chemical vapor deposition | |
| CN103996606A (en) | High-uniformity AlN film growing on sapphire substrate and preparing method and application of high-uniformity AlN film | |
| JP2008282881A (en) | Ultraviolet sensor and manufacturing method thereof | |
| UA21939U (en) | Production method for film gan on gaas porous layer | |
| KR101897494B1 (en) | Preparation Method for Gallium Oxynitride Thin Film | |
| CN114899258B (en) | Nonpolar AlGaN-based deep ultraviolet photoelectric detector epitaxial structure and preparation method thereof | |
| JP2002029896A (en) | Crystal growth method for nitride semiconductor | |
| JP6155118B2 (en) | P-type ZnO-based semiconductor layer manufacturing method, ZnO-based semiconductor element manufacturing method, and n-type ZnO-based semiconductor multilayer structure | |
| JPWO2017164036A1 (en) | Method for producing group III nitride laminate | |
| US20160027656A1 (en) | Defect free single crystal thin layer | |
| KR20110003346A (en) | Method for producing a single crystal single crystal wafer, a freestanding single crystal single crystal wafer obtained by the same, and a method for producing a single crystal magnesium-containing mixed crystal single crystal wafer containing Mg-containing nanocrystal single crystal wafer used therein | |
| CN112695380A (en) | Preparation method and application of novel transparent conductive oxide film | |
| JP2003264201A (en) | ZnO crystal growth method, ZnO crystal structure, and semiconductor device using the same | |
| CN203895487U (en) | High-uniformity AlN thin film grown on sapphire substrate | |
| CN114121596B (en) | A method for changing the orientation of a growing film | |
| CN1308715C (en) | Preparation method of ytterbium-gadolinium-gallium-doped garnet planar optical waveguide | |
| Perumal et al. | Investigation on Structural, Optical and Electrical Properties of Pure and Nitrogen-Doped Zinc Oxide Films on Gallium Nitride Substrates: A Template-Assisted Physical Evaporation Approach |