TWI776648B - Integrated circuit product and chip floorplan arrangement thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本發明涉及積體電路(integrated circuit,IC)之封裝,尤指積體電路封裝之晶片(chip)和/或小晶片(chiplet)(以下統稱為晶片)排佈(floorplan arrangement)。 The present invention relates to the packaging of integrated circuits (ICs), and more particularly to the floorplan arrangement of chips and/or chiplets (hereinafter collectively referred to as chips) of the integrated circuit packaging.
先進封裝為目前積體電路的趨勢。然而,不佳的晶片排佈可能有以下的缺點:浪費面積(導致成品過大而缺乏競爭力)、晶片散熱不佳(降低晶片效能)、輸出和/或輸入走線困難(增加封裝的難度)和/或晶片的相對位置不理想(造成晶片接腳的浪費)。因此,需要一種晶片排佈來解決上述的問題的至少其中之一。 Advanced packaging is the current trend for integrated circuits. However, poor die layout can have the following disadvantages: wasted area (resulting in an oversized and uncompetitive finished product), poor die heat dissipation (reduces die performance), difficult output and/or input routing (increases packaging difficulty) And/or the relative position of the wafers is not ideal (causing waste of wafer pins). Accordingly, there is a need for a wafer arrangement that addresses at least one of the aforementioned problems.
有鑑於此,如何減輕或消除上述相關領域中晶片排佈的缺失,實為有待解決的問題。 In view of this, how to alleviate or eliminate the lack of wafer arrangement in the above-mentioned related fields is a problem to be solved.
本說明書提供一種積體電路產品的實施例,其包含:一第一晶片;一第二晶片;一第三晶片;一第四晶片;一第五晶片;一第六晶片;一第七晶片;一第八晶片;一第九晶片;一第十晶片;一第十一晶片;以及一第十二晶片。該第一晶片、該第二晶片、該第三晶片、及該第四晶片分別位於該積體電路產品之一第一象限、一第四象限、一第三象限、及一第二象限,且該第一晶片鄰接該第二晶片及該第四晶片。該第五晶片、該第六晶片、該第七晶片、及該第八晶片分別位於該積體電路產品之該第一象限、該第四象限、該第三象限、及該第二象限,且該第五晶片、該第六晶片、該第七晶片、及該第 八晶片之任二者不鄰接。該第九晶片、該第十晶片、該第十一晶片、及該第十二晶片分別位於該積體電路產品之該第一象限、該第四象限、該第三象限、及該第二象限,且該第九晶片、該第十晶片、該第十一晶片、及該第十二晶片之任二者不鄰接。 This specification provides an embodiment of an integrated circuit product, which includes: a first chip; a second chip; a third chip; a fourth chip; a fifth chip; a sixth chip; a seventh chip; An eighth wafer; a ninth wafer; a tenth wafer; an eleventh wafer; and a twelfth wafer. The first chip, the second chip, the third chip, and the fourth chip are located in a first quadrant, a fourth quadrant, a third quadrant, and a second quadrant of the integrated circuit product, respectively, and The first wafer is adjacent to the second wafer and the fourth wafer. The fifth die, the sixth die, the seventh die, and the eighth die are located in the first quadrant, the fourth quadrant, the third quadrant, and the second quadrant of the integrated circuit product, respectively, and The fifth wafer, the sixth wafer, the seventh wafer, and the first wafer No two of the eight wafers are contiguous. The ninth chip, the tenth chip, the eleventh chip, and the twelfth chip are located in the first quadrant, the fourth quadrant, the third quadrant, and the second quadrant of the integrated circuit product, respectively , and any two of the ninth wafer, the tenth wafer, the eleventh wafer, and the twelfth wafer are not adjacent.
本說明書另提供一種積體電路產品的實施例,其包含:一第一晶片;一第二晶片;一第三晶片;一第四晶片;一第五晶片;一第六晶片;一第七晶片;一第八晶片;一第九晶片;一第十晶片;一第十一晶片;以及一第十二晶片。該第一晶片、該第二晶片、該第三晶片、該第四晶片、該第五晶片、該第六晶片、該第七晶片、及該第八晶片、該第九晶片、該第十晶片、該第十一晶片、及該第十二晶片實質上位於一平面。倘若將該第一晶片於該平面上相對於該積體電路產品之一中心旋轉九十度,則該第一晶片與該第二晶片或該第四晶片實質上重疊,且倘若將該第一晶片於該平面上相對於該中心旋轉一百八十度,則該第一晶片與該第三晶片實質上重疊。倘若將該第五晶片於該平面上相對於該中心旋轉九十度,則該第五晶片與該第六晶片或該第八晶片實質上重疊,且倘若將該第五晶片於該平面上相對於該中心旋轉一百八十度,則該第五晶片與該第七晶片實質上重疊。倘若將該第九晶片於該平面上相對於該中心旋轉九十度,則該第九晶片與該第十晶片或該第十二晶片實質上重疊,且倘若將該第九晶片於該平面上相對於該中心旋轉一百八十度,則該第九晶片與該第十一晶片實質上重疊。 This specification further provides an embodiment of an integrated circuit product, which includes: a first chip; a second chip; a third chip; a fourth chip; a fifth chip; a sixth chip; and a seventh chip ; an eighth wafer; a ninth wafer; a tenth wafer; an eleventh wafer; and a twelfth wafer. The first wafer, the second wafer, the third wafer, the fourth wafer, the fifth wafer, the sixth wafer, the seventh wafer, and the eighth wafer, the ninth wafer, the tenth wafer , the eleventh wafer, and the twelfth wafer are substantially in a plane. If the first chip is rotated ninety degrees on the plane relative to a center of the integrated circuit product, the first chip and the second chip or the fourth chip substantially overlap, and if the first chip When the wafer is rotated 180 degrees relative to the center on the plane, the first wafer and the third wafer are substantially overlapped. If the fifth wafer is rotated ninety degrees relative to the center on the plane, the fifth wafer substantially overlaps the sixth wafer or the eighth wafer, and if the fifth wafer is opposite in the plane Rotating one hundred and eighty degrees from the center, the fifth wafer and the seventh wafer are substantially overlapped. If the ninth wafer is rotated ninety degrees relative to the center in the plane, the ninth wafer substantially overlaps the tenth wafer or the twelfth wafer, and if the ninth wafer is in the plane Rotated one hundred and eighty degrees relative to the center, the ninth wafer and the eleventh wafer are substantially overlapped.
