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TWI867144B - 浸潤式光刻系統及其使用方法及晶圓台 - Google Patents

浸潤式光刻系統及其使用方法及晶圓台 Download PDF

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TWI867144B
TWI867144B TW110101154A TW110101154A TWI867144B TW I867144 B TWI867144 B TW I867144B TW 110101154 A TW110101154 A TW 110101154A TW 110101154 A TW110101154 A TW 110101154A TW I867144 B TWI867144 B TW I867144B
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wafer
particle capture
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wafer stage
capture region
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李永堯
林韋志
林志建
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台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

浸潤式光刻系統包括浸潤罩，其中浸潤罩包括透鏡系統。浸潤式光刻系統進一步包括晶圓台，其中晶圓台可相對於浸潤罩移動，並且晶圓台包括用於容納晶圓的區域。浸潤式光刻系統進一步包括第一粒子捕獲區域，第一粒子捕獲區域位於晶圓台上且位於用於容納晶圓的區域外，其中第一粒子捕獲區域包括矽、氮氧化矽或光阻劑材料。

Description

浸潤式光刻系統及其使用方法及晶圓台
本揭露係關於一種浸潤式光刻系統、一種浸潤式光刻系統的使用方法及一種晶圓台。
隨著技術節點的縮小，半導體裝置中的元件之間的鄰近度增加。光刻系統用於將圖案自光罩轉移至晶圓，以便定義半導體裝置中的元件的位置。光刻系統將光束引導至光罩，以便將來自光罩的圖案給予光束。然後將光束引導至晶圓，以便例如使用光阻劑材料將圖案轉移至晶圓。
浸潤式光刻用於將圖案自光罩轉移至晶圓，以獲得線間距為90奈米(nm)或更小的圖案。浸潤式光刻在透鏡系統與晶圓之間使用浸潤液，以減小透鏡系統與晶圓之間的折射率變化量。減小折射率變化量有助於避免用於圖案化晶圓的光折射或彎曲。結果，提高了晶圓圖案化的精度，從而允許將圖案轉移至具有高元素密度的晶圓上。
根據本揭露一實施例，一種浸潤式光刻系統的使用方法包括：藉由在平行於晶圓台的頂面的平面中移動晶圓台以校準浸潤罩；移動晶圓台，以將浸潤罩設置於晶圓台上的粒子捕獲區域上；移動晶圓台，以在粒子捕獲區域上定義二維選路軌跡以及在粒子捕獲區域上定義了二維選路軌跡後，移動晶圓台以將浸潤罩設置於晶圓台上的晶圓上。
根據本揭露一實施例，一種浸潤式光刻系統包含浸潤罩、晶圓台以及第一粒子捕獲區域。浸潤罩包含透鏡系統。晶圓台相對於浸潤罩移動，並且晶圓台包含用於容納晶圓的區域。第一粒子捕獲區域位於晶圓台上且位於用於容納晶圓的區域外，且在平行於晶圓台的頂面的一方向上。其中第一粒子捕獲區域包含矽、氮氧化矽或光阻劑材料，且第一粒子捕獲區域未圍繞晶圓台。
根據本揭露一實施例，一種晶圓台包含區域、第一感測器、第二感測器以及第一粒子捕獲區域。區域用於容納晶圓。第一感測器位於用於容納晶圓的區域外。第二感測器位於用於容納晶圓的區域外，其中第二感測器隔開第一感測器。第一粒子捕獲區域位於用於容納晶圓的區域外，其中第一粒子捕獲區域與其他所有粒子捕獲區域是不連續的，第一粒子捕獲區域均隔開第一感測器與第二感測器。第一粒子捕獲區域在平行於晶圓台的頂面的一第一方向上的尺寸至少為26毫米，第一粒子捕獲區域在平行於晶圓台 的頂面的一第二方向上的尺寸至少為33毫米，並且第二方向垂直於第一方向。
100:浸潤式光刻系統
110:晶圓台
112:晶圓
115:頂面
120:浸潤罩
125:透鏡系統
132:浸潤液輸入埠
134:浸潤液輸出埠
136:孔
138:孔
140:浸潤液
150:吸回線
152:吸回線
154:吸回線
156:排水管
160:縫隙
200A:晶圓台
200B:晶圓台
200C:晶圓台
210:感測器
220:感測器
230:感測器
240:粒子捕獲區域
240’:粒子捕獲區域
240”:粒子捕獲區域
300A:選路路徑
300B:選路路徑
300C:選路路徑
300D:選路路徑
300E:選路路徑
300F:選路路徑
310A:軌跡
310B:軌跡
310C:軌跡
310D:軌跡
310E:軌跡
310F:軌跡
400:系統
410:控制器
420:浸潤罩
430:晶圓台馬達
440:浸潤液流量馬達
500:方法
510:操作
520:操作
530:操作
540:操作
550:操作
600:控制器
602:處理器
604:媒體
606:電腦程式碼
607:指令
608:匯流排
610:I/O介面
612:網路介面
614:網路
616:流動速率
618:壓力
620:台位置
622:罩位置
X:尺寸
X’:尺寸
X”:尺寸
Y:尺寸
Y”:尺寸
當結合隨附諸圖閱讀時，得自以下詳細描述最佳地理解本揭露之各種態樣。應強調，根據工業上之標準實務，各種特徵並未按比例繪製且僅用於說明目的。事實上，為了論述清楚，可任意地增大或減小各種特徵之尺寸。
