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TWI850576B - 照明源裝置、其操作方法、微影單元及度量衡裝置 - Google Patents

照明源裝置、其操作方法、微影單元及度量衡裝置 Download PDF

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TWI850576B
TWI850576B TW110129024A TW110129024A TWI850576B TW I850576 B TWI850576 B TW I850576B TW 110129024 A TW110129024 A TW 110129024A TW 110129024 A TW110129024 A TW 110129024A TW I850576 B TWI850576 B TW I850576B
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triangular prism
source device
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TW110129024A
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Inventor
德威爾 大衛 歐
比特斯 威爾赫瑪斯 史莫倫伯格
傑瑞特 賈寇巴斯 亨利德斯 布魯薩爾德
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Publication date
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Abstract

本發明提供一種照明源裝置(500)，其適用於度量衡裝置中以特徵化基板上之結構，照明源裝置包含：高階諧波產生HHG介質(502)；泵浦輻射源(506)，其可操作以發射泵浦輻射光束(508)；及可調整變換光學件(510)，其經組態以按可調整方式變換泵浦輻射光束之橫向空間剖面以產生經變換光束(518)，使得相對於經變換光束之中心軸線，經變換光束之中心區域實質上具有零強度且自經變換光束之中心軸線徑向朝外的外區具有非零強度，其中經變換光束經配置以激發HHG介質以便產生高階諧波輻射(540)，其中外區之位置取決於可調整變換光學件之調整設定。

Description

照明源裝置、其操作方法、微影單元及度量衡裝置
本發明係關於一種用於執行量測之檢測裝置及一種方法。特定言之，本發明係關於一種照明源裝置，其適用於度量衡裝置中以特徵化基板上之結構。
微影裝置係經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(integrated circuit，IC)之製造中。舉例而言，微影裝置可將圖案化器件(例如，光罩)處之圖案(亦常常被稱作「設計佈局」或「設計」)投影至設置於基板(例如，晶圓)上之一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上。
為了將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長決定可形成於基板上之特徵之最小尺寸。當前在使用中之典型波長為365 nm (i線)、248 nm、193 nm及13.5 nm。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影裝置，使用具有介於4 nm至20 nm之範圍內之波長(例如，6.7 nm或13.5 nm)之極紫外線(extreme ultraviolet，EUV)輻射的微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。
低k1 微影可用於處理尺寸小於微影裝置之典型解析度極限的特徵。在此製程中，可將解析度公式表達為CD = k1 ×λ/NA，其中λ係所使用輻射之波長、NA係微影裝置中之投影光學件之數值孔徑、CD係「臨界尺寸」(通常為經印刷最小特徵大小，但在此狀況下為半間距)，且k1 係經驗解析度因數。一般而言，k1 愈小，則愈難以在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案。為了克服此等困難，可將複雜微調步驟應用於微影投影裝置及/或設計佈局。此等步驟包括例如但不限於NA之最佳化、自訂照明方案、使用相移圖案化器件、設計佈局之各種最佳化，諸如設計佈局中之光學近接校正(optical proximity correction，OPC，有時亦被稱作「光學及製程校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(resolution enhancement technique，RET)之其他方法。替代地，用於控制微影裝置之穩定性之嚴格控制迴路可用以改良在低k1 下之圖案之再生。
在微影程序中，需要頻繁地進行所產生結構之量測例如以用於程序控制及驗證。用以進行此類量測之工具通常被稱為度量衡工具MT。用於進行此類量測之不同類型的度量衡裝置MT為吾人所知，包括掃描電子顯微鏡或各種形式之散射計度量衡工具MT。
作為對光學度量衡方法之替代方案，亦考慮使用軟X射線及/或EUV輻射，例如在介於0.1 nm與100 nm之間，或視情況介於1 nm與50 nm之間或視情況介於10 nm與20 nm之間的波長範圍內之輻射。用於產生軟X射線及/或EUV輻射之源可係使用高階諧波產生(HHG)之原理的源。
本發明解決之問題係如何改良用以產生用於度量衡工具中之軟x射線及/或EUV輻射之高階諧波產生HHG照明源的輸出功率。
根據本發明之一第一態樣，提供一種照明源裝置，其適用於一度量衡裝置中以特徵化一基板上之一結構，該照明源裝置包含：一高階諧波產生HHG介質；一泵浦輻射源，其可操作以發射一泵浦輻射光束；及可調整變換光學件，其經組態以按可調整方式變換該泵浦輻射光束之橫向空間剖面以產生一經變換光束，使得相對於該經變換光束之中心軸線，該經變換光束之一中心區域實質上具有零強度且自該經變換光束之中心軸線徑向朝外的一外區具有一非零強度，其中該經變換光束經配置以激發該HHG介質以便產生高階諧波輻射，其中該外區之位置取決於該等可調整變換光學件之一調整設定。
該泵浦輻射源可操作以發射具有一高斯橫向空間剖面之一泵浦輻射光束，且該等可調整變換光學件可經組態以產生具有一非高斯或環形橫向空間剖面之一經變換光束。
該照明源裝置可進一步包含定位於該等可調整變換光學件與該HHG介質之間的一聚焦元件，該聚焦元件經組態以將該經變換光束聚集至該HHG介質中。該聚焦元件可係一透鏡。聚焦元件之聚焦平面可實質上定位於該HHG介質中。
該等可調整變換光學件可包含至少一個錐形元件，諸如一旋轉三稜鏡元件。
舉例而言，該等可調整變換光學件可包含由一第一旋轉三稜鏡元件及一第二旋轉三稜鏡元件組成之一對旋轉三稜鏡元件，其中該第一旋轉三稜鏡元件相對於該泵浦輻射光束之傳播方向先於該第二旋轉三稜鏡元件，且其中該第一旋轉三稜鏡元件與該第二旋轉三稜鏡元件之間的一軸向間隔控制該等可調整變換光學件之該調整設定。
該對旋轉三稜鏡元件可由一個負旋轉三稜鏡元件及一個正旋轉三稜鏡元件組成。該等旋轉三稜鏡元件可係反射旋轉三稜鏡元件、折射旋轉三稜鏡元件或繞射旋轉三稜鏡元件，或該對旋轉三稜鏡元件可係不同類型之旋轉三稜鏡元件的一組合。
該第一旋轉三稜鏡元件可係一負反射旋轉三稜鏡，該負反射旋轉三稜鏡配置於該泵浦輻射光束之中心軸線上，且經組態以將該泵浦輻射光束反射朝向該第二旋轉三稜鏡元件，該第二旋轉三稜鏡元件可係經組態以使該光束準直以藉此產生該經變換光束之一環形正反射旋轉三稜鏡。
該對中之該第一旋轉三稜鏡元件可替代地係一負折射旋轉三稜鏡，該負折射旋轉三稜鏡配置於該泵浦輻射光束之中心軸線上且經組態以朝向該第二旋轉三稜鏡元件發散該泵浦輻射光束，該第二旋轉三稜鏡元件可係配置於該中心軸線上且經組態以使該光束準直以藉此產生該經變換光束之一正折射旋轉三稜鏡。
該對中之該第一旋轉三稜鏡元件可替代地係一負繞射旋轉三稜鏡，該負折射旋轉三稜鏡配置於該泵浦輻射光束之中心軸線上且經組態以朝向該第二旋轉三稜鏡元件發散該泵浦輻射光束，該第二旋轉三稜鏡元件可係配置於該中心軸線上且經組態以使該光束準直以藉此產生該經變換光束之一正繞射旋轉三稜鏡。
對於反射旋轉三稜鏡元件及折射旋轉三稜鏡元件，該對旋轉三稜鏡元件中之各旋轉三稜鏡可具有實質上相同的頂角τ 。該繞射光學元件(DOE)旋轉三稜鏡並非由一頂角τ 而是由一發散角β 界定。該發散角β 相當於該偏轉角之兩倍(2*ϒ)。對於繞射旋轉三稜鏡元件，該對旋轉三稜鏡元件中之各旋轉三稜鏡可具有實質上相同的發散角β 。該等旋轉三稜鏡元件可安裝於一或多個可移動座架上，使得在使用中可調整該等旋轉三稜鏡元件之間的該軸向間隔D1 以控制該調整設定。
該照明源裝置可進一步包含定位於該HHG介質之後的一阻擋元件，該阻擋元件經組態以抑制在高階諧波產生之後殘留的殘餘經變換光束，同時實質上傳輸所產生高階諧波輻射。
該阻擋元件可係與該所產生高階諧波輻射之中心軸線對準的一輸出孔徑。
該聚焦元件可經組態以將該第一旋轉三稜鏡元件成像至該阻擋元件上。