上述實施例的優點之一,是可充分利用基板面積、避免晶片接腳浪費及邏輯晶片之間容易溝通。 One of the advantages of the above embodiments is that the substrate area can be fully utilized, chip pin waste is avoided, and communication between logic chips is easy.
上述實施例的另一優點,是可充分利用基板面積、簡化光罩複雜度、及提高積體電路產品競爭力。 Another advantage of the above-mentioned embodiment is that the substrate area can be fully utilized, the complexity of the photomask can be simplified, and the competitiveness of integrated circuit products can be improved.
本發明的其他優點將搭配以下的說明和圖式進行更詳細的解說。 Other advantages of the present invention will be explained in more detail in conjunction with the following description and drawings.
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200:積體電路產品 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 1100, 1200: Integrated circuit products
112、312、412:第一邏輯晶片 112, 312, 412: the first logic chip
114、314、414:第二邏輯晶片 114, 314, 414: Second logic chip
116、316、416:第三邏輯晶片 116, 316, 416: The third logic chip
118、318、418:第四邏輯晶片 118, 318, 418: Fourth logic chip
122、322、422、722、922、1022:第一記憶體晶片 122, 322, 422, 722, 922, 1022: the first memory chip
124、332、432、724、932、1032:第二記憶體晶片 124, 332, 432, 724, 932, 1032: the second memory chip
126、324、424、726、924、1024:第三記憶體晶片 126, 324, 424, 726, 924, 1024: the third memory chip
128、334、434、728、934、1034:第四記憶體晶片 128, 334, 434, 728, 934, 1034: Fourth memory chip
132、442:第一其他晶片 132, 442: The first other chip
134、444:第二其他晶片 134, 444: The second other chip
136、446:第三其他晶片 136, 446: The third other chip
138、448:第四其他晶片 138, 448: the fourth other chip
150:基板 150: Substrate
PL:平面 PL: Plane
152:微凸塊 152: Micro bumps
154:凸塊 154: bump
140:中介層 140:Intermediary Layer
102:第一邊 102: First side
104:第二邊 104: Second side
106:第三邊 106: Third Side
108:第四邊 108: Fourth side
101、301、401:中心 101, 301, 401: Center
Q1:第一象限 Q1: Quadrant 1
Q4:第四象限 Q4: Fourth quadrant
Q3:第三象限 Q3: The third quadrant
Q2:第二象限 Q2: The second quadrant
326、426、926、1026:第五記憶體晶片 326, 426, 926, 1026: Fifth memory chip
336、436、936、1036:第六記憶體晶片 336, 436, 936, 1036: sixth memory chip
328、428、928、1028:第七記憶體晶片 328, 428, 928, 1028: seventh memory chip
338、438、938、1038:第八記憶體晶片 338, 438, 938, 1038: Eighth memory chip
W1、W2、W3、W4:寬度 W1, W2, W3, W4: Width
L1、L2、L3、L4:長度 L1, L2, L3, L4: length
圖1為本發明一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。 FIG. 1 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to an embodiment of the present invention.
圖2顯示本發明一實施例的積體電路產品之簡化後的側視圖。 FIG. 2 shows a simplified side view of an integrated circuit product according to an embodiment of the present invention.
圖3顯示本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的側視圖。 3 shows a simplified side view of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖4顯示本發明積體電路產品之中心點與象限的分佈。 FIG. 4 shows the distribution of center points and quadrants of the integrated circuit product of the present invention.
圖5為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。 FIG. 5 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖6為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。 6 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖7為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。 7 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖8為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。 8 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖9為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。 FIG. 9 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖10為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。 10 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖11為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。 11 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖12為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。 12 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖13為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。 13 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖14為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。 14 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
圖15為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。 15 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
以下將配合相關圖式來說明本發明的實施例。在圖式中,相同的標號表示相同或類似的元件或方法流程。 The embodiments of the present invention will be described below with reference to the relevant drawings. In the drawings, the same reference numbers refer to the same or similar elements or method flows.