第1圖為根據一些實施例之浸潤式光刻系統的剖面圖。
第2A圖至第2C圖為根據一些實施例之晶圓台的上視圖。
第3A圖至第3F圖為根據一些實施例之沿粒子捕獲區域的選路路徑的上視圖。
第4圖為根據一些實施例之用於控制浸潤式光刻系統的系統示意圖。
第5圖為根據一些實施例之使用浸潤式光刻系統的方法流程圖。
第6圖為根據一些實施例之用於控制浸潤式光刻系統的控制器示意圖。
以下揭示之實施例內容提供了用於實施所提供的標的之不同特徵的許複數不同實施例，或實例。下文描述了元件和佈置之特定實例以簡化本案。當然，該等實例僅 為實例且並不意欲作為限制。例如，在以下描述中之第一特徵在第二特徵之上或上方之形式可包含其中第一特徵與第二特徵直接接觸形成之實施例，且亦可包含其中可於第一特徵與第二特徵之間形成額外特徵，以使得第一特徵與第二特徵可不直接接觸之實施例。此外，本案可在各個實例中重複元件符號及/或字母。此重複係用於簡便和清晰的目的，且其本身不指定所論述的各個實施例及/或配置之間的關係。
此外，諸如「在……下方」、「在……之下」、「下部」、「在……之上」、「上部」等等空間相對術語可在本文中為了便於描述之目的而使用，以描述如附圖中所示之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。空間相對術語意欲涵蓋除了附圖中所示的定向之外的在使用或操作中的裝置的不同定向。裝置可經其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)並且本文所使用的空間相對描述詞可同樣相應地解釋。
由於使用浸潤液，浸潤式光刻系統能夠可靠地轉移具有90奈米(nm)或更小的間距密度的圖案。間距密度為圖案中相鄰元素之間的間距。然而，浸潤液亦易於將存在於晶圓臺上的粒子輸送至晶圓上方。晶圓上的粒子會增加對晶圓各部分進行不正確圖案化的風險。晶圓上未正確圖案化的部分更有可能導致成品中的不可操作裝置。
晶圓圖案化製程涉及透鏡系統與晶圓之間的相對運動。在一些實施例中，透鏡系統可相對於晶圓移動。在 一些實施例中，晶圓可相對於透鏡系統移動。在一些實施例中，透鏡系統及晶圓均為可移動的。由浸潤液輸送的粒子傾向於累積在晶圓上的首先定位透鏡系統與晶圓重疊的位置上，亦即，通過在晶圓上方移動透鏡系統或在透鏡系統下方移動晶圓。粒子在該位置處累積的原因是由於支撐晶圓的晶圓台與圖案化的晶圓表面之間的表面性質變化。在某些情況下，晶圓台的表面具有親水特性。在某些情況下，圖案化的晶圓表面具有疏水特性。在某些情況下，浸潤液中含有水。由於表面性質變化，在透鏡系統最初與晶圓重疊的位置處，粒子具有由浸潤液輸送至晶圓的趨勢。粒子阻礙或散射來自浸潤式光刻系統的光，此舉增加了在其上具有粒子的晶圓部分中製造錯誤的風險。
為了減少或消除輸送至晶圓的粒子，當前描述包括晶圓台上的粒子捕獲區域。使透鏡系統與粒子捕獲區域重疊，並在與晶圓重疊之前沿著粒子捕獲區域穿過選路路徑。粒子捕獲區域具有類似於晶圓的表面性質。結果，由浸潤液輸送的粒子收集在粒子捕獲區域上。通過在粒子捕獲區域上捕獲粒子，減少了或完全避免了隨後輸送至晶圓的粒子數量。與其它方法相比，在晶圓圖案化期間晶圓上減少的粒子數量改善了使用包括粒子捕獲區域的浸潤式光刻系統的製程的生產率。
第1圖為根據一些實施例的浸潤式光刻系統100的剖面圖。浸潤式光刻系統100包括用以支撐晶圓112的晶圓台110。在一些實施例中，晶圓台110可在平行於晶 圓台110的頂面115的平面中移動。浸潤罩120在晶圓台110上方。浸潤罩120包括透鏡系統125，用以將來自光罩(未示出)的光束引導至晶圓112，以使晶圓圖案化。浸潤罩120進一步包括用以接收浸潤液140的浸潤液輸入埠132。浸潤罩120進一步包括用以輸出浸潤液140的浸潤液輸出埠134。浸潤罩120進一步包括亦用以輸出浸潤液140的孔136及孔138。為簡單起見，孔136及孔138的末端示出為切斷。本領域具有通常知識者將認識到，孔136及孔138用以將浸潤液140輸送出浸潤罩120。晶圓台110進一步包括用以排出晶圓台110的頂面115上的浸潤液的吸回線150、152及154。排水管156允許吸回線150、152及154分配浸潤液140。浸潤液140在透鏡系統125與晶圓112之間，以提高圖案化晶圓112的精度。在浸潤罩120的最底表面與晶圓112的頂面或晶圓台110的頂面115之間存在縫隙160。浸潤液140在縫隙160內。
晶圓台110在圖案化製程中支撐晶圓112。在一些實施例中，晶圓台110使用真空吸盤(未示出)將晶圓112保持在適當的位置。在一些實施例中，晶圓台110附接至馬達，以調整晶圓台110相對於浸潤罩120的位置。在一些實施例中，馬達包括步進馬達、齒條齒輪馬達、壓電馬達、伺服馬達或其他合適的馬達。在一些實施例中，晶圓台110用以在平行於頂面115的平面上平移。在一些實施例中，晶圓台110用以繞垂直於頂面115的軸線旋轉。 在一些實施例中，晶圓台110用以繞平行於頂面115的軸線旋轉。本領域具有通常知識者將認識到，這些運動的組合在本揭露內容的範疇內。在一些實施例中，移動晶圓台110的速度大於0.001毫米/秒(mm/s)。在一些實施例中，移動晶圓台110的速度在約0.001mm/s至約1mm/s的範圍內。在某些情況下，若移動晶圓台110的速度太快，則由於浸潤液140的飛濺而增加將粒子推至晶圓112上的風險。在某些情況下，若移動晶圓台110的速度太慢，則增加了粒子由粒子捕獲區域(如下所述)捕獲的風險。粒子捕獲區域於以下詳細描述。粒子捕獲區域為頂面115的區域，該區域具有與頂面115的其他部分不同的表面性質。
