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TWI641125B - 底部發光型微發光二極體顯示器及其修補方法 - Google Patents

底部發光型微發光二極體顯示器及其修補方法 Download PDF

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Abstract

一種底部發光型微發光二極體顯示器，包含微發光二極體，設於透明基板上；導光層圍繞微發光二極體，用以將微發光二極體所產生的光線控制導向透明基板；及反射層，形成於導光層上，用以反射微發光二極體所產生的光線使其向下發射，且侷限微發光二極體所產生的光線使其不會向上或向側邊漏光。

Description

底部發光型微發光二極體顯示器及其修補方法
本發明係有關一種微發光二極體，特別是關於一種底部發光型微發光二極體顯示器及其修補方法。
微發光二極體（microLED、mLED或μLED）顯示面板為平板顯示器（flat panel display）的一種，其係由尺寸等級為1~10微米之個別精微（microscopic）發光二極體所組成。相較於傳統液晶顯示面板，微發光二極體顯示面板具較大對比度及較快反應時間，且消耗較少功率。微發光二極體與有機發光二極體（OLED）雖然同樣具有低功耗的特性，但是，微發光二極體因為使用三-五族二極體技術（例如氮化鎵），因此相較於有機發光二極體具有較高的亮度（brightness）、較高的發光效能（luminous efficacy）及較長的壽命。
於製造微發光二極體顯示面板時，必須使用靜電（electrostatic）力、磁力或真空吸力吸取個別的微發光二極體並轉移而接合(bond)至顯示面板。於進行微發光二極體的吸取轉移與接合時，實務上會有少量單獨的微發光二極體未被正常吸取、釋放，或者微發光二極體本身有功能缺陷而無法正常操作。當微發光二極體接合於顯示面板的基板後，若發現其功能缺陷或無法正常操作，很難予以修補。一般需進行局部破壞以進行修補，但製程複雜且耗時。
因此，亟需提出一種簡易快速的方法以修補微發光二極體顯示器。
鑑於上述，本發明實施例的目的之一在於提出一種底部發光型微發光二極體顯示器及其修補方法。微發光二極體顯示器的修補方法不須使用破壞性機制而能快速便利進行微發光二極體顯示器的修補。
根據本發明實施例，底部發光型微發光二極體顯示器包含透明基板、微發光二極體、導光層及反射層。微發光二極體設於透明基板上。導光層圍繞微發光二極體，用以將微發光二極體所產生的光線控制導向透明基板。反射層形成於導光層上，用以反射微發光二極體所產生的光線使其向下發射，且侷限微發光二極體所產生的光線使其不會向上或向側邊漏光。
根據本發明實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的修補方法，提供透明基板，其具有原始區域及修補區域。形成第一導電層，因而於透明基板的原始區域之上形成選擇電極，該選擇電極往修補區域延伸具有延伸電極部。設置垂直型的原始微發光二極體於選擇電極上，使得原始微發光二極體的第一電極接合且電性連接於選擇電極。全面形成第一導光層於透明基板、選擇電極、延伸電極部與原始微發光二極體上。蝕刻第一導光層以暴露出原始微發光二極體的第二電極及修補區域的透明基板。形成第二導電層，因而形成共電極於原始區域的第一導光層上，以電性連接至原始微發光二極體的第二電極，且修補區域之暴露的透明基板的頂面也形成有第二導電層，其中修補區域的延伸電極部與第二導電層互有重疊。當原始微發光二極體經功能測試通過，則執行以下步驟:全面形成第二導光層於共電極、第一導光層及修補區域的第二導電層上；蝕刻第二導光層以暴露出共電極，並形成上電極於第二導光層上，用以電性連接共電極。當原始微發光二極體經功能測試未通過，則執行以下步驟:設置垂直型的修補微發光二極體於修補區域的暴露的透明基板之上的第二導電層上，使得修補微發光二極體的第一電極接合且電性連接於暴露的透明基板之上的第二導電層；將互相重疊的第二導電層與延伸電極部熔接使其互相電性連接；全面形成第二導光層於修補微發光二極體、原始區域的共電極及第一導光層上；及蝕刻第二導光層以暴露出共電極及修補微發光二極體的第二電極，並形成上電極於第二導光層上，用以電性連接共電極及修補微發光二極體的第二電極。