圖1為本發明一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。積體電路產品100包含第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、第四邏輯晶片118、第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、第四記憶體晶片128、第一其他晶片132、第二其他晶片134、第三其他晶片136、第四其他晶片138。圖1顯示積體電路產品100的俯視圖,圖2及圖3各自顯示本發明一實施例的積體電路產品之簡化後的側視圖(沿著圖1之A-A'橫截面)。在圖2的實施例中,積體電路產品100包含基板150,圖1所示的該些邏輯晶片、該些記憶體晶片、及該些其他晶片位於基板150的上方之同一平面PL上。基板150與邏輯晶片、記憶體晶片、及其他晶片之間有複數個微凸塊152,基板150下方有複數個凸塊154。在圖3的實施例中,積體電路產品100包含中介層(interposer)140,圖1所示的該些邏輯晶片、該些記憶體晶片、及該些其他晶片位於中介層140的上方。中介層140與基板150之間有複數個微凸塊152,基板150下方有複數個凸塊154。第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118可以是具有計算能力的邏輯電路,例如系統單晶片(System on a chip,SoC)。邏輯晶片可以存取記憶體晶片來實現特定的功能,例如,邏輯晶片藉由讀取並執行儲存於記憶體晶片中的程式碼或程式指令來實現該功能。
FIG. 1 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to an embodiment of the present invention. The
回到圖1。積體電路產品100具有第一邊102、第二邊104、第三邊106、及第四邊108。積體電路產品100的該四個邊可以是基板150的四個邊。積體電路產品100還具有中心101。第一邏輯晶片112的一邊與第二邊104實質上重疊(即,第一邏輯晶片112的一邊與第二邊104實質上對齊),也就是說,第一邏輯晶片112鄰接(adjacent)
第二邊104。類似地,第二邏輯晶片114的一邊與第三邊106實質上重疊、第三邏輯晶片116的一邊與第四邊108實質上重疊,以及第四邏輯晶片118的一邊與第一邊102實質上重疊。
Back to Figure 1. The
類似地,第一其他晶片132、第二其他晶片134、第三其他晶片136、及第四其他晶片138各自的一邊分別與第一邊102、第二邊104、第三邊106、及第四邊108實質上重疊。
Similarly, the respective edges of the first
類似地,第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128各自的一邊分別與第一邊102、第二邊104、第三邊106、及第四邊108實質上重疊。此外,因為第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128被安排在積體電路產品100的四個角,所以第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128各自的另一邊更分別與第二邊104、第三邊106、第四邊108、及第一邊102實質上重疊。
Similarly, the respective sides of the
如圖1所示,第一邏輯晶片112與第二邏輯晶片114及第四邏輯晶片118鄰接、第二邏輯晶片114與第一邏輯晶片112及第三邏輯晶片116鄰接、第三邏輯晶片116與第二邏輯晶片114及第四邏輯晶片118鄰接、且第四邏輯晶片118與第一邏輯晶片112及第三邏輯晶片116鄰接。在一些實施例中,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118的頂點在中心101互相接觸。然而,第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128不互相鄰接,且第一其他晶片132、第二其他晶片134、第三其他晶片136、及第四其他晶片138不互相鄰接。
As shown in FIG. 1 , the first logic die 112 is adjacent to the second logic die 114 and the fourth logic die 118 , the second logic die 114 is adjacent to the first logic die 112 and the third logic die 116 , and the third logic die 116 is adjacent to the The second logic die 114 and the fourth logic die 118 are adjacent, and the fourth logic die 118 is adjacent to the first logic die 112 and the third logic die 116 . In some embodiments, the vertices of the first logic die 112 , the second logic die 114 , the third logic die 116 , and the fourth logic die 118 contact each other at the
在一些實施例中,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118的面積實質上相同,第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶
片128的面積實質上相同,而且第一其他晶片132、第二其他晶片134、第三其他晶片136、及第四其他晶片138的面積實質上相同。
In some embodiments, the
在一些實施例中,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118的組成元件實質上相同,第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128的組成元件實質上相同,而且第一其他晶片132、第二其他晶片134、第三其他晶片136、及第四其他晶片138的組成元件實質上相同。前述的組成元件包含但不限於電晶體、電阻、電容、和/或電感。在另一些實施例中,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118的組成元件在種類及數量上相同,第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128的組成元件在種類及數量上相同,而且第一其他晶片132、第二其他晶片134、第三其他晶片136、及第四其他晶片138的組成元件在種類及數量上相同。
In some embodiments, the components of the
在一些實施例中,第一其他晶片132、第二其他晶片134、第三其他晶片136、及第四其他晶片138是輸入/輸出晶片,包含輸入/輸出電路,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118利用輸入/輸出電路傳送或接收信號。在其他的實施例中,第一其他晶片132、第二其他晶片134、第三其他晶片136、及第四其他晶片138是不包含任何電路的矽晶片。
In some embodiments, the first
請參閱圖1及圖4。積體電路產品100被互相垂直的X軸及Y軸畫分為四個象限,X軸及Y軸於中心101處相交。第一晶片群組(包含第一邏輯晶片112、第一記憶體晶片122、及第一其他晶片132)位於第一象限Q1;第二晶片群組(包含第二邏輯晶片114、第二記憶體晶片124、及第二其他晶片134)位於第四象限Q4;第三晶片群組(包含第三邏輯晶片116、第三記憶體晶片126、及第三其他晶片136)位於第三象限Q3;第四晶片群組(包含第四邏輯晶片118、第四記