用於支撐晶圓112的晶圓台110的一部分相對於頂面115凹入，以使晶圓112的頂面與頂面115基本共面。頂面115與晶圓112的頂面之間的偏移(若存在)為晶圓上多個層的結果。例如，在靠近晶圓112的基板形成元件期間，晶圓112的總厚度小於在遠離基板形成元件期間的晶圓112的總厚度。
在一些實施例中，感測器(參照第2A圖至第2C圖)在頂面115中。在一些實施例中，頂面115包括用於反射來自透鏡系統125的光的反射鏡部分。部分頂面115具有親水特性，使浸潤液140在頂面115上擴散。
晶圓112由晶圓台110支撐。晶圓112由透鏡系統125通過浸潤液140發射的光束圖案化，然後入射在晶圓112上。此光束改變了晶圓112的最上層的化學性質。 在一些實施例中，晶圓112的最上層包括光阻劑材料。在一些實施例中，晶圓112的最上層包括矽。在一些實施例中，使用機械手臂(未示出)將晶圓112放置在晶圓台110上及/或自晶圓台110移除。
浸潤罩120用以將浸潤液140引入浸潤罩120與晶圓台110之間的縫隙160中，並自透鏡系統125發射光束以圖案化晶圓112。在一些實施例中，浸潤罩120為固定的。在一些實施例中，浸潤罩能夠在平行於頂面115的平面中平移運動。在一些實施例中，馬達用於使浸潤罩120平移。在一些實施例中，馬達包括步進馬達、齒條齒輪馬達、壓電馬達、伺服馬達或其他合適的馬達。在一些實施例中，用於移動浸潤罩120的馬達為與用於移動晶圓台110的馬達相同類型的馬達。在一些實施例中，用於移動浸潤罩120的馬達為與用於移動晶圓台110的馬達不同類型的馬達。
透鏡系統125用以控制光束自光源(未示出)到光罩然後到晶圓112的傳播。在一些實施例中，光源用以發射光束，諸如紫外線(ultraviolet,UV)或極端紫外線(extreme UV,EUV)光源。在一些實施例中，光源包括波長為436nm(G線)或365nm(I線)的汞燈、波長為248nm的氟化氪(Krypton Fluoride,KrF)準分子雷射器、波長為193nm的氟化氬(Argon Fluoride,ArF)準分子雷射器、波長為157nm的氟化物(Fluoride,F2)準分子雷射器或具有所需波長(例如，低於約100nm)的 其他光源。在一些實施例中，透鏡系統125沒有反射鏡。在一些實施例中，透鏡系統125為折反射系統。在一些實施例中，透鏡系統125由反射系統取代。
浸潤液輸入埠132用以接收來自供應源(未示出)的浸潤液140，並將浸潤液140提供至縫隙160。浸潤液輸入埠132連接至可控泵(未示出)，以控制通過浸潤罩120的浸潤液140的流動速率及壓力。在一些實施例中，通過浸潤液輸入埠132的浸潤液140的流動速率在約1公升/分鐘(liter/minute,L/min)至約4L/min的範圍內。在某些情況下，若浸潤液140的流動速率太低，則浸潤液140不能將粒子自晶圓台110移動至粒子捕獲區域。在某些情況下，若浸潤液140的流動速率太高，則浸潤液140導致粒子沖洗至晶圓112上的風險增加。在一些實施例中，穿過浸潤液輸入埠132的浸潤液140的壓力小於或等於70千帕(kilopascal,kPa)。在一些實施例中，穿過浸潤液輸入埠132的浸潤液140的壓力在約10kPa至約70kPa的範圍內。在某些情況下，若浸潤液140的壓力太高，則在晶圓圖案化製程期間損壞晶圓112的風險增加。在某些情況下，若浸潤液140的壓力太低，則浸潤液140不會將粒子自晶圓台110移至粒子捕獲區域。
浸潤液輸出埠134用以允許浸潤液140流出浸潤罩120。在某些情況下，離開浸潤液輸出埠134的浸潤液140收集在水庫中。在一些實施例中，離開浸潤液輸出埠134的浸潤液140被回收並且通過浸潤液輸入埠132重新 引入浸潤罩120。在一些實施例中，離開浸潤液輸出埠132的浸潤液140在回收之前進行過濾或其他處理。
孔136及孔138類似於浸潤液輸出埠134，但包括浸潤罩120的最底表面上的開口。在某些情況下，離開孔136或孔138中的至少一者的浸潤液140收集在水庫中。在一些實施例中，離開孔136或孔138中的任一者的浸潤液140被回收並且通過浸潤液輸入埠132重新引入浸潤罩120。在一些實施例中，離開孔136或孔138中的任一者的浸潤液140在回收之前進行過濾或其他處理。在一些實施例中，孔136或孔138中的至少一者流體連接至浸潤液輸出埠134。
浸潤液140用於減小透鏡系統125與空氣之間的折射率差。當光束自具有不同折射率的一種介質移動至另一種介質時，該光束被折射，即彎曲及/或反射。光束的折射降低了光束在晶圓112上的定位精度。包括浸潤液140的話可降低折射量，由此增加了離開透鏡系統125的光束在晶圓112上的定位精度。在一些實施例中，浸潤液140在193nm的波長下具有1.44或更大的折射率。在一些實施例中，浸潤液140包括水。在一些實施例中，浸潤液140包括去離子水(deionized water,DIW)。在一些實施例中，浸潤液140包括水基溶液，水基溶液包括添加劑，諸如酸、鹽或聚合物。在一些實施例中，浸潤液140包括氣體。
晶圓台110包括用以去除縫隙160中的部分浸潤 液140的吸回線150、152及154。吸回線150在晶圓112的第一側上。吸回線152在晶圓112與第一側相反的第二側上。吸回線154連接晶圓112下方的吸回線150及152。吸回線150、152及154連接至排水管156，以自吸回線150、152及154去除浸潤液140。在一些情況下，離開排水管156的浸潤液140收集在水庫中。在一些實施例中，離開排水管156的浸潤液140被回收並且通過浸潤液輸入埠132重新引入浸潤罩120。在一些實施例中，離開排水管156的浸潤液140在回收之前進行過濾或其他處理。在一些實施例中，排水管156連接至孔136或孔138中的至少一者或浸潤液輸出埠132。在一些實施例中，省略了吸回線154，並且吸回線150及152中的每一者延伸至晶圓台110的後表面至排水管，例如排水管156。
