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TWI635621B - 集合基板、發光裝置及發光元件之檢測方法 - Google Patents

集合基板、發光裝置及發光元件之檢測方法 Download PDF

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TWI635621B
TWI635621B TW103145888A TW103145888A TWI635621B TW I635621 B TWI635621 B TW I635621B TW 103145888 A TW103145888 A TW 103145888A TW 103145888 A TW103145888 A TW 103145888A TW I635621 B TWI635621 B TW I635621B
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light
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emitting element
conductive layer
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Inventor
甘利紘一
Original Assignee
日商日亞化學工業股份有限公司
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Abstract

本發明之目的在於提供一種於裝載有複數個發光元件之狀態下，切斷成各個發光裝置之前，可實現使發光元件個別地點亮，從而個別地測定發光元件之色調之集合基板。
集合基板具有：絕緣體9，其具有表面及背面；一對第1及第2表面配線11、12，其等係於絕緣體9之表面排列有複數個；一對第1及第2背面配線，其等於絕緣體9之背面排列有複數個；第1內層配線，其係與第2表面配線12及第2背面配線分離，且與第1表面配線11及第1背面配線連接，於絕緣體9之內部沿第1方向延伸；第2內層配線，其係與第1表面配線11及第1背面配線分離，且與第2表面配線12及第2背面配線連接，於絕緣體9之內部具有沿第2方向延伸之部位。

Description

集合基板、發光裝置及發光元件之檢測方法
本發明係關於一種集合基板、發光裝置及發光元件之檢測方法。
通常，使用發光二極體(LED，Light-Emitting Diode)等發光元件之發光裝置係包含發光元件及保護元件等電子零件、及配置其等之基板。進而，為了保護發光元件及保護元件等，使發光元件以特定之顏色發光，亦存在將含有螢光體之透光性樹脂被覆於發光元件而構成之情形。
因此，於晶片狀地形成發光元件後，於具備配線或端子等之基板上裝載發光元件。此處使用之基板係將成為一對配線或端子之導電構件對應著複數個發光裝置，作為連續圖案設置於表面、內部及/或背面。裝載有發光元件之基板最終被切斷為每一發光元件或每一特定數量之複數個發光元件，從而以發光裝置製成。
而且，所得之發光裝置係個別地進行點亮確認、色調之調整。
另一方面，於專利文獻1中揭示有最終於發光裝置成品化之前之狀態下未點亮或亮度不均之發光裝置之檢測方法及檢測結構等。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2003-78170號公報
然而，此處揭示之檢測結構、具備該檢測結構之基板係為檢測而另行設置之結構，且即便於發光二極體之晶片化中，若不經由將發光元件於一次保存用之基板之間進行轉印，於該基板上形成通孔且於發光元件之電極上形成延伸配線等及其繁雜之步驟，將發光元件與檢測結構一同地裝載於基板，則亦無法實施檢測方法。
於如此之狀況下，不斷地尋求如下方法：於不經由特別之步驟便可簡便且簡易地對發光裝置形成用之集合基板裝載複數個發光元件之狀態下，切斷成各個發光裝置之前，可使發光元件個別地點亮，從而個別地測定發光元件之色調。
本發明係鑒於上述課題研製而成，其目的在於提供一種於裝載有複數個發光元件之狀態下，切斷成各個發光裝置之前，可實現使發光元件個別地點亮，從而個別地測定發光元件之色調之集合基板、使用該集合基板之發光裝置及檢測方法。
本發明包括如下方面。
(1)一種集合基板，其特徵在於具備：絕緣體，其具有表面及背面；一對第1及第2表面配線，其等係於該絕緣體之表面排列有複數個；一對第1及第2背面配線，其等係於上述絕緣體之背面排列有複數個；至少1個第1內層配線，其係與上述第2表面配線及上述第2背面配線分離，且與上述第1表面配線及上述第1背面配線連接，於上述絕緣體之內部沿第1方向延伸；及至少1個第2內層配線，其係與上述第1表面配線及上述第1背面 配線分離，且與上述第2表面配線及上述第2背面配線連接，於上述絕緣體之內部具有沿著與上述第1方向不同之第2方向延伸之部位。
(2)一種發光裝置，其係包括：基板，其包含配置於表面之一對第1及第2表面配線、配置於背面之一對第1及第2背面配線、於內部具有與第1表面配線及第1背面配線連接之第1內層配線以及與第2表面配線及第2背面配線連接之第2內層配線之絕緣體；發光元件，其係裝載於該基板表面；及螢光體層，其係覆蓋該發光元件；上述絕緣體係於包含相向之2邊之一對端面上分別露出上述第1內層配線，且於包含相向之另外2邊之一對端面上分別露出上述第2內層配線。
(3)一種發光元件之檢測方法，其包括如下步驟：於上述集合基板之上述一對第1及第2表面配線分別連接複數個發光元件；及使上述發光元件點亮，檢測該發光元件之特性。
根據本發明，可提供一種於裝載有複數個發光元件之狀態下，切斷成各個發光裝置之前，可實現使發光元件個別地點亮，從而個別地測定發光元件之色調之集合基板。又，可提供一種使用該集合基板之發光裝置及簡便之檢測方法。
1‧‧‧第1導電層
2‧‧‧第2導電層
3‧‧‧第3導電層
4‧‧‧第4導電層
5‧‧‧第5導電層
6‧‧‧第6導電層
7‧‧‧第7導電層
8‧‧‧第8導電層
9‧‧‧絕緣體
9a‧‧‧裝載區域
10、20、30‧‧‧集合基板
11、61‧‧‧第1表面配線
12、62‧‧‧第2表面配線
21、51、71‧‧‧第1背面配線
21a‧‧‧第1背面焊墊
22、52、53、72‧‧‧第2背面配線
22a‧‧‧第2背面焊墊
31、41、81、91‧‧‧第1內層配線
31a、32a‧‧‧寬幅之區域
32、42、82、92‧‧‧第2內層配線
42b‧‧‧分支部
60、60a、60b‧‧‧發光裝置
63、63b、63c‧‧‧導電構件
63a‧‧‧露出之第1內層配線及第2內層配線
64‧‧‧被覆層(Al膜)
65‧‧‧螢光體層
65a‧‧‧追加之螢光體層
66‧‧‧反射層
67‧‧‧發光元件
68‧‧‧基板
69‧‧‧透鏡
70‧‧‧透光性樹脂層
81a、82a‧‧‧區域
A‧‧‧絕緣體之上層
Aa‧‧‧上層A之表面
B‧‧‧絕緣體之下層
Ba‧‧‧下層B之表面
Bb‧‧‧下層B之背面
C‧‧‧絕緣體之中層
