[go: up one dir, main page]

JP5027154B2 - 液浸露光装置及び液浸露光方法 - Google Patents

液浸露光装置及び液浸露光方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5027154B2
JP5027154B2 JP2008546144A JP2008546144A JP5027154B2 JP 5027154 B2 JP5027154 B2 JP 5027154B2 JP 2008546144 A JP2008546144 A JP 2008546144A JP 2008546144 A JP2008546144 A JP 2008546144A JP 5027154 B2 JP5027154 B2 JP 5027154B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
predetermined amount
wafer
immersion
barrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008546144A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009521105A (ja
Inventor
ワリック、スコット
クーパー、ケビン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NXP USA Inc
Original Assignee
NXP USA Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NXP USA Inc filed Critical NXP USA Inc
Publication of JP2009521105A publication Critical patent/JP2009521105A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5027154B2 publication Critical patent/JP5027154B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、液浸液を通してウェハ上にパターンを投影するタイプなどの液浸露光装置に関する。本発明はまた、液浸液を通してウェハ上にパターンを投影するタイプなどの液浸露光を実施するための方法に関する。
半導体処理の分野において、半導体材料、半導体ウェハの1つ又は複数の層において、あるプロファイルを「パターニングする」、すなわち、規定するフォトリソグラフィが、広く使用される技法である。この技法を使用して、さらに多数のトランジスタから形成されるたくさんの集積回路(IC)を、シリコンウェハ上に形成することが可能である。この点で、各ウェハにおいて、1つの集積回路は、一度に一回、また、層ごとに形成される。
最近の約40年の間、フォトリソグラフィ装置(クラスタ又はフォトリソグラフィツールとして知られることもある)は、フォトリソグラフィプロセスを実施するために使用されてきた。クラスタは、ウェハを準備するトラックユニットを備え、パターニング光源に対する露光の前に、ウェハの表面上に光感応性材料層を設ける。ウェハをパターニング光源によって露光するために、ウェハは、クラスタの一部でもある光学ユニットに移送される。パターニング光源は、クロムで被覆したマスクを通して光ビームを通過させることによって生成され、クロムには、形成される集積回路の所与の層の像、たとえば、トランジスタの接点がパターニングされている。その後、ウェハは、上述した光感応性材料層の現像を含むその後の処理のために、トラックユニットに戻される。
光感応性材料層を保持するウェハは、可動ステージによって支持される。投影レンズは、マスクを通過する光を収束させて、光感応性材料層上においてある集積回路が形成される第1の領域上に像を形成し、光感応性材料層のこの領域をその像に対して露光し、したがって、マスクを通して投影されたパターンを「記録する(recording) 」。像は、その後、別の集積回路が形成される光感応性材料層にわたる別の領域上に投影され、光感応性材料層上に広がるこの領域は、投影像、即ちパターンの露光に供される。
上記プロセスは、他の集積回路が形成されるべき他の領域について繰り返される。その後、ウェハは、上述したように、トラックユニットに戻り、使用される光感応性材料に応じて露光によって溶解性又は不溶解性になる、露光された光感応性材料層は、現像されて、作成される1つ又は複数の集積回路の層の像のネガ(又は、ポジ)に相当する「フォトレジスト」パターンが残る。現像後に、ウェハは、種々の他のプロセス、たとえば、イオン注入、エッチング、又は堆積を受ける。残りの光感応性材料層は、その後、除去され、形成される1つ又は複数の集積回路の別の層をパターニングするための特定のアプリケーション要件に応じて、新しい光感応性材料層が、その後、ウェハの表面上に設けられる。