第2A圖為根據一些實施例的晶圓台200A的俯視圖。晶圓台200A可用作浸潤式光刻系統100(第1圖)中的晶圓台110。晶圓台200A支撐晶圓112。晶圓台200A包括在晶圓台200A的第一角落的第一感測器210。晶圓台200A包括在晶圓台200A的第二角落的第二感測器220。晶圓台200A包括在晶圓台200A的第三角落的第三感測器230。晶圓台200A進一步包括粒子捕獲區域240。粒子捕獲區域240具有在第一方向上的尺寸X及在垂直於第一方向的第二方向上的尺寸Y。粒子捕獲區域240與晶圓以及感測器210、220及230中的每一者分離。 第2A圖包括箭頭，箭頭指示如浸潤罩120(第1圖)的浸潤罩在晶圓台200A上的路徑。如上所述，可通過晶圓台200A或浸潤罩的移動來實現浸潤罩及晶圓台200A的相對移動。
浸潤罩自第一感測器210移動至第二感測器220，然後移動至第三感測器230，以校準浸潤罩來確定浸潤罩與晶圓台200A之間的相對位置。在一些實施例中，第一感測器210、第二感測器220或第三感測器230中的至少一者包括聚焦感測器，以便確定浸潤罩的透鏡系統，例如透鏡系統125(第1圖)是否正確聚焦。在一些實施例中，第一感測器210、第二感測器220或第三感測器230中的至少一者包括覆蓋誤差感測器，以便確定晶圓台200A與浸潤罩之間的相對位置。在一些實施例中，第一感測器210、第二感測器220或第三感測器230中的至少一者包括能量感測器，以便確定離開浸潤罩的光束的強度。在一些實施例中，第一感測器210為與第二感測器220及第三感測器230中的每一者相同的感測器。在一些實施例中，第一感測器210與第二感測器220或第三感測器230中的至少一者不同。在一些實施例中，第二感測器220不同於第三感測器230。在一些實施例中，第一感測器210、第二感測器220或第三感測器230中的至少一者在除了晶圓台200A的角落之外的位置中。感測器210、220及230的位置不受特別限制，只要感測器不與晶圓112或粒子捕獲區域240重疊即可。
粒子捕獲區域240沿著晶圓台200A的表面，例如頂面115(第1圖)延伸。在通過使感測器210、220及230中的每一者與浸潤罩重疊來校準浸潤罩之後，浸潤罩沿粒子捕獲區域240行進。通過在晶圓台200A上沈積一層材料而形成粒子捕獲區域240。材料具有與晶圓112相似的表面特性。相似的表面特性幫助粒子捕獲區域240從浸潤罩收集在校準移動期間累積的粒子。通過將粒子收集在粒子捕獲區域240上，粒子不被傳送至晶圓112上並且提高晶圓112的生產良率。
在一些實施例中，材料包括矽或氮氧化矽。在一些實施例中，材料包括光阻劑材料或另一合適的材料。在一些實施例中，尺寸X大於或等於26毫米(mm)。在某些情況下，若尺寸X太小，則粒子被傳送至晶圓112的風險增加。在一些實施例中，尺寸Y大於或等於33mm。在某些情況下，若尺寸Y太小，則粒子被傳送至晶圓112的風險增加。
在一些實施例中，尺寸X小於26mm或尺寸Y小於33mm以浸潤罩在粒子捕獲區域240上方的選路路徑而定。選路路徑為浸潤罩在粒子捕獲區域240上方的軌跡。在一些實施例中，隨著選路路徑的長度增加，粒子捕獲區域240的尺寸減小。在一些實施例中，在第一方向上的最小選路路徑長度為26mm。在一些實施例中，第二方向上的最小選路路徑長度為33mm。在某些情況下，若在第一方向上的選路路徑長度太小，則粒子被傳送至晶圓 112的風險增加。在某些情況下，若在第二方向上的選路路徑長度太小，則粒子被傳送至晶圓112的風險增加。第3A圖至第3F圖詳細描述了選路路徑的一些實施例。
第2B圖為根據一些實施例的晶圓台200B的上視圖。晶圓台200B類似於晶圓台200A(第2A圖)。與晶圓台200A相比，晶圓台200B包括附加的粒子捕獲區域240’。粒子捕獲區域240’位於沿著晶圓台200B與粒子捕獲區域240的相同側。粒子捕獲區域240’在第二方向上具有與粒子捕獲區域240相同的尺寸Y。在一些實施例中，粒子捕獲區域240’在第二方向上具有與粒子捕獲區域240不同的尺寸。粒子捕獲區域240’在第一方向上具有尺寸X’。在一些實施例中，尺寸X’等於尺寸X。在一些實施例中，尺寸X’與尺寸X不同。在一些實施例中，尺寸X’大於或等於26mm。在某些情況下，若尺寸X’太小，則粒子被傳送至晶圓112的風險增加。在一些實施例中，尺寸X’小於26mm以粒子捕獲區域240’上的選路路徑的長度而定。在一些實施例中，粒子捕獲區域240’包括與粒子捕獲區域240相同的材料。在一些實施例中，粒子捕獲區域240’包括與粒子捕獲區域240的材料不同的材料。
在一些實施例中，浸潤罩選路在粒子捕獲區域240及粒子捕獲區域240’上。在一些實施例中，浸潤罩僅選路在粒子捕獲區域240或粒子捕獲區域240’之一者上。在一些實施例中，浸潤罩的選路選擇基於晶圓112的最上層的材料。浸潤罩選路在粒子捕獲區240或粒子捕獲區240’ 上，該粒子捕獲區240或粒子捕獲區240’具有與晶圓112的最上層的表面特性最相似的表面特性。
通過包括粒子捕獲區域240’，晶圓台200B包括浸潤罩與晶圓台200B之間的介面的附加變化。如上所述，介面的變化為粒子沈積或黏附至其下表面的原因。通過增加介面改變量，晶圓台200B能夠降低將粒子輸送至晶圓112的可能性。晶圓台200B包括兩個粒子捕獲區域。然而，本領域具有通常知識者將認識到，基於本揭露內容，兩個以上的粒子捕獲區域是可能的。