憶體晶片128、及第四其他晶片138)位於第二象限Q2。第一邏輯晶片112與第一記憶體晶片122的相對位置等於第二邏輯晶片114(第三邏輯晶片116、或第四邏輯晶片118)與第二記憶體晶片124(第三記憶體晶片126、或第四記憶體晶片128)的相對位置;第一邏輯晶片112與第一其他晶片132的相對位置等於第二邏輯晶片114(第三邏輯晶片116、或第四邏輯晶片118)與第二其他晶片134(第三其他晶片136、或第四其他晶片138)的相對位置;第一記憶體晶片122與第一其他晶片132的相對位置等於第二記憶體晶片124(第三記憶體晶片126、或第四記憶體晶片128)與第二其他晶片134(第三其他晶片136、或第四其他晶片138)的相對位置。
Please refer to Figure 1 and Figure 4. The
倘若第一晶片群組在平面PL上相對於中心101順時針旋轉90度,則第一晶片群組與第二晶片群組實質上重疊(即,第一邏輯晶片112與第二邏輯晶片114呈現旋轉對稱、第一記憶體晶片122與第二記憶體晶片124呈現旋轉對稱、以及第一其他晶片132與第二其他晶片134呈現旋轉對稱,其中,旋轉對稱中心為中心101,而旋轉角為90度)。類似地,倘若第一晶片群組在平面PL上相對於中心101逆時針旋轉90度或順時針旋轉270度,則第一晶片群組與第四晶片群組實質上重疊。
If the first wafer group is rotated 90 degrees clockwise relative to the
倘若第一晶片群組在平面PL上相對於中心101旋轉180度,則第一晶片群組與第三晶片群組實質上重疊。換言之,第一晶片群組與第三晶片群組相對於中心101呈現點對稱(point symmttry)(即,第一邏輯晶片112與第三邏輯晶片116點對稱、第一記憶體晶片122與第三記憶體晶片126點對稱、且第一其他晶片132與第三其他晶片136點對稱,對稱中心為中心101)。同理,第二晶片群組與第四晶片群組相對於中心101呈現點對稱。
If the first wafer group is rotated 180 degrees relative to the
換句話說,在一些實施例中,第一晶片群組、第二晶片群組、第三晶片群組、及第四晶片群組各為積體電路產品100的一個組成單位,
也就是說,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118可以分別存取或耦接於第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、及第四記憶體晶片128,且第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118可以分別耦接於第一其他晶片132、第二其他晶片134、第三其他晶片136、及第四其他晶片138。這樣的安排的優點之一在於,第一邏輯晶片112(第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、或第四邏輯晶片118)的對外(即積體電路產品100的外部)接腳可以安排在第二邊104(第三邊106、第四邊108、或第一邊102),而對內的接腳(例如與第一記憶體晶片122、第二記憶體晶片124、第三記憶體晶片126、第四記憶體晶片128、第一其他晶片132、第二其他晶片134、第三其他晶片136、或第四其他晶片138溝通的接腳)可以安排在與記憶體晶片或其他晶片相鄰的邊上。如此一來,因為積體電路產品100的晶片排佈簡單(只需將第一晶片群組旋轉90度、180度、及270度),所以積體電路產品100的不同區域可以使用相同的光罩來製造,因而可大幅簡化製程而且不會浪費接腳。
In other words, in some embodiments, the first chip group, the second chip group, the third chip group, and the fourth chip group are each a constituent unit of the
在一些實施例中,可以藉由將第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118的易發熱部分安排在靠近積體電路產品100的邊,來提升積體電路產品100的散熱效能。此外,因為第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118互相鄰接,所以更容易實作第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118之間的連線(例如透過中介層140和/或基板150),換言之,第一邏輯晶片112、第二邏輯晶片114、第三邏輯晶片116、及第四邏輯晶片118之間的溝通(例如交換資料)及協作處理變得更加容易實現。
In some embodiments, by arranging the heat-prone portions of the first logic die 112 , the second logic die 114 , the third logic die 116 , and the fourth logic die 118 close to the side of the
在另一些實施例中,第一晶片群組、第二晶片群組、第三晶片群組、
及第四晶片群組各為一個正方形;更明確地說,以圖1之第一晶片群組為例,W1+W2=L1+L2,其中,W1是第一記憶體晶片122及第一其他晶片132的寬度,W2是第一邏輯晶片112的寬度,L1是第一記憶體晶片122的長度,L2是第一其他晶片132的長度,而第一邏輯晶片112的長度是L1+L2。再者,因為第一晶片群組、第二晶片群組、第三晶片群組、及第四晶片群組皆為正方形,所以積體電路產品100也是一個正方形。
In other embodiments, the first wafer group, the second wafer group, the third wafer group,
and the fourth chip group are each a square; more specifically, taking the first chip group in FIG. 1 as an example, W1+W2=L1+L2, wherein W1 is the
圖5為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。圖5顯示積體電路產品200的俯視圖。積體電路產品200與積體電路產品100相似,差別在於第一記憶體晶片122與第一其他晶片132交換位置、第二記憶體晶片124與第二其他晶片134交換位置、第三記憶體晶片126與第三其他晶片136交換位置、以及第四記憶體晶片128與第四其他晶片138交換位置。如此一來,在圖2的實施例中,第一其他晶片132、第二其他晶片134、第三其他晶片136、及第四其他晶片138被安排在積體電路產品200的四個角;因此,第一其他晶片132、第二其他晶片134、第三其他晶片136、及第四其他晶片138各自的一邊分別與第一邊102、第二邊104、第三邊106、及第四邊108實質上重疊,且各自的另一邊更分別與第二邊104、第三邊106、第四邊108、及第一邊102實質上重疊。
FIG. 5 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention. FIG. 5 shows a top view of the
圖6為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。圖6顯示積體電路產品300的俯視圖。積體電路產品300包含第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、第四邏輯晶片318、第一記憶體晶片322、第二記憶體晶片332、第三記憶體晶片324、第四記憶體晶片334、第五記憶體晶片326、第六記憶體晶片336、第七記憶體晶片328、及第八記憶體晶片338。積體電路產品300的晶片排佈方式及特點與積體電路產品100及積體電路產品200相似,差別在於積體電路產品300的一個晶片群組包含1個邏