パターニングプロセスに関して、フォトリソグラフィ装置又はスキャナの解像度は、「印刷される」ことができるワイヤの幅及びワイヤ間の空間に影響を及ぼし、解像度は、使用される光の波長に依存し、また、スキャナのいわゆる「開口数」に反比例する。その結果、非常に高いレベルの細部を規定することができるために、光の短い波長及び/又は大きな開口数が必要とされる。
スキャナの開口数は、2つのパラメータの積に依存する。第1のパラメータは、レンズを通過する光が、そこを通ってウェハ上に収束することができる最も広い角度であり、第2のパラメータは、ウェハ上の光感応性層を露光するときに、光が、そこを通過する媒体の屈折率である。
実際に、半導体業界で要求される増加した解像度を提供するために、開口数を増加させるためにレンズを同様に大きくしながら、使用される光の波長を減少させることが公知である。しかし、たとえば、低波長の光に適合した材料から形成されるレンズを使用しなければならないことのコスト及び適したレンズ材料の不足のために、現在、使用可能な光の波長に対する実用的な限界に達している。
さらに、上述したスキャナは、1の屈折率を有する空気中で動作し、スキャナが0〜1の開口数を有することになる。開口数が、できる限り大きい必要があるため、また、光の波長を低減することができる量が制限されるため、レンズのサイズを増加させることによってではなく、空気より大きい、すなわち、1より大きい屈折率を有する媒体と共にスキャナを使用するスキャナの解像度に対する改良が提案されてきた。この点で、水を使用し、また、液浸露光として知られる、提案されたより最近のフォトリソグラフィ技法は、空気ベースのフォトリソグラフィ技法によって達成されることができるよりも高いレベルのデバイス集積化を達成することができる。
したがって、この改良を使用するスキャナ(液浸スキャナ)は、光の低い波長を使用し続けるが、水は、レンズとウェハとの間で193nmの波長で約1.4の屈折率を提供し、それにより、焦点深度の増加を達成し、液浸露光装置の開口数を効果的に増加させる。
さらに、水の屈折率は、一部のレンズがそこから形成される石英の屈折率に非常に近く、レンズと水との間の界面における屈折の減少をもたらす。屈折の減少は、レンズのサイズが増加することを可能にし、それにより、利用可能なより高い開口数を活用することが可能になる。
しかし、液浸露光の導入によって、液浸露光が、45nm以下のフィーチャを規定するための実行可能なリソグラフィ技法である場合、技術的難問が克服される。
1つの知られている液浸露光装置は、電磁放射源として役立つ照明システムを備える。照明システムは、マスクを保持する支持構造に結合し、支持構造は、照明システムを正確に位置決めする第1平行移動装置に結合される。ウェハテーブルは、照明システムの下に配設され、ウェハテーブルを正確に位置決めする第2平行移動装置に結合される。投影システムは、ウェハテーブルに隣接して配設され、照明システムからの光を、ウェハテーブル上に配置されたウェハ上に投影する。投影システムは、液浸ヘッドを備え、液浸ヘッドは、使用時に、液浸ヘッドとウェハとの間に液浸液を送出し、維持する。
動作時、液浸露光装置は、ウェハテーブルが、同期して支持構造に対して平行に相対移動するスキャンモードを有し、液浸液は、液浸液の進行方向に対応した前縁(leading-edge)を有する。
ウェハのフォトリソグラフィ処理に関連してウェハ収量を増加させるために、支持構造に対するウェハテーブルの平行移動速度を上げること、すなわち、ウェハをパターニングするためにかかる時間をより短くすることが望ましい。
しかし、スキャン速度が約350mms−1まで増加するにつれて、液浸液の前縁が、液浸液の下にころがり、その後、印刷される液浸液内で気泡が形成される。実際に、気泡は、液浸露光技法の首尾よい実施に対する重大な妨害になることが知られている。1つの知られている解決策は、スキャン速度を制限することであるが、もちろん、これは、達成可能なウェハ収量に悪い影響を及ぼす。
さらに、液浸液として、いわゆる「高nの(high n)」すなわち高屈折率の液体を使用することが望ましくなりつつある。しかし、nが高い液体は、酸素がない環境で使用さされる必要があり、そうでなければ、高nの屈折率が、急速に変化し始める。さらに、nが高い液体の費用がかなり高いため、nが高い液体は、閉システム内で再利用される可能性がある。
本発明によれば、添付特許請求の範囲に記載されるように、液浸露光装置及び液浸露光を実施する方法が提供される。
本発明の少なくとも1つの実施形態が、ここで、添付図面を参照して、例としてだけ述べられるであろう。
以下の説明全体を通して、同じ参照数字は、同じ部品を識別するのに使用されるであろう。
図1を参照すると、上部表面102を有する光感応性材料層(図1には示さず)を上に配設されている半導体ウェハ100は、ウェハ100を搬送するように構成された液浸露光装置の基板ステージ(図示せず)上に配設される。この例では、液浸露光装置は、ASMLから入手可能な改良型TWINSCAN(商標)XT:1250iリソグラフィスキャナである。リソグラフィスキャナは、多くの部品を有する複雑な装置であり、その構造及び動作は、本明細書に開示される実施形態に直接関連しない。その結果、説明を明確かつ簡潔にするために、本明細書で述べる実施形態に特に関連するリソグラフィスキャナの部品だけが述べられるであろう。