在該照明源裝置之使用期間，可憑藉該一或多個可移動座架選擇該等旋轉三稜鏡之該軸向間隔D1 以便針對一給定旋轉三稜鏡頂角τ 或一給定發散角β 而最佳化： (A)高階諧波產生程序之轉換效率；及/或 (B)對殘餘經變換光束之抑制。
該等可調整變換光學件可進一步包含經組態以調整該泵浦輻射光束之輸入腰大小w0 的一可變光束擴展器/收縮器，且其中在使用中選擇w0 以便進一步最佳化(A)及(B)。
該經變換光束可係具有藉由下式給出之一環帶半徑R1 及一環寬度R2 的一準直環形光束：；及，
其中藉由具體實施方式中之以下方程式(1)或(5)及(7)或(8)給出該偏轉角γ ，或該偏轉角γ 以其他方式與該旋轉三稜鏡頂角τ 或旋轉三稜鏡發散角β 相關。
該等可調整變換光學件可進一步包含定位於該泵浦輻射光束之中心軸線上的一輸入孔徑，其中該輸入孔徑相對於該泵浦輻射光束之傳播方向定位於該等旋轉三稜鏡元件之後及該HHG介質之前，且該聚焦元件經組態以將該輸入孔徑成像至該阻擋元件上，且其中在使用中選擇該輸入孔徑之孔徑大小以便進一步最佳化(A)及(B)。該輸入孔徑可經組態以調整該環寬度R2 。
根據本發明之一第二態樣，提供一種操作一照明源裝置之方法，該照明源裝置適用於一度量衡裝置中以特徵化一基板上之一結構，該方法包含：提供一高階諧波產生HHG介質；操作一泵浦輻射源以發射一束泵浦輻射；及藉由可調整變換光學件變換該泵浦輻射光束之橫向空間剖面以產生一經變換光束，使得相對於該經變換光束之中心軸線，該經變換光束之一中心區域實質上具有零強度且自該經變換光束之中心軸線徑向朝外的一外區具有一非零強度，其中該經變換光束激發該HHG介質以便產生高階諧波輻射，其中該外區之位置取決於該等可調整變換光學件之一調整設定。
該泵浦輻射源可發射具有一高斯橫向空間剖面之一泵浦輻射光束，且該等可調整變換光學件可產生具有一非高斯或環形橫向空間剖面之一經變換光束。
根據本發明之該第二態樣的方法可進一步包含使用定位於該等可調整變換光學件與該HHG介質之間的一聚焦元件來將該經變換光束聚集至該HHG介質中。
該等可調整變換光學件可包含由一第一旋轉三稜鏡元件及一第二旋轉三稜鏡元件組成之一對旋轉三稜鏡元件，其中該第一旋轉三稜鏡元件相對於該泵浦輻射光束之傳播方向先於該第二旋轉三稜鏡元件，且其中調整該第一旋轉三稜鏡元件與該第二旋轉三稜鏡元件之間的一軸向間隔以控制該等可調整變換光學件之該調整設定。
對於反射旋轉三稜鏡元件及折射旋轉三稜鏡元件，該對旋轉三稜鏡元件中之各旋轉三稜鏡可具有實質上相同的頂角τ 。該繞射光學元件(DOE)旋轉三稜鏡並非由一頂角τ 而是由一發散角β 界定。對於繞射旋轉三稜鏡元件，該對旋轉三稜鏡元件中之各旋轉三稜鏡可具有實質上相同的發散角β 。該等旋轉三稜鏡元件可安裝於一或多個可移動座架上，且該方法可進一步包含調整該等旋轉三稜鏡元件之間的該軸向間隔D1 以控制該調整設定。
根據該第二態樣的方法可進一步包含使用定位於該HHG介質之後的一阻擋元件來抑制在高階諧波產生之後殘留的殘餘經變換光束，同時實質上傳輸所產生高階諧波輻射。可使用該聚焦元件來將該第一旋轉三稜鏡元件成像至該阻擋元件上。
該方法可進一步包含選擇該等旋轉三稜鏡元件之間的該軸向間隔D1 以便最佳化： (A)高階諧波產生程序之轉換效率；及/或 (B)對殘餘經變換光束之抑制。
該方法可進一步包含使用一可變光束擴展器/收縮器來調整輸入腰大小w0 ，以便進一步最佳化(A)及(B)。
該等可調整變換光學件可進一步包含定位於該泵浦輻射光束之中心軸線上的一輸入虹膜，其中該輸入虹膜相對於該泵浦輻射光束之傳播方向定位於該等旋轉三稜鏡元件之後及該HHG介質之前，且該聚焦元件經組態以將該輸入虹膜成像至該阻擋元件上，且其中選擇該輸入虹膜之孔徑大小以便進一步最佳化(A)及(B)。
根據本發明之一第三態樣，提供一種電腦程式，其包含在經執行於至少一個處理器上時使得該至少一個處理器控制一裝置以執行根據本發明之該第二態樣之方法的指令。
根據本發明之一第四態樣，提供一種含有根據第三態樣之電腦程式的載體，其中該載體係一電子信號、光學信號、無線電信號或非暫時性電腦可讀儲存媒體中之一者。
根據本發明之一第五態樣，提供一種包含根據本發明之該第一態樣之照明源裝置的微影裝置。
根據本發明之一第六態樣，提供一種包含根據本發明之該第五態樣之微影裝置的微影單元。
根據本發明之一第七態樣，提供一種包含根據本發明之該第一態樣之照明源裝置的度量衡裝置。
根據本發明之一第八態樣，提供一種包含根據本發明之該第七態樣之度量衡裝置的微影單元。
本發明旨在提供用以產生供用於中一度量衡工具之軟X射線和/或EUV輻射之一高階諧波產生HHG照明源裝置的改良型輸出功率。經由實現改良之轉換效率且降低對金屬濾波器之依賴來抑制殘餘泵浦輻射，本發明達成此目標。
在詳細地描述本發明之實施例之前，呈現可供實施本發明之實施例的實例環境係具指導性的。
在本文中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外輻射(例如，具有365、248、193、157或126 nm之波長)、極紫外光輻射(extreme ultra-violet，EUV，例如具有介於約1至100 nm範圍內的波長)及/或軟X射線輻射(例如，介於0.1至10 nm之波長範圍內的輻射)。
如本文中所使用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。術語「光閥」亦可用於此內容背景中。除了經典光罩(透射或反射、二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例亦包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。微影裝置LA包括：照明系統(亦被稱作照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；光罩支撐件(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM；基板支撐件(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板支撐件之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。
在操作中，照明系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件及/或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統及/或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」PS同義。
微影裝置LA可屬於以下類型：基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體覆蓋，例如由水覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的空間--此亦被稱作浸潤微影。在以引用之方式併入本文中的US6952253中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影裝置LA亦可屬於具有兩個或更多個基板支撐件WT (又名「雙載物台」)之類型。在此「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，及/或可對位於基板支撐件WT中之一者上的基板W進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐件WT上之另一基板W用於在另一基板W上曝光圖案。
除了基板支撐件WT以外，微影裝置LA亦可包含量測載物台。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔器件。感測器可經配置以量測投影系統PS之特性或輻射束B之特性。量測載物台可固持多個感測器。清潔器件可經配置以清潔微影裝置之部分，例如投影系統PS之部分或提供浸潤液體之系統之部分。量測載物台可在基板支撐件WT遠離投影系統PS時在投影系統PS下移動。
在操作中，輻射光束B入射於固持於光罩支撐件MT上之圖案化器件MA上，例如光罩上，且藉由存在於圖案化器件MA上的圖案(設計佈局)進行圖案化。在已橫穿光罩MA之情況下，輻射光束B通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置量測系統IF，可準確地移動基板支撐件WT，例如以便在聚焦卻對準之位置處在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及可能的另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用於相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA與基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中。在基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，此等基板對準標記稱為切割道對準標記。
