TWM481093U - 可調整尖端高度之化學機械研磨修整器 - Google Patents
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Description
本創作係關於一種可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，尤指一種可針對個別研磨顆粒進行尖端方向、尖端高度或切削刃角進行調整之化學機械研磨修整器。
化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)係為各種產業中常見之研磨製程。利用化學研磨製程可研磨各種物品的表面，包括陶瓷、矽、玻璃、石英、或金屬的晶片等。此外，隨著積體電路發展迅速，因化學機械研磨可達到大面積平坦化之目的，故為半導體製程中常見的晶圓平坦化技術之一。尤有甚者，隨著電晶體的體積縮小化，化學機械研磨的加工次數也隨之增加，例如，在28奈米線寬的製程中，化學機械研磨的加工次數即可能高達至三十次。
目前半導體工業每年花費超過十億美元製造必須具有非常平坦且光滑表面之矽晶圓。已有許多的技術用以製造光滑且具平坦表面之矽晶圓。其中最常見的製程稱為化學機械研磨(CMP)，其包括一結合研磨液之研磨墊的使用。在所有CMP製程中最重要的是於研磨晶圓的均勻度、IC線
路的光滑性、產率之移除速率、CMP消耗品壽命等方面，使化學機械研磨可以實現最高性能的程度。
在半導體之化學機械研磨過程中，係利用研磨墊(Pad)對晶圓(或其它半導體元件)接觸，並視需要搭配使用研磨液，使研磨墊透過化學反應與物理機械力以移除晶圓表面之雜質或不平坦結構；當研磨墊使用一定時間後，由於研磨過程所產生的研磨屑積滯於研磨墊之表面而造成研磨效果及效率降低，因此，可利用修整器(conditioner)對研磨墊表面磨修，使研磨墊之表面再度粗糙化，並維持在最佳的研磨狀態。
已知技術中，如本案申請人所提出的中華民國專利公告號第562719號，係揭示一種能個別調整磨粒的修整盤，其係將每一顆獨立的磨粒分別以焊材焊在一根金屬桿桿頂端面上，並將焊好的金屬桿分別插入金屬盤的特定位置銷孔內，再將金屬盤反扣在一平板上，以平板控制各磨粒的頂點高度，最後以粘結材料把金屬桿粘固在金屬盤上，以製成一磨粒分佈位置精確且磨粒高度均一之高精密度修整盤者。
此外，另一已知技術的中華民國專利公告號第I228066號，係提供可調整研磨布用修整器之修整面的狀態，即使磨石顆粒的前端形狀等造成修整面的狀態發生個體差，仍能創出均一的研磨布表面，而且能將適於被加工物的研磨性能施加到研磨布表面之研磨布用修整器及其使用之研磨布的修整方法，所以上述的修整器係針對在金屬台的周緣部備有環狀的修整面之研磨布用修整器，經由在該修整面分別交
互地並排設置由相互地不同之粒度的磨石顆粒所組成之第1、第2磨石顆粒群，在上述金屬台設置可任意地調節包含這些各磨石顆粒群中粒度最大的磨石顆粒的前端之基準面S1、S2間的高低差δ之調節機構所構成。
習知之化學機械研磨修整器大多先將基板設計成不同的突出高度或凹槽深度，再固定研磨顆粒，但由於基板及結合層在硬焊固定時都會產生熱應力及熱變形，使成型後的實際尖端高度及預期尖端高度造成誤差；此外，前述前案之化學機械研磨修整器雖有揭示利用金屬桿或調節機構將個別磨粒或磨石顆粒群固定於基板之凹槽內，該些前案僅將化學機械研磨修整器設計為等高度或兩種高低差，但實際上並無法對研磨顆粒及研磨性能進一步控制。有鑑於此，目前亟需要一種可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，除了先固定研磨顆料於金屬固定座，並藉由控制每一研磨顆粒之工作特性，以獲得最佳化之研磨性能。
本創作之主要目的係在提供一種可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，可控制每一研磨顆粒之尖端方向、尖端高度或切削刃角，以獲得最佳化之研磨性能。
為達成上述目的，本創作提供一種可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，包括：一基板；一結合層，該結合層設置於該基板上；以及複數個研磨基座，該些研磨基座藉由該結合層以固定於該基板上，且每一研磨基座表面設
置有一個或複數個研磨顆粒；其中，該基板可具有複數個凹槽或具有複數個貫穿孔，使該些研磨基座容置於該些凹槽或該些貫穿孔，且藉由該些研磨基座之突出高度或貫穿孔以控制該些研磨基座表面之該些研磨顆粒具有相同或不同的尖端高度。