液浸露光装置は、「シャワーヘッド」として知られることもある液体送出ユニット106に接続された光学露光(投影又は反射屈折)システム104を備える。いわゆる液浸液107は、光学露光システム104の底部と光感応性材料層の表面との間に配設される。
液体送出ユニット106は、液体送出ユニット106の内部周囲表面110と上部表面102によって画定されるリザーバ109に流体連通する液浸液入口/出口ポート108を備える。バリア液源112は、バリア液入口/出口ポート114に結合する。真空ポンプ(図示せず)は、真空ポート116に結合され、真空ポート116は、第1チャネルループ118に流体連通する。圧縮機(図示せず)は、空気供給ポート120に結合され、空気供給ポート120は、第2チャネルループ122に流体連通する。
動作時、ある量の液浸液107は、液浸液入口/出口ポート108を介してリザーバ109に送出され、液浸液107の層111は、表面102と液体送出ユニット106との間にある。液浸液107は、約1.5〜約1.8、すなわち、水の屈折率(たとえば、約1.6〜1.7)より大きい屈折率を有する高屈折率の(高nの)液体である。この例では、液浸液107は、1.65に近い屈折率を有するデュポン(登録商標)IF132である。しかし、低屈折率を有する液体、たとえば、水を使用さすることができることを当業者は理解する。
図2を考えると、ある量のバリア液200は、この例では、環として液浸液107の層111に隣接して配設されて、液浸液107の層111を囲み、液浸液107の層111を「キャップする」。バリア液200は、この例では、水性ベースの液体である。しかし、バリア液200は、非水性ベースであることができることを当業者は理解するであろう。バリア液200は、液体送出ユニット106に対するウェハ100の平行移動中に、液浸液107と混合しないような値の密度を有する。バリア液200の密度は、液浸液107の密度より大きい可能性がある。バリア液200、たとえば、オイル又はドデカンの密度は、約700kg/m−3〜約1600kg/m−3であることができる。バリア液200の密度は、約800kg/m−3〜約1500kg/m−3であることができる。この例では、バリア液200は、ドデカンであり、25℃で約750kg/m−3の密度を有する。この例では、バリア液200はまた、疎水性であるが、親水性液体が使用されることができることを当業者は理解するであろう。
液体送出ユニット106に結合した光学露光システム104は、光学露光システム104の下でのウェハの平行移動によって光感応性材料層202の表面102をスキャンして、リソグラフィスキャナについて知られている方法で、あるパターンを光感応性材料層202上に投影する。真空ポート112を介して第1チャネルループ114に供給される負圧及び空気供給ポート116を介して第2チャネルループ118に放出される加圧された空気は、液体送出ユニット106と表面102との間の隙間126を通して液浸液107とバリア液200が出て行くのを防止し、それにより、シール及び表面102上への液浸液107とバリア液200の偽りの堆積を防止する手段として役立つ。
液浸液107の層111は、ウェハ100の表面102に対して移動するが、液浸液107の層111の第1の外側縁又は前面204は、ウェハ100の表面102に対して液浸液107の層111の進行方向に「ころがる(rolls) 」。環状の量のバリア液200はまた、液浸液107の層111と共にウェハ100の表面102に対して移動する。第1の外側表面204と独立に、バリア液200の第2の外側縁又は前面206はまた、ウェハ100の表面102に対して液浸液107の層111の進行方向にころがる。
液浸液107の層111を囲むバリア液200が存在する結果として、液浸液107は、スキャナが配設される雰囲気内に通常存在する、環境ガス、たとえば、酸素から隔離される。さらに、バリア液200を設けることはまた、液浸液107の層111が、さまざまな量の環境ガスを包み込むのを防止する。
そのため、液浸露光装置及び液浸液による酸素の吸収を防止する液浸露光を実施する方法を提供することが可能である。さらに、液浸液内での気泡の形成は、速い、たとえば、500mms−1より速い走査速度において軽減される。もちろん、上記利点は、例示であり、これらのまた他の利点が、本発明によって達成されてもよい。さらに、先に述べた全ての利点が、本明細書で述べる実施形態によって必ずしも達成されるわけではないことを当業者は理解する。
本明細書で引用した屈折率は、所与の波長、たとえば、193nmの電磁放射に関して引用されることが理解されるべきである。
本発明の実施形態を構成する液浸露光装置の液体送出ユニットを示す模式図。 図1の液体送出ユニットの一部を示す拡大図。