第2C圖為根據一些實施例的晶圓台200C的上視圖。晶圓台200C類似於晶圓台200A(第2A圖)。與晶圓台200A相比，晶圓台200C包括附加的粒子捕獲區域240”。粒子捕獲區域240”位於沿著晶圓台200C與粒子捕獲區域240的不同側。粒子捕獲區域240”在第二方向上具有尺寸Y”。在一些實施例中，尺寸Y”等於尺寸Y。在一些實施例中，尺寸Y”與尺寸Y不同。在一些實施例中，尺寸Y”大於或等於33mm。在某些情況下，若尺寸Y”太小，則粒子被傳送至晶圓112的風險增加。在一些實施例中，尺寸Y”小於33mm以粒子捕獲區域240”上的選路路徑的長度而定。粒子捕獲區域240”在第一方向上具有尺寸X”。在一些實施例中，尺寸X”等於尺寸X。在一些實施例中，尺寸X”與尺寸X不同。在一些實施例中，尺寸X”大於或等於26mm。在某些情況下，若尺寸X”太小，則粒子被傳送至晶圓112的風險增加。在 一些實施例中，尺寸X”小於26mm以粒子捕獲區域240”上的選路路徑的長度而定。在一些實施例中，粒子捕獲區域240”包括與粒子捕獲區域240相同的材料。在一些實施例中，粒子捕獲區域240”包括與粒子捕獲區域240的材料不同的材料。
在一些實施例中，浸潤罩選路在粒子捕獲區域240及粒子捕獲區域240”上。在一些實施例中，浸潤罩僅選路在粒子捕獲區域240或粒子捕獲區域240”之一者上。在一些實施例中，浸潤罩的選路選擇基於晶圓112的最上層的材料。浸潤罩選路在粒子捕獲區240或粒子捕獲區240”上，該粒子捕獲區240或粒子捕獲區240”具有與晶圓112的最上層的表面特性最相似的表面特性。
通過包括粒子捕獲區域240”，控制器能夠選擇浸潤罩在晶圓台200C上方的選路路徑，以在粒子捕獲區域上移動浸潤罩，粒子捕獲區域如粒子捕獲區域240或粒子捕獲區域240”，該粒子捕獲區域的表面特性最接近晶圓112的表面特性。通過使用具有最接近於晶圓112的表面特性的粒子捕獲區域，降低了粒子被傳送至晶圓112的風險。例如，在一些實施例中，在晶圓112的表面特性最接近粒子捕獲區域240”的情況下，將浸潤罩圍繞選路粒子捕獲區域240至粒子捕獲區域240”。不管哪個粒子捕獲區域在浸潤罩的選路路徑內，浸潤罩的選路路徑在經過粒子捕獲區域之前都不會穿過晶圓112。在一些實施例中，浸潤罩穿過粒子捕獲區域240及粒子捕獲區域240”。
第3A圖為根據一些實施例沿著粒子捕獲區域240的選路路徑300A的上視圖。選路路徑300A包括具有L形的軌跡310A。軌跡310A在第一方向上的總長度至少為26mm，以便降低粒子被傳送至晶圓，例如晶圓112(第1圖及第2A圖至第2C圖)的風險。軌跡310A在垂直於第一方向的第二方向上的總長度至少為33mm，以便降低粒子被傳送至如晶圓112的晶圓的風險。由於軌跡310A包括第一方向上的單一支腳及第二方向上的單一支腳，粒子捕獲區域240的總尺寸在第一方向上至少為26mm，並且在第二方向上至少為33mm，以適應軌跡310A在每一方向上的最小軌跡長度。
第3B圖為根據一些實施例沿著粒子捕獲區域240的選路路徑300B的上視圖。選路路徑300B包括軌跡310B。軌跡310B類似於軌跡310A。與軌跡310A相比，軌跡310B具有U形形狀。軌跡310B在第一方向上具有兩個支腳，其中兩個支腳相對於彼此成180度定向。在一些實施例中，由於軌跡310B在第一方向上具有兩個支腳，因此與軌跡310A的粒子捕獲區域240相比，軌跡310B的粒子捕獲區域240的整體尺寸減小。在一些實施例中，對於具有相對於彼此成180度定向並且平行於粒子捕獲區域240的邊緣的N個支腳的軌跡，對應的粒子捕獲區域240的最小尺寸等於Ldx/N，其中Ldx為相應方向上的最小長度尺寸。例如，在一些實施例中，軌跡310B在第一方向上的粒子捕獲區域240的最小尺寸為 13mm(26mm/2)。在一些實施例中，粒子捕獲區域240大於最小尺寸。
第3C圖為根據一些實施例沿著粒子捕獲區域240的選路路徑300C的上視圖。選路路徑300C包括軌跡310C。軌跡310C類似於軌跡310A。與軌跡310A相比，軌跡310C具有S形形狀。軌跡310C在第一方向上具有複數個支腳。然而，由於在一些實施例中，在第一方向上的支腳並沒有彼此成180度定向，因此在第一方向上用於軌跡310C的粒子捕獲區域240的最小尺寸為26mm。軌跡310C在第二方向上具有彼此成180度定向的5個支腳。因此，在一些實施例中，軌跡310C在第二方向上的粒子捕獲區域240的最小尺寸為6.6mm(33mm/5)。
第3D圖為根據一些實施例沿著粒子捕獲區域240的選路路徑300D的上視圖。選路路徑300D包括軌跡310D。軌跡310D類似於軌跡310C。與軌跡310C相比，軌跡310D具有鋸齒形狀。軌跡310D具有彼此成180度定向的複數個支腳。然而，軌跡310D的支腳相對於粒子捕獲區域240的邊緣成角度。軌跡310D的粒子捕獲區域240在第一方向及第二方向中的每一者上的最小尺寸視軌跡310D的支腳的角度而定。在一些實施例中，設置粒子捕獲區域240的最小尺寸，以使軌跡310D在第一方向上的總距離至少為26mm，並且在第二方向上至少為33mm。
第3E圖為根據一些實施例沿著粒子捕獲區域240的選路路徑300E的上視圖。選路路徑300E包括軌跡310E。軌跡310E類似於軌跡310C。與軌跡310C相比，軌跡310E具有S形形狀，其中在第一方向上的一個支腳比在第一方向上的另一支腳長。在一些實施例中，設置粒子捕獲區域240的最小尺寸，以使軌跡310E在第一方向上的總距離至少為26mm，並且在第二方向上至少為33mm。
第3F圖為根據一些實施例沿著粒子捕獲區域240的選路路徑300F的上視圖。選路路徑300F包括軌跡310F。軌跡310F類似於軌跡310B及軌跡310C的組合。軌跡310F具有呈S形的第一部分及呈U形的第二部分。在一些實施例中，設置粒子捕獲區域240的最小尺寸，以使軌跡310E在第一方向上的總距離至少為26mm，並且在第二方向上為至少33mm。