Ca‧‧‧中層C之表面
圖1A係表示本發明之集合基板之一例之概略立體圖。
圖1B係圖1A之A-A'線處之局部剖視圖。
圖1C係表示圖1A之集合基板之表面之俯視圖。
圖1D係表示圖1A之集合基板之內層配線之俯視圖。
圖1E係表示圖1A之集合基板之背面之俯視圖。
圖1F係僅表示圖1A之集合基板中之導電構件(省略厚度)之概略立體圖。
圖1G係圖1A之集合基板之電氣配線圖。
圖2A係表示本發明之集合基板之其他例之內層配線之俯視圖。
圖2B係表示圖2A之集合基板之背面之俯視圖。
圖3A係表示本發明之集合基板之進而其他例之層結構之局部剖視圖。
圖3B係表示圖3A之集合基板之內層配線之一部分之俯視圖。
圖3C係表示圖3A之集合基板之內層配線之另一部分之俯視圖。
圖4係表示本發明之集合基板之進而其他例之層結構之局部剖視圖。
圖5A係表示本發明之發光裝置之一例之概略剖視圖。
圖5B係表示本發明之發光裝置中之基板與發光元件之位置關係之概略俯視圖。
圖6A係表示本發明之發光裝置之另一例之概略剖視圖。
圖6B係表示圖6A之發光裝置之一例之概略立體圖。
圖7A係表示本發明之發光裝置之進而另一例之概略剖視圖。
圖7B係表示本發明之發光裝置之進而另一例之概略剖視圖。
於本申請案中，各圖式所示之構件之大小或位置關係等存在為明確說明而放大之情形。於以下之說明中，對相同之名稱、符號而言，表示同一或同質之構件，且適當省略詳細說明。
[集合基板]
本發明之集合基板包含具有表面及背面之絕緣體、表面配線、背面配線、內層配線。於本申請案中，存在將該等配線總稱為導電構 件之情形。該集合基板可用於裝載複數個半導體元件等電子元件，且尤其對用於裝載發光元件較為有效。因此，為了有效地裝載電子元件，較佳為，具備可對複數個電子元件規則性地進行配線之配線結構、例如可於第1方向與第2方向上可規則性地進行配線之配線結構者，尤其更佳為具備可於行列方向上規則性地進行配線之配線結構。
此處，所謂第1方向也可為任一方向，但較佳為相當於二維之x軸之方向(例如，列方向)。第2方向為與第1方向不同之方向即可，但較佳為相當於二維之y軸之方向(例如，行方向)。
(絕緣體)
絕緣體若為具有絕緣性之材料，則並無特別限定，例如，可使用氧化鋁、氮化鋁等陶瓷基板、玻璃基板、環氧玻璃基板、酚醛紙基板、環氧紙基板、玻璃複合基板、低溫共燒陶瓷(LTCC，Low Temperature Co-fired Ceramic)基板、熱塑性樹脂、熱固性樹脂等而形成。
絕緣體之形狀並無特別限定，但較佳為外形具備上述表面及背面，且表面及/或背面平坦。作為基體之形狀，例如較佳為矩形平板狀。
絕緣體之厚度及大小並無特別限定，可根據需要裝載之電子元件之大小及數量等而適當調整，且相當於集合基體之厚度大小。例如，可列舉總厚度為0.3mm~1.0mm左右，大小為50mm×50mm~100mm×100mm左右。
絕緣體係於集合基板上一體地成形，但亦可於其製造過程中作為層而成形，且將該等2個以上進行積層，最終成為一體，構成集合基板。
集合基板亦可於使用陶瓷基板作為絕緣體之情形時，藉由所謂之逐次焙燒法(post firing)、共燒法(co-firing)、利用兩者之方法等之 任一方法而製造。所謂逐次焙燒法係指於預先焙燒而成之大直徑之陶瓷板上形成導電構件之方法。另一方面，所謂共燒法係指同時地進行陶瓷板與導電構件之焙燒之方法。尤其，為了得到尺寸精度較高之集合基板，較佳為採用逐次焙燒法。於藉由逐次焙燒法而形成導電構件之情形時，可藉由利用光微影技術之剝離之真空蒸鍍法或濺鍍法等而形成微細之圖案。
根據共燒法，存在陶瓷板與導電構件之密接性提昇，且因進行焙燒而抑制製造成本之優點。
導電部中，亦可於藉由共燒法而形成嵌入至基體之部分後，藉由逐次焙燒法而形成露出於表面及背面之部分。藉此，即使於將導電構件嵌入至絕緣體內部之情形時，亦可一面確保尺寸精度一面抑制製造成本。
(導電構件)
導電構件係用於將發光元件與外部電源電性連接，對發光元件施加來自外部電源之電壓者。導電構件可藉由具有導電性之材料而形成，例如可使用Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、W(鎢)等金屬或合金之單層膜或積層膜。於絕緣體一面所露出之導電構件中之其一部分可用於將來自電子元件之熱散熱。導電構件之厚度並無特別限定，既可全部具有同一之厚度，亦可為局部不同之厚度。例如，可列舉1μm~100μm左右。
(表面配線及背面配線)
表面配線係於絕緣體之表面排列有複數個之一對第1及第2表面配線。一對第1及第2表面配線較佳為規則地排列於行列方向上。
背面配線係於絕緣體之背面排列有複數個之一對第1及第2背面配線。一對第1及第2背面配線較佳為規則地排列於行列方向上。
表面配線及背面配線分別為第1及第2之一對即可，但第1及/或第 2表面及/或背面配線亦可於一對之中分離為2個以上。
(內層配線)
第1內層配線及第2內層配線係配置於絕緣體之內部。
第1內層配線係與第2表面配線及第2背面配線分離，即非電性連接，且與第1表面配線及第1背面配線連接。第2內層配線與自第1表面配線及上述第1背面配線分離，且與第2表面配線及第2背面配線連接。
第1內層配線係於絕緣體之內部沿第1方向延伸，第2內層配線具有沿第2方向延伸之部位。
此處，所謂沿第1方向延伸係指自第1內層配線之一端朝向另一端之延伸方向為第1方向即可，第1內層配線之所有部位不僅沿第1方向延伸，而且即便於其一部分中，沿著與第1方向不同之方向延伸，亦將該一部分連結於沿第1方向延伸之部位即可。作為與第1方向不同之方向，既可為任一之方向，亦可列舉與二維之x軸及y軸方向不同之方向、及三維之各種方向等。其中，較佳為相對於第1方向及第2方向為三維之方向。
第1內層配線及第2內層配線係分別配置至少1條即可，但較佳為排列有兩條以上。第1內層配線較佳為朝向列方向或行方向分別分離地延伸複數條。第2內層配線較佳為朝向行方向或列方向分別分離地延伸複數條。但，兩者係以不接觸之方式分離地配置。
例如，第1內層配線較佳為使朝向列方向延伸之配線沿行方向以複數條相互分離地排列。第2內層配線較佳為使具有朝向行方向延伸之部位之配線沿列方向以複數條相互分離地排列。但，於第1內層配線及第2內層配線沿相同之面方向延伸之情形時，較佳為，任意其中一內層配線以橫跨另一內層配線之形狀(三維形狀)延伸，以避免兩者交叉。
以此方式，將第1內層配線構成為不僅連接第1表面配線與對應於第1表面配線之第1背面配線，而且於沿第1方向排列之第1表面配線彼此及第1背面配線彼此，進而將第1表面配線與第1背面配線連接。
第2內層配線係構成為不僅連接第2表面配線與對應於第2表面配線之第2背面配線，而且與第1內層配線隔開地經由第2表面配線及/或第2背面配線，將沿第2方向排列之第2表面配線及第2背面配線連接。
(焊墊及散熱構件)
較佳為，於絕緣體之背面更具有複數個排列之第1及第2背面焊墊。該等焊墊較佳為與第1內層配線及第2內層配線分別對應地配置於例如沿第1方向及第2方向排列之背面配線之一端或兩端。即，第1背面焊墊較佳為對於一對背面配線配置於第1方向之一端或兩端，且第2背面焊墊較佳為對於一對背面配線配置於第2方向之一端或兩端。較佳為，第1背面焊墊藉由第1內層配線而與第1背面配線連接，且第2背面焊墊藉由第2內層配線而與第2背面配線連接。