Claims (5)

  1. ウェハ(100)の表面(102)の一部の上にパターンを投影するための光学系(104)と、前記光学系(104)と前記ウェハ表面の間の空隙(111)を充填すべく、前記光学系(104)は使用時に所定量の液浸液(107)を配設するための液体送出ユニット(106)を有することと、
    前記ウェハ(100)を搬送するための基板ステージと、前記ウェハ表面の異なる部分に前記パターンを露光するために、前記基板ステージは使用時に前記光学系(104)に対して相対移動することとを備え、
    前記所定量の液浸液(107)に隣接し、かつ接触する方式にて所定量のバリア液体(200)を与えるバリア液体(200)の供給源(114)と、前記バリア液体の供給によって、前記所定量のバリア液体(200)の外部にある気体が前記所定量の液浸液(107)に対して侵入することを防止し、
    前記バリア液体(200)は非水性であり、かつ疎水性を有する、液浸露光装置。
  2. 前記所定量の液浸液(107)は、前記基板ステージが前記光学系(104)に対して相対移動するときに前縁(204)を有し、前記所定量のバリア液体(200)は、前記所定量の液浸液(107)の前記前縁(204)に隣接して配設される請求項1に記載の装置。
  3. 前記バリア液体(200)の密度は、使用時に、前記基板ステージの相対移動中に、前記バリア液体(200)が、前記液浸液(107)と混合しないような値である請求項1又は2に記載の装置。
  4. 前記流体送出ユニット(106)は、
    前記所定量の液浸液(107)を送出するための第1ポート(108)と、
    前記所定量のバリア液体(200)を送出するための第2ポート(114)とを備える請求項1〜3のいずれか1項に記載の装置。
  5. 液浸露光装置の光学系(104)とウェハ(100)の表面(102)の間の空隙(111)を充填するために、所定量の液浸液(107)を配設するステップと、
    前記ウェハ(100)の表面(102)の一部の上にパターンを投影するステップと、
    前記ウェハ(100)の表面(102)の異なる部分を前記パターンに露光するために、前記光学系(104)に対して前記ウェハ(100)を相対移動させるステップと、
    前記所定量の液浸液(107)に隣接し、かつ接触する方式にて、所定量のバリア液体(200)を設けるステップとを備え、前記バリア液体の配設ステップにより、前記所定量のバリア液体(200)の外部にある気体が、前記所定量の液浸液(107)に対して侵入することを防止し、
    前記バリア液体(200)は非水性であり、かつ疎水性を有する、液浸露光方法。
JP2008546144A 2005-12-22 2005-12-22 液浸露光装置及び液浸露光方法 Expired - Fee Related JP5027154B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2005/014216 WO2007071280A1 (en) 2005-12-22 2005-12-22 Immersion lithography apparatus and method of performing immersion lithography