如圖2中所展示，微影裝置LA可形成微影製造單元LC (有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或(微影)叢集)之部分，微影製造單元LC常常亦包括用以對基板W執行曝光前製程及曝光後製程之裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、例如用於調節基板W之溫度(例如，用於調節抗蝕劑層中之溶劑)之冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板W、在不同製程裝置之間移動基板W且將基板W遞送至微影裝置LA之裝載匣LB。微影製造單元中常常亦被集體地稱作塗佈顯影系統之器件通常係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身可受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦可例如經由微影控制單元LACU而控制微影裝置LA。
為了正確且一致地曝光由微影裝置LA曝光之基板W，需要檢測基板以量測經圖案化結構之特性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。出於此目的，可在微影製造單元LC中包括檢測工具(圖中未繪示)。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光或對待對基板W執行之其他處理步驟進行例如調整，尤其是在同一批量或批次之其他基板W仍待曝光或處理之前進行檢測的情況下。
亦可被稱作度量衡裝置之檢測裝置係用以判定基板W之特性，且尤其判定不同基板W之特性如何變化或與同一基板W之不同層相關聯之特性在層與層間如何變化。檢測裝置可替代地經建構以識別基板W上之缺陷，且可例如為微影製造單元LC之部分，或可整合至微影裝置LA中，或可甚至為單機器件。檢測裝置可量測潛影(在曝光之後在抗蝕劑層中之影像)上之特性，或半潛像影像(在曝光後烘烤步驟PEB之後在抗蝕劑層中之影像)上之特性，或經顯影抗蝕劑影像(其中抗蝕劑之曝光部分或未曝光部分已被移除)上之特性，或甚至經蝕刻影像(在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後)上之特性。
通常微影裝置LA中之圖案化製程為在處理中之最具決定性步驟中的一者，其需要基板W上之結構之尺寸標定及置放之高準確度。為了確保此高準確度，可將三個系統組合於所謂的「整體」控制環境中，如圖3示意性地所描繪。此等系統中之一者為微影裝置LA，其(實際上)連接至度量衡工具MT (第二系統)且連接至電腦系統CL (第三系統)。此「整體」環境之關鍵在於最佳化此等三個系統之間的合作以增強總體製程窗且提供嚴格控制迴路，從而確保由微影裝置LA執行之圖案化保持在製程窗內。製程窗界定製程參數(例如，劑量、焦點、疊對)之範圍，在該製程參數範圍內特定製造製程得到所界定結果(例如，功能半導體器件)-通常在該製程參數範圍內微影製程或圖案化製程中之製程參數被允許變化。
電腦系統CL可使用待圖案化之設計佈局(之部分)以預測使用哪種解析度增強技術且執行演算微影模擬及計算以判定哪種光罩佈局及微影裝置設定達成圖案化製程之最大總體製程窗(在圖3中由第一標度SC1中之雙箭頭描繪)。通常，解析度增強技術經配置以匹配於微影裝置LA之圖案化可能性。電腦系統CL亦可用以偵測在製程窗內何處微影裝置LA當前正操作(例如，使用來自度量衡工具MT之輸入)以預測歸因於例如次佳處理是否可存在缺陷(在圖3中由第二標度SC2中之指向「0」之箭頭描繪)。
度量衡工具MT可將輸入提供至電腦系統CL以實現準確模擬及預測，且可將回饋提供至微影裝置LA以識別例如微影裝置LA之校準狀態中的可能漂移(在圖3中由第三標度SC3中之多個箭頭描繪)。
在微影程序中，需要頻繁地進行所產生結構之量測例如以用於程序控制及驗證。用以進行此類量測之工具通常被稱為度量衡工具MT。用於進行此類量測之不同類型的度量衡裝置MT為吾人所知，包括掃描電子顯微鏡或各種形式之散射計度量衡工具MT。
散射計為多功能器具，其允許藉由在光瞳或與散射計之接物鏡之光瞳共軛的平面中具有感測器來量測微影製程之參數(量測通常被稱作以光瞳為基礎之量測)，或藉由在影像平面或與影像平面共軛之平面中具有感測器來量測微影製程之參數，在此狀況下量測通常被稱作以影像或場為基礎之量測。全文係以引用方式併入本文中之專利申請案US20100328655、US2011102753A1、US20120044470A、US20110249244、US20110026032或EP1,628,164A中進一步描述此類散射計及相關聯量測技術。前述散射計可使用來自軟x射線、極紫外線(EUV)及近IR波長範圍之光來量測光柵。
第一種類型之散射計係角度解析散射計。在此散射計中，重新建構方法可應用於經量測信號以重新建構或計算光柵之特性。此重新建構可例如由模擬散射輻射與目標結構之數學模型之相互作用且比較模擬結果與量測之結果產生。調整數學模型之參數直至經模擬相互作用產生相似於自真實目標所觀測之繞射圖案的繞射圖案為止。
第二種類型之散射計係光譜散射計MT。在此光譜散射計MT中，由輻射源發射之輻射經導向至目標上且來自目標之反射或散射輻射經導向至光譜儀偵測器上，該光譜儀偵測器量測鏡面反射輻射(即，0階)之光譜(亦即依據波長而變化的強度之量測)。自此資料，可例如藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸或藉由與經模擬光譜庫比較來重新建構產生經偵測到之光譜的目標之結構或剖面。
第三種類型之散射計係橢圓量測散射計。橢圓量測散射計允許藉由量測針對每一偏振狀態之散射輻射來判定微影製程之參數。此度量衡裝置藉由在度量衡裝置之照明區段中使用例如適當偏振濾光器來發射偏振光(諸如線性、圓形或橢圓)。適於度量衡裝置之源亦可提供偏振輻射。全文係以引用方式併入本文中之美國專利申請案11/451,599、11/708,678、12/256,780、12/486,449、12/920,968、12/922,587、13/000,229、13/033,135、13/533,110及13/891,410中描述現有橢圓量測散射計之各種實施例。
散射計MT可經調適以藉由量測反射光譜及/或偵測組態中之不對稱性(該不對稱性係與疊對之範圍有關)來量測兩個未對準光柵或週期性結構之疊對。可將兩個(通常重疊)光柵結構施加於兩個不同層(未必為連續層)中，且該兩個光柵結構可形成為處於晶圓上實質上相同的位置。散射計可具有如例如全部內容以引用之方式併入本文中之專利申請案EP1,628,164A中所描述之對稱偵測組態，使得任何不對稱性可明確區分的。此提供用以量測光柵中之未對準之直接方式。可在全文係以引用方式併入本文中之PCT專利申請公開案第WO 2011/012624號或美國專利申請案第US 20160161863號中找到關於含有作為目標之週期性結構之兩個層之間的疊對誤差經由該等週期性結構之不對稱性予以量測的其他實例。
其他所關注參數可係聚焦及劑量且更詳言之由微影裝置在基板上印刷圖案時使用之聚焦及劑量。可藉由如全文係以引用方式併入本文中之美國專利申請案US2011-0249244中所描述之散射量測(或替代地藉由掃描電子顯微法)同時判定焦點及劑量。可使用具有針對焦點能量矩陣(Focus Exposure Matrix，FEM——亦被稱作焦點曝光矩陣)中之每一點之臨界尺寸及側壁角量測之獨特組合的單一結構。若可得到臨界尺寸及側壁角之此等獨特組合，則可根據此等量測獨特地判定焦點及劑量值。
度量衡目標可係藉由微影程序主要在抗蝕劑中形成且亦在例如蝕刻處理之後形成之複合光柵的系集。通常，光柵中之結構之間距及線寬很大程度上取決於量測光學件(尤其是光學件之NA)以能夠捕捉來自度量衡目標之繞射階。如較早所指示，繞射信號可用以判定兩個層之間的移位(亦被稱作「疊對」)或可用以重建構如藉由微影製程所產生的原始光柵之至少一部分。此重建構可用以提供微影製程之品質指導，且可用以控制微影製程之至少一部分。目標可具有經組態以模仿目標中之設計佈局之功能性部分之尺寸的較小子分段。歸因於此子分段，目標將表現得更相似於設計佈局之功能性部分，使得總體程序參數量測較佳類似於設計佈局之功能性部分。可在填充不足模式下或在填充過度模式下量測目標。在填充不足模式下，量測光束產生小於整個目標之光點。在填充過度模式下，量測光束產生大於總體目標之光點。在此填充過度模式下，亦有可能同時量測不同目標，因此同時判定不同處理參數。
使用特定目標進行之微影參數之總體量測品質至少部分由用以量測此微影參數之量測配方判定。術語「基板量測配方」可包括量測自身之一或多個參數、經量測之一或多個圖案之一或多個參數，或此兩者。舉例而言，若用於基板量測配方中之量測為以繞射為基礎之光學量測，則量測之參數中之一或多者可包括輻射之波長、輻射之偏振、輻射相對於基板之入射角、輻射相對於基板上之圖案之定向，等等。用以選擇量測配方之準則中之一者可例如為量測參數中之一者對於處理變化之敏感度。全文係以引用方式併入本文中之美國專利申請案US2016-0161863及尚未公開之美國專利申請案15/181,126中描述更多實例。