本領域具有通常知識者將認識到，第3A圖至第3F圖僅為選路路徑的示例，並且其他選路路徑形狀皆在本揭露之範圍內。
第4圖為根據一些實施例用於控制浸潤式光刻系統的系統400示意圖。系統400包括控制器410。控制器410通訊浸潤罩420、晶圓台馬達430及浸潤液流量馬達440。在一些實施例中，控制器410使用有線連接進行通訊。在一些實施例中，控制器使用無線連接進行通訊。
控制器410用以控制浸潤式光刻系統的不同部分， 以引導浸潤罩420與連接至晶圓台馬達430的晶圓台上的至少一個粒子捕獲區域重疊。控制器410控制浸潤罩420或晶圓台馬達430中的至少一者，以便控制浸潤罩420在晶圓台上的相對位置。在一些實施例中，控制器410用以控制浸潤罩420的運動。在一些實施例中，控制器410用以控制晶圓台馬達430的操作。在一些實施例中，控制器410用以控制浸潤罩420的運動及晶圓台馬達430的操作。在一些實施例中，控制器410接收即將圖案化的晶圓的資訊，晶圓例如晶圓112(第1圖及第2A圖至第2C圖)的類型，並確定晶圓台上的哪個粒子捕獲區域的表面特徵最接近晶圓的表面特徵。然後，控制器410控制浸潤罩420及/或晶圓台馬達430以使浸潤罩420與確定的粒子捕獲區域重疊。控制器410亦接收與晶圓台上的每一粒子捕獲區域的尺寸有關的資訊，並確定浸潤罩420在相應粒子捕獲區域上的選路路徑，例如選路路徑300A-300F(第3A圖至第3F圖)，以降低粒子被傳送至晶圓的風險。如上所述，控制器410選擇選路路徑以在第一方向及第二方向中的每一者上在粒子捕獲區域上行進最小距離。
控制器410進一步用以控制浸潤液流量馬達440。控制器410控制浸潤液流量馬達440，以便設定來自浸潤罩420的浸潤液的流動速率及壓力。
控制器410用以接收例如來自感測器210、220及230(第2A圖至第2C圖)的資訊，以便確定浸潤罩420相對於晶圓台的位置。在一些實施例中，控制器410進一 步用以接收例如來自流量計的資訊，以量測從浸潤罩420流出的浸潤液的流動速率及/或壓力。基於該資訊，控制器410能夠控制系統400的不同組件，以便降低粒子被傳送至晶圓的風險。因此，提高了晶圓的生產良率。
浸潤罩420，例如浸潤罩120(第1圖)將圖案化的光束傳送至晶圓台上的晶圓，例如晶圓112，並將浸潤液傳送至晶圓台。在一些實施例中，浸潤罩420為固定的。在一些實施例中，浸潤罩420為可移動的。
晶圓台馬達430用以在平行於晶圓台的頂面的平面中移動晶圓台，晶圓台例如晶圓台110(第1圖)。在一些實施例中，晶圓台馬達430包括複數個馬達。例如，在一些實施例中，晶圓台馬達430包括用於在第一方向上運動的第一馬達及用於在垂直於第一方向的第二方向上運動的第二馬達。在一些實施例中，晶圓台馬達430包括步進馬達、齒條齒輪馬達、壓電馬達、伺服馬達或另一合適的馬達。
浸潤液流量馬達440用以控制從浸潤罩420至晶圓台的浸潤液，例如浸潤液140(第1圖)的流量。在一些實施例中，浸潤液流量馬達440為浸潤罩420的一部分。在一些實施例中，浸潤液流量馬達440為壓電馬達、伺服馬達或另一合適的馬達。
第5圖為根據一些實施例使用浸潤式光刻系統的方法500流程圖。方法500可與系統100(第1圖)、晶圓台200A-200C(第2A圖至第2C圖)及/或系統400 (第4圖)一起使用。在操作510中，將晶圓，例如晶圓112(第1圖)放置在晶圓台上，晶圓台例如晶圓台110(第1圖)。晶圓台在晶圓台的頂面的一部分上具有粒子捕獲區域。在一些實施例中，使用機械手臂將晶圓放置在晶圓台上。在一些實施例中，使用真空吸盤將晶圓固定在晶圓台上。在一些實施例中，晶圓台可在平行於晶圓台的頂面的平面中移動。在一些實施例中，在操作510之後，晶圓及晶圓台類似於第2A圖至第2C圖中的任一者中的佈置。
在操作520中，校準浸潤罩。通過將浸潤罩放置在晶圓台中的感測器上方來校準浸潤罩，例如浸潤罩120(第1圖)，以便精確地確定浸潤罩相對於晶圓台的位置。在一些實施例中，浸潤罩為固定的。在一些實施例中，浸潤罩為可移動的。在一些實施例中，通過使用類似於第2A圖至第2C圖中的行進路徑來校準浸潤罩。
在操作530中，在粒子捕獲區域上移動浸潤罩。粒子捕獲區域，例如，粒子捕獲區域240(第2A圖至第2C圖)有助於從晶圓台收集或捕獲粒子，以防止該些粒子輸送至晶圓。在一些實施例中，通過移動晶圓台使浸潤罩在粒子捕獲區域上移動。在一些實施例中，通過移動浸潤罩使浸潤罩在粒子捕獲區域上移動。
粒子捕獲區域沿著晶圓台的頂面延伸。通過在晶圓台上沈積一層材料來形成粒子捕獲區域。材料具有與晶圓相似的表面特性。相似的表面特性有助於粒子捕獲區域從浸潤罩收集在校準運動製程中累積的粒子。在一些實施例 中，在操作530期間，在複數個粒子捕獲區域上移動浸潤罩。
在一些實施例中，粒子捕獲區域包括矽或氮氧化矽。在一些實施例中，材料包括光阻劑材料或另一合適的材料。在一些實施例中，浸潤罩在粒子捕獲區域上沿第一方向的最小行進距離為26mm。在某些情況下，若在第一方向上的行進距離太小，則會增加粒子被傳送至晶圓的風險。在一些實施例中，浸潤罩在粒子捕獲區域上沿垂直於第一方向的第二方向的最小行進距離為33mm。在某些情況下，若在第二方向上的最小行進距離太小，則會增加粒子被傳送至晶圓的風險。在一些實施例中，浸潤罩以類似於第3A圖至第3F圖中的至少一條選路路徑的方式在粒子捕獲區域上移動。在一些實施例中，浸潤罩以不同於第3A圖至第3F圖中的選路路徑的方式在粒子捕獲區域上移動。
在操作540中，曝光晶圓。通過將圖案化的光束從浸潤罩的透鏡系統，例如透鏡系統125(第1圖)發射出並通過浸潤液到達晶圓，浸潤液例如浸潤液140(第1圖)，使晶圓曝光。通過晶圓台與浸潤罩之間的相對運動，在晶圓的表面上掃描圖案化的光束。圖案化的光束賦予圖案感光層，感光層位於晶圓上。
