TWI694126B

TWI694126B - 樹脂組成物、接著膜及半導體裝置

Info

Publication number: TWI694126B
Application number: TW104110416A
Authority: TW
Inventors: 高杉寛史; 黒川津与志; 戸島順; 青木一生; 寺木慎
Original assignee: 日商納美仕有限公司
Priority date: 2014-03-31
Filing date: 2015-03-31
Publication date: 2020-05-21
Also published as: KR102076888B1; CN106103530B; WO2015152134A1; KR20160140776A; JP2015193687A; CN106103530A; TW201546222A

Abstract

本發明係提供一種在導熱性、接著性、薄膜成形性優良的樹脂組成物，尤其是，硬化後導熱性優良的樹脂組成物。

本發明的樹脂組成物係含有：(A)胺基酚型環氧樹脂、(B)選自苯氧樹脂以及熱塑性彈性體所組成群組中之至少1種、以及(C)高導熱性無機填充物，且相對於(A)成分1質量份，(B)成分為0.5至5質量份。

Description

樹脂組成物、接著膜及半導體裝置

本發明係有關一種樹脂組成物、接著薄膜、以及半導體裝置，尤其是，可形成散熱性優良，可靠度高的半導體裝置之樹脂組成物，以及接著薄膜，以及此樹脂組成物，藉由接著薄膜所製造的半導體裝置。

近年，隨著模件(Module)或電子零組件之高機能化、高密度化，由模件或電子零組件等的發熱體所發生之熱量會變大。來自此等發熱體之熱會傳導至基板等，並被散熱。為了有效率地進行此熱的傳導，在發熱體與基板之間的接著劑，係使用高導熱率的物質。又，從操作性之良好性而言，可使用高導熱的接著薄膜來取代接著劑。

在此，接著薄膜的導熱不佳時，在已組裝模件或電子零組件之半導體裝置中會累積熱量，並招致半導體裝置之故障之問題。因此，各公司正在進行開發高導熱率的薄膜。

在上述的接著薄膜中，不僅要求導熱性，同時也要求有絶緣性、耐熱性以及接續可靠度(接著強度)。在接著薄膜中，若大量使用高導熱性之填充物，雖可以提高相關的導熱性，但隨著填充物填充量的増加，由於接著薄膜中的樹脂成分量會相對地減少，故有難以得到期望之接著強度的問題。又，隨著此填充物填充量的増加，接著強度降低的問題，並不限於高導熱的接著薄膜，例如，從低熱膨脹率化的觀點而言，在組成物中填充填充物之時也會產生的問題。

作為目標在高導熱性之環氧樹脂者，在專利文獻1已揭示一種環氧樹脂，其係適用於薄膜成形、塗布等的製程中具有充分的製膜性、延伸性，導熱性、耐熱性、可撓性等各物性也都優良的環氧樹脂，具有聯苯基骨架的環氧樹脂；在專利文獻2已揭示一種環氧樹脂，其係不管是否有導入液晶原基(mesogenic group)，而容易製造，且可得到對有機溶劑的溶解性優良、強韌性、導熱率性優良之硬化物。

[先前技術文獻] (專利文獻)

專利文獻1：日本特開2012-107215號公報

專利文獻2：日本特開2010-001427號公報

然而，要求具有上述環氧樹脂的導熱率以上之導熱率的環氧樹脂。本發明係有鑑於上述之事實而成者，本發明的目的在於提供具有優良的導熱性、接著性、薄膜成形性之樹脂組成物，尤其是，在硬化後導熱性優良的樹脂組成物。

本發明係有關藉由具有以下的結構而解決上述問題之樹脂組成物、接著薄膜、半導體裝置。

[1]一種樹脂組成物，係含有(A)胺基酚型環氧樹脂，(B)選自苯氧樹脂以及熱塑性彈性體所組成群組中之至少1種，以及(C)高導熱性無機填充物，且相對於(A)成分1質量份，(B)成分為0.5至5質量份。

[2]如上述[1]記載的樹脂組成物，其中，(A)成分為以下述化學式(1)表示。

[3]如上述[1]或[2]記載的樹脂組成物，其中，(B)成分的玻璃轉移温度為未達50℃。

[4]如上述[1]至[3]中任一項記載之樹脂組成物，其中，(C)成分為選自MgO、Al₂O₃、AlN、BN、鑽石填充物、ZnO、以及SiC所組成群組中之至少1種。

[5]一種接著薄膜，係由上述[1]至[4]中任一項記載的樹脂組成物所形成者。

[6]一種半導體裝置，係使用上述[5]記載的接著薄膜之硬化體者。

若依據本發明[1]，可提供導熱性、接著性、薄膜成形性優良的樹脂組成物，尤其是，在硬化後導熱性優良的樹脂組成物。

若依據本發明[5]，可提供導熱性、接著性優良，尤其是，在硬化後導熱性優良的接著薄膜。若依據本發明[6]，藉由導熱性、接著性、導熱性優良的接著薄膜之硬化體，可提供可靠度高的半導體裝置。

第1圖(A)至(E)表示用以說明刮取塗布方法之模式圖。

本發明的樹脂組成物，係含有(A)胺基酚型環氧樹脂、(B)選自苯氧樹脂以及熱塑性彈性體所組成群組中之至少1種，以及(C)高導熱性無機填充物，且相對於(A)成分1質量份，(B)成分為0.5至5質量份。在此，(C)高導熱性無機充物係指5W/m‧K以上的無機填充物。

(A)成分是在硬化後的樹脂組成物中，可賦予高導熱率性。本發明中，(A)成分的胺基酚型環氧樹脂是指以公知的方法使各種的胺基酚類環氧化者。作為胺基酚類的例子者，可以列舉：2-胺基酚、3-胺基酚、4-胺基酚、2-胺基-m-甲酚、2-胺基-p-甲酚、3-胺基-o-甲酚、4-胺基-m-甲酚、6-胺基-m-甲酚等的胺基酚、胺基甲酚類等，但不限定於此等。

(A)成分是以下述化學式(1)：

為使硬化後的樹脂組成物為高導熱性，故以胺基酚型環氧樹脂為佳。作為(A)成分的市售品者，可以列舉三菱化學製胺基酚型環氧樹脂(品名：630)。(A)成分可以單獨使用，也可以合併使用2種以上。

(B)成分係可對樹脂組成物賦予薄膜成形性。(B)成分的苯氧樹脂並無特別限定，可以列舉具有選自雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛骨架、聯苯基骨架、芴骨架、二環戊二烯骨架、降冰片烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜骨架、三甲基環己烷骨架中1種以上的骨架者。作為(B)成分的苯氧樹脂之市售品者，可以列舉三菱化學製可撓性苯氧樹脂(品名：YL7178，玻璃轉移温度：15℃)。

作為(B)成分的熱塑性彈性體者，可以列舉聚胺酯橡膠、丙烯酸橡膠、聚矽氧橡膠、乙烯基烷基醚橡膠、聚乙烯醇橡膠、聚乙烯基吡咯烷酮橡膠、聚丙烯醯胺橡膠、纖維素橡膠、天然橡膠、丁二烯橡膠，氯丁二烯橡膠、苯乙烯/丁二烯橡膠(SBR)、丙烯腈/丁二烯橡膠(NBR)、苯乙烯/乙烯/丁二烯/苯乙烯橡膠、苯乙烯/異戊二烯/苯乙烯橡膠、苯乙烯/異丁烯橡膠、異戊二烯橡膠、聚異丁烯橡膠、丁基橡膠、含(甲基)丙烯酸烷基酯之單體的聚合所得到的合成丙烯酸橡膠、苯乙烯-丁二烯塊狀共聚物(SBS)、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯塊狀共聚物(SEBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯塊狀共聚物(SIS)、聚丁二烯(PB)、苯乙烯-(乙烯-乙烯/丙烯)-苯乙烯塊狀共聚物(SEEPS)、乙烯-不飽和羧酸共聚物(例如，乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物等)、乙烯-不飽和羧酸酯共聚物(例如，乙烯-乙基丙烯酸酯共聚物、乙烯-乙基甲基丙烯酸酯共聚物等)，以及選自此等的羧酸酐改質物(例如馬來酸酐改質物)所組成群組中之至少1種。作為(B)成分的熱塑性彈性體的市售品者，可以列舉：Nagasechemtex公司製丙烯酸酯共聚物(品名：SG790，玻璃轉移温度：-32℃)。(B)成分是可以單獨使用，也可以合併使用2種以上。

又，(B)成分係由於具有樹脂組成物的薄膜成形性、硬化後的樹脂組成物中適度的柔軟性、玻璃轉移溫度(Tg)未達50℃，故較佳。又，從樹脂組成物的薄膜成形性、接著性的觀點而言，(B)成分是以玻璃轉移温度 (Tg)為未達50℃的苯氧樹脂為更佳。

作為(C)成分，若導熱率為5W/m‧K以上，從保持絶緣性之觀點而言，可以使用一般的無機填充物。從導熱率、絶緣性以及熱膨脹係數的觀點而言，若為選自MgO、Al₂O₃、AlN、BN、鑽石填充物、ZnO、以及SiC所組成群組中之至少1種以上的無機填充物，以(C)成分為較佳。又，ZnO以及SiC中，可依需要而進行絶緣處理。作為各材料的導熱率測定結果的一個例子(單位是W/m‧K)，MgO是37，Al₂O₃是30，AlN是200，BN是30，鑽石是2000，ZnO是54，SiC是90。作為(C)成分的市售品，可以列舉堺化學工業製氧化鎂粉末(品名：SMO-5、SMO-1、SMO-02、SMO-2)、昭和電工製氧化鋁(Al₂O₃)粉末(品名：CBA09S)、電氣化學工業製氧化鋁(Al₂O₃)粉末(品名：DAW-03、ASFP-20)。

(C)成分的平均粒徑(不是粒狀時，指其平均最大徑)，雖無特別限定，但就使(C)成分均勻地分散在樹脂組成物中而言，以0.05至50μm為佳。未達0.05μm時，樹脂組成物的黏度會上昇，成形性有變差之虞。超過50μm時，在樹脂組成物中，恐(C)成分難以均勻地分散。在此，(C)成分的平均粒徑係藉由動態光散射式奈米軌跡粒度分析計來測定。(C)成分可以單獨使用，也可以將2種以上合併使用。

(A)成分係相對於樹脂組成物(除去溶劑)：100質量份，以1.5至15質量份為佳，以2至10質量份為更佳。

(B)成分係從樹脂組成物的薄膜成形性、硬化後的樹脂組成物的導熱率、耐熱性的觀點而言，相對於(A)成分1質量份，為0.5至5質量份。(B)成分係相對於(A)成分1質量份，在未滿0.5質量份時，無法使樹脂組成物薄膜成形，超過5質量份時，硬化後的樹脂組成物之導熱率會變低。又，(A)與(B)的合計，從樹脂組成物的薄膜成形性、接著性、硬化後的樹脂組成物的導熱率之觀點而言，相對於樹脂組成物(除去溶劑)：100質量份，以4至20質量份為較佳。

從樹脂組成物的接著性、硬化後的樹脂組成物的絶緣性、以及熱膨脹係數的觀點而言，(C)成分相對於樹脂組成物(除去溶劑)：100質量份，以40至95質量份為佳。(C)成分若超過95質量份，樹脂組成物的接著力容易降低。另一方面，若(C)成分未達40質量份，高導熱性無機填充物的導熱率即使很高，硬化後的樹脂組成物之導熱恐怕也不充分。

樹脂組成物復以含有(D)硬化劑為佳。作為(D)成分者，可以列舉：酚系硬化劑、酸酐系硬化劑、胺系硬化劑、咪唑系硬化劑、羧酸二肼硬化劑等，以選自酚系硬化劑、胺系硬化劑、酸酐系硬化劑以及咪唑系硬化劑所組成群組中之至少1種為佳。又，從樹脂組成物的接著性之觀點而言，以酚系硬化劑為更佳，又，從樹脂組成物的流動性、接著性的觀點而言，以酸酐系硬化劑為更佳。從樹脂組成物的保存安定性之觀點而言，以咪唑系硬化劑為更佳。

作為酚系硬化劑，可以列舉：酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等，以酚酚醛清漆為佳。又，酚系硬化劑，因為比酸酐系硬化劑、胺系硬化劑、咪唑系硬化劑等的其他硬化劑之硬化速度更慢，故使用其他的硬化劑，樹脂組成物的硬化速度變成過炔時，可併用酚系硬化劑，以延緩樹脂組成物的硬化速度之目的下使用。

作為酸酐，可以列舉：四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基納迪克酸酐、氫化甲基納迪克酸酐、三烷基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基環己烯四羧酸二酐、鄰苯二甲酸酐、偏苯三酸酐、均苯四甲酸二酐、二苯甲酮四羧酸二酐、乙二醇雙脫水偏苯三酸酯、甘油雙(脫水偏苯三酸酯)單乙酸酯、十二烯基琥珀酸酐、脂肪族二元酸多酐、氯菌酸酐(Chlorendic anhydride)、甲基丁烯基四氫鄰苯二甲酸酐、烷基化四氫鄰苯二甲酸酐、甲基腐植(HIMIC)酸酐、以以烯基取代之琥珀酸酐、戊二酸酐等，以甲基丁烯基四氫鄰苯二甲酸酐為佳。

作為胺系硬化劑，可以列舉：鏈狀脂肪族胺、環狀脂肪族胺、脂肪芳香族胺、芳香族胺等，以芳香族胺為佳。作為羧酸二肼硬化劑者，可以列舉：己二酸二肼、間苯二甲酸二肼、癸二酸二肼、十二烷酸二肼等，以己二酸二肼為佳。

作為咪唑系硬化劑，從樹脂組成物的保存安定性之觀點而言，係以被微膠囊化之咪唑化合物硬化劑、胺加成型硬化劑為佳，從樹脂組成物的作業性、硬化速度、保存安定性的觀點而言，以分散於液狀雙酚A型等的液狀環氧樹脂中之微膠囊化咪唑化合物硬化劑為更佳。作為咪唑硬化劑，可以列舉：2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]乙基-s-三嗪、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯[1,2-a]苯並咪唑等，其中，2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪等，從樹脂組成物的硬化速度、作業性、耐濕性的觀點而言，為較佳。

作為(D)成分的市售品，可以列舉：明和化成製酚硬化劑(品名：MEH8000、MEH8005)、三菱化學製酸酐(等級：YH306、H307)、日立化成工業製3或4-甲基-六氫鄰苯二甲酸酐(品名：HN-5500)、日本化藥製胺硬化劑(品名：Kayahard A-A)、日本Finechem製己二酸二肼(品名：ADH)、旭化成E-materials製微膠囊化咪唑化合物硬化劑(品名：HX3722、HX3742、HX3932HP、HX3941HP)、味之素Finetechno公司製的胺加成型硬化劑(品名：PN-40J)、四國化成工業製2-乙基-4-甲基咪唑(品名：2E4MZ)等，(D)成分並不侷限於此等品名之產品。(D)成分是可以單獨使用，也可以合併使用2種以上。

(D)成分從樹脂組成物的保存安定性、硬化性的觀點而言，相對於樹脂組成物(除去溶劑)：100質量份，以0.1至5質量份為佳。

又，樹脂組成物係在不損及本發明效果之範圍內，也可以含有偶合劑、增黏劑、消泡劑、流動調整劑、成膜補助劑、分散劑等的添加劑，或有機溶劑。

作為有機溶劑，可以列舉：芳香族系溶劑，例如甲苯、二甲苯等、酮系溶劑，例如甲乙酮、甲基異丁基酮等。有機溶劑可以單獨使用，也可以組合2種以上而使用。又，有機溶劑的使用量雖無特別限定，但固形分是以成為20至50質量%的方式來使用為佳。從樹脂組成物的作業性之觀點而言，樹脂組成物以在200至3000mPa‧s的黏度範圍為佳。黏度係使用E型黏度計，為以回轉數10rpm、25℃測定之值。

[接著薄膜]

上述的樹脂組成物是適合在接著薄膜的形成。藉由將含有(A)至(C)成分等的原料溶解或分散於有機溶劑中，可得到樹脂組成物。作為此等原料的溶解或分散等之裝置，並無特別的限定，但可以使用具備攪拌、加熱裝置之破碎機、3滾磨機、球磨機、行星式混合機、珠磨機等。又，也可以適當組合此等裝置而使用。

接著薄膜係藉由將上述的樹脂組成物塗布在所期望的支持體上之後，乾燥而得到。支持體係無特別限定，而可以列舉銅、鋁等的金屬箔、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂等的有機薄膜等。支持體也可以聚矽氧系化合物等進行離型處理。

將樹脂組成物塗布在支持體上的方法，並無特別限定，但從薄膜化/膜厚控制的觀點而言，以微凹版印刷法、縫口模頭法、刮片法為佳。藉由縫口模頭法，可得到熱硬化後的厚度成為10至300μm的接著薄膜。

乾燥條件是對應在樹脂組成物中使用的有機溶劑種類、量或是塗布之厚度等，而可以適當設定，例如，可以設為50至120℃、1至30分鐘左右。如此方式所得到的接著薄膜，具有良好的保存安定性。又，接著薄膜在所期望的時間點，可從支持體剝離。

接著薄膜例如以130至200℃、30至180分鐘使其熱硬化，可接著被接著物。使發熱體的被接著物與受熱體的被接著物接著時，經硬化的接著薄膜係將來自發熱體的被接著物之熱朝向受熱體的被接著物側逃逸，在受熱體的被接著物側發揮使其散熱之傳熱作用。再者，經硬化的接著薄膜係發揮緩和在發熱體的被接著物與受熱體的被接著物之間的熱膨脹率差所產生的應力之作用。

接著薄膜的厚度較佳係10μm以上300μm以下，更佳是10μm以上100μm以下，再更佳是10μm以上50μm以下。未達10μm時，恐無法得到所期望之絶緣性。若超過300μm，發熱之被接著物恐無法充分散熱。隨著接著薄膜的厚度變薄，發熱體的被接著物與受熱體之被接著物的距離會變短，故從有效率的導熱之觀點而言，接著薄膜的厚度愈薄愈佳。

又，經硬化的接著薄膜係以導熱率為2W/m‧K以上較佳。又，在硬化之接著薄膜的導熱率未達2W/m‧K時，對來自發熱體之受熱器之傳熱恐怕有不充足的情形。與硬化的接著薄膜之體積電阻率與導熱率，係可藉由(C)成分的種類與含量而控制。

經硬化之接著薄膜的剝離強度以超過5N/cm為佳。若硬化之接著薄膜的剝離強度超過5N/cm，使用接著薄膜的硬化體，可提高半導體裝置之可靠度。

經硬化的接著薄膜係以體積電阻率為1×10¹⁰Ω‧cm以上為佳。經硬化之接著薄膜的體積電阻率為未達1×10¹⁰Ω‧cm時，恐怕無法滿足半導體裝置所要求之絶緣性。

[半導體裝置]

本發明的半導體裝置是使用上述接著薄膜之硬化物。藉由導熱性、接著強度優良之接著薄膜的硬化物，可提供可靠度高的半導體裝置。作為半導體裝置，可以列舉將模組或電子零組件等的發熱體、與基板等的受熱體以接著薄膜的硬化物接著者；或將接受來自發熱體的熱之基板的熱、與進一步接受由此基板之熱的散熱板等以接著薄膜的硬化物而接著者。

[實施例]

關於本發明，雖是藉由實施例來說明，但本發明是並不侷限於此等。又，在以下的實施例中，份、%若無特別論述，係表示質量份、質量%。

[實施例1至12、比較例1至4]

以表1與表2中所示之調配，將(A)成分、(B)成分、適量的甲苯經計量配合後，將此等投入於加溫至80℃之反應釜內，以回轉數150rpm一面回轉，一面在常壓中進行混合3小時，製作清漆。在所製作的清漆中，加入(C)成分、(D)成分、其他的成分，藉由行星型混合機分散，製作接著薄膜用樹脂組成物。

[評估方法]

1.導熱率的測定

將所得到的接著薄膜用樹脂組成物，在經實施離型劑之50μm厚度的PET薄膜上，以乾燥後的膜厚成為200至400μm之方式刮取塗布。在第1圖中，係表示用以說明刮取塗布的方法之示意圖。首先，在付有離型劑之PET薄膜上，以成為適當厚度的方式，重疊2列間隔物之後，以黏著膠帶黏貼(第1圖(A))。在附離型劑的PET薄膜上，注入適量的接著薄膜用組成物(第1圖(B))。在間隔物上放置表玻璃，刮取接著薄膜用組成物並加以塗布(第1 圖(C)至(E))。其次，將已塗布之接著薄膜用組成物充分乾燥之後，所得到的接著薄膜，使用真空加壓機以180℃×60分鐘、0.1MPa的條件使其硬化。將已硬化的接著薄膜裁切成10×10mm，製作導熱率測定用試験片。所製作的導熱率測定用試験片之導熱率，以NETZSCH公司製導熱率計(Xe閃光分析儀，型號：LFA 447 Nano flash)測定。在表1與表2中，表示導熱率的測定結果。

2.剝離強度的測定

準備單面已粗糙化的銅箔。在與導熱率評估時同樣操作而得到之接著薄膜之兩面，使內側為粗化面而黏貼銅箔。使用真空加壓機，以180℃×60分鐘、0.1MPa的條件加熱壓接，使其硬化。將此硬化體切成10mm寬，製作剝離強度測定用試料。將所作成之剝離強度測定用試料以島津製作所製精密萬能試驗機(型號：ASG-J-5 k NJ)剝離，測定剝離強度。有關測定結果，計算各N=5的平均值。在表1與表2中，表示剝離強度的結果。

3.薄膜成形性

將所得到的接著薄膜用組成物在已施予離型劑之50μm厚度的PET薄膜上使用塗布機塗布成寬為20cm且乾燥後的膜厚為30至200μm。將已塗布之接著薄膜用組成物以80℃乾燥20分鐘。將此薄膜捲取成50mmφ、40cm寬的捲軸，評估薄膜成形性。即使彎折也不會龜裂時設為「5」，若彎折，一部分會龜裂時設為「4」，若彎折完全龜裂時設為「3」，成為薄膜但容易龜裂時，設為「2」，不成為薄膜而無法使用時設為「1」。在表1與表2中，顯示薄膜成形性的結果。

1)三菱化學，品名：630

2)DIC，品名：HP4032D

3)DIC，品名：HP4700

4)三菱化學製，品名：EXA4816

5)三菱化學製，品名：YL7178，玻璃轉移溫度：15℃

6)長瀨化學科技製，品名：SG790，丙烯酸n-丁基與丙烯腈之共聚物，玻璃轉移溫度：-32℃

7)新日鐵住金化學製，品名：YP50S，玻璃轉移溫度：84℃

8)堺化學工業製，品名：SMO-5，平均粒徑：5μm

9)堺化學工業製，品名：SMO-1，平均粒徑：1μm

10)堺化學工業製，品名：SMO-02，平均粒徑：0.2μm

11)堺化學工業製，品名：SMO-2，平均粒徑：2μm

12)昭和電工業製，品名：CBA09S，平均粒徑：9μm

13)電氣化學製，品名：DAW-03，平均粒徑：3.7μm

14)電氣化學製，品名：ASFP-20，平均粒徑：0.3μm

15)四國化成工業製2-乙基-4-甲基咪唑，品名：2E4MZ

16)旭化成E-Materials製，品名：HX3941HP

17)DIC製酚醛清漆型酚硬化劑，品名：KA1160

18)信越化學工業製3-環氧丙基丙基三甲氧基矽烷，品名：KBM403

19)BYK製，品名：BYK111

由表1、2可知，實施例1至12的全部中，導熱率、剝離強度、薄膜成形性的全部結果都為良好。相對於此等，使用以萘型環氧樹脂取代胺基酚型環氧樹脂的比較例1，導熱率低。使用萘型多官能環氧樹脂取代胺基酚型環氧樹脂的比較例2，導熱率也低。使用雙酚A型環氧樹脂取代胺基酚型環氧樹脂的比較例3，導熱率也低。(B)成分相對於(A)成分為過少的比較例4，無法使接著薄膜用組成物成形為薄膜，故不能測定導熱率、剝離強度。

如上述，本發明的組成物，係可提供一種導熱性、接著性、薄膜成形性優良之樹脂組成物，尤其可提供硬化後導熱性優良的樹脂組成物。

Claims

一種樹脂組成物，係含有(A)胺基酚型環氧樹脂，(B)玻璃轉移溫度為未達50℃的苯氧樹脂，以及(C)選自MgO、Al₂O₃、AlN、BN、鑽石填充物、ZnO以及SiC所組成群組中之至少1種的高導熱性無機填充物，且相對於(A)成分1質量份，(B)成分為0.5至5質量份，相對於樹脂組成物(除去溶劑)100質量份，(C)成分為40至95質量份。
如申請專利範圍第1項所述之樹脂組成物，其中，(A)成分為以下述化學式(1)表示，
一種接著薄膜，其係由如申請專利範圍第1項或第2項所述之樹脂組成物所形成者。
一種如申請專利範圍第1項或第2項所述之樹脂組成物的硬化物。
一種如申請專利範圍第3項所述之接著薄膜的硬化物。
一種半導體裝置，其係使用如申請專利範圍第3項所述之接著薄膜的硬化物者。
一種半導體裝置，其係使用如申請專利範圍第1項或第2項所述之樹脂組成物的硬化物者。