作為對光學度量衡方法之替代方案，亦考慮使用軟X射線及/或EUV輻射，例如在介於0.1 nm與100 nm之間，或視情況介於1 nm與50 nm之間或視情況介於10 nm與20 nm之間的波長範圍內之輻射。度量衡工具在上文所呈現之波長範圍中之一者中運行的一個實例為透射小角度X射線散射(如內容之全文係以引用方式併入本文中的US 2007224518A中之T-SAXS)。Lemaillet等人在「Intercomparison between optical and X-ray scatterometry measurements of FinFET structures」(Proc. of SPIE，2013年，8681)中論述了使用T-SAXS之輪廓(CD)量測。吾人已知在掠入射下使用X射線(GI-XRS)及極紫外線(EUV)輻射之反射量測術技術用於量測基板上之膜及層堆疊之特性。在一般反射量測術領域內，可應用測角及/或光譜技術。在測角術中，量測在不同入射角下之反射光束之變化。另一方面，光譜反射量測術量測在給定角度下反射之波長之光譜(使用寬頻帶輻射)。舉例而言，EUV反射量測術已在供用於EUV微影中之倍縮光罩(圖案化器件)之製造之前用於光罩基底之檢測。
應用之範圍有可能使軟X射線及/或EUV域中之波長之使用係不足夠的。因此，已公開專利申請案US 20130304424A1及US2014019097A1 (Bakeman等人/KLA)描述混合度量衡技術，其中將使用x射線進行之量測及運用在120 nm與2000 nm之範圍內之波長的光學量測組合在一起以獲得諸如CD之參數之量測。藉由經由一或多個共同部分將x射線數學模型及光學數學模型耦合來獲得CD量測。所列舉美國專利申請案的內容以全文引用之方式併入本文中。
圖4描繪度量衡裝置302之示意性表示，其中波長範圍在0.1 nm至100 nm之輻射可用於量測基板上之結構之參數。圖4中呈現之度量衡裝置302適用於軟X射線及/或EUV域。
圖4說明純粹作為實例的包含使用掠入射中之EUV及/或SXR輻射之光譜散射計的度量衡裝置302之示意性實體配置。檢測裝置之替代形式可以角度解析散射計之形式提供，該角度解析散射計類似於在較長波長下操作之習知散射計使用正入射或接近正入射中之輻射。
檢測裝置302包含輻射源310、照明系統312、基板支撐件316、偵測系統318、398及度量衡處理單元(metrology processing unit，MPU) 320。
在此實例中，源310包含基於高階諧波產生(HHG)技術之EUV及/或軟x射線輻射之產生器。此等源可購自例如美國科羅拉多州博爾德市(Boulder Colorado)之KMLabs (http://www.kmlabs.com/)。輻射源之主組件係驅動雷射器330及HHG氣胞332。氣體供應器334將適合氣體供應至氣胞，在該氣胞中，該適合氣體視情況由電源336離子化。驅動雷射器300可例如係具有光學放大器之基於光纖之雷射，其產生每脈衝可持續例如小於1奈秒(1 ns)的紅外線輻射之脈衝，其中脈衝重複率視需要達至若干兆赫茲。紅外線輻射之波長可係例如大約1微米(1 μm)。將雷射脈衝作為第一輻射光束340遞送至HHG氣胞332，其中在氣體中，輻射之一部分轉換為比第一輻射高的頻率，成為包括具有所要波長之相干第二輻射之光束342。
第二輻射可含有多個波長。若該輻射係單色的，則可簡化量測計算(例如，重建構)，但運用HHG較易於產生具有若干波長之輻射。氣胞332內之氣體體積界定HHG空間，但該空間無需被完全圍封且可使用氣流代替靜態體積。舉例而言，氣體可係惰性氣體，諸如氖氣(Ne)或氬氣(Ar)。N2 、O2 、He、Ar、Kr、Xe氣體皆可被考慮。此等情形為設計選擇事項，且甚至可係同一裝置內之可選擇選項。不同波長將例如在對不同材料之結構成像時提供不同位準之對比度。舉例而言，為了檢測金屬結構或矽結構，可將不同波長選擇為用於成像(碳基)抗蝕劑之特徵或用於偵測此等不同材料之污染的波長。可提供一或多個濾光器件344。舉例而言，諸如鋁(Al)或鋯(ZR)薄膜之濾光器可用以切斷基諧IR輻射以免進一步傳遞至檢測裝置中。可提供光柵(未展示)以自氣胞中產生之波長當中選擇一或多個特定諧波波長。在真空環境內可含有光束路徑中之一些或全部，應記住，SXR輻射在空氣中行進時會被吸收。輻射源310及照明光學件312之各種組件可係可調節的以在同一裝置內實施不同度量衡「配方」。舉例而言，可使不同波長及/或偏振係可選擇的。
取決於在檢測中之結構之材料，不同波長可提供至下部層中之所要程度之穿透。為了解析最小器件特徵以及最小器件特徵當中之缺陷，則短波長很可能為較佳的。舉例而言，可選擇介於1至20 nm之範圍內或視情況介於1至10 nm之範圍內或視情況介於10至20 nm之範圍內的一或多個波長。短於5 nm之波長在自半導體製造中通常所關注之材料反射時遭受極低臨界角。因此，選擇大於5 nm之波長將會在較高入射角下提供較強信號。另一方面，若檢測任務是用於偵測某一材料之存在(例如)以偵測污染，則高達50 nm之波長可係有用的。
經濾光光束342自輻射源310進入檢測腔室350，其中包括所關注結構之基板W由基板支撐件316固持以用於在量測位置處檢測。所關注結構被標註為T。檢測腔室350內之氛圍由真空泵352維持為接近真空，以使得EUV輻射可在無不當衰減的情況下傳遞通過該氛圍。照明系統312具有將輻射聚焦至經聚焦光束356中之功能，且可包含例如二維彎曲鏡面或一系列一維彎曲鏡面，如上文所提及之已公開美國專利申請案US2017/0184981A1 (其內容之全文係以引用方式併入本文中)中所描述。執行該聚焦以在投影至所關注結構上時達成直徑低於10 μm之圓形或橢圓形光點S。基板支撐件316包含例如X-Y平移載物台及旋轉載物台，藉由該X-Y平移載物台及該旋轉載物台，可使基板W之任何部分在所要定向上到達光束之焦點。因此，輻射光點S形成於所關注結構上。可替代地或另外，基板支撐件316包含例如可按某一角度使基板W傾斜以控制所關注結構T上之所聚焦光束之入射角的傾斜載物台。
視情況，照明系統312將參考輻射光束提供至參考偵測器314，該參考偵測器可經組態以量測經濾光光束342中之不同波長的光譜及/或強度。參考偵測器314可經組態以產生經提供至處理器310之信號315，且濾光片可包含關於經濾光光束342之光譜及/或在中經濾光光束中之不同波長之強度的資訊。
藉由偵測器318捕獲反射輻射360，且將光譜提供至處理器320以用於計算目標結構T之特性。照明系統312及偵測系統318因此形成檢測裝置。此檢測裝置可包含屬於內容以全文引用之方式併入本文中之US2016282282A1中所描述之種類的軟X射線及/或EUV光譜反射計。
若目標T具有某一週期性，則經聚焦光束356下輻射亦可經部分地繞射。繞射輻射397相對於入射角接著相對於反射輻射360以明確界定角度沿著另一路徑。在圖4中，經吸取繞射輻射397以示意性方式被吸取，且繞射輻射397可沿著除經吸取路徑以外之許多其他路徑。檢測裝置302亦可包含偵測及/或成像繞射輻射397的至少一部分之其他偵測系統398。在圖4中，繪製了單個其他偵測系統398，但檢測裝置302之實施例亦可包含多於一個其他偵測系統398，該等偵測系統經配置在不同位置處以在複數個繞射方向上偵測及/或成像繞射輻射397。換言之，照射在目標T上之經聚焦輻射光束之(較高)繞射階由一或多個其他偵測系統398偵測及/或成像。一或多個偵測系統398產生經提供至度量衡處理器320之信號399。信號399可包括繞射光397之資訊及/或可包括自繞射光397獲得之影像。
為輔助光點S與所要產品結構之對準及聚焦，檢測裝置302亦可提供在度量衡處理器320之控制下使用輔助輻射之輔助光學件。度量衡處理器320亦可與位置控制器372通信，該位置控制器操作平移載物台、旋轉載物台及/或傾斜載物台。處理器320經由感測器接收關於基板之位置及定向之高度準確之回饋。感測器374可包括例如干涉計，其可給出大約皮米之準確度。在檢測裝置302之操作中，由偵測系統318擷取之光譜資料382經遞送至度量衡處理單元320。
如所提及，檢測裝置之替代形式使用正入射或接近正入射下之軟X射線及/或EUV輻射，例如以執行以繞射為基礎之不對稱性量測。兩種類型之檢測裝置可設置於混合度量衡系統中。待量測之效能參數可包括疊對(OVL)、臨界尺寸(CD)、相干繞射成像(CDI)及依解析度疊對(ARO)度量衡。軟X射線及/或EUV輻射可例如具有小於100 nm之波長，例如使用介於5至30 nm之範圍內，視情況介於10 nm至20 nm之範圍內的輻射。該輻射在特性上可係窄頻帶或寬頻帶。輻射可在特定波長帶中具有離散峰值或可具有更連續特徵。
如同用於當今生產設施中之光學散射計，檢測裝置302可用於量測在微影製造單元內處理之抗蝕劑材料內之結構(在顯影檢測或ADI之後)，及/或在結構已形成於較硬材料中之後量測該等結構(在蝕刻檢測或AEI之後)。舉例而言，在基板已由顯影裝置、蝕刻裝置、退火裝置及/或其他裝置處理之後，可使用檢測裝置302來檢測基板。
圖5說明根據本發明之第一實施例的照明源裝置500。照明源裝置可用於度量衡裝置中，諸如上文參考圖4所描述之度量衡裝置中。照明源裝置包含由氣體噴嘴504遞送之高階諧波產生HHG介質502。泵浦輻射源506可經操作以發射泵浦輻射光束508。由泵浦輻射源發射之泵浦輻射光束通常具有具有表示為w0 之光束腰的高斯橫向空間剖面。不同於泵浦輻射之高斯光束直接聚焦至HHG介質中以供轉換的習知HHG源，根據本發明之實施例，泵浦輻射光束首先入射於在圖5中大體上在510處展示的一組可調整變換光學件上。該等可調整變換光學件之目的係以可調整方式變換泵浦輻射光束之橫向空間剖面以產生具有不同橫向空間剖面之經變換光束。