在可選操作550中，沖洗粒子捕獲區域。在曝光晶圓之後沖洗粒子收集區域有助於降低粒子在粒子捕獲區域中累積的風險，該些粒子隨後被輸送至另一晶圓。在一些實施例中，使用浸潤液沖洗粒子捕獲區域。例如，將晶 圓自晶圓台去除之後，使浸潤液以高流動速率或壓力通過晶圓台。在一些實施例中，使用水、去離子水或另一合適的沖洗材料沖洗粒子捕獲區域。在一些實施例中，使用機械擦拭製程來沖洗粒子捕獲區域。在一些實施例中，省略操作550。例如，在晶圓作為曝光製程的一部分被沖洗的一些實施例中，這種沖洗製程還將沖洗粒子捕獲區域，並且省略單獨的操作550。
第6圖為根據一些實施例用於控制浸潤式光刻系統的控制器600示意圖。控制器600包括硬體處理器602及具有編碼的(即存儲)電腦程式碼606，即一組可執行指令的非暫時性電腦可讀儲存媒體604。電腦可讀儲存媒體604亦用指令607編碼，用於與諸如馬達、泵等製造機器對接。處理器602通過匯流排608電性耦合至電腦可讀儲存媒體604。處理器602亦通過匯流排608電性耦合至I/O介面610。網路介面612亦通過匯流排608電性連接至處理器602。網路介面612連接至網路614，以便處理器602及電腦可讀儲存媒體604能夠經由網路614連接至外部元件。處理器602用以執行編碼在電腦可讀儲存媒體604中的電腦程式碼606，以使控制器600可用於執行方法500中或相對於系統400所描述的部分或全部操作。
在一些實施例中，處理器602為中央處理器(central processing unit,CPU)、多重處理器、分散式處理系統、應用特定積體電路(application specific integrated circuit,ASIC)及/或合適的處理單元。
在一些實施例中，電腦可讀儲存媒體604為電子系統、磁力系統、光學系統、電磁系統、紅外線系統及/或半導體系統(或設備或裝置)。例如，電腦可讀儲存媒體604包括半導體或固態記憶體、磁帶、可移動電腦磁片、隨機存取記憶體(random access memory,RAM)、唯讀記憶體(read-only memory,ROM)、剛性磁碟及/或光碟。在使用光碟的一些實施例中，電腦可讀儲存媒體604包括唯讀光碟記憶體(compact disk-read only memory,CD-ROM)、光碟讀/寫器(compact disk-read/write,CD-R/W)及/或數位影音光碟(digital video disc,DVD)。
在一些實施例中，儲存媒體604存儲用以使控制器600執行方法500或系統400的操作的電腦程式碼606。在一些實施例中，儲存媒體604亦存儲執行方法500或系統400的動作所需的資訊以及在該性能執行期間產生的資訊，諸如流動速率參數616、壓力參數618、台位置參數620、罩位置參數622及/或一組可執行指令以執行方法500或系統400的操作。
在一些實施例中，儲存媒體604存儲用於與製造機器對接的指令607。指令607使處理器602能夠產生製造機器可讀的製造指令，以在製程期間有效地實施方法500或系統400的動作。
系統600包括I/O介面610。I/O介面610耦合至外部電路。在一些實施例中，I/O介面610包括鍵盤、 小鍵盤、滑鼠、軌跡球、觸控板及/或遊標方向鍵，用於將資訊及命令傳達至處理器602。
控制器600亦包括耦合至處理器602的網路介面612。網路介面612允許控制器600與網路614通信，一或多個其他電腦系統連接至該網路614。網路介面612包括無線網路介面，諸如BLUETOOTH、WIFI、WIMAX、GPRS或WCDMA，或有線網路介面，諸如ETHERNET、USB或IEEE-1394。在一些實施例中，方法500或系統400在兩個或更多個控制器600中實現，並且諸如流動速率、壓力、台位置及罩位置的資訊經由網路614在不同控制器600之間交換。
控制器600用以接收與浸潤液，例如浸潤液140(第1圖)的流動速率有關的資訊。然後將流動速率作為流動速率參數616存儲在電腦可讀媒體604中。控制器600用以通過I/O介面610或網路介面612接收與浸潤液壓力有關的資訊。資訊作為壓力參數618存儲在電腦可讀媒體中604。控制器600用以通過I/O介面610或網路介面612接收與晶圓台，例如晶圓台110(第1圖)的位置有關的資訊。資訊作為台位置參數620存儲在電腦可讀媒體604中。控制器600用以通過I/O介面610或網路介面612接收與浸潤罩，例如浸潤罩120(第1圖)的位置有關的資訊。資訊作為罩位置參數622存儲在電腦可讀媒體604中。
在操作期間，處理器602執行一組指令以確定浸 潤罩與晶圓台的相對位置，以便在晶圓台的晶圓上移動浸潤罩之前將浸潤罩選路在粒子捕獲區域上。處理器602亦執行指令，以在浸潤罩的相對運動及晶圓的曝光期間控制浸潤液的流動速率及壓力。
本描述之態樣關聯於一種浸潤式光刻系統。浸潤式光刻系統包括浸潤罩，其中浸潤罩包括透鏡系統。浸潤式光刻系統進一步包括晶圓台，其中晶圓台可相對於浸潤罩移動，並且晶圓台包括用於容納晶圓的區域。浸潤式光刻系統進一步包括第一粒子捕獲區域，第一粒子捕獲區域位於晶圓台上且位於用於容納晶圓的區域外，其中第一粒子捕獲區域包括矽、氮氧化矽或光阻劑材料。在一些實施例中，第一粒子捕獲區域包括氮氧化矽。在一些實施例中，第一粒子捕獲區域在平行於晶圓台的頂面的第一方向上的尺寸至少為26毫米(mm)。在一些實施例中，第一粒子捕獲區域在平行於晶圓台的頂面的第二方向上的尺寸至少為33毫米，並且第二方向垂直於第一方向。在一些實施例中，浸潤式光刻系統進一步包括位於晶圓台上的第二粒子捕獲區域。在一些實施例中，第二粒子捕獲區域包括與第一粒子捕獲區域不同的材料。在一些實施例中，第二粒子捕獲區域具有與第一粒子捕獲區域不同的尺寸。在一些實施例中，第二粒子捕獲區域位於沿著第一粒子捕獲區域的晶圓台的相同側。在一些實施例中，第二粒子捕獲區域位於沿著第一粒子捕獲區域的晶圓台的不同側。
