TWM460098U - 二氧化鈦光觸媒薄膜之結構 - Google Patents
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本創作揭示一種以二氧化鈦薄膜負載在載體上的結構，其係有奈米級二氧化鈦固體顆粒承載在載體上，二氧化鈦為橢圓球形顆粒，具有銳鈦礦結構。
所謂光觸媒，就是經過光的照射，可以促進化學反應的物質。目前可用來作為光觸媒的物質有二氧化鈦等氧化物，其中二氧化鈦因為具有強大的氧化能力，高化學穩定度，及無毒的特性，最常被使用來做為光觸媒的物質。光觸媒可用於處理空氣中低濃度的有害化學物質，本身不會釋出有害物質，因此是極佳的環境淨化用觸媒。光觸媒具有消臭、殺菌、抗菌、防汚和除去有害物質等功能。
二氧化鈦的結晶構造有正方晶系的金紅石(rutile)型、銳鈦礦(anatase)型及屬於斜方晶系的板鈦礦(brookite)型3種。其中只有銳鈦礦結構具光觸媒的效果。光催化處理程序之光分解機制是藉由紫外光或太陽光激發光觸媒，使觸媒產生電子與電洞，藉以氧化表面吸附之物質，進而將表面吸附之物質分解為小分子。以二氧化鈦為例，二氧化鈦吸收光產生電子及電洞，此電洞具有相當強之氧化能力，可以將吸
附在二氧化鈦表面之汚染物分子直接氧化使其分解，或者將吸附於物質表面之水分子氧化為氫氧自由基。原本大分子之汚染物，經由光觸媒反應將大分子裂解，達到將汚染物清除之目的。
光觸媒被廣泛地研究，並應用在環保、能源、殺菌、自我潔淨等方面。自1972年，Fujishima和Honda首次在Nature雜誌上發表TiO2經照光後會分解水產生H2及O2後，越來越多人投入TiO2光催化性質相關的研究，並致力於各種可能的改質方法，以提高TiO2光觸媒的效果。
二氧化鈦可以製作成粉體直接投入廢水中，也可以塗佈於基材表面，藉紫外光的照射加速分解水和空氣中的有機物質，但是會面臨如何回收粉體，及觸媒的表面積能否完全接受到紫外光的照射等問題。為了改善這些問題，將二氧化鈦做成薄膜，以提高二氧化鈦的暴露面積增加光催化效果，這樣不但能解決上述問題，同時更增加二氧化鈦光觸媒的用途。
為了製作二氧化鈦薄膜，近年來發展出幾種主要的製備方法。表面積大的基材，通常會採用化學氣相沈積法來製作薄膜，其原理利用化學反應，將氣體反應物在反應區域內生成固態物種，並進一步沈積於載體表面的一種製備技術，基材吸附力要強，並必須要有高溫設備，過程複雜。
中華民國專利申請號第9212203號揭示製備結晶型二氧化鈦光觸媒的合成方法，其係利用四氯化鈦或硫酸鈦經稀釋以氨水調整pH值，加入適當的氧化劑與無機酸，配合操作條件生成二氧化鈦光觸媒溶膠，此發明所製備的二氧化鈦為大顆粒，且為球型，其反應活性不高，且不易附著於載體形成薄膜。
中華民國專利申請號第96142648號，揭示一種不降低透明基材
可見光和日光穿透率的透明水基奈米溶膠凝膠塗料組成物及其塗佈方法，其係以沸石溶膠為主體，此沸石溶膠為以烷氧化物製備，其製程複雜。
中華民國專利申請號第95129291號為一種「低溫程序製備奈米薄膜的方法」，其係揭示使用二氧化鈦之方法，其製程複雜，且二氧化鈦為大顆圓球型，光觸媒活性不高。
中華民國專利申請號第92128954其揭示製備二氧化鈦奈米粉體之方法，其係以過氯酸等氧化物或無機酸，並加入改質劑及界面活性劑等來改質，此發明需使用改質劑與界面活性劑，方可使所製成的二氧化鈦穩定懸浮於水中，且此懸浮液為酸性，此發明所製備的二氧化鈦為大顆粒，且為球型，其反應活性不高，且不易附著於載體形成薄膜。
先前技藝均是使用圓球形二氧化鈦，且顆粒大，當薄膜由二氧化鈦圓球形組成時，其中間的空隙較大，且光觸媒活性較差。
本創作揭示一種以二氧化鈦薄膜負載在載體上，此二氧化鈦薄膜厚度為0.5毫米至1毫米之間，二氧化光觸媒薄膜的結構，其係有奈米級二氧化鈦固體顆粒承載在載體上，二氧化鈦為橢圓球形顆粒，具有銳鈦礦結構，此橢圓球形之長軸為10至15奈米，短軸為3至6奈米，此橢圓形球體比先前技藝所使用的圓球形二氧化鈦的活性高。二氧化鈦顆粒為橢圓形時，其中間的空隙較少，因此單位體積內二氧化鈦的量增加，而且二氧化鈦為橢圓形球體時，其光觸媒活性會增加。此橢圓形球體比先前技藝所使用的
圓球形二氧化鈦的活性高，此二氧化鈦薄膜在載體上具有超親水性，並具有強的去汚與自潔的功效。以日光燈、紫外光燈或太陽光照射，具高的活性。
1‧‧‧為載體
2‧‧‧為二氧化鈦薄膜
圖一為二氧化鈦薄膜在載體上之結構。
圖二為二氧化鈦薄膜結構。二氧化鈦為橢圓球型之顆粒，具有
銳鈦礦結構，此橢圓球形之長軸為10至15奈米，短軸為3至6奈米。
請參閱第1圖及第2圖，本創作係提供一種二氧化鈦薄膜在載體上之結構，二氧化鈦薄膜係有奈米級二氧化鈦固體顆粒承載在載體上，二氧化鈦為橢圓球型之顆粒，具有銳鈦礦結構，此橢圓球形之長軸為10至15奈米，短軸為3至6奈米。此二氧化鈦薄膜在載體上具有超親水性，並具有強的去汚與自潔的功效。以日光燈、紫外光燈或太陽光照射，具高的活性。
2‧‧‧二氧化鈦薄膜
Claims (2)
- 一種二氧化鈦光觸媒結構，係將二氧化鈦薄膜負載在載體上，此二氧化鈦薄膜厚度為0.5毫米至1毫米之間，二氧化鈦光觸媒薄膜的結構，其係有奈米級二氧化鈦固體顆粒承載在載體上，二氧化鈦為橢圓球形顆粒，具有銳鈦礦結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之光觸媒結構，其中二氧化鈦之橢圓球形之長軸為10至15奈米，短軸為3至6奈米。
Priority Applications (3)
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Applications Claiming Priority (1)
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| TW102205694U TWM460098U (zh) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | 二氧化鈦光觸媒薄膜之結構 |
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Family Applications (1)
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2014
- 2014-03-25 JP JP2014001487U patent/JP3192242U/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JP3192242U (ja) | 2014-08-07 |
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