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009521105A JP2009521105A (ja) 2009-05-28
JP5027154B2 true JP5027154B2 (ja) 2012-09-19

Family

ID=35911156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008546144A Expired - Fee Related JP5027154B2 (ja) 2005-12-22 2005-12-22 液浸露光装置及び液浸露光方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7948607B2 (ja)
EP (1) EP1966652B1 (ja)
JP (1) JP5027154B2 (ja)
WO (1) WO2007071280A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7649612B2 (en) * 2006-01-27 2010-01-19 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Phase shifting photolithography system
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1035908A1 (nl) 2007-09-25 2009-03-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2003392A (en) 2008-09-17 2010-03-18 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus.
US8148780B2 (en) 2009-03-24 2012-04-03 Micron Technology, Inc. Devices and systems relating to a memory cell having a floating body
US7929343B2 (en) * 2009-04-07 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Methods, devices, and systems relating to memory cells having a floating body
CN103885301B (zh) * 2014-03-21 2015-09-16 浙江大学 浸没式光刻机中浸液传送系统的控制时序的模型匹配方法
US9733577B2 (en) 2015-09-03 2017-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Intra-field process control for lithography

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6663110B2 (en) * 2001-12-12 2003-12-16 Meritor Heavy Vehicle Technology Llc Hydrophobic shaft seal
JP4084235B2 (ja) * 2002-08-22 2008-04-30 株式会社神戸製鋼所 保護膜積層微細構造体および該構造体を用いた微細構造体の乾燥方法
AU2003289271A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
EP1494079B1 (en) 2003-06-27 2008-01-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic Apparatus
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
JP2005175016A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
TW200636816A (en) 2004-11-11 2006-10-16 Nikon Corp Exposure method, device manufacturing method and substrate
JP2006229019A (ja) * 2005-02-18 2006-08-31 Canon Inc 露光装置
JP4622595B2 (ja) * 2005-03-11 2011-02-02 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7317507B2 (en) * 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7773195B2 (en) * 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
JP2007266409A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Nikon Corp 光学素子、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2008218653A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009021498A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Nikon Corp 露光装置、液浸システム、及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7948607B2 (en) 2011-05-24
JP2009521105A (ja) 2009-05-28
WO2007071280A1 (en) 2007-06-28
US20090002654A1 (en) 2009-01-01
EP1966652B1 (en) 2011-06-29
EP1966652A1 (en) 2008-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI426961B (zh) 微影裝置及清潔微影裝置之方法
JP4340719B2 (ja) 浸漬露光前の基板のプレウェッティング
JP4728382B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5063641B2 (ja) 液浸リソグラフィ装置、乾燥デバイス、液浸メトロロジー装置及びデバイス製造方法
JP4954139B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5161197B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2006120674A (ja) 露光装置及び方法、デバイス製造方法
JP2012142625A (ja) バリア部材およびリソグラフィ装置
WO2007004552A1 (ja) 露光装置及び方法、露光装置のメンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
JP5412399B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
CN111480118B (zh) 流体处置结构、光刻设备、以及使用流体处置结构的方法
JP5027154B2 (ja) 液浸露光装置及び液浸露光方法
JP2010050478A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2009141356A (ja) リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP2007281308A (ja) 液浸露光装置
JP2010147466A (ja) 流体ハンドリング構造、テーブル、リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP2011165798A (ja) 露光装置、露光装置で使用される方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体
JP2006060016A (ja) 流体給排装置及びそれを有する露光装置
JP4922358B2 (ja) デバイス製造方法
JP2009283485A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2008218595A (ja) 露光装置
JP2006319065A (ja) 露光装置
US8368869B2 (en) Lithography apparatus with an optical fiber module
JP2011233690A (ja) クリーニング方法、露光装置、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体
JP2010027683A (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110927

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111227

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120127

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120605

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120621

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5027154

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees