TWI627564B

TWI627564B - 觸控面板及其製造方法

Info

Publication number: TWI627564B
Application number: TW102117797A
Authority: TW
Inventors: 林城興; 藍國華; 郭威宏; 周詩博
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2013-05-20
Filing date: 2013-05-20
Publication date: 2018-06-21
Also published as: CN103472940B; CN103472940A; TW201445376A; US9158343B2; US20140340592A1

Abstract

觸控面板包括基板、第一圖案化導體層、圖案化保護層以及第二圖案化導體層。第一圖案化導體層位於基板上，第一圖案化導體層包括多個第一感測墊以及多個第二感測墊，其中每兩相鄰之第一感測墊及第二感測墊間具有空隙。圖案化保護層位於第一圖案化導體層上，圖案化保護層遮蔽空隙且暴露出各第一感測墊之至少一部份以及各第二感測墊之至少一部份。第二圖案化導體層位於圖案化保護層上。

Description

觸控面板及其製造方法

本發明是有關於一種面板及其製造方法，且特別是有關於一種觸控面板及其製造方法。

觸控面板依照其感測方式的不同而大致上區分為電阻式觸控面板、電容式觸控面板、光學式觸控面板、聲波式觸控面板以及電磁式觸控面板。其中，投射電容式觸控面板(Projective Capacitive Touch Panel)因智慧型手機銷售量快速增長而受到矚目。

一般來說，投射電容式觸控面板依導電層之間的保護層配置方式可分為島型(island-type)投射電容式觸控面板以及通孔型(via-type)投射電容式觸控面板。圖1A為一種習知的島型投射電容式觸控面板的上視示意圖，圖1B與圖1C分別為沿圖1A之I-I’與II-II’的剖面示意圖。請參照圖1A至圖1C，投射電容式觸控面板100a包括基板102、緩衝層104a、104b、多個第一感測串列110、多個第二感測串列120、用以隔離第一感測串列110與第二感測串列120的保護層130以及覆蓋層140。第一感測串列110包括多個第一感測墊112與位於第一感測墊112之間的第一橋接線114，第二感測串列120包括多個第二感測墊122與位於第二感測墊122之間的第二橋接線124。

在如圖1A至圖1C所示的島型投射電容式觸控面板100a中，保護層130被圖案化成島狀，配置於第二感測墊122與第一橋接線114之間。因此，當保護層130的材料與緩衝層104a、104b的材料相似時，用以圖案化保護層130的製程有可能會一併移除作為光學匹配層(index-match layer)的緩衝層104a、104b，導致投射電容式觸控面板100a的光學調整彈性減少。

圖2A為一種習知的通孔型投射電容式觸控面板的上視示意圖，圖2B與圖2C分別為沿圖2A之I-I’與II-II’的剖面示意圖。請參照圖2A至圖2C，投射電容式觸控面板100b的構件與島型投射電容式觸控面板100a的構件大致相同，其主要不同處在於保護層130覆蓋第一橋接線114，且第一感測墊112經由保護層130中的通孔132與第一橋接線114電性連接。由於保護層130是全面覆蓋基板102，因此通孔型投射電容式觸控面板100b的光學穩定性較易受到保護層130的厚度均勻性影響，導致通孔型投射電容式觸控面板100b的光學穩定性可能會劣於島型投射電容式觸控面板100a。

承上述，保護層的配置方式會影響投射電容式觸控面板的光學特性。因此，如何設計出具有良好光學特性的投射電容式觸控面板乃是本發明相關領域之技術/研發人員所欲努力的課題之一。

本發明提供一種觸控面板，具有良好的光學特性。

本發明提供一種觸控面板的製造方法，以形成具有良好光學特性的觸控面板。

本發明的觸控面板包括基板、緩衝層、第一圖案化導體層、圖案化保護層以及第二圖案化導體層。第一圖案化導體層位於緩衝層上，第一圖案化導體層包括多個第一感測墊以及多個第二感測墊，其中每兩相鄰之第一感測墊及第二感測墊間具有空隙，所述空隙構成多個十字狀空隙圖案，且十字狀空隙圖案暴露出緩衝層。圖案化保護層位於第一圖案化導體層上，圖案化保護層遮蔽十字狀空隙圖案以及十字狀空隙圖案所暴露出的緩衝層。圖案化保護層暴露出各第一感測墊之至少一部份以及各第二感測墊之至少一部份。第二圖案化導體層位於圖案化保護層上。

在本發明的一實施例中，上述的第一圖案化導體層更包括多個第一橋接線，各第一橋接線電性連接兩相鄰之第一感測墊，其中第二圖案化導體層包括多個第二橋接線，各第二橋接線電性連接兩相鄰之第二感測墊，圖案化保護層更位於第一橋接線與第二橋接線之間，觸控面板更包括絕緣層位於第一圖案化導體層、圖案化保護層以及第二圖案化導體層上。

在本發明的一實施例中，圖案化保護層完全遮蔽十字狀空隙圖案以及十字狀空隙圖案所暴露出的緩衝層，其中緩衝層的材料係包括氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiN_x)、氮氧化矽(SiO_xN_y)、五氧化二鈮(Nb₂O₅)、氟化鎂(MgF₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氟化鈰(CeF₃)、二氧化鋯(ZrO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、硫化鋅(ZnS)或上述組合。

在本發明的一實施例中，上述的圖案化保護層的材料係包括氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiN_x)、氮氧化矽(SiO_xN_y)、五氧化二鈮(Nb₂O₅)、氟化鎂(MgF₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氟化鈰(CeF₃)、二氧化鋯(ZrO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、硫化鋅(ZnS)或上述組合，其中圖案化保護層的厚度為約0.3至2微米。

在本發明的一實施例中，上述的圖案化保護層為網狀，其中第二圖案化導體層包括多個擬圖案，其中擬圖案中之至少一個係位於兩相鄰的第一感測墊與第二感測墊之間且與其絕緣，其中至少一個擬圖案與兩相鄰的第一感測墊與第二感測墊中之一個的最短水平距離為0至15微米。

本發明的觸控面板的製造方法包括以下步驟。於基板上形成緩衝層。於基板上形成第一圖案化導體層，第一圖案化導體層位於緩衝層上，且包括多個第一感測墊以及多個第二感測墊，其中每兩相鄰之第一感測墊及第二感測墊間具有空隙，而所述空隙構成多個十字狀空隙圖案，且十字狀空隙圖案暴露出緩衝層。於第一圖案化導體層上形成一圖案化保護層，圖案化保護層遮蔽十字狀空隙圖案以及十字狀空隙圖案所暴露出的緩衝層，且圖案化保護層暴露出各第一感測墊之至少一部份以及各第二感測墊之至少一部份。於圖案化保護層上形成第二圖案化導體層。

在本發明的一實施例中，上述的第一圖案化導體層更包括多個第一橋接線，各第一橋接線電性連接兩相鄰之第一感測墊，其中第二圖案化導體層包括多個第二橋接線，各第二橋接線電性連接兩相鄰之第二感測墊，圖案化保護層更位於第一橋接線與第二橋接線之間。

在本發明的一實施例中，圖案化保護層完全遮蔽十字狀空隙圖案以十字狀空隙圖案所暴露出的緩衝層，其中緩衝層的材料係包括氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiN_x)、氮氧化矽(SiO_xN_y)、五氧化二鈮(Nb₂O₅)、氟化鎂(MgF₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氟化鈰(CeF₃)、二氧化鋯(ZrO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、硫化鋅(ZnS)或上述組合。

在本發明的一實施例中，更包括於第一圖案化導體層、圖案化保護層以及第二圖案化導體層上形成絕緣層，其中圖案化保護層的材料係包括氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiN_x)、氮氧化矽(SiO_xN_y)、五氧化二鈮(Nb₂O₅)、氟化鎂(MgF₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氟化鈰(CeF₃)、二氧化鋯(ZrO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、硫化鋅(ZnS)或上述組合，其中圖案化保護層的厚度為約0.3至2微米。

在本發明的一實施例中，上述的第二圖案化導體層包括多個擬圖案，其中擬圖案中之至少一個係位於兩相鄰的第一感測墊與第二感測墊之間且與其絕緣，其中至少一個擬圖案與兩相鄰的第一感測墊與第二感測墊中之一個的最短水平距離為0至15微米。

基於上述，在本發明的觸控面板及其製造方法中，每兩相鄰之第一感測墊及第二感測墊間具有空隙，而所述空隙構成多個十字狀空隙圖案，且十字狀空隙圖案暴露出緩衝層。圖案化保護層遮蔽十字狀空隙圖案以及十字狀空隙圖案所暴露出的緩衝層。另外，圖案化保護層暴露出各第一感測墊之至少一部份以及各第二感測墊之至少一部份。如此一來，圖案化保護層能保護經由十字狀空隙圖案所暴露出來的膜層(如緩衝層)，使得該膜層不會受到破壞而能保有其固有特性。此外，由於圖案化保護層不會全面覆蓋在基板上，因此觸控面板的光學特性不易受到圖案化保護層的厚度影響。故，觸控面板具有良好的光學特性以及光學穩定性。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100a、100b、200、200a‧‧‧觸控面板

102、202‧‧‧基板

104a、204a‧‧‧第一緩衝層

104b、204b‧‧‧第二緩衝層

110、120、240、250‧‧‧感測串列

130‧‧‧保護層

132‧‧‧通孔

140‧‧‧覆蓋層

112、122、212、216‧‧‧感測墊

114、124、214、232‧‧‧橋接線

210、230‧‧‧圖案化導體層

218‧‧‧空隙

220‧‧‧圖案化保護層

234‧‧‧擬圖案

260‧‧‧絕緣層

d‧‧‧距離

D1、D2‧‧‧方向

圖1A為一種習知的島型投射電容式觸控面板的上視示意圖。

圖1B為沿圖1A之I-I’的剖面示意圖。

圖1C為沿圖1A之II-II’的剖面示意圖。

圖2A為一種習知的通孔型投射電容式觸控面板的上視示意圖。

圖2B為沿圖2A之I-I’的剖面示意圖。

圖2C為沿圖2A之II-II’的剖面示意圖。

圖3A至圖3C為根據本發明之一實施例的一種觸控面板的製造方法的上視示意圖。

圖4A至圖4D為沿圖3A至圖3C之I-I’的流程剖面示意圖。

圖5A至圖5D為沿圖3A至圖3C之II-II’的流程剖面示意圖。

圖6A為根據本發明之一實施例的一種觸控面板的上視示意圖。

圖6B為沿圖6A之I-I’的剖面示意圖。

圖6C為沿圖6A之II-II’的剖面示意圖。

圖3A至圖3C為根據本發明之一實施例的一種觸控面板的製造方法的上視示意圖，圖4A至圖4D為沿圖3A至圖3C之I-I’的流程剖面示意圖，以及圖5A至圖5D為沿圖3A至圖3C之II-II’的流程剖面示意圖，其中於圖3C中省略繪示絕緣層260，因此圖4C與圖4D以及圖5C與圖5D的上視圖同為圖3C。請同時參照圖3A、圖4A以及圖5A，首先，提供基板202。在本實施例中，基板202例如是玻璃基板、塑膠基板、可撓基板或其他基板。

接著，於基板202上形成第一圖案化導體層210，第一圖案化導體層210包括多個第一感測墊212以及多個第二感測墊216，其中每兩相鄰之第一感測墊212及第二感測墊216間具有空隙218，其中，空隙218構成多個十字狀空隙圖案。換言之，兩相鄰的第一感測墊212間具有空隙218，兩相鄰的第二感測墊216間具有空隙218，以及兩相鄰的第一感測墊212及第二感測墊216間具有空隙218以構成多個十字狀空隙圖案。在本實施例中，此步驟例如是先於基板202上選擇性依序形成第一緩衝層204a及第二緩衝層204b，再於第一緩衝層204a及第二緩衝層204b上形成第一圖案化導體層210。因此，空隙218暴露出第二緩衝層204b。