本描述之態樣關聯於一種晶圓台。晶圓台包括用於 容納晶圓的區域。晶圓台進一步包括位於用於容納晶圓的區域之外的第一感測器。晶圓台進一步包括位於用於容納晶圓的區域外的第二感測器，其中第二感測器隔開第一感測器。晶圓台進一步包括位於用於容納晶圓的區域外的第一粒子捕獲區域，其中第一粒子捕獲區域均隔開第一感測器及第二感測器，第一粒子捕獲區域在平行於晶圓台的頂面的第一方向上的尺寸至少為26毫米(mm)，第一粒子捕獲區域在平行於晶圓台的頂面的第二方向上的尺寸至少為33毫米，並且第二方向垂直於第一方向。在一些實施例中，第一粒子捕獲區域包括矽、氮氧化矽或光阻劑材料。在一些實施例中，晶圓台進一步包括位於用於容納晶圓的區域外的第二粒子捕獲區域，其中第二粒子捕獲區域隔開第一粒子捕獲區域、第一感測器及第二感測器。在一些實施例中，第二粒子捕獲區域在第一方向上的尺寸至少為33mm。在一些實施例中，第二粒子捕獲區域在第二方向上的尺寸至少為26mm。
本描述之態樣關聯於一種使用浸潤式光刻系統的方法。方法包括藉由在平行於晶圓台的頂面的平面中移動晶圓台以校準浸潤罩。方法進一步包括移動晶圓台以將浸潤罩放置於晶圓台的粒子捕獲區域上。方法進一步包括移動晶圓台以在粒子捕獲區域上定義二維選路軌跡。方法進一步包括在粒子捕獲區域上定義了二維選路軌跡後，移動晶圓台以將浸潤罩置於晶圓台上的晶圓上。在一些實施例中，移動晶圓台以定義二維選路軌跡包括在第一方向上移 動晶圓台至少26毫米(mm)的總距離。在一些實施例中，移動晶圓台以定義二維選路軌跡包括在第二方向上移動晶圓台至少33毫米的總距離，並且第二方向垂直於第一方向。在一些實施例中，移動晶圓台以定義二維選路軌跡包括定義具有L形、U形或S形的二維選路軌跡。在一些實施例中，移動晶圓台以定義二維選路軌跡包括以約0.001毫米/秒至約1毫米/秒的速度移動晶圓台。在一些實施例中，方法進一步包括使用來自浸潤罩的光束曝光晶圓，其中光束具有193奈米(nm)的波長。
前述概述了幾個實施例的特徵，使得本領域具有通常知識者可以更好地理解本揭露的樣態。本領域具有通常知識者應當理解，他們可以容易地將本揭露用作設計或修改其他過程與結構的基礎，以實現與本文介紹的實施例相同的目的與/或實現相同的優點。本領域具有通常知識者還應該認識到，這樣的等效構造不脫離本揭露的精神與範圍，並且在不脫離本揭露的精神與範圍的情況下，它們可以在這裡進行各種改變，替換與變更。
100:浸潤式光刻系統
110:晶圓台
112:晶圓
115:頂面
120:浸潤罩
125:透鏡系統
132:浸潤液輸入埠
134:浸潤液輸出埠
136:孔
138:孔
140:浸潤液
150:吸回線
152:吸回線
154:吸回線
156:排水管
160:縫隙

Claims (10)

  1. 一種浸潤式光刻系統的使用方法，該方法包含：藉由在平行於一晶圓台的頂面的平面中移動該晶圓台以校準一浸潤罩；移動該晶圓台，以將該浸潤罩設置於該晶圓台上的一粒子捕獲區域上；移動該晶圓台，以在該粒子捕獲區域上定義一二維選路軌跡；以及在該粒子捕獲區域上定義了該二維選路軌跡後，移動該晶圓台以將該浸潤罩設置於該晶圓台上的一晶圓上。
  2. 如請求項1所述之浸潤式光刻系統的使用方法，其中移動該晶圓台以定義該二維選路軌跡包含在一第一方向上移動該晶圓台至少26毫米的總距離。
  3. 如請求項2所述之浸潤式光刻系統的使用方法，其中移動該晶圓台以定義該二維選路軌跡包含在一第二方向上移動該晶圓台至少33毫米的總距離，並且該第二方向垂直於該第一方向。
  4. 如請求項1所述之浸潤式光刻系統的使用方法，其中移動該晶圓台以定義該二維選路軌跡包含定義具有L形、U形或S形的該二維選路軌跡。
  5. 一種浸潤式光刻系統，包含：一浸潤罩，其中該浸潤罩包含透鏡系統；一晶圓台，其中該晶圓台可相對於該浸潤罩移動，並且該晶圓台包含用於容納一晶圓的一區域；以及一第一粒子捕獲區域，位於該晶圓台上且位於用於容納該晶圓的該區域外，且在平行於該晶圓台的一頂面的一方向上，其中該第一粒子捕獲區域包含矽、氮氧化矽或光阻劑材料，且該第一粒子捕獲區域未圍繞該晶圓台，該第一粒子捕獲區域與其他所有粒子捕獲區域是不連續的。
  6. 如請求項5所述之浸潤式光刻系統，進一步包含一第二粒子捕獲區域，位於該晶圓台上。
  7. 如請求項6所述之浸潤式光刻系統，其中該第二粒子捕獲區域包含與該第一粒子捕獲區域不同的材料。
  8. 如請求項6所述之浸潤式光刻系統，其中該第二粒子捕獲區域具有與該第一粒子捕獲區域不同的尺寸。
  9. 一種晶圓台，包含：一區域，用於容納一晶圓；一第一感測器，位於用於容納該晶圓的該區域外； 一第二感測器，位於用於容納該晶圓的該區域外，其中該第二感測器隔開該第一感測器；以及一第一粒子捕獲區域，位於用於容納該晶圓的該區域外，其中該第一粒子捕獲區域與其他所有粒子捕獲區域是不連續的，該第一粒子捕獲區域均隔開該第一感測器與該第二感測器，該第一粒子捕獲區域在平行於該晶圓台的一頂面的一第一方向上的尺寸至少為26毫米，該第一粒子捕獲區域在平行於該晶圓台的該頂面的一第二方向上的尺寸至少為33毫米，並且該第二方向垂直於該第一方向。
  10. 如請求項9所述之晶圓台，進一步包含一第二粒子捕獲區域，位於用於容納該晶圓的該區域之外，其中該第二粒子捕獲區域隔開該第一粒子捕獲區域、該第一感測器以及該第二感測器。
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