根據本發明另一實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的修補方法，提供透明基板。形成選擇電極於透明基板上。形成第一絕緣層於透明基板與選擇電極上。形成通孔於第一絕緣層當中。形成導電層與共電極於第一絕緣層的頂面，其中導電層填充於通孔內而電性連接至選擇電極。設置覆晶型的原始微發光二極體於導電層與共電極上，使得原始微發光二極體的第一電極接合且電性連接於導電層，並使得第二電極接合且電性連接於共電極。當原始微發光二極體經功能測試未通過，則設置修補微發光二極體於導電層與共電極上，使得修補微發光二極體的第一電極接合且電性連接於導電層，並使得第二電極接合且電性連接於共電極。重複執行修補微發光二極體的功能測試與設置，直到通過功能測試。形成導光層於第一絕緣層、導電層、共電極、原始微發光二極體、修補微發光二極體上。形成反射層於導光層上。
第一圖顯示本發明第一實施例之底部發光型（bottom emission）微發光二極體顯示器100的剖視圖。為便於瞭解，僅顯示出其中一個微發光二極體11或一個像素發光區域。在本說明書中，微發光二極體11的尺寸等級為1~10微米。然而，會因產品的應用領域或將來技術的發展而更小或更大。
底部發光型微發光二極體顯示器100(以下簡稱微發光二極體顯示器)包含透明基板12，例如玻璃或其他非導電透明材質。透明基板12上全面形成絕緣層10。絕緣層10可為層間介電(inter-layer dielectric, ILD)層，其可包含電性絕緣材質，例如氧化矽或氮化矽。絕緣層10的部分被蝕刻，以暴露透明基板12。透明基板12之上設有選擇電極(selection electrode)13，可為導電物質，例如金屬，形成於暴露之透明基板12上。如第一圖所示，微發光二極體11為垂直型（vertical type）微發光二極體，其第一電極111與第二電極112分別位於微發光二極體11的底面與頂面。其中，第一電極111接合（bond）且電性連接於選擇電極13。微發光二極體顯示器100包含導光層14，覆蓋於透明基板12與微發光二極體11上，因而圍繞微發光二極體11，用以將微發光二極體11所產生的光線控制導向透明基板12，並垂直於透明基板12的頂面，使得光線向下發射。在本實施例中，導光層14可為覆蓋(over-coating, OC)層，其可包含高折射係數(例如大於1.4)的透光材質，例如聚合物(polymer)，如聚碳酸酯(polycarbonate, PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PolyMethyl MethAcrylate, PMMA)。微發光二極體顯示器100還包含共電極(common electrode)15，覆蓋於導光層14上，並與微發光二極體11的第二電極112電性連接。第一圖所示之微發光二極體顯示器100的共電極15同時也作為反射（reflecting）層，用以反射微發光二極體11所產生的光線使其向下發射，且侷限(confine)微發光二極體11所產生的光線使其不會向上或向側邊漏光。共電極15可包含導電物質，例如金屬(如鋁、鉬、銅、鈦、鎢等)。
第二圖顯示本發明第二實施例之底部發光型微發光二極體顯示器200的剖視圖。與第一圖之微發光二極體顯示器100相同的組成元件則使用相同的元件符號來表示。
底部發光型微發光二極體顯示器200(以下簡稱微發光二極體顯示器)包含透明基板12，其上設有選擇電極13。微發光二極體顯示器200包含 16，覆蓋於透明基板12與選擇電極13上。在本實施例中，絕緣層16可為層間介電(inter-layer dielectric, ILD)層，其可包含電性絕緣材質，例如氧化矽或氮化矽。絕緣層16的頂面設有共電極15與導電層17（可包含導電材質，例如金屬）。如第二圖所示，微發光二極體11為覆晶型（flip-chip type）微發光二極體，其第一電極111與第二電極112位於微發光二極體11的底面。其中，第一電極111接合且電性連接於導電層17，而電性連接至選擇電極13；第二電極112接合且電性連接於共電極15。微發光二極體顯示器200包含導光層14，覆蓋於絕緣層16與微發光二極體11上，因而圍繞微發光二極體11，用以將微發光二極體11所產生的光線控制導向透明基板12，並垂直於透明基板12的頂面，使得光線向下發射。微發光二極體顯示器200還包含反射層19，覆蓋於導光層14上，用以反射微發光二極體11所產生的光線使其向下發射，且侷限微發光二極體11所產生的光線使其不會向上或向側邊漏光。反射層19可包含導電物質，例如金屬(如鋁、鉬、銅、鈦、鎢等)。
根據第一圖與第二圖所示技術特徵，本發明實施例之微發光二極體顯示器100/200包含透明基板12，其上設有微發光二極體11。導光層14圍繞微發光二極體11，用以將微發光二極體11所產生的光線控制導向透明基板12。反射層19覆蓋於導光層14上，用以反射微發光二極體11所產生的光線使其向下發射，且侷限微發光二極體11所產生的光線使其不會向上或向側邊漏光。選擇電極13設於透明基板12上，電性連接至微發光二極體11的第一電極111。當微發光二極體11為垂直型時(如第一圖所示)，反射層作為共電極15，並電性連接至微發光二極體11的第二電極112；當微發光二極體11為覆晶型時(如第二圖所示)，共電極15設於微發光二極體11與透明基板12之間，並電性連接至微發光二極體11的第二電極112。
第三A圖至第三­J圖顯示本發明第三實施例之(底部發光型)微發光二極體顯示器300的修補方法的流程剖視圖，第四圖顯示第三A圖至第三­J圖相應的微發光二極體顯示器300的局部俯視圖。本實施例適用於垂直型之微發光二極體。與第一圖之微發光二極體顯示器100相同的組成元件則使用相同的元件符號來表示。
首先，如第三A圖所示，提供透明基板12，其具有原始區域30A及修補區域30B。為便於說明起見，僅顯示像素發光區域當中的其中一個修補區域30B。其中，原始區域30A用以設置原始微發光二極體，修補區域30B則用以設置修補微發光二極體。全面形成絕緣層10於透明基板12上。絕緣層10可為層間介電(inter-layer dielectric, ILD)層，其可包含電性絕緣材質，例如氧化矽或氮化矽。蝕刻部分的絕緣層10以暴露透明基板12。接著，形成第一導電層(例如第一金屬層)於暴露之透明基板12上，因而於透明基板12的原始區域30A之上形成選擇電極13A，如第三A圖所示，其顯示出第四圖之剖視線3A-3A’的剖視圖。選擇電極13A往修補區域30B延伸具有延伸電極部13B，如第三B圖所示，其顯示出第四圖之剖視線3B-3B’的剖視圖。
接著，參閱第三C圖。除非特別註明，以下的剖視圖皆顯示第四圖之剖視線3A-3A’的剖視圖。設置原始微發光二極體11A於原始區域30A的選擇電極13A上，使得原始微發光二極體11A的第一電極111A接合且電性連接於選擇電極13A。接著，全面形成第一導光層14A，以覆蓋透明基板12、選擇電極13A、延伸電極部13B與原始微發光二極體11A，用以將原始微發光二極體11A所產生的光線控制導向透明基板12，並垂直於透明基板12的頂面，使得光線向下發射。在本實施例中，第一導光層14A可為覆蓋(OC)層，可包含高折射係數(例如大於1.4)的透光材質，例如聚合物(polymer)，如聚碳酸酯(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
如第三D圖所示，蝕刻第一導光層14A以暴露出原始區域30A的原始微發光二極體11A的第二電極112A及修補區域30B的透明基板12。接著，形成第二導電層(例如第二金屬層)，因而形成共電極15於原始區域30A的第一導光層14A上，使得共電極15電性連接至原始微發光二極體11A的第二電極112A。此外，修補區域30B的透明基板12頂面也形成有第二導電層31。原始區域30A的共電極15並未與修補區域30B的第二導電層31互相電性連接。第三E圖顯示第四圖之剖視線3B-3B’的剖視圖，其中(修補區域30B的)延伸電極部13B與第二導電層31上下互有部分重疊。此外，前述(修補區域30B的) 暴露透明基板12相鄰於延伸電極部13B。
於形成第三D/三E圖的結構後，對原始微發光二極體11A進行功能測試。如果功能測試通過，則進行第三F圖至第三G圖的製程；如果功能測試未通過，則進行第三H圖至第三J圖的製程。
如第三F圖所示，當原始微發光二極體11A經功能測試通過，則全面形成第二導光層14B，以覆蓋共電極15及第一導光層14A。位於修補區域30B的第二導光層14B經蝕刻而暴露出第二導電層31。在本實施例中，第二導光層14B可為覆蓋(OC)層，可包含高折射係數(例如大於1.4)的透光材質，例如聚合物(polymer)，如聚碳酸酯(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。第二導光層14B的材質可相同或不同於第一導光層14A。
如第三G圖所示，蝕刻第二導光層14B以暴露出原始區域30A的共電極15。接著，形成上電極(top electrode)22於第二導光層14B上，用以電性連接原始區域30A的共電極15。在本實施例中，上電極22可為第三金屬層。上電極22的材質可相同或不同於共電極15。藉此，共電極15與上電極22共同用以反射原始微發光二極體11A所產生的光線使其向下發射，且侷限原始微發光二極體11A所產生的光線使其不會向上或向側邊漏光。
如第三H圖所示，當原始微發光二極體11A經功能測試未通過，則設置修補微發光二極體11B於(修補區域30B的)前述暴露透明基板12之上的第二導電層31上，使得修補微發光二極體11B的第一電極111B接合且電性連接於第二導電層31。修補微發光二極體11B的第一電極111B與第二電極112B分別位於修補微發光二極體11B的底面與頂面。此外，如第三I圖所示，其顯示第四圖之剖視線3B-3B’的剖視圖，使用雷射焊接(laser welding)技術，使得(修部區域30B的)互相重疊的第二導電層31與延伸電極部13B熔接而電性連接。藉此，修補微發光二極體11B的第一電極111B經由第二導電層31、延伸電極部13B而與選擇電極13電性連接。接著，全面形成第二導光層14B(第三H圖)，以覆蓋修補微發光二極體11B、原始區域30A的共電極15及第一導光層14A，用以將修補微發光二極體11B所產生的光線控制導向透明基板12，並垂直於透明基板12的頂面，使得光線向下發射。
如第三J圖所示，其類似於第三G圖，蝕刻第二導光層14B以暴露出原始區域30A的共電極15及修補微發光二極體11B的第二電極112B。接著，形成上電極22於第二導光層14B上，並電性連接原始區域30A的共電極15及修補微發光二極體11B的第二電極112B。藉此，上電極22電性連接至原始區域30A的共電極15。因此，上電極22可等效作為修補微發光二極體11B的共電極。共電極15與上電極22共同用以反射修補微發光二極體11B所產生的光線使其向下發射，且侷限修補微發光二極體11B所產生的光線使其不會向上或向側邊漏光。
第五A圖至第五F圖顯示本發明第四實施例之(底部發光型)微發光二極體顯示器400的修補方法的流程剖視圖。本實施例適用於覆晶型之微發光二極體。與第二圖之微發光二極體顯示器200或第三A圖至第三J圖之微發光二極體顯示器300相同的組成元件則使用相同的元件符號來表示。
首先，如第五A圖所示，提供透明基板12，並形成底導電層41於透明基板12的頂面。底導電層41可包含導電材質，例如金屬。接著，形成第二絕緣層16A於底導電層41與透明基板12上。在本實施例中，第二絕緣層16A可為層間介電(inter-layer dielectric, ILD)層，其可包含電性絕緣材質，例如氧化矽或氮化矽。
如第五B圖所示，形成選擇電極13於第二絕緣層16A上。在本實施例中，選擇電極13可為第一金屬層。接著，形成第一絕緣層16B於第二絕緣層16A與選擇電極13上。在本實施例中，第一絕緣層16B可為層間介電(ILD)層，其可包含電性絕緣材質，例如氧化矽或氮化矽。
如第五C圖所示，相應於選擇電極13的位置，於第一絕緣層16B當中形成通孔161。接著，形成導電層17與共電極15於第一絕緣層16B的頂面，其中導電層17填充於通孔161內而電性連接至選擇電極13。在本實施例中，導電層17與共電極15可為第二金屬層。
如第五D圖所示，設置原始微發光二極體11A於導電層17與共電極15上，使得原始微發光二極體11A的第一電極111A接合且電性連接於導電層17，並使得第二電極112A接合且電性連接於共電極15。
於形成第五D圖的結構後，對原始微發光二極體11A進行功能測試。如果功能測試通過，則進行第五F圖的製程；如果功能測試未通過，則進行第五E圖及第五F圖的製程。
如第五E圖所示，當原始微發光二極體11A經功能測試未通過，則設置修補微發光二極體11B於導電層17與共電極15上，使得修補微發光二極體11B的第一電極111B接合且電性連接於導電層17，並使得第二電極112B接合且電性連接於共電極15。其中，修補微發光二極體11B與原始微發光二極體11A位於同一平面。接著，對修補微發光二極體11B進行功能測試。如果功能測試未通過，則重複設置修補微發光二極體11B並進行功能測試，直到通過功能測試。第五E圖例示總共設置了四個修補微發光二極體11B。第六圖顯示第五A圖至第五F圖相應的微發光二極體顯示器400的局部俯視圖。其中，圖示底端(或近端)的導電層17靠近選擇電極13，而圖示頂端(或遠端)的導電層17則遠離選擇電極13。原始微發光二極體11A設置於導電層17與共電極15的遠端。當原始微發光二極體11A未通過功能測試，則設置修補微發光二極體11B­_1，其較靠近導電層17與共電極15的近端。於設置修補微發光二極體11B­_1之前(或之後)，若發現原始微發光二極體11A會造成導電層17與共電極15之間的短路，則將導電層17的位置171或/且共電極15的位置151予以斷開，例如使用雷射切割(laser cutting)技術。當修補微發光二極體11B­_1仍未能通過功能測試，則設置修補微發光二極體11B­_2，其更靠近導電層17與共電極15的近端。於設置修補微發光二極體11B­_2之前(或之後)，若發現修補微發光二極體11B­_1會造成導電層17與共電極15之間的短路，則將導電層17的位置172或/且共電極15的位置152予以斷開。其餘修補微發光二極體11B_3及11B_4也依相同原則進行修補。
如第五F圖所示 ，形成導光層14，以覆蓋像素發光區域內的第一絕緣層16B、導電層17、共電極15，並覆蓋原始微發光二極體11A或/且修補微發光二極體11B(第五F圖僅顯示一個微發光二極體)，用以將原始微發光二極體11A或修補微發光二極體11B所產生的光線控制導向透明基板12，並垂直於透明基板12的頂面，使得光線向下發射。接著，形成反射層19於導光層14上，用以反射原始微發光二極體11A/修補微發光二極體11B所產生的光線使其向下發射，且侷限原始微發光二極體11A/修補微發光二極體11B所產生的光線使其不會向上或向側邊漏光。在本實施例中，反射層19可為第三金屬層。
相較於第三實施例之垂直型微發光二極體顯示器300(第三A圖至第三J圖)的修補方法，本第四實施例之覆晶型微發光二極體顯示器400(第五A圖至第五F圖)的修補方法使用較少層級(亦即較少遮罩與製程步驟)，且較易於進行功能測試與修補。
以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。
100‧‧‧底部發光型微發光二極體顯示器
200‧‧‧底部發光型微發光二極體顯示器
300‧‧‧底部發光型微發光二極體顯示器
400‧‧‧底部發光型微發光二極體顯示器
10‧‧‧絕緣層
11‧‧‧微發光二極體
11A‧‧‧原始微發光二極體
11B‧‧‧修補微發光二極體
11B_1‧‧‧修補微發光二極體
11B_2‧‧‧修補微發光二極體
11B_3‧‧‧修補微發光二極體
11B_4‧‧‧修補微發光二極體
111‧‧‧第一電極
111A‧‧‧第一電極
111B‧‧‧第一電極
112‧‧‧第二電極
112A‧‧‧第二電極
112B‧‧‧第二電極
12‧‧‧透明基板
13‧‧‧選擇電極
13A‧‧‧選擇電極
13B‧‧‧延伸電極部
14‧‧‧導光層
14A‧‧‧第一導光層
14B‧‧‧第二導光層
15‧‧‧共電極
151‧‧‧位置
152‧‧‧位置
16‧‧‧絕緣層
16A‧‧‧第二絕緣層
16B‧‧‧第一絕緣層
161‧‧‧通孔
17‧‧‧導電層
171‧‧‧位置
172‧‧‧位置
19‧‧‧反射層
22‧‧‧上電極
30A‧‧‧原始區域
30B‧‧‧修補區域
31‧‧‧第二導電層
41‧‧‧底導電層
第一圖顯示本發明第一實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖視圖。 第二圖顯示本發明第二實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的剖視圖。 第三A圖至第三J圖顯示本發明第三實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的修補方法的流程剖視圖。 第四圖顯示第三A圖至第三J圖相應的微發光二極體顯示器的局部俯視圖。 第五A圖至第五F圖顯示本發明第四實施例之底部發光型微發光二極體顯示器的修補方法的流程剖視圖。 第六圖顯示第五A圖至第五F圖相應的微發光二極體顯示器的局部俯視圖。

Claims (38)

  1. 一種底部發光型微發光二極體顯示器，包含: 一透明基板； 一微發光二極體，設於該透明基板上； 一導光層，圍繞該微發光二極體，用以將該微發光二極體所產生的光線控制導向該透明基板；及 一反射層，形成於該導光層上，用以反射該微發光二極體所產生的光線使其向下發射，且侷限該微發光二極體所產生的光線使其不會向上或向側邊漏光。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，更包含一選擇電極，設於該透明基板上，電性連接至該微發光二極體的第一電極。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該微發光二極體為垂直型微發光二極體。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該反射層作為共電極，並電性連接至該微發光二極體的第二電極。
  5. 根據申請專利範圍第3項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，更包含一絕緣層，設於該透明基板上，該絕緣層的部分被蝕刻以暴露該透明基板，且該選擇電極設於該暴露之透明基板上。
  6. 根據申請專利範圍第2項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該微發光二極體為覆晶型微發光二極體。
  7. 根據申請專利範圍第6項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，更包含： 一絕緣層，設於該透明基板與該選擇電極上；及 一導電層，設於該絕緣層上，該導電層電性連接至該選擇電極； 其中該微發光二極體的第一電極接合且電性連接於該導電層。
  8. 根據申請專利範圍第6項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，更包含一共電極，設於該微發光二極體與該透明基板之間，並電性連接至該微發光二極體的第二電極。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該透明基板包 含玻璃。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該導光層包含折射係數大於1.4的透光材質。
  11. 根據申請專利範圍第1項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該導光層包含聚合物。
  12. 根據申請專利範圍第1項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該反射層包含導電物質。
  13. 根據申請專利範圍第12項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該反射層包含金屬。
  14. 一種底部發光型微發光二極體顯示器的修補方法，包含: 提供一透明基板，其具有一原始區域及一修補區域； 形成一第一導電層，因而於該透明基板的原始區域之上形成一選擇電極，該選擇電極往該修補區域延伸具有一延伸電極部； 設置一垂直型的原始微發光二極體於該選擇電極上，使得該原始微發光二極體的第一電極接合且電性連接於該選擇電極； 全面形成一第一導光層於該透明基板、該選擇電極、該延伸電極部與該原始微發光二極體上； 蝕刻該第一導光層以暴露出該原始微發光二極體的第二電極及該修補區域的透明基板； 形成一第二導電層，因而形成一共電極於該原始區域的第一導光層上，以電性連接至該原始微發光二極體的第二電極，且該修補區域之暴露的透明基板的頂面也形成有該第二導電層，其中該修補區域的該延伸電極部與該第二導電層互有重疊； 當該原始微發光二極體經功能測試通過，則執行以下步驟: 全面形成一第二導光層於該共電極及該第一導光層上； 蝕刻該第二導光層以暴露出該共電極，並形成一上電極於該第二導光層上，用以電性連接該共電極； 當該原始微發光二極體經功能測試未通過，則執行以下步驟: 設置一垂直型的修補微發光二極體於該修補區域的暴露的透明基板之上的第二導電層上，使得該修補微發光二極體的第一電極接合且電性連接於該暴露的透明基板之上的第二導電層； 將互相重疊的該第二導電層與該延伸電極部熔接使其互相電性連接； 全面形成該第二導光層於該修補微發光二極體、該原始區域的共電極及該第一導光層上；及 蝕刻該第二導光層以暴露出該共電極及該修補微發光二極體的第二電極，並形成該上電極於該第二導光層上，用以電性連接該共電極及該修補微發光二極體的第二電極。
  15. 根據申請專利範圍第14項所述底部發光型微發光二極體顯示器的修補方法，其中互相重疊的該第二導電層與該延伸電極部的熔接使用雷射焊接技術來執行。
  16. 根據申請專利範圍第14項所述底部發光型微發光二極體顯示器的修補方法，其中該修補區域的暴露的透明基板相鄰於該延伸電極部。
  17. 根據申請專利範圍第14項所述底部發光型微發光二極體顯示器的修補方法，於形成該選擇電極前，更包含全面形成一絕緣層於該透明基板上，該絕緣層的部分被蝕刻以暴露該透明基板，且該選擇電極設於該暴露之透明基板上。
  18. 一種底部發光型微發光二極體顯示器，包含: 一透明基板，其具有一原始區域及一修補區域； 一選擇電極，形成於該透明基板的原始區域之上，該選擇電極往該修補區域延伸具有一延伸電極部； 一垂直型的原始微發光二極體，設置於該選擇電極上，使得該原始微發光二極體的第一電極接合且電性連接於該選擇電極； 一第一導光層，形成於該透明基板、該選擇電極、該延伸電極部與該原始微發光二極體上，該第一導光層未覆蓋該修補區域之暴露的透明基板； 一共電極，形成於該原始區域的第一導光層上，以電性連接至該原始微發光二極體的第二電極； 一第二導電層，形成於該修補區域之暴露的透明基板的頂面，其中該修補區域的該延伸電極部與該第二導電層互有重疊，且經熔接而互相電性連接； 一垂直型的修補微發光二極體，設置於該修補區域的暴露的透明基板之上的第二導電層上，使得該修補微發光二極體的第一電極接合且電性連接於該暴露的透明基板之上的第二導電層； 一第二導光層，形成於該修補微發光二極體、該原始區域的共電極及該第一導光層上；及 一上電極，形成於該第二導光層上，用以電性連接該共電極及該修補微發光二極體的第二電極。
  19. 根據申請專利範圍第18項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該修補區域的暴露的透明基板相鄰於該延伸電極部。
  20. 根據申請專利範圍第18項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該透明基板包含玻璃。
  21. 根據申請專利範圍第18項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一導光層及該第二導光層包含折射係數大於1.4的透光材質。
  22. 根據申請專利範圍第18項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該第一導光層及該第二導光層包含聚合物。
  23. 根據申請專利範圍第18項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該共電極及該上電極包含金屬。
  24. 根據申請專利範圍第18項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，更包含一絕緣層，全面形成於該透明基板上，該絕緣層的部分被蝕刻以暴露該透明基板，且該選擇電極設於該暴露之透明基板上。
  25. 一種底部發光型微發光二極體顯示器的修補方法，包含: 提供一透明基板； 形成一選擇電極於該透明基板上； 形成一第一絕緣層於該透明基板與該選擇電極上； 形成通孔於該第一絕緣層當中； 形成一導電層與一共電極於該第一絕緣層的頂面，其中該導電層填充於該通孔內而電性連接至該選擇電極； 設置一覆晶型的原始微發光二極體於該導電層與該共電極上，使得該原始微發光二極體的第一電極接合且電性連接於該導電層，並使得第二電極接合且電性連接於該共電極； 當該原始微發光二極體經功能測試未通過，則設置一修補微發光二極體於該導電層與該共電極上，使得該修補微發光二極體的第一電極接合且電性連接於該導電層，並使得第二電極接合且電性連接於該共電極； 重複執行該修補微發光二極體的功能測試與設置，直到通過功能測試； 形成一導光層於該第一絕緣層、該導電層、該共電極、該原始微發光二極體、該修補微發光二極體上；及 形成一反射層於該導光層上。
  26. 根據申請專利範圍第25項所述底部發光型微發光二極體顯示器的修補方法，其中該修補微發光二極體與該原始微發光二極體位於同一平面。
  27. 根據申請專利範圍第25項所述底部發光型微發光二極體顯示器的修補方法，其中該原始微發光二極體的設置較遠離該選擇電極，而該修補微發光二極體則較靠近該選擇電極。
  28. 根據申請專利範圍第27項所述底部發光型微發光二極體顯示器的修補方法，其中若該原始微發光二極體會造成該導電層與該共電極之間的短路，則將該原始微發光二極體與該修補微發光二極體之間的該導電層或該共電極予以斷開。
  29. 根據申請專利範圍第25項所述底部發光型微發光二極體顯示器的修補方法，更包含： 形成一第二絕緣層於該透明基板與該第一絕緣層之間；及 形成一底導電層於該第二絕緣層內且位於該透明基板的頂面。
  30. 一種底部發光型微發光二極體顯示器，包含: 一透明基板； 一選擇電極，形成於該透明基板上； 一第一絕緣層，形成於該透明基板與該選擇電極上，該第一絕緣層當中形成有一通孔； 一導電層與一共電極，形成於該第一絕緣層的頂面，其中該導電層填充於該通孔內而電性連接至該選擇電極； 一覆晶型的原始微發光二極體，設置於該導電層與該共電極上，使得該原始微發光二極體的第一電極接合且電性連接於該導電層，並使得第二電極接合且電性連接於該共電極； 至少一修補微發光二極體，設置於該導電層與該共電極上，使得該修補微發光二極體的第一電極接合且電性連接於該導電層，並使得第二電極接合且電性連接於該共電極； 一導光層，形成於該第一絕緣層、該導電層、該共電極、該原始微發光二極體、該修補微發光二極體上；及 一反射層，形成於該導光層上。
  31. 根據申請專利範圍第30項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該修補微發光二極體與該原始微發光二極體位於同一平面。
  32. 根據申請專利範圍第30項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該原始微發光二極體的設置較遠離該選擇電極，而該修補微發光二極體則較靠近該選擇電極。
  33. 根據申請專利範圍第30項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該透明基板包含玻璃。
  34. 根據申請專利範圍第30項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該導光層包含折射係數大於1.4的透光材質。
  35. 根據申請專利範圍第30項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該導光層包含聚合物。
  36. 根據申請專利範圍第30項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該反射層包含導電物質。
  37. 根據申請專利範圍第36項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，其中該反射層包含金屬。
  38. 根據申請專利範圍第30項所述之底部發光型微發光二極體顯示器，更包含： 一第二絕緣層，形成於該透明基板與該第一絕緣層之間；及 一底導電層，形成於該第二絕緣層內且位於該透明基板的頂面。
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