在本實施例中，第一緩衝層204a及/或第二緩衝層204b例如是作為折射率匹配層。第一緩衝層204a及/或第二緩衝層204b的形成方法例如是化學氣相沉積製程，第一緩衝層204a及/或第二緩衝層204b的材料例如是無機材料，包括氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiN_x)、氮氧化矽(SiO_xN_y)、五氧化二鈮(Nb₂O₅)、氟化鎂(MgF₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氟化鈰(CeF₃)、二氧化鋯(ZrO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、硫化鋅(ZnS)或上述組合。在另一實施例中，第一緩衝層204a及/或第二緩衝層204b的材料也可以是有機材料，諸如含氮、氧、矽或碳或上述組合之聚合物材料、環氧樹脂(Epoxy)系及壓克力樹脂(Acrylic)系等高分子材料或硬化鍍膜，此外，更可於上述材料摻雜鈦等高折射材料，然本實施例不以此為限。特別說明的是，雖然在本實施例中是繪示兩層緩衝層為例，但根據需求，在其他實施例中，基板202與第一圖案化導體層210之間也可以省略第一緩衝層204a及/或第二緩衝層204b的配置，或者是，基板202與第一圖案化導體層210之間也可以配置有一層或多層緩衝層。

第一圖案化導體層210例如是藉由進行沈積製程、微影製程與蝕刻製程而形成。在本實施例中，第一圖案化導體層210例如是更包括多個第一橋接線214，各第一橋接線214電性連接兩相鄰之第一感測墊212。多個第一感測墊212與多個第一橋接線214形成第一感測串列240，各第一感測串列240沿第一方向D1延伸。在本實施例中，第一方向D1例如是x方向。第一圖案化導體層210的材料例如是不透明導電材料、透明導電材料或是兩者的疊層，其中不透明導電材料例如是金、銀、銅、鋁、鉬、鈦、鉻、鎘、鎢、鋅、鎳等金屬或其合金，透明導電材料例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或其他透明導電金屬氧化物。再者，雖然在本實施例中是以第一感測墊212及第二感測墊216為菱型感測墊為例，但本發明不限於此。在本實施例中，空隙218的寬度例如是20至100微米。空隙218例如是彼此連接成網狀。

請同時參照圖3B、圖4B以及圖5B，然後，於第一圖案化導體層210上形成圖案化保護層220，圖案化保護層220舉例係完全遮蔽空隙218所構成的多個十字狀空隙圖案，且暴露出各第一感測墊212之至少一部份以及各第二感測墊216之至少一部份。在本實施例中，圖案化保護層220的形成方法例如是先藉由沈積製程在基板202上形成填入空隙218且覆蓋基板202的保護材料層(未繪示)，接著例如是藉由微影製程與蝕刻製程對保護材料層進行圖案化，以形成暴露出各第一感測墊212之與各第二感測墊216的圖案化保護層220。在本實施例中，圖案化保護層220 例如是完全填入空隙218所構成的多個十字狀空隙圖案且完全覆蓋第一感測墊212及第二感測墊216的邊緣部。圖案化保護層220例如為網狀。在本實施例中，是以圖案化保護層220暴露出第一感測墊212與第二感測墊216的大部分面積為例，但在其他實施例中，圖案化保護層220也可以依照需求暴露出各第一感測墊212之適當面積以及各第二感測墊216之適當面積。值得注意的是，由於圖案化保護層220會遮蔽空隙218，因此能保護經由空隙218所暴露出的第一緩衝層204a及第二緩衝層204b。因此，用以形成圖案化保護層220的蝕刻製程或後續其他製程不會導致第一緩衝層204a及第二緩衝層204b遭到破壞，藉此達到觸控面板200光學表現最佳化的效果。此外，圖案化保護層220可避免所述蝕刻製程造成第一感測墊212與第二感測墊216下方發生底切現象而產生縫隙(air gap)，進而導致第一感測墊212與第二感測墊216明顯可見。如此一來，第一緩衝層204a及第二緩衝層204b能提供諸如折射率等良好且穩定的光學特性，以增加觸控面板200的光學調整彈性。

在本實施例中，圖案化保護層220例如是作為折射率匹配層。圖案化保護層220的材料例如是與第一緩衝層204a及第二緩衝層204b相似或相同。圖案化保護層220的材料例如是無機材料，包括氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiN_x)、氮氧化矽(SiO_xN_y)、五氧化二鈮(Nb₂O₅)、氟化鎂(MgF₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氟化鈰(CeF₃)、二氧化鋯(ZrO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、硫化鋅(ZnS)或上述組合，其中圖案化保護層220的厚度例如是約0.3至2微米。在另一實施例中，圖案化保護層220的材料也可以是有機材料。

請同時參照圖3C、圖4C以及圖5C，而後，於圖案化保護層220上形成第二圖案化導體層230。第二圖案化導體層230的形成方法例如是藉由進行沈積製程、微影製程與蝕刻製程而形成。在本實施例中，第二圖案化導體層230例如是包括多個第二橋接線232，各第二橋接線232電性連接兩相鄰之第二感測墊216。圖案化保護層220例如是更位於第一橋接線214與第二橋接線232之間。在本實施例中，多個第二感測墊216與多個第二橋接線232形成第二感測串列250，各第二感測串列250沿第二方向D2延伸。在本實施例中，第二方向D2例如是y方向。圖案化保護層220使第一感測串列240與第二感測串列250彼此電性絕緣。由於此步驟是於兩相鄰之第二感測墊216之間形成第二橋接線232，因此沿圖3C之II-II’的圖5C與沿圖3B之II-II’的圖5B相同。

第二圖案化導體層230的材料例如是不透明導電材料、透明導電材料或是兩者的疊層，其中不透明導電材料例如是金、銀、銅、鋁、鉬、鈦、鉻、鎘、鎢、鋅、鎳等金屬或其合金，透明導電材料例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或其他透明導電金屬氧化物。

之後，請同時參照圖3C、圖4D以及圖5D，然後，在本實施例中，更包括於第一圖案化導體層210、圖案化保護層220以及第二圖案化導體層230上形成絕緣層260。絕緣層260的材料例如是氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiN_x)、氮氧化矽(SiO_xN_y)或其他合適的材料。

在本實施例中，觸控面板200例如是投射電容式觸控面板。觸控面板200包括基板202、第一圖案化導體層210、圖案化保護層220以及第二圖案化導體層230。第一圖案化導體層210位於基板202上，第一圖案化導體層210包括多個第一感測墊212以及多個第二感測墊214，其中每兩相鄰之第一感測墊212及第二感測墊214間具有空隙218。在本實施例中，觸控面板200更包括第一緩衝層204a及第二緩衝層204b位於基板202上，第一圖案化導體層210例如是位於第一緩衝層204a及第二緩衝層204b上，空隙218所構成的多個十字狀空隙圖案例如是暴露出第二緩衝層204b。圖案化保護層220位於第一圖案化導體層210上，圖案化保護層220完全遮蔽空隙218所構成的多個十字狀空隙圖案且暴露出各第一感測墊212之至少一部份以及各第二感測墊216之至少一部份。第二圖案化導體層230位於圖案化保護層220上。在本實施例中，第二圖案化導體層230例如是包括多個第二橋接線232，各第二橋接線232電性連接兩相鄰之第二感測墊216。圖案化保護層220例如是更位於第一橋接線214與第二橋接線232之間。在本實施例中，觸控面板200例如是更包括絕緣層260位於第一圖案化導體層210、圖案化保護層220以及第二圖案化導體層230上。

在本實施例的觸控面板及其製造方法中，每兩相鄰之第一感測墊212及第二感測墊216間具有空隙218，且空隙218構成多個十字狀空隙圖案。圖案化保護層220完全遮蔽空隙218所構成的多個十字狀空隙圖案，且暴露出各第一感測墊212之至少一部份以及各第二感測墊216之至少一部份。如此一來，圖案化保護層220能保護經由空隙218所暴露出來的第二緩衝層204b，以避免用以形成圖案化保護層220的蝕刻製程或其他後續製程破壞第一緩衝層204a及第二緩衝層204b。因此，圖案化保護層220、第一緩衝層204a及第二緩衝層204b在材料選擇上具有較大的空間，諸如皆可選用適當的光學匹配材料，使得第一圖案化導體層210與基板202之間可以具有至少一層光學匹配層來對產品進行光學調整。再者，可採用製作薄膜電晶體的化學氣相沉積機台來形成圖案化保護層220，因此圖案化保護層220具有製作成本低的優點。

另一方面，由於圖案化保護層220不會全面覆蓋在基板202上，甚至僅完全覆蓋空隙218所構成的多個十字狀空隙圖案與感測墊212、216的邊緣部，因此觸控面板200的光學特性不易受到圖案化保護層220的厚度影響，而具有較佳的光學穩定性。也就是說，藉由圖案化保護層220的配置，觸控面板200能包括較多層的光學匹配層，且觸控面板200的光學特性不易受到圖案化保護層220的厚度影響，因此觸控面板220具有良好的光學特性與較佳的光學穩定性。

圖6A為根據本發明之一實施例的一種觸控面板的上視示意圖，圖6B為沿圖6A之I-I’的剖面示意圖，以及圖6C為沿圖6A之II-II’的剖面示意圖。圖6A至圖6C所示的觸控面板200a的結構與圖3C、圖4D以及圖5D所示的觸控面板200的結構相似，其主要不同處在於觸控面板200a更包括擬圖案234。在本實施例中，第二圖案化導體層230例如是包括多個擬圖案234，其中擬圖案234中之至少一個例如是位於兩相鄰的第一感測墊212與第二感測墊216之間且與其絕緣，其中至少一個擬圖案234與兩相鄰的第一感測墊212與第二感測墊216中之一個的最短水平距離d例如是0至15微米，較佳為0至5微米。在一實施例中，最短水平距離d例如是實質上等於0，也就是擬圖案234的寬度與空隙218實質上相同。

一般來說，在考量製程中的黃光精度與蝕刻能力下，當擬圖案與感測墊位於同一層時，擬圖案與感測墊之間的距離通常需維持為約25至30微米。然而，在本實施例中，是將擬圖案234配置在第一感測墊212與第二感測墊216之間的圖案化保護層220上，也就是擬圖案234與第一感測墊212與第二感測墊216位於不同層，因此擬圖案234的設置不可能造成第一感測墊212與第二感測墊216產生線路短路的情況，且形成擬圖案234的製程條件相較於習知製程，亦較為寬鬆。故，可以根據需求，縮短擬圖案234與兩相鄰的第一感測墊212與第二感測墊216中之一個的最短水平距離d，甚至是使得最短水平距離d為0，甚至是擬圖案234的寬度大於空隙218的寬度，以達到使第一感測墊212與第二感測墊216不可見的目的。因此，觸控面板200a不但具有前一實施例中所述的優點，且具有較佳的視覺效果。

綜上所述，在本發明的觸控面板及其製造方法中，每兩相鄰之第一感測墊及第二感測墊間具有空隙，且空隙構成多個十字狀空隙圖案。另外，圖案化保護層完全遮蔽十字狀空隙圖案，且暴露出各第一感測墊之至少一部份以及各第二感測墊之至少一部份。由於圖案化保護層能避免經由空隙所暴露出來的膜層受到破壞，因此使用者可以根據需求來選擇圖案化保護層的材料，而無需考量到圖案化保護層的材料與其下方膜層材料之間的蝕刻選擇比。因此，能大幅增加圖案化保護層的材料選擇性，進而降低圖案化保護層的製作成本，以及達到在第一圖案化導體層與基板之間設置多個光學匹配層的目的。再者，由於圖案化保護層實質上配置在空隙與感測墊的邊緣區，因此其在基板上所佔的面積實質上相對較小，故圖案化保護層的厚度不易對觸控面板的整體光學特性產生影響，使得觸控面板具有較佳的光學穩定性。此外，在一實施例中，可以進一步在圖案化保護層上設置擬圖案，以達到觸控墊不可見的目的，進而提升觸控面板的視覺效果。

另一方面，觸控面板的製造方法能輕易地與現有的觸控面板製作流程結合，且能採用製作薄膜電晶體的化學氣相沉積機台來形成圖案化保護層，故不會大幅地增加製作步驟或製作成本，且甚至可以降低觸控面板的製作成本。因此，觸控面板具有良好的光學特性、較佳的光學穩定性以及視覺效果，且具有較佳的良率與較低的製作成本。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

Claims

一種觸控面板，包括：一基板；至少一緩衝層，位於該基板上；一第一圖案化導體層，位於該緩衝層上，該第一圖案化導體層包括多個第一感測墊以及多個第二感測墊，其中每兩相鄰之第一感測墊及第二感測墊間具有一空隙，而該空隙構成多個十字狀空隙圖案，且該些十字狀空隙圖案暴露出該緩衝層；一圖案化保護層，位於該第一圖案化導體層上，該圖案化保護層遮蔽該些十字狀空隙圖案以及該十字狀空隙圖案所暴露出的該緩衝層，且該圖案化保護層暴露出各該第一感測墊之至少一部份以及各該第二感測墊之至少一部份；以及一第二圖案化導體層，位於該圖案化保護層上。
如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該第一圖案化導體層更包括多個第一橋接線，各該第一橋接線電性連接兩相鄰之第一感測墊，其中該第二圖案化導體層包括多個第二橋接線，各該第二橋接線電性連接兩相鄰之第二感測墊，該圖案化保護層更位於該些第一橋接線與該些第二橋接線之間，該觸控面板更包括一絕緣層位於該第一圖案化導體層、該圖案化保護層以及該第二圖案化導體層上。
如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中，該圖案化保護層完全遮蔽該十字狀空隙圖案以及該十字狀空隙圖案所暴露出的該緩衝層，且該緩衝層的材料係包括氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiN_x)、氮氧化矽(SiO_xN_y)、五氧化二鈮(Nb₂O₅)、氟化鎂(MgF₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氟化鈰(CeF₃)、二氧化鋯(ZrO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、硫化鋅(ZnS)或上述組合。
如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該圖案化保護層的材料係包括氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiN_x)、氮氧化矽(SiO_xN_y)、五氧化二鈮(Nb₂O₅)、氟化鎂(MgF₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氟化鈰(CeF₃)、二氧化鋯(ZrO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、硫化鋅(ZnS)或上述組合，其中該圖案化保護層的厚度為約0.3至2微米。
如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該圖案化保護層為網狀，其中該第二圖案化導體層包括多個擬圖案，其中該些擬圖案中之至少一個係位於兩相鄰的第一感測墊與第二感測墊之間且與其絕緣，其中該至少一個擬圖案與該兩相鄰的第一感測墊與第二感測墊中之一個的最短水平距離為0至15微米。
一種觸控面板的製造方法，包括：於一基板上形成一緩衝層；於該基板上形成一第一圖案化導體層，該第一圖案化導體層位於該緩衝層上，且包括多個第一感測墊以及多個第二感測墊，其中每兩相鄰之第一感測墊及第二感測墊間具有一空隙，而該空隙構成多個十字狀空隙圖案，且該些十字狀空隙圖案暴露出該緩衝層；於該第一圖案化導體層上形成一圖案化保護層，該圖案化保護層遮蔽該些十字狀空隙圖案以及該十字狀空隙圖案所暴露出的該緩衝層，且該圖案化保護層暴露出各該第一感測墊之至少一部份以及各該第二感測墊之至少一部份；以及於該圖案化保護層上形成一第二圖案化導體層。
如申請專利範圍第6項所述的觸控面板的製造方法，其中該第一圖案化導體層更包括多個第一橋接線，各該第一橋接線電性連接兩相鄰之第一感測墊，其中該第二圖案化導體層包括多個第二橋接線，各該第二橋接線電性連接兩相鄰之第二感測墊，該圖案化保護層更位於該些第一橋接線與該些第二橋接線之間。
如申請專利範圍第6項所述的觸控面板的製造方法，其中，該圖案化保護層完全遮蔽該十字狀空隙圖案以及該十字狀空隙圖案所暴露出的該緩衝層，且該緩衝層的材料係包括氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiN_x)、氮氧化矽(SiO_xN_y)、五氧化二鈮(Nb₂O₅)、氟化鎂(MgF₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氟化鈰(CeF₃)、二氧化鋯(ZrO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、硫化鋅(ZnS)或上述組合。
如申請專利範圍第6項所述的觸控面板的製造方法，更包括於該第一圖案化導體層、該圖案化保護層以及該第二圖案化導體層上形成一絕緣層，其中該圖案化保護層的材料係包括氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiN_x)、氮氧化矽(SiO_xN_y)、五氧化二鈮(Nb₂O₅)、氟化鎂(MgF₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氟化鈰(CeF₃)、二氧化鋯(ZrO₂)、二氧化鈦(TiO₂)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、硫化鋅(ZnS)或上述組合，其中該圖案化保護層的厚度為約0.3至2微米。
如申請專利範圍第6項所述的觸控面板的製造方法，其中該第二圖案化導體層包括多個擬圖案，其中該些擬圖案中之至少一個係位於兩相鄰的第一感測墊與第二感測墊之間且與其絕緣，其中該至少一個擬圖案與該兩相鄰的第一感測墊與第二感測墊中之一個的最短水平距離為0至15微米。