輯晶片及2個記憶體晶片,但不包含其他晶片。
6 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention. FIG. 6 shows a top view of the
在一些實施例中,第一晶片群組(包含第一邏輯晶片312、第一記憶體晶片322、及第二記憶體晶片332)、第二晶片群組(包含第二邏輯晶片314、第三記憶體晶片324、及第四記憶體晶片334)、第三晶片群組(包含第三邏輯晶片316、第五記憶體晶片326、及第六記憶體晶片336)、及第四晶片群組(包含第四邏輯晶片318、第七記憶體晶片328、及第八記憶體晶片338)各為一個正方形。以第一晶片群組為例,W1+W3=L1+L3,其中,W1是第一記憶體晶片322及第二記憶體晶片332的寬度,W3是第一邏輯晶片312的寬度,L1是第一記憶體晶片322的長度,L3是第二記憶體晶片332的長度,而第一邏輯晶片312的長度是L1+L3。倘若將第一晶片群組相對於中心301順時針旋轉90度、180度、及270度,則旋轉後的第一晶片群組的各晶片將分別與第二晶片群組、第三晶片群組、及第四晶片群組中相對應的晶片實質上重疊(第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318互相對應,第一記憶體晶片322、第三記憶體晶片324、第五記憶體晶片326、及第七記憶體晶片328互相對應,且第二記憶體晶片332、第四記憶體晶片334、第六記憶體晶片336、及第八記憶體晶片338互相對應)。再者,因為第一晶片群組、第二晶片群組、第三晶片群組、及第四晶片群組皆為正方形,所以積體電路產品300也是一個正方形。
In some embodiments, the first chip group (including the
對第一晶片群組而言,第一邏輯晶片312可以存取第一記憶體晶片322及第二記憶體晶片332。其他晶片群組同理,故不再贅述。
For the first chip group, the
在一些實施例中,第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318的組成元件實質上相同,第一記憶體晶片322、第三記憶體晶片324、第五記憶體晶片326、及第七記憶體晶片328的組成元件實質上相同,而且第二記憶體晶片332、第四記憶體晶片334、第六記憶體晶片336、及第八記憶體晶片338的組
成元件實質上相同。前述的組成元件包含但不限於電晶體、電阻、電容、和/或電感。在另一些實施例中,第一邏輯晶片312、第二邏輯晶片314、第三邏輯晶片316、及第四邏輯晶片318的組成元件在種類及數量上相同,第一記憶體晶片322、第三記憶體晶片324、第五記憶體晶片326、及第七記憶體晶片328的組成元件在種類及數量上相同,而且第二記憶體晶片332、第四記憶體晶片334、第六記憶體晶片336、及第八記憶體晶片338的組成元件在種類及數量上相同。
In some embodiments, the components of the
在一些實施例中,圖6中的8個記憶體晶片完全相同;換言之,L1=L3。 In some embodiments, the 8 memory chips in FIG. 6 are identical; in other words, L1=L3.
在另一些實施例中,圖6中的8個記憶體晶片是第三代高頻寬記憶體(high bandwidth memory generation 3,HBM3),且W1=L1=L3。 In other embodiments, the eight memory chips in FIG. 6 are high bandwidth memory generation 3 (HBM3), and W1=L1=L3.
圖7為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。圖7顯示積體電路產品400的俯視圖。積體電路產品400包含第一邏輯晶片412、第二邏輯晶片414、第三邏輯晶片416、第四邏輯晶片418、第一記憶體晶片422、第二記憶體晶片432、第三記憶體晶片424、第四記憶體晶片434、第五記憶體晶片426、第六記憶體晶片436、第七記憶體晶片428、第八記憶體晶片438、第一其他晶片442、第二其他晶片444、第三其他晶片446、及第四其他晶片448。積體電路產品400的晶片排佈方式及特點與積體電路產品100及積體電路產品200相似,差別在於積體電路產品400的一個晶片群組包含1個邏輯晶片、2個記憶體晶片、及1個其他晶片。
7 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention. FIG. 7 shows a top view of the
在一些實施例中,第一晶片群組(包含第一邏輯晶片412、第一記憶體晶片422、第二記憶體晶片432、及第一其他晶片442)、第二晶片群組(包含第二邏輯晶片414、第三記憶體晶片424、第四記憶體晶片434、及第二其他晶片444)、第三晶片群組(包含第三邏輯晶片316、第五記憶體晶片326、第六記憶體晶片336、及第三其他晶片446)、及第四晶片群組(包含第四邏輯晶片318、第七記憶體
晶片328、第八記憶體晶片338、及第四其他晶片448)各為一個正方形。以第一晶片群組為例,W1+W4=L1+L3+L4,其中,W1是第一記憶體晶片422、第二記憶體晶片432、及第一其他晶片442的寬度,W4是第一邏輯晶片412的寬度,L1是第一記憶體晶片422的長度,L3是第二記憶體晶片432的長度,L4是第一其他晶片442的長度,而第一邏輯晶片412的長度是L1+L3+L4。倘若將第一晶片群組相對於中心401順時針旋轉90度、180度、及270度,則旋轉後的第一晶片群組的各晶片將分別與第二晶片群組、第三晶片群組、及第四晶片群組中相對應的晶片實質上重疊(第一邏輯晶片412、第二邏輯晶片414、第三邏輯晶片416、及第四邏輯晶片418互相對應,第一記憶體晶片422、第三記憶體晶片424、第五記憶體晶片426、及第七記憶體晶片428互相對應,第二記憶體晶片432、第四記憶體晶片434、第六記憶體晶片436、及第八記憶體晶片438互相對應,且第一其他晶片442、第二其他晶片444、第三其他晶片446、及第四其他晶片448互相對應)。再者,因為第一晶片群組、第二晶片群組、第三晶片群組、及第四晶片群組皆為正方形,所以積體電路產品400也是一個正方形。
In some embodiments, the first chip group (including the
對第一晶片群組而言,第一邏輯晶片412可以存取第一記憶體晶片422及第二記憶體晶片432。其他晶片群組同理,故不再贅述。
For the first chip group, the
在一些實施例中,第一邏輯晶片412、第二邏輯晶片414、第三邏輯晶片416、及第四邏輯晶片418的組成元件實質上相同,第一記憶體晶片422、第三記憶體晶片424、第五記憶體晶片426、及第七記憶體晶片428的組成元件實質上相同,第二記憶體晶片432、第四記憶體晶片434、第六記憶體晶片436、及第八記憶體晶片438的組成元件實質上相同,而且第一其他晶片442、第二其他晶片444、第三其他晶片446、及第四其他晶片448的組成元件實質上相同。前述的組成元件包含但不限於電晶體、電阻、電容、和/或電感。在另一些
實施例中,第一邏輯晶片412、第二邏輯晶片414、第三邏輯晶片416、及第四邏輯晶片418的組成元件在種類及數量上相同,第一記憶體晶片422、第三記憶體晶片424、第五記憶體晶片426、及第七記憶體晶片428的組成元件在種類及數量上相同,第二記憶體晶片432、第四記憶體晶片434、第六記憶體晶片436、及第八記憶體晶片438的組成元件在種類及數量上相同,而且第一其他晶片442、第二其他晶片444、第三其他晶片446、及第四其他晶片448的組成元件在種類及數量上相同。
In some embodiments, the components of the
在一些實施例中,圖7中的8個記憶體晶片完全相同;換言之,L1=L3。 In some embodiments, the 8 memory chips in FIG. 7 are identical; in other words, L1=L3.
在圖7的實施例中,第二記憶體晶片432、第四記憶體晶片434、第六記憶體晶片436、及第八記憶體晶片438被安排在積體電路產品400的四個角,第一記憶體晶片422(第三記憶體晶片424、第五記憶體晶片426、或第七記憶體晶片428)被安排在第二記憶體晶片432(第四記憶體晶片434、第六記憶體晶片436、或第八記憶體晶片438)與第一其他晶片442(第二其他晶片444、第三其他晶片446、或第四其他晶片448)之間。
In the embodiment of FIG. 7 , the
圖8為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示意圖。圖8顯示積體電路產品500的俯視圖。積體電路產品500與積體電路產品400相似,差別在於第一其他晶片442、第二其他晶片444、第三其他晶片446、及第四其他晶片448被安排在積體電路產品500的四個角,第二記憶體晶片432(第四記憶體晶片434、第六記憶體晶片436、或第八記憶體晶片438)被安排在第一記憶體晶片422(第三記憶體晶片424、第五記憶體晶片426、或第七記憶體晶片428)與第一其他晶片442(第二其他晶片444、第三其他晶片446、或第四其他晶片448)之間。
8 is a schematic diagram of a simplified chip arrangement of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention. FIG. 8 shows a top view of an
圖9為本發明另一實施例的積體電路產品之簡化後的晶片排佈的示
意圖。圖9顯示積體電路產品600的俯視圖。積體電路產品600與積體電路產品400相似,差別在於第一其他晶片442(第二其他晶片444、第三其他晶片446、或第四其他晶片448)被安排在第一記憶體晶片422(第三記憶體晶片424、第五記憶體晶片426、或第七記憶體晶片428)與第二記憶體晶片432(第四記憶體晶片434、第六記憶體晶片436、或第八記憶體晶片438)之間。
FIG. 9 is a schematic diagram of a simplified chip layout of an integrated circuit product according to another embodiment of the present invention.
intention. FIG. 9 shows a top view of an
圖1及圖5~9中的記憶體晶片是第三代高頻寬記憶體(high bandwidth memory generation 3,HBM3),其形狀為正方形。然而,上述之記憶體晶片也可以是第二代高頻寬記憶體(high bandwidth memory generation 2,HBM2),如圖10~15(分別對應於圖1及圖5~9)所示。積體電路產品700及積體電路產品800之第一記憶體晶片722、第二記憶體晶片724、第三記憶體晶片726、第四記憶體晶片728、積體電路產品900之第一記憶體晶片922、第二記憶體晶片932、第三記憶體晶片924、第四記憶體晶片934、第五記憶體晶片926、第六記憶體晶片936、第七記憶體晶片928、第八記憶體晶片938、積體電路產品1000、積體電路產品1100、及積體電路產品1200之第一記憶體晶片1022、第二記憶體晶片1032、第三記憶體晶片1024、第四記憶體晶片1034、第五記憶體晶片1026、第六記憶體晶片1036、第七記憶體晶片1028、及第八記憶體晶片1038是第二代高頻寬記憶體。圖10~15的說明可以分別對應於圖1及圖5~9的說明,故不再贅述。
The memory chips in FIGS. 1 and 5 to 9 are high bandwidth memory generation 3 (HBM3) of the third generation, and their shape is square. However, the above-mentioned memory chip may also be a high bandwidth memory generation 2 (HBM2), as shown in FIGS. 10-15 (corresponding to FIGS. 1 and 5-9 respectively). The
此外,在其他的實施例中,圖10~15中的記憶體晶片可以是增強型第二代高頻寬記憶體(Enhanced high bandwidth memory generation 2)。 In addition, in other embodiments, the memory chips in FIGS. 10-15 may be enhanced high bandwidth memory generation 2 (Enhanced high bandwidth memory generation 2).
綜上所述,本案所提出的晶片排佈可以使晶片在積體電路產品中緊密排列,因此得以充分利用基板面積以提高積體電路產品競爭力。再者,將積體電路產品上的晶片以旋轉對稱和/或點對稱的方式排 佈,除了可以避免接腳浪費,還有利於使用相同的光罩來製造積體電路產品的不同部位,因而可簡化光罩複雜度。 To sum up, the chip arrangement proposed in this case can make the chips closely arranged in the integrated circuit product, so that the substrate area can be fully utilized to improve the competitiveness of the integrated circuit product. Furthermore, the chips on the integrated circuit product are arranged in a rotationally symmetrical and/or point-symmetrical manner. In addition to avoiding the waste of pins, it is also beneficial to use the same mask to manufacture different parts of the integrated circuit product, thus simplifying the complexity of the mask.
從另一角度而言,將積體電路產品上的晶片以前述的旋轉對稱和/或點對稱方式進行排佈,半導體製造商便可利用同一套光罩製造出面積接近4倍大小的積體電路產品,故可大幅降低積體電路產品的製造成本。 From another perspective, by arranging the chips on the integrated circuit product in the aforementioned rotational symmetry and/or point symmetry, semiconductor manufacturers can use the same set of masks to manufacture an integrated circuit with an area nearly 4 times the size Therefore, the manufacturing cost of integrated circuit products can be greatly reduced.
請注意,前述積體電路產品上的晶片排佈方式只是示範性的實施例,並非侷限本發明的實際實施方式。例如,在某些實施例中,可將前述的邏輯晶片、記憶體晶片、和/或其他晶片改以相對於積體電路產品的中心軸(通過中心且與任一邊垂直)呈現線對稱的方式排佈在積體電路產品的四個象限。 Please note that the above-mentioned arrangement of the chips on the integrated circuit product is only an exemplary embodiment, and is not intended to limit the actual implementation of the present invention. For example, in certain embodiments, the aforementioned logic chips, memory chips, and/or other chips may be modified to exhibit line symmetry with respect to the central axis of the integrated circuit product (through the center and perpendicular to either side). Arranged in the four quadrants of integrated circuit products.
在說明書及申請專利範圍中使用了某些詞彙來指稱特定的元件,而本領域內的技術人員可能會用不同的名詞來稱呼同樣的元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來做為區分元件的方式,而是以元件在功能上的差異來做為區分的基準。在說明書及申請專利範圍中所提及的「包含」為開放式的用語,應解釋成「包含但不限定於」。另外,「耦接」一詞在此包含任何直接及間接的連接手段。因此,若文中描述第一元件耦接於第二元件,則代表第一元件可通過電性連接或無線傳輸、光學傳輸等信號連接方式而直接地連接於第二元件,或通過其它元件或連接手段間接地電性或信號連接至第二元件。 Certain terms are used in the description and the scope of the claims to refer to specific elements, and those skilled in the art may refer to the same elements by different terms. This specification and the scope of the patent application do not use the difference in name as a way to distinguish elements, but use the difference in function of the elements as a criterion for distinguishing. The "comprising" mentioned in the description and the scope of the patent application is an open-ended term, and should be interpreted as "including but not limited to". In addition, the term "coupled" herein includes any direct and indirect means of connection. Therefore, if it is described in the text that the first element is coupled to the second element, it means that the first element can be directly connected to the second element through electrical connection or signal connection such as wireless transmission or optical transmission, or through other elements or connections. The means is indirectly electrically or signally connected to the second element.
在說明書中所使用的「和/或」的描述方式,包含所列舉的其中一個項目或多個項目的任意組合。另外,除非說明書中特別指明,否則任何單數格的用語都同時包含複數格的含義。 The descriptions of "and/or" used in the specification include any combination of one or more of the listed items. In addition, unless otherwise specified in the specification, any term in the singular also includes the meaning in the plural.
圖式的某些元件的尺寸及相對大小會被加以放大,或者某些元件的形狀會被簡化,以便能更清楚地表達實施例的內容。因此,除非申請人有特別指明,圖式中各元件的形狀、尺寸、相對大小及相對位 置等僅是便於說明,而不應被用來限縮本發明的專利範圍。此外,本發明可用許多不同的形式來體現,在解釋本發明時,不應僅侷限於本說明書所提出的實施例態樣。 The size and relative size of certain elements in the drawings may be exaggerated, or the shapes of certain elements may be simplified so as to more clearly convey the contents of the embodiments. Therefore, unless otherwise specified by the applicant, the shape, size, relative size and relative position of each element in the drawings The setting and the like are only for convenience of description, and should not be used to limit the patent scope of the present invention. Furthermore, the present invention may be embodied in many different forms, and the present invention should not be limited to the embodiments set forth in this specification in explaining the present invention.
為了說明上的方便,說明書中可能會使用一些與空間中的相對位置有關的敘述,對圖式中某元件的功能或是該元件與其他元件間的相對空間關係進行描述。例如,「於...上」、「在...上方」、「於...下」、「在...下方」、「高於...」、「低於...」、「向上」、「向下」等等。所屬技術領域中具有通常知識者應可理解,這些與空間中的相對位置有關的敘述,不僅包含所描述的元件在圖式中的指向關係(orientation),也包含所描述的元件在使用、運作、或組裝時的各種不同指向關係。例如,若將圖式上下顛倒過來,則原先用「於...上」來描述的元件,就會變成「於...下」。因此,在說明書中所使用的「於...上」的描述方式,解釋上包含了「於...下」以及「於...上」兩種不同的指向關係。同理,在此所使用的「向上」一詞,解釋上包含了「向上」以及「向下」兩種不同的指向關係。 For the convenience of description, some descriptions related to relative positions in space may be used in the specification to describe the function of an element in the drawings or the relative spatial relationship between the element and other elements. For example, "above", "above", "below", "below", "above...", "below...", "Up", "Down", etc. Those with ordinary knowledge in the technical field should understand that these descriptions related to relative positions in space not only include the orientation of the described elements in the drawings, but also include the use and operation of the described elements. , or various pointing relationships during assembly. For example, if the drawing is turned upside down, the element originally described as "on" will become "under". Therefore, the description method of "on" used in the specification includes two different pointing relationships of "under" and "on". Similarly, the word "upward" used here includes two different pointing relationships of "upward" and "downward".
在說明書及申請專利範圍中,若描述第一元件位於第二元件上、在第二元件上方、連接、接合、耦接於第二元件或與第二元件相接,則表示第一元件可直接位在第二元件上、直接連接、直接接合、直接耦接於第二元件,亦可表示第一元件與第二元件間存在其他元件。 相對之下,若描述第一元件直接位在第二元件上、直接連接、直接接合、直接耦接、或直接相接於第二元件,則代表第一元件與第二元件間不存在其他元件。 In the description and the scope of the patent application, if it is described that the first element is located on, above the second element, connected, joined, coupled to or connected with the second element, it means that the first element can be directly Being located on, directly connected to, directly joined, or directly coupled to the second element may also mean that other elements exist between the first element and the second element. In contrast, if it is described that the first element is directly on, directly connected, directly joined, directly coupled, or directly connected to the second element, it means that no other element exists between the first element and the second element .
以上僅為本發明的較佳實施例,凡依本發明請求項所做的等效變化與修改,皆應屬本發明的涵蓋範圍。 The above are only preferred embodiments of the present invention, and all equivalent changes and modifications made according to the claims of the present invention shall fall within the scope of the present invention.
100:積體電路產品 100: Integrated circuit products
112:第一邏輯晶片 112: The first logic chip
114:第二邏輯晶片 114: Second logic chip
116:第三邏輯晶片 116: Third logic chip
118:第四邏輯晶片 118: Fourth logic chip
122:第一記憶體晶片 122: first memory chip
124:第二記憶體晶片 124: Second memory chip
126:第三記憶體晶片 126: Third memory chip
128:第四記憶體晶片 128: Fourth memory chip
132:第一其他晶片 132: The first other chip
134:第二其他晶片 134: Second other chip
136:第三其他晶片 136: The third other chip
138:第四其他晶片 138: Fourth other chip
102:第一邊 102: First side
104:第二邊 104: Second side
106:第三邊 106: Third Side
108:第四邊 108: Fourth side
101:中心 101: Center
W1、W2:寬度 W1, W2: width
L1、L2:長度 L1, L2: length
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200723356A (en) * | 2005-07-29 | 2007-06-16 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | Method for optimizing die placement |
TW201029118A (en) * | 2009-01-23 | 2010-08-01 | Himax Tech Ltd | Chip layout for reducing warpage and method thereof |
US20120025397A1 (en) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | Mosys, Inc. | Semiconductor Chip Layout |
TW201246418A (en) * | 2011-05-10 | 2012-11-16 | Po-Cheng Hsueh | A die detection method for 3D die stacking |
US20150294954A1 (en) * | 2009-09-30 | 2015-10-15 | Silicon Laboratories Inc. | Multiple die layout for facilitating the combining of an individual die inoto a single die |
US20200151381A1 (en) * | 2013-08-30 | 2020-05-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Stacked chip layout |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7612443B1 (en) * | 2003-09-04 | 2009-11-03 | University Of Notre Dame Du Lac | Inter-chip communication |
US8148813B2 (en) * | 2009-07-31 | 2012-04-03 | Altera Corporation | Integrated circuit package architecture |
US8716876B1 (en) * | 2011-11-11 | 2014-05-06 | Altera Corporation | Systems and methods for stacking a memory chip above an integrated circuit chip |
US20140264915A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Chao-Yuan Huang | Stacked Integrated Circuit System |
US9349710B2 (en) * | 2013-10-07 | 2016-05-24 | Xintec Inc. | Chip package and method for forming the same |
WO2016011325A1 (en) * | 2014-07-18 | 2016-01-21 | Indiana Integrated Circuits, LLC | Edge interconnect packaging of integrated circuits for power systems |
CN204810110U (en) * | 2015-07-09 | 2015-11-25 | 瑞声声学科技(常州)有限公司 | Linear vibration motor |
CN107068676B (en) * | 2017-03-13 | 2019-08-27 | Oppo广东移动通信有限公司 | Chip with preset specification, manufacturing method and mobile terminal |
KR20200026344A (en) * | 2018-08-29 | 2020-03-11 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor package |
JP7097639B2 (en) * | 2018-11-21 | 2022-07-08 | 東北マイクロテック株式会社 | Multilayer semiconductor device and multiple chips used for it |
TWI777225B (en) * | 2019-08-29 | 2022-09-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | Integrated chip and method of forming the same |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200723356A (en) * | 2005-07-29 | 2007-06-16 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | Method for optimizing die placement |
TW201029118A (en) * | 2009-01-23 | 2010-08-01 | Himax Tech Ltd | Chip layout for reducing warpage and method thereof |
US20150294954A1 (en) * | 2009-09-30 | 2015-10-15 | Silicon Laboratories Inc. | Multiple die layout for facilitating the combining of an individual die inoto a single die |
US20120025397A1 (en) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | Mosys, Inc. | Semiconductor Chip Layout |
TW201246418A (en) * | 2011-05-10 | 2012-11-16 | Po-Cheng Hsueh | A die detection method for 3D die stacking |
US20200151381A1 (en) * | 2013-08-30 | 2020-05-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Stacked chip layout |
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