於本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，該些研磨顆粒之尖端高度差可依據使用者需求或研磨加工條件而任意變化，其中，該些研磨顆粒可以為具有相同尖端高度，使化學機械研磨修整器呈現平坦化表面；或著，該些研磨顆粒可具有兩種或兩種以上的尖端高度，使化學機械研磨修整器呈現多層次高度表面；在本創作之一態樣中，該些研磨顆粒具有兩種尖端高度。此外，於本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，該些研磨顆粒之粒徑可依據使用者需求或研磨加工條件而任意變化，其中，該些研磨顆粒可具有相同或不同的粒徑，其中，在本創作之一態樣中，該些研磨顆粒具有相同的粒徑，使化學機械研磨修整器之該些研磨顆粒具有一致性的研磨性能；在本創作之一態樣中，該些研磨顆粒具有不同的粒徑，使化學機械研磨修整器之該些研磨顆粒具有變化性的研磨性能。
於本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，該些研磨顆粒具有兩種尖端高度，其中，該些研磨顆粒可具有第一尖端高度及第二尖端高度，且該些研磨顆粒之第一尖端高度及第二尖端高度之差異為20微米至100微米，在本創作之一態樣中，該些研磨顆粒之第一尖端高度及第二
尖端高度之差異為40微米至60微米。此外，於本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，該些研磨顆粒具有三種、四種、五種或六種尖端高度，使該些研磨顆粒更包括具有第三尖端高度、第四尖端高度、第五尖端高度及第六尖端高度。
於本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，每一研磨基座表面設置有一個或複數個研磨顆粒，其中，於本創作之一態樣中，每一研磨基座表面設置有一個研磨顆粒，該研磨顆粒可藉由一磨料結合層以固定於每一研磨基座，或者，每一研磨基座表面設置有複數個研磨顆粒，該些研磨顆粒可藉由該磨料結合層以固定於每一研磨基座。此外，於前述於本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，該些研磨顆粒可經表面加工處理，使該些研磨顆粒具有特定之切削刃角、晶形結構、尖端高度及尖端方向性，上述之各種參數可依使用者的需要或研磨加工條件的不同任意變化。不同於傳統化學機械研磨修整器，研磨性能受限於研磨顆粒(如，人造鑽石)的六八面體晶形之限制，本創之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中可設計具有特定外形之研磨顆粒，使該些研磨顆粒之研磨性能不再受限於六八面體之限制，進而使該些研磨顆粒之切削刃角可為30度至150度；在本創作之一態樣中，該研磨顆粒之切削刃角為60度；在本創作之另一態樣中，該研磨顆粒之切削刃角為90度。此外，於前述本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，該些研磨基座以同心圓之形狀排列或由中心向四周輻射
之形狀排列於結合層上。
於本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，該研磨顆粒之組成分或尺寸可依據研磨加工的條件及需求而任意變化，該些研磨顆粒可為人造鑽石、天然鑽石、多晶鑽石、或立方氮化硼；在本創作之一較佳態樣中，該些研磨顆粒為人造鑽石。另一方面，設置於研磨基座之該些研磨顆粒之粒徑係為30微米至2,000微米，於本創作之一態樣中，設置於研磨基座之該些研磨顆粒之粒徑為800微米。再者，該研磨基座可為圓柱外型或方柱等不同形狀，其外徑為3毫米至20毫米，因此，可依據研磨加工的條件或使用者的需求在研磨基座上設置單科研磨顆粒或多顆研磨顆粒。在本創作一態樣中，在4英吋之修整器基板上可設置含有60至70個具有單顆研磨顆粒之研磨基座；在本創作另一態樣中，在8英吋之修整器基板上可設置含有8至20個具有多顆研磨顆粒之研磨基座。
於本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，該結合層之組成分可依據研磨加工的條件及需求而任意變化，且該結合層之組成可為陶瓷材料、硬焊材料、電鍍材料、金屬材料、或高分子材料，本創作並未侷限於此。此外，於前述本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，該高分子材料可為環氧樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯酸樹脂、或酚醛樹脂；該硬焊材料可至少一選自由鐵、鈷、鎳、鉻、錳、矽、鋁、及其組合所組成之群組。於本創作之一態樣中，該結合層之組成較佳為環氧樹脂
