TWI780883B - 化學機械研磨墊修整器及其製法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種化學機械研磨墊修整器及其製法。該製法包括以下步驟：步驟(A)：提供磨粒原料，將該磨粒原料進行一篩選作業，以選出複數個形狀為六八面體的鑽石顆粒；步驟(B)：加熱該等形狀為六八面體的鑽石顆粒至一預定溫度，以得到複數個圓化的鑽石顆粒；其中，該預定溫度為800°C至1000°C；步驟(C)：提供一基材，該基材之表面具有一結合層；以及步驟(D)：將該等圓化的鑽石顆粒埋設於該結合層，且至少部分的該等圓化的鑽石顆粒突出於該結合層外表面，得到該化學機械研磨墊修整器。

Description

化學機械研磨墊修整器及其製法

本發明係有關於一種研磨工具及其製法，尤其是一種包含鑽石顆粒之化學機械研磨墊修整器。

於半導體製程中，化學機械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)是令晶圓上的介電層或導電層達到全域大面積平坦化最有效且最常見的方式，而研磨墊(又可稱拋光墊)是執行CMP最主要的配件。藉由研磨墊對晶圓表面的接觸且同時施加研磨漿料(CMP slurry)給研磨墊，使研磨墊和研磨漿料透過化學腐蝕與機械移除的作用來移除晶圓表面之雜質或不平坦結構。當研磨墊使用一段時間後，由於研磨過程所產生的研磨碎屑積滯於研磨墊表面，且會使研磨墊表面釉化(glazing)，導致研磨效果及效率降低，因此，業者常會利用化學機械研磨墊修整器(polishing pad conditioner)修整研磨墊的表面，回復研磨墊表面的粗糙度，以維持研磨品質。

為了使研磨墊表面粗糙化，化學機械研磨墊修整器需具有一設置於基材上的結合層，以及複數研磨顆粒(例如鑽石顆粒)埋設於該結合層；其中，該等研磨顆粒具有突出於該結合層外表面的尖點，而所述突出於該結合層外表面的尖點形成一平坦表面。而這些突出於該結合層外表面的尖點在壓抵研磨墊時，可移除研磨墊表面的碎屑。然而，化學機械研磨墊修整器的研磨動作不易控制，常使所述研磨墊產生許多大小不一的研磨墊碎屑，尤其是大碎屑恐造成研磨墊的消耗量變快或阻塞研磨液的流動，無法確保得到預期的修整效果；甚至，若大片的研磨墊碎屑未完全被清除，大片的研磨墊碎屑容易使研磨墊表面產生多個微小突起，這些微小突起還會增加後續研磨墊對晶圓作用(即研磨拋光)時刮傷晶圓的風險。

有鑑於上述化學機械研磨墊修整器的缺陷，本發明之目的在於提供一種化學機械研磨墊修整器之製法，其所製得的化學機械研磨墊修整器可減少、甚至避免於修整研磨墊時使研磨墊產生大碎屑的情形，進而降低以前述化學機械研磨墊修整器進行修整時，被修整的研磨墊消耗量變快或阻塞研磨液流動的風險，確保得到預期的修整效果，並降低由該化學機械研磨墊修整器修整後的研磨墊對晶圓作用時刮傷晶圓的風險。

本發明之另一目的在於提供一種化學機械研磨墊修整器的製法，其不須限定化學機械研磨墊修整器的規格或研磨顆粒的排列方式，故具有製程簡單的優點。

為達成前述目的，本發明提供一種化學機械研磨墊修整器的製法，其包括步驟(A)至步驟(D)。步驟(A)：提供磨粒原料，將該磨粒原料進行一篩選作業，以選出複數個形狀為六八面體(hexoctahedron)的鑽石顆粒；步驟(B)：加熱該等形狀為六八面體的鑽石顆粒至一預定溫度，以得到複數個圓化的鑽石顆粒；其中，該預定溫度為800°C至1000°C；步驟(C)：提供一基材，該基材之表面具有一結合層；以及，步驟(D)：將該等圓化的鑽石顆粒埋設於該結合層，且至少部分的該等圓化的鑽石顆粒突出於該結合層外表面，得到該化學機械研磨墊修整器。