根據此實施例，可調整變換光學件510包含具有相等頂角τ 之一對折射旋轉三稜鏡元件512、514。該等折射旋轉三稜鏡元件以軸向間隔距離D1 串聯地置放。折射旋轉三稜鏡係可係正(凸面)或負(凹面)的錐形光學元件。折射旋轉三稜鏡元件由頂角τ 及形成旋轉三稜鏡元件之介質的折射率特徵化。分別參考圖14a及圖14b詳細地描述負及正折射旋轉三稜鏡之特性。「折射」應被理解為元件透射地操作且由折射率通常大於或小於包圍旋轉三稜鏡元件之介質的材料形成。參考圖14a，負(凹面)折射旋轉三稜鏡元件由頂角τ 特徵化，且由指示為n 旋轉三稜鏡 之可介於1.4至1.6之範圍內之折射率的介質形成。周圍介質(例如，空氣或真空)之折射率表示為n 且通常係1.0。並行入射光/輻射射線遠離光軸偏轉之角表示為γ且藉由下式給出：。         (1) 參考圖14b，正(凸面)折射旋轉三稜鏡元件亦由頂角τ 特徵化，且由指示為n 旋轉三稜鏡 之可介於1.4至1.6之範圍內之折射率的介質形成。對於正旋轉三稜鏡之狀況，亦產生等效偏轉角γ ，如自圖14b顯而易見，且等效偏轉角可視為入射光/輻射射線朝向光軸偏轉之角。此由以上相同方程式(1)界定。
在圖5中所展示之實施例中，相對於泵浦輻射光束之傳播方向，即在圖5中自左至右，可調整變換光學件510之第一旋轉三稜鏡元件512係負(凹面)折射旋轉三稜鏡元件。第一旋轉三稜鏡元件對泵浦輻射之入射光束的影響係使該入射光束彎曲遠離光軸516，該光軸亦係泵浦輻射光束之中心軸線且在圖5中展示為+z 方向。因為第一旋轉三稜鏡元件係同軸的，所以泵浦輻射光束作為中空光圈發散遠離光軸，從而沿著正z 方向隨距離線性地增大半徑。第二旋轉三稜鏡元件514係離第一旋轉三稜鏡元件按軸向間隔距離D1 置放之正(凸面)折射旋轉三稜鏡元件。第二旋轉三稜鏡元件使光束彎曲回向光軸516，從而(實質上)消去由第一旋轉三稜鏡元件賦予之發散，藉此產生在本文中被稱作「經變換光束」之準直環形光束518。因為第一與第二旋轉三稜鏡元件具有相等但相對之頂角τ ，所以消去發散。替代地，據設想，兩個旋轉三稜鏡元件可具有略微不同之頂角，藉此產生非準直環形光束。在此狀況下，下文論述之聚焦元件520可經組態以至少部分地補償環形光束之非準直性質。該等旋轉三稜鏡中之一或兩者安裝於可移動座架上以允許在z 方向上，即沿著光軸，調整間隔D1 。
在圖6中展示(x ,y )平面上之樣本橫向強度剖面。所得環形光束518由內圈半徑R1 及外圈半徑R2 特徵化。來自原始泵浦光束之高斯尾留存於環形光束之外部上，而環形光束之內部邊緣係尖銳的。經變換光束518具有藉由下式給出之半徑R1 及R2 ：； (2)， (3) 其中角γ 係如上文在方程式(1)及方程式(5)中所定義之遠離或朝向光軸偏轉輻射的角。
以此方式，因為變換光學件產生類似於準直環形光束之經變換光束，所以相對於經變換光束之中心軸線，經變換光束之中心區域具有實質上零強度，且自經變換光束之中心軸線徑向朝外之外區具有非零強度。哪一非零強度之外區的位置取決於該等可調整變換光學件之調整設定。舉例而言，在此實施例中，該位置取決於第一旋轉三稜鏡與第二旋轉三稜鏡之間的間隔距離D1 。可使用如上文所描述之一或多個可移動座架來調整此間隔距離。
聚焦元件520在變換光學件與HHG介質之間，該聚焦元件將經變換光束518聚焦至HHG介質中。聚焦元件離第二旋轉三稜鏡元件按距離D2 定位。經變換光束經配置以激發HHG介質以便產生高階諧波輻射，而非以泵浦輻射之原始高斯光束激勵HHG介質，如習知HHG源中之狀況。在此實施例中，聚焦元件係具有焦距f 之透鏡520。透鏡之聚焦平面實質上定位於HHG介質中。以此方式，因為經變換光束在透鏡之前係準直的，所以經變換光束由透鏡實質上聚焦至HHG介質中之產生軟x射線及/或EUV輻射的高強度光點。
經變換光束之在HHG程序中未轉換為軟x射線輻射及/或EUV之部分傳播遠離聚焦點且將在遠場中重新形成中空環形強度剖面。另一方面，所產生高階諧波(軟x射線及/或EUV)輻射540將實質上沿著光軸之傳播且不會形成中空環形光束。此係因為在焦點處，經變換光束與高斯光束具有類似場分佈。因為所產生軟x射線及/或EUV輻射及殘餘經變換光束變得在遠場中空間分離，所以被動阻擋元件522定位在HHG介質之後且用以阻擋/抑制在HHG之後殘留之殘餘經變換光束，同時實質上傳輸所產生軟x射線及/或EUV輻射以供用於例如度量衡裝置中。在此實施例中，阻擋元件係與所產生高階諧波輻射之中心軸線對準的輸出孔徑522。透鏡之聚焦平面與輸出孔徑之間的距離係D3 。在輸出孔徑之後自經變換光束殘留之任何泵浦輻射可視情況由鋯濾光片524濾除。
選擇第一旋轉三稜鏡元件512之位置使得其處於輸出孔徑522之共軛物影像平面上。此成像關係已證實為對於憑藉輸出孔徑抑制殘餘經變換光束最佳。根據薄透鏡式，圖5中之距離之間的關係因此係：(4)
圖7說明根據本發明之第二實施例的照明源裝置700。此實施例與圖5中所展示之第一實施例相同，不同之處在於根據此實施例，呈輸入孔徑526形式之額外光學元件被提供，且形成大體上在510’處展示之變換光學件之部分。輸入孔徑定位於泵浦輻射光束516之中心軸線上，且相對於泵浦輻射光束之傳播方向定位在第一及第二旋轉三稜鏡元件之後及HHG介質之前。在此實施例中，相比於透鏡經組態以將第一旋轉三稜鏡元件成像至阻擋元件上之第一實施例，透鏡520經組態以將輸入孔徑526成像至阻擋元件522上。在使用中，選擇輸入孔徑之孔徑大小以便使得能夠控制外圈半徑R2 。此使得能夠藉由調整旋轉三稜鏡間隔D1 及輸入孔徑大小以控制R2 來獨立地分別調諧內圈半徑R1 及外圈半徑R2 。
圖8說明根據本發明之第三實施例的照明源裝置800。此實施例與圖5中所展示之第一實施例相同，不同之處在於其在該對旋轉三稜鏡元件之前另外包括可變光束擴展器/收縮器528。可變光束擴展器/收縮器因此形成大體上在510’’處展示之變換光學件的部分。可變光束擴展器/收縮器可係例如望遠鏡。可變光束擴展器/收縮器528使得能夠在由該對旋轉三稜鏡元件操縱之前調整泵浦輻射光束之腰大小w0 。此使得能夠藉由調整旋轉三稜鏡間隔D1 及輸入泵浦光束腰w0 來獨立地分別調諧內圈半徑R1 及外圈半徑R2 ，如自方程式(2)及(3)中展示之關係式可見。
圖9描繪根據本發明之第四實施例之照明源裝置的變換光學件部件510’’’。此實施例使用一對反射旋轉三稜鏡元件902、904，而非如上文參考本發明之前三個實施例所描述的一對折射旋轉三稜鏡元件。根據此實施例，第一旋轉三稜鏡元件902係負(凸面)反射旋轉三稜鏡，負反射旋轉三稜鏡配置於泵浦輻射光束之中心軸線906上，且經組態以將泵浦輻射光束反射朝向第二旋轉三稜鏡元件904，第二旋轉三稜鏡元件係經組態以使光束準直以藉此產生經變換光束之環形正反射旋轉三稜鏡。因為第二旋轉三稜鏡元件904係環形的，所以泵浦輻射之輸入光束可通過第二旋轉三稜鏡元件之中心以便到達第一旋轉三稜鏡元件。
旋轉三稜鏡元件902與904具有相等頂角τ 。在圖10a中更詳細地展示第一旋轉三稜鏡元件902。第一旋轉三稜鏡元件902具有頂角τ 且圍繞錐之尖端旋轉對稱。錐之尖端沿著光軸906居中。以此方式，在與入射傳播方向相對之方向上，即在-z 方向上，遠離光軸按固定且恆定之角γ 反射在+z 方向上沿著相同光軸傳播之泵浦輻射光束，其中：。      (5) 反射光束將形成發散中空環形光束，根據方程式(2)，內半徑R1 隨離第一旋轉三稜鏡元件之距離D1 而增大。環形光束之徑向環寬度係入射光束直徑之一半，或在泵浦輻射光束係準直高斯光束之狀況下，此徑向環寬度與泵浦光束腰w0 相同。藉由方程式(3)給出外圈半徑R2 。第二旋轉三稜鏡反射器元件904係正(凹面)反射旋轉三稜鏡且與第一元件具有相同頂角τ ，且在圖10b中更詳細地予以展示。此元件係具有圓形對稱固定角表面之環形鏡面。元件之中心區域係中空的，以允許不受阻礙地將初始泵浦輻射光束透射至變換光學件510’’’中，如圖10c之平面圖中所展示。環形反射器用以收集自第一旋轉三稜鏡元件反射之光。反射表面之角係使得對於發散錐正確，從而形成準直環形光束。在第二旋轉三稜鏡元件之後，提供呈輸入孔徑908形式之額外光學元件。輸入孔徑定位於泵浦輻射光束之中心軸線上，且相對於泵浦輻射光束之傳播方向定位在第一及第二旋轉三稜鏡元件之後及HHG介質之前。在此實施例中，透鏡(未展示)經組態以將輸入孔徑908成像至阻擋元件上。變換光學件510’’’之後的配置在結構上與圖5、圖7及圖8中所展示之配置相同。在使用中，選擇輸入孔徑之孔徑大小以便使得能夠控制外圈半徑R2 。此使得能夠藉由調整旋轉三稜鏡間隔D1 及輸入孔徑大小以控制R2 來獨立地分別調諧內圈半徑R1 及外圈半徑R2 。替代地，作為輸入孔徑908之替代或補充，此實施例可使用可變光束擴展器/接觸器。可變光束擴展器/收縮器將以上文參考第三實施例所描述之方式起作用。替代地，若對輸入光束腰w0 之充足控制可能直接來自泵浦輻射源，則此實施例及所有其他實施例可能不包括可變光束擴展器/收縮器或輸入孔徑。
圖15描繪根據本發明之第五實施例之照明源裝置的變換光學件部件510’’’’。此實施例類似於參考圖9所描述之第四實施例，此係因為相對於折射旋轉三稜鏡元件，其亦在變換光學件中使用一對反射旋轉三稜鏡元件1002及1004。根據此實施例，第一旋轉三稜鏡元件1002係負(凸面)反射旋轉三稜鏡，其配置成其尖端在泵浦輻射光束之中心軸線1006上但與光軸成45度角。以此方式，第一旋轉三稜鏡元件1002朝向第二旋轉三稜鏡元件1004反射泵浦輻射光束，該第二旋轉三稜鏡元件係經組態以使光束準直以藉此產生該經變換光束之正(凹面)反射旋轉三稜鏡。第二旋轉三稜鏡元件亦與與光軸1006成45度角且平行於第一旋轉三稜鏡元件。旋轉三稜鏡元件1002與1004具有相等頂角τ 。不同於第四實施例，因為泵浦輻射之輸入光束不通過第二旋轉三稜鏡元件以便到達第一旋轉三稜鏡元件，所以在此實施例中第二旋轉三稜鏡元件不具有環形幾何結構。在許多態樣中，此實施例以與第四實施例相同的方式起作用，且方程式(5)定義偏轉角γ 且方程式(2)及(3)取決於γ 、旋轉三稜鏡間隔D1 及輸入泵浦光束腰w0 而判定環形光束半徑。
圖16描繪根據本發明之第六實施例之照明源裝置的變換光學件部件510’’’’’。相對於折射及反射旋轉三稜鏡元件，此實施例在變換光學件中使用一對繞射光學元件(DOE)旋轉三稜鏡161及162。根據此實施例，第一繞射旋轉三稜鏡元件161係配置於泵浦輻射光束之中心軸線160上的負(凸面) DOE。以此方式，第一DOE 161朝向第二DOE旋轉三稜鏡162反射泵浦輻射光束，該第二DOE旋轉三稜鏡係經組態以使光束準直以藉此產生該經變換光束之正(凹面) DOE。繞射旋轉三稜鏡元件161與162具有相等但相對之發散角β 。在許多態樣中，此實施例以與第一實施例相同的方式起作用，且方程式(7)定義發散角β 且方程式(7)、(8)及(3)取決於γ、旋轉三稜鏡間隔D1 及輸入泵浦光束腰w0 而判定環形光束半徑。
在所有以上實施例中，憑藉一或多個可移動座架選擇旋轉三稜鏡之軸向間隔D1 ，在該等可移動座架上安裝旋轉三稜鏡以便最佳化照明源之某些參數，如在下文更詳細地解釋。另外，可調整泵浦輻射光束之輸入腰大小w0 (例如，使用可變光束擴展器/收縮器)以便進一步最佳化該等參數。對於亦包括輸入孔徑作為變換光學件之部分的實施例，可調整輸入孔徑之孔徑大小以進一步最佳化該等參數。
照明源之待最佳化的第一參數係高階諧波產生程序之轉換效率。藉由使泵浦輻射之峰強度區處於HHG介質內部或附近，且藉由儘可能最佳地匹配泵浦輻射之相位與所產生軟X射線及/或EUV輻射之相位，在HHG中達成最佳軟X射線及/或EUV產生。HHG介質實質上定位於透鏡之聚焦平面上。變換光學件包含負及正旋轉三稜鏡對(各自具有相同頂角τ )以產生準直環形光束。因而，泵浦輻射之峰強度將處於HHG介質內。此外，本發明之實施例亦使得能夠調諧HHG介質內之焦點處之泵浦輻射的相位速度——藉此使得能夠改良相位匹配且因此改良轉換效率。為理解此效應，大致藉由以下表達式給出穿過具有環形橫向空間剖面之泵浦輻射之經變換光束之焦點的古依相位： 其中，，f 係聚焦元件之焦距，k 係波向量，且z 係相對於z = 0 時聚集之軸向位置。因為在使用輸入孔徑之彼等實施例中，可藉由調整旋轉三稜鏡間隔D1 及輸入光束腰w0 或輸入孔徑之孔徑大小來獨立地選擇R1 及R2 ，所以可以可控制地影響穿過HHG介質中之焦點之經變換光束的古依相位——藉此控制經變換光束與所產生高階諧波輻射之間的相位匹配。圖11展示經由聚集藉由增大之內半徑R1 且在z=0 時具有焦點之各種環形光束來以數值方式模型化相位速度的結果。圖11之曲線圖中的底線對應於高斯光束(即，R1 =0 mm)，後續線對應於增大之R1 半徑直至頂管之R1 =7 mm的最大值，即，具有最大相位速度之環形光束。圖11因此明確表明經變換泵浦光束之圍繞焦點的相位速度隨R1 增大而增大。藉由在由其他考量強加之約束內選擇R1 及R2 之適當值，因此有可能達到目標相位速度，該等考量諸如下文論述之殘餘經變換光束的抑制。
除了以上第一參數以外或獨立於第一參數，本發明之實施例中之照明源之待最佳化第二參數係在高階諧波產生程序之後殘留之殘餘經變換光束的抑制。在z=0 時遠離聚焦平面，殘餘經變換泵浦光束再次發散至中空環形光束中，如上文參考圖5、圖7及圖8所描述。匹配呈定位於遠場中之輸出孔徑形式的阻擋元件與經變換光束之環帶的寬度，以使得能夠移除殘餘經變換光束。此依賴於所產生HHG輻射之發射錐，該發射錐在橫向範圍上比經變換光束發散之發射錐更小，使得輸出孔徑將僅與殘餘經變換光束相互作用而非與所產生HHG輻射相互作用。模擬結果指示若所產生HHG輻射之發散小於2.5 mrad，則可達成殘餘經變換光束之更佳10-5 的抑制。此抑制值係針對不會歸因於不完美光學組件而存在散射效應的理想情形。在一個實例中，輸出孔徑可具有2.5 mm之直徑且離聚焦平面按500 mm之距離置放。圖12展示依據輸入泵光束腰w0 及旋轉三稜鏡對間隔D1 而抑制此使用案例之殘餘經變換光束。最佳軟x射線及/或EUV發射之預期操作範圍係10 cm ＜D1 ＜ 25 cm之範圍內的旋轉三稜鏡間隔及1.5 mm ＜R2 ＜ 3 mm之範圍內的R2 半徑。
在所有上述實施例中，第二旋轉三稜鏡元件與聚焦元件可組合成單個光學元件。另外，在以上實施例中之每一者中，正旋轉三稜鏡可用於任何負旋轉三稜鏡之地點中。此係因為儘管正旋轉三稜鏡首先使得入射輻射偏轉朝向光軸，但在充足之傳播距離之後，輻射將通過「焦點」且開始在光軸另一側上發散遠離焦點。
如參考旋轉三稜鏡元件(折射、反射或繞射)使用之術語「正」應被理解意謂使得入射輻射偏轉朝向光軸之旋轉三稜鏡元件。如參考旋轉三稜鏡元件(折射、反射或繞射)使用之術語「負」應被理解意謂使得入射輻射偏轉遠離光軸之旋轉三稜鏡元件。角γ 在本文中用以指示入射輻射由具有頂角τ 之正/負旋轉三稜鏡偏轉朝向或遠離光軸的偏轉角。分別對於折射及反射旋轉三稜鏡之狀況，在方程式(1)及(5)中給出關聯旋轉三稜鏡之物理頂角τ 與偏轉角γ 的表達式。
在本發明之又一實施例中，而非使用如在所有上述實施例中所使用之旋轉三稜鏡對，替代地，可變光束擴展器/收縮器可結合圓形光束阻擋件使用，該圓形光束阻擋件經組態以阻擋經擴展/收縮泵浦輻射光束之中心區域。以此方式，產生可用以激發HHG介質以產生軟x射線及/或EUV輻射之環形光束。可調整所產生環形光束參數以最佳化轉換效率及/或殘餘泵浦光束之抑制。然而，相比於可忽略量之原始泵浦光束能量丟失的以上實施例，原始泵浦光束能量之顯著部分歸因於圓形光束阻擋件之吸收而丟失。
在所有上述實施例中，反射或折射旋轉三稜鏡元件可由繞射光學元件(DOE)替換。DOE可複製折射或反射旋轉三稜鏡且添加修改聚焦平面強度及相位之其他能力，例如如TOP鏡面添加相位步長之功能。當光照射於DOE上時，DOE上之結構使入射光繞射至預定強度及相位分佈中。DOE元件可分類為兩種類型：相位及振幅，或兩者。視情況，旋轉三稜鏡DOE可係具有甚至徑向週期之環形光柵。
第一負繞射旋轉三稜鏡元件使光束繞射遠離光軸，從而形成發散環形光束。第二正繞射旋轉三稜鏡校正發散環帶，從而形成準直環形光束。DOE旋轉三稜鏡並非由頂角而是由發散角β 界定。發散角β 相當於偏轉角之兩倍(2*ϒ)。藉由標準光柵方程給出發散角，其中λ 係波長且Λ 係繞射週期： 。 (7) 離元件D1 給定距離，藉由下式給出如圖6中可見之環帶半徑R1 ： 。 (8) 在本發明之又一實施例中，具有相對發散角β 之兩個DOE元件串聯置放，形成準直環形光束。
使用DOE之另一用途係自訂光柵以引入額外相位調變以便產生自訂聚焦平面強度及相位剖面的能力。
在本發明之又一實施例中，多於一個DOE以並聯或串聯方式併入於單個照明源裝置中。
空間光調變器(SLM)可用以產生可用以產生繞射光柵之完全自訂可程式化DOE。SLM允許即時修改光束，此可結合固定格式DOE使用或用作固定格式DOE之設計輸入。
圖13說明根據本發明之實施例之操作照明源裝置的方法，該照明源裝置適用於度量衡裝置中以特徵化基板上之結構。該方法包含： 提供高階諧波產生HHG介質(S1)； 操作泵浦輻射源以發射束泵浦輻射(S2)；及 藉由可調整變換光學件變換泵浦輻射光束之橫向空間剖面以產生經變換光束，使得相對於經變換光束之中心軸線，經變換光束之中心區域實質上具有零強度且自經變換光束之中心軸線徑向朝外的外區具有非零強度，其中經變換光束激發HHG介質以便產生高階諧波輻射(S3)，其中外區之位置取決於可調整變換光學件之調整設定。
在後續經編號條項中揭示其他實施例： 1. 一種照明源裝置，其適用於一度量衡裝置中以特徵化一基板上之一結構，該照明源裝置包含： 一高階諧波產生HHG介質； 一泵浦輻射源，其可操作以發射一泵浦輻射光束；及 可調整變換光學件，其經組態以按可調整方式變換該泵浦輻射光束之橫向空間剖面以產生一經變換光束，使得相對於該經變換光束之中心軸線，該經變換光束之一中心區域實質上具有零強度且自該經變換光束之中心軸線徑向朝外的一外區具有一非零強度，其中該經變換光束經配置以激發該HHG介質以便產生高階諧波輻射， 其中該外區之位置取決於該等可調整變換光學件之一調整設定。 2. 如條項1之照明源裝置，其中該泵浦輻射源可經操作以發射具有一高斯橫向空間剖面之一泵浦輻射光束，且其中該等可調整變換光學件經組態以產生具有一非高斯橫向空間剖面之一經變換光束。 3. 如條項1之照明源裝置，其中該泵浦輻射源可經操作以發射具有一高斯橫向空間剖面之一泵浦輻射光束，且其中該等可調整變換光學件經組態以產生具有一環形橫向空間剖面之一經變換光束。 4. 如任一前述條項之照明源裝置，其進一步包含定位於該等可調整變換光學件與該HHG介質之間的一聚焦元件，該聚焦元件經組態以將該經變換光束聚集至該HHG介質中。 5. 如條項4之照明源裝置，其中該聚焦元件係一透鏡。 6. 如條項4或5之照明源裝置，其中該聚焦元件之聚焦平面實質上定位於該HHG介質中。 7. 如條項4至6中任一項之照明源裝置，其中該等可調整變換光學件包含至少一個錐形光學元件或繞射光學元件。 8. 如條項7之照明源裝置，其中該至少一個繞射光學元件或錐形光學元件係一旋轉三稜鏡元件。 9. 如任一前述請求項之照明源裝置，其中該等可調整變換光學件包含由一第一旋轉三稜鏡元件及一第二旋轉三稜鏡元件組成之一對旋轉三稜鏡元件，其中該第一旋轉三稜鏡元件相對於該泵浦輻射光束之傳播方向先於該第二旋轉三稜鏡元件，且其中該第一旋轉三稜鏡元件與該第二旋轉三稜鏡元件之間的一軸向間隔控制該等可調整變換光學件之該調整設定。 10.   如條項9之照明源裝置，其中該對旋轉三稜鏡元件由一個負旋轉三稜鏡元件及一個正旋轉三稜鏡元件組成。 11.    如條項9或10之照明源裝置，其中該等旋轉三稜鏡元件中之至少一者係一反射旋轉三稜鏡元件。 12.   如條項10或11之照明源裝置，其中該第一旋轉三稜鏡元件係一負反射旋轉三稜鏡，該負反射旋轉三稜鏡配置於該泵浦輻射光束之中心軸線上，且經組態以將該泵浦輻射光束反射朝向該第二旋轉三稜鏡元件，該第二旋轉三稜鏡元件係經組態以使該光束準直以藉此產生該經變換光束之一環形正反射旋轉三稜鏡。 13.   如條項9或10之照明源裝置，其中該等旋轉三稜鏡元件中之至少一者係一折射旋轉三稜鏡元件。 14.   如條項13之照明源裝置，其中該第一旋轉三稜鏡元件係一負折射旋轉三稜鏡，該負折射旋轉三稜鏡配置於該泵浦輻射光束之中心軸線上且經組態以朝向該第二旋轉三稜鏡元件發散該泵浦輻射光束，該第二旋轉三稜鏡元件係配置於該中心軸線上且經組態以使該光束準直以藉此產生該經變換光束之一正折射旋轉三稜鏡。 15.   如條項9或10之照明源裝置，其中該等旋轉三稜鏡元件中之至少一者係一繞射元件。 16.   如條項15之照明源裝置，其中該第一旋轉三稜鏡元件係一負繞射旋轉三稜鏡，該負折射旋轉三稜鏡配置於該泵浦輻射光束之中心軸線上且經組態以朝向該第二旋轉三稜鏡元件發散該泵浦輻射光束，該第二旋轉三稜鏡元件係配置於該中心軸線上且經組態以使該光束準直以藉此產生該經變換光束之一正繞射旋轉三稜鏡。 17.   如條項9至16中任一項之照明源裝置，其中該對旋轉三稜鏡元件中之各旋轉三稜鏡具有實質上相同的頂角τ 或相同的發散角β ，且該等旋轉三稜鏡元件安裝於一或多個可移動座架上，使得該等旋轉三稜鏡元件之間的該軸向間隔D1 在使用中可調整以控制該調整設定。 18.   如條項17之照明源裝置，其進一步包含定位於該HHG介質之後的一阻擋元件，該阻擋元件經組態以抑制在高階諧波產生之後殘留的殘餘經變換光束，同時實質上傳輸所產生高階諧波輻射。 19.   如條項18之照明源裝置，其中該阻擋元件係與該所產生高階諧波輻射之中心軸線對準的一輸出孔徑。 20.   如條項18或19之照明源裝置，其中該聚焦元件經組態以將該第一旋轉三稜鏡元件成像至該阻擋元件上。 21.   如條項18至20中任一項之照明源裝置，其中在使用中憑藉該一或多個可移動座架選擇該等旋轉三稜鏡之該軸向間隔D1 以便針對一給定旋轉三稜鏡頂角τ 或一給定發散角β 而最佳化： (A)高階諧波產生程序之轉換效率；及/或 (B)對殘餘經變換光束之抑制。 22.   如條項21之照明源裝置，其中該等可調整變換光學件進一步包含經組態以調整該泵浦輻射光束之輸入腰大小w0 的一可變光束擴展器/收縮器，且其中在使用中選擇w0 以便進一步最佳化(A)及(B)。 23.   如條項22之照明源裝置，其中該經變換光束係具有一環帶半徑R1 及一環寬度R2 之一準直環形光束，其中：；且， 其中係該旋轉三稜鏡之偏轉角(如本文所定義)。 24.   如條項23之照明源裝置，其中該等可調整變換光學件進一步包含定位於該泵浦輻射光束之中心軸線上的一輸入孔徑，其中該輸入孔徑相對於該泵浦輻射光束之傳播方向定位於該等旋轉三稜鏡元件之後及該HHG介質之前，且該聚焦元件經組態以將該輸入孔徑成像至該阻擋元件上，且其中在使用中選擇該輸入孔徑之孔徑大小以便進一步最佳化(A)及(B)。 25.   如條項24之照明源裝置，其中該輸入孔徑經組態以調整該環寬度R2 。 26.   一種操作一照明源裝置之方法，該照明源裝置適用於一度量衡裝置中以特徵化一基板上之一結構，該方法包含： 提供一高階諧波產生HHG介質； 操作一泵浦輻射源以發射一束泵浦輻射；及 藉由可調整變換光學件變換該泵浦輻射光束之橫向空間剖面以產生一經變換光束，使得相對於該經變換光束之中心軸線，該經變換光束之一中心區域實質上具有零強度且自該經變換光束之中心軸線徑向朝外的一外區具有一非零強度，其中該經變換光束激發該HHG介質以便產生高階諧波輻射， 其中該外區之位置取決於該等可調整變換光學件之一調整設定。 27.   如條項26之方法，其中該泵浦輻射源發射具有一高斯橫向空間剖面之一泵浦輻射光束，且其中該等可調整變換光學件產生具有一非高斯橫向空間剖面之一經變換光束。 28.   如條項26之方法，其中該泵浦輻射源發射具有一高斯橫向空間剖面之一泵浦輻射光束，且其中該等可調整變換光學件產生具有一環形橫向空間剖面之一經變換光束。 29.   如條項26至28中任一項之方法，其進一步包含使用定位於該等可調整變換光學件與該HHG介質之間的一聚焦元件來將該經變換光束聚集至該HHG介質中。 30.   如條項26至29中任一項之方法，其中該等可調整變換光學件包含由一第一旋轉三稜鏡元件及一第二旋轉三稜鏡元件組成之一對旋轉三稜鏡元件，其中該第一旋轉三稜鏡元件相對於該泵浦輻射光束之傳播方向先於該第二旋轉三稜鏡元件，且其中調整該第一旋轉三稜鏡元件與該第二旋轉三稜鏡元件之間的一軸向間隔以控制該等可調整變換光學件之該調整設定。 31.   如條項30之方法，其中該對旋轉三稜鏡元件中之各旋轉三稜鏡具有實質上相同的頂角τ 或相同的發散角β ，且該等旋轉三稜鏡元件安裝於一或多個可移動座架上，該方法進一步包含調整該等旋轉三稜鏡元件之間的該軸向間隔D1 以控制該調整設定。 32.   如條項31之方法，其進一步包含使用定位於該HHG介質之後的一阻擋元件來抑制在高階諧波產生之後殘留的殘餘經變換光束，同時實質上傳輸所產生高階諧波輻射。 33.   如條項32之方法，其進一步包含將該第一旋轉三稜鏡元件成像至該阻擋元件上。 34.   如條項31至33中任一項之方法，其進一步包含選擇該等旋轉三稜鏡元件之間的該軸向間隔D1 以便最佳化： (A)高階諧波產生程序之轉換效率；及/或 (B)對殘餘經變換光束之抑制。 35.   如條項34之方法，其進一步包含使用一可變光束擴展器/收縮器來調整輸入腰大小w0 ，以便進一步最佳化(A)及(B)。 36.   如條項35之方法，其中該等可調整變換光學件進一步包含定位於該泵浦輻射光束之中心軸線上的一輸入虹膜，其中該輸入虹膜相對於該泵浦輻射光束之傳播方向定位於該等旋轉三稜鏡元件之後及該HHG介質之前，且該聚焦元件經組態以將該輸入虹膜成像至該阻擋元件上，且其中選擇該輸入虹膜之孔徑大小以便進一步最佳化(A)及(B)。 37.   一種電腦程式，其包含在經執行於至少一個處理器上時使得該至少一個處理器控制一裝置以執行如條項26至36中任一項之方法的指令。 38.   一種含有如條項37之電腦程式的載體，其中該載體係一電子信號、光學信號、無線電信號或非暫時性電腦可讀儲存媒體中之一者。 39.   一種微影裝置，其包含如條項1至25中任一項之照明源裝置。 40.   一種微影單元，其包含如條項39之微影裝置。 41.   一種度量衡裝置，其包含如條項1至25中任一項之照明源裝置。 42.   一種微影單元，其包含如條項41之度量衡裝置。
在以上文件之內容背景中，引入術語HHG或HHG源。HHG指代高階諧波產生或有時被稱作高階諧波產生。HHG係非線性程序，在其中例如氣體、電漿或固體樣本之目標係由密集雷射脈衝照明。隨後，目標可發射頻率為雷射脈衝之輻射之頻率多倍的輻射。係倍數之此頻率被稱作雷射脈衝之輻射之諧波。可界定經產生HHG輻射為高於第五諧波之諧波且此等諧波被稱為高階諧波。形成HHG程序之基礎之物理程序不同於係關於產生較低諧波(通常為第2至第5諧波)之輻射的物理程序。較低諧波之輻射之產生係關於擾動理論。目標中之原子之(受限)電子的軌跡實質上係由基質離子之庫侖位能判定。在HHG中，有助於HHG程序之電子之軌跡實質上係由傳入雷射光之電場判定。在所謂的描述HHG之「三步驟模型」中，通過在彼力矩下之庫侖屏障之電子隧道實質上由雷射場抑制(步驟1)，沿著由雷射場判定之軌跡(步驟2)，且在釋放其動能及呈輻射形式之離子化能量時以一定概率重組(步驟3)。對HHG與較低諧波之輻射之產生之間的差異進行措辭之另一方式為將具有高於目標原子之離子化能量之光子能的所有輻射界定為「高階諧波」輻射，例如HHG產生輻射，且將具有低於離子化能量之光子能的所有輻射界定為非HHG產生輻射。若氖氣用作氣體目標，則憑藉HHG程序產生具有短於62 nm波長之所有輻射(具有高於20.18 eV之光子能)。對於作為氣體目標之氬氣，憑藉HHG程序產生具有高於約15.8 eV之光子能之所有輻射。
儘管在本文中特定地參考「度量衡裝置」，但此術語亦可指代檢測裝置或檢測系統，該包含本發明之實施例的檢測裝置可用以偵測基板之缺陷或基板上之結構的缺陷。在此實施例中，基板上之結構之所關注特性可能係關於結構中的缺陷、結構之特定部分之不存在或基板上的非吾人所樂見結構之存在。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影裝置之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(liquid-crystal display，LCD)、薄膜磁頭等等。
儘管可在本文中特定地參考在度量衡裝置之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、微影裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件的任何裝置之部分。此等裝置可通常被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用，例如壓印微影中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。 儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲係說明性的而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
儘管已提及旋轉三稜鏡元件係反射旋轉三稜鏡元件或折射旋轉三稜鏡元件，但應理解，反射旋轉三稜鏡元件或折射旋轉三稜鏡元件可由繞射旋轉三稜鏡元件替換。
160:中心軸線 161:第一繞射光學元件(DOE)旋轉三稜鏡 162:第二繞射光學元件(DOE)旋轉三稜鏡 300:驅動雷射器 302:檢測裝置 310:源 312:照明系統 314:參考偵測器 315:信號 316:基板支撐件 318:偵測系統 320:度量衡處理單元 330:驅動雷射器 332:高階諧波產生(HHG)氣胞 334:氣體供應器 336:電源 340:第一輻射光束 342:經濾光光束 344:濾光器件 350:檢測腔室 352:真空泵 356:經聚焦光束 360:反射輻射 372:位置控制器 374:感測器 382:光譜資料 397:成像繞射輻射 398:偵測系統 399:信號 500:照明源裝置 502:高階諧波產生(HHG)介質 504:氣體噴嘴 506:泵浦輻射源 508:泵浦輻射光束 510:可調整變換光學件 510’:變換光學件 510’’:變換光學件 510’’’:變換光學件部件 510’’’’:變換光學件部件 510’’’’’:變換光學件部件 512:第一旋轉三稜鏡元件 514:第二旋轉三稜鏡元件 516:光軸 518:準直環形光束 520:聚焦元件 522:被動阻擋元件/輸出孔徑 524:鋯濾光片 526:輸入孔徑 528:可變光束擴展器/收縮器 540:高階諧波輻射 700:照明源裝置 800:照明源裝置 902:第一旋轉三稜鏡元件 904:第二旋轉三稜鏡元件 906:中心軸線 908:輸入孔徑 1002:第一旋轉三稜鏡元件 1004:第二旋轉三稜鏡元件 1006:光軸 +x:方向 +y:方向 +z:方向 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BK:烘烤板 C:目標部分 CH:冷卻板 CL:電腦系統 D1 :旋轉三稜鏡間隔 D2 :距離 D3 :距離 DE:顯影器f :焦距 I/O1:輸入/輸出埠 I/O2:輸入/輸出埠 IF:位置量測系統 IL:照明系統/照明器 LA:微影裝置 LACU:微影控制單元 LB:裝載匣 LC:微影製造單元 M1 :光罩對準標記 M2 :光罩對準標記 MA:圖案化器件/光罩 MT:度量衡工具/光譜散射計 P1 :基板對準標記 P2 :基板對準標記 PM:第一定位器 PS:投影系統 PW:第二定位器 R1:內圈半徑 R2:外圈半徑 RO:基板處置器/機器人 S:光點 S1:步驟 S2:步驟 S3:步驟 SC:旋塗器 SC1:第一標度 SC2:第二標度 SC3:第三標度 SCS:監督控制系統 SO:輻射源 T:所關注結構/目標結構 TCU:塗佈顯影系統控制單元 W:基板w0 :輸入泵浦光束腰 WT:基板台 X:方向 Y:方向 Z:方向 β:旋轉三稜鏡發散角 γ:偏轉角 τ:旋轉三稜鏡頂角
現在將參考隨附圖式而僅作為實例來描述實施例，在該等圖式中：
圖1描繪微影裝置之示意性概述；
圖2描繪微影單元之示意性概述；
圖3描繪整體微影之示意性表示，其表示最佳化半導體製造之三種關鍵技術之間的合作；
圖4描繪度量衡裝置之示意性表示，其中波長範圍介於0.1 nm至100 nm之輻射可用於量測基板上之結構之參數；
圖5描繪根據本發明之第一實施例的照明源裝置；
圖6描繪照明源裝置中產生之經變換光束之(x ,y )平面上的樣本橫向強度剖面；
圖7描繪根據本發明之第二實施例的照明源裝置；
圖8描繪根據本發明之第三實施例的照明源裝置；
圖9描繪根據本發明之第四實施例之照明源裝置的變換光學件；
圖10a至圖10c描繪在第四實施例中使用之旋轉三稜鏡元件；
圖11展示經由聚集藉由增大之內半徑之各種環形光束來以數值方式模型化相位速度的結果；
圖12展示依據輸入泵浦光束腰w0 及旋轉三稜鏡對間隔D1 而以數值方式模型化對殘餘經變換光束之抑制的結果；
圖13係根據本發明之實施例之方法的流程圖；
圖14a及圖14b描繪負及正折射旋轉三稜鏡元件及其對輻射之入射光束之影響；且
圖15描繪根據本發明之第五實施例之照明源裝置的變換光學件。
圖16描繪根據本發明之第六實施例的照明源裝置。
500:照明源裝置
502:高階諧波產生(HHG)介質
504:氣體噴嘴
506:泵浦輻射源
508:泵浦輻射光束
510:可調整變換光學件
512:第一旋轉三稜鏡元件
514:第二旋轉三稜鏡元件
516:光軸
518:準直環形光束
520:聚焦元件
522:被動阻擋元件/輸出孔徑
524:鋯濾光片
540:高階諧波輻射
D1:旋轉三稜鏡間隔
D2:距離
D3:距離
f:焦距
w 0 :輸入泵浦光束腰
+x:方向
+z:方向

Claims (14)

  1. 一種照明源裝置，其適用於一度量衡裝置中用於一基板上之一結構之特徵化(characterization)，該照明源裝置包含：一高階諧波產生(high harmonic generation，HHG)介質；一泵浦輻射源，其可操作以發射一泵浦輻射光束；變換光學件(transformation optics)，其經組態以變換該泵浦輻射光束之一橫向空間剖面(transverse spatial profile)以產生一經變換光束，使得相對於該經變換光束之一中心軸線，該經變換光束之一中心區域實質上具有零強度且自該經變換光束之該中心軸線徑向朝外的一外區具有一非零強度，其中該經變換光束經配置以激發該HHG介質以產生高階諧波輻射(high harmonic radiation)，其中該等變換光學件包含一負元件；及一輸出孔徑，其定位於該HHG介質之後，該輸出孔徑經組態以抑制在高階諧波產生(high harmonic generation)之後殘留的殘餘經變換光束，同時實質上傳輸所產生之該高階諧波輻射。
  2. 如請求項1之照明源裝置，其中該等變換光學件包含一正元件。
  3. 如請求項2之照明源裝置，其中該正元件及該負元件具有實質上相同的頂角τ或相同的發散角β。
  4. 如請求項2之照明源裝置，其中相對於該泵浦輻射光束之一傳播方向該負元件先於該正元件。
  5. 如請求項1至4中任一項之照明源裝置，其中該等變換光學件包含一反射元件、一折射元件、及一繞射元件中之一者。
  6. 如請求項1至4中任一項之照明源裝置，其進一步包含定位於該等變換光學件與該HHG介質之間的一聚焦元件，該聚焦元件經組態以將該經變換光束聚集(focus)至該HHG介質中。
  7. 如請求項6之照明源裝置，其中該聚焦元件之聚焦平面實質上定位於該HHG介質中。
  8. 如請求項1之照明源裝置，其中該輸出孔徑係與所產生之該高階諧波輻射之一中心軸線對準。
  9. 如請求項1至4中任一項之照明源裝置，其中該經變換光束係具有一環帶半徑R 1 及一環寬度R 2 之一經準直環形光束，其中：R 1=D 1 tan(γ)；且R 2=R 1+w 0，其中γ係偏轉角且w 0 係該泵浦輻射光束之腰大小。
  10. 如請求項1至4中任一項之照明源裝置，其中該等變換光學件進一步 包含定位於該泵浦輻射光束之該中心軸線上的一輸入孔徑。
  11. 如請求項10之照明源裝置，其中該輸入孔徑係相對於該泵浦輻射光束之一或該傳播方向被定位。
  12. 一種操作一照明源裝置之方法，該照明源裝置適用於一度量衡裝置中用於一基板上之一結構之特徵化，該方法包含：提供一高階諧波產生(HHG)介質；操作一泵浦輻射源以發射一泵浦輻射光束；藉由變換光學件變換該泵浦輻射光束之一橫向空間剖面以產生一經變換光束，使得相對於該經變換光束之一中心軸線，該經變換光束之一中心區域實質上具有零強度且自該經變換光束之該中心軸線徑向朝外的一外區具有一非零強度，其中該經變換光束激發該HHG介質以產生高階諧波輻射，其中該等變換光學件包含一負元件；及將一輸出孔徑定位於該HHG介質之後，該輸出孔徑經組態以抑制在高階諧波產生之後殘留的殘餘經變換光束，同時實質上傳輸所產生之該高階諧波輻射。
  13. 一種微影單元，其包含一如請求項1至11中任一項之照明源裝置。
  14. 一種度量衡裝置，其包含一如請求項1至11中任一項之照明源裝置。
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