於本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，該磨料結合層之組成分可依據研磨加工的條件及需求而任意變化，且該磨料結合層之組成可為陶瓷材料、硬焊材料、電鍍材料、金屬材料、或高分子材料，本創作並未侷限於此。此外，於前述本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，該高分子材料可為環氧樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯酸樹脂、或酚醛樹脂；該硬焊材料可至少一選自由鐵、鈷、鎳、鉻、錳、矽、鋁、及其組合所組成之群組。於本創作之一態樣中，該磨料結合層之組成較佳為鎳基金屬焊料。
於本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，該基板之材質及尺寸可依據研磨加工的條件及需求而任意變化，其中，該基板之材質可為不鏽鋼、模具鋼、金屬合金、陶瓷材料或高分子材料或其組合等，本創作並未侷限於此。在本創作之一較佳態樣中，該基板之材質可為不鏽鋼基板。
綜上所述，根據本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，可藉由控制每一研磨顆粒之工作特性，例如，尖端方向、尖端高度或切削刃角，以獲得最佳化之研磨性能。
1,2,3,4,5,6,7‧‧‧化學機械研磨修整器
10,20,30,40,50,60,70‧‧‧基板
11,21,31,41,51,61,71‧‧‧結合層
12,12’,22,32,42,52,62,62’,72‧‧‧研磨基座
13,13’,23,33,43,53,63,63’,73‧‧‧研磨顆粒
14,24,34,44,64,74‧‧‧凹槽
15,25,35,45,65,75‧‧‧貫穿孔
圖1A至圖1B係本創作實施例1之研磨基座之示意圖。
圖1C至圖1D係本創作實施例1之可調整尖端高度之化學機
械研磨修整器之示意圖。
圖2A至圖2B係本創作實施例2之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之示意圖。
圖3A至圖3B係本創作實施例3之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之示意圖。
圖4A至圖4B係本創作實施例4之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之示意圖。
圖5係本創作實施例3之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之剖面示意圖。
圖6A至圖6B係本創作實施例5之研磨基座之示意圖。
圖6C至圖6D係本創作實施例5之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之示意圖。
圖7A至圖7B係本創作實施例6之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之示意圖。
以下係藉由具體實施例說明本創作之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本創作之其他優點與功效。此外，本創作亦可藉由其他不同具體實施例加以施行或應用，在不悖離本創作之精神下進行各種修飾與變更。
實施例1
請參照圖1A至1C，圖1A至1B係本創作實施例1之研磨基座之示意圖，圖1C至1D係本創作實施例1之
可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之示意圖。請參照圖1A所示，首先提供一不鏽鋼材質之研磨基座12，該研磨基座12係為圓柱外型且其外徑為3毫米；其次，在該些研磨基座12上設置一個研磨顆粒13，該研磨顆粒13係藉由一硬焊材料之磨料結合層(圖未顯示)以固定於該研磨基座12上，其中，該些研磨顆粒13為粒徑800微米之人造鑽石顆粒。接著，請參照圖1B所示，可依據使用者需求或研磨加工條件的不同，將在研磨基座12’上之該研磨顆粒13’經由一表面加工處理，使該些研磨顆粒13’具有特定之切削刃角、晶形結構、尖端方向性及尖端高度，可依據使用者需求製作出複數個如上述的研磨基座12’。接著，請參照圖1C所示，提供一不鏽鋼材質之基板10，該基板10具有複數個凹槽14，或者，該基板10具有複數個貫穿孔15，如圖1D所示，並提供一環氧樹脂之結合層11，該結合層11係設置在該基板10上，如圖1C所示，或者，結合層11設置於貫穿孔15中，如圖1D所示；之後，將複數個研磨基座12容置於該些凹槽14或該些貫穿孔15中，並藉由該結合層11將該研磨基座12固定於基板10上以形成化學機械研磨修整器1。此外，藉由該些研磨基座12之突出高度或貫穿孔15以控制該些研磨基座12表面之該些研磨顆粒13具有相同的尖端高度。於本創作可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，在4英吋基板10上可設置60至70個具有單顆磨粒之研磨基座，而且該些研磨基座12以同心圓之形狀排列或由中心向四周輻射之形狀排列於結合層11上。
實施例2
實施例2與前述實施例1所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之製備大致相同，其不同之處在於，實施例1之該些研磨顆粒具有相同的尖端高度及相同的尖端方向性，實施例2之該些研磨顆粒具有相同的尖端高度及不同的尖端方向性。請參照圖2A及圖2B所示，首先提供不鏽鋼材質之研磨基座22，該研磨基座22係為圓柱外型且其外徑為3毫米；其次，在該研磨基座上22設置一個研磨顆粒23，該研磨顆粒23係藉由一硬焊材料之磨料結合層(圖未顯示)以固定於該研磨基座22上，其中，該些研磨顆粒23為粒徑800微米之人造鑽石顆粒。接著，將在研磨基座22上之該研磨顆粒23經由一表面加工處理，使該些研磨顆粒22具有不同的尖端方向性，可依據使用者需求製作出複數個如上述的研磨基座22。接著，提供一不鏽鋼材質之基板20，該基板20具有複數個凹槽24，如圖2A所示，或者，該基板20具有複數個貫穿孔25，如圖2B所示；並提供一環氧樹脂之結合層21，該結合層21係設置在該基板20上，如圖2A所示，或者，該結合層21係設置在貫穿孔25中，如圖2B所示；之後，將該些研磨基座22容置於該些凹槽24或該些貫穿孔25中，並藉由該結合層21將該研磨基座22固定於基板20上，以形成化學機械研磨修整器2。此外，藉由該些研磨基座12之突出高度以控制該些研磨基座12表面之該些研磨顆粒13具有相同的尖端高度。
實施例3
實施例3與前述實施例1所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之製備大致相同，其不同之處在於，實施例1之該些研磨顆粒具有相同的尖端高度，實施例3之該些研磨顆粒具有不相同的尖端高度。請參照圖3A及圖3B所示，係本創作實施例3之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之示意圖。本創作實施例3可依使用者需要或加工條件的不同，藉由該些研磨基座32之突出高度以控制該些研磨基座32表面之該些研磨顆粒33而具有不同的尖端高度，如圖3A所示，或者，藉由該些貫穿孔35以控制該些研磨基座32表面之該些研磨顆粒33而具有不同的尖端高度，如圖3A所示，並藉由該結合層31將該研磨基座32固定於基板30上以形成化學機械研磨修整器3，其中，該些研磨顆粒33可具有第一尖端高度及第二尖端高度，而且該些研磨顆粒33之第一尖端高度及第二尖端高度之差異為50微米。請參照圖5，係本創作實施例3之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之剖面示意圖。在圖5中，具有第一尖端高度之研磨顆粒53a以黑點表示，以及具有第二尖端高度之研磨顆粒53b以白點表示；此外，具有第一尖端高度之研磨顆粒53a與具有第二尖端高度之研磨顆粒43b之高度差異為50微米。本創作可根據使用者的需要挑選出所需使用的可調整尖端高度之化學機械研磨修整器3，以達到符合預期的研磨結果。
實施例4
實施例4與前述實施例1所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之製備大致相同，其不同之處在於，實施例1係該些研磨顆粒具有相同的尖端高度及尖端方向性，實施例4係該些研磨顆粒具有不相同的尖端高度及尖端方向性。請參照圖4A及4B所示，係本創作實施例4之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之示意圖。如圖4A及4B所示，將固定於研磨基座42上之該些研磨顆粒43經表面加工處理，使該些研磨顆粒43具有不同的尖端方向性，接著藉由該些研磨基座42之突出高度以控制該些研磨基座42表面之該些研磨顆粒43而具有不同的尖端高度，如圖4A所示，或者，藉由該些貫穿孔45以控制控制該些研磨基座42表面之該些研磨顆粒43而具有不同的尖端高度，如圖4B所示，並藉由該結合層41將該研磨基座42固定於基板40上以形成化學機械研磨修整器4；其中該些研磨顆粒43可具有第一尖端高度及第二尖端高度，而且該些研磨顆粒43之第一尖端高度及第二尖端高度之差異為50微米；此外，該些研磨顆粒更包括具有第三尖端高度及第四尖端高度，而且該些研磨顆粒之第三尖端高度及第四尖端高度之差異為80微米。