本發明藉由先篩選出具有特定形態的鑽石顆粒作為研磨顆粒的候選者，再使所述篩選出來的鑽石顆粒於特定溫度範圍下進行加熱處理步驟，使得前述鑽石顆粒原先加熱前的銳利稜線經加熱後變得圓弧化，即獲得圓化的鑽石顆粒。該等圓化的鑽石顆粒於晶面交界處不易碎裂且因加熱處理而硬度下降的幅度小於經過同樣加熱處理但未圓化的鑽石顆粒，故能保持適當的銳利度及提高耐磨耗性，進而使包含其的化學機械研磨墊修整器於修整研磨墊時，得以減少、甚至避免所述研磨墊因化學機械研磨墊修整器的研磨顆粒破裂及大尺寸碎屑的產生，同時降低化學機械研磨墊修整器於修整研磨墊時，阻塞研磨液的流動之風險，確保得到預期的修整效果，從而提高了研磨製程的整體經濟效益。

依據本發明，該磨粒原料可為天然鑽石、人造鑽石或聚晶鑽石(polycrystalline diamond，PCD)等，但不限於此。前述鑽石作為磨粒原料時，前述鑽石的形狀除了六八面體之外，還可包括六面體、八面體、菱形十二面體、四六面體(tetrahexahedron)、三角八面體、四角三八面體、截角八面體等，但不限於此。

依據本發明，於該步驟(A)中，該等形狀為六八面體的鑽石顆粒具有費雷特比(Feret Ratio)大於0.80。費雷特比為最短之費雷特直徑(Feret diameter)與最長之費雷特直徑的比值；所述費雷特直徑被定義為兩個平行平面間的距離，這兩個平行面需要卡住物體(如前述鑽石顆粒)，並垂直於指定的方向，亦可稱為卡尺距離。。

較佳的，於該步驟(A)中，該等形狀為六八面體的鑽石顆粒的平均粒徑為40微米(μm)至1500 μm，但不限於此。更佳的，於該步驟(A)中，該等形狀為六八面體的鑽石顆粒的平均粒徑為 60μm至1200 μm。

較佳的，該化學機械研磨墊修整器的製法可更包括一步驟(M)於該步驟(A)和步驟(B)之間；步驟(M)：將該等形狀為六八面體的鑽石顆粒進行一球磨處理(ball milling)。經球磨處理後之形狀為六八面體的鑽石顆粒具有的費雷特比大於未經球磨處理的形狀為六八面體的鑽石顆粒的費雷特比。

依據本發明，對於加熱該等形狀為六八面體的鑽石顆粒之環境並無特別限制，舉例而言，該步驟(B)可於大氣環境、氧氣氣氛環境、氮氣氣氛環境或惰性氣氛環境中進行加熱。較佳的，該步驟(B)係於大氣環境中進行。

較佳的，於該步驟(B)中，加熱時間為4小時至18小時。所述加熱時間包含升溫時間和持溫時間。

在一些實施態樣中，於該步驟(B)中，加熱方式可採取一段式升溫法，即以相同的升溫速率加熱至該預定溫度，舉例而言，可固定以1°C/分鐘至7°C/分鐘的升溫速率從室溫加熱至該預定溫度；或者，在另一些實施態樣中，於該步驟(B)中，加熱方式可採取多段式升溫法，即分階段於不同溫度區間下以相異的升溫速率加熱至該預定溫度，舉例而言，當該多段式升溫法為二段式升溫法時，其包含第一升溫階段和第二升溫階段；其中，該第一升溫階段係以3°C/分鐘至7°C/分鐘的升溫速率加熱至300°C，該第二升溫階段即從300°C起，改以1°C/分鐘至3°C/分鐘的升溫速率加熱至該預定溫度。為了使該等形狀為六八面體的鑽石顆粒受熱更均勻，較佳的，於該步驟(B)中係以包含多段式升溫法的加熱方式加熱該等形狀為六八面體的鑽石顆粒至該預定溫度。在又一些實施態樣中，於該步驟(B)中，加熱方式可採取持溫法，即待加熱至該預定溫度後，再讓該等形狀為六八面體的鑽石顆粒於該預定溫度下被加熱。

較佳的，於該步驟(B)中，所述加熱方式可同時結合多段式升溫法和持溫法。具體而言，所述加熱方式係先以多段式升溫法加熱至該預定溫度後，再於該預定溫度下持續5分鐘至30分鐘加熱該等形狀為六八面體的鑽石顆粒。

在一些實施態樣中，於該步驟(B)中，該預定溫度可以是大於或等於855°C且小於900°C；在另一些實施態樣中，於該步驟(B)中，該預定溫度可以是大於900°C且小於950°C；或者，又另一些實施態樣中，於該步驟(B)中，該預定溫度可以是大於950°C且小於或等於1000°C；又或者，再另一些實施態樣中，於該步驟(B)中，該預定溫度可以是大於800°C且小於850°C。

較佳的，於該步驟(B)中，該等圓化的鑽石顆粒的平均粒徑為30 μm至1150 μm，但不限於此。較佳的，於該步驟(B)中，該等圓化的鑽石顆粒具有費雷特比大於0.84。

依據本發明，該基材的材料可包含金屬或樹脂，但不限於此。舉例而言，所述金屬可包括不銹鋼；所述樹脂可包括三聚氰胺-甲醛樹脂(Melamine resins)、丙烯酸系樹脂(acrylate resins)、醇酸樹脂(alkyd resins)、聚酯樹脂(polyester resins)、反應性氨基樹脂(reactive urethane resins)、酚醛樹脂(phenolic resins)、酚醛/乳膠樹脂(phenolic/latex resins)、環氧樹脂(epoxy resins)、異氰酸樹脂(isocyanate resins)、異氰酸酯樹脂(isocyanurate resins)、聚矽氧烷樹脂(polysiloxane resins)、反應性乙烯基樹脂(reactive vinyl resins)、聚乙烯樹脂(polyethylene resins)、聚丙烯樹脂(polypropylene resins)、聚苯乙烯樹脂(polystyrene resins，PS resins)、苯氧基樹脂(phenoxy resins)、聚碸樹脂(polysulfone resins)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂(acrylonitrile-butadiene-styrene resins，ABS resins)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate resins)、聚亞醯胺(polyimide resins)或任一組合。

依據本發明，該結合層的材料包含高分子樹脂、金屬或陶瓷，或其他可使該等圓化的鑽石顆粒與基材具有足夠結合力之結合材料所形成。所述高分子樹脂可為一種經由適當的加熱烘烤或紫外光(UV)照射即可固化之熱固化樹脂或光固化性樹脂，也可以是一種在室溫下即可固化的常溫固化性樹脂。而包含金屬之結合層則可為採用電鍍、焊接或燒結的方式將金屬形成結合層，例如金屬電鍍層可以是利用電鍍鎳(或其他金屬)將該等圓化的鑽石顆粒底部包覆固定於基材上；金屬焊料則是利用高溫真空爐硬焊法，使金屬焊料(通常為鎳鉻合金)熔融而將該等圓化的鑽石顆粒焊接於金屬基材上；亦可利用金屬粉末經由高溫燒結以固定該等圓化的鑽石顆粒。也就是說，該等圓化的鑽石顆粒係以固化法、電鍍法、硬銲法或燒結法設置於該結合層上。

本發明之另一目的在於提供一種由前述化學機械研磨墊修整器的製法所製得的化學機械研磨墊修整器；該化學機械研磨墊修整器包括：一基材、一結合層及複數個圓化的鑽石顆粒，該結合層設置於該基材上，該等圓化的鑽石顆粒埋設於該結合層，且至少部分的該等圓化的鑽石顆粒突出於該結合層外表面。所述化學機械研磨墊修整器能減少、甚至避免於修整研磨墊時使研磨墊產生大碎屑的情形，進而降低阻塞研磨液的流動之風險，且減少由該化學機械研磨墊修整器修整研磨墊後，使研磨墊的表面產生多個微小突起，不僅可以確保得到預期的修整效果，還能得以降低前述研磨墊於後續對晶圓作用時刮傷晶圓的風險。

依據本發明，該等圓化的鑽石顆粒於該結合層的排列方式可視需求選擇規則排列設置或不規則的隨機排列設置。舉例而言，所述規則排列可以是以環狀同心圓的方式設置，或陣列的方式設置，但不限於此。

在下文中，本領域技術人員可從以下實施例很輕易地理解本發明所能達到的優點及效果。因此，應當理解本文提出的敘述僅僅用於說明優選的實施方式而不是用於侷限本發明的範圍，在不悖離本發明的精神和範圍的情況下，可以進行各種修飾、變更以便實施或應用本發明之內容。

參考例之化學機械 研磨墊修整器

提供一市售的化學機械研磨墊修整器：商品型號：DiaGrid ^R，KINIK公司製造。所述參考例之化學機械研磨墊修整器所包含的人造鑽石顆粒並未先經過本發明之篩選及加熱處理步驟，且參考例之化學機械研磨墊修整器包含的該等人造鑽石顆粒的費雷特比為0.78。

實施例 1 之化學機械 研磨墊修整器之製法

首先，提供磨粒原料。對前述磨粒原料進行一篩選作業，從中選出複數個形狀為六八面體的人造鑽石顆粒，該等形狀為六八面體的人造鑽石顆粒具有105 μm之平均粒徑，且該等形狀為六八面體的人造鑽石顆粒的費雷特比為0.84。

其次，於常壓的大氣環境中，對該等形狀為六八面體的人造鑽石顆粒進行加熱處理：將該等形狀為六八面體的人造鑽石顆粒置於一鍋爐中，先以5°C/分鐘的升溫速率從室溫加熱至300°C，接著，再從300°C起，改以2°C/分鐘升溫速率加熱至900°C；然後，在900°C的溫度下，持續對該等形狀為六八面體的人造鑽石顆粒加熱15分鐘，也就是說，對該等形狀為六八面體的人造鑽石顆粒進行加熱的總加熱時間共約6小時。待完成加熱處理後，再自然降溫至室溫。該等形狀為六八面體的人造鑽石顆粒原本加熱前所具有的銳利的稜線、稜角分明的輪廓，經加熱後已轉變成具有圓潤輪廓的圓化的人造鑽石顆粒。該等圓化的人造鑽石顆粒具有95 μm之平均粒徑，且該等形狀為六八面體的人造鑽石顆粒的費雷特比為0.86。

接下來，提供一金屬基材，該基材之表面具有一由結合材料形成的結合材料層。其中，該結合材料層係焊料金屬所形成的厚度均一之薄皮金屬層。

隨後，將該等圓化的人造鑽石顆粒透過模板導入、埋設於該結合材料層，且至少部分的該等圓化的人造鑽石顆粒突出於該結合材料層外表面；接著，再以1006°C的溫度硬焊該結合材料層以形成結合層，使該等圓化的人造鑽石顆粒得以牢固地與結合層附著，最終得到該化學機械研磨墊修整器。該化學機械研磨墊修整器包括一金屬基材、一結合層及複數個圓化的人造鑽石顆粒，該結合層設置於該基材上，該等圓化的人造鑽石顆粒埋設於該結合層，且至少部分的該等圓化的人造鑽石顆粒突出於該結合層外表面。本實施例與參考例之化學機械研磨墊修整器主要差異僅在於使用的人造鑽石顆粒是否有先篩選出特定形狀及費雷特比，以及是否進行加熱處理步驟，至於其他技術特徵，例如金屬基材和結合層各自包含的材料種類、金屬基材和結合層各自的厚度、鑽石顆粒的數目和其排列方式、以及化學機械研磨墊修整器的外型尺寸皆相同。

《鑽石顆粒之型貌》

使用掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)觀察所述實施例1之化學機械研磨墊修整器所採用的圓化的人造鑽石顆粒、以及所述參考例之化學機械研磨墊修整器所採用的人造鑽石顆粒的外觀型貌。

在相同放大倍率後觀察條件下，請參閱圖1A至圖1D，其依序為實施例1中形狀為六八面體的人造鑽石顆粒於加熱前、加熱至800°C、加熱至850°C、再加熱至900°C之掃描式電子顯微鏡拍攝的照片。明顯地，這些篩選出的具有特定形態的鑽石顆粒於特定溫度範圍下進行加熱處理後，其原先具有的銳利稜線逐漸變得圓潤許多。而參考例之鑽石顆粒於加熱前的型貌則如圖2所示之掃描式電子顯微鏡拍攝的照片。

請參閱圖3A和圖3B，其依序為實施例1中圓化的人造鑽石顆粒在放大150倍下和放大1000倍下的SEM的影像，圖4則為參考例中的人造鑽石顆粒在放大150倍下的SEM的影像。很明顯的，經由本發明之步驟(A)的篩選作業和步驟(B)之加熱方式處理後所得的人造鑽石顆粒，原先銳利的稜線已圓弧化；相反的，參考例採用的人造鑽石因未經本發明之步驟(A)的篩選作業和步驟(B)之加熱方式處理，所以仍具有相當鋒銳的稜線。由此可見，形狀為六八面體的鑽石顆粒在經過800°C至900°C的溫度加熱後，其外型確實會發生圓化的現象。