第1及第2背面焊墊之大小並無特別限定，例如根據與1個背面配線對應之大小，較佳為與一對第1及第2背面配線之外形對應之大小程度。
第1內層配線及第2內層配線較佳為分別於兩端具備寬幅之區域。該等寬幅之區域較佳為分別配置於沿第1方向排列之第1內層配線之一端或兩端、及沿第2方向排列之第2內層配線之一端或兩端。
寬幅之區域之大小並無特別限定，可配置成與背面焊墊對應之大小、位置等。
第1內層配線及第2內層配線之任一者亦可局部地分支。於該情形時，例如第1內層配線或第2內層配線較佳為於與橫跨列方向或行方向上相互鄰接之一對第1及第2表面配線之區域對應之區域分支。可藉由如此之分支而形成將分支之部位作為散熱構件且不參與發光元件與 外部電源之電性連接之配線，從而可確保集合基板自身之散熱性。尤其，可藉由分支而增大導電構件之類散熱性相對較好之材料之面積，藉此，便可確保集合基板本身之更進一步之散熱性。其結果，於使用該集合基板形成發光裝置之情形時，便可得到散熱性良好且高壽命之發光裝置。
又，絕緣體係不僅於其背面具備一對第1背面配線或第2背面配線，而且更具備第3背面配線。該第3背面配線可作為散熱構件發揮作用。尤其可藉由將該第3背面配線連接於上述內層配線所分支之部位，而進一步提昇絕緣體之散熱性。再者，內層配線所分支之部位與第3背面配線可藉由與內層配線和背面配線之連接相同之方法而連接。
(導電構件之層結構)
該等導電構件可包含例如層結構。例如，
第1及第2表面配線較佳為包含第1導電層。
第1及第2背面配線較佳為包含第8導電層。
第1內層配線較佳為包含沿第1方向延伸之第2導電層、自該第2導電層朝向第1導電層延伸之第3導電層、及自第2導電層朝向第8導電層延伸之第4導電層。
第2內層配線較佳為包含沿第2方向延伸之第5導電層、自該第5導電層朝向第1導電層延伸之第6導電層、及自第5導電層朝向第8導電層延伸之第7導電層。
尤其，第3導電層、第4導電層、第6導電層及第7導電層較佳為沿著上述三維之z方向延伸者。但，該方向允許±10度左右之傾斜。
根據該等構成，因可於集合基板上將構成正負一對配線等之導電構件分離地配線，故於將複數個發光元件裝載於集合基板，且將各發光元件之一對電極分別連接於一對第1及第2表面配線之情形時，可 使各發光元件於裝載於集合基板之狀態下點亮。其結果，可對發光元件進行個別地特性檢測，例如，可進行色調之調整等。尤其於第1內層配線分別分離地配置複數條及/或第2內層配線分別分離地配置複數條之情形時，可僅使特定位置之發光元件點亮，尤其可於近年之小型/薄型之發光元件及發光裝置中，確實且簡便地分別進行特性檢測。
此外，於已進行如此之點亮等特性檢測之後，如下所述，可藉由僅將發光元件裝載集合基板分割，而完成作為最終成品之發光裝置，從而可更簡便地製造發光裝置。
該等各導電層較佳為例如形成於上述絕緣體之層。例如，於將絕緣體以2層以上之積層結構而形成之情形時，絕緣體較佳為具有將第1導電層、第2導電層、第5導電層及第8導電層之1層以上配置於其表面或背面，且於其內部具備第3導電層、第4導電層、第6導電層及第7導電層之1層以上之層。
例如，絕緣體較佳為具有如下之層之1層以上：(1)將第1導電層配置於其表面或背面之層、(2)將第2導電層配置於其表面或背面之層、(3)將第5導電層配置於其表面或背面之層、(4)將第2導電層及第5導電層配置於其表面或背面之層、(5)將第1導電層配置於其表面或背面且將第2導電層配置於其背面或表面之層、(6)將第1導電層配置於其表面或背面且將第5導電層配置於其背面或表面之層、(7)將第1導電層配置於其表面或背面且將第2導電層及第5導電層配置於其表面或背面之層、(8)將第8導電層配置於其表面或背面之層、(9)將第8導電層配置於其表面或背面且將第2導電層配置於其背 面或表面之層、(10)將第8導電層配置於其表面或背面且將第5導電層配置於其背面或表面之層、(11)將第8導電層配置於其表面或背面且將第2導電層及第5導電層配置於其表面或背面之層、(12)將第2導電層配置於其表面或背面且將第5導電層配置於其背面或表面之層。
該等(1)~(12)之層亦可同時滿足之層之1層以上：(13)於其內部具備第3導電層之層、(14)於其內部具備第6導電層之層、(15)於其內部具備第3導電層及第6導電層之層、(16)於其內部具備第4導電層之層、(17)於其內部具備第7導電層之層、(18)於其內部具備第4導電層及第7導電層之層、(19)於其內部具備第3導電層及第7導電層之層、(20)於其內部具備第4導電層及第6導電層之層。
例如，於由2層之積層結構形成絕緣體之情形時，更佳為絕緣體具備上述(1)、上述(4)、上述(7)、上述(15)或上述(18)。進而較佳為同時具備上述(1)與(4)。進一步較佳為同時具備上述(1)、(4)與(15)。或者，較佳為具備上述(8)，更佳為同時具備上述(8)與上述(4)，且同時具備上述(8)與上述(18)，進而較佳為同時具備上述(1)與(8)，進一步較佳為同時具備上述(8)與(18)或同時具備上述(1)、(8)與(18)。
其中，較佳為同時具備上述(1)與(15)之層與同時具備上述(8)及(18)之層之2層結構之絕緣體。更佳為該2層結構之絕緣體滿足上述(7)或(11)。即，第2導電層及第5導電層亦可形成於一面具有第1導電層之層與一面具有第8導電層之層之任一其他面上。
再者，第2導電層與第5導電層、第3導電層與第6導電層、第4導電層與第7導電層亦可不分別利用藉由相同之成膜步驟所得之層而形成，但較佳為分別由相同之層而形成。
例如，於絕緣體由3層之積層結構所形成之情形時，絕緣體較佳為具備上述(1)、(2)、(3)或(8)，較佳為具備上述(13)、(14)或(15)，較佳為具備上述(16)、(17)或(18)。更佳為同時具備上述(1)與(2)，同時具備上述(1)與(3)，同時具備上述(8)與(2)，或同時具備上述(8)與(3)，進而較佳為同時具備上述(1)、(2)與(15)或同時具備上述(1)、(3)與(15)，且進而較佳為同時具備上述(8)、(2)與(18)，同時具備上述(8)、(3)與(18)，同時具備上述(1)、(8)、(15)與(18)。
其中，較佳為同時具備上述(5)與(15)之層、同時具備上述(12)與(15)之層、同時具備上述(10)與(18)之層之3層結構、或同時具備上述(6)與(15)之層、同時具備上述(12)與(19)之層、同時具備上述(11)與(18)之層之3層結構之絕緣體。尤其，更佳為同時具備上述(1)、(8)、(15)、(18)與(20)之層、同時具備上述(1)、(8)、(15)、(18)與(19)之層。但，於該3層結構之絕緣體中，第2導電層亦可形成於一面具有第1導電層之層、一面具有第8導電層之層、一面具有第5導電層之層之任一其他面上。或者，第5導電層亦可形成於一面具有第1導電層之層、一面具有第8導電層之層、一面具有第2導電層之層之任一其他面上。
再者，第3導電層與第6導電層及/或第4導電層與第7導電層係全部或一部分既可由相同層形成，亦可分別由不同之層形成。
具有上述構成之集合基板因具有與xyz之三維結構對應之簡單之配線結構，故不經由特別之步驟便可簡便且簡易地製造，從而可實現集合基板之薄膜化。
[發光裝置]
發光裝置係將複數個發光元件分別裝載於上述集合基板之一對第1及第2表面配線(以下，存在稱為表面配線之情形)上，且將各發光元件之一對電極分別經由接合構件連接於一對第1及第2表面配線者分割為每一發光元件或複數個發光元件之每一者而構成。
因此，1個發光裝置包含分割集合基板而構成之基板與裝載於該基板表面之發光元件，更具備使發光元件連接於基板表面之接合構件。發光裝置較佳為更具備覆蓋發光元件之螢光體層，更佳為更具備配置於發光元件周圍之反射層。
此處之基板較佳為上述絕緣體於其端面在2個部位露出第1內層配線，且在2個部位露出第2內層配線者。通常，發光裝置係平面形狀為4邊形，故較佳為於包含相向之2邊之一對端面分別露出第1內層配線，且於包含相向之另2邊之一對端面分別露出第2內層配線。
又，第1內層配線及第2內層配線亦可於絕緣體之厚度方向上不同之位置或相同之位置，於絕緣體之端面露出。
第1內層配線及第2內層配線之任一者亦可局部地分支。於該情形時，例如，第1內層配線或第2內層配線較佳為於與橫跨列方向或行方向上相互鄰接之一對第1及第2表面配線之區域對應之區域分支。可藉由如此之分支，而如上所述地將已分支之部位形成為不參與發光元件與外部電源之電性連接之配線，從而可確保集合基板自身之散熱性。尤其，可藉由增大導電構件之類的散熱性相對較好之材料之面積，而確保集合基板自身之進一步之散熱性。其結果，於使用該集合基板形成發光裝置之情形時，可獲得散熱性良好且高壽命之發光裝置。
又，絕緣體(基板)係於其背面不僅具備一對第1背面配線或第2背面配線，亦可具備第3背面配線。該第3背面配線可作為散熱構件發揮作用。尤其可藉由使該第3背面配線連接於上述內層配線所分支之部 位，而進一步提昇絕緣體之散熱性。將此處之內層配線所分支之部位稱為第3內層配線。該第3內層配線較佳為於基板端面處之第2內層配線之露出部附近、例如絕緣體之厚度方向上相同之位置露出。藉此，便可增加與外部之接觸面積，從而可有助於散熱性之進一步提昇。
可藉由如此之構成，而如上所述地於將發光元件裝載於集合基板之狀態下，使各個發光元件不產生短路地進行通電，故而可使各個發光元件點亮。藉此，可進行特性檢測，且可對於呈現不適當之色調等之發光元件個別地追加調整步驟。其結果，可高質量地維持所得之發光裝置之特性，又，可使利用1個集合基板獲得之發光裝置之良率提昇。
(發光元件)
作為發光元件，較佳為使用發光二極體。例如，可列舉於基板上利用InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等氮化物半導體、III-V族化合物半導體、II-VI族化合物半導體等各種半導體形成包含發光層之積層結構所得者。作為發光元件之基板，可列舉藍寶石等絕緣性基板、或SiC、GaN、GaAs等導電性基板等。但，發光元件最終亦可不具有該等基板。
於發光元件之基板為絕緣性之情形時，存在為了使用下述電沈積法等形成螢光體層，而於基板之表面暫時需要導電性之層之情形。該導電性之層亦可於形成下述反射層之步驟之前去除，但較佳為藉由氧化等而成為絕緣性。藉此，便可形成與下述螢光體層具有良好之接著性之透光性之層。於進行氧化之情形時，較佳為可藉由氧化而改質為透光性，或改質為具有較高透光性之構件者。導電性及/或透光性之層例如可使用Mg、Al、Si、Zr、Zn、Pb等。
於發光元件之基板為導電性之情形時，為了防止反射層形成於發光元件上，亦可於形成下述螢光體層之後，於形成於發光元件上之 螢光體層之上使用具有透光性且絕緣性之材料形成被覆膜。作為被覆膜，可藉由例如AlxOy(1<x，1<y)、SiOx(1<x)等氧化物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醯亞胺、聚矽氧樹脂之類之有機物等而形成。
(接合構件)
接合構件係用於將發光元件安裝於基板。發光元件亦可面向上安裝於基板上，但較佳為覆晶安裝。接合構件係例如為了使發光元件接合於例如基板之表面配線，而以至少介置於發光元件之電極與表面配線之間之方式配置。作為接合構件，使用可使發光元件與表面配線導通之材料。例如可使用錫-鉍系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系等焊料、銀、金、鈀等導電性漿料、凸塊、各向異性導電材、低熔點金屬等釺焊材等。
(螢光體層)
螢光體層係將來自發光元件之光轉換成不同之波長。例如，螢光體層亦可為自來自發光元件之光轉換成短波長者，但就光擷取效率之觀點而言，較佳為轉換成長波長者。螢光體層係至少配置於發光元件之上表面及側面、及於基板之上表面配置有發光元件之區域之周圍所露出之表面配線之表面。可藉由利用螢光體層覆蓋發光元件之上表面及側面，而將自發光元件朝向上方及橫向出射之光擷取至螢光體層側，故而可減少發光元件內之光吸收。
作為形成螢光體層之螢光體，例如可列舉錳活化氟化物錯合物螢光體[A2MF6：Mn(A為選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4中之一種以上；M為選自Ge、Si、Sn、Ti、Zr中之一種以上)、例如K2SiF6：Mn(KSF)、KSNAF(K2Si1-xNaxAlxF6：Mn)、K2TiF6：Mn(KTF)等]、主要被Eu、Ce等鑭系元素而活化之氮化物系螢光體、氮氧化矽系螢光體，更具體而言，可列舉被Eu活化之α或β化物系螢光體、氮氧鹼土類金屬氮化矽螢光體、主要被Eu等鑭系元素及Mn等過渡金屬系元素 活化之鹼土類金屬鹵素磷灰石、鹼土類之鹵代矽酸鹽、鹼土類金屬矽酸鹽、鹼土類金屬硼醯鹵、鹼土類金屬鋁酸鹽、鹼土類金屬矽酸鹽、鹼土類金屬硫化物、鹼土類金屬硫代鎵酸鹽、鹼土類金屬氮化矽、鍺酸鹽等螢光體、主要被Ce等鑭系元素活化之稀土類鋁酸鹽、稀土類矽酸鹽或主要被Eu等鑭系元素活化之有機或有機錯合物等之螢光體。
螢光體之形狀並無特別限定，但較佳為例如球形或與球形類似之形狀，更佳為具有0.1μm~100μm左右、尤其具有1μm~10μm之平均粒徑。
螢光體層係通常於將發光元件安裝於基板上之後，形成於包含發光元件之上表面及於發光元件之周圍露出之表面配線(即，第1表面配線與第2表面配線之表面)之部位。
螢光體層可使用電沈積法、靜電塗裝法、濺鍍法、蒸鍍法、罐封法、印刷法、噴霧法等而形成。濺鍍法、蒸鍍法、沈澱法可不使用黏合劑地使螢光體層附著於發光元件及基體上整體。罐封法、印刷法、噴霧法可藉由使用分散於透光性構件中之螢光體而使螢光體選擇性地附著。此處之透光性構件可利用可使發光元件之峰值波長之60%以上、70%以上、80%以上穿透之材料而形成，且可自以下所示之熱固性樹脂、熱塑性樹脂等中適當選擇。
其中，螢光體層較佳為利用電沈積法、靜電塗裝法而形成。
電沈積法、靜電塗裝法可藉由於意圖形成螢光體層之部位配置具有導電性之材料，而使螢光體選擇性地附著於該部位。可藉由該等方法，而於所期望之部位形成均一厚度之螢光體層。
於電沈積法中，螢光體層於例如包含螢光體之溶液(電沈積用之浴液)中配置載置有發光元件之基體。繼而，藉由溶液中之電泳，而使螢光體粒子沈積於基體之表面配線及發光元件之表面而形成。
於靜電塗裝法中，使螢光體包含於氣相中，且於此處配置基 體，於氣相中，使螢光體粒子沈積於基體之表面配線及發光元件之表面，藉此，便可形成螢光體層。
於發光元件之表面被設為導電性材料之情形時，可藉由對發光元件自身施加電壓，而使帶電之螢光體粒子電泳並沈積於發光元件上。
又，如於藍寶石等絕緣性基板上積層半導體而成之發光元件般，於發光元件之表面具有非導電性之部位之情形時，於發光元件之非導電性之部位設置導電性之層之後，可藉由對該導電性之層施加電壓，而使帶電之螢光體粒子電泳，且經由導電性之層而沈積於絕緣性基板上。
螢光體層係其厚度可因所配置之部位而不同。例如配置於第1表面配線上之螢光體層之厚度與配置於第2表面配線上之螢光體層之厚度亦可不同。
於具有上述配線結構之集合基板，可對第1表面配線與第2表面配線施加其他電位。藉此，可於第1表面配線與第2表面配線形成不同厚度之螢光體層。尤其可藉由使任一表面配線維持較另一表面配線高之正電位，而避免於維持較高之正電位之表面配線上形成螢光體層。換言之，可僅於第1或第2任一表面配線上形成螢光體層。
例如，如圖5B所示，可藉由使一表面配線、此處為第2表面配線12位於俯視為矩形之發光元件67之4邊中之3邊附近，而使螢光體不易附著於發光元件67附近之表面配線。
於將發光裝置設為如暖色系之色溫較低之發光色之情形時，則需要大量之螢光體。因此，於靜電塗裝之螢光體之形成方法中，存在形成於發光元件附近之表面配線上之螢光體層之上表面增厚至形成至接近發光元件之上表面之位置為止之程度之情形。但，為了設為如點光源般之顏色不均較少之發光裝置，較佳為利用螢光體層僅將發光元 件覆蓋，且較佳為於發光元件周圍之表面配線上不形成或儘可能薄地形成螢光體層。於具有如上所述之配線結構之情形時，可僅對與特定位置之配線或發光元件對應之位置賦予導電性且進行塗裝。藉此，可有效地防止螢光體層附著於多餘之區域。
螢光體層之厚度可根據螢光體粒子之沈積條件或時間而適當調整。覆蓋發光元件之螢光體層較佳為以大致均一之厚度形成。螢光體層較佳為具有0.01μm~100μm左右之厚度。
導電性之層係於形成反射層之前去除或改質為絕緣性。例如，可列舉如下方法：(1)於形成導電性之層後，含有使導電性之層之材料選擇性地溶解於電沈積用之浴液中之材料，(2)於形成螢光體層後，使導電性之層浸漬於溶解液中而溶解，(3)於形成螢光體層後，藉由例如氧化處理等而改質為絕緣性等。於上述(1)及(2)之情形時，藉由浸漬於鹽酸、硫酸等酸性浴液、氫氧化鈉、氨等鹼性浴液中，而使被覆層溶解。作為此時之導電性之層之材料，可使用Al、Zn等。於上述(3)之情形時，較佳為不僅改質為絕緣性，而且改質為透光性或改質為具有較高之透光性之構件。作為此時之導電性之層之材料，可列舉Mg、Al、Si、Zr、Pb等。導電性之層之厚度為可進行上述處理之厚度即可，例如可設為10nm~1000nm。
於發光元件之基板為導電性之情形時，可為了防止反射層形成於發光元件上，而於形成螢光體層之後，於形成於發光元件上之螢光體層上，使用具有透光性且絕緣性之材料形成被覆膜。作為此時之被覆膜之材料，例如可使用AlxOy(1<x，1<y)、SiOx(1<x)等氧化物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醯亞胺或聚矽氧樹脂之類的有機物等。
(反射層)
反射層係將形成於第1及第2表面配線上之螢光體層覆蓋者，且發揮抑制光擷取效率降低之作用。
構成反射層之反射材料較佳為可有效地反射自發光元件出射之光及藉由螢光體層而波長轉換之光之材料，更佳為可於其峰值波長中將80%以上、進而90%以上反射之材料。
反射層較佳為自發光元件出射之光及藉由螢光體層而波長轉換之光不易穿透、吸收之材料。又，較佳為絕緣性之材料。
作為反射材料，並無特別限定，但可藉由使用可反射光之材料、例如SiO2、TiO2、ZrO2、BaSO4、MgO等粉末而使光有效地反射。該等材料亦可單獨或組合兩種以上而使用。通常，該等材料較佳為與熱固性樹脂、熱塑性樹脂等、具體而言與環氧樹脂組成物、聚矽氧樹脂組成物、聚矽氧改性環氧樹脂等改性環氧樹脂組成物；環氧改性聚矽氧樹脂等改性聚矽氧樹脂組成物；混合聚矽氧樹脂；聚醯亞胺樹脂組成物、改性聚醯亞胺樹脂組成物；聚鄰苯二甲醯胺(PPA，Polyphthalamide)；聚碳酸酯樹脂；聚苯硫醚(PPS，Phenylene sulfide)；液晶聚合物(LCP，Liquid Crystal Polymer)；ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂；酚樹脂；丙烯酸樹脂；PBT(Polybutylene terephthalate，聚對苯二甲酸丁二酯)樹脂等樹脂混合地使用。
如上所述，於藉由電沈積法等而形成螢光體層之情形時，螢光體粒子附著於在發光裝置之表面所露出(即，與電沈積用浴液接觸)之導電性之部位、例如在發光元件之周圍所露出之表面配線之表面。相對於此，反射層係以將形成於在發光元件之周圍露出之表面配線上之螢光體層覆蓋之方式形成。藉此，可減少因自配置於發光元件之表面之螢光體出射之光被設置於發光元件之周圍之表面配線上之螢光體層吸收而產生之光損失。又，可藉由反射層而將自形成於表面配線上之螢光體層出射之光遮斷，而使發光裝置接近點光源。
又，於藉由電沈積法等而形成螢光體層之情形時，存在設置於 半導體層之下表面與基體之上表面之間之空隙部分無法由螢光體粒子充分地覆蓋之情形。可藉由於設置於表面配線上之螢光體層上形成反射層，而利用反射層覆蓋該空隙之周圍。其結果，可防止發光元件之光自上述空隙洩漏。
反射層較佳為將形成於表面配線上之螢光體層之表面全部覆蓋。藉此，可更有效地發揮上述效果。
反射層較佳為設為例如1μm~100μm左右之厚度。反射層尤佳為以將反射層之上表面配置於與發光元件之半導體層之下表面相比之上方之方式形成。藉此，可防止發光元件之光自上述空隙洩漏。又，可利用反射層將自包含發光層之半導體層之側面出射之相對較強之光遮斷，從而可減少顏色不均。
反射層較佳為將其上表面配置於與發光元件之上表面相比之下方。藉此，可使朝向發光元件之側面方向出射之光不被反射層遮斷地擷取至外部。又，可將自發光層之側面出射之相對較強之光經由螢光體層擷取至外部。進而，可減少發光元件之周圍之表面配線及設置於其上之螢光體層對光之吸收。
為了將反射層配置於與發光元件之上表面相比之下方，較佳為儘可能薄地配置形成於表面配線上之螢光體層。如上所述，即使需要大量螢光體亦可將表面配線上之螢光體層之厚度變薄之方面係如上所述。
[發光元件之檢測方法]
首先，於上述集合基板之一對第1及第2表面配線分別連接複數個發光元件。
其後，使發光元件點亮，檢測各個發光元件之特性。
此處之發光元件之特性係指於集合基板之狀態下，可藉由對一對第1及第2表面配線或一對第1及第2背面配線施加正負電壓而使發光 元件點亮。因此，可檢測以有無點亮為主之各種發光元件之特性。
尤其，於集合基板具備沿行列方向規則地排列複數個之一對第1及第2表面配線，且具備朝向列方向或行方向分別分離地延伸複數條之第1內層配線，更具備朝向行方向或列方向分別分離地延伸複數條之第2內層配線之情形時，可以列、行、任意數之一部分、僅1個之單位使發光元件點亮，因此，可檢測亮度、明亮度、色調等更詳細之特性。
例如，於集合基板上安裝有發光元件之後，形成覆蓋發光元件之螢光體層之情形時，可藉由點亮每一發光元件，而測定螢光體層發出之光之色調。因此，可藉由該色調之測定(個別色調檢測)，而於螢光體層之形成不充分之情形時，進而執行僅對特定之發光元件追加追加之螢光體層之步驟。藉此，可將所有之發光元件調整為適當之色調，從而可提昇良率。
此處之螢光體層之形成亦可使用上述螢光體層之製造方法之任一者，但較佳為藉由電沈積法或靜電塗裝而形成。藉此，可於任意之部位簡便且高精度地形成該螢光體層。於該情形時，亦可於發光元件之表面與發光元件之周圍之第1及第2表面配線表面形成螢光體層，但亦可於複數個發光元件中之僅一部分或僅1個之表面與發光元件之周圍之第1及第2表面配線表面形成該螢光體層。於後者之情形時，可獲得於1個集合基板具備不同之螢光體層之發光裝置。
追加之螢光體層之追加亦可利用上述螢光體層之製造方法之任一者，但較佳為藉由包含螢光體之溶液之噴射分配塗佈而進行。其原因在於，可對1個發光元件簡易且簡便地追加螢光體層。
追加之螢光體層之厚度可列舉例如5μm~100μm。
再者，於進行噴射分配塗佈之前，例如圖7B所示，較佳為於螢光體層65及/或下述反射層66之上形成透光性樹脂層(圖7B中為70)。 於該情形時，將螢光體層、透光性樹脂層、追加之螢光體層以此順序積層於發光元件之上表面。可藉由如此地形成透光性樹脂，而提昇螢光體層及反射層之接著性。尤其，於藉由電沈積而形成螢光體層或反射層之情形等、該等層相對於例如噴射點膠等引起之較高之風壓較為脆弱之情形時，能夠可靠地避免該等層之變形或剝離。於上述螢光體層或反射層對於風壓等具有較高之耐受性之情形時，亦可不設置透光性樹脂層。於該情形時，與設置透光性樹脂層之情形相比，發光元件上方之樹脂層之界面減少一層，因此，於光擷取效率之方面較為有利。
如圖7B所示，透光性樹脂層70既可被覆螢光體層65或反射層66之整體，亦可僅被覆一部分。又，如圖7A所示，並非一定形成追加之螢光體層65a，為了保護螢光體層65及反射層66，亦可僅形成透光性樹脂層70。
如圖7A及B所示，追加之螢光體層及任意地形成之透光性樹脂層較佳為以上表面突出之方式形成。藉此，可減少於透光性樹脂層或追加之螢光體層之表面進行全反射之來自發光元件之光之比例，從而可提昇光擷取效率。
又，作為追加之螢光體層、任意地形成之透光性樹脂層之另一形態，上表面亦可平坦。於該情形時，可將被覆發光元件之追加之螢光體層或透光性樹脂層之相對高度方向之厚度變薄，故而可製成照度下降得到抑制之發光裝置。
透光性樹脂層可自上述熱固性樹脂、熱塑性樹脂中選擇地形成。此處，所謂透光性係較佳為使來自發光元件之光透過60%以上、進而透過70%、80%或90%以上者。
透光性樹脂層例如可使用罐封法、印刷法、噴霧法等形成。
於形成透光性樹脂層之情形時，其厚度可列舉例如5μm~100 μm。透光性樹脂層之厚度較佳為薄於追加之螢光體層之厚度。
又，亦可於形成螢光體層之後，且檢測發光元件之特性之前或之後，進而於發光元件之周圍形成反射層。此處之反射層較佳為藉由電沈積法或靜電塗裝而形成於發光元件之表面與發光元件之周圍之第1及第2表面配線表面上之螢光體層上。藉此，可限制光之反射，故而可將自發光元件出射之光及被螢光體層進行波長變化之光進一步調整為所期望之色調。
以下，基於圖式對本發明之集合基板、發光裝置及發光元件之檢測方法之實施方式具體地進行說明。
實施方式1：集合基板
如圖1A所示，該實施方式之集合基板10具備包含氧化鋁陶瓷之絕緣體9、Au形成之表面配線、背面配線、及內層配線。集合基板10係於1個發光元件之裝載區域9a內將各配線配置一對，且於行列方向(例如，3×3)上具備複數個該單位。
如圖1A~圖1F所示，絕緣體9具有上層A及下層B之2層結構。
於絕緣體9之上層A之表面Aa配置有表面配線。表面配線係具備行列狀地排列有複數個之一對第1表面配線11及第2表面配線12。第1表面配線11及第2表面配線12係包含第1導電層1。
於絕緣體9之下層B之背面Bb配置有背面配線。背面配線具備與第1表面配線11及第2表面配線12分別對應地排列著複數個之一對第1背面配線21及第2背面配線22。第1背面配線21及第2背面配線22係包含第8導電層8。
於自絕緣體9之上層A之表面Aa至下層B之背面Bb之間排列有第1內層配線31與第2內層配線32。
第1內層配線31係包含例如朝向列方向延伸之第2導電層2、自該第2導電層2朝向第1導電層1延伸之第3導電層3、及自第2導電層2朝向 第8導電層8延伸之第4導電層4。根據該結構，第1內層配線31將第1表面配線11與第1背面配線21連接，且自第2表面配線12及第2背面配線22分離。第1內層配線31中之第2導電層2係例如3條彼此隔開地朝向作為第1方向之列方向(圖1A中為x)延伸。
第2內層配線32係包含例如朝向作為第2方向之行方向(圖1A中為y)延伸之第5導電層5、自該第5導電層5朝向第1導電層1延伸之第6導電層6、及自第5導電層5朝向第8導電層8延伸之第7導電層7。根據該結構，經由第2表面配線12及/或第2背面配線22將第2表面配線12與第2背面配線22連接，且自第1表面配線11及第1背面配線21分離。第2內層配線32中之第5導電層5係例如具有朝向行方向延伸之部位之配線例如3條彼此隔開地延伸。再者，第5導電層5係於下層B之表面Ba中以於一部分避開第2導電層2之方式分斷，以避免與構成第1內層配線31之導電層交叉、接觸。
第2導電層2與第5導電層5係作為於同一成膜步驟中形成之層配置於例如下層B之表面Ba。
第3導電層3與第6導電層6係以埋設通孔之方式，作為於同一成膜步驟中形成之層配置於上層A之內部。
第4導電層4與第7導電層7係以埋設通孔之方式，作為於同一成膜步驟中形成之層配置於下層B之內部。
第3導電層3及第6導電層6之與第1導電層1、第2導電層2、第5導電層5之連接位置、第4導電層4及第7導電層7之與第2導電層2、第5導電層5、第8導電層8之連接位置係例如圖1C~1F所示，分別於1個發光元件之裝載區域9a內，分別在1個部位以上以最短距離連接。但，構成第2表面配線12之第1導電層1與構成第2內層配線32之第5導電層5係於1個發光元件之裝載區域9a內，在構成第1內層配線31之第2導電層2之兩側各於1個部位連接。
於絕緣體9之下層B之背面Bb，於排列有一對第1背面配線21及第2背面配線22之區域、即與1個發光元件之裝載區域9a對應之區域之外周具備背面焊墊。
背面焊墊係沿著該區域之行方向，將第1背面焊墊21a與區域之數對應地排列2行，且將第2背面焊墊22a沿著該區域之列方向而與區域之數對應地排列2行。第1背面焊墊21a係藉由第1內層配線31而與第1背面配線21連接，第2背面焊墊22a係藉由第2內層配線32而與第2背面配線22連接。
此外，於1個發光元件之裝載區域9a之外周、即於與背面焊墊對應之位置，第2導電層2與第5導電層5之兩側成為寬幅。該寬幅之區域31a、32a配置有與背面焊墊對應之數量。該寬幅之區域31a、32a係藉由第4導電層4及第7導電層7而分別與背面焊墊連接。
如此構成之集合基板可作為極其簡單之發光元件裝載基板，如圖1G所示地以正負之配線不短路之方式以行列單位施加正負之電源。
實施方式2：集合基板
該實施方式中之集合基板20係如圖2A所示，除了內層配線局部地分支以外，實際上與實施方式1之集合基板10相同之構成。
該集合基板20係藉由自絕緣體9之上層A之表面Aa至下層B之背面Bb之間所配置之第5導電層5而形成之第2內層配線42於分斷之一端部具有分支部42b，以橫跨沿行方向延伸之部位之一部分、即第1內層配線41。換言之，第2內層配線42之一部分為橫跨1個發光元件之裝載區域9a之行方向上鄰接之區域間而分支。
隨著該第2內層配線42之分支，如圖2B所示，於與該分支部42b對應之下層B之背面Bb，第2背面配線52、53分割為2個，一第2背面配線53藉由第7導電層7而與分支部42b之端部連接，另一第2背面配線 52藉由第7導電層7而與並非分支部42b之第2內層配線42連接。
再者，於下層B之背面Bb，為增加第2背面配線52、53之佔據面積，而將第1背面配線51之下層B之背面Bb處之佔據面積縮小。再者，第2背面配線53若將集合基板於1個發光元件之裝載區域切斷，則成為不與第1表面配線及第2表面配線連接之狀態，從而發揮作為散熱構件之功能。
根據如此之結構，亦扮演與實施方式1之集合基板相同之作用，從而發揮同樣之效果。
實施方式3：集合基板
該實施方式之集合基板30係如圖3A所示，絕緣體具有上層A、中層C及下層B之3層。該集合基板30係將各配線以一對配置於1個發光元件之裝載區域內，且於行列方向(例如，3×3)具備複數個該單位。
與圖1C同樣地，於絕緣體之上層A之表面具備行列狀地排列著複數個之一對第1表面配線61及第2表面配線62。第1表面配線61及第2表面配線16係包含第1導電層1。
與圖1E同樣地，於絕緣體之下層B之背面具備與第1表面配線61及第2表面配線62分別對應地排列著複數個之一對第1背面配線71及第2背面配線72。第1背面配線71及第2背面配線72係包含第8導電層8。
於絕緣體9之上層A之表面至下層B之背面之間排列有第1內層配線81與第2內層配線82。又，於上層A及下層B之間配置有中層C。
第1內層配線81具備配置於上層A之背面與中層C之表面之間且朝向列方向延伸之第2導電層2。又，包含自該第2導電層2朝向第1導電層1延伸且配置於上層A內部之第3導電層3、自第2導電層2朝向第8導電層8延伸且將中層C及下層B之內部貫通之第4導電層4。根據該結構，第1內層配線81將第1表面配線61與第1背面配線71連接，且自第2表面配線62及第2背面配線72分離。
如圖3B所示，第1內層配線81中之第2導電層2配置於例如中層C之表面Ca，且3條相互隔開地朝向作為第1方向之列方向延伸。
於各第1內層配線81之兩端分別配置有相較其寬度更幅寬之區域81a。
第2內層配線82具備配置於中層C之背面與下層B之表面之間且朝向行方向延伸之第5導電層5。又，包含自該第5導電層5朝向第1導電層1延伸且將中層C及上層A之內部貫通之第6導電層6、及自第5導電層5朝向第8導電層8延伸且配置於下層B內部之第7導電層7。根據該結構，第2內層配線82將第2表面配線62與第2背面配線72連接，且自第1表面配線61及第1背面配線71分離。
於各第2內層配線82之兩端分別配置有相較其寬度更幅寬之區域82a。
如圖3C所示，第2內層配線82中之第5導電層5係配置於例如下層B之表面Ba，且3條相互隔開地朝向作為第2方向之行方向延伸。
下層B之背面中之背面焊墊、第2導電層及第5導電層之兩端之寬幅之區域係實際上與集合基板10相同。又，上述以外之構成係實際上與實施方式1之集合基板10相同。
如此構成之集合基板可作為極其簡單之發光元件裝載基板，如圖1G所示地以正負之配線不短路之方式以行列單位施加正負之電源。
實施方式4：集合基板
如圖4所示，本實施方式之集合基板40係於中層C之表面及背面將第2導電層2與第5導電層5顛倒地進行積層，隨之，第3導電層3將中層C貫通，第6導電層6僅將上層A貫通，第4導電層4僅將下層B貫通，第7導電層7將中層C貫通，藉此，構成第1內層配線91及第2內層配線92，除此以外，與實施方式3之集合基板30及實施方式1之集合基板10 實際上相同。
根據如此之構成，亦起到與實施方式1及3之集合基板相同之作用，從而發揮相同之效果。
實施方式5：發光裝置
該實施方式之發光裝置60係如圖5A所示，具備藉由上述集合基板所得之基板68、發光元件67、螢光體層65、及反射層66。
基板68係大致平板之俯視正方形，且於其表面具有構成第1表面配線及第2表面配線之導電構件63b。又，於其背面具有構成第1背面配線及第2背面配線之導電構件63c。
再者，如上所述，第1背面配線係藉由第1內層配線而連接，第2背面配線係藉由第2內層配線而連接。
第1內層配線及第2內層配線係於基板68之厚度方向上之相同位置(高度)，在其端面露出(參照圖5A中之63a及圖6B中之63a)。第1內層配線係於包含一相向之2邊之基板68之一對端面露出，第2內層配線係於包含另一相向之2邊之基板68之一對端面露出。
於基板68之第1表面配線及第2表面配線，經由Sn-Ag-Cu覆晶安裝有發光元件67。發光元件67係於圖5B所示之位置處，配置於基板68上。
於發光元件67之側面及上表面(與對向於基板之面為相反側之面)，以薄膜狀態形成有被覆層(Al膜)64，且介隔該被覆層64形成有螢光體層(含有YAG系之螢光體粒子(平均粒徑為8μm))65。又，螢光體層65亦形成於露出在發光元件67之周邊之導電構件63上。
又，於發光元件67之周圍且螢光體層65之上形成有藉由電沈積法而附著有SiO2粒子(平均粒徑為0.2μm)之反射層66。
如此之發光裝置可藉由以下方法而製造。
首先，準備上述之集合基板，且於表面配線之上介隔接合構件 (例如焊料)連接複數個發光元件。
繼而，以覆蓋集合基板上之發光元件之方式形成螢光體層。螢光體層係形成於包含露出於發光元件之周圍之表面配線之部位。
例如，準備包含螢光體之溶液(電沈積用之浴液)，且於其中浸漬發光元件，對發光元件自身施加電壓，藉此，使帶電之螢光體粒子電泳，且沈積於發光元件上。再者，於發光元件之表面配置藍寶石基板之情形時，亦可於其表面形成具有導電性之被覆層後，對該被覆層施加電壓。
其後，於發光元件之周圍形成反射層。反射層可藉由於例如包含構成反射層之反射材料之溶液中配置發光裝置，且使溶液中帶電之反射材料電泳，而介隔螢光體層沈積於發光元件之周圍之導電部上。
最後，將集合基板分割為每一裝載1個發光元件之區域，獲得發光裝置60。
再者，於上述發光裝置60，亦可於形成反射層後，如圖6A及6B所示地藉由例如使用透光性材料之罐封、壓縮成形、轉注成形等而形成將發光元件之上部覆蓋之凸形狀之透鏡69。
又，於上述發光裝置60，亦可為了保護螢光體層65及反射層66，而藉由於該等層之整個表面上積層透光性樹脂層70來形成圖7A所示之發光裝置60a。再者，該透光性樹脂層70係中央部分形成為厚於其周邊，且具有凸型之形狀。
可藉由設為如此之步驟之追加及構成，而提昇所得之發光裝置之可靠性。
實施方式6：發光元件之檢測方法
如實施方式5中所示，於集合基板之一對第1及第2表面配線，分別連接複數個發光元件。
藉此，可藉由於集合基板之狀態下施加電源，而分別使發光元 件點亮。藉此，作為集合基板整體，可於一部分之發光元件群或每1個發光元件地檢測發光元件之點亮特性等。
尤其，於裝載於發光元件與集合基板之後，於如上所述地形成覆蓋發光元件之螢光體層之情形時，可藉由使發光元件逐一地點亮，而逐一地測定螢光體層之附著程度、即螢光體層之發光元件之色調。
藉此，於螢光體層之附著程度較少之情形時，可於裝載於集合基板之狀態下藉由例如包含螢光體之溶液之分配塗佈而僅對該發光元件追加追加之螢光體層(圖7B中為65a)。
其結果，可製造集合基板之整體中具有均一之特性之發光元件，且可實現良率之提昇。
如此之檢測方法完成之後所得之發光裝置於上述發光裝置60中追加追加之螢光體層65a(厚度：54μm)，成為圖7B所示之發光裝置60b。於該情形時，存在因藉由電沈積等形成螢光體層65及反射層66，導致相對於成膜方法引起之風壓變得脆弱之情形，因此，出於確實地避免螢光體層65及反射層66之變形或剝離之目的，而於形成追加之螢光體層5a之前，形成包含聚矽氧樹脂之透光性樹脂層70(厚度：36μm)。該透光性樹脂層70係中央部分形成為厚於其周邊，且具有凸型之形狀，且追加之螢光體層65a亦成為凸形狀。
即，於發光裝置60a中，透光性樹脂層70及追加之螢光體層65a以此順序積層於螢光體層65及反射層66之整個表面。
可藉由設為如此之步驟之追加及構成，而良率良好地製造具有均一之特性之發光裝置，從而可提昇所得之發光裝置之可靠性。
或者，於形成螢光體層之後，進而如上所述地形成反射層之情形時，使發光元件逐一地點亮，藉此，不僅可逐一地測定螢光體層之附著程度，而且可逐一地測定發光元件之亮度、明亮度等。
藉此，於反射層之附著程度較少之情形時，可於裝載於集合基 板之狀態下，藉由例如包含反射層之溶液之分配塗佈而僅對該發光元件追加反射層。
其結果，可製造集合基板之整體中具有均一之特性之發光元件，從而可實現良率之提昇。
[產業上之可利用性]
本發明之集合基板可用於裝載各種電氣元件、例如半導體元件、發光元件等，且可用於分割成各個元件之前之集合狀態下之動作、閃爍等電氣元件等之檢測。

Claims (18)

  1. 一種集合基板，其特徵在於包括：絕緣體，其具有表面及背面；排列於該絕緣體之表面之複數個之一對第1表面配線及第2表面配線；排列於上述絕緣體之背面之複數個之一對第1背面配線及第2背面配線；至少1個第1內層配線，其係分別與上述第2表面配線及上述第2背面配線分離，且分別與上述第1表面配線及上述第1背面配線連接，於上述絕緣體之內部具有沿第1方向延伸之部位；及至少1個第2內層配線，其係分別與上述第1表面配線及上述第1背面配線分離，且分別與上述第2表面配線及上述第2背面配線連接，於上述絕緣體之內部具有沿著與上述第1方向不同之第2方向延伸之部位；上述第1內層配線與第2內層配線係配置於相同之層。
  2. 如請求項1之集合基板，其中上述複數個排列之一對第1及第2表面配線係於行列方向規則性地排列。
  3. 如請求項1或2之集合基板，其中上述第1內層配線係朝向列方向或行方向分別分離地延伸複數條，上述第2內層配線係朝向行方向或列方向分別分離地延伸複數條。
  4. 如請求項1或2之集合基板，其中上述第1內層配線及第2內層配線之任一者係局部地分支。
  5. 如請求項4之集合基板，其中上述第1內層配線或第2內層配線係於與橫跨列方向或行方向相互鄰接之一對第1及第2表面配線之區域對應之區域分支。
  6. 如請求項1或2之集合基板，其中於上述絕緣體之背面更具備複數個排列之第1及第2背面焊墊，且上述第1背面焊墊係藉由第1內層配線而與第1背面配線連接，上述第2背面焊墊係藉由第2內層配線而與第2背面配線連接。
  7. 如請求項1或2之集合基板，其中上述第1及第2表面配線係包含第1導電層，上述第1及第2背面配線係包含第8導電層，上述第1內層配線係包含沿上述第1方向延伸之第2導電層、自該第2導電層朝向上述第1導電層延伸之第3導電層、及自上述第2導電層朝向上述第8導電層延伸之第4導電層，上述第2內層配線係包含沿上述第2方向延伸之第5導電層、自該第5導電層朝向上述第1導電層延伸之第6導電層、及自上述第5導電層朝向上述第8導電層延伸之第7導電層。
  8. 如請求項1或2之集合基板，其中上述絕緣體具有2層以上之層疊結構。
  9. 如請求項1或2之集合基板，其中該集合基板裝載有複數個發光元件，且各發光元件係一對電極分別經由接合構件而與上述一對第1及第2表面配線連接。
  10. 一種發光裝置，其係包括：基板，其包含：於表面之一對第1表面配線及第2表面配線、於背面之一對第1背面配線及第2背面配線、及於內部具有分別與第1表面配線及第1背面配線連接之第1內層配線以及分別與第2表面配線及第2背面配線連接之第2內層配線之絕緣體；上述第1內層配線與第2內層配線係配置於相同之層；發光元件，其係裝載於該基板表面；及螢光體層，其係覆蓋該發光元件；上述絕緣體係於包含相向之2邊之一對端面分別露出上述第1內層配線，且於包含相向之另外2邊之一對端面分別露出上述第2內層配線。
  11. 如請求項10之發光裝置，其中上述第1內層配線及上述第2內層配線係於上述絕緣體之厚度方向之相同位置，在上述絕緣體之端面露出。
  12. 如請求項10或11之發光裝置，其中上述螢光體層被覆上述第1及第2表面配線，且配置於上述第1表面配線上之螢光體層之厚度係不同於配置於上述第2表面配線上之螢光體層之厚度。
  13. 一種發光元件之檢測方法，其包括如下步驟：於如請求項1~9中任一項之集合基板之上述一對第1及第2表面配線分別連接複數個發光元件；及使上述發光元件點亮，檢測該發光元件之特性。
  14. 如請求項13之發光元件之檢測方法，其中，使上述發光元件點亮而檢測該發光元件之特性之步驟係使上述發光元件之僅一部分或僅1個點亮之步驟。
  15. 如請求項13或14之發光元件之檢測方法，其更包括形成覆蓋上述發光元件之螢光體層之步驟，且藉由電沈積法或靜電塗裝而於上述發光元件之表面與該發光元件周圍之上述第1及第2表面配線表面形成上述螢光體層。
  16. 如請求項13或14之發光元件之檢測方法，其中使上述發光元件點亮而檢測該發光元件之特性之步驟係使上述發光元件個別地點亮，而檢測發光元件之色調之步驟。
  17. 如請求項16之發光元件之檢測方法，其更包括於個別色調檢測上述發光元件後，僅對特定之發光元件追加螢光體層之步驟。
  18. 如請求項17之發光元件之檢測方法，其中藉由包含螢光體之溶液之分配塗佈而進行僅對特定之發光元件追加螢光體層之步驟。
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