實施例5
實施例5與前述實施例1所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之製備大致相同，其不同之處在於，實施例1之該研磨基座表面設置有一個研磨顆粒，實施例5之該研磨基座表面設置有複數個研磨顆粒。請參照圖6A所
示，首先提供一不鏽鋼材質之研磨基座62，該研磨基座62係為圓柱外型且其外徑為該研磨基座62之外徑為10毫米；其次，在該些研磨基座上62設置一個研磨顆粒63，該研磨顆粒63係藉由一硬焊材料之磨料結合層(圖未顯示)以固定於該研磨基座62上，其中，該些研磨顆粒63為粒徑800微米之人造鑽石顆粒。接著，請參照圖6B所示，可依據使用者需求或研磨加工條件的不同，將在研磨基座62’上之該研磨顆粒63’經由一表面加工處理，使該些研磨顆粒63’具有特定之切削刃角、晶形結構、尖端方向性及尖端高度，可依據使用者需求製作出複數個如上述之研磨基座62’。接著，請參照圖6C及圖6D所示，提供一不鏽鋼材質之基板60，該基板60具有複數個凹槽64，如圖6C所示，或者，該基板60具有複數個貫穿孔65，如圖6D所示，並提供一環氧樹脂之結合層61，該結合層61係設置在該基板60上；之後，將複數個研磨基座62容置於該些凹槽64中，並藉由該結合層61將該研磨基座62固定於基板60上以形成化學機械研磨修整器6。此外，藉由該些研磨基座62之突出高度以控制該些研磨基座62表面之該些研磨顆粒63具有相同的尖端高度，如圖6C所示，或者，藉由貫穿孔65以控制該些研磨基座62表面之該些研磨顆粒63具有相同的尖端高度。於本創作可調整尖端高度之化學機械研磨修整器中，在8英吋基板20上可設置8至20個具有多顆磨粒之研磨基座。
實施例6
實施例6與前述實施例5所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器之製備大致相同，其不同之處在於，實施例5之該些研磨顆粒具有相同的尖端高度，實施例6之該些研磨顆粒不具有相同的尖端高度。如圖7A及圖7B所示，首先，將該些研磨顆粒73經表面加工處理，使該些研磨顆粒73具有特定的尖端方向性；其次，將該些研磨顆粒73藉由硬焊材料之磨料結合層(圖未顯示)以固定於該研磨基座72上；接者，提供具有複數個凹槽74之不鏽鋼材質之基板70，如圖7A所示，或者，提供具有複數個貫穿孔75之不鏽鋼材質之基板70，如圖7B所示，以及環氧樹脂之結合層71，其中，該結合層71係設置在該基板70上，如圖7A所示，或者，該結合層71系設置於該些貫穿孔75中，如圖7B所示；最後，將該些研磨基座72容置於該些凹槽74中，並藉由該結合層71將該研磨基座72固定於基板70上以形成可調整尖端高度之化學機械研磨修整器7；其中，該些研磨顆粒73可具有第一尖端高度及第二尖端高度，而且該些研磨顆粒73之第一尖端高度及第二尖端高度之差異為50微米。
綜上所述，本創作實施例所獲得的可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，可以作為各種不同研磨加工條件之應用。本創作之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，經由控制研磨顆粒方向、高度及切削刃角，而獲得最佳研磨效果之化學研磨修整器。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本創作所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非
僅限於上述實施例。
1‧‧‧化學機械研磨修整器
10‧‧‧基板
11‧‧‧結合層
12’‧‧‧研磨基座
13’‧‧‧研磨顆粒
15‧‧‧貫穿孔
Claims (17)
- 一種可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，包括：一基板；一結合層，該結合層係設置於該基板上；以及複數個研磨基座，該些研磨基座係藉由該結合層以固定於該基板上，且每一研磨基座表面設置有一個或複數個研磨顆粒；其中，該基板係具有複數個凹槽或具有複數個貫穿孔，使該些研磨基座容置於該些凹槽或該些貫穿孔，且藉由該些研磨基座之突出高度或該些貫穿孔以控制該些研磨基座表面之該些研磨顆粒具有相同或不同的尖端高度。
- 如申請專利範圍第1項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該些研磨顆粒係具有兩種或兩種以上的尖端高度。
- 如申請專利範圍第1項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該些研磨顆粒係具有相同或不同的粒徑。
- 如申請專利範圍第1項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該些研磨顆粒係具有第一尖端高度及第二尖端高度。
- 如申請專利範圍第4項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該些研磨顆粒之第一尖端高度及第二尖端高度之差異為20微米至100微米。
- 如申請專利範圍第4項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該些研磨顆粒之第一尖端高度及第二尖端高度之差異為40微米至60微米。
- 如申請專利範圍第4項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該些研磨顆粒更包括具有第三尖端高度、第四尖端高度、第五尖端高度以及第六尖端高度。
- 如申請專利範圍第1項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，每一研磨基座表面設置有一個研磨顆粒。
- 如申請專利範圍第1項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該研磨顆粒係藉由一磨料結合層以固定於每一研磨基座。
- 如申請專利範圍第1項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該些研磨基座以同心圓之形狀排列或由中心向四周輻射之形狀排列於結合層上。
- 如申請專利範圍第1項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該些研磨顆粒係為人造鑽石、天然鑽石、多晶鑽石、或立方氮化硼。
- 如申請專利範圍第1項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該些研磨顆粒之粒徑係為30微米至2,000微米。
- 如申請專利範圍第1項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該結合層之組成係為陶瓷材料、硬焊材料、電鍍材料、金屬材料、或高分子材料。
- 如申請專利範圍第8項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，該磨料結合層之組成係為陶瓷材料、硬焊材料、電鍍材料、金屬材料、或高分子材料。
- 如申請專利範圍第13或14項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該硬焊材料係至少一選自由鐵、鈷、鎳、鉻、錳、矽、鋁、及其組合所組成之群組。
- 如申請專利範圍第13或14項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該高分子材料係為環氧樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯酸樹脂、或酚醛樹脂。
- 如申請專利範圍第1項所述之可調整尖端高度之化學機械研磨修整器，其中，該基板係為不鏽鋼基板、模具鋼基板、金屬合金基板、陶瓷基板、高分子基板或其組合。
Priority Applications (1)
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| TW103202785U TWM481093U (zh) | 2014-02-18 | 2014-02-18 | 可調整尖端高度之化學機械研磨修整器 |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI593514B (zh) * | 2014-12-17 | 2017-08-01 | 中國砂輪企業股份有限公司 | 研磨工具及其製造方法 |
| TWI602651B (zh) * | 2016-08-18 | 2017-10-21 | 中國砂輪企業股份有限公司 | A Compound Chemical Mechanical Dresser |
| TWI609742B (zh) * | 2015-04-20 | 2018-01-01 | 中國砂輪企業股份有限公司 | 研磨工具 |
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2014
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