《鑽石顆粒之費雷特比分析》

桌面掃描器：型號為CanoScan FS4000US

將欲量測的鑽石樣品取0.5克後，平均撒佈於所述桌面掃描器之量測載台上進行前述鑽石樣品的費雷特比分析，分析結果如下：

實施例1使用的加熱前之形狀為六八面體的人造鑽石顆粒的費雷特比為0.84。待完成加熱處理後，實施例1之圓化的鑽石顆粒的費雷特比為0.86。另外，參考例使用的鑽石顆粒的費雷特比為0.78。

《修整研磨墊所產生之碎屑的粒徑分析》

為確保分析的實驗意義，參考例和實施例1之化學機械研磨墊修整器以相同的研磨機台和研磨條件、對相同型號之研磨墊進行相同時間的修整作用，並且將被修整的研磨墊所產生的碎屑收集後，由相同的方法進行分析。

《碎屑之型貌》

使用SEM分別觀察以實施例1和參考例之化學機械研磨墊修整器修整後的研磨墊所產生的碎屑的外觀型貌。

請參閱圖5，其為使用實施例1之化學機械研磨墊修整器修整後的研磨墊所產生的碎屑在放大2000倍下的SEM的影像，請參閱圖6，其為使用參考例之化學機械研磨墊修整器修整後的研磨墊所產生的碎屑在放大1000倍下的SEM的影像。很明顯的，圖5中的碎屑呈現尺寸一致性高的現象，而圖6中的碎屑則呈現尺寸大小不均的現象，且於圖6中的碎屑尺寸明顯較大。

《碎屑之平均粒徑和粒徑分布分析》

以雷射奈米粒徑電位分析儀(製造商：馬爾文帕納科公司(Malvern Panalytical)；型號：Zetasizer Nano ZS90)分別分析使用實施例1和參考例之化學機械研磨墊修整器修整後的研磨墊所產生的碎屑之粒徑範圍和平均粒徑，並將分析結果列於表1。如表1的結果，相較於參考例，使用實施例1之化學機械研磨墊修整器修整後的研磨墊所產生的碎屑之平均粒徑明顯地小很多。由此可證，使用本發明所製得的化學機械研磨墊修整器確實可減少於修整研磨墊時使研磨墊產生大碎屑的情形。 表1 碎屑之粒徑範圍和平均粒徑的分析結果

	產生碎屑之粒徑範圍	產生碎屑之平均粒徑
實施例1	28 nm~190 nm	79 nm
參考例	164 nm~1990 nm	615 nm

與現有的化學機械研磨墊修整器相比，本發明的化學機械研磨墊修整器所採用的鑽石顆粒因先經過篩選作業再對其進行加熱處理，因此可得到輪廓圓潤的圓化的鑽石顆粒。由於該等圓化的鑽石顆粒於晶面交界處不易碎裂且因加熱處理而硬度下降的幅度小於經過同樣加熱處理但未圓化的鑽石顆粒，故能使作為活性研磨顆粒的該等圓化的鑽石顆粒具有適當的銳利度且具有更高的耐磨耗性，進而使包含其的化學機械研磨墊修整器於修整研磨墊時，得以減少、甚至避免研磨墊在被修整後產生尺寸不一的碎屑以及產生較大尺寸的碎屑，同時降低化學機械研磨墊修整器於修整研磨墊時，被修整的研磨墊消耗量變快或阻塞研磨液流動的風險，確保得到預期的修整效果，並降低由該化學機械研磨墊修整器修整後的研磨墊對晶圓作用時刮傷晶圓的風險。

另外，由於本發明的化學機械研磨墊修整器的製法，主要是對鑽石顆粒進行篩選和加熱的前處理，因此不會影響後續製備化學機械研磨墊修整器之佈鑽的排列方式或限定化學機械研磨墊修整器的規格，因此還具有製程簡單的優點。

儘管前述說明已闡述本發明的諸多特徵、優點及本發明的構成與特徵細節，然而這僅屬於示例性的說明。全部在本發明之申請專利範圍的一般涵義所表示範圍內，依據本發明原則所作的細節變化尤其是指形狀、尺寸和元件設置的改變，均仍屬於本發明的範圍內。

無

圖1A是實施例1之形狀為六八面體的鑽石顆粒於加熱前之掃描式電子顯微鏡拍攝的照片。 圖1B是實施例1之形狀為六八面體的鑽石顆粒於加熱至800°C之掃描式電子顯微鏡拍攝的照片。 圖1C是實施例1之形狀為六八面體的鑽石顆粒於加熱至850°C之掃描式電子顯微鏡拍攝的照片。 圖1D是實施例1之形狀為六八面體的鑽石顆粒於加熱至900°C之掃描式電子顯微鏡拍攝的照片。 圖2是參考例之鑽石顆粒於加熱前之掃描式電子顯微鏡拍攝的照片。 圖3A為實施例1之化學機械研磨墊修整器所包含的圓化的人造鑽石顆粒之掃描式電子顯微鏡拍攝的照片。 圖3B為圖3A的框選處之放大圖。 圖4為參考例之化學機械研磨墊修整器所包含的人造鑽石顆粒之掃描式電子顯微鏡拍攝的照片。 圖5為以實施例1之化學機械研磨墊修整器修整研磨墊後產生的碎屑之掃描式電子顯微鏡拍攝的照片。 圖6為以參考例之化學機械研磨墊修整器修整研磨墊後產生的碎屑之掃描式電子顯微鏡拍攝的照片。

無。

Claims (10)

1. 一種化學機械研磨墊修整器的製法，其包括以下步驟：步驟(A)：提供磨粒原料，將該磨粒原料進行一篩選作業，以選出複數個形狀為六八面體的鑽石顆粒；步驟(B)：加熱該等形狀為六八面體的鑽石顆粒至一預定溫度，以得到複數個圓化的鑽石顆粒；其中，該預定溫度為800℃至1000℃；步驟(C)：提供一基材，該基材之表面具有一結合層；以及步驟(D)：將該等圓化的鑽石顆粒埋設於該結合層，且至少部分的該等圓化的鑽石顆粒突出於該結合層外表面，得到該化學機械研磨墊修整器；其中，該化學機械研磨墊修整器的製法更包括一步驟(M)；該步驟(M)：於該步驟(A)和該步驟(B)之間，將該等形狀為六八面體的鑽石顆粒進行一球磨處理。
2. 如請求項1所述之化學機械研磨墊修整器的製法，其中，該步驟(B)係於大氣環境中進行。
3. 如請求項1所述之化學機械研磨墊修整器的製法，其中，於該步驟(B)中，加熱時間為4小時至18小時。
4. 如請求項1所述之化學機械研磨墊修整器的製法，其中，於該步驟(B)中，係以包含多段式升溫法的加熱方式加熱該等形狀為六八面體的鑽石顆粒至該預定溫度。
5. 如請求項4所述之化學機械研磨墊修整器的製法，其中，該多段式升溫法為二段式升溫法，該二段式升溫法包含第一升溫階段和第二升溫階段；其中，該第一升溫階段係以3℃/分鐘至7℃/分鐘的升溫速率加熱至300℃；該第二升溫階段係從300℃以1℃/分鐘至3℃/分鐘的升溫速率加熱至該預定溫度。
6. 如請求項4所述之化學機械研磨墊修整器的製法，其中，於該步驟(B)中，所述加熱方式更包含持溫法，該持溫法係於該預定溫度下持續5分鐘至30分鐘。
7. 如請求項1至6中任一項所述之化學機械研磨墊修整器的製法，其中，於該步驟(A)中，該等形狀為六八面體的鑽石顆粒的平均粒徑為40微米至1500微米。
8. 如請求項1至6中任一項所述之化學機械研磨墊修整器的製法，其中，於該步驟(B)中，該等圓化的鑽石顆粒的平均粒徑為30微米至1150微米。
9. 一種化學機械研磨墊修整器，其係由請求項1至8中任一項所述的化學機械研磨墊修整器的製法所製得；其中，該化學機械研磨墊修整器包括：一基材、一結合層及複數個圓化的鑽石顆粒，該結合層設置於該基材上，該等圓化的鑽石顆粒埋設於該結合層，且至少部分的該等圓化的鑽石顆粒突出於該結合層外表面。
10. 如請求項9所述之化學機械研磨墊修整器，其中，該基材的材料包含金屬；該結合層的材料包含高分子樹脂、金屬